【課題】圧電性結晶材料の球の表面の所定の弾性表面波周回路に対しすだれ状電極を所定の隙間を介し常に精度良く配置出来る弾性表面波素子の製造方法を提供することである。
【解決手段】この製造方法では、圧電性結晶材料の球１０を球移動支持工程により球支持体２２の所定の支持場所２２ａに移動させ所定の支持場所に支持させる。支持されている球の所定の周回路２４の、支持場所に対する相対位置を周回路相対位置測定工程により測定し、測定された相対位置を基にすだれ状電極形成工程によりすだれ状電極支持体３６に対しすだれ状電極３８を形成する。すだれ状電極支持体を組み合わせ工程において球支持体の所定の位置に固定し、球支持体の所定の支持場所の球の表面の所定の周回路に対し所定の隙間を介してすだれ状電極を所定の相対位置に配置させる。 （もっと読む）

【課題】 外形の占有面積の大きさが内蔵する弾性表面波素子とほぼ等しいまでに小型化が可能で且つ信頼性や量産性の高い表面実装可能な弾性表面波装置を提供すること。
【解決手段】
圧電基板１と、圧電基板上に配置される励振電極２と、圧電基板上に配置され、励振電極２に接続される配線電極３と、励振電極２の振動空間を構成する凹部を有し、外周縁が圧電基板１の直上領域内に位置するようにして圧電基板上に配置されるカバー体４と、カバー体４を覆う絶縁性保護体６と、絶縁性保護体上に配置される外部電極７と、絶縁性保護体内に設けられるとともに、配線電極３と、外部電極７の双方に接続される柱状導体５と、を備えた構成とする。
を備える （もっと読む）

【課題】小型、薄型の実現と、パッケージングが容易で、しかも、高信頼性を有する弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１０の製造方法は、半導体基板２０の表面に櫛歯形状のＩＤＴ電極６０が形成される弾性表面波素子１０の製造方法であって、半導体基板２０の能動面側表面に絶縁層２１〜２３を形成する工程と、絶縁層２３の表面全体に基台層３０を形成する工程と、基台層３０の表面を平坦化処理する工程と、平坦化処理された基台層３０の表面に圧電体５１を形成する工程と、圧電体５１の表面にＩＤＴ電極６０を形成する工程と、基台層３０の表面周縁部に、基台層３０の表面からＩＤＴ電極６０の表面までの高さよりも高く、圧電体５１及びＩＤＴ電極６０を取り囲むバンク４１を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】所望でないスプリアスを効果的に抑圧することができ、良好な共振特性やフィルタ特性を得ることを可能とするＳＨタイプの弾性境界波を利用した弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】第１の媒質層２と、第１の媒質層２に積層された第２の媒質層６との境界に、インターデジタル電極３、反射器４，５を含む電極が形成されており、第１の媒質層２及び／または第２の媒質層６の境界面とは反対側の面において変位を有し、弾性境界波装置の反共振周波数よりも高域側もしくは通過帯域よりも高域側に現れる、スプリアスとなるモードを減衰させる吸音層７が設けられている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】鮮明なレーザ捺印が可能とすること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０と、圧電基板１０の上面に形成された弾性波素子１１と、圧電基板１０の下面に形成され、可視光の透過率が圧電基板１０より小さい絶縁膜２０と、を具備する弾性波デバイスおよびその製造方法である。本発明によれば、圧電基板１０の下面または下方に可視光の透過率が圧電基板１０より小さい絶縁膜２０が形成されていることにより、鮮明なレーザ捺印を容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】素子サイズと同等に小型化が可能な弾性表面波装置、および実装構造体を提供する。
【解決手段】弾性表面波装置Ｓ１は、下面に励振電極１と該励振電極１に電気的に接続される引き出し電極８，９とを有した弾性表面波素子３と、励振電極１との間に存在する封止空間を介して弾性表面波素子３と対向するように配置され、平面透視して封止空間の外側で弾性表面波素子３に対し接合されたベース基板１４と、上部が引き出し電極８，９と電気的に接続された外部回路接続用の導電材１８と、を備え、ベース基板１４は、導電材１８と引き出し電極８，９との接続箇所と対応する位置に貫通孔１５を有しており、導電材１８の下部は、貫通孔１５を介して封止空間よりも下側の高さ位置まで導出されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、主として移動体通信機器にて使用される表面実装型の弾性表面波デバイスに関して、信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明は、圧電基板１と、圧電基板１上に設けられた櫛形電極２およびパッド電極７と、櫛形電極２上の励振空間４を覆う樹脂カバー８と、樹脂カバー８の表面に設けられた外部電極５と、樹脂カバー８を貫通しパッド電極７と外部電極５を接続する柱状電極６を備えた弾性波表面デバイスにおいて、樹脂カバー８を形成する樹脂に無機フィラー１４を含有させた。 （もっと読む）

