【課題】入力電流の大きさに応じた量の電流を入力電流から分流することによりダイナミックレンジが拡大されたトランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）において、入力インピーダンスの変化を低減する。
【解決手段】ＴＩＡ１０は、光電流Ｉｉｎの大きさに応じた出力電圧Ｖｏｕｔを生成する。ＴＩＡ１０は、光電流Ｉｉｎを出力電圧Ｖｏｕｔに変換する利得可変増幅回路１２と、光電流Ｉｉｎが大きいほど大きな電流Ｉｃｄを光電流Ｉｉｎから分流する分流回路１４と、光電流Ｉｉｎが大きいほど利得可変増幅回路１２の利得を小さくする利得調整回路２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ノイズフィギュアの劣化を抑制しつつ、過入力信号を調整可能な上限電圧および下限電圧の範囲内に制限する。
【解決手段】入力トランジスタと、第１端が前記入力トランジスタのゲートに接続され、第２端がバイアス電圧に接続される抵抗素子と、前記入力トランジスタのゲートに接続され、前記入力トランジスタのゲートへの入力を、前記バイアス電圧を基準とする（調整可能な）上限電圧および下限電圧の範囲内に制限する保護回路と、を備える、増幅回路。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板にＬＮＡ回路を形成した場合や、バルクＣＭＯＳプロセスを用いてＬＮＡ回路を形成した場合に、ＮＦの劣化の回避と高い線形性の達成とを実現することが可能なＣＭＯＳ集積回路を提供する。
【解決手段】ゲート電極に信号入力端子が、ドレイン電極に電源端子が、ソース電極に接地端子がそれぞれ接続された電界効果トランジスタを備え、前記電界効果トランジスタはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板上に形成し、ボディ電位と、ソース電位以下の電位との間を、抵抗素子で接続することを特徴とする、ＣＭＯＳ集積回路が提供される。かかるＣＭＯＳ集積回路を用いることで、ＮＦの劣化の回避と高い線形性の達成とを実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】回路の小型化を図ること。
【解決手段】増幅回路１００は、パッド１１１と、ＴＩＡ１５０と、オンチップインダクタ１３０と、シャント容量１４０と、を１つのチップに備えている。パッド１１１には電流信号が入力される。ＴＩＡ１５０は、入力された電流信号を電圧信号に変換して出力する。オンチップインダクタ１３０は、パッド１１１とＴＩＡ１５０との間に直列に接続されている。シャント容量１４０は、一端がオンチップインダクタ１３０とＴＩＡ１５０との間に接続され、他端がグランドに接続されている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、しきい値電圧や移動度にバラツキが生じてしまう影響を排除する。
【解決手段】アナログ信号を入力するトランジスタ、及び定電流源としての機能を有するトランジスタのゲート・ソース間電圧又はしきい値電圧に応じた電圧を取得、保持し、後に入力される信号電位に上乗せすることで、トランジスタ間のしきい値電圧のバラツキやゲート・ソース間電圧のばらつきをキャンセルする半導体装置を提供する。ゲート・ソース間電圧又はしきい値電圧に応じた電圧の取得、保持には、トランジスタのゲート・ソース間及びゲート・ドレイン間に設けたスイッチ、及びゲート・ソース間に設けた容量を用いる。 （もっと読む）

【課題】オーディオ信号処理回路１００のノイズを抑制する。
【解決手段】第１バッファ１０の電源端子には、第１電源からの第１電源電圧ＶＣＣ１が供給される。第２バッファ１２の電源端子には、第１電源からの第１電源電圧ＶＣＣ１が供給される。非反転アンプ１４の電源端子には、第２電源電圧ＶＣＣ２が供給される。起動電圧源１６は、その電源端子に第２電源電圧ＶＣＣ２を受け、起動電圧ＶＳＴＡＲＴを生成する。制御回路２０は、第２電源電圧ＶＣＣ２が所定のしきい値電圧より低いときにスイッチＳＷ１をオンし、第２電源電圧ＶＣＣ２がしきい値電圧より高いときにスイッチＳＷ１をオフする。 （もっと読む）

【課題】広帯域かつ平坦性の高い利得周波数特性を有するトランスインピーダンスアンプを提供する。
【解決手段】トランスインピーダンスアンプは、コア回路６と、コア回路６の出力信号振幅を検出する出力信号モニタ回路７と、振幅検出値に基づいてコア回路６の利得および周波数ピーキング量を制御する制御回路８を備える。制御回路８は、出力信号モニタ回路７の第一の帯域通過フィルタの通過帯域におけるコア回路６の出力信号振幅が所望の値になるように、出力信号モニタ回路７の第一の振幅検出回路が検出した検出値に基づいて帰還抵抗Ｒ_Fの値を変化させ、出力信号モニタ回路７の第二の帯域通過フィルタの通過帯域におけるコア回路６の出力信号振幅が所望の値になるように、出力信号モニタ回路７の第二の振幅検出回路が検出した検出値に基づいて周波数ピーキング量を変化させる。 （もっと読む）

