【課題】ヒータの本体部分のみならず端部における防爆対策をも併せ持った二重管式ヒータの防爆構造を提供する。
【解決手段】フィラメント１２が封入された石英管１３を、冷却流体が供給される外側管１４の内部に封入して二重管式ヒータとし、その端子部にリード線収納用のチューブ１８を取り付け、このチューブ１８の内部にパージエアを供給して炉内ガスの侵入を阻止した。可燃性の有機溶媒蒸気が発生するワークを乾燥する炉の加熱源として適している。 （もっと読む）

【課題】素線の膨脹の累積を防止した、素線のコイル状ヒーター要素を含む電気炉用のインサートを提供する
【解決手段】断熱シェルおよびコイル状ヒーター要素を含む電気炉用のインサートであって、ヒーター要素（２）が、折り曲げ部（１０）およびセクション（Ｓ_i、Ｓ₂）同士が共通の素線のループを形成するように、素線の折り曲げ部（１０）を介して相互接続している少なくとも２つのセクションからなる素線を含むインサート。折り曲げ部（１０）に直接接続しているセクション（Ｓ_i、Ｓ₂）中の素線が、締結部材（１１）を超えて膨脹するのを妨げるように、締結部材（１１）が断熱シェル中に固定され、折り曲げ部（１０）の領域内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】熱処理ゾーンにおいて周方向あたりの温度のばらつきを低減することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１０は、炉床１２および炉本体２０内に、円筒状の熱処理ゾーン２６が設けられる。熱処理ゾーン２６の内周側には、曲面状の内周ヒーター３４が配置される。熱処理ゾーン２６の外周側には、曲面状の外周ヒーター４０が、熱処理ゾーン２６を挟んで内周ヒーター３４に対向するように配置される。内周ヒーター３４の高さ方向に分割された３段の内周ヒーター部分３６ａ、３６ｂ、３６ｃと、外周ヒーター４０の高さ方向に分割された３段の外周ヒーター部分４２ａ、４２ｂ、４２ｃとは、それぞれ対向する。 （もっと読む）

【課題】熱交換器等のワークをろう付けするための装置を小型化し、エネルギー消費量が小さく、ワークをろう付け温度に迅速かつ均一に昇温できるろう付け装置を提供する。
【解決手段】ろう付けチャンバ２内を加熱空間２１としてワークＷを配置し、ろう付けチャンバ２の上下に複数の近赤外線ヒータを設置して輻射加熱する一方、ろう付けチャンバ２の側面に窒素ガスの熱風を導入する導入口４１と排出口４２を設けて、加熱空間内に熱風を対流循環させる。輻射加熱と対流加熱を組み合わせて複数の近赤外線ヒータの出力を、温度センサ２４の測定値を基に制御部で制御することで、ワークＷ全体を均一加熱する。 （もっと読む）

【課題】対象物をムラなく均一に高温加熱しながら高精度に計測するため、加熱装置を密閉構造とすることなく、さらに対象物をステージ動作させながらでも、対象物の加熱及び計測を可能とする加熱装置を提供する。
【解決手段】対象物６の上面に計測用に設けた開口部１０を有するプレート型ヒーター５を配置し、前記対象物６の下面には接触式または非接触式の加熱ユニット７と、前記対象物６を支持する支持体１１とで構成された加熱ケース９をステージに搭載し、ステージ動作させながら対象物６の加熱と計測を可能とする加熱装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】熱効率に優れ、かつヒータの消耗を抑制可能な回転炉を提供する。
【解決手段】回転炉１は、回転可能な中実の回転管３と、回転管３の回転中心軸５３を含むように回転管３の内部に設けられたヒータ設置用空間１５と、回転中心軸５３を含むようにヒータ設置用空間１５内に配置された抵抗加熱型のヒータと、回転中心軸５３に沿うようにヒータ設置用空間１５の周囲に設けられ、原料粒子１６が投入される粒子反応用空間１４を有し、熱処理の際には、ヒータから発生した熱がヒータ設置用空間１５の内壁から回転管３内を伝わり、粒子反応用空間１４の内壁が加熱され、粒子反応用空間１４に投入された原料粒子１６は、粒子反応用空間１４の内壁の熱により、加熱処理される。 （もっと読む）

【課題】高い加熱効率を図ることができると共に、被加熱物の温度分布の均一化を図ることができる加熱処理制御装置および加熱処理制御方法を提供する。
【解決手段】オフラインＰＣ１０は、シミュレーションに必要な被加熱物Ｗのデータと電気炉１のデータとにより、被加熱物Ｗの内部を含む全体を均熱加熱するためのシミュレーションを行って、時間ごとの加熱温度を示す加熱温度データとして算出する。次に、制御用ＰＣ２０は、加熱温度データに応じて加熱手段の出力を制御する。このとき、温度センサからの測定温度データに基づいて推定変動温度データを算出し、この推定変動温度データに応じてヒーターＫを制御する。 （もっと読む）

【課題】被加熱物に放射する熱の面分布をより均一化できる加熱装置を提供する。
【解決手段】支持部３により支持されたウェハと対向して平面状に配設された複数の熱源が熱源部２に設けられており、前記熱源が配設される平面と平行な方向において熱源部２と支持部３とが相対的に変位するように、前記熱源部２を旋回運動させる機構部４を有する、前記熱源部２を前記支持部３に対して旋回させることで、各熱源の放射熱がウェハの面上において分散されるため、前記熱源部２と前記支持部３との相対位置が固定されている通常の加熱装置に比べて、ウェハ上における放射熱の面分布のばらつきを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基材を処理するのに用いられるインライン設備に関する。
【解決手段】幾つかの用途では、当該設備は、ＰＶ電池又はモジュールのインライン製造において用いられる。幾つかの実施態様では、基材の熱処理のための複数の加熱技術を含む加熱システムが提供され、第１の加熱システムが基材の温度を所望の設定値に急速に上昇させるのに用いられ、第２の加熱システムが熱処理プロセス全体を通して基材を設定値の温度に維持するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハの表裏に電極を設ける際の焼成工程に利用される熱処理装置を改良するものであり、焼成に際して理想的な温度プロファイルを実現する。
【解決手段】熱処理部を有しており、熱処理部は、断熱筐体内に棚状部材（設置部及び熱源部）１１が設けられたものである。棚状部材１１は、７段の棚部材１６ａ〜１６ｇを有し、棚部材１６ｂの内部は、上下のユニット室２５，２６に仕切られている。上下のユニット室２５，２６には、それぞれ９本の横列用ハロゲンランプ２７と、３６本の縦列用ハロゲンランプ２８が縦横格子状に配列されていて熱源ユニット３５が構成されている。各熱源ユニット３５の照度は、個々に制御され、上下の熱源ユニット群４７の照度を異ならせたり、一つの段の上側の熱源ユニット３５と、他の段の上側の熱源ユニット３５の照度に変化を付けることもできる。また点灯中に照度を変えることもできる。 （もっと読む）