説明

位相シフト法による形状測定方法及び測定装置

【課題】小型の装置で、振動のある環境下においても高精度に形状測定が可能な位相シフト法による形状測定方法及び形状測定装置を提供する。
【解決手段】2つのLED12,22と、光路上に設けられた半透明鏡18,28,32,46,66及び参照鏡38と、測定対象物36を垂直移動可能に載置した移動ステージ34を有する。LED12,22の光とは波長の異なるレーザ光を照射するレーザ干渉式測定装置60を備える。LED12,22からの光を測定対象物36の平面に照射するとともに、レーザ光を測定対象物36の平面に照射し、且つLED12,22からの光及びレーザ光を参照鏡38に導いて、測定対象物36からの反射光と参照鏡38からの反射光との干渉像を各々形成する干渉光学系50を備える。レーザ光の干渉像から測定対象物36表面の高さ位置情報を演算する距離演算処理部76と、LED12,22を発光させる発光制御部78とを備える。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、超精密機械、磁気記録部品、集積回路基板等の中間加工製品、または液晶基板等の超高精度の表面形状を有する部材表面を、光干渉を用いて高精度に測定可能な、位相シフト法による形状測定方法及び測定装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、超精密機械部品の製造分野やそれらの品質管理並びに測定分野、最近のコンピュ−タの磁気記録部品やLSI基板の中間加工製品、また液晶基板では数十ナノメ−タから場合によっては数百ミクロンの凹凸を持った加工がなされているが、それらの加工分野では加工精度を高速高精度に評価する必要がある。
【0003】
現在、光干渉を応用した高精度な3次元形状測定装置が種々提供されており、その中でも特許文献1に開示されているような位相シフト法による測定装置が、高さ方向に高精度であることが知られている。
【0004】
特許文献1に開示された位相シフト法を用いた光干渉式形状測定装置は、異なる2つの波長の光を用い、この2種の光を決まった時間間隔で点灯と消灯を切り替えながら交互に点灯させ、測定対象物に照射する。この時、半透過鏡を介して、測定対象物に照射する光と参照鏡に照射する光の2光に各々分光し、それぞれの反射光を、半透過鏡を介して干渉させ、そのときに発生した干渉像をCCDカメラで撮像する。さらに、測定対象物を垂直方向に移動させることにより干渉像の光強度を変化させ、光源の波長で決まる位相シフト量と呼ばれる一定の高さ間隔で複数の干渉像を得る。この位相シフト法による形状測定によれば、CCDカメラの1画素の位置における干渉像の光強度変化を全干渉像から得ることができ、2波長光による位相シフト法を用いて、各画素に対応した位置における高さを計算することができる。そして、CCDカメラの全ての画素において高さを計算することにより、測定対象物の3次元形状が測定できる。
【特許文献1】特開2005−69942号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
位相シフト法では、光源の波長で決まる位相シフト量と呼ばれる一定の高さ間隔で干渉像を取得し、複数の干渉像から測定対象物の高さを計算し表面形状を測定する。そのとき、干渉像を取得する際の、位相シフト量の誤差が小さい必要がある。そのため、位相シフト法の形状測定装置は、位相シフト量の誤差要因の1つである振動を無視できる環境で使用する必要があり、防振機構を施した卓上型装置として構成されているものが多い。
【0006】
一方、生産工場で微細な形状測定を行う要求が増えており、生産機械型装置にこの位相シフト法の形状測定装置を取り付けるには、防振機構が大掛かりになり大型且つ高価な装置となっている。
【0007】
即ち、特許文献1の形状測定装置において振動を除去するためには、防振台などの防振機構を用いるか、又は外部から測定対象物と移動ステージとの間の高さを測定しながら、その測定値を用いて位相シフト量を補正しながら測定する必要がある。
【0008】
防振機構を用いる場合は、防振台に設置可能な卓上式装置となるか、または、測定装置全体を防振するための高剛性な架台が必要なため大掛かりな測定装置となり、いずれの場合も、測定装置の機構に関して制約がある。
【0009】
また、位相シフト量を補正しながら測定する場合、測定対象物から離れた位置で測定対象物と移動ステージとの間の高さを測定すると、測定位置と測定対象物との間に水平方向の距離が発生し、移動ステージが動く際に傾きが発生するため、アッベ誤差と呼ばれる垂直方向の測定誤差が発生する。このことから、精密に高さ測定を行うためには、測定位置は測定対象物上である必要があるが、一般的な高さ測定装置を用いて、測定対象物上における高さ測定を実現するには、測定範囲、測定精度、測定装置の取り付け位置などの課題があり、実現できない。
