ガス処理装置
【課題】プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素の変化に対して、ガス処理能力を適切に調整する。
【解決手段】ハニカム構造体４の上流側に風速センサ２１と湿度センサ２２と温度センサ２３を設け、風速センサ２１が検出する処理対象ガスＧＳの風速、湿度センサ２２が検出する処理対象ガスＧＳの湿度、温度センサ２３が検出する処理対象ガスＧＳの温度を制御部ＣＮＴへ与える。制御部ＣＮＴにおいて、処理対象ガスＧＳの風速，湿度，温度に基づいて風速，湿度，温度毎に現在のプラズマの発生状況を判断し、この風速，湿度，温度毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて高電圧印加部２０からのハニカム構造体４の電極８と電極９との間への高電圧を制御する（印加時間や休止期間を制御する）。
【解決手段】ハニカム構造体４の上流側に風速センサ２１と湿度センサ２２と温度センサ２３を設け、風速センサ２１が検出する処理対象ガスＧＳの風速、湿度センサ２２が検出する処理対象ガスＧＳの湿度、温度センサ２３が検出する処理対象ガスＧＳの温度を制御部ＣＮＴへ与える。制御部ＣＮＴにおいて、処理対象ガスＧＳの風速，湿度，温度に基づいて風速，湿度，温度毎に現在のプラズマの発生状況を判断し、この風速，湿度，温度毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて高電圧印加部２０からのハニカム構造体４の電極８と電極９との間への高電圧を制御する（印加時間や休止期間を制御する）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、処理対象ガスに含まれる有害ガスを浄化するガス処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、排気ガス中で高電圧放電を行ってプラズマ状態を作ることで、排気ガスに含まれる有害ガスの浄化を行う技術が知られている。近年、この技術は、脱臭を目的として、工場の排気を浄化する浄化装置や室内の空気を浄化する空気清浄機に応用されつつある。
【０００３】
熱的に非平衡な状態、つまり気体の温度やイオン温度に比べ、電子温度が非常に高い状態のプラズマ（非平衡プラズマ（以下、単にプラズマと言う））は、電子衝突でつくられるイオンやラジカルが常温では起こらない化学反応を促進させるので、有害ガスを効率的に除去あるいは分解することが可能な媒体として有害ガス処理において有用であると考えられている。実用化で肝心なことは、処理時のエネルギーの効率の向上と、プラズマで処理した後に完全に安全な生成物質へと変換されることである。
【０００４】
一般に、大気圧でのプラズマは気体放電や電子ビームなどによって生成される。現在において、適用が考えられているものに、窒素酸化物（ＮＯｘ）、硫黄酸化物（ＳＯｘ）、フロン、ＣＯ2 ，揮発性有機溶剤（ＶＯＣ）などがある。中でもＮＯｘは車の排ガスなどに含まれているので早急な実用化が必要となっている。
【０００５】
ＮＯｘ除去における放電プラズマ（気体放電によって生成されたプラズマ）内の現象は、電子衝突によって１次的に生成されたイオンやラジカルが最初の反応を起こし、その後の反応を通してＮ2 ，Ｈ2 Ｏ，ＮＨ4 ＮＯ3 などの各粒子に変換されて行くものと考えられている。
【０００６】
また、有害ガスを例えばアセトアルデヒドやホルムアルデヒドとした場合、この有害ガスをプラズマを通すことによって、ＣＯ2 とＨ2 Ｏに変換される。この場合、副生成物として、オゾン（Ｏ3 ）が発生する。
【０００７】
図１７に放電プラズマを利用した従来のガス処理装置の要部を例示する（例えば、特許文献１参照）。同図において、１は処理対象ガス（有害ガスを含む空気）ＧＳが流れるダクト（通風路）であり、ダクト１内には、ダクト１の入口から出口へ向かう方向に沿って放電電極２とアース電極３とが交互に配置され、これら電極２，３間にセルと呼ばれる多数の貫通孔４ａを有するハニカム構造体４が配設されている。貫通孔４ａはハニカム構造体４に蜂の巣状に設けられている。５は高電圧電源である。なお、ハニカム構造体４はセラミックス等の絶縁体で形成されており、特許文献２にもその使用例がある。
【０００８】
放電電極２は、金属製メッシュ、極細ワイヤ、または針状体等で形成されている。各放電電極２は、導線６によって高電圧電源５の＋極に接続されている。アース電極３は、金属性メッシュ等で形成されている。各アース電極３は、導線７によって高電圧電源５の−極に接続されている。
【０００９】
このガス処理装置では、処理対象ガスＧＳをダクト１に流し、放電電極２とアース電極３との間に高電圧電源５からの高電圧（数ｋＶ〜数１０ｋＶ）を印加する。これにより、各ハニカム構造体４の貫通孔４ａ内にプラズマが発生し、このプラズマ中に生成されるイオンやラジカルによって、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスが無害な物質に分解される。
【００１０】
この種のガス処理装置では、処理対象ガスの風速、湿度、温度などプラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの環境要素をモニターし、その環境要素のモニタ結果に基づいて印加する高電圧を制御することが必要であることが知られている（例えば、特許文献３参照）。
【００１１】
例えば、処理対象ガスの通過風量が小さい場合は、ガス処理能力を小さくして、省エネルギーを図ることが可能である。このため、処理対象ガスの風速を検出し、処理対象ガスの風速（風量）が大きい場合はプラズマの発生能力を上げるように、処理対象ガスの風速（風量）が小さい場合はプラズマの発生能力を下げるように、ハニカム構造体に印加する高電圧を制御する。
【００１２】
また、ハニカム構造体は処理対象ガス内の水分が多い場合（高湿状態）はプラズマの発生が活発になり、逆に水分が少ない場合（低湿状態）はプラズマの発生が抑制される。このため、処理対象ガスの湿度を検出し、高湿状態ではハニカム構造体への印加電圧を下げて省エネルギーを図り、低湿状態ではハニカム構造体への印加電圧を上げてガス処理能力を高める。
【００１３】
また、ハニカム構造体は処理対象ガスの温度が高い場合（高温状態）はプラズマの発生が活発になり、逆に温度が低い場合（低温状態）はプラズマの発生が抑制される。このため、処理対象ガスの温度を検出し、高温状態ではハニカム構造体への印加電圧を下げて省エネルギーを図り、低温状態ではハニカム構造体への印加電圧を上げてガス処理能力を高める。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２０００−１４０５６２号公報
【特許文献２】特開２００１−２７６５６１号公報
【特許文献３】特開２００４−６８６１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、上述した従来のガス処理装置では、プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素を考慮するものとした場合、これら複数種類の環境要素間でプラズマの発生能力の増減要求が対立した場合のアルゴリズムが確立されておらず、複数種類の環境要素の変化に対してガス処理能力を適切に調整することができなかった。
【００１６】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素の変化に対して、ガス処理能力を適切に調整することが可能なガス処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
このような目的を達成するために本発明は、通風路内に配置され、通風路内を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する多孔体と、この多孔体の外側の一方および他方に配置される第１および第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に高電圧を印加し多孔体の貫通孔にプラズマを発生させる高電圧印加手段と、プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素の状況を検出する環境要素検出手段と、環境要素検出手段によって検出された複数種類の環境要素の状況に基づいて各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する制御手段とを設けたものである。
【００１８】
この発明によれば、通風路内に多孔体が配置され、この多孔体の外側の一方および他方に第１の電極および第２の電極が配置され、第１の電極と第２の電極との間に高電圧が印加される。この第１の電極と第２の電極との間に印加される高電圧の印加は制御手段によって制御される。この場合、制御手段は、環境要素検出手段によって検出されたプラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素（例えば、風速、湿度、温度など）の状況に基づいて各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況（例えば、能力不足、能力適正、能力過剰など）を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する。
【００１９】
また、本発明は、通風路内に間隔を設けて配置され、通風路内を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数の多孔体と、複数の多孔体のうち処理対象ガスの通過方向の最も上流に配置される多孔体の上流側に配置される上流側電極と、複数の多孔体のうち処理対象ガスの通過方向の最も下流に配置される多孔体の下流側に配置される下流側電極と、上流側電極および下流側電極の一方を第１の電極、他方を第２の電極とし、第１の電極と第２の電極との間に高電圧を印加し多孔体の貫通孔および多孔体間の空間にプラズマを発生させる高電圧印加手段と、プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素の状況を検出する環境要素検出手段と、環境要素検出手段によって検出された複数種類の環境要素の状況に基づいて各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する制御手段とを設けたものである。
【００２０】
この発明によれば、通風路内に間隔を設けて多孔体が配置され、この複数の多孔体のうち最も上流に配置される多孔体の上流側に上流側電極が配置され、最も下流に配置される多孔体の下流側に下流側電極が配置され、上流側電極および下流側電極の一方を第１の電極、他方を第２の電極とし、第１の電極と第２の電極との間に高電圧が印加される。この第１の電極と第２の電極との間に印加される高電圧の印加は制御手段によって制御される。この場合、制御手段は、環境要素検出手段によって検出されたプラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素（例えば、風速、湿度、温度など）の状況に基づいて各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況（例えば、能力不足、能力適正、能力過剰など）を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する。
【００２１】
この発明において、プラズマは多孔体の貫通孔だけではなく、多孔体間の空間（空気層）にも発生する。このため、貫通孔内での有害ガスの分子分解効果に加え、多孔体間の空間での有害ガスの分子分解効果が加わり、さらにこの貫通孔内での分子分解効果と多孔体間の空間での分子分解効果との相乗効果により、有害ガスの無害な物質への分解が促進される。また、多孔体間の空間には、均一なプラズマが大量に発生する。
【００２２】
また、この発明において、多孔体間には空気層が設けられるので、上流側電極と下流側電極との間のインピーダンスが安定し、多孔体の吸湿・乾燥によるインピーダンス変化に対して流れる電流の変化が小さくなり、専用に設計された特殊な高電圧電源を使用する必要がなくなる。
また、この発明において、電極は上流側電極と下流側電極の２個の電極のみでよく、多孔体毎に電極を配置する必要がなくなり、部品点数が削減され、構造が簡単となり、組立工数も少なくて済む。
【００２３】
また、本発明は、通風路内に間隔を設けて配置され、通風路内を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数の多孔体と、複数の多孔体のうち隣り合う複数の多孔体を１群の多孔体群とし、これら多孔体群毎にその両端に位置する多孔体の外側に配置された第１および第２の電極と、各多孔体群の第１の電極と第２の電極との間に高電圧を印加し多孔体の貫通孔および多孔体間の空間にプラズマを発生させる高電圧印加手段と、プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素の状況を検出する環境要素検出手段と、環境要素検出手段によって検出された複数種類の環境要素の状況に基づいて各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する制御手段とを設けたものである。
【００２４】
例えば、この発明において、複数の多孔体を第１の多孔体群と第２の多孔体群とに分けた場合、第１の多孔体群の両端に位置する多孔体の外側に第１の電極と第２の電極が配置され、第２の多孔体群の両端に位置する多孔体の外側に第１の電極と第２の電極が配置され、第１の多孔体群の第１の電極と第２の電極との間および第２の多孔体群の第１の電極と第２の電極との間に高電圧が印加される。この第１の多孔体群および第２の多孔体群の第１の電極と第２の電極との間に印加される高電圧の印加は制御手段によって制御される。この場合、制御手段は、環境要素検出手段によって検出されたプラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素（例えば、風速、湿度、温度など）の状況に基づいて各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況（例えば、能力不足、能力適正、能力過剰など）を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する。
【００２５】
なお、この場合、第１の多孔体群に対して配置する第１の電極および第２の電極と、第２の多孔体群に対して配置する第１の電極および第２の電極とが存在することになるが、第１の多孔体群に対して配置する第２の電極と第２の多孔体群に対して配置する第１の電極とを共通電極とするなどとしてもよい。
また、本発明において、多孔体は、処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有していればよく、その貫通孔は必ずしも蜂の巣状に設けられていなくてもよい。
【００２６】
本発明において、制御手段はプラズマの発生状況の総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御するが、その際のプラズマの発生状況の総合的な判断結果を得る方式として次のような方式が考えられる。
（１）各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を能力不足，能力適正，能力過剰の何れに該当するかを判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を各環境要素間に定められた優先度に従って総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する（優先度方式）。
（２）各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を能力不足，能力適正，能力過剰の何れに該当するかを判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を能力不足，能力適正，能力過剰の各項目に該当する数に従って総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する（投票方式）。
（３）各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を能力不足，能力適正，能力過剰の何れに該当するかを判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果をその判断結果に各環境要素毎に定められた重みを乗じて総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する（重み付け方式）。
【００２７】
また、本発明において、制御手段はプラズマの発生状況の総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御するが、その際のプラズマの発生状況の総合的な判断結果に従う制御方式として次のような方式が考えられる。
（１）総合的な判断結果からプラズマの発生能力を増大させる必要があると判断した場合、第１の電極に接地電位から正方向に立ち上がる正電圧（＋Ｖ）を、第２の電極に接地電位から負方向に立ち下がる負電圧（−Ｖ）を、第１の電極への正電圧の立ち上がり状態と第２の電極への負電圧の立ち下がり状態とが一部重なるように交互に切り換えて印加させる。これにより、第１の電極への正電圧の立ち上がり状態と第２の電極への負電圧の立ち下がり状態とが重なった期間、第１の電極と第２の電極との間に印加される差電圧が倍電圧（２Ｖ＝＋Ｖ−（−Ｖ））となり、プラズマの発生状態がさらに活発となって、プラズマの発生能力が増大する。
（２）総合的な判断結果からプラズマの発生能力を減少させる必要があると判断した場合、第１の電極に接地電位から正方向に立ち上がる正電圧（＋Ｖ）を、第２の電極に接地電位から負方向に立ち下がる負電圧（−Ｖ）を、第１の電極への正電圧が接地電位に立ち下がった状態と第２の電極への負電圧が接地電位に立ち上がった状態とが一部重なるように交互に切り換えて印加させる。これにより、第１の電極への正電圧が接地電位に立ち下がった状態と第２の電極への負電圧が接地電位に立ち上がった状態とが重なった期間、第１の電極と第２の電極との間に電圧が印加されなくなり、この期間を高電圧の休止期間として、プラズマの発生能力が減少する。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素の状況を検出し、この検出された複数種類の環境要素の状況に基づいて各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御するようにしたので、各環境要素毎のプラズマの発生状況の判断結果を考慮した総合的な判断結果に基づいて高電圧の印加が制御されるものとなり、プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素の変化に対して、ガス処理能力を適切に調整することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に係るガス処理装置の一実施の形態（実施の形態１）の要部を示す図である。
【図２】このガス処理装置における制御部が出力する駆動パルスＰＳ１，ＰＳ２および駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの変化を示すタイムチャートである。
【図３】駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１、進み時間ＴＣ２が０とされている場合のハニカム構造体の電極への印加電圧の変化を示すタイムチャートである。
【図４】図３のタイムチャートにおいて駆動パルスＰＳ１，ＰＳ２が「Ｈ」レベルとなった時のハニカム構造体の電極間への高電圧の印加を説明する図である。
【図５】図３のタイムチャートにおいて駆動パルスＰＳ１，ＰＳ２が「Ｌ」レベルとなった時のハニカム構造体の電極間への高電圧の印加を説明する図である。
【図６】駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１がＴＣ１＞０とされた場合のハニカム構造体の電極への印加電圧の変化を示すタイムチャートである。
【図７】駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの進み時間ＴＣ２がＴＣ２＞０とされた場合のハニカム構造体の電極への印加電圧の変化を示すタイムチャートである。
【図８】このガス処理装置の制御部においてプラズマの発生状況の総合的な判断結果を優先度方式で得るようにした場合の動作を示すフローチャートである。
【図９】このガス処理装置の制御部においてプラズマの発生状況の総合的な判断結果を投票方式で得るようにした場合の判断ロジックを示す図である。
【図１０】このガス処理装置の制御部においてプラズマの発生状況の総合的な判断結果を重み付け方式で得るようにした場合の能力制御参照値Ｃの値と総合判断結果との関係を示す図である。
【図１１】本発明に係るガス処理装置の他の実施の形態（実施の形態２）の要部を示す図である。
【図１２】本発明に係るガス処理装置の他の実施の形態（実施の形態３）の要部を示す図である。
【図１３】本発明に係るガス処理装置の他の実施の形態（実施の形態４）の要部を示す図である。
【図１４】本発明に係るガス処理装置の他の実施の形態（実施の形態５）の要部を示す図である。
【図１５】駆動パルスＰＳ２のオフタイミングに対する駆動パルスＰＳ１のオフタイミングの遅延時間ＴＤ１を調整するようにした例を示すタイムチャートである。
【図１６】駆動パルスＰＳ２のオフタイミングに対する駆動パルスＰＳ１のオフタイミングの進み時間ＴＤ２を調整するようにした例を示すタイムチャートである。
【図１７】放電プラズマを利用した従来のガス処理装置の要部を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
〔実施の形態１〕
図１はこの発明に係るガス処理装置の一実施の形態（実施の形態１）の要部を示す図である。同図において、図１７と同一符号は図１７を参照して説明した構成要素と同一或いは同等構成要素を示し、その説明は省略する。
