【課題】電流検出回路におけるゲインａおよびオフセットｂの変動を補正して、１チップのＩＣ内で高精度な電流検出が可能な電流制御用半導体素子およびそれを用いた制御装置を提供することにある。
【解決手段】電流制御用半導体素子１００は、同一半導体チップ上に、ＭＯＳＦＥＴ１００Ｈと、２つの定電流源Ｉｃ１，Ｉｃ２と、ＭＯＳＦＥＴの電流および定電流源の電流を検出する電流検出回路１２０とを備える。さらに、定電流源は、その電流値を計測するための外部接続端子Ｔ５を備える。補正用測定値保持レジスタ１４５は、外部から測定した定電流源の電流値を保持する。 （もっと読む）

【課題】通信仕様が各種存在していても、スイッチＩＣの設計、作製に要するコストや時間を抑圧できる高周波スイッチモジュールを実現する。
【解決手段】スイッチＩＣ１０は、スイッチ制御部１０１とスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９を備える。各スイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９は、一つのアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）に対して各通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）の間にそれぞれ挿入されている。全てのスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９は、ＦＥＴを同じ段数で接続した構成からなり、全てのスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９が同じ電気的特性を有する。各通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）とアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）との間のスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９が同じであることで、通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）の全てを、送信用、受信用、送受信兼用に利用することができる。 （もっと読む）

【課題】差動入力信号の振幅中心電圧が高い場合でも、差動出力信号の振幅変動やジッタを抑制することができるドライバ回路を提供することである。
【解決手段】本発明にかかるドライバ回路は、トランジスタＭ１と、トランジスタＭ１のソースと電源端子との間に接続された負荷素子Ｒ１と、トランジスタＭ１とカレントミラー回路を構成するトランジスタＭ２と、入力された差動入力信号に応じた差動出力信号を出力すると共に、トランジスタＭ２によりソースにバイアス電流が供給される一対のトランジスタを備える差動対と、トランジスタＭ２のソースと電源端子との間に接続された負荷素子Ｒ２と、非反転入力端子がトランジスタＭ１のソースと接続され、反転入力端子がトランジスタＭ２のソースと接続され、出力が差動対を構成する一対のトランジスタのバックゲートに接続されたオペアンプＡＭＰ１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置側において自動的にキャリブレーション動作を行う。
【解決手段】出力バッファ７１のインピーダンスを調整するキャリブレーション回路１００と、オートリフレッシュコマンドＡＲが所定回数発行されたことに応答してキャリブレーション回路１００を活性化させるキャリブレーション起動回路２００とを備える。本発明によれば、コントローラ側からキャリブレーションコマンドを発行することなく、半導体装置側にて自動的にキャリブレーション動作を行うことが可能となる。しかも、オートリフレッシュコマンドＡＲが所定回数発行されたことに応答してキャリブレーション動作を行っていることから、定期的なキャリブレーション動作が確保されるとともに、キャリブレーション動作中にコントローラからリード動作やライト動作を要求されることもない。 （もっと読む）

【課題】１つの回路ブロックに対して設けた複数の電源スイッチを順次オンさせていく構成において、スイッチオンのタイミングを適切に制御可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、内部回路と、内部回路へ電流を供給する複数の並列な経路にそれぞれ設けられ、導通状態又は非導通状態に制御される複数の電源スイッチと、内部回路への電源を遮断する指示又は電源を供給する指示を行なう命令部と、内部回路に電源スイッチを介して供給される電流が定常状態であるか否かを検知して検知結果を出力する変動検知部と、命令部の電源供給指示に応答して、複数の電源スイッチを順次導通状態にして内部回路への電流供給量を増やしていく際に、複数の電源スイッチを導通させるタイミングを検知結果に応じて制御する論理回路とを含む。 （もっと読む）

