ガラス基板の検査方法、その検査方法により検査されたガラス基板及びガラス基板の検査装置及びガラス基板の製造方法
【課題】ガラス基板の面取斜面の異物を発見することができる検査方法及び検査装置及びガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ステージ上に搭載したガラス基板の表面の欠陥に電子線を照射して検査する検査方法において、ガラス基板の面取斜面を検査する際の面取斜面と電子線との照射角度が、ガラス基板の磁性層形成面を検査する際の磁性層形成面と電子線との照射角度と同じとなるように、ステージを傾けることを特徴とする。
【解決手段】ステージ上に搭載したガラス基板の表面の欠陥に電子線を照射して検査する検査方法において、ガラス基板の面取斜面を検査する際の面取斜面と電子線との照射角度が、ガラス基板の磁性層形成面を検査する際の磁性層形成面と電子線との照射角度と同じとなるように、ステージを傾けることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は検査方法等に関し、特に、ガラス基板の検査方法、その検査方法により検査されたガラス基板及びガラス基板の検査装置及びガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
同一の電子線装置を利用して試料の欠陥検出と詳細観察を行う検査装置が提供されている（特許文献１）。特許文献１は、半導体ウエハを検査対象としている。半導体ウエハは、図９に示すように、素子形成領域９１０と、素子形成領域９１０を取り囲み、かつウエハの周端に位置する周辺領域９２０とを有する。素子形成領域９１０は、半導体チップが形成されるため、ウエハにとっては重要な領域であり、確実に検査される対象である。一方、周辺領域９２０は、半導体チップが形成されず、せいぜい基板電位を取るための電極が形成される程度の領域であり、ウエハにとっては重要な領域ではない。そのため、半導体ウエハの周辺領域９２０は、十分に検査されていない。
【０００３】
一方、ガラス基板は、ドーナツ形状であり、図１０及び図１１に示すように、内周端及び外周端に面取斜面１０００が形成されている。近年、ガラス基板の面取斜面１０００に異物が存在し、その異物が磁性層が形成されるガラス基板の表面に回りこんで、ヘッドクラッシュなどの弊害を引き起こすことが問題となっている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２０９６４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の検査方法及び装置は、半導体ウエハを対象としており、周辺領域を検査する必要はなかった。そのため、特許文献１の検査方法及び装置は、ガラス基板の面取斜面を検査するのに適していなかった。従って、特許文献１の検査方法及び装置では、ヘッドクラッシュなどの起因となる面取斜面の異物を十分に発見することができなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様のガラス基板の検査方法は、ステージ上に搭載したガラス基板の面取斜面を検査する際の面取斜面と電子線との照射角度とが、ガラス基板の磁性層形成面を検査する際の磁性層形成面と電子線との照射角度と同じとなるように、ステージを傾けることを特徴とする。
【０００７】
本発明の一態様のガラス基板の検査装置は、電子線を出射する電子線照射部と、検査対象であるガラス基板を搭載する上面と上面と対向する下面とを有するテーブル部と、テーブル部の下面に設けられテーブル部を傾けることが可能な結合部と、結合部に接続しテーブル部を上下方向に動かす昇降機構部と、電子線照射部から出射された電子線が照射されたことによりガラス基板から放出された二次電子線や反射電子を検出する検出部とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の一態様のガラス基板の製造方法は、ドーナツ形状に加工されたガラス基板を準備する工程と、ガラス基板の表面を研磨する工程と、研磨されたガラス基板を検査装置のステージ上に搭載し、ステージを傾けながらガラス基板の面取斜面を検査する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ガラス基板の面取斜面の異物を発見することができる検査方法及び検査装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の実施形態を、添付した図面を参照して以下に詳細に説明する。図では、対応する部分は、対応する参照符号で示している。下記の実施形態は、一例として示されたもので、本発明の精神から逸脱しない範囲で種々の変形をして実施することが可能である。
【００１１】
ここで、以下に説明する検査方法は、ガラス基板の製造方法の中の一工程である。具体的に説明すると、初めに、ドーナツ形状に加工されたガラス基板を準備する。次に、ガラス基板の表面及び端面を研磨する。次に、研磨されたガラス基板を後述する検査方法で検査する。
【００１２】
＜第１の実施形態＞
