【課題】ＬＳＩを使用するユーザに制約を課すことなく、ＬＳＩを使用するユーザ毎に異なる様々なＥＭＩ防止機能の要求に対応するために、電磁放射が生じる周波数とその周波数における電磁放射強度を制御する。
【解決手段】ＤＬＬ回路は、入力信号に基づいて同期基準信号を生成する入力回路１０１と、同期基準信号を遅延する第１遅延部１０２と、第１遅延部１０２によって遅延された同期基準信号の同期位置を調整し、同期対象信号を生成するタイミングオフセット回路１０３と、同期基準信号と同期対象信号との位相差を比較する位相比較回路１０５と、位相比較回路１０５の比較結果に基づいて第１遅延部１０２の出力信号を選択する第１制御回路１０６と、同期基準信号又は同期対象信号を遅延する第２遅延部１０４と、所定の設定情報を記憶する設定情報記憶回路１０８と、位相比較回路１０５の比較結果が所定の範囲内である場合に、設定情報記憶回路１０８に記憶された設定情報に基づいて第２遅延部１０４の出力信号を選択する第２制御回路１０７と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定ているクロックを生成するために、ＤＬＬ回路のスマートパワーダウンモードを具現する半導体集積回路及びその制御方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体集積回路は、スマートパワーダウン信号がイネーブルされると、周期的にイネーブルされるパルス信号であるバッファイネーブル信号を生成するＤＬＬ制御手段；及び、バッファイネーブル信号に応じて外部クロックの位相を制御して、出力クロックを生成するＤＬＬ回路を含む。 （もっと読む）

【課題】面積増大や消費電流増大を伴うことなくＰＬＬロック時の位相オフセット量により生じるクロックの位相ばらつきを極力小さし、またロック後の温度や電源電圧変動へも対応できるようにする。
【解決手段】基準クロックＣＬＫ１と帰還クロックＣＬＫ２の位相を位相周波数比較器４１で比較した結果に応じて出力クロックＣＬＫ３の周波数を決定するＰＬＬ回路において、出力クロックＣＬＫ３がクロックバッファ６を介して入力する分周回路５と分周回路５の出力クロックが入力し帰還クロックＣＬＫ２を出力する可変遅延回路９と、その帰還クロックＣＬＫ２の位相と基準クロックＣＬＫ１の位相を比較する位相比較器８とを備える。可変遅延回路９は、位相比較器８における基準クロックＣＬＫ１の位相と帰還クロックＣＬＫ２の位相の位相差がキャンセルされるようにその遅延量が制御され、結果としてＰＬＬ出力クロックＣＬＫ３の位相を調整できる。 （もっと読む）

【課題】ＳＳＣのジッタを抑制し、ＳＳＣの変調度を滑らかに遷移させることが可能なＳＳＣ生成機能を有するＰＬＬ回路を提供する。
【解決手段】ＳＳＣコントローラ１８は、ＳＳＣの変調プロファイルに応じて予め定められたタイミングで位相シフト量を変更するよう位相補間器１５を制御し、出力クロック信号Ｃ＿ＯＵＴの変調度を周期的に変更させる。さらに、ＳＳＣコントローラ１８は、帰還クロック信号Ｃ＿ＦＢの一周期内において位相補間器１５より出力される位相シフト信号Ｃ＿ＰＳに与える総位相シフト量を、当該総位相シフト量と直前の一周期における総位相シフト量との差分が常に基本遅延量Δ以下となるよう制御する。ここで、基本遅延量Δは、出力クロック信号Ｃ＿ＯＵＴの周期Ｔ＿ＯＵＴを位相補間器１５の位相分解能Ｎｒで除算した値（つまり、Ｔ＿ＯＵＴ／Ｎｒ）である。 （もっと読む）

