プリント配線板及びその製造方法
【課題】十分な生産効率を確保しながら、良好な電気特性を有する導体パターンを形成する。
【解決手段】プリント配線板の製造方法が、３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層を形成すること（ステップＳ１１）と、絶縁樹脂層上に導体を形成すること（ステップＳ１２）と、レーザ光を導体に照射することによって、導体を分断し又は導体の幅を細くすることで絶縁樹脂層上に導体パターンを形成すること（ステップＳ１４）と、を含む。
【解決手段】プリント配線板の製造方法が、３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層を形成すること（ステップＳ１１）と、絶縁樹脂層上に導体を形成すること（ステップＳ１２）と、レーザ光を導体に照射することによって、導体を分断し又は導体の幅を細くすることで絶縁樹脂層上に導体パターンを形成すること（ステップＳ１４）と、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁樹脂層上に導体パターンを有するプリント配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、セラミック基板上の導体膜にＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等のレーザ光を照射して、その導体膜を分断する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１０２６９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されるプリント配線板の製造方法においては、ＹＡＧレーザやエキシマレーザを用いる。セラミック基板に代えて、樹脂基板を用いた場合、これらのレーザにより基板上の導体層をパターニングすると、以下の課題が生じ得る。ＹＡＧレーザは、銅への吸収率が約１０％と低い。このため、十分な生産効率が得られないことが懸念される。また、エキシマレーザは、銅への吸収率と樹脂への吸収率との両方が７０％以上と高い。このため、導体パターン下の樹脂に亀裂が生じたり、樹脂が炭化してショート（異常な導通）を引き起こしたりすることが懸念される。各材料へのレーザ光の吸収率は分光光度計により測定される値である。
【０００５】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、十分な生産効率を確保しながら、良好な電気特性を有する導体パターンを形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点に係るプリント配線板の製造方法は、３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層を形成することと、前記絶縁樹脂層上に導体を形成することと、レーザ光を前記導体に照射することによって、前記導体を分断又は前記導体の幅を細くすることで前記絶縁樹脂層上に導体パターンを形成することと、を含む。
【０００７】
前記絶縁樹脂層上の前記導体を構成する材料は、銅である、ことが好ましい。
【０００８】
前記レーザ光の銅への吸収率が３０〜６５％の範囲にある、ことが好ましい。
【０００９】
前記無機フィラーは、シリカ系フィラーである、ことが好ましい。
【００１０】
前記レーザ光のシリカへの吸収率が２０％以下である、ことが好ましい。
【００１１】
前記絶縁樹脂層上の前記導体を構成する材料への前記レーザ光の吸収率は、前記無機フィラーへの前記レーザ光の吸収率よりも大きい、ことが好ましい。
【００１２】
前記無機フィラーが前記レーザ光のストッパとして機能する、ことが好ましい。
【００１３】
前記絶縁樹脂層上の前記導体の厚さは、５〜２０μｍの範囲にある、ことが好ましい。
【００１４】
前記絶縁樹脂層上の前記導体は、金属箔である、ことが好ましい。
【００１５】
前記絶縁樹脂層上の前記導体は、少なくとも無電解めっき膜と電解めっき膜とを含む、ことが好ましい。
【００１６】
前記レーザ光は、３５０〜６００ｎｍの範囲にある波長を有する、ことが好ましい。
【００１７】
前記レーザ光の照射では、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、アルゴンイオンレーザ、半導体レーザ、及び銅蒸気レーザのいずれかを光源とする、ことが好ましい。
【００１８】
前記レーザ光は、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザの第２高調波である、ことが好ましい。
【００１９】
前記導体パターン間の空隙の幅は、２０μｍ以下である、ことが好ましい。
【００２０】
前記導体パターンの幅は、２０μｍ以下である、ことが好ましい。
【００２１】
前記無機フィラーの５０ｗｔ％以上が、球形フィラーである、ことが好ましい。
【００２２】
前記無機フィラーの平均粒子径が、０．５μｍ以上かつ１０μｍ以下である、ことが好ましい。
【００２３】
前記無機フィラーの含有率は、５０ｗｔ％以上である、ことが好ましい。
【００２４】
前記絶縁樹脂層は、熱硬化性樹脂からなる、ことが好ましい。
【００２５】
前記レーザ光の照射によって、前記絶縁樹脂層の少なくとも表面は削られる、ことが好ましい。
【００２６】
さらに、前記絶縁樹脂層と前記導体パターン上に絶縁層を形成することを含む、ことが好ましい。
【００２７】
本発明の第２の観点に係るプリント配線板は、３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層上に導体を形成し、レーザ光を該導体に照射することによって形成された導体パターンと、を有する。
【００２８】
前記レーザ光の照射により前記絶縁樹脂層上の前記導体が部分的に除去されて形成される孔又は溝の、前記絶縁樹脂層側の開口の幅は、他側の開口の幅よりも小さい、ことが好ましい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、十分な生産効率を確保しながら、良好な電気特性を有する導体パターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１Ａ】本発明の実施形態１に係るプリント配線板の製造方法により製造されるプリント配線板の第１の例を示す図である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態１に係るプリント配線板の製造方法により製造されるプリント配線板の第２の例を示す図である。
【図２】本発明の実施形態１に係るプリント配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】絶縁層を準備する工程を説明するための図である。
【図４】絶縁層上に導体膜を形成する工程を説明するための図である。
【図５Ａ】導体膜の構造の第１の例を示す図である。
【図５Ｂ】導体膜の構造の第２の例を示す図である。
【図５Ｃ】導体膜の構造の第３の例を示す図である。
【図６Ａ】導体膜をパターニングするためのレーザ照射工程を説明するための図である。
【図６Ｂ】図６ＡのＡ−Ａ断面図である。
【図７】レーザ（厳密にはその照準）を移動させる場合の条件の一例を説明するための図である。
【図８】各材料について、レーザの波長と吸収率との関係を示すグラフである。
【図９】レーザ照射工程においてフィラーがストッパとして機能する様子を示す図である。
【図１０Ａ】本発明の実施形態１に係るプリント配線板の製造方法により形成される導体パターンの一例を示す図である。
【図１０Ｂ】図１０ＡのＡ−Ａ断面図である。
【図１１】本発明の実施形態１に係る配線板の光学カラー写真をモノクロ化した図である。
【図１２】本発明の実施形態１に係る配線板のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）写真である。
【図１３】異なる４つの無機フィラーを含む絶縁層に、それぞれグリーンレーザを照射した結果を示す図である。
【図１４】本発明の実施形態２に係るプリント配線板の製造方法により製造されるプリント配線板の一例を示す図である。
【図１５】本発明の実施形態２に係るプリント配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図１６Ａ】コア基板を製造する第１の工程を説明するための図である。
【図１６Ｂ】コア基板を製造する第２の工程を説明するための図である。
【図１６Ｃ】コア基板を製造する第３の工程を説明するための図である。
【図１６Ｄ】コア基板を製造する第４の工程を説明するための図である。
【図１７Ａ】第１層について、プレス工程を説明するための図である。
【図１７Ｂ】第１層について、レーザ照射工程を説明するための図である。
【図１８Ａ】第２層について、プレス工程を説明するための図である。
【図１８Ｂ】第２層について、レーザ照射工程を説明するための図である。
【図１９】本発明の実施形態３に係るプリント配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図２０Ａ】プレス工程を説明するための図である。
【図２０Ｂ】穴あけ工程を説明するための図である。
【図２０Ｃ】めっき工程を説明するための図である。
【図２１】本発明の実施形態４に係るプリント配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図２２Ａ】エッチング工程を説明するための図である。
【図２２Ｂ】レーザ照射工程を説明するための図である。
【図２３】本発明の実施形態５に係るプリント配線板の製造方法によりファイン化される前の導体パターンを示す図である。
【図２４】レーザ照射工程を説明するための図である。
【図２５Ａ】ファイン化された導体パターンの一例を示す図である。
【図２５Ｂ】図２５ＡのＡ−Ａ断面図である。
【図２６Ａ】導体パターンの第１の別例を示す図である。
【図２６Ｂ】図２６ＡのＡ−Ａ断面図である。
【図２７】導体パターンの第２の例を示す図である。
【図２８】導体パターンの第３の例を示す図である。
【図２９】レーザ光の照射部位に窪みが形成されない例を示す図である。
【図３０】絶縁層の表層部にフィラー層を有する配線板の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向（又はコア基板の厚み方向）に相当する配線板の積層方向を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（配線板の主面に平行な方向）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。
【００３２】
実施形態では、相反する法線方向を向いた２つの主面を、第１面（Ｚ１側の面）、第２面（Ｚ２側の面）という。すなわち、第１面の反対側の主面が第２面であり、第２面の反対側の主面が第１面である。積層方向において、コアに近い側を下層（又は内層側）、コアから遠い側を上層（又は外層側）という。
【００３３】
導体パターンは、任意のパターンを有する導体（導体層）であり、導体回路を構成する配線（グランドも含む）、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、導体回路を構成しないベタパターン等である場合もある。また、電子部品や他の配線板を内蔵する配線板では、その電子部品の電極や他の配線板のパッドも、導体パターンに含まれる。絶縁層には、層間絶縁層のほか、ソルダーレジスト等も含まれる。
【００３４】
めっきとは、金属や樹脂などの表面に層状に導体（例えば金属）を析出させることと、析出した導体層（例えば金属層）をいう。めっきには、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。
【００３５】
レーザ光は、可視光に限られない。レーザ光には、可視光のほか、紫外線やＸ線等の短い波長の電磁波や、赤外線等の長い波長の電磁波も含まれる。各材料へのレーザ光の吸収率は分光光度計により測定される値である。
【００３６】
面に形成されるラインパターン（面上の配線又は面下の溝など）に関しては、ラインと直交する方向のうち、形成面と平行な方向の寸法を「幅」といい、形成面と直交する方向の寸法を「高さ」又は「厚さ」又は「深さ」という。また、ラインの一端から他端までの寸法を「長さ」という。ただし、他の寸法を指すことを明記している場合は、この限りでない。
【００３７】
（実施形態１）
本実施形態において製造される配線板１００は、例えば図１Ａに示すような多層プリント配線板（両面リジッド配線板）である。
【００３８】
配線板１００は、基板２００（コア基板）と、絶縁層１０１〜１０４（層間絶縁層）と、ソルダーレジスト１０５、１０６と、導体パターン１１３〜１１６と、を有する。基板２００は、絶縁層１００ａと、導体パターン１１１、１１２と、を有する。本実施形態では、導体パターン１１１〜１１６の各々が、導体回路として機能する。また、各導体パターンは、層間絶縁層に形成された孔内の導体（例えばビア導体又はスルーホール導体など）によって相互に電気的に接続される。配線板１００の片面又は両面に他の配線板や電子部品等が実装されることで、配線板１００は、例えば携帯電話等の回路基板として使用することができる。
【００３９】
配線板１００は、例えば基板２００に、絶縁層１０１〜１０４と、導体パターン１１３〜１１６と、を交互にビルドアップした後、最外層にソルダーレジスト１０５、１０６を設けることで、製造することができる。
【００４０】
後述の図６Ａ〜図１０Ｂに示すパターニング方法は、外層の導体パターン１１６（領域Ｒ１１）に適用してもよく、また、内層の導体パターン１１４（領域Ｒ１２）に適用してもよく、さらにはコア基板の導体パターン１１２（領域Ｒ１３）に適用してもよい。
【００４１】
基板２００は、例えば後述の図３〜図１０Ｂの工程により製造することができる。その他、基板２００として、両面銅張積層板を用いてもよい。絶縁層１０１〜１０４は、例えば樹脂フィルム（半硬化状態の接着シート）を用いた真空ラミネートにより、形成（積層）することができる。絶縁層１０１〜１０４及び導体パターン１１３〜１１６は、例えば後述の図３〜図１０Ｂの工程により製造することができる。その他、例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、サブトラクティブ法、及びテンティング法のいずれか１つ、又はこれらの２以上を任意に組み合わせた方法で、導体パターン１１３〜１１６を形成することもできる。ソルダーレジスト１０５、１０６は、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により形成することができる。
【００４２】
また、本実施形態に係るプリント配線板の製造方法により、図１Ｂに示すような、基板２００（コア基板）を有さない多層プリント配線板（両面リジッド配線板）を製造することもできる。図１Ｂの例では、導体パターン１１０を基準（コア位置）にして、第１面側に、２層の絶縁層１０１、１０３及び２層の導体パターン１１３、１１５が交互に積層され、第２面側に、２層の絶縁層１０２、１０４及び２層の導体パターン１１４、１１６が交互に積層されている。そして、第１面側の最外層（絶縁層１０３及び導体パターン１１５）は、ソルダーレジスト１０５で覆われ、第２面側の最外層（絶縁層１０４及び導体パターン１１６）は、ソルダーレジスト１０６で覆われている。
【００４３】
上記配線板１００、特に領域Ｒ１１〜領域Ｒ１３に示した構造（図１Ａ又は図１Ｂ）は、例えば図２に示すような方法で製造される。
【００４４】
まず、ステップＳ１１で、図３に示すように、絶縁層１０を準備する。絶縁層１０は、絶縁樹脂層である。
【００４５】
ここで、絶縁層１０は、フィラー１０ａと、樹脂１０ｂと、を含む。絶縁層１０は、樹脂１０ｂにフィラー１０ａを配合することによって、形成することができる。本実施形態では、フィラー１０ａを、絶縁層１０の略全体に概ね均一に分散させている。ただしこれに限定されず、絶縁層１０の表層部だけに、フィラー１０ａが埋め込まれていてもよい（後述の図３０参照）。
【００４６】