以下、図面を用いて、第１の実施形態の検査装置及び検査方法について説明する。図１は、ガラス基板の外周端（外側）の面取斜面を検査しているときのステージの状況を示す図面であり、図４のＹ−Ｙ線における部分断面図である。図２は、ガラス基板の内周端（内側）の面取斜面を検査しているときのステージの状況を示す図面であり、図４のＹ−Ｙ線における部分断面図である。図３は、ガラス基板の上面（磁性層が形成される面）を検査しているときのステージの状況を示す図面であり、図４のＹ−Ｙ線における部分断面図である。図４は、ガラス基板とステージの関係を示す、テーブル部の上側からみた平面図である。図５は、ステージのテーブルと昇降機構との関係を示す、テーブル部の下側からみた平面図である。
【００１３】
図面に示されるように、第１の実施形態の検査装置は、電子線照射部１００と、検出部１１０と、ステージ部１２０とを備える。
【００１４】
＜電子線照射部＞
電子線照射部１００は、電子銃から放出された電子線を試料に照射する。電子線照射部１００は、図示しないが、電子銃と、静電レンズと、アパーチャと、レンズと、アライナーとを備える。電子銃は、電子源と、電子源から電子線を引き出すカソードと、カソードにより引き出された電子線を加速させるアノードとを備える。アパーチャは、電子線を所定の断面形状に成形する。
【００１５】
ここで、第１の実施形態の電子線照射部１００は、ステージ部１２０が地面に対して水平に位置する場合、斜め上方に位置する。なお、ステージ部１２０に対する電子線照射部１００の位置は、斜め上方のみに限定されることがないことは言うまでもない。電子線照射部１００の位置は、検出部１１０との位置関係により、ステージ部１２０の垂直上方であっても良い。
【００１６】
＜検出部＞
検出部１１０は、検出器を備え、試料から放出された二次電子を検出する。検出部１１０は、図示しないが、投影レンズと、マイクロチャネルプレート（ＭＣＰ）と、蛍光板と、リレーレンズと、タイムディレイインテグレーション（ＴＤＩ）若しくはＣＣＤカメラと、画像処理装置とを備える。
【００１７】
＜ステージ＞
ステージ１２０は、テーブル部１２１と、昇降機構部１２２と、結合部１２３と、支持部１２４とを備える。
【００１８】
テーブル部１２１は、試料であるガラス基板を搭載する上面１２１ａと、結合部１２３が形成される下面１２１ｂとを備える。
【００１９】
昇降機構部１２２は、テーブル部１２１の下面側に位置し、結合部１２３と接続され、テーブル部１２１を縦（上下）方向１３０に移動させる。
【００２０】
接合部１２３は、図５に示されるように、テーブル部１２１の下面中央に設けられ、テーブル部１２１と昇降機構部１２２とを接続し、テーブル部１２１を水平方向にしたり、斜め方向に傾けさせたり、横方向１４０に回転をさせることができる。例えば、試料であるガラス基板の面取斜面を検査する場合は、結合部１２３は、面取斜面が地表と水平になるように、テーブル部１２１を傾ける。そして、該当部分の検査が終わると、テーブル部１２１を横方向１４０に回転させ、外側の他の面取斜面を継続して検査できるようにする。なお、接合部１２３は、テーブル部１２１の下面の中央（テーブル部１２１が円形である場合は中心点、テーブル部１２１が矩形である場合は対角線の交点）に設けられることが、テーブル部１２１を安定制御させるためにも良い。しかし、接合部１２３の機構によりテーブル部１２１を安定制御させることができるのであれば、接合部１２３を中央以外（例えば、周辺）に設けて良いことは言うまでもない。
【００２１】
支持部１２４は、図４に示されるように、テーブル部１２１の上面に形成され、テーブル部１２１が斜めになったときでも試料がずれたり落ちないように試料を支えている。支持部１２４は、試料の形状に合わせて複数設けられるのが良い。テーブル部１２１が自由に動くので、最低でも４つの支持部１２４があるのが好ましい。また、試料がドーナツ形状のガラス基板であることを考慮すると、確実に支えるために、内孔にも支持部１２４があるのが好ましい。この場合、支持部１２４は内孔の形と相似であると、より確実に試料を支えることができる。例えば、内孔が上方からみて円形である場合は、支持部１２４は上方からみて円形ということである。
【００２２】
＜検査方法＞
（１）ガラス基板の上面を検査するとき
ガラス基板３００の上面３００ａを検査するときは、図３に示されるように、ステージ１２０のテーブル部１２１は地面に対して平行にする。そして、電子線照射部１００から放出された電子線１００ａをガラス基板３００の上面３００ａに照射することにより放出された二次電子１１０ｂを検出部１１０が検出する。異物が発見されたときは、信号処理装置により、異物の大きさ及び位置情報（Ｘ座標、Ｙ座標）を記憶する。検出信号を処理することにより、異物の有無や大きさ、及び位置情報（Ｘ−Ｙ座標や、Ｒ−Θ座標）を記憶する。異物に応じた信号が発見されたときは、信号処理装置により、異物の大きさ及び位置情報（Ｘ座標、Ｙ座標）を記憶する。
【００２３】
（２）ガラス基板の外周縁部に位置する面取斜面を検査するとき
