ウエハへのレジスト形成方法
【課題】凹凸のあるウエハ表面にレジストを均一にむらなく形成する。
【解決手段】レジスト形成方法は、ウエハＷの中心部にレジストＲを滴下した後、またはウエハＷの中心部にレジストＲを滴下しながら、ウエハＷをウエハＷの中心軸Ｃのまわりで回転させることによって、ウエハＷの外周部に、滴下されたレジストＲの盛り上がり部を形成する第１の塗布ステップ（図（ｂ））と、第１の塗布ステップに続いて、ウエハＷを中心軸Ｃのまわりで回転させながら、レジストＲの滴下位置を中心部からウエハＷの外周部に向けて変化させて、ウエハＷにレジストＲを滴下する第２の塗布ステップ（図（ｃ））と、を有している。
【解決手段】レジスト形成方法は、ウエハＷの中心部にレジストＲを滴下した後、またはウエハＷの中心部にレジストＲを滴下しながら、ウエハＷをウエハＷの中心軸Ｃのまわりで回転させることによって、ウエハＷの外周部に、滴下されたレジストＲの盛り上がり部を形成する第１の塗布ステップ（図（ｂ））と、第１の塗布ステップに続いて、ウエハＷを中心軸Ｃのまわりで回転させながら、レジストＲの滴下位置を中心部からウエハＷの外周部に向けて変化させて、ウエハＷにレジストＲを滴下する第２の塗布ステップ（図（ｃ））と、を有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウエハへのレジスト形成方法に関し、特にレジストをウエハに均一に塗布する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜磁気ヘッドの製造工程は、半導体プロセス技術を利用したウエハ上への積層工程を含んでいる。ウエハ上への積層工程においては、他の多くの半導体装置と同様、成膜した膜のパターン化や、所定の平面形状を有する膜の成膜などの目的でフォトレジスト（以下、レジストという。）が頻繁に用いられている。図１４は、スピンコーティング法を用いたレジストの塗布方法を示す概念図である。スピンコーティング法では、ウエハＷの中心部にレジストＲを滴下した後ウエハＷを回転させ、遠心力を利用してレジストＲをウエハＷ全面に拡散させる。
【０００３】
ウエハ上には多数の素子が同時に形成されるためレジストを均一に塗布することが重要である。このため、特許文献１には、レジストを吐出させるノズルをウエハの中央部から周辺部まで径方向に沿って等速移動させながらレジストを滴下する技術が開示されている。同文献には、ノズルを基板の周辺部から中央部に径方向に沿って等速移動させる技術も述べられている。
【０００４】
特許文献２には、レジストの膜厚の均一化およびレジストのウエハからの落下防止のため、ノズル位置をウエハ中央部に固定した状態で、レジストの粘度を時間とともに低下させながらレジストを滴下する技術が開示されている。初期段階でウエハ上に滴下されたレジストは遠心力によってウエハの外周部に到達するが、粘度が高いためウエハの外周部にとどまりやすくなり、ウエハ外への落下が防止され、レジストの節約が可能となる。粘度の調整は、レジストに混合するシンナの量を制御することによっておこなわれる。
【特許文献１】特開２０００−３５０９５５号公報
【特許文献２】特開２００２−０４５７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
スピンコーティング法は、レジストを滴下するウエハ表面が平坦である場合には均一な膜厚の膜が得られやすく、ウエハの一部が未塗布のままとなることもほとんどない。しかし、薄膜磁気ヘッドの積層工程では、シャントパターンの作成等のため、途中段階で多くの段差あるいは凹凸がウエハ上に形成されており、その状態でレジストを塗布することが多い（詳細は実施形態を参照。）。レジストを段差の多いウエハ表面に塗布する場合、レジストの移動が凸部によって妨害され、レジストはウエハの全角度方向に均一に拡散していかない。この結果、レジストが径方向に延びる多数の線状の拡散ルートに沿って放射状に拡がる傾向が生じ、部分的にレジストが行き渡らない部位が生じる。この現象は、レジストが低粘度の場合や、レジストが濡れにくい溶剤や揮発性の高い溶剤を含む場合に顕著となる。レジストが行き渡らない部位は露光、現像後にパターン欠陥を生じる。ウエハ表面が部分的にレジストに覆われない現象は、レジストの滴下量を増加しても劇的には改善されない。これは、レジストがウエハ表面を放射状に拡散していく傾向が一度付いてしまと、レジスト滴下量を増加しても、レジストはその軌跡に従いウエハの外周部に移動していくためである。この結果、滴下されたレジストはレジストに覆われていない部位を覆うことなくウエハから落下してしまう。
【０００６】
特許文献１に記載の技術はウエハを回転させながらレジストを滴下するため、ウエハの外周部にはレジストが拡散しやすいが、逆に中央部にレジストが留まりにくい。このため、ウエハ中央部に未塗布部分が生じやすく、ウエハ中央部のパターン欠陥が生じやすい。特許文献２に記載の技術はレジストの粘度を時間とともに調整する必要があるため、工程の増加を招くだけでなく、複雑な混合装置を必要とする。同特許文献に示されているように、複数の粘度を有するレジストを別々のタンクにあらかじめ保有しておくことも考えられるが、切替装置などの設備コストが必要となる。レジストの温度を調整して粘度を変更することも考えられるが、温度毎（粘度毎）に温度調整装置が必要となるため同様の問題がある。
【０００７】
本発明はこのような従来技術の課題を解決するためになされたものであり、凹凸のあるウエハ表面にレジストを均一にむらなく形成する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のウエハへのレジスト形成方法は、ウエハの中心部にレジストを滴下した後、またはウエハの中心部にレジストを滴下しながら、ウエハをウエハの中心軸のまわりで回転させることによって、ウエハの外周部に、滴下されたレジストの盛り上がり部を形成する第１の塗布ステップと、第１の塗布ステップに続いて、ウエハを中心軸のまわりで回転させながら、レジストの滴下位置を中心部からウエハの外周部に向けて変化させて、ウエハにレジストを滴下する第２の塗布ステップと、を有している。
【０００９】
レジストはまずウエハの中心部に滴下され、ウエハの回転によってウエハの外周部に拡散していく。この工程によってウエハの中心部が全体的にレジストに覆われ、中心部における未塗布部分が発生しにくくなるとともに、外周部に盛り上がり部が形成される。レジストが外周部に向けて拡散していく際には、レジストはウエハ表面の凸部でトラップされやすいため、この時点ではウエハの中心部と外周部を除く範囲には未塗布部分が生じている可能性が高い。次に、ウエハを回転させ、滴下位置を変えながらレジストを滴下することによって、ウエハの中心部と外周部を除く部位の未塗布部分もレジストで覆われやすくなる。これは、レジストを中心部から滴下する際に形成されたレジストの軌跡とは全く別の軌跡に沿ってレジストが移動していくためである。しかも、第１の塗布ステップにおいてウエハの外周部に盛り上がり部が形成されているので、レジストがウエハ外に流出するおそれも少ない。このため、ウエハの全域がむらなくレジストで覆われる。
【００１０】
第２の塗布ステップは、レジストの滴下が終了した後さらにウエハを中心軸のまわりで回転させることによって、滴下されたレジストを拡散させることを含んでいることが望ましい。これによって、レジストの拡散がさらに促進され、ウエハ上のレジストの未塗布部分がさらに減少する。
【００１１】
第２の滴下ステップに続いて、ウエハを、中心軸のまわりで回転させることによって、レジストの膜厚を調整する膜厚調整ステップを有していてもよい。