本実施形態では、樹脂１０ｂが、絶縁性樹脂からなる。この絶縁性樹脂は、熱硬化性樹脂であることが好ましい。本実施形態では、樹脂１０ｂが、エポキシ樹脂からなる。このエポキシ樹脂は、熱硬化性樹脂である。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂のほか、フェノール樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、フッ素系樹脂、ＬＣＰ（液晶ポリマー）、ポリエステル樹脂、イミド樹脂（ポリイミド）、ＢＴ樹脂、アリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）、又はアラミド樹脂などを用いることができる。
【００４７】
絶縁層１０は、３０ｗｔ％以上の含有率でフィラー１０ａを含むことが好ましく、中でも、５０ｗｔ％以上の含有率でフィラー１０ａを含むことがより好ましい。
【００４８】
本実施形態では、フィラー１０ａが、無機フィラーからなる。これにより、プリント配線板の絶縁材料として普及している無機フィラーをそのまま使用することができるため、コスト面や品質面で有利になると考えられる。
【００４９】
無機フィラーは、例えば白色系フィラーであることが好ましい。本実施形態の無機フィラーは、シリカ系フィラーである。シリカ系フィラーとしては、ケイ酸塩鉱物を用いることが好ましく、中でも、シリカ、タルク、雲母、カオリン、及びケイ酸カルシウムの少なくとも１つを用いることが好ましい。また、シリカとしては、球形シリカ、破砕シリカ、溶融シリカ、及び結晶シリカの少なくとも１つを用いることが好ましい。ただしこれに限られず、白色系フィラーとしては、炭酸カルシウムからなるフィラー（以下、炭酸カルシウムフィラーという）、硫酸バリウムからなるフィラー（以下、硫酸バリウムフィラーという）、又は水酸化アルミニウムからなるフィラー（以下、水酸化アルミニウムフィラーという）なども有効である。また、上記シリカ系フィラー、炭酸カルシウムフィラー、硫酸バリウムフィラー、及び水酸化アルミニウムフィラーの中から選択した２種類以上の白色系フィラーを、絶縁層１０に含ませてもよい。中でも、シリカ系フィラーに加えて、炭酸カルシウムフィラー、硫酸バリウムフィラー、及び水酸化アルミニウムフィラーの少なくとも１つを含ませることが、絶縁層１０の低コスト化に有利であると考えられる。
【００５０】
フィラー１０ａの平均粒子径は、０．５μｍ以上かつ１０μｍ以下であることが好ましい。フィラー１０ａの平均粒子径がこの範囲にある場合、フィラー１０ａが、レーザエネルギーにより絶縁層が損傷されるのを防止するストッパとして好適に機能するようになると考えられる。なお、無機フィラー以外に繊維状無機物でも同様の効果が期待できる。
【００５１】
本実施形態では、フィラー１０ａの５０ｗｔ％以上が、球形フィラー（球形シリカ）である。このようにフィラー１０ａの主成分（半分以上）が球形フィラーであると、後述のレーザ照射工程（図９参照）において、フィラー１０ａがストッパとして好適に機能するようになると考えられる。またその結果、絶縁層１０上に導体や触媒等が残りにくくなると考えられる。ただしこれに限られず、フィラー１０ａの材質等は任意である。例えばフィラー１０ａは、球形フィラーを含んでいなくてもよい。
【００５２】
絶縁層１０の厚さＴ１は、５〜２００μｍの範囲にあることが好ましい。厚さＴ１がこの範囲内にあると、絶縁信頼性を確保しつつ、必要以上に絶縁層１０を厚くしないという利点がある。
【００５３】
続けて、図２のステップＳ１２で、図４に示すように、例えばラミネートにより、絶縁層１０上に、導体膜としての銅箔１００１を形成する。銅箔１００１の厚さＴ２は、５〜２０μｍの範囲にあることが好ましい。なお、導体膜を構成する材料は、銅に限られず、任意である。
【００５４】
ここで、導体膜の構造は、先の図４に示した銅箔１００１からなる１層のみの構造に限られず、例えば図５Ａに示すように、絶縁層１０上に、銅箔１００１と、例えば銅からなる電解めっき膜１００２とが、この順に積層された２層構造であってもよく、あるいは例えば図５Ｂに示すように、絶縁層１０上に、銅箔１００１と、例えば銅からなる無電解めっき膜１００３と、電解めっき膜１００２とが、この順に積層された３層構造であってもよい。さらに、銅箔１００１を含まない導体膜であってもよい。例えば図５Ｃに示すように、絶縁層１０上に、無電解めっき膜１００３と、電解めっき膜１００２とが、この順に積層された２層構造であってもよい。導体膜の層数は任意であり、例えば４層以上で構成される導体膜であってもよい。導体膜の構造は、基本的には任意である。
【００５５】
続けて、図２のステップＳ１３で、例えば黒色酸化処理法により、銅箔１００１の表面（例えば全面）を黒化処理する。これにより、レーザの吸収性が高まり、レーザ工程の処理効率を向上させることができると考えられる。銅箔１００１表面の酸化物は、レーザ工程の後、必要に応じて、酸洗浄や還元処理等により除去する。
【００５６】
続けて、図２のステップＳ１４で、グリーンレーザを銅箔１００１に照射することによってその銅箔１００１を分断し、導体パターン（導体回路）を形成する。
【００５７】
具体的には、例えば図６Ａ及び図６Ｂ（図６ＡのＡ−Ａ断面図）に示すように、被照射体（絶縁層１０等）の第２面側に、開口部１００４ａを有する遮光マスク１００４を設けた状態で、被照射体の全面（詳しくは第２面全域）にグリーンレーザを照射することが好ましい。ここで、グリーンレーザとは、波長１０６４ｎｍの基本波の第２高調波であって、波長５３２ｎｍのレーザ光を指す。
【００５８】
本実施形態では、略平行に配置される複数の直線からなる導体パターン（後述の図１０Ａ参照）を形成する。すなわち、遮光マスク１００４もこれに対応して、図６Ａに示すように、直線状のパターンを有する。ただし、導体パターンは、これに限定されず任意である（後述の図２７、図２８参照）。
【００５９】
こうしたグリーンレーザを被照射体の全面に照射する場合には、例えば被照射体を固定してグリーンレーザ（厳密にはその照準）を移動させること、又は、逆にグリーンレーザ（厳密にはその照準）を固定して被照射体を移動させることが好ましい。グリーンレーザを移動させる場合には、例えばガルバノミラーによりグリーンレーザを移動させる（走査する）ことが好ましい。また、被照射体を移動させる場合には、例えばシリンドリカルレンズによりグリーンレーザをライン光として、これを所定の位置に照射しつつ、コンベアにより被照射体を移動させることが好ましい。また、レーザ照射によって生じる導体材料の飛散物（プルーム）が冷却して導体パターン上へ再付着するのを防止するためには、ピコ秒オーダーもしくはフェムト秒オーダーの極短パルスレーザによる非熱加工、レーザ照射部分の周囲を水などの液体に接触させながら行うこと、又はこれらの組み合わせが有効である。
【００６０】
なお、レーザ強度（光量）の調整は、パルス制御で行うことが好ましい。具体的には、例えばレーザ強度を変更する場合には、１ショット（１回の照射）あたりのレーザ強度は変えずに、ショット数（照射回数）を変更するようにする。すなわち、１ショットでは所望のレーザ強度が得られない場合には、同じ照射位置に、再度レーザ光を照射する。こうした制御方法によれば、照射条件を変える時間を省略できるため、スループットが向上すると考えられる。ただしこれに限られず、レーザ強度の調整方法は任意である。例えば照射位置ごとに照射条件を決め、照射回数を一定（例えば１つの照射位置につき１ショット）にしてもよい。また、同じ照射位置に複数回のレーザ照射を行う場合において、ショットごとにレーザ強度を変えてもよい。さらに、レーザの焦点を照射部位と完全には一致させず、Ｚ方向にずらしたピンボケ光で、銅箔１００１をパターニングしてもよい。ピンボケ光を用いると、スポット径が大きくなる一方、レーザ強度が低下するため、ソフト加工が可能になる。
【００６１】
ここで、ガルバノミラーによりグリーンレーザを移動させる場合の条件の一例を示す。図７中、レーザ光のスポット径ｄ１１は、例えば３０μｍである。この例では、レーザ光の走査方向を、Ｘ方向とする。Ｘ方向の単位移動量ｄ１２（隣り合うスポットの照射中心Ｐ間の距離）は、例えば２０μｍである。また、Ｙ方向の単位移動量ｄ１３（隣り合うスポットの照射中心Ｐ間の距離）は、例えば１５μｍである。レーザ光の走査速度は、例えば３０００mm／secである。すなわち、１ショットごとにレーザ光をＸ方向に２０μｍ走査する場合には、レーザ光は、１秒間に１５万ショット照射されることになる。
【００６２】
以下、こうした条件でレーザ照射を行う場合を例にして、レーザ照射態様の一例について説明する。
【００６３】
この例では、まず、被照射体のＸ−Ｙ平面上の第１のライン、例えば（０，０）〜（ＸＸ，０）について、レーザ照射を行う。具体的には、最初の照射位置（０，０）に対してレーザ照射を行い、そのレーザ照射が終わったら、単位移動量ｄ１２だけＸ２側に移動し、次の照射位置（２０，０）に対してレーザ照射を行う。そして、図６Ａ中に矢印で示すように、レーザ照射及びＸ２側への移動を繰り返して、被照射体のＸ方向に設定された各照射位置に、順次レーザ照射を行っていく。こうして、被照射体のＸ方向全域についてグリーンレーザの照射が終わったら、第１のラインに対するレーザ照射は完了したことになる。
【００６４】
続けて、被照射体のＸ−Ｙ平面上の第２のライン、例えば（０，１５）〜（ＸＸ，１５）について、レーザ照射を行う。具体的には、グリーンレーザは、図６Ａ中に矢印で示すように、第１のラインの最後の照射位置（ＸＸ，０）から、Ｘ座標を原点に戻すとともに、Ｙ座標を単位移動量ｄ１３だけＹ１側に移動し、照射位置（０，１５）から、再び第１のラインと同様、Ｘ２側に向かってレーザ光を走査する。こうして、各ラインについて順次レーザ照射を行うことで、被照射体の第２面（Ｘ−Ｙ平面）全域にグリーンレーザを照射することができる。
【００６５】
ここでは、導体パターンの長手方向（Ｙ方向）と直交するＸ方向に沿ってレーザ光を走査する例を示したが、導体パターンの長手方向と平行なＹ方向に沿ってレーザ光を走査してもよい。また、点照射に限定されず、例えばシリンドリカルレンズを用いてＸ方向又はＹ方向のライン光にして、そのライン光をＹ方向又はＸ方向に沿って走査してもよい。さらに、遮光マスク１００４を用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部分のみにレーザ光を選択的に照射するようにしてもよい。その他、照射位置やレーザ強度の制御方法等も任意である。
【００６６】
本実施形態では、レーザ照射によって、銅箔１００１（導体膜）をパターニングするため、フォトリソグラフィによらず、導体パターンを形成することができる。その結果、サイドエッチやアンダーカット等が抑制され、良好な電気特性を有する導体パターンを形成することができると考えられる。また、ファインパターンの形成に有利になると考えられる。例えばＬ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍのファインパターンを高度なクリーンルームを必要とせずとも高い歩留りで形成することができると考えられる。しかも、このパターニングにグリーンレーザを用いることにより、十分な生産効率を確保しつつも、フィラー１０ａがストッパとなって、銅箔１００１下の絶縁層１０が過剰に除去されてしまうことを抑制できると考えられる。以下、図８等を参照して、このことについて、説明する。
【００６７】
図８は、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、銅（線Ｌ１２）、及びシリカ（線Ｌ１３）の各々にレーザ光を照射した場合における、レーザ光の波長と吸収率との関係を示すグラフである。なお、エポキシ樹脂を他の樹脂に代えても、また、シリカを他の無機フィラーに代えても、概ね同様の結果が得られると考えられる。
【００６８】
まず、波長５３２ｎｍのレーザ光ＬＺ３（グリーンレーザ）と、波長１０６４０ｎｍのレーザ光ＬＺ４とを比較する。レーザ光ＬＺ４の光源としては、例えばＣＯ２レーザを用いることができる。
【００６９】
図８に示されるように、レーザ光ＬＺ４の吸収率は、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）及びシリカ（線Ｌ１３）の両方で高いが、レーザ光ＬＺ３の吸収率は、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）では高く、シリカ（線Ｌ１３）では低い。特に、レーザ光ＬＺ３では、シリカ（線Ｌ１３）での吸収率を２０％以下、具体的には１０％程度に抑えることができる。本実施形態においては、絶縁層１０に、樹脂１０ｂ（エポキシ樹脂）だけでなく、フィラー１０ａ（シリカ系フィラー）も含まれているため、グリーンレーザを絶縁層１０に照射した場合には、フィラー１０ａがストッパとなることによって、絶縁層１０の分解反応（光化学反応）の進行が抑制されると考えられる。すなわち、例えば図９に示すように、フィラー１０ａは、グリーンレーザを反射し、照射部位の絶縁層１０が過剰に除去されてしまうことを抑制してくれると考えられる。フィラー１０ａをストッパとして用いるためには、樹脂１０ｂでのレーザ光の吸収率が、フィラー１０ａでのレーザ光の吸収率の７倍以上であることが好ましいと考えられる。
【００７０】
また、銅（線Ｌ１２）での吸収率は、レーザ光ＬＺ４よりもレーザ光ＬＺ３の方が高い。銅箔１００１をパターニングするためのレーザ照射においては、銅でのレーザ光の吸収率が、ある程度高い方が好ましいと考えられる。導体（銅）を除去する効率が高くなるからである。ただし、銅でのレーザ光の吸収率が高過ぎると、銅が過剰に削られてしまうなどの不都合が生じるおそれがある。そこで、導体膜を構成する材料（銅）へのレーザ光の吸収率は、レーザ光が適度に銅に吸収される範囲、具体的には３０〜６５％の範囲にあることが好ましいと考えられる。この点、グリーンレーザの銅への吸収率は、５０％であるため、導体層のパターニングに適している。
【００７１】
また、１０６４ｎｍ以下の波長を有するレーザ光は、主に光化学反応により被照射体を分解し、１０６４ｎｍよりも大きい波長を有するレーザ光は、主に熱反応により被照射体を分解すると考えられる。２つの反応を比較すると、光を熱に変換して使用する熱反応よりも、光をそのまま使用する光化学反応の方がエネルギー効率が高いと考えられる。このことから、グリーンレーザは、エネルギー効率の面でも優れていると考えられる。さらに、同じグリーンレーザであっても、パルス幅を極端に短くして、例えばピコ秒オーダー又はフェムト秒オーダーにして非熱加工を行うことで、一層エネルギー効率を高めることができると考えられる。
【００７２】
次に、波長２００ｎｍのレーザ光ＬＺ１と、波長３５５ｎｍのレーザ光ＬＺ２（ＵＶレーザ）と、波長５３２ｎｍのレーザ光ＬＺ３（グリーンレーザ）とを比較する。なお、レーザ光ＬＺ１の光源としては、例えばエキシマレーザを用いることができる。また、レーザ光ＬＺ２としては、例えばＹＡＧレーザの第３高調波を用いることができる。
【００７３】
これらレーザ光ＬＺ１〜ＬＺ３は、主に光化学反応より被照射体を分解する点で共通すると考えられる。しかし、図８に示されるように、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、銅（線Ｌ１２）、及びシリカ（線Ｌ１３）での吸収率については、レーザ光ＬＺ１が最も高く、次にレーザ光ＬＺ２が高く、レーザ光ＬＺ３が最も低い。より詳しくみると、レーザ光ＬＺ２、ＬＺ３の吸収率は、高い方から、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、銅（線Ｌ１２）、シリカ（線Ｌ１３）の順になっているが、レーザ光ＬＺ１の吸収率は、高い方から、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、シリカ（線Ｌ１３）、銅（線Ｌ１２）の順になっている。しかも、レーザ光ＬＺ１では、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）での吸収率とシリカ（線Ｌ１３）での吸収率との間にほとんど差がない。したがって、先のレーザ照射工程において、エキシマレーザを用いた場合には、フィラー１０ａがストッパとして機能しないと考えられる。他方、先のレーザ照射工程において、グリーンレーザを用いた場合には、フィラー１０ａがストッパとして機能するため、エポキシ樹脂が深く掘られる現象が生じにくいと考えられる。なお、銅（線Ｌ１２）での吸収率とシリカ（線Ｌ１３）での吸収率との比率（銅／シリカ）は、５以上であることが好ましいと考えられる。
【００７４】