【0010】
その他、特許文献1とは異なる位相シフト法(例えば、1つの波長の光を用いた方法)を用いた光干渉式形状測定装置においても、機械的に測定対象物の高さを変えながら一定の位相シフト量にて測定する方法では、上記と同様の問題がある。
【0011】
この発明は、上記従来の技術の問題点に鑑みて成されたもので、小型の装置で、振動のある環境下においても高精度に形状測定が可能な位相シフト法による形状測定方法及び形状測定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
この発明は、測定対象物上で位相シフト法による測定対象物の移動距離である位相シフト量よりも細かくかつ高速に高さ測定することにより、振動がある環境において位相シフト量を補正しながら形状測定できるようにした形状測定方法及び形状測定装置である。
【0013】
位相シフト法の形状測定装置では、全ての干渉像を取得した後、1つの位置における干渉像の光強度変化を全干渉像から得ることができ、位相シフト法を用いてその位置における高さを計算することができる。さらに、全ての位置において高さを計算することにより、測定対象物の3次元形状が測定できる。
【0014】
さらに、位相シフト法の形状測定装置では、光源に可視光を用いる場合、最小位相シフト量は約50nmであり、位相シフト量を精密に補正するためには約1nmの分解能で高さ測定を行う必要がある。また、高さ測定には、位相シフト法の形状測定装置の光学系と同軸で、且つ高さ測定で用いる光が位相シフト法の形状測定装置の干渉計を通過可能な光を利用した光学式測定方法を用いる。
【0015】
従って、高さ測定を行う光学式測定方法に、位相シフト法の形状測定装置の光源の波長と異なる波長のレーザ光を使うことにより、位相シフト法の形状測定装置の測定範囲内で1nmの分解能で高さ測定が可能となる。また、測定対象物が移動している間、その高さを測定する必要があるため、ここでの高さ測定には、測定対象物が移動終了後に計算を始める位相シフト法の形状測定装置の測定方法は使えない。そこで、高さが変化しても光強度振幅の最大値の変化が少ないレーザ干渉式測定方法であって、短時間における光路差変化量の測定が可能な方法を用いる。
【0016】
この発明の形状測定方法は、干渉像の位相をシフトさせながら、測定対象の画像をCCDカメラにより所定範囲で捉え、捉えた画像をコンピュ−タに干渉像として複数枚取り込み、取り込んだ画像間の干渉像を上記CCDカメラの各画素毎にデジタル演算し、各画素毎に干渉像の位相とコントラスト(正弦波型変化をする光強度の振幅の変化量)を計算する位相シフト法による測定方法であって、1または波長の異なる2つの光を用いて干渉像をCCDカメラにより受光して交互に記録し、これらの干渉像による位相値から光路差を計算し、測定対象物の表面形状を測定する測定方法である。
【0017】
この測定方法では、測定対象物(もしくはレンズと一体になった参照面)を垂直移動テ−ブルを用いて光軸方向に移動させながら、移動間隔を、移動に伴う位相の変化量がπ×n(nは0以上の整数)±π/4前後として、多くの画像(m=1,2,…,L)を取り込む。この時、奇数番目のシフト後(移動後)は中心波長λ1、偶数番目の移動後は中心波長λ2と、波長の異なる2つのLED光を用いて干渉画像をCCDカメラに交互に記録する。このようにして記録された多くの干渉画像から、奇数番目に相当する波長λ1の記録順の干渉画像を抜き出す。抜き出したものから、例えば連続する5枚(例えばj枚目〜j+4枚目)を取り出し、それらを用いて3枚目の画像記録時(例えばj+2枚目)の位相値と、画像記録値の干渉画像の輝度信号のコントラストを、位相シフト法を用いて計算する(λ1で記録された連続する画像における位相シフト量は、1つ飛びとなるので2π×n(nは0以上の整数)±π/2となる)。
【0018】
このようにして取り込んだλ1の画像総てを用いてj=1から(L/2−1)に関しての位相計算と振幅計算を行い、計算結果からCCDカメラが撮像した測定対象域総ての画素毎に、コントラストが大きい(光路差がλ1×nの近傍となっている)撮像画像順の画像番号k(画素によってkは異なる)を探し出す。探し出した画像は、波長λ1の干渉像であり、CCDカメラでこの直後に記録されている波長λ2の画像に関しても、その前後に記録されたλ2の画像と合わせて、位相シフト法で位相を計算する。波長λ2の位相は波長λ1の位相に関して(交互に記録しているため)位相シフト量分だけ位相が大きい。このシフト量を差し引くと、2つの波長での位相値(λ1の位相はそのまま、λ2は引かれた位相値)の違いは、k記録時の光路差にほぼ比例する。そこで、位相値の違いから大体の光路差を求めた後、その値と求められているλ1(またはλ2)の位相値から、より正確な光路差を得る。これは、1波長の光の位相値のみから光路差を計算する時、図2からわかるように干渉画像により求められる光路差には、λ×n’(λは光の波長、n’は整数)の決定できない項が含まれ、このn’のため、光路差は正しく求められないからである。
