アクティブマトリックス型表示装置及びアクティブマトリックス型表示装置の製造方法
【課題】アクティブマトリックス型表示装置の生産性を向上させるとともに、接続不良を確実に防止し、発光素子の点灯不良を改善できるようにする。
【解決手段】第２金属層３６ｂ上に積層された絶縁保護膜６１及び絶縁保護膜上６１に積層された絶縁平坦化膜６２は、第２金属層３６ｂとアノード電極２１とを電気的に接続する接続コンタクト６３を上下方向に通す穴状のコンタクトホール６０ａを備え、コンタクトホール６０ａは、絶縁保護膜６１の内周面と絶縁平坦化膜６２の内周面とが段差なくつながって形成された下に凸の錐形状となっている。
【解決手段】第２金属層３６ｂ上に積層された絶縁保護膜６１及び絶縁保護膜上６１に積層された絶縁平坦化膜６２は、第２金属層３６ｂとアノード電極２１とを電気的に接続する接続コンタクト６３を上下方向に通す穴状のコンタクトホール６０ａを備え、コンタクトホール６０ａは、絶縁保護膜６１の内周面と絶縁平坦化膜６２の内周面とが段差なくつながって形成された下に凸の錐形状となっている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マトリックス状に配列された発光素子を備え、発光素子ごとに駆動されるアクティブマトリックス型表示装置及びアクティブマトリックス型表示装置の製造方法に係るものである。より詳しくは、アクティブマトリックス型表示装置において、その生産性を向上させるとともに、発光素子の点灯不良を改善できるようにした技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、自発光のアクティブマトリックス型表示装置において、その発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という）を使用した有機ＥＬディスプレイが知られている。すなわち、有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子をマトリックス状に配列するとともに、有機ＥＬ素子ごとに駆動手段を設けたものであり、有機ＥＬ素子は、アノード電極とカソード電極との間に、有機物の正孔輸送層や有機物の発光層を積層した有機物層を配置し、有機物層に電子と正孔とを注入することによって発光させる電流発光素子である。そのため、有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子に流れる電流値を駆動手段によってコントロールすることにより、発色の階調を得ている。
【０００３】
ここで、有機ＥＬ素子を駆動する駆動手段は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やキャパシタ（容量素子）等であり、これらは、絶縁膜を介して有機ＥＬ素子の下側に配置されている。すなわち、ガラス基板上にＴＦＴ等が配置され、ＴＦＴ等の上に絶縁膜が積層され、この絶縁膜の上に有機ＥＬ素子が配列されている。そして、有機ＥＬ素子を駆動するために、例えば、有機ＥＬ素子のアノード電極とＴＦＴのソース電極とが電気的に接続されている。
【０００４】
また、有機ＥＬディスプレイには、ＴＦＴ等に接続される信号線、走査線、電源線等が配線されている。この信号線は、例えば、マトリックス状に配列された有機ＥＬ素子の各列ごとに配線され、走査線及び電源線は、例えば、有機ＥＬ素子の各行ごとに配線されたものである。そして、信号線は、走査線及び電源線と交差する位置で、それぞれ上下に重なり合うが、信号線と走査線及び電源線とは、絶縁膜によって絶縁されている。
【０００５】
このように、有機ＥＬ素子とＴＦＴ等との間や、信号線、走査線、電源線等は、絶縁膜によって同層間及び異層間のショートが発生しないようになされており、有機ＥＬ素子の点欠陥や、横一列又は縦一列の線欠陥を防止している。そして、この絶縁膜は、ＴＦＴや信号線等の上に積層される絶縁保護膜と、絶縁保護膜上に積層され、有機ＥＬ素子が配列される表面を平坦化するための絶縁平坦化膜とによって構成されている。
【０００６】
このような有機ＥＬディスプレイでは、絶縁膜の上層に存在する有機ＥＬ素子のアノード電極と、絶縁膜の下層に存在するＴＦＴのソース電極とを接続するために、絶縁保護膜及び絶縁平坦化膜に穴状のコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホールの形成方法は、最初に、ＴＦＴや信号線等の上に絶縁保護膜を積層し、その後、フォトマスクを用いてエッチングすることにより、絶縁保護膜に穴を設ける。次に、絶縁保護膜の上に絶縁平坦化膜を積層し、再びフォトマスクを用いてエッチングすることにより、絶縁平坦化膜にも穴を設けるようにしている。すると、絶縁保護膜の穴と絶縁平坦化膜の穴とがコンタクトホールになる。そして、コンタクトホールに接続コンタクトを通せば、有機ＥＬ素子のアノード電極とＴＦＴのソース電極とが電気的に接続されることとなる。
【０００７】
しかしながら、絶縁保護膜に穴を形成するためのフォトマスクと、絶縁平坦化膜に穴を形成するためのフォトマスクとで別々のものを用いると、フォトマスクが２枚必要となってしまう。そこで、両者のフォトマスクを共通化し、同じフォトマスクを使用してエッチングすることにより、フォトマスクの枚数を削減するようにした技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−７７２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上記した特許文献１の技術では、フォトマスクの枚数を削減できるものの、コンタクトホールの形成工程において、絶縁保護膜に穴を形成する工程と、絶縁平坦化膜に穴を形成する工程との両方が必要になる点に変わりはない。そのため、有機ＥＬディスプレイの製造工程が煩雑なものとなり、生産性の向上を図ることができない。
【０００９】
また、エッチングによって形成された穴の大きさや形状等は、同一のフォトマスクを用いたとしても、エッチングの際の様々な要因（エッチング条件等）によって異なったものとなる。そのため、絶縁保護膜に形成された穴と、絶縁平坦化膜に形成された穴とでは、その大きさや形状等が一致せず、コンタクトホール内に段差等のずれが生じてしまう。すると、絶縁平坦化膜の上面とコンタクトホールの内面とに金属層を成膜し、アノード電極及び接続コンタクトを形成した際に、コンタクトホール内の段差等の部分において、接続コンタクトに接続不良が発生することがある。
【００１０】
図１９は、参考例の有機ＥＬディスプレイ１１０を示す断面図であり、接続コンタクトに接続不良が発生した状態を示している。
図１９に示すように、有機ＥＬディスプレイ１１０には、有機ＥＬ素子を駆動するための各種の配線パターンが形成されている。すなわち、ガラス基板１１１上に、第１金属層１３１ａ，１３１ｂからなる配線パターンが形成され、さらに、第２金属層１３６ａ，１３６ｂからなる配線パターンも形成されている。そして、第２金属層１３６ａ，１３６ｂは、ゲート絶縁膜１３２上に設けられ、第２金属層１３６ａは、信号線１５１として、第１金属層１３１ａと電気的に接続されている。
【００１１】
また、有機ＥＬ素子を構成するアノード電極１２１とカソード電極１２２との間は、図１９に示す断面では、開口規定絶縁膜１２４によって電気的に絶縁されている。そして、アノード電極１２１と第２金属層１３６ａ，１３６ｂとの間は、接続コンタクト１６３の部分を除き、絶縁膜１６０によって電気的に絶縁されている。そのため、有機ＥＬディスプレイ１１０は、開口規定絶縁膜１２４、ゲート絶縁膜１３２、及び絶縁膜１６０によって同層間や異層間のショートが防止されることとなる。
【００１２】
ここで、絶縁膜１６０は、第２金属層１３６ａ，１３６ｂ上に積層された絶縁保護膜１６１と、絶縁保護膜１６１上に積層され、表面を平坦化するための絶縁平坦化膜１６２とによって構成されている。そして、絶縁膜１６０（絶縁保護膜１６１及び絶縁平坦化膜１６２）に穴状のコンタクトホール１６０ａが形成され、このコンタクトホール１６０ａには、アノード電極１２１と第２金属層１３６ｂとを電気的に接続する接続コンタクト１６３が通されている。
【００１３】
ところが、コンタクトホール１６０ａにおいて、図１９に示すように、絶縁保護膜１６１の穴の周辺部が絶縁平坦化膜１６２の穴の内側に飛び出していると、その部分が段差１６１ａとなる。このような段差１６１ａの発生は、コンタクトホール１６０ａの形成方法に起因している。すなわち、コンタクトホール１６０ａを形成するには、最初に、第２金属層１３６ｂ等の上に絶縁保護膜１６１を成膜して穴を開け、その後、絶縁保護膜１６１の上に絶縁平坦化膜１６２を成膜して穴を開けることにより、絶縁保護膜１６１の穴と絶縁保護膜１６１の穴とをつなげてコンタクトホール１６０ａとする。
【００１４】
具体的には、最初に、第２金属層１３６ｂ等の上にＳｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）又はＳｉＯ２（二酸化ケイ素）をＣＶＤ法（化学蒸着法）によって成膜し、絶縁保護膜１６１を形成する。そして、ノボラック系樹脂のレジストを塗布し、露光（露光時間は、例えば、８００ｍｓｅｃ程度）及び現像（現像液は、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド））を行い、エッチング（ＣＦ４（四フッ化炭素）等のフッ素系ガスを用いたドライエッチング）によって絶縁保護膜１６１に穴を開ける。その後、絶縁保護膜１６１の上に感光性のポリイミド樹脂、ポリベンズオキサゾール樹脂、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン又はアクリル樹脂等をスピンコート法又はスリットコート法によって塗布し、絶縁平坦化膜１６２を形成してパターニングすることにより、絶縁保護膜１６１の穴の上の絶縁平坦化膜１６２にも穴を開ける。そのため、絶縁保護膜１６１の穴と絶縁平坦化膜１６２の穴とにより、コンタクトホール１６０ａが形成されることとなる。
【００１５】
このように、絶縁保護膜１６１と絶縁平坦化膜１６２とで別々の工程でコンタクトホール１６０ａを形成すると、絶縁保護膜１６１の内周面形状と絶縁平坦化膜１６２の内周面形状とが一致せず、段差１６１ａが発生する。すると、絶縁平坦化膜１６２の上面とコンタクトホール１６０ａの内面とに金属層を成膜してアノード電極１２１及び接続コンタクト１６３を形成する際に、段差１６１ａの角部で成膜が不十分となる。その結果、図１９に示すように、接続コンタクト１６３に接続不良が発生し、有機ＥＬ素子の点灯欠陥（例えば、接続不良によって画素が発光しない滅点欠陥となったり、電流が流れにくくなるために輝度が落ちる等）となる。そして、このような点灯欠陥は、液晶ディスプレイと比較して画素構造が非常に複雑な有機ＥＬディスプレイで多く発生し、特に、有機ＥＬディスプレイの大型化につれ、歩留まりを低下させる要因となる。
【００１６】
したがって、本発明が解決しようとする課題は、有機ＥＬディスプレイのようなアクティブマトリックス型表示装置の生産性を向上させるとともに、絶縁膜のコンタクトホールに通す接続コンタクトの接続不良を確実に防止し、有機ＥＬ素子等の発光素子の点灯不良を改善できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、以下の解決手段によって、上述の課題を解決する。
本発明の請求項１に記載の発明は、基板の上側に設けられた配線パターンと、前記配線パターン上に積層された絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜上に積層され、表面を平坦化するための絶縁平坦化膜と、前記絶縁平坦化膜の上側にマトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層を有する発光素子と、前記配線パターンと前記下部電極とを電気的に接続する接続コンタクトとを備え、前記発光素子ごとに駆動されるアクティブマトリックス型表示装置であって、前記絶縁保護膜及び前記絶縁平坦化膜は、前記接続コンタクトを上下方向に通す穴状のコンタクトホールを備え、前記コンタクトホールは、前記絶縁保護膜の内周面と前記絶縁平坦化膜の内周面とが段差なくつながって形成された下に凸の錐形状となっていることを特徴とする。
【００１８】
（作用）
上記の請求項１に記載の発明は、絶縁保護膜及び絶縁平坦化膜に、接続コンタクトを上下方向に通す穴状のコンタクトホールを備えている。そして、このコンタクトホールは、絶縁保護膜の内周面と絶縁平坦化膜の内周面とが段差なくつながって形成された下に凸の錐形状となっている。そのため、接続コンタクトがコンタクトホールの内周面に接続不良なく形成される。
【００１９】
また、本発明の請求項３に記載の発明は、基板の上側に設けられた配線パターンと、前記配線パターン上に積層された絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜上に積層され、表面を平坦化するための絶縁平坦化膜と、前記絶縁平坦化膜の上側にマトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層を有する発光素子と、前記配線パターンと前記下部電極とを電気的に接続する接続コンタクトとを備え、前記発光素子ごとに駆動されるアクティブマトリックス型表示装置の製造方法であって、前記配線パターン上に、前記絶縁保護膜を積層形成する絶縁保護膜形成工程と、前記絶縁保護膜形成工程の後、前記絶縁保護膜上に、前記絶縁平坦化膜を積層形成する絶縁平坦化膜形成工程と、前記絶縁平坦化膜形成工程の後、前記絶縁保護膜及び前記絶縁平坦化膜に、前記接続コンタクトを上下方向に通す穴状のコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程とを含み、前記コンタクトホール形成工程は、前記絶縁平坦化膜の上側に、前記接続コンタクトの位置に合わせたパターンが形成されたマスキング部材を配置し、前記マスキング部材により、前記絶縁保護膜及び前記絶縁平坦化膜に対して前記コンタクトホールを形成することを特徴とする。
