【課題】インバータなどの遅延が無視できない高速動作時において、クロックフィールドスルーの影響を改善するのが困難
【解決手段】ＭＯＳＴ４はソース端子に入力されるアナログ入力信号を矩形波パルスのサンプル信号によりオンオフしてサンプリングする。ＭＯＳＴ５はＭＯＳＴ４のドレイン端子にソース端子およびドレイン端子が接続されサンプル信号の極性を反転した反転サンプル信号によりオンオフしてＭＯＳＴ４の寄生容量を補償する。論理回路10,11はサンプル信号と反転サンプル信号の位相差を検出して誤差信号を出力する。ＭＯＳＴ６,７はＭＯＳＴ５のソース端子およびドレイン端子にソース端子およびドレイン端子が接続され、位相差を補償する。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子のオン故障や誤動作によって発生する、スイッチング素子をオフできない異常状態を検出することができる電子装置を提供する。
【解決手段】オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障や誤動作によってオンしたときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンすると、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が低下せず、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態が発生する。このとき、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａには、正常時には流れることがない、所定閾値Ｉｔｈ以上の電流が所定時間Ｔｔｈ以上流れる。制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａに所定閾値Ｉｔｈ以上の電流が所定時間Ｔｔｈ以上流れているとき、ＩＧＢＴ１１０ｄが異常状態にあると判断する。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａのオン故障や誤動作によって発生する、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】より確実に安定した減電圧監視を行うことが可能な減電圧リセット回路及び電源装置を提供する。
【解決手段】減電圧リセット回路１５は、ドレインがリセット信号出力端子Ｔ５に接続されたＮチャネル型の第１トランジスタ１５３と、ドレインがリセット信号出力端子Ｔ５に接続されたＮチャネル型の第２トランジスタ１５４と、監視対象電圧Ｖ１の供給を受けて動作し、監視対象電圧Ｖ１が第１閾値電圧を下回っているときに第１トランジスタ１５３をオンさせる第１監視部１５１と、監視対象電圧Ｖ１とは異なる駆動電圧Ｖ０の供給を受けて動作し、監視対象電圧Ｖ１が第１閾値電圧よりも低く第１監視部１５１の下限動作電圧よりも高い第２閾値電圧を下回っているときに第２トランジスタ１５４をオンさせる第２監視部１５２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】オン駆動用抵抗１２１ｂ、１２１ｄとオフ駆動用抵抗１２２ｂ、１２２ｄの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａ、１２２ｃがともにオンした場合、及び、オン駆動用ＦＥＴ１２１ｃとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａ、１２２ｃがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が、オン電圧が増加するオン、オフの閾値電圧付近の所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａ、１２１ｃのいずれかがオン故障等したときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａ、１２２ｃがオンしても、オン電圧が増加してＩＧＢＴ１１０ｄの発熱が増大することなく、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフすることができる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】本実施例におけるセレクタ回路は、所定ノードに対する充電と放電により入力信号の選択動作を行う前段の選択回路において余計な消費電流が生じるのを防止し、回路の消費電力を低減することを目的とする。