【課題】電子素子の傾斜による、電子素子の実装面の隅部とベース部の一面とが接触するリスクを低減する電子デバイスの提供。
【解決手段】弾性表面波共振子１は、絶縁体からなるベース部１１を有し、ベース部１１の底面１１ａにメタライズパターン１１ｂを設けたパッケージ１０と、メタライズパターン１１ｂ上に実装され、他方の主面２８が略矩形形状の弾性表面波素子片２０とを備え、メタライズパターン１１ｂが、平面視で弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと重ならないように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平衡度の悪化、通過特性の劣化を抑制しつつ、小型化を図ることが可能なバランスフィルタを提供すること。
【解決手段】本発明は、１つの不平衡入力端子２２と２つの平衡出力端子１８ａ、１８ｂとの間にそれぞれ接続された２つの弾性表面波フィルタ１４ａ、１４ｂと、２つの弾性表面波フィルタ１４ａ、１４ｂの両方に接続された接地端子２６と、を具備し、接地端子２６は、２つの弾性表面波フィルタ１４ａ、１４ｂの両方に接続された第１配線部２４と、２つの弾性表面波フィルタ１４ａ、１４ｂの間であって、２つの弾性表面波フィルタ１４ａ、１４ｂが配置された方向に直交する方向に延在する領域Ｘで第１配線部２４に接続する第２配線部３２と、を介して２つの弾性表面波フィルタ１４ａ、１４ｂに接続されているバランスフィルタである。 （もっと読む）

【課題】メッキによって厚く形成された端子を有する電子部品において、ダイサーによる切削領域が切削予定領域からズレても、給電ラインの切残しによって、端子同士が電気的に接続されることのない電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の切削が予定されている第１の切削予定領域３４の両側に沿って配列された、電子部品となる複数の領域３６に設けられる複数の第１の端子電極３０と、１つの前記第１の端子電極３０から始まり、その後、第１の切削予定領域３４及び第１の切削領域３４に交差する第２の切削予定領域３４’の何れか一方を孤立した線分で横切り、更に横切って到達した領域に設けられる１つの第１の端子電極３０に達することを繰り返しながら、切削予定領域３４，３４’の一端から他端に達する給電ライン２９を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、主として移動体通信機器にて使用される表面実装型の弾性表面波デバイスに関して、信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明は、圧電基板１上に櫛形電極２を囲む樹脂からなる内側壁１０を設け、この内側壁１０の開口を覆う天板１１を配置し、この天板１１及び内側壁１０を覆う外側壁１２を設けるとともに外側壁１２上に外部電極５を設け、外側壁１２および内側壁１０を貫通する柱状電極６で外部電極５と櫛形電極２を接続した弾性表面波デバイスにおいて、外側壁１２のガラス転移点温度を内側壁１０より低くしたのである。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波の伝播領域に外部からの応力の影響を与えることなくパッケージ容器に強固に接合することが可能な弾性表面波素子片、およびそれを用いた弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷ素子チップ１０は、略矩形板状の圧電基板１１上に、ＩＤＴ電極１２と、反射器１３と、ＩＤＴ電極１２に接続された一対のボンディングパッド１９ａ，１９ｂが備えられ、ＩＤＴ電極１２および反射器１３が形成された領域の直下に空隙が形成されるように、一方の主面１４と平行に切り込むことにより形成された凹陥部１７を有している。この凹陥部１７により、ＳＡＷ素子チップ１０は、圧電基板１１の他方の主面１５側の保持基板部１１Ｂと、圧電基板１１の一方の主面１４側に略水平に突設された自由端部を有するＳＡＷ素子基板部１１Ａと、保持基板部１１ＢおよびＳＡＷ素子基板部１１Ａを連結する基端部１１Ｃと、を有している。 （もっと読む）

【課題】温度特性に優れた弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１２と、圧電基板１２の表面に設けられた弾性波を励振する櫛型電極１４と、圧電基板１２の表面上に設けられた絶縁膜２６とを具備し、絶縁膜２６の厚さは圧電基板１２の厚さより大きく、絶縁膜２６の線膨張係数は弾性波の伝搬方向における圧電基板１２の線膨張係数より小さい弾性表面波デバイス及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】小型化可能かつ性能の高い弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板２と、圧電基板２上に設けられたＩＤＴ２２、２４、２６、２８と、圧電基板２上に設けられた第１配線８、第２配線１０及び第３配線１２であって、少なくとも一つがＩＤＴを構成する櫛型電極に接続され、第１配線８と第３配線１２との間に第２配線１０が位置している、第１配線８、第２配線１０及び第３配線１２と、圧電基板２の上、第１配線８の第２配線側１０の領域の上、第２配線１０の上、及び第３配線１２の第２配線１０側の領域の上に設けられた絶縁層１４と、第１配線８の絶縁層１４が設けられていない領域と、第３配線１２の絶縁層１４が設けられていない領域とを通じて、第１配線８及び第３配線１２と接続されるように、第１配線８の上、第３配線１２の上、及び絶縁層１４の上に設けられた第４配線１６と、を具備する弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】小型化でき、コストダウンできる圧電部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板２ｆ上に形成されたＩＤＴ２ａからなる振動部及びＩＤＴ２ａに接続されている素子配線を有する圧電素子２を設ける。圧電素子２と接合基板１とをＩＤＴ２ａと対向するように、バンプ３及び絶縁性の樹脂枠４により互いに接着する。接合基板１は、ＩＤＴ２ａと対向する一方主面に接合基板配線１ｂ、他方主面に外部端子５、接合基板端部にスルーホール１ａをそれぞれ備える。バンプ３と接合基板１の接合基板配線１ｂとを電気的に接続する。接合基板配線１ｂと外部端子５とを、スルーホール１ａを介して電気的に互いに接続する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、弾性表面波デバイスの温度特性の向上を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明は、ベース基板３上に圧電基板２をフリップチップ実装してその励振領域６を樹脂フィルム５で封止する弾性表面波デバイスにおいて、櫛形電極１の伝播路１２の延長領域で且つ圧電基板２の外周端近傍のベース基板３上に突起堤部１３を設けた。この構成により、弾性表面波デバイスにおける温度特性を改善できるのである。 （もっと読む）

