【課題】電極の構成およびその製造方法が従来よりも、低コストで導電性能が低下せず、多数の製造工程を必要としない電極形成基板およびその製造方法および同電極形成基板を提供する。
【解決手段】ガラス基板２と、ガラス基板２上全体に成膜されたＩＴＯ３膜と、電極形状に形成された金属めっき膜５と、を有する電極形成基板１であって、ＩＴＯ膜３上には、パターニングされたストライクめっき膜４を備え、ストライクめっき膜４を介して、ＩＴＯ膜３と金属めっき膜５とは、密着し、ストライクめっき膜４上にのみ金属めっき膜５を形成し、金属めっき膜５は、電解めっきを用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ダイリップ部の割れや欠けを抑制し、加工精度を向上させたクロム層を有する金属材、およびその製造方法、並びに該金属材を使用したダイを提供する。
【解決する手段】上記ダイは、金属母材１０表面にクロム層１２を形成し、該クロム層１２表面に摩擦攪拌プロセスを施すことにより、クラック密度の小さいクロム層を形成させる。 （もっと読む）

【課題】電気的接続部位等に設けられるＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被膜を形成する際に好適に用いることができ、被膜特性の向上及びコスト削減を図ることのできる電解パラジウム−リン合金めっき液、めっき被膜及びめっき製品を提供する。
【解決手段】被めっき物１００の表面に、電解めっきにより電解パラジウム−リン合金めっき被膜１２を形成する際に用いる電解パラジウム−リン合金めっき液であって、パラジウム化合物と、次亜リン酸ナトリウム又は亜リン酸と、エチレンジアミン又はジエチレントリアミンとを含むことを特徴とする電解パラジウム−リン合金めっき液、該めっき液によるめっき被膜及びめっき製品。 （もっと読む）

【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびＰＮ接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり；前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ；並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 （もっと読む）

【課題】ウィスカ抑制能を有するとともに、はんだ濡れ性が劣化しない電極を有する電子部品を得る。
【解決手段】電子部品としての積層セラミックコンデンサ１０は、たとえば直方体状の電子部品素子１２を含む。電子部品素子１２の一端面および他端面には、端子電極１８ａ、１８ｂの外部電極２０ａ、２０ｂが形成される。外部電極２０ａ、２０ｂの表面には、Ｎｉからなる第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂが形成される。第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂを覆うようにして、最外層としてＳｎからなる第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂが形成される。第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂは、多結晶構造を有し、Ｓｎ結晶粒界にフレーク状のＳｎ−Ｎｉ合金層がそれぞれ形成されている。第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂと第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂとの界面には、Ｎｉ₃Ｓｎ₄からなる金属間化合物層２６ａ、２６ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】ウィスカ抑制能を飛躍的に高めた電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品としての積層セラミックコンデンサ１０は、たとえば直方体状の電子部品素子１２を含む。電子部品素子１２の一端面および他端面には、端子電極１８ａ、１８ｂの外部電極２０ａ、２０ｂが形成される。外部電極２０ａ、２０ｂの表面には、Ｎｉめっきからなる第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂが形成される。第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂの表面には、最外層となるＳｎめっき皮膜としてＳｎを含む第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂが形成される。第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂは、多結晶構造を有し、Ｓｎ結晶粒界およびＳｎ結晶粒内にフレーク状のＳｎ−Ｎｉ合金粒子がそれぞれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ピッチズレが抑制されためっき物からなる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性の基板表面に感光性樹脂の層を形成する第１工程と、前記感光性樹脂の層を露光および現像することで前記基板表面の一部を露出させ、前記感光性樹脂の構造体を形成する第２工程と、前記感光性樹脂の構造体を第１のめっき液に浸漬し、前記基板表面が露出した部分から第１のめっき層を形成する第３工程と、前記第１のめっき層を形成した後、前記感光性樹脂の構造体を硬化させる第４工程と、前記感光性樹脂の構造体を硬化させた後、前記第１のめっき層の少なくとも一部を除去する第５工程と、硬化させた前記感光性樹脂の構造体を前記第１のめっき液と異なる第２のめっき液に浸漬し、前記第１のめっき層を除去した部分から第２のめっき層を形成する第６工程とを有する微細構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】はんだとの密着性に優れる複合部材、この複合部材からなる放熱部材、この放熱部材を具える半導体装置、及び複合部材の製造方法を提供する。
【解決手段】複合部材1は、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとが複合された複合材料からなる基板20と、基板20の表面に形成された多層構造の金属被覆層10とを具える。金属被覆層10は、基材20側から順に、基板20のマトリクス金属と同組成である下地層11、ジンケート処理により形成された亜鉛層12、銅めっき層13、ニッケルめっき層14を具え、銅めっき層13の厚さが1μm超と比較的厚い。この構成により、複合部材1とはんだとの間の剥離強度が高く、複合部材1に半導体素子などを接合した場合に剥離し難い。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ_６Ｓｎ_５層を凹凸状に形成する際の粗化状態における粒子径のばらつきを抑え、安定性・再現性が良く、製造工程が簡易かつ安全で、安価なリチウムイオン二次電池用負極の製造方法及びリチウムイオン二次電池用負極を提供する。
【解決手段】本発明に係るリチウムイオン二次電池用負極の製造方法は、銅箔を脱脂、酸洗浄し、銅箔上にニッケルめっき層を形成し、順次Ｃｕめっき層、Ｓｎめっき層を形成した後、熱処理を施してＣｕ_６Ｓｎ_５層を形成してリチウムイオン二次電池用負極を製造する方法であり、その熱処理は、前記Ｃｕ_６Ｓｎ_５層の表面側に純Ｓｎ層を残した状態で施し、純Ｓｎ層をアルカリ電解液中でアノード溶解することで除去して、粗化形状の粒子径を１μｍ以上３μｍ以下としたＣｕ_６Ｓｎ_５層を露出させることを特徴とする製造方法である。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーはんだに対する高いはんだ付け性（濡れ性）を実現し、しかも特にその厳しい曲げ加工部におけるウィスカの発生を抑制ないし防止することができるめっき被膜部材の提供及びめっき被膜部材の曲げ部の形成方法並びにウィスカの防止方法の提供を目的とする。
【手段】表面のインジウムからなる第２めっき層とその下層の第１めっき層とを導電性基材上に他層を介してもしくは介さずに有する多層めっき材料をリフロー処理しかつ平面部と平面部との間に配置された曲げ加工部で曲げ加工してなるめっき被膜部材であって、リフロー処理前の前記多層めっき材料について、前記第１めっき層の厚さ（ｔ_１）と第２めっき層の厚さ（ｔ_２）とを特定の範囲とし、特定のＩｎの拡散層を形成して、曲げ加工部のウィスカ発生を防止するめっき被膜部材。 （もっと読む）