【００１２】
膜厚調整ステップにおけるウエハの回転数は第２の滴下ステップにおけるウエハの回転数よりも大きくすることが望ましい。これによって、レジストのウエハ外周方向への拡散を促進し、所望の膜厚を得ることが容易となる。
【００１３】
第１の塗布ステップは、レジストの滴下が終了した後ウエハの回転数を上げることによって、滴下されたレジストを外周部に拡散させることを含んでいてもよい。また、第１の塗布ステップは、ウエハを静止させた状態でレジストを滴下させることと、レジストの滴下が終了した後ウエハを回転させることによって、滴下されたレジストを外周部に拡散させることと、を含んでいてもよい。
【００１４】
第２の塗布ステップは、レジストの滴下位置を中心部からウエハの外周部まで連続的に変化させることを含んでいることが望ましい。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば凹凸のあるウエハ表面にレジストを均一にむらなく形成する方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
まず、一般的なハードディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造方法において、読込み素子に係る部分の積層工程を図１〜１２を参照して説明する。各図は図ｘ（ａ）が平面図（ここで、ｘは図番（ｘ＝１〜１２）。以下同様。）、図ｘ（ｂ）が図ｘ（ａ）中ｘｂ−ｘｂ線で切断した断面図、図ｘ（ｃ）が図ｘ（ａ）中ｘｃ−ｘｃ線で切断した断面図、図ｘ（ｄ）が図ｘ（ａ）中ｘｄ−ｘｄ線で切断した断面図である。また、実際のウエハには多数の素子が形成されるが、各図では一つの素子の部分だけを切り出して示している。
【００１７】
（ステップ１）まず、図１に示すように、アルティックからなる基板１の上にアルミナからなる絶縁層２を成膜する。センサー素子１１（図８参照）はＥＳＤ（Electro-Static Discharge）によるダメージから防護される必要がある。そこで、センサー素子１１と基板１とを等電位にするため、センサー素子１１を上下から包囲する下部磁気シールド層７および上部磁気シールド層１６と基板１との間にプラグ８ｂ，１７ｂ（図１２参照）を設ける。そのための一手順として、絶縁層２上にレジスト３を形成し、プラグ８ｂ，１７ｂの形成される部位にフォトパターン４ｂを形成する。同様に、書き込みヘッド（図示せず）もＥＳＤによるダメージから防護される必要がある。そこで、書き込みヘッドと基板１とを等電位にするため、書き込みヘッドと基板１との間にもプラグ８ａ，１７ａ（図１２参照）を設けることが望ましい。そのための一手順として、プラグ８ａ，１７ａの形成される部位にフォトパターン４ａを形成する。
【００１８】
（ステップ２）次に、図２に示すように、イオンミリング、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）、ウェットエッチングなどを用いて絶縁層２にホール５ａ，５ｂを形成する。その後、ＮＭＰ（Ｎ-Methyl-2-Pyrrolidone）や一般的な有機溶剤を用いて、フォトレジスト３を絶縁層２から剥離する。
【００１９】
（ステップ３）次に、図３に示すように、センサー素子１１の下部磁気シールド層７を形成するため、スパッタ、蒸着法などを用いてシード層６を成膜する。
【００２０】
（ステップ４）次に、図４に示すように、フォトレジストにてパターンフレーム３１を形成した後、電気めっきにより、センサー素子１１が形成される部位の下方に下部磁気シールド層７を形成する。このとき同時に、ホール５ａ，５ｂ内およびその上方にもプラグ８ａ，８ｂを形成する。その後、上記と同様の方法によってパターンフレーム３１をシード層６から剥離する。
【００２１】
（ステップ５）次に、図５に示すように、下部磁気シールド層７とプラグ８ｂとを結ぶ領域に、フォトレジストを用いてマスキングカバーパターン９を形成する。これは、下部磁気シールド層７とプラグ８ｂとを等電位にするためにシード層６の一部をシャントパターンとして残し、かつその他の部分を除去するためである。
【００２２】
（ステップ６）次に、図６に示すように、シード層６のうち、マスキングカバーパターン９、下部磁気シールド層７、またはプラグ８ａ，８ｂで覆われていない部分を、イオンミリング等を用いて除去する。
【００２３】
（ステップ７）次に、図７に示すように、アルミナからなる絶縁層９をスパッタ等によって成膜し、その後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）を用いて、絶縁層９、下部磁気シールド層７、およびプラグ８ａ，８ｂの頂面を平坦化する。
【００２４】
（ステップ８）次に、図８に示すように、センサー素子１１およびリード部１２を形成する。センサー素子１１は十数種類の積層膜よりなる読み込みセンサーである。リード部１２はセンサー素子１１にセンス電流を供給するための導体である。基板１と書き込みセンサーとを等電位にするためのシャント用パターン１３もこの段階で形成する。
【００２５】
（ステップ９）次に、図９に示すように、アルミナ等からなる層間絶縁膜１４を形成し、ホール５ａ，５ｂと同様のホール３５ａ，３５ｂを形成する。次にシード層６と同様のシード層１５をスパッタ等で成膜する。その後フォトレジストでパターンフレーム３２を形成し、電気めっきにより、センサー素子１１が形成された部位の上方に上部磁気シールド層１６を形成する。このとき同時に、ホール３５ａ，３５ｂ内およびその上方にもプラグ１７ａ，１７ｂを形成する。その後、上記と同様の方法によってパターンフレーム３２をシード層１５から剥離する。
【００２６】
（ステップ１０）次に、図１０に示すように、上部磁気シールド層１６とプラグ１７ｂとを結ぶ領域に、フォトレジストを用いてマスキングカバーパターン１８を形成する。これは、上部磁気シールド層１６とプラグ１７ｂとを等電位にするために、シード層６の一部をシャントパターンとして残すためである。同様に、プラグ１７ｂ近傍にフォトレジストを用いてマスキングカバーパターン１９，２０を形成する。これは、書き込み素子を基板１と等電位にするために、プラグ１７ｂ近傍のシード層６の一部をシャントパターンとして残すためである。
【００２７】
（ステップ１１）次に、図１０に示すように、イオンミリング等を用いて、マスキングカバーパターン１８〜２０でカバーされていない部分のシード層１５を除去する。
【００２８】
（ステップ１２）最後に、図１２に示すように、アルミナからなる絶縁層２１をスパッタ等により成膜し、その後、ＣＭＰを用いて絶縁層２１およびプラグ１７ａ，１７ｂの頂面を平坦化する。その後、従来技術を用いて、引き続き書き込みヘッド部分を形成していく。
【００２９】
以上の製作工程において、レジストが塗布されるステップはステップ１，４，５，９，１０と多く存在している。これらのステップのうち、ステップ５はプラグ８ａ，８ｂが突出しており、ステップ１０ではプラグ１７ａ，１７ｂが突出しており、ウエハ表面の凹凸が大きい状態でレジストを塗布する必要がある。そのため、従来技術を用いてレジストを塗布すると、ウエハ外周面に向かうレジストの流れがウエハ表面の凸部（プラグ８ａ，８ｂ，１７ａ，１７ｂ）に妨害され、均等に塗布されないという問題を生じる。
【００３０】
