【課題】有機電界発光素子の青色発光材料として用いた場合、色度が優れた化合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される構造（下記一般式（１）で表される構造から少なくとも１つの水素原子を除いた残基の構造を含む）を含むことを特徴とする化合物。
【化１】


（式（１）中、Ａ環、Ｂ環及びＣ環はそれぞれ独立に単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。）

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規化合物の製造方法、及びこれらの新規化合物の合成原料として用いられる化合物、並びに、これらの新規化合物を含有するインク組成物、これらの新規化合物を含有する薄膜、これらの新規化合物を含有する有機トランジスタ、これらの新規化合物を含有する有機電界発光素子及びこのような素子を用いた面状光源及び表示材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子の製造に有用な発光材料や電荷輸送材料が種々検討されている。例えば、「Ｐｏｌｙｍｅｒ ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ」、２００１年発行、４２巻（２号）、５８７頁（非特許文献１）には、繰返し単位として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−ブチルフェニル）−１，４−ジアミノベンゼンの構造を有する化合物等のアミン化合物が開示されている。
【非特許文献１】「Ｐｏｌｙｍｅｒ ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ」、２００１年発行、４２巻（２号）、５８７頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、上記の化合物は、有機電界発光素子の青色発光材料として用いた場合、色度が十分ではないという問題があった。また、有機電界発光素子とした時に従来のアミン化合物では駆動電圧が高いという問題があった。
【０００４】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、有機電界発光素子の青色発光材料として用いた場合、色度が優れた化合物を提供すること、並びに有機電界発光素子とした時の駆動電圧を下げることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−ブチルフェニル）−１，４−ジアミノベンゼンの構造を炭素原子で架橋した構造を有する化合物において、この架橋炭素上の置換基を適宜選択することにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
すなわち、本発明の化合物は、下記一般式（１）：
【０００７】
【化１】

【０００８】
（式（１）中、Ａ環、Ｂ環及びＣ環はそれぞれ独立に単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。）
で表される構造（一般式（１）で表される構造から少なくとも１つの水素原子を除いた残基の構造を含む）を含むことを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の化合物の製造方法は、下記一般式（７）：
【００１０】
【化２】

【００１１】
（式（７）中、Ａ環、Ｂ環及びＣ環はそれぞれ独立に単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｘ^１、Ｘ^２はそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を表す。）
で表される化合物を原料として重合する工程を含むことを特徴とする方法である。
【００１２】
さらに、本発明の化合物にかかる合成原料は、前記一般式（１）で表される構造を含む化合物を得るためのものである。
【００１３】
また、本発明の組成物は、前記化合物、並びに、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選択される少なくとも１種類の材料を含有することを特徴とするものである。さらに、本発明のインク組成物は、前記化合物又は前記組成物を含有することを特徴とするものである。また、本発明の薄膜は、前記化合物又は前記組成物を含有することを特徴とするものである。
【００１４】
さらに、本発明の有機トランジスタは、前記薄膜を有することを特徴とするものである。また、本発明の有機電界発光素子は、陽極及び陰極からなる電極間に、前記化合物又は前記組成物を含む有機層を有することを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の面状光源は、前記有機電界発光素子を備えることを特徴とするものである。さらに、本発明の表示装置は、前記有機電界発光素子を備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、有機電界発光素子の青色発光材料として用いた場合、色度が優れた化合物を提供することが可能となる。そして、本発明の化合物を用いた有機電界発光素子は、低駆動電圧である。本発明の化合物は、通常、発光材料や電荷輸送材料として有用であり、且つ有機電界発光素子に用いた場合には、発光波長が短いものである。また、本発明の化合物を含む青色の発光部と緑色や赤色等の発光部とを共存させた場合、緑色や赤色、白色の発光部としても有用に使用できる。
【００１７】
したがって、本発明の化合物は有機トランジスタや有機電界発光素子に有用である。さらに、本発明の有機電界発光素子は、面状光源、表示装置（例えば、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置等の表示装置、液晶表示装置のバックライト）に有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。
【００１９】
本発明の化合物は、下記一般式（１）で表される構造（下記一般式（１）で表される構造から少なくとも１つの水素原子を除いた残基の構造を含む）を含むものである。
【００２０】
【化３】