【課題】広い周波数帯域で動作するＤＬＬ回路を提供する。
【解決手段】入力クロック信号ＣＬＫの周波数を検出する周波数検出回路１２が設けられ、当該検出結果に応じたデータはレジスタ１３に格納される。レジスタ１３は当該検出結果に応じたモード切替信号ＭＯＤＥをＶＣＤＬ回路１１に出力する。入力クロック信号ＣＬＫの周波数が所定値より小さい場合は、各遅延素子の遅延量が大きくなり、入力クロック信号ＣＬＫの周波数が所定値以上の場合は、各遅延素子の遅延量が小さくなるように構成されている。具体的には、ＶＣＤＬ回路１１において、各遅延素子の出力端子にスイッチと容量素子を付加し、モード切替信号ＭＯＤＥに応じてスイッチをオン・オフさせることで、容量素子を各遅延素子の出力端子に接続するか否かを切り替えるという構成が採用されている。 （もっと読む）

【課題】より位相差の微小な多相クロックを生成しつつ、消費電流の増大を抑制した多相クロック生成回路及びオーバーサンプリング回路を提供する。
【解決手段】１対の入出力端子と、遅延量制御端子にバイアスした電圧に応じた遅延量を発生させる２つの遅延ラインの出力の位相差を検出する位相比較器１３と、位相比較器１３の出力を平均化する平均化フィルタ１４とを備え、一方の遅延量制御端子に基準電圧を接続し、他方の遅延量制御端子に平均化フィルタ１４の出力を接続し各遅延ラインの出力が所定の位相差を持つように制御する遅延量制御部１１と、複数かつ同数個の遅延素子を直列に接続した複数の遅延ライン２１を備え、各遅延ライン２１は基準電圧を接続した遅延素子２２の数及び平均化フィルタ１４の出力電圧を接続した遅延素子の数の組み合わせを異ならせたクロック遅延部２０とを備え、所定の位相差を持つ多相クロックを生成する。 （もっと読む）

【課題】出力信号のジッターを低減可能としたデジタルＤＬＬ回路を提供する。
【解決手段】クロック信号ＣＬＫを１周期遅延させるための固定遅延素子の段数を選択する位相判定部１と、位相判定部１で選択した固定遅延素子の段数に基づいて、入力信号ＩＮを任意の位相量だけ遅延させて出力する固定遅延素子の段数を選択する位相調整部２１とを備えたデジタルＤＬＬ回路において、位相調整部２１は、選択信号に基づいて、複数段の固定遅延素子と、該固定遅延素子の１段当たりの遅延時間を１／２^ｎ刻みで調整する可変遅延部とで生成する遅延時間で、入力信号ＩＮを任意の位相量遅延させた出力信号ＯＵＴを生成する。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＬクロックが消失した場合に、位相検知における誤判定の結果を基に、遅延量が更新されることを回避し、ロック制御におけるＤＬＬクロックサイクルの短縮化と、ＤＬＬ回路の動作安定性の向上を図る。
【解決手段】本発明のＤＬＬ回路は、入力されるクロック信号の遅延量を制御する遅延信号を出力する遅延制御回路１３と、この遅延信号に基づいた遅延量をクロック信号に付加し、ＤＬＬクロックとして出力する遅延回路１２と、ＤＬＬクロック信号のクロッキング動作の有無を検知するＤＬＬクロック検知回路３１とを備える。そして、ＤＬＬクロック検知回路３１は、ＤＬＬクロックのクロッキング動作が検知されない場合に、遅延制御回路１３による遅延量の更新制御を停止させる。 （もっと読む）

【課題】 複数のチップ内の内部回路に供給される動作タイミング用のクロック信号の位相を正確に同期させることができる位相同期回路を提供する。
【解決手段】 第１チップ内において第１クロック信号を遅延させて第２クロック信号を生成し、２クロック信号を第１内部回路の動作タイミング用として第１内部回路に供給する第１遅延手段と、第２クロック信号を遅延させて第３クロック信号を生成する第２遅延手段と、第２チップ内において第１クロック信号を第１チップとの間の第１配線を介して入力し、その入力した第１クロック信号を第２内部回路の動作タイミング用として第２内部回路に供給する入力手段と、第１入力手段によって入力された第１クロック信号を第２配線を介して帰還クロック信号として第１チップに帰還させる帰還手段と、第３クロック信号と帰還クロック信号との位相差が減少するように第１及び第２遅延手段各々の遅延時間を制御する位相比較手段とを備える。 （もっと読む）