ガラス基板３００の面取斜面３００ｂを検査するときは、図１に示されるように、ステージ１２０のテーブル部１２１は、検査したい面取斜面が地面に対して水平となるように傾向く。このようにすることで、外周縁部に位置する面取斜面を検査する際、電子照射部１００や検出部１１０を動かすことなく、検査できる。ここで、電子照射部と試料との距離が近すぎるという場合は、昇降機構部１２２は下方へ移動する。そして、電子線照射部１００から放出された電子線１００ａを照射することにより放出された二次電子１１０ｂを検出部１１０が検出する。異物が発見されたときは、画像処理装置に、異物の大きさ及び位置情報（Ｘ座標、Ｙ座標）を記憶する。なお、該当部分の検査が終わると、テーブル部１２１を横方向１４０に回転し、他の部分の検査を継続する。ここで、電子線１００ａが面取斜面に十分に当たるように、及び／若しくは、二次電子１００ｂが十分に検出できるように、面取斜面を地表に対して水平以外にしても良いことは言うまでもない。ここで、十分に検出できるとは、ガラス基板３００の面取斜面３００ｂを検査する際に検出部１１０が二次電子１１０ｂを検出できる量が、ガラス基板３００の上面３００ａ（磁性層形成面）を検査する際に検出部１１０が二次電子１１０ｂを検出できる量に対してほぼ同じぐらいである（著しく少なくない）ということを意味する。
【００２４】
（３）ガラス基板の内周縁部に位置する面取斜面を検査するとき
ガラス基板３００の面取斜面３００ｃを検査するときは、図２に示されるように、ステージ１２０のテーブル部１２１は、検査したい面取斜面が地面に対して水平となるように傾向く。このようにすることで、内周縁部に位置する面取斜面を検査する際、電子照射部１００や検出部１１０を動かすことなく、検査できる。ここで、電子照射部と試料との距離が遠すぎるという場合は、昇降機構部１２２は上方へ移動する。そして、電子線照射部１００から放出された電子線１００ａを照射することにより放出された二次電子１１０ｂを検出部１１０が検出する。異物が発見されたときは、画像処理装置に、異物の大きさ及び位置情報（Ｘ座標、Ｙ座標）を記憶する。なお、該当部分の検査が終わると、テーブル部１２１を横方向１４０に回転し、他の部分の検査を継続する。ここで、電子線１００ａが面取斜面に十分に当たるように、及び／若しくは、二次電子１００ｂが十分に検出できるように、面取斜面を地表に対して水平以外にしても良いことは言うまでもない。ここで、十分に検出できるとは、ガラス基板３００の面取斜面３００ｃを検査する際に検出部１１０が二次電子１１０ｂを検出できる量が、ガラス基板３００の上面３００ａ（磁性層形成面）を検査する際に検出部１１０が二次電子１１０ｂを検出できる量に対してほぼ同じぐらいである（著しく少なくない）ということを意味する。
【００２５】
第１の実施形態の検査装置及び検査方法によれば、少ない部品点数で、ガラス基板の面取斜面や側面を検査できる。
【００２６】
＜第２の実施形態＞
以下、図面を用いて、第２の実施形態の検査装置及び検査方法について説明する。図６は、ガラス基板の外側の面取斜面を検査しているときのステージの状況を示す図面であり、図７のＺ−Ｚ線における部分断面図である。図７は、ステージのテーブルと昇降機構との関係を示す、テーブル部の下側からみた平面図である。
【００２７】
図面に示されるように、第２の実施形態の検査装置は、電子線照射部１００と、検出部１１０と、ステージ６００とを備える。なお、第１の実施形態の検査装置と同じ構成を示すものには同じ番号を付与し、重複した説明を省略する。
【００２８】
＜ステージ＞
ステージ６００は、テーブル部１２１と、５つの昇降機構部６１０〜６１４と、５つの結合部６２０〜６２４と、支持部１２４とを備える。
【００２９】
昇降機構部６１０〜６１４は、テーブル部１２１の下面側に設けられ、テーブル部１２１を縦（上下）方向１３０に移動させる。
【００３０】
５つの接合部６２０〜６２４は、図７に示されるように、テーブル部１２１の下面に設けられ、それぞれテーブル部１２１と昇降機構部６１０〜６１４のいずれか一つと接続し、テーブル部１２１を水平方向にしたり、斜め方向に傾けさせたり、横方向１４０に回転をさせることができる。なお、第２の実施形態の検査装置におけるステージ６００は、第１の実施形態の検査装置におけるステージと異なり、昇降機構部６１０を動かさず、他の４つの昇降機構部６１１〜６１４を上下方向に動かすことにより、テーブルを水平にしたり傾けたりすることができる。なお、昇降機構部６１０も上下方向に動いても良いことは言うまでもない。
【００３１】
第２の実施形態の検査装置及び検査方法によれば、第１の実施形態の検査装置及び検査方法と同様にガラス基板の面取斜面や側面を検査することができることに加え、複数の昇降機構部を微妙に動かすことにより、精度の良い検査をすることができる。
【００３２】
＜第３の実施形態＞
以下、図面を用いて、第３の実施形態の検査装置及び検査方法について説明する。図８は、ガラス基板の内側の面取斜面を検査している状況を示す部分断面図である。
【００３３】
図面に示されるように、第３の実施形態の検査装置は、電子線照射部８００と、検出部８１０と、ステージ８２０と、レール８３０、８４０を備える。なお、第１及び２の実施形態の検査装置と同じ構成を示すものには同じ番号を付与し、重複した説明を省略する。
【００３４】
＜電子線照射部＞
電子線照射部８００は、電子線照射部１００と同じ構成であり、同じ動作をする。ここで、電子線照射部８００は、検査装置に設けられたレール８３０上に、移動可能となるように設けられている。電子線照射部８００は、検査対象である試料を最適に検査できるよう、レール８３０に沿って移動する。
【００３５】
＜検出部＞
