ベンゼン誘導体の製造方法及びそれに有用なシクロヘキセン誘導体の製造方法
【課題】様々な置換様式をもつベンゼン誘導体を効率的、かつ、簡便に製造する方法を提供すること、更には、これに用いられるシクロヘキセン誘導体を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
下記一般式（１）で表されるジエンを、ルテニウムもしくはモリブデン触媒の存在下で反応させる。
【解決手段】
下記一般式（１）で表されるジエンを、ルテニウムもしくはモリブデン触媒の存在下で反応させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベンゼン誘導体の製造方法及びそれに有用なシクロヘキセン誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ベンゼン誘導体は天然に多く存在し、また、医薬品等の複雑な骨格を有する化合物の製造中間体として有用である。しかし、ベンゼン誘導体は多数の置換様式をもつため、その置換位置の選択的な合成は困難であった。現存する置換ベンゼン誘導体の合成法としては、ベンゼン骨格への求電子置換反応（例えば、非特許文献１参照。）、又はアセチレン化合物の環状３量化反応（例えば、非特許文献２参照。）が挙げられる。
【０００３】
【非特許文献１】Ｊｅｒｒｙ Ｍａｒｃｈ著、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ４ｔｈ ｅｄ．、Ｗｉｌｅｙ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、１９９２、Ｃｈａｐｔｅｒ １１、ｐ５０１．
【非特許文献２】Ｃｈｅｍ． Ｒｅｖ． ２０００， １００， ２９０１．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記いずれの文献に記載の技術であっても、置換基の位置制御が極めて困難な手法となっている。
【０００５】
そこで、本発明は、上記課題を解決し、様々な置換様式をもつベンゼン誘導体を効率的、かつ、簡便に製造する方法を提供すること、更には、これに用いられるシクロヘキセン誘導体を製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、ルテニウム触媒又はモリブデン触媒の存在下で、ジエンに対し、閉環オレフィンメタセシス、脱離、酸化反応を行なうことによって、シクロヘキセン誘導体、ベンゼン誘導体が製造できることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００７】
即ち、本発明の一手段に係るシクロヘキセン誘導体の製造方法は、下記一般式（１）で表されるジエンを、ルテニウムもしくはモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（２）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、およびＲ１０はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌ１、およびＬ２はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
【化２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。）
【０００８】
また、限定されるわけではないが、上記手段により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（３−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化３】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。）
【０００９】
また、限定されるわけではないが、上記手段により製造されるシクロヘキセン誘導体を酸化させて、下記一般式（３−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化４】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００１０】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（３−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて、下記一般式（３−３）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化５】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００１１】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２）又は上記一般式（３−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（３−４）で表されるベンゼン誘導体を製造することも好ましい応用である。
【化６】
（式中、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００１２】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体を製造する方法は、下記一般式（４）で表されるジエンを、ルテニウムもしくはモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（５）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、およびＲ１０はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌ１、およびＬ２はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
【化８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。）
【００１３】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（６）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（６−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することも好ましい応用である。
【化９】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。）
【００１４】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（５）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（６−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造することも好ましい応用である。
【化１０】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００１５】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（６−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（６−３）で表されるベンゼン誘導体を製造することも好ましい応用である。
【化１１】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００１６】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（５）又は上記一般式（６−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を酸化して下記一般式（６−４）で表されるベンゼン誘導体を製造することも好ましい応用である。
【化１２】
（式中、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００１７】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体を製造する方法は、下記一般式（７）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（８）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化１３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、およびＲ１０はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌ１、およびＬ２はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
【化１４】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。）
【００１８】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（８）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（９−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化１５】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。）
【００１９】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（８）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（９−２）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化１６】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００２０】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体を製造する方法は、下記一般式（１０）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（１１）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化１７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、およびＲ１０はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌ１、およびＬ２はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
【化１８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。）
【００２１】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（１１）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（１２−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化１９】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。）
【００２２】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（１１）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（１２−２）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化２０】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００２３】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体を製造する方法は、下記一般式（１３）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（１４）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化２１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化２２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００２４】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（１４）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（１５−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化２３】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００２５】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（１４）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（１５−２）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化２４】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００２６】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体を製造する方法は、下記一般式（１６）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（１７）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化２５】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化２６】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００２７】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（１７）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（１８−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化２７】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００２８】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（１７）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（１８−２）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化２８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００２９】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体を製造する方法は、下記一般式（１９）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（２０）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化２９】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化３０】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００３０】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２０）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸もしくは塩基存在下で反応させて下記一般式（２１−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化３１】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００３１】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２０）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（２１−２）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化３２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００３２】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体を製造する方法は、下記一般式（２２）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させる下記一般式（２３）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化３３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化３４】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００３３】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２３）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（２４−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化３５】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００３４】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２３）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（２４−２）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化３６】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００３５】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体をい製造する方法は、下記一般式（２５）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（２６）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化３７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化３８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００３６】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２６）で表わされるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（２７−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化３９】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００３７】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２６）で表わされるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（２７−２）で表されるベンゼン誘導体を製造することはこのまし応用である。