【解決手段】本実施例におけるセレクタ回路は、第１選択制御信号に基づいて複数の入力信号のうちの１つを選択して第１出力信号を出力する複数の第１選択回路と、第２選択制御信号に基づいて複数の第１出力信号のうちの１つを選択して出力する第２選択回路を含み、第１選択回路の各々が、第１期間に第１ノードと第１電源を電気的に接続して第１ノードを充電する充電回路と、第１ノードと第２電源の間に設けられ、第１期間の後に続く第２期間に第１選択制御信号、複数の入力信号及び第２選択制御信号に基づいて、第１ノードと第２電源を電気的に接続して、充電された第１ノードを放電させる否かを制御する放電制御回路を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】制御電圧以外の電源を用いることなく低消費電力かつ低コストで高性能に切り替え動作を行うことができる高周波用スイッチ回路を提供する。
【解決手段】第１および第２ＭＯＳＦＥＴ回路１１，２１のゲート端子と第１および第２制御端子ＣＴ１，ＣＴ２との間に一端が接続され、他端がグランドＧＮＤに接続されることにより、第１および第２制御端子ＣＴ１，ＣＴ２からグランドＧＮＤへ向かう方向が順方向となるような少なくとも１つの整流素子Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２を含む第１および第２整流回路１２，２２と、第１および第２整流回路１２，２２の整流素子の少なくとも１つの順方向電流入力端子側と第１および第２ＭＯＳＦＥＴ回路１１，２１の何れかの主端子側とが接続された接続部３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドスイッチの過電流の検出精度を高めることが可能なハイサイドスイッチ回路、および、そのハイサイドスイッチ回路を含む装置を提供する。
【解決手段】ハイサイドスイッチ回路１０は、入力端子１１と出力端子１２との間に電気的に接続されるスイッチ（ＭＯＳトランジスタ１５）と、ゲート制御部１６と、過電流検出部２０とを備える。過電流検出部２０は、抵抗素子２１と、比較器２２とを含む。比較器２２は、抵抗素子２１の電圧Ｖ１がしきい電圧を超える場合に、過電流を検出する。比較器２２は、過電流時の検出電圧Ｖ１がしきい電圧を上回るように、予め調整される。抵抗素子２１の抵抗値の精度が高くない場合にも、比較器２２の調整によって、過電流の検出精度が高められる。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドスイッチの過電流が検出された場合に、ハイサイドスイッチだけでなくハイサイドスイッチに接続される回路を保護することが可能なハイサイドスイッチ回路、および、そのハイサイドスイッチ回路を含む装置を提供する。
【解決手段】ゲート電圧降圧部３１は、過電流検出部２０からの電流制限信号に応じて、ＭＯＳトランジスタ１５のゲート電圧を第１の電圧から、第１の電圧と第２の電圧との間の第３の電圧まで、第１の時間変化率で低下させる。これによりＭＯＳトランジスタ１５のオン抵抗がＭＯＳトランジスタ１５の完全オン時のオン抵抗より高くなる。ゲート電圧降圧部３２は、ゲート電圧が第３の電圧に達した後に、ゲート電圧を第３の電圧から第２の電圧まで第２の時間変化率で低下させる。第１の時間変化率は、第２の時間変化率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】駆動信号がスイッチング素子のオフを指示しているにもかかわらず、制御端子の電圧が低下せず、スイッチング素子をオフできない場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路は、正常時に、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオフするタイミング（ｔ６）、オフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンするタイミング（ｔ７）、及び、オン保持用ＦＥＴ１２３ａがオンするタイミング（ｔ９）の後であって、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオン指示からオフ指示に切替わるタイミング（ｔ５）から一定の時間Ｔｏｆｆの経過後に、オン保持用ＦＥＴ１２３ａをオンする（ｔ１０）。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障し、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらずＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態であっても、ＩＧＢＴ１１０ｄを確実にオフできる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】回路面積および製造コストの増大を招くことなく、ゲート電圧をクランプ値に収束するまでの応答時間を短くすることができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】トランジスタＱ１１に過電流が流れる異常が生じると異常検出信号ＳａがＨレベルになり、スイッチＳ１１がオンする。