【課題】ダイオードから見るインピーダンスが変化しても、利得特性と位相特性の単調変化を実現することができるリニアライザを得ることを目的とする。
【解決手段】アノードが信号路３に接続されて、順方向に電圧が印加されているダイオード１５と、アノードが信号路４に接続されて、順方向に電圧が印加されているダイオード１６とを備え、ダイオード１５のカソードとダイオード１６のカソードとの接続点がバイアス接地用ビアホール１７に接地されている。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力側分布回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力側分布回路と、入力側分布回路に接続された高周波入力端子と、出力側分布回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップのドレイン端子電極近傍に配置された平滑化キャパシタとを備え、高周波半導体チップと、入力側分布回路と、出力側分布回路と、平滑化キャパシタとが１つのパッケージに収納されたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】クラスＥのＨＰＡが広い帯域幅にわたって同時に高いＰＡＥ及び電力を維持することを可能にする。
【解決手段】スイッチングモード電力増幅器の出力に結合されたシャント誘導素子と、前記増幅器の前記出力に結合されている直列の誘導素子と、前記直列の誘導素子に結合されている直列の容量素子とを含む構成とした。 （もっと読む）

【課題】熱時定数による増幅利得の時間的な変化を補償でき、良好な直線性を有するパルス増幅装置を提供する。
【解決手段】パルス電力増幅装置１０は、高周波信号を変調するパルス信号を入力され、前記パルス信号を入力され第１の増幅器の熱時定数に対応する時定数を有する第１の微分回路と、前記パルス信号を入力され第２の増幅器の熱時定数に対応する時定数を有する第２の微分回路と、励振回路及び最終段増幅器の入力側の負バイアス端子に供給される負バイアス電圧を出力する負バイアス電源１８と、この負バイアス電源の出力する負バイアス電圧に前記第１の微分回路の出力を加算して前記第１の増幅器の入力側の負バイアス端子に供給する第１の加算回路と、前記負バイアス電源の出力する負バイアス電圧に前記第２の微分回路の出力を加算して前記第２の増幅器の入力側の負バイアス端子に供給する第２の加算回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 平衡型増幅器の性能を損なわず、小型のモジュールを提供すること、他の回路機能とともに複合して無線通信装置の高周波回路部を構成可能なモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】
絶縁体層と導体パターンとを含む多層基板に、一対の増幅器の入力側に第１ハイブリッド回路を出力側に第２ハイブリッド回路を有する平衡型増幅器を構成したモジュールで、 積層方向に連なる複数のビアホールでなるビアホール群を縦列して構成されたシールドによって、前記第１ハイブリッド回路と前記第２ハイブリッド回路とを区画した。 （もっと読む）

【課題】進行波管等の電子管の負荷変動により高周波信号の位相が高速に変動した場合でも、その位相変動を抑制できる高周波回路システムを提供する。
【解決手段】電子管及び該電子管に所定の直流電圧を供給する電源装置を備えた高周波回路システムに、電子管へ入力する第１高周波信号と電子管から出力された第２高周波信号との位相差に対応する電圧を出力する位相比較器を備える。電源装置は、位相比較器の出力電圧に基づき、第１高周波信号に対する第２高周波信号の位相変化がある場合、第１高周波信号の位相と第２高周波信号の位相が一致するように、カソード電極とヘリックス間に供給する直流電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】分布定数型増幅器を用いた光変調器の駆動回路であって、光変調器からの光出力の立ち上がり時間や立ち下がり時間を短くし得る駆動回路を提供する。
【解決手段】光変調器駆動回路は、複数の第１の非反転増幅器及び反転増幅器を備える。第１の非反転増幅器は、入力端と出力端との間に設けられている。第１の非反転増幅器はそれぞれ、入力端からの入力信号を固有の遅延時間で受け、出力端において第１の遅延時間で出力信号を与える。反転増幅器は、入力端と出力端との間に設けられている。反転増幅器は、入力信号を受け、出力端において第１の遅延時間より大きい第２の遅延時間で出力信号を与える。 （もっと読む）