以上より、銅箔１００１をパターニングするためのレーザ照射に用いるレーザ光は、主に光化学反応により被照射体を分解できるもの、すなわち１０６４ｎｍ以下の波長を有することが好ましいと考えられる。また、導体（銅）除去の効率を考慮すると、導体膜を構成する材料（銅）へのレーザ光の吸収率は、３０〜６０％の範囲にあることが好ましいと考えられる。そして、レーザ光の波長が３５０〜６００ｎｍの範囲（範囲Ｒ２１）にあれば、レーザ光の吸収率は、３０〜６０％の範囲内の値になる。さらに、フィラー１０ａをストッパとして用いることや、導体を除去する効率等を考慮すると、５００〜５６０ｎｍの範囲（範囲Ｒ２２）にあることがより好ましいと考えられる。
【００７５】
光源は、固体レーザであっても、液体レーザであっても、気体レーザであってもよい。具体的には、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、アルゴンイオンレーザ、又は銅蒸気レーザが、光源として好ましいと考えられる。例えばＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザの第２高調波を用いることで、波長５３２ｎｍのレーザ光が得られ、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザの第３高調波を用いることで、波長３５５ｎｍのレーザ光が得られる。また、アルゴンイオンレーザによれば、４８８〜５１５ｎｍの範囲にある波長を有するレーザ光が得られる。また、銅蒸気レーザによれば、５１１〜５７８ｎｍの範囲にある波長を有するレーザ光が得られる。ただし、光源はこれらに限られず任意であり、必要なレーザ光の波長に応じて適切なものを選定することが好ましい。
【００７６】
次に、上記レーザを使用したパターニング方法と、エッチング液を用いた湿式法とを比較する。湿式法によれば、レーザを使用した場合のような異方性の加工（詳しくは、主にＺ方向の加工）ではなく、略等方性の加工になるため、サイドエッチング等で導体が過剰に除去され易い。その結果、配線幅が、所望とする幅よりも減少してしまうおそれがある。この点、レーザを用いれば、局所的な線細りが抑制されることで、ファインパターンの設計が容易になり、また、インピーダンスの整合も図り易くなると考えられる。さらに、サイドエッチングの影響が少ないため、配線側面の平滑性が向上すると考えられる。
【００７７】
また、湿式法では廃液が生じるため、環境面を考慮しても、レーザの方が好ましいと考えられる。
【００７８】
以上説明したレーザ照射の結果、例えば図１０Ａ及び図１０Ｂ（図１０ＡのＡ−Ａ断面図）に示すように、銅箔１００１（導体膜）が分断され、直線状の導体パターン２０が形成される。
図１１、図１２は、レーザ照射後の導体パターン２０を示す写真である。
【００７９】
レーザ光の照射により絶縁層１０上の銅箔１００１（図６Ｂ）が部分的に除去されることによって、導体パターン２０中に形成される空隙Ｒ１（溝）の、絶縁層１０側（Ｚ１側）の開口の幅ｄ１１は、他側（Ｚ２側）の開口の幅ｄ１２よりも小さい。すなわち、空隙Ｒ１は、絶縁層１０側から他側に向かって拡径されるようにテーパしたテーパ形状を有する。これにより、空隙Ｒ１内に上層の絶縁層（樹脂）が流れこむ際、ボイドが残りにくくなると考えられる。
【００８０】
図１３は、異なる４つの無機フィラーを含む絶縁層１０に、それぞれ平均出力５Ｗ、パルス幅がナノ秒オーダーのグリーンレーザを照射した結果を示す図表である。この実験では、樹脂１０ｂとしてエポキシ樹脂を用い、フィラー１０ａとして、ＳｉＯ２粉末（シリカ系フィラー）、ＣａＣＯ３粉末（炭酸カルシウムフィラー）、ＢａＳＯ４粉末（硫酸バリウムフィラー）、又はＡｌ(ＯＨ)３粉末（水酸化アルミニウムフィラー）を用いた。また、ＳｉＯ２粉末については、フィラー１０ａ含有量の異なる４つの絶縁層１０に、それぞれグリーンレーザを照射した結果を示す。レーザ光の走査速度は、約５０mm／secとした。レーザ強度は、製造工程時の約６０倍とした。
【００８１】
図１３に示されるように、樹脂１０ｂにＳｉＯ２粉末を含有させなかった場合（約０ｗｔ％）、又は樹脂１０ｂに１５ｗｔ％のＳｉＯ２粉末を含有させた場合には、それぞれレーザ照射面に樹脂１０ｂの炭化が見られた。一方、樹脂１０ｂに３０ｗｔ％又は５０ｗｔ％のＳｉＯ２粉末を含有させた場合には、それぞれレーザ照射面に樹脂１０ｂの炭化が見られなかった。この結果から、樹脂１０ｂに３０ｗｔ％以上のフィラー１０ａを含有させることで、樹脂１０ｂの炭化が抑制されると推察される。また、炭酸カルシウムフィラー、硫酸バリウムフィラー、又は水酸化アルミニウムフィラーなど、他の無機フィラーについても、概ね同様の結果が得られると考えられる。
【００８２】
上記レーザ照射による導体パターン２０のパターニング方法は、配線密度の高いファインパターンを形成する場合に特に有効である。具体的には、導体パターン２０を構成する導体（例えば導体ライン）間の空隙Ｒ１の幅ｄ１（平均値）は、例えば２０μｍ以下であるが、１０μｍ以下にすることも可能である。一方、導体パターン２０を構成する導体（例えば導体ライン）の幅ｄ２（平均値）は、例えば２０μｍ以下であるが、１０μｍ以下にすることも可能である。ただしこれに限定されず、幅ｄ１、ｄ２は任意である（後述の図２６Ａ及び図２６Ｂ参照）。
【００８３】
本実施形態では、レーザ光の照射によって、銅箔１００１（導体膜）を除去するだけにとどまらず、銅箔１００１（図６Ｂ）下の絶縁層１０の表面を削るようにしている。これにより、絶縁層１０の表面の樹脂残渣が除去されるとともに、絶縁層１０の表面には、窪みＰ１が形成される。ただし、窪みＰ１が形成されることは必須ではない（後述の図２９参照）。
【００８４】
その後、図２のステップＳ１５で、絶縁層１０上に上層絶縁層（例えば層間絶縁層又はソルダーレジスト等）を形成する。これにより、先の図１Ａ又は図１Ｂに示した配線板１００が完成する。こうして得られる配線板１００において、導体パターン２０中の隣り合う導体間は互いに絶縁される。すなわち、本実施形態に係るプリント配線板の製造方法によれば、導体間の絶縁信頼性を阻害することなく、導体パターンを形成することが可能になる。
【００８５】
（実施形態２）
本実施形態において製造される配線板１００は、例えば図１４に示すような多層プリント配線板（両面リジッド配線板）である。
【００８６】
配線板１００は、基板２００（コア基板）と、絶縁層１０１〜１０４（層間絶縁層）と、ソルダーレジスト１０５、１０６と、導体パターン１１３〜１１６と、スルーホール導体１００ｃと、ビア導体１０１ｂ〜１０４ｂと、ソルダーレジスト１０５、１０６と、外部接続端子１０５ｂ、１０６ｂと、を有する。基板２００は、絶縁層１００ａと、導体パターン１１１、１１２と、を有する。基板２００には、スルーホール１００ｂが形成されている。スルーホール導体１００ｃは、スルーホール１００ｂの側面に形成され、その内側には、例えば第１面側、第２面側の絶縁層１０１、１０２からそれぞれ流出した絶縁体１００ｄが充填される。ソルダーレジスト１０５、１０６には、開口部１０５ａ、１０６ａが形成される。外部接続端子１０５ｂ、１０６ｂは、ソルダーレジスト１０５、１０６の開口部１０５ａ、１０６ａに形成される。外部接続端子１０５ｂ、１０６ｂは、例えば半田バンプからなる。
【００８７】
上記配線板１００は、例えば図１５に示すような方法で製造される。
【００８８】
まず、ステップＳ２１で、コア基板（基板２００）と、孔内に導体を有する絶縁層（絶縁層１０１、１０２）と、金属箔（銅箔２００５、２００６）と、を準備する（後述の図１７Ａ参照）。
【００８９】
基板２００は、例えば図１６Ａ〜図１６Ｄに示すような方法で製造（準備）される。
【００９０】
まず、図１６Ａに示すように、両面銅張積層板２０００（出発材料）を準備する。この両面銅張積層板２０００は、絶縁層１００ａと、銅箔２００１及び２００２と、を有する。絶縁層１００ａの第１面には銅箔２００１が形成され、絶縁層１００ａの第２面には銅箔２００２が形成される。絶縁層１００ａの材料は、例えばガラス繊維等の補強材入りのエポキシ樹脂である。
【００９１】
続けて、図１６Ｂに示すように、例えばレーザにより、両面銅張積層板２０００にスルーホール１００ｂを形成する。スルーホール１００ｂは、両面銅張積層板２０００を貫通する。その後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【００９２】
続けて、図１６Ｃに示すように、銅のパネルめっき（スルーホールめっき及び全面めっき）により、絶縁層１００ａの両面及びスルーホール１００ｂの側面にめっき２００３を形成する。めっき２００３は、例えば無電解めっき及び電解めっきの２層からなる。ただし、２層構造であることは必須ではない。
【００９３】
続けて、図１６Ｄに示すように、例えばリソグラフィ技術により、絶縁層１００ａの両面の導体をパターニングする。これにより、絶縁層１００ａの第１面、第２面にそれぞれ、導体パターン１１１、１１２が形成される。その結果、基板２００が完成する。
【００９４】
またその一方で、図１７Ａに示すように、絶縁層１０１、１０２及び銅箔２００５、２００６を、別途準備する。銅箔２００５、２００６の厚さは、例えば１２μｍである。絶縁層１０１、１０２の材料及び厚さ等は、前述した実施形態１の絶縁層１０と同一である。すなわち、絶縁層１０１、１０２も、３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層である。ただし、この段階では、絶縁層１０１、１０２は、プリプレグ（半硬化状態の接着シート）となっている。
【００９５】
ここで、絶縁層１０１には孔１０１ａが形成され、孔１０１ａ内には導体１０１ｃが形成される。絶縁層１０２には孔１０２ａが形成され、孔１０２ａ内には導体１０２ｃが形成される。導体１０１ｃ及び１０２ｃは、例えば導電性ペーストからなる。導電性ペーストとは、導電性のある微粒子を所定の濃度で粘性のあるバインダに混ぜたペーストをいう。バインダとは、粒子間のつなぎとなる樹脂等をいう。導電性ペーストは、めっきとは区別される。
【００９６】
孔１０１ａ、１０２ａはそれぞれ、例えばレーザにより、絶縁層１０１、１０２に形成される。また、導体１０１ｃ、１０２ｃ（導電性ペースト）はそれぞれ、例えば印刷により、孔１０１ａ、１０２ａに充填される。
【００９７】
続けて、図１５のステップＳ２２で、プレスする。
【００９８】
例えば図１７Ａに示すように、基板２００と、絶縁層１０１、１０２と、銅箔２００５、２００６と、を配置する。具体的には、基板２００の第１面側に絶縁層１０１を配置し、基板２００の第２面側に絶縁層１０２を配置する。さらに、絶縁層１０１の第１面側に銅箔２００５を配置し、絶縁層１０２の第２面側に銅箔２００６を配置する。
【００９９】
続けて、図１７Ａに示すように配置された基板２００等をプレスする。これにより、外側（銅箔２００５、２００６）から内側（基板２００）に向かって圧力が加えられる。プレスは、例えば加熱しながら行う。このプレスにより、周囲の絶縁層（絶縁層１０１、１０２）から樹脂（絶縁体１００ｄ）が押し出され、スルーホール１００ｂ内に絶縁体１００ｄが充填される（後述の図１７Ｂ参照）。また、上記加熱により、プリプレグ（絶縁層１０１、１０２）は硬化し、隣接する部材に付着する。なお、上記プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。
【０１００】
続けて、図１５のステップＳ２３で、例えば図１７Ｂに示すように、グリーンレーザを銅箔２００５、２００６に照射することによってその銅箔２００５、２００６を分断し、導体パターン１１３、１１４を形成する。このレーザ照射は、例えば実施形態１と同様、遮光マスクを設けた状態で、被照射体の全面に行う。ただしこれに限定されず、例えば遮光マスクを用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部分のみにレーザ光を選択的に照射するようにしてもよい。
【０１０１】
続けて、図１５のステップＳ２４において、上記導体パターン１１３、１１４が形成された積層体に対してビルドアップする。
【０１０２】
例えば図１８Ａに示すように、積層体の第１面側に絶縁層１０３及び銅箔２００７を配置し、積層体の第２面側に絶縁層１０４及び銅箔２００８を配置する。銅箔２００７、２００８の厚さは、例えば１２μｍである。絶縁層１０３、１０４の材料及び厚さ等は、前述した実施形態１の絶縁層１０と同一である。すなわち、絶縁層１０３、１０４も、３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層である。ただし、この段階では、絶縁層１０３、１０４は、プリプレグ（半硬化状態の接着シート）となっている。
【０１０３】
ここで、絶縁層１０３には孔１０３ａが形成され、孔１０３ａ内には導体１０３ｃが形成される。絶縁層１０４には孔１０４ａが形成され、孔１０４ａ内には導体１０４ｃが形成される。導体１０３ｃ及び１０４ｃは、例えば導電性ペーストからなる。
【０１０４】
続けて、上記積層体を加熱プレスする。これにより、プリプレグ（絶縁層１０３、１０４）が硬化し、絶縁層１０３、１０４及び銅箔２００７、２００８が、上記積層体と一体化する。
【０１０５】
続けて、例えば図１８Ｂに示すように、グリーンレーザを銅箔２００７、２００８に照射することによってその銅箔２００７、２００８を分断し、導体パターン１１５、１１６を形成する。このレーザ照射は、例えば実施形態１と同様、遮光マスクを設けた状態で、被照射体の全面に行う。ただしこれに限定されない。
【０１０６】
続けて、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により、開口部１０５ａ、１０６ａを有するソルダーレジスト１０５、１０６を形成する（図１４参照）。その後、例えば半田ペーストの印刷やリフローなどにより、ソルダーレジスト１０５、１０６の開口部１０５ａ、１０６ａに外部接続端子１０５ｂ、１０６ｂを形成する（図１４参照）。これにより、その外部接続端子１０５ｂ、１０６ｂを通じて、配線板１００を他の配線板と接続したり、配線板１００に電子部品を実装したりすることが可能になる。また、必要に応じて、外形加工、反り修正、通電検査、外観検査、及び最終検査などを行う。以上の工程により、本実施形態の配線板１００（図１４）が完成する。
【０１０７】
本実施形態に係るプリント配線板の製造方法によれば、実施形態１の方法と同様の効果又は準ずる効果が得られる。このため、十分な生産効率を確保しながら、良好な電気特性を有するプリント配線板を製造することができる。しかも、本実施形態では、層間を接続する導体（導体１０１ｃ等）を予め導体性ペーストで形成しておき、この導体と下層との接続をプレスで行うため、導体１０１ｃ等をめっきで形成する場合に比べて、製造工程を簡略化することができると考えられる。
【０１０８】
（実施形態３）
本実施形態において製造される配線板１００は、実施形態２と同様、例えば図１４に示すような多層プリント配線板（両面リジッド配線板）である。
【０１０９】
ただし、本実施形態では、例えば図１９に示すような方法で配線板１００が製造される。
【０１１０】
まず、ステップＳ３１で、コア基板（基板２００）と、絶縁層（絶縁層１０１、１０２）と、金属箔（銅箔３００１、３００２）と、を準備する（図２０Ａ）。銅箔３００１、３００２の厚さは、例えば３μｍである。絶縁層１０１、１０２の材料及び厚さ等は、前述した実施形態１の絶縁層１０と同一である。すなわち、絶縁層１０１、１０２も、３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層である。ただし、この段階では、絶縁層１０１、１０２は、プリプレグ（半硬化状態の接着シート）となっている。
【０１１１】
続けて、図１９のステップＳ３２で、プレスする。
【０１１２】
例えば図２０Ａに示すように、基板２００と、絶縁層１０１、１０２と、銅箔３００１、３００２と、を配置し、前述した図１５のステップＳ２２と同様、これらを加熱プレスする。これにより、プリプレグ（絶縁層１０１、１０２）が硬化し、絶縁層１０１、１０２及び銅箔３００１、３００２が、基板２００と一体化する。
【０１１３】
続けて、図１９のステップＳ３３で、穴あけする。具体的には、図２０Ｂに示すように、例えばレーザにより、絶縁層１０１、１０２に孔１０１ａ、１０２ａを形成する。その後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【０１１４】