【００２１】
一般式（１）において、Ａ環、Ｂ環及びＣ環はそれぞれ独立に単環の芳香環又は縮合した芳香環を表す。また、Ａ環、Ｂ環及びＣ環はそれぞれ置換基を有していてもよい。
【００２２】
このような芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、ペリレン環、テトラセン環、ペンタセン環、フルオレン環等の芳香族炭化水素環；ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、チオフェンオキシド環、ベンゾチオフェンオキシド環、ジベンゾチオフェンオキシド環、フラン環、ベンゾフラン環、ピロール環、インドール環、ジベンゾピロール環、シロール環、ベンゾシロール環、ジベンゾシロール環、ボロール環、ベンゾボロール環、ジベンゾボロール環等の複素芳香環が挙げられる。これらの中でも、耐熱性、蛍光強度、素子特性等の観点から、芳香族炭化水素環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環がより好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。
【００２３】
また、Ａ環、Ｂ環及びＣ環が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基が挙げられる。
【００２４】
ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【００２５】
アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよい。このようなアルキル基の炭素数は通常１〜３０程度、溶媒への溶解性の観点から好ましくは３〜１５程度である。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基が挙げられる。これらの中でも、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等と耐熱性とのバランスという観点から、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【００２６】
アルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよい。このようなアルコキシ基の炭素数は通常１〜３０程度、溶媒への溶解性の観点から好ましくは３〜１５程度である。このようなアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基が挙げられる。これらの中でも、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等と耐熱性とのバランスという観点から、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【００２７】
アルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよい。このようなアルキルチオ基の炭素数は通常１〜３０程度、溶媒への溶解性の観点から好ましくは３〜１５程度である。このようなアルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基が挙げられる。これらの中でも、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等と耐熱性とのバランスという観点から、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
【００２８】
アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。このようなアリール基の炭素数は通常６〜６０程度、好ましくは６〜３０程度である。このようなアリール基としては、例えば、フェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基（Ｃ_１〜Ｃ_１２は、Ｃ_１〜Ｃ_１２の直後に示す有機基の炭素数（ここでは、アルコキシフェニル基のうちのアルコキシ基中の炭素数）が１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基が挙げられる。これらの中でも、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点から、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基が好ましい。また、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基としては、例えば、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、ｉ−プロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ｉ−ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基が挙げられる。さらに、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基としては、例えば、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基が挙げられる。
【００２９】
アリールオキシ基においては、炭素数が通常６〜６０程度であり、好ましくは６〜３０程度である。このようなアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられる。これらの中でも、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点から、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基が好ましい。また、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基としては、例えば、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、ｉ−プロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、ｉ−ブトキシフェノキシ基、ｔ−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基が挙げられる。さらに、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基としては、例えば、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１,３,５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基が挙げられる。
【００３０】
アリールチオ基においては、炭素数が通常６〜６０程度であり、好ましくは６〜３０程度である。このようなアリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基が挙げられる。これらの中でも、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点から、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルチオ基が好ましい。
【００３１】
アリールアルキル基においては、炭素数が通常７〜６０程度であり、好ましくは７〜３０程度である。このようなアリールアルキル基としては、例えば、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基が挙げられる。これらの中でも、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点から、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基が好ましい。
【００３２】
アリールアルコキシ基においては、炭素数が通常７〜６０程度であり、好ましくは７〜３０程度である。このようなアリールアルコキシ基としては、例えば、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基などのフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基が挙げられる。これらの中でも、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点から、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基が好ましい。
【００３３】
アリールアルキルチオ基においては、炭素数が通常７〜６０程度であり、好ましくは７〜３０程度である。このようなアリールアルキルチオ基としては、例えば、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基が挙げられる。これらの中でも、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点から、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基が好ましい。
【００３４】
アルケニル基においては、炭素数が２〜３０程度であり、好ましくは２〜１５程度である。このようなアルケニル基としては、例えば、ビニル基、１−プロピレニル基、２−プロピレニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、シクロヘキセニル基が挙げられる。また、このようなアルケニル基には、１，３−ブタジエニル基、シクロヘキサ−１，３−ジエニル基、１，３，５−ヘキサトリエニル基等のジエニル基やトリエニル基も含まれる。
【００３５】
アルキニル基においては、炭素数が２〜３０程度であり、好ましくは２〜１５程度である。このようなアルキニル基としては、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピレニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、シクロヘキシルエチニル基が挙げられる。また、このようなアルキニル基には、１，３−ブタジイニル基等のジイニル基も含まれる。
【００３６】
２置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選択される２個の基で置換されたアミノ基が挙げられる。このような２置換アミノ基において、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基はそれぞれ置換基を有していてもよい。また、このような２置換アミノ基の炭素数は、アルキル基等が有する置換基の炭素数を含めないで通常２〜６０程度、好ましくは２〜３０程度である。このような２置換アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、ジ−ｔ−ブチルアミノ基、ジペンチルアミノ基、ジヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジヘプチルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ジ−２−エチルヘキシルアミノ基、ジノニルアミノ基、ジデシルアミノ基、ジ−３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ジラウリルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノ基、ジ−１−ナフチルアミノ基、ジ−２−ナフチルアミノ基、ジペンタフルオロフェニルアミノ基、ジピリジルアミノ基、ジピリダジニルアミノ基、ジピリミジルアミノ基、ジピラジルアミノ基、ジトリアジルアミノ基、ジ（フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基が挙げられる。
【００３７】
３置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選択される３個の基で置換されたシリル基が挙げられる。このような３置換シリル基の炭素数は通常３〜９０程度、好ましくは３〜４５程度である。なお、このような３置換シリル基において、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。このような３置換シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基が挙げられる。
【００３８】
アシル基においては、炭素数が通常２〜３０程度であり、好ましくは２〜１５程度である。このようなアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基が挙げられる。
【００３９】
アシルオキシ基においては、炭素数が通常２〜３０程度であり、好ましくは２〜１５程度である。このようなアシルオキシ基としては、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基が挙げられる。
【００４０】
イミン残基においては、炭素数が２〜３０程度であり、好ましくは２〜１５程度である。このようなイミン残基としては、例えば以下に示す構造式で表される基が挙げられる。なお、以下に示す構造式において、波線はｓｙｎ又はａｎｔｉを表し、ｓｙｎであってもａｎｔｉであってもよい。
【００４１】
【化４】

【００４２】
アミド基においては、炭素数が通常２〜３０程度であり、好ましくは２〜１５程度である。このようなアミド基としては、例えば、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。
【００４３】
酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられる。このような酸イミド基の炭素数は４〜３０程度、好ましくは４〜１５程度である。このような酸イミド基としては、例えば以下に示す構造式で表される基が挙げられる。
【００４４】
【化５】

【００４５】
１価の複素環基とは、複素環式化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいう。このような１価の複素環基の炭素数は通常２〜３０程度、好ましくは２〜１５程度である。なお、このような１価の複素環基において、複素環は置換基を有していてもよいが、炭素数には、複素環上の置換基の炭素数は含まれない。また、ここで複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。このような１価の複素環基としては、例えば、チエニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基が挙げられる。これらの中でも、１価の芳香族複素環基が好ましく、特に、チエニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジル基が好ましい。
【００４６】
置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基が挙げられる。このような置換カルボキシル基の炭素数は通常２〜３０程度、好ましくは２〜１５程度である。このような置換カルボキシル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基が挙げられる。なお、このような置換カルボキシル基において、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。また、置換カルボキシル基の炭素数にはアルキル基等の有する置換基の炭素数は含まれない。
【００４７】
ヘテロアリールオキシ基（Ｑ^１−Ｏ−で表される基、Ｑ^１は１価の複素環基を表す）においては、炭素数が通常２〜３０程度であり、好ましくは２〜１５程度である。なお、このようなヘテロアリールオキシ基において、１価の複素環基は置換基を有していてもよいが、ヘテロアリールオキシ基の炭素数には、１価の複素環基上の置換基の炭素数は含まれない。このようなヘテロアリールオキシ基としては、例えば、チエニルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニルオキシ基、ピロリルオキシ基、フリルオキシ基、ピリジルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジルオキシ基、イミダゾリルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、トリアゾリルオキシ基、オキサゾリルオキシ基、チアゾールオキシ基、チアジアゾールオキシ基が挙げられる。また、Ｑ^１としては１価の芳香族複素環基が好ましい。
【００４８】
ヘテロアリールチオ基（Ｑ^２−Ｓ−で表される基、Ｑ^２は１価の複素環基を表す）においては、炭素数が通常２〜３０程度であり、好ましくは２〜１５程度である。なお、このようなヘテロアリールチオ基において、１価の複素環基は置換基を有していてもよいが、ヘテロアリールチオ基の炭素数には、１価の複素環基上の置換基の炭素数は含まれない。このようなヘテロアリールチオ基としては、チエニルメルカプト基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニルメルカプト基、ピロリルメルカプト基、フリルメルカプト基、ピリジルメルカプト基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジルメルカプト基、イミダゾリルメルカプト基、ピラゾリルメルカプト基、トリアゾリルメルカプト基、オキサゾリルメルカプト基、チアゾールメルカプト基、チアジアゾールメルカプト基が挙げられる。また、Ｑ^２としては１価の芳香族複素環基が好ましい。
【００４９】
前記一般式（１）において、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表す。
【００５０】
本明細書において、１価の基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、３置換シリル基、アシル基、１価の複素環基、置換カルボキシル基が挙げられる。
【００５１】
これらのアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、３置換シリル基、アシル基、１価の複素環基及び置換カルボキシル基としては、Ａ環、Ｂ環及びＣ環が有していてもよい置換基に例示の基と同様のものが挙げられる。
【００５２】
化合物の安定性の観点から、Ｒ^１及びＲ^４は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基であることが好ましく、アリール基であることがより好ましい。
【００５３】
前記一般式（１）において、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。
【００５４】
Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６で表されるアルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよいが置換基を有しない。このようなアルキル基の炭素数は通常１〜３０程度、溶媒への溶解性の観点から、好ましくは３〜１５程度である。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基が挙げられる。これらの中でも、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等と耐熱性とのバランスという観点から、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【００５５】
Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６で表されるアリール基、アリールアルキル基、アルケニル基及びアルキニル基としては、Ａ環、Ｂ環及びＣ環が有していてもよい置換基に例示の基と同様のものが挙げられる。
【００５６】
化合物の合成の容易さの観点から、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基であることが好ましい。
【００５７】
さらに、前記一般式（１）で表される構造の合成の容易さの観点から、前記一般式（１）で表される構造がＣ２対称である場合が好ましい。
【００５８】
また、化合物の発光がより短波長となり、青色としての純度が高くなるという観点から、前記一般式（１）におけるＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６がそれぞれ独立に水素原子又は１価の炭化水素基であることが好ましい。さらに、通電した時の安定性の観点から、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６がそれぞれ独立に１価の炭化水素基であることが好ましい。ここで、「１価の炭化水素基」とは、炭素原子及び水素原子のみからなる基であって、脂肪族の基であっても芳香族の基であってもよい。
【００５９】
また、耐熱性、製膜性の観点から、前記一般式（１）におけるＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６がそれぞれ独立に下記一般式（２）で表される基であることが好ましい。
【００６０】
【化６】