【００３１】
この実施の形態１では、ダクト１内にハニカム構造体４を配置し、このハニカム構造体４の外側の一方および他方に第１の電極８および第２の電極９を配置し、第１の電極８を導線１６によって高電圧印加部２０の正電圧供給端子Ｔ１に接続し、第２の電極９を導線１７によって高電圧印加部２０の負電圧供給端子Ｔ２に接続している。
【００３２】
ハニカム構造体４は、セラミックス等の絶縁体で形成されており、処理対象ガスＧＳが通過する多数の貫通孔（セル）４ａを有している。第１の電極８および第２の電極９は、処理対象ガスＧＳが通過するように、金属製メッシュとされている。
【００３３】
高電圧印加部２０は、トランスＴＲ１，ＴＲ２と、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４と、コンデンサＣ１，Ｃ２と、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３と、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３と、スイッチング用集積回路ＩＣ１，ＩＣ２と、制御部ＣＮＴとを備えている。高電圧印加部２０において、トランジスタＱ１のコレクタはトランスＴＲ２の１次巻線の一端に接続され、トランジスタＱ１のエミッタは接地されている。トランスＴＲ２の１次巻線の他端には電源電圧Ｖｃが印加されている。
【００３４】
また、高電圧印加部２０において、トランジスタＱ２のコレクタは抵抗Ｒ１を介して高電位電源に接続され、トランジスタＱ２のエミッタは接地されている。トランジスタＱ３のコレクタはトランスＴＲ１の１次巻線の一端に接続され、トランジスタＱ３のエミッタは接地されている。トランスＴＲ１の１次巻線の他端には電源電圧Ｖｃが印加されている。トランジスタＱ３のベースはスイッチング用集積回路ＩＣ１を介しトランジスタＱ２のコレクタと抵抗Ｒ１との接続点に接続され、スイッチング用集積回路ＩＣ１とトランジスタＱ３のベースとの接続ラインには抵抗Ｒ３を介して高電位電源が接続されている。また、トランジスタＱ１のベースはスイッチング用集積回路ＩＣ２を介して制御部ＣＮＴの駆動パルスＰＳ２の出力端子Ｏ２に接続され、スイッチング用集積回路ＩＣ２とトランジスタＱ１のベースとの接続ラインには抵抗Ｒ２を介して高電位電源が接続されている。トランジスタＱ２のベースは制御部ＣＮＴの駆動パルスＰＳ１の出力端子Ｏ１に接続されている。
【００３５】
また、高電圧印加部２０において、トランスＴＲ１の２次巻線の一端と正電圧供給端子Ｔ１との間には、そのカソードを正電圧供給端子Ｔ１側としてダイオードＤ１が接続されており、ダイオードＤ１のカソードとトランスＴＲ１の２次巻線の他端との間にはコンデンサＣ１が接続されている。コンデンサＣ１とトランスＴＲ１の２次巻線の他端との接続ラインは接地されている。更に、トランスＴＲ１の非動作時の電圧降下防止用のダイオードＤ３が、そのカソードをダイオードＤ１のカソード側に向けて、そのアノードを接地側に向けて、コンデンサＣ１と並列に接続されている。
【００３６】
また、高電圧印加部２０において、トランスＴＲ２の２次巻線の一端と負電圧供給端子Ｔ２との間には、そのアノードを負電圧供給端子Ｔ２側としてダイオードＤ２が接続されており、ダイオードＤ２のアノードとトランスＴＲ２の２次巻線の他端との間にはコンデンサＣ２が接続されている。コンデンサＣ２とトランスＴＲ２の２次巻線の他端との接続ラインは接地されている。更に、トランスＴＲ２の非動作時の電圧降下防止用のダイオードＤ４が、そのアノードをダイオードＤ２のアノード側に向けて、そのカソードを接地側に向けて、コンデンサＣ２と並列に接続されている。
【００３７】
また、この実施の形態１では、ハニカム構造体４の上流側に処理対象ガスＧＳの風速を検出する風速センサ２１と、処理対象ガスＧＳの湿度を検出する湿度センサ２２と、処理対象ガスＧＳの温度を検出する温度センサ２３とを設け、この風速センサ２１が検出する処理対象ガスＧＳの風速、湿度センサ２２が検出する処理対象ガスＧＳの湿度および温度センサ２３が検出する処理対象ガスＧＳの温度を制御部ＣＮＴへ与えるようにしている。
【００３８】
制御部ＣＮＴは、プロセッサや記憶装置からなるハードウェアと、これらのハードウェアと協働して各種機能を実現させるプログラムとによって実現され、本実施の形態特有の機能として駆動パルスＰＳ１，ＰＳ２の出力機能を有している。
【００３９】
この例では、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ１より、時間幅ＴＷ１の駆動パルスＰＳ１をトランジスタＱ２のベースに所定周期で与え、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ２より、時間幅ＴＷ２の駆動パルスＰＳ２をスイッチング用集積回路ＩＣ２に所定周期で与える。
【００４０】
また、図２（ａ）に示すように、駆動パルスＰＳ１をそのオン期間Ｔonとオフ期間Ｔoff とが等しいデューティ比５０％のパルスとし、図２（ｂ）〜（ｄ）に示すように、駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングを後述するプラズマの発生状況の総合的な判断結果に基づいて自動調整する。
【００４１】
なお、この場合、駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの調整量をＴＣとし、駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対して遅延させる方向への調整量を遅れ時間ＴＣ１、進ませる方向の調整量を進み時間ＴＣ２とする。また、この実施の形態において、スイッチング用集積回路ＩＣ１およびＩＣ２は、「４９４」タイプのスイッチングコントロールＩＣを用いている。
【００４２】
〔駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１、進み時間ＴＣ２が０（ＴＣ１，ＴＣ２＝０（ＴＣ＝０））とされている場合の動作〕
図３に駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１、進み時間ＴＣ２が０とされている場合のハニカム構造体４の電極８および９への印加電圧の変化を示す。
【００４３】
高電圧印加部２０において、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ１からの駆動パルスＰＳ１が「Ｈ」レベルとなると（図３（ａ）：ｔ１点）、トランジスタＱ２がオンとされる。トランジスタＱ２がオンとされると、スイッチング用集積回路ＩＣ１のデッドタイムコントロール端子ｄｃ１が「Ｌ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ１から高周波スイッチングパルスが出力される。この高周波スイッチングパルスによりトランジスタＱ３がオン、オフされ、トランスＴＲ１の１次巻線に電流が流れ、トランスＴＲ１の２次巻線側に電圧Ｖ１が発生する（図４参照）。この電圧Ｖ１は、コンデンサＣ１によって平滑され、ダイオードＤ１を介してハニカム構造体４の第１の電極８に印加される。すなわち、ハニカム構造体４の第１の電極８に、接地電位（ＧＮＤ）から正方向に立ち上がる正電圧＋Ｖ１が印加される（図３（ｂ）：ｔ１点）。
【００４４】
また、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ２からの駆動パルスＰＳ２が駆動パルスＰＳ１と同タイミングで「Ｈ」レベルとなると（図３（ｃ）：ｔ１点）、スイッチング用集積回路ＩＣ２のデッドタイムコントロール端子ｄｃ２が「Ｈ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ２からの高周波スイッチングパルスの出力が中断される。これによりトランジスタＱ１がオフとされ、トランスＴＲ２の２次巻線を流れる電流が遮断される。これにより、コンデンサＣ２の蓄積電荷がダイオードＤ２，トランスＴＲ２の２次巻線の経路で放電し、それまでハニカム構造体４の第２の電極９に印加されていた負電圧−Ｖ２（後述）が接地電位（ＧＮＤ）に向かって変化する（図３（ｄ）：ｔ１点）。
【００４５】
ここで、駆動パルスＰＳ１の「Ｈ」レベルへの立ち上がり時には、すなわち第１の電極８に正電圧＋Ｖ１を印加する電圧の切換時には、第２の電極９への印加電圧が接地電位（ＧＮＤ）に戻されるまでの間、第１の電極８と第２の電極９との間には正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２が瞬間的に印加された後、Ｖ１へと降下するオーバシュート電圧が印加される。この場合、Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖとすると、倍電圧２Ｖが第１の電極８と第２の電極９との間に瞬間的に印加されることになる。
【００４６】
高電圧印加部２０において、駆動パルスＰＳ２が「Ｌ」レベルとなると（図３（ｃ）：ｔ２点）、スイッチング用集積回路ＩＣ２のデッドタイムコントロール端子ｄｃ２が「Ｌ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ２から高周波スイッチングパルスが出力される。この高周波スイッチングパルスの出力によりトランジスタＱ１がオン、オフされ、トランスＴＲ２の１次巻線に電流が流れ、トランスＴＲ２の２次巻線側に電圧Ｖ２が発生する（図５参照）。この電圧Ｖ２は、コンデンサＣ２によって平滑され、ダイオードＤ２を介してハニカム構造体４の第２の電極９に印加される。すなわち、ハニカム構造体４の第２の電極９に、接地電位（ＧＮＤ）から負方向に立ち下がる負電圧−Ｖ２が印加される（図３（ｄ）：ｔ２点）。
【００４７】
また、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ１からの駆動パルスＰＳ１が駆動パルスＰＳ２と同タイミングで「Ｌ」レベルとなると（図３（ａ）：ｔ２点）、トランジスタＱ２がオフとされる。トランジスタＱ２がオフとされると、スイッチング用集積回路ＩＣ１のデッドタイムコントロール端子ｄｃ１が「Ｈ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ１からの高周波スイッチングパルスの出力が中断される。これによりトランジスタＱ３がオフとされ、トランスＴＲ１の２次巻線を流れる電流が遮断される。これにより、コンデンサＣ１の蓄積電荷がトランスＴＲ１の２次巻線，ダイオードＤ１の経路で放電し、それまでハニカム構造体４の第１の電極８に印加されていた正電圧＋Ｖ１が接地電位（ＧＮＤ）に向かって変化する（図３（ｂ）：ｔ２点）。
【００４８】
ここで、駆動パルスＰＳ２の「Ｌ」レベルへの立ち下がり時には、すなわち第２の電極９に負電圧−Ｖ２を印加する電圧の切換時には、第１の電極８への印加電圧が接地電位（ＧＮＤ）に戻されるまでの間、第１の電極８と第２の電極９との間には正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２が瞬間的に印加された後、Ｖ２へと降下するオーバシュート電圧が印加される。この場合、Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖとすると、倍電圧２Ｖが第１の電極８と第２の電極９との間に瞬間的に印加されることになる。
【００４９】
このようにして、駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅れ時間ＴＣ１、進み時間ＴＣ２が０とされている場合、駆動パルスＰＳ１，ＰＳ２のオンタイミングおよびオフタイミングで、第１の電極８と第２の電極９との間に正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２が瞬間的に印加される。
【００５０】
なお、この例では、Ｖ１，Ｖ２を数ｋＶ〜数１０ｋＶの高電圧（Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖ）とし、駆動パルスＰＳ１，ＰＳ２のオンタイミングおよびオフタイミングでは倍電圧２Ｖが瞬間的に印加されるものとする。これにより、ハニカム構造体４の貫通孔４ａにプラズマが発生し、このプラズマ中に生成されるイオンやラジカルによって、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスが無害な物質に分解されるものとなる。なお、この場合、駆動パルスＰＳ１，ＰＳ２のオンタイミングおよびオフタイミング以外の期間においても高電圧Ｖが印加されるので、プラズマは発生する。
【００５１】
〔駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１がＴＣ１＞０とされた場合の動作〕
制御部ＣＮＴは、図３に示したＴＣ１，ＴＣ２＝０の制御状態から、プラズマの発生能力を増大させる必要があると判断すると、その時のプラズマの発生能力の必要量に応じて遅れ時間ＴＣ１を大きくする（ＴＣ１＞０）。この時のプラズマの発生能力を増大させる必要があるか否かの判断は、風速センサ２１が検出する処理対象ガスＧＳの風速、湿度センサ２２が検出する処理対象ガスＧＳの湿度および温度センサ２３が検出する処理対象ガスＧＳの温度に基づいて行う。
【００５２】
この場合、制御部ＣＮＴは、風速センサ２１が検出する処理対象ガスＧＳの風速に基づいて、現在のプラズマの発生状況を「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断する。また、湿度センサ２２が検出する処理対象ガスＧＳの湿度に基づいて、現在のプラズマの発生状況を「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断する。また、温度センサ２３が検出する処理対象ガスＧＳの温度に基づいて、現在のプラズマの発生状況を「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断する。そして、この風速に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果と、湿度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果と、温度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいてプラズマの発生能力を増大させる必要があるか否かを判断する。この際の総合的な判断結果を得る方式としては、優先度方式、投票方式、重み付け方式があるが、これについては後述する。
【００５３】
図６に駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１がＴＣ１＞０とされた場合のハニカム構造体４の電極８および９への印加電圧の変化を示す。
【００５４】
高電圧印加部２０において、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ１からの駆動パルスＰＳ１が「Ｈ」レベルとなると（図６（ａ）：ｔ１点）、トランジスタＱ２がオンとされる。トランジスタＱ２がオンとされると、スイッチング用集積回路ＩＣ１のデッドタイムコントロール端子ｄｃ１が「Ｌ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ１から高周波スイッチングパルスが出力される。この高周波スイッチングパルスによりトランジスタＱ３がオン、オフされ、トランスＴＲ１の１次巻線に電流が流れ、トランスＴＲ１の２次巻線側に電圧Ｖ１が発生する（図４参照）。この電圧Ｖ１は、コンデンサＣ１によって平滑され、ダイオードＤ１を介してハニカム構造体４の第１の電極８に印加される。すなわち、ハニカム構造体４の第１の電極８に、接地電位（ＧＮＤ）から正方向に立ち上がる正電圧＋Ｖ１が印加される（図６（ｂ）：ｔ１点）。
【００５５】
そして、ＴＣ１時間の経過後、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ２からの駆動パルスＰＳ２が「Ｈ」レベルとなると（図６（ｃ）：ｔ２点）、スイッチング用集積回路ＩＣ２のデッドタイムコントロール端子ｄｃ２が「Ｈ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ２からの高周波スイッチングパルスの出力が中断される。これによりトランジスタＱ１がオフとされ、トランスＴＲ２の２次巻線を流れる電流が遮断される。これにより、コンデンサＣ２の蓄積電荷がダイオードＤ２，トランスＴＲ２の２次巻線の経路で放電し、それまでハニカム構造体４の第２の電極９に印加されていた負電圧−Ｖ２（後述）が接地電位（ＧＮＤ）に向かって変化する（図６（ｄ）：ｔ２点）。
【００５６】
ここで、駆動パルスＰＳ１の「Ｈ」レベルへの立ち上がり時には、すなわち第１の電極８に正電圧＋Ｖ１を印加する電圧の切換時には、ＴＣ１時間の間、第１の電極８への正電圧＋Ｖ１の立ち上がり状態と第２の電極９への負電圧−Ｖ２の立ち下がり状態とが重なり、第１の電極８と第２の電極９との間には正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２が継続して印加される。この場合、Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖとすると、倍電圧２Ｖが第１の電極８と第２の電極９との間にＴＣ１時間の間印加されることになる。
【００５７】
高電圧印加部２０において、駆動パルスＰＳ２が「Ｌ」レベルとなると（図６（ｃ）：ｔ３点）、スイッチング用集積回路ＩＣ２のデッドタイムコントロール端子ｄｃ２が「Ｌ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ２から高周波スイッチングパルスが出力される。この高周波スイッチングパルスの出力によりトランジスタＱ１がオン、オフされ、トランスＴＲ２の１次巻線に電流が流れ、トランスＴＲ２の２次巻線側に電圧Ｖ２が発生する（図５参照）。この電圧Ｖ２は、コンデンサＣ２によって平滑され、ダイオードＤ２を介してハニカム構造体４の第２の電極９に印加される。すなわち、ハニカム構造体４の第２の電極９に、接地電位（ＧＮＤ）から負方向に立ち下がる負電圧−Ｖ２が印加される（図６（ｄ）：ｔ３点）。
【００５８】
また、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ１からの駆動パルスＰＳ１が駆動パルスＰＳ２と同タイミングで「Ｌ」レベルとなると（図６（ａ）：ｔ３点）、トランジスタＱ２がオフとされる。トランジスタＱ２がオフとされると、スイッチング用集積回路ＩＣ１のデッドタイムコントロール端子ｄｃ１が「Ｈ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ１からの高周波スイッチングパルスの出力が中断される。これによりトランジスタＱ３がオフとされ、トランスＴＲ１の２次巻線を流れる電流が遮断される。これにより、コンデンサＣ１の蓄積電荷がトランスＴＲ１の２次巻線，ダイオードＤ１の経路で放電し、それまでハニカム構造体４の第１の電極８に印加されていた正電圧＋Ｖ１が接地電位（ＧＮＤ）に向かって変化する（図６（ｂ）：ｔ２点）。
【００５９】
ここで、駆動パルスＰＳ２の「Ｌ」レベルへの立ち下がり時には、すなわち第２の電極９に負電圧−Ｖ２を印加する電圧の切換時には、第１の電極８への印加電圧が接地電位（ＧＮＤ）に戻されるまでの間、第１の電極８と第２の電極９との間には正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２が瞬間的に印加された後、Ｖ２へと降下するオーバシュート電圧が印加される。この場合、Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖとすると、倍電圧２Ｖが第１の電極８と第２の電極９との間に瞬間的に印加されることになる。
【００６０】
このようにして、駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１がＴＣ１＞０とされた場合、第１の電極８への正電圧＋Ｖ１の立ち上がり状態と第２の電極９への負電圧−Ｖ２の立ち下がり状態とが重なるＴＣ１時間の間、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２が第１の電極８と第２の電極９との間に印加され、ハニカム構造体４の貫通孔４ａに発生するプラズマの量が増大する。
【００６１】
〔駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの進み時間ＴＣ２がＴＣ２＞０とされた場合の動作〕
制御部ＣＮＴは、図３に示したＴＣ１，ＴＣ２＝０の制御状態から、プラズマの発生能力を減少させる必要があると判断すると、その時のプラズマの発生能力の必要量に応じて進み時間ＴＣ２を大きくする（ＴＣ２＞０）。この時のプラズマの発生能力を減少させる必要があるか否かの判断は、風速センサ２１が検出する処理対象ガスＧＳの風速、湿度センサ２２が検出する処理対象ガスＧＳの湿度および温度センサ２３が検出する処理対象ガスＧＳの温度に基づいて行う。
【００６２】
この場合、制御部ＣＮＴは、風速センサ２１が検出する処理対象ガスＧＳの風速に基づいて、現在のプラズマの発生状況を「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断する。また、湿度センサ２２が検出する処理対象ガスＧＳの湿度に基づいて、現在のプラズマの発生状況を「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断する。また、温度センサ２３が検出する処理対象ガスＧＳの温度に基づいて、現在のプラズマの発生状況を「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断する。そして、この風速に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果と、湿度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果と、温度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいてプラズマの発生能力を減少させる必要があるか否かを判断する。この際の総合的な判断結果を得る方式としては、優先度方式、投票方式、重み付け方式がある（後述）。