【課題】広帯域での２倍波整合を取れず、高効率化できる周波数範囲が狭い。
【解決手段】伝送線路２から構成されるメイン線路と、抵抗６と伝送線路５、７とが直列接続された回路から構成され、メイン線路と並列接続されたサブ線路と、一端がメイン線路とサブ線路との接続点に接続されたオープンスタブ３、４とを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ（ＧａＮ ＨＥＭＴ）電力素子を用いて広い範囲で高い効率を持つようにした高周波用３ステージ（Ｔｈｒｅｅ−Ｓｔａｇｅ）ＧａＮ ＨＥＭＴドハティ電力増幅器を提供する。
【解決手段】そのための本発明は、キャリア増幅器及び第１及び第２のピーク増幅器を含む高周波用３ステージ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタドハティ電力増幅器において、前記キャリア増幅器と第１及び第２のピーク増幅器に入力信号を分配するための１０ｄＢ電力分配器；前記キャリア増幅器の入力電力を調整するための第１の経路部；及び広い出力電力範囲で高い効率を維持させるための第２の経路部を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より広い周波数範囲で同時的な高電力と高電力付加効率（ＰＡＥ）をもたらす改良されたＥ級増幅器を提供する。
【解決手段】２段のＥ級の高電力増幅器100は駆動装置段102、Ｅ級段間整合ネットワーク（ＩＳＭＮ）104、負荷回路を使用する高電力段106を含んでいる。負荷回路はスイッチングモード回路の出力に結合されている直列の誘導性−容量性ネットワークと、スイッチングモード回路の出力に結合されているキャパシタンスを提供するための回路を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】所望の数の周波数帯で動作する可変整合回路に必要な構成回路素子数を減らす。
【解決手段】伝送線路11Lに、第１の線路スタブSB1と、２つのスイッチSW1, SW2の一端を入力端から順次間隔L1, L2, L3をあけてそれぞれ接続し、２つのスイッチの他端は第２の線路スタブSB2接続し、第１及び第２線路スタブは開放端あるいは短絡端を有し、スイッチSW1, SW2のＯＮ，ＯＦＦの組み合わせにより４つの周波数帯での整合を選択可能にされている。 （もっと読む）

【課題】全てのトランジスタに対して最適かつ等位相で高調波を反射させ、高い出力かつ高い効率で動作する高周波増幅器を得る。
【解決手段】ＦＥＴ１Ａのドレイン（Ｄ）に一端が接続された四角形線路部５Ａ、ＦＥＴ１ＢのＤに一端が接続された四角形線路部５Ｂ、並びに四角形線路部５Ａ及び５Ｂの他端を接続する弓形線路部５Ｃを有する伝送線路５と、四角形線路部５Ａ及び５Ｂの間に配置された伝送線路６Ｂと、四角形線路部５Ａに対して伝送線路６Ｂと反対側に配置された伝送線路６Ａと、四角形線路部５Ｂに対して伝送線路６Ｂと反対側に配置された伝送線路６Ｃとを備え、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃの電気長は、高調波の１／４波長であり、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃのそれぞれのビアホール７Ａ、７Ｂ、７Ｃは、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃの一端に接続される。 （もっと読む）

【課題】広い入力レベル範囲にわたって高い効率を実現することが可能な増幅回路を提供する。
【解決手段】増幅回路１０１において、入力側高調波整合回路３および出力側高調波整合回路４により、トランジスタＴＲの制御電極から前段側を見たインピーダンスのうち基本周波数の高調波に対するインピーダンスと、トランジスタＴＲの導通電極から後段側を見たインピーダンスのうち基本周波数の高調波に対するインピーダンスとが、それぞれ、対象信号のレベルが異なる条件下において整合されている。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力整合回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力整合回路と、入力整合回路に接続された高周波入力端子と、出力整合回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップに接続される平滑化キャパシタ用端子とを備え、高周波半導体チップと、入力整合回路と、出力整合回路とが１つのパッケージに収納された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても電力増幅器用バイアス回路のリップル電圧ΔＶが抑制されてバイアス回路電圧が平滑化され、マイクロ波／ミリ波／サブミリ波帯の高周波に適用可能な電力増幅器用バイアス回路を提供する。
【解決手段】電力増幅器の出力側整合伝送線路のバイアス回路接続点に接続された第１ボンディングワイヤと、第１ボンディングワイヤの終端に接続された第２ボンディングワイヤと、第１ボンディングワイヤの終端に接続されたオープンスタブ伝送線路と、第２ボンディングワイヤの終端に接続されたバイパスリザバーキャパシタとを備える電力増幅器用バイアス回路。 （もっと読む）