本発明の実施形態においては、これらのステップにおいてレジストは以下のような多重スキャン方法に従って塗布される。表１は、本発明の実施形態によるレジスト塗布方法の手順を示す表である。表２は、本実施形態と対比するための、従来技術によるレジストの塗布方法を示す表である。各表で網掛けを施した部分が互いに異なる工程である。図１３は、表１のステップｃ〜ｇに対応したウエハの状況を示す概念図である。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】
（ステップａ）まず、ウエハＷを所定のウエハホルダー（図示せず）に搬入する。ウエハホルダーはウエハＷを回転可能に保持するとともに、レジストをウエハ表面に塗布するための装置であり、従来の設備をそのまま利用することができる。レジストＲを供給するノズル２５は原点（待機位置）にあり、ウエハＷも静止している。ウエハＷがステップ５の状態にある場合は、薄膜磁気ヘッドの読込み素子は後工程で形成される。ウエハがステップ１０の状態にある場合は、多数の読込み素子がすでに形成された状態にある。以下のステップはウエハがいずれの状態にある場合でも同様に適用することができる。
【００３４】
（ステップｂ）次に、ウエハＷがウエハホルダーに装着された状態で、ノズル２５をウエハＷの中心部に移動させる。
【００３５】
（ステップｃ：第１の塗布ステップ）次に、図１３（ａ）に示すように、一回目のレジスト滴下をウエハ中心部に対しておこなう。具体的には、ウエハの中心部にレジストＲを滴下しながら、ウエハＷを中心軸Ｃのまわりで低速で回転させることによって、レジストＲを遠心力でウエハＷの外周部へ拡散させていく。ウエハＷの回転数は１００ｒｐｍ以下が好ましい。あまり回転数を高くするとレジストＲがウエハＷの外周部から落下してしまうためである。しかし、あまり低速回転であると、レジストＲの径方向への拡散が十分に得られず、後述する盛り上がり部４１が形成されにくくなる。ウエハＷを静止させた状態でレジストＲを滴下してもよく、この場合もレジストＲの滴下量が増えていくに従って、レジストＲは徐々にウエハＷの外周部へ拡散していく。ウエハＷを静止させた状態でレジストＲを滴下すると、レジストが比較的長時間ウエハＷ中心部に滞留するので、中心部に未塗布部が生じにくくなり、レジストを均一に塗布することができる。なお、ステップｃ〜ｇのステップは一連の操作であり、連続的に実施してもよいし、間隔をおいて実施してもよい。
【００３６】
（ステップｄ）次に、図１３（ｂ）に示すように、レジストの滴下が終了した後、回転数をそのまま数秒から十数秒保持することで、中心部に塗布されたレジストＲをウエハＷ外周部へとさらに拡散させていく（スプレッド回転）。ステップｃよりウエハＷの回転数を上げてもよい。外周部に到達したレジストＲは表面張力によってウエハＷの外周部に保持される。その後も同一の回転数を保持することにより、外周部に向けて引き続き拡散していくレジストＲは外周部で保持され、ウエハＷの外周部に、レジストＲがウエハ中心部より厚く溜まったクラウン（盛り上がり部４１）が形成される。ウエハＷの回転数はレジストＲの拡散を促し盛り上がり部４１が形成され、かつウエハＷの外周からのレジストＲの流出が生じないように設定することが望ましく、具体的には１００ｒｐｍ以内とするのがよい。本ステップは、ウエハＷの外周部に盛り上がり部４１を形成することを目的とする。したがって、レジストＲが拡散していく経路となるウエハＷの中間部（中心部と外周部の中間領域）は、レジストＲがウエハ上のプラグ８ａ，８ｂまたはプラグ１７ａ，１７ｂにトラップされ、レジストＲが未塗布の部位も存在している可能性がある。なお、ステップｃでウエハＷを静止させた状態でレジストＲを滴下させた場合は、レジストＲの滴下が終了した後ウエハＷを回転させることによって、滴下されたレジストＲを外周部に拡散させる。
【００３７】
（ステップｅ：第２の塗布ステップ）次に、図１３（ｃ）に示すように、ウエハＷを中心軸Ｃのまわりで回転させながら、レジストＲの滴下位置を中心部からウエハＷの外周部に向けて変化させて、ウエハＷにレジストＲを滴下する。レジストＲの滴下位置がステップｃと異なっているため、レジストはステップｃとは異なる拡散経路を辿ることができる。このため、未塗布部分にレジストＲが直接滴下されやすく、直接滴下されない場合でも、近傍の塗布されたレジストＲと表面張力で結合しやすくなる。さらに、外周部分に集約していたレジストＲと新たに供給されたレジストＲとが表面張力で結びつく効果も期待できる。このように、第２の塗布ステップによって未塗布部分が一層解消されていく。ウエハＷの回転数は滴下されたレジストを拡散させるためステップｄと同程度が望ましい。
【００３８】
レジストＲの滴下位置は中心部から外周部に向けて離散的に（ステップ状に）変化させてもよいが、中心部からウエハＷの外周部まで連続的に変化させるほうが、ウエハＷの全域に、より一層均等にレジストＲを滴下することができるので好ましい。この場合、レジストＲはらせん状の経路で滴下されるため、ウエハＷの各角度位置においてレジストの滴下された部分と滴下されない部分とが混在している。しかし、レジストＲはウエハＷの回転により外周部に向かって移動するので、レジスト間の未滴下領域にも拡散されていく。
【００３９】
ステップｄにおいてノズル２５はウエハＷの中心部にあるので、ノズル２５は中心部から外周部に向かって移動させるほうが好ましいが、外周部から中心部に向けて移動させることも可能である。さらに、中心部から外周部への動きを複数回繰返したり、中心部と外周部との間を往復運動させるなど、ノズルの移動パターンは適宜設定することができる。その際、レジストの滴下位置をノズルの移動毎に変えれば、未塗布部分を解消する効果は一層高められる。
【００４０】
（ステップｆ）次に、図１３（ｄ）に示すように、レジストの滴下が終了した後さらにウエハＷを中心軸のまわりで回転させることによって、滴下されたレジストＲを拡散させる。ステップｅの終了時においてもレジストＲはウエハＷのほぼ全域に拡散されているが、まだ未塗布部分が残っている可能性がある。本ステップではさらにウエハＷの回転数を上げることによってレジストＲの拡散を促し、未塗布部分を解消する。ステップｅでレジストＲを追加塗布しているので、盛り上がり部４１はさらに高く形成されている。従って、ウエハ回転数をさらに増加してもレジストＲがウエハＷから流出するおそれは小さい。そこで、ウエハ回転数は１００ｒｐｍ以上とすることが好ましい。ステップｆの終了時には、ウエハ上には、盛り上がり部４１をダムとして、盛り上がり部４１の内側にレジストＲが均等な膜厚で形成され、かつ未塗布部分も従来技術とくらべて大きく解消され、または完全に解消された状態となっている。
【００４１】
（ステップｇ：膜厚調整ステップ）次に、図１３（ｅ）に示すように、ウエハＷを中心軸Ｃのまわりで回転させることによって、レジストＲの膜厚を調整する。レジストＲは遠心力によってさらにウエハＷの外周側に拡散していき、外周部以外のレジストＲの膜厚は減少していく。すでにウエハＷの全域にレジストＲが塗布されているので、レジストＲが剥離するおそれはなく、膜厚は全体的に減少していく。本ステップはステップｆで代用することもできる。なお、本ステップはレジストＲの外周部への移動を目的とするので、少なくともステップｆと同等（１００ｒｐｍ以上）、またはそれ以上の回転数とすることが望ましい。具体的な回転数は所望の膜厚に応じて決定することが望ましい。
【００４２】
これに対して、表２に示す従来技術の塗布方法によれば、ステップａ，ｂは本実施形態と同様であるが、ステップｃ’でレジストを滴下し、ステップｅ’でレジストを拡散させるためのスプレッド回転を行っているだけである。この方法では、ステップｃ’でウエハ中心のまわりにレジストが塗布され、その後のウエハの回転によってレジストが外周に移動する。その際レジストは径方向に延びる多数の線状の拡散ルートに沿って放射状に拡散していくが、いったん拡散ルートができでしまうと、レジストの滴下量を増加しても最初についた軌跡を追従していくので、ウエハの全域に行き渡ることは難しい。