【００６３】
図７に駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの進み時間ＴＣ２がＴＣ２＞０とされた場合のハニカム構造体４の電極８および９への印加電圧の変化を示す。
【００６４】
高電圧印加部２０において、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ２からの駆動パルスＰＳ２が「Ｈ」レベルとなると（図７（ｃ）：ｔ０点）、スイッチング用集積回路ＩＣ２のデッドタイムコントロール端子ｄｃ２が「Ｈ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ２からの高周波スイッチングパルスの出力が中断される。これによりトランジスタＱ１がオフとされ、トランスＴＲ２の２次巻線を流れる電流が遮断される。これにより、コンデンサＣ２の蓄積電荷がダイオードＤ２，トランスＴＲ２の２次巻線の経路で放電し、それまでハニカム構造体４の第２の電極９に印加されていた負電圧−Ｖ２（後述）が接地電位（ＧＮＤ）に向かって変化する（図７（ｄ）：ｔ０点）。
【００６５】
そして、ＴＣ時間の経過後、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ１からの駆動パルスＰＳ１が「Ｈ」レベルとなると（図７（ａ）：ｔ１点）、トランジスタＱ２がオンとされる。トランジスタＱ２がオンとされると、スイッチング用集積回路ＩＣ１のデッドタイムコントロール端子ｄｃ１が「Ｌ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ１から高周波スイッチングパルスが出力される。この高周波スイッチングパルスによりトランジスタＱ３がオン、オフされ、トランスＴＲ１の１次巻線に電流が流れ、トランスＴＲ１の２次巻線側に電圧Ｖ１が発生する（図４参照）。この電圧Ｖ１は、コンデンサＣ１によって平滑され、ダイオードＤ１を介してハニカム構造体４の第１の電極８に印加される。すなわち、ハニカム構造体４の第１の電極８に、接地電位（ＧＮＤ）から正方向に立ち上がる正電圧＋Ｖ１が印加される（図７（ｂ）：ｔ１点）。
【００６６】
ここで、駆動パルスＰＳ２の「Ｈ」レベルへの立ち上がり時には、すなわち第２の電極９への負電圧−Ｖ２の印加を第１の電極８への正電圧＋Ｖ１への印加に切り換える電圧の切換時には、駆動パルスＰＳ１が「Ｈ」レベルへ立ち上がるまでの間（ほぼＴＣ２時間）、第１の電極８への正電圧＋Ｖ１が接地電位に立ち下がった状態と第２の電極９への負電圧−Ｖ２が接地電位に立ち上がった状態とが重なり、第１の電極８と第２の電極９との間に電圧が印加されなくなる。すなわち、駆動パルスＰＳ２が「Ｈ」レベルへ立ち上がってから駆動パルスＰＳ１が「Ｈ」レベルへ立ち上がるまでのほぼＴＣ２時間の間、第１の電極８と第２の電極９との間への高電圧（Ｖ１，Ｖ２）の印加が休止される。
【００６７】
高電圧印加部２０において、駆動パルスＰＳ２が「Ｌ」レベルとなると（図７（ｃ）：ｔ２点）、スイッチング用集積回路ＩＣ２のデッドタイムコントロール端子ｄｃ２が「Ｌ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ２から高周波スイッチングパルスが出力される。この高周波スイッチングパルスの出力によりトランジスタＱ１がオン、オフされ、トランスＴＲ２の１次巻線に電流が流れ、トランスＴＲ２の２次巻線側に電圧Ｖ２が発生する（図５参照）。この電圧Ｖ２は、コンデンサＣ２によって平滑され、ダイオードＤ２を介してハニカム構造体４の第２の電極９に印加される。すなわち、ハニカム構造体４の第２の電極９に、接地電位（ＧＮＤ）から負方向に立ち下がる負電圧−Ｖ２が印加される（図７（ｄ）：ｔ２点）。
【００６８】
また、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ１からの駆動パルスＰＳ１が駆動パルスＰＳ２と同タイミングで「Ｌ」レベルとなると（図７（ａ）：ｔ２点）、トランジスタＱ２がオフとされる。トランジスタＱ２がオフとされると、スイッチング用集積回路ＩＣ１のデッドタイムコントロール端子ｄｃ１が「Ｈ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ１からの高周波スイッチングパルスの出力が中断される。これによりトランジスタＱ３がオフとされ、トランスＴＲ１の２次巻線を流れる電流が遮断される。これにより、コンデンサＣ１の蓄積電荷がトランスＴＲ１の２次巻線，ダイオードＤ１の経路で放電し、それまでハニカム構造体４の第１の電極８に印加されていた正電圧＋Ｖ１が接地電位（ＧＮＤ）に向かって変化する（図７（ｂ）：ｔ２点）。
【００６９】
ここで、駆動パルスＰＳ２の「Ｌ」レベルへの立ち下がり時には、すなわち第２の電極９に負電圧−Ｖ２を印加する電圧の切換時には、第１の電極８への印加電圧が接地電位（ＧＮＤ）に戻されるまでの間、第１の電極８と第２の電極９との間には正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２が瞬間的に印加された後、Ｖ２へと降下するオーバシュート電圧が印加される。この場合、Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖとすると、倍電圧２Ｖが第１の電極８と第２の電極９との間に瞬間的に印加されることになる。
【００７０】
このようにして、駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの進み時間ＴＣ２がＴＣ２＞０とされた場合、第２の電極９への負電圧−Ｖ２の印加を第１の電極８への正電圧＋Ｖ１への印加に切り換える電圧の切換時に、ほぼＴＣ時間の間、第１の電極８への正電圧＋Ｖ１が接地電位に立ち下がった状態と第２の電極９への負電圧−Ｖ２が接地電位に立ち上がった状態とが重なり、第１の電極８と第２の電極９との間に電圧が印加されなくなり、この期間を高電圧の休止期間としてハニカム構造体４の貫通孔４ａに発生するプラズマの量が減少する。また、この高電圧の休止期間において処理対象ガスＧＳがハニカム構造体４に吸着し、この休止期間中に吸着された分も含めて高電圧印加時に分解処理が行われるものとなり、低電力でも効率的にガス処理を行うことが可能となる。
【００７１】
〔優先度方式〕
図８に制御部ＣＮＴにおいてプラズマの発生状況の総合的な判断結果を優先度方式で得るようにした場合のフローチャートを示す。なお、この優先度方式を採用するにあたっては、風速センサ２１によって検出される処理対象ガスＧＳの風速と、湿度センサ２２によって検出される処理対象ガスＧＳの湿度と、温度センサ２３によって検出される処理対象ガスＧＳの温度との間に優先度を定めておく。この例では、「風速」を優先度１、「湿度」を優先度２、「温度」を優先度３とする。
【００７２】
この場合、制御部ＣＮＴは、先ず、優先度１の風速センサ２１が検出する処理対象ガスＧＳの風速に基づいて、現在のプラズマの発生状況を判断する（ステップＳ１０１）。そして、この風速に基づく現在のプラズマの発生状況が「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断し（ステップＳ１０２）、「能力不足」であればプラズマの発生能力を増大させ（ステップＳ１０８）、「能力過剰」であればプラズマの発生能力を減少させる（ステップＳ１０９）。
【００７３】
風速に基づく現在のプラズマの発生状況が「能力適正」であれば、制御部ＣＮＴは、優先度２の湿度センサ２２が検出する処理対象ガスＧＳの湿度に基づいて、現在のプラズマの発生状況を判断する（ステップＳ１０３）。そして、この湿度に基づく現在のプラズマの発生状況が「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断し（ステップＳ１０４）、「能力不足」であればプラズマの発生能力を増大させ（ステップＳ１０８）、「能力過剰」であればプラズマの発生能力を減少させる（ステップＳ１０９）。
【００７４】
湿度に基づく現在のプラズマの発生状況が「能力適正」であれば、制御部ＣＮＴは、優先度３の温度センサ２３が検出する処理対象ガスＧＳの温度に基づいて、現在のプラズマの発生状況を判断する（ステップＳ１０５）。そして、この温度に基づく現在のプラズマの発生状況が「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断し（ステップＳ１０６）、「能力不足」であればプラズマの発生能力を増大させ（ステップＳ１０８）、「能力過剰」であればプラズマの発生能力を減少させ（ステップＳ１０９）、「能力適正」であれば現在のプラズマの発生能力を維持させる（ステップＳ１０７）。
【００７５】
〔投票方式〕
図９に制御部ＣＮＴにおいてプラズマの発生状況の総合的な判断結果を投票方式で得るようにした場合の判断ロジックを示す。
【００７６】
この投票方式では、風速センサ２１によって検出される処理対象ガスＧＳの風速に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果と、湿度センサ２２によって検出される処理対象ガスＧＳの湿度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果と、温度センサ２３によって検出される処理対象ガスＧＳの温度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果とは同じ重みを持つものとする。
【００７７】
この投票方式において、制御部ＣＮＴは、各センサによる個別の判断結果を「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」のどの項目に該当するかを調べ、各項目に該当する数が最大の項目より総合的な判断結果を得る。この場合、「能力不足」に該当する数が最大であれば、総合的な判断結果を「能力増大」とし、「能力過剰」に該当する数が最大であれば、総合的な判断結果を「能力減少」とする。「能力適正」に該当する数が最大であれば、総合的な判断結果を「現状維持」とする。なお、３項目が同数の場合には、特別ルールとして、総合的な判断結果を「現状維持」とする。
【００７８】
この例では、プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの環境要素を風速，温度，湿度の３種類とし、この３種類の環境要素の状況を検出するようにしているが、この環境要素は風速，温度，湿度の３種類に限られるものではない。例えば、処理対象ガスの濃度、ハニカム構造体での異常放電なども環境要素として考えられる。処理対象ガスの環境要素の種類が増えたような場合、最大数となる項目が２項目生じる場合がある。このような場合、特別ルールとして、「能力過剰」と「能力適正」が同数の場合には総合的な判断結果を「能力減少」とし、「能力適正」と「能力不足」が同数の場合には総合的な判断結果を「能力増大」とし、「能力過剰」と「能力不足」が同数の場合には総合的な判断結果を「現状維持」とする。
【００７９】
〔重み付け方式〕
図１０に制御部ＣＮＴにおいてプラズマの発生状況の総合的な判断結果を重み付け方式で得るようにした場合の能力制御参照値Ｃの値（後述）と総合判断結果との関係を示す。
【００８０】
この重み付け方式では、風速センサ２１によって検出される処理対象ガスＧＳの風速、湿度センサ２２によって検出される処理対象ガスＧＳの湿度、温度センサ２３によって検出される処理対象ガスＧＳの温度に対し、個々に重みＷｉ（０＜Ｗｉ＜１）を予め定めておく。この場合、その重みＷｉの合計は、１とする（ΣＷｉ＝１）。
【００８１】
この重み付け方式において、制御部ＣＮＴは、風速センサ２１によって検出される処理対象ガスＧＳの風速に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力過剰」の場合、風速に対して定められた重みＷｉにｋ＝−１を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝−Ｗｉとする。同様に、湿度センサ２２によって検出される処理対象ガスＧＳの湿度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力過剰」の場合、湿度に対して定められた重みＷｉにｋ＝−１を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝−Ｗｉとし、温度センサ２３によって検出される処理対象ガスＧＳの温度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力過剰」の場合、温度に対して定められた重みＷｉにｋ＝−１を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝−Ｗｉとする。
【００８２】
また、制御部ＣＮＴは、風速センサ２１によって検出される処理対象ガスＧＳの風速に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力適正」の場合、風速に対して定められた重みＷｉにｋ＝０を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝０とする。同様に、湿度センサ２２によって検出される処理対象ガスＧＳの湿度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力適正」の場合、湿度に対して定められた重みＷｉにｋ＝０を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝０とし、温度センサ２３によって検出される処理対象ガスＧＳの温度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力適正」の場合、温度に対して定められた重みＷｉにｋ＝０を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝０とする。
【００８３】
また、制御部ＣＮＴは、風速センサ２１によって検出される処理対象ガスＧＳの風速に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力不足」の場合、風速に対して定められた重みＷｉにｋ＝＋１を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝＋Ｗｉとする。同様に、湿度センサ２２によって検出される処理対象ガスＧＳの湿度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力不足」の場合、湿度に対して定められた重みＷｉにｋ＝＋１を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝＋Ｗｉとし、温度センサ２３によって検出される処理対象ガスＧＳの温度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力不足」の場合、温度に対して定められた重みＷｉにｋ＝＋１を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝＋Ｗｉとする。
【００８４】
そして、制御部ＣＮＴは、このようにして求めた全ての個別判断結果Ｒｉを積算し、この個別判断結果Ｒｉの積算値を能力制御参照値Ｃ（Ｃ＝Σ（Ｗｉ×ｋ））として求める。この能力制御参照値Ｃは、−１≦Ｃ≦＋１となるが、この能力制御参照値Ｃと総合判断結果との関係を図１０に示すように定めておく。なお、図１０において、ｍは、０≦ｍ＜１の値とする。
【００８５】
制御部ＣＮＴは、この図１０に示された関係に従って、能力制御参照値Ｃが−１≦Ｃ＜−ｍの場合には総合判断結果を「能力減少」とし、能力制御参照値Ｃが−ｍ≦Ｃ≦ｍの場合には総合判断結果を「現状維持」とし、能力制御参照値Ｃがｍ＜Ｃ≦＋１の場合には総合判断結果を「能力増大」とする。
【００８６】
〔実施の形態２〕
実施の形態１では、ダクト１内にハニカム構造体４を１つしか配置しなかったが、ダクト１内にハニカム構造体４を複数配置するようにしてもよい。
【００８７】
図１１にダクト１内にハニカム構造体４を複数配置した例（実施の形態２）を示す。この実施の形態２では、ダクト１内にダクト１の入口から出口へ向かう方向に沿って所定の間隔Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）を設けてハニカム構造体４（４−１〜４−３）を配置し、このハニカム構造体４のうち最も上流に配置されるハニカム構造体４−１の上流側に第１の電極（上流側電極）８を、最も下流に配置されるハニカム構造体４−３の下流側に第２の電極（下流側電極）９を配置し、上流側電極８を導線１６によって高電圧印加部２０の正電圧供給端子Ｔ１に接続し、下流側電極９を導線１７によって高電圧印加部２０の負電圧供給端子Ｔ２に接続するようにしている。高電圧印加部２０は実施の形態１で使用したものと同じである。
【００８８】
この実施の形態２において、各ハニカム構造体４の単位面積当たりの貫通孔４ａの数は等しくされている。すなわち、ハニカム構造体４−１〜４−３として、単位面積当たりの貫通孔４ａの数が等しい同一種類のハニカム構造体４を使用している。また、ハニカム構造体４−１と４−２との間の間隔Ｇ１と、ハニカム構造体４−２と４−３との間の間隔Ｇ２とは等しく、例えば０．５ｍｍ〜数ｍｍとされている。これにより、ハニカム構造体４−１と４−２との間に空気層１２−１が形成され、ハニカム構造体４−２と４−３との間に空気層１２−２が形成されている。以下、空気層１２（１２−１，１２−２）を空間ギャップと呼ぶ。
【００８９】
このガス処理装置においても、トランジスタＱ２のベースに駆動パルスＰＳ１を与え、高電圧印加部２０のスイッチング用集積回路ＩＣ２に駆動パルスＰＳ２を与える。これにより、実施の形態１と同様にして、プラズマの発生状況の総合的な判断結果に基づいて、上流側電極（第１の電極）８と下流側電極（第２の電極）９との間に、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２がその印加時間が自動調整されながら印加されたり、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２とが交互にその高電圧の休止期間が自動調整されながら印加されたりする。この高電圧の印加により、ハニカム構造体４の貫通孔４ａおよびハニカム構造体４間の空間ギャップ１２にプラズマが発生し、このプラズマ中に生成されるイオンやラジカルによって、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスが無害な物質に分解される。
【００９０】
このガス処理装置において、プラズマはハニカム構造体４の貫通孔４ａだけではなく、ハニカム構造体４間の空間ギャップ１２にも発生する。このため、貫通孔４ａ内での有害ガスの分子分解効果に加え、ハニカム構造体４間の空間ギャップ１２での有害ガスの分子分解効果が加わり、さらにこの貫通孔４ａ内での分子分解効果とハニカム構造体４間の空間ギャップ１２での分子分解効果との相乗効果により、有害ガスの無害な物質への分解が促進され、ガス処理能力が高まる。
【００９１】
また、このガス処理装置において、ハニカム構造体４間の空間ギャップ１２には、対向する貫通孔４ａの縁面から電界が広がって、均一なプラズマが大量に発生する。これにより、貫通孔４ａ内に発生するプラズマのばらつきによる影響が小さくなり、ガス処理能力が安定する。
【００９２】
また、このガス処理装置において、ハニカム構造体４間には空気層である空間ギャップ１２が設けられるので、この空間ギャップ１２により上流側電極８と下流側電極９との間のインピーダンスが安定し、ハニカム構造体の吸湿・乾燥によるインピーダンス変化に対して流れる電流の変化が小さくなる。これにより、上流側電極８と下流側電極９との間に加わる高電圧値の変化が小さくなり、専用に設計された特殊な高電圧電源を使用する必要がなくなる。
【００９３】
また、このガス処理装置において、電極は上流側電極８と下流側電極９の２個の電極のみでよく、ハニカム構造体４毎に電極を配置する必要がない。これにより、部品点数が削減され、構造が簡単となり、組立工数も少なくて済み、コストダウンが図られる。
【００９４】
〔実施の形態３〕
実施の形態２では、ダクト１の入口から出口へ向かう方向に沿って複数のハニカム構造体４をダクト１内に設けるようにしたが、図１２に示すように、ダクト１の入口から出口へ向かう方向に対し直交する方向に沿って複数のハニカム構造体４をダクト１内に設けるようにしてもよい。
【００９５】
このようにすると、各ハニカム構造体４がダクト１の入口から出口へ向かう方向に対し直交する方向に沿って間隔を設けて配置されるので、ダクト１の入口から出口へ向かう方向に沿って配置される場合よりも、処理対象ガスＧＳが各ハニカム構造体４の貫通孔４ａやハニカム構造体４間の空間ギャップ１２でプラズマに晒される時間が長くなる。これにより、ガス分解が行われる機会が多くなり、ガス処理能力が向上し、高速流におけるガス処理能力の低下を防ぐことが可能となる。
【００９６】
〔実施の形態４〕
図１３にこの発明に係るガス処理装置の他の実施の形態（実施の形態４）の要部を示す。この実施の形態４では、ハニカム構造体４−１と４−２との間に間隔Ｇ１を設けて、ハニカム構造体４−３と４−４との間に間隔Ｇ２を設けて、ハニカム構造体４−１〜４−４をダクト１内に配置している。
【００９７】
また、ダクト１内の複数のハニカム構造体４のうち隣り合うハニカム構造体４−１と４−２を第１のハニカム構造体群４Ａとし、この第１のハニカム構造体群４Ａの両端に位置するハニカム構造体４−１および４−２の外側に、第１の電極として電極８を、第２の電極として電極９を配置している。
【００９８】
同様にして、ダクト１内の複数のハニカム構造体４のうち隣り合うハニカム構造体４−３と４−４を第２のハニカム構造体群４Ｂとし、この第２のハニカム構造体群４Ｂの両端に位置するハニカム構造体４−３および４−３の外側に、第１の電極として電極１０を、第２の電極として電極９を配置している。
【００９９】