続けて、図１９のステップＳ３４で、めっきする。具体的には、図２０Ｃに示すように、銅のパネルめっきにより、絶縁層１０１、１０２上及び孔１０１ａ、１０２ａ内にめっき３００３を形成する。めっき３００３は、例えば無電解めっき及び電解めっきの２層からなる。ただし、２層構造であることは必須ではない。
【０１１５】
続けて、図１９のステップＳ３５で、前述した図１５のステップＳ２３と同様、絶縁層１０１、１０２上の導体にグリーンレーザを照射することによってその導体における所定の箇所を分断し、導体パターン１１３、１１４を形成する。このレーザ照射は、例えば実施形態１と同様、遮光マスクを設けた状態で、被照射体の全面に行う。ただしこれに限定されない。
【０１１６】
続けて、図１９のステップＳ３６において、前述した図１５のステップＳ２４と同様、上記導体パターン１１３、１１４が形成された積層体に対してビルドアップする。これにより、本実施形態の配線板１００（図１４）が完成する。
【０１１７】
本実施形態に係るプリント配線板の製造方法によれば、実施形態１の方法と同様の効果又は準ずる効果が得られる。このため、十分な生産効率を確保しながら、良好な電気特性を有するプリント配線板を製造することができる。しかも、本実施形態では、層間を接続する導体（導体１０１ｃ等）をめっきで形成するため、導体１０１ｃ等を導体性ペーストで形成する場合よりも、低抵抗化することができると考えられる。
【０１１８】
（実施形態４）
本実施形態において製造される配線板１００は、実施形態２と同様、例えば図１４に示すような多層プリント配線板（両面リジッド配線板）である。
【０１１９】
ただし、本実施形態では、例えば図２１に示すような方法で配線板１００が製造される。
【０１２０】
まず、ステップＳ４１〜Ｓ４４で、図１９のステップＳ３１〜Ｓ３４と同様、コア基板、絶縁層、及び金属箔を準備し、これらにプレス、穴あけ、めっきを施す。これにより、先の図２０Ｃに示した状態になる。
【０１２１】
続けて、図２１のステップＳ４５で、絶縁層１０１、１０２上の導体を部分的にエッチングする。具体的には、例えば図２２Ａに示すように、リソグラフィ技術（前処理、ラミネート、露光、現像、エッチング、剥膜、内層検査等）により、粗めの導体パターン１１３ａ、１１４ａを形成する。導体パターン１１３ａ、１１４ａは、導体パターン１１３、１１４（図１４）よりも粗い。
【０１２２】
続けて、図２１のステップＳ４６で、導体パターン１１３ａ、１１４ａ中の導体にグリーンレーザを照射することによってその導体パターン１１３ａ、１１４ａ中の導体を分断し、よりファインな導体パターンである導体パターン１１３、１１４を形成する。このレーザ照射は、例えば実施形態１と同様、遮光マスクを設けた状態で、被照射体の全面に行う。ただしこれに限定されず、例えば遮光マスクを用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部分のみにレーザ光を選択的に照射するようにしてもよい。
【０１２３】
続けて、図２１のステップＳ４７において、前述した図１５のステップＳ２４と同様、上記導体パターン１１３、１１４が形成された積層体に対してビルドアップする。これにより、本実施形態の配線板１００（図１４）が完成する。
【０１２４】
本実施形態に係るプリント配線板の製造方法によれば、実施形態１の方法と同様の効果又は準ずる効果が得られる。このため、十分な生産効率を確保しながら、良好な電気特性を有するプリント配線板を製造することができる。しかも、本実施形態では、段階的に導体パターンをファイン化するため、より精密な加工が可能になると考えられる。
【０１２５】
（実施形態５）
実施形態１〜４では、絶縁樹脂層上の導体にレーザ光を照射することによってその導体を分断する場合について言及したが、本実施形態では、レーザ光で導体の幅を細くする場合について言及する。
【０１２６】
まず、図２３に示すように、絶縁層１０と、導体パターン２０ａ（太めの導体パターン）と、を有する基板（出発材料）を準備する。導体パターン２０ａは、絶縁層１０上に形成される。絶縁層１０の材料や厚さ等は、前述した実施形態１と同様である。すなわち、絶縁層１０は、３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層である。導体パターン２０ａは、例えば直線状の導体パターンを有する。導体パターン２０ａ中に形成される導体間の空隙Ｒ２（溝）の幅（平均値）は、幅ｄ３である。導体パターン２０ａ中に形成される導体ラインの幅（平均値）は、幅ｄ４である。
【０１２７】
続けて、図２４に示すように、導体パターン２０ａ中の導体にグリーンレーザを照射することによってその導体の幅を細くし、よりファインな導体パターンである導体パターン２０を形成する。このレーザ照射は、例えば実施形態１と同様、開口部１００４ａを有する遮光マスク１００４を設けた状態で、被照射体の全面に行う。レーザ照射中、遮光マスク１００４は、残すべき導体（導体パターン２０ａの配線よりも細いファインな配線）の上に設けられて、その導体を保護する。ただしこれに限定されず、例えば遮光マスク１００４を用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部分のみにレーザ光を選択的に照射するようにしてもよい。
【０１２８】
上記レーザ照射により、例えば図２５Ａ及び図２５Ｂ（図２５ＡのＡ−Ａ断面図）に示すように、導体パターン２０ａよりも細い直線状の導体パターン２０が形成される。導体パターン２０中に形成される導体間の空隙Ｒ１（溝）の幅ｄ１（平均値）は、幅ｄ３（図２３）よりも大きい。また、導体パターン２０中に形成される導体ラインの幅ｄ２（平均値）は、幅ｄ４（図２３）よりも小さい。本実施形態では、実施形態１と同様、グリーンレーザの照射によって、絶縁層１０の表面を削る例を示している。これにより、絶縁層１０の表面の樹脂残渣が除去されるとともに、絶縁層１０の表面には、窪みＰ１が形成される。
【０１２９】
本実施形態に係るプリント配線板の製造方法によれば、実施形態１の方法と同様の効果又は準ずる効果が得られる。しかも、本実施形態では、段階的に導体パターンをファイン化するため、より精密な加工が可能になると考えられる。また、本実施形態の方法は、実施形態２〜４に係るプリント配線板の製造方法（例えば図１５のステップＳ２３、図１９のステップＳ３５、図２１のステップＳ４６等）に適用することができる。このため、本実施形態の方法によって、十分な生産効率を確保しながら、良好な電気特性を有するプリント配線板を製造することができる。
【０１３０】
以上、本発明の実施形態に係るプリント配線板及びその製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
【０１３１】
導体パターン２０における空隙Ｒ１の幅ｄ１や導体の幅ｄ２は任意である。例えば図２６Ａ及び図２６Ｂ（図２６ＡのＡ−Ａ断面図）に示すように、導体パターン２０は、空隙Ｒ１の幅ｄ１が小さいパターン（高密度パターン）又は導体ラインの幅ｄ２が大きいパターン（太い導体ライン）であってもよい。
【０１３２】
導体パターン２０は、直線状のパターンに限られず任意である。
【０１３３】
例えば図２７（図１０Ａに対応した平面図）に示すように、導体パターン２０がＵ字状の導体パターンであってもよい。
【０１３４】
また、図２８（図１０Ａに対応した平面図）に示すように、導体パターン２０の空隙Ｒ１が、孔であってもよい。
【０１３５】
例えば図２９に示すように、レーザ光の照射によって除去された銅箔１００１下の絶縁層１０の表面は、窪みＰ１（図１０Ｂ）のない平坦な面であってもよい。
【０１３６】
フィラー１０ａを絶縁層１０の略全体に分散させることは必須ではない。例えば図３０に示すように、絶縁層１０は、例えばフィラー１０ａを含まない第１層１１（樹脂層）と、フィラー１０ａを含む第２層１２（フィラー層）と、を有していてもよい。この例では、第１層１１が主に樹脂１０ｂからなり、第２層１２が主にフィラー１０ａ及び樹脂１０ｂからなる。そして、第１層１１上に第２層１２が形成される。また、複数の樹脂層と複数のフィラー層とが交互に形成されてもよい。
【０１３７】
導体パターン２０の材料として、銅以外の導体を用いてもよい。図８に示した関係に準ずる関係が得られれば、前述した効果に準ずる効果が得られると考えられる。
【０１３８】
その他の点についても、配線板１００の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。
【０１３９】
例えば製造対象とする配線板は、樹脂からなる絶縁層上に導体パターンを有する配線板であれば、基本的には任意である。したがって、リジッド配線板であっても、フレキシブル配線板であってもよい。また、両面配線板であっても、片面配線板であってもよい。導体パターン及び絶縁層の層数等も任意である。
【０１４０】
配線板１００の製造方法は、上記実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【０１４１】
上記各実施形態及び各変形例は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましい。
【０１４２】
例えば実施形態５の方法は、実施形態１の方法と組み合わせて用いることができる。すなわち、絶縁樹脂層上の導体にレーザ光を照射して、ある部分では導体を分断し、別の部分では導体の幅を細くしてもよい。
【０１４３】
また、例えば導体パターン２０の空隙Ｒ１が孔である場合（図２８参照）に、先の図１２に示したテーパ形状等の構造を採用してもよい。
【０１４４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１４５】
本発明に係るプリント配線板は、携帯電話などの回路基板に適している。本発明に係るプリント配線板の製造方法は、そうしたプリント配線板の製造に適している。
【符号の説明】
【０１４６】
１０ 絶縁層
１０ａ フィラー
１０ｂ 樹脂
１１ 第１層
１２ 第２層
２０ 導体パターン
２０ａ 導体パターン
１００ 配線板
１００ａ 絶縁層
１００ｂ スルーホール
１００ｃ スルーホール導体
１００ｄ 絶縁体
１０１〜１０４ 絶縁層
１０１ａ〜１０４ａ 孔
１０１ｂ〜１０４ｂ ビア導体
１０１ｃ〜１０４ｃ 導体
１０５、１０６ ソルダーレジスト
１０５ａ、１０６ａ 開口部
１０５ｂ、１０６ｂ 外部接続端子
１１０〜１１６ 導体パターン
１１３ａ、１１４ａ 導体パターン
２００ 基板
１００１ 銅箔
１００２ 電解めっき膜
１００３ 無電解めっき膜
１００４ 遮光マスク
１００４ａ 開口部
２０００ 両面銅張積層板
２００１、２００２、２００５〜２００８、３００１、３００２ 銅箔
Ｐ１ 窪み
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁樹脂層上に導体パターンを有するプリント配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、セラミック基板上の導体膜にＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等のレーザ光を照射して、その導体膜を分断する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１０２６９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されるプリント配線板の製造方法においては、ＹＡＧレーザやエキシマレーザを用いる。セラミック基板に代えて、樹脂基板を用いた場合、これらのレーザにより基板上の導体層をパターニングすると、以下の課題が生じ得る。ＹＡＧレーザは、銅への吸収率が約１０％と低い。このため、十分な生産効率が得られないことが懸念される。また、エキシマレーザは、銅への吸収率と樹脂への吸収率との両方が７０％以上と高い。このため、導体パターン下の樹脂に亀裂が生じたり、樹脂が炭化してショート（異常な導通）を引き起こしたりすることが懸念される。各材料へのレーザ光の吸収率は分光光度計により測定される値である。
【０００５】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、十分な生産効率を確保しながら、良好な電気特性を有する導体パターンを形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点に係るプリント配線板の製造方法は、３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層を形成することと、前記絶縁樹脂層上に導体を形成することと、レーザ光を前記導体に照射することによって、前記導体を分断又は前記導体の幅を細くすることで前記絶縁樹脂層上に導体パターンを形成することと、を含む。
【０００７】
前記絶縁樹脂層上の前記導体を構成する材料は、銅である、ことが好ましい。
【０００８】
前記レーザ光の銅への吸収率が３０〜６５％の範囲にある、ことが好ましい。
【０００９】
前記無機フィラーは、シリカ系フィラーである、ことが好ましい。
【００１０】
前記レーザ光のシリカへの吸収率が２０％以下である、ことが好ましい。
【００１１】
前記絶縁樹脂層上の前記導体を構成する材料への前記レーザ光の吸収率は、前記無機フィラーへの前記レーザ光の吸収率よりも大きい、ことが好ましい。
【００１２】
前記無機フィラーが前記レーザ光のストッパとして機能する、ことが好ましい。
【００１３】
前記絶縁樹脂層上の前記導体の厚さは、５〜２０μｍの範囲にある、ことが好ましい。
【００１４】
前記絶縁樹脂層上の前記導体は、金属箔である、ことが好ましい。
【００１５】
前記絶縁樹脂層上の前記導体は、少なくとも無電解めっき膜と電解めっき膜とを含む、ことが好ましい。
【００１６】
前記レーザ光は、３５０〜６００ｎｍの範囲にある波長を有する、ことが好ましい。
【００１７】
前記レーザ光の照射では、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、アルゴンイオンレーザ、半導体レーザ、及び銅蒸気レーザのいずれかを光源とする、ことが好ましい。
【００１８】
前記レーザ光は、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザの第２高調波である、ことが好ましい。
【００１９】
前記導体パターン間の空隙の幅は、２０μｍ以下である、ことが好ましい。
【００２０】
前記導体パターンの幅は、２０μｍ以下である、ことが好ましい。
【００２１】
前記無機フィラーの５０ｗｔ％以上が、球形フィラーである、ことが好ましい。
【００２２】
前記無機フィラーの平均粒子径が、０．５μｍ以上かつ１０μｍ以下である、ことが好ましい。
【００２３】
前記無機フィラーの含有率は、５０ｗｔ％以上である、ことが好ましい。
【００２４】
前記絶縁樹脂層は、熱硬化性樹脂からなる、ことが好ましい。
【００２５】
前記レーザ光の照射によって、前記絶縁樹脂層の少なくとも表面は削られる、ことが好ましい。
【００２６】
さらに、前記絶縁樹脂層と前記導体パターン上に絶縁層を形成することを含む、ことが好ましい。
【００２７】
本発明の第２の観点に係るプリント配線板は、３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層上に導体を形成し、レーザ光を該導体に照射することによって形成された導体パターンと、を有する。
【００２８】
前記レーザ光の照射により前記絶縁樹脂層上の前記導体が部分的に除去されて形成される孔又は溝の、前記絶縁樹脂層側の開口の幅は、他側の開口の幅よりも小さい、ことが好ましい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、十分な生産効率を確保しながら、良好な電気特性を有する導体パターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１Ａ】本発明の実施形態１に係るプリント配線板の製造方法により製造されるプリント配線板の第１の例を示す図である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態１に係るプリント配線板の製造方法により製造されるプリント配線板の第２の例を示す図である。
【図２】本発明の実施形態１に係るプリント配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】絶縁層を準備する工程を説明するための図である。
【図４】絶縁層上に導体膜を形成する工程を説明するための図である。
