【課題】レジスト膜の基板等に対する密着性に優れ、パターン倒れが抑制されたレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、エポキシ樹脂（Ｇ）とを含有することを特徴とするレジスト組成物。支持体上に、前記レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、
露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、
エポキシ樹脂（Ｇ）とを含有することを特徴とするレジスト組成物。
【請求項２】
前記エポキシ樹脂（Ｇ）は、その質量平均分子量が５０００〜３００００である請求項１記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記エポキシ樹脂（Ｇ）は、エポキシ基を含む構成単位（ｇ１）のくり返し構造を有するものであり、当該構成単位（ｇ１）の割合が、前記エポキシ樹脂（Ｇ）を構成する全構成単位の合計に対して１０モル％以上である請求項１又は２記載のレジスト組成物。
【請求項４】
前記エポキシ樹脂（Ｇ）の含有量が、前記基材成分（Ａ）１００質量部に対して０．１〜５質量部の範囲内である請求項１〜３のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項５】
前記基材成分（Ａ）が、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ１−１）を含有する請求項１〜４のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項６】
前記樹脂成分（Ａ１−１）が、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有する請求項５記載のレジスト組成物。
【請求項７】
前記樹脂成分（Ａ１−１）が、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有する請求項６記載のレジスト組成物。
【請求項８】
前記樹脂成分（Ａ１−１）が、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）を有する請求項６又は７記載のレジスト組成物。
【請求項９】
前記樹脂成分（Ａ１−１）が、さらに、酸非解離性の脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ４）を有する請求項６〜８のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項１０】
前記樹脂成分（Ａ１−１）が、さらに、下記一般式（ａ５−１）で表される構成単位（ａ５）を有する請求項６〜９のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【化１】

［式（ａ５−１）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｙ^５は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基であり、Ｚは１価の有機基であり；ａは１〜３の整数であり、ｂは０〜２の整数であり、かつ、ａ＋ｂ＝１〜３であり；ｃ、ｄ、ｅはそれぞれ独立して０〜３の整数である。］
【請求項１１】
前記樹脂成分（Ａ１−１）が、さらに、下記一般式（ａ６−１）で表される構成単位（ａ６）を有する請求項６〜１０のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【化２】

［式（ａ６−１）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｙ^３はアルキレン基又は脂肪族環式基であり；ｇ、ｈはそれぞれ独立して０〜３の整数であり；ｉは１〜３の整数である。］
【請求項１２】
さらに、含窒素有機化合物成分（Ｄ）を含有する請求項１〜１１のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項１３】
支持体上に、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【公開番号】特開２０１１−１３５０２（Ｐ２０１１−１３５０２Ａ）
【公開日】平成２３年１月２０日（２０１１．１．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１５８１４５（Ｐ２００９−１５８１４５）
【出願日】平成２１年７月２日（２００９．７．２）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】