なお、この実施の形態４において、電極９は第１のハニカム構造体群４Ａの第２の電極と第２のハニカム構造体群４Ｂの第２の電極とを兼ねた共通電極とされているが、第１のハニカム構造体群４Ａの第２の電極と第２のハニカム構造体群４Ｂの第２の電極とを独立した電極とするようにしてもよい。
【０１００】
電極８，９および１０は、処理対象ガスＧＳが通過するように、金属製メッシュとされている。また、この実施の形態４では、電極８および１０を導線１６および１８によって高電圧印加部２０の正電圧供給端子Ｔ１に接続し、電極９を導線１７によって高電圧印加部２０の負電圧供給端子Ｔ２に接続するようにしている。高電圧印加部２０は実施の形態１で使用したものと同じである。
【０１０１】
このガス処理装置においても、トランジスタＱ２のベースに駆動パルスＰＳ１を与え、高電圧印加部２０のスイッチング用集積回路ＩＣ２に駆動パルスＰＳ２を与える。これにより、実施の形態１と同様にして、プラズマの発生状況の総合的な判断結果に基づいて、第１のハニカム構造体群４Ａの第１の電極８と第２の電極９との間および第２のハニカム構造体群４Ｂの第１の電極１０と第２の電極９との間に、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２がその印加時間が自動調整されながら印加されたり、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２とが交互にその高電圧の休止期間が自動調整されながら印加されたりする。この高電圧の印加により、ハニカム構造体４の貫通孔４ａおよびハニカム構造体４間の空間ギャップ１２にプラズマが発生し、このプラズマ中に生成されるイオンやラジカルによって、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスが無害な物質に分解される。
【０１０２】
このガス処理装置では、第１のハニカム構造体群４Ａの第１の電極８と第２の電極９との間および第２のハニカム構造体群４Ｂの第１の電極１０と第２の電極９との間に高電圧を個別に印加しているので、空間ギャップ１２−１，１２−２での電位を安定的に高電界状態に保ち、プラズマを安定して発生させることが可能となる。
【０１０３】
なお、このガス処理装置において、第１のハニカム構造体群４Ａおよび第２のハニカム構造体群４Ｂに対して高電圧印加部２０を個別に設け、第１のハニカム構造体群４Ａに印加する高電圧（ＶＡ）と第２のハニカム構造体群４Ｂに印加する高電圧（ＶＢ）とを異なる値とするようにしてもよい。高電圧ＶＡと高電圧ＶＢの値を異ならせるようにすると、第１のハニカム構造体群４Ａと第２のハニカム構造体群４Ｂとでプラズマの発生量を変えて、分解可能な有害ガスの種類を異ならせたりすることが可能となる。
【０１０４】
〔実施の形態５〕
図１４にこの発明に係るガス処理装置の他の実施の形態（実施の形態５）の要部を示す。この実施の形態５では、ハニカム構造体４−１と４−２との間に間隔Ｇ１を設けて、ハニカム構造体４−３と４−４との間に間隔Ｇ２を設けて、ハニカム構造体４−５と４−６との間に間隔Ｇ３を設けて、ハニカム構造体４−１〜４−６をダクト１内に配置している。
【０１０５】
また、ダクト１内の複数のハニカム構造体４のうち隣り合うハニカム構造体４−１と４−２を第１のハニカム構造体群４Ａとし、この第１のハニカム構造体群４Ａの両端に位置するハニカム構造体４−１および４−２の外側に、第１の電極として電極８を、第２の電極として電極９を配置している。
【０１０６】
同様にして、ダクト１内の複数のハニカム構造体４のうち隣り合うハニカム構造体４−３と４−４を第２のハニカム構造体群４Ｂとし、この第２のハニカム構造体群４Ｂの両端に位置するハニカム構造体４−３および４−３の外側に、第１の電極として電極１０を、第２の電極として電極９を配置している。
【０１０７】
同様にして、ダクト１内の複数のハニカム構造体４のうち隣り合うハニカム構造体４−５と４−６を第３のハニカム構造体群４Ｃとし、この第３のハニカム構造体群４Ｃの両端に位置するハニカム構造体４−５および４−６の外側に、第１の電極として電極１０を、第２の電極として電極１１を配置している。
【０１０８】
なお、この実施の形態５において、電極９は第１のハニカム構造体群４Ａの第２の電極と第２のハニカム構造体群４Ｂの第２の電極とを兼ねた共通電極とされているが、第１のハニカム構造体群４Ａの第２の電極と第２のハニカム構造体群４Ｂの第２の電極とを独立した電極とするようにしてもよい。また、電極１０は第２のハニカム構造体群４Ｂの第１の電極と第３のハニカム構造体群４Ｃの第１の電極とを兼ねた共通電極とされているが、第２のハニカム構造体群４Ｂの第１の電極と第３のハニカム構造体群４Ｃの第１の電極とを独立した電極とするようにしてもよい。
【０１０９】
電極８，９，１０および１１は、処理対象ガスＧＳが通過するように、金属製メッシュとされている。また、この実施の形態５では、電極８および１０を導線１６および１８によって高電圧印加部２０の正電圧供給端子Ｔ１に接続し、電極９および１１を導線１７および１９によって高電圧印加部２０の負電圧供給端子Ｔ２に接続するようにしている。高電圧印加部２０は実施の形態１で使用したものと同じである。
【０１１０】
このガス処理装置においても、トランジスタＱ２のベースに駆動パルスＰＳ１を与え、高電圧印加部２０のスイッチング用集積回路ＩＣ２に駆動パルスＰＳ２を与える。これにより、実施の形態１と同様にして、プラズマの発生状況の総合的な判断結果に基づいて、第１のハニカム構造体群４Ａの第１の電極８と第２の電極９との間、第２のハニカム構造体群４Ｂの第１の電極１０と第２の電極９との間および第３のハニカム構造体群４Ｃの第１の電極１０と第２の電極１１との間に、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２がその印加時間が自動調整されながら印加されたり、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２とが交互にその高電圧の休止期間が自動調整されながら印加されたりする。この高電圧の印加により、ハニカム構造体４の貫通孔４ａおよびハニカム構造体４間の空間ギャップ１２にプラズマが発生し、このプラズマ中に生成されるイオンやラジカルによって、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスが無害な物質に分解される。
【０１１１】
このガス処理装置では、第１のハニカム構造体群４Ａの第１の電極８と第２の電極９との間、第２のハニカム構造体群４Ｂの第１の電極１０と第２の電極９との間および第３のハニカム構造体群４Ｃの第１の電極１０と第２の電極１１との間に高電圧を個別に印加しているので、空間ギャップ１２−１，１２−２，１２−３での電位を安定的に高電界状態に保ち、プラズマを安定して発生させることが可能となる。
【０１１２】
なお、このガス処理装置において、第１のハニカム構造体群４Ａ、第２のハニカム構造体群４Ｂおよび第３のハニカム構造体群４Ｃに対して高電圧印加部２０を個別に設け、第１のハニカム構造体群４Ａに印加する高電圧（ＶＡ）と、第２のハニカム構造体群４Ｂに印加する高電圧（ＶＢ）と、第３のハニカム構造体群４Ｃに印加する高電圧（ＶＣ）とを異なる値とするようにしてもよい。高電圧ＶＡと高電圧ＶＢと高電圧ＶＣの値を異ならせるようにすると、第１のハニカム構造体群４Ａと第２のハニカム構造体群４Ｂと第３のハニカム構造体群４Ｃとでプラズマの発生量を変えて、分解可能な有害ガスの種類を異ならせたりすることが可能となる。
【０１１３】
なお、上述した実施の形態２〜５では、ハニカム構造体４（４−１〜４−６）の単位面積当たりの貫通孔４ａの数を等しくしているが、ハニカム構造体（４−１〜４−６）の単位面積当たりの貫通孔４ａの数を選択的に異ならせるようにしてもよい。
【０１１４】
例えば、図１３に示した構成において、ハニカム構造体４−１，４−２については単位面積当たりの貫通孔４ａの数を少なし、ハニカム構造体４−３，４−４については単位面積当たりの貫通孔４ａの数を多くするようにしたり、ハニカム構造体４−１，４−２，４−３，４−４の順で単位面積当たりの貫通孔４ａの数を多くするなどとしてもよい。
【０１１５】
ハニカム構造体４−１，４−２，４−３，４−４の順で単位面積当たりの貫通孔４ａの数を多くすると、ハニカム構造体４−１，４−２，４−３，４−４の順でプラズマの発生量が大きくなり、各ハニカム構造体４で分解可能な有害ガスの種類を異ならせることが可能となる。
【０１１６】
例えば、その分子が持つエネルギー準位が順に高い有害ガスＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄが処理対象ガスＧＳに含まれていたものとした場合、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスＡをハニカム構造体４−１で分解し、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスＢをハニカム構造体４−２で分解し、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスＣをハニカム構造体４−３で分解し、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスＤをハニカム構造体４−４で分解するなど、各ハニカム構造体４で分解可能な有害ガスの種類を異ならせることができる。
【０１１７】
この場合、ハニカム構造体４−２での有害ガスＢの分解に際し、ハニカム構造体４−１によって分解しきれなかった有害ガスＡの分解が行われ、ハニカム構造体４−３での有害ガスＣの分解に際し、ハニカム構造体４−１，４−２で分解しきれなかった有害ガスＡ，Ｂの分解が行われ、ハニカム構造体４−４での有害ガスＤの分解に際し、ハニカム構造体４−１，４−２，４−３で分解しきれなかった有害ガスＡ，Ｂ，Ｃの分解が行われる。
【０１１８】
このような方法とすると、１つのハニカム構造体４で全ての有害ガスＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの分解を行うようにした場合よりも、有害ガスの分解に際して発生する副生成物（例えば、オゾン）の発生量を少なくすることができる。
【０１１９】
また、上述した実施の形態２〜５ではハニカム構造体４間の間隔Ｇ（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３）を等しくしているが、異ならせるようにしてもよい。例えば、図１４に示した構成において、ハニカム構造体４間の間隔Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３を異ならせると、空間ギャップ１２−１，１２−２，１２−３でのプラズマの発生量が異なるものとなり、ハニカム構造体４−１〜４−６の単位面積当たりの貫通孔４ａの数を選択的に異ならせた場合と同様の作用・効果を得ることができる。この場合、ハニカム構造体４−１〜４−６を単位面積当たりの貫通孔４ａの数が等しい同一種類のハニカム構造体とすることができるので、部品の種類を増やさずに済む。
【０１２０】
また、上述した実施の形態１〜５において、ハニカム構造体４はオゾンを分解する触媒機能を備えたものとしてもよく、例えば、図１３に示した構成において、ハニカム構造体４−４の下流位置にオゾンを分解する触媒を設けるようにしてもよい。
【０１２１】
また、上述した実施の形態２，３（図１１，図１２）において、ハニカム構造体４の数は、２つ以上あれば、幾つあっても構わない。また、上述した実施の形態４（図１３）において、ハニカム構造体４の数は、２つ以上のハニカム構造体群を形成することができればよく、幾つあっても構わない。実施の形態５（図１４）では、実施の形態４の変形例として、ハニカム構造体群を３つ設けた例を示している。
【０１２２】
また、上述した実施の形態１〜５において、副生成物としてオゾンを大量に発生させ、オゾン発生器として転用するようにしてもよい。
また、上述した実施の形態１〜５において、ハニカム構造体４には貫通孔４ａが蜂の巣状に設けられているが、多数の貫通孔４ａが設けられていればよく、蜂の巣状に限られるものではない。
【０１２３】
また、上述した実施の形態１〜５では、駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１を調整するようにしたが、図１５に示すように、駆動パルスＰＳ２のオフタイミングに対する駆動パルスＰＳ１のオフタイミングの遅延時間ＴＤ１を調整するようにしてもよい。
【０１２４】
また、上述した実施の形態１〜５では、駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの進み時間ＴＣ２を調整するようにしたが、図１６に示すように、駆動パルスＰＳ２のオフタイミングに対する駆動パルスＰＳ１のオフタイミングの進み時間ＴＤ２を調整するようにしてもよい。
【０１２５】
また、駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１と、駆動パルスＰＳ２のオフタイミングに対する駆動パルスＰＳ１のオフタイミングの遅延時間ＴＤ１をともに調整するようにしてもよく、駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの進み時間ＴＣ２と、駆動パルスＰＳ２のオフタイミングに対する駆動パルスＰＳ１のオフタイミングの進み時間ＴＤ２をともに調整するようにしてもよい。
【０１２６】
また、上述した実施の形態１〜５では、プラズマの発生状況の総合的な判断結果に基づいて、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２の印加時間を自動調整したり、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２とを交互に印加する際の高電圧の休止期間を自動調整するようにしたが、電極間に印加する高電圧の値そのものを自動調整するようにしたり、電極間に印加する高電圧の周波数を自動調整するなどとしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１２７】
本発明のガス処理装置は、燃料電池等に用いられる水素を効率的に生成する目的で、炭化水素類等から水素含有ガスを生成する、いわゆる改質にも適用することができる。例えばオクタン（ガソリンの平均分子量に比較的近い物質）Ｃ8Ｈ18の場合は、本ガス処理装置に供給すると下記（１）式で示される化学反応が促進され、その結果水素ガスを効率よく生成することができる。
Ｃ8Ｈ18＋８Ｈ2Ｏ＋４（Ｏ2＋４Ｎ2）→８ＣＯ2＋１７Ｈ2＋１６Ｎ2・・・・（１）
【符号の説明】
【０１２８】
１…ダクト（通風路）、４（４−１〜４−６）…ハニカム構造体、４ａ…貫通孔（セル）、４Ａ，４Ｂ，４Ｃ…ハニカム構造体群、８〜１１…電極、１２（１２−１〜１２−３）…空間ギャップ、１６〜１９…導線、Ｇ（Ｇ１〜Ｇ３）…間隔、ＧＳ…処理対象ガス、２０…高電圧印加部、２１…風速センサ、２２…湿度センサ、２３…温度センサ、ＴＲ１，ＴＲ２…トランス、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４…ダイオード、Ｃ１，Ｃ２…コンデンサ、Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３…トランジスタ、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３…抵抗、Ｔ１…正電圧供給端子、Ｔ２…負電圧供給端子、ＩＣ１，ＩＣ２…スイッチング用集積回路、ＣＮＴ…制御部。
【技術分野】
【０００１】
この発明は、処理対象ガスに含まれる有害ガスを浄化するガス処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、排気ガス中で高電圧放電を行ってプラズマ状態を作ることで、排気ガスに含まれる有害ガスの浄化を行う技術が知られている。近年、この技術は、脱臭を目的として、工場の排気を浄化する浄化装置や室内の空気を浄化する空気清浄機に応用されつつある。
【０００３】
熱的に非平衡な状態、つまり気体の温度やイオン温度に比べ、電子温度が非常に高い状態のプラズマ（非平衡プラズマ（以下、単にプラズマと言う））は、電子衝突でつくられるイオンやラジカルが常温では起こらない化学反応を促進させるので、有害ガスを効率的に除去あるいは分解することが可能な媒体として有害ガス処理において有用であると考えられている。実用化で肝心なことは、処理時のエネルギーの効率の向上と、プラズマで処理した後に完全に安全な生成物質へと変換されることである。
【０００４】
一般に、大気圧でのプラズマは気体放電や電子ビームなどによって生成される。現在において、適用が考えられているものに、窒素酸化物（ＮＯｘ）、硫黄酸化物（ＳＯｘ）、フロン、ＣＯ2 ，揮発性有機溶剤（ＶＯＣ）などがある。中でもＮＯｘは車の排ガスなどに含まれているので早急な実用化が必要となっている。
【０００５】
ＮＯｘ除去における放電プラズマ（気体放電によって生成されたプラズマ）内の現象は、電子衝突によって１次的に生成されたイオンやラジカルが最初の反応を起こし、その後の反応を通してＮ2 ，Ｈ2 Ｏ，ＮＨ4 ＮＯ3 などの各粒子に変換されて行くものと考えられている。
【０００６】
また、有害ガスを例えばアセトアルデヒドやホルムアルデヒドとした場合、この有害ガスをプラズマを通すことによって、ＣＯ2 とＨ2 Ｏに変換される。この場合、副生成物として、オゾン（Ｏ3 ）が発生する。
【０００７】
図１７に放電プラズマを利用した従来のガス処理装置の要部を例示する（例えば、特許文献１参照）。同図において、１は処理対象ガス（有害ガスを含む空気）ＧＳが流れるダクト（通風路）であり、ダクト１内には、ダクト１の入口から出口へ向かう方向に沿って放電電極２とアース電極３とが交互に配置され、これら電極２，３間にセルと呼ばれる多数の貫通孔４ａを有するハニカム構造体４が配設されている。貫通孔４ａはハニカム構造体４に蜂の巣状に設けられている。５は高電圧電源である。なお、ハニカム構造体４はセラミックス等の絶縁体で形成されており、特許文献２にもその使用例がある。
【０００８】
放電電極２は、金属製メッシュ、極細ワイヤ、または針状体等で形成されている。各放電電極２は、導線６によって高電圧電源５の＋極に接続されている。アース電極３は、金属性メッシュ等で形成されている。各アース電極３は、導線７によって高電圧電源５の−極に接続されている。
【０００９】
このガス処理装置では、処理対象ガスＧＳをダクト１に流し、放電電極２とアース電極３との間に高電圧電源５からの高電圧（数ｋＶ〜数１０ｋＶ）を印加する。これにより、各ハニカム構造体４の貫通孔４ａ内にプラズマが発生し、このプラズマ中に生成されるイオンやラジカルによって、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスが無害な物質に分解される。
【００１０】
この種のガス処理装置では、処理対象ガスの風速、湿度、温度などプラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの環境要素をモニターし、その環境要素のモニタ結果に基づいて印加する高電圧を制御することが必要であることが知られている（例えば、特許文献３参照）。
【００１１】
例えば、処理対象ガスの通過風量が小さい場合は、ガス処理能力を小さくして、省エネルギーを図ることが可能である。このため、処理対象ガスの風速を検出し、処理対象ガスの風速（風量）が大きい場合はプラズマの発生能力を上げるように、処理対象ガスの風速（風量）が小さい場合はプラズマの発生能力を下げるように、ハニカム構造体に印加する高電圧を制御する。
【００１２】
また、ハニカム構造体は処理対象ガス内の水分が多い場合（高湿状態）はプラズマの発生が活発になり、逆に水分が少ない場合（低湿状態）はプラズマの発生が抑制される。このため、処理対象ガスの湿度を検出し、高湿状態ではハニカム構造体への印加電圧を下げて省エネルギーを図り、低湿状態ではハニカム構造体への印加電圧を上げてガス処理能力を高める。
【００１３】
また、ハニカム構造体は処理対象ガスの温度が高い場合（高温状態）はプラズマの発生が活発になり、逆に温度が低い場合（低温状態）はプラズマの発生が抑制される。このため、処理対象ガスの温度を検出し、高温状態ではハニカム構造体への印加電圧を下げて省エネルギーを図り、低温状態ではハニカム構造体への印加電圧を上げてガス処理能力を高める。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２０００−１４０５６２号公報
【特許文献２】特開２００１−２７６５６１号公報
【特許文献３】特開２００４−６８６１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、上述した従来のガス処理装置では、プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素を考慮するものとした場合、これら複数種類の環境要素間でプラズマの発生能力の増減要求が対立した場合のアルゴリズムが確立されておらず、複数種類の環境要素の変化に対してガス処理能力を適切に調整することができなかった。
【００１６】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素の変化に対して、ガス処理能力を適切に調整することが可能なガス処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
このような目的を達成するために本発明は、通風路内に配置され、通風路内を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する多孔体と、この多孔体の外側の一方および他方に配置される第１および第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に高電圧を印加し多孔体の貫通孔にプラズマを発生させる高電圧印加手段と、プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素の状況を検出する環境要素検出手段と、環境要素検出手段によって検出された複数種類の環境要素の状況に基づいて各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する制御手段とを設けたものである。