検出部８１０は、検出部１１０と同じ構成であり、同じ動作をする。ここで、検出部８１０は、検査装置に設けられたレール８４０上に、移動可能となるように設けられている。検出部８１０は、検査対象である試料を最適に検査できるよう、レール８４０に沿って移動する。
【００３６】
＜ステージ＞
ステージ８２０は、テーブル部１２１と、昇降機構部８２１とを備える。
【００３７】
昇降機構部８２１は、テーブル部１２１の下面側に設けられ、テーブル部１２１を縦（上下）方向１３０に移動させたり、横方向１４０に回転させたりする。
【００３８】
＜検査方法＞
電子線照射部８００は、検査対象である試料の部位毎に、レール８３０に沿って移動する。そして、最適に電子線を照射できるところで停止する。一方、検出部８１０は、試料から放出された二次電子を最適に受信できるところで停止する。そして、電子線照射部８００から放出された電子線８００ａを照射することにより放出された二次電子８１０ｂを検出部８１０が検出する。異物が発見されたときは、画像処理装置に、異物の大きさ及び位置情報（Ｘ座標、Ｙ座標）を記憶する。
【００３９】
第３の実施形態の検査装置及び検査方法によれば、第１及び２の実施形態の検査装置及び検査方法と同様にガラス基板の面取斜面や側面を検査することができることに加え、電子線照射部及び検出部を移動させるだけで検査をすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明の検査方法は、ガラス基板を検査することに加え、外周縁を検査したい半導体ウエハの検査にも利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施形態の検査方法において、ガラス基板の外側の面取斜面を検査しているときのステージの状況を示す図面であり、図４のＹ−Ｙ線における部分断面図である。
【図２】ガラス基板の内側の面取斜面を検査しているときのステージの状況を示す図面であり、図４のＹ−Ｙ線における部分断面図である。
【図３】ガラス基板の上面を検査しているときのステージの状況を示す図面であり、図４のＹ−Ｙ線における部分断面図である。
【図４】ガラス基板とステージの関係を示す平面図である。
【図５】ステージのテーブル部と昇降機構との関係を示す平面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態の検査方法において、ガラス基板の外側の面取斜面を検査しているときのステージの状況を示す図面であり、図７のＺ−Ｚ線における部分断面図である。
【図７】ステージのテーブル部と昇降機構との関係を示す平面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態の検査方法において、ガラス基板の内側の面取斜面を検査している状況を示す部分断面図である。
【図９】半導体ウエハを示す平面図である。
【図１０】ガラス基板の構造を示す断面図である。
【図１１】ガラス基板の構造を示す図面であり、図１０のＸ−Ｘ線における部分断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１００、８００ 電子線照射部
１１０、８１０ 検出部
１２０、６００、８２０ ステージ
１２１ テーブル部
１２２、６１０、６１１、６１２、６１３、６１４、８２１ 昇降機構部
１２３、６２０、６２１、６２２、６２３、６２４ 結合部
１２４ 支持部
８３０、８４０ レール
【技術分野】
【０００１】
本発明は検査方法等に関し、特に、ガラス基板の検査方法、その検査方法により検査されたガラス基板及びガラス基板の検査装置及びガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
同一の電子線装置を利用して試料の欠陥検出と詳細観察を行う検査装置が提供されている（特許文献１）。特許文献１は、半導体ウエハを検査対象としている。半導体ウエハは、図９に示すように、素子形成領域９１０と、素子形成領域９１０を取り囲み、かつウエハの周端に位置する周辺領域９２０とを有する。素子形成領域９１０は、半導体チップが形成されるため、ウエハにとっては重要な領域であり、確実に検査される対象である。一方、周辺領域９２０は、半導体チップが形成されず、せいぜい基板電位を取るための電極が形成される程度の領域であり、ウエハにとっては重要な領域ではない。そのため、半導体ウエハの周辺領域９２０は、十分に検査されていない。
【０００３】
一方、ガラス基板は、ドーナツ形状であり、図１０及び図１１に示すように、内周端及び外周端に面取斜面１０００が形成されている。近年、ガラス基板の面取斜面１０００に異物が存在し、その異物が磁性層が形成されるガラス基板の表面に回りこんで、ヘッドクラッシュなどの弊害を引き起こすことが問題となっている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２０９６４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の検査方法及び装置は、半導体ウエハを対象としており、周辺領域を検査する必要はなかった。そのため、特許文献１の検査方法及び装置は、ガラス基板の面取斜面を検査するのに適していなかった。従って、特許文献１の検査方法及び装置では、ヘッドクラッシュなどの起因となる面取斜面の異物を十分に発見することができなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様のガラス基板の検査方法は、ステージ上に搭載したガラス基板の面取斜面を検査する際の面取斜面と電子線との照射角度とが、ガラス基板の磁性層形成面を検査する際の磁性層形成面と電子線との照射角度と同じとなるように、ステージを傾けることを特徴とする。
