【課題】起動時の異常発振を抑えるとともに負荷の大きさによらず電源電圧の低電圧化が可能な発振回路、発振器、電子機器及び発振回路の起動方法を提供すること。
【解決手段】発振回路１は、共振子（水晶振動子１０）と、共振子の一端から他端への帰還経路を有する増幅回路２０と、電圧供給回路３０と、を含む。電圧供給回路３０は、電源電圧Ｖｃｃが入力される時定数回路（抵抗３２とコンデンサー３４によるＲＣ積分回路）を有し、電源電圧Ｖｃｃが入力されてから時定数回路の時定数に応じて立ち上がるとともに増幅回路２０の負荷によらず一定電圧となる駆動電圧Ｖ_Ａを発生させ、駆動電圧Ｖ_Ａを増幅回路２０に供給する。 （もっと読む）

【課題】低消費電流を実現できる定電圧回路及びそれを用いた水晶発振回路を提供する。
【解決手段】定電圧回路１０に温度特性調整素子を備えることにより、定電圧の温度変化に対して負となる傾きと、水晶発振回路２０における発振可能な最低動作電圧の温度変化に対して負となる傾きとの差を極小にできるので、水晶発振回路２０の消費電流を小さくでき、さらに定電圧回路１０で生成する定電流を小さくすることにより、定電圧回路１０の消費電流を小さくでき、発振装置１００全体の消費電流を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】基準周波数信号を用いることなく、温度変動、電源電圧変動および回路定数のばらつきにかかわらず高精度な発振周波数を得る。
【解決手段】出荷検査時において、発振動作の環境温度と電源電圧を変化させながら発振周波数が目標周波数に一致するのに必要な抵抗５の抵抗値を順次求め、環境温度と電源電圧に対して当該抵抗値を対応付けたデータテーブルをメモリ１８に記憶する。ＣＲ発振回路の実際の使用状態では、制御回路１７は、所定の制御周期ごとに温度検出回路１５と電源電圧検出回路１６から電圧Ｖａ、Ｖｂを入力しＡ／Ｄ変換する。メモリ１８に予め記憶されたデータテーブルから電圧Ｖａ、Ｖｂに対応した抵抗５の抵抗値を読み出し、抵抗５の抵抗値Ｒが当該読み出した指定値に等しくなるようにスイッチ７ａ〜７ｃを切り替える。 （もっと読む）

【課題】自励発振回路周辺の状態変化による発振周波数の変化を抑えることができる周波数自動調整機能付自励発振回路およびそれを用いた半導体集積回路を提供する。
【解決手段】周波数自動調整機能付自励発振回路は、基準信号を生成する基準信号生成回路１０１ｂと、基準信号の周波数を調整する発振周波数調整回路１０１ａとを有する自励発振回路１０１と、互いに特性の異なる１組の抵抗素子を含み、１組の抵抗素子の抵抗値の変化の違いにより自励発振回路１０１の周辺状態を検出し、検出された周辺状態を示す信号を出力する特性変動検出回路１０２＿１と、特性変動検出回路１０２＿１の出力信号に基づいて発振周波数調整回路１０１ａによる周波数調整を制御する制御部１０３とを備える。 （もっと読む）

【課題】各種の電子機器の回路基板に搭載されて搭載後は外部電源からの導体接続での電力供給によって動作する水晶発振器などの圧電発振器であって、調整や検査の作業効率を向上させることができるものを提供する。
【解決手段】水晶振動子１２などの圧電振動子と発振回路１６とを収容した容器１０内に二次電池２１を設け、容器１０には非接触給電による電力供給を受ける受電部１３を設ける。受電部１３で受電した電力によって二次電池２１を充電し、電源端子に外部電源電圧Ｖｃｃが印加されていないときには、二次電池２１に充電された電力で発振回路１６等を動作させる。 （もっと読む）

【課題】発振器の出力端子間に直接寄生する容量Ｃparaの大きさが無視できない場合でも温度特性を補償する発振器及び発振器を内蔵する半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】インダクタンス素子Ｌと、容量素子Ｃと、増幅器３０と、をそれぞれ第１の端子と第２の端子との間に並列に接続し、インダクタンス素子と容量素子とによって生じる共振を増幅器によって増幅し、第１の端子と第２の端子とから出力する発振器であって、第１の端子と第２の端子との間にインダクタンス素子の寄生抵抗Ｒ_Ｌより抵抗値の大きな第１の抵抗素子Ｒｃが第１の端子と第２の端子との間に容量素子と直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】小型かつノイズ抑制に優れる発振回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる発振回路１００は、インバータ１及び２、タンク回路３を有する。タンク回路３は、出力ノードＯＵＴＴと出力ノードＯＵＴＢとの間に並列に接続される。インバータ１は、ドレインが出力ノードＯＵＴＢに接続されたｎ型ＭＩＳトランジスタＭ１及びｐ型ＭＩＳトランジスタＭ３を有する。インバータ２は、ドレインが出力ノードＯＵＴＴに接続されたｎ型ＭＩＳトランジスタＭ２及びｐ型ＭＩＳトランジスタＭ４を有する。ｐ型ＭＩＳトランジスタＭ３及びＭ４のゲート端子は、それぞれ出力ノードＯＵＴＴ及びＯＵＴＢと直接的に接続される。ｎ型ＭＩＳトランジスタＭ１及びＭ２のゲート端子は、それぞれ結合容量ＣＧ１及びＣＧ２を介して出力ノードＯＵＴＴ及びＯＵＴＢと接続され、抵抗ＣＧ１及びＣＧ２を介してバイアス電圧ＶＢＩＡＳが印加される。 （もっと読む）