【００４３】
一方、本実施形態では第１回目の滴下はウエハの中心におこない、第２回目の滴下はウエハの中心から連続的に外周方向に位置を変えながらおこなうので、第２回目に滴下されたレジストは既存の軌跡に拘束されずに拡散し、未塗布部分にも有効に塗布される。しかも、第１回目の滴下においてウエハ外周に盛り上がり部４１が形成されているので、拡散したレジストと盛り上がり部４１を構成するレジストとが表面張力で結合し、外周部近傍の未塗布部分にも有効に塗布される。第１回目の滴下はウエハの中心に対しておこなっているので、未塗布部分や膜厚の不足部分の発生しやすいウエハ中央部にもレジストがむらなく形成される。盛り上がり部４１はダムとしても機能するので、滴下したレジストをウエハ内に無駄なく滞留させることができ、ウエハ全面がレジストで覆われた状態が形成される。その後、所望の膜厚となるようにウエハ回転数を制御することで、ウエハ全面を所定の膜厚のレジストで覆うことが可能になり、パターン欠陥の発生を有効に防止することができる。
【００４４】
以上、薄膜磁気ヘッドの製造工程におけるウエハへのレジスト形成方法を述べたが、本方法は薄膜磁気ヘッドの製造工程だけでなく、一般の半導体装置の製造工程においても、ウエハ表面に凹凸がある状態でレジストを形成する場合に同様に適用できることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図２】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図３】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図４】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図５】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図６】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図７】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図８】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図９】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図１０】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図１１】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図１２】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図１３】表１のステップｃ〜ｇに対応したウエハの状況を示す概念図である。
【図１４】スピンコーティング法を用いたレジストの塗布方法を示す概念図である。
【符号の説明】
【００４６】
１ 基板
２ 絶縁層
３ レジスト
６，１５ シード層
７ 下部磁気シールド層
８ａ，８ｂ プラグ
９，１８，１９，２０ マスキングカバーパターン
１１ センサー素子
１２ リード部
１３ シャント用パターン
１６ 上部磁気シールド層
１７ａ，１７ｂ プラグ
２５ ノズル
３１，３２ パターンフレーム
４１ 盛り上がり部
Ｗ ウエハ
Ｒ レジスト
【技術分野】
【０００１】
本発明はウエハへのレジスト形成方法に関し、特にレジストをウエハに均一に塗布する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜磁気ヘッドの製造工程は、半導体プロセス技術を利用したウエハ上への積層工程を含んでいる。ウエハ上への積層工程においては、他の多くの半導体装置と同様、成膜した膜のパターン化や、所定の平面形状を有する膜の成膜などの目的でフォトレジスト（以下、レジストという。）が頻繁に用いられている。図１４は、スピンコーティング法を用いたレジストの塗布方法を示す概念図である。スピンコーティング法では、ウエハＷの中心部にレジストＲを滴下した後ウエハＷを回転させ、遠心力を利用してレジストＲをウエハＷ全面に拡散させる。
【０００３】
ウエハ上には多数の素子が同時に形成されるためレジストを均一に塗布することが重要である。このため、特許文献１には、レジストを吐出させるノズルをウエハの中央部から周辺部まで径方向に沿って等速移動させながらレジストを滴下する技術が開示されている。同文献には、ノズルを基板の周辺部から中央部に径方向に沿って等速移動させる技術も述べられている。
【０００４】
特許文献２には、レジストの膜厚の均一化およびレジストのウエハからの落下防止のため、ノズル位置をウエハ中央部に固定した状態で、レジストの粘度を時間とともに低下させながらレジストを滴下する技術が開示されている。初期段階でウエハ上に滴下されたレジストは遠心力によってウエハの外周部に到達するが、粘度が高いためウエハの外周部にとどまりやすくなり、ウエハ外への落下が防止され、レジストの節約が可能となる。粘度の調整は、レジストに混合するシンナの量を制御することによっておこなわれる。
【特許文献１】特開２０００−３５０９５５号公報
【特許文献２】特開２００２−０４５７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
スピンコーティング法は、レジストを滴下するウエハ表面が平坦である場合には均一な膜厚の膜が得られやすく、ウエハの一部が未塗布のままとなることもほとんどない。しかし、薄膜磁気ヘッドの積層工程では、シャントパターンの作成等のため、途中段階で多くの段差あるいは凹凸がウエハ上に形成されており、その状態でレジストを塗布することが多い（詳細は実施形態を参照。）。レジストを段差の多いウエハ表面に塗布する場合、レジストの移動が凸部によって妨害され、レジストはウエハの全角度方向に均一に拡散していかない。この結果、レジストが径方向に延びる多数の線状の拡散ルートに沿って放射状に拡がる傾向が生じ、部分的にレジストが行き渡らない部位が生じる。この現象は、レジストが低粘度の場合や、レジストが濡れにくい溶剤や揮発性の高い溶剤を含む場合に顕著となる。レジストが行き渡らない部位は露光、現像後にパターン欠陥を生じる。ウエハ表面が部分的にレジストに覆われない現象は、レジストの滴下量を増加しても劇的には改善されない。これは、レジストがウエハ表面を放射状に拡散していく傾向が一度付いてしまと、レジスト滴下量を増加しても、レジストはその軌跡に従いウエハの外周部に移動していくためである。この結果、滴下されたレジストはレジストに覆われていない部位を覆うことなくウエハから落下してしまう。
【０００６】
特許文献１に記載の技術はウエハを回転させながらレジストを滴下するため、ウエハの外周部にはレジストが拡散しやすいが、逆に中央部にレジストが留まりにくい。このため、ウエハ中央部に未塗布部分が生じやすく、ウエハ中央部のパターン欠陥が生じやすい。特許文献２に記載の技術はレジストの粘度を時間とともに調整する必要があるため、工程の増加を招くだけでなく、複雑な混合装置を必要とする。同特許文献に示されているように、複数の粘度を有するレジストを別々のタンクにあらかじめ保有しておくことも考えられるが、切替装置などの設備コストが必要となる。レジストの温度を調整して粘度を変更することも考えられるが、温度毎（粘度毎）に温度調整装置が必要となるため同様の問題がある。