【課題】電流共有増幅器を用いた信号増幅を提供する。
【解決手段】電力増幅器は増幅段を有する。増幅段はトランジスターを有する。また少なくとも１つの増幅段は駆動段を有する。増幅段は、第１のトランジスターと有し及び第１の出力電力と関連付けられた第１の増幅段、並びに第２の出力電力と関連付けられた第２のトランジスターを有する第２の増幅段、を有する。電流共有結合は、第１の増幅段と第２の増幅段を結合する。第１の増幅段と第２の増幅段は、電流共有結合を通じて電流を共有する。電流共有結合は、第１の出力電力と第２の出力電力のスケーリングを助ける。 （もっと読む）

【課題】分布定数線路の長さの誤差または製造ばらつき等による特性変動を抑制すること。
【解決手段】制御端子と、第１端子と、第２端子と、を有する第１トランジスタＴ１と、制御端子に前記第１トランジスタの第２端子が接続し、第２端子に直流電源が接続される第２トランジスタＴ２と、前記第２トランジスタの第１端子から前記第１トランジスタの第２端子に直流電流を供給する、互いに独立した配線からなる複数の直流経路１１、１２と、前記複数の直流経路内にそれぞれ直列に設けられた分布定数線路Ｌ１１、Ｌ１２と、を具備する電子回路。 （もっと読む）

【課題】発振抑制用の抵抗を備えながら高周波処理による高効率化を図る。
【解決手段】分配された高周波信号を伝送線路１４ａ，１４ｂの一端の入力部１３ａ，１３ｂに供給し、伝送線路１４ａは直列接続された伝送線路１５ａを介して被増幅用高周波信号として出力部１６ａから次段の増幅用トランジスタに供給する。伝送線路１４ｂは直列接続された伝送線路１５ｂを介して被増幅用高周波信号として出力部１６ｂから次段の増幅用トランジスタに供給する。伝送線路１４ａ，１５ａの接続点Ｐａに一端を接続したスタブ１９ａと伝送線路１４ｂ，１５ｂの接続点Ｐｂに一端を接続したスタブ１９ｂとの間に発振抑制用の抵抗Ｒ１を介挿接続した。接続点Ｐａ，Ｐｂの電位差がない場合は、抵抗Ｒ１が見えない状態となり、スタブ１９ａ，１９ｂは高周波信号処理の効率化に寄与し、抵抗Ｒ１はセルＡ，Ｂ間のループ発振の抑制させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】二重進行波管増幅器において不使用の進行波管の電力消費を減少できるようにした電力管理システムを提供する。
【解決手段】衛星搭載用二重進行波管増幅器のための電力管理システムであって、前記二重進行波管増幅器は２つの進行波管２４とこれらに電力を供給する電子電力調整器２０、２１、２２とからなり、前記電力管理システムは前記電子電力調整器に組み込まれる。各進行波管２４はアノードゼロ電極を備え、該電極には各進行波管２４と関連付けられる電力管理手段２２から電圧Ａ０が印加される。そして、前記電力管理システムは、スリープモードが起動されたときに前記電力管理手段２２により、アノードゼロ電極の電圧Ａ０が所定の最小値に設定され、これにより進行波管２４の動作電力が名目上の動作範囲よりも低い値に維持されるように機能する。望ましくは、前記スリープモードはＲＦミュートモードと組み合わされる。 （もっと読む）

【課題】パッケージの電極部と整合回路との間で生ずるインピーダンスの不整合を改善することができる高周波半導体装置を提供すること。
【解決手段】入出力用電極部１６、１７を有するパッケージ１１とパッケージ内部に載置された半導体チップ１２と半導体チップおよび入出力用電極部にそれぞれ電気的に接続された入出力整合回路パターン２２、３１と、入出力整合回路パターンと入出力用電極部１６、１７とをそれぞれ接続する第１、第５の導体線２３、３２と、入力整合回路パターン２２および出力整合回路パターン３１上にそれぞれ載置された小型チップコンデンサ２４、３３と、これらの小型チップコンデンサと入力用電極部とを接続する第２、第６の導体線２５、３４と、を具備し、小型チップコンデンサは、小型チップコンデンサの容量および第２、第６の導体線２５、３４のインダクタンスによって決定される共振周波数が、使用周波数帯に含まれる容量を有する。 （もっと読む）