【課題】高利得、及び低電流消費と共に、非常に高い三次入力インターセプトポイント（ＩＩＰ３）を有するＬＮＡを提供する。
【解決手段】ＬＮＡ２２２は、メイン電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）３０２、キャンセルＦＥＴ３０４、第１ソース・ディジェネレーション・インダクタ３０６、第２ソース・ディジェネレーション・インダクタ３０８、カスコード・トランジスタ３１０、及びＬＮＡ負荷３１２を含む。ＬＮＡ負荷３１２は、並列に結合されたインダクタ３１４及びキャパシタ３１６を含むＬＣタンク回路である。 （もっと読む）

【課題】低ノイズ係数（ＮＦ）、高利得、及び低電流消費と共に、非常に高い三次入力インターセプトポイント（ＩＩＰ３）を有する低ノイズ増幅器（ＬＮＡ）を提供する。
【解決手段】修正された微分重ね合わせ（ＤＳ）低ノイズ増幅器（ＬＮＡ）２２２は、メイン電流経路３２０とキャンセル電流経路３２２を含む。キャンセル経路の三次歪みは、メイン経路の三次歪みをキャンセルするために使用される。新規な一側面では、分離されたソース・ディジェネレーション・インダクタ３０６，３０８が、２つの電流経路の各々につきあり、これにより他方の電流経路に影響を与えることなく、一方の電流経路の調整を容易にする。第３の新規な側面では、キャンセル電流経路及び／またはデブースト電流経路がプログラマブルにディセーブルとされて、高線形性を求めない動作モードにおいて電力消費を低減し、ノイズ量を改善する。 （もっと読む）

【課題】 入力電圧が低く、特性を向上させた増幅装置を提供する。
【解決手段】 増幅装置は、一対の受光素子からそれぞれ入力された第１及び第２の電流信号Ｉｎ（＋），Ｉｎ（−）を、第１及び第２の電圧信号Ｖｏ（−），Ｖｏ（＋）にそれぞれ変換して出力する第１及び第２のトランスインピーダンスアンプ２０と、第１及び第２の電流信号Ｉｎ（＋），Ｉｎ（−）の各電流を分流する分流回路２４と、第１及び第２の電圧信号Ｖｏ（−），Ｖｏ（＋）の平均電圧値を示す平均信号を生成して出力する平均値検出回路と、平均信号Ｖａｖ、及び第１及び第２の電圧信号Ｖｏ（−），Ｖｏ（＋）のオフセット電圧値に基づいて、分流回路２４に分流される第１及び第２の電流信号Ｉｎ（＋），Ｉｎ（−）の各電流値を制御する制御回路２３とを含む。 （もっと読む）

【課題】高品質のイメージが得られるイメージセンサーを提供する。
【解決手段】検出部で検出された電荷を増幅させ、入力端子、増幅端子、及び出力端子を含む電荷検出増幅部を備え、電荷検出増幅部は、入力端子と前記増幅端子との間に接続された第１キャパシタと、入力端子と前記増幅端子との間に接続された第１スイッチングユニットと、増幅端子と出力端子との間に接続された第２キャパシタと、出力端子と基準電圧端子との間に接続された第２スイッチングユニットと、を備えることを特徴とするイメージセンサー。 （もっと読む）

【課題】受光回路の消費電流を削減する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、受光回路は、トランスインピーダンスアンプと出力回路が設けられる。トランスインピーダンスアンプは、フォトダイオード、帰還抵抗、及び第１のトランジスタが設けられる。フォトダイオードは、光信号を電気信号に変換する。帰還抵抗は、フォトダイオードと内部出力端子の間に設けられる。第１のトランジスタは、ゲートにフォトダイオードで光電変換された電気信号が入力され、ドレインが内部出力端子に接続される。出力回路は、第１のトランジスタと同一チャネル型であり、ゲートが内部出力端子に接続され、電流源負荷が接続されるとともにドレイン側から出力信号を出力する第２のトランジスタを含む。 （もっと読む）

【課題】線形性の改善されたノイズ指数および低ノイズ増幅器を提供する。
【解決手段】受信信号強度インジケータ２０１の出力に基づく可変ネガティブフィードバック２０３を含む増幅器Ｍ１が開示されている。フィードバックは、高受信信号レベルについて増加され、低受信信号レベルについて減少されるとしてもよい。実施形態において、可変フィードバック２０３は、複数の離散的なインピーダンス設定を含むとしてもよい。振幅および／または時間ヒステリシスは、組み込まれていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 入力される高周波信号のレベルが小さい時はＮＦ特性を十分に向上すると共に、高周波信号のレベルが大きい時は歪特性を十分に向上する。
【解決手段】 ＴＲ１のコレクタに接続されているコイルＬ２（負荷手段）とＶｃｃとの間に接続された抵抗Ｒ９と、該抵抗Ｒ９に並列接続された制御電圧Ｖｇｃに応じてオン／オフするＴＲ３と抵抗Ｒ８との直列回路とからなるバイアスコントロール部１１を備えている。入力信号のレベルが小さい時は、制御電圧ＶｇｃによりＴＲ２，ＴＲ３がオフすることにより、ＴＲ１のバイアスが浅くなってＮＦ特性が向上され、入力信号のレベルが大きい時は、制御電圧ＶｇｃによりＴＲ２，ＴＲ３がオンすることにより、ＴＲ１のバイアスが深くなって歪特性が向上される。 （もっと読む）

