【課題】ＩＤＴ電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】電気機械結合係数ｋの２乗が０．０２５以上のＬｉＮｂＯ₃からなる圧電性基板１と、前記圧電性基板１上に形成されており、Ａｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金、またはＡｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金と他の金属とからなる積層膜からなる少なくとも１つの電極４Ａと、前記少なくとも１つの電極４Ａが形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と略等しい膜厚に形成された第１絶縁物層２と、前記電極及び第１絶縁物層２を被覆するように形成された第２絶縁物層６とを備え、前記電極４Ａの密度が、前記第１絶縁物層４の１．５倍以上である、弾性表面波装置。 （もっと読む）

モノリシック電子デバイスは、基板と、基板上に形成された半絶縁圧電ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層と、エピタキシャル層上に表面弾性波デバイスを形成する一対の入力および出力インターディジタル変換器と、基板上に形成された少なくとも１つの電子デバイス（ＨＥＭＴ、ＭＥＳＦＥＴ、ＪＦＥＴ、ＭＯＳＦＥＴ、フォトダイオード、ＬＥＤなど）とを含む。電子デバイスをＳＡＷデバイスから、反対にＳＡＷデバイスを電子デバイスから電気的かつ音響的に分離するための分離手段が開示される。いくつかの実施形態ではＳＡＷデバイスと電子デバイスとの間にトレンチが形成される。さらに、その上にＳＡＷデバイスを製造することができる半絶縁ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層を形成するためのイオン注入が開示される。インターディジタル変換器に隣接した吸収および／または反射部品が、ＳＡＷデバイスの動作を妨害する可能性がある不要な反射を低減させる。
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電気応答デバイス及び電気応答デバイスを製造する方法であって、電気応答材料（例えば、圧電材料）（１３２）を基板材料（１０４）の表面の少なくとも一部の上に適用するステップと、前記電気応答材料の表面の少なくとも一部の上に電極材料（１４０）を適用するステップとを含む。電極材料（１４０）の少なくとも１つの領域が選択的に除去されて、前記電気応答材料が露出される（２４４）。前記電気応答材料の少なくとも一部が、前記電極材料の前記少なくとも１つの領域に対応する領域において選択的に除去される。
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【課題】 温度特性の良好な弾性境界波素子、これを用いた共振子およびラダー型フィルタを提供すること。
【解決手段】 本発明は、圧電性を有する第１の媒質（１０）と、第１の媒質上に形成された櫛型電極（１６）と、櫛型電極および第１の媒質上に形成された誘電体膜（１２）と、誘電体膜上に形成された第２の媒質（１４）と、を具備し、誘電体膜は酸化珪素膜を主に含み、その密度が２．０５ｇ／ｃｍ^３以上である弾性境界波素子である。第１の媒質（１０）と温度係数の符号が反対の酸化珪素膜を誘電体膜（１２）として使用することにより、温度特性の良好な弾性境界波素子、これを用いた共振子およびラダー型フィルタを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷチップとカバーとを金属接合により接合した２層構造のＳＡＷデバイスにおいて、励振部を確実に気密に封止しかつ圧電基板表面でカバーの外側に引き出したリード線と金属接合部分間の電気的絶縁性を確保する。
【解決手段】 ＳＡＷデバイス１は、ＩＤＴ電極５及び反射器６からなる励振部、励振部を囲繞する金属接合部９、その外側に配置した取出電極８、及びＩＤＴ電極から金属接合部と交差させて引き出したリード線７を圧電基板４表面に形成したＳＡＷチップ２と、ガラス薄板の下面周辺部に全周に沿って金属接合部１３を形成したカバー３とを備える。ＳＡＷチップの金属接合部は、圧電基板及びリード線の表面に成膜されたＳｉＯ_２等の絶縁層１０とその上に積層した接合金属層１１とから形成される。 （もっと読む）

【目的】本発明は、溝（グレーティンググルーブ）を設けた圧電性基板上にすだれ状電極を作製することにより、温度の変化に対する中心周波数の変化の小さい擬似弾性表面波基板、或いは電気機械結合係数の大きな基板を得ることを目的としている。
【構成】圧電性基板１の表面に弾性表面波の伝搬方向に直角な溝（グルーブ）２を作製した構造の圧電性基板上に溝に埋め込まれたすだれ状電極を用いた構造であって、圧電性基板として、回転Ｙ−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３、ＬｉＮｂＯ_３、或いは水晶、ランガサイトなどの零ＴＣＦ基板を用いて従来の特性より大きなｋ^２の基板、或いは従来より優れたＴＣＦの基板を得るのが本特許の構成である。 （もっと読む）