【化４０】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００３８】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体を製造する方法は、下記一般式（２８）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（２９）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化４１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化４２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００３９】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２９）で表わされるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（３０−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化４３】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００４０】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２９）で表わされるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（３０−２）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化４４】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００４１】
また、本発明の他の一手段にかかるベンゼン誘導体を製造する方法は、下記一般式（３１）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（３２）で表されるベンゼン誘導体を製造する。
【化４５】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化４６】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１、およびＸ２は前記と同じ意味を表す。）
【００４２】
また、本発明の他の一手段に係るベンゼン誘導体を製造する方法は、下記一般式（３３）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（３４）で表されるベンゼン誘導体を製造する。
【化４７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化４８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１、およびＸ２は前記と同じ意味を表す。）
【００４３】
また、本発明の他の一手段に係るベンゼン誘導体を製造する方法は、下記一般式（３５）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（３６）で表されるベンゼン誘導体を製造する。
【化４９】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化５０】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１、およびＸ２は前記と同じ意味を表す。）
【００４４】
また、本発明の他の一手段に係るベンゼン誘導体を製造する方法は、下記一般式（３７）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（３８）で表されるベンゼン誘導体を製造する。
【化５１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化５２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１、およびＸ２は前記と同じ意味を表す。）
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
本明細書において、「Ｃ１〜Ｃ２０炭化水素基」の炭化水素基は、飽和若しくは不飽和の非環式であってもよいし、飽和若しくは不飽和の環式であってもよい。Ｃ１〜Ｃ２０炭化水素基が非環式の場合には、線上でもよいし、枝分かれでもよい。「Ｃ１〜Ｃ２０炭化水素基」にはＣ１〜Ｃ２０アルキル基、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニル基、Ｃ２〜Ｃ２０アルキニル基、Ｃ４〜Ｃ２０アルキルジエニル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリ−ル基、Ｃ６〜Ｃ２０アルキルアリ−ル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリ−ルアルキル基、Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルケニル基、（Ｃ３〜Ｃ１０シクロアルキル）Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基などが含まれる。
【００４６】
本明細書において、「Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基」は、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基であることが好ましく、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基であることがさらに好ましい。アルキル基の例としては、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ドデカニル等を挙げることができる。本明細書において、「Ｃ２〜Ｃ２０アルケニル基」は、Ｃ２〜Ｃ１０アルケニル基であることが好ましく、Ｃ２〜Ｃ６アルケニル基であることがさらに好ましい。アルケニル基の例としては、制限するわけではないが、ビニル、アリル、プロペニル、イソプロペニル、２−メチル−１−プロペニル、２−メチルアリル、２−ブテニル等を挙げることができる。本明細書において、「Ｃ２〜Ｃ２０アルキニル基」は、Ｃ２〜Ｃ１０アルキニル基であることが好ましく、Ｃ２〜Ｃ６アルキニル基であることがさらに好ましい。アルキニル基の例としては、制限するわけではないが、エチニル、２−プロピニル、２−ブチニル等を挙げることができる。本明細書において、「Ｃ４〜Ｃ２０アルキルジエニル基」は、Ｃ４〜Ｃ１０アルキルジエニル基であることが好ましく、Ｃ４〜Ｃ６アルキルジエニル基であることがさらに好ましい。アルキルジエニル基の例としては、制限するわけではないが、１、３−ブタジエニル等を挙げることができる。
【００４７】
本明細書において、「Ｃ６〜Ｃ２０アリ−ル基」は、Ｃ６〜Ｃ１０アリ−ル基であることが好ましい。アリ−ル基の例としては、制限するわけではないが、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、インデニル、ビフェニリル、アントリル、フェナントリル等を挙げることができる。本明細書において、「Ｃ６〜Ｃ２０アルキルアリ−ル基」は、Ｃ６〜Ｃ１２アルキルアリ−ル基であることが好ましい。アルキルアリ−ル基の例としては、制限するわけではないが、ｏ−トリル、ｍ−トリル、ｐ−トリル、２，３−キシリル、ｏ−クメニル、ｍ−クメニル、ｐ−クメニル、メシチル等を挙げることができる。本明細書において，「Ｃ６〜Ｃ２０アリ−ルアルキル基」とは、Ｃ６〜Ｃ１２アリ−ルアルキル基であることが好ましい。アリ−ルアルキル基の例としては、制限するわけではないが、ベンジル、フェネチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、１−ナフチルメチル、２−ナフチルメチル、２、２−ジフェニルメチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチル等を挙げることができる。本明細書において、「Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルキル基」は、Ｃ３〜Ｃ１０シクロアルキル基であることが好ましい。シクロアルキル基の例としては、制限するわけではないが、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等を挙げることができる。本明細書において、Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルケニル基は、Ｃ３〜Ｃ１０シクロアルケニル基であることが好ましい。シクロアルケニル基の例としては、制限するわけではないが、シクロプロペニル、シクロブテニル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル、３−シクロヘキセン−１−イル等を挙げることができる。
【００４８】
本明細書において、「Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシ基」は、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシ基であることが好ましく、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基であることがさらに好ましい。アルコキシ基の例としては、制限するわけではないが、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ等がある。
【００４９】
本明細書において、「Ｃ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基」は、Ｃ６〜Ｃ１０アリ−ルオキシ基であることが好ましい。アリ−ルオキシ基の例としては、制限するわけではないが、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニリルオキシ等を挙げることができる。
【００５０】
本明細書において、「アルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）」及び「アルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）」において、Ｙ１及びＹ３は、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基であることが好ましく、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基であることが更に好ましい。アルキル基の例としては、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ドデカニル等を挙げることができる。
【００５１】
本明細書において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３およびＲ１４で示される「Ｃ１〜Ｃ２０炭化水素基」、「Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシ基」。「Ｃ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基」、「アミノ基」、「シリル基」、「アルキルチオ基」、「アリ−ルチオ基」、「アルキルスルホニル基」、「アリ−ルスルホニル基」には、置換基が導入されていてもよい。この置換基としては、例えば、Ｃ１〜Ｃ１０炭化水素基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、ナフチル、インデニル、トリル、キシリル、ベンジル等）、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等）、Ｃ６〜Ｃ１０アリ−ルオキシ基（例えば、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等）アミノ基、水酸基、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）又はシリル基などを挙げる事ができる。この場合、置換基は、置換可能な位置に１個以上導入されていてもよく、好ましくは１個〜６個導入されていてもよい。置換基数が２個以上である場合、各置換基は同一であっても異なっていてもよい。
【００５２】
本明細書において、「置換基を有していてもよいアミノ基」の例としては、制限するわけではないが、アミノ、ジメチルアミノ、メチルアミノ、メチルフェニルアミノ、フェニルアミノ等がある。
【００５３】
本明細書において、「置換基を有していてもよいシリル基」の例としては、制限するわけではないが、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリメトキシシリル、トリエトキシシリル、ジフェニルメチルシリル、トリフェニルシリル、トリフェノキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメチルフェノキシシリル、メチルメトキシフェニル等がある。
【００５４】
本明細書において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３およびＲ１４で示される置換基は互いに架橋してＣ４〜Ｃ２０飽和環又は不飽和環を形成してもよい。これらの置換基が形成する環は、４員環〜１２員環であることが好ましく、４員環〜６員環であることが更に好ましい。この環は、ベンゼン環等の芳香族環であってもよいし、脂肪族環であってもよい。また、これらの置換基が形成する環に、更に単数又は複数の環が形成されていてもよい。前記飽和環又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される（式中、Ｂは水素原子またはＣ１〜Ｃ２０炭化水素基である。）で中断されていてもよい。即ち、前記飽和環または不飽和環はヘテロ環であってもよい。かつ、置換基を有していてもよい。不飽和環は、ベンゼン環等の芳香族環であってもよい。Ｂは、水素原子またはＣ１〜Ｃ１０炭化水素基であることが好ましく、水素原子またはＣ１〜Ｃ７炭化水素基であることが更に好ましく、Ｂは水素原子、Ｃ１〜Ｃ３アルキル基、フェニル基又はベンジル基であることが更になお好ましい。この飽和環又は不飽和環は、置換基を有していてもよく、例えば、Ｃ１〜Ｃ１０炭化水素基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル基）、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等）、Ｃ６〜Ｃ１０アリ−ルオキシ基（例えば、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等）、アミノ基、水酸基、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）又はシリル基などの置換基が導入されていてもよい。
【００５５】
本明細書において、「芳香環」とは、単環式芳香環、多環式芳香環をあげることができる。「単環式芳香環」としては、ベンゼン環、５員又は６員の複素環を挙げることができる。「５員又は６員の複素環」としては、フラン、チオフェン、ピロ−ル、ピラン、チオピラン、ピリジン、チアゾ−ル、イミダゾ−ル、ピリミジン、１、３、５−トリアジン等を挙げることができる。「多環式芳香族環」としては、多環式芳香族炭化水素、多環式複素芳香族環を挙げることができる。「多環式複素炭化水素」としては、ビフェニル、トリフェニル、ナフタレン、インデン、アントラセン、フェナントレン等を挙げることができる。「多環式複素芳香環」としては、インド−ル、キノリン、プリン等を挙げることができる。
【００５６】
本発明において、ルテニウムもしくはモリブデン触媒とは、特にルテニウムもしくはモリブデン化合物とホスフィン配位子、カルベン配位子、アルコキシ配位子、ハロゲン配位子等からなる触媒をあらわす。具体例としては、特に限定されないが、ベンジリデンビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ジクロロルテニウムや（１、３−ビス−（２、４、６−トリメチルフェニル）−２−イミダゾリジニリデン）ジクロロ（フェニルメチレン）−（トリシクロヘキシルホスフィン）ジクロロルテニウム等が挙げられる。
【００５７】
以下、製造方法について詳細に説明する。
まず、一般式（１）、（４）、（７）、（１０）、（１３）、（１６）、（１９）、（２２）、（２５）、又は（２８）で表される原料をルテニウム触媒の存在下に反応させ、一般式（２）、（５）、（８）、（１１）、（１４）、（１７）、（２０）、（２３）、（２６）、又は（２９）で表されるシクロヘキセン誘導体を得る製造方法、および、一般式（３１）、（３３）、（３５）、もしくは（３７）で表される原料をルテニウム触媒の存在下に反応させ、一般式（３２）、（３４）、（３６）、又は（３８）で表されるベンゼン誘導体を得る製造方法について説明する。
【００５８】