【００２０】
（作用）
上記の請求項３に記載の発明は、配線パターン上に、絶縁保護膜を積層形成する絶縁保護膜形成工程と、絶縁保護膜形成工程の後、絶縁保護膜上に、絶縁平坦化膜を積層形成する絶縁平坦化膜形成工程と、絶縁平坦化膜形成工程の後、絶縁保護膜及び絶縁平坦化膜に、接続コンタクトを上下方向に通す穴状のコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程とを含む。そして、コンタクトホール形成工程は、絶縁平坦化膜の上側に、接続コンタクトの位置に合わせたパターンが形成されたマスキング部材を配置し、マスキング部材により、絶縁保護膜及び絶縁平坦化膜に対してコンタクトホールを形成する。そのため、絶縁保護膜及び絶縁平坦化膜に対し、１つのマスキング部材で１回でコンタクトホールを形成できるようになる。また、このようにして形成されたコンタクトホールは、絶縁保護膜の内周面と絶縁平坦化膜の内周面とが段差なくつながった下に凸の錐形状となる。
【発明の効果】
【００２１】
上記の発明によれば、コンタクトホールは、絶縁保護膜の内周面と絶縁平坦化膜の内周面とが段差なくつながって形成された下に凸の錐形状となるので、接続コンタクトがコンタクトホールの内周面に接続不良なく形成される。そのため、接続コンタクトの接続不良に起因する発光素子の点灯欠陥がなくなり、アクティブマトリックス型表示装置における歩留りの向上を図ることができる。また、絶縁保護膜及び絶縁平坦化膜に対し、１つのマスキング部材で１回でコンタクトホールを形成できるので、マスキング部材の数を削減でき、製造工程が簡素化される結果、生産性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面等を参照して、本発明の各実施形態について説明する。
図１は、本発明のアクティブマトリックス型表示装置の一例として、第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０を示す平面図である。
また、図２は、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０の等価回路図である。
図１に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０は、アノード電極２１（本発明における下部電極に相当するもの）、カソード電極２２（本発明における上部電極に相当するもの）、及び有機物層２３（本発明における発光層に相当するもの）によって構成される有機ＥＬ素子２０（本発明における発光素子に相当するもの）を備えている。そして、有機ＥＬ素子２０は、駆動ＴＦＴ３０ａ、書込みＴＦＴ３０ｂ、及びキャパシタ４０によって駆動される。なお、カソード電極２２は、透明電極となっている。
【００２３】
また、有機ＥＬディスプレイ１０には、このような有機ＥＬ素子２０がＭ行×Ｎ列のマトリックス状に配列されており、有機ＥＬ素子２０ごとにそれぞれ設けられた駆動ＴＦＴ３０ａや書込みＴＦＴ３０ｂ等によって駆動されるアクティブマトリックス型表示装置となっている。
【００２４】
このような有機ＥＬディスプレイ１０において、有機ＥＬ素子２０は、図２に示すように、例えば、カソード電極２２がＧＮＤ（グラウンド）に接続され、アノード電極２１が駆動ＴＦＴ３０ａのソース電極３５ａに接続されている。なお、アノード電極２１とソース電極３５ａとは、接続コンタクト６３（図１参照）を介して接続されている。
【００２５】
また、駆動ＴＦＴ３０ａのドレイン電極３６ａは、正電位（Ｖｃｃ）の電源線５３に接続され、ゲート電極３１ａと電源線５３との間には、キャパシタ４０が接続されている。さらにまた、駆動ＴＦＴ３０ａのゲート電極３１ａは、書込みＴＦＴ３０ｂのソース電極３５ｂと接続され、書込みＴＦＴ３０ｂのゲート電極３１ｂは、走査線５２と接続され、ドレイン電極３６ｂは、信号線５１と接続されている。
【００２６】
ここで、走査線５２に書込み信号を印加し、書込みＴＦＴ３０ｂのゲート電極３１ｂの電位を制御すると、信号線５１の信号電圧が駆動ＴＦＴ３０ａのゲート電極３１ａに印加される。この際、ゲート電極３１ａの電位は、次に走査線５２に書込み信号が印加されるまでの間、キャパシタ４０によって安定的に保持される。すると、この間は、駆動ＴＦＴ３０ａのゲート電極３１ａとソース電極３５ａとの間の電圧に応じた電流が有機ＥＬ素子２０に流れ、有機ＥＬ素子２０は、この電流値に応じた輝度で発光し続ける。
【００２７】
このように、有機ＥＬディスプレイ１０は、有機ＥＬ素子２０に流れる電流値をコントロールして発光させる。また、電源線５３をパルス駆動することによって各有機ＥＬ素子２０を駆動しているので、電源線５３が共通ではなく、マトリックス状に配列された有機ＥＬ素子２０の各行で別々のパルスが入力されるようになっている。そして、回路動作が正確に行われれば、有機ＥＬ素子２０の発光時の電圧に、駆動ＴＦＴ３０ａの特性バラツキである閾値電圧や、移動度の補正項が含まれ、有機ＥＬ素子２０の電流−電圧特性に影響を受ける項が含まれなくなるため、有機ＥＬ素子２０の経時劣化や駆動ＴＦＴ３０ａの特性のバラツキを抑制することが可能となっている。
【００２８】
また、有機ＥＬ素子２０から発生した光は、図１に示す開口規定絶縁膜２４の露出部分（中央部）から取り出される。すなわち、開口規定絶縁膜２４は、アノード電極２１及び有機物層２３の周囲に設けられたものであり、中央部が開口している。そのため、有機ＥＬ素子２０の発生光は、開口規定絶縁膜２４の露出した中央部で、透明なカソード電極２２を通って外部に出ることとなる。なお、カソード電極２２を構成している光透過率の高い導電性材料は、抵抗値が高いものである。そのため、カソード電極２２の電気抵抗を調整し、カソード電極２２の低抵抗化を図るため、カソード電極２２には、補助配線５４が接続されている。そして、この補助配線５４は、アノード電極２１の周囲に配線されており、カソード電極２２と同電位で、例えば、ＧＮＤ（図２参照）に接地されている。
【００２９】
次に、第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０の断面構造について説明する。
図３は、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０におけるａ−ａ’断面図である。
図３に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０は、ガラス基板１１（本発明における基板に相当するもの）の上に、有機ＥＬ素子２０を駆動する書込みＴＦＴ３０ｂ等を設けたものである。
【００３０】
この書込みＴＦＴ３０ｂは、ガラス基板１１上に形成されたゲート電極３１ｂの上に、ゲート絶縁膜３２、ａ−Ｓｉ層３３、保護膜３４をそれぞれ積層し、ａ−Ｓｉ層３３の左側にソース電極３５ｂ、ａ−Ｓｉ層３３の右側にドレイン電極３６ｂを配置したものである。そして、ａ−Ｓｉ層３３とソース電極３５ｂとの間及びａ−Ｓｉ層３３とドレイン電極３６ｂとの間には、ソース電極３５ｂ又はドレイン電極３６ｂとのオーミックコンタクトを良好にするために、ｎ型の不純物を適量含んだｎ＋型ａ−Ｓｉ層３７が設けられている。なお、ソース電極３５ｂの端部は、信号線５１と一体になっている。
【００３１】
また、ソース電極３５ｂ、ドレイン電極３６ｂ、及び保護膜３４の上には、絶縁保護膜６１が積層されている。そして、この絶縁保護膜６１上に絶縁平坦化膜６２が積層され、表面が平坦な絶縁膜６０となっている。さらにまた、絶縁膜６０の上には、アノード電極２１及び補助配線５４が積層され、補助配線５４の上や補助配線５４とアノード電極２１との間に開口規定絶縁膜２４が設けられている。さらに、アノード電極２１の上には、有機物層２３及びカソード電極２２が順次積層され、有機ＥＬ素子２０を構成している。
【００３２】
このように、有機ＥＬディスプレイ１０のａ−ａ’断面では、同層であるソース電極３５ｂとドレイン電極３６ｂとの間が絶縁保護膜６１によって電気的に絶縁され、補助配線５４とアノード電極２１との間が開口規定絶縁膜２４によって電気的に絶縁されている。また、異層であるソース電極３５ｂ及びドレイン電極３６ｂとアノード電極２１及び補助配線５４との間は、絶縁膜６０（絶縁保護膜６１及び絶縁平坦化膜６２）によって電気的に絶縁されている。なお、駆動ＴＦＴ３０ａ（図１参照）の断面構造も、図３に示す書込みＴＦＴ３０ｂと同様の構成となっている。
【００３３】
図４は、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０におけるｂ−ｂ’断面図である。
図４に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０のｂ−ｂ’断面では、ガラス基板１１上に第１金属層３１が形成されている。そして、ガラス基板１１及び第１金属層３１の上にゲート絶縁膜３２が積層され、このゲート絶縁膜３２上には、配線パターンとして、第２金属層３６ａ，３６ｂ，３６ｃが設けられている。なお、第２金属層３６ａは、信号線５１となり、第２金属層３６ｂは、第１金属層３１とキャパシタ４０を構成し、第２金属層３６ｃは、電源線５３となる。
【００３４】
また、第２金属層３６ａ，３６ｂ，３６ｃ及びゲート絶縁膜３２の上には、絶縁保護膜６１が積層されている。そして、この絶縁保護膜６１上に絶縁平坦化膜６２が積層され、表面が平坦な絶縁膜６０となっている。さらにまた、絶縁膜６０の上には、アノード電極２１及び補助配線５４が積層され、補助配線５４の上や補助配線５４とアノード電極２１との間に開口規定絶縁膜２４が設けられている。さらに、アノード電極２１の上には、有機物層２３及びカソード電極２２が順次積層され、有機ＥＬ素子２０を構成している。
【００３５】
このように、有機ＥＬディスプレイ１０のｂ−ｂ’断面では、同層である第２金属層３６ａ，３６ｂ，３６ｃの間が絶縁保護膜６１によって電気的に絶縁され、補助配線５４とアノード電極２１との間が開口規定絶縁膜２４によって電気的に絶縁されている。また、異層である第２金属層３６ａ，３６ｂ，３６ｃとアノード電極２１及び補助配線５４との間は、絶縁膜６０（絶縁保護膜６１及び絶縁平坦化膜６２）によって電気的に絶縁されている。
【００３６】
図５は、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０におけるｃ−ｃ’断面図である。
図５に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０のｃ−ｃ’断面では、ガラス基板１１上に第１金属層３１ａ，３１ｂが形成されている。そして、ガラス基板１１及び第１金属層３１ａ，３１ｂの上にゲート絶縁膜３２が積層され、このゲート絶縁膜３２上には、配線パターンとして、第２金属層３６ａ，３６ｂが設けられている。なお、第２金属層３６ａは、信号線５１となるが、図５に示す断面（図１のｃ−ｃ’断面）では、第１金属層３１ａと電気的に接続されており、走査線５２（図１参照）と交差する部分で第１金属層３１ａが走査線５２の下側を通るようにすることで、信号線５１と走査線５２との電位差によるショート（短絡欠陥）が発生しないようにしている。一方、第１金属層３１ｂは、走査線５２とゲート電極３１ｂ（図１参照）とを電気的に接続するためのものであり、第２金属層３６ｂは、ソース電極３５ａ（図１参照）と一体になっている。
【００３７】
また、第２金属層３６ａ，３６ｂ及びゲート絶縁膜３２の上には、絶縁保護膜６１が積層されている。そして、この絶縁保護膜６１上に絶縁平坦化膜６２が積層され、表面が平坦な絶縁膜６０となっている。さらにまた、絶縁膜６０の上には、アノード電極２１及び補助配線５４が積層され、補助配線５４の上、アノード電極２１の上、及び補助配線５４とアノード電極２１との間に開口規定絶縁膜２４が設けられている。さらに、開口規定絶縁膜２４の上には、カソード電極２２が積層されている。
【００３８】
このように、有機ＥＬディスプレイ１０のｃ−ｃ’断面では、同層である第１金属層３１ａ，３１ｂの間がゲート絶縁膜３２によって電気的に絶縁され、第２金属層３６ａ，３６ｂの間が絶縁保護膜６１によって電気的に絶縁され、補助配線５４とアノード電極２１との間が開口規定絶縁膜２４によって電気的に絶縁されている。また、異層である第１金属層３１ａ，３１ｂと第２金属層３６ｂとの間は、ゲート絶縁膜３２によって絶縁され、第２金属層３６ａとアノード電極２１及び補助配線５４との間は、絶縁膜６０（絶縁保護膜６１及び絶縁平坦化膜６２）によって絶縁され、アノード電極２１とカソード電極２２との間は、開口規定絶縁膜２４によって絶縁されている。
【００３９】
ここで、アノード電極２１は、図２に示すように、駆動ＴＦＴ３０ａのソース電極３５ａと接続されるようになっている。そのため、絶縁膜６０（絶縁保護膜６１及び絶縁平坦化膜６２）は、図５に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０のｃ−ｃ’断面においてコンタクトホール６０ａを備えており、接続コンタクト６３によって異層であるアノード電極２１と第２金属層３６ｂ（図１に示すソース電極３５ａと一体化されたもの）とを電気的に接続している。
