【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用抵抗１２１ｂの端子間電圧に基づいてオン駆動用ＦＥＴ１２１ａに流れる電流を検出する。そして、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａに電流が流れているとき、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。従って、オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 内部回路の内部ノードが初期状態に設定されたことを精度よく検出し、内部回路が動作を開始するまでの復帰時間を短縮する。
【解決手段】 第１電源スイッチは、内部電源電圧を受けて動作する内部回路の動作を開始させるための第１電源オン信号の活性化中に、外部電源線を内部電源電圧が供給される内部電源線に接続する。第２電源スイッチは、第２電源オン信号の活性化中に、外部電源線を内部電源線に接続する。検知部は、第１電源スイッチのオンにより上昇する内部電源電圧を受けて動作する回路を含む。検知部は、内部電源電圧が第１電圧を超えることにより、内部回路の内部ノードが初期状態に設定されたことを検出したときに第２電源オン信号を活性化する。 （もっと読む）

【課題】一導電型のＴＦＴのみを用いて回路を構成することにより工程削減が可能であり
、かつ出力信号の電圧振幅が正常に得られる表示装置の駆動回路を提供する。
【解決手段】出力ノードに接続されているＴＦＴ２０３のゲート−ソース間に容量２０５
を設け、ＴＦＴ２０１、２０２からなる回路は、ノードαを浮遊状態とする機能を有する
。ノードαが浮遊状態のとき、容量２０５によるＴＦＴ２０３のゲート−ソース間の容量
結合を利用してノードαの電位をＶＤＤよりも高い電位とし、これによって、ＴＦＴのし
きい値に起因する振幅減衰が生ずることなく、正常にＶＤＤ−ＧＮＤ間の振幅を持った出
力信号を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】回生電流がモータ等の負荷から駆動回路を構成するプリドライバ回路側に流れても、駆動回路の制御に影響を与えないようにすること。
【解決手段】第１の電源電圧（ＶＭ）に接続された第１の駆動トランジスタと、接地に接続された第２の駆動トランジスタとの間の負荷に接続される接続ノード（Ｎ１）を出力端子とするブリッジ回路に接続されたプリドライバ回路において、接続ノード（Ｎ１）である出力端子に接続された出力モニタ回路を有し、該出力モニタ回路を用いて、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）に基づいて電圧のみをフィードバックさせる第１のフィードバック信号（Ｓ１）を生成し、第１のフィードバック信号（Ｓ１）に基づいて第２のフィードバック信号（Ｓ２）を生成して、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）が第１の電源電圧（ＶＭ）に近づくように、第１の駆動トランジスタを駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】保護対象のスイッチング素子のラッチアップを阻止することができる保護装置、相補型保護装置、信号出力装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】ＰＭＯＳトランジスタ１０６に対して過電流が流れていない状態でＰＭＯＳトランジスタ１０６を非導通状態にする場合、ＰＭＯＳトランジスタ２０Ａ及びＰＭＯＳトランジスタ２２の各々を導通状態とするように制御し、ＰＭＯＳトランジスタ１０６に対して過電流が流れている状態でＰＭＯＳトランジスタ１０６を非道通状態にする場合、ＰＭＯＳトランジスタ２０Ａを導通状態にすると共にＰＭＯＳトランジスタ２２を非導通状態にするように制御する。 （もっと読む）

