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国際特許分類[G01R31/28]の内容

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【課題】試験装置のハードウェア仕様および試験装置用のプログラム言語に詳しくないユーザでも、試験プログラムを容易に作成させる装置を提供する。
【解決手段】被試験デバイスの試験モジュールを生成する試験モジュール生成装置であって、試験条件を入力し、入力された前記試験条件を定義する条件ファイルを生成する条件ファイル生成部と、試験メソッドを記憶する試験メソッド記憶部と、生成すべき試験モジュールに応じた試験メソッドの選択指示をユーザから受け取る試験手順選択部と、選択された試験メソッドが要求するパラメータに対応する条件ファイルの選択指示をユーザから受け取る条件ファイル選択部と、選択された試験メソッドに応じた試験を選択された条件ファイルにより定義されたパラメータで実行する試験モジュールを生成する試験モジュール生成部と、を備える試験モジュール生成装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】データ信号ラインにAC結合部が含まれる出力回路を備える半導体装置のDCテストの実施には、振幅を維持できないという問題がある。そのため、データ信号ラインにAC結合部が含まれる出力回路を備える半導体装置であって、DCテストを可能にする半導体装置が、望まれる。
【解決手段】半導体装置は、データ信号を外部に出力するメインドライバと、データ信号が伝達する配線と接続されているコンデンサと、一端がコンデンサと接続され、他の一端がバイアス電圧源に接続されている終端抵抗と、バイアス電圧源と終端抵抗との間に接続されている第1のスイッチと、を含むAC結合部と、テストモード時にAC結合部のバイアス電圧源と終端抵抗との接続を、第1のスイッチにより遮断する制御回路と、を備える。 (もっと読む)


【課題】マザーボードのDDR信号を容易にテストすることができるテスト補助冶具を提供すること。
【解決手段】本発明に係るDDR信号をテストするための補助冶具は、DDRメモリ用コネクタを有するマザーボードに着脱可能に固定される板体を備え、前記板体には、前記マザーボードのDDRメモリ用コネクタのピンに各々対応する複数のテスト孔が設けられ、前記板体における各々のテスト孔の近傍には、キャラクターが設けられ、前記キャラクターは、各々のテスト孔と組み合わせられるDDRメモリ用コネクタのピンの名称或いは機能をそれぞれ示す。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路に含まれる終端抵抗の抵抗値を4端子法によって測定をするためには、必要となる端子が増加し、半導体集積回路のチップサイズが増加するという問題がある。そのため、半導体集積回路のチップサイズ増加を抑制しつつ、終端抵抗の抵抗値を高精度で測定可能な半導体集積回路が、望まれる。
【解決手段】半導体集積回路は、第1乃至第4のパッドと、第2のパッドと第4のパッドの間に接続される第1の抵抗と、第3のパッドと第4のパッドの間に接続される第2の抵抗と、第1のパッドと第2のパッドの間に接続される第1のスイッチと、第1のパッド及び第3のパッドを4端子法における電圧測定端子として、第2のパッド及び第4のパッドを4端子法における電流供給端子として、それぞれ使用し第1の抵抗の抵抗値を測定するテストモードへの遷移指示を含む制御信号に基づき、第1のスイッチをオンする制御回路と、を備える。 (もっと読む)


【課題】信頼性の向上を図ることができる電池監視装置の提供。
【解決手段】電池監視装置は、直列接続された複数の電池セル(BC1〜BC4)の各セル電圧値を測定する電圧測定部を有する集積回路IC1と、複数の電池セルの正負両極と集積回路とを接続する複数の電圧計測ラインL1〜L5と、測定された各セル電圧値に基づいて電池セルの状態を監視する制御回路30と、を備え、集積回路は、互いに異なる擬似電圧を生成する擬似電圧生成部402〜405を有し、電圧測定部は、計測対象となる電池セルの正負両極に接続された一対の電圧計測ラインを選択する選択回路HVMUX1,HVMUX2と、選択回路により選択された一対の電圧計測ラインからの電圧を検出する検出回路262,122Aと、を有し、制御回路は、擬似電圧を選択回路に入力し、検出回路により検出された電圧値に基づいて選択回路による選択状態を診断する。 (もっと読む)