【課題】小型で広帯域かつ低損失なフィルタ特性を有する弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】弾性表面波フィルタは、第１の入力用ＩＤＴ１１及び第１の出力用ＩＤＴ１２を第１の音響軌道上に配置した第１の２端子対共振子１と、第２の入力用ＩＤＴ２１及び第２の出力用ＩＤＴ２２を第２の音響軌道上に配置し、第２の入力用ＩＤＴ及び第２の出力用ＩＤＴの電極ピッチが第１の入力用ＩＤＴ及び第１の出力用ＩＤＴの電極ピッチと異なる第２の２端子対共振子２と、第３の入力用ＩＤＴ３１及び第３の出力用ＩＤＴ３２を第３の音響軌道上に配置し、第３の入力用ＩＤＴ及び第３の出力用ＩＤＴの電極ピッチが第１の入力用ＩＤＴ及び第１の出力用ＩＤＴの電極ピッチと同一の第３の２端子対共振子３とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電性基板としてのＬｉＴａＯ₃基板上に、第１絶縁物層２を全面に形成し、ＩＤＴ電極を形成するためのレジストパターン３を用いて、ＩＤＴ電極が形成される部分の絶縁物層を除去し、第１絶縁物層が除去されている領域にＡｌよりも大きい密度の金属または該金属を主成分とする合金からなる電極膜を形成してＩＤＴ電極４Ａを形成し、第１絶縁物層上に残留しているレジストを除去し、第１絶縁物層２及びＩＤＴ電極４Ａを被覆するように第２絶縁物層６を形成する、弾性表面波装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】平衡−不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタにおいて、通過帯域内において現れる所望でないリップルを効果的に抑圧することが可能とされている構造を得る。
【解決手段】第１，第３及び第５のＩＤＴ１１，１３，１５の一端が不平衡信号端子５に、第２，第４のＩＤＴ１２，１４がそれぞれ第１，第２の平衡信号端子６，７に接続され、第２のＩＤＴ１２の両側の最外側電極指と、第１，第３のＩＤＴ１１，１３の最外側電極指と、第４のＩＤＴ１４の最外側電極指とがア−スに接続される電極指またはシグナル電極指とされ、ＩＤＴ１３，１５の最外側電極指がシグナル電極指またはアース電位に接続される電極指とされ、ＩＤＴ１３，１４同士が隣接する部分において、最外側電極指１４ａに直列重み付けが施され、ＩＤＴ１４，１５同士が隣接する部分において、最外側電極指１４ｂに直列重み付が施されている、弾性表面波フィルタ装置。 （もっと読む）

【課題】 小型且つ安価で製造が容易な弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＤＴ１３とこれに配線パターン１５を介して接続された電極パッド１４とが主面上に形成された圧電基板１１Ａと、電極パッド１４と接続される電極パッド５が主面上に形成されたベース基板２Ａとを貼り合わせて構成されたＳＡＷデバイス１において、圧電基板１１Ａの主面上にＩＤＴ１３を取り囲む金属膜１６と、ベース基板２Ａの主面上に金属膜１６と位置合わせされた金属膜４とを有する。圧電基板１１Ａとベース基板２Ａとの接合は、この金属膜１６，４を直接接合することで実現される。これにより、ＩＤＴ１３が金属膜１６，４，圧電基板１１Ａ及びベース基板２Ａで形成されるキャビティ９内にハーメチックシールされる。この際、金属膜１６，４表面に活性化処理を施した後、両基板を接合する。 （もっと読む）

周波数ばらつきの低減と、反共振周波数におけるＱ値の改善の双方を図り得る１ポート型弾性表面波共振子を提供する。 回転ＹカットＬｉＴａＯ_３基板２と、該ＬｉＴａＯ_３基板２上に形成されたインターデジタル電極３と、インターデジタル電極３の表面波伝搬方向両側に設けられた反射器４，５とが形成されている１ポート型弾性表面波共振子であって、インターデジタル電極３の電極指の幅をａ、電極指間ギャップをｂとしたときに、メタライゼーション比ａ／（ａ＋ｂ）が０．５５〜０．８５の範囲とされており、かつインターデジタル電極３が交差幅重み付けを施されている、１ポート型弾性表面波共振子１。
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本発明は、電気的な構成部材のためのろう付け可能な接合部であって、基板（SU）上に施されたパッド金属被覆（PM）、及び、ろう付けのための領域で前記パッド金属被覆上に施されたUBM金属被覆（UBM）を備えており、前記パッド金属被覆は、前記UBM金属被覆の下側でパターン形成されており、該パターン形成によって基板表面の一部分を露出させてあり、露出させてある前記一部分は前記UBM金属被覆と直接に接触している。
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【課題】電極寸法の製造偏差による周波数偏差が小さいＡｌを主成分とした電極を用い、反射特性に優れ製品の小型化を図ることが可能であり、電気機械結合係数が大きく、かつ、温度に対する周波数変動が小さい弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】水晶基板２の表面の切り出し角および伝搬方向が、オイラー角（０°、１３５〜１８６°、９０±２°）の範囲になるように設定されるとともに、規格化電極膜厚ｈ／λは０．０８２〜０．１５０に設定し、ＳＨ型表面波を励振する。 （もっと読む）