【００６１】
一般式（２）において、＊は炭素原子との結合手を表す。また、Ｒ^７は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、２置換アミノ基又は３置換シリル基を表す。さらに、ｍは０から５までの整数を表す。また、ｍが２以上の場合、Ｒ⁷は同じであっても異なっていてもよい。
【００６２】
このようにＲ^７で表される、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、２置換アミノ基又は３置換シリル基としては、Ａ環、Ｂ環及びＣ環が有していてもよい置換基として例示した基と同様のものが挙げられる。これらの中でも、化合物の安定性の観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、２置換アミノ基が好ましい。
【００６３】
また、化合物の溶解性の観点から、Ｒ^７は炭素数３以上のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、２置換アミノ基であることが好ましく、中でも炭素数３以上のアルキル基が好ましい。
【００６４】
前記一般式（２）として更に好ましくは下記一般式（２−１）で表される場合である。
【００６５】
【化７】

【００６６】
一般式（２−１）において、Ｒ^７は前記と同じ意味を表す。
【００６７】
さらに、化合物の導電性の観点から、共役がつながった結合位置で重合することが好ましい。中でも、化合物中の前記一般式（１）で表される構造が、下記一般式（３）で表される繰返し単位である場合が好ましい。
【００６８】
【化８】

【００６９】
一般式（３）において、Ａ環、Ｂ環及びＣ環はそれぞれ独立に単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。また、Ａ環及びＣ環上に結合手を有する。また、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。
【００７０】
また、化合物中の前記一般式（１）で表される構造が、前記一般式（３）で表される繰返し単位である場合には、化合物の合成の容易さの観点から、前記一般式（３）におけるＡ環及びＣ環がベンゼン環であることが好ましく、具体的には、繰返し単位が下記一般式（４）で表される繰返し単位である場合が好ましい。
【００７１】
【化９】

【００７２】
一般式（４）において、＊は結合手を表し、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。
【００７３】
また、前記一般式（４）において、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。さらに、Ｂ環としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。これらのＢ環の中でも、耐熱性、蛍光強度、素子特性等の観点から、芳香族炭化水素環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環がより好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。Ｒａ及びＲｂにおけるアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基及びヘテロアリールオキシ基としては、Ａ環、Ｂ環及びＣ環が有していてもよい置換基に例示の基と同様のものが挙げられる。化合物の合成しやすさの観点からｏ及びｐが０の場合が好ましい。
【００７４】
前記一般式（４）として更に好ましくは、下記一般式（４−１）で表される場合である。
【００７５】
【化１０】

【００７６】
一般式（４−１）において、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は前記と同じ意味を表す。
【００７７】
さらに、有機電界発光素子に用いた時に発光効率や寿命等の素子特性に優れるという観点から、前記一般式（１）で表される構造を含む化合物は、更に下記一般式（５）で表される繰返し単位を含むことが好ましい。
【００７８】
【化１１】

【００７９】
一般式（５）において、Ａｒ^１はアリーレン基又は２価の複素環基を表す。また、Ｒ^８及びＲ^９はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はシアノ基を表す。ｎは０又は１を表す。なお、Ａｒ^１が２種以上であってもよい。
【００８０】
このようなＡｒ^１におけるアリーレン基においては、炭素数が通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０である。このようなＡｒ^１におけるアリーレン基としては、例えば、フェニレン基（例えば、以下に示す一般式１〜３）、ナフタレンジイル基（例えば、以下に示す一般式４〜１３）、アントラセニレン基（例えば、以下に示す一般式１４〜１９）、ビフェニレン基（例えば、以下に示す一般式２０〜２５）、トリフェニレン基（例えば、以下に示す一般式２６〜２８）、縮合環化合物基（例えば、以下に示す一般式２９〜３８）が挙げられる。なお、以下に示す式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアリールオキシ基又はヘテロアリールチオ基を表す。また、アリーレン基の炭素数には、置換基Ｒの炭素数は含まれない。
【００８１】
【化１２】

