【課題】セラミックパッケージを不要にするとともに、既成の集積回路部を用いて極めて安価に、かつ、小型化・低背化した圧電発振器を得る。
【解決手段】シリコン半導体基板の上面部２ａに集積回路部４を形成した回路基板２と該回路基板２に接合・積層したカバー５とからなる圧電発振器において、前記回路基板２の側面に前記回路基板の上面部２ａと前記回路基板の下面部２ｂとを電気的に接続する電気的導通部２２を設ける。また、集積回路部４の寸法よりも大きく回路基板２を形成して、集積回路部４とその周縁部間にスペースを形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子機器の基板に搭載しても、内部の回路に異常が発生するのを防止した圧電デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】圧電デバイスは、外部からデータを入力可能になっている記憶部１６をパッケージ３０内に備えたものである。この圧電デバイスは、パッケージ３０の基板実装面３６に複数のユーザ端子３８を設けるともに、記憶部１６に接続している第１調整端子４０ａおよび第２調整端子４０ｂを設けている。第１調整端子４０ａは、複数のユーザ端子３８のうちグランド接続端子（ＧＮＤ端子）に近接して配設してある。そして第２調整端子４０ｂと記憶部１６との間にスイッチ部１７を設けるとともに、このスイッチ部１７に第１調整端子４０ａを接続して、第１調整端子４０ａに入力する信号によってスイッチ部１７の開閉制御を行うようにしている。 （もっと読む）

【課題】消費電力が少なく、高い周波数精度を保持することを可能にする。
【解決手段】発振装置１は、恒温槽付水晶発振器であるＯＣＸＯ１５と、温度補償水晶発振器であるＴＣＸＯ１６とを有しており、ＣＰＵ１１により、ＯＣＸＯ１５で基準精度以上のクロック周波数が得られない場合にＴＣＸＯ１６をオンとして使用し、ＯＣＸＯ１５をオフとする制御手段を有する。制御手段は、発振装置１起動時にＴＣＸＯ１６のみをオンとして使用し、ＯＣＸＯ１５の温度が基準精度以上のクロック周波数が得られる状態に上昇した際に、ＴＣＸＯ１６をオフとし、当該ＯＣＸＯ１５をオンすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パッケージ内に形成される電極による浮遊容量の発生が抑えられた圧電発振器を提供する。
【解決手段】圧電発振器（１００）は、圧電振動片（１１０）と、励振電極（１１１）と、一端側と他端側とに引き出された一対の引出電極（１１２）と、励振電極を励振させる一対の圧電端子（１２５ａ）、電源を接続される電源端子、励振電極が励振した周波数を出力する出力端子、及び接地用のグランド端子を有する発振回路（１２０）と、一対の圧電端子から一対の引出電極まで配線する一対の配線電極（１３９）を有するパッケージ（１３０）と、を備え、一対の圧電端子が、互いに対向する位置に配置され、一対の圧電端子の両側に、電源端子、出力端子及びグランド端子の少なくとも１つが配置され、一対の配線電極が、圧電端子から互いに逆方向に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】第１、第２伝搬路が形成された領域の両方に対して、同時に、周波数特性の調整手法を実施して、所望の第１、第２伝搬路の周波数特性差を得ることが可能なＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】基板１１の上面１１ａの一部に形成された結晶配向調整膜１３と、基板１１の上面１１ａにおける結晶配向調整膜１３の形成領域上および非形成領域上に同じ材料で形成された圧電薄膜１２と、圧電薄膜１２の上下面の一方の面における異なる位置に形成された第１、第２伝搬路とを備え、圧電薄膜１２のうち、結晶配向調整膜１３の形成領域上に位置する第１領域１２ｃと、結晶配向調整膜１３の非形成領域上に位置する第２領域１２ｄとは、結晶配向が異なっており、第１、第２伝搬路は、それぞれを占める第１、第２領域１２ｃ、１２ｄの面積比が異なる構成とする。 （もっと読む）

