【課題】複数のＳＡＷ共振子が直列腕及び並列腕としてラダー型に接続されると共にこれら直列腕のうち中央の直列腕を容量素子として配置したバンドパスフィルタにおいて、通過ロスを小さく保ったまま、当該中央の直列腕によって形成される極を減衰させること。
【解決手段】容量素子８をなすＳＡＷ共振子である直列腕１０によって２つのラダー型フィルタ５０、５０を互いに直列に接続して圧電基板１上に配置すると共に、当該直列腕１０を覆うようにモールド材５１を設けて、この直列腕１０における弾性表面波の発生を抑えて電気機械結合係数を小さくする。 （もっと読む）

【課題】特性が劣化することを抑制しつつ、低背化を実現すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０上に設けられた直列共振子１２および並列共振子１４と、圧電基板１０上に設けられた、直列共振子１２および並列共振子１４と電気的に接続する信号配線２０と、直列共振子１２および並列共振子１４の櫛型電極１８の電極指上に空洞３２を有し空洞３２の上面を覆うように設けられた金属板２８と、圧電基板１０上に、信号配線２０上に位置しない部分に設けられた、金属板２８を支持する支持柱３０と、金属板２８と支持柱３０とを覆うと共に、空洞３２の側面に接する絶縁部３４と、を備える電子部品である。 （もっと読む）

【課題】高周波数において減衰極を形成しかつ小型化可能なフィルタ及びデュープレクサを提供すること。
【解決手段】本発明は、直列共振器Ｓ１〜Ｓ４と、圧電基板１０上に形成され、直列共振器Ｓ１〜Ｓ４と並列接続された並列共振器Ｐ１〜Ｐ４と、並列共振器Ｐ４に直列接続されたインダクタＬ３と、圧電基板１０上に形成され、インダクタＬ３に並列接続されたキャパシタＣ１と、圧電基板１０上に形成され、並列共振器Ｐ４とキャパシタＣ１とを接続する配線１８と、を具備するフィルタ及びデュープレクサである。 （もっと読む）

【課題】通過帯域内に阻止帯域を有する帯域阻止型の弾性波フィルタ装置であって、通過帯域における挿入損失が小さい弾性表面波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性波フィルタ装置１は、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２との間において、互いに並列に電気的に接続されている第１及び第２の直列腕弾性波共振子Ｓ１，Ｓ２と、第１のインダクタＬ１と第１及び第２の直列腕弾性波共振子Ｓ１，Ｓ２との間の接続点とグラウンド電位とを電気的に接続しており、第１の並列腕弾性波共振子Ｐ１が設けられている第１の並列腕１３ａと、第２のインダクタＬ２と第１及び第２の直列腕弾性波共振子Ｓ１，Ｓ２との間の接続点とグラウンド電位とを電気的に接続しており、第２の並列腕弾性波共振子Ｐ２が設けられている第２の並列腕１３ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な弾性波装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る弾性波装置１は、圧電基板５と、圧電基板５の一方の主面上に形成されている電極６と、を有する弾性波素子２と、弾性波素子２が実装されている実装基板３と、実装基板３と弾性波素子２との間に配置されている支柱１３、１４と、を備え、弾性波素子２において、電極６の形成されている主面が、実装基板３と対向するようにフェイスダウン方式により実装基板３に実装されており、支柱１３、１４の弾性波素子２側の面積が、実装基板３側の面積より小さいことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを樹脂製の接着層で接合した複合基板において、一度高温となった後に反りが残るのを防止する。
【解決手段】圧電基板１１の裏面と支持基板１２とを接合する絶縁樹脂製の接着層１３に、圧電基板１１の電荷を除去する導電性の除電粒子を含有させている。これにより、この複合基板１０及びそれを用いて形成された弾性表面波デバイスが一度高温となった後に反りが残るのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】小型の弾性表面波装置を提供することを目的とする。
【解決手段】弾性表面波装置１は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に形成されている弾性表面波素子３０と、圧電基板１０上に形成されているバンプパッド１１と、を備えた弾性表面波装置であって、弾性表面波素子３０は、圧電基板１０上に形成されているくし型電極部３２、３３、３４と、圧電基板１０上であって、くし型電極部３２、３３、３４の、弾性表面波の進行方向の両側に形成されている一対のリフレクタ３１、３５と、を備え、一対のリフレクタ３１、３５のうち少なくとも１つのリフレクタ３１は、くし型電極部と対向していない側の交叉幅が、くし歯電極部と対向している側の交叉幅より小さくなるように重み付けがなされており、バンプパッド１１は、重み付けがなければリフレクタが形成されている領域に近接して形成されている。 （もっと読む）