【０００７】
本発明の一態様のガラス基板の検査装置は、電子線を出射する電子線照射部と、検査対象であるガラス基板を搭載する上面と上面と対向する下面とを有するテーブル部と、テーブル部の下面に設けられテーブル部を傾けることが可能な結合部と、結合部に接続しテーブル部を上下方向に動かす昇降機構部と、電子線照射部から出射された電子線が照射されたことによりガラス基板から放出された二次電子線や反射電子を検出する検出部とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の一態様のガラス基板の製造方法は、ドーナツ形状に加工されたガラス基板を準備する工程と、ガラス基板の表面を研磨する工程と、研磨されたガラス基板を検査装置のステージ上に搭載し、ステージを傾けながらガラス基板の面取斜面を検査する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ガラス基板の面取斜面の異物を発見することができる検査方法及び検査装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の実施形態を、添付した図面を参照して以下に詳細に説明する。図では、対応する部分は、対応する参照符号で示している。下記の実施形態は、一例として示されたもので、本発明の精神から逸脱しない範囲で種々の変形をして実施することが可能である。
【００１１】
ここで、以下に説明する検査方法は、ガラス基板の製造方法の中の一工程である。具体的に説明すると、初めに、ドーナツ形状に加工されたガラス基板を準備する。次に、ガラス基板の表面及び端面を研磨する。次に、研磨されたガラス基板を後述する検査方法で検査する。
【００１２】
＜第１の実施形態＞
以下、図面を用いて、第１の実施形態の検査装置及び検査方法について説明する。図１は、ガラス基板の外周端（外側）の面取斜面を検査しているときのステージの状況を示す図面であり、図４のＹ−Ｙ線における部分断面図である。図２は、ガラス基板の内周端（内側）の面取斜面を検査しているときのステージの状況を示す図面であり、図４のＹ−Ｙ線における部分断面図である。図３は、ガラス基板の上面（磁性層が形成される面）を検査しているときのステージの状況を示す図面であり、図４のＹ−Ｙ線における部分断面図である。図４は、ガラス基板とステージの関係を示す、テーブル部の上側からみた平面図である。図５は、ステージのテーブルと昇降機構との関係を示す、テーブル部の下側からみた平面図である。
【００１３】
図面に示されるように、第１の実施形態の検査装置は、電子線照射部１００と、検出部１１０と、ステージ部１２０とを備える。
【００１４】
＜電子線照射部＞
電子線照射部１００は、電子銃から放出された電子線を試料に照射する。電子線照射部１００は、図示しないが、電子銃と、静電レンズと、アパーチャと、レンズと、アライナーとを備える。電子銃は、電子源と、電子源から電子線を引き出すカソードと、カソードにより引き出された電子線を加速させるアノードとを備える。アパーチャは、電子線を所定の断面形状に成形する。
【００１５】
ここで、第１の実施形態の電子線照射部１００は、ステージ部１２０が地面に対して水平に位置する場合、斜め上方に位置する。なお、ステージ部１２０に対する電子線照射部１００の位置は、斜め上方のみに限定されることがないことは言うまでもない。電子線照射部１００の位置は、検出部１１０との位置関係により、ステージ部１２０の垂直上方であっても良い。
【００１６】
＜検出部＞
検出部１１０は、検出器を備え、試料から放出された二次電子を検出する。検出部１１０は、図示しないが、投影レンズと、マイクロチャネルプレート（ＭＣＰ）と、蛍光板と、リレーレンズと、タイムディレイインテグレーション（ＴＤＩ）若しくはＣＣＤカメラと、画像処理装置とを備える。
【００１７】
＜ステージ＞
ステージ１２０は、テーブル部１２１と、昇降機構部１２２と、結合部１２３と、支持部１２４とを備える。
【００１８】
テーブル部１２１は、試料であるガラス基板を搭載する上面１２１ａと、結合部１２３が形成される下面１２１ｂとを備える。
【００１９】
昇降機構部１２２は、テーブル部１２１の下面側に位置し、結合部１２３と接続され、テーブル部１２１を縦（上下）方向１３０に移動させる。
【００２０】
接合部１２３は、図５に示されるように、テーブル部１２１の下面中央に設けられ、テーブル部１２１と昇降機構部１２２とを接続し、テーブル部１２１を水平方向にしたり、斜め方向に傾けさせたり、横方向１４０に回転をさせることができる。例えば、試料であるガラス基板の面取斜面を検査する場合は、結合部１２３は、面取斜面が地表と水平になるように、テーブル部１２１を傾ける。そして、該当部分の検査が終わると、テーブル部１２１を横方向１４０に回転させ、外側の他の面取斜面を継続して検査できるようにする。なお、接合部１２３は、テーブル部１２１の下面の中央（テーブル部１２１が円形である場合は中心点、テーブル部１２１が矩形である場合は対角線の交点）に設けられることが、テーブル部１２１を安定制御させるためにも良い。しかし、接合部１２３の機構によりテーブル部１２１を安定制御させることができるのであれば、接合部１２３を中央以外（例えば、周辺）に設けて良いことは言うまでもない。