【0019】
また、位相シフト法の形状測定方法では、位相シフト量が一定である必要がある。そのため、位相シフト法による干渉画像を取得する光学系を共用したレーザ干渉光学系を設け、このレーザ干渉光学系により測定対象物の高さ位置を測定しながら、所定の高さ位置毎に位相シフト法による光学系の干渉画像を取り込み、その干渉像から測定対象の高さ位置を正確に求める形状測定方法である。
【0020】
レーザ干渉式測定方法は、干渉像の異なる2つの位置A,Bの光強度を利用し、予め振幅の最大値と最小値を求めておくことにより、短時間における2つの位置の光強度の変化から光路差変化量を計算する。光路差変化量を累積した光路差は、係数を掛けて高さ位置情報に変換できる。高さ位置情報を元に所定の位相シフト量に達した高さ位置で、位相シフト法による干渉像を取得することにより、正確な位相シフト量で形状測定が可能となる。
【0021】
位相シフト法の形状測定装置で干渉像を取得する時間に比べ、高さ測定で干渉像を取得する時間は、好ましくは1/100以下である。また、高さ測定に必要な平面上の測定範囲は小さな領域であるため、高さ測定で用いる撮像装置は小領域のもので構わない。
【0022】
この発明は、上述の測定原理を用いたものであって、光の進行方向に沿って測定対象物を移動可能に位置させた状態で、前記測定対象物に対して光を照射し、その光の前記測定対象物からの反射光と参照鏡からの反射光とにより生成される干渉像を半導体イメージセンサで撮像し、前記測定対象物の前記光の進行方向に沿った移動量を、前記光の波長に対する位相シフト量として、前記測定対象物の形状を前記干渉像の光強度情報を基に測定する位相シフト法による形状測定方法であって、レーザ干渉式測定装置を用いて、前記測定対象物の平面に前記光とは波長の異なるレーザ光を照射し、前記光の光路の一部を共用して前記反射鏡にも前記レーザ光を照射して、前記レーザ光の前記測定対象物からの反射光と前記反射鏡からの反射光との干渉像により、前記測定対象物の高さ位置情報を演算し、前記測定対象物の移動量が所定の前記位相シフト量になったことを、前記レーザ干渉式測定装置による前記高さ位置情報により検知して、前記半導体イメージセンサにより前記干渉画像を撮像し、前記位相シフト法により前記測定対象物の形状を前記干渉像の光強度情報を基に測定する位相シフト法による形状測定方法である。
【0023】
またこの発明は、波長の異なる2つの光を、その光の進行方向に沿って測定対象物を移動可能に位置させた状態で、前記測定対象物に対して交互に照射し、その2つの光の前記測定対象物からの反射光と参照鏡からの反射光とにより生成される干渉像を半導体イメージセンサで撮像し、それぞれの光の発光間隔における前記測定対象物の、前記光の進行方向に沿った移動量を、前記光の波長に対する位相シフト量として、前記測定対象物の形状を前記干渉像の光強度情報を基に測定する位相シフト法による形状測定方法であって、レーザ干渉式測定装置を用いて、前記測定対象物の平面に前記2つの光とは波長の異なるレーザ光を照射し、前記2つの光の光路の一部を共用して前記反射鏡にも前記レーザ光を照射して、前記レーザ光の前記測定対象物からの反射光と前記反射鏡からの反射光との干渉像により、前記測定対象物の高さ位置情報を演算し、
前記2つの光の発光タイミングを、前記測定対象物の移動量が所定の前記位相シフト量になったことを、前記レーザ干渉式測定装置による前記高さ位置情報により検知して、前記2つの光を交互に発光させて前記半導体イメージセンサにより前記干渉画像を撮像し、前記位相シフト法により前記測定対象物の形状を前記干渉像の光強度情報を基に測定する位相シフト法による形状測定方法である。
【0024】
前記レーザ干渉式測定装置による前記高さ位置情報は、前記測定対象物の複数の測定点の光強度位置情報を基に検知するものである。
【0025】
また、前記レーザ干渉式測定装置による前記高さ位置情報は、前記測定対象物の一定時間に移動した高さに相当する光路差変化量を基に検知するものである。
【0026】