【００１８】
この発明によれば、通風路内に多孔体が配置され、この多孔体の外側の一方および他方に第１の電極および第２の電極が配置され、第１の電極と第２の電極との間に高電圧が印加される。この第１の電極と第２の電極との間に印加される高電圧の印加は制御手段によって制御される。この場合、制御手段は、環境要素検出手段によって検出されたプラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素（例えば、風速、湿度、温度など）の状況に基づいて各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況（例えば、能力不足、能力適正、能力過剰など）を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する。
【００１９】
また、本発明は、通風路内に間隔を設けて配置され、通風路内を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数の多孔体と、複数の多孔体のうち処理対象ガスの通過方向の最も上流に配置される多孔体の上流側に配置される上流側電極と、複数の多孔体のうち処理対象ガスの通過方向の最も下流に配置される多孔体の下流側に配置される下流側電極と、上流側電極および下流側電極の一方を第１の電極、他方を第２の電極とし、第１の電極と第２の電極との間に高電圧を印加し多孔体の貫通孔および多孔体間の空間にプラズマを発生させる高電圧印加手段と、プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素の状況を検出する環境要素検出手段と、環境要素検出手段によって検出された複数種類の環境要素の状況に基づいて各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する制御手段とを設けたものである。
【００２０】
この発明によれば、通風路内に間隔を設けて多孔体が配置され、この複数の多孔体のうち最も上流に配置される多孔体の上流側に上流側電極が配置され、最も下流に配置される多孔体の下流側に下流側電極が配置され、上流側電極および下流側電極の一方を第１の電極、他方を第２の電極とし、第１の電極と第２の電極との間に高電圧が印加される。この第１の電極と第２の電極との間に印加される高電圧の印加は制御手段によって制御される。この場合、制御手段は、環境要素検出手段によって検出されたプラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素（例えば、風速、湿度、温度など）の状況に基づいて各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況（例えば、能力不足、能力適正、能力過剰など）を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する。
【００２１】
この発明において、プラズマは多孔体の貫通孔だけではなく、多孔体間の空間（空気層）にも発生する。このため、貫通孔内での有害ガスの分子分解効果に加え、多孔体間の空間での有害ガスの分子分解効果が加わり、さらにこの貫通孔内での分子分解効果と多孔体間の空間での分子分解効果との相乗効果により、有害ガスの無害な物質への分解が促進される。また、多孔体間の空間には、均一なプラズマが大量に発生する。
【００２２】
また、この発明において、多孔体間には空気層が設けられるので、上流側電極と下流側電極との間のインピーダンスが安定し、多孔体の吸湿・乾燥によるインピーダンス変化に対して流れる電流の変化が小さくなり、専用に設計された特殊な高電圧電源を使用する必要がなくなる。
また、この発明において、電極は上流側電極と下流側電極の２個の電極のみでよく、多孔体毎に電極を配置する必要がなくなり、部品点数が削減され、構造が簡単となり、組立工数も少なくて済む。
【００２３】
また、本発明は、通風路内に間隔を設けて配置され、通風路内を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数の多孔体と、複数の多孔体のうち隣り合う複数の多孔体を１群の多孔体群とし、これら多孔体群毎にその両端に位置する多孔体の外側に配置された第１および第２の電極と、各多孔体群の第１の電極と第２の電極との間に高電圧を印加し多孔体の貫通孔および多孔体間の空間にプラズマを発生させる高電圧印加手段と、プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素の状況を検出する環境要素検出手段と、環境要素検出手段によって検出された複数種類の環境要素の状況に基づいて各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する制御手段とを設けたものである。
【００２４】
例えば、この発明において、複数の多孔体を第１の多孔体群と第２の多孔体群とに分けた場合、第１の多孔体群の両端に位置する多孔体の外側に第１の電極と第２の電極が配置され、第２の多孔体群の両端に位置する多孔体の外側に第１の電極と第２の電極が配置され、第１の多孔体群の第１の電極と第２の電極との間および第２の多孔体群の第１の電極と第２の電極との間に高電圧が印加される。この第１の多孔体群および第２の多孔体群の第１の電極と第２の電極との間に印加される高電圧の印加は制御手段によって制御される。この場合、制御手段は、環境要素検出手段によって検出されたプラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素（例えば、風速、湿度、温度など）の状況に基づいて各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況（例えば、能力不足、能力適正、能力過剰など）を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する。
【００２５】
なお、この場合、第１の多孔体群に対して配置する第１の電極および第２の電極と、第２の多孔体群に対して配置する第１の電極および第２の電極とが存在することになるが、第１の多孔体群に対して配置する第２の電極と第２の多孔体群に対して配置する第１の電極とを共通電極とするなどとしてもよい。
また、本発明において、多孔体は、処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有していればよく、その貫通孔は必ずしも蜂の巣状に設けられていなくてもよい。
【００２６】
本発明において、制御手段はプラズマの発生状況の総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御するが、その際のプラズマの発生状況の総合的な判断結果を得る方式として次のような方式が考えられる。
（１）各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を能力不足，能力適正，能力過剰の何れに該当するかを判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を各環境要素間に定められた優先度に従って総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する（優先度方式）。
（２）各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を能力不足，能力適正，能力過剰の何れに該当するかを判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を能力不足，能力適正，能力過剰の各項目に該当する数に従って総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する（投票方式）。
（３）各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を能力不足，能力適正，能力過剰の何れに該当するかを判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果をその判断結果に各環境要素毎に定められた重みを乗じて総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する（重み付け方式）。
【００２７】
また、本発明において、制御手段はプラズマの発生状況の総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御するが、その際のプラズマの発生状況の総合的な判断結果に従う制御方式として次のような方式が考えられる。
（１）総合的な判断結果からプラズマの発生能力を増大させる必要があると判断した場合、第１の電極に接地電位から正方向に立ち上がる正電圧（＋Ｖ）を、第２の電極に接地電位から負方向に立ち下がる負電圧（−Ｖ）を、第１の電極への正電圧の立ち上がり状態と第２の電極への負電圧の立ち下がり状態とが一部重なるように交互に切り換えて印加させる。これにより、第１の電極への正電圧の立ち上がり状態と第２の電極への負電圧の立ち下がり状態とが重なった期間、第１の電極と第２の電極との間に印加される差電圧が倍電圧（２Ｖ＝＋Ｖ−（−Ｖ））となり、プラズマの発生状態がさらに活発となって、プラズマの発生能力が増大する。
（２）総合的な判断結果からプラズマの発生能力を減少させる必要があると判断した場合、第１の電極に接地電位から正方向に立ち上がる正電圧（＋Ｖ）を、第２の電極に接地電位から負方向に立ち下がる負電圧（−Ｖ）を、第１の電極への正電圧が接地電位に立ち下がった状態と第２の電極への負電圧が接地電位に立ち上がった状態とが一部重なるように交互に切り換えて印加させる。これにより、第１の電極への正電圧が接地電位に立ち下がった状態と第２の電極への負電圧が接地電位に立ち上がった状態とが重なった期間、第１の電極と第２の電極との間に電圧が印加されなくなり、この期間を高電圧の休止期間として、プラズマの発生能力が減少する。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素の状況を検出し、この検出された複数種類の環境要素の状況に基づいて各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて高電圧印加手段からの第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御するようにしたので、各環境要素毎のプラズマの発生状況の判断結果を考慮した総合的な判断結果に基づいて高電圧の印加が制御されるものとなり、プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの複数種類の環境要素の変化に対して、ガス処理能力を適切に調整することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に係るガス処理装置の一実施の形態（実施の形態１）の要部を示す図である。
【図２】このガス処理装置における制御部が出力する駆動パルスＰＳ１，ＰＳ２および駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの変化を示すタイムチャートである。
【図３】駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１、進み時間ＴＣ２が０とされている場合のハニカム構造体の電極への印加電圧の変化を示すタイムチャートである。
【図４】図３のタイムチャートにおいて駆動パルスＰＳ１，ＰＳ２が「Ｈ」レベルとなった時のハニカム構造体の電極間への高電圧の印加を説明する図である。
【図５】図３のタイムチャートにおいて駆動パルスＰＳ１，ＰＳ２が「Ｌ」レベルとなった時のハニカム構造体の電極間への高電圧の印加を説明する図である。
【図６】駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１がＴＣ１＞０とされた場合のハニカム構造体の電極への印加電圧の変化を示すタイムチャートである。
【図７】駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの進み時間ＴＣ２がＴＣ２＞０とされた場合のハニカム構造体の電極への印加電圧の変化を示すタイムチャートである。
【図８】このガス処理装置の制御部においてプラズマの発生状況の総合的な判断結果を優先度方式で得るようにした場合の動作を示すフローチャートである。
【図９】このガス処理装置の制御部においてプラズマの発生状況の総合的な判断結果を投票方式で得るようにした場合の判断ロジックを示す図である。
【図１０】このガス処理装置の制御部においてプラズマの発生状況の総合的な判断結果を重み付け方式で得るようにした場合の能力制御参照値Ｃの値と総合判断結果との関係を示す図である。
【図１１】本発明に係るガス処理装置の他の実施の形態（実施の形態２）の要部を示す図である。
【図１２】本発明に係るガス処理装置の他の実施の形態（実施の形態３）の要部を示す図である。
【図１３】本発明に係るガス処理装置の他の実施の形態（実施の形態４）の要部を示す図である。
【図１４】本発明に係るガス処理装置の他の実施の形態（実施の形態５）の要部を示す図である。
【図１５】駆動パルスＰＳ２のオフタイミングに対する駆動パルスＰＳ１のオフタイミングの遅延時間ＴＤ１を調整するようにした例を示すタイムチャートである。
【図１６】駆動パルスＰＳ２のオフタイミングに対する駆動パルスＰＳ１のオフタイミングの進み時間ＴＤ２を調整するようにした例を示すタイムチャートである。
【図１７】放電プラズマを利用した従来のガス処理装置の要部を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
〔実施の形態１〕
図１はこの発明に係るガス処理装置の一実施の形態（実施の形態１）の要部を示す図である。同図において、図１７と同一符号は図１７を参照して説明した構成要素と同一或いは同等構成要素を示し、その説明は省略する。
【００３１】
この実施の形態１では、ダクト１内にハニカム構造体４を配置し、このハニカム構造体４の外側の一方および他方に第１の電極８および第２の電極９を配置し、第１の電極８を導線１６によって高電圧印加部２０の正電圧供給端子Ｔ１に接続し、第２の電極９を導線１７によって高電圧印加部２０の負電圧供給端子Ｔ２に接続している。
【００３２】
ハニカム構造体４は、セラミックス等の絶縁体で形成されており、処理対象ガスＧＳが通過する多数の貫通孔（セル）４ａを有している。第１の電極８および第２の電極９は、処理対象ガスＧＳが通過するように、金属製メッシュとされている。
【００３３】
高電圧印加部２０は、トランスＴＲ１，ＴＲ２と、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４と、コンデンサＣ１，Ｃ２と、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３と、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３と、スイッチング用集積回路ＩＣ１，ＩＣ２と、制御部ＣＮＴとを備えている。高電圧印加部２０において、トランジスタＱ１のコレクタはトランスＴＲ２の１次巻線の一端に接続され、トランジスタＱ１のエミッタは接地されている。トランスＴＲ２の１次巻線の他端には電源電圧Ｖｃが印加されている。
【００３４】
また、高電圧印加部２０において、トランジスタＱ２のコレクタは抵抗Ｒ１を介して高電位電源に接続され、トランジスタＱ２のエミッタは接地されている。トランジスタＱ３のコレクタはトランスＴＲ１の１次巻線の一端に接続され、トランジスタＱ３のエミッタは接地されている。トランスＴＲ１の１次巻線の他端には電源電圧Ｖｃが印加されている。トランジスタＱ３のベースはスイッチング用集積回路ＩＣ１を介しトランジスタＱ２のコレクタと抵抗Ｒ１との接続点に接続され、スイッチング用集積回路ＩＣ１とトランジスタＱ３のベースとの接続ラインには抵抗Ｒ３を介して高電位電源が接続されている。また、トランジスタＱ１のベースはスイッチング用集積回路ＩＣ２を介して制御部ＣＮＴの駆動パルスＰＳ２の出力端子Ｏ２に接続され、スイッチング用集積回路ＩＣ２とトランジスタＱ１のベースとの接続ラインには抵抗Ｒ２を介して高電位電源が接続されている。トランジスタＱ２のベースは制御部ＣＮＴの駆動パルスＰＳ１の出力端子Ｏ１に接続されている。
【００３５】
また、高電圧印加部２０において、トランスＴＲ１の２次巻線の一端と正電圧供給端子Ｔ１との間には、そのカソードを正電圧供給端子Ｔ１側としてダイオードＤ１が接続されており、ダイオードＤ１のカソードとトランスＴＲ１の２次巻線の他端との間にはコンデンサＣ１が接続されている。コンデンサＣ１とトランスＴＲ１の２次巻線の他端との接続ラインは接地されている。更に、トランスＴＲ１の非動作時の電圧降下防止用のダイオードＤ３が、そのカソードをダイオードＤ１のカソード側に向けて、そのアノードを接地側に向けて、コンデンサＣ１と並列に接続されている。
【００３６】
また、高電圧印加部２０において、トランスＴＲ２の２次巻線の一端と負電圧供給端子Ｔ２との間には、そのアノードを負電圧供給端子Ｔ２側としてダイオードＤ２が接続されており、ダイオードＤ２のアノードとトランスＴＲ２の２次巻線の他端との間にはコンデンサＣ２が接続されている。コンデンサＣ２とトランスＴＲ２の２次巻線の他端との接続ラインは接地されている。更に、トランスＴＲ２の非動作時の電圧降下防止用のダイオードＤ４が、そのアノードをダイオードＤ２のアノード側に向けて、そのカソードを接地側に向けて、コンデンサＣ２と並列に接続されている。
【００３７】
また、この実施の形態１では、ハニカム構造体４の上流側に処理対象ガスＧＳの風速を検出する風速センサ２１と、処理対象ガスＧＳの湿度を検出する湿度センサ２２と、処理対象ガスＧＳの温度を検出する温度センサ２３とを設け、この風速センサ２１が検出する処理対象ガスＧＳの風速、湿度センサ２２が検出する処理対象ガスＧＳの湿度および温度センサ２３が検出する処理対象ガスＧＳの温度を制御部ＣＮＴへ与えるようにしている。
【００３８】
制御部ＣＮＴは、プロセッサや記憶装置からなるハードウェアと、これらのハードウェアと協働して各種機能を実現させるプログラムとによって実現され、本実施の形態特有の機能として駆動パルスＰＳ１，ＰＳ２の出力機能を有している。
【００３９】
この例では、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ１より、時間幅ＴＷ１の駆動パルスＰＳ１をトランジスタＱ２のベースに所定周期で与え、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ２より、時間幅ＴＷ２の駆動パルスＰＳ２をスイッチング用集積回路ＩＣ２に所定周期で与える。
【００４０】
また、図２（ａ）に示すように、駆動パルスＰＳ１をそのオン期間Ｔonとオフ期間Ｔoff とが等しいデューティ比５０％のパルスとし、図２（ｂ）〜（ｄ）に示すように、駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングを後述するプラズマの発生状況の総合的な判断結果に基づいて自動調整する。
【００４１】
なお、この場合、駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの調整量をＴＣとし、駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対して遅延させる方向への調整量を遅れ時間ＴＣ１、進ませる方向の調整量を進み時間ＴＣ２とする。また、この実施の形態において、スイッチング用集積回路ＩＣ１およびＩＣ２は、「４９４」タイプのスイッチングコントロールＩＣを用いている。
【００４２】
〔駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１、進み時間ＴＣ２が０（ＴＣ１，ＴＣ２＝０（ＴＣ＝０））とされている場合の動作〕
図３に駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１、進み時間ＴＣ２が０とされている場合のハニカム構造体４の電極８および９への印加電圧の変化を示す。
【００４３】
高電圧印加部２０において、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ１からの駆動パルスＰＳ１が「Ｈ」レベルとなると（図３（ａ）：ｔ１点）、トランジスタＱ２がオンとされる。トランジスタＱ２がオンとされると、スイッチング用集積回路ＩＣ１のデッドタイムコントロール端子ｄｃ１が「Ｌ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ１から高周波スイッチングパルスが出力される。この高周波スイッチングパルスによりトランジスタＱ３がオン、オフされ、トランスＴＲ１の１次巻線に電流が流れ、トランスＴＲ１の２次巻線側に電圧Ｖ１が発生する（図４参照）。この電圧Ｖ１は、コンデンサＣ１によって平滑され、ダイオードＤ１を介してハニカム構造体４の第１の電極８に印加される。すなわち、ハニカム構造体４の第１の電極８に、接地電位（ＧＮＤ）から正方向に立ち上がる正電圧＋Ｖ１が印加される（図３（ｂ）：ｔ１点）。
【００４４】
また、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ２からの駆動パルスＰＳ２が駆動パルスＰＳ１と同タイミングで「Ｈ」レベルとなると（図３（ｃ）：ｔ１点）、スイッチング用集積回路ＩＣ２のデッドタイムコントロール端子ｄｃ２が「Ｈ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ２からの高周波スイッチングパルスの出力が中断される。これによりトランジスタＱ１がオフとされ、トランスＴＲ２の２次巻線を流れる電流が遮断される。これにより、コンデンサＣ２の蓄積電荷がダイオードＤ２，トランスＴＲ２の２次巻線の経路で放電し、それまでハニカム構造体４の第２の電極９に印加されていた負電圧−Ｖ２（後述）が接地電位（ＧＮＤ）に向かって変化する（図３（ｄ）：ｔ１点）。
【００４５】