その状態において信号線Ｌ１３、Ｌ１２間の電位差がクランプ値を超えて上昇しようとすると、ツェナーダイオードＤ１１が降伏し、その降伏電流の大部分が増幅用トランジスタＴ１２のベース電流となる。増幅用トランジスタＴ１２の増幅作用によって、降伏電流を増幅した電流がクランプ用トランジスタＴ１１のベースに供給される。クランプ用トランジスタＴ１１は、供給されるベース電流に応じたコレクタ電流を信号線Ｌ１１、Ｌ１２間に流す。これにより、信号線Ｌ１１、Ｌ１２間の電位差が低下する。 （もっと読む）

【課題】回生電流がモータ等の負荷から駆動回路を構成するプリドライバ回路側に流れても、駆動回路の制御に影響を与えないようにすること。
【解決手段】第１の電源電圧（ＶＭ）に接続された第１の駆動トランジスタと、接地に接続された第２の駆動トランジスタとの間の負荷に接続される接続ノード（Ｎ１）を出力端子とするブリッジ回路に接続されたプリドライバ回路において、接続ノード（Ｎ１）である出力端子に接続された出力モニタ回路を有し、該出力モニタ回路を用いて、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）に基づいて電圧のみをフィードバックさせる第１のフィードバック信号（Ｓ１）を生成し、第１のフィードバック信号（Ｓ１）に基づいて第２のフィードバック信号（Ｓ２）を生成して、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）が第１の電源電圧（ＶＭ）に近づくように、第１の駆動トランジスタを駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】電源回路における回路素子の破壊を防止することが可能な誘導性負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】誘導性負荷駆動装置の構成として、電源回路の出力端子と誘導性負荷の一端との間に介挿された第１のスイッチング素子と、前記誘導性負荷の他端とアースとの間に介挿された第２のスイッチング素子と、前記第１及び第２のスイッチング素子の両方がオフの時に前記誘導性負荷の他端から出力される逆起電流を前記電源回路の出力端子に回生させる逆起電流回生回路と、前記電源回路の出力電圧が予め設定された閾値以上となった場合に、前記第２のスイッチング素子をオンにする回路素子保護回路と、を備えた構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】端子切替時の挿入損失の増加を抑制した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、電源回路部と制御回路部とスイッチ部とを備えた半導体スイッチが提供される。前記電源回路部は、内部電位生成回路と第１のトランジスタとを有する。前記内部電位生成回路部は、電源線に接続され、入力電位よりも高い第１の電位を生成する。前記第１のトランジスタは、前記内部電位生成回路の入力と出力との間に接続され、前記第１の電位が前記入力電位よりも低下したときオンして前記第１の電位を前記入力電位以上に保持するようにしきい値電圧が設定されたことを特徴とする。前記制御回路部は、前記第１の電位を供給され、ハイレベルまたはローレベルの制御信号を出力する。前記スイッチ部は、前記制御信号を入力して端子間の接続を切り替える。 （もっと読む）

【課題】スイッチの切替時間を短縮できる高周波半導体スイッチ装置を提供する。
【解決手段】制御回路は、負電圧発生回路に接続されるとともに、出力ノードが高周波スイッチ回路に接続され、高周波スイッチ回路に供給するローレベルの制御信号として負電位の信号を供給するレベルシフト回路を有し、出力ノードに蓄積されている電荷を、レベルシフト回路が動作する前に放電させる。 （もっと読む）

【課題】 異なる通信システムに対応可能で、受信感度が高く送信電力の損失が抑制された高周波回路、高周波部品及びこれを用いた通信装置を提供する。