またこの発明は、波長の異なる光を発する2つのLEDと、このLEDからの光を測定対象物へ照射する光学系の光路上に設けられた半透明鏡及び反射鏡と、前記光の進行方向に沿って測定対象物を移動可能に載置した移動ステージと、前記LEDにより照射された前記測定対象物を撮像する半導体イメージセンサを設け、前記測定対象物に前記LEDからの光を交互に照射し、その2つの光の、前記測定対象物からの反射光と前記参照鏡からの反射光とにより生成される干渉像を前記半導体イメージセンサで撮像し、それぞれの光の発光間隔における前記測定対象物の、前記光の進行方向に沿った移動量を、前記LEDの光の波長に対する位相シフト量として、前記測定対象物の形状を前記干渉像の光強度情報を基に測定する位相シフト法による形状測定装置であって、前記LEDの光とは波長の異なるレーザ光を照射するレーザ干渉式測定装置と、前記LEDからの光を前記測定対象物の平面に照射するとともに、前記レーザ光を前記測定対象物の平面に照射し、且つ前記LEDからの光及び前記レーザ光を前記反射鏡に導いて、前記LEDからの光及び前記レーザ光の、前記測定対象物からの反射光と前記反射鏡からの反射光との干渉像を各々形成する干渉光学系と、前記レーザ干渉式測定装置に設けられ、前記レーザ光の干渉像から前記測定対象物の高さ位置情報を演算する距離演算処理部と、前記測定対象物の移動量が所定の前記位相シフト量になったことを、前記レーザ干渉式測定装置による前記高さ位置情報により検知して、前記LEDを発光させる発光制御部とを設けた位相シフト法による形状測定装置である。
【0027】
前記レーザ干渉式測定装置による前記測定対象物の高さ位置情報の演算時間は、前記2つのLEDの発光時間間隔に対して、1/100以下である。
【0028】
さらに、前記半導体イメージセンサにより、前記LEDからの光の干渉像を読み取るタイミングを、前記発光制御部からの前記LEDの発光タイミングに同期させたものである。
【発明の効果】
【0029】
この発明は、位相シフト法の形状測定装置とレーザ干渉式測定装置を用いて測定対象物を測定する際に、位相シフト法の形状測定装置の光学系とレーザ干渉式測定装置の光学系を一部共用して、測定対象物の高さ位置を正確に測定しながら形状測定を行うことにより、アッベ誤差の影響を受けずに測定対象物の形状測定が可能である。そして、レーザ干渉式測定装置による精密な高さ測定を高速に行うことにより、振動のある環境において位相シフト法に必要な位相シフト量を正確に設定することが可能となり、高精度な形状測定が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0030】
以下、この発明の実施形態について図面に基づいて説明する。この発明の一実施形態の形状測定装置の具体的構成例を図1に示す。この実施形態の形状測定装置は、位相シフト法を用いる光干渉式形状測定装置10とレーザ干渉式測定装置60で構成される。
【0031】
光干渉式形状測定装置10は、オレンジ色等のLED12と、レンズ14、及び所定波長のバンドパスフィルタ16が同軸に配置され、この光学系と直交するように、青色・緑色等のLED22と、レンズ24,及び所定波長のバンドパスフィルタ26が同軸に配置されている。さらに、LED12,22からの光を透過・反射する半透明鏡18,28が設けられている。
【0032】
さらに、測定対象物36へ向かう光軸上には、対物レンズ30が測定対象物36に対向して位置し、測定対象物36に向かう光軸と直角方向には、半透明鏡32を介して参照鏡38が位置している。また、図示しない駆動装置が設けられ測定対象物36が載置される定速垂直移動ステージ34が、上面を水平状態にして設けられている。この対物レンズ30、半透明鏡32、参照鏡38、及び測定対象物36と定速垂直移動ステージ34が干渉光学系50を形成している。
【0033】
さらに、対物レンズ30の光軸上方には、測定対象物36からの反射光を受光するCCDイメージセンサを内蔵したCCDカメラ40とレンズ42、バンドパスフィルタ44が設けられている。バンドパスフィルタ44は、LED12,22の光は通過させるが、後述するレーザ光源62のレーザ光は遮蔽するものである。CCDカメラ40の出力は、測定対象物36の形状を演算する形状演算処理部48に接続されている。
【0034】
また、レーザ干渉式測定装置60には、半透明鏡46,66を介してレーザダイオード等のレーザ光源62とレンズ64が同軸に設けられている。レーザ光源62のレーザ光の波長は、LED12,22の光の波長とは異なるものである。さらに、半透明鏡66を介して、CCDイメージセンサを内蔵したCCDカメラ70、レンズ72、及びバンドパスフィルタ74が設けられている。バンドパスフィルタ74は、レーザ光源62のレーザ光は通過させるが、LED12,22からの光は遮蔽するものである。CCDカメラ70は、1ラインの直線像を取得できる構造であれば良く、CCDカメラ40に比べ100倍以上の速度で画像を取得できるものである。
【0035】
CCDカメラ70の出力は、測定対象物36表面の高さ位置情報を演算する距離演算処理部76に接続されている。距離演算処理部76の出力は、測定対象物36の移動量が所定の位相シフト量になったことを検知して、LED12,22を発光させる測定コンピュータ等の発光制御部78に接続されている。
【0036】