ここで、駆動パルスＰＳ１の「Ｈ」レベルへの立ち上がり時には、すなわち第１の電極８に正電圧＋Ｖ１を印加する電圧の切換時には、第２の電極９への印加電圧が接地電位（ＧＮＤ）に戻されるまでの間、第１の電極８と第２の電極９との間には正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２が瞬間的に印加された後、Ｖ１へと降下するオーバシュート電圧が印加される。この場合、Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖとすると、倍電圧２Ｖが第１の電極８と第２の電極９との間に瞬間的に印加されることになる。
【００４６】
高電圧印加部２０において、駆動パルスＰＳ２が「Ｌ」レベルとなると（図３（ｃ）：ｔ２点）、スイッチング用集積回路ＩＣ２のデッドタイムコントロール端子ｄｃ２が「Ｌ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ２から高周波スイッチングパルスが出力される。この高周波スイッチングパルスの出力によりトランジスタＱ１がオン、オフされ、トランスＴＲ２の１次巻線に電流が流れ、トランスＴＲ２の２次巻線側に電圧Ｖ２が発生する（図５参照）。この電圧Ｖ２は、コンデンサＣ２によって平滑され、ダイオードＤ２を介してハニカム構造体４の第２の電極９に印加される。すなわち、ハニカム構造体４の第２の電極９に、接地電位（ＧＮＤ）から負方向に立ち下がる負電圧−Ｖ２が印加される（図３（ｄ）：ｔ２点）。
【００４７】
また、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ１からの駆動パルスＰＳ１が駆動パルスＰＳ２と同タイミングで「Ｌ」レベルとなると（図３（ａ）：ｔ２点）、トランジスタＱ２がオフとされる。トランジスタＱ２がオフとされると、スイッチング用集積回路ＩＣ１のデッドタイムコントロール端子ｄｃ１が「Ｈ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ１からの高周波スイッチングパルスの出力が中断される。これによりトランジスタＱ３がオフとされ、トランスＴＲ１の２次巻線を流れる電流が遮断される。これにより、コンデンサＣ１の蓄積電荷がトランスＴＲ１の２次巻線，ダイオードＤ１の経路で放電し、それまでハニカム構造体４の第１の電極８に印加されていた正電圧＋Ｖ１が接地電位（ＧＮＤ）に向かって変化する（図３（ｂ）：ｔ２点）。
【００４８】
ここで、駆動パルスＰＳ２の「Ｌ」レベルへの立ち下がり時には、すなわち第２の電極９に負電圧−Ｖ２を印加する電圧の切換時には、第１の電極８への印加電圧が接地電位（ＧＮＤ）に戻されるまでの間、第１の電極８と第２の電極９との間には正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２が瞬間的に印加された後、Ｖ２へと降下するオーバシュート電圧が印加される。この場合、Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖとすると、倍電圧２Ｖが第１の電極８と第２の電極９との間に瞬間的に印加されることになる。
【００４９】
このようにして、駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅れ時間ＴＣ１、進み時間ＴＣ２が０とされている場合、駆動パルスＰＳ１，ＰＳ２のオンタイミングおよびオフタイミングで、第１の電極８と第２の電極９との間に正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２が瞬間的に印加される。
【００５０】
なお、この例では、Ｖ１，Ｖ２を数ｋＶ〜数１０ｋＶの高電圧（Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖ）とし、駆動パルスＰＳ１，ＰＳ２のオンタイミングおよびオフタイミングでは倍電圧２Ｖが瞬間的に印加されるものとする。これにより、ハニカム構造体４の貫通孔４ａにプラズマが発生し、このプラズマ中に生成されるイオンやラジカルによって、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスが無害な物質に分解されるものとなる。なお、この場合、駆動パルスＰＳ１，ＰＳ２のオンタイミングおよびオフタイミング以外の期間においても高電圧Ｖが印加されるので、プラズマは発生する。
【００５１】
〔駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１がＴＣ１＞０とされた場合の動作〕
制御部ＣＮＴは、図３に示したＴＣ１，ＴＣ２＝０の制御状態から、プラズマの発生能力を増大させる必要があると判断すると、その時のプラズマの発生能力の必要量に応じて遅れ時間ＴＣ１を大きくする（ＴＣ１＞０）。この時のプラズマの発生能力を増大させる必要があるか否かの判断は、風速センサ２１が検出する処理対象ガスＧＳの風速、湿度センサ２２が検出する処理対象ガスＧＳの湿度および温度センサ２３が検出する処理対象ガスＧＳの温度に基づいて行う。
【００５２】
この場合、制御部ＣＮＴは、風速センサ２１が検出する処理対象ガスＧＳの風速に基づいて、現在のプラズマの発生状況を「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断する。また、湿度センサ２２が検出する処理対象ガスＧＳの湿度に基づいて、現在のプラズマの発生状況を「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断する。また、温度センサ２３が検出する処理対象ガスＧＳの温度に基づいて、現在のプラズマの発生状況を「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断する。そして、この風速に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果と、湿度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果と、温度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいてプラズマの発生能力を増大させる必要があるか否かを判断する。この際の総合的な判断結果を得る方式としては、優先度方式、投票方式、重み付け方式があるが、これについては後述する。
【００５３】
図６に駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１がＴＣ１＞０とされた場合のハニカム構造体４の電極８および９への印加電圧の変化を示す。
【００５４】
高電圧印加部２０において、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ１からの駆動パルスＰＳ１が「Ｈ」レベルとなると（図６（ａ）：ｔ１点）、トランジスタＱ２がオンとされる。トランジスタＱ２がオンとされると、スイッチング用集積回路ＩＣ１のデッドタイムコントロール端子ｄｃ１が「Ｌ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ１から高周波スイッチングパルスが出力される。この高周波スイッチングパルスによりトランジスタＱ３がオン、オフされ、トランスＴＲ１の１次巻線に電流が流れ、トランスＴＲ１の２次巻線側に電圧Ｖ１が発生する（図４参照）。この電圧Ｖ１は、コンデンサＣ１によって平滑され、ダイオードＤ１を介してハニカム構造体４の第１の電極８に印加される。すなわち、ハニカム構造体４の第１の電極８に、接地電位（ＧＮＤ）から正方向に立ち上がる正電圧＋Ｖ１が印加される（図６（ｂ）：ｔ１点）。
【００５５】
そして、ＴＣ１時間の経過後、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ２からの駆動パルスＰＳ２が「Ｈ」レベルとなると（図６（ｃ）：ｔ２点）、スイッチング用集積回路ＩＣ２のデッドタイムコントロール端子ｄｃ２が「Ｈ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ２からの高周波スイッチングパルスの出力が中断される。これによりトランジスタＱ１がオフとされ、トランスＴＲ２の２次巻線を流れる電流が遮断される。これにより、コンデンサＣ２の蓄積電荷がダイオードＤ２，トランスＴＲ２の２次巻線の経路で放電し、それまでハニカム構造体４の第２の電極９に印加されていた負電圧−Ｖ２（後述）が接地電位（ＧＮＤ）に向かって変化する（図６（ｄ）：ｔ２点）。
【００５６】
ここで、駆動パルスＰＳ１の「Ｈ」レベルへの立ち上がり時には、すなわち第１の電極８に正電圧＋Ｖ１を印加する電圧の切換時には、ＴＣ１時間の間、第１の電極８への正電圧＋Ｖ１の立ち上がり状態と第２の電極９への負電圧−Ｖ２の立ち下がり状態とが重なり、第１の電極８と第２の電極９との間には正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２が継続して印加される。この場合、Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖとすると、倍電圧２Ｖが第１の電極８と第２の電極９との間にＴＣ１時間の間印加されることになる。
【００５７】
高電圧印加部２０において、駆動パルスＰＳ２が「Ｌ」レベルとなると（図６（ｃ）：ｔ３点）、スイッチング用集積回路ＩＣ２のデッドタイムコントロール端子ｄｃ２が「Ｌ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ２から高周波スイッチングパルスが出力される。この高周波スイッチングパルスの出力によりトランジスタＱ１がオン、オフされ、トランスＴＲ２の１次巻線に電流が流れ、トランスＴＲ２の２次巻線側に電圧Ｖ２が発生する（図５参照）。この電圧Ｖ２は、コンデンサＣ２によって平滑され、ダイオードＤ２を介してハニカム構造体４の第２の電極９に印加される。すなわち、ハニカム構造体４の第２の電極９に、接地電位（ＧＮＤ）から負方向に立ち下がる負電圧−Ｖ２が印加される（図６（ｄ）：ｔ３点）。
【００５８】
また、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ１からの駆動パルスＰＳ１が駆動パルスＰＳ２と同タイミングで「Ｌ」レベルとなると（図６（ａ）：ｔ３点）、トランジスタＱ２がオフとされる。トランジスタＱ２がオフとされると、スイッチング用集積回路ＩＣ１のデッドタイムコントロール端子ｄｃ１が「Ｈ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ１からの高周波スイッチングパルスの出力が中断される。これによりトランジスタＱ３がオフとされ、トランスＴＲ１の２次巻線を流れる電流が遮断される。これにより、コンデンサＣ１の蓄積電荷がトランスＴＲ１の２次巻線，ダイオードＤ１の経路で放電し、それまでハニカム構造体４の第１の電極８に印加されていた正電圧＋Ｖ１が接地電位（ＧＮＤ）に向かって変化する（図６（ｂ）：ｔ２点）。
【００５９】
ここで、駆動パルスＰＳ２の「Ｌ」レベルへの立ち下がり時には、すなわち第２の電極９に負電圧−Ｖ２を印加する電圧の切換時には、第１の電極８への印加電圧が接地電位（ＧＮＤ）に戻されるまでの間、第１の電極８と第２の電極９との間には正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２が瞬間的に印加された後、Ｖ２へと降下するオーバシュート電圧が印加される。この場合、Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖとすると、倍電圧２Ｖが第１の電極８と第２の電極９との間に瞬間的に印加されることになる。
【００６０】
このようにして、駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１がＴＣ１＞０とされた場合、第１の電極８への正電圧＋Ｖ１の立ち上がり状態と第２の電極９への負電圧−Ｖ２の立ち下がり状態とが重なるＴＣ１時間の間、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２が第１の電極８と第２の電極９との間に印加され、ハニカム構造体４の貫通孔４ａに発生するプラズマの量が増大する。
【００６１】
〔駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの進み時間ＴＣ２がＴＣ２＞０とされた場合の動作〕
制御部ＣＮＴは、図３に示したＴＣ１，ＴＣ２＝０の制御状態から、プラズマの発生能力を減少させる必要があると判断すると、その時のプラズマの発生能力の必要量に応じて進み時間ＴＣ２を大きくする（ＴＣ２＞０）。この時のプラズマの発生能力を減少させる必要があるか否かの判断は、風速センサ２１が検出する処理対象ガスＧＳの風速、湿度センサ２２が検出する処理対象ガスＧＳの湿度および温度センサ２３が検出する処理対象ガスＧＳの温度に基づいて行う。
【００６２】
この場合、制御部ＣＮＴは、風速センサ２１が検出する処理対象ガスＧＳの風速に基づいて、現在のプラズマの発生状況を「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断する。また、湿度センサ２２が検出する処理対象ガスＧＳの湿度に基づいて、現在のプラズマの発生状況を「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断する。また、温度センサ２３が検出する処理対象ガスＧＳの温度に基づいて、現在のプラズマの発生状況を「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断する。そして、この風速に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果と、湿度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果と、温度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいてプラズマの発生能力を減少させる必要があるか否かを判断する。この際の総合的な判断結果を得る方式としては、優先度方式、投票方式、重み付け方式がある（後述）。
【００６３】
図７に駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの進み時間ＴＣ２がＴＣ２＞０とされた場合のハニカム構造体４の電極８および９への印加電圧の変化を示す。
【００６４】
高電圧印加部２０において、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ２からの駆動パルスＰＳ２が「Ｈ」レベルとなると（図７（ｃ）：ｔ０点）、スイッチング用集積回路ＩＣ２のデッドタイムコントロール端子ｄｃ２が「Ｈ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ２からの高周波スイッチングパルスの出力が中断される。これによりトランジスタＱ１がオフとされ、トランスＴＲ２の２次巻線を流れる電流が遮断される。これにより、コンデンサＣ２の蓄積電荷がダイオードＤ２，トランスＴＲ２の２次巻線の経路で放電し、それまでハニカム構造体４の第２の電極９に印加されていた負電圧−Ｖ２（後述）が接地電位（ＧＮＤ）に向かって変化する（図７（ｄ）：ｔ０点）。
【００６５】
そして、ＴＣ時間の経過後、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ１からの駆動パルスＰＳ１が「Ｈ」レベルとなると（図７（ａ）：ｔ１点）、トランジスタＱ２がオンとされる。トランジスタＱ２がオンとされると、スイッチング用集積回路ＩＣ１のデッドタイムコントロール端子ｄｃ１が「Ｌ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ１から高周波スイッチングパルスが出力される。この高周波スイッチングパルスによりトランジスタＱ３がオン、オフされ、トランスＴＲ１の１次巻線に電流が流れ、トランスＴＲ１の２次巻線側に電圧Ｖ１が発生する（図４参照）。この電圧Ｖ１は、コンデンサＣ１によって平滑され、ダイオードＤ１を介してハニカム構造体４の第１の電極８に印加される。すなわち、ハニカム構造体４の第１の電極８に、接地電位（ＧＮＤ）から正方向に立ち上がる正電圧＋Ｖ１が印加される（図７（ｂ）：ｔ１点）。
【００６６】
ここで、駆動パルスＰＳ２の「Ｈ」レベルへの立ち上がり時には、すなわち第２の電極９への負電圧−Ｖ２の印加を第１の電極８への正電圧＋Ｖ１への印加に切り換える電圧の切換時には、駆動パルスＰＳ１が「Ｈ」レベルへ立ち上がるまでの間（ほぼＴＣ２時間）、第１の電極８への正電圧＋Ｖ１が接地電位に立ち下がった状態と第２の電極９への負電圧−Ｖ２が接地電位に立ち上がった状態とが重なり、第１の電極８と第２の電極９との間に電圧が印加されなくなる。すなわち、駆動パルスＰＳ２が「Ｈ」レベルへ立ち上がってから駆動パルスＰＳ１が「Ｈ」レベルへ立ち上がるまでのほぼＴＣ２時間の間、第１の電極８と第２の電極９との間への高電圧（Ｖ１，Ｖ２）の印加が休止される。
【００６７】
高電圧印加部２０において、駆動パルスＰＳ２が「Ｌ」レベルとなると（図７（ｃ）：ｔ２点）、スイッチング用集積回路ＩＣ２のデッドタイムコントロール端子ｄｃ２が「Ｌ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ２から高周波スイッチングパルスが出力される。この高周波スイッチングパルスの出力によりトランジスタＱ１がオン、オフされ、トランスＴＲ２の１次巻線に電流が流れ、トランスＴＲ２の２次巻線側に電圧Ｖ２が発生する（図５参照）。この電圧Ｖ２は、コンデンサＣ２によって平滑され、ダイオードＤ２を介してハニカム構造体４の第２の電極９に印加される。すなわち、ハニカム構造体４の第２の電極９に、接地電位（ＧＮＤ）から負方向に立ち下がる負電圧−Ｖ２が印加される（図７（ｄ）：ｔ２点）。
【００６８】
また、制御部ＣＮＴの出力端子Ｏ１からの駆動パルスＰＳ１が駆動パルスＰＳ２と同タイミングで「Ｌ」レベルとなると（図７（ａ）：ｔ２点）、トランジスタＱ２がオフとされる。トランジスタＱ２がオフとされると、スイッチング用集積回路ＩＣ１のデッドタイムコントロール端子ｄｃ１が「Ｈ」レベルとなり、スイッチング用集積回路ＩＣ１からの高周波スイッチングパルスの出力が中断される。これによりトランジスタＱ３がオフとされ、トランスＴＲ１の２次巻線を流れる電流が遮断される。これにより、コンデンサＣ１の蓄積電荷がトランスＴＲ１の２次巻線，ダイオードＤ１の経路で放電し、それまでハニカム構造体４の第１の電極８に印加されていた正電圧＋Ｖ１が接地電位（ＧＮＤ）に向かって変化する（図７（ｂ）：ｔ２点）。
【００６９】
ここで、駆動パルスＰＳ２の「Ｌ」レベルへの立ち下がり時には、すなわち第２の電極９に負電圧−Ｖ２を印加する電圧の切換時には、第１の電極８への印加電圧が接地電位（ＧＮＤ）に戻されるまでの間、第１の電極８と第２の電極９との間には正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２が瞬間的に印加された後、Ｖ２へと降下するオーバシュート電圧が印加される。この場合、Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖとすると、倍電圧２Ｖが第１の電極８と第２の電極９との間に瞬間的に印加されることになる。
【００７０】
このようにして、駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの進み時間ＴＣ２がＴＣ２＞０とされた場合、第２の電極９への負電圧−Ｖ２の印加を第１の電極８への正電圧＋Ｖ１への印加に切り換える電圧の切換時に、ほぼＴＣ時間の間、第１の電極８への正電圧＋Ｖ１が接地電位に立ち下がった状態と第２の電極９への負電圧−Ｖ２が接地電位に立ち上がった状態とが重なり、第１の電極８と第２の電極９との間に電圧が印加されなくなり、この期間を高電圧の休止期間としてハニカム構造体４の貫通孔４ａに発生するプラズマの量が減少する。また、この高電圧の休止期間において処理対象ガスＧＳがハニカム構造体４に吸着し、この休止期間中に吸着された分も含めて高電圧印加時に分解処理が行われるものとなり、低電力でも効率的にガス処理を行うことが可能となる。
【００７１】
〔優先度方式〕
図８に制御部ＣＮＴにおいてプラズマの発生状況の総合的な判断結果を優先度方式で得るようにした場合のフローチャートを示す。なお、この優先度方式を採用するにあたっては、風速センサ２１によって検出される処理対象ガスＧＳの風速と、湿度センサ２２によって検出される処理対象ガスＧＳの湿度と、温度センサ２３によって検出される処理対象ガスＧＳの温度との間に優先度を定めておく。この例では、「風速」を優先度１、「湿度」を優先度２、「温度」を優先度３とする。
【００７２】
この場合、制御部ＣＮＴは、先ず、優先度１の風速センサ２１が検出する処理対象ガスＧＳの風速に基づいて、現在のプラズマの発生状況を判断する（ステップＳ１０１）。そして、この風速に基づく現在のプラズマの発生状況が「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断し（ステップＳ１０２）、「能力不足」であればプラズマの発生能力を増大させ（ステップＳ１０８）、「能力過剰」であればプラズマの発生能力を減少させる（ステップＳ１０９）。
【００７３】
風速に基づく現在のプラズマの発生状況が「能力適正」であれば、制御部ＣＮＴは、優先度２の湿度センサ２２が検出する処理対象ガスＧＳの湿度に基づいて、現在のプラズマの発生状況を判断する（ステップＳ１０３）。そして、この湿度に基づく現在のプラズマの発生状況が「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断し（ステップＳ１０４）、「能力不足」であればプラズマの発生能力を増大させ（ステップＳ１０８）、「能力過剰」であればプラズマの発生能力を減少させる（ステップＳ１０９）。
【００７４】