【課題】しきい電圧Ｖ_Ｔが小さくてもリーク電流が小さく、また高速にかつ小さな電圧振幅で動作するＣＭＯＳ回路さらには半導体装置を提供することである。
【解決手段】ゲートとソースを等しい電圧にしたときにドレインとソース間に実質的にサブスレショルド電流が流れるようなＭＯＳＴ（Ｍ）を含む出力段回路において、その非活性時には、前記ＭＯＳＴ（Ｍ）のゲートとソース間を逆バイアスするように該ＭＯＳＴ（Ｍ）のゲートに電圧を印加する。すなわち、ＭＯＳＴ（Ｍ）がｐチャンネル型の場合にはｐ型のソースに比べて高い電圧をゲートに印加し、また、ＭＯＳＴ（Ｍ）がｎチャンネル型の場合にはｎ型のソースに比べて低い電圧をゲートに印加する。活性時には、入力電圧に応じて該逆バイアス状態を保持するかあるいは順バイアス状態に制御する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の極性切替（極性反転）が可能な表示パネルドライバの消費電力を低減する表示パネルドライバを提供する。
【解決手段】本発明による表示パネルドライバは、表示パネルの画素に接続された第１データ線及び第２データ線を駆動する出力段として、第１電源範囲で駆動する第１出力段２４Ａ及び第４出力段２４Ｂを利用する第１モードと、第１電源範囲よりも広い第２電源範囲で駆動する第２出力段７３Ａ及び第３出力段７３Ｂを利用する第２モードとを切替える第１スイッチ回路５０と、第２モードの間に、正極性駆動電圧と負極性駆動電圧の出力先となるデータ線６を切替える第２スイッチ回路３０とを備える。又、第１出力段２４Ａは、ウェルが他のＮＭＯＳトランジスタから分離され、バックゲートがソースに接続された第１プルダウン出力トランジスタＭＮ１８を備える。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるスイッチ回路装置では、ドライバ回路がアンテナ端子とポートとの間に振幅の大きい高周波信号を入力した際に、ドライバ回路内部でリーク電流が発生し、スイッチ回路装置の消費電力が増大する、という問題がある。
【解決手段】ドライバ回路の出力部に、リーク電流抑制回路部を設ける。本発明のスイッチ回路装置によれば、リーク電流抑制回路部が高周波信号の侵入を抑制するので、ドライバ回路は出力状態を保持することが出来て、リーク電流の問題が解決される。 （もっと読む）

【課題】出力信号遅延を抑制し、消費電流の増大を抑制する出力回路の提供。
【解決手段】入力端子１０１と出力端子１０２の電圧を差動入力する差動入力段１１０からなる差動増幅回路と、第１及び第２の電源端子ＶＤＤ、ＶＳＳに接続された第１及び第２のカレントミラー１３０、１４０と、前記第１及び第２のカレントミラーの入力間、出力間に接続される第１、第２の連絡回路１５０Ｌ、１５０Ｒと、第１導電型の第１のトランジスタ１２１と第２導電型の第２のトランジスタ１２２とからなる出力増幅回路と、前記第１、第２の電源端子ＶＤＤ、ＶＳＳの電源電圧の間の電圧が供給される第３の電源端子ＶＭＬの電圧に応じたバイアス信号を受ける第１導電型の第３のトランジスタ１６１からなる制御回路１６０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】ｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオフするときに、ＩＧＢＴ１１のコレクタ電流Ｉｃの時間変化に基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。また、ｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、ＩＧＢＴ１１がターンオンするときに、図示せぬＦＷＤの転流電流ＩＦＷＤに基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。このようなｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、帰還電圧ＶＦＢを駆動信号の電圧の一部として印加するタイミングを遅延させる遅延フィルタとして、ＬＰＦ回路２０１を備えている。ＬＰＦ２０１の遅延量、即ちインダクタンスＬｄを適度に調整することで、還流ダイオードの電圧におけるサージ電圧を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】入力電圧の急変や負荷短絡時等における共振外れにより、中間電位ＶＳが急変した場合にも、ハイサイドドライブ信号ＳＤＨとローサイドドライブ信号ＳＤＬに応じて、所定の動作をすることが可能なドライブ制御回路を提供する。
【解決手段】ドライブ制御回路１０１は、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１とローサイドスイッチ素子Ｑ２との間の中間端子Ｘに接続された共振回路の状態を検出することにより得られた状態検出信号Ｄｅｓに応じて、第１のＭＯＳトランジスタＭ１の他端と第２の電位線９との間の抵抗値を下げる抵抗制御回路２を備える。 （もっと読む）