上記製造方法において、ルテニウム触媒はそのまま用いてもよいし、反応に使用する溶媒に溶解しない物質、例えば炭素、シリカ、アルミナなどに担持してもよい。かかる反応においてルテニウム触媒の使用量は原料に対し通常０．００００１モル倍以上、通常１モル倍以下、好ましくは０．２モル倍以下である。
【００５９】
本反応は、通常、有機溶媒中で行なわれる。有機溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリルなどの非プロトン性極性溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエ−テル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１、４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエ−テル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタンなどの含ハロゲン溶媒などが挙げられる。
【００６０】
溶媒はそれぞれ単独で又は２種以上を組み合わせて用いられ、その使用量は原料に対して通常は１重量倍以上２０００重量倍以下、好ましくは５重量倍以上５００重量倍以下程度である。
【００６１】
反応温度は−７８℃から２００℃、好ましくは０℃から１５０℃、さらに好ましくは２０℃から１００℃で実施する。反応時間は特に限定されないが、好ましくは１分から２４時間、さらに好ましくは１０分から１２時間で実施する。
【００６２】
反応終了後、生成したシクロヘキセン化合物（２）、（５）、（８）、（１１）、（１４）、（１７）、（２０）、（２３）、（２６）、もしくは（２９）および、ベンゼン化合物（３２）、（３４）、（３６）、もしくは（３８）は、例えば、溶媒を留去することにより、反応マスから取り出すことができる。また、得られたシクロヘキセン化合物およびベンゼン化合物は、必要に応じて蒸留等の手段を施すことにより、更に精製することもできる。
【００６３】
なお本反応において、原料、ルテニウム触媒、及び溶媒は任意の順序で加えることができる。
【００６４】
次に一般式（２）、（５）、（８）、（１１）、（１４）、（１７）、（２０）、（２３）、（２６）、（２９）、（３−２）、もしくは（６−２）で表されるシクロヘキセンを、酸もしくは塩基存在下で反応させ一般式（３−１）、（６−１）、（９−１）、（１２−１）、（１５−１）、（１８−１）、（２１−１）、（２４−１）、（２７−１）、（３０−１）、（３−３）、もしくは（６−３）で表されるベンゼン化合物を得る製造方法について説明する。
【００６５】
上記製造方法において、酸もしくは塩基はそのまま用いてもよいし、反応に使用する溶媒に溶解しない物質、例えば炭素、シリカ、アルミナなどに担持してもよい。かかる反応においてこれらの使用量は原料に対し通常０．００００１モル倍以上、通常１００モル倍以下、好ましくは０．２モル倍以下である。
【００６６】
本反応は、通常、有機溶媒中で行なわれる。有機溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリルなどの非プロトン性極性溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１、４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタンなどの含ハロゲン溶媒などが挙げられる。
【００６７】
溶媒はそれぞれ単独で又は２種以上を組み合わせて用いられ、その使用量は原料に対して通常は１重量倍以上２０００重量倍以下、好ましくは５重量倍以上５００重量倍以下程度である。
【００６８】
反応温度は−７８℃から２００℃、好ましくは０℃から１５０℃、さらに好ましくは２０℃から１００℃で実施する。反応時間は特に限定されないが、好ましくは１分から２４時間、さらに好ましくは１０分から１２時間で実施する。
【００６９】
反応終了後、生成したベンゼン化合物（３−１）、（６−１）、（９−１）、（１２−１）、（１５−１）、（１８−１）、（２１−１）、（２４−１）、（２７−１）、（３０−１）、（３−３）、もしくは（６−３）は、例えば、溶媒を留去することにより、反応マスから取り出すことができる。また、得られたベンゼン化合物は、必要に応じて蒸留等の手段を施すことにより、更に精製することもできる。
本反応において、原料、酸もしくは塩基、及び溶媒は任意の順序で加えることができる。
【００７０】
次に一般式（２）もしくは（５）で表される原料を酸化剤の存在下に反応させ、一般式（３−２）もしくは（６−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を得る製造方法、および、一般式（２）、（５）、（８）、（１１）、（１４）、（１７）、（２０）、（２３）、（２６）、もしくは（２９）で表される原料を酸化剤の存在下に反応させ、一般式（３−４）、（６−４）、（９−２）、（１２−２）、（１５−２）、（１８−２）、（２１−２）、（２４−２）、（２７−２）、もしくは（３０−２）で表されるベンゼン誘導体を得る製造方法について説明する
【００７１】
上記製造方法において、酸化剤はそのまま用いてもよいし、反応に使用する溶媒に溶解しない物質、例えば炭素、シリカ、アルミナなどに担持してもよい。かかる反応においてこれらの使用量は原料に対し通常０．００００１モル倍以上、通常１００モル倍以下、好ましくは１モル倍以下である。
【００７２】
本反応は、通常、有機溶媒中で行なわれる。有機溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリルなどの非プロトン性極性溶媒、ジエチルエ−テル、ジイソプロピルエ−テル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１、４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタンなどの含ハロゲン溶媒などが挙げられる。
【００７３】
溶媒はそれぞれ単独で又は２種以上を組み合わせて用いられ、その使用量は原料に対して通常は１重量倍以上２０００重量倍以下、好ましくは５重量倍以上５００重量倍以下程度である。
【００７４】
反応温度は−７８℃から２００℃、好ましくは０℃から１５０℃、さらに好ましくは２０℃から１００℃で実施する。反応時間は特に限定されないが、好ましくは１分から２４時間、さらに好ましくは１０分から１２時間で実施する。
【００７５】
反応終了後、生成したシクロヘキセン化合物（３−２）もしくは（６−２）、およびベンゼン誘導体（３−４）、（６−４）、（９−２）、（１２−２）、（１５−２）、（１８−２）、（２１−２）、（２４−２）、（２７−２）、もしくは（３０−２）は例えば、溶媒を留去することにより、反応マスから取り出すことができる。また、得られたベンゼン化合物は、必要に応じて蒸留等の手段を施すことにより、更に精製することもできる。
【００７６】
なお、反応において、原料、酸化剤、及び溶媒は任意の順序で加えることができる。
【実施例】
【００７７】
以下、実施例を挙げて、本発明をより詳細に説明するが本発明はこれに限定されるものではない。
【００７８】
（実施例１）
窒素雰囲気下、５−（４−クロロフェニル）−５−ヒドロキシ−２−メチル−１，７−オクタジエン−３−オン（０．２００ ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ ｍＬ）、第二世代グラブス触媒（０．０１５ ｍｍｏｌ）を室温で反応器に仕込み、同温度で２時間撹拌した。この反応液を、減圧下、溶媒を留去し、得られた残査をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル ＝ １／２）を用いて精製し、５−（４−クロロフェニル）−５−ヒドロキシ−２−メチル−２−シクロへキセノン（＞９９％）を得た。ＮＭＲデ−タ、及びＨＲＭＳデ−タは、以下のようであった。１Ｈ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３） １．８０ （ｄ， Ｊ ＝ １．５ Ｈｚ， ３Ｈ）， ２．６５−２．８６ （ｍ， ３Ｈ）， ２．９７−３．０２ （ｍ， ２Ｈ）， ６．６２−６．６５ （ｍ， １Ｈ）， ７．３２ （ｄ， Ｊ ＝ ８．８ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．３９ （ｄ， Ｊ ＝ ８．８ Ｈｚ， ２Ｈ）． １３Ｃ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３） １５．５７， ４０．５３， ５０．７４， ７５．２１， １２６．３２， １２８．６６， １３３．５４， １３５．４４， １４１．２５， １４４．２１， １９８．０６． ＨＲＭＳ （ＦＡＢ） ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１３Ｈ１４ＣｌＯ２ （Ｍ＋＋Ｈ） ２３７．０６８２， ｆｏｕｎｄ ２３７．０６７６．
【００７９】
（実施例２）
実施例１の５−（４−クロロフェニル）−５−ヒドロキシ−２−メチル−１，７−オクタジエン−３−オンの代わりに５−ヒドロキシ−２−メチル−１，７−ジエン−３−オン、５−ヒドロキシ−２，６−ジメチル−１，７−ジエン−３−オン、５−エチル−５−ヒドロキシ−４−メチル−１，７−オクタジエン−３−オン、１−（２−アリル−２−ヒドロキシシクロヘキシル）−２−メチルプロペノン、２−（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラニロキシメチル）−５−ヒドロキシ−５−メチル−１，７−オクタジエン−３−オン、５−ヒドロキシ−７−メチル−５−フェニル−１，７−オクタジエン−３−オン、５−ヒドロキシ−４，７−ジメチル−５−フェニル−１，７−オクタジエン−３−オン、７−ベンジロキシメチル−５−ヒドロキシ−１，７−オクタジエン−３−オン、５−ヒドロキシ−７−メチル−５−（２−メチルアリル）−１，７−オクタジエン−３−オンを用いてそれぞれ実施例１に準じて反応を実施し、対応する５−ヒドロキシ−２−メチル−２−シクロへキセノン（８９％）、５−ヒドロキシ−２，４−ジメチル−２−シクロへキセノン（９４％）、５−エチル−５−ヒドロキシ−６−メチル−２−シクロへキセノン（８４％）、４−メチル−ビシクロ[４，４，０]−３−デセン−５−オン−１−オ−ル（＞９９％）、２−（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラニロキシメチル）−５−ヒドロキシ−５−メチル−２−シクロへキセノン（９９％）、５−ヒドロキシ−３−メチル−５−フェニル−２−シクロへキセノン（８１％）、５−ヒドロキシ−３，６−ジメチル−５−フェニル−２−シクロへキセノン（＞９９％）、３−ベンジロキシメチル−５−ヒドロキシ−２−シクロへキセノン（８４％）、５−ヒドロキシ−３−メチル−５−（２−メチルアリル）−２−シクロへキセノン（８７％）を得た。
【００８０】
（実施例３）
空気下、５−（４−クロロフェニル）−５−ヒドロキシ−２−メチル−２−シクロへキセノン（０．１６０ ｍｍｏｌ）、ベンゼン（１．６ ｍＬ）、パラトルエンスルホン酸（０．０１６ ｍｍｏｌ）を室温で反応器に仕込み、７０度で１２時間撹拌した。この反応液を、減圧下、溶媒を留去し、得られた残査をシリカゲルクロマトグラフィ−（ヘキサン／酢酸エチル ＝ ４／１）を用いて精製し、４’−クロロ−４−メチル−３−ビフェノ−ル（＞９９％）を得た。ＮＭＲデ−タ、及びＨＲＭＳデ−タは、以下のようであった。１Ｈ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３） ２．２６ （ｓ， ３Ｈ）， ４．８９ （ｓ， １Ｈ）， ６．８８ （ｄ， Ｊ ＝ １．７ Ｈｚ， １Ｈ）， ６．９７ （ｄｄ， Ｊ ＝ ７．６， １．７ Ｈｚ， １Ｈ）， ７．１０ （ｄ， Ｊ ＝ ７．８ Ｈｚ， １Ｈ）， ７．２８ （ｄ， Ｊ ＝ ８．６ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．３７ （ｄ， Ｊ ＝ ８．８ Ｈｚ， ２Ｈ）． １３Ｃ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３） １５．４５， １１３．３７， １１９．２９， １２３．１８， １２８．０８， １２８．８０， １３１．４４， １３３．１６， １３９．０７， １３９．１６， １５４．０２． ＨＲＭＳ （ＦＡＢ） ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１３Ｈ１１ＣｌＯ （Ｍ＋） ２１８．０４９８， ｆｏｕｎｄ ２１８．０５０１．
【００８１】
（実施例４）
実施例３の５−（４−クロロフェニル）−５−ヒドロキシ−２−メチル−２−シクロへキセノンの代わりに５−エチル−５−ヒドロキシ−６−メチル−２−シクロへキセノン、５−ヒドロキシ−２−メチル−２−シクロへキセノン、５−ヒドロキシ−２，４−ジメチル−２−シクロへキセノン、４−メチル−ビシクロ[４，４，０]−３−デセン−５−オン−１−オ−ル、５−ヒドロキシ−３−
メチル−５−フェニル−２−シクロへキセノン、５−ヒドロキシ−３，６−ジメチル−５−フェニル−２−シクロへキセノン、３−ベンジロキシメチル−５−ヒドロキシ−２−シクロへキセノンを用いてそれぞれ実施例３に準じて反応を実施し、対応する３−エチル−２−メチルフェノール（８５％）、２−メチルフェノ−ル（９１％）、２，４−ジメチルフェノ−ル（＞９９）、２−メチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−１−ナフタレノ−ル（＞９９％）、５−メチル−３−ビフェニロ−ル（＞９９％）、２，５−ジメチル−３−ビフェニロ−ル（９７％）、３−ベンジロキシメチルフェノ−ル（９０％）、を得た。
【００８２】
（実施例５）
窒素雰囲気下、５−（４−クロロフェニル）−２−メチル−１，７−オクタジエン−３，５−ジオ−ル （０．２００ ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ ｍＬ）、第二世代グラブス触媒（０．０１５ ｍｍｏｌ）を室温で反応器に仕込み、同温度で２時間撹拌した。この反応液を、減圧下、溶媒を留去し、得られた残査をシリカゲルクロマトグラフィ−（ヘキサン／酢酸エチル ＝ １／２）を用いて精製し、１−（４−クロロフェニル）−４−メチル−４−シクロヘキセン−１，３−ジオ−ル（８２％）を得た。ＮＭＲデ−タ、及びＨＲＭＳデ−タは、以下のようであった。１Ｈ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３） １．８９ （ｄ， Ｊ ＝ １．０ Ｈｚ， ３Ｈ）， ２．１４ （ｄｄ， Ｊ ＝ １４．６， ４．６ Ｈｚ， １Ｈ）， ２．２２ （ｄｔ， Ｊ ＝ １４．４， ２．０ Ｈｚ， １Ｈ）， ２．３０−２．３８ （ｍ， １Ｈ）， ２．４８−２．５７ （ｍ， １Ｈ）， ３．１４ （ｂｒ ｓ， １Ｈ）， ３．２２ （ｂｒ ｓ， １Ｈ）， ４．０５ （ｂｒ ｓ， １Ｈ）， ５．５１−５．５５ （ｍ， １Ｈ）， ７．３１ （ｄ， Ｊ ＝ ８．８ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．４１ （ｄ， Ｊ ＝ ８．６ Ｈｚ， ２Ｈ）． １３Ｃ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３） ２０．７０， ４０．２５， ４１．８８， ６８．４５， ７２．２９， １２０．８４， １２６．０４， １２８．２９， １３２．７０， １３４．６８， １４６．３６． ＨＲＭＳ （ＦＡＢ） ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１３Ｈ１４ＣｌＯ （Ｍ＋＋Ｈ） ２２１．０７３３， ｆｏｕｎｄ ２２１．０７１２．
【００８３】
（実施例６）
空気下、１−（４−クロロフェニル）−４−メチル−４−シクロヘキセン−１，３−ジオ−ル（０．１６０ ｍｍｏｌ）、ベンゼン（１．６ ｍＬ）、パラトルエンスルホン酸（０．０１６ ｍｍｏｌ）を室温で反応器に仕込み、７０度で１２時間撹拌した。この反応液を、減圧下、溶媒を留去し、得られた残査をシリカゲルクロマトグラフィ−（ヘキサン／酢酸エチル ＝ ４／１）を用いて精製し、４’−クロロ−４−メチルビフェノ−ル（＞９９％）を得た。
【００８４】
（実施例７）
窒素雰囲気下、オギザリルクロライド（０．１９ ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド（０．３７ ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（０．４ ｍＬ）を−７８度で反応器に仕込み、５分間撹拌した。その後、３−ベンジロキシメチル−５−ヒドロキシ−２−シクロへキセノンを（０．０８ ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液を同温度で反応液に加えた。１５分間撹拌後、トリエチルアミン（０．９５ ｍｍｏｌ）を反応液に加え、さらに同温度で９０分間撹拌した。反応液に飽和食塩水を加え、酢酸エチルで抽出後、硫酸ナトリウムで有機層を乾燥させた。濾過後、ろ液を、減圧下、溶媒を留去し、得られた残査をシリカゲルクロマトグラフィ−（ヘキサン／酢酸エチル ＝ １／４）を用いて精製し、５−ベンジロキシメチル−１，３−ベンゼンジオ−ル（８０％）を得た。ＮＭＲデ−タ、及びＨＲＭＳデ−タは、以下のようであった。１Ｈ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３） ４．４２ （ｓ， ２Ｈ）， ４．５５ （ｓ， ２Ｈ）， ５．６３ （ｂｒ ｍ， ２Ｈ）， ６．２２ （ｓ， １Ｈ）， ６．３９ （ｓ， ２Ｈ）， ７．２７−７．３６ （ｍ， ５Ｈ）． １３Ｃ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３） ７１．６１， ７２．２３， １０２．３８， １０７．４１， １２７．９１， １２８．０８， １２８．４９， １３７．４１， １４０．４７， １５６．８０． ＨＲＭＳ （ＦＡＢ） ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１４Ｈ１５Ｏ３ （Ｍ＋＋Ｈ） ２３１．１０２１， ｆｏｕｎｄ ２３１．１０２９．
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、医薬品等の複雑な骨格を有する化合物の製造中間体としてのベンゼン誘導体を製造する方法として有用であり、産業上の利用可能性がある。また、このベンゼン誘導体を製造する方法もベンゼン誘導体を製造する方法に有用であり、同様に産業上の利用可能性を有する。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベンゼン誘導体の製造方法及びそれに有用なシクロヘキセン誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ベンゼン誘導体は天然に多く存在し、また、医薬品等の複雑な骨格を有する化合物の製造中間体として有用である。しかし、ベンゼン誘導体は多数の置換様式をもつため、その置換位置の選択的な合成は困難であった。現存する置換ベンゼン誘導体の合成法としては、ベンゼン骨格への求電子置換反応（例えば、非特許文献１参照。）、又はアセチレン化合物の環状３量化反応（例えば、非特許文献２参照。）が挙げられる。