【００４０】
このコンタクトホール６０ａは、接続コンタクト６３を上下方向に通す穴状のものであり、絶縁保護膜６１の内周面と絶縁平坦化膜６２の内周面とが段差なくつながって形成された下に凸の錐形状となっている。そのため、絶縁平坦化膜６２上にアノード電極２１及び接続コンタクト６３を成膜した場合であっても、接続コンタクト６３がコンタクトホール６０ａの内周面に接続不良なく形成され、アノード電極２１と第２金属層３６ｂ（図１に示すソース電極３５ａ）とを確実に導通させることができる。
【００４１】
次に、第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０の製造方法について説明する。
図６から図９は、有機ＥＬディスプレイ１０における書込みＴＦＴ３０ｂの部分（図１に示すａ−ａ’断面であり、図３に示す書込みＴＦＴ３０ｂの部分）の製造工程を示す断面図である。
ここで、図６は、ゲート電極形成工程及びゲート絶縁膜形成工程を示し、図７は、ａ−Ｓｉ層形成工程及び保護膜形成工程を示し、図８は、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層形成工程、パターニング工程、及びソース電極・ドレイン電極形成工程を示し、図９は、絶縁保護膜形成工程及び絶縁平坦化膜形成工程を示している。
【００４２】
第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０において、書込みＴＦＴ３０ｂ（図３参照）の部分を製造するには、最初に、図６（ａ）に示すように、ガラス基板１１上にゲート電極３１ｂを形成する。すなわち、Ｍｏ（モリブデン）等の導電性材料により、ゲート電極３１ｂとなるように、ガラス基板１１上に第１金属層３１を形成する（ゲート電極形成工程）。その後、図６（ｂ）に示すように、ガラス基板１１及びゲート電極３１ｂの上を覆うようにして、ゲート絶縁膜３２を成膜する（ゲート絶縁膜形成工程）。
【００４３】
次に、図７（ａ）に示すように、ゲート電極３１ｂの上方のゲート絶縁膜３２の上に、ａ−Ｓｉ層３３を形成する（ａ−Ｓｉ層形成工程）。そして、図７（ｂ）に示すように、ａ−Ｓｉ層３３の中央部（ゲート電極３１ｂの上方）に、保護膜３４を形成する（保護膜形成工程）。また、図８（ａ）に示すように、ａ−Ｓｉ層３３及び保護膜３４の上に、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層３７を形成する（ｎ＋型ａ−Ｓｉ層形成工程）。さらにまた、図８（ｂ）に示すように、ａ−Ｓｉ層３３及びｎ＋型ａ−Ｓｉ層３７を同時に島状にパターニングする（パターニング工程）。さらに、図８（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜３２及びｎ＋型ａ−Ｓｉ層３７の上に、Ａｌ（アルミニウム）等の金属材料を形成し、ソース電極３５ｂ及びドレイン電極３６ｂとする（ソース電極・ドレイン電極形成工程）。
【００４４】
このようにして書込みＴＦＴ３０ｂを形成した後、図９（ａ）に示すように、露出している部分のゲート絶縁膜３２、保護膜３４、ソース電極３５ｂ、及びドレイン電極３６ｂの上に、絶縁保護膜６１を形成する（絶縁保護膜形成工程）。この絶縁保護膜６１は、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）又はＳｉＯ２（二酸化ケイ素）をＣＶＤ法（化学蒸着法）によって成膜して形成するが、絶縁保護膜６１を形成した段階（図９（ａ）に示す絶縁保護膜形成工程までの段階）では、絶縁保護膜６１の表面が下層のソース電極３５ｂやドレイン電極３６ｂ等によって凹凸になってしまう。そこで、図９（ｂ）に示すように、絶縁保護膜６１の上に、無機系薄膜（ＳＯＧ：Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で絶縁平坦化膜６２を形成する（絶縁平坦化膜形成工程）。すると、絶縁保護膜６１上に絶縁平坦化膜６２が積層され、絶縁平坦化膜６２の表面では、凹凸のない平坦面となる。なお、駆動ＴＦＴ３０ａ（図１参照）の部分も同様にして製造される。
【００４５】
図１０から図１３は、有機ＥＬディスプレイ１０におけるキャパシタ４０の部分（図１に示すｂ−ｂ’断面であり、図４に示すキャパシタ４０の部分）の製造工程を示す断面図である。
ここで、図１０は、第２金属層形成工程及び絶縁保護膜形成工程を示し、図１１は、絶縁平坦化膜形成工程及びアノード電極・補助配線形成工程を示し、図１２は、開口規定絶縁膜形成工程及びパターニング工程を示し、図１３は、有機物層形成工程及びカソード電極形成工程を示している。
【００４６】
第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０において、キャパシタ４０（図４参照）の部分を製造するには、最初に、書込みＴＦＴ３０ｂ（図３参照）の製造工程と同様にして、ガラス基板１１上に第１金属層３１を形成する（図６（ａ）参照）。また、ガラス基板１１及び第１金属層３１の上を覆うようにして、ゲート絶縁膜３２を成膜する（図６（ｂ）参照）。なお、第１金属層３１は、図６（ａ）のゲート電極３１ｂと同時に形成し、ゲート絶縁膜３２は、図６（ｂ）のゲート絶縁膜３２と同時に形成する。
【００４７】
次に、図１０（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜３２の上に、配線パターンとして、第２金属層３６ａ，３６ｂ，３６ｃを形成する（第２金属層形成工程）。この第２金属層３６ａ，３６ｂ，３６ｃは、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０のｂ−ｂ’断面では、第２金属層３６ａが信号線５１となり、第２金属層３６ｂが第１金属層３１とキャパシタ４０（図４参照）を構成し、第２金属層３６ｃが電源線５３となる。そして、図１０（ｂ）に示すように、露出しているゲート絶縁膜３２及び第２金属層３６ａ，３６ｂ，３６ｃの上に、絶縁保護膜６１を積層する（絶縁保護膜形成工程）。なお、絶縁保護膜６１は、図９（ａ）の絶縁保護膜６１と同時に形成する。
【００４８】
ここで、絶縁保護膜６１を積層した段階（図１０（ｂ）に示す絶縁保護膜形成工程までの段階）では、絶縁保護膜６１の表面が下層の第２金属層３６ａ，３６ｂ，３６ｃ等によって凹凸になっている。そこで、図１１（ａ）に示すように、絶縁保護膜６１の上に、絶縁平坦化膜６２を積層する（絶縁平坦化膜形成工程）。すると、表面が凹凸のない平坦面となる。なお、絶縁平坦化膜６２は、図９（ｂ）の絶縁平坦化膜６２と同時に形成する。
【００４９】
このようにして表面が平坦面の絶縁平坦化膜６２を形成した後は、図１１（ｂ）に示すように、アノード電極２１及び補助配線５４を形成する（アノード電極・補助配線形成工程）。すなわち、絶縁平坦化膜６２上にＡｌ（アルミニウム）等の金属材料を形成し、その後、パターニングすることにより、アノード電極２１及び補助配線５４とする。
【００５０】
続いて、図１２（ａ）に示すように、アノード電極２１、補助配線５４、及び露出した絶縁平坦化膜６２の上に、開口規定絶縁膜２４を積層する（開口規定絶縁膜形成工程）。そして、図１２（ｂ）に示すように、開口規定絶縁膜２４をパターニングして、アノード電極２１を露出させる（パターニング工程）。その後、図１３（ａ）に示すように、露出したアノード電極２１上に有機物層２３を設け（有機物層形成工程）、さらに、図１３（ｂ）に示すように、有機物層２３及び開口規定絶縁膜２４の上に、Ａｌ（アルミニウム）等の金属材料を形成してカソード電極２２とする（カソード電極形成工程）。なお、有機物層２３は、注入された電子と正孔との再結合によって発光する有機物からなるものである。
【００５１】
このようにしてカソード電極２２が形成されると、アノード電極２１、カソード電極２２、及び有機物層２３により、有機ＥＬ素子２０（図４参照）が構成される。すなわち、アノード電極２１とカソード電極２２との間に有機物層２３を配置した有機ＥＬ素子２０が絶縁平坦化膜６２上に配列された状態となる。
【００５２】
この有機ＥＬ素子２０（有機物層２３）が発する光は、アノード電極２１の周囲を覆う開口規定絶縁膜２４から露出した中央部から取り出される。すなわち、アノード電極２１に反射率が高いＡｌ（アルミニウム）等の金属が用いられる一方、カソード電極２２は、光透過率の高い導電性材料の透明電極となっている。そのため、有機物層２３が発する光は、ガラス基板１１と反対側から取り出されることとなる。そして、このようなトップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイ１０は、有機ＥＬ素子２０の開口率を確保する上で有効なものとなる。
【００５３】
図１４から図１７は、有機ＥＬディスプレイ１０における接続コンタクト６３の部分（図１に示すｃ−ｃ’断面であり、図５に示す接続コンタクト６３の部分）の製造工程を示す断面図である。
ここで、図１４は、ゲート絶縁膜形成工程及びパターニング工程を示し、図１５は、第２金属層形成工程及び絶縁保護膜形成工程を示し、図１６は、絶縁平坦化膜形成工程及びコンタクトホール形成工程を示し、図１７は、アノード電極・接続コンタクト・補助配線形成工程及び開口規定絶縁膜形成工程を示している。
【００５４】
第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０において、接続コンタクト６３（図５参照）の部分を製造するには、最初に、書込みＴＦＴ３０ｂ（図３参照）の製造工程と同様にして、ガラス基板１１上に第１金属層３１を形成する（図６（ａ）参照）。この際、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０のｃ−ｃ’断面においては、第１金属層３１が２列（第１金属層３１ａ及び第１金属層３１ｂ）となるように、後からパターニングする。そして、図１４（ａ）に示すように、ガラス基板１１及び第１金属層３１の上を覆うようにして、ゲート絶縁膜３２を成膜する（ゲート絶縁膜形成工程）。また、その後、図１４（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜３２をパターニングして、第１金属層３１ａの上面を露出させる（パターニング工程）。なお、第１金属層３１は、図６（ａ）のゲート電極３１ｂと同時に形成し、ゲート絶縁膜３２は、図６（ｂ）のゲート絶縁膜３２と同時に形成する。
【００５５】
次に、図１５（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜３２の上に、配線パターンとして、第２金属層３６ａ，３６ｂを形成する（第２金属層形成工程）。この第２金属層３６ａ，３６ｂは、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０のｃ−ｃ’断面では、第２金属層３６ａが信号線５１となり、第２金属層３６ｂは、ソース電極３５ａ（図１参照）と一体化されている。そして、信号線５１となる第２金属層３６ａは、走査線５２（図１参照）と交差する部分で走査線５２の下側を通る第１金属層３１ａと電気的に接続され（図１４（ｂ）に示すゲート絶縁膜３２のパターニング工程によって露出した第１金属層３１ａの上面と接続され）、信号線５１と走査線５２との電位差によるショート（短絡欠陥）が発生しないようになされる。また、図１５（ｂ）に示すように、露出しているゲート絶縁膜３２及び第２金属層３６ａ，３６ｂの上には、絶縁保護膜６１が積層される（絶縁保護膜形成工程）。なお、絶縁保護膜６１は、図９（ａ）及び図１０（ｂ）の絶縁保護膜６１と同時に形成する。
【００５６】
ここで、第２金属層３６ｂは、ソース電極３５ａ（図１参照）と一体化されたものであり、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０のｃ−ｃ’断面では、図５に示すように、接続コンタクト６３によってアノード電極２１と電気的に接続される。そのため、第２金属層３６ｂ上の絶縁保護膜６１にコンタクトホール６０ａを形成する必要があるが、絶縁保護膜６１を積層した段階（図１５（ｂ）に示す絶縁保護膜形成工程までの段階）では、コンタクトホール６０ａを形成しない。そして、図１６（ａ）に示すように、絶縁保護膜６１上に絶縁平坦化膜６２を積層し（絶縁平坦化膜形成工程）、表面に凹凸のない平坦面とする。なお、絶縁平坦化膜６２は、図９（ｂ）及び図１１（ａ）の絶縁平坦化膜６２と同時に形成する。
【００５７】
このようにして絶縁保護膜６１上に絶縁平坦化膜６２を形成した後、図１６（ｂ）に示すように、絶縁保護膜６１及び絶縁平坦化膜６２に対してコンタクトホール６０ａを形成する（コンタクトホール形成工程）。すなわち、図１６（ａ）に示す絶縁平坦化膜形成工程の後、絶縁保護膜６１及び絶縁平坦化膜６２に、接続コンタクト６３（図５参照）を上下方向に通す穴状のコンタクトホール６０ａを形成する。
【００５８】
この際、図１６（ｂ）に示すコンタクトホール形成工程では、最初に、絶縁平坦化膜６２の上側に、接続コンタクト６３（図５参照）の位置に合わせたパターンが形成されたマスキング部材（図示せず）を配置し、その後、このマスキング部材により、絶縁保護膜６１及び絶縁平坦化膜６２に対してコンタクトホール６０ａを形成する。すなわち、絶縁保護膜６１をＳｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）又はＳｉＯ２（二酸化ケイ素）で形成し、絶縁平坦化膜６２を無機系薄膜（ＳＯＧ：Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で形成して、フォトリソプロセスの後、一括エッチング（ＣＦ４（四フッ化炭素）等のフッ素系ガスを用いたドライエッチング）を行なってコンタクトホール６０ａを形成する。