【課題】パッケージに封止された後においても発振周波数を調整できる発振器を提供すること。
【解決手段】それぞれ第１端子及び第２端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４と、入力端子２１及び出力端子２２を有する増幅回路２０と、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つの第１端子と入力端子２１とを接続し、第２端子と出力端子２２とを接続することによって、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路２０とを接続する接続回路３０と、接続回路３０の状態を切り替えるための切替信号を受け付ける信号受付端子４０と、接続回路３０に対して、増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子を切替信号に基づいて切り替えさせる切替回路５０とを含む。また、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、空洞の内部に収容されており、信号受付端子４０は、空洞の外部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】容量を可変させることで発振回路の周波数を調整できる周波数調整機能を有する電子回路を提供する。
【解決手段】電子回路は、複数のスイッチ回路１４０，１４１，１４２，１４３それぞれに副スイッチ回路１５０，１５１，１５２，１５３を備えている。この副スイッチ回路は、スイッチ回路と相反する動作を行う。このため、スイッチ回路がオン又はオフする数にかかわらず、発振回路の増幅用アンプ１８１の入力線１８４又は出力線１８５に接続される寄生容量が一定となるため、発振回路の発振周波数を正しく調整できる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ振動子を用いて、発振周波数のばらつきを抑制した発振回路を提供すること。
【解決手段】それぞれ第１端子及び第２端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４と、入力端子２１及び出力端子２２を有する増幅回路（反転増幅回路２０）と、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つの第１端子と入力端子２１とを接続し、第２端子と出力端子２２とを接続することによって、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路（反転増幅回路２０）とを接続する接続回路３０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、外部電極を介して圧電振動片の振動特性が測定される圧電発振器の製造方法を提供する。
【解決手段】 圧電発振器の製造方法は、圧電振動片１０を用意する工程と、圧電端子２１及び回路端子２２を有し圧電振動片を発振させる電子回路素子２０を用意する工程と、電子回路素子が載置される第１載置部及び第２載置部と圧電発振器が実装される側の底面と、キャビティ３１と外部電極３４と第１電極３６ａと第２電極３６ｂと、第１電極と第２電極とを電気的に接続する第３電極３６ｃとを有するパッケージを用意する工程と、電子回路素子をキャビティ内に載置し圧電振動片をキャビティ内に載置する載置工程と、外部電極から第１電極、第３電極及び第２電極を経由して圧電振動片の振動特性を測定する測定工程と、測定工程の後に第３電極にレーザー光を照射して第３電極の一部を切断する切断工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】調整可能な外部発振器を校正固定することにより、固定周波数を生成して出力する周波数校正固定装置及び周波数校正固定方法を提供する。
【解決手段】周波数校正固定装置２０は、発振周波数ＯＳＣと正確な外部クロック信号ＥＣＬＫとを比較して周波数誤差値を生成し、周波数誤差値に基づき、対応する校正信号ＣＳを生成する処理ユニット２４と、校正信号ＣＳ及び発振周波数ＯＳＣに基づき、発振周波数ＯＳＣを所定の周波数に校正固定するのに使用される固定電圧を生成する周波数調整ユニット２６とを備える。 （もっと読む）

【課題】小型な振動片であっても静電容量を大きくし、負荷容量の変化に対して発振周波数感度の低い圧電振動片、圧電振動子、および圧電発振器を提供する。
【解決手段】基部と、前記基部より延伸して形成され屈曲振動する振動腕とを備え、圧電材料からなる振動片であって、前記振動腕の表裏面に形成された非駆動電極と、前記振動腕の先端方向に前記非駆動電極から離間して前記振動腕の前記表裏面と側面とに形成された駆動電極と、を備える圧電振動片。 （もっと読む）

【課題】第２の発振回路の起動を待つことなく第１の発振回路の出力により高精度なクロック信号を得る。
【解決手段】クロックシステム１は、ＣＲ発振回路１１、水晶発振回路１２、及びトリミング回路１５を含む。ＣＲ発振回路１１は、内部回路１７に供給されるクロックＣＬＫ１を生成する。水晶発振回路１２は、ＣＲ発振回路１１の発振周波数の調整に使用される。トリミング回路１５は、ＣＲ発振回路１１と水晶発振回路１２の間の発振周波数差の検出結果に基づいて、ＣＲ発振回路１１の発振周波数を調整する。 （もっと読む）

【課題】圧電発振器の周波数変動（温度特性や経時変化）を、精度よく補正することを可
能とする発振回路を提供する。
【解決手段】この発振回路３０は、水晶振動子（振動素子）１を含み発振信号８を出力す
る発振器（発振手段）２と、発振信号８の周波数に対応した電圧に変換するＦ／Ｖ変換器
（Ｆ／Ｖ変換手段）４と、発振信号８の周波数を補正するための周波数補正情報を記憶す
るメモリー（記憶手段）６と、をＩＣパッケージ１５に一体化したものである。そして、
ＩＣパッケージには、発振出力端子８、周波数偏差電圧出力端子（Ｆ／Ｖ変換器出力端子
）１２、メモリー出力端子９、１１及び水晶振動子端子を備える。 （もっと読む）

