【課題】電圧クランプ回路構成を用いてスイッチ両端の電圧を制限するためのシステム、方法、および装置を提供する。
【解決手段】電圧クランプ回路構成１２５は、入力２２７および出力２２９を備えた整流器回路２２５であって、入力２２７は動作回路構成に渡って並列に連絡する整流器回路２２５と、整流器回路２２５の出力２２９と並列に連絡する電子能動スイッチング素子２０５と、電子能動スイッチング素子２０５と並列に連絡する少なくとも１つのツェナー・ダイオード２１０と、を備えていても良い。電子能動スイッチング素子２０５およびツェナー・ダイオード２１０に渡る電圧が所定の値を満たすかまたは超えた場合には、電流が電子能動スイッチング素子２０５を通って流れて、動作回路構成に渡る電圧を電圧クランプ回路構成１２５の電圧制限内に制限する。 （もっと読む）

【課題】発振信号にノイズが発生してデッドタイムパルスが短くなる場合でも、ハイサイドドライブ信号およびローサイドドライブ信号を切り替えて出力することが可能なドライブ信号生成回路を提供する。
【解決手段】ドライブ信号生成回路１は、第１のパルス信号を出力するデッドタイムパルス生成回路１ａと、第２のパルス信号Ａを出力するデッドタイム調整回路１ｂと、第３のパルス信号Ｂを出力する補償パルス生成回路１ｃと、第２のパルス信号Ａと第３のパルス信号Ｂとの論理和を演算し、この演算結果に応じた第４のパルス信号Ｚを出力するＯＲ回路１ｄと、第４のパルス信号Ｚに応じて、ハイサイドドライブ信号ＳＨおよびローサイドドライブ信号ＳＬを出力する論理回路１ｅと、を備える。 （もっと読む）

【課題】入力電圧の急変や負荷短絡時等における共振外れにより、中間電位ＶＳが急変した場合にも、ハイサイドドライブ信号ＳＤＨとローサイドドライブ信号ＳＤＬに応じて、所定の動作をすることが可能なドライブ制御回路を提供する。
【解決手段】ドライブ制御回路１０１は、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１とローサイドスイッチ素子Ｑ２との間の中間端子Ｘに接続された共振回路の状態を検出することにより得られた状態検出信号Ｄｅｓに応じて、第１のＭＯＳトランジスタＭ１の他端と第２の電位線９との間の抵抗値を下げる抵抗制御回路２を備える。 （もっと読む）

【課題】ダイオード内蔵ＩＧＢＴを備えた半導体装置において、ダイオード素子とＩＧＢＴ素子のゲート信号との干渉を回避してダイオードの順方向損失増加を防止する。
【解決手段】メイン用のダイオード素子２２ａに流れる電流を電流検出用のダイオードセンス素子２２ｂおよびセンス抵抗３０にて検出する。他方、フィードバック回路部４０にてセンス抵抗３０の両端の電位差Ｖｓがモニタされると共に、当該電位差Ｖｓに基づいてダイオード素子２２ａに電流が流れているか否かが判定される。そして、ダイオード素子２２ａに電流が流れていると判定された場合、フィードバック回路部４０からＩＧＢＴ素子２１ａの駆動を停止させる停止信号がＡＮＤ回路１０に入力され、ＡＮＤ回路１０にてＩＧＢＴ素子２１ａの駆動が停止される。 （もっと読む）

【課題】デッドタイム補償前のＰＷＭゲート指令とデッドタイム補償後の相電圧出力との誤差（位相差）を低減することで遅延誤差ＴＤＬＹを短縮する。
【解決手段】デッドタイム補償部３０は、ＰＷＭゲート指令Ｇａｔｅ＿ＵとＰＷＭ出力Ｖｃｅ＿Ｕとの位相差に応じて求めるデッドタイム補償分Ｖｃｍｐ＿ＵでＰＷＭ電圧指令Ｖｃｍｄ＿Ｕの電圧値を増減し、この補償後のＰＷＭ電圧指令Ｖｃｍｄ＿Ｕ’をＰＷＭ波形発生部２０でＰＷＭゲート指令に変換することで、デッドタイム補償前のＰＷＭゲート指令とデッドタイム補償後の相電圧出力との誤差（位相差）を低減する。 （もっと読む）

