【課題】電子素子片とベース基板とを接合して構成される電子部品の外部電極への配線引出しと、両者の封止とを同時に一括作業で実現できるようにした電子部品とその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板２４は、電子素子片２２に対向する位置に形成された貫通孔３２と、貫通孔３２を封止する封止部材３０とを有すると共に、封止部材３０が、貫通孔３２の電子素子片２２に対向する側の開口面を貫通して凸部３０Ａを形成する。電子素子片２２は、電子素子片２２の貫通孔３２に対向する主面に導電膜２８を有し、凸部３０Ａと導電膜２８とを接触させることによって接続しつつ、電子素子片２２とベース基板３０をその周囲でロウ材２６により接合する。ロウ材２６は予めその高さを貫通電極凸部３０Ａより高くしておき、貫通電極３０が素子側電極２８に接触するまでリフローによりロウ材２６を溶融し結合させる。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ抑圧特性及びアイソレーション特性を良好にすることができる通信モジュールを実現する。
【解決手段】パッケージ基板における弾性波フィルタ素子の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、パッケージ基板に含まれる少なくとも１つの他の絶縁層の厚さよりも薄く、モジュール基板におけるパッケージ基板の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、モジュール基板に含まれる少なくとも１つの他の絶縁層の厚さよりも薄い通信モジュールである。 （もっと読む）

【課題】平衡−不平衡変換機能を有し、平衡度を改善することが可能とされている弾性波フィルタを得る。
【解決手段】不平衡信号端子２１１と、第１，第２の平衡信号端子２１２，２１３とを有し、弾性波伝搬方向に沿って順に第１〜第５のＩＤＴ２０１〜２０５が配置されており、第１のＩＤＴ２０１と、第３のＩＤＴ２０３の第１の分割くし歯状電極２０３ｂとが第１の平衡信号端子２１２に接続されており、第２の分割くし歯状電極２０３ｃと、第５のＩＤＴ２０５とが第２の平衡信号端子２１３に接続されており、第１のＩＤＴ２０１の電極指ピッチと、第５のＩＤＴ２０５の電極指ピッチとが異ならされている、弾性波フィルタ２００。 （もっと読む）

【課題】一つの素子に周波数の異なる三つ以上の弾性表面波共振子を並列配置して設けた弾性表面波素子や共振子タイプの弾性表面波フィルター、およびそれらを用いた弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷフィルター１において、圧電基板５上には、中心周波数がすべて異なる三つのＳＡＷフィルター１０，２０，３０が設けられ、このうち、もっとも高い中心周波数を有するＳＡＷフィルター１０が中央に配置されている。また、ＳＡＷフィルター１０の両側に配置されたＳＡＷフィルター２０およびＳＡＷフィルター３０は、ＳＡＷフィルター１０のＩＤＴ電極１１Ａ，１１Ｂの表面波伝搬経路に重複しない領域に配置されている。さらに、圧電基板５の周縁部には、ＳＡＷフィルター１０，２０，３０共通の接地電極である枠状のアースパターン７が、ＳＡＷフィルター１０，２０，３０を囲むように設けられている。 （もっと読む）

【課題】ダムを利用してフィルター部における配置及び配線の自由度を向上させることにより小型化が可能なＳＡＷデバイスを提供すること。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、実装基板２０と、導体バンプ１４と、実装基板２０にフリップチップ実装されたＳＡＷチップ１０と、ＳＡＷチップ１０を被覆する封止樹脂３０と、を含み、さらに、金属又は合金で構成され、封止樹脂３０の流入を阻止するためのダム１５が設けられている。ＳＡＷチップ１０の圧電基板１１には、直列に接続されたＳＡＷフィルター４０と５０を含むフィルター部１２が形成されている。ＳＡＷフィルター４０、５０は、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルターとして構成され、ＳＡＷフィルター４０のＩＤＴ４３の櫛形電極４３ａ及びＩＤＴ４５の櫛形電極４５ａと、ＳＡＷフィルター５０のＩＤＴ５３の櫛形電極５３ｂ及びＩＤＴ５５の櫛形電極５５ｂとがダム１５と配線接続されている。 （もっと読む）

【課題】気密性に優れた弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】弾性表面波装置１００は、実装基板１０２と、実装基板１０２の上面に対向配置された弾性表面波素子１５０と、実装基板１０２の上面に設けられているパッド１１８と、パッド１１８を被覆する半田層１２２と、実装基板１０２の上面に設けられ、パッド１１８を囲むダム材１３４と、を備える。 （もっと読む）