この実施形態の形状測定装置は、LED12,22から照射された光が、レンズ14,24、半透明鏡18を通り、半透明鏡28で垂直方向下方へ向かい、対物レンズ30で集光する。この光は、半透明鏡32で2光に分光し、一方は測定対象物36で反射し、もう一方は参照鏡38で反射し、半透明鏡32で重なり、干渉する。ここで干渉した光の干渉像は、対物レンズ30、半透明鏡28を通り、半透明鏡46で2光に分光し、一方は直進して、バンドパスフィルタ44、レンズ42を通り、CCDカメラ40に入り、干渉像が撮像される。また他方は、半透明鏡46で反射し、半透明鏡66で2光に分光し、反射された光はバンドパスフィルタ74で遮蔽され、CCDカメラ70には入射しない。
【0037】
また、レーザ光源62から出射されたレーザ光は、レンズ64、半透明鏡66を通り、半透明鏡46で垂直方向下方へ向かい、半透明鏡28を通り、対物レンズ30で集光する。このレーザ光は、半透明鏡32で2光に分光し、一方は測定対象物36で反射し、もう一方は参照鏡38で反射し、半透明鏡32で重なり、干渉する。ここで干渉したレーザ光の干渉像は、対物レンズ30、半透明鏡28を通り、半透明鏡46で2光に分光し、一方は直進するが、バンドパスフィルタ44で遮光されるため、CCDカメラ40には入らない。もう一方は、半透明鏡66で2光に分光し、バンドパスフィルタ74、レンズ72を通り、CCDカメラ70に入り、干渉像が撮像される。
【0038】
次に、この実施形態の形状測定装置による測定方法について述べる。まず、垂直移動テーブル34に測定対象物36を載せ、垂直移動テーブル34を垂直方向に定速で移動させる。このとき、LED12,22を交互に発光させる。発光タイミングは、レーザ干渉式測定装置60の距離演算処理部76による高さ位置情報を基に、測定された測定対象物36の特定位置の高さ位置から、一定の位相間隔になる度に、発光制御部78から信号を出力し、LED12,22を発光させる。CCDカメラ40のCCDの各画素は、発光制御部78からの発光タイミング信号に同期して、LED12またはLED22の光の干渉像を高速に光電変換し、干渉像の光強度を電気信号に変換する。
【0039】
ここで、CCDカメラ70は、フレームレートが例えば58000frame/sの高速で読み取るもので、CCDカメラ40で取得する干渉像のフレームレートの250frame/sに対して、200倍以上高速、好ましくは1000倍、またはそれ以上で画像読み取りを行い測定する。CCDカメラ70で取得する干渉像を測定し、光路差変化量を高速で算出することにより、光路差変化量を累積した光路差は係数を掛けて高さ位置情報に変換することができる。
【0040】
CCDカメラ40で取得した干渉像の輝度である光強度と光路差の関係は、図2に示すような形となる。図2に示した光強度の変化は正弦波型変化の減衰形状(包絡線形状)を有している。今、定速垂直移動テーブル34を移動させ、CCDカメラ40によりLED12とLED22の干渉像の画面(LED12とLED22の光の波長λ1もしくは波長λ2の画像)を位相シフトが2π×n(nはここでは2とする)+α(αはπ/2前後)となるように設定し、さらにLED12とLED22を交互に(1画像取込時間の間隔で)発光させ、CCDカメラ40の画像取り込みにより記録する。CCDカメラ40は、図2の(1),(1’),(2),(2’),(3),(3’),・・と変化していく光強度を取り込むことになる。
【0041】
ここで(j)の所の光強度をIjとし、位相シフト量は波長で異なるが所定のαとする。取り込まれた信号から以下の式で各波長でのj取り込み時の位相値φjとコントラストAjを計算する。
φj=arg[2×i×sin(α)×(Ij−1−Ij+1
+(2×I−Ij+2−Ij−2)] (1)
Aj=√[4×(sin(α)×(Ij−1−Ij+1
+(2×I−Ij+2−Ij−2] (2)
【0042】
波長λ1の干渉画像においてコントラストAjが最も大きくなる画像取り込み番号kを探しだす。そこで、j=kの位相値φkを計算する。この位相値は取り込まれる時点に応じて図3に示すように、−πからπまでの値となる。もし、同時刻に2つの波長での干渉画像が別々に取り込まれていたとすると、λ1とλ2ではその位相値の差が図4に示すように光路差に比例して変わっている。従って、この差とλ1の位相値から画像kを取り込んだ時点での光路差を正確に決定できる。実際は同時刻でないので、λ2の位相に関しては位相シフト量だけ補正し、同時刻の場合を計算する。コントラストAjの計算は実際には精度が悪く、光路差がゼロ付近であることを示すだけで、包絡線のピ−クを正しく特定できない。しかし、この精度でも図3でλ1とλ2での位相値の差が結果として2πずれて、見かけ上で同じ位相差の値となる領域同士(図3の領域Aと領域B)の識別は十分できる。
【0043】
以上より、画像取り込み周期での定速移動テーブルの移動量、画像番号k、k取り込み時の光路差から、画素毎の高さ位置を計算し、測定対象物の形状を求める。