【課題】発振信号にノイズが発生してデッドタイムパルスが短くなる場合でも、ハイサイドドライブ信号およびローサイドドライブ信号を切り替えて出力することが可能なドライブ信号生成回路を提供する。
【解決手段】ドライブ信号生成回路１は、第１のパルス信号を出力するデッドタイムパルス生成回路１ａと、第２のパルス信号Ａを出力するデッドタイム調整回路１ｂと、第３のパルス信号Ｂを出力する補償パルス生成回路１ｃと、第２のパルス信号Ａと第３のパルス信号Ｂとの論理和を演算し、この演算結果に応じた第４のパルス信号Ｚを出力するＯＲ回路１ｄと、第４のパルス信号Ｚに応じて、ハイサイドドライブ信号ＳＨおよびローサイドドライブ信号ＳＬを出力する論理回路１ｅと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ特性のばらつきにかかわらず画像ムラがなく、高精細・高解像度の良好な画像を得ることができる半導体表示装置の駆動回路および半導体表示装置を提供する。
【解決手段】半導体表示装置はソース信号線側駆動回路と、ゲイト信号線側駆動回路とを有し、駆動回路はシフトレジスタ回路からのタイミング信号をバッファする複数のインバータ回路を有するバッファ回路を有し、インバータ回路は複数のインバータ回路を並列に接続して構成される。 （もっと読む）

【課題】２つのクロック信号を切り替えて出力する切替回路において、出力信号のデューティ比を、入力されるクロック信号のデューティ比に保つこと。
【解決手段】切替回路１００は、制御信号ＣＯＮＴに応じて、入力信号ＩＮ１，ＩＮ２を切り替えて出力信号ＯＵＴとして出力する。具体的には、制御信号ＣＯＮＴが「Ｌレベル」のときには、クロックドインバーターＸ２が動作し、信号ＩＮ１が信号ＯＵＴとして出力され、制御信号ＣＯＮＴが「Ｈレベル」のときには、クロックドインバーターＸ４が動作し、信号ＩＮ２が信号ＯＵＴとして出力される。 （もっと読む）

【課題】センス比の温度分布依存性を除去し、センスＭＯＳＦＥＴによる電流検出の精度を向上できる電流制御用半導体素子、およびそれを用いた制御装置を提供することにある。
【解決手段】電流制御用半導体素子１は、同一半導体チップ上に、電流を駆動するメインＭＯＳＦＥＴ７と、メインＭＯＳＦＥＴ７に並列に接続し、メインＭＯＳＦＥＴの電流を分流して電流検出を行うためのセンスＭＯＳＦＥＴ８とを有する。メインＭＯＳＦＥＴは、複数のチャネルを有し、一列に配列されたマルチフィンガーＭＯＳＦＥＴを使用して形成される。マルチフィンガーＭＯＳＦＥＴ７の中心から、最も遠いチャネルまでの距離をＬとすると、マルチフィンガーＭＯＳＦＥＴの中心から（Ｌ／（√３））の位置に最も近いチャネルを、センスＭＯＳＦＥＴ８のチャネルとして使用する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの遮断遅延を抑制し、絶縁ゲート型トランジスタ（ＩＧＢＴ）の保護動作を向上できるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】絶縁ゲート型トランジスタ３１のゲートに、相補型の対のトランジスタ４１Ａ，４１Ｂを接続し、対のトランジスタ４１Ａ，４１Ｂのベースライン４２の電流制御により絶縁ゲート型トランジスタ３１を駆動するゲート駆動回路２５において、トランジスタ４１Ａ，４１Ｂのベースライン４２に、ターンオン時にベースライン電流で充電されるコンデンサＣｓと、ターンオフ時にコンデンサＣｓに充電された電荷を消費すると共に、絶縁ゲート型トランジスタ３１のゲート電位上昇によりトランジスタ４１Ａのベースに供給された電荷を消費する抵抗Ｒｂ２とを並列接続した電荷消費回路４３Ａを設けた。 （もっと読む）