【００５９】
したがって、図５に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０では、１つのマスキング部材を用いて１回でコンタクトホール６０ａを形成でき、製造工程が簡素化されたものとなっている。そして、このようにして形成されたコンタクトホール６０ａは、図１６（ｂ）に示すように、絶縁保護膜６１の内周面と絶縁平坦化膜６２の内周面とが段差なくつながった下に凸の錐形状となる。
【００６０】
次に、図１７（ａ）に示すように、アノード電極２１、接続コンタクト６３、及び補助配線５４を形成する（アノード電極・接続コンタクト・補助配線形成工程）。すなわち、絶縁平坦化膜６２上及びコンタクトホール６０ａ内に、Ａｌ（アルミニウム）等の金属材料を形成し、その後、パターニングすることにより、アノード電極２１、接続コンタクト６３、及び補助配線５４とする。
【００６１】
このようにして形成された接続コンタクト６３は、コンタクトホール６０ａ内の第２金属層３６ｂと不良なく接続される。すなわち、コンタクトホール６０ａは、下に凸の錐形状であり、絶縁保護膜６１の内周面と絶縁平坦化膜６２の内周面とが段差なくつながっているので、接続コンタクト６３を形成する際に接続不良が生じない。そのため、アノード電極２１は、接続コンタクト６３及び第２金属層３６ｂを介して確実にソース電極３５ａ（図１参照）と接続されることとなる。
【００６２】
さらに、図１７（ｂ）に示すように、アノード電極２１、接続コンタクト６３、補助配線５４、及び露出した絶縁平坦化膜６２の上に、開口規定絶縁膜２４を積層する（開口規定絶縁膜形成工程）。なお、開口規定絶縁膜２４は、図１２（ａ）の開口規定絶縁膜２４と同時に形成する。また、キャパシタ４０（図４参照）の部分の製造工程と同様にして、開口規定絶縁膜２４上にＡｌ（アルミニウム）等の金属材料を形成し、カソード電極２２とする（図１３（ｂ）参照）。
【００６３】
ところで、図１７（ａ）に示すアノード電極・接続コンタクト・補助配線形成工程において、接続コンタクト６３は、コンタクトホール６０ａ内で接続不良なく形成されるが、コンタクトホール６０ａが開口する絶縁平坦化膜６２の角部６２ａでは、角部６２ａが急でコンタクトホール６０ａが深い場合には、アノード電極２１及び接続コンタクト６３を成膜する際に角部６２ａで形成が不十分となり、接続不良が発生することがある。
【００６４】
そこで次に、角部６２ａでの接続不良を確実に防止できるようにした第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０の断面構造について説明する。
図１８は、第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０を示す断面図（図１のｃ−ｃ’断面）である。
図１８に示すように、有機ＥＬディスプレイ７０は、コンタクトホール６０ａが浅くなるように、接続コンタクト６３と電気的に接続される第２金属層３６ｂの位置が高くなっている。すなわち、ガラス基板１１と第２金属層３６ｂとの間に、第２金属層３６ｂを持ち上げてアノード電極２１との間の上下方向の間隔を小さくするための土台層として、第１金属層３６ｃ、ａ−Ｓｉ層３３ａ、及び保護膜３４ａを設けている。そのため、保護膜３４ａ上に形成される第２金属層３６ｂの位置が高くなる。
【００６５】
ここで、第１金属層３６ｃ、ａ−Ｓｉ層３３ａ、及び保護膜３４ａは、書込みＴＦＴ３０ｂ（図３参照）の製造工程と同様にして形成することができる。すなわち、第１金属層３６ｃは、図６（ａ）に示すゲート電極形成工程のゲート電極３１ｂと同時に形成し、ａ−Ｓｉ層３３ａは、図７（ａ）に示すａ−Ｓｉ層形成工程のａ−Ｓｉ層３３と同時に形成し、保護膜３４ａは、図７（ｂ）に示す保護膜形成工程の保護膜３４と同時に形成する。そのため、図１８に示す第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０は、製造工程を複雑化することなく、保護膜３４ａ上の高い位置に第２金属層３６ｂを形成できる。なお、第１金属層３６ｃ、ａ−Ｓｉ層３３ａ、及び保護膜３４ａは、第２金属層３６ｂよりも幅広く形成する。
【００６６】
このような第２金属層３６ｂは、第１金属層３６ｃ、ａ−Ｓｉ層３３ａ、及び保護膜３４ａの厚さ分だけ位置が高くなる。そのため、第２金属層３６ｂ上では、絶縁膜６０（絶縁保護膜６１及び絶縁平坦化膜６２）の厚さが薄くなる。そして、図１８に示す第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０も、１つのマスキング部材を用いて１回で絶縁膜６０にコンタクトホール６０ｂを形成できるので、製造工程が簡素化される。
【００６７】
また、このコンタクトホール６０ｂは、絶縁保護膜６１の内周面と絶縁平坦化膜６２の内周面とが段差なくつながった下に凸の錐形状となるだけでなく、図５に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０のコンタクトホール６０ａよりも浅いものとなる。その結果、図１８に示す第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０では、絶縁平坦化膜６２の角部６２ａにもしっかりと接続コンタクト６３が形成され、角部６２ａにおける接続コンタクト６３の接続不良が確実に防止される。
【００６８】
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されることなく、例えば、以下のような種々の変形が可能である。
（１）各実施形態では、有機ＥＬ素子２０（発光素子）が発した光を基板１１と反対側から取り出すようにしたトップエミッション方式について説明しているが、有機ＥＬ素子２０（発光素子）が発した光を基板１１と同じ側から取り出すようにしたボトムゲート方式にも適用できる。
【００６９】
（２）各実施形態では、例えば、駆動ＴＦＴ３０ａ及び書込みＴＦＴ３０ｂにａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）層３３を用いているが、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ（ポリシリコン）を用いたり、酸化物半導体層としても良い。また、各実施形態では、発光素子に有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）２０を用いているが、無機エレクトロルミネッセンス素子や発光ダイオード等、上部電極と下部電極との間に発光層を形成することができる発光素子であれば広く適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】第１実施形態の有機ＥＬディスプレイを示す平面図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬディスプレイの等価回路図である。
【図３】図１に示す有機ＥＬディスプレイにおけるａ−ａ’断面図である。
【図４】図１に示す有機ＥＬディスプレイにおけるｂ−ｂ’断面図である。
【図５】図１に示す有機ＥＬディスプレイにおけるｃ−ｃ’断面図である。
【図６】有機ＥＬディスプレイにおける書込みＴＦＴの部分（図１に示すａ−ａ’断面であり、図３に示す書込みＴＦＴの部分）の製造工程（ゲート電極形成工程及びゲート絶縁膜形成工程）を示す断面図である。
【図７】有機ＥＬディスプレイにおける書込みＴＦＴの部分（図１に示すａ−ａ’断面であり、図３に示す書込みＴＦＴの部分）の製造工程（ａ−Ｓｉ層形成工程及び保護膜形成工程）を示す断面図である。
【図８】有機ＥＬディスプレイにおける書込みＴＦＴの部分（図１に示すａ−ａ’断面であり、図３に示す書込みＴＦＴの部分）の製造工程（ｎ＋型ａ−Ｓｉ層形成工程及びソース電極・ドレイン電極形成工程）を示す断面図である。
【図９】有機ＥＬディスプレイにおける書込みＴＦＴの部分（図１に示すａ−ａ’断面であり、図３に示す書込みＴＦＴの部分）の製造工程（絶縁保護膜形成工程及び絶縁平坦化膜形成工程）を示す断面図である。
【図１０】有機ＥＬディスプレイにおけるキャパシタの部分（図１に示すｂ−ｂ’断面であり、図４に示すキャパシタの部分）の製造工程（第２金属層形成工程及び絶縁保護膜形成工程）を示す断面図である。
【図１１】有機ＥＬディスプレイにおけるキャパシタの部分（図１に示すｂ−ｂ’断面であり、図４に示すキャパシタの部分）の製造工程（絶縁平坦化膜形成工程及びアノード電極・補助配線形成工程）を示す断面図である。
【図１２】有機ＥＬディスプレイにおけるキャパシタの部分（図１に示すｂ−ｂ’断面であり、図４に示すキャパシタの部分）の製造工程（開口規定絶縁膜形成工程及びパターニング工程）を示す断面図である。
【図１３】有機ＥＬディスプレイにおけるキャパシタの部分（図１に示すｂ−ｂ’断面であり、図４に示すキャパシタの部分）の製造工程（有機物層形成工程及びカソード電極形成工程）を示す断面図である。
【図１４】有機ＥＬディスプレイにおける接続コンタクトの部分（図１に示すｃ−ｃ’断面であり、図５に示す接続コンタクトの部分）の製造工程（ゲート絶縁膜形成工程及びパターニング工程）を示す断面図である。
【図１５】有機ＥＬディスプレイにおける接続コンタクトの部分（図１に示すｃ−ｃ’断面であり、図５に示す接続コンタクトの部分）の製造工程（第２金属層形成工程及び絶縁保護膜形成工程）を示す断面図である。
【図１６】有機ＥＬディスプレイにおける接続コンタクトの部分（図１に示すｃ−ｃ’断面であり、図５に示す接続コンタクトの部分）の製造工程（絶縁平坦化膜形成工程及びコンタクトホール形成工程）を示す断面図である。
【図１７】有機ＥＬディスプレイにおける接続コンタクトの部分（図１に示すｃ−ｃ’断面であり、図５に示す接続コンタクトの部分）の製造工程（アノード電極・接続コンタクト・補助配線形成工程及び開口規定絶縁膜形成工程）を示す断面図である。
【図１８】第２実施形態の有機ＥＬディスプレイを示す断面図（図１のｃ−ｃ’断面）である。
【図１９】参考例の有機ＥＬディスプレイを示す断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０ 有機ＥＬディスプレイ（アクティブマトリックス型表示装置）
１１ ガラス基板（基板）
２０ 有機ＥＬ素子（発光素子）
２１ アノード電極（下部電極）
２２ カソード電極（上部電極）
２３ 有機物層
３３ａ ａ−Ｓｉ層（土台層）
３４ａ 保護膜（土台層）
３６ｃ 第１金属層（土台層）
３６ｂ 第２金属層（配線パターン）
６０ａ，６０ｂ コンタクトホール
６１ 絶縁保護膜
６２ 絶縁平坦化膜
６３ 接続コンタクト
７０ 有機ＥＬディスプレイ（アクティブマトリックス型表示装置）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マトリックス状に配列された発光素子を備え、発光素子ごとに駆動されるアクティブマトリックス型表示装置及びアクティブマトリックス型表示装置の製造方法に係るものである。より詳しくは、アクティブマトリックス型表示装置において、その生産性を向上させるとともに、発光素子の点灯不良を改善できるようにした技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、自発光のアクティブマトリックス型表示装置において、その発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という）を使用した有機ＥＬディスプレイが知られている。すなわち、有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子をマトリックス状に配列するとともに、有機ＥＬ素子ごとに駆動手段を設けたものであり、有機ＥＬ素子は、アノード電極とカソード電極との間に、有機物の正孔輸送層や有機物の発光層を積層した有機物層を配置し、有機物層に電子と正孔とを注入することによって発光させる電流発光素子である。そのため、有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子に流れる電流値を駆動手段によってコントロールすることにより、発色の階調を得ている。
【０００３】
ここで、有機ＥＬ素子を駆動する駆動手段は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やキャパシタ（容量素子）等であり、これらは、絶縁膜を介して有機ＥＬ素子の下側に配置されている。すなわち、ガラス基板上にＴＦＴ等が配置され、ＴＦＴ等の上に絶縁膜が積層され、この絶縁膜の上に有機ＥＬ素子が配列されている。そして、有機ＥＬ素子を駆動するために、例えば、有機ＥＬ素子のアノード電極とＴＦＴのソース電極とが電気的に接続されている。
【０００４】
また、有機ＥＬディスプレイには、ＴＦＴ等に接続される信号線、走査線、電源線等が配線されている。この信号線は、例えば、マトリックス状に配列された有機ＥＬ素子の各列ごとに配線され、走査線及び電源線は、例えば、有機ＥＬ素子の各行ごとに配線されたものである。そして、信号線は、走査線及び電源線と交差する位置で、それぞれ上下に重なり合うが、信号線と走査線及び電源線とは、絶縁膜によって絶縁されている。
【０００５】