【課題】第２の発振回路の起動を待つことなく第１の発振回路の出力により高精度なクロック信号を得る。
【解決手段】クロックシステム１は、ＣＲ発振回路１１、水晶発振回路１２、及びトリミング回路１５を含む。ＣＲ発振回路１１は、内部回路１７に供給されるクロックＣＬＫ１を生成する。水晶発振回路１２は、ＣＲ発振回路１１の発振周波数の調整に使用される。トリミング回路１５は、ＣＲ発振回路１１と水晶発振回路１２の間の発振周波数差の検出結果に基づいて、ＣＲ発振回路１１の発振周波数を調整する。 （もっと読む）

【課題】周囲温度や外部電源電圧の変化による高速ＯＣＯに与える参照電圧および参照電流の変動を防止し、電源モジュールの回路面積が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】高速ＯＣＯ１０は、参照電流および参照電圧で定まる大きさの高速クロックを出力する。温度センサ５は、高速ＯＣＯ１０の周囲温度を検出し、電圧センサ４は、高速ＯＣＯ１０の動作電圧を検出する。電源モジュール１２は、ＢＧＲを含み、ＢＧＲが出力する基準電圧に基づいて、参照電圧、参照電流、高速ＯＣＯの動作電圧を生成する。フラッシュメモリ８は、高速ＯＣＯ１０の周囲温度および動作電圧に対応する、参照電圧および参照電流のトリミングコードを定めたテーブルを記憶する。ロジック部１３は、検出された周囲温度および動作電圧に対応する参照電圧および参照電流のトリミングコードに基づいて、参照電流および参照電圧の値を調整する。 （もっと読む）

【課題】発振周波数の変動を防止することができる発振装置を提供する。
【解決手段】トランジスタのゲート電圧に応じて入力端子の信号を出力端子から出力するトランスファゲートＰＭ５，ＮＭ５と、トランスファゲートの出力端子の信号を入力し、入力した信号の論理反転信号を出力する第１のインバータＩＶ１と、第１のインバータの出力端子の信号を入力し、入力した信号の論理反転信号を出力する第２のインバータＰＭ６，ＮＭ６と、第１のインバータの出力信号の論理反転信号を入力し、入力した信号の論理反転信号をトランスファゲートの入力端子に出力する第３のインバータＰＭ４，ＮＭ４と、トランスファゲートの出力端子及び第２のインバータの出力端子間に接続される第１の容量Ｃ１と、トランスファゲートの出力端子及び基準電位ノード間に接続される第２の容量Ｃ２とを有する発振装置。 （もっと読む）

【課題】バイアス抵抗の抵抗値を大きい値に維持して省電力化及び発振効率の向上を図りつつ、広帯域の変調信号に対応することができる電圧制御発振器及びそれを備えた無線通信装置を提供すること。
【解決手段】
印加される電圧に応じて静電容量値が変化するバラクタＭ１，Ｍ２を有し、当該バラクタＭ１，Ｍ２に制御端子Ｔ２を介して印加される制御信号に応じて共振周波数が変化する共振回路３０と、共振回路３０と並列に接続された負性抵抗回路４０とを備え、制御信号の逆相信号が制御端子Ｔ３を介して印加されるキャパシタＣ３、Ｃ４をバラクタＭ１，Ｍ２に接続した。 （もっと読む）

本発明の形態は、消費電力を低減し位相ノイズ性能を向上させるために、電流再使用技術を用いた低位相ノイズ発振器回路を含み、発振器回路は、第２のＶＣＯに結合されている第１のＶＣＯを備え、第１及び第２のＶＣＯの出力は、コンデンサ等の受動素子に結合されている。第１及び第２のＶＣＯ両方の全体の消費電力は、単一のＶＣＯの消費電力と略同じである。また、位相ノイズは、約３ｄＢほど低減される。このため、発振器回路の消費電力を増加させることなしに、位相ノイズ性能が向上される。 （もっと読む）

温度補償ＣＭＯＳ ＲＣ発振回路は、抵抗と温度相関バイアス電流とを用いてソースバルク電圧を変化させて、温度に対するＭＯＳＦＥＴの閾値電圧の変動を安定させる。この温度層間バイアス電流はまた、抵抗を流れる。温度が上昇すると、バイアス電流も増え、ＭＯＳＦＥＴのソースバルク電圧を上昇させる。上昇したソースバルク電圧は、高い温度にてＭＯＳＦＥＴの閾値電圧を安定させるのを補助する。この発振器には省電力ロジックも組み込まれており、低い電力消費で高い周波数が得られる。本発明では、得られる発振器が低出力設計となってしまう高利得オペアンプや高速比較器はなく、他のシステムとともにシングルチップに組み込むことができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタの高周波領域におけるトランスコンダクタンスの劣化を招くことなく、低消費電力化を図ることが可能な増幅器などの提供。
【解決手段】この発明は、ＭＯＳトランジスタＱ１などを含む増幅器である。ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートには第１の入力信号が入力され、ＭＯＳトランジスタＱ１のバルクには第２の入力信号が入力され、ＭＯＳトランジスタＱ１のソースから出力信号が出力される。そして、第１の入力信号と第２の入力信号とは同相の信号である。 （もっと読む）