【００８２】
【化１３】

【００８３】
【化１４】

【００８４】
【化１５】

【００８５】
【化１６】

【００８６】
また、本発明において、２価の複素環基とは、複素環式化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいう。このような２価の複素環基の炭素数は、通常４〜６０、好ましくは４〜２０である。また、ここで複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。
【００８７】
このような２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。なお、以下に示す式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアリールオキシ基又はヘテロアリールチオ基を表す。また、２価の複素環基の炭素数には、置換基Ｒの炭素数は含まれない。
【００８８】
ヘテロ原子として窒素を含む２価の複素環基として、例えば、ピリジン−ジイル基（例えば、以下に示す一般式３９〜４４）、ジアザフェニレン基（例えば、以下に示す一般式４５〜４８）、キノリンジイル基（例えば、以下に示す一般式４９〜６３）、キノキサリンジイル基（例えば、以下に示す一般式６４〜６８）、アクリジンジイル基（例えば、以下に示す一般式６９〜７２）、ビピリジルジイル基（例えば、以下に示す一般式７３〜７５）、フェナントロリンジイル基（例えば、以下に示す一般式７６〜７８）が挙げられる。
【００８９】
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレン等を含みフルオレン構造を有する基として、例えば、以下に示す一般式７９〜９３で表される基が挙げられる。これらの中でも、窒素原子を含む式８２〜８４で表されるカルバゾールやトリフェニルアミンジイル基等の芳香族アミンモノマーを有していることが発光効率の点で望ましい。
【００９０】
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレン等を含む５員環複素環基として、例えば、以下に示す一般式９４〜９８で表される基が挙げられる。
【００９１】
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレン等を含む５員環縮合複素環基として、例えば、以下に示す一般式９９〜１０９で表される基、ベンゾチアジアゾール−４，７−ジイル基、ベンゾオキサジアゾール−４，７−ジイル基が挙げられる。
【００９２】
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレン等を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基として、例えば、以下に示す一般式１１０〜１１１で表される基が挙げられる。
【００９３】
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレン等を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基として、例えば、以下に示す一般式１１２〜１１８で表される基が挙げられる。
【００９４】
ヘテロ原子として窒素、酸素、硫黄等を含む縮合した複素環基とベンゼン環又は単環性の複素環基とが結合した３環性の基として、例えば、以下に示す一般式１２０〜１２５で表される基が挙げられる。
【００９５】
【化１７】

【００９６】
【化１８】

【００９７】
【化１９】

【００９８】
【化２０】

【００９９】
【化２１】

【０１００】
【化２２】

【０１０１】
【化２３】

【０１０２】
【化２４】

【０１０３】
【化２５】

【０１０４】
【化２６】

【０１０５】
前記一般式（５）で表される繰返し単位としては、ｎが０の場合が好ましく、より好ましくはＡｒ¹がアリーレン基の場合である。
【０１０６】
また、前記一般式（５）で表される繰返し単位としては、下記一般式（５−１）で表される構造が更に好ましい。
【０１０７】
【化２７】

【０１０８】
一般式（５−１）において、Ｃ^４環及びＣ^５環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表し、２つの結合手はそれぞれＣ⁴環又はＣ⁵環上に存在し、Ｒｗ及びＲｘはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基、ヘテロアリールオキシ基又はヘテロアリールチオ基を表す。Ｒｗ及びＲｘは互いに結合して環を形成してもよい。
【０１０９】
芳香族炭化水素環とは、ベンゼン環又は縮合した芳香族炭化水素環のことをいう。このような芳香族炭化水素環の炭素数は６〜３０程度、好ましくは６〜１５程度である。なお、芳香族炭化水素基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。このような芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フェナレン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ビフェニレン環、フルオレン環、アセナフチレン環が挙げられる。
【０１１０】
Ｒｗ及びＲｘにおけるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基、ヘテロアリールオキシ基又はヘテロアリールチオ基としては、Ａ環、Ｂ環及びＣ環が有していてもよい置換基として例示した基と同様のものが挙げられる。
【０１１１】
前記一般式（５−１）で表される繰返し単位としては、具体的には以下に示す一般式で表される繰返し単位が挙げられる。また、このような繰返し単位は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基及びハロゲン原子等からなる群から選択される少なくとも１つの置換基を有していてもよい。なお、以下に示す一般式において、芳香族炭化水素における結合手は任意の位置をとり得ることを表す。
【０１１２】
【化２８】

【０１１３】
これらの繰返し単位の中でも、１Ａ−０、１Ａ−１、１Ａ−２又は１Ａ−３で表される繰返し単位が好ましく、１Ａ−０で表される繰返し単位が特に好ましい。
【０１１４】
更に好ましくは下記一般式（１Ａ−０−１）で表される場合である。
【０１１５】
【化２９】

【０１１６】
一般式（１Ａ−０−１）において、Ｒはアルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環化合物基であり、２つのＲは互いに同一であっても異なっていてもよい。また、Ｒは互いに結合して環を形成してもよい。
【０１１７】
また、本発明の化合物は、耐熱性の向上、電荷輸送性改善、発光色の調整、発光効率を高める等の素子特性を改善するという観点から、前記一般式（５）で表される繰返し単位以外の下記一般式（６−１）、（６−２）、（６−３）で表される繰返し単位からなる群から選択される少なくとも１種類の繰返し単位を更に含むことが好ましく、２種類以上の繰返し単位を含むことがより好ましい。
【０１１８】
【化３０】

【０１１９】
一般式（６−１）において、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５はそれぞれ独立にアリーレン基又は２価の複素環基を表す。また、Ａｒ^６、Ａｒ^７及びＡｒ^８はそれぞれ独立にアリール基、又は１価の複素環基を表す。さらに、ａ及びｂはそれぞれ独立に０又は正の整数を表す。また、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６、Ａｒ^７及びＡｒ^８は置換基を有していてもよい。
【０１２０】
【化３１】

【０１２１】
一般式（６−２）において、Ｄ環及びＥ環は、それぞれ独立に芳香環を表す。また、Ｙ^１は−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−を表す。さらに、Ｒ^２０は１価の基を表す。また、Ｄ環上、Ｅ環上にそれぞれ結合手を有する。
【０１２２】
【化３２】

【０１２３】
一般式（６−３）において、Ｙ^２は−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。また、６員環上に２つの結合手を有する。
【０１２４】
前記一般式（６−１）で表される繰返し単位の具体例としては、以下に示す一般式１３３〜１４０で表されるものが挙げられる。
【０１２５】
【化３３】