【0044】
次に、レーザ干渉式測定装置60による測定方法について説明する。CCDカメラ70で取得する干渉像の異なる2画素を画素A、画素Bとすると、時間tにおける画素A,画素Bの光強度I(t),I(t)は式3、式4で表せる。
(t)=IAM×cos[2×k×h(t)+φ]+IA0 (3)
(t)=IBM×cos[2×k×h(t)+φ]+IB0 (4)
AM,IBM :画素A,画素Bの干渉の振幅
k :波数
h(t) :時間tにおける光路差
φ,φ :h(t)=0のときの画素A,画素Bの初期位相
A0,IB0 :画素A,画素Bの光強度のバックグラウンド
【0045】
ここで、I(t),I(t)のそれぞれの最大値IAMAX,IBMAX,最小値IAMIN,IBMINを求めると、式5〜式8で表せる。
AMAX=IAM+IA0 (5)
AMIN=−IAM+IA0 (6)
BMAX=IBM+IB0 (7)
BMIN=−IBMM+IB0 (8)
【0046】
式5〜式8を使って式3,式4を余弦項のみの規格化を行うと、時間tにおける画素A,画素Bの規格化した光強度INA(t),INB(t)は式9,式10で表せる。
NA(t)=cos[2×k×h(t)+φ] (9)
=[2×I(t)−{IAMAX+IAMIN}]/{IAMAX−IAMIN
NB(t)=cos[2×k×h(t)+φ] (10)
=[2×I(t)−{IBMAX+IBMIN}]/{IBMAX−IBMIN
【0047】
式9と式10の和IADD(t)と差ISUB(t)を考えると、それぞれ式11,式12となる。
ADD(t)=cos[2×k×h(t)+φ]+cos[2×k×h(t)+φ] =2×cos[{4×k×h(t)+φ+φ}/2]
×cos[{φ−φ}/2] (11)
SUB(t)=cos[2×k×h(t)+φ]−cos[2×k×h(t)+φ
=−2×sin[{4×k×h(t)+φ+φ}/2]
×sin[{φ−φ}/2] (12)
【0048】
式11,式12の右辺第2因子は位相{φ−φ}/2の関数であり、この位相は画素Aと画素Bでの光路差の違いに依存した値であることから、定速垂直移動テーブル34が移動し測定対象物36の高さが変化する状況において変化しないため、定数として考えることができる。
【0049】
この条件の下、式11,式12を規格化すると、規格化した和INADD(t)と規格化した差INSUB(t)はそれぞれ式13,式14となる。
NADD(t)=cos[{4×k×h(t)+φ+φ}/2] (13)
=IADD(t)/(2×cos[{φ−φ}/2])
NSUB(t)=−sin[{4×k×h(t)+φ+φ}/2] (14)
=ISUB(t)/(2×sin[{φ−φ}/2])
【0050】
式5〜式10及び式13、式14を使って、時間tにおける光路差h(t)について整理すると式15となる。
h(t)=1/(2×k)×tan−1[1/−e×{(2×I(t)−a)×d
−(2×I(t)−c)×b}/{(2×I(t)−a)×d
+(2×I(t)−c)×b}]−(φ+φ)/(4×k) (15)
【0051】
a=IAMAX+IAMIN
b=IAMAX−IAMIN
c=IBMAX+IBMIN
d=IBMAX−IBMIN
e=tan[{φ−φ}/2]
時間t=tから時間t=tの間の光路差変化量Δh(t−t)は式16となる。
Δh(t−t)=h(t)−h(t) (16)
=1/(2×k)×tan−1[1/−e×{(2×I(t)−a)×d
−(2×I(t)−c)×b}/{(2×I(t)−a)×d
+(2×I(t)−c)×b}]
−1/(2×k)×tan−1[1/−e×{(2×I(t)−a)×d
−(2×I(t)−c)×b}/{(2×I(t)−a)×d
+(2×I(t)−c)×b}]
【0052】
式16を高速で計算することを考えると、時間t1から時間t2は大変短い時間であり、光路差変化量は大変小さいと考えられるため、近似式tan−1α=α(αが大変小さいとき)を利用して、式17とすることができる。
Δh(t−t
=1/(2×k)
×[[1/−e×{(2×I(t)−a)×d−(2×I(t)−c)×b}
/{(2×I(t)−a)×d+(2×I(t)−c)×b}]
−[1/−e×{(2×I(t)−a)×d−(2×I(t)−c)×b}
/{(2×I(t)−a)×d+(2×I(t)−c)×b}]] (17)
a=IAMAX+IAMIN
b=IAMAX−IAMIN
c=IBMAX+IBMIN
d=IBMAX−IBMIN
e=tan[{φ−φ}/2]
【0053】