このように、有機ＥＬ素子とＴＦＴ等との間や、信号線、走査線、電源線等は、絶縁膜によって同層間及び異層間のショートが発生しないようになされており、有機ＥＬ素子の点欠陥や、横一列又は縦一列の線欠陥を防止している。そして、この絶縁膜は、ＴＦＴや信号線等の上に積層される絶縁保護膜と、絶縁保護膜上に積層され、有機ＥＬ素子が配列される表面を平坦化するための絶縁平坦化膜とによって構成されている。
【０００６】
このような有機ＥＬディスプレイでは、絶縁膜の上層に存在する有機ＥＬ素子のアノード電極と、絶縁膜の下層に存在するＴＦＴのソース電極とを接続するために、絶縁保護膜及び絶縁平坦化膜に穴状のコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホールの形成方法は、最初に、ＴＦＴや信号線等の上に絶縁保護膜を積層し、その後、フォトマスクを用いてエッチングすることにより、絶縁保護膜に穴を設ける。次に、絶縁保護膜の上に絶縁平坦化膜を積層し、再びフォトマスクを用いてエッチングすることにより、絶縁平坦化膜にも穴を設けるようにしている。すると、絶縁保護膜の穴と絶縁平坦化膜の穴とがコンタクトホールになる。そして、コンタクトホールに接続コンタクトを通せば、有機ＥＬ素子のアノード電極とＴＦＴのソース電極とが電気的に接続されることとなる。
【０００７】
しかしながら、絶縁保護膜に穴を形成するためのフォトマスクと、絶縁平坦化膜に穴を形成するためのフォトマスクとで別々のものを用いると、フォトマスクが２枚必要となってしまう。そこで、両者のフォトマスクを共通化し、同じフォトマスクを使用してエッチングすることにより、フォトマスクの枚数を削減するようにした技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−７７２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上記した特許文献１の技術では、フォトマスクの枚数を削減できるものの、コンタクトホールの形成工程において、絶縁保護膜に穴を形成する工程と、絶縁平坦化膜に穴を形成する工程との両方が必要になる点に変わりはない。そのため、有機ＥＬディスプレイの製造工程が煩雑なものとなり、生産性の向上を図ることができない。
【０００９】
また、エッチングによって形成された穴の大きさや形状等は、同一のフォトマスクを用いたとしても、エッチングの際の様々な要因（エッチング条件等）によって異なったものとなる。そのため、絶縁保護膜に形成された穴と、絶縁平坦化膜に形成された穴とでは、その大きさや形状等が一致せず、コンタクトホール内に段差等のずれが生じてしまう。すると、絶縁平坦化膜の上面とコンタクトホールの内面とに金属層を成膜し、アノード電極及び接続コンタクトを形成した際に、コンタクトホール内の段差等の部分において、接続コンタクトに接続不良が発生することがある。
【００１０】
図１９は、参考例の有機ＥＬディスプレイ１１０を示す断面図であり、接続コンタクトに接続不良が発生した状態を示している。
図１９に示すように、有機ＥＬディスプレイ１１０には、有機ＥＬ素子を駆動するための各種の配線パターンが形成されている。すなわち、ガラス基板１１１上に、第１金属層１３１ａ，１３１ｂからなる配線パターンが形成され、さらに、第２金属層１３６ａ，１３６ｂからなる配線パターンも形成されている。そして、第２金属層１３６ａ，１３６ｂは、ゲート絶縁膜１３２上に設けられ、第２金属層１３６ａは、信号線１５１として、第１金属層１３１ａと電気的に接続されている。
【００１１】
また、有機ＥＬ素子を構成するアノード電極１２１とカソード電極１２２との間は、図１９に示す断面では、開口規定絶縁膜１２４によって電気的に絶縁されている。そして、アノード電極１２１と第２金属層１３６ａ，１３６ｂとの間は、接続コンタクト１６３の部分を除き、絶縁膜１６０によって電気的に絶縁されている。そのため、有機ＥＬディスプレイ１１０は、開口規定絶縁膜１２４、ゲート絶縁膜１３２、及び絶縁膜１６０によって同層間や異層間のショートが防止されることとなる。
【００１２】
ここで、絶縁膜１６０は、第２金属層１３６ａ，１３６ｂ上に積層された絶縁保護膜１６１と、絶縁保護膜１６１上に積層され、表面を平坦化するための絶縁平坦化膜１６２とによって構成されている。そして、絶縁膜１６０（絶縁保護膜１６１及び絶縁平坦化膜１６２）に穴状のコンタクトホール１６０ａが形成され、このコンタクトホール１６０ａには、アノード電極１２１と第２金属層１３６ｂとを電気的に接続する接続コンタクト１６３が通されている。
【００１３】
ところが、コンタクトホール１６０ａにおいて、図１９に示すように、絶縁保護膜１６１の穴の周辺部が絶縁平坦化膜１６２の穴の内側に飛び出していると、その部分が段差１６１ａとなる。このような段差１６１ａの発生は、コンタクトホール１６０ａの形成方法に起因している。すなわち、コンタクトホール１６０ａを形成するには、最初に、第２金属層１３６ｂ等の上に絶縁保護膜１６１を成膜して穴を開け、その後、絶縁保護膜１６１の上に絶縁平坦化膜１６２を成膜して穴を開けることにより、絶縁保護膜１６１の穴と絶縁保護膜１６１の穴とをつなげてコンタクトホール１６０ａとする。
【００１４】
具体的には、最初に、第２金属層１３６ｂ等の上にＳｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）又はＳｉＯ２（二酸化ケイ素）をＣＶＤ法（化学蒸着法）によって成膜し、絶縁保護膜１６１を形成する。そして、ノボラック系樹脂のレジストを塗布し、露光（露光時間は、例えば、８００ｍｓｅｃ程度）及び現像（現像液は、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド））を行い、エッチング（ＣＦ４（四フッ化炭素）等のフッ素系ガスを用いたドライエッチング）によって絶縁保護膜１６１に穴を開ける。その後、絶縁保護膜１６１の上に感光性のポリイミド樹脂、ポリベンズオキサゾール樹脂、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン又はアクリル樹脂等をスピンコート法又はスリットコート法によって塗布し、絶縁平坦化膜１６２を形成してパターニングすることにより、絶縁保護膜１６１の穴の上の絶縁平坦化膜１６２にも穴を開ける。そのため、絶縁保護膜１６１の穴と絶縁平坦化膜１６２の穴とにより、コンタクトホール１６０ａが形成されることとなる。
【００１５】
このように、絶縁保護膜１６１と絶縁平坦化膜１６２とで別々の工程でコンタクトホール１６０ａを形成すると、絶縁保護膜１６１の内周面形状と絶縁平坦化膜１６２の内周面形状とが一致せず、段差１６１ａが発生する。すると、絶縁平坦化膜１６２の上面とコンタクトホール１６０ａの内面とに金属層を成膜してアノード電極１２１及び接続コンタクト１６３を形成する際に、段差１６１ａの角部で成膜が不十分となる。その結果、図１９に示すように、接続コンタクト１６３に接続不良が発生し、有機ＥＬ素子の点灯欠陥（例えば、接続不良によって画素が発光しない滅点欠陥となったり、電流が流れにくくなるために輝度が落ちる等）となる。そして、このような点灯欠陥は、液晶ディスプレイと比較して画素構造が非常に複雑な有機ＥＬディスプレイで多く発生し、特に、有機ＥＬディスプレイの大型化につれ、歩留まりを低下させる要因となる。
【００１６】
したがって、本発明が解決しようとする課題は、有機ＥＬディスプレイのようなアクティブマトリックス型表示装置の生産性を向上させるとともに、絶縁膜のコンタクトホールに通す接続コンタクトの接続不良を確実に防止し、有機ＥＬ素子等の発光素子の点灯不良を改善できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、以下の解決手段によって、上述の課題を解決する。
本発明の請求項１に記載の発明は、基板の上側に設けられた配線パターンと、前記配線パターン上に積層された絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜上に積層され、表面を平坦化するための絶縁平坦化膜と、前記絶縁平坦化膜の上側にマトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層を有する発光素子と、前記配線パターンと前記下部電極とを電気的に接続する接続コンタクトとを備え、前記発光素子ごとに駆動されるアクティブマトリックス型表示装置であって、前記絶縁保護膜及び前記絶縁平坦化膜は、前記接続コンタクトを上下方向に通す穴状のコンタクトホールを備え、前記コンタクトホールは、前記絶縁保護膜の内周面と前記絶縁平坦化膜の内周面とが段差なくつながって形成された下に凸の錐形状となっていることを特徴とする。
【００１８】
（作用）
上記の請求項１に記載の発明は、絶縁保護膜及び絶縁平坦化膜に、接続コンタクトを上下方向に通す穴状のコンタクトホールを備えている。そして、このコンタクトホールは、絶縁保護膜の内周面と絶縁平坦化膜の内周面とが段差なくつながって形成された下に凸の錐形状となっている。そのため、接続コンタクトがコンタクトホールの内周面に接続不良なく形成される。
【００１９】
また、本発明の請求項３に記載の発明は、基板の上側に設けられた配線パターンと、前記配線パターン上に積層された絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜上に積層され、表面を平坦化するための絶縁平坦化膜と、前記絶縁平坦化膜の上側にマトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層を有する発光素子と、前記配線パターンと前記下部電極とを電気的に接続する接続コンタクトとを備え、前記発光素子ごとに駆動されるアクティブマトリックス型表示装置の製造方法であって、前記配線パターン上に、前記絶縁保護膜を積層形成する絶縁保護膜形成工程と、前記絶縁保護膜形成工程の後、前記絶縁保護膜上に、前記絶縁平坦化膜を積層形成する絶縁平坦化膜形成工程と、前記絶縁平坦化膜形成工程の後、前記絶縁保護膜及び前記絶縁平坦化膜に、前記接続コンタクトを上下方向に通す穴状のコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程とを含み、前記コンタクトホール形成工程は、前記絶縁平坦化膜の上側に、前記接続コンタクトの位置に合わせたパターンが形成されたマスキング部材を配置し、前記マスキング部材により、前記絶縁保護膜及び前記絶縁平坦化膜に対して前記コンタクトホールを形成することを特徴とする。
【００２０】
（作用）
上記の請求項３に記載の発明は、配線パターン上に、絶縁保護膜を積層形成する絶縁保護膜形成工程と、絶縁保護膜形成工程の後、絶縁保護膜上に、絶縁平坦化膜を積層形成する絶縁平坦化膜形成工程と、絶縁平坦化膜形成工程の後、絶縁保護膜及び絶縁平坦化膜に、接続コンタクトを上下方向に通す穴状のコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程とを含む。そして、コンタクトホール形成工程は、絶縁平坦化膜の上側に、接続コンタクトの位置に合わせたパターンが形成されたマスキング部材を配置し、マスキング部材により、絶縁保護膜及び絶縁平坦化膜に対してコンタクトホールを形成する。そのため、絶縁保護膜及び絶縁平坦化膜に対し、１つのマスキング部材で１回でコンタクトホールを形成できるようになる。また、このようにして形成されたコンタクトホールは、絶縁保護膜の内周面と絶縁平坦化膜の内周面とが段差なくつながった下に凸の錐形状となる。
【発明の効果】
【００２１】
上記の発明によれば、コンタクトホールは、絶縁保護膜の内周面と絶縁平坦化膜の内周面とが段差なくつながって形成された下に凸の錐形状となるので、接続コンタクトがコンタクトホールの内周面に接続不良なく形成される。そのため、接続コンタクトの接続不良に起因する発光素子の点灯欠陥がなくなり、アクティブマトリックス型表示装置における歩留りの向上を図ることができる。また、絶縁保護膜及び絶縁平坦化膜に対し、１つのマスキング部材で１回でコンタクトホールを形成できるので、マスキング部材の数を削減でき、製造工程が簡素化される結果、生産性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面等を参照して、本発明の各実施形態について説明する。
図１は、本発明のアクティブマトリックス型表示装置の一例として、第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０を示す平面図である。
また、図２は、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０の等価回路図である。
図１に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０は、アノード電極２１（本発明における下部電極に相当するもの）、カソード電極２２（本発明における上部電極に相当するもの）、及び有機物層２３（本発明における発光層に相当するもの）によって構成される有機ＥＬ素子２０（本発明における発光素子に相当するもの）を備えている。そして、有機ＥＬ素子２０は、駆動ＴＦＴ３０ａ、書込みＴＦＴ３０ｂ、及びキャパシタ４０によって駆動される。なお、カソード電極２２は、透明電極となっている。
【００２３】
また、有機ＥＬディスプレイ１０には、このような有機ＥＬ素子２０がＭ行×Ｎ列のマトリックス状に配列されており、有機ＥＬ素子２０ごとにそれぞれ設けられた駆動ＴＦＴ３０ａや書込みＴＦＴ３０ｂ等によって駆動されるアクティブマトリックス型表示装置となっている。