【課題】２相クロックによる負荷容量の駆動において、負荷容量間の電荷の再利用を行うと共に、出力クロックの高速化を容易にする。
【解決手段】第１クロック信号とその逆位相の第２クロック信号とに対してそれぞれ遅延した第１及び第２遅延クロック信号が生成される。インバータ回路は第１クロック信号と第１遅延クロック信号とが逆位相である逆転期間において第１クロック信号と逆位相の第１電位を第１出力ノードに生成し且つ第２クロック信号と逆位相の第２電位を第２出力ノードに生成し、第１クロック信号と第１遅延クロック信号とが同位相である一致期間において第１出力ノードと第２出力ノードとをハイインピーダンスとする。スイッチ回路は、逆転期間において第１出力ノードと第２出力ノードとを接続するオン状態とする。第１出力ノードと第２出力ノードとは、駆動対象回路の負荷容量に接続される。 （もっと読む）

【課題】電力伝送効率が良く、より小型化できるスイッチング素子駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子１０２のゲート信号を発生させる制御演算装置１０１と、スイッチング素子と制御演算装置との絶縁を確保するトランス１１０と、第１の周波数とより速い第２の周波数の信号を発生する発振装置１０５，１０７と、ゲート信号の立ち上がり及び立ち下りの瞬間に一定時間だけ第１の周波数から第２の周波数に変化させた交流信号を出力する交流周波数変更手段１１１と、第１の周波数を第１のゲインにて変圧し、第２の周波数をより大きな第２のゲインで変圧して出力する共振回路１１０，１０９と、交流信号の振幅変化に従ってゲート信号の立ち上がり及び立ち下がりを復調して復調ゲート信号を出力する復調回路１３２，１３３，１３４と、復調ゲート信号によりスイッチング素子のゲートをオン／オフ駆動するゲートドライブ回路１４２，１４３を備えている。 （もっと読む）

【課題】駆動回路やトランジスタにおいてばらつきがあっても、ＰＷＭ駆動信号の駆動デューティ成分が小さい場合にも、上側トランジスタと下側トランジスタのシュート・スルー（貫通状態）を防止する。
【解決手段】入力端子の第２レベルまたは第１レベル信号に応じてスイッチングデバイスの制御端子に駆動電流をシンク出力するシンク回路と、スイッチングデバイスのオフ期間中に制御端子を経て容量性の電流をシンクする電流シンクトランジスタと、入力端子の信号に応じてソース回路の入力駆動信号と、シンク回路あるいは前記シンクトランジスタへの入力駆動信号とを生成するＩ／Ｆ回路と、シンク回路または前記シンクトランジスタへの入力駆動信号をシンク回路かあるいはシンクトランジスタのどちらに入力駆動信号として出力するかを選択するセレクタと、この選択動作を制御するセレクタへの選択信号を受ける入力端子とを備える。 （もっと読む）

【課題】電源投入時に初期状態を確実に設定できる電子回路、パワーオンリセット回路、集積回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】電子回路は、各回路素子がトランジスターで構成される複数の回路素子ＸＡ１〜ＸＢ２と、第１の高電位電源電圧ＶＤＤが供給され、ＶＤＤが所定の電圧レベルになるまでは、低電位電圧レベルに設定され、ＶＤＤが所定の電圧レベルを越えると、ＶＤＤに追従して電圧レベルが上昇する第２の高電位電源電圧ＶＩＮＴを出力する電源出力回路１００とを含む。複数の回路素子のうち、初期状態においてその出力ノードが高電位電圧レベルになる回路素子である第１のグループの回路素子ＸＡ１、ＸＡ２には、ＶＤＤが供給され、初期状態においてその出力ノードが低電位電圧レベルになる回路素子である第２のグループの回路素子ＸＢ１、ＸＢ２には、ＶＩＮＴが供給される。 （もっと読む）