【図５Ａ】導体膜の構造の第１の例を示す図である。
【図５Ｂ】導体膜の構造の第２の例を示す図である。
【図５Ｃ】導体膜の構造の第３の例を示す図である。
【図６Ａ】導体膜をパターニングするためのレーザ照射工程を説明するための図である。
【図６Ｂ】図６ＡのＡ−Ａ断面図である。
【図７】レーザ（厳密にはその照準）を移動させる場合の条件の一例を説明するための図である。
【図８】各材料について、レーザの波長と吸収率との関係を示すグラフである。
【図９】レーザ照射工程においてフィラーがストッパとして機能する様子を示す図である。
【図１０Ａ】本発明の実施形態１に係るプリント配線板の製造方法により形成される導体パターンの一例を示す図である。
【図１０Ｂ】図１０ＡのＡ−Ａ断面図である。
【図１１】本発明の実施形態１に係る配線板の光学カラー写真をモノクロ化した図である。
【図１２】本発明の実施形態１に係る配線板のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）写真である。
【図１３】異なる４つの無機フィラーを含む絶縁層に、それぞれグリーンレーザを照射した結果を示す図である。
【図１４】本発明の実施形態２に係るプリント配線板の製造方法により製造されるプリント配線板の一例を示す図である。
【図１５】本発明の実施形態２に係るプリント配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図１６Ａ】コア基板を製造する第１の工程を説明するための図である。
【図１６Ｂ】コア基板を製造する第２の工程を説明するための図である。
【図１６Ｃ】コア基板を製造する第３の工程を説明するための図である。
【図１６Ｄ】コア基板を製造する第４の工程を説明するための図である。
【図１７Ａ】第１層について、プレス工程を説明するための図である。
【図１７Ｂ】第１層について、レーザ照射工程を説明するための図である。
【図１８Ａ】第２層について、プレス工程を説明するための図である。
【図１８Ｂ】第２層について、レーザ照射工程を説明するための図である。
【図１９】本発明の実施形態３に係るプリント配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図２０Ａ】プレス工程を説明するための図である。
【図２０Ｂ】穴あけ工程を説明するための図である。
【図２０Ｃ】めっき工程を説明するための図である。
【図２１】本発明の実施形態４に係るプリント配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図２２Ａ】エッチング工程を説明するための図である。
【図２２Ｂ】レーザ照射工程を説明するための図である。
【図２３】本発明の実施形態５に係るプリント配線板の製造方法によりファイン化される前の導体パターンを示す図である。
【図２４】レーザ照射工程を説明するための図である。
【図２５Ａ】ファイン化された導体パターンの一例を示す図である。
【図２５Ｂ】図２５ＡのＡ−Ａ断面図である。
【図２６Ａ】導体パターンの第１の別例を示す図である。
【図２６Ｂ】図２６ＡのＡ−Ａ断面図である。
【図２７】導体パターンの第２の例を示す図である。
【図２８】導体パターンの第３の例を示す図である。
【図２９】レーザ光の照射部位に窪みが形成されない例を示す図である。
【図３０】絶縁層の表層部にフィラー層を有する配線板の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向（又はコア基板の厚み方向）に相当する配線板の積層方向を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（配線板の主面に平行な方向）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。
【００３２】
実施形態では、相反する法線方向を向いた２つの主面を、第１面（Ｚ１側の面）、第２面（Ｚ２側の面）という。すなわち、第１面の反対側の主面が第２面であり、第２面の反対側の主面が第１面である。積層方向において、コアに近い側を下層（又は内層側）、コアから遠い側を上層（又は外層側）という。
【００３３】
導体パターンは、任意のパターンを有する導体（導体層）であり、導体回路を構成する配線（グランドも含む）、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、導体回路を構成しないベタパターン等である場合もある。また、電子部品や他の配線板を内蔵する配線板では、その電子部品の電極や他の配線板のパッドも、導体パターンに含まれる。絶縁層には、層間絶縁層のほか、ソルダーレジスト等も含まれる。
【００３４】
めっきとは、金属や樹脂などの表面に層状に導体（例えば金属）を析出させることと、析出した導体層（例えば金属層）をいう。めっきには、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。
【００３５】
レーザ光は、可視光に限られない。レーザ光には、可視光のほか、紫外線やＸ線等の短い波長の電磁波や、赤外線等の長い波長の電磁波も含まれる。各材料へのレーザ光の吸収率は分光光度計により測定される値である。
【００３６】
面に形成されるラインパターン（面上の配線又は面下の溝など）に関しては、ラインと直交する方向のうち、形成面と平行な方向の寸法を「幅」といい、形成面と直交する方向の寸法を「高さ」又は「厚さ」又は「深さ」という。また、ラインの一端から他端までの寸法を「長さ」という。ただし、他の寸法を指すことを明記している場合は、この限りでない。
【００３７】
（実施形態１）
本実施形態において製造される配線板１００は、例えば図１Ａに示すような多層プリント配線板（両面リジッド配線板）である。
【００３８】
配線板１００は、基板２００（コア基板）と、絶縁層１０１〜１０４（層間絶縁層）と、ソルダーレジスト１０５、１０６と、導体パターン１１３〜１１６と、を有する。基板２００は、絶縁層１００ａと、導体パターン１１１、１１２と、を有する。本実施形態では、導体パターン１１１〜１１６の各々が、導体回路として機能する。また、各導体パターンは、層間絶縁層に形成された孔内の導体（例えばビア導体又はスルーホール導体など）によって相互に電気的に接続される。配線板１００の片面又は両面に他の配線板や電子部品等が実装されることで、配線板１００は、例えば携帯電話等の回路基板として使用することができる。
【００３９】
配線板１００は、例えば基板２００に、絶縁層１０１〜１０４と、導体パターン１１３〜１１６と、を交互にビルドアップした後、最外層にソルダーレジスト１０５、１０６を設けることで、製造することができる。
【００４０】
後述の図６Ａ〜図１０Ｂに示すパターニング方法は、外層の導体パターン１１６（領域Ｒ１１）に適用してもよく、また、内層の導体パターン１１４（領域Ｒ１２）に適用してもよく、さらにはコア基板の導体パターン１１２（領域Ｒ１３）に適用してもよい。
【００４１】
基板２００は、例えば後述の図３〜図１０Ｂの工程により製造することができる。その他、基板２００として、両面銅張積層板を用いてもよい。絶縁層１０１〜１０４は、例えば樹脂フィルム（半硬化状態の接着シート）を用いた真空ラミネートにより、形成（積層）することができる。絶縁層１０１〜１０４及び導体パターン１１３〜１１６は、例えば後述の図３〜図１０Ｂの工程により製造することができる。その他、例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、サブトラクティブ法、及びテンティング法のいずれか１つ、又はこれらの２以上を任意に組み合わせた方法で、導体パターン１１３〜１１６を形成することもできる。ソルダーレジスト１０５、１０６は、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により形成することができる。
【００４２】
また、本実施形態に係るプリント配線板の製造方法により、図１Ｂに示すような、基板２００（コア基板）を有さない多層プリント配線板（両面リジッド配線板）を製造することもできる。図１Ｂの例では、導体パターン１１０を基準（コア位置）にして、第１面側に、２層の絶縁層１０１、１０３及び２層の導体パターン１１３、１１５が交互に積層され、第２面側に、２層の絶縁層１０２、１０４及び２層の導体パターン１１４、１１６が交互に積層されている。そして、第１面側の最外層（絶縁層１０３及び導体パターン１１５）は、ソルダーレジスト１０５で覆われ、第２面側の最外層（絶縁層１０４及び導体パターン１１６）は、ソルダーレジスト１０６で覆われている。
【００４３】
上記配線板１００、特に領域Ｒ１１〜領域Ｒ１３に示した構造（図１Ａ又は図１Ｂ）は、例えば図２に示すような方法で製造される。
【００４４】
まず、ステップＳ１１で、図３に示すように、絶縁層１０を準備する。絶縁層１０は、絶縁樹脂層である。
【００４５】
ここで、絶縁層１０は、フィラー１０ａと、樹脂１０ｂと、を含む。絶縁層１０は、樹脂１０ｂにフィラー１０ａを配合することによって、形成することができる。本実施形態では、フィラー１０ａを、絶縁層１０の略全体に概ね均一に分散させている。ただしこれに限定されず、絶縁層１０の表層部だけに、フィラー１０ａが埋め込まれていてもよい（後述の図３０参照）。
【００４６】
本実施形態では、樹脂１０ｂが、絶縁性樹脂からなる。この絶縁性樹脂は、熱硬化性樹脂であることが好ましい。本実施形態では、樹脂１０ｂが、エポキシ樹脂からなる。このエポキシ樹脂は、熱硬化性樹脂である。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂のほか、フェノール樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、フッ素系樹脂、ＬＣＰ（液晶ポリマー）、ポリエステル樹脂、イミド樹脂（ポリイミド）、ＢＴ樹脂、アリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）、又はアラミド樹脂などを用いることができる。
【００４７】
絶縁層１０は、３０ｗｔ％以上の含有率でフィラー１０ａを含むことが好ましく、中でも、５０ｗｔ％以上の含有率でフィラー１０ａを含むことがより好ましい。
【００４８】
本実施形態では、フィラー１０ａが、無機フィラーからなる。これにより、プリント配線板の絶縁材料として普及している無機フィラーをそのまま使用することができるため、コスト面や品質面で有利になると考えられる。
【００４９】
無機フィラーは、例えば白色系フィラーであることが好ましい。本実施形態の無機フィラーは、シリカ系フィラーである。シリカ系フィラーとしては、ケイ酸塩鉱物を用いることが好ましく、中でも、シリカ、タルク、雲母、カオリン、及びケイ酸カルシウムの少なくとも１つを用いることが好ましい。また、シリカとしては、球形シリカ、破砕シリカ、溶融シリカ、及び結晶シリカの少なくとも１つを用いることが好ましい。ただしこれに限られず、白色系フィラーとしては、炭酸カルシウムからなるフィラー（以下、炭酸カルシウムフィラーという）、硫酸バリウムからなるフィラー（以下、硫酸バリウムフィラーという）、又は水酸化アルミニウムからなるフィラー（以下、水酸化アルミニウムフィラーという）なども有効である。また、上記シリカ系フィラー、炭酸カルシウムフィラー、硫酸バリウムフィラー、及び水酸化アルミニウムフィラーの中から選択した２種類以上の白色系フィラーを、絶縁層１０に含ませてもよい。中でも、シリカ系フィラーに加えて、炭酸カルシウムフィラー、硫酸バリウムフィラー、及び水酸化アルミニウムフィラーの少なくとも１つを含ませることが、絶縁層１０の低コスト化に有利であると考えられる。
【００５０】
フィラー１０ａの平均粒子径は、０．５μｍ以上かつ１０μｍ以下であることが好ましい。フィラー１０ａの平均粒子径がこの範囲にある場合、フィラー１０ａが、レーザエネルギーにより絶縁層が損傷されるのを防止するストッパとして好適に機能するようになると考えられる。なお、無機フィラー以外に繊維状無機物でも同様の効果が期待できる。
【００５１】
本実施形態では、フィラー１０ａの５０ｗｔ％以上が、球形フィラー（球形シリカ）である。このようにフィラー１０ａの主成分（半分以上）が球形フィラーであると、後述のレーザ照射工程（図９参照）において、フィラー１０ａがストッパとして好適に機能するようになると考えられる。またその結果、絶縁層１０上に導体や触媒等が残りにくくなると考えられる。ただしこれに限られず、フィラー１０ａの材質等は任意である。例えばフィラー１０ａは、球形フィラーを含んでいなくてもよい。
【００５２】
絶縁層１０の厚さＴ１は、５〜２００μｍの範囲にあることが好ましい。厚さＴ１がこの範囲内にあると、絶縁信頼性を確保しつつ、必要以上に絶縁層１０を厚くしないという利点がある。
【００５３】
続けて、図２のステップＳ１２で、図４に示すように、例えばラミネートにより、絶縁層１０上に、導体膜としての銅箔１００１を形成する。銅箔１００１の厚さＴ２は、５〜２０μｍの範囲にあることが好ましい。なお、導体膜を構成する材料は、銅に限られず、任意である。
【００５４】
ここで、導体膜の構造は、先の図４に示した銅箔１００１からなる１層のみの構造に限られず、例えば図５Ａに示すように、絶縁層１０上に、銅箔１００１と、例えば銅からなる電解めっき膜１００２とが、この順に積層された２層構造であってもよく、あるいは例えば図５Ｂに示すように、絶縁層１０上に、銅箔１００１と、例えば銅からなる無電解めっき膜１００３と、電解めっき膜１００２とが、この順に積層された３層構造であってもよい。さらに、銅箔１００１を含まない導体膜であってもよい。例えば図５Ｃに示すように、絶縁層１０上に、無電解めっき膜１００３と、電解めっき膜１００２とが、この順に積層された２層構造であってもよい。導体膜の層数は任意であり、例えば４層以上で構成される導体膜であってもよい。導体膜の構造は、基本的には任意である。
【００５５】
続けて、図２のステップＳ１３で、例えば黒色酸化処理法により、銅箔１００１の表面（例えば全面）を黒化処理する。これにより、レーザの吸収性が高まり、レーザ工程の処理効率を向上させることができると考えられる。銅箔１００１表面の酸化物は、レーザ工程の後、必要に応じて、酸洗浄や還元処理等により除去する。
【００５６】
続けて、図２のステップＳ１４で、グリーンレーザを銅箔１００１に照射することによってその銅箔１００１を分断し、導体パターン（導体回路）を形成する。
【００５７】
具体的には、例えば図６Ａ及び図６Ｂ（図６ＡのＡ−Ａ断面図）に示すように、被照射体（絶縁層１０等）の第２面側に、開口部１００４ａを有する遮光マスク１００４を設けた状態で、被照射体の全面（詳しくは第２面全域）にグリーンレーザを照射することが好ましい。ここで、グリーンレーザとは、波長１０６４ｎｍの基本波の第２高調波であって、波長５３２ｎｍのレーザ光を指す。
【００５８】
本実施形態では、略平行に配置される複数の直線からなる導体パターン（後述の図１０Ａ参照）を形成する。すなわち、遮光マスク１００４もこれに対応して、図６Ａに示すように、直線状のパターンを有する。ただし、導体パターンは、これに限定されず任意である（後述の図２７、図２８参照）。
【００５９】
こうしたグリーンレーザを被照射体の全面に照射する場合には、例えば被照射体を固定してグリーンレーザ（厳密にはその照準）を移動させること、又は、逆にグリーンレーザ（厳密にはその照準）を固定して被照射体を移動させることが好ましい。グリーンレーザを移動させる場合には、例えばガルバノミラーによりグリーンレーザを移動させる（走査する）ことが好ましい。また、被照射体を移動させる場合には、例えばシリンドリカルレンズによりグリーンレーザをライン光として、これを所定の位置に照射しつつ、コンベアにより被照射体を移動させることが好ましい。また、レーザ照射によって生じる導体材料の飛散物（プルーム）が冷却して導体パターン上へ再付着するのを防止するためには、ピコ秒オーダーもしくはフェムト秒オーダーの極短パルスレーザによる非熱加工、レーザ照射部分の周囲を水などの液体に接触させながら行うこと、又はこれらの組み合わせが有効である。
【００６０】