【課題】一つの切替信号によってスイッチ動作を制御可能とする。
【解決手段】デプレッション型電界効果トランジスタ２０１とエンハンスメント型電界効果トランジスタ３０１が直列接続されて設けられ、デプレッション型電界効果トランジスタ２０１のゲートが第１のゲート抵抗器を介して接地される一方、エンハンスメント型電界効果トランジスタ３０１のゲートには、第２のゲート抵抗器を介して外部から切替信号が印加可能とされ、前記切替信号の電圧レベルを変化させることで、デプレッション型電界効果トランジスタ２０１とエンハンスメント型電界効果トランジスタ３０１の導通、非導通を相補的に切替可能にし、第１乃至第３の高周波入出力端子１０１〜１０３における高周波信号の入出力を制御可能としてなるものである。 （もっと読む）

【課題】細かな時間調整を行うことで、ＣＰＵセービングの復帰時間を短縮する無線通信端末装置及びそのセービング復帰制御方式を提供する。
【解決手段】ＣＰＵ１０は外部デバイス３０ａにセービング要求を通知し（Ｓ１００）、外部デバイス３０ａは、割り込み出力待ち設定レジスタ３１に割り込み出力待ち時間を設定する（Ｓ２００）。ＣＰＵ１０は、クロック安定時間設定レジスタ１１にクロック安定時間を設定し（Ｓ３００）、ＣＰＵセービングに移行する。外部デバイス３０ａが起動要求信号を入力し（Ｓ４００）、外部クロック水晶発振子４０に「オン」信号を出力し（Ｓ５００）、外部クロック水晶発振子４０は外部クロックをＣＰＵ１０に出力する（Ｓ６００）。外部デバイス３０ａは、割り込み出力待ち時間の経過後にＣＰＵ１０に割り込み通知を出力する（Ｓ７００）。ＣＰＵ１０は、クロック安定時間が経過した後に動作を再開する。 （もっと読む）

【課題】２相クロックによる負荷容量の駆動において、負荷容量間の電荷の再利用を行うと共に、出力クロックの高速化を容易にする。
【解決手段】第１クロック信号とその逆位相の第２クロック信号とに対してそれぞれ遅延した第１及び第２遅延クロック信号が生成される。インバータ回路は第１クロック信号と第１遅延クロック信号とが逆位相である逆転期間において第１クロック信号と逆位相の第１電位を第１出力ノードに生成し且つ第２クロック信号と逆位相の第２電位を第２出力ノードに生成し、第１クロック信号と第１遅延クロック信号とが同位相である一致期間において第１出力ノードと第２出力ノードとをハイインピーダンスとする。スイッチ回路は、逆転期間において第１出力ノードと第２出力ノードとを接続するオン状態とする。第１出力ノードと第２出力ノードとは、駆動対象回路の負荷容量に接続される。 （もっと読む）

【課題】位相制御装置において、トランジスタに与えるゲート駆動電圧を、簡単な構成を用いて全波整流により生成する。
【解決手段】スイッチング手段3は、ソースが交流電源1の一端と、ドレインが負荷2の一端と接続される第１トランジスタ31と、ソースが交流電源1の他端と、ドレインが負荷2の他端と接続される第２トランジスタ32とを含む。定電圧生成手段7のダイオードブリッジ71の一方の入力端子は、交流電源1と第１トランジスタ31の接続点に接続され、ダイオードブリッジ71の他方の入力端子は、交流電源1と第２トランジスタ32の接続点に接続される。定電圧生成手段7の出力端子間には、抵抗72とツェナーダイオード74及びコンデンサ73の並列回路とが直列に接続される。トランジスタ31,32の制御端子の電位は、この並列回路と抵抗72の接点の電位と、ダイオードブリッジ71の負側の出力端子の電位との間で切り換わる。 （もっと読む）

