【課題】 基板の状態を迅速かつ正確に判断できる基板感知方法を提供する。
【解決手段】 基板の一側に対する感知データをセンサーから受信する段階と、感知データから基板の状態を判断する段階とを含んで基板感知方法を構成する。感知データを受信する段階は、基板及びセンサーのうち何れか一つを移動し、基板の一側に向かって光信号を放出する段階と；基板を経た光信号を受信する段階と；を含む。そして基板の状態を判断する段階は、基板の一側に対する受信可能な基準データの個数と感知データの個数を比較し、遺失データを判断する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】非接触式変位検出センサの誤動作をなくして、小物品を、損傷させることなく、円滑、確実にピックアップできる装置を提供する。
【課題の解決手段】ピックアップ装置１は、駆動源により昇降可能な駆動体２と、この駆動体２に設けられた非接触式変位検出センサ３と、下端に小物品係脱部材６を備え、かつ、非接触式変位検出センサ３によってこのセンサとの相対的変位量を検出する検出対象部材４を備えた昇降体５と、この昇降体５に固定され、駆動体２に伸縮部材１２を介して連繋された作動体９と、小物品係脱部材６の位置を検出する位置検出センサと、位置検出センサが、小物品係脱部材６が小物品載置面から所定範囲の高さに位置していることを検出している間のみ非接触式変位検出センサ３をオン状態とし、非接触式変位検出センサ３が、検出対象部材４が所定の変位量を超えたことを検出すると駆動体２の昇降動を停止するよう制御する制御部と、からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体ダイのピックアップ装置において、保持シートの引き剥がしの際に半導体ダイに加わる力を抑制しつつ半導体ダイを容易にピックアップする。
【解決手段】保持シート１２に密着する密着面２２を含むステージ２０と、密着面２２に設けられた吸引開口４１と、密着面２２に沿ってスライドして吸引開口４１を開閉する蓋２３と、半導体ダイ１５を吸着するコレット１８とを備え、半導体ダイ１５をピックアップする際に、蓋２３の先端２３ａを密着面２２から進出させ、保持シート１２と半導体ダイ１５とを押し上げながら蓋２３をスライドさせて吸引開口４１を順次開き、開いた吸引開口４１に保持シート１２を順次吸引させて半導体ダイ１５から保持シート１２を順次引き剥がすと共に半導体ダイ１５の直上で待機しているコレット１８に半導体ダイ１５を順次吸着させて半導体ダイ１５をピックアップする。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の製造工程のうちの組立工程におけるダイシング後のチップのピック・アップ工程を含むダイ・ボンディング工程では、急速なチップの薄膜化によって、ピック・アップ不良の低減が重要な課題となっている。特に、剥離動作によるチップ周辺部の湾曲がチップの割れ、欠けを惹起する可能性が高く、また、それを回避しようとして、ピック・アップ速度を下げるとスループットの著しい低下を招く。
【解決手段】本願の発明は、ダイシング・テープから剥離対象チップを吸引コレットで真空吸着して剥離する場合において、剥離対象チップを吸引コレットで真空吸着する前に、剥離対象チップの周辺部が隣接チップの隣接端部よりも高くなるように、ダイシング・テープの裏面から真空吸着することにより、チップ周辺からのダイシング・テープの剥離を先行させるものである。 （もっと読む）

【課題】基板を安定して高速回転することのできる成膜装置を提供する。また、基板を安定して高速回転させながら、基板上に膜を形成することのできる成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、シリコンウェハ１０１を支持するサセプタ１０２と、サセプタ１０２を回転させるとともに、サセプタ１０２により上部が覆われてＰ_２領域を形成する回転部１０４とを有する。サセプタ１０２には、シリコンウェハ１０１との接触面１０５に複数の孔１０６が設けられており、Ｐ_２領域内の気体を排気することにより、シリコンウェハ１０１をサセプタ１０２に吸着させる。 （もっと読む）

【課題】チップ型電子部品を有した電子部品の製造の高生産性、高信頼性、低コスト化、作業効率の向上を実現させる。
【解決手段】剥離装置１を用いて、半導体素子１０ａ，１０ｂ，１０ｃ等のチップ型電子部品の主面に接触しているダイシングシート２０内に、突き上げピン３０の先端を貫通させ、前記先端をチップ型電子部品の主面に接触させ、前記先端を接触させた後、前記先端に設けられた排出口から剥離液６０ｌｑを排出し、ダイシングシート２０とチップ型電子部品との界面に、剥離液６０ｌｑを流出させる。剥離液６０ｌｑを流出後、チップ型電子部品を吸着ツール４０に保持しつつ、チップ型電子部品をダイシングシート２０から離反させる。これにより、上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハから指定の半導体素子をピックアップすることができるとともに、指定されていない半導体素子はダイシングテープの接着層に接着されている状態をそのまま維持する技術を提供する。
【解決手段】 半導体素子のピックアップ装置（１００）は、紫外光照射により接着力が低下する接着層を有する接着テープ（２０２）上に接着された半導体ウエハ（ＳＷ）から分離された個々の半導体素子を取り外す半導体素子のピックアップ装置である。このピックアップ装置は、接着テープ（２０２）の下面側から紫外光を照射する紫外線光源（１１）と、この紫外線光源と半導体ウエハとの間に配置され、個々の半導体素子の大きさに紫外光を遮光する遮光部材（５０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】液浸法による露光処理時に液体が基板の周囲に流出することが防止された基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理レシピ３０４ｂにおいて、各ステップは基板の搬送順序に対応する。このステップ毎に、基板の搬送先が設定されるとともに、各搬送先における処理内容が設定されている。処理レシピ３０４ｂにおいて、塗布ユニットＣＯＶが搬送先として設定されていないのに露光装置が搬送先として設定されている場合、またはレジストカバー膜の塗布処理が処理内容として設定されていないのに露光装置が搬送先として設定されている場合には、処理レシピ３０４ｂの設定に妥当性がないことがオペレータに通知される。 （もっと読む）

【課題】 工程数を増やさずに、半導体チップに付着した粉塵を効率的に除去することができる半導体チップのピックアップ装置及び半導体チップのピックアップ方法を実現する。
【解決手段】 ピックアップ装置１０は、半導体チップ２２ｃを吸着固定する吸着部１１ａと、割断面２２ｍの全周にわたって厚さ方向の少なくとも一部を覆うことができるように形成された覆い部１１ｂとが形成されたコレット１１を備えており、半導体チップ２２ｃの割断面２２ｍと覆い部１１ｂとの間に隙間２５を形成し、吸引装置１２に向かう気流Ｗを発生させることができる。気流Ｗにより割断面２２ｍから粉塵Ｐを脱離させて吸引装置１２により吸引除去することができる。続いて、吸着部１１ａに半導体チップ２２ｃを吸着固定し、粉塵Ｐの除去と半導体チップ２２ｃのピックアップとを同じ工程で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の製造工程のうちの組立工程におけるダイシング後のチップのピックアップ工程では、急速なチップの薄膜化によって、ピックアップ不良の低減が重要な課題となっている。特に、剥離動作によるチップ周辺部の湾曲がチップの割れ、欠けを惹起する可能性が高い。
【解決手段】これらの課題を解決するための本願発明は、ダイシング・テープ（粘着テープ）等からチップを吸引コレットで真空吸着して剥離する場合において、吸引コレットの真空吸着系の流量をモニタすることで、チップが粘着テープから完全に剥離する以前のチップの湾曲状態を監視するものである。 （もっと読む）