なお、レーザ強度（光量）の調整は、パルス制御で行うことが好ましい。具体的には、例えばレーザ強度を変更する場合には、１ショット（１回の照射）あたりのレーザ強度は変えずに、ショット数（照射回数）を変更するようにする。すなわち、１ショットでは所望のレーザ強度が得られない場合には、同じ照射位置に、再度レーザ光を照射する。こうした制御方法によれば、照射条件を変える時間を省略できるため、スループットが向上すると考えられる。ただしこれに限られず、レーザ強度の調整方法は任意である。例えば照射位置ごとに照射条件を決め、照射回数を一定（例えば１つの照射位置につき１ショット）にしてもよい。また、同じ照射位置に複数回のレーザ照射を行う場合において、ショットごとにレーザ強度を変えてもよい。さらに、レーザの焦点を照射部位と完全には一致させず、Ｚ方向にずらしたピンボケ光で、銅箔１００１をパターニングしてもよい。ピンボケ光を用いると、スポット径が大きくなる一方、レーザ強度が低下するため、ソフト加工が可能になる。
【００６１】
ここで、ガルバノミラーによりグリーンレーザを移動させる場合の条件の一例を示す。図７中、レーザ光のスポット径ｄ１１は、例えば３０μｍである。この例では、レーザ光の走査方向を、Ｘ方向とする。Ｘ方向の単位移動量ｄ１２（隣り合うスポットの照射中心Ｐ間の距離）は、例えば２０μｍである。また、Ｙ方向の単位移動量ｄ１３（隣り合うスポットの照射中心Ｐ間の距離）は、例えば１５μｍである。レーザ光の走査速度は、例えば３０００mm／secである。すなわち、１ショットごとにレーザ光をＸ方向に２０μｍ走査する場合には、レーザ光は、１秒間に１５万ショット照射されることになる。
【００６２】
以下、こうした条件でレーザ照射を行う場合を例にして、レーザ照射態様の一例について説明する。
【００６３】
この例では、まず、被照射体のＸ−Ｙ平面上の第１のライン、例えば（０，０）〜（ＸＸ，０）について、レーザ照射を行う。具体的には、最初の照射位置（０，０）に対してレーザ照射を行い、そのレーザ照射が終わったら、単位移動量ｄ１２だけＸ２側に移動し、次の照射位置（２０，０）に対してレーザ照射を行う。そして、図６Ａ中に矢印で示すように、レーザ照射及びＸ２側への移動を繰り返して、被照射体のＸ方向に設定された各照射位置に、順次レーザ照射を行っていく。こうして、被照射体のＸ方向全域についてグリーンレーザの照射が終わったら、第１のラインに対するレーザ照射は完了したことになる。
【００６４】
続けて、被照射体のＸ−Ｙ平面上の第２のライン、例えば（０，１５）〜（ＸＸ，１５）について、レーザ照射を行う。具体的には、グリーンレーザは、図６Ａ中に矢印で示すように、第１のラインの最後の照射位置（ＸＸ，０）から、Ｘ座標を原点に戻すとともに、Ｙ座標を単位移動量ｄ１３だけＹ１側に移動し、照射位置（０，１５）から、再び第１のラインと同様、Ｘ２側に向かってレーザ光を走査する。こうして、各ラインについて順次レーザ照射を行うことで、被照射体の第２面（Ｘ−Ｙ平面）全域にグリーンレーザを照射することができる。
【００６５】
ここでは、導体パターンの長手方向（Ｙ方向）と直交するＸ方向に沿ってレーザ光を走査する例を示したが、導体パターンの長手方向と平行なＹ方向に沿ってレーザ光を走査してもよい。また、点照射に限定されず、例えばシリンドリカルレンズを用いてＸ方向又はＹ方向のライン光にして、そのライン光をＹ方向又はＸ方向に沿って走査してもよい。さらに、遮光マスク１００４を用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部分のみにレーザ光を選択的に照射するようにしてもよい。その他、照射位置やレーザ強度の制御方法等も任意である。
【００６６】
本実施形態では、レーザ照射によって、銅箔１００１（導体膜）をパターニングするため、フォトリソグラフィによらず、導体パターンを形成することができる。その結果、サイドエッチやアンダーカット等が抑制され、良好な電気特性を有する導体パターンを形成することができると考えられる。また、ファインパターンの形成に有利になると考えられる。例えばＬ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍのファインパターンを高度なクリーンルームを必要とせずとも高い歩留りで形成することができると考えられる。しかも、このパターニングにグリーンレーザを用いることにより、十分な生産効率を確保しつつも、フィラー１０ａがストッパとなって、銅箔１００１下の絶縁層１０が過剰に除去されてしまうことを抑制できると考えられる。以下、図８等を参照して、このことについて、説明する。
【００６７】
図８は、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、銅（線Ｌ１２）、及びシリカ（線Ｌ１３）の各々にレーザ光を照射した場合における、レーザ光の波長と吸収率との関係を示すグラフである。なお、エポキシ樹脂を他の樹脂に代えても、また、シリカを他の無機フィラーに代えても、概ね同様の結果が得られると考えられる。
【００６８】
まず、波長５３２ｎｍのレーザ光ＬＺ３（グリーンレーザ）と、波長１０６４０ｎｍのレーザ光ＬＺ４とを比較する。レーザ光ＬＺ４の光源としては、例えばＣＯ２レーザを用いることができる。
【００６９】
図８に示されるように、レーザ光ＬＺ４の吸収率は、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）及びシリカ（線Ｌ１３）の両方で高いが、レーザ光ＬＺ３の吸収率は、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）では高く、シリカ（線Ｌ１３）では低い。特に、レーザ光ＬＺ３では、シリカ（線Ｌ１３）での吸収率を２０％以下、具体的には１０％程度に抑えることができる。本実施形態においては、絶縁層１０に、樹脂１０ｂ（エポキシ樹脂）だけでなく、フィラー１０ａ（シリカ系フィラー）も含まれているため、グリーンレーザを絶縁層１０に照射した場合には、フィラー１０ａがストッパとなることによって、絶縁層１０の分解反応（光化学反応）の進行が抑制されると考えられる。すなわち、例えば図９に示すように、フィラー１０ａは、グリーンレーザを反射し、照射部位の絶縁層１０が過剰に除去されてしまうことを抑制してくれると考えられる。フィラー１０ａをストッパとして用いるためには、樹脂１０ｂでのレーザ光の吸収率が、フィラー１０ａでのレーザ光の吸収率の７倍以上であることが好ましいと考えられる。
【００７０】
また、銅（線Ｌ１２）での吸収率は、レーザ光ＬＺ４よりもレーザ光ＬＺ３の方が高い。銅箔１００１をパターニングするためのレーザ照射においては、銅でのレーザ光の吸収率が、ある程度高い方が好ましいと考えられる。導体（銅）を除去する効率が高くなるからである。ただし、銅でのレーザ光の吸収率が高過ぎると、銅が過剰に削られてしまうなどの不都合が生じるおそれがある。そこで、導体膜を構成する材料（銅）へのレーザ光の吸収率は、レーザ光が適度に銅に吸収される範囲、具体的には３０〜６５％の範囲にあることが好ましいと考えられる。この点、グリーンレーザの銅への吸収率は、５０％であるため、導体層のパターニングに適している。
【００７１】
また、１０６４ｎｍ以下の波長を有するレーザ光は、主に光化学反応により被照射体を分解し、１０６４ｎｍよりも大きい波長を有するレーザ光は、主に熱反応により被照射体を分解すると考えられる。２つの反応を比較すると、光を熱に変換して使用する熱反応よりも、光をそのまま使用する光化学反応の方がエネルギー効率が高いと考えられる。このことから、グリーンレーザは、エネルギー効率の面でも優れていると考えられる。さらに、同じグリーンレーザであっても、パルス幅を極端に短くして、例えばピコ秒オーダー又はフェムト秒オーダーにして非熱加工を行うことで、一層エネルギー効率を高めることができると考えられる。
【００７２】
次に、波長２００ｎｍのレーザ光ＬＺ１と、波長３５５ｎｍのレーザ光ＬＺ２（ＵＶレーザ）と、波長５３２ｎｍのレーザ光ＬＺ３（グリーンレーザ）とを比較する。なお、レーザ光ＬＺ１の光源としては、例えばエキシマレーザを用いることができる。また、レーザ光ＬＺ２としては、例えばＹＡＧレーザの第３高調波を用いることができる。
【００７３】
これらレーザ光ＬＺ１〜ＬＺ３は、主に光化学反応より被照射体を分解する点で共通すると考えられる。しかし、図８に示されるように、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、銅（線Ｌ１２）、及びシリカ（線Ｌ１３）での吸収率については、レーザ光ＬＺ１が最も高く、次にレーザ光ＬＺ２が高く、レーザ光ＬＺ３が最も低い。より詳しくみると、レーザ光ＬＺ２、ＬＺ３の吸収率は、高い方から、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、銅（線Ｌ１２）、シリカ（線Ｌ１３）の順になっているが、レーザ光ＬＺ１の吸収率は、高い方から、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、シリカ（線Ｌ１３）、銅（線Ｌ１２）の順になっている。しかも、レーザ光ＬＺ１では、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）での吸収率とシリカ（線Ｌ１３）での吸収率との間にほとんど差がない。したがって、先のレーザ照射工程において、エキシマレーザを用いた場合には、フィラー１０ａがストッパとして機能しないと考えられる。他方、先のレーザ照射工程において、グリーンレーザを用いた場合には、フィラー１０ａがストッパとして機能するため、エポキシ樹脂が深く掘られる現象が生じにくいと考えられる。なお、銅（線Ｌ１２）での吸収率とシリカ（線Ｌ１３）での吸収率との比率（銅／シリカ）は、５以上であることが好ましいと考えられる。
【００７４】
以上より、銅箔１００１をパターニングするためのレーザ照射に用いるレーザ光は、主に光化学反応により被照射体を分解できるもの、すなわち１０６４ｎｍ以下の波長を有することが好ましいと考えられる。また、導体（銅）除去の効率を考慮すると、導体膜を構成する材料（銅）へのレーザ光の吸収率は、３０〜６０％の範囲にあることが好ましいと考えられる。そして、レーザ光の波長が３５０〜６００ｎｍの範囲（範囲Ｒ２１）にあれば、レーザ光の吸収率は、３０〜６０％の範囲内の値になる。さらに、フィラー１０ａをストッパとして用いることや、導体を除去する効率等を考慮すると、５００〜５６０ｎｍの範囲（範囲Ｒ２２）にあることがより好ましいと考えられる。
【００７５】
光源は、固体レーザであっても、液体レーザであっても、気体レーザであってもよい。具体的には、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、アルゴンイオンレーザ、又は銅蒸気レーザが、光源として好ましいと考えられる。例えばＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザの第２高調波を用いることで、波長５３２ｎｍのレーザ光が得られ、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザの第３高調波を用いることで、波長３５５ｎｍのレーザ光が得られる。また、アルゴンイオンレーザによれば、４８８〜５１５ｎｍの範囲にある波長を有するレーザ光が得られる。また、銅蒸気レーザによれば、５１１〜５７８ｎｍの範囲にある波長を有するレーザ光が得られる。ただし、光源はこれらに限られず任意であり、必要なレーザ光の波長に応じて適切なものを選定することが好ましい。
【００７６】
次に、上記レーザを使用したパターニング方法と、エッチング液を用いた湿式法とを比較する。湿式法によれば、レーザを使用した場合のような異方性の加工（詳しくは、主にＺ方向の加工）ではなく、略等方性の加工になるため、サイドエッチング等で導体が過剰に除去され易い。その結果、配線幅が、所望とする幅よりも減少してしまうおそれがある。この点、レーザを用いれば、局所的な線細りが抑制されることで、ファインパターンの設計が容易になり、また、インピーダンスの整合も図り易くなると考えられる。さらに、サイドエッチングの影響が少ないため、配線側面の平滑性が向上すると考えられる。
【００７７】
また、湿式法では廃液が生じるため、環境面を考慮しても、レーザの方が好ましいと考えられる。
【００７８】
以上説明したレーザ照射の結果、例えば図１０Ａ及び図１０Ｂ（図１０ＡのＡ−Ａ断面図）に示すように、銅箔１００１（導体膜）が分断され、直線状の導体パターン２０が形成される。
図１１、図１２は、レーザ照射後の導体パターン２０を示す写真である。
【００７９】
レーザ光の照射により絶縁層１０上の銅箔１００１（図６Ｂ）が部分的に除去されることによって、導体パターン２０中に形成される空隙Ｒ１（溝）の、絶縁層１０側（Ｚ１側）の開口の幅ｄ１１は、他側（Ｚ２側）の開口の幅ｄ１２よりも小さい。すなわち、空隙Ｒ１は、絶縁層１０側から他側に向かって拡径されるようにテーパしたテーパ形状を有する。これにより、空隙Ｒ１内に上層の絶縁層（樹脂）が流れこむ際、ボイドが残りにくくなると考えられる。
【００８０】
図１３は、異なる４つの無機フィラーを含む絶縁層１０に、それぞれ平均出力５Ｗ、パルス幅がナノ秒オーダーのグリーンレーザを照射した結果を示す図表である。この実験では、樹脂１０ｂとしてエポキシ樹脂を用い、フィラー１０ａとして、ＳｉＯ２粉末（シリカ系フィラー）、ＣａＣＯ３粉末（炭酸カルシウムフィラー）、ＢａＳＯ４粉末（硫酸バリウムフィラー）、又はＡｌ(ＯＨ)３粉末（水酸化アルミニウムフィラー）を用いた。また、ＳｉＯ２粉末については、フィラー１０ａ含有量の異なる４つの絶縁層１０に、それぞれグリーンレーザを照射した結果を示す。レーザ光の走査速度は、約５０mm／secとした。レーザ強度は、製造工程時の約６０倍とした。
【００８１】
図１３に示されるように、樹脂１０ｂにＳｉＯ２粉末を含有させなかった場合（約０ｗｔ％）、又は樹脂１０ｂに１５ｗｔ％のＳｉＯ２粉末を含有させた場合には、それぞれレーザ照射面に樹脂１０ｂの炭化が見られた。一方、樹脂１０ｂに３０ｗｔ％又は５０ｗｔ％のＳｉＯ２粉末を含有させた場合には、それぞれレーザ照射面に樹脂１０ｂの炭化が見られなかった。この結果から、樹脂１０ｂに３０ｗｔ％以上のフィラー１０ａを含有させることで、樹脂１０ｂの炭化が抑制されると推察される。また、炭酸カルシウムフィラー、硫酸バリウムフィラー、又は水酸化アルミニウムフィラーなど、他の無機フィラーについても、概ね同様の結果が得られると考えられる。
【００８２】
上記レーザ照射による導体パターン２０のパターニング方法は、配線密度の高いファインパターンを形成する場合に特に有効である。具体的には、導体パターン２０を構成する導体（例えば導体ライン）間の空隙Ｒ１の幅ｄ１（平均値）は、例えば２０μｍ以下であるが、１０μｍ以下にすることも可能である。一方、導体パターン２０を構成する導体（例えば導体ライン）の幅ｄ２（平均値）は、例えば２０μｍ以下であるが、１０μｍ以下にすることも可能である。ただしこれに限定されず、幅ｄ１、ｄ２は任意である（後述の図２６Ａ及び図２６Ｂ参照）。
【００８３】
本実施形態では、レーザ光の照射によって、銅箔１００１（導体膜）を除去するだけにとどまらず、銅箔１００１（図６Ｂ）下の絶縁層１０の表面を削るようにしている。これにより、絶縁層１０の表面の樹脂残渣が除去されるとともに、絶縁層１０の表面には、窪みＰ１が形成される。ただし、窪みＰ１が形成されることは必須ではない（後述の図２９参照）。
【００８４】
その後、図２のステップＳ１５で、絶縁層１０上に上層絶縁層（例えば層間絶縁層又はソルダーレジスト等）を形成する。これにより、先の図１Ａ又は図１Ｂに示した配線板１００が完成する。こうして得られる配線板１００において、導体パターン２０中の隣り合う導体間は互いに絶縁される。すなわち、本実施形態に係るプリント配線板の製造方法によれば、導体間の絶縁信頼性を阻害することなく、導体パターンを形成することが可能になる。
【００８５】
（実施形態２）
本実施形態において製造される配線板１００は、例えば図１４に示すような多層プリント配線板（両面リジッド配線板）である。
【００８６】
配線板１００は、基板２００（コア基板）と、絶縁層１０１〜１０４（層間絶縁層）と、ソルダーレジスト１０５、１０６と、導体パターン１１３〜１１６と、スルーホール導体１００ｃと、ビア導体１０１ｂ〜１０４ｂと、ソルダーレジスト１０５、１０６と、外部接続端子１０５ｂ、１０６ｂと、を有する。基板２００は、絶縁層１００ａと、導体パターン１１１、１１２と、を有する。基板２００には、スルーホール１００ｂが形成されている。スルーホール導体１００ｃは、スルーホール１００ｂの側面に形成され、その内側には、例えば第１面側、第２面側の絶縁層１０１、１０２からそれぞれ流出した絶縁体１００ｄが充填される。ソルダーレジスト１０５、１０６には、開口部１０５ａ、１０６ａが形成される。外部接続端子１０５ｂ、１０６ｂは、ソルダーレジスト１０５、１０６の開口部１０５ａ、１０６ａに形成される。外部接続端子１０５ｂ、１０６ｂは、例えば半田バンプからなる。