【０００７】
本発明はこのような従来技術の課題を解決するためになされたものであり、凹凸のあるウエハ表面にレジストを均一にむらなく形成する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のウエハへのレジスト形成方法は、ウエハの中心部にレジストを滴下した後、またはウエハの中心部にレジストを滴下しながら、ウエハをウエハの中心軸のまわりで回転させることによって、ウエハの外周部に、滴下されたレジストの盛り上がり部を形成する第１の塗布ステップと、第１の塗布ステップに続いて、ウエハを中心軸のまわりで回転させながら、レジストの滴下位置を中心部からウエハの外周部に向けて変化させて、ウエハにレジストを滴下する第２の塗布ステップと、を有している。
【０００９】
レジストはまずウエハの中心部に滴下され、ウエハの回転によってウエハの外周部に拡散していく。この工程によってウエハの中心部が全体的にレジストに覆われ、中心部における未塗布部分が発生しにくくなるとともに、外周部に盛り上がり部が形成される。レジストが外周部に向けて拡散していく際には、レジストはウエハ表面の凸部でトラップされやすいため、この時点ではウエハの中心部と外周部を除く範囲には未塗布部分が生じている可能性が高い。次に、ウエハを回転させ、滴下位置を変えながらレジストを滴下することによって、ウエハの中心部と外周部を除く部位の未塗布部分もレジストで覆われやすくなる。これは、レジストを中心部から滴下する際に形成されたレジストの軌跡とは全く別の軌跡に沿ってレジストが移動していくためである。しかも、第１の塗布ステップにおいてウエハの外周部に盛り上がり部が形成されているので、レジストがウエハ外に流出するおそれも少ない。このため、ウエハの全域がむらなくレジストで覆われる。
【００１０】
第２の塗布ステップは、レジストの滴下が終了した後さらにウエハを中心軸のまわりで回転させることによって、滴下されたレジストを拡散させることを含んでいることが望ましい。これによって、レジストの拡散がさらに促進され、ウエハ上のレジストの未塗布部分がさらに減少する。
【００１１】
第２の滴下ステップに続いて、ウエハを、中心軸のまわりで回転させることによって、レジストの膜厚を調整する膜厚調整ステップを有していてもよい。
【００１２】
膜厚調整ステップにおけるウエハの回転数は第２の滴下ステップにおけるウエハの回転数よりも大きくすることが望ましい。これによって、レジストのウエハ外周方向への拡散を促進し、所望の膜厚を得ることが容易となる。
【００１３】
第１の塗布ステップは、レジストの滴下が終了した後ウエハの回転数を上げることによって、滴下されたレジストを外周部に拡散させることを含んでいてもよい。また、第１の塗布ステップは、ウエハを静止させた状態でレジストを滴下させることと、レジストの滴下が終了した後ウエハを回転させることによって、滴下されたレジストを外周部に拡散させることと、を含んでいてもよい。
【００１４】
第２の塗布ステップは、レジストの滴下位置を中心部からウエハの外周部まで連続的に変化させることを含んでいることが望ましい。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば凹凸のあるウエハ表面にレジストを均一にむらなく形成する方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
まず、一般的なハードディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造方法において、読込み素子に係る部分の積層工程を図１〜１２を参照して説明する。各図は図ｘ（ａ）が平面図（ここで、ｘは図番（ｘ＝１〜１２）。以下同様。）、図ｘ（ｂ）が図ｘ（ａ）中ｘｂ−ｘｂ線で切断した断面図、図ｘ（ｃ）が図ｘ（ａ）中ｘｃ−ｘｃ線で切断した断面図、図ｘ（ｄ）が図ｘ（ａ）中ｘｄ−ｘｄ線で切断した断面図である。また、実際のウエハには多数の素子が形成されるが、各図では一つの素子の部分だけを切り出して示している。
【００１７】
（ステップ１）まず、図１に示すように、アルティックからなる基板１の上にアルミナからなる絶縁層２を成膜する。センサー素子１１（図８参照）はＥＳＤ（Electro-Static Discharge）によるダメージから防護される必要がある。そこで、センサー素子１１と基板１とを等電位にするため、センサー素子１１を上下から包囲する下部磁気シールド層７および上部磁気シールド層１６と基板１との間にプラグ８ｂ，１７ｂ（図１２参照）を設ける。そのための一手順として、絶縁層２上にレジスト３を形成し、プラグ８ｂ，１７ｂの形成される部位にフォトパターン４ｂを形成する。同様に、書き込みヘッド（図示せず）もＥＳＤによるダメージから防護される必要がある。そこで、書き込みヘッドと基板１とを等電位にするため、書き込みヘッドと基板１との間にもプラグ８ａ，１７ａ（図１２参照）を設けることが望ましい。そのための一手順として、プラグ８ａ，１７ａの形成される部位にフォトパターン４ａを形成する。
【００１８】
（ステップ２）次に、図２に示すように、イオンミリング、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）、ウェットエッチングなどを用いて絶縁層２にホール５ａ，５ｂを形成する。その後、ＮＭＰ（Ｎ-Methyl-2-Pyrrolidone）や一般的な有機溶剤を用いて、フォトレジスト３を絶縁層２から剥離する。
【００１９】
（ステップ３）次に、図３に示すように、センサー素子１１の下部磁気シールド層７を形成するため、スパッタ、蒸着法などを用いてシード層６を成膜する。
【００２０】
（ステップ４）次に、図４に示すように、フォトレジストにてパターンフレーム３１を形成した後、電気めっきにより、センサー素子１１が形成される部位の下方に下部磁気シールド層７を形成する。このとき同時に、ホール５ａ，５ｂ内およびその上方にもプラグ８ａ，８ｂを形成する。その後、上記と同様の方法によってパターンフレーム３１をシード層６から剥離する。
【００２１】
（ステップ５）次に、図５に示すように、下部磁気シールド層７とプラグ８ｂとを結ぶ領域に、フォトレジストを用いてマスキングカバーパターン９を形成する。これは、下部磁気シールド層７とプラグ８ｂとを等電位にするためにシード層６の一部をシャントパターンとして残し、かつその他の部分を除去するためである。
【００２２】
（ステップ６）次に、図６に示すように、シード層６のうち、マスキングカバーパターン９、下部磁気シールド層７、またはプラグ８ａ，８ｂで覆われていない部分を、イオンミリング等を用いて除去する。
【００２３】
（ステップ７）次に、図７に示すように、アルミナからなる絶縁層９をスパッタ等によって成膜し、その後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）を用いて、絶縁層９、下部磁気シールド層７、およびプラグ８ａ，８ｂの頂面を平坦化する。
【００２４】
（ステップ８）次に、図８に示すように、センサー素子１１およびリード部１２を形成する。センサー素子１１は十数種類の積層膜よりなる読み込みセンサーである。リード部１２はセンサー素子１１にセンス電流を供給するための導体である。基板１と書き込みセンサーとを等電位にするためのシャント用パターン１３もこの段階で形成する。
【００２５】