【０００３】
【非特許文献１】Ｊｅｒｒｙ Ｍａｒｃｈ著、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ４ｔｈ ｅｄ．、Ｗｉｌｅｙ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、１９９２、Ｃｈａｐｔｅｒ １１、ｐ５０１．
【非特許文献２】Ｃｈｅｍ． Ｒｅｖ． ２０００， １００， ２９０１．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記いずれの文献に記載の技術であっても、置換基の位置制御が極めて困難な手法となっている。
【０００５】
そこで、本発明は、上記課題を解決し、様々な置換様式をもつベンゼン誘導体を効率的、かつ、簡便に製造する方法を提供すること、更には、これに用いられるシクロヘキセン誘導体を製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、ルテニウム触媒又はモリブデン触媒の存在下で、ジエンに対し、閉環オレフィンメタセシス、脱離、酸化反応を行なうことによって、シクロヘキセン誘導体、ベンゼン誘導体が製造できることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００７】
即ち、本発明の一手段に係るシクロヘキセン誘導体の製造方法は、下記一般式（１）で表されるジエンを、ルテニウムもしくはモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（２）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、およびＲ１０はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌ１、およびＬ２はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
【化２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。）
【０００８】
また、限定されるわけではないが、上記手段により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（３−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化３】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。）
【０００９】
また、限定されるわけではないが、上記手段により製造されるシクロヘキセン誘導体を酸化させて、下記一般式（３−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化４】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００１０】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（３−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて、下記一般式（３−３）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化５】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００１１】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２）又は上記一般式（３−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（３−４）で表されるベンゼン誘導体を製造することも好ましい応用である。
【化６】
（式中、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００１２】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体を製造する方法は、下記一般式（４）で表されるジエンを、ルテニウムもしくはモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（５）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、およびＲ１０はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌ１、およびＬ２はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
【化８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。）
【００１３】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（６）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（６−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することも好ましい応用である。
【化９】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。）
【００１４】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（５）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（６−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造することも好ましい応用である。
【化１０】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００１５】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（６−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（６−３）で表されるベンゼン誘導体を製造することも好ましい応用である。
【化１１】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００１６】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（５）又は上記一般式（６−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を酸化して下記一般式（６−４）で表されるベンゼン誘導体を製造することも好ましい応用である。
【化１２】
（式中、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００１７】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体を製造する方法は、下記一般式（７）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（８）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化１３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、およびＲ１０はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌ１、およびＬ２はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
【化１４】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。）
【００１８】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（８）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（９−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化１５】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。）
【００１９】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（８）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（９−２）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化１６】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００２０】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体を製造する方法は、下記一般式（１０）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（１１）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化１７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、およびＲ１０はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌ１、およびＬ２はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
【化１８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。）
【００２１】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（１１）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（１２−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化１９】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。）
【００２２】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（１１）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（１２−２）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化２０】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００２３】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体を製造する方法は、下記一般式（１３）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（１４）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化２１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化２２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００２４】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（１４）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（１５−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化２３】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００２５】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（１４）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（１５−２）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化２４】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００２６】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体を製造する方法は、下記一般式（１６）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（１７）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化２５】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化２６】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００２７】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（１７）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（１８−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化２７】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００２８】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（１７）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（１８−２）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化２８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００２９】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体を製造する方法は、下記一般式（１９）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（２０）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化２９】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化３０】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００３０】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２０）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸もしくは塩基存在下で反応させて下記一般式（２１−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化３１】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００３１】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２０）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（２１−２）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化３２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００３２】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体を製造する方法は、下記一般式（２２）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させる下記一般式（２３）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化３３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化３４】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００３３】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２３）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（２４−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化３５】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００３４】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２３）で表されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（２４−２）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化３６】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００３５】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体をい製造する方法は、下記一般式（２５）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（２６）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化３７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化３８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００３６】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２６）で表わされるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（２７−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化３９】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００３７】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２６）で表わされるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（２７−２）で表されるベンゼン誘導体を製造することはこのまし応用である。
