【課題】極端紫外光光源装置の光出射口から露光機側に汚染物質が流出するのを防ぐこと。
【解決手段】高温プラズマＰから放射されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光鏡６により集光点ｆに集められ、ＥＵＶ光出射口７から出射し、露光機３０に入射する。集光鏡６と光出射口７の間に、モータ９によりＥＵＶ光の光軸と交差するように回転する回転翼（プロペラ）８が配置され、その回転軸９ａは極端紫外光の光路外に配置される。極端紫外光が発光していないとき、回転翼８を集光鏡６と光出射口７の間を通過させる。極端紫外光が発光していないとき光出射口７が回転翼によって実質的に遮蔽され、また、光出射口に向かって進んできた汚染物質が回転翼と衝突し、その進行方向が曲げられることによって汚染物質の流出が抑制される。 （もっと読む）

【課題】安定してＥＵＶ光を生成する。
【解決手段】レーザ装置を備えた極端紫外光生成装置は、前記レーザ装置から出力されたレーザ光を導入するウィンドウを備えたチャンバと、前記チャンバ内部の所定位置付近にターゲットを出力するターゲット供給部と、前記所定位置付近に前記レーザ光を集光するレーザ集光光学系と、前記所定位置付近を通過したレーザ光の像を検出する検出器と、前記所定位置付近における前記ターゲットの通過位置を調整するターゲット位置調整装置と、前記所定位置付近における前記レーザ光の集光位置を調整するレーザ集光位置調整装置と、前記検出器で検出された像に基づいて、前記ターゲット位置調整装置と前記レーザ集光位置調整装置とを制御する制御部と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】有害物質水銀を含まないワイドバンドギャップ半導体のAl_xGa_1-xN/AlN多重量子井戸（MQW）層を電子線で励起して励起状態の多重量子井戸から深紫外光を得る従来の深紫外光源において、有害なＸ線を阻止して、発光効率を高める。
【解決手段】深紫外光源は、AlN層４上に形成されたAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５、及びAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５上に形成されたアルミニウム（Al）メタルバック層６よりなる。電子放出源７より電子線ＥＢが照射されると、Al_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５が励起されて深紫外光ＤＵＶがサファイア（0001）基板１の光取り出し面Ｆより放射される。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ放射源の集光ミラー上へのイオン、原子、分子及び粒状デブリなどの堆積率を減少させるための汚染バリアを有する放射源を提供する。
【解決手段】放射源は、燃料が放射ビームと接触してプラズマを形成するプラズマ形成部位を含む。ミラー付きコレクタは、第１焦点で生成されたＥＵＶ放射を集めて第２焦点に向かって反射させる。汚染バリアは、汚染バリアの周縁部が第２焦点においてミラーによって規定される立体角のうちの５０％より多くを閉塞しないように位置決めされ、それによって、集光ミラーによって反射したＥＵＶ放射は汚染バリアを通り抜けることによって過度に減衰されない。汚染バリアは、プラズマからのイオン、原子、分子又はナノ小滴などの燃料材料をトラップする働きをし、集光ミラー上への堆積を防ぐ。ガス抽出口は、集光ミラーに向かう燃料デブリ及び汚染の拡散を抑制するためにプラズマ形成部位付近に設けられてよい。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光の生成において変換効率を向上させる。
【解決手段】極端紫外光生成方法は、チャンバ内にターゲット物質を供給するステップ（ａ）と、ターゲット物質にレーザビームを照射することにより、プラズマを生成して極端紫外光を生成するステップ（ｂ）と、を備える。レーザビームの空間的な光強度分布は、ビーム軸の中心から所定距離の位置における光強度よりも低い光強度を有する低強度領域が前記ビーム軸の中心から前記所定距離の範囲内に存在する空間的な光強度分布を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】ターゲット物質を効率よく加熱し、融点以上の温度を維持する。
【解決手段】ターゲット供給装置は、ターゲット物質を内部に収容したリザーバと、リザーバの内部に配置されたヒータであって、リザーバの内部に収容されたターゲット物質を加熱して溶融させるヒータと、ヒータに電流を供給するヒータ電源と、リザーバの内部において溶融したターゲット物質を外部に出力するターゲット出力部と、を含んでいてもよい。リザーバの周囲を外部から遮蔽する遮蔽部材であって、ターゲット出力部から出力されたドロップレットが通過する貫通孔を有する遮蔽部材をさらに含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を安定させる。
【解決手段】レーザ装置は、外部装置と共に用いられるレーザ装置であって、パルスレーザ光を出力するマスターオシレータと、前記マスターオシレータに接続される第１の電源と、前記マスターオシレータから出力される前記パルスレーザ光の光路上に配置される少なくとも１つの増幅器と、前記少なくとも１つの増幅器に高周波電圧を印加する少なくとも１つの第２の電源と、前記マスターオシレータと前記少なくとも１つの増幅器との間の光路上に配置される少なくとも１つの光シャッタと、前記外部装置からの信号に基づいて、前記レーザ装置を制御するレーザコントローラと、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】発生するプラズマ光の出力を大幅に高めた場合でも熱負荷によるダメージを抑えて装置寿命を延ばすことができるプラズマ光源システムを提供する。
【解決手段】内部が真空排気される真空チャンバー２１内で、中心軸７を中心とする円周上に設置された複数の発光点１ａでプラズマ光８を周期的に発光する複数のプラズマ光源１０と、各発光点１ａにおけるプラズマ光８を中心軸７上に位置する集光点９に向けて反射するミラー回転体４０と、ミラー回転体４０を中心軸７まわりに回転駆動する回転駆動装置４８と、ミラー回転体４０の内部を冷却する冷却装置５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】剥離放電によりテラヘルツ電磁波ないしＸ線を所定の一定方向に安定的に放射させることができる小型で低電圧駆動が可能なテラヘルツ電磁波ないしＸ線の発生器を提供する。
【解決手段】 水平方向に隔離して配設された２本の中心軸回りに回転可能に形成された第１および第２の回転ローラ１，２と、第１および第２の回転ローラ１，２の外周面に塗布された粘着剤１Ａと、第１および第２の回転ローラ１，２間に掛けられ、第１および第２の回転ローラ１，２の回転に伴い第１および第２の回転ローラ１，２間を移動するとともに、前記移動に伴い粘着剤１Ａに粘着されて移動された後剥離される誘電体材料で形成された帯状のループ状部材５とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶリソグラフィに応用される斜入射集光器（ＧＩＣ）を熱管理するためのシステム、アセンブリ、方法を提供する。
【解決手段】ＧＩＣ冷却アセンブリ１５０は、密閉チャンバ１８０を形成するようにジャケット１６０に接合されたＧＩＣミラーシェル１１０を有する。オープンセル型熱伝導性材料（ＯＣＨＴ材料）２０２は、金属チャンバ内に配置され、ＧＩＣミラーシェル１１０、及びジャケットに熱接着及び機械接着される。ＥＵＶ源からのＥＵＶを受光して集束ＥＵＶを形成するように構成されるＧＩＣミラーシステムにおいてＧＩＣ冷却アセンブリ１５０を採用する場合、冷却媒体１７０が入出力プレナム間のＯＣＨＴ材料２０２を方位角方向に対称に流される。その結果、冷却性が実現される。 （もっと読む）