【課題】例えばより抵抗が低く透過率の高いＩＴＯ薄膜のような透明導電膜を、樹脂フィルムの軟化点以下の温度で比較的低コストに均一かつ高速度で成膜する。
【解決手段】真空容器１内の上部に、成膜ローラ１０に巻回された樹脂フィルムＦがその被成膜面Ｓを下向きにして配設するとともに、真空容器１内の下部には、蒸着材料を電子ビームガン４によって蒸発させる蒸発源５と、この蒸発源５において蒸発させられた蒸着材料の材料蒸気Ａに向けてプラズマＢを照射するプラズマ放出源７とを、被成膜面Ｓに対向するように配置し、このうちプラズマ放出源７を、成膜ローラ１０の軸線Ｏを含んで鉛直方向に延びる仮想平面Ｒから間隔をあけて配設する。 （もっと読む）

【課題】 合成樹脂フィルム上に成膜される昇華材料膜の特性を向上させるために、昇華した昇華材料を安定的に合成樹脂フィルム上に付着させる工程を有する方法を提供する。
【解決手段】 マイクロ波発生手段を用いて予備的に、かつ、均一的に昇華材料を加熱する。また、電子線発生手段を用いて電子線を照射する昇華材料表面がほぼ平滑であり、かつ、材料容器が可動式である。また、材料容器と冷却ロールとの間に高融点材料からなる網目状のフィルターを備えている。 （もっと読む）

【課題】少なくとも発光層と電子注入層が一対の電極間に挟持されている有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】金属及び金属化合物、又は金属若しくは金属化合物の加熱蒸発物と、有機物の加熱蒸発物とを原料とする共蒸着膜を電子注入層とする有機ＥＬ素子の製造方法であって、基板の上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極の上に有機化合物層を形成する工程と、前記有機化合物層の上に上部電極を形成する工程とを有し、前記有機化合物層の一つである電子注入層を作成する工程で、前記金属及び金属化合物、又は金属若しくは金属化合物の加熱蒸発物に対してイオン化処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放出されるプラズマ原子の純度を高め、不純物の混入を防止し、イオン濃度の制御性を良くしたラジカル発生装置を提供する。
【解決手段】放電管１０の外側周囲を高周波コイル４で巻き回されており、高周波コイル４の端子は、高周波電源９に接続されている。放電管１０は、放電室１、蓋２、ガス導入用底板３で構成されている。また、支持台８が設けられており、支持台８には支柱６が配置され、支柱６にはシャッター５が接続されている。斜線が付されている構成部品、すなわち、シャッター５、蓋２、放電室１、ガス導入用底板３については、これらのすべて、又は一部について石英等のシリコン系化合物で形成されている。 （もっと読む）

【課題】配向性の高いＰＺＴ薄膜を容易に製造することが可能なＰＺＴ薄膜の製造方法、配向性の高いＰＺＴ薄膜を圧電薄膜として備えた低コストのＢＡＷ共振器およびそれを用いたＵＷＢ用フィルタを提供する。
【解決手段】ＰＺＴ薄膜３０ａの製造にあたっては、結晶成長用基板１の主表面側の成長表面である最表面Ｓｕｒに電子銃２から電子ビームを照射しながらスパッタ法によりＰＺＴ薄膜３０ａを結晶成長させるので、結晶成長時の最表面Ｓｕｒ付近の電子４に起因した電場と最表面Ｓｕｒに向かって飛来するＰＺＴ粒子３の自発分極との相互作用により、自発分極の方向が厚み方向に揃った配向性の高いＰＺＴ薄膜３０ａを結晶成長させることができる。ＢＡＷ共振器における圧電薄膜の形成方法としてＰＺＴ薄膜３０ａの製造方法を利用すれば、ＢＡＷ共振器およびＵＷＢ用フィルタの低コスト化を図れる。 （もっと読む）

【課題】耐熱合金の高速重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の表面に、下部層としてアークイオンプレーティングで蒸着形成されたＣｒとＡｌとＳｉの複合窒化物層、上部層としてアークイオンプレーティングとスパッタリングの同時蒸着により形成されたＣｒとＡｌとＳｉとＭｏとＳの複合窒化物層を設けた表面被覆切削工具であって、上部層は、層厚方向にそって、Ａｌ−Ｃｒ−Ｓｉ最高含有点とＭｏ−Ｓ最高含有点とが０．０３〜０．１μｍの間隔をおいて交互に繰り返し存在する平均層厚１〜８μｍの組成変化（Ａｌ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｓ）Ｎ層からなる。 （もっと読む）

【課題】真空容器内部がマイクロ波の波長に比べて十分に広い空間になっていたとしても、そのマイクロ波を用いて、その真空容器内部でプラズマを効率良くかつ容易に発生できる装置、或いは、その真空容器内部で効率良くかつ容易にプラズマを発生させて高品質な薄膜の形成ができる装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波を発生する発振器（６）と、マイクロ波を伝播させる導波管（１）と、マイクロ波のインピーダンスを調整する整合器（７）と、真空容器（８）と、前記導波管（１）と前記真空容器（８）とを分離する誘電体（２）と、前記誘電体（２）に接しているアース電極（３）と、前記アース電極（３）と垂直に設置され前記真空容器（８）にガスを導入するガスパイプ（４）とを備えることを特徴とするマイクロ波プラズマ発生装置。 （もっと読む）

【課題】結晶ｃ軸を一定方向に配向させることができる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜製造方法は、電子ビーム蒸着法によって基板に薄膜を堆積させつつ基板１０に対してイオンビームを照射するとともに、基板１０とイオンビームの照射方向とのなす角度を略垂直とすることで、基板１０上に形成される薄膜の結晶ｃ軸を基板面内方向で一方向に配向させる。 （もっと読む）

InGaN などの材料の成長面に、走査鏡などで所望の位置へと導いた小径レーザービームを当てて露光させる。露光点での物性を変更できる。或る実施形態においては、レーザーにあてた箇所で、選択した材料のモル分率を低減する。或る実施形態においては、材料を、MBE室内もしくはCVD室内で成長させる。 （もっと読む）

【課題】窒化反応が良好で窒化物薄膜の生成に適し、かつ、スパッタリングイールドが高く成膜速度が高い成膜を行う。
【解決手段】ＥＣＲスパッタにおいて、スパッタターゲットのプラズマを基板に照射するとともに、窒素ガス等の反応性ガスをイオン化し、このイオン化した反応性ガスイオンを基板に照射することによって、窒化反応を良好なものとするとともに、高いスパッタリングイールドを得る。ＥＣＲスパッタ装置１は、電子サイクロトロン共鳴によってスパッタターゲットのプラズマを発生し、発生したプラズマを基板１０に照射するＥＣＲスパッタ源２と、反応性ガス等の供給ガスをイオン化し、イオン化したガスを基板１０に照射するイオンビーム源３を備える。基板１０には、スパッタターゲットのプラズマとイオン化されたガスが照射される。 （もっと読む）