湿度に基づく現在のプラズマの発生状況が「能力適正」であれば、制御部ＣＮＴは、優先度３の温度センサ２３が検出する処理対象ガスＧＳの温度に基づいて、現在のプラズマの発生状況を判断する（ステップＳ１０５）。そして、この温度に基づく現在のプラズマの発生状況が「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」の何れに該当するかを判断し（ステップＳ１０６）、「能力不足」であればプラズマの発生能力を増大させ（ステップＳ１０８）、「能力過剰」であればプラズマの発生能力を減少させ（ステップＳ１０９）、「能力適正」であれば現在のプラズマの発生能力を維持させる（ステップＳ１０７）。
【００７５】
〔投票方式〕
図９に制御部ＣＮＴにおいてプラズマの発生状況の総合的な判断結果を投票方式で得るようにした場合の判断ロジックを示す。
【００７６】
この投票方式では、風速センサ２１によって検出される処理対象ガスＧＳの風速に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果と、湿度センサ２２によって検出される処理対象ガスＧＳの湿度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果と、温度センサ２３によって検出される処理対象ガスＧＳの温度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果とは同じ重みを持つものとする。
【００７７】
この投票方式において、制御部ＣＮＴは、各センサによる個別の判断結果を「能力不足」，「能力適正」，「能力過剰」のどの項目に該当するかを調べ、各項目に該当する数が最大の項目より総合的な判断結果を得る。この場合、「能力不足」に該当する数が最大であれば、総合的な判断結果を「能力増大」とし、「能力過剰」に該当する数が最大であれば、総合的な判断結果を「能力減少」とする。「能力適正」に該当する数が最大であれば、総合的な判断結果を「現状維持」とする。なお、３項目が同数の場合には、特別ルールとして、総合的な判断結果を「現状維持」とする。
【００７８】
この例では、プラズマの発生に影響を与える処理対象ガスの環境要素を風速，温度，湿度の３種類とし、この３種類の環境要素の状況を検出するようにしているが、この環境要素は風速，温度，湿度の３種類に限られるものではない。例えば、処理対象ガスの濃度、ハニカム構造体での異常放電なども環境要素として考えられる。処理対象ガスの環境要素の種類が増えたような場合、最大数となる項目が２項目生じる場合がある。このような場合、特別ルールとして、「能力過剰」と「能力適正」が同数の場合には総合的な判断結果を「能力減少」とし、「能力適正」と「能力不足」が同数の場合には総合的な判断結果を「能力増大」とし、「能力過剰」と「能力不足」が同数の場合には総合的な判断結果を「現状維持」とする。
【００７９】
〔重み付け方式〕
図１０に制御部ＣＮＴにおいてプラズマの発生状況の総合的な判断結果を重み付け方式で得るようにした場合の能力制御参照値Ｃの値（後述）と総合判断結果との関係を示す。
【００８０】
この重み付け方式では、風速センサ２１によって検出される処理対象ガスＧＳの風速、湿度センサ２２によって検出される処理対象ガスＧＳの湿度、温度センサ２３によって検出される処理対象ガスＧＳの温度に対し、個々に重みＷｉ（０＜Ｗｉ＜１）を予め定めておく。この場合、その重みＷｉの合計は、１とする（ΣＷｉ＝１）。
【００８１】
この重み付け方式において、制御部ＣＮＴは、風速センサ２１によって検出される処理対象ガスＧＳの風速に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力過剰」の場合、風速に対して定められた重みＷｉにｋ＝−１を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝−Ｗｉとする。同様に、湿度センサ２２によって検出される処理対象ガスＧＳの湿度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力過剰」の場合、湿度に対して定められた重みＷｉにｋ＝−１を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝−Ｗｉとし、温度センサ２３によって検出される処理対象ガスＧＳの温度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力過剰」の場合、温度に対して定められた重みＷｉにｋ＝−１を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝−Ｗｉとする。
【００８２】
また、制御部ＣＮＴは、風速センサ２１によって検出される処理対象ガスＧＳの風速に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力適正」の場合、風速に対して定められた重みＷｉにｋ＝０を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝０とする。同様に、湿度センサ２２によって検出される処理対象ガスＧＳの湿度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力適正」の場合、湿度に対して定められた重みＷｉにｋ＝０を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝０とし、温度センサ２３によって検出される処理対象ガスＧＳの温度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力適正」の場合、温度に対して定められた重みＷｉにｋ＝０を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝０とする。
【００８３】
また、制御部ＣＮＴは、風速センサ２１によって検出される処理対象ガスＧＳの風速に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力不足」の場合、風速に対して定められた重みＷｉにｋ＝＋１を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝＋Ｗｉとする。同様に、湿度センサ２２によって検出される処理対象ガスＧＳの湿度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力不足」の場合、湿度に対して定められた重みＷｉにｋ＝＋１を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝＋Ｗｉとし、温度センサ２３によって検出される処理対象ガスＧＳの温度に基づく現在のプラズマの発生状況の判断結果が「能力不足」の場合、温度に対して定められた重みＷｉにｋ＝＋１を乗じたものを個別判断結果Ｒｉ＝Ｗｉ×ｋ＝＋Ｗｉとする。
【００８４】
そして、制御部ＣＮＴは、このようにして求めた全ての個別判断結果Ｒｉを積算し、この個別判断結果Ｒｉの積算値を能力制御参照値Ｃ（Ｃ＝Σ（Ｗｉ×ｋ））として求める。この能力制御参照値Ｃは、−１≦Ｃ≦＋１となるが、この能力制御参照値Ｃと総合判断結果との関係を図１０に示すように定めておく。なお、図１０において、ｍは、０≦ｍ＜１の値とする。
【００８５】
制御部ＣＮＴは、この図１０に示された関係に従って、能力制御参照値Ｃが−１≦Ｃ＜−ｍの場合には総合判断結果を「能力減少」とし、能力制御参照値Ｃが−ｍ≦Ｃ≦ｍの場合には総合判断結果を「現状維持」とし、能力制御参照値Ｃがｍ＜Ｃ≦＋１の場合には総合判断結果を「能力増大」とする。
【００８６】
〔実施の形態２〕
実施の形態１では、ダクト１内にハニカム構造体４を１つしか配置しなかったが、ダクト１内にハニカム構造体４を複数配置するようにしてもよい。
【００８７】
図１１にダクト１内にハニカム構造体４を複数配置した例（実施の形態２）を示す。この実施の形態２では、ダクト１内にダクト１の入口から出口へ向かう方向に沿って所定の間隔Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）を設けてハニカム構造体４（４−１〜４−３）を配置し、このハニカム構造体４のうち最も上流に配置されるハニカム構造体４−１の上流側に第１の電極（上流側電極）８を、最も下流に配置されるハニカム構造体４−３の下流側に第２の電極（下流側電極）９を配置し、上流側電極８を導線１６によって高電圧印加部２０の正電圧供給端子Ｔ１に接続し、下流側電極９を導線１７によって高電圧印加部２０の負電圧供給端子Ｔ２に接続するようにしている。高電圧印加部２０は実施の形態１で使用したものと同じである。
【００８８】
この実施の形態２において、各ハニカム構造体４の単位面積当たりの貫通孔４ａの数は等しくされている。すなわち、ハニカム構造体４−１〜４−３として、単位面積当たりの貫通孔４ａの数が等しい同一種類のハニカム構造体４を使用している。また、ハニカム構造体４−１と４−２との間の間隔Ｇ１と、ハニカム構造体４−２と４−３との間の間隔Ｇ２とは等しく、例えば０．５ｍｍ〜数ｍｍとされている。これにより、ハニカム構造体４−１と４−２との間に空気層１２−１が形成され、ハニカム構造体４−２と４−３との間に空気層１２−２が形成されている。以下、空気層１２（１２−１，１２−２）を空間ギャップと呼ぶ。
【００８９】
このガス処理装置においても、トランジスタＱ２のベースに駆動パルスＰＳ１を与え、高電圧印加部２０のスイッチング用集積回路ＩＣ２に駆動パルスＰＳ２を与える。これにより、実施の形態１と同様にして、プラズマの発生状況の総合的な判断結果に基づいて、上流側電極（第１の電極）８と下流側電極（第２の電極）９との間に、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２がその印加時間が自動調整されながら印加されたり、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２とが交互にその高電圧の休止期間が自動調整されながら印加されたりする。この高電圧の印加により、ハニカム構造体４の貫通孔４ａおよびハニカム構造体４間の空間ギャップ１２にプラズマが発生し、このプラズマ中に生成されるイオンやラジカルによって、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスが無害な物質に分解される。
【００９０】
このガス処理装置において、プラズマはハニカム構造体４の貫通孔４ａだけではなく、ハニカム構造体４間の空間ギャップ１２にも発生する。このため、貫通孔４ａ内での有害ガスの分子分解効果に加え、ハニカム構造体４間の空間ギャップ１２での有害ガスの分子分解効果が加わり、さらにこの貫通孔４ａ内での分子分解効果とハニカム構造体４間の空間ギャップ１２での分子分解効果との相乗効果により、有害ガスの無害な物質への分解が促進され、ガス処理能力が高まる。
【００９１】
また、このガス処理装置において、ハニカム構造体４間の空間ギャップ１２には、対向する貫通孔４ａの縁面から電界が広がって、均一なプラズマが大量に発生する。これにより、貫通孔４ａ内に発生するプラズマのばらつきによる影響が小さくなり、ガス処理能力が安定する。
【００９２】
また、このガス処理装置において、ハニカム構造体４間には空気層である空間ギャップ１２が設けられるので、この空間ギャップ１２により上流側電極８と下流側電極９との間のインピーダンスが安定し、ハニカム構造体の吸湿・乾燥によるインピーダンス変化に対して流れる電流の変化が小さくなる。これにより、上流側電極８と下流側電極９との間に加わる高電圧値の変化が小さくなり、専用に設計された特殊な高電圧電源を使用する必要がなくなる。
【００９３】
また、このガス処理装置において、電極は上流側電極８と下流側電極９の２個の電極のみでよく、ハニカム構造体４毎に電極を配置する必要がない。これにより、部品点数が削減され、構造が簡単となり、組立工数も少なくて済み、コストダウンが図られる。
【００９４】
〔実施の形態３〕
実施の形態２では、ダクト１の入口から出口へ向かう方向に沿って複数のハニカム構造体４をダクト１内に設けるようにしたが、図１２に示すように、ダクト１の入口から出口へ向かう方向に対し直交する方向に沿って複数のハニカム構造体４をダクト１内に設けるようにしてもよい。
【００９５】
このようにすると、各ハニカム構造体４がダクト１の入口から出口へ向かう方向に対し直交する方向に沿って間隔を設けて配置されるので、ダクト１の入口から出口へ向かう方向に沿って配置される場合よりも、処理対象ガスＧＳが各ハニカム構造体４の貫通孔４ａやハニカム構造体４間の空間ギャップ１２でプラズマに晒される時間が長くなる。これにより、ガス分解が行われる機会が多くなり、ガス処理能力が向上し、高速流におけるガス処理能力の低下を防ぐことが可能となる。
【００９６】
〔実施の形態４〕
図１３にこの発明に係るガス処理装置の他の実施の形態（実施の形態４）の要部を示す。この実施の形態４では、ハニカム構造体４−１と４−２との間に間隔Ｇ１を設けて、ハニカム構造体４−３と４−４との間に間隔Ｇ２を設けて、ハニカム構造体４−１〜４−４をダクト１内に配置している。
【００９７】
また、ダクト１内の複数のハニカム構造体４のうち隣り合うハニカム構造体４−１と４−２を第１のハニカム構造体群４Ａとし、この第１のハニカム構造体群４Ａの両端に位置するハニカム構造体４−１および４−２の外側に、第１の電極として電極８を、第２の電極として電極９を配置している。
【００９８】
同様にして、ダクト１内の複数のハニカム構造体４のうち隣り合うハニカム構造体４−３と４−４を第２のハニカム構造体群４Ｂとし、この第２のハニカム構造体群４Ｂの両端に位置するハニカム構造体４−３および４−３の外側に、第１の電極として電極１０を、第２の電極として電極９を配置している。
【００９９】
なお、この実施の形態４において、電極９は第１のハニカム構造体群４Ａの第２の電極と第２のハニカム構造体群４Ｂの第２の電極とを兼ねた共通電極とされているが、第１のハニカム構造体群４Ａの第２の電極と第２のハニカム構造体群４Ｂの第２の電極とを独立した電極とするようにしてもよい。
【０１００】
電極８，９および１０は、処理対象ガスＧＳが通過するように、金属製メッシュとされている。また、この実施の形態４では、電極８および１０を導線１６および１８によって高電圧印加部２０の正電圧供給端子Ｔ１に接続し、電極９を導線１７によって高電圧印加部２０の負電圧供給端子Ｔ２に接続するようにしている。高電圧印加部２０は実施の形態１で使用したものと同じである。
【０１０１】
このガス処理装置においても、トランジスタＱ２のベースに駆動パルスＰＳ１を与え、高電圧印加部２０のスイッチング用集積回路ＩＣ２に駆動パルスＰＳ２を与える。これにより、実施の形態１と同様にして、プラズマの発生状況の総合的な判断結果に基づいて、第１のハニカム構造体群４Ａの第１の電極８と第２の電極９との間および第２のハニカム構造体群４Ｂの第１の電極１０と第２の電極９との間に、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２がその印加時間が自動調整されながら印加されたり、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２とが交互にその高電圧の休止期間が自動調整されながら印加されたりする。この高電圧の印加により、ハニカム構造体４の貫通孔４ａおよびハニカム構造体４間の空間ギャップ１２にプラズマが発生し、このプラズマ中に生成されるイオンやラジカルによって、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスが無害な物質に分解される。
【０１０２】
このガス処理装置では、第１のハニカム構造体群４Ａの第１の電極８と第２の電極９との間および第２のハニカム構造体群４Ｂの第１の電極１０と第２の電極９との間に高電圧を個別に印加しているので、空間ギャップ１２−１，１２−２での電位を安定的に高電界状態に保ち、プラズマを安定して発生させることが可能となる。
【０１０３】
なお、このガス処理装置において、第１のハニカム構造体群４Ａおよび第２のハニカム構造体群４Ｂに対して高電圧印加部２０を個別に設け、第１のハニカム構造体群４Ａに印加する高電圧（ＶＡ）と第２のハニカム構造体群４Ｂに印加する高電圧（ＶＢ）とを異なる値とするようにしてもよい。高電圧ＶＡと高電圧ＶＢの値を異ならせるようにすると、第１のハニカム構造体群４Ａと第２のハニカム構造体群４Ｂとでプラズマの発生量を変えて、分解可能な有害ガスの種類を異ならせたりすることが可能となる。
【０１０４】
〔実施の形態５〕
図１４にこの発明に係るガス処理装置の他の実施の形態（実施の形態５）の要部を示す。この実施の形態５では、ハニカム構造体４−１と４−２との間に間隔Ｇ１を設けて、ハニカム構造体４−３と４−４との間に間隔Ｇ２を設けて、ハニカム構造体４−５と４−６との間に間隔Ｇ３を設けて、ハニカム構造体４−１〜４−６をダクト１内に配置している。
【０１０５】
また、ダクト１内の複数のハニカム構造体４のうち隣り合うハニカム構造体４−１と４−２を第１のハニカム構造体群４Ａとし、この第１のハニカム構造体群４Ａの両端に位置するハニカム構造体４−１および４−２の外側に、第１の電極として電極８を、第２の電極として電極９を配置している。
【０１０６】
同様にして、ダクト１内の複数のハニカム構造体４のうち隣り合うハニカム構造体４−３と４−４を第２のハニカム構造体群４Ｂとし、この第２のハニカム構造体群４Ｂの両端に位置するハニカム構造体４−３および４−３の外側に、第１の電極として電極１０を、第２の電極として電極９を配置している。
【０１０７】
同様にして、ダクト１内の複数のハニカム構造体４のうち隣り合うハニカム構造体４−５と４−６を第３のハニカム構造体群４Ｃとし、この第３のハニカム構造体群４Ｃの両端に位置するハニカム構造体４−５および４−６の外側に、第１の電極として電極１０を、第２の電極として電極１１を配置している。
【０１０８】
なお、この実施の形態５において、電極９は第１のハニカム構造体群４Ａの第２の電極と第２のハニカム構造体群４Ｂの第２の電極とを兼ねた共通電極とされているが、第１のハニカム構造体群４Ａの第２の電極と第２のハニカム構造体群４Ｂの第２の電極とを独立した電極とするようにしてもよい。また、電極１０は第２のハニカム構造体群４Ｂの第１の電極と第３のハニカム構造体群４Ｃの第１の電極とを兼ねた共通電極とされているが、第２のハニカム構造体群４Ｂの第１の電極と第３のハニカム構造体群４Ｃの第１の電極とを独立した電極とするようにしてもよい。
【０１０９】
電極８，９，１０および１１は、処理対象ガスＧＳが通過するように、金属製メッシュとされている。また、この実施の形態５では、電極８および１０を導線１６および１８によって高電圧印加部２０の正電圧供給端子Ｔ１に接続し、電極９および１１を導線１７および１９によって高電圧印加部２０の負電圧供給端子Ｔ２に接続するようにしている。高電圧印加部２０は実施の形態１で使用したものと同じである。
【０１１０】
このガス処理装置においても、トランジスタＱ２のベースに駆動パルスＰＳ１を与え、高電圧印加部２０のスイッチング用集積回路ＩＣ２に駆動パルスＰＳ２を与える。これにより、実施の形態１と同様にして、プラズマの発生状況の総合的な判断結果に基づいて、第１のハニカム構造体群４Ａの第１の電極８と第２の電極９との間、第２のハニカム構造体群４Ｂの第１の電極１０と第２の電極９との間および第３のハニカム構造体群４Ｃの第１の電極１０と第２の電極１１との間に、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２がその印加時間が自動調整されながら印加されたり、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２とが交互にその高電圧の休止期間が自動調整されながら印加されたりする。この高電圧の印加により、ハニカム構造体４の貫通孔４ａおよびハニカム構造体４間の空間ギャップ１２にプラズマが発生し、このプラズマ中に生成されるイオンやラジカルによって、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスが無害な物質に分解される。
【０１１１】
このガス処理装置では、第１のハニカム構造体群４Ａの第１の電極８と第２の電極９との間、第２のハニカム構造体群４Ｂの第１の電極１０と第２の電極９との間および第３のハニカム構造体群４Ｃの第１の電極１０と第２の電極１１との間に高電圧を個別に印加しているので、空間ギャップ１２−１，１２−２，１２−３での電位を安定的に高電界状態に保ち、プラズマを安定して発生させることが可能となる。
【０１１２】
なお、このガス処理装置において、第１のハニカム構造体群４Ａ、第２のハニカム構造体群４Ｂおよび第３のハニカム構造体群４Ｃに対して高電圧印加部２０を個別に設け、第１のハニカム構造体群４Ａに印加する高電圧（ＶＡ）と、第２のハニカム構造体群４Ｂに印加する高電圧（ＶＢ）と、第３のハニカム構造体群４Ｃに印加する高電圧（ＶＣ）とを異なる値とするようにしてもよい。高電圧ＶＡと高電圧ＶＢと高電圧ＶＣの値を異ならせるようにすると、第１のハニカム構造体群４Ａと第２のハニカム構造体群４Ｂと第３のハニカム構造体群４Ｃとでプラズマの発生量を変えて、分解可能な有害ガスの種類を異ならせたりすることが可能となる。
【０１１３】
なお、上述した実施の形態２〜５では、ハニカム構造体４（４−１〜４−６）の単位面積当たりの貫通孔４ａの数を等しくしているが、ハニカム構造体（４−１〜４−６）の単位面積当たりの貫通孔４ａの数を選択的に異ならせるようにしてもよい。
【０１１４】
例えば、図１３に示した構成において、ハニカム構造体４−１，４−２については単位面積当たりの貫通孔４ａの数を少なし、ハニカム構造体４−３，４−４については単位面積当たりの貫通孔４ａの数を多くするようにしたり、ハニカム構造体４−１，４−２，４−３，４−４の順で単位面積当たりの貫通孔４ａの数を多くするなどとしてもよい。
【０１１５】
ハニカム構造体４−１，４−２，４−３，４−４の順で単位面積当たりの貫通孔４ａの数を多くすると、ハニカム構造体４−１，４−２，４−３，４−４の順でプラズマの発生量が大きくなり、各ハニカム構造体４で分解可能な有害ガスの種類を異ならせることが可能となる。
【０１１６】