【課題】支持基板の構成材料の選択性を高めて圧電デバイスを製造する。
【解決手段】圧電基板１にイオンを注入してイオン注入部分２を形成する。次に、圧電基板１のイオン注入側の面に、被エッチング層３および仮基板４からなる仮支持基板を形成する。次に、仮支持基板を形成した圧電基板１を加熱し、イオン注入部分２を分離面として圧電基板１から圧電薄膜１１を分離する。次に、圧電基板１から分離した圧電薄膜１１に、誘電体膜１２およびベース基板１３からなる支持基板を形成する。ここで、仮支持基板は、圧電薄膜１１との界面に作用する熱応力が支持基板よりも小さい構成材料で構成している。 （もっと読む）

【課題】 弾性表面波を発生する電極をウェハレベルで簡単かつ良好に封止することができる弾性表面波装置を提供すること。
【解決手段】 弾性表面波を伝搬する圧電基板１と、圧電基板上に形成され、弾性表面波の伝搬方向に伸びて互いに対向配置された一対のバスバー電極２ａを有するＩＤＴ電極２と、圧電基板上に配置され、圧電基板との間にＩＤＴ電極２を収容する収容空間３を形成する封止部材４と、を含む弾性表面波装置である。圧電基板上において、伝搬方向と一致するＩＤＴ電極の中心を通る仮想的な中心線を定義したときに、封止部材４の圧電基板側の面である配設面４ａの外郭線は、中心線の両側において、この中心線に沿ってＩＤＴ電極２から離れるにしたがって、この中心線から配設面４ａを構成する外郭線までの距離が短くなる反射部４Ａを有し、反射部４Ａは、少なくとも一部が一対のバスバー電極２ａを伝搬方向に沿って伸ばした一対の仮想線で挟まれた領域である軌跡上に存在する。 （もっと読む）

【課題】気密性を高くすることが可能な弾性波デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板２と、圧電基板２上に形成された弾性波素子４と、弾性波素子４と電気的に接続され、上面１０ａが圧電基板２の上面２ａと平坦になるように、圧電基板２に埋め込まれた配線１０と、弾性波素子４上に中空部２０が形成され、かつ下面１６ａが圧電基板２の上面２ａ及び配線１０の上面１０ａに接触するように、弾性波素子４を封止するキャップ１６と、を具備する弾性波デバイス、及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ベース部とキャップとの接着箇所からの異物の混入を抑制することが可能な弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】弾性波素子１０と、弾性波素子１０を囲むキャビティ５を有し、樹脂からなるベース部２と、ベース部２上に接着され、弾性波素子１０上に中空部が形成されるように弾性波素子１０を封止する、樹脂からなるキャップ４と、ベース部２と一体成形され、かつ弾性波素子１０と電気的に接続され、ベース部２とキャップ４との接着箇所８からベース部２の下面２ｃ側に離間して、ベース部２の１つの側面２ｂからベース部２の外部へと突出するリードピン１４と、を具備し、
ベース部２の下面２ｃの延在方向と、リードピン１４の突出方向とは、リードピン１４からキャップ４に向かう方向において、接着箇所８がリードピン１４から遠ざかるように鋭角をなすことを特徴とする弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】小型化，薄型化及び高機能化を実現することが可能な半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられた外部接続端子３７と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられるとともに、外部接続端子３７と電気的に接続された第１電極２２と、半導体基板１０の第１の面１０ａと対向する第２の面１０ｂに設けられる電子素子と電気的に接続される第２電極２３と、半導体基板１０の第２の面１０ｂに設けられるとともに、第２電極２３に至る溝１１と、該溝１１の内部に設けられるとともに、第２電極２３の裏面２３ａと電気的に接続された導電部１２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複合圧電基板において異種の材料の熱膨張率の違いに起因する熱応力による反りを抑制し、クラックやハガレの発生を抑制することができる複合圧電基板、及び該複合圧電基板から作製される弾性表面波素子の提供。
【解決手段】圧電基板２と剛体板３が、直接又は接着層４を介して接合された複合圧電基板１であって、前記圧電基板２の外周部の厚さは中央部よりも薄く、前記剛体板３の外周部の厚さは中央部よりも厚いものである複合圧電基板１。 （もっと読む）