本発明の一部の実施例は、第１のフィルタがそれぞれ、少なくとも１つの第１のフィルタを製造するために使用される第１の材料の関数である第１のフィルタ・パラメータの組を有するバンド阻止型フィルタである少なくとも１つの第１のフィルタと、少なくとも１つの第２のフィルタを製造するために使用される第２の材料の関数である第２のフィルタ・パラメータの組を第２のフィルタがそれぞれ有する少なくとも１つの第２のフィルタであって、第２のフィルタがそれぞれ、バンド阻止型フィルタ及びバンド・パス型フィルタの一方である少なくとも１つの第２のフィルタとを有するフィルタが提供される。フィルタを形成するために、少なくとも１つの第１のフィルタ及び少なくとも１つの第２のフィルタのうちの少なくとも１つは併せて縦続接続される。第１の材料及び第２の材料は異なる材料である。縦続接続フィルタは、第１の材料及び第２の材料の関数である新たな第３のフィルタ・パラメータの組を有する。本発明の他の実施例は、フィルタを製造する方法、及び前述の縦続接続フィルタを使用したフィルタリングの方法を含む。
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【課題】樹脂ベースと樹脂キャップとの接着箇所から不純物が混入することを抑制する。
【解決手段】弾性波素子３０と、弾性波素子３０と電気的に接続され平面５０に配置された複数のリードピン１２と、複数のリードピンが側面から導出されるように複数のリードピン１２と一体形成され弾性波素子３０を実装する樹脂ベース１０と、樹脂ベース１０の上面に接着され弾性波素子３０を中空に封じる樹脂キャップ２０と、を有するパッケージ１００と、を具備し、パッケージ１００の重心を通り平面５０に平行な別の平面５２に対し、複数のリードピン１２が樹脂ベース１０から導出される箇所１８は、樹脂ベース１０の側面における樹脂キャップ２０と樹脂ベース１０の接着箇所２８と同じ側にある弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】従来の弾性表面波デバイスでは、薄板化するとチップ裏面にチッピングが発生しやすかった。
【解決手段】圧電基板１１の第１面に弾性表面波デバイスパターン１２を複数個形成する工程と、レーザ光１８を圧電基板１１の内部に集光させて照射することにより圧電基板１１の内部に改質領域１３を形成する工程と、圧電基板１１の第１面とは反対側の第２面側を研削することにより圧電基板１１を薄板化する工程と、改質領域１３で各チップに分離する工程と、を備えたものであり、薄板化してもチッピングを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】スペーサの構成を簡単なものとするとともに、パッケージを実装基板に実装した後においても、パッケージの支持高さ（すなわち、スペーサの高さ）を調節することができることにより小型化を図ることのできる圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電デバイス１は、圧電体素子２を収容したパッケージ３と、スペーサ５１〜５３を介してパッケージ３を支持する実装基板４と、スペーサ５１〜５３により形成されたパッケージ３および実装基板４間の隙間に位置するように実装基板４に設けられ、圧電体素子２を駆動するための電子部品６とを有している。スペーサ５１は、アーチ状に湾曲させた金属ワイヤで構成されている。 （もっと読む）

【課題】送信フィルタ及び受信フィルタのアイソレーション特性を改善することができる電子部品を実現する。
【解決手段】送信フィルタチップ３が、接地された金属部５ａで被覆されていることにより、送信フィルタチップ３付近に生じる電磁波はグランドに落ちる。したがって、電磁波は送信フィルタチップ３の周辺に滞留しないため、Ｒｘ帯域のアイソレーションを低減することができる。また、受信フィルタチップ２及び整合回路チップ４が樹脂部５ｂで被覆されていることにより、送信フィルタチップ３付近に生じる電磁波が受信フィルタチップ２側へ広がらないため、Ｔｘ帯域のアイソレーションを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】小型化した場合でも、アイソレーション特性の劣化が少ない、特に送信信号帯域でのアイソレーション特性の劣化が少ない分波器を提供する。
【解決手段】第１フィルタ２は、第１直列共振器Ｓ１１〜Ｓ１ｎを直列に接続してなる第１直列部と、第１並列共振器Ｐ１１〜Ｐ１ｎのそれぞれを互いに並列に第１直列部に接続してなる第１並列部と、第１並列共振器とグランドとの間にそれぞれ接続された第１インダクタＬ１１〜Ｌ１ｎと、を有する。第２フィルタ３は、第２直列共振器Ｓ２１〜Ｓ２ｍを直列に接続してなる第２直列部と、第２並列共振器Ｐ２１〜Ｐ２ｎのそれぞれを互いに並列に第２直列部に接続してなる第２並列部と、第２並列共振器とグランドとの間にそれぞれ接続された第２インダクタＬ２１〜Ｌ２ｍと、を有する。第１インダクタＬ１２と第２インダクタＬ２２との間に容量性結合７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】低コスト化および小型化を図りつつ、優れた信頼性を有する圧電デバイスの製造方法および圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】圧電振動片２を収納したパッケージ３を実装用基板４上にスペーサ５１〜５４を介して実装するとともに、スペーサ５１〜５４によってパッケージ３と実装用基板４との間に形成された間隙に収まるように、圧電振動片２を駆動する機能を有する電子部品６を実装用基板４上に実装した圧電デバイス１の製造方法であって、実装用基板４となるべき基板４Ａ上にスペーサ５１〜５４を形成する工程と、基板４Ａ上およびスペーサ５１〜５４上にこれらの間を跨るように配線パターン４２を形成する工程と、配線パターン４２に電気的に接続されるように、基板４Ａ上に電子部品６を実装する工程と、スペーサ５１〜５４上にパッケージ３を実装する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 通過帯域近傍の帯域外減衰量と、通過帯域外のより高周波側における帯域外減衰量とを両立させて向上させることができる弾性表面波装置、及び通信装置を得る。
【解決手段】 第１のＩＤＴ電極１の基準電位バスバー電極１ａを、伝搬方向に沿った方向の延長上で且つ第１のＩＤＴ電極１側に位置する基準電位電極１２の第１の部位２５に第１の接続配線３０を介して接続し、第３のＩＤＴ電極３の基準電位バスバー電極３ａを、伝搬方向に直交する方向の延長上にある基準電位電極１２の第２の部位２６に第２の接続配線３１を介して接続し、第２のＩＤＴ電極２の基準電位バスバー電極２ａを、第２の部位２６から基準電位電極１２に沿って第１の部位２５に向かう方向で且つ第１の部位２５と所定間隔だけ離れた第４の部位２８に第４の接続配線３３を介して接続し、基準電位電極１２の第４の部位２８と第５の部位２９との間にギャップＧを設ける。 （もっと読む）