【００８７】
上記配線板１００は、例えば図１５に示すような方法で製造される。
【００８８】
まず、ステップＳ２１で、コア基板（基板２００）と、孔内に導体を有する絶縁層（絶縁層１０１、１０２）と、金属箔（銅箔２００５、２００６）と、を準備する（後述の図１７Ａ参照）。
【００８９】
基板２００は、例えば図１６Ａ〜図１６Ｄに示すような方法で製造（準備）される。
【００９０】
まず、図１６Ａに示すように、両面銅張積層板２０００（出発材料）を準備する。この両面銅張積層板２０００は、絶縁層１００ａと、銅箔２００１及び２００２と、を有する。絶縁層１００ａの第１面には銅箔２００１が形成され、絶縁層１００ａの第２面には銅箔２００２が形成される。絶縁層１００ａの材料は、例えばガラス繊維等の補強材入りのエポキシ樹脂である。
【００９１】
続けて、図１６Ｂに示すように、例えばレーザにより、両面銅張積層板２０００にスルーホール１００ｂを形成する。スルーホール１００ｂは、両面銅張積層板２０００を貫通する。その後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【００９２】
続けて、図１６Ｃに示すように、銅のパネルめっき（スルーホールめっき及び全面めっき）により、絶縁層１００ａの両面及びスルーホール１００ｂの側面にめっき２００３を形成する。めっき２００３は、例えば無電解めっき及び電解めっきの２層からなる。ただし、２層構造であることは必須ではない。
【００９３】
続けて、図１６Ｄに示すように、例えばリソグラフィ技術により、絶縁層１００ａの両面の導体をパターニングする。これにより、絶縁層１００ａの第１面、第２面にそれぞれ、導体パターン１１１、１１２が形成される。その結果、基板２００が完成する。
【００９４】
またその一方で、図１７Ａに示すように、絶縁層１０１、１０２及び銅箔２００５、２００６を、別途準備する。銅箔２００５、２００６の厚さは、例えば１２μｍである。絶縁層１０１、１０２の材料及び厚さ等は、前述した実施形態１の絶縁層１０と同一である。すなわち、絶縁層１０１、１０２も、３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層である。ただし、この段階では、絶縁層１０１、１０２は、プリプレグ（半硬化状態の接着シート）となっている。
【００９５】
ここで、絶縁層１０１には孔１０１ａが形成され、孔１０１ａ内には導体１０１ｃが形成される。絶縁層１０２には孔１０２ａが形成され、孔１０２ａ内には導体１０２ｃが形成される。導体１０１ｃ及び１０２ｃは、例えば導電性ペーストからなる。導電性ペーストとは、導電性のある微粒子を所定の濃度で粘性のあるバインダに混ぜたペーストをいう。バインダとは、粒子間のつなぎとなる樹脂等をいう。導電性ペーストは、めっきとは区別される。
【００９６】
孔１０１ａ、１０２ａはそれぞれ、例えばレーザにより、絶縁層１０１、１０２に形成される。また、導体１０１ｃ、１０２ｃ（導電性ペースト）はそれぞれ、例えば印刷により、孔１０１ａ、１０２ａに充填される。
【００９７】
続けて、図１５のステップＳ２２で、プレスする。
【００９８】
例えば図１７Ａに示すように、基板２００と、絶縁層１０１、１０２と、銅箔２００５、２００６と、を配置する。具体的には、基板２００の第１面側に絶縁層１０１を配置し、基板２００の第２面側に絶縁層１０２を配置する。さらに、絶縁層１０１の第１面側に銅箔２００５を配置し、絶縁層１０２の第２面側に銅箔２００６を配置する。
【００９９】
続けて、図１７Ａに示すように配置された基板２００等をプレスする。これにより、外側（銅箔２００５、２００６）から内側（基板２００）に向かって圧力が加えられる。プレスは、例えば加熱しながら行う。このプレスにより、周囲の絶縁層（絶縁層１０１、１０２）から樹脂（絶縁体１００ｄ）が押し出され、スルーホール１００ｂ内に絶縁体１００ｄが充填される（後述の図１７Ｂ参照）。また、上記加熱により、プリプレグ（絶縁層１０１、１０２）は硬化し、隣接する部材に付着する。なお、上記プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。
【０１００】
続けて、図１５のステップＳ２３で、例えば図１７Ｂに示すように、グリーンレーザを銅箔２００５、２００６に照射することによってその銅箔２００５、２００６を分断し、導体パターン１１３、１１４を形成する。このレーザ照射は、例えば実施形態１と同様、遮光マスクを設けた状態で、被照射体の全面に行う。ただしこれに限定されず、例えば遮光マスクを用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部分のみにレーザ光を選択的に照射するようにしてもよい。
【０１０１】
続けて、図１５のステップＳ２４において、上記導体パターン１１３、１１４が形成された積層体に対してビルドアップする。
【０１０２】
例えば図１８Ａに示すように、積層体の第１面側に絶縁層１０３及び銅箔２００７を配置し、積層体の第２面側に絶縁層１０４及び銅箔２００８を配置する。銅箔２００７、２００８の厚さは、例えば１２μｍである。絶縁層１０３、１０４の材料及び厚さ等は、前述した実施形態１の絶縁層１０と同一である。すなわち、絶縁層１０３、１０４も、３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層である。ただし、この段階では、絶縁層１０３、１０４は、プリプレグ（半硬化状態の接着シート）となっている。
【０１０３】
ここで、絶縁層１０３には孔１０３ａが形成され、孔１０３ａ内には導体１０３ｃが形成される。絶縁層１０４には孔１０４ａが形成され、孔１０４ａ内には導体１０４ｃが形成される。導体１０３ｃ及び１０４ｃは、例えば導電性ペーストからなる。
【０１０４】
続けて、上記積層体を加熱プレスする。これにより、プリプレグ（絶縁層１０３、１０４）が硬化し、絶縁層１０３、１０４及び銅箔２００７、２００８が、上記積層体と一体化する。
【０１０５】
続けて、例えば図１８Ｂに示すように、グリーンレーザを銅箔２００７、２００８に照射することによってその銅箔２００７、２００８を分断し、導体パターン１１５、１１６を形成する。このレーザ照射は、例えば実施形態１と同様、遮光マスクを設けた状態で、被照射体の全面に行う。ただしこれに限定されない。
【０１０６】
続けて、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により、開口部１０５ａ、１０６ａを有するソルダーレジスト１０５、１０６を形成する（図１４参照）。その後、例えば半田ペーストの印刷やリフローなどにより、ソルダーレジスト１０５、１０６の開口部１０５ａ、１０６ａに外部接続端子１０５ｂ、１０６ｂを形成する（図１４参照）。これにより、その外部接続端子１０５ｂ、１０６ｂを通じて、配線板１００を他の配線板と接続したり、配線板１００に電子部品を実装したりすることが可能になる。また、必要に応じて、外形加工、反り修正、通電検査、外観検査、及び最終検査などを行う。以上の工程により、本実施形態の配線板１００（図１４）が完成する。
【０１０７】
本実施形態に係るプリント配線板の製造方法によれば、実施形態１の方法と同様の効果又は準ずる効果が得られる。このため、十分な生産効率を確保しながら、良好な電気特性を有するプリント配線板を製造することができる。しかも、本実施形態では、層間を接続する導体（導体１０１ｃ等）を予め導体性ペーストで形成しておき、この導体と下層との接続をプレスで行うため、導体１０１ｃ等をめっきで形成する場合に比べて、製造工程を簡略化することができると考えられる。
【０１０８】
（実施形態３）
本実施形態において製造される配線板１００は、実施形態２と同様、例えば図１４に示すような多層プリント配線板（両面リジッド配線板）である。
【０１０９】
ただし、本実施形態では、例えば図１９に示すような方法で配線板１００が製造される。
【０１１０】
まず、ステップＳ３１で、コア基板（基板２００）と、絶縁層（絶縁層１０１、１０２）と、金属箔（銅箔３００１、３００２）と、を準備する（図２０Ａ）。銅箔３００１、３００２の厚さは、例えば３μｍである。絶縁層１０１、１０２の材料及び厚さ等は、前述した実施形態１の絶縁層１０と同一である。すなわち、絶縁層１０１、１０２も、３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層である。ただし、この段階では、絶縁層１０１、１０２は、プリプレグ（半硬化状態の接着シート）となっている。
【０１１１】
続けて、図１９のステップＳ３２で、プレスする。
【０１１２】
例えば図２０Ａに示すように、基板２００と、絶縁層１０１、１０２と、銅箔３００１、３００２と、を配置し、前述した図１５のステップＳ２２と同様、これらを加熱プレスする。これにより、プリプレグ（絶縁層１０１、１０２）が硬化し、絶縁層１０１、１０２及び銅箔３００１、３００２が、基板２００と一体化する。
【０１１３】
続けて、図１９のステップＳ３３で、穴あけする。具体的には、図２０Ｂに示すように、例えばレーザにより、絶縁層１０１、１０２に孔１０１ａ、１０２ａを形成する。その後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【０１１４】
続けて、図１９のステップＳ３４で、めっきする。具体的には、図２０Ｃに示すように、銅のパネルめっきにより、絶縁層１０１、１０２上及び孔１０１ａ、１０２ａ内にめっき３００３を形成する。めっき３００３は、例えば無電解めっき及び電解めっきの２層からなる。ただし、２層構造であることは必須ではない。
【０１１５】
続けて、図１９のステップＳ３５で、前述した図１５のステップＳ２３と同様、絶縁層１０１、１０２上の導体にグリーンレーザを照射することによってその導体における所定の箇所を分断し、導体パターン１１３、１１４を形成する。このレーザ照射は、例えば実施形態１と同様、遮光マスクを設けた状態で、被照射体の全面に行う。ただしこれに限定されない。
【０１１６】
続けて、図１９のステップＳ３６において、前述した図１５のステップＳ２４と同様、上記導体パターン１１３、１１４が形成された積層体に対してビルドアップする。これにより、本実施形態の配線板１００（図１４）が完成する。
【０１１７】
本実施形態に係るプリント配線板の製造方法によれば、実施形態１の方法と同様の効果又は準ずる効果が得られる。このため、十分な生産効率を確保しながら、良好な電気特性を有するプリント配線板を製造することができる。しかも、本実施形態では、層間を接続する導体（導体１０１ｃ等）をめっきで形成するため、導体１０１ｃ等を導体性ペーストで形成する場合よりも、低抵抗化することができると考えられる。
【０１１８】
（実施形態４）
本実施形態において製造される配線板１００は、実施形態２と同様、例えば図１４に示すような多層プリント配線板（両面リジッド配線板）である。
【０１１９】
ただし、本実施形態では、例えば図２１に示すような方法で配線板１００が製造される。
【０１２０】
まず、ステップＳ４１〜Ｓ４４で、図１９のステップＳ３１〜Ｓ３４と同様、コア基板、絶縁層、及び金属箔を準備し、これらにプレス、穴あけ、めっきを施す。これにより、先の図２０Ｃに示した状態になる。
【０１２１】
続けて、図２１のステップＳ４５で、絶縁層１０１、１０２上の導体を部分的にエッチングする。具体的には、例えば図２２Ａに示すように、リソグラフィ技術（前処理、ラミネート、露光、現像、エッチング、剥膜、内層検査等）により、粗めの導体パターン１１３ａ、１１４ａを形成する。導体パターン１１３ａ、１１４ａは、導体パターン１１３、１１４（図１４）よりも粗い。
【０１２２】
続けて、図２１のステップＳ４６で、導体パターン１１３ａ、１１４ａ中の導体にグリーンレーザを照射することによってその導体パターン１１３ａ、１１４ａ中の導体を分断し、よりファインな導体パターンである導体パターン１１３、１１４を形成する。このレーザ照射は、例えば実施形態１と同様、遮光マスクを設けた状態で、被照射体の全面に行う。ただしこれに限定されず、例えば遮光マスクを用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部分のみにレーザ光を選択的に照射するようにしてもよい。
【０１２３】
続けて、図２１のステップＳ４７において、前述した図１５のステップＳ２４と同様、上記導体パターン１１３、１１４が形成された積層体に対してビルドアップする。これにより、本実施形態の配線板１００（図１４）が完成する。
【０１２４】
本実施形態に係るプリント配線板の製造方法によれば、実施形態１の方法と同様の効果又は準ずる効果が得られる。このため、十分な生産効率を確保しながら、良好な電気特性を有するプリント配線板を製造することができる。しかも、本実施形態では、段階的に導体パターンをファイン化するため、より精密な加工が可能になると考えられる。
【０１２５】
（実施形態５）
実施形態１〜４では、絶縁樹脂層上の導体にレーザ光を照射することによってその導体を分断する場合について言及したが、本実施形態では、レーザ光で導体の幅を細くする場合について言及する。
【０１２６】
まず、図２３に示すように、絶縁層１０と、導体パターン２０ａ（太めの導体パターン）と、を有する基板（出発材料）を準備する。導体パターン２０ａは、絶縁層１０上に形成される。絶縁層１０の材料や厚さ等は、前述した実施形態１と同様である。すなわち、絶縁層１０は、３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層である。導体パターン２０ａは、例えば直線状の導体パターンを有する。導体パターン２０ａ中に形成される導体間の空隙Ｒ２（溝）の幅（平均値）は、幅ｄ３である。導体パターン２０ａ中に形成される導体ラインの幅（平均値）は、幅ｄ４である。
【０１２７】
続けて、図２４に示すように、導体パターン２０ａ中の導体にグリーンレーザを照射することによってその導体の幅を細くし、よりファインな導体パターンである導体パターン２０を形成する。このレーザ照射は、例えば実施形態１と同様、開口部１００４ａを有する遮光マスク１００４を設けた状態で、被照射体の全面に行う。レーザ照射中、遮光マスク１００４は、残すべき導体（導体パターン２０ａの配線よりも細いファインな配線）の上に設けられて、その導体を保護する。ただしこれに限定されず、例えば遮光マスク１００４を用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部分のみにレーザ光を選択的に照射するようにしてもよい。
【０１２８】
上記レーザ照射により、例えば図２５Ａ及び図２５Ｂ（図２５ＡのＡ−Ａ断面図）に示すように、導体パターン２０ａよりも細い直線状の導体パターン２０が形成される。導体パターン２０中に形成される導体間の空隙Ｒ１（溝）の幅ｄ１（平均値）は、幅ｄ３（図２３）よりも大きい。また、導体パターン２０中に形成される導体ラインの幅ｄ２（平均値）は、幅ｄ４（図２３）よりも小さい。本実施形態では、実施形態１と同様、グリーンレーザの照射によって、絶縁層１０の表面を削る例を示している。これにより、絶縁層１０の表面の樹脂残渣が除去されるとともに、絶縁層１０の表面には、窪みＰ１が形成される。
【０１２９】
本実施形態に係るプリント配線板の製造方法によれば、実施形態１の方法と同様の効果又は準ずる効果が得られる。しかも、本実施形態では、段階的に導体パターンをファイン化するため、より精密な加工が可能になると考えられる。また、本実施形態の方法は、実施形態２〜４に係るプリント配線板の製造方法（例えば図１５のステップＳ２３、図１９のステップＳ３５、図２１のステップＳ４６等）に適用することができる。このため、本実施形態の方法によって、十分な生産効率を確保しながら、良好な電気特性を有するプリント配線板を製造することができる。
【０１３０】
以上、本発明の実施形態に係るプリント配線板及びその製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
【０１３１】
導体パターン２０における空隙Ｒ１の幅ｄ１や導体の幅ｄ２は任意である。例えば図２６Ａ及び図２６Ｂ（図２６ＡのＡ−Ａ断面図）に示すように、導体パターン２０は、空隙Ｒ１の幅ｄ１が小さいパターン（高密度パターン）又は導体ラインの幅ｄ２が大きいパターン（太い導体ライン）であってもよい。