【課題】発振回路と信号入出力回路とを切り替えて使用可能な半導体装置、及びその制御方法を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、発振素子１が接続可能な第１及び第２の外部接続端子２、３と、反転増幅器４と、反転増幅器の出力側と入力側との間に接続されたフィードバック抵抗５と、反転増幅器４の入力側に接続されたカップリング容量１１に印加されるバイアスを安定化するバイアス安定化回路６と、第１の信号入出力部７と、第２の信号入出力部８と、を備える。半導体装置を発振回路として使用する場合は、反転増幅器４およびバイアス安定化回路６を動作状態とし、第１及び第２の信号入出力部７、８を停止状態とする。信号入出力回路として使用する場合は、反転増幅器４およびバイアス安定化回路６を停止状態とし、第１及び第２の信号入出力部７、８を動作状態とする。 （もっと読む）

【課題】単調に減衰するだけの出力電圧特性に比べて、急峻に減衰した後に緩やかに減衰する出力電圧特性が得られる時定数回路等を提供する。
【解決手段】時定数回路１０は、抵抗素子１１１と容量素子１２１との並列回路１３１，…が第一の端子１４と第二の端子１５との間に複数直列に接続されて成る直並列回路１６と、第二の端子１５に接続された第三の端子１７と第四の端子１８との間に接続された分圧用抵抗素子１９と、を備えている。並列回路１３１は抵抗素子１１１と容量素子１２１とから成り、並列回路１３２は抵抗素子１１２と容量素子１２２とから成り、・・・、並列回路１３ｎは抵抗素子１１ｎと容量素子１２ｎとから成る。ｎは、並列回路１３１〜１３ｎの数であり、２以上の整数である。 （もっと読む）

【課題】プルアップ回路（バスホールド回路）の電源電圧Ｖｃｃ及び入力端子ＩＮに電位差が生じる場合でもリーク電流を発生させない手段を提供する。
【解決手段】パスホールド回路に制御端子ＣＮＴを設ける。この制御端子ＣＮＴの反転出力で動作するスイッチとしてＭＯＳＦＥＴ１３を備える。一方入力端子ＩＮと制御端子ＣＮＴの入力はＮＯＲゲート３１に入力され、このＮＯＲゲート３１の出力がパスホールド回路の入力端子・電源電圧間の接続を制御するＭＯＳＦＥＴ１２のゲート端子に入力される。ＭＯＳＦＥＴ１２及びＭＯＳＦＥＴ１３を直列に接続することで、入力端子・電源電圧間の接続をより制度よく制御し、リーク電流の発生を抑止する。 （もっと読む）

【課題】サンプリングパルスの周波数を高めたりデューティ比を特別に絞り込むことなく実効的にデューティ比の小さいサンプリングパルスを得ることができ、従って、高域までの周波数特性に関する要求水準が緩和されたサンプリングミキサ回路を提供する。
【解決手段】サンプリングに適用する各キャパシタＣ１〜Ｃ４の充電経路となる各電流パス１１３−１，１１３−２，１１３−３，１１３−４を第１スイッチおよび第２スイッチの直列接続回路を含むように構成し、これら各電流パスが所定の各位相差で順次周期的に導通すると共に各電流パス毎の第１および第２スイッチが所定の位相差でオンになる多相のサンプリングパルスを各対応する第１スイッチおよび第２スイッチに供給することによって、各電流パスにおける導通状態の繰り返しに関するデューティ比が上記サンプリングパルスのデューティ比よりも小さくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、中央処理装置の低消費電力モード時に外部から供給されるアナログ信号の正確なＡＤ変換を行うことができる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【解決手段】割込み信号のエッジ検出を行ってエッジ検出信号を生成するエッジ検出手段１１と、外部から供給されるアナログ信号をエッジ検出信号により保持し、中央処理装置１３からの制御により、保持しているアナログ信号をＡＤ変換して中央処理装置に供給するＡＤ変換手段１２とを有し、割込み信号又はエッジ検出信号によって中央処理装置が低消費電力モードからクロックを高速とする通常モードとなった後にＡＤ変換手段１２に保持しているアナログ信号をＡＤ変換したデジタルデータを中央処理装置１３に取り込む。 （もっと読む）

