【課題】支持体上に薄銅層が剥離可能に形成されている支持体付極薄銅箔の薄銅層の結晶状態を定量的に評価可能とし、エッチング性が良好で微細回路の加工に適すると共に、ハンドリング時の耐傷性を改善した支持体付極薄銅箔を提供する。
【解決手段】支持体上に薄銅層が剥離可能に形成されている支持体付極薄銅箔であって、薄銅層の２３０℃１時間加熱処理後のビッカース硬度が１８０〜２４０Ｈｖである支持体付極薄銅箔を、薄銅層の形成に平均分子量が５０００以下のゼラチンを１５〜３５ｐｐｍ含有する硫酸銅めっき浴を用いることにより製造する。 （もっと読む）

【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびＰＮ接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり；前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ；並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 （もっと読む）

【課題】抗酸化特性およびエッチング特性が良好であり、さらに、高温高圧環境でも剥離性に優れた極く薄い銅箔と、厚さが均一であり、ピンホールがほとんどない担体とを備える、担体としてベリーロープロファイル銅箔付きの極く薄い銅箔を提供すること。
【解決手段】ベリーロープロファイル銅箔を担体とした極く薄い銅箔の製造方法が、担体の両面が平坦で，粗さが1.5μm以下，厚さが18〜35μmのベリーロープロファイル銅箔を；リブテン，ニッケル，クロムとカリウム金属イオンからなるめっき液でめっきして剥離層とし；剥離層の上に、Cu₂P₂O₇3H₂O；10〜60g/L，K₄P₂O₇：100〜400 g/L，PH＝6〜10，浴温10〜60⁰ Cからなるめっき液を電流密度1〜5A/dm²でめっきして剥離層の保護膜を形成し、；更に銅濃度50〜100g/L，硫酸濃度90〜125g/L，浴温40〜70⁰ C，のめっき液を電流密度10〜50A/dm²でめっきして、厚さ1〜6μm以下の極く薄い銅箔とからなること。 （もっと読む）

【課題】車載用リチウムイオン電池用電極に要求される特性を満たす、すなわち、表面が平滑で、高抗張力および優れた伸び特性を有し、かつ常温アニールされ難く、抗張力の経時的変化が小さい電解銅箔を製造するための銅電解液を提供することを目的とする。
【解決手段】下記（Ａ）、（Ｂ）を添加剤として含有することを特徴とする銅電解液。
（Ａ）ジシアンジアミドとポリアルキレンポリアミンの縮合物と、下記式で表されるエポキシ化合物との反応により得られた化合物


（但し、Ａはヒドロキシ基、アルコキシ基、フェノキシ基、（メタ）アクリロキシ基、−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、又はハロゲンを表す。）
（Ｂ）有機硫黄化合物 （もっと読む）

【課題】高強度を有しながら、微細な単位での膨張収縮の変化に耐えられる伸び性に優れた二次電池負極集電体用電解銅箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】公称応力ひずみ曲線において、引張り強さが４５〜７０ｋｇ／ｍｍ²であり、引張り強さの値が破断応力の値よりも大きく、伸び率が５％以上である二次電池負極集電体用電解銅箔である。 （もっと読む）

【課題】 低電流密度部から高電流密度部まで均一なめっき被膜を形成させて良好な光沢性を付与し、また不使用時においても消耗しない電気銅めっき用添加剤及びその添加剤を含有した電気銅めっき浴を提供する。
【解決手段】 電気銅めっき浴に、下記一般式（１）で示されるブロックポリマー化合物からなる電気銅めっき用添加剤を添加させる。
【化１】


（但し、式中、Ｒは直鎖又は分岐鎖の炭素数１〜１５のアルキル基又はアルケニル基を表し、ｍは１〜３０、ｎは１〜４０の整数である。） （もっと読む）

【課題】車載用リチウムイオン電池用電極に要求される特性を満たす、すなわち、表面が平滑で、高抗張力および優れた伸び特性を有し、かつ常温アニールされ難く、抗張力の経時的変化が小さい電解銅箔を製造するための銅電解液を提供することを目的とする。
【解決手段】下記（Ａ）、（Ｂ）を添加剤として含有することを特徴とする銅電解液。
（Ａ）ポリエチレンイミン又は（ポリ）アルキレンポリアミン化合物と、下記式で表されるエポキシ化合物との反応により得られた化合物


（但し、Ａはヒドロキシ基、アルコキシ基、フェノキシ基、（メタ）アクリロキシ基、−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、又はハロゲンを表す。）
（Ｂ）有機硫黄化合物 （もっと読む）

【課題】高縦横比のビアホールを埋め込むのに好適な銅めっき溶液および銅めっき方法を提供する。
【解決手段】シード層を有する基板を浸漬し、水、銅供給源、電解物質、塩素イオン、第１添加剤、第２添加剤、および第３添加剤を含み、前記第１添加剤は、化学式１に示す化合物である銅めっき溶液を用いて銅めっきを行う。


（式中、Ｒは、水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、ｍは、平均重合度であり６〜１４の実数である。） （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等への精緻な銅配線を形成する場合にも、アノードスライムの発生を抑制するとともに、半導体ウエハ等の被めっき材表面における汚染、突起等のめっき欠陥の発生防止を図ることができる電気銅めっき用含リン銅アノードを提供する。
【解決手段】Ｚｒの含有量が１５〜５０ｗｔｐｐｍ、リンの含有量が１００〜８００ｗｔｐｐｍ、残部が銅および不可避不純物であることを特徴とする電気銅めっき用含リン銅アノードにより、前記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ボイドを形成せず、盛り上がりをはじめとするオーバープレーティングの減少を示し、種々のフィーチャーサイズの上の滑らかで平坦な堆積物を提供し、および種々の電解質濃度を使用する、半導体製造において使用するためのレベリング剤を提供する。
【解決手段】特定のアミン類とポリエポキシドと化合物の反応生成物を電解銅メッキ浴のレベリング剤として使用する。 （もっと読む）