【課題】ミリメートル波周波数において有効な切替え可能減衰器を提供する。
【解決手段】入力減衰器２２は、直列結合されているＲＦ＿ＩＮ＋端子、第１のノード、伝送線路ＴＬ３、直流遮断キャパシタＣｂｌ３、第２のノード、第３のノード、及び出力端子を有する第１の入力回路２１５を有する。第１のノードは、直列結合されているキャパシタＣｍ３及び第１のシリコンゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタＱ９を介して選択的に接地へ結合される。第２のノードは、キャパシタＣｍ１を介して接地へ結合されている。第３のノードは、直列結合されている直流遮断キャパシタＣｂｌ１、抵抗Ｒａｔｔ１及び第２のシリコンゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタＱ７を介して選択的に接地へ結合される。入力減衰器２２は、更に、第１の入力回路２１５と並列に、第１の入力回路２１５と同じ構造を有する第２の入力回路２１６を有する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつ、出力電圧のばらつきをなくすことの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】３Ｔｒ２Ｃで構成されるインバータ回路において、トランジスタＴｒ２のゲートと低電圧線Ｌ１との間、さらにトランジスタＴｒ２のソースと低電圧線Ｌ１との間に、入力電圧Ｖｉｎと低電圧線Ｌ１の電圧との電位差に応じてオンオフ動作するトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が設けられている。トランジスタＴｒ２のゲートには、容量素子Ｃ１，Ｃ２が直列接続されており、トランジスタＴｒ２のソースには、容量素子Ｃ１，Ｃ２が並列接続されている。 （もっと読む）

【課題】過電流保護の判定を高精度に行うパワーモジュールの提供を目的とする。
【解決手段】本発明のパワーモジュールは、主電極及びセンス電極を有する半導体デバイス１と、一端が半導体デバイス１のセンス電極Ｓに接続され、半導体デバイス１の主電流に応じたセンス電流を電圧変換するセンス抵抗Ｒ_sと、センス抵抗Ｒ_sの他端を制御グランドに接続する第１配線４と、主電極を主端子Ｅに接続する第２配線５と、第２配線５の主電極側を第１配線４のセンス抵抗Ｒ_s側に接続する第１電流経路６と、第１配線４の制御グランド側を第２配線５の主端子Ｅ側に接続する第２電流経路７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑制しつつ、ハイサイドトランジスタの誤動作を防止可能な制御回路を提供する。
【解決手段】制御回路１２はハイサイドトランジスタＭ１を制御する。負電圧回路２０は、動作状態と停止状態が切りかえ可能であって、動作状態においてハイサイドトランジスタＭ１の低電位側端子（ソース）より低いローレベル駆動電圧Ｖ４を発生し、停止状態において消費電流が低下する。ハイサイド駆動回路１４は、ハイサイドトランジスタＭ１のオン、オフを制御する制御信号Ｇ１を受け、制御信号Ｇ１がハイサイドトランジスタＭ１のオフを指示するとき、ハイサイドトランジスタＭ１の制御端子（ゲート）に、ローレベル駆動電圧Ｖ４に応じた駆動電圧Ｖ_Ｇ１を印加する。制御装置８は、負電圧回路２０の動作状態と停止状態を切りかえる。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつ、出力電圧のばらつきをなくすことの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】５Ｔｒ２Ｃで構成されるインバータ回路において、トランジスタＴｒ₂のソースと低電圧線Ｌ_Lとの間、トランジスタＴｒ₅のゲートと低電圧線Ｌ_Lとの間、さらにトランジスタＴｒ₂のゲートと低電圧線Ｌ_Lとの間に、入力電圧Ｖ_inと低電圧線Ｌ_Lの電圧Ｖ_Lとの電位差に応じてオンオフ動作するトランジスタＴｒ₁，Ｔｒ₃，Ｔｒ₄が設けられている。トランジスタＴｒ₅のゲートには、容量素子Ｃ₁，Ｃ₂が直列接続されており、トランジスタＴｒ₅のソースには、容量素子Ｃ₁，Ｃ₂が並列接続されている。 （もっと読む）

【課題】耐圧を上げることなく、消費電力を低減することの可能なインバータ回路およびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】７Ｔｒ２Ｃで構成されるインバータ回路において、容量素子Ｃ₁がトランジスタＴｒ₅のソースに接続されるとともに、トランジスタＴｒ₄を介してトランジスタＴｒ₇のゲートに接続されている。トランジスタＴｒ₇のソースには、トランジスタＴｒ₂のゲートが接続されている。これにより、入力端子ＩＮに立下り電圧が入力され、トランジスタＴｒ₁，Ｔｒ₃，Ｔｒ₆がオフしたときに、Ｖ_ddが充電された容量素子Ｃ₁によって、トランジスタＴｒ₇のゲートがＶ_SS＋Ｖ_th7以上の電圧にチャージされ、トランジスタＴｒ₇がオンし、さらにトランジスタＴｒ₂がオンする。 （もっと読む）