【化４０】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００３８】
また、本発明の他の一手段に係るシクロヘキセン誘導体を製造する方法は、下記一般式（２８）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（２９）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する。
【化４１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化４２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００３９】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２９）で表わされるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（３０−１）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化４３】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【００４０】
また、本手段において、限定されるわけではないが、上記一般式（２９）で表わされるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（３０−２）で表されるベンゼン誘導体を製造することは好ましい応用である。
【化４４】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【００４１】
また、本発明の他の一手段にかかるベンゼン誘導体を製造する方法は、下記一般式（３１）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（３２）で表されるベンゼン誘導体を製造する。
【化４５】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化４６】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１、およびＸ２は前記と同じ意味を表す。）
【００４２】
また、本発明の他の一手段に係るベンゼン誘導体を製造する方法は、下記一般式（３３）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（３４）で表されるベンゼン誘導体を製造する。
【化４７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化４８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１、およびＸ２は前記と同じ意味を表す。）
【００４３】
また、本発明の他の一手段に係るベンゼン誘導体を製造する方法は、下記一般式（３５）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（３６）で表されるベンゼン誘導体を製造する。
【化４９】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化５０】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１、およびＸ２は前記と同じ意味を表す。）
【００４４】
また、本発明の他の一手段に係るベンゼン誘導体を製造する方法は、下記一般式（３７）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（３８）で表されるベンゼン誘導体を製造する。
【化５１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化５２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１、およびＸ２は前記と同じ意味を表す。）
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
本明細書において、「Ｃ１〜Ｃ２０炭化水素基」の炭化水素基は、飽和若しくは不飽和の非環式であってもよいし、飽和若しくは不飽和の環式であってもよい。Ｃ１〜Ｃ２０炭化水素基が非環式の場合には、線上でもよいし、枝分かれでもよい。「Ｃ１〜Ｃ２０炭化水素基」にはＣ１〜Ｃ２０アルキル基、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニル基、Ｃ２〜Ｃ２０アルキニル基、Ｃ４〜Ｃ２０アルキルジエニル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリ−ル基、Ｃ６〜Ｃ２０アルキルアリ−ル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリ−ルアルキル基、Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルケニル基、（Ｃ３〜Ｃ１０シクロアルキル）Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基などが含まれる。
【００４６】
本明細書において、「Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基」は、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基であることが好ましく、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基であることがさらに好ましい。アルキル基の例としては、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ドデカニル等を挙げることができる。本明細書において、「Ｃ２〜Ｃ２０アルケニル基」は、Ｃ２〜Ｃ１０アルケニル基であることが好ましく、Ｃ２〜Ｃ６アルケニル基であることがさらに好ましい。アルケニル基の例としては、制限するわけではないが、ビニル、アリル、プロペニル、イソプロペニル、２−メチル−１−プロペニル、２−メチルアリル、２−ブテニル等を挙げることができる。本明細書において、「Ｃ２〜Ｃ２０アルキニル基」は、Ｃ２〜Ｃ１０アルキニル基であることが好ましく、Ｃ２〜Ｃ６アルキニル基であることがさらに好ましい。アルキニル基の例としては、制限するわけではないが、エチニル、２−プロピニル、２−ブチニル等を挙げることができる。本明細書において、「Ｃ４〜Ｃ２０アルキルジエニル基」は、Ｃ４〜Ｃ１０アルキルジエニル基であることが好ましく、Ｃ４〜Ｃ６アルキルジエニル基であることがさらに好ましい。アルキルジエニル基の例としては、制限するわけではないが、１、３−ブタジエニル等を挙げることができる。
【００４７】
本明細書において、「Ｃ６〜Ｃ２０アリ−ル基」は、Ｃ６〜Ｃ１０アリ−ル基であることが好ましい。アリ−ル基の例としては、制限するわけではないが、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、インデニル、ビフェニリル、アントリル、フェナントリル等を挙げることができる。本明細書において、「Ｃ６〜Ｃ２０アルキルアリ−ル基」は、Ｃ６〜Ｃ１２アルキルアリ−ル基であることが好ましい。アルキルアリ−ル基の例としては、制限するわけではないが、ｏ−トリル、ｍ−トリル、ｐ−トリル、２，３−キシリル、ｏ−クメニル、ｍ−クメニル、ｐ−クメニル、メシチル等を挙げることができる。本明細書において，「Ｃ６〜Ｃ２０アリ−ルアルキル基」とは、Ｃ６〜Ｃ１２アリ−ルアルキル基であることが好ましい。アリ−ルアルキル基の例としては、制限するわけではないが、ベンジル、フェネチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、１−ナフチルメチル、２−ナフチルメチル、２、２−ジフェニルメチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチル等を挙げることができる。本明細書において、「Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルキル基」は、Ｃ３〜Ｃ１０シクロアルキル基であることが好ましい。シクロアルキル基の例としては、制限するわけではないが、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等を挙げることができる。本明細書において、Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルケニル基は、Ｃ３〜Ｃ１０シクロアルケニル基であることが好ましい。シクロアルケニル基の例としては、制限するわけではないが、シクロプロペニル、シクロブテニル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル、３−シクロヘキセン−１−イル等を挙げることができる。
【００４８】
本明細書において、「Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシ基」は、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシ基であることが好ましく、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基であることがさらに好ましい。アルコキシ基の例としては、制限するわけではないが、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ等がある。
【００４９】
本明細書において、「Ｃ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基」は、Ｃ６〜Ｃ１０アリ−ルオキシ基であることが好ましい。アリ−ルオキシ基の例としては、制限するわけではないが、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニリルオキシ等を挙げることができる。
【００５０】
本明細書において、「アルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）」及び「アルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）」において、Ｙ１及びＹ３は、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基であることが好ましく、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基であることが更に好ましい。アルキル基の例としては、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ドデカニル等を挙げることができる。
【００５１】
本明細書において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３およびＲ１４で示される「Ｃ１〜Ｃ２０炭化水素基」、「Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシ基」。「Ｃ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基」、「アミノ基」、「シリル基」、「アルキルチオ基」、「アリ−ルチオ基」、「アルキルスルホニル基」、「アリ−ルスルホニル基」には、置換基が導入されていてもよい。この置換基としては、例えば、Ｃ１〜Ｃ１０炭化水素基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、ナフチル、インデニル、トリル、キシリル、ベンジル等）、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等）、Ｃ６〜Ｃ１０アリ−ルオキシ基（例えば、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等）アミノ基、水酸基、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）又はシリル基などを挙げる事ができる。この場合、置換基は、置換可能な位置に１個以上導入されていてもよく、好ましくは１個〜６個導入されていてもよい。置換基数が２個以上である場合、各置換基は同一であっても異なっていてもよい。
【００５２】
本明細書において、「置換基を有していてもよいアミノ基」の例としては、制限するわけではないが、アミノ、ジメチルアミノ、メチルアミノ、メチルフェニルアミノ、フェニルアミノ等がある。
【００５３】
本明細書において、「置換基を有していてもよいシリル基」の例としては、制限するわけではないが、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリメトキシシリル、トリエトキシシリル、ジフェニルメチルシリル、トリフェニルシリル、トリフェノキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメチルフェノキシシリル、メチルメトキシフェニル等がある。
【００５４】
本明細書において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３およびＲ１４で示される置換基は互いに架橋してＣ４〜Ｃ２０飽和環又は不飽和環を形成してもよい。これらの置換基が形成する環は、４員環〜１２員環であることが好ましく、４員環〜６員環であることが更に好ましい。この環は、ベンゼン環等の芳香族環であってもよいし、脂肪族環であってもよい。また、これらの置換基が形成する環に、更に単数又は複数の環が形成されていてもよい。前記飽和環又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される（式中、Ｂは水素原子またはＣ１〜Ｃ２０炭化水素基である。）で中断されていてもよい。即ち、前記飽和環または不飽和環はヘテロ環であってもよい。かつ、置換基を有していてもよい。不飽和環は、ベンゼン環等の芳香族環であってもよい。Ｂは、水素原子またはＣ１〜Ｃ１０炭化水素基であることが好ましく、水素原子またはＣ１〜Ｃ７炭化水素基であることが更に好ましく、Ｂは水素原子、Ｃ１〜Ｃ３アルキル基、フェニル基又はベンジル基であることが更になお好ましい。この飽和環又は不飽和環は、置換基を有していてもよく、例えば、Ｃ１〜Ｃ１０炭化水素基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル基）、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等）、Ｃ６〜Ｃ１０アリ−ルオキシ基（例えば、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等）、アミノ基、水酸基、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）又はシリル基などの置換基が導入されていてもよい。
【００５５】
本明細書において、「芳香環」とは、単環式芳香環、多環式芳香環をあげることができる。「単環式芳香環」としては、ベンゼン環、５員又は６員の複素環を挙げることができる。「５員又は６員の複素環」としては、フラン、チオフェン、ピロ−ル、ピラン、チオピラン、ピリジン、チアゾ−ル、イミダゾ−ル、ピリミジン、１、３、５−トリアジン等を挙げることができる。「多環式芳香族環」としては、多環式芳香族炭化水素、多環式複素芳香族環を挙げることができる。「多環式複素炭化水素」としては、ビフェニル、トリフェニル、ナフタレン、インデン、アントラセン、フェナントレン等を挙げることができる。「多環式複素芳香環」としては、インド−ル、キノリン、プリン等を挙げることができる。
【００５６】
本発明において、ルテニウムもしくはモリブデン触媒とは、特にルテニウムもしくはモリブデン化合物とホスフィン配位子、カルベン配位子、アルコキシ配位子、ハロゲン配位子等からなる触媒をあらわす。具体例としては、特に限定されないが、ベンジリデンビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ジクロロルテニウムや（１、３−ビス−（２、４、６−トリメチルフェニル）−２−イミダゾリジニリデン）ジクロロ（フェニルメチレン）−（トリシクロヘキシルホスフィン）ジクロロルテニウム等が挙げられる。
【００５７】
以下、製造方法について詳細に説明する。
まず、一般式（１）、（４）、（７）、（１０）、（１３）、（１６）、（１９）、（２２）、（２５）、又は（２８）で表される原料をルテニウム触媒の存在下に反応させ、一般式（２）、（５）、（８）、（１１）、（１４）、（１７）、（２０）、（２３）、（２６）、又は（２９）で表されるシクロヘキセン誘導体を得る製造方法、および、一般式（３１）、（３３）、（３５）、もしくは（３７）で表される原料をルテニウム触媒の存在下に反応させ、一般式（３２）、（３４）、（３６）、又は（３８）で表されるベンゼン誘導体を得る製造方法について説明する。
【００５８】
上記製造方法において、ルテニウム触媒はそのまま用いてもよいし、反応に使用する溶媒に溶解しない物質、例えば炭素、シリカ、アルミナなどに担持してもよい。かかる反応においてルテニウム触媒の使用量は原料に対し通常０．００００１モル倍以上、通常１モル倍以下、好ましくは０．２モル倍以下である。
【００５９】
本反応は、通常、有機溶媒中で行なわれる。有機溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリルなどの非プロトン性極性溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエ−テル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１、４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエ−テル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタンなどの含ハロゲン溶媒などが挙げられる。