発振器は、共振器と、第１および第２のｐ型トランジスタと、第１および第２のｎ型トランジスタとを含む。共振器は、第１の端子と第２の端子とを持つ。第１のｐ型トランジスタは、第１の端子にスイッチ可能に接続されており、第２のｐ型トランジスタは、第２の端子にスイッチ可能に接続されている。第１のｎ型トランジスタの第１のドレインと第２のｎ型トランジスタの第２のドレインとは、それぞれ、第１の端子および第２の端子に電気的に接続される。発振器はＮＭＯＳのみモードおよびＣＭＯＳモードで作動可能である。 （もっと読む）

【課題】コンデンサへの充放電及び差動対を使用した発振回路において、回路規模や消費電力の増大を抑制しつつ安定した発振を可能とする。
【解決手段】トランジスタＭ１０は、トランジスタＭ１，Ｍ２からなる差動対に定電流ｉ１を供給する。Ｍ１には直列に抵抗Ｒ１が接続され、Ｍ１とＲ１との接続点の電位ＶＢがＭ２のゲートに印加される。一方、Ｍ１のゲートには、定電流ｉ２を生じるトランジスタＭ４と抵抗Ｒ２及びコンデンサＣ１の並列接続体との接続点の電位ＶＡが印加される。Ｍ４は、Ｍ２のオフ期間に定電流ｉ２を供給し、オン期間に定電流の供給を停止する。抵抗Ｒ２，Ｒ１それぞれの抵抗値をｒ２，ｒ１として、（ｒ１・ｉ１）＝（ｒ２・ｉ２）を満たすように設定する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の電源電圧や温度の変動がある場合においても、発振波形の周波数変動を低減させる。
【解決手段】リミッタＬｍ１は、出力端子Ｔ１の発振信号Ｖｏ１の電圧と、基準電圧Ｖｃｏｎｓｔに電圧降下Ｖｔｈ分を加算した値とを比較し、出力端子Ｔ１の発振信号Ｖｏ１の電圧が、基準電圧Ｖｃｏｎｓｔに電圧降下Ｖｔｈ分を加算した値を超えた場合、出力端子Ｔ１の発振信号Ｖｏ１の振幅を、基準電圧Ｖｃｏｎｓｔに電圧降下Ｖｔｈ分を加算した値に制限する。 （もっと読む）

【課題】可変容量ダイオードの最小サイズに制限を有する半導体集積化プロセスによる複数のバッファ回路を用いたＶＣＯにおいて、制御電圧の変化に対する発振周波数の変化を必要に応じて小さくできるようにしたバッファ回路を提供すること。
【解決手段】カスコード接続されたトランジスタＱ１〜Ｑ４とＬ１、Ｌ２ インダクタＬ１、Ｌ２により形成されているバッファ回路において、時定数回路素子を構成する可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２をトランジスタＱ３、Ｑ４のソース端子側に接続したもの。基本動作上でトランジスタＱ３、Ｑ４のソース端子の電圧変動が小さくなるので、電圧制御端子Ｖcont１に印加する電圧を変化させたときの可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２による静電容量の変化が小さくなる。制御電圧の変化に対して静電容量の変化が小さくなれば、ＶＣＯに適用したときに制御電圧の変化に対する発振周波数の変化が抑制され、安定度が向上する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの追加なく一般的に用いられる可変容量素子を利用し、位相雑音特性に優れたＲＴＷ形式の電圧制御発振回路を実現できるようにする。
【解決手段】電圧制御発振回路は、ループ状の伝送線路１５と、信号線路と接続されたアクティブ回路１７と、信号線路と接続され複数の可変容量ユニット２３を有する可変容量部２１とを備えている。各可変容量ユニット２３は、可変容量素子３１と、可変容量素子３１に制御電位を印加する制御端子４１と、可変容量素子３１に基準電位を印加する基準電位端子４３とを有している。少なくとも２つの可変容量ユニット２３は、基準電位が互いに異なっている。 （もっと読む）

発振器は、トランジスタと、トランジスタの出力とトランジスタの制御電極との間に結合されている共振回路と、トランジスタのｄｃバイアス回路とを有する。ｄｃバイアス回路は、第１電圧生成回路と、差動増幅器とを備えている。差動増幅器は、固定基準電圧に結合されている第１入力と、電圧生成回路に結合されている第２入力と、トランジスタの制御電極に結合されている出力とを含む。電圧生成回路は、差動増幅器の第２入力に、トランジスタの出力電極を通過する電流に関係する電圧を生成する。 （もっと読む）