【００２１】
支持部１２４は、図４に示されるように、テーブル部１２１の上面に形成され、テーブル部１２１が斜めになったときでも試料がずれたり落ちないように試料を支えている。支持部１２４は、試料の形状に合わせて複数設けられるのが良い。テーブル部１２１が自由に動くので、最低でも４つの支持部１２４があるのが好ましい。また、試料がドーナツ形状のガラス基板であることを考慮すると、確実に支えるために、内孔にも支持部１２４があるのが好ましい。この場合、支持部１２４は内孔の形と相似であると、より確実に試料を支えることができる。例えば、内孔が上方からみて円形である場合は、支持部１２４は上方からみて円形ということである。
【００２２】
＜検査方法＞
（１）ガラス基板の上面を検査するとき
ガラス基板３００の上面３００ａを検査するときは、図３に示されるように、ステージ１２０のテーブル部１２１は地面に対して平行にする。そして、電子線照射部１００から放出された電子線１００ａをガラス基板３００の上面３００ａに照射することにより放出された二次電子１１０ｂを検出部１１０が検出する。異物が発見されたときは、信号処理装置により、異物の大きさ及び位置情報（Ｘ座標、Ｙ座標）を記憶する。検出信号を処理することにより、異物の有無や大きさ、及び位置情報（Ｘ−Ｙ座標や、Ｒ−Θ座標）を記憶する。異物に応じた信号が発見されたときは、信号処理装置により、異物の大きさ及び位置情報（Ｘ座標、Ｙ座標）を記憶する。
【００２３】
（２）ガラス基板の外周縁部に位置する面取斜面を検査するとき
ガラス基板３００の面取斜面３００ｂを検査するときは、図１に示されるように、ステージ１２０のテーブル部１２１は、検査したい面取斜面が地面に対して水平となるように傾向く。このようにすることで、外周縁部に位置する面取斜面を検査する際、電子照射部１００や検出部１１０を動かすことなく、検査できる。ここで、電子照射部と試料との距離が近すぎるという場合は、昇降機構部１２２は下方へ移動する。そして、電子線照射部１００から放出された電子線１００ａを照射することにより放出された二次電子１１０ｂを検出部１１０が検出する。異物が発見されたときは、画像処理装置に、異物の大きさ及び位置情報（Ｘ座標、Ｙ座標）を記憶する。なお、該当部分の検査が終わると、テーブル部１２１を横方向１４０に回転し、他の部分の検査を継続する。ここで、電子線１００ａが面取斜面に十分に当たるように、及び／若しくは、二次電子１００ｂが十分に検出できるように、面取斜面を地表に対して水平以外にしても良いことは言うまでもない。ここで、十分に検出できるとは、ガラス基板３００の面取斜面３００ｂを検査する際に検出部１１０が二次電子１１０ｂを検出できる量が、ガラス基板３００の上面３００ａ（磁性層形成面）を検査する際に検出部１１０が二次電子１１０ｂを検出できる量に対してほぼ同じぐらいである（著しく少なくない）ということを意味する。
【００２４】
（３）ガラス基板の内周縁部に位置する面取斜面を検査するとき
ガラス基板３００の面取斜面３００ｃを検査するときは、図２に示されるように、ステージ１２０のテーブル部１２１は、検査したい面取斜面が地面に対して水平となるように傾向く。このようにすることで、内周縁部に位置する面取斜面を検査する際、電子照射部１００や検出部１１０を動かすことなく、検査できる。ここで、電子照射部と試料との距離が遠すぎるという場合は、昇降機構部１２２は上方へ移動する。そして、電子線照射部１００から放出された電子線１００ａを照射することにより放出された二次電子１１０ｂを検出部１１０が検出する。異物が発見されたときは、画像処理装置に、異物の大きさ及び位置情報（Ｘ座標、Ｙ座標）を記憶する。なお、該当部分の検査が終わると、テーブル部１２１を横方向１４０に回転し、他の部分の検査を継続する。ここで、電子線１００ａが面取斜面に十分に当たるように、及び／若しくは、二次電子１００ｂが十分に検出できるように、面取斜面を地表に対して水平以外にしても良いことは言うまでもない。ここで、十分に検出できるとは、ガラス基板３００の面取斜面３００ｃを検査する際に検出部１１０が二次電子１１０ｂを検出できる量が、ガラス基板３００の上面３００ａ（磁性層形成面）を検査する際に検出部１１０が二次電子１１０ｂを検出できる量に対してほぼ同じぐらいである（著しく少なくない）ということを意味する。
【００２５】
第１の実施形態の検査装置及び検査方法によれば、少ない部品点数で、ガラス基板の面取斜面や側面を検査できる。
【００２６】
＜第２の実施形態＞
以下、図面を用いて、第２の実施形態の検査装置及び検査方法について説明する。図６は、ガラス基板の外側の面取斜面を検査しているときのステージの状況を示す図面であり、図７のＺ−Ｚ線における部分断面図である。図７は、ステージのテーブルと昇降機構との関係を示す、テーブル部の下側からみた平面図である。
【００２７】
図面に示されるように、第２の実施形態の検査装置は、電子線照射部１００と、検出部１１０と、ステージ６００とを備える。なお、第１の実施形態の検査装置と同じ構成を示すものには同じ番号を付与し、重複した説明を省略する。
