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国際特許分類[H01J37/252]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 電子管または放電ランプ (32,215) | 放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの (7,637) | 電子またはイオンによるスポット分析のための管;マイクロアナライザー (90)

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【課題】 表面分析方法及び表面分析装置に関し、補正用の荷電粒子に起因する熱的ダメージを緩和させて本来の試料の素性を反映する分析結果を得る。
【解決手段】 絶縁性或いは半導電性の試料1に一次エネルギー粒子2を照射するとともに、一次エネルギー粒子2の照射或いは二次荷電粒子3の発生に伴う試料1の帯電を、帯電の極性と反対の極性の荷電粒子を照射して補正する際に、試料1が所定温度以下になるように補正用の荷電粒子4の量、エネルギー、或いは、収束度の少なくとも一つを制御する。 (もっと読む)


【課題】分析対象である特定位置に電子線を長時間照射することによって生じる熱の発生やチャージアップ現象を防止し、それによって試料から発せられた電子線に基づいた表面像を精度よく作成することができる試料分析装置を提供する。
【解決手段】試料の所定領域に、電子線を照射する電子線照射装置と、電子線が照射された試料から発生した第1のエネルギ線を検出し、試料の分析を行う第1の分析部と、電子線が照射された試料から発生した第2のエネルギ線を検出し、試料の分析を行う第2の分析部と、を備えた試料分析装置において、第2の分析部が、第2のエネルギ線を検出するための検出部が前記試料の所定領域内に含まれる特定位置に対して電子線が照射されたときのみ、試料から発生した第2のエネルギ線を検出するようにし、さらに、前記第2の分析部が、その検出値を蓄積し、その蓄積された検出値から前記試料の分析を行うようにした。 (もっと読む)


【課題】 電子ビームの軌道の調整作業を容易化して調整精度を向上させると共に,装置の稼動中における電子ビームのずれを容易に検出すること。
【解決手段】 加速器Y1から出射されたイオンビームLのビーム電流を測定する分割電極10或いはファラデーカップ20等のビーム電流測定手段を試料分析装置の測定室73aに設け,このビーム電流測定手段によるビーム電流の測定値に基づいてイオンビームLの軌道位置を検出する。これにより,測定されたビーム電流を電流計測器等でモニタリングしながらイオンビームLの軌道調整を行うことが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 簡易な構成の装置によって試料表面の情報を得ることができる試料表面の測定方法及び分析装置並びに電子ビーム装置を提供する。
【解決手段】 試料表面6aに電子ビーム5を照射し、これに応じて試料表面6aから発生する特性X線7を分光し、分光後の当該特性X線7の強度を測定する電子ビーム装置を用いた試料表面の測定方法であって、Z方向に沿って所定間隔に設定された各Z方向位置において試料6をX−Y平面に沿って移動させるとともに試料表面6aに電子ビーム5を照射し、このときの特性X線7の分光測定条件を固定して特性X線7の強度を測定し、これにより試料6の各Z方向位置におけるX−Y平面での特性X線強度のマップデータを取得し、当該マップデータに基づいて試料表面6aの形状を求めることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 薄膜化した試料に電子線を照射して観察、特にX線検出による元素分析を、背景雑音を低減して高精度、高分解能で行える試料観察装置および試料観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】 薄膜試料の直後に孔部を有する軽元素材料からなる部材56を配置して、電子線8で該試料22の特定部位を観察する。
【効果】 本発明により、薄膜試料に電子線を照射して観察する際に、該試料以外の部分から発生するX線、および、該試料以外の箇所で散乱されて再び該試料に入射する電子線を低減できる。これにより高精度、高感度な2次電子像観察および元素分析が可能となり、一段と微細化が進むLSIデバイス等の内部観察等を、高精度、高分解能で実施できる試料観察装置および試料観察方法を提供できる。 (もっと読む)


【課題】本発明が解決しようとする問題点は、分析器の真空系と分析室の真空系を隔壁を用いて遮断した場合、低エネルギーのX線の検出が困難であったという点である。
【解決手段】試料を収容する真空に保持された分析室と、1次ビームを前記試料に照射する1次ビーム照射手段と、前記1次ビームにより前記試料から発生するX線を集束する集光手段と、前記X線の集束点に位置し、前記集束したX線を通過させるアパーチャと、前記アパーチャを通過したX線を分光・検出する真空に保持された分光手段と、を備える表面分析装置であって、前記分析室と前記分光手段を仕切る前記アパーチャにより前記分光手段内の真空度と異なる分析室内の真空度を保持することを特徴とする表面分析装置。 (もっと読む)


【課題】加速電圧、WD、ラスターローテーションなどの、任意の観察・分析条件下において、高精度な画像ドリフト補正を行う。
【解決手段】ドリフト検出用の基準画像を取得するときに、イメージシフト量の異なる画像も同時に取得して、イメージシフト感度を随時計測する。この基準画像とイメージシフト感度を自動的に登録し、ドリフト補正時にこれら登録条件に従って、ドリフト量検出とイメージシフト制御(ドリフト補正)を行う。 (もっと読む)


【課題】本発明が解決しようとする問題点は、光電子分析装置で分析した位置が、位置読み取り機能付き光学顕微鏡で得た像のどこに位置するかを示すことが困難であったという点である。
【解決手段】試料を置載し、試料座標の基準点を有する試料ホルダと、前記試料の第1の像を読み取り、その座標を設定する第1の測定手段と、前記試料の第2の像を読み取り、その座標を設定する第2の測定手段と、前記第1の測定手段と前記第2の測定手段とに接続し、試料の像及び座標情報を処理する情報処理手段と、を備えた試料分析装置において、前記試料ホルダを前記第1の測定手段と第2の測定手段との間で付け替えて分析し、前記第2の測定手段で得た試料部位の位置を前記第1の測定手段で得た像に追加記録する試料分析装置。 (もっと読む)


【課題】 隣接する元素マッピング像のオーバーラップ部分に濃淡のパターンが存在しない場合でも精度の高い合成を可能とする。
【解決手段】 隣接する2枚のマッピング像のオーバーラップ部分に属する画素のX線スペクトルの形状を所定の判定条件の下で比較し、形状が一致しているとみなせる場合には両マッピング像上にそれぞれその画素位置像を投影する。位置ずれの最大範囲を考慮して1画素ずつスペクトル形状を比較してゆき、最終的に両マッピング像上に形成された投影像を重ね合わせるように両マッピング像を合成する。これにより、オーバーラップ部分に濃淡パターンが存在するか否かに拘わらず、任意の元素のマッピング像の合成が高い精度で行える。 (もっと読む)


【課題】 走査電子顕微鏡本体側と外部分析装置側に同等の回路を備えることなく、簡単な構成により、試料の特定領域の元素分析や元素マッピングを正しい分析位置(電子ビーム一致)で正確に行うことができる分析機能を有した分析走査電子顕微鏡を実現する。
【解決手段】 図8は電子ビームが試料の分析位置に移動中の非直線応答期間には走査ウェイト信号に基づき電子ビームの試料への照射を停止する際の各信号波形を示している。(j)は走査ウェイト信号を示している。この図8から明らかなように、電子ビームが移動する際に生じる非直線応答の時間を適切に設定することで、電子ビームの正しい位置における分析データを得ることができる。 (もっと読む)


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