ディジタル位相同期ループ（ＤＰＬＬ）の時間対ディジタル変換器（ＴＤＣ）のパワーオンゲーティング窓を較正するのに関係するシステム及び方法が開示される。ゲーティング窓は同時に電力の効率的方法でＴＤＣを動作させながらＤＰＬＬの適切な動作を保証するために較正される。特に、その技術はＴＤＣゲーティング窓の幅を既定値に設定すること；制御ループが実質的にロックされるまで、ＤＰＬＬを動作させること；ＤＰＬＬの位相誤差デバイスによって生成される位相誤差信号をモニターしながら、ＴＤＣゲーティング窓の幅を所定の量だけ減少させること；位相誤差が所定の閾値に実質的に到達するか、或いは横切るときにＴＤＣゲーティング窓の現在の幅を決定すること；及びＴＤＣゲーティング窓の動作幅の誤差のマージンに組込む所定の量だけＴＤＣゲーティング窓の現在の幅を増加させることを要する。
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【課題】高精度にキャリブレーションが可能なバーニア遅延回路を提供する。
【解決手段】リングオシレータ１０は、入力されたバイアス信号ＳｂｉａｓＧに応じた周波数で発振する。バイアス信号調節部１２は、リングオシレータ１０の発振周波数が、所定の基準周波数と一致するように、帰還によりリングオシレータ１０に対するバイアス信号ＳｂｉａｓＧを生成する。個別バイアス回路１４は、Ｎ個の第２可変遅延素子Ｄ２_１〜Ｄ２_Ｎごとに設けられた複数のバイアス回路ＢＩＡＳ_１〜ＢＩＡＳ_Ｎを備える。各バイアス回路ＢＩＡＳ_１〜ＢＩＡＳ_Ｎは、バイアス信号Ｓｂｉａｓ２Ａ_１〜Ｓｂｉａｓ２Ａ_Ｎを個別に調節可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】所望の単位遅延回路の１個分の遅延追加がなされた場合であっても不安定な単位遅延回路が連続しないようにすること。
【解決手段】本発明は、外部クロックと内部クロックとの位相差を比較する位相比較器１と、位相比較器１からの出力信号により遅延時間を制御するアップダウンカウンタ２と、外部クロックの遅延を制御して内部クロックとするため、アップダウンカウンタ２から出力される信号の複数ビットに対応した複数個の単位遅延回路（Delay-Cell）を備え、この複数個のDelay-Cellを直列に接続するにあたり、アップダウンカウンタ２からの出力における同一ビットの出力により制御されるDelay-Cellが隣り合わないよう接続されるデジタル遅延ライン３とを有する遅延同期ループ回路である。 （もっと読む）

【課題】通信機などが必要とする発振装置の発振周波数範囲の広帯域化が、簡単な構成で精度よく行えるようにする。
【解決手段】８ＧＨｚから１２ＧＨｚなどの第１の周波数帯域幅の可変範囲を持つ低位相雑音な発振手段と、発振手段の発振出力を分周する周波数分周器とを備える。発振手段が出力する発振信号の周波数と、周波数分周器で分周する分周比を制御して、周波数分周器の出力周波数を、発振手段の発振周波数以下の周波数で、第１の周波数帯域幅と同じかそれ以上の周波数帯域幅で可変設定される所望の周波数とする制御を行う。 （もっと読む）

【課題】受信マージンを拡大可能な信号再生回路を提供する。
【解決手段】例えば、クロック信号ＣＬＫａ,ＣＬＫｂ,ＣＬＫｃを生成するクロック生成部ＣＬＫ＿ＧＥＮと、ＣＬＫａとＣＬＫｂの間、又はＣＬＫｂとＣＬＫｃの間にデータ信号Ｄｉのエッジが入り込んだ際に、位相検出信号（ＥＡＲＬＹ，ＬＡＴＥ）を生成するクロック・データ判定部ＣＤ＿ＪＧＥと、ウインドウ幅制御部ＷＷ＿ＣＴＬ等を設ける。ＣＬＫ＿ＧＥＮは、この位相検出信号に基づいて、前述したＤｉのエッジが入り込まないように、ＣＬＫａ，ＣＬＫｂ，ＣＬＫｃの全体位相を互いの位相差を保ったままで制御すると共に、ＷＷ＿ＣＴＬからの信号（Ｓｗｗ）に基づいて、ＣＬＫａとＣＬＫｂの位相差、およびＣＬＫｂとＣＬＫｃの位相差を制御する。 （もっと読む）