例えば、その分子が持つエネルギー準位が順に高い有害ガスＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄが処理対象ガスＧＳに含まれていたものとした場合、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスＡをハニカム構造体４−１で分解し、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスＢをハニカム構造体４−２で分解し、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスＣをハニカム構造体４−３で分解し、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスＤをハニカム構造体４−４で分解するなど、各ハニカム構造体４で分解可能な有害ガスの種類を異ならせることができる。
【０１１７】
この場合、ハニカム構造体４−２での有害ガスＢの分解に際し、ハニカム構造体４−１によって分解しきれなかった有害ガスＡの分解が行われ、ハニカム構造体４−３での有害ガスＣの分解に際し、ハニカム構造体４−１，４−２で分解しきれなかった有害ガスＡ，Ｂの分解が行われ、ハニカム構造体４−４での有害ガスＤの分解に際し、ハニカム構造体４−１，４−２，４−３で分解しきれなかった有害ガスＡ，Ｂ，Ｃの分解が行われる。
【０１１８】
このような方法とすると、１つのハニカム構造体４で全ての有害ガスＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの分解を行うようにした場合よりも、有害ガスの分解に際して発生する副生成物（例えば、オゾン）の発生量を少なくすることができる。
【０１１９】
また、上述した実施の形態２〜５ではハニカム構造体４間の間隔Ｇ（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３）を等しくしているが、異ならせるようにしてもよい。例えば、図１４に示した構成において、ハニカム構造体４間の間隔Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３を異ならせると、空間ギャップ１２−１，１２−２，１２−３でのプラズマの発生量が異なるものとなり、ハニカム構造体４−１〜４−６の単位面積当たりの貫通孔４ａの数を選択的に異ならせた場合と同様の作用・効果を得ることができる。この場合、ハニカム構造体４−１〜４−６を単位面積当たりの貫通孔４ａの数が等しい同一種類のハニカム構造体とすることができるので、部品の種類を増やさずに済む。
【０１２０】
また、上述した実施の形態１〜５において、ハニカム構造体４はオゾンを分解する触媒機能を備えたものとしてもよく、例えば、図１３に示した構成において、ハニカム構造体４−４の下流位置にオゾンを分解する触媒を設けるようにしてもよい。
【０１２１】
また、上述した実施の形態２，３（図１１，図１２）において、ハニカム構造体４の数は、２つ以上あれば、幾つあっても構わない。また、上述した実施の形態４（図１３）において、ハニカム構造体４の数は、２つ以上のハニカム構造体群を形成することができればよく、幾つあっても構わない。実施の形態５（図１４）では、実施の形態４の変形例として、ハニカム構造体群を３つ設けた例を示している。
【０１２２】
また、上述した実施の形態１〜５において、副生成物としてオゾンを大量に発生させ、オゾン発生器として転用するようにしてもよい。
また、上述した実施の形態１〜５において、ハニカム構造体４には貫通孔４ａが蜂の巣状に設けられているが、多数の貫通孔４ａが設けられていればよく、蜂の巣状に限られるものではない。
【０１２３】
また、上述した実施の形態１〜５では、駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１を調整するようにしたが、図１５に示すように、駆動パルスＰＳ２のオフタイミングに対する駆動パルスＰＳ１のオフタイミングの遅延時間ＴＤ１を調整するようにしてもよい。
【０１２４】
また、上述した実施の形態１〜５では、駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの進み時間ＴＣ２を調整するようにしたが、図１６に示すように、駆動パルスＰＳ２のオフタイミングに対する駆動パルスＰＳ１のオフタイミングの進み時間ＴＤ２を調整するようにしてもよい。
【０１２５】
また、駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの遅延時間ＴＣ１と、駆動パルスＰＳ２のオフタイミングに対する駆動パルスＰＳ１のオフタイミングの遅延時間ＴＤ１をともに調整するようにしてもよく、駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対する駆動パルスＰＳ２のオンタイミングの進み時間ＴＣ２と、駆動パルスＰＳ２のオフタイミングに対する駆動パルスＰＳ１のオフタイミングの進み時間ＴＤ２をともに調整するようにしてもよい。
【０１２６】
また、上述した実施の形態１〜５では、プラズマの発生状況の総合的な判断結果に基づいて、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２の印加時間を自動調整したり、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２とを交互に印加する際の高電圧の休止期間を自動調整するようにしたが、電極間に印加する高電圧の値そのものを自動調整するようにしたり、電極間に印加する高電圧の周波数を自動調整するなどとしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１２７】
本発明のガス処理装置は、燃料電池等に用いられる水素を効率的に生成する目的で、炭化水素類等から水素含有ガスを生成する、いわゆる改質にも適用することができる。例えばオクタン（ガソリンの平均分子量に比較的近い物質）Ｃ8Ｈ18の場合は、本ガス処理装置に供給すると下記（１）式で示される化学反応が促進され、その結果水素ガスを効率よく生成することができる。
Ｃ8Ｈ18＋８Ｈ2Ｏ＋４（Ｏ2＋４Ｎ2）→８ＣＯ2＋１７Ｈ2＋１６Ｎ2・・・・（１）
【符号の説明】
【０１２８】
１…ダクト（通風路）、４（４−１〜４−６）…ハニカム構造体、４ａ…貫通孔（セル）、４Ａ，４Ｂ，４Ｃ…ハニカム構造体群、８〜１１…電極、１２（１２−１〜１２−３）…空間ギャップ、１６〜１９…導線、Ｇ（Ｇ１〜Ｇ３）…間隔、ＧＳ…処理対象ガス、２０…高電圧印加部、２１…風速センサ、２２…湿度センサ、２３…温度センサ、ＴＲ１，ＴＲ２…トランス、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４…ダイオード、Ｃ１，Ｃ２…コンデンサ、Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３…トランジスタ、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３…抵抗、Ｔ１…正電圧供給端子、Ｔ２…負電圧供給端子、ＩＣ１，ＩＣ２…スイッチング用集積回路、ＣＮＴ…制御部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通風路内に配置され、前記通風路内を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する多孔体と、
この多孔体の外側の一方および他方に配置される第１および第２の電極と、
前記第１の電極と第２の電極との間に高電圧を印加し前記多孔体の貫通孔にプラズマを発生させる高電圧印加手段と、
前記プラズマの発生に影響を与える前記処理対象ガスの複数種類の環境要素の状況を検出する環境要素検出手段と、
前記環境要素検出手段によって検出された複数種類の環境要素の状況に基づいて各環境要素毎に現在の前記プラズマの発生状況を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて前記高電圧印加手段からの前記第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する制御手段と
を備えることを特徴とするガス処理装置。
【請求項２】
通風路内に間隔を設けて配置され、前記通風路内を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数の多孔体と、
前記複数の多孔体のうち前記処理対象ガスの通過方向の最も上流に配置される多孔体の上流側に配置される上流側電極と、
前記複数の多孔体のうち前記処理対象ガスの通過方向の最も下流に配置される多孔体の下流側に配置される下流側電極と、
前記上流側電極および前記下流側電極の一方を第１の電極、他方を第２の電極とし、前記第１の電極と第２の電極との間に高電圧を印加し前記多孔体の貫通孔および前記多孔体間の空間にプラズマを発生させる高電圧印加手段と、
前記プラズマの発生に影響を与える前記処理対象ガスの複数種類の環境要素の状況を検出する環境要素検出手段と、
前記環境要素検出手段によって検出された複数種類の環境要素の状況に基づいて各環境要素毎に現在の前記プラズマの発生状況を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて前記高電圧印加手段からの前記第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する制御手段と
を備えることを特徴とするガス処理装置。
【請求項３】
通風路内に間隔を設けて配置され、前記通風路内を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数の多孔体と、
前記複数の多孔体のうち隣り合う複数の多孔体を１群の多孔体群とし、これら多孔体群毎にその両端に位置する多孔体の外側に配置された第１および第２の電極と、
前記各多孔体群の第１の電極と第２の電極との間に高電圧を印加し前記多孔体の貫通孔および前記多孔体間の空間にプラズマを発生させる高電圧印加手段と、
前記プラズマの発生に影響を与える前記処理対象ガスの複数種類の環境要素の状況を検出する環境要素検出手段と、
前記環境要素検出手段によって検出された複数種類の環境要素の状況に基づいて各環境要素毎に現在の前記プラズマの発生状況を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて前記高電圧印加手段からの前記第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する制御手段と
を備えることを特徴とするガス処理装置。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載されたガス処理装置において、
前記制御手段は、
前記各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を能力不足，能力適正，能力過剰の何れに該当するかを判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を各環境要素間に定められた優先度に従って総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて前記高電圧印加手段からの前記第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する
ことを特徴とするガス処理装置。
【請求項５】
請求項１〜３の何れか１項に記載されたガス処理装置において、
前記制御手段は、
前記各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を能力不足，能力適正，能力過剰の何れに該当するかを判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を前記能力不足，能力適正，能力過剰の各項目に該当する数に従って総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて前記高電圧印加手段からの前記第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する
ことを特徴とするガス処理装置。
【請求項６】
請求項１〜３の何れか１項に記載されたガス処理装置において、
前記制御手段は、
前記各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を能力不足，能力適正，能力過剰の何れに該当するかを判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果をその判断結果に各環境要素毎に定められた重みを乗じて総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて前記高電圧印加手段からの前記第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する
ことを特徴とするガス処理装置。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載されたガス処理装置において、
前記制御手段は、
前記総合的な判断結果から前記プラズマの発生能力を増大させる必要があると判断した場合、
前記第１の電極に接地電位から正方向に立ち上がる正電圧を、前記第２の電極に接地電位から負方向に立ち下がる負電圧を、前記第１の電極への正電圧の立ち上がり状態と前記第２の電極への負電圧の立ち下がり状態とが一部重なるように交互に切り換えて印加させる
ことを特徴とするガス処理装置。
【請求項８】
請求項１〜６の何れか１項に記載されたガス処理装置において、
前記制御手段は、
前記総合的な判断結果から前記プラズマの発生能力を減少させる必要があると判断した場合、
前記第１の電極に接地電位から正方向に立ち上がる正電圧を、前記第２の電極に接地電位から負方向に立ち下がる負電圧を、前記第１の電極への正電圧が接地電位に立ち下がった状態と前記第２の電極への負電圧が接地電位に立ち上がった状態とが一部重なるように交互に切り換えて印加させる
ことを特徴とするガス処理装置。
【請求項１】
通風路内に配置され、前記通風路内を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する多孔体と、
この多孔体の外側の一方および他方に配置される第１および第２の電極と、
前記第１の電極と第２の電極との間に高電圧を印加し前記多孔体の貫通孔にプラズマを発生させる高電圧印加手段と、
前記プラズマの発生に影響を与える前記処理対象ガスの複数種類の環境要素の状況を検出する環境要素検出手段と、
前記環境要素検出手段によって検出された複数種類の環境要素の状況に基づいて各環境要素毎に現在の前記プラズマの発生状況を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて前記高電圧印加手段からの前記第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する制御手段と
を備えることを特徴とするガス処理装置。
【請求項２】
通風路内に間隔を設けて配置され、前記通風路内を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数の多孔体と、
前記複数の多孔体のうち前記処理対象ガスの通過方向の最も上流に配置される多孔体の上流側に配置される上流側電極と、
前記複数の多孔体のうち前記処理対象ガスの通過方向の最も下流に配置される多孔体の下流側に配置される下流側電極と、
前記上流側電極および前記下流側電極の一方を第１の電極、他方を第２の電極とし、前記第１の電極と第２の電極との間に高電圧を印加し前記多孔体の貫通孔および前記多孔体間の空間にプラズマを発生させる高電圧印加手段と、
前記プラズマの発生に影響を与える前記処理対象ガスの複数種類の環境要素の状況を検出する環境要素検出手段と、
前記環境要素検出手段によって検出された複数種類の環境要素の状況に基づいて各環境要素毎に現在の前記プラズマの発生状況を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて前記高電圧印加手段からの前記第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する制御手段と
を備えることを特徴とするガス処理装置。
【請求項３】
通風路内に間隔を設けて配置され、前記通風路内を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数の多孔体と、
前記複数の多孔体のうち隣り合う複数の多孔体を１群の多孔体群とし、これら多孔体群毎にその両端に位置する多孔体の外側に配置された第１および第２の電極と、
前記各多孔体群の第１の電極と第２の電極との間に高電圧を印加し前記多孔体の貫通孔および前記多孔体間の空間にプラズマを発生させる高電圧印加手段と、
前記プラズマの発生に影響を与える前記処理対象ガスの複数種類の環境要素の状況を検出する環境要素検出手段と、
前記環境要素検出手段によって検出された複数種類の環境要素の状況に基づいて各環境要素毎に現在の前記プラズマの発生状況を判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて前記高電圧印加手段からの前記第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する制御手段と
を備えることを特徴とするガス処理装置。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載されたガス処理装置において、
前記制御手段は、
前記各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を能力不足，能力適正，能力過剰の何れに該当するかを判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を各環境要素間に定められた優先度に従って総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて前記高電圧印加手段からの前記第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する
ことを特徴とするガス処理装置。
【請求項５】
請求項１〜３の何れか１項に記載されたガス処理装置において、
前記制御手段は、
前記各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を能力不足，能力適正，能力過剰の何れに該当するかを判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果を前記能力不足，能力適正，能力過剰の各項目に該当する数に従って総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて前記高電圧印加手段からの前記第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する
ことを特徴とするガス処理装置。
【請求項６】
請求項１〜３の何れか１項に記載されたガス処理装置において、
前記制御手段は、
前記各環境要素毎に現在のプラズマの発生状況を能力不足，能力適正，能力過剰の何れに該当するかを判断し、この各環境要素毎の現在のプラズマの発生状況の判断結果をその判断結果に各環境要素毎に定められた重みを乗じて総合的に判断し、この総合的な判断結果に基づいて前記高電圧印加手段からの前記第１の電極と第２の電極との間への高電圧の印加を制御する
ことを特徴とするガス処理装置。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載されたガス処理装置において、
前記制御手段は、
前記総合的な判断結果から前記プラズマの発生能力を増大させる必要があると判断した場合、
前記第１の電極に接地電位から正方向に立ち上がる正電圧を、前記第２の電極に接地電位から負方向に立ち下がる負電圧を、前記第１の電極への正電圧の立ち上がり状態と前記第２の電極への負電圧の立ち下がり状態とが一部重なるように交互に切り換えて印加させる
ことを特徴とするガス処理装置。
【請求項８】
請求項１〜６の何れか１項に記載されたガス処理装置において、
前記制御手段は、
前記総合的な判断結果から前記プラズマの発生能力を減少させる必要があると判断した場合、
前記第１の電極に接地電位から正方向に立ち上がる正電圧を、前記第２の電極に接地電位から負方向に立ち下がる負電圧を、前記第１の電極への正電圧が接地電位に立ち下がった状態と前記第２の電極への負電圧が接地電位に立ち上がった状態とが一部重なるように交互に切り換えて印加させる
ことを特徴とするガス処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
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【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
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【図１０】
【図１１】
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【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１０−２３４２５８（Ｐ２０１０−２３４２５８Ａ）
【公開日】平成２２年１０月２１日（２０１０．１０．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−８４７８７（Ｐ２００９−８４７８７）
【出願日】平成２１年３月３１日（２００９．３．３１）
【出願人】（０００００６６６６）株式会社山武 (1,808)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月２１日（２０１０．１０．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月３１日（２００９．３．３１）
【出願人】（０００００６６６６）株式会社山武 (1,808)
【Ｆターム（参考）】
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