【０１２６】
【化３４】

【０１２７】
【化３５】

【０１２８】
上記一般式において、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。
【０１２９】
また、上記一般式におけるＲがアルキル基を含む置換基である場合においては、高分子化合物の有機溶媒への溶解性を高めるために、炭素数が３以上のアルキル基が含まれることが好ましい。さらに、上記一般式１３３〜１４０で表される構造の中でも、発光波長を調節するという観点から、上記一般式１３３、１３４及び１３７で表される構造が好ましい。
【０１３０】
前記一般式（６−１）で表される繰返し単位において、発光波長を調節、素子寿命等の素子特性の観点から、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５がそれぞれ独立にアリーレン基であり、Ａｒ^６、Ａｒ^７及びＡｒ^８がそれぞれ独立にアリール基であるものが好ましい。また、Ａｒ^２、Ａｒ^３及びＡｒ^４が、それぞれ独立に、無置換のフェニレン基、無置換のビフェニレン基、無置換のナフチレン基、又は無置換のアントラセンジイル基であるものが好ましい。さらに、有機溶媒への溶解性、素子特性等の観点から、Ａｒ^６、Ａｒ^７及びＡｒ^８が_、それぞれ独立に、１つ以上の置換基を有するアリール基であるものが好ましく、３つ以上の置換基を有するアリール基であるものがより好ましい。さらに、Ａｒ^６、Ａｒ^７及びＡｒ^８が３つ以上の置換基を有するフェニル基、３つ以上の置換基を有するナフチル基、又は３つ以上の置換基を有するアントラセニル基であるものがより好ましく、Ａｒ^６、Ａｒ^７及びＡｒ^８が３つ以上の置換基を有するフェニル基であるものがさらにより好ましい。
【０１３１】
これらの繰返し単位の中でも、Ａｒ^６、Ａｒ^７及びＡｒ^８が、それぞれ独立に下記一般式（６−４）で表される基であり、且つａ＋ｂ≦３であるものが好ましく、ａ＋ｂ＝１であるものがより好ましく、ａ＝１、ｂ＝０であるものが特に好ましい。
【０１３２】
【化３６】

【０１３３】
一般式（６−４）において、Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇは、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。また、Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇに含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。さらに、Ｒｈ及びＲｉは、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。また、Ｒｈ及びＲｉに含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
【０１３４】
また、前記一般式（６−４）において、Ｒｅ及びＲｆがそれぞれ独立に、炭素数３以下のアルキル基、炭素数３以下のアルコキシ基、炭素数３以下のアルキルチオ基であり、且つＲgが炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基であることが好ましい。
【０１３５】
前記一般式（６−１）で表される繰返し単位において、Ａｒ^３が下記一般式（６−５）又は（６−６）で表される基であることが好ましい。
【０１３６】
【化３７】

【０１３７】
一般式（６−５）及び（６−６）において、構造中に含まれるベンゼン環は、無置換のものが好ましいが、それぞれ独立に１個以上４個以下の置換基を有していてもよい。それら置換基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、このようなベンゼン環に他の芳香族炭化水素環又は複素環が縮合していてもよい。
【０１３８】
また、前記一般式（６−１）で表される繰返し単位として、より好ましい具体例としては、以下に示す一般式１４１〜１４３で表されるものが挙げられる。
【０１３９】
【化３８】

【０１４０】
上記一般式において、Ｒｅ、Ｒｆ、Ｒｇ、Ｒｈ及びＲｉとしては、それぞれ前述の通りのものが挙げられる。
【０１４１】
さらに、前記一般式（６−１）で表される繰返し単位として、特に好ましい具体例としては、蛍光強度、発光波長の調整、耐熱性等の素子特性の観点から、下記一般式（２２）〜（２４）で表されるものが挙げられる。
【０１４２】
【化３９】

【０１４３】
前記一般式（６−２）において、Ｄ環及びＥ環は、それぞれ独立に芳香環を表す。また、Ｄ環及びＥ環上には置換基を有していてもよい。化合物の安定性の観点から、好ましくは芳香族炭化水素環の場合であり、特に好ましくはベンゼン環の場合である。
【０１４４】
前記一般式（６−２）で表される繰返し単位の好ましい具体例としては、下記一般式（６−７）で表されるものが挙げられる。
【０１４５】
【化４０】

【０１４６】
一般式（６−７）において、Ｙ^１及びＲ^２０としては、それぞれ前述の通りのものが挙げられる。
【０１４７】
本発明の化合物の中でも、薄膜にした時の電荷の輸送性、有機電界発光素子に用いた時に発光効率や寿命等の素子特性の観点から、共役系高分子であるものが好ましい。ここで、共役系高分子とはポリマーの主鎖骨格に沿って非局在π電子対が存在している高分子を意味する。この非局在電子としては、２重結合のかわりに不対電子又は孤立電子対が共鳴に加わる場合もある。
【０１４８】
また、本発明の化合物においては、発光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、非共役の単位で連結されていてもよいし、繰返し単位にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。非共役な結合構造としては、例えば、以下に示す一般式で表される構造、及び以下に示す一般式で表される構造のうち２つ以上を組み合わせた構造が挙げられる。なお、以下に示す式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアリールオキシ基又はヘテロアリールチオ基を表す。また、Ａｒは芳香族炭化水素環又は複素環を表す。
【０１４９】
【化４１】

【０１５０】
また、本発明の化合物は、交互、ランダム、ブロック又はグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光又はりん光の量子収率の高い高分子発光体を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロック又はグラフト共重合体が好ましい。さらに、本発明の化合物には、主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上あるものやデンドリマーも含まれる。
【０１５１】
また、本発明の化合物は色度の観点から、非共役な主鎖である場合、より青色の色度が高く好ましい。
【０１５２】
さらに、本発明の化合物においては、有機電界発光素子に用いた時に発光効率や寿命等の素子特性の観点から、前記一般式（１）で表される構造を含む構造単位を全構造単位に対して０．１モル％以上５０モル％以下含むことが好ましく、１モル％以上２０モル％以下含むことがより好ましい。
【０１５３】
また、電荷の輸送及び注入性の観点からは、前記一般式（１）で表される構造を含む構造単位を全構造単位に対して１０モル％以上１００モル％以下含むことが好ましく、３０モル％以上７０モル％以下含むことがより好ましい。
【０１５４】
また、本発明の化合物においては、有機電界発光素子にした時の電荷の輸送性や寿命等の素子特性の観点から、前記一般式（５）で表される繰返し単位を全構造単位に対して１モル％以上９９モル％以下含むことが好ましく、５０モル％以上９７モル％以下含むことがより好ましい。
【０１５５】
さらに、本発明の化合物が前記一般式（６−１）で表される繰返し単位、前記一般式（６−２）で表される繰返し単位又は前記一般式（６−３）で表される繰返し単位の少なくとも１つを含む場合には、有機電界発光素子にした時の電荷の輸送性や発光色の調整などの素子特性の観点から、このような繰返し単位を全構造単位に対して０．０１モル％以上５０モル％以下含むことが好ましく、０．１モル％以上３０モル％以下含むことがより好ましい。
【０１５６】
また、本発明の化合物は、有機電界発光素子に用いた時に発光効率や寿命等の素子特性や製膜性の観点から、ポリスチレン換算の数平均分子量が２０００以上であることが好ましく、２×１０^３〜１０^８であることがより好ましく、１×１０^４〜１０^６であることが特に好ましい。なお、本明細書においては、場合によって、ポリスチレン換算の数平均分子量が２０００以上の化合物のことを高分子化合物（以下、本発明の化合物のうちポリスチレン換算の数平均分子量が２０００以上のものを「本発明の高分子化合物」ということがある）といい、他方、単一の組成からなるものを低分子化合物（通常、数平均分子量は２０００未満）という。また、本発明の化合物はデンドリマーやオリゴマー等の、低分子化合物と高分子化合物との中間的な構造であるものであってもよい。本発明の化合物が低分子化合物である場合には、合成の容易さの観点から、本発明の化合物が下記一般式（４−２）で表される化合物であることが好ましい。
【０１５７】
【化４２】