【課題】アイソレーション特性を改善することができる電子部品を実現する。
【解決手段】送信フィルタチップ３と受信フィルタチップ２との間に、金属製でかつパッケージ基板１に対して離間した壁部６を形成したことにより、送信フィルタ側から受信フィルタ側への電磁波の漏洩を低減することができ、アイソレーション特性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】低損失のバランスフィルタを実現する。
【解決手段】フィルタまたはデュープレクサに含まれる集中定数型バラン１２に、キャパシタとして機能する共振器（ＩＤＴキャパシタ）を備え、さらにＩＤＴキャパシタの共振周波数をフィルタの通過帯域周波数よりも高くしたことにより、キャパシタＱ値が向上し、低損失のバランスフィルタを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】高周波帯の適切な周波数位置に減衰極を配置することができるとともに低損失なフィルタを提供する。
【解決手段】信号線に直列接続される複数の直列共振子と、信号線に並列接続される複数の並列共振子とを含むフィルタであって、複数の直列共振子のうち二つの直列共振子間の信号線に少なくとも二つの並列共振子が並列接続され、二つの並列共振子にそれぞれインダクタが直列接続され、インダクタは互いに異なるインダクタンスを有する。 （もっと読む）

【課題】安定した周波数特性を有し、容易に製造できる弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る弾性表面波装置１００は、第１の面１２を有する基板１０と、第１の面１２に樹脂層２０を介して設けられたインダクタ素子３０と、インダクタ素子３０と電気的に接続された弾性表面波素子５０と、基板１０、インダクタ素子３０、および弾性表面波素子５０を収納するパッケージ６０と、を含み、基板１０は、第１の面１２に形成された第１配線４０を有し、第１配線４０は、平面的に見て、樹脂層２０の周囲を囲み、基板１０は、第１の面１２がパッケージ６０の底面６６と対向して収納され、パッケージ６０は、当該パッケージ６０の底面６６であって、第１配線４０と対向する領域に設けられた第２配線７０を有し、第１配線４０と第２配線７０とは、接合して配置され、樹脂層２０を気密封止する空間８２を形成している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱膨張率の違いによる応力の負荷を軽減することができ、これにより、圧電基板の割れなどの破壊を防止することができる弾性表面波デバイスを提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の弾性表面波デバイスは、圧電基板１２と、この圧電基板１２の表面に設けられた複数の櫛形電極１３と、この複数の櫛形電極１３間を接続する配線１５と、前記圧電基板１２の上に設けられ、かつ櫛形電極１３を囲む側壁１６と、この側壁１６の上に設けられ、かつ前記櫛形電極１３の励振空間１９を覆う天板１７と、前記配線１５と電気的に接続された外部端子２２とを備え、前記側壁１６に圧電基板１２の垂直方向に貫通するダミーの抜き穴２３を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスと他の電子部品とが同時にトランスファーモールドされた電子部品モジュールについて、小型化、低背化、高信頼性化が可能な電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】モジュール基板５２に弾性波モジュール４０及び電子部品４２，４４が搭載され、トランスファーモールド樹脂４６で覆われている。弾性波モジュール４０は、弾性波デバイス１０，１０ｋが共通基板３０に搭載され、被覆樹脂３２で覆われている。弾性波デバイス１０，１０ｋは、圧電基板に形成された弾性波励振電極の周囲が構造体により封止され、振動空間１３，１３ｋが形成されている。被覆樹脂３２は、弾性波デバイス１０，１０ｋの振動空間１３，１３ｋを封止する構造体と共通基板３０との間にも配置される。被覆樹脂３２のガラス転移温度は、トランスファーモールド樹脂４６のガラス転移温度より高い。 （もっと読む）