【課題】少なくとも２５ＧＨｚ帯の高周波帯で高性能な特性が得られる高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】第３整合回路１１２及び第４整合回路１２２は、マイクロストリップライン等の分布定数回路で構成されており、特性インピーダンスがＺ０で線路長が１／４波長となるように形成されている。第３整合回路１１２と第１スイッチ１１３、及び第４整合回路１２２と第２スイッチ１２３をそれぞれ組み合わせることで、送信側高周波スイッチ１１０及び受信側高周波スイッチ１２０を、ショートまたはオープンの状態に切り替えることができる。送信側高周波スイッチ１１０または受信側高周波スイッチ１２０がショート状態になるとそのスイッチが閉となり、オープン状態になると開となる。 （もっと読む）

【課題】常温環境のみで初期校正を行ない、実用温度環境においても正確な電流制御を行なう。
【解決手段】所定の温度特性を有する電流検出抵抗126の側近位置に温度センサ171を配置して、校正環境と実用環境における抵抗値を推定すると共に、目標負荷電流に対応した校正環境における実測負荷電流を制御特性データとして記憶し、目標負荷電流に対応した補正目標電流を算出し、電流検出抵抗の変動比率に基づく換算目標電流を電流制御の目標電流として制御する。温度センサ171では完全には検知できない電流検出抵抗126の発熱による抵抗変動分は、制御特性データの中で補正され、制御特性の線形性が改善される。 （もっと読む）

【課題】 入出力信号が変化する際の過渡期間に出力バッファを構成するトランジスタへのバイアス電流を一時的に増強することで、バッファ回路全体の定常的なバイアス電流を抑制しつつ、高スルーレートが得られるバッファ回路を提供する。
【解決手段】 ドライバ回路200は信号レベル発生回路100により発生した信号SGOを出力バッファ回路110を駆動する回路150(プリバッファ回路)を介し、出力バッファ回路110により伝送線路120を駆動することで測定対象回路DUT140に伝える。プリバッファ回路150とこれを模擬したレプリカバッファ回路160とを互いに並列に備え、信号SGOが変化する際の入出力新信号の過渡期間において、レプリカバッファ回路160の出力電流に基づいて出力バッファ回路110の出力段トランジスタQN12、QP22の入力バイアス電流を一時的に増強する。 （もっと読む）

【課題】トレンチゲート型などの微細ＭＯＳＦＥＴにおいて、ＭＯＳＦＥＴの動作電流とダイオード電流を検出することができる半導体基板を提供する。
【解決手段】半導体基板において、半導体基板１は、主電流領域２と主電流領域２に流れる主電流より小さい電流が流れる電流センス領域３を有し、主電流領域２は、主面にソース電極８が配置され、ソース電極８はｐ型半導体領域（ボディ）６とｎ^＋型半導体領域（ソース）７に接触し、電流センス領域３は、主面にＭＯＳＦＥＴ電流検出用電極１０およびダイオード電流検出用電極１１が配置され、ＭＯＳＦＥＴ電流検出用電極１０はｐ型半導体領域（ボディ）６とｎ^＋型半導体領域（ソース）７に接触し、ダイオード電流検出用電極１１はｐ型半導体領域（ボディ）６に接触する。 （もっと読む）

【課題】センサ装置の回路規模および製造コストを従来よりも抑制しつつ、負荷短絡保護機能を実現する。
【解決手段】センサ用出力ＩＣ１０は、センサからの検出信号に基づき、出力端子間をオン・オフするための出力用トランジスタ１１を備える。センサ用出力ＩＣ１０は、センサ用出力ＩＣ１０内の温度が所定値以上になると、出力用トランジスタ１１をオフ状態に維持する温度制限回路１３と、出力用トランジスタ１１のベース電位Ｖ_Ｂを所定値以下に制限する電圧制限回路１５とを備えている。 （もっと読む）