【００６０】
溶媒はそれぞれ単独で又は２種以上を組み合わせて用いられ、その使用量は原料に対して通常は１重量倍以上２０００重量倍以下、好ましくは５重量倍以上５００重量倍以下程度である。
【００６１】
反応温度は−７８℃から２００℃、好ましくは０℃から１５０℃、さらに好ましくは２０℃から１００℃で実施する。反応時間は特に限定されないが、好ましくは１分から２４時間、さらに好ましくは１０分から１２時間で実施する。
【００６２】
反応終了後、生成したシクロヘキセン化合物（２）、（５）、（８）、（１１）、（１４）、（１７）、（２０）、（２３）、（２６）、もしくは（２９）および、ベンゼン化合物（３２）、（３４）、（３６）、もしくは（３８）は、例えば、溶媒を留去することにより、反応マスから取り出すことができる。また、得られたシクロヘキセン化合物およびベンゼン化合物は、必要に応じて蒸留等の手段を施すことにより、更に精製することもできる。
【００６３】
なお本反応において、原料、ルテニウム触媒、及び溶媒は任意の順序で加えることができる。
【００６４】
次に一般式（２）、（５）、（８）、（１１）、（１４）、（１７）、（２０）、（２３）、（２６）、（２９）、（３−２）、もしくは（６−２）で表されるシクロヘキセンを、酸もしくは塩基存在下で反応させ一般式（３−１）、（６−１）、（９−１）、（１２−１）、（１５−１）、（１８−１）、（２１−１）、（２４−１）、（２７−１）、（３０−１）、（３−３）、もしくは（６−３）で表されるベンゼン化合物を得る製造方法について説明する。
【００６５】
上記製造方法において、酸もしくは塩基はそのまま用いてもよいし、反応に使用する溶媒に溶解しない物質、例えば炭素、シリカ、アルミナなどに担持してもよい。かかる反応においてこれらの使用量は原料に対し通常０．００００１モル倍以上、通常１００モル倍以下、好ましくは０．２モル倍以下である。
【００６６】
本反応は、通常、有機溶媒中で行なわれる。有機溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリルなどの非プロトン性極性溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１、４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタンなどの含ハロゲン溶媒などが挙げられる。
【００６７】
溶媒はそれぞれ単独で又は２種以上を組み合わせて用いられ、その使用量は原料に対して通常は１重量倍以上２０００重量倍以下、好ましくは５重量倍以上５００重量倍以下程度である。
【００６８】
反応温度は−７８℃から２００℃、好ましくは０℃から１５０℃、さらに好ましくは２０℃から１００℃で実施する。反応時間は特に限定されないが、好ましくは１分から２４時間、さらに好ましくは１０分から１２時間で実施する。
【００６９】
反応終了後、生成したベンゼン化合物（３−１）、（６−１）、（９−１）、（１２−１）、（１５−１）、（１８−１）、（２１−１）、（２４−１）、（２７−１）、（３０−１）、（３−３）、もしくは（６−３）は、例えば、溶媒を留去することにより、反応マスから取り出すことができる。また、得られたベンゼン化合物は、必要に応じて蒸留等の手段を施すことにより、更に精製することもできる。
本反応において、原料、酸もしくは塩基、及び溶媒は任意の順序で加えることができる。
【００７０】
次に一般式（２）もしくは（５）で表される原料を酸化剤の存在下に反応させ、一般式（３−２）もしくは（６−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を得る製造方法、および、一般式（２）、（５）、（８）、（１１）、（１４）、（１７）、（２０）、（２３）、（２６）、もしくは（２９）で表される原料を酸化剤の存在下に反応させ、一般式（３−４）、（６−４）、（９−２）、（１２−２）、（１５−２）、（１８−２）、（２１−２）、（２４−２）、（２７−２）、もしくは（３０−２）で表されるベンゼン誘導体を得る製造方法について説明する
【００７１】
上記製造方法において、酸化剤はそのまま用いてもよいし、反応に使用する溶媒に溶解しない物質、例えば炭素、シリカ、アルミナなどに担持してもよい。かかる反応においてこれらの使用量は原料に対し通常０．００００１モル倍以上、通常１００モル倍以下、好ましくは１モル倍以下である。
【００７２】
本反応は、通常、有機溶媒中で行なわれる。有機溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリルなどの非プロトン性極性溶媒、ジエチルエ−テル、ジイソプロピルエ−テル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１、４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタンなどの含ハロゲン溶媒などが挙げられる。
【００７３】
溶媒はそれぞれ単独で又は２種以上を組み合わせて用いられ、その使用量は原料に対して通常は１重量倍以上２０００重量倍以下、好ましくは５重量倍以上５００重量倍以下程度である。
【００７４】
反応温度は−７８℃から２００℃、好ましくは０℃から１５０℃、さらに好ましくは２０℃から１００℃で実施する。反応時間は特に限定されないが、好ましくは１分から２４時間、さらに好ましくは１０分から１２時間で実施する。
【００７５】
反応終了後、生成したシクロヘキセン化合物（３−２）もしくは（６−２）、およびベンゼン誘導体（３−４）、（６−４）、（９−２）、（１２−２）、（１５−２）、（１８−２）、（２１−２）、（２４−２）、（２７−２）、もしくは（３０−２）は例えば、溶媒を留去することにより、反応マスから取り出すことができる。また、得られたベンゼン化合物は、必要に応じて蒸留等の手段を施すことにより、更に精製することもできる。
【００７６】
なお、反応において、原料、酸化剤、及び溶媒は任意の順序で加えることができる。
【実施例】
【００７７】
以下、実施例を挙げて、本発明をより詳細に説明するが本発明はこれに限定されるものではない。
【００７８】
（実施例１）
窒素雰囲気下、５−（４−クロロフェニル）−５−ヒドロキシ−２−メチル−１，７−オクタジエン−３−オン（０．２００ ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ ｍＬ）、第二世代グラブス触媒（０．０１５ ｍｍｏｌ）を室温で反応器に仕込み、同温度で２時間撹拌した。この反応液を、減圧下、溶媒を留去し、得られた残査をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル ＝ １／２）を用いて精製し、５−（４−クロロフェニル）−５−ヒドロキシ−２−メチル−２−シクロへキセノン（＞９９％）を得た。ＮＭＲデ−タ、及びＨＲＭＳデ−タは、以下のようであった。１Ｈ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３） １．８０ （ｄ， Ｊ ＝ １．５ Ｈｚ， ３Ｈ）， ２．６５−２．８６ （ｍ， ３Ｈ）， ２．９７−３．０２ （ｍ， ２Ｈ）， ６．６２−６．６５ （ｍ， １Ｈ）， ７．３２ （ｄ， Ｊ ＝ ８．８ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．３９ （ｄ， Ｊ ＝ ８．８ Ｈｚ， ２Ｈ）． １３Ｃ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３） １５．５７， ４０．５３， ５０．７４， ７５．２１， １２６．３２， １２８．６６， １３３．５４， １３５．４４， １４１．２５， １４４．２１， １９８．０６． ＨＲＭＳ （ＦＡＢ） ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１３Ｈ１４ＣｌＯ２ （Ｍ＋＋Ｈ） ２３７．０６８２， ｆｏｕｎｄ ２３７．０６７６．
【００７９】
（実施例２）
実施例１の５−（４−クロロフェニル）−５−ヒドロキシ−２−メチル−１，７−オクタジエン−３−オンの代わりに５−ヒドロキシ−２−メチル−１，７−ジエン−３−オン、５−ヒドロキシ−２，６−ジメチル−１，７−ジエン−３−オン、５−エチル−５−ヒドロキシ−４−メチル−１，７−オクタジエン−３−オン、１−（２−アリル−２−ヒドロキシシクロヘキシル）−２−メチルプロペノン、２−（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラニロキシメチル）−５−ヒドロキシ−５−メチル−１，７−オクタジエン−３−オン、５−ヒドロキシ−７−メチル−５−フェニル−１，７−オクタジエン−３−オン、５−ヒドロキシ−４，７−ジメチル−５−フェニル−１，７−オクタジエン−３−オン、７−ベンジロキシメチル−５−ヒドロキシ−１，７−オクタジエン−３−オン、５−ヒドロキシ−７−メチル−５−（２−メチルアリル）−１，７−オクタジエン−３−オンを用いてそれぞれ実施例１に準じて反応を実施し、対応する５−ヒドロキシ−２−メチル−２−シクロへキセノン（８９％）、５−ヒドロキシ−２，４−ジメチル−２−シクロへキセノン（９４％）、５−エチル−５−ヒドロキシ−６−メチル−２−シクロへキセノン（８４％）、４−メチル−ビシクロ[４，４，０]−３−デセン−５−オン−１−オ−ル（＞９９％）、２−（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラニロキシメチル）−５−ヒドロキシ−５−メチル−２−シクロへキセノン（９９％）、５−ヒドロキシ−３−メチル−５−フェニル−２−シクロへキセノン（８１％）、５−ヒドロキシ−３，６−ジメチル−５−フェニル−２−シクロへキセノン（＞９９％）、３−ベンジロキシメチル−５−ヒドロキシ−２−シクロへキセノン（８４％）、５−ヒドロキシ−３−メチル−５−（２−メチルアリル）−２−シクロへキセノン（８７％）を得た。
【００８０】
（実施例３）
空気下、５−（４−クロロフェニル）−５−ヒドロキシ−２−メチル−２−シクロへキセノン（０．１６０ ｍｍｏｌ）、ベンゼン（１．６ ｍＬ）、パラトルエンスルホン酸（０．０１６ ｍｍｏｌ）を室温で反応器に仕込み、７０度で１２時間撹拌した。この反応液を、減圧下、溶媒を留去し、得られた残査をシリカゲルクロマトグラフィ−（ヘキサン／酢酸エチル ＝ ４／１）を用いて精製し、４’−クロロ−４−メチル−３−ビフェノ−ル（＞９９％）を得た。ＮＭＲデ−タ、及びＨＲＭＳデ−タは、以下のようであった。１Ｈ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３） ２．２６ （ｓ， ３Ｈ）， ４．８９ （ｓ， １Ｈ）， ６．８８ （ｄ， Ｊ ＝ １．７ Ｈｚ， １Ｈ）， ６．９７ （ｄｄ， Ｊ ＝ ７．６， １．７ Ｈｚ， １Ｈ）， ７．１０ （ｄ， Ｊ ＝ ７．８ Ｈｚ， １Ｈ）， ７．２８ （ｄ， Ｊ ＝ ８．６ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．３７ （ｄ， Ｊ ＝ ８．８ Ｈｚ， ２Ｈ）． １３Ｃ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３） １５．４５， １１３．３７， １１９．２９， １２３．１８， １２８．０８， １２８．８０， １３１．４４， １３３．１６， １３９．０７， １３９．１６， １５４．０２． ＨＲＭＳ （ＦＡＢ） ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１３Ｈ１１ＣｌＯ （Ｍ＋） ２１８．０４９８， ｆｏｕｎｄ ２１８．０５０１．
【００８１】
（実施例４）
実施例３の５−（４−クロロフェニル）−５−ヒドロキシ−２−メチル−２−シクロへキセノンの代わりに５−エチル−５−ヒドロキシ−６−メチル−２−シクロへキセノン、５−ヒドロキシ−２−メチル−２−シクロへキセノン、５−ヒドロキシ−２，４−ジメチル−２−シクロへキセノン、４−メチル−ビシクロ[４，４，０]−３−デセン−５−オン−１−オ−ル、５−ヒドロキシ−３−
メチル−５−フェニル−２−シクロへキセノン、５−ヒドロキシ−３，６−ジメチル−５−フェニル−２−シクロへキセノン、３−ベンジロキシメチル−５−ヒドロキシ−２−シクロへキセノンを用いてそれぞれ実施例３に準じて反応を実施し、対応する３−エチル−２−メチルフェノール（８５％）、２−メチルフェノ−ル（９１％）、２，４−ジメチルフェノ−ル（＞９９）、２−メチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−１−ナフタレノ−ル（＞９９％）、５−メチル−３−ビフェニロ−ル（＞９９％）、２，５−ジメチル−３−ビフェニロ−ル（９７％）、３−ベンジロキシメチルフェノ−ル（９０％）、を得た。
【００８２】
（実施例５）
窒素雰囲気下、５−（４−クロロフェニル）−２−メチル−１，７−オクタジエン−３，５−ジオ−ル （０．２００ ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ ｍＬ）、第二世代グラブス触媒（０．０１５ ｍｍｏｌ）を室温で反応器に仕込み、同温度で２時間撹拌した。この反応液を、減圧下、溶媒を留去し、得られた残査をシリカゲルクロマトグラフィ−（ヘキサン／酢酸エチル ＝ １／２）を用いて精製し、１−（４−クロロフェニル）−４−メチル−４−シクロヘキセン−１，３−ジオ−ル（８２％）を得た。ＮＭＲデ−タ、及びＨＲＭＳデ−タは、以下のようであった。１Ｈ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３） １．８９ （ｄ， Ｊ ＝ １．０ Ｈｚ， ３Ｈ）， ２．１４ （ｄｄ， Ｊ ＝ １４．６， ４．６ Ｈｚ， １Ｈ）， ２．２２ （ｄｔ， Ｊ ＝ １４．４， ２．０ Ｈｚ， １Ｈ）， ２．３０−２．３８ （ｍ， １Ｈ）， ２．４８−２．５７ （ｍ， １Ｈ）， ３．１４ （ｂｒ ｓ， １Ｈ）， ３．２２ （ｂｒ ｓ， １Ｈ）， ４．０５ （ｂｒ ｓ， １Ｈ）， ５．５１−５．５５ （ｍ， １Ｈ）， ７．３１ （ｄ， Ｊ ＝ ８．８ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．４１ （ｄ， Ｊ ＝ ８．６ Ｈｚ， ２Ｈ）． １３Ｃ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３） ２０．７０， ４０．２５， ４１．８８， ６８．４５， ７２．２９， １２０．８４， １２６．０４， １２８．２９， １３２．７０， １３４．６８， １４６．３６． ＨＲＭＳ （ＦＡＢ） ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１３Ｈ１４ＣｌＯ （Ｍ＋＋Ｈ） ２２１．０７３３， ｆｏｕｎｄ ２２１．０７１２．
【００８３】
（実施例６）
空気下、１−（４−クロロフェニル）−４−メチル−４−シクロヘキセン−１，３−ジオ−ル（０．１６０ ｍｍｏｌ）、ベンゼン（１．６ ｍＬ）、パラトルエンスルホン酸（０．０１６ ｍｍｏｌ）を室温で反応器に仕込み、７０度で１２時間撹拌した。この反応液を、減圧下、溶媒を留去し、得られた残査をシリカゲルクロマトグラフィ−（ヘキサン／酢酸エチル ＝ ４／１）を用いて精製し、４’−クロロ−４−メチルビフェノ−ル（＞９９％）を得た。
【００８４】
（実施例７）
窒素雰囲気下、オギザリルクロライド（０．１９ ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド（０．３７ ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（０．４ ｍＬ）を−７８度で反応器に仕込み、５分間撹拌した。その後、３−ベンジロキシメチル−５−ヒドロキシ−２−シクロへキセノンを（０．０８ ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液を同温度で反応液に加えた。１５分間撹拌後、トリエチルアミン（０．９５ ｍｍｏｌ）を反応液に加え、さらに同温度で９０分間撹拌した。反応液に飽和食塩水を加え、酢酸エチルで抽出後、硫酸ナトリウムで有機層を乾燥させた。濾過後、ろ液を、減圧下、溶媒を留去し、得られた残査をシリカゲルクロマトグラフィ−（ヘキサン／酢酸エチル ＝ １／４）を用いて精製し、５−ベンジロキシメチル−１，３−ベンゼンジオ−ル（８０％）を得た。ＮＭＲデ−タ、及びＨＲＭＳデ−タは、以下のようであった。１Ｈ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３） ４．４２ （ｓ， ２Ｈ）， ４．５５ （ｓ， ２Ｈ）， ５．６３ （ｂｒ ｍ， ２Ｈ）， ６．２２ （ｓ， １Ｈ）， ６．３９ （ｓ， ２Ｈ）， ７．２７−７．３６ （ｍ， ５Ｈ）． １３Ｃ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３） ７１．６１， ７２．２３， １０２．３８， １０７．４１， １２７．９１， １２８．０８， １２８．４９， １３７．４１， １４０．４７， １５６．８０． ＨＲＭＳ （ＦＡＢ） ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１４Ｈ１５Ｏ３ （Ｍ＋＋Ｈ） ２３１．１０２１， ｆｏｕｎｄ ２３１．１０２９．
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、医薬品等の複雑な骨格を有する化合物の製造中間体としてのベンゼン誘導体を製造する方法として有用であり、産業上の利用可能性がある。また、このベンゼン誘導体を製造する方法もベンゼン誘導体を製造する方法に有用であり、同様に産業上の利用可能性を有する。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるジエンを、ルテニウムもしくはモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（２）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、およびＲ１０はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌ１、およびＬ２はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
【化２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。）
【請求項２】
請求項１記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（３−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化３】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。）