【００２８】
＜ステージ＞
ステージ６００は、テーブル部１２１と、５つの昇降機構部６１０〜６１４と、５つの結合部６２０〜６２４と、支持部１２４とを備える。
【００２９】
昇降機構部６１０〜６１４は、テーブル部１２１の下面側に設けられ、テーブル部１２１を縦（上下）方向１３０に移動させる。
【００３０】
５つの接合部６２０〜６２４は、図７に示されるように、テーブル部１２１の下面に設けられ、それぞれテーブル部１２１と昇降機構部６１０〜６１４のいずれか一つと接続し、テーブル部１２１を水平方向にしたり、斜め方向に傾けさせたり、横方向１４０に回転をさせることができる。なお、第２の実施形態の検査装置におけるステージ６００は、第１の実施形態の検査装置におけるステージと異なり、昇降機構部６１０を動かさず、他の４つの昇降機構部６１１〜６１４を上下方向に動かすことにより、テーブルを水平にしたり傾けたりすることができる。なお、昇降機構部６１０も上下方向に動いても良いことは言うまでもない。
【００３１】
第２の実施形態の検査装置及び検査方法によれば、第１の実施形態の検査装置及び検査方法と同様にガラス基板の面取斜面や側面を検査することができることに加え、複数の昇降機構部を微妙に動かすことにより、精度の良い検査をすることができる。
【００３２】
＜第３の実施形態＞
以下、図面を用いて、第３の実施形態の検査装置及び検査方法について説明する。図８は、ガラス基板の内側の面取斜面を検査している状況を示す部分断面図である。
【００３３】
図面に示されるように、第３の実施形態の検査装置は、電子線照射部８００と、検出部８１０と、ステージ８２０と、レール８３０、８４０を備える。なお、第１及び２の実施形態の検査装置と同じ構成を示すものには同じ番号を付与し、重複した説明を省略する。
【００３４】
＜電子線照射部＞
電子線照射部８００は、電子線照射部１００と同じ構成であり、同じ動作をする。ここで、電子線照射部８００は、検査装置に設けられたレール８３０上に、移動可能となるように設けられている。電子線照射部８００は、検査対象である試料を最適に検査できるよう、レール８３０に沿って移動する。
【００３５】
＜検出部＞
検出部８１０は、検出部１１０と同じ構成であり、同じ動作をする。ここで、検出部８１０は、検査装置に設けられたレール８４０上に、移動可能となるように設けられている。検出部８１０は、検査対象である試料を最適に検査できるよう、レール８４０に沿って移動する。
【００３６】
＜ステージ＞
ステージ８２０は、テーブル部１２１と、昇降機構部８２１とを備える。
【００３７】
昇降機構部８２１は、テーブル部１２１の下面側に設けられ、テーブル部１２１を縦（上下）方向１３０に移動させたり、横方向１４０に回転させたりする。
【００３８】
＜検査方法＞
電子線照射部８００は、検査対象である試料の部位毎に、レール８３０に沿って移動する。そして、最適に電子線を照射できるところで停止する。一方、検出部８１０は、試料から放出された二次電子を最適に受信できるところで停止する。そして、電子線照射部８００から放出された電子線８００ａを照射することにより放出された二次電子８１０ｂを検出部８１０が検出する。異物が発見されたときは、画像処理装置に、異物の大きさ及び位置情報（Ｘ座標、Ｙ座標）を記憶する。
【００３９】
第３の実施形態の検査装置及び検査方法によれば、第１及び２の実施形態の検査装置及び検査方法と同様にガラス基板の面取斜面や側面を検査することができることに加え、電子線照射部及び検出部を移動させるだけで検査をすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明の検査方法は、ガラス基板を検査することに加え、外周縁を検査したい半導体ウエハの検査にも利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施形態の検査方法において、ガラス基板の外側の面取斜面を検査しているときのステージの状況を示す図面であり、図４のＹ−Ｙ線における部分断面図である。
【図２】ガラス基板の内側の面取斜面を検査しているときのステージの状況を示す図面であり、図４のＹ−Ｙ線における部分断面図である。
【図３】ガラス基板の上面を検査しているときのステージの状況を示す図面であり、図４のＹ−Ｙ線における部分断面図である。
【図４】ガラス基板とステージの関係を示す平面図である。
【図５】ステージのテーブル部と昇降機構との関係を示す平面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態の検査方法において、ガラス基板の外側の面取斜面を検査しているときのステージの状況を示す図面であり、図７のＺ−Ｚ線における部分断面図である。
【図７】ステージのテーブル部と昇降機構との関係を示す平面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態の検査方法において、ガラス基板の内側の面取斜面を検査している状況を示す部分断面図である。
【図９】半導体ウエハを示す平面図である。
【図１０】ガラス基板の構造を示す断面図である。