弾性表面波素子上に反応膜が形成された質量負荷による周波数変化量の測定により検出対象物質を検出もしくは定量する弾性表面波センサーであって、弾性表面波素子自体の構造の改良により感度が高められた弾性表面波センサーを提供する。ＳＨタイプの弾性表面波を利用しており、オイラー角が（０°，０°〜１８°，０°±５°）または（０°，５８°〜１８０°，０°±５°）である回転ＹカットＬｉＴａＯ_３基板と、該ＬｉＴａＯ_３基板２上に形成されており、Ａｕを主成分とする表面波励振用電極３と、表面波励振用電極３を覆うようにＬｉＴａＯ_３基板上に形成されており、検出対象物質または検出対象物質を結合する結合物質を結合する反応膜４とを備え、上記インターデジタル電極３の波長で規格化された膜厚が０．８〜９．５％の範囲とされている、弾性表面波センサー１。
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低抵抗の圧電基板を用いて構成されており、さらに酸素を含む雰囲気中において高温下にさらされたとしても、圧電基板の再酸化が生じ難く、従ってインターデジタル電極の劣化や破壊が生じ難い、信頼性に優れた弾性表面波装置を提供する。抵抗率が１．０×１０^７〜１．０×１０^１３Ω・ｃｍである圧電基板５の主面５ａにインターデジタル電極６が形成されており、該インターデジタル電極６を覆うように保護膜９が形成されている、弾性表面波素子３。
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【課題】 ＳＡＷデバイスをより薄型化し、簡単な構造でＩＤＴ電極と外部電極との電気的導通性を確保しかつ確実に気密に封止する。
【解決手段】 ＳＡＷデバイス１は、圧電基板４にＩＤＴ電極５、それから引き出した取出電極８、及び圧電基板の全周辺に沿って金属接合部９を設けたＳＡＷチップ２と、ガラス基板１０に取出電極８に対応する貫通孔１１、ガラス基板下面の全周辺に沿って金属接合部１３及び貫通孔の開口周辺に接続電極１２を設けたカバー３とを備える。ＳＡＷチップの金属接合部及び取出電極とカバーの金属接合部及び接続電極とをそれぞれ熱圧着で接合し、ＳＡＷチップとカバー間の空隙にＩＤＴ電極を気密に封止する。貫通孔内に形成した金属膜１４及び封止材１６でガラス基板上面の外部電極１５とＩＤＴ電極とを電気的に接続する。カバー上面には、外部電極と重なる位置に凹部１８を形成する。 （もっと読む）

Ｃｕを主成分とするインターデジタル電極を用いた弾性表面波装置であって、耐電力性が著しく改善された弾性表面波装置を提供する。圧電基板２と、圧電基板２上に形成されたインターデジタル電極３とを備え、インターデジタル電極３が、ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金からなる主電極層３ａと、主電極層３ａと圧電基板２との間に配置されたＮｉＣｒを主成分とする密着層３ｂ、あるいはＴｉを主成分とし、膜厚が１８〜６０ｎｍの範囲にある密着層３ｂとを備える、弾性表面波装置１。
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【課題】 表面弾性波素子から漏れ出した表面弾性波の反射を抑制しつつ、その表面弾性波を減衰させる。
【解決手段】 複数の表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄが形成された圧電体基板１上に表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄから漏洩した表面弾性波を吸収する吸収体５を表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄの間に所定間隔で離散的に配置し、表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄから漏洩した表面弾性波を打ち消し合わせることにより、表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄから漏洩した表面弾性波の反射を抑制しつつ、表面弾性波を吸収体に効率よく吸収させるようにする。 （もっと読む）

圧電素子（Ｘ）は、基板（１１）、圧電膜（１２）、第１電極（１３）、および第２電極（１４）を備え、第１電極（１３）および／または第２電極（１４）は、基板（１１）および圧電膜（１２）の間に介在し、且つ、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｈｆ，Ｗ，Ｐｔ，およびＡｕからなる群より選択される金属を０．１〜３ｗｔ％含有するＡｌ合金よりなる。
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【課題】圧電基板に水晶基板を用い励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスにおいて、広帯域で、且つ優れた周波数温度特性を実現することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１上に、ＩＤＴ２とその両側にグレーティング反射器３ａ、３ｂを配置する。圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６５°≦θ≦−５１°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＴａ又はＴａを主成分とする合金からなり、弾性表面波の波長をλとした時、波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λをＨ／λ≧０．０１の範囲に設定する。 （もっと読む）