【請求項３】
請求項１に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を酸化させて、下記一般式（３−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化４】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項４】
請求項３に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて、下記一般式（３−３）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化５】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項５】
請求項１に記載の方法又は請求項３に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（３−４）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化６】
（式中、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項６】
下記一般式（４）で表されるジエンを、ルテニウムもしくはモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（５）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、およびＲ１０はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌ１、およびＬ２はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
【化８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。）
【請求項７】
請求項６に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（６−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化９】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。）
【請求項８】
請求項６に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（６−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化１０】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項９】
請求項８記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸もしくは塩基存在下で反応させて下記一般式（６−３）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化１１】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項１０】
請求項６に記載の方法、又は、請求項９に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を酸化して下記一般式（６−４）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化１２】
（式中、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項１１】
下記一般式（７）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（８）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化１３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、およびＲ１０はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌ１、およびＬ２はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
【化１４】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。）
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（９−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化１５】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。）
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式
一般式（９−２）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化１６】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項１４】
下記一般式（１０）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（１１）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化１７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、およびＲ１０はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌ１、およびＬ２はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
【化１８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。）
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（１２−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化１９】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。）
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（１２−２）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化２０】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項１７】
下記一般式（１３）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（１４）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化２１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化２２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（１５−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化２３】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項１９】
請求項１７に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（１５−２）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化２４】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項２０】
下記一般式（１６）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（１７）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化２５】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化２６】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（１８−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化２７】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項２２】
請求項２０に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（１８−２）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化２８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項２３】
下記一般式（１９）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（２０）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化２９】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化３０】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸もしくは塩基存在下で反応させて下記一般式（２１−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化３１】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項２５】
請求項２３に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（２１−２）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化３２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項２６】
下記一般式（２２）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させる下記一般式（２３）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化３３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化３４】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（２４−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化３５】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項２８】
請求項２６に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（２４−２）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化３６】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項２９】
下記一般式（２５）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（２６）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化３７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化３８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項３０】
請求項２９に記載の方法により製造されるシクロヘキセンを、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（２７−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化３９】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項３１】
請求項２９に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（２７−２）で表されるベンゼン誘導体の製造方法。
【化４０】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項３２】
下記一般式（２８）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（２９）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化４１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化４２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項３３】
請求項３２に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（３０−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化４３】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項３４】
請求項３３に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（３０−２）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化４４】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項３５】
下記一般式（３１）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（３２）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化４５】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化４６】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１、およびＸ２は前記と同じ意味を表す。）
【請求項３６】
下記一般式（３３）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（３４）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化４７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化４８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１、およびＸ２は前記と同じ意味を表す。）
【請求項３７】
下記一般式（３５）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（３６）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化４９】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化５０】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１、およびＸ２は前記と同じ意味を表す。）
【請求項３８】
下記一般式（３７）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（３８）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化５１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化５２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１、およびＸ２は前記と同じ意味を表す。）
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるジエンを、ルテニウムもしくはモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（２）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、およびＲ１０はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌ１、およびＬ２はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
【化２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。）
【請求項２】
請求項１記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（３−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化３】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。）
【請求項３】
請求項１に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を酸化させて、下記一般式（３−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化４】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項４】
請求項３に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて、下記一般式（３−３）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化５】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項５】