【図１１】ガラス基板の構造を示す図面であり、図１０のＸ−Ｘ線における部分断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１００、８００ 電子線照射部
１１０、８１０ 検出部
１２０、６００、８２０ ステージ
１２１ テーブル部
１２２、６１０、６１１、６１２、６１３、６１４、８２１ 昇降機構部
１２３、６２０、６２１、６２２、６２３、６２４ 結合部
１２４ 支持部
８３０、８４０ レール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステージ上に搭載したガラス基板の表面の欠陥に電子線を照射して検査する検査方法において、
前記ガラス基板の面取斜面を検査する際の前記面取斜面と前記電子線との照射角度が、前記ガラス基板の磁性層形成面を検査する際の前記磁性層形成面と前記電子線との前記照射角度と同じとなるように、前記ステージを傾けることを特徴とするガラス基板の検査方法。
【請求項２】
ステージ上に搭載したガラス基板の表面の欠陥に電子線を照射して検査する検査方法において、
前記ガラス基板の面取斜面を検査する際、前記ガラス基板の前記面取斜面から放出された二次電子若しくは反射電子の検出量が、前記ガラス基板の磁性層形成面を検査する際に前記ガラス基板の前記磁性層形成面から放出された二次電子若しくは反射電子の検出量と同じとなるように、前記ステージを傾けることを特徴とするガラス基板の検査方法。
【請求項３】
請求項１若しくは２に記載の検査方法により検査されたガラス基板。
【請求項４】
電子線を出射する電子線照射部と、
検査対象であるガラス基板を搭載する上面と、前記上面と対向する下面とを有するテーブル部と、
前記テーブル部の前記下面に設けられ、前記テーブル部を傾けることが可能な結合部と、
前記結合部に接続し、前記テーブル部を上下方向に動かす昇降機構部と、
前記電子線照射部から出射された前記電子線が前記ガラス基板に照射されたことにより、前記ガラス基板から放出された二次電子線若しくは反射電子を検出する検出部とを備えたことを特徴とするガラス基板の検査装置。
【請求項５】
ドーナツ形状に加工されたガラス基板を準備する工程と、
前記ガラス基板の表面を研磨する工程と、
前記研磨された前記ガラス基板を検査装置のステージ上に搭載し、前記ステージを傾けながら前記ガラス基板の面取斜面を検査する工程とを有することを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項１】
ステージ上に搭載したガラス基板の表面の欠陥に電子線を照射して検査する検査方法において、
前記ガラス基板の面取斜面を検査する際の前記面取斜面と前記電子線との照射角度が、前記ガラス基板の磁性層形成面を検査する際の前記磁性層形成面と前記電子線との前記照射角度と同じとなるように、前記ステージを傾けることを特徴とするガラス基板の検査方法。
【請求項２】
ステージ上に搭載したガラス基板の表面の欠陥に電子線を照射して検査する検査方法において、
前記ガラス基板の面取斜面を検査する際、前記ガラス基板の前記面取斜面から放出された二次電子若しくは反射電子の検出量が、前記ガラス基板の磁性層形成面を検査する際に前記ガラス基板の前記磁性層形成面から放出された二次電子若しくは反射電子の検出量と同じとなるように、前記ステージを傾けることを特徴とするガラス基板の検査方法。
【請求項３】
請求項１若しくは２に記載の検査方法により検査されたガラス基板。
【請求項４】
電子線を出射する電子線照射部と、
検査対象であるガラス基板を搭載する上面と、前記上面と対向する下面とを有するテーブル部と、
前記テーブル部の前記下面に設けられ、前記テーブル部を傾けることが可能な結合部と、
前記結合部に接続し、前記テーブル部を上下方向に動かす昇降機構部と、
前記電子線照射部から出射された前記電子線が前記ガラス基板に照射されたことにより、前記ガラス基板から放出された二次電子線若しくは反射電子を検出する検出部とを備えたことを特徴とするガラス基板の検査装置。
【請求項５】
ドーナツ形状に加工されたガラス基板を準備する工程と、
前記ガラス基板の表面を研磨する工程と、
前記研磨された前記ガラス基板を検査装置のステージ上に搭載し、前記ステージを傾けながら前記ガラス基板の面取斜面を検査する工程とを有することを特徴とするガラス基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００９−３００３１３（Ｐ２００９−３００３１３Ａ）
【公開日】平成２１年１２月２４日（２００９．１２．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１５６７３４（Ｐ２００８−１５６７３４）
【出願日】平成２０年６月１６日（２００８．６．１６）
【出願人】（０００００００４４）旭硝子株式会社 (2,665)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１２月２４日（２００９．１２．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年６月１６日（２００８．６．１６）
【出願人】（０００００００４４）旭硝子株式会社 (2,665)
【Ｆターム（参考）】
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