【０１５８】
前記一般式（４−２）において、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。さらに、Ｂ環としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。Ｒｃ及びＲｄはそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基、ヘテロアリールオキシ基又はヘテロアリールチオ基を表す。ｑ及びｒは０〜４の整数を表す。ｑが２以上の場合、複数あるＲｃは互いに同一であっても異なっていてもよい。化合物の合成のしやすさの観点からｑ及びｒが０の場合が好ましい。これらのＢ環の中でも、耐熱性、蛍光強度、素子特性等の観点から、芳香族炭化水素環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環がより好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。
【０１５９】
前記一般式（４−２）で表される化合物のうち、合成のしやすさの観点から下記一般式（４−３）で表される化合物であることが好ましい。
【０１６０】
【化４３】

【０１６１】
前記一般式（４−３）において、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。Ｒｅ及びＲｆはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基、ヘテロアリールオキシ基又はヘテロアリールチオ基を表す。
【０１６２】
次に、本発明の化合物の製造方法について説明する。
【０１６３】
本発明の化合物の製造方法は、下記一般式（７）で表される化合物を原料として重合する工程を含むことを特徴とする方法である。すなわち、前記一般式（３）で表される化合物は下記一般式（７）で表される化合物を原料として重合することにより製造することができる。
【０１６４】
【化４４】

【０１６５】
一般式（７）において、Ａ環、Ｂ環及びＣ環はそれぞれ独立に単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｘ^１、Ｘ^２はそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を表す。また、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。
【０１６６】
また、本発明の化合物（特に高分子化合物）が、前記一般式（３）で表される繰返し単位以外の繰返し単位を有する場合には、前記一般式（３）で表される繰返し単位以外の繰返し単位となる単量体を共存させればよい。
【０１６７】
本発明の高分子化合物は、重合に関与しうる置換基（重合活性基）を有する単量体を原料として使用して重合することにより製造することができる。ここで使われる重合活性基としては、重合方法により異なるが、例えば、ホルミル基、ホスホニウム基、臭素、よう素、塩素等のハロゲン原子、ビニル基、ハロメチル基、アセトニトリル基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基等のアルキルスルホニルオキシ基、トルエンスルホニルオキシ基等のアリールスルホニルオキシ基が挙げられる。分子量制御、共重合比制御等の観点から、重合活性基の数は、２の場合が好ましい。
【０１６８】
本発明の高分子化合物の製造方法としては、主鎖にビニレン基を有する場合には、３重項発光錯体から誘導された重合活性基を有する単量体と、必要に応じてその他の単量体を用いて、例えば特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法により製造することができる。すなわち、〔１〕アルデヒド基を有する化合物とホスホニウム塩基を有する化合物とのＷｉｔｔｉｇ反応による重合、〔２〕アルデヒド基とホスホニウム塩基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、〔３〕ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＨｅｃｋ反応による重合、〔４〕ビニル基とハロゲン原子とを有する化合物のＨｅｃｋ反応による重合、〔５〕アルデヒド基を有する化合物とアルキルホスホネート基を有する化合物とのＨｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ法による重合、〔６〕アルデヒド基とアルキルホスホネート基とを有する化合物のＨｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ法による重合、〔７〕ハロゲン化メチル基を２つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、〔８〕スルホニウム塩基を２つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、〔９〕アルデヒド基を有する化合物とアセトニトリル基を有する化合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、〔１０〕アルデヒド基とアセトニトリル基とを有する化合物のＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合などの方法、〔１１〕アルデヒド基を２つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合等の方法が例示される。上記〔１〕〜〔１１〕の重合方法について以下に反応式で示す。
【０１６９】
【化４５】

【０１７０】
【化４６】

【０１７１】
【化４７】

【０１７２】
【化４８】

【０１７３】
【化４９】

【０１７４】
【化５０】

【０１７５】
【化５１】

【０１７６】
【化５２】

【０１７７】
【化５３】

【０１７８】
【化５４】

【０１７９】
【化５５】

【０１８０】
また、本発明の高分子化合物の製造方法としては、主鎖にビニレン基を有しない場合には、重合活性基を有する単量体と必要に応じてその他の単量体を用いて重合することにより製造することができる。例えば、〔１２〕Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、〔１３〕Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、〔１４〕Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応により重合する方法、〔１５〕Ｎｉ（０）触媒により重合する方法、〔１６〕ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により重合する方法／電気化学的に酸化重合する方法、或いは〔１７〕適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法が例示される。上記〔１２〕〜〔１７〕の重合方法について以下に反応式で示す。
【０１８１】
【化５６】