（ステップ９）次に、図９に示すように、アルミナ等からなる層間絶縁膜１４を形成し、ホール５ａ，５ｂと同様のホール３５ａ，３５ｂを形成する。次にシード層６と同様のシード層１５をスパッタ等で成膜する。その後フォトレジストでパターンフレーム３２を形成し、電気めっきにより、センサー素子１１が形成された部位の上方に上部磁気シールド層１６を形成する。このとき同時に、ホール３５ａ，３５ｂ内およびその上方にもプラグ１７ａ，１７ｂを形成する。その後、上記と同様の方法によってパターンフレーム３２をシード層１５から剥離する。
【００２６】
（ステップ１０）次に、図１０に示すように、上部磁気シールド層１６とプラグ１７ｂとを結ぶ領域に、フォトレジストを用いてマスキングカバーパターン１８を形成する。これは、上部磁気シールド層１６とプラグ１７ｂとを等電位にするために、シード層６の一部をシャントパターンとして残すためである。同様に、プラグ１７ｂ近傍にフォトレジストを用いてマスキングカバーパターン１９，２０を形成する。これは、書き込み素子を基板１と等電位にするために、プラグ１７ｂ近傍のシード層６の一部をシャントパターンとして残すためである。
【００２７】
（ステップ１１）次に、図１０に示すように、イオンミリング等を用いて、マスキングカバーパターン１８〜２０でカバーされていない部分のシード層１５を除去する。
【００２８】
（ステップ１２）最後に、図１２に示すように、アルミナからなる絶縁層２１をスパッタ等により成膜し、その後、ＣＭＰを用いて絶縁層２１およびプラグ１７ａ，１７ｂの頂面を平坦化する。その後、従来技術を用いて、引き続き書き込みヘッド部分を形成していく。
【００２９】
以上の製作工程において、レジストが塗布されるステップはステップ１，４，５，９，１０と多く存在している。これらのステップのうち、ステップ５はプラグ８ａ，８ｂが突出しており、ステップ１０ではプラグ１７ａ，１７ｂが突出しており、ウエハ表面の凹凸が大きい状態でレジストを塗布する必要がある。そのため、従来技術を用いてレジストを塗布すると、ウエハ外周面に向かうレジストの流れがウエハ表面の凸部（プラグ８ａ，８ｂ，１７ａ，１７ｂ）に妨害され、均等に塗布されないという問題を生じる。
【００３０】
本発明の実施形態においては、これらのステップにおいてレジストは以下のような多重スキャン方法に従って塗布される。表１は、本発明の実施形態によるレジスト塗布方法の手順を示す表である。表２は、本実施形態と対比するための、従来技術によるレジストの塗布方法を示す表である。各表で網掛けを施した部分が互いに異なる工程である。図１３は、表１のステップｃ〜ｇに対応したウエハの状況を示す概念図である。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】
（ステップａ）まず、ウエハＷを所定のウエハホルダー（図示せず）に搬入する。ウエハホルダーはウエハＷを回転可能に保持するとともに、レジストをウエハ表面に塗布するための装置であり、従来の設備をそのまま利用することができる。レジストＲを供給するノズル２５は原点（待機位置）にあり、ウエハＷも静止している。ウエハＷがステップ５の状態にある場合は、薄膜磁気ヘッドの読込み素子は後工程で形成される。ウエハがステップ１０の状態にある場合は、多数の読込み素子がすでに形成された状態にある。以下のステップはウエハがいずれの状態にある場合でも同様に適用することができる。
【００３４】
（ステップｂ）次に、ウエハＷがウエハホルダーに装着された状態で、ノズル２５をウエハＷの中心部に移動させる。
【００３５】
（ステップｃ：第１の塗布ステップ）次に、図１３（ａ）に示すように、一回目のレジスト滴下をウエハ中心部に対しておこなう。具体的には、ウエハの中心部にレジストＲを滴下しながら、ウエハＷを中心軸Ｃのまわりで低速で回転させることによって、レジストＲを遠心力でウエハＷの外周部へ拡散させていく。ウエハＷの回転数は１００ｒｐｍ以下が好ましい。あまり回転数を高くするとレジストＲがウエハＷの外周部から落下してしまうためである。しかし、あまり低速回転であると、レジストＲの径方向への拡散が十分に得られず、後述する盛り上がり部４１が形成されにくくなる。ウエハＷを静止させた状態でレジストＲを滴下してもよく、この場合もレジストＲの滴下量が増えていくに従って、レジストＲは徐々にウエハＷの外周部へ拡散していく。ウエハＷを静止させた状態でレジストＲを滴下すると、レジストが比較的長時間ウエハＷ中心部に滞留するので、中心部に未塗布部が生じにくくなり、レジストを均一に塗布することができる。なお、ステップｃ〜ｇのステップは一連の操作であり、連続的に実施してもよいし、間隔をおいて実施してもよい。
【００３６】
（ステップｄ）次に、図１３（ｂ）に示すように、レジストの滴下が終了した後、回転数をそのまま数秒から十数秒保持することで、中心部に塗布されたレジストＲをウエハＷ外周部へとさらに拡散させていく（スプレッド回転）。ステップｃよりウエハＷの回転数を上げてもよい。外周部に到達したレジストＲは表面張力によってウエハＷの外周部に保持される。その後も同一の回転数を保持することにより、外周部に向けて引き続き拡散していくレジストＲは外周部で保持され、ウエハＷの外周部に、レジストＲがウエハ中心部より厚く溜まったクラウン（盛り上がり部４１）が形成される。ウエハＷの回転数はレジストＲの拡散を促し盛り上がり部４１が形成され、かつウエハＷの外周からのレジストＲの流出が生じないように設定することが望ましく、具体的には１００ｒｐｍ以内とするのがよい。本ステップは、ウエハＷの外周部に盛り上がり部４１を形成することを目的とする。したがって、レジストＲが拡散していく経路となるウエハＷの中間部（中心部と外周部の中間領域）は、レジストＲがウエハ上のプラグ８ａ，８ｂまたはプラグ１７ａ，１７ｂにトラップされ、レジストＲが未塗布の部位も存在している可能性がある。なお、ステップｃでウエハＷを静止させた状態でレジストＲを滴下させた場合は、レジストＲの滴下が終了した後ウエハＷを回転させることによって、滴下されたレジストＲを外周部に拡散させる。
【００３７】
（ステップｅ：第２の塗布ステップ）次に、図１３（ｃ）に示すように、ウエハＷを中心軸Ｃのまわりで回転させながら、レジストＲの滴下位置を中心部からウエハＷの外周部に向けて変化させて、ウエハＷにレジストＲを滴下する。レジストＲの滴下位置がステップｃと異なっているため、レジストはステップｃとは異なる拡散経路を辿ることができる。このため、未塗布部分にレジストＲが直接滴下されやすく、直接滴下されない場合でも、近傍の塗布されたレジストＲと表面張力で結合しやすくなる。さらに、外周部分に集約していたレジストＲと新たに供給されたレジストＲとが表面張力で結びつく効果も期待できる。このように、第２の塗布ステップによって未塗布部分が一層解消されていく。ウエハＷの回転数は滴下されたレジストを拡散させるためステップｄと同程度が望ましい。
【００３８】
レジストＲの滴下位置は中心部から外周部に向けて離散的に（ステップ状に）変化させてもよいが、中心部からウエハＷの外周部まで連続的に変化させるほうが、ウエハＷの全域に、より一層均等にレジストＲを滴下することができるので好ましい。この場合、レジストＲはらせん状の経路で滴下されるため、ウエハＷの各角度位置においてレジストの滴下された部分と滴下されない部分とが混在している。しかし、レジストＲはウエハＷの回転により外周部に向かって移動するので、レジスト間の未滴下領域にも拡散されていく。
【００３９】