【課題】フレームパルス信号とクロックとの位相調整を自動化する。
【解決手段】フレームパルス信号ラッチ回路は、パルス幅をｍクロック周期より長くしたフレームパルス信号ＦＰＩＮを出力するパルス幅伸張部１と、位相を調整した出力クロックＣＬＫ’を生成する位相調整部３と、フレームパルス信号ＦＰＩＮをラッチするフリップフロップ４と、フレームパルス信号ＦＰＯＵＴに対して、１〜ｍクロックシフトした各信号を生成し、フレームパルス信号ＦＰＯＵＴとクロックシフトした各信号との論理積の結果に基づいてレーシング状態を検出するレーシング検出部５と、位相調整部３に対して異なる位相調整量を順次選択して指示し、レーシング状態が検出された際の最悪位相調整量に基づいて、最適位相調整量を決定して位相調整部３へ指示する制御部６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 エージング時に使用可能な同期逓倍クロック発生回路を提供することである。
【解決手段】 可変ディレイヤを用いた発振回路と、カウンタを用いた発振周波数制御回路とを有し、入力クロック周波数の逓倍の周波数のクロックを発生するクロック発生回路において、上記発振回路を入力クロックに同期させて動作させることで、入力クロックと同期した逓倍クロックを発生させる。 （もっと読む）

【課題】 高い線形性をもった電圧―電流特性を備え、ゲイン変動を抑えた電圧電流変換回路を有するＰＬＬ回路を提供する。
【解決手段】 電圧電流変換回路１１は、制御電圧ＶＣを受けるＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ１と、ＮＭＯＳトランジスタＮ１と直列に接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタＰ１と、ＰＭＯＳトランジスタＰ１とミラー回路を構成するＰＭＯＳトランジスタＰ２と、ＰＭＯＳトランジスタＰ１と並列に接続された電流源１３を備える。ＰＭＯＳトランジスタＰ２から出力される制御電流Ｉｏｕｔは、ＮＭＯＳトランジスタＮ１に流れる電流から電流源１３によって供給される電流の分だけ差し引かれる。 （もっと読む）

【課題】チップ上における占有面積が小さく、広範囲なクロック周波数に対応可能なＤＬＬ回路を提供する。
【解決手段】外部クロック信号ＣＬＫを遅延させるディレイライン２１０と、ディレイライン２１０による遅延量を制御する制御回路とを備える。ディレイライン２１０は、従属接続された複数の可変遅延素子５００を有し、可変遅延素子５００は、バイアス電流量によって遅延量が変化する差動回路構成であり、制御回路は、バイアス電流量を設定する第１の制御部３００と、複数の可変遅延素子５００のうち出力を取り出す可変遅延素子を選択する第２の制御部４００とを有している。本発明によれば、可変遅延素子によってディレイラインが構成されていることから、少ない段数にて広範囲なクロック周波数に対応することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＬの位相雑音を低減すること。
【解決手段】電圧制御発振器と、該電圧制御発振器の出力信号と基準信号との位相比較を行い、該位相差に基づいて前記電圧制御発振器に与える電圧を制御する位相比較器とを備える位相同期発振器に、電圧制御発振器の出力信号に対して可変の遅延時間を与える遅延制御手段と、位相比較器で検出した位相差に応じて遅延制御部が出力信号に与える遅延時間を制御する遅延時間制御手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】より向上したデューティー比特性を有するクロックを生成し、半導体集積回路の動作をより安定的に支援するＤＬＬ回路およびその制御方法を提供する。
【解決手段】本発明のＤＬＬ回路は、基準クロックを所定の分周比で分周して分周クロックを生成するクロック分周手段；前記分周クロックに対する遅延固定動作を行って遅延クロックを生成するフィードバックループ；前記遅延クロックを前記基準クロックの半周期だけ遅延させて半周期遅延クロックを生成する半周期遅延手段；および前記遅延クロックと前記半周期遅延クロックを組み合わせ演算して出力クロックを生成する演算手段；を含むことを特徴とする。 （もっと読む）