【解決手段】 第１及び第２のアンテナ端子と、第１の通信システム用の送信端子並びに第１及び第２の受信端子と、前記第１及び第２のアンテナ端子を選択して前記送信端子と接続するスイッチ回路を少なくとも備えた高周波回路であって、前記スイッチ回路と第１のアンテナ端子をつなぐ信号経路と、前記スイッチ回路と第２のアンテナ端子をつなぐ信号経路のそれぞれに整合回路を配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン電流ＩＤが急激に増加し、電圧Ｖdsが増加する過渡期間であっても、ＦＥＴ（Ｔ１）の温度上昇量を忠実に示す信号を生成することが可能な負荷回路の保護装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）の両端に生じる電圧Ｖdsに比例する電流Ｉａを流す電流変換回路２１と、この電流Ｉａを通電するインピーダンス回路２２を備える。そして、ＦＥＴ（Ｔ１）の過渡熱抵抗の時間に対する変化を示す関数を過渡熱関数Ｒth（ｔ）としたとき、ＦＥＴ（Ｔ１）に、ゼロから階段状に増加する電流を通電した際に、インピーダンス回路２２の点Ｐ２に生じる電圧Ｖ５が、過渡熱関数Ｒth（ｔ）の平方根に比例した電圧となるように、前記インピーダンス回路のインピーダンスを設定する。そして、電圧Ｖ５が判定電圧Ｖ６を上回った場合に、ＦＥＴ（Ｔ１）を遮断して負荷駆動回路を過熱から保護する。 （もっと読む）

【課題】ＰＷＭ信号の傾きを制御する場合でも、本来意図したデューティと同じ期間だけ、半導体スイッチング素子をオンできる駆動装置を提供する。
【解決手段】ゲート駆動回路４が、入力されるＰＷＭ信号の立ち上がり及び立ち下がりにそれぞれ傾きを付与したゲート信号をＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１のゲートに出力する場合、デューティ調整部３は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１を介してランプ２に出力される電圧信号を検出し、入力信号の立ち上がりから電圧信号が立ち上がるまでの時間ａと、ＰＷＭ信号の立ち下がりから電圧信号が立ち下がるまでの時間ｂとを求め、デューティｚ＝（ｘ＋ａ−ｂ）に設定した駆動信号をゲート駆動回路４に出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】ターンオフ用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＦＦは、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオフするときに、ＩＧＢＴ１１Ｕのコレクタ電流Ｉｃの時間変化に基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。ターンオン用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＮは、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオンするときに、ＦＷＤ１２Ｄの転流電流ＩＦＷＤに基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。この場合、ターンオン用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＮは、転流電流ＩＦＷの方向が、リバースリカバリー区間に対応する方向、即ち図１３に示すＦＷＤ１２Ｄのカソードからモータ等の負荷Ｌ側に流れる方向である場合、帰還電圧ＶＦＢを生成し、それ以外の場合、帰還電圧ＶＦＢの生成を禁止する。 （もっと読む）

【課題】出力信号遅延を抑制し、消費電流の増大を抑制する出力回路の提供。
【解決手段】入力端子１０１と出力端子１０２の電圧を差動入力する差動入力段１１０からなる差動増幅回路と、第１及び第２の電源端子ＶＤＤ、ＶＳＳに接続された第１及び第２のカレントミラー１３０、１４０と、前記第１及び第２のカレントミラーの入力間、出力間に接続される第１、第２の連絡回路１５０Ｌ、１５０Ｒと、第１導電型の第１のトランジスタ１２１と第２導電型の第２のトランジスタ１２２とからなる出力増幅回路と、前記第１、第２の電源端子ＶＤＤ、ＶＳＳの電源電圧の間の電圧が供給される第３の電源端子ＶＭＬの電圧に応じたバイアス信号を受ける第１導電型の第３のトランジスタ１６１からなる制御回路１６０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電圧クランプ回路構成を用いてスイッチ両端の電圧を制限するためのシステム、方法、および装置を提供する。
【解決手段】電圧クランプ回路構成１２５は、入力２２７および出力２２９を備えた整流器回路２２５であって、入力２２７は動作回路構成に渡って並列に連絡する整流器回路２２５と、整流器回路２２５の出力２２９と並列に連絡する電子能動スイッチング素子２０５と、電子能動スイッチング素子２０５と並列に連絡する少なくとも１つのツェナー・ダイオード２１０と、を備えていても良い。電子能動スイッチング素子２０５およびツェナー・ダイオード２１０に渡る電圧が所定の値を満たすかまたは超えた場合には、電流が電子能動スイッチング素子２０５を通って流れて、動作回路構成に渡る電圧を電圧クランプ回路構成１２５の電圧制限内に制限する。 （もっと読む）