定速垂直移動テーブル34の移動開始直後から数周期の移動の間に取得する干渉像の光強度の変化から、式5〜式8を求める。この計算後、短い時間若しくは数周期であれば、その間での光強度の最大値,最小値の変化はごくわずかであり、近似的に一定と考えることができる。このことから、ある周期内での光強度の最大値,最小値は一定として考えることができ、式16の因子a〜dを定数として計算することができる。これにより、測定対象物36の光路差変化量Δh(t−t)は画素A,画素Bの光強度I(t),I(t)から計算することがでる。
【0054】
この発明の実施形態では、CCDカメラ40で取得する干渉像の100倍以上の速さで、CCDカメラ70で取得する干渉像を測定することにより、光路差変化量を高速で計算することができ、光路差変化量を累積した光路差は係数を掛けて高さ位置情報に変換できる。高さ位置情報を元に、所定の位相シフト量に達した高さ位置で干渉像を取得することにより、正確な位相シフト量で形状測定が可能となる。また、振動があった場合、CCDカメラ70の干渉像取得に対する周期に比べ振動の周期が低い場合には、光路差変化量が小さく十分追従可能なため、振動の元での高さと位相シフト量との補正が可能である。
【0055】
さらに、この実施形態の構成では、LED12,22及びレーザ光源62からの光は、対物レンズ30、半透明鏡32、定速垂直移動ステージ34上の測定対象物36、及び参照鏡38で構成する干渉光学系50を共用している。これにより、測定対象物36の同一表面上で、レーザ干渉式測定装置60による光路長測定、即ち測定対象物36の高さ位置測定と、形状測定装置10による表面形状測定が、コンパクトな装置で正確に実現可能となる。なお、LED12,22の一方のみを用いて位相シフト法により、形状測定しても良いものである。
【実施例1】
【0056】
次に、測定対象物36の具体的な測定結果について述べる。図1に示す構造の装置を用いて、図5に示す滑らかな表面の測定を行った。この測定対象物36は表面に85nmの段差がついているものであり、ここでは、2段になっている表面の片側にある2点であり、CCDカメラ70で取得する干渉像上の画素A,画素Bにて、レーザ干渉式測定装置60により光路差を測定し、高さへ変換した。レーザ干渉式測定装置60では干渉像を約50000枚/秒で取得した。定速垂直移動ステージ34が96μm動いたときのレーザ干渉式測定装置60の高さ測定値を図6に示す。定速垂直移動ステージ34の移動量とレーザ干渉式測定装置60の高さ測定値の直線性が確認できた。
【0057】
この発明の形状測定装置により、振動環境下で形状測定した例を図7に示す。ここでは、測定対象物36の測定を、正弦波振動で振幅100nm、周波数10Hzの振動環境で行った。その結果、図7に示すように、ナノメートルオーダーで振動環境下でも正確に形状測定可能であることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【0058】
【図1】この発明の一実施形態の位相シフト法による式測定装置の概略を示す斜視図である。
【図2】この発明の一実施形態の位相シフト法による測定において光路差と干渉画像の光強度との関係を示すグラフである。
【図3】この発明の一実施形態の位相シフト法による測定において光路差と位相差との関係を示すグラフである。
【図4】この発明の一実施形態の位相シフト法による測定において異なる波長により測定した場合の光路差と位相値の差の関係を示すグラフである。
【図5】この発明の形状測定装置による形状測定に用いた測定対象物の平面図と正面図である。
【図6】この発明の形状測定装置による定速垂直移動ステージの移動量とレーザ干渉式測定装置の測定値の関係を示すグラフである。
【図7】この発明の形状測定装置により、振動のある環境下で形状測定を行った測定データの3次元グラフである。
【符号の説明】
【0059】
10 形状測定装置
12,22 LED
14,24,30,42,64,72 レンズ
16,26,44,74 バンドパスフィルタ
18,28,32,46,66 半透明鏡
34 定速垂直移動テーブル
36 測定対象物
38 参照鏡
40,70 CCDカメラ
48 形状演算処理部
50 干渉光学系
60 レーザ干渉式測定装置
62 レーザ光源
76 距離演算処理部
78 発光制御部

【特許請求の範囲】
【請求項1】
光の進行方向に沿って測定対象物を移動可能に位置させた状態で、前記測定対象物に対して光を照射し、その光の前記測定対象物からの反射光と参照鏡からの反射光とにより生成される干渉像を半導体イメージセンサで撮像し、前記測定対象物の前記光の進行方向に沿った移動量を、前記光の波長に対する位相シフト量として、前記測定対象物の形状を前記干渉像の光強度情報を基に測定する位相シフト法による形状測定方法において、
レーザ干渉式測定装置を用いて、前記測定対象物の平面に前記光とは波長の異なるレーザ光を照射し、前記光の光路の一部を共用して前記反射鏡にも前記レーザ光を照射して、前記レーザ光の前記測定対象物からの反射光と前記反射鏡からの反射光との干渉像により、前記測定対象物の高さ位置情報を演算し、