【課題】小型化可能で量産性に優れた弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】基板２と、基板２上に設けられた弾性波素子４と、基板２上に設けられ、弾性波素子４と電気的に接続された端子９と、端子９の少なくとも一部と重なる位置に第１開口部１２を有するように基板２上に設けられた第１絶縁層１０と、第１開口部１０の少なくとも一部と重なる位置に第２開口部２２を有し、弾性波素子４の上部に空洞部３が形成されるように、第１絶縁層１０及び弾性波素子４上に設けられた第２絶縁層２２と、第１開口部１２と第２開口部２２とが重なった部分を含む第３開口部３２を有し、第２絶縁層２０上に設けられた第３絶縁層３０と、端子９と電気的に接続され、第１開口部１２、第２開口部２２及び第３開口部３２に設けられたメタルポスト４０と、メタルポスト上に設けられた半田ボール５０と、を具備する弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷ素子をパッケージの内部実装面に接合するときに、接着剤が、ＩＤＴに対向する圧電基板の裏面に流出することを防止したＳＡＷデバイスと、そのＳＡＷデバイスを用いて小型化したＳＡＷモジュールを提供する。
【解決手段】ＳＡＷ共振子１は、パッケージ２の内部実装面に、圧電基板３の表面上に反射器４ａ、４ｂとＩＤＴ５とパッド電極６とからなる電極パターンを形成したＳＡＷ共振素子７を、接着剤８を用いて片持ち状態で接合している。そして、ＳＡＷ共振子１は、パッケージ２の開口部を蓋部材９により気密封止した構造である。ＳＡＷ共振素子７は、圧電基板３の裏面のＩＤＴ５が形成されている全領域に対向する面に、エッチング、或いは機械加工により所定の深さで凹部１１を形成し、圧電基板３の基端部の厚肉部１２ａを片持ち状態にてパッケージ２の実装面に接着剤８を用いて接着接合した構造である。 （もっと読む）

【課題】 圧電部品の耐湿信頼性の改善ならびに、その製造方法の簡略化及び製造コストの低減である。
【解決手段】 本発明は、圧電基板２と、該圧電基板２の主面に形成された櫛歯電極３と、該櫛歯電極３に隣接して配設された素子配線を有する配線電極９と、該配線電極９の外周を囲む開口部４ａを有し、かつ前記圧電基板２の主面に形成された封止用電極４と、を有する圧電素子と、該封止用電極４の上面に積層され、かつ、前記開口部４ａと同じ大きさの開口部５ａを有する金属箔層５と、該金属箔層５の上面を覆い、かつ、前記櫛歯電極３の上面との間に所定の空隙Ｓを有するように圧着された金属蓋体６と、前記圧電基板２の表裏を貫通して配設され、かつ、前記配線電極９と前記圧電基板２の裏面に配設された端子電極７とを電気的に接続する貫通電極８と、からなる圧電部品ならびにその製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波素子片をフェースダウン接合により接合し、駆動可能な状態で周波数調整することが可能な弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】パッケージ３０の凹部の凹底部分に接続された支持部４０上には、支持部の接続端子４５ｂおよびそれと対をなす接続端子に、中継基板２０の一端側に設けられた第２の電極端子２５ａ，２５ｂが接合部材４８を介して接合され、中継基板２０が、第１の電極端子２２ａ，２２ｂが設けられた他端側を突出させた状態で支持部４０上に片持ち支持されている。中継基板２０の他端側に設けられた第１の電極端子２２ａ，２２ｂには、ＳＡＷ共振子１０の外部接続電極１９ａ，１９ｂが接合部材４７を介してフェースダウン接合により接合され、ＳＡＷ共振子１０は、ＩＤＴ電極１２などが形成された主面１４を、パッケージ３０の凹底面と対向しない方向で上側に向け、パッケージ３０に接触しない態様で片持ち支持されている。 （もっと読む）