【００２４】
このような有機ＥＬディスプレイ１０において、有機ＥＬ素子２０は、図２に示すように、例えば、カソード電極２２がＧＮＤ（グラウンド）に接続され、アノード電極２１が駆動ＴＦＴ３０ａのソース電極３５ａに接続されている。なお、アノード電極２１とソース電極３５ａとは、接続コンタクト６３（図１参照）を介して接続されている。
【００２５】
また、駆動ＴＦＴ３０ａのドレイン電極３６ａは、正電位（Ｖｃｃ）の電源線５３に接続され、ゲート電極３１ａと電源線５３との間には、キャパシタ４０が接続されている。さらにまた、駆動ＴＦＴ３０ａのゲート電極３１ａは、書込みＴＦＴ３０ｂのソース電極３５ｂと接続され、書込みＴＦＴ３０ｂのゲート電極３１ｂは、走査線５２と接続され、ドレイン電極３６ｂは、信号線５１と接続されている。
【００２６】
ここで、走査線５２に書込み信号を印加し、書込みＴＦＴ３０ｂのゲート電極３１ｂの電位を制御すると、信号線５１の信号電圧が駆動ＴＦＴ３０ａのゲート電極３１ａに印加される。この際、ゲート電極３１ａの電位は、次に走査線５２に書込み信号が印加されるまでの間、キャパシタ４０によって安定的に保持される。すると、この間は、駆動ＴＦＴ３０ａのゲート電極３１ａとソース電極３５ａとの間の電圧に応じた電流が有機ＥＬ素子２０に流れ、有機ＥＬ素子２０は、この電流値に応じた輝度で発光し続ける。
【００２７】
このように、有機ＥＬディスプレイ１０は、有機ＥＬ素子２０に流れる電流値をコントロールして発光させる。また、電源線５３をパルス駆動することによって各有機ＥＬ素子２０を駆動しているので、電源線５３が共通ではなく、マトリックス状に配列された有機ＥＬ素子２０の各行で別々のパルスが入力されるようになっている。そして、回路動作が正確に行われれば、有機ＥＬ素子２０の発光時の電圧に、駆動ＴＦＴ３０ａの特性バラツキである閾値電圧や、移動度の補正項が含まれ、有機ＥＬ素子２０の電流−電圧特性に影響を受ける項が含まれなくなるため、有機ＥＬ素子２０の経時劣化や駆動ＴＦＴ３０ａの特性のバラツキを抑制することが可能となっている。
【００２８】
また、有機ＥＬ素子２０から発生した光は、図１に示す開口規定絶縁膜２４の露出部分（中央部）から取り出される。すなわち、開口規定絶縁膜２４は、アノード電極２１及び有機物層２３の周囲に設けられたものであり、中央部が開口している。そのため、有機ＥＬ素子２０の発生光は、開口規定絶縁膜２４の露出した中央部で、透明なカソード電極２２を通って外部に出ることとなる。なお、カソード電極２２を構成している光透過率の高い導電性材料は、抵抗値が高いものである。そのため、カソード電極２２の電気抵抗を調整し、カソード電極２２の低抵抗化を図るため、カソード電極２２には、補助配線５４が接続されている。そして、この補助配線５４は、アノード電極２１の周囲に配線されており、カソード電極２２と同電位で、例えば、ＧＮＤ（図２参照）に接地されている。
【００２９】
次に、第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０の断面構造について説明する。
図３は、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０におけるａ−ａ’断面図である。
図３に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０は、ガラス基板１１（本発明における基板に相当するもの）の上に、有機ＥＬ素子２０を駆動する書込みＴＦＴ３０ｂ等を設けたものである。
【００３０】
この書込みＴＦＴ３０ｂは、ガラス基板１１上に形成されたゲート電極３１ｂの上に、ゲート絶縁膜３２、ａ−Ｓｉ層３３、保護膜３４をそれぞれ積層し、ａ−Ｓｉ層３３の左側にソース電極３５ｂ、ａ−Ｓｉ層３３の右側にドレイン電極３６ｂを配置したものである。そして、ａ−Ｓｉ層３３とソース電極３５ｂとの間及びａ−Ｓｉ層３３とドレイン電極３６ｂとの間には、ソース電極３５ｂ又はドレイン電極３６ｂとのオーミックコンタクトを良好にするために、ｎ型の不純物を適量含んだｎ＋型ａ−Ｓｉ層３７が設けられている。なお、ソース電極３５ｂの端部は、信号線５１と一体になっている。
【００３１】
また、ソース電極３５ｂ、ドレイン電極３６ｂ、及び保護膜３４の上には、絶縁保護膜６１が積層されている。そして、この絶縁保護膜６１上に絶縁平坦化膜６２が積層され、表面が平坦な絶縁膜６０となっている。さらにまた、絶縁膜６０の上には、アノード電極２１及び補助配線５４が積層され、補助配線５４の上や補助配線５４とアノード電極２１との間に開口規定絶縁膜２４が設けられている。さらに、アノード電極２１の上には、有機物層２３及びカソード電極２２が順次積層され、有機ＥＬ素子２０を構成している。
【００３２】
このように、有機ＥＬディスプレイ１０のａ−ａ’断面では、同層であるソース電極３５ｂとドレイン電極３６ｂとの間が絶縁保護膜６１によって電気的に絶縁され、補助配線５４とアノード電極２１との間が開口規定絶縁膜２４によって電気的に絶縁されている。また、異層であるソース電極３５ｂ及びドレイン電極３６ｂとアノード電極２１及び補助配線５４との間は、絶縁膜６０（絶縁保護膜６１及び絶縁平坦化膜６２）によって電気的に絶縁されている。なお、駆動ＴＦＴ３０ａ（図１参照）の断面構造も、図３に示す書込みＴＦＴ３０ｂと同様の構成となっている。
【００３３】
図４は、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０におけるｂ−ｂ’断面図である。
図４に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０のｂ−ｂ’断面では、ガラス基板１１上に第１金属層３１が形成されている。そして、ガラス基板１１及び第１金属層３１の上にゲート絶縁膜３２が積層され、このゲート絶縁膜３２上には、配線パターンとして、第２金属層３６ａ，３６ｂ，３６ｃが設けられている。なお、第２金属層３６ａは、信号線５１となり、第２金属層３６ｂは、第１金属層３１とキャパシタ４０を構成し、第２金属層３６ｃは、電源線５３となる。
【００３４】
また、第２金属層３６ａ，３６ｂ，３６ｃ及びゲート絶縁膜３２の上には、絶縁保護膜６１が積層されている。そして、この絶縁保護膜６１上に絶縁平坦化膜６２が積層され、表面が平坦な絶縁膜６０となっている。さらにまた、絶縁膜６０の上には、アノード電極２１及び補助配線５４が積層され、補助配線５４の上や補助配線５４とアノード電極２１との間に開口規定絶縁膜２４が設けられている。さらに、アノード電極２１の上には、有機物層２３及びカソード電極２２が順次積層され、有機ＥＬ素子２０を構成している。
【００３５】
このように、有機ＥＬディスプレイ１０のｂ−ｂ’断面では、同層である第２金属層３６ａ，３６ｂ，３６ｃの間が絶縁保護膜６１によって電気的に絶縁され、補助配線５４とアノード電極２１との間が開口規定絶縁膜２４によって電気的に絶縁されている。また、異層である第２金属層３６ａ，３６ｂ，３６ｃとアノード電極２１及び補助配線５４との間は、絶縁膜６０（絶縁保護膜６１及び絶縁平坦化膜６２）によって電気的に絶縁されている。
【００３６】
図５は、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０におけるｃ−ｃ’断面図である。
図５に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０のｃ−ｃ’断面では、ガラス基板１１上に第１金属層３１ａ，３１ｂが形成されている。そして、ガラス基板１１及び第１金属層３１ａ，３１ｂの上にゲート絶縁膜３２が積層され、このゲート絶縁膜３２上には、配線パターンとして、第２金属層３６ａ，３６ｂが設けられている。なお、第２金属層３６ａは、信号線５１となるが、図５に示す断面（図１のｃ−ｃ’断面）では、第１金属層３１ａと電気的に接続されており、走査線５２（図１参照）と交差する部分で第１金属層３１ａが走査線５２の下側を通るようにすることで、信号線５１と走査線５２との電位差によるショート（短絡欠陥）が発生しないようにしている。一方、第１金属層３１ｂは、走査線５２とゲート電極３１ｂ（図１参照）とを電気的に接続するためのものであり、第２金属層３６ｂは、ソース電極３５ａ（図１参照）と一体になっている。
【００３７】
また、第２金属層３６ａ，３６ｂ及びゲート絶縁膜３２の上には、絶縁保護膜６１が積層されている。そして、この絶縁保護膜６１上に絶縁平坦化膜６２が積層され、表面が平坦な絶縁膜６０となっている。さらにまた、絶縁膜６０の上には、アノード電極２１及び補助配線５４が積層され、補助配線５４の上、アノード電極２１の上、及び補助配線５４とアノード電極２１との間に開口規定絶縁膜２４が設けられている。さらに、開口規定絶縁膜２４の上には、カソード電極２２が積層されている。
【００３８】
このように、有機ＥＬディスプレイ１０のｃ−ｃ’断面では、同層である第１金属層３１ａ，３１ｂの間がゲート絶縁膜３２によって電気的に絶縁され、第２金属層３６ａ，３６ｂの間が絶縁保護膜６１によって電気的に絶縁され、補助配線５４とアノード電極２１との間が開口規定絶縁膜２４によって電気的に絶縁されている。また、異層である第１金属層３１ａ，３１ｂと第２金属層３６ｂとの間は、ゲート絶縁膜３２によって絶縁され、第２金属層３６ａとアノード電極２１及び補助配線５４との間は、絶縁膜６０（絶縁保護膜６１及び絶縁平坦化膜６２）によって絶縁され、アノード電極２１とカソード電極２２との間は、開口規定絶縁膜２４によって絶縁されている。
【００３９】
ここで、アノード電極２１は、図２に示すように、駆動ＴＦＴ３０ａのソース電極３５ａと接続されるようになっている。そのため、絶縁膜６０（絶縁保護膜６１及び絶縁平坦化膜６２）は、図５に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０のｃ−ｃ’断面においてコンタクトホール６０ａを備えており、接続コンタクト６３によって異層であるアノード電極２１と第２金属層３６ｂ（図１に示すソース電極３５ａと一体化されたもの）とを電気的に接続している。
【００４０】
このコンタクトホール６０ａは、接続コンタクト６３を上下方向に通す穴状のものであり、絶縁保護膜６１の内周面と絶縁平坦化膜６２の内周面とが段差なくつながって形成された下に凸の錐形状となっている。そのため、絶縁平坦化膜６２上にアノード電極２１及び接続コンタクト６３を成膜した場合であっても、接続コンタクト６３がコンタクトホール６０ａの内周面に接続不良なく形成され、アノード電極２１と第２金属層３６ｂ（図１に示すソース電極３５ａ）とを確実に導通させることができる。
【００４１】
次に、第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０の製造方法について説明する。
図６から図９は、有機ＥＬディスプレイ１０における書込みＴＦＴ３０ｂの部分（図１に示すａ−ａ’断面であり、図３に示す書込みＴＦＴ３０ｂの部分）の製造工程を示す断面図である。
ここで、図６は、ゲート電極形成工程及びゲート絶縁膜形成工程を示し、図７は、ａ−Ｓｉ層形成工程及び保護膜形成工程を示し、図８は、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層形成工程、パターニング工程、及びソース電極・ドレイン電極形成工程を示し、図９は、絶縁保護膜形成工程及び絶縁平坦化膜形成工程を示している。
【００４２】
第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０において、書込みＴＦＴ３０ｂ（図３参照）の部分を製造するには、最初に、図６（ａ）に示すように、ガラス基板１１上にゲート電極３１ｂを形成する。すなわち、Ｍｏ（モリブデン）等の導電性材料により、ゲート電極３１ｂとなるように、ガラス基板１１上に第１金属層３１を形成する（ゲート電極形成工程）。その後、図６（ｂ）に示すように、ガラス基板１１及びゲート電極３１ｂの上を覆うようにして、ゲート絶縁膜３２を成膜する（ゲート絶縁膜形成工程）。
【００４３】
次に、図７（ａ）に示すように、ゲート電極３１ｂの上方のゲート絶縁膜３２の上に、ａ−Ｓｉ層３３を形成する（ａ−Ｓｉ層形成工程）。そして、図７（ｂ）に示すように、ａ−Ｓｉ層３３の中央部（ゲート電極３１ｂの上方）に、保護膜３４を形成する（保護膜形成工程）。また、図８（ａ）に示すように、ａ−Ｓｉ層３３及び保護膜３４の上に、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層３７を形成する（ｎ＋型ａ−Ｓｉ層形成工程）。さらにまた、図８（ｂ）に示すように、ａ−Ｓｉ層３３及びｎ＋型ａ−Ｓｉ層３７を同時に島状にパターニングする（パターニング工程）。さらに、図８（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜３２及びｎ＋型ａ−Ｓｉ層３７の上に、Ａｌ（アルミニウム）等の金属材料を形成し、ソース電極３５ｂ及びドレイン電極３６ｂとする（ソース電極・ドレイン電極形成工程）。
【００４４】