ステップｄにおいてノズル２５はウエハＷの中心部にあるので、ノズル２５は中心部から外周部に向かって移動させるほうが好ましいが、外周部から中心部に向けて移動させることも可能である。さらに、中心部から外周部への動きを複数回繰返したり、中心部と外周部との間を往復運動させるなど、ノズルの移動パターンは適宜設定することができる。その際、レジストの滴下位置をノズルの移動毎に変えれば、未塗布部分を解消する効果は一層高められる。
【００４０】
（ステップｆ）次に、図１３（ｄ）に示すように、レジストの滴下が終了した後さらにウエハＷを中心軸のまわりで回転させることによって、滴下されたレジストＲを拡散させる。ステップｅの終了時においてもレジストＲはウエハＷのほぼ全域に拡散されているが、まだ未塗布部分が残っている可能性がある。本ステップではさらにウエハＷの回転数を上げることによってレジストＲの拡散を促し、未塗布部分を解消する。ステップｅでレジストＲを追加塗布しているので、盛り上がり部４１はさらに高く形成されている。従って、ウエハ回転数をさらに増加してもレジストＲがウエハＷから流出するおそれは小さい。そこで、ウエハ回転数は１００ｒｐｍ以上とすることが好ましい。ステップｆの終了時には、ウエハ上には、盛り上がり部４１をダムとして、盛り上がり部４１の内側にレジストＲが均等な膜厚で形成され、かつ未塗布部分も従来技術とくらべて大きく解消され、または完全に解消された状態となっている。
【００４１】
（ステップｇ：膜厚調整ステップ）次に、図１３（ｅ）に示すように、ウエハＷを中心軸Ｃのまわりで回転させることによって、レジストＲの膜厚を調整する。レジストＲは遠心力によってさらにウエハＷの外周側に拡散していき、外周部以外のレジストＲの膜厚は減少していく。すでにウエハＷの全域にレジストＲが塗布されているので、レジストＲが剥離するおそれはなく、膜厚は全体的に減少していく。本ステップはステップｆで代用することもできる。なお、本ステップはレジストＲの外周部への移動を目的とするので、少なくともステップｆと同等（１００ｒｐｍ以上）、またはそれ以上の回転数とすることが望ましい。具体的な回転数は所望の膜厚に応じて決定することが望ましい。
【００４２】
これに対して、表２に示す従来技術の塗布方法によれば、ステップａ，ｂは本実施形態と同様であるが、ステップｃ’でレジストを滴下し、ステップｅ’でレジストを拡散させるためのスプレッド回転を行っているだけである。この方法では、ステップｃ’でウエハ中心のまわりにレジストが塗布され、その後のウエハの回転によってレジストが外周に移動する。その際レジストは径方向に延びる多数の線状の拡散ルートに沿って放射状に拡散していくが、いったん拡散ルートができでしまうと、レジストの滴下量を増加しても最初についた軌跡を追従していくので、ウエハの全域に行き渡ることは難しい。
【００４３】
一方、本実施形態では第１回目の滴下はウエハの中心におこない、第２回目の滴下はウエハの中心から連続的に外周方向に位置を変えながらおこなうので、第２回目に滴下されたレジストは既存の軌跡に拘束されずに拡散し、未塗布部分にも有効に塗布される。しかも、第１回目の滴下においてウエハ外周に盛り上がり部４１が形成されているので、拡散したレジストと盛り上がり部４１を構成するレジストとが表面張力で結合し、外周部近傍の未塗布部分にも有効に塗布される。第１回目の滴下はウエハの中心に対しておこなっているので、未塗布部分や膜厚の不足部分の発生しやすいウエハ中央部にもレジストがむらなく形成される。盛り上がり部４１はダムとしても機能するので、滴下したレジストをウエハ内に無駄なく滞留させることができ、ウエハ全面がレジストで覆われた状態が形成される。その後、所望の膜厚となるようにウエハ回転数を制御することで、ウエハ全面を所定の膜厚のレジストで覆うことが可能になり、パターン欠陥の発生を有効に防止することができる。
【００４４】
以上、薄膜磁気ヘッドの製造工程におけるウエハへのレジスト形成方法を述べたが、本方法は薄膜磁気ヘッドの製造工程だけでなく、一般の半導体装置の製造工程においても、ウエハ表面に凹凸がある状態でレジストを形成する場合に同様に適用できることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図２】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図３】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図４】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図５】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図６】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図７】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図８】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図９】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図１０】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図１１】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図１２】薄膜磁気ヘッドの読込み素子に係る部分の積層工程を示す概念図である。
【図１３】表１のステップｃ〜ｇに対応したウエハの状況を示す概念図である。
【図１４】スピンコーティング法を用いたレジストの塗布方法を示す概念図である。
【符号の説明】
【００４６】
１ 基板
２ 絶縁層
３ レジスト
６，１５ シード層
７ 下部磁気シールド層
８ａ，８ｂ プラグ
９，１８，１９，２０ マスキングカバーパターン
１１ センサー素子
１２ リード部
１３ シャント用パターン
１６ 上部磁気シールド層
１７ａ，１７ｂ プラグ
２５ ノズル
３１，３２ パターンフレーム
４１ 盛り上がり部
Ｗ ウエハ
Ｒ レジスト
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハの中心部にレジストを滴下した後、またはウエハの中心部にレジストを滴下しながら、前記ウエハを該ウエハの中心軸のまわりで回転させることによって、該ウエハの外周部に、滴下された前記レジストの盛り上がり部を形成する第１の塗布ステップと、
前記第１の塗布ステップに続いて、前記ウエハを前記中心軸のまわりで回転させながら、レジストの滴下位置を前記中心部から該ウエハの外周部に向けて変化させて、該ウエハにレジストを滴下する第２の塗布ステップと、
を有する、ウエハへのレジスト形成方法。
【請求項２】
前記第２の塗布ステップは、前記レジストの滴下が終了した後さらに前記ウエハを前記中心軸のまわりで回転させることによって、滴下された前記レジストを拡散させることを含む、請求項１に記載のレジスト形成方法。
【請求項３】
前記第２の滴下ステップに続いて、前記ウエハを、前記中心軸のまわりで回転させることによって、前記レジストの膜厚を調整する膜厚調整ステップを有する、請求項１または２に記載のレジスト形成方法。
【請求項４】
前記膜厚調整ステップにおける前記ウエハの回転数は前記第２の滴下ステップにおける前記ウエハの回転数よりも大きい、請求項３に記載のレジスト形成方法。
【請求項５】
前記第１の塗布ステップは、前記レジストの滴下が終了した後前記ウエハの回転数を上げることによって、滴下された前記レジストを前記外周部に拡散させることを含む、請求項１から４のいずれか１項に記載のレジスト形成方法。
【請求項６】