【０１８２】
【化５７】

【０１８３】
【化５８】

【０１８４】
【化５９】

【０１８５】
【化６０】

【０１８６】
【化６１】

【０１８７】
これらの重合方法のうち、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｈｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ法による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、及びＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｓｔｉｌｌｅカップリングを用いる方法及びＮｉ（０）触媒により重合する方法が、構造制御がしやすいので好ましい。さらに、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法が原料の入手しやすさと重合反応操作の簡便さから好ましい。
【０１８８】
本発明の高分子化合物の製造方法においては、単量体を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で、反応させることができる。このような反応方法としては、例えば、“オルガニック リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニック リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第２７巻，３４５−３９０頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８２年、“オルガニック シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル オブ オルガノメタリック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、ジャーナル オブ プラクティカル ケミストリー（Ｊ．Ｐｒａｋｔ．Ｃｈｅｍ．），第３３６巻，２４７頁（１９９４年）、マクロモレキュラー ケミストリー マクロモレキュラー シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）に記載の公知の方法を用いることができる。
【０１８９】
有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。（但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。）
反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。ここで、アルカリ又は触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリ又は触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。
【０１９０】
本発明の高分子化合物を有機電界発光素子の発光材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、重合前の単量体を蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましく、また合成後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
【０１９１】
本発明の高分子化合物の製造方法において、それぞれの単量体は、一括混合して反応させてもよいし、必要に応じて分割して混合してもよい。
【０１９２】
本発明の高分子化合物の製造方法において、反応条件について説明すると、Ｗｉｔｔｉｇ反応、Ｈｏｒｎｅｒ反応、Ｋｎｏｅｖｅｎｇｅｌ反応等の場合は、単量体の官能基に対して当量以上、好ましくは１〜３当量のアルカリを用いて反応させる。アルカリとしては、特に限定されないが、例えば、カリウム−ｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔ−ブトキシド、ナトリウムエチラート、リチウムメチラート等の金属アルコラート；水素化ナトリウム等のハイドライド試薬；ナトリウムアミド等のアミド類を用いることができる。溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン等が用いられる。反応の温度は、通常は室温から１５０℃程度で反応を進行させることができる。反応時間は、例えば、５分間〜４０時間であるが、十分に重合が進行する時間であればよく、また反応が終了した後に長時間放置する必要はないので、好ましくは１０分間〜２４時間である。反応の際の濃度は、希薄すぎると反応の効率が悪く、濃すぎると反応の制御が難しくなるので、約０．０１ｗｔ％〜溶解する最大濃度の範囲で適宜選択すればよく、通常は、０．１ｗｔ％〜２０ｗｔ％の範囲である。Ｈｅｃｋ反応の場合は、パラジウム触媒を用い、トリエチルアミン等の塩基の存在下で、単量体を反応させる。Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドやＮ−メチルピロリドンなどの比較的沸点の高い溶媒を用い、反応温度は、８０〜１６０℃程度、反応時間は、１時間から１００時間程度である。
【０１９３】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応の場合は、触媒として、例えばパラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート類などを用い、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウム等の無機塩基、トリエチルアミン等の有機塩基、フッ化セシウム等の無機塩を単量体に対して当量以上、好ましくは１〜１０当量加えて反応させる。無機塩を水溶液として、２相系で反応させてもよい。溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。溶媒にもよるが５０〜１６０℃程度の温度が好適に用いられる。溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。反応時間は１時間から２００時間程度である。また、−Ｂ（ＯＨ）_２及びホウ酸エステルからなる群から選択される基を２つ有するモノマーと、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基からなる群から選択される基を２つ有するモノマーとを重合する場合、重合が停止した後、モノマーを添加することにより分子量を上げることができ、分子量の制御が容易である。分子量は以下の式から予測することができ、この式から目的の分子量に調製するために加えるモノマー量を求めることができる。
Ｍｎ＝Ｆｗ＊Ｐｎ
Ｍｎ：数平均分子量
Ｆｗ：繰返し単位の平均分子量
Ｐｎ：平均重合度
Ｐｎ＝１／（１−ｐ＋α）
ｐ：（反応した手の数）／（反応前に存在した手の総数）
α：実験に基づく補正値。
【０１９４】
Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応の場合は、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒中でハロゲン化物と金属Ｍｇとを反応させてＧｒｉｇｎａｒｄ試薬溶液とし、これと別に用意した単量体溶液とを混合し、ニッケル触媒又はパラジウム触媒を過剰反応に注意しながら添加した後に昇温して還流させながら反応させる方法が例示される。Ｇｒｉｇｎａｒｄ試薬は単量体に対して当量以上、好ましくは１〜１．５当量、より好ましくは１〜１．２当量用いる。これら以外の方法で重合する場合も、公知の方法に従って反応させることができる。
【０１９５】
ニッケル触媒の存在下反応させる例としては例えば上述のニッケル（０）触媒により重合する方法が挙げられる。ニッケル触媒としては、例えば、エチレンビス(トリフェニルホスフィン)ニッケル錯体、テトラキス(トリフェニルホスフィン)ニッケル錯体、ビス(シクロオクタジエニル)ニッケル錯体が挙げられる。
【０１９６】
パラジウム触媒の存在下反応させる例としては、上記Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応が挙げられる。パラジウム触媒としては、例えば、酢酸パラジウム、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］錯体、ビス(トリシクロヘキシルホスフィン)パラジウム錯体、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム錯体等が挙げられる。
【０１９７】
以上説明したような一般式（７）で表される化合物は、本発明の化合物（特に高分子化合物）を重合するための原料として有用である。
【０１９８】
本発明は、有機トランジスタや有機電界発光素子などの光電材料やそれらの光電材料の中間体として有用な下記式（８）〜（１０）で表される化合物及びその合成法を提供するものである。
【０１９９】
このような一般式（７）で表される化合物の中でも、合成の容易さの観点から、下記一般式（８）で表される化合物が好ましい。
【０２００】
【化６２】

【０２０１】
一般式（８）において、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｘ^１、Ｘ^２はそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。また、Ｂ環、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｘ^１及びＸ^２としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。Ｒａ及びＲｂにおけるアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基及びヘテロアリールオキシ基としては、Ａ環、Ｂ環及びＣ環が有していてもよい置換基に例示の基と同様のものが挙げられる。また、化合物の合成の容易さの観点から、ｏ及びｐが０の場合が好ましい。
【０２０２】
更に好ましくは下記一般式（８−１）で表される化合物である。
【０２０３】
【化６３】

【０２０４】
一般式（８−１）において、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｘ^１、Ｘ^２はそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒａ、Ｒｂ、Ｘ^１、Ｘ^２、ｏ及びｐとしてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。
【０２０５】
中でも、（i）パラジウム触媒と塩基の存在下、ホウ酸残基又はホウ酸エステル残基とハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基とを用いたＳｕｚｕｋｉカップリングを用いる方法；（ii）ニッケル（０）触媒存在下、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基をカップリングさせるＹａｍａｍｏｔｏ重合を用いる方法；（iii）パラジウム触媒の存在下、スタニル基とハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基とを用いたＳｔｉｌｌｅカップリングを用いる方法；又は（iv）ニッケル触媒の存在下、ハロゲン化マグネシウムとハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基とをカップリングさせるＧｒｉｇｎａｒｄカップリング法は反応収率が高いため、高い分子量の高分子化合物を得ることが容易であり、また、共重合をおこなった場合、モノマー仕込み比どおりの共重合体を得ることが可能等、反応の制御が容易であることから好ましい。これらの方法の中でも試薬の安全性の観点から、Ｓｕｚｕｋｉ重合法及びＹａｍａｍｏｔｏ重合法がより好ましい。また、反応性の観点から、重合に関与しうる置換基（重合活性基）であるハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基の中でも、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が好ましく、臭素原子が特に好ましい。
【０２０６】
前記一般式（８）で表される化合物は、下記一般式（９）で表される化合物から、Ｘ^３及びＸ^４を官能基変換することにより、合成することができる。
【０２０７】
【化６４】