このようにして書込みＴＦＴ３０ｂを形成した後、図９（ａ）に示すように、露出している部分のゲート絶縁膜３２、保護膜３４、ソース電極３５ｂ、及びドレイン電極３６ｂの上に、絶縁保護膜６１を形成する（絶縁保護膜形成工程）。この絶縁保護膜６１は、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）又はＳｉＯ２（二酸化ケイ素）をＣＶＤ法（化学蒸着法）によって成膜して形成するが、絶縁保護膜６１を形成した段階（図９（ａ）に示す絶縁保護膜形成工程までの段階）では、絶縁保護膜６１の表面が下層のソース電極３５ｂやドレイン電極３６ｂ等によって凹凸になってしまう。そこで、図９（ｂ）に示すように、絶縁保護膜６１の上に、無機系薄膜（ＳＯＧ：Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で絶縁平坦化膜６２を形成する（絶縁平坦化膜形成工程）。すると、絶縁保護膜６１上に絶縁平坦化膜６２が積層され、絶縁平坦化膜６２の表面では、凹凸のない平坦面となる。なお、駆動ＴＦＴ３０ａ（図１参照）の部分も同様にして製造される。
【００４５】
図１０から図１３は、有機ＥＬディスプレイ１０におけるキャパシタ４０の部分（図１に示すｂ−ｂ’断面であり、図４に示すキャパシタ４０の部分）の製造工程を示す断面図である。
ここで、図１０は、第２金属層形成工程及び絶縁保護膜形成工程を示し、図１１は、絶縁平坦化膜形成工程及びアノード電極・補助配線形成工程を示し、図１２は、開口規定絶縁膜形成工程及びパターニング工程を示し、図１３は、有機物層形成工程及びカソード電極形成工程を示している。
【００４６】
第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０において、キャパシタ４０（図４参照）の部分を製造するには、最初に、書込みＴＦＴ３０ｂ（図３参照）の製造工程と同様にして、ガラス基板１１上に第１金属層３１を形成する（図６（ａ）参照）。また、ガラス基板１１及び第１金属層３１の上を覆うようにして、ゲート絶縁膜３２を成膜する（図６（ｂ）参照）。なお、第１金属層３１は、図６（ａ）のゲート電極３１ｂと同時に形成し、ゲート絶縁膜３２は、図６（ｂ）のゲート絶縁膜３２と同時に形成する。
【００４７】
次に、図１０（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜３２の上に、配線パターンとして、第２金属層３６ａ，３６ｂ，３６ｃを形成する（第２金属層形成工程）。この第２金属層３６ａ，３６ｂ，３６ｃは、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０のｂ−ｂ’断面では、第２金属層３６ａが信号線５１となり、第２金属層３６ｂが第１金属層３１とキャパシタ４０（図４参照）を構成し、第２金属層３６ｃが電源線５３となる。そして、図１０（ｂ）に示すように、露出しているゲート絶縁膜３２及び第２金属層３６ａ，３６ｂ，３６ｃの上に、絶縁保護膜６１を積層する（絶縁保護膜形成工程）。なお、絶縁保護膜６１は、図９（ａ）の絶縁保護膜６１と同時に形成する。
【００４８】
ここで、絶縁保護膜６１を積層した段階（図１０（ｂ）に示す絶縁保護膜形成工程までの段階）では、絶縁保護膜６１の表面が下層の第２金属層３６ａ，３６ｂ，３６ｃ等によって凹凸になっている。そこで、図１１（ａ）に示すように、絶縁保護膜６１の上に、絶縁平坦化膜６２を積層する（絶縁平坦化膜形成工程）。すると、表面が凹凸のない平坦面となる。なお、絶縁平坦化膜６２は、図９（ｂ）の絶縁平坦化膜６２と同時に形成する。
【００４９】
このようにして表面が平坦面の絶縁平坦化膜６２を形成した後は、図１１（ｂ）に示すように、アノード電極２１及び補助配線５４を形成する（アノード電極・補助配線形成工程）。すなわち、絶縁平坦化膜６２上にＡｌ（アルミニウム）等の金属材料を形成し、その後、パターニングすることにより、アノード電極２１及び補助配線５４とする。
【００５０】
続いて、図１２（ａ）に示すように、アノード電極２１、補助配線５４、及び露出した絶縁平坦化膜６２の上に、開口規定絶縁膜２４を積層する（開口規定絶縁膜形成工程）。そして、図１２（ｂ）に示すように、開口規定絶縁膜２４をパターニングして、アノード電極２１を露出させる（パターニング工程）。その後、図１３（ａ）に示すように、露出したアノード電極２１上に有機物層２３を設け（有機物層形成工程）、さらに、図１３（ｂ）に示すように、有機物層２３及び開口規定絶縁膜２４の上に、Ａｌ（アルミニウム）等の金属材料を形成してカソード電極２２とする（カソード電極形成工程）。なお、有機物層２３は、注入された電子と正孔との再結合によって発光する有機物からなるものである。
【００５１】
このようにしてカソード電極２２が形成されると、アノード電極２１、カソード電極２２、及び有機物層２３により、有機ＥＬ素子２０（図４参照）が構成される。すなわち、アノード電極２１とカソード電極２２との間に有機物層２３を配置した有機ＥＬ素子２０が絶縁平坦化膜６２上に配列された状態となる。
【００５２】
この有機ＥＬ素子２０（有機物層２３）が発する光は、アノード電極２１の周囲を覆う開口規定絶縁膜２４から露出した中央部から取り出される。すなわち、アノード電極２１に反射率が高いＡｌ（アルミニウム）等の金属が用いられる一方、カソード電極２２は、光透過率の高い導電性材料の透明電極となっている。そのため、有機物層２３が発する光は、ガラス基板１１と反対側から取り出されることとなる。そして、このようなトップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイ１０は、有機ＥＬ素子２０の開口率を確保する上で有効なものとなる。
【００５３】
図１４から図１７は、有機ＥＬディスプレイ１０における接続コンタクト６３の部分（図１に示すｃ−ｃ’断面であり、図５に示す接続コンタクト６３の部分）の製造工程を示す断面図である。
ここで、図１４は、ゲート絶縁膜形成工程及びパターニング工程を示し、図１５は、第２金属層形成工程及び絶縁保護膜形成工程を示し、図１６は、絶縁平坦化膜形成工程及びコンタクトホール形成工程を示し、図１７は、アノード電極・接続コンタクト・補助配線形成工程及び開口規定絶縁膜形成工程を示している。
【００５４】
第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０において、接続コンタクト６３（図５参照）の部分を製造するには、最初に、書込みＴＦＴ３０ｂ（図３参照）の製造工程と同様にして、ガラス基板１１上に第１金属層３１を形成する（図６（ａ）参照）。この際、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０のｃ−ｃ’断面においては、第１金属層３１が２列（第１金属層３１ａ及び第１金属層３１ｂ）となるように、後からパターニングする。そして、図１４（ａ）に示すように、ガラス基板１１及び第１金属層３１の上を覆うようにして、ゲート絶縁膜３２を成膜する（ゲート絶縁膜形成工程）。また、その後、図１４（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜３２をパターニングして、第１金属層３１ａの上面を露出させる（パターニング工程）。なお、第１金属層３１は、図６（ａ）のゲート電極３１ｂと同時に形成し、ゲート絶縁膜３２は、図６（ｂ）のゲート絶縁膜３２と同時に形成する。
【００５５】
次に、図１５（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜３２の上に、配線パターンとして、第２金属層３６ａ，３６ｂを形成する（第２金属層形成工程）。この第２金属層３６ａ，３６ｂは、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０のｃ−ｃ’断面では、第２金属層３６ａが信号線５１となり、第２金属層３６ｂは、ソース電極３５ａ（図１参照）と一体化されている。そして、信号線５１となる第２金属層３６ａは、走査線５２（図１参照）と交差する部分で走査線５２の下側を通る第１金属層３１ａと電気的に接続され（図１４（ｂ）に示すゲート絶縁膜３２のパターニング工程によって露出した第１金属層３１ａの上面と接続され）、信号線５１と走査線５２との電位差によるショート（短絡欠陥）が発生しないようになされる。また、図１５（ｂ）に示すように、露出しているゲート絶縁膜３２及び第２金属層３６ａ，３６ｂの上には、絶縁保護膜６１が積層される（絶縁保護膜形成工程）。なお、絶縁保護膜６１は、図９（ａ）及び図１０（ｂ）の絶縁保護膜６１と同時に形成する。
【００５６】
ここで、第２金属層３６ｂは、ソース電極３５ａ（図１参照）と一体化されたものであり、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０のｃ−ｃ’断面では、図５に示すように、接続コンタクト６３によってアノード電極２１と電気的に接続される。そのため、第２金属層３６ｂ上の絶縁保護膜６１にコンタクトホール６０ａを形成する必要があるが、絶縁保護膜６１を積層した段階（図１５（ｂ）に示す絶縁保護膜形成工程までの段階）では、コンタクトホール６０ａを形成しない。そして、図１６（ａ）に示すように、絶縁保護膜６１上に絶縁平坦化膜６２を積層し（絶縁平坦化膜形成工程）、表面に凹凸のない平坦面とする。なお、絶縁平坦化膜６２は、図９（ｂ）及び図１１（ａ）の絶縁平坦化膜６２と同時に形成する。
【００５７】
このようにして絶縁保護膜６１上に絶縁平坦化膜６２を形成した後、図１６（ｂ）に示すように、絶縁保護膜６１及び絶縁平坦化膜６２に対してコンタクトホール６０ａを形成する（コンタクトホール形成工程）。すなわち、図１６（ａ）に示す絶縁平坦化膜形成工程の後、絶縁保護膜６１及び絶縁平坦化膜６２に、接続コンタクト６３（図５参照）を上下方向に通す穴状のコンタクトホール６０ａを形成する。
【００５８】
この際、図１６（ｂ）に示すコンタクトホール形成工程では、最初に、絶縁平坦化膜６２の上側に、接続コンタクト６３（図５参照）の位置に合わせたパターンが形成されたマスキング部材（図示せず）を配置し、その後、このマスキング部材により、絶縁保護膜６１及び絶縁平坦化膜６２に対してコンタクトホール６０ａを形成する。すなわち、絶縁保護膜６１をＳｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）又はＳｉＯ２（二酸化ケイ素）で形成し、絶縁平坦化膜６２を無機系薄膜（ＳＯＧ：Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で形成して、フォトリソプロセスの後、一括エッチング（ＣＦ４（四フッ化炭素）等のフッ素系ガスを用いたドライエッチング）を行なってコンタクトホール６０ａを形成する。
【００５９】
したがって、図５に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０では、１つのマスキング部材を用いて１回でコンタクトホール６０ａを形成でき、製造工程が簡素化されたものとなっている。そして、このようにして形成されたコンタクトホール６０ａは、図１６（ｂ）に示すように、絶縁保護膜６１の内周面と絶縁平坦化膜６２の内周面とが段差なくつながった下に凸の錐形状となる。
【００６０】
次に、図１７（ａ）に示すように、アノード電極２１、接続コンタクト６３、及び補助配線５４を形成する（アノード電極・接続コンタクト・補助配線形成工程）。すなわち、絶縁平坦化膜６２上及びコンタクトホール６０ａ内に、Ａｌ（アルミニウム）等の金属材料を形成し、その後、パターニングすることにより、アノード電極２１、接続コンタクト６３、及び補助配線５４とする。
【００６１】
このようにして形成された接続コンタクト６３は、コンタクトホール６０ａ内の第２金属層３６ｂと不良なく接続される。すなわち、コンタクトホール６０ａは、下に凸の錐形状であり、絶縁保護膜６１の内周面と絶縁平坦化膜６２の内周面とが段差なくつながっているので、接続コンタクト６３を形成する際に接続不良が生じない。そのため、アノード電極２１は、接続コンタクト６３及び第２金属層３６ｂを介して確実にソース電極３５ａ（図１参照）と接続されることとなる。
【００６２】
さらに、図１７（ｂ）に示すように、アノード電極２１、接続コンタクト６３、補助配線５４、及び露出した絶縁平坦化膜６２の上に、開口規定絶縁膜２４を積層する（開口規定絶縁膜形成工程）。なお、開口規定絶縁膜２４は、図１２（ａ）の開口規定絶縁膜２４と同時に形成する。また、キャパシタ４０（図４参照）の部分の製造工程と同様にして、開口規定絶縁膜２４上にＡｌ（アルミニウム）等の金属材料を形成し、カソード電極２２とする（図１３（ｂ）参照）。
【００６３】
ところで、図１７（ａ）に示すアノード電極・接続コンタクト・補助配線形成工程において、接続コンタクト６３は、コンタクトホール６０ａ内で接続不良なく形成されるが、コンタクトホール６０ａが開口する絶縁平坦化膜６２の角部６２ａでは、角部６２ａが急でコンタクトホール６０ａが深い場合には、アノード電極２１及び接続コンタクト６３を成膜する際に角部６２ａで形成が不十分となり、接続不良が発生することがある。
【００６４】
そこで次に、角部６２ａでの接続不良を確実に防止できるようにした第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０の断面構造について説明する。
図１８は、第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０を示す断面図（図１のｃ−ｃ’断面）である。
図１８に示すように、有機ＥＬディスプレイ７０は、コンタクトホール６０ａが浅くなるように、接続コンタクト６３と電気的に接続される第２金属層３６ｂの位置が高くなっている。すなわち、ガラス基板１１と第２金属層３６ｂとの間に、第２金属層３６ｂを持ち上げてアノード電極２１との間の上下方向の間隔を小さくするための土台層として、第１金属層３６ｃ、ａ−Ｓｉ層３３ａ、及び保護膜３４ａを設けている。そのため、保護膜３４ａ上に形成される第２金属層３６ｂの位置が高くなる。