【課題】送信側フィルタチップと受信側フィルタチップとを有する弾性波分波器において、アイソレーション特性の改善を図る。
【解決手段】弾性波分波器１は、送信側フィルタチップ３０及び受信側フィルタチップ２０を備えている。受信側フィルタチップ２０は、受信側圧電基板２１と、受信側圧電基板２１上に形成されている受信側弾性波フィルタ部２３とを有する。送信側フィルタチップ３０は、送信側圧電基板３１と、送信側圧電基板３１上に形成されている送信側弾性波フィルタ部３３とを有する。送信側圧電基板３１の厚みＴ_Ｔｘが、受信側圧電基板２１の厚みＴ_Ｒｘよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】配線の剥離、クラック等を抑制することが可能な弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】圧電基板２と、圧電基板２上に形成された弾性波素子４と、弾性波素子４と電気的に接続され、少なくとも一部の領域がＩＤＴ５を形成する形成する金属からなるＡｌ層１３上に別の金属層１４を積層した複数の金属層により形成される配線６と、弾性波素子４と配線６とにおける、ＩＤＴ５を形成するＡｌ層１３により形成され、かつ金属層１４を含まない領域と、複数の金属層からなる領域との境界１５に接触しないように、弾性波素子４及び配線６を覆う絶縁層と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】小型化，薄型化及び高機能化を実現することが可能な半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられた外部接続端子３７と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられるとともに、外部接続端子３７と電気的に接続された第１電極２２と、半導体基板１０の第１の面１０ａと対向する第２の面１０ｂに設けられる電子素子と電気的に接続される第２電極２３と、半導体基板１０の第２の面１０ｂに設けられるとともに、第２電極２３に至る溝１１と、該溝１１の内部に設けられるとともに、第２電極２３の裏面２３ａと電気的に接続された導電部１２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極が露出していない状態でも弾性波装置の周波数を高精度に調整することができる、弾性波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板１上に、積層金属膜からなるＩＤＴ電極２を形成する工程と、ＩＤＴ電極を加熱することによりまたは高周波信号を印加することにより、ＩＤＴ電極２において複数の金属膜のうちの少なくとも１つの金属膜を構成している金属を拡散させることにより周波数調整を行う工程とを備える、弾性波素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスチップ間のアイソレーション特性を向上させること。
【解決手段】基板１０と、前記基板上にフリップチップ実装された複数の弾性波デバイスチップ２０、２２と、前記複数の弾性波デバイスチップの一部の側面から前記基板までを金属を用い封止する封止部１８と、を具備し、前記複数の弾性波デバイスチップの内少なくとも１つにおいて、前記封止部に接する少なくとも１つの側面から弾性波の励振に直接寄与するパターンまでの最も近い距離Ｌ２が、前記封止部に接しない側面から弾性波の励振に直接寄与するパターンまでの最も近い距離Ｌ１より長いことを特徴とする弾性波デバイス。 （もっと読む）

第１および第２のコンバータを有するミクロ音響フィルタが提案され、第１および第２のコンバータの間で電磁性および容量性のクロストークが、追加の結合キャパシタンスと追加の電流ループとを設けることによって補償される。このとき追加の結合キャパシタンスと電流ループは、設計により設定される自然な結合に対して正負記号の点で反対向きに作用し、そのようにしてこれを完全に補償できるように配置される。 （もっと読む）

【課題】小型化が実現されたパッケージを含む電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品である弾性表面波装置１は、半導体基板１０と、半導体基板１０の第１面１０Ａとその第１面１０Ａとは反対側の第２面１０Ｂとを貫通する貫通電極１２と、半導体基板１０の第１面１０Ａ側に設けられた弾性表面波素子５０と、第１面１０Ａとの間で弾性表面波素子５０を封止する封止部材４０とを備え、弾性表面波素子５０は、貫通電極１２と電気的に接続されている。 （もっと読む）