【０１３２】
導体パターン２０は、直線状のパターンに限られず任意である。
【０１３３】
例えば図２７（図１０Ａに対応した平面図）に示すように、導体パターン２０がＵ字状の導体パターンであってもよい。
【０１３４】
また、図２８（図１０Ａに対応した平面図）に示すように、導体パターン２０の空隙Ｒ１が、孔であってもよい。
【０１３５】
例えば図２９に示すように、レーザ光の照射によって除去された銅箔１００１下の絶縁層１０の表面は、窪みＰ１（図１０Ｂ）のない平坦な面であってもよい。
【０１３６】
フィラー１０ａを絶縁層１０の略全体に分散させることは必須ではない。例えば図３０に示すように、絶縁層１０は、例えばフィラー１０ａを含まない第１層１１（樹脂層）と、フィラー１０ａを含む第２層１２（フィラー層）と、を有していてもよい。この例では、第１層１１が主に樹脂１０ｂからなり、第２層１２が主にフィラー１０ａ及び樹脂１０ｂからなる。そして、第１層１１上に第２層１２が形成される。また、複数の樹脂層と複数のフィラー層とが交互に形成されてもよい。
【０１３７】
導体パターン２０の材料として、銅以外の導体を用いてもよい。図８に示した関係に準ずる関係が得られれば、前述した効果に準ずる効果が得られると考えられる。
【０１３８】
その他の点についても、配線板１００の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。
【０１３９】
例えば製造対象とする配線板は、樹脂からなる絶縁層上に導体パターンを有する配線板であれば、基本的には任意である。したがって、リジッド配線板であっても、フレキシブル配線板であってもよい。また、両面配線板であっても、片面配線板であってもよい。導体パターン及び絶縁層の層数等も任意である。
【０１４０】
配線板１００の製造方法は、上記実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【０１４１】
上記各実施形態及び各変形例は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましい。
【０１４２】
例えば実施形態５の方法は、実施形態１の方法と組み合わせて用いることができる。すなわち、絶縁樹脂層上の導体にレーザ光を照射して、ある部分では導体を分断し、別の部分では導体の幅を細くしてもよい。
【０１４３】
また、例えば導体パターン２０の空隙Ｒ１が孔である場合（図２８参照）に、先の図１２に示したテーパ形状等の構造を採用してもよい。
【０１４４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１４５】
本発明に係るプリント配線板は、携帯電話などの回路基板に適している。本発明に係るプリント配線板の製造方法は、そうしたプリント配線板の製造に適している。
【符号の説明】
【０１４６】
１０ 絶縁層
１０ａ フィラー
１０ｂ 樹脂
１１ 第１層
１２ 第２層
２０ 導体パターン
２０ａ 導体パターン
１００ 配線板
１００ａ 絶縁層
１００ｂ スルーホール
１００ｃ スルーホール導体
１００ｄ 絶縁体
１０１〜１０４ 絶縁層
１０１ａ〜１０４ａ 孔
１０１ｂ〜１０４ｂ ビア導体
１０１ｃ〜１０４ｃ 導体
１０５、１０６ ソルダーレジスト
１０５ａ、１０６ａ 開口部
１０５ｂ、１０６ｂ 外部接続端子
１１０〜１１６ 導体パターン
１１３ａ、１１４ａ 導体パターン
２００ 基板
１００１ 銅箔
１００２ 電解めっき膜
１００３ 無電解めっき膜
１００４ 遮光マスク
１００４ａ 開口部
２０００ 両面銅張積層板
２００１、２００２、２００５〜２００８、３００１、３００２ 銅箔
Ｐ１ 窪み
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層を形成することと、
前記絶縁樹脂層上に導体を形成することと、
レーザ光を前記導体に照射することによって、前記導体を分断又は前記導体の幅を細くすることで前記絶縁樹脂層上に導体パターンを形成することと、
を含む、
ことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁樹脂層上の前記導体を構成する材料は、銅である、
ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記レーザ光の銅への吸収率が３０〜６５％の範囲にある、
ことを特徴とする請求項２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記無機フィラーは、シリカ系フィラーである、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記レーザ光のシリカへの吸収率が２０％以下である、
ことを特徴とする請求項４に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁樹脂層上の前記導体を構成する材料への前記レーザ光の吸収率は、前記無機フィラーへの前記レーザ光の吸収率よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記無機フィラーが前記レーザ光のストッパとして機能する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁樹脂層上の前記導体の厚さは、５〜２０μｍの範囲にある、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁樹脂層上の前記導体は、金属箔である、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁樹脂層上の前記導体は、少なくとも無電解めっき膜と電解めっき膜とを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１１】
前記レーザ光は、３５０〜６００ｎｍの範囲にある波長を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記レーザ光の照射では、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、アルゴンイオンレーザ、半導体レーザ、及び銅蒸気レーザのいずれかを光源とする、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１３】
前記レーザ光は、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザの第２高調波である、
ことを特徴とする請求項１２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１４】
前記導体パターン間の空隙の幅は、２０μｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１５】
前記導体パターンの幅は、２０μｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１６】
前記無機フィラーの５０ｗｔ％以上が、球形フィラーである、
ことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１７】
前記無機フィラーの平均粒子径が、０．５μｍ以上かつ１０μｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１８】
前記無機フィラーの含有率は、５０ｗｔ％以上である、
ことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１９】
前記絶縁樹脂層は、熱硬化性樹脂からなる、
ことを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２０】
前記レーザ光の照射によって、前記絶縁樹脂層の少なくとも表面は削られる、
ことを特徴とする請求項１乃至１９のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２１】
さらに、前記絶縁樹脂層と前記導体パターン上に絶縁層を形成することを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至２０のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２２】
３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層上に導体を形成し、レーザ光を該導体に照射することによって形成された導体パターンと、
を有する、プリント配線板。
【請求項２３】
前記レーザ光の照射により前記絶縁樹脂層上の前記導体が部分的に除去されて形成される孔又は溝の、前記絶縁樹脂層側の開口の幅は、他側の開口の幅よりも小さい、
ことを特徴とする請求項２２に記載のプリント配線板。
【請求項１】
３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層を形成することと、
前記絶縁樹脂層上に導体を形成することと、
レーザ光を前記導体に照射することによって、前記導体を分断又は前記導体の幅を細くすることで前記絶縁樹脂層上に導体パターンを形成することと、
を含む、
ことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁樹脂層上の前記導体を構成する材料は、銅である、
ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記レーザ光の銅への吸収率が３０〜６５％の範囲にある、
ことを特徴とする請求項２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記無機フィラーは、シリカ系フィラーである、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記レーザ光のシリカへの吸収率が２０％以下である、
ことを特徴とする請求項４に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁樹脂層上の前記導体を構成する材料への前記レーザ光の吸収率は、前記無機フィラーへの前記レーザ光の吸収率よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記無機フィラーが前記レーザ光のストッパとして機能する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁樹脂層上の前記導体の厚さは、５〜２０μｍの範囲にある、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁樹脂層上の前記導体は、金属箔である、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁樹脂層上の前記導体は、少なくとも無電解めっき膜と電解めっき膜とを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１１】
前記レーザ光は、３５０〜６００ｎｍの範囲にある波長を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記レーザ光の照射では、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、アルゴンイオンレーザ、半導体レーザ、及び銅蒸気レーザのいずれかを光源とする、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１３】
前記レーザ光は、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザの第２高調波である、
ことを特徴とする請求項１２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１４】
前記導体パターン間の空隙の幅は、２０μｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１５】
前記導体パターンの幅は、２０μｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１６】
前記無機フィラーの５０ｗｔ％以上が、球形フィラーである、
ことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１７】
前記無機フィラーの平均粒子径が、０．５μｍ以上かつ１０μｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１８】
前記無機フィラーの含有率は、５０ｗｔ％以上である、
ことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１９】
前記絶縁樹脂層は、熱硬化性樹脂からなる、
ことを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２０】
前記レーザ光の照射によって、前記絶縁樹脂層の少なくとも表面は削られる、
ことを特徴とする請求項１乃至１９のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２１】
さらに、前記絶縁樹脂層と前記導体パターン上に絶縁層を形成することを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至２０のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２２】
３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層上に導体を形成し、レーザ光を該導体に照射することによって形成された導体パターンと、
を有する、プリント配線板。
【請求項２３】
前記レーザ光の照射により前記絶縁樹脂層上の前記導体が部分的に除去されて形成される孔又は溝の、前記絶縁樹脂層側の開口の幅は、他側の開口の幅よりも小さい、
ことを特徴とする請求項２２に記載のプリント配線板。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１１】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６Ａ】
【図１６Ｂ】
【図１６Ｃ】
【図１６Ｄ】
【図１７Ａ】
【図１７Ｂ】
【図１８Ａ】
【図１８Ｂ】
【図１９】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２０Ｃ】
【図２１】
【図２２Ａ】
【図２２Ｂ】
【図２３】
【図２４】
【図２５Ａ】
【図２５Ｂ】
【図２６Ａ】
【図２６Ｂ】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図１２】
【図１Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１１】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６Ａ】
【図１６Ｂ】
【図１６Ｃ】
【図１６Ｄ】
【図１７Ａ】
【図１７Ｂ】
【図１８Ａ】
【図１８Ｂ】
【図１９】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２０Ｃ】
【図２１】
【図２２Ａ】
【図２２Ｂ】
【図２３】
【図２４】
【図２５Ａ】
【図２５Ｂ】
【図２６Ａ】
【図２６Ｂ】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図１２】
【公開番号】特開２０１２−６９９２４（Ｐ２０１２−６９９２４Ａ）
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７６１０８（Ｐ２０１１−１７６１０８）
【出願日】平成２３年８月１１日（２０１１．８．１１）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月１１日（２０１１．８．１１）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
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