【課題】高速、かつ高品質な受信動作が実現可能な、トランスインピーダンスアンプを含んだ光通信モジュールを提供する。
【解決手段】トランスインピーダンスアンプＴＩＡにおいて、単相電流信号を入力として単相電圧信号に変換するプリアンプＰＲＡＭＰと、プリアンプＰＲＡＭＰの出力の単相電圧信号の中心電位を検出する閾値検出回路ＡＴＣと、プリアンプＰＲＡＭＰの出力の単相電圧信号を差動化するとともに増幅するポストアンプＰＳＡＭＰと、プリアンプＰＲＡＭＰに電源を供給する電源回路ＰＳＰＹとを有する。特に、電源回路ＰＳＰＹは、プリアンプＰＲＡＭＰの入力電圧信号または出力電圧信号でプリアンプＰＲＡＭＰの電源端子に流れる変化電流とその変化電流と逆相の変化電流とを出力する。これにより、電源電流変化量を相殺する。 （もっと読む）

【課題】電力増幅器（パワーアンプ）を使用した真空管アンプにおいても、スピーカの周波数特性の影響を受ける装置を提供すること。
【解決手段】真空管アンプ２０からの出力電圧のレベルをレベル調整部３０で調整しこれを電力増幅部４０に入力する。電力増幅部４０の正相電圧増幅器４１によって、スピーカ５０に電流が供給されスピーカ５０を駆動する。このスピーカ５０の駆動電流は電流検出部６０で検出され、この検出電流に応じた電圧が差動増幅器１０の反転端子に入力されるようにして負帰還ループが形成されているので、半導体素子で製造した電力増幅部４０を備えた構成としても、真空管アンプ２０のようにスピーカ５０の周波数特性の影響を受けることになる。 （もっと読む）

【課題】サブミクロンＣＭＯＳプロセスで製造されることができかつ良好な線形性および信頼性を有する相補型増幅器を提供する。
【解決手段】ＰＭＯＳトランジスタ４２２とそれにスタック結合されたＮＭＯＳトランジスタ４１２で構成した相補型増幅器４００で、ＮＭＯＳトランジスタ４１２およびＰＭＯＳトランジスタ４２２は、別々のバイアス電圧を有し、それらのバイアス電圧は、各トランジスタの相互コンダクタンスの低高および高低遷移をオーバーラップさせるように選択され、各トランジスタの幅および長さ寸法は、中反転領域におけるＮＭＯＳトランジスタ４１２の入力容量の変化および相互コンダクタンスの変化を中反転領域におけるＰＭＯＳトランジスタ４２２の入力容量の変化および相互コンダクタンスの変化と整合させるように選択される。それによりほぼ一定の総入力容量およびほぼ一定の総相互コンダクタンスを有しうる。 （もっと読む）

【課題】受光素子（フォトダイオード）の出力信号を増幅する初段増幅器を有する増幅回路において、初段増幅器の増幅率を大きくする。
【解決手段】フォトダイオード２で光電変換された電気信号を増幅する初段増幅器３１の出力信号に含まれる直流成分をローパスフィルタ３４にて抽出し、その抽出した直流成分を打ち消すように、初段増幅器３１の入力側にバイアス電流を帰還する。このようにして初段増幅器３１の入力側にバイアス電流を流すことによって、初段増幅器３１に入力される電気信号の直流成分（照明光等の信号成分）を除去することができ、初段増幅器３１の増幅率を大きくすることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】利得周波数特性の広帯域化と群遅延平坦特性とを両立させる。
【解決手段】ソース接地トランジスタＭ₁、ゲート接地トランジスタＭ₂、および負荷抵抗Ｒ_Lからカスコード接続回路１１を構成し、ソース接地トランジスタＭ₁のドレイン端子とゲート接地トランジスタＭ₂のソース端子と間に第１のインダクタＬ₁を設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、閾値電圧のオフセットレベルを変化させることにより、チャタリングを抑制することが可能な受信回路を提供する。
【解決手段】実施形態に係る受信回路は、光信号を受信し、前記光信号に対応した光電流を出力する受光素子と、前記光電流を信号電圧に変換して出力する信号電圧生成部と、 前記信号電圧を第１の閾値もしくは第２の閾値と比較する比較器と、前記比較器に入力する基準電圧を出力する基準電圧生成部と、前記比較器の出力に基づいて、前記基準電圧を前記第１の閾値および前記第２の閾値のいずれかに切り替えるスイッチと、を備える。 （もっと読む）