【課題】低電圧の制御信号を高電圧の制御信号に変換して出力する高圧用のドライブ回路において、待機時の消費電力を削減することができるようにする。
【解決手段】低圧部１からの制御信号ａ１〜ｄ１及びａ２〜ｄ２により高圧部２のトランジスタＭＮ１〜ＭＮ８を駆動し、操作対象３に駆動信号を出力する。その際、低圧部１からの制御信号ａ１〜ｄ１をそれぞれ論理積ゲートＱ１〜Ｑ４の一方の入力端子を介して高圧部２のトランジスタＭＮ１，ＭＮ３，ＭＮ５，ＭＮ７のゲートに入力し、論理積ゲートＱ１〜Ｑ４の他方の入力端子には高圧部２のオン／オフ信号を入力する。 （もっと読む）

【課題】入力端子にノイズが発生する。
【解決手段】第１の電流経路は、第１の電源端子と第１の出力端子間に接続され、制御端子に差動入力信号の一方が入力される第１のトランジスタと、第２の電源端子と第１の出力端子との間に接続され、制御端子に差動入力信号の他方が入力される第２のトランジスタと、第１の電源端子と第１のトランジスタとの間に接続される第１のスイッチ回路とを有し、第２の電流経路は、第２の電源端子と第２の出力端子との間に接続され、制御端子に差動入力信号の一方が入力される第３のトランジスタと、第１の電源端子と第２の出力端子との間に接続され、制御端子に差動入力信号の他方が入力される第４のトランジスタと、第２の電源端子と第３のトランジスタとの間に接続される第２のスイッチ回路とを有し、第１、第２のスイッチ回路は、制御信号により導通状態が制御される差動増幅器。 （もっと読む）

【課題】複数の機能を備える光電センサユニットにおいてユーザの用途やワークに応じた設定を容易に設定可能とすることで、光電センサユニットが有する能力を適切に引き出すことができる光電センサユニットを提供すること。
【解決手段】検出機能及び表示機能を定める複数の設定パラメータの設定内容を初期化する通常の初期化処理を実行する通常初期化モードと、ユーザの用途に応じて一部の設定パラメータを推奨される設定内容に変更した上で、残りの設定パラメータを初期化する特別初期化モードのいずれかを選択する設定画面を表示し、特別初期化処理が実行されると、複数の設定パラメータの組み合わせが推奨される設定内容に自動的に設定される。 （もっと読む）

【課題】マルチバンド又はマルチモードに適した半導体装置、高周波回路を提供する。
【解決手段】半導体基板３０１上に電界効果型トランジスタを形成してなる半導体装置であって、電界効果型トランジスタのソース電極およびドレイン電極としてのオーミック電極５０１ａ、５０１ｂと、前記オーミック電極５０１ａ、５０１ｂに挟まれた位置に設けられた、前記電界効果型トランジスタのゲート電極としてのショットキー電極６０１ａ、６０１ｃと、ショットキー電極６０１ａ、６０１ｃに挟まれた位置に設けられたショットキー電極６０１ｂとを備え、ショットキー電極６０１ｂが接地されている。 （もっと読む）