【課題】 温度変動による周波数ずれを補正容易とし、選択された発振周波数で高安定な発振状態及び位相雑音を低減した水晶発振器を提供する。
【解決手段】 システム機器処理部に基準信号を提供する水晶発振器であって、３次以上のオーバトーン水晶振動子11と、水晶振動子１１に接続し、発振周波数をシステム機器処理部２に出力する発振回路１２と、発振回路１２からの発振周波数を可変に分周するための分周比の情報を記憶するメモリ１７と、発振回路１２とシステム機器処理部２との間に設けられ、発振回路からの発振周波数をメモリ１７からの分周比の情報に従って分周する可変分周器とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】センシングデバイスの高機能化と高信頼性化とに対応するために、書換可能ＰＲＯＭ回路を複数設け、それらの出力から適切なものを選択する多数決回路を設けることは、製品コスト、半導体チップ面積の両面で大きな負担となる。高機能化と高信頼性化とを図りながら、製品コスト、半導体チップ面積の増大を抑制できるようにする。
【解決手段】エミュレーションモードでテストデータが更新書き込み可能な書換可能ＰＲＯＭ回路４Ａと、エミュレーションモードで確定された最適解データをライトモードで１回限り書き込み可能で、リードモードにおいて最適解データの読み出しが可能な、書き換え不可のワンタイムＰＲＯＭ回路４Ｂと、書換可能ＰＲＯＭ回路４ＡとワンタイムＰＲＯＭ回路４Ｂとを制御するＰＲＯＭ制御回路５と、エミュレーションモードで書換可能ＰＲＯＭ回路４Ａの出力を選択し、リードモードではワンタイムＰＲＯＭ回路４Ｂの出力を選択し、センサ回路１に送出するＰＲＯＭ出力選択スイッチ６を備える。 （もっと読む）

【課題】周波数の経時的変化を抑制できるＳＡＷデバイスの製造方法の提供。
【解決手段】圧電基板１１にすだれ状電極１２を形成するＳＡＷ素子片形成工程Ｓ１と、（１）すだれ状電極１２の電極指１２ａ，１２ｂの質量を変化させる工程、（２）すだれ状電極１２に質量体を付加する工程、（３）電極指１２ａ，１２ｂ間に露出している圧電基板１１をエッチングする工程の（１）〜（３）の少なくとも１つの工程を行い、ＳＡＷ素子片１０の周波数を調整する第１周波数調整工程Ｓ５と、第１周波数調整工程Ｓ５後、ＳＡＷ素子片１０を２００℃以上５００℃以下の雰囲気中で５分以上加熱するアニール工程Ｓ６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 高周波領域で少ない部品数で大きな負性抵抗が得られ、安定した発振を実現できる圧電発振回路を提供する。
【解決手段】 第１のトランジスタＱ１のベースに水晶振動子Ｘ１が接続され、第１のトランジスタＱ１のコレクタに第２のトランジスタＱ２のエミッタを接続してカスケード接続を構成し、更に第２のトランジスタＱ２のコレクタから第１のトランジスタＱ１のエミッタにコンデンサＣ３又は抵抗Ｒ７を介して帰還接続し、第２のトランジスタＱ２のコレクタには電源電圧Ｖｃｃが負荷抵抗Ｒ６を介して印加される圧電発振回路である。 （もっと読む）

調節可能な共振周波数を有し、大きな信号を扱うことができる調整可能なＭＥＭＳ共振器が説明される。１つの例示的設計では、調整可能なＭＥＭＳ共振器は、（ｉ）キャビティおよび支柱を有する第１の部分と、（ｉｉ）支柱の下に配置された可動プレートを含み、第１の部分と対になった第２の部分とを含む。各部分は、もう一方の部分と対向する表面上を金属層で覆われていてもよい。ＭＥＭＳ共振器の共振周波数を変化させるために、可動プレートを、直流電圧で機械的に動かすことができる。キャビティは、長方形または円形の形状を有してもよく、空であっても、誘電材料で満たされていてもよい。支柱は、キャビティの中央に位置してもよい。可動プレートは、第２の部分に、（ｉ）１つのアンカーによって取り付けられて片持ち梁として働いてもよく、あるいは、（ｉｉ）２つのアンカーによって取り付けられてブリッジとして働いてもよい。
（もっと読む）

【課題】外来振動に対する周波数応答範囲を広げた振動補償型発振器を提供する。
【解決手段】水晶振動子に搭載されたＸＹＺ軸方向の加速度センサによって、前記水晶振動子に対する外来振動に起因した加速度を検出し、前記加速度による周波数変動を補償した振動補償型の水晶発振器において、前記加速度センサはＭＥＭＳマイクロフォンからなり、前記加速度方向に板面が変位する平板状の可動電極１２ｂと、前記可動電極に板面が対向した多数の孔を有する固定電極１２ａと、前記可動電極と前記固定電極との間隙を一定に維持するスペーサ１２ｃとからなる構成とする。 （もっと読む）

【課題】 基準周波数を生成する発振回路の発振周波数の変化を抑制可能な基準周波数制御回路を提供する。
【解決手段】 入力信号のレベルに応じた周波数で発振する発振回路からの発振信号が入力され、前記発振信号の周波数に応じた出力電圧を出力する周波数電圧変換回路と、前記出力電圧が所定レベルとなるよう前記入力信号のレベルを制御する制御回路と、を備えることを特徴とする基準周波数制御回路。 （もっと読む）