請求項１に記載の方法又は請求項３に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（３−４）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化６】
（式中、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項６】
下記一般式（４）で表されるジエンを、ルテニウムもしくはモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（５）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、およびＲ１０はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌ１、およびＬ２はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
【化８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。）
【請求項７】
請求項６に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（６−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化９】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。）
【請求項８】
請求項６に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（６−２）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化１０】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項９】
請求項８記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸もしくは塩基存在下で反応させて下記一般式（６−３）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化１１】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項１０】
請求項６に記載の方法、又は、請求項９に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を酸化して下記一般式（６−４）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化１２】
（式中、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項１１】
下記一般式（７）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（８）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化１３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、およびＲ１０はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌ１、およびＬ２はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
【化１４】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。）
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（９−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化１５】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。）
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式
一般式（９−２）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化１６】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項１４】
下記一般式（１０）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（１１）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化１７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、およびＲ１０はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌ１、およびＬ２はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
【化１８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、およびＬ２は前記と同じ意味を表す。）
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（１２−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化１９】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。）
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（１２−２）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化２０】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、およびＲ８は前記と同じ意味を表す。また、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項１７】
下記一般式（１３）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（１４）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化２１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化２２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（１５−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化２３】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項１９】
請求項１７に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（１５−２）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化２４】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項２０】
下記一般式（１６）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（１７）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化２５】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化２６】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（１８−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化２７】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項２２】
請求項２０に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（１８−２）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化２８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項２３】
下記一般式（１９）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（２０）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化２９】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化３０】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸もしくは塩基存在下で反応させて下記一般式（２１−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化３１】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項２５】
請求項２３に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（２１−２）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化３２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項２６】
下記一般式（２２）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させる下記一般式（２３）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化３３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化３４】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（２４−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化３５】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項２８】
請求項２６に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（２４−２）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化３６】
（式中、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項２９】
下記一般式（２５）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（２６）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化３７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化３８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項３０】
請求項２９に記載の方法により製造されるシクロヘキセンを、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（２７−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化３９】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項３１】
請求項２９に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（２７−２）で表されるベンゼン誘導体の製造方法。
【化４０】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項３２】
下記一般式（２８）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（２９）で表されるシクロヘキセン誘導体を製造する方法。
【化４１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ６及びＲ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｌは、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子である。）
（式中、Ｘ１は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化４２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｌ、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項３３】
請求項３２に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸又は塩基存在下で反応させて下記一般式（３０−１）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化４３】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。）
【請求項３４】
請求項３３に記載の方法により製造されるシクロヘキセン誘導体を、酸化させて下記一般式（３０−２）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化４４】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、およびＸ１は前記と同じ意味を表す。またＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【請求項３５】
下記一般式（３１）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（３２）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化４５】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化４６】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１、およびＸ２は前記と同じ意味を表す。）
【請求項３６】
下記一般式（３３）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（３４）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化４７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化４８】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１、およびＸ２は前記と同じ意味を表す。）
【請求項３７】
下記一般式（３５）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（３６）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化４９】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ４及びＲ５、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化５０】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１、およびＸ２は前記と同じ意味を表す。）
【請求項３８】
下記一般式（３７）で表されるジエンを、ルテニウム又はモリブデン触媒の存在下で反応させて下記一般式（３８）で表されるベンゼン誘導体を製造する方法。
【化５１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８はそれぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（−ＳＹ１、式中、Ｙ１は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルチオ基（−ＳＹ２、式中、Ｙ２は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ３、式中、Ｙ３は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基を示す。）；置換基を有していてもよいアリ−ルスルホニル基（−ＳＯ２Ｙ４、式中、Ｙ４は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ２０アリ−ル基を示す。）；水酸基；又はハロゲン原子であり、
ただし、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ、互いに架橋してＣ４〜Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ１〜Ｃ１０炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｘ１およびＸ２は、酸素原子；硫黄原子；又は置換基を有していてもよい窒素原子である。）
【化５２】
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１、およびＸ２は前記と同じ意味を表す。）
【公開番号】特開２００８−１０６００４（Ｐ２００８−１０６００４Ａ）
【公開日】平成２０年５月８日（２００８．５．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２９０４６７（Ｐ２００６−２９０４６７）
【出願日】平成１８年１０月２５日（２００６．１０．２５）
【出願人】（３０４０２１８３１）国立大学法人 千葉大学 (601)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年５月８日（２００８．５．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１０月２５日（２００６．１０．２５）
【出願人】（３０４０２１８３１）国立大学法人 千葉大学 (601)
【Ｆターム（参考）】
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