信頼性を向上させるため、スイッチング性能向上のための接続バルクと均一電圧分布のためのバイアス抵抗器とを備えるスイッチが説明される。一例示的設計において、スイッチ（７００）はスタックに結合された複数のトランジスタ（７１０ａ−ｋ）と、スタック内の少なくとも１つの中間ノードへ結合された少なくとも１つの抵抗器（７４０ａ−ｋ）とを含む。トランジスタは、（ｉ）スタック内の第１のトランジスタへ印加される第１の電圧と、（ｉｉ）第１の電圧より低く、トランジスタのバルクノードへ印加される、第２の電圧（Ｖ_ＢＵＬＫ）とを有する。抵抗器（７４０ａ−ｋ）は、トランジスタ（７１０ａ−ｋ）がオフのときにトランジスタ（７１０ａ−ｋ）の整合バイアス状態を維持する。一例示的設計では、各トランジスタのソースおよびドレイン間に１つの抵抗器が結合される。別の例示的設計では、各中間ノードと第１の電圧との間に１つの抵抗器が結合される。この抵抗器は各トランジスタのソースを第１の電圧に維持する。
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【課題】プリアンブルに続く最初のハイレベル又はローレベルの区間の長さを、その後のクロッキング部分のハイレベル又はローレベルの区間の長さに一致させる。
【解決手段】 出力ドライバは、第１の電源と出力端子との間に接続される第１のドライバと、第２の電源と出力端子との間に接続される第２のドライバとを有する。第１のドライバ及び第２のドライバの一方は、互いに並列接続された２つの駆動部を備える。これら２つの駆動部の各々と、第１のドライバ及び第２のドライバの他方とは、それぞれ独立した入力信号に応じて動作する。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増加および抵抗素子数の増加を抑制しながら、入力操作が容易な入力回路を提供する。
【解決手段】この入力回路１００は、抵抗素子１１、１２および１３を含む第１回路部１０と、第１回路部１０に対して並列的に設けられ、抵抗素子２１および２２を含む第２回路部２０と、第１回路部１０のノードＮ１〜Ｎ３と、第２回路部２０のノードＮ４〜Ｎ６とを接続することにより電源１１０からグランド１２０に至る互いに異なる複数の電気経路を個別に形成可能であるとともに、各々が通常状態で非接続状態となるように構成された複数のスイッチ３０ａ〜３０ｉと、複数のスイッチのうちの１つのスイッチが接続されることにより所定の電気経路が形成された場合に所定の電気経路に対応する第１回路部１０の抵抗素子および第２回路部２０の抵抗素子により分圧された電圧を出力する出力端子４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ハイ・インピーダンスにする際に発生する電源ノイズを低減させる出力バッファ回路を提供する。
【解決手段】出力バッファ回路１０は、データ信号ＤＡ及び制御信号ＤＣに基づいて、ＰＭＯＳトランジスタＴ１をオンからオフさせＮＭＯＳトランジスタＴ２をオフからオンさせて出力端子Ｐｏを第１状態に、ＰＭＯＳトランジスタＴ１をオフからオンさせＮＭＯＳトランジスタＴ２をオンからオフさせて出力端子Ｐｏを第２状態に、又、両トランジスタＴ１，Ｔ２をオフさせて出力端子Ｐｏをハイ・インピーダンスとなる。そして、オフ時間制御回路部１３によって、第１状態又は第２状態からハイ・インピーダンスにする制御信号が入力された時、オンからオフさせるためにＰＭＯＳトランジスタＴ１又はＮＭＯＳトランジスタＴ２のゲートに供給される信号の立ち上がり波形又は立ち下がり波形を緩やかにする （もっと読む）

【課題】出力負荷を駆動する電圧帰還型Ｄ級増幅回路の周波数特性を改善する。
【解決手段】入力信号のＰＷＭ変調を行なう比較回路（２６Ａ，２６Ｂ）に、ＰＷＭキャリアとなる三角波（ＴＯＳＣ）を与える三角波信号発生器（３０）に対し、三角波の勾配を補正する三角波補正回路（３２）を設ける。三角波（ＴＯＳＣ）のスルーレート（勾配）を出力回路駆動用指令値（ＣＯＭＰＯＵＴＰ，ＣＯＭＰＯＵＴＭ）のデューティが５０％近傍となる領域において小さくする。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を向上させるとともに、発光素子と制御素子を封止する透光性樹脂の形状を所望の形状に保持しやすい半導体リレーモジュールを提供する。
【解決手段】半導体リレーモジュールＡは、ソース電極同士が接続されたＭＯＳＦＥＴ１１，１２からなり、高周波信号用の信号伝送線路１１０の途中に設けられた半導体スイッチ１と、入力信号に応じて光信号を発光する発光ダイオード３１と、発光ダイオード３１からの光信号を受光する受光素子を有し当該受光素子の出力に応じてＭＯＳＦＥＴ１１，１２のオン／オフを制御する制御ＩＣ３２と、制御ＩＣ３２が備える受光素子および発光ダイオード３１を光学的に結合させた状態で樹脂封止する透光性樹脂８を備える。制御ＩＣ３２は、信号伝送線路１１０を構成する導体パターン１１３から分岐させたランド１３２上に配置され、導体パターン１１３とランド１３２との間にはＬＰＦ４が挿入される。 （もっと読む）