【課題】ウエハ検査時に必要なプローブピンを削減可能にした半導体装置を提供する。
【解決手段】第1のデータを記憶する記憶素子と、データ読み出しの指示が入力されると、記憶素子から第1のデータを読み出して出力するデータ入出力制御部と、データ入出力制御部から出力される第1のデータを第1の端子に出力し、第1のデータを第1の端子に出力するとき、自装置の第2の端子と他の半導体装置の第1の端子とを接続するプローブカードを介して他の半導体装置から受信する第2のデータを保持し、その後、第2のデータを自装置の第1の端子に出力するデータラッチ部とを有する。 (もっと読む)


【課題】自己診断する論理の範囲を比較回路以外の検査論理、更にはメイン論理に広げ、検査論理、メイン論理に異常がある場合、比較回路が不一致を発生する前に検出し装置の交換ができるようにする。
【解決手段】同じ入力が与えられ、同じ論理演算を実施する第1と第2の論理部、第1と第2の論理部のいずれかにエラー信号を与えるエラー注入回路、第1と第2の論理部の出力を入力し選択した信号を与える選択回路と第1と第2の論理部の出力を比較し、比較不一致信号を与える比較回路とを備えた比較補正回路から構成され、比較補正回路は、第1と第2の論理部のいずれかにエラー信号を与えた時、第1と第2の論理部の出力が不一致にならない場合、または、第1と第2の論理部にエラー信号を与えないときに、第1と第2の論理部の出力が不一致になる場合に異常があると判断する。 (もっと読む)


【課題】接合部の損傷を事前に検知する。
【解決手段】電子部品は、第1部材と、第2部材と、接合部と、測定部とを備える。第1電極は、第1部材上に形成される。第2電極は、第1部材上の、第1電極が形成された領域の周囲の領域に形成される。第3電極は、第2部材に形成される。第2電極が第2部材に形成され、第3電極が第2部材の第2電極が形成された領域の周囲の領域に形成されてもよい。接合部は、第1電極と第2電極と第3電極と接合する。測定部は、第1電極および第2電極のうち少なくとも一方を含む接続経路の電気特性を測定する。 (もっと読む)


【課題】半導体スイッチを介して測定対象体に対する測定用電圧の出力をオン・オフする構成において、スパイク電圧を大幅に低減する。
【解決手段】規定電圧値V1の測定用電圧Vmを測定対象体21に出力する電圧出力装置1であって、測定用電圧Vmを出力すると共に測定用電圧Vmの電圧値を制御可能な電源部2と、電源部2から出力される測定用電圧Vmの測定対象体21に対する出力をオン・オフする半導体スイッチ3aと、電源部2および半導体スイッチ3aを制御する処理部5とを備え、処理部5は、半導体スイッチ3aをオフ状態に制御した状態において電源部2に対する制御を実行して測定用電圧Vmの電圧値を段階的に複数回に亘って変化させて規定電圧値V1に設定する電圧設定処理、および半導体スイッチ3aをオン状態に制御して規定電圧値V1に設定された測定用電圧Vmを測定対象体21に出力する電圧出力処理を実行する。 (もっと読む)


【課題】 TDR測定によって、DUTボードの配線長に依存した信号遅延時間を正確に求めることが可能なICテスタ用信号遅延測定プログラムを提供する。
【解決手段】 本発明にかかるICテスタ用信号遅延測定プログラム106の構成は、コンピュータを、テストヘッド110側からステップ波形148を印加してその入射波と反射波との第1到達時間差Td1、第2到達時間差Td2を測定するTDR測定手段、第1スルーレートS2、第2スルーレートS2を演算するスルーレート演算手段、第1スルーレートS2と第2スルーレートS2とを用いて第2到達時間差Td2を補正し、第1到達時間差Td1を差し引くことで信号遅延時間を演算する信号遅延演算手段、として機能させることを特徴とする。 (もっと読む)


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