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国際特許分類[C09K11/62]の内容

国際特許分類[C09K11/62]に分類される特許

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【課題】水溶液中で高い発光効率を有するIII−V族半導体ナノ粒子及びその製造方法を
提供する。また、該III−V半導体ナノ粒子をガラスマトリックスに保持してなる高い発
光効率を有する蛍光体、その製造方法及び該蛍光体を含む発光デバイスを提供する。
【解決手段】III族元素およびV族元素を含有するコアとII族元素およびVI族元素を含有
する厚さ0.2ナノメートル以上4ナノメートル以下のシェルからなるコア/シェル構造を有し、V族元素に対するIII族元素のモル比が1.25〜3.0であり、かつ蛍光発光
効率が10%以上である直径2.5〜10ナノメートルのナノ粒子、並びにIII−V族半
導体ナノ粒子を分散した有機溶媒分散液と、II族化合物及びVI族化合物を含有する水溶液とを接触させて、III−V族半導体ナノ粒子を水溶液中に移動させた後、該水溶液に光を
照射することを特徴とする上記ナノ粒子の製造方法、さらに、該ナノ粒子を分散させたガラスマトリックスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、発光装置及びこの発光装置を光源として使用する表示装置に関し、本発明の発光装置は、反射膜の反射効率が非常に優れていて、結果的に、蛍光体の陰極発光効率が非常に優れている。
【解決手段】
本発明による発光装置は、真空領域を間において対向配置する第1基板及び第2基板;第1基板の内面に位置する電子放出部;第1基板の内面に位置して、前記電子放出部の放出電流量を画素別に制御する駆動電極;第2基板の内面に位置するアノード電極;前記アノード電極の一面で画素領域に対応して互いに距離をおいて形成される蛍光層;並びに前記蛍光層を覆って形成される反射膜;を含み、前記反射膜は、Alを含む第1反射膜;及びAgを含む第2反射膜;を含む。 (もっと読む)


【課題】ナノ粒子蛍光体を含む安定性に優れた液状硬化性樹脂組成物、この液状硬化性樹脂組成物を用いて調製される発光装置及び照明装置を提供する。
【解決手段】青色LED(発光ダイオード)66と青色LED66が発光する光が透過する封止部(光透過性部材)69とを備える発光チップ(発光装置)52であって、封止部69は、液状の主剤及び硬化剤と硬化反応を促進する硬化反応触媒を有する液状硬化性樹脂を硬化させて形成され、ケイ素原子結合アルケニル基とケイ素原子に結合した水素原子との間のヒドロシリル化反応により硬化したシリコーン樹脂硬化物と、無機蛍光体及び無機蛍光体に配位した炭化水素基から構成されるナノ粒子蛍光体とを有する。複数個の発光チップ52を直列接続することにより照明装置が得られる。 (もっと読む)


【課題】発光量はさほど高くないが、サブナノ〜数ナノ秒という極めて短い蛍光寿命を示すシンチレータと、低発光量の光に対しても高い感度を有するとともに応答速度が速い受光素子とを組み合わせた高速応答の放射線検出器および放射線検査装置を提供する。
【解決手段】励起子発光シンチレータ22とガイガーモードAPD23とを組み合わせる。励起子発光シンチレータ22は、ZnO、Al:ZnO、Ga:ZnO、In:ZnO、Cd:ZnO、Mg:ZnO、RE:ZnO(RE=希土類元素:Sc、Y、ランタノイド)、ZrO2、HfO2、GaN、Si:GaN、Ge:GaN、Sn:GaN、Pb:GaN、In:GaN、Al:GaN、Yb:Y2O3、Gd2O3、Sc2O3、Lu2O3のうち、少なくともいずれか一種類を含み、励起子による0.05ナノ秒〜10ナノ秒の蛍光寿命を有している。 (もっと読む)


【課題】 量子ドット発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、量子ドット発光素子およびその製造方法に関し、正孔輸送層に接する面と電子輸送層に接する面とが互いに異なる有機リガンド分布を有する量子ドット発光層を含んで量子ドット発光層のバンドレベルを調節することで、ターンオン電圧および駆動電圧が低くて輝度および発光効率に優れた量子ドット発光素子を具現することができる。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体層をクラックが生じる臨界膜厚よりも薄く形成しつつ、転位密度の低い窒化物半導体層を得ることのできる発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板102の成長面102aに窒化物半導体層がエピタキシャル成長される発光素子100において、基板102は窒化物半導体層と熱膨張係数が異なり、基板102の成長面102aは1μm以下の周期で形成された複数の凹部102cを有し、窒化物半導体層は横方向成長を利用して成長される。 (もっと読む)


【課題】本発明は発光特性に優れた半導体ナノ粒子を安価かつ簡便に得ることができる製造方法を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】金属塩として少なくとも周期表第11族元素及び周期表第13族元素の塩、ならびに周期表第16族元素を配位元素とする配位子を混合する工程と、前記混合工程により得られた混合物を少なくとも1気圧より高い圧力条件下で脂溶性化合物と共に加熱する工程を含む半導体ナノ粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】量子点−金属酸化物複合体、量子点−金属酸化物複合体の製造方法及び量子点−金属酸化物複合体を含む発光装置の提供。
【解決手段】量子点及び前記量子点と3次元ネットワークを成す金属酸化物を含む量子点−金属酸化物複合体であって、前記量子点は、Si系ナノ結晶、CdSe等のII−VI族系化合物半導体ナノ結晶、GaN等のIII−V族系化合物半導体ナノ結晶、SbTe等のIV−VI族系化合物半導体ナノ結晶であり、前記金属酸化物はSi、TiあるいはAlの酸化物である。該複合体は、量子点の表面をアミノアルコール等で処理し、さらに金属酸化物と反応させ3次元ネットワークが形成された量子点−金属酸化物複合体であり、発光装置の波長変換部として使用される。 (もっと読む)


新規のアルファ−サイアロン発光体は、ドーパントとしてMnと共に金属M2を含有することを特徴とする。M2は、殊にEuおよび/またはYbである。
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【課題】低毒性であり、且つより高い発光量子収率を有する半導体ナノ粒子の製造方法、並びに当該製造方法により得られる半導体ナノ粒子を実現する。
【解決手段】本発明の半導体ナノ粒子の製造方法は、亜鉛と周期表第11族元素と周期表第13族元素とを含む硫化物もしくは酸化物、又は周期表第11族元素と周期表第13族元素とを含む硫化物もしくは酸化物を、主成分とする第1化合物を合成する粒子合成工程と、粒子合成工程後に上記第1化合物を精製する精製工程と、精製した上記第1化合物を加熱する加熱処理工程と、を含む。 (もっと読む)


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