前記測定対象物の移動量が所定の前記位相シフト量になったことを、前記レーザ干渉式測定装置による前記高さ位置情報により検知して、前記半導体イメージセンサにより前記干渉画像を撮像し、前記位相シフト法により前記測定対象物の形状を前記干渉像の光強度情報を基に測定することを特徴とする位相シフト法による形状測定方法。
【請求項2】
波長の異なる2つの光を、その光の進行方向に沿って測定対象物を移動可能に位置させた状態で、前記測定対象物に対して交互に照射し、その2つの光の前記測定対象物からの反射光と参照鏡からの反射光とにより生成される干渉像を半導体イメージセンサで撮像し、それぞれの光の発光間隔における前記測定対象物の、前記光の進行方向に沿った移動量を、前記光の波長に対する位相シフト量として、前記測定対象物の形状を前記干渉像の光強度情報を基に測定する位相シフト法による形状測定方法において、
レーザ干渉式測定装置を用いて、前記測定対象物の平面に前記2つの光とは波長の異なるレーザ光を照射し、前記2つの光の光路の一部を共用して前記反射鏡にも前記レーザ光を照射して、前記レーザ光の前記測定対象物からの反射光と前記反射鏡からの反射光との干渉像により、前記測定対象物の高さ位置情報を演算し、
前記2つの光の発光タイミングを、前記測定対象物の移動量が所定の前記位相シフト量になったことを、前記レーザ干渉式測定装置による前記高さ位置情報により検知して、前記2つの光を交互に発光させて前記半導体イメージセンサにより前記干渉画像を撮像し、前記位相シフト法により前記測定対象物の形状を前記干渉像の光強度情報を基に測定することを特徴とする位相シフト法による形状測定方法。
【請求項3】
前記レーザ干渉式測定装置による前記高さ位置情報は、前記測定対象物の複数の測定点の光強度情報を基に検知することを特徴とする請求項1または2記載の位相シフト法による形状測定方法。
【請求項4】
前記レーザ干渉式測定装置による前記高さ位置情報は、前記測定対象物の一定時間に移動した高さに相当する光路差変化量を基に検知することを特徴とする請求項1または2記載の位相シフト法による形状測定方法。
【請求項5】
波長の異なる光を発する2つのLEDと、このLEDからの光を測定対象物へ照射する光学系の光路上に設けられた半透明鏡及び反射鏡と、前記光の進行方向に沿って測定対象物を移動可能に載置した移動ステージと、前記LEDにより照射された前記測定対象物を撮像する半導体イメージセンサを設け、前記測定対象物に前記LEDからの光を交互に照射し、その2つの光の、前記測定対象物からの反射光と前記参照鏡からの反射光とにより生成される干渉像を前記半導体イメージセンサで撮像し、それぞれの光の発光間隔における前記測定対象物の、前記光の進行方向に沿った移動量を、前記LEDの光の波長に対する位相シフト量として、前記測定対象物の形状を前記干渉像の光強度情報を基に測定する位相シフト法による形状測定装置において、
前記LEDの光とは波長の異なるレーザ光を照射するレーザ干渉式測定装置と、
前記LEDからの光を前記測定対象物の平面に照射するとともに、前記レーザ光を前記測定対象物の平面に照射し、且つ前記LEDからの光及び前記レーザ光を前記反射鏡に導いて、前記LEDからの光及び前記レーザ光の、前記測定対象物からの反射光と前記反射鏡からの反射光との干渉像を各々形成する干渉光学系と、
前記レーザ干渉式測定装置に設けられ、前記レーザ光の干渉像から前記測定対象物の高さ位置情報を演算する距離演算処理部と、
前記測定対象物の移動量が所定の前記位相シフト量になったことを、前記レーザ干渉式測定装置による前記高さ位置情報により検知して、前記LEDを発光させる発光制御部とを設けたことを特徴とする位相シフト法による形状測定装置。
【請求項6】
前記レーザ干渉式測定装置による前記測定対象物の高さ位置情報の演算時間は、前記2つのLEDの発光時間間隔に対して、1/100以下であることを特徴とする請求項5記載の位相シフト法による形状測定装置。
【請求項7】
前記半導体イメージセンサにより、前記LEDからの光の干渉像を読み取るタイミングを、前記発光制御部からの前記LEDの発光タイミングに同期させたことを特徴とする請求項5記載の位相シフト法による形状測定装置。


【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【公開番号】特開2010−14444(P2010−14444A)
【公開日】平成22年1月21日(2010.1.21)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−172666(P2008−172666)
【出願日】平成20年7月1日(2008.7.1)
【出願人】(504160781)国立大学法人金沢大学 (282)
【出願人】(591124721)立山マシン株式会社 (36)
【Fターム(参考)】