【００６５】
ここで、第１金属層３６ｃ、ａ−Ｓｉ層３３ａ、及び保護膜３４ａは、書込みＴＦＴ３０ｂ（図３参照）の製造工程と同様にして形成することができる。すなわち、第１金属層３６ｃは、図６（ａ）に示すゲート電極形成工程のゲート電極３１ｂと同時に形成し、ａ−Ｓｉ層３３ａは、図７（ａ）に示すａ−Ｓｉ層形成工程のａ−Ｓｉ層３３と同時に形成し、保護膜３４ａは、図７（ｂ）に示す保護膜形成工程の保護膜３４と同時に形成する。そのため、図１８に示す第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０は、製造工程を複雑化することなく、保護膜３４ａ上の高い位置に第２金属層３６ｂを形成できる。なお、第１金属層３６ｃ、ａ−Ｓｉ層３３ａ、及び保護膜３４ａは、第２金属層３６ｂよりも幅広く形成する。
【００６６】
このような第２金属層３６ｂは、第１金属層３６ｃ、ａ−Ｓｉ層３３ａ、及び保護膜３４ａの厚さ分だけ位置が高くなる。そのため、第２金属層３６ｂ上では、絶縁膜６０（絶縁保護膜６１及び絶縁平坦化膜６２）の厚さが薄くなる。そして、図１８に示す第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０も、１つのマスキング部材を用いて１回で絶縁膜６０にコンタクトホール６０ｂを形成できるので、製造工程が簡素化される。
【００６７】
また、このコンタクトホール６０ｂは、絶縁保護膜６１の内周面と絶縁平坦化膜６２の内周面とが段差なくつながった下に凸の錐形状となるだけでなく、図５に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０のコンタクトホール６０ａよりも浅いものとなる。その結果、図１８に示す第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０では、絶縁平坦化膜６２の角部６２ａにもしっかりと接続コンタクト６３が形成され、角部６２ａにおける接続コンタクト６３の接続不良が確実に防止される。
【００６８】
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されることなく、例えば、以下のような種々の変形が可能である。
（１）各実施形態では、有機ＥＬ素子２０（発光素子）が発した光を基板１１と反対側から取り出すようにしたトップエミッション方式について説明しているが、有機ＥＬ素子２０（発光素子）が発した光を基板１１と同じ側から取り出すようにしたボトムゲート方式にも適用できる。
【００６９】
（２）各実施形態では、例えば、駆動ＴＦＴ３０ａ及び書込みＴＦＴ３０ｂにａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）層３３を用いているが、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ（ポリシリコン）を用いたり、酸化物半導体層としても良い。また、各実施形態では、発光素子に有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）２０を用いているが、無機エレクトロルミネッセンス素子や発光ダイオード等、上部電極と下部電極との間に発光層を形成することができる発光素子であれば広く適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】第１実施形態の有機ＥＬディスプレイを示す平面図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬディスプレイの等価回路図である。
【図３】図１に示す有機ＥＬディスプレイにおけるａ−ａ’断面図である。
【図４】図１に示す有機ＥＬディスプレイにおけるｂ−ｂ’断面図である。
【図５】図１に示す有機ＥＬディスプレイにおけるｃ−ｃ’断面図である。
【図６】有機ＥＬディスプレイにおける書込みＴＦＴの部分（図１に示すａ−ａ’断面であり、図３に示す書込みＴＦＴの部分）の製造工程（ゲート電極形成工程及びゲート絶縁膜形成工程）を示す断面図である。
【図７】有機ＥＬディスプレイにおける書込みＴＦＴの部分（図１に示すａ−ａ’断面であり、図３に示す書込みＴＦＴの部分）の製造工程（ａ−Ｓｉ層形成工程及び保護膜形成工程）を示す断面図である。
【図８】有機ＥＬディスプレイにおける書込みＴＦＴの部分（図１に示すａ−ａ’断面であり、図３に示す書込みＴＦＴの部分）の製造工程（ｎ＋型ａ−Ｓｉ層形成工程及びソース電極・ドレイン電極形成工程）を示す断面図である。
【図９】有機ＥＬディスプレイにおける書込みＴＦＴの部分（図１に示すａ−ａ’断面であり、図３に示す書込みＴＦＴの部分）の製造工程（絶縁保護膜形成工程及び絶縁平坦化膜形成工程）を示す断面図である。
【図１０】有機ＥＬディスプレイにおけるキャパシタの部分（図１に示すｂ−ｂ’断面であり、図４に示すキャパシタの部分）の製造工程（第２金属層形成工程及び絶縁保護膜形成工程）を示す断面図である。
【図１１】有機ＥＬディスプレイにおけるキャパシタの部分（図１に示すｂ−ｂ’断面であり、図４に示すキャパシタの部分）の製造工程（絶縁平坦化膜形成工程及びアノード電極・補助配線形成工程）を示す断面図である。
【図１２】有機ＥＬディスプレイにおけるキャパシタの部分（図１に示すｂ−ｂ’断面であり、図４に示すキャパシタの部分）の製造工程（開口規定絶縁膜形成工程及びパターニング工程）を示す断面図である。
【図１３】有機ＥＬディスプレイにおけるキャパシタの部分（図１に示すｂ−ｂ’断面であり、図４に示すキャパシタの部分）の製造工程（有機物層形成工程及びカソード電極形成工程）を示す断面図である。
【図１４】有機ＥＬディスプレイにおける接続コンタクトの部分（図１に示すｃ−ｃ’断面であり、図５に示す接続コンタクトの部分）の製造工程（ゲート絶縁膜形成工程及びパターニング工程）を示す断面図である。
【図１５】有機ＥＬディスプレイにおける接続コンタクトの部分（図１に示すｃ−ｃ’断面であり、図５に示す接続コンタクトの部分）の製造工程（第２金属層形成工程及び絶縁保護膜形成工程）を示す断面図である。
【図１６】有機ＥＬディスプレイにおける接続コンタクトの部分（図１に示すｃ−ｃ’断面であり、図５に示す接続コンタクトの部分）の製造工程（絶縁平坦化膜形成工程及びコンタクトホール形成工程）を示す断面図である。
【図１７】有機ＥＬディスプレイにおける接続コンタクトの部分（図１に示すｃ−ｃ’断面であり、図５に示す接続コンタクトの部分）の製造工程（アノード電極・接続コンタクト・補助配線形成工程及び開口規定絶縁膜形成工程）を示す断面図である。
【図１８】第２実施形態の有機ＥＬディスプレイを示す断面図（図１のｃ−ｃ’断面）である。
【図１９】参考例の有機ＥＬディスプレイを示す断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０ 有機ＥＬディスプレイ（アクティブマトリックス型表示装置）
１１ ガラス基板（基板）
２０ 有機ＥＬ素子（発光素子）
２１ アノード電極（下部電極）
２２ カソード電極（上部電極）
２３ 有機物層
３３ａ ａ−Ｓｉ層（土台層）
３４ａ 保護膜（土台層）
３６ｃ 第１金属層（土台層）
３６ｂ 第２金属層（配線パターン）
６０ａ，６０ｂ コンタクトホール
６１ 絶縁保護膜
６２ 絶縁平坦化膜
６３ 接続コンタクト
７０ 有機ＥＬディスプレイ（アクティブマトリックス型表示装置）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上側に設けられた配線パターンと、
前記配線パターン上に積層された絶縁保護膜と、
前記絶縁保護膜上に積層され、表面を平坦化するための絶縁平坦化膜と、
前記絶縁平坦化膜の上側にマトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層を有する発光素子と、
前記配線パターンと前記下部電極とを電気的に接続する接続コンタクトと
を備え、
前記発光素子ごとに駆動されるアクティブマトリックス型表示装置であって、
前記絶縁保護膜及び前記絶縁平坦化膜は、前記接続コンタクトを上下方向に通す穴状のコンタクトホールを備え、
前記コンタクトホールは、前記絶縁保護膜の内周面と前記絶縁平坦化膜の内周面とが段差なくつながって形成された下に凸の錐形状となっている
ことを特徴とするアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載のアクティブマトリックス型表示装置において、
前記基板と前記配線パターンとの間に、前記配線パターンを持ち上げて前記下部電極との間の上下方向の間隔を小さくするための土台層を備える
ことを特徴とするアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項３】
基板の上側に設けられた配線パターンと、
前記配線パターン上に積層された絶縁保護膜と、
前記絶縁保護膜上に積層され、表面を平坦化するための絶縁平坦化膜と、
前記絶縁平坦化膜の上側にマトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層を有する発光素子と、
前記配線パターンと前記下部電極とを電気的に接続する接続コンタクトと
を備え、
前記発光素子ごとに駆動されるアクティブマトリックス型表示装置の製造方法であって、
前記配線パターン上に、前記絶縁保護膜を積層形成する絶縁保護膜形成工程と、
前記絶縁保護膜形成工程の後、前記絶縁保護膜上に、前記絶縁平坦化膜を積層形成する絶縁平坦化膜形成工程と、
前記絶縁平坦化膜形成工程の後、前記絶縁保護膜及び前記絶縁平坦化膜に、前記接続コンタクトを上下方向に通す穴状のコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と
を含み、
前記コンタクトホール形成工程は、前記絶縁平坦化膜の上側に、前記接続コンタクトの位置に合わせたパターンが形成されたマスキング部材を配置し、前記マスキング部材により、前記絶縁保護膜及び前記絶縁平坦化膜に対して前記コンタクトホールを形成する
ことを特徴とするアクティブマトリックス型表示装置の製造方法。
【請求項１】
基板の上側に設けられた配線パターンと、
前記配線パターン上に積層された絶縁保護膜と、
前記絶縁保護膜上に積層され、表面を平坦化するための絶縁平坦化膜と、
前記絶縁平坦化膜の上側にマトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層を有する発光素子と、
前記配線パターンと前記下部電極とを電気的に接続する接続コンタクトと
を備え、
前記発光素子ごとに駆動されるアクティブマトリックス型表示装置であって、
前記絶縁保護膜及び前記絶縁平坦化膜は、前記接続コンタクトを上下方向に通す穴状のコンタクトホールを備え、
前記コンタクトホールは、前記絶縁保護膜の内周面と前記絶縁平坦化膜の内周面とが段差なくつながって形成された下に凸の錐形状となっている
ことを特徴とするアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載のアクティブマトリックス型表示装置において、
前記基板と前記配線パターンとの間に、前記配線パターンを持ち上げて前記下部電極との間の上下方向の間隔を小さくするための土台層を備える
ことを特徴とするアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項３】
基板の上側に設けられた配線パターンと、
前記配線パターン上に積層された絶縁保護膜と、
前記絶縁保護膜上に積層され、表面を平坦化するための絶縁平坦化膜と、
前記絶縁平坦化膜の上側にマトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層を有する発光素子と、
前記配線パターンと前記下部電極とを電気的に接続する接続コンタクトと
を備え、
前記発光素子ごとに駆動されるアクティブマトリックス型表示装置の製造方法であって、
前記配線パターン上に、前記絶縁保護膜を積層形成する絶縁保護膜形成工程と、
前記絶縁保護膜形成工程の後、前記絶縁保護膜上に、前記絶縁平坦化膜を積層形成する絶縁平坦化膜形成工程と、
前記絶縁平坦化膜形成工程の後、前記絶縁保護膜及び前記絶縁平坦化膜に、前記接続コンタクトを上下方向に通す穴状のコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と
を含み、
前記コンタクトホール形成工程は、前記絶縁平坦化膜の上側に、前記接続コンタクトの位置に合わせたパターンが形成されたマスキング部材を配置し、前記マスキング部材により、前記絶縁保護膜及び前記絶縁平坦化膜に対して前記コンタクトホールを形成する
ことを特徴とするアクティブマトリックス型表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２００９−２２９９４１（Ｐ２００９−２２９９４１Ａ）
【公開日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−７６８８２（Ｐ２００８−７６８８２）
【出願日】平成２０年３月２４日（２００８．３．２４）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月２４日（２００８．３．２４）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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