前記第１の塗布ステップは、
前記ウエハを静止させた状態で前記レジストを滴下させることと、
前記レジストの滴下が終了した後前記ウエハを回転させることによって、滴下された前記レジストを前記外周部に拡散させることと、
を含む、請求項１から４のいずれか１項に記載のレジスト形成方法。
【請求項７】
前記第２の塗布ステップは、前記レジストの滴下位置を前記中心部から該ウエハの外周部まで連続的に変化させることを含む、請求項１から６のいずれか１項に記載のレジスト形成方法。
【請求項８】
前記ウエハは、薄膜磁気ヘッドの読込み素子が多数形成された、または形成されるべきウエハである、請求項１から７のいずれか１項に記載のレジスト形成方法。
【請求項１】
ウエハの中心部にレジストを滴下した後、またはウエハの中心部にレジストを滴下しながら、前記ウエハを該ウエハの中心軸のまわりで回転させることによって、該ウエハの外周部に、滴下された前記レジストの盛り上がり部を形成する第１の塗布ステップと、
前記第１の塗布ステップに続いて、前記ウエハを前記中心軸のまわりで回転させながら、レジストの滴下位置を前記中心部から該ウエハの外周部に向けて変化させて、該ウエハにレジストを滴下する第２の塗布ステップと、
を有する、ウエハへのレジスト形成方法。
【請求項２】
前記第２の塗布ステップは、前記レジストの滴下が終了した後さらに前記ウエハを前記中心軸のまわりで回転させることによって、滴下された前記レジストを拡散させることを含む、請求項１に記載のレジスト形成方法。
【請求項３】
前記第２の滴下ステップに続いて、前記ウエハを、前記中心軸のまわりで回転させることによって、前記レジストの膜厚を調整する膜厚調整ステップを有する、請求項１または２に記載のレジスト形成方法。
【請求項４】
前記膜厚調整ステップにおける前記ウエハの回転数は前記第２の滴下ステップにおける前記ウエハの回転数よりも大きい、請求項３に記載のレジスト形成方法。
【請求項５】
前記第１の塗布ステップは、前記レジストの滴下が終了した後前記ウエハの回転数を上げることによって、滴下された前記レジストを前記外周部に拡散させることを含む、請求項１から４のいずれか１項に記載のレジスト形成方法。
【請求項６】
前記第１の塗布ステップは、
前記ウエハを静止させた状態で前記レジストを滴下させることと、
前記レジストの滴下が終了した後前記ウエハを回転させることによって、滴下された前記レジストを前記外周部に拡散させることと、
を含む、請求項１から４のいずれか１項に記載のレジスト形成方法。
【請求項７】
前記第２の塗布ステップは、前記レジストの滴下位置を前記中心部から該ウエハの外周部まで連続的に変化させることを含む、請求項１から６のいずれか１項に記載のレジスト形成方法。
【請求項８】
前記ウエハは、薄膜磁気ヘッドの読込み素子が多数形成された、または形成されるべきウエハである、請求項１から７のいずれか１項に記載のレジスト形成方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００８−１０８８３８（Ｐ２００８−１０８８３８Ａ）
【公開日】平成２０年５月８日（２００８．５．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２８８９４４（Ｐ２００６−２８８９４４）
【出願日】平成１８年１０月２４日（２００６．１０．２４）
【出願人】（５００３９３８９３）新科實業有限公司 (361)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＥ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ（Ｈ．Ｋ．）Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】ＳＡＥ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｒｅ， ６ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ Ｅａｓｔ Ａｖｅｎｕｅ， Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ， Ｓｈａｔｉｎ， Ｎ．Ｔ．， Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ
【出願人】（５０４３２００８６）新科技研有限公司 (17)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＥ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ（Ｈ．Ｋ．）Ｌｉｍｉｔｅｄ
【住所又は居所原語表記】ＳＡＥ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｒｅ，６ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ Ｅａｓｔ Ａｖｅｎｕｅ，Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ，Ｓｈａｔｉｎ，Ｎ．Ｔ．，Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年５月８日（２００８．５．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１０月２４日（２００６．１０．２４）
【出願人】（５００３９３８９３）新科實業有限公司 (361)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＥ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ（Ｈ．Ｋ．）Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】ＳＡＥ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｒｅ， ６ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ Ｅａｓｔ Ａｖｅｎｕｅ， Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ， Ｓｈａｔｉｎ， Ｎ．Ｔ．， Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ
【出願人】（５０４３２００８６）新科技研有限公司 (17)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＥ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ（Ｈ．Ｋ．）Ｌｉｍｉｔｅｄ
【住所又は居所原語表記】ＳＡＥ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｒｅ，６ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ Ｅａｓｔ Ａｖｅｎｕｅ，Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ，Ｓｈａｔｉｎ，Ｎ．Ｔ．，Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ
【Ｆターム（参考）】
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