【０２０８】
一般式（９）において、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｘ^３、Ｘ^４はそれぞれ独立に塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。また、Ｂ環、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒａ及びＲｂとしてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。さらに、化合物の合成の容易さの観点から、ｏ及びｐが０の場合が好ましい。
【０２０９】
更に好ましくは下記一般式（９−１）で表される化合物である。
【０２１０】
【化６５】

【０２１１】
一般式（９−１）において、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｘ^３、Ｘ^４はそれぞれ独立に塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒａ、Ｒｂ、Ｘ^３、Ｘ^４、ｏ及びｐとしてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。
【０２１２】
前記一般式（８）におけるＸ^１及び／又はＸ^２がホウ酸エステル残基であるものは、Ｘ^３及び／又はＸ^４をＧｒｉｇｎａｒｄ試薬又はリチウムに置き換えた後にホウ酸エステルを反応させることにより合成することができる。このようなホウ酸エステルとしては、トリメチルホウ酸、トリイソプロピルホウ酸、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン等が挙げられる。また、J. Org. Chem., 60(23), 7508(1995) に記載のようにパラジウム触媒と塩基の存在下、ジボレートと反応させることにより合成することもできる。このジボレートとしては、ビス（ピナコレート）ジボラン、ビス（カテコレート）ジボラン、ビス（ネオペンチルグリコレート）ジボラン、ビス（トリメチレングリコレート）ジボラン等が挙げられる。
【０２１３】
また、前記一般式（８）におけるＸ^１及び／又はＸ^２が−Ｂ（ＯＨ）₂であるものは、上記ホウ酸エステルを酸又は塩基の存在下に加水分解する方法で合成することができる。
【０２１４】
さらに、前記一般式（８）におけるＸ^１及び／又はＸ^２がハロゲン化マグネシウムであるものは、マグネシウムの存在下で合成することができる。
【０２１５】
また、前記一般式（８）におけるＸ^１及び／又はＸ^２がハロゲン化マグネシウムであるものは、Ｘ^３及び／又はＸ^４をＧｒｉｇｎａｒｄ試薬又はリチウムに置き換えた後にトリアルキル塩化スズと反応させることにより合成することができる。このトリアルキル塩化スズとしては、トリメチル塩化スズ、トリ−ｎ−ブチル塩化スズ等が挙げられる。
【０２１６】
さらに、前記一般式（８）におけるＸ^１及び／又はＸ^２がアルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基であるものは、Ｘ^３及び／又はＸ^４を水酸基に変換した後に、塩基の存在下、対応するスルホン酸無水物又は塩化スルホニルを反応させることで合成することができる。このスルホン酸無水物としては、メタンスルホン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物、ベンゼンスルホン酸無水物等が挙げられる。また、この塩化スルホニルとしては、塩化メタンスルホニル、塩化トリフルオロメタンスルホニル、塩化ベンゼンスルホニル等が挙げられる。
【０２１７】
また、前記一般式（９）におけるＸ^３及び／又はＸ^４を水酸基に変換する方法としては、上記のようにして得られるＸ^１及び／又はＸ^２が−Ｂ（ＯＨ）₂である化合物を過酸化物で酸化することにより合成することができる。この過酸化物としては、過酸化水素、ｍ−クロロベンゼン過安息香酸、ｔ−ブチルヒドロパーオキシド等が挙げられる。
【０２１８】
前記一般式（９）で表される化合物は、ハロゲン化剤の存在下で、下記一般式（１０）で表される化合物から、ハロゲン化反応により、合成することができる。適当な反応条件を選択することにより非常に選択性よく上記式（９）で表される化合物を合成することができる。
【０２１９】
【化６６】

【０２２０】
一般式（１０）において、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。また、Ｂ環、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒａ及びＲｂとしてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。さらに、化合物の合成の容易さの観点から、ｏ及びｐが０の場合が好ましい。
【０２２１】
更に好ましくは下記一般式（１０−１）で表される化合物である。
【０２２２】
【化６７】

【０２２３】
一般式（１０−１）において、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒａ、Ｒｂ、ｏ及びｐとしてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。
【０２２４】
ここでハロゲン化剤としては、例えば、Ｎ−クロロスクシンイミド、Ｎ−クロロフタル酸イミド、Ｎ−クロロジエチルアミン、Ｎ−クロロジブチルアミン、Ｎ−クロロシクロへキシルアミン、Ｎ−ブロモスクシンイミド、Ｎ−ブロモフタル酸イミド、Ｎ−ブロモジトリフルオロメチルアミン、Ｎ−ヨウドスクシンイミド、Ｎ−ヨウドフタル酸イミド等のＮ−ハロゲノ化合物；フッ素、塩素、臭素等のハロゲン元素；ベンジルトリメチルアンモニウムトリブロミドが挙げられる。これらの中でも、Ｎ−ハロゲノ化合物が好ましい。
【０２２５】
反応に用いられる溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の不飽和炭化水素；四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール類；蟻酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類；トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジン等のアミン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド類が挙げられる。これらの溶媒は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０２２６】
反応の温度は、−１００℃〜溶媒の沸点程度であり、好ましくは−２０℃〜５０℃である。
【０２２７】
前記一般式（１０）で表される化合物は、塩基の存在下で、下記一般式（１１）で表される化合物から、窒素原子上の置換反応により、製造することができる。例えば、Ｒ^１及び／又はＲ^４がアルキル基の場合、塩基の存在下、ハロゲン化アルキルへの求核置換反応で製造することができる。また、Ｒ^１及び／又はＲ^４が芳香族基（すなわち、アリール基、１価の芳香族複素環基であり、以下、同じである。）の場合、銅触媒と塩基の存在下、芳香族ヨウ化物と反応させるＵｌｌｍａｎｎカップリング条件で製造することができる。また、Angewandte Chemie, International Edition in English, (1995), 34(12), 1348 記載のようにパラジウム触媒と塩基とハロゲン化芳香族化合物とを反応させることによっても製造することができる。
【０２２８】
【化６８】

【０２２９】
一般式（１１）において、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｒ^１０及びＲ^１１はそれぞれ独立に水素原子又は１価の基を表す。また、Ｒ^１０及びＲ^１１のうちの少なくとも一方は水素原子である。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。さらに、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒａ及びＲｂとしてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。また、化合物の合成の容易さの観点から、ｏ及びｐが０の場合が好ましい。
【０２３０】
更に好ましくは下記一般式（１１−１）で表される化合物である。
【０２３１】
【化６９】

【０２３２】
一般式（１１−１）において、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｒ^１０及びＲ^１１はそれぞれ独立に水素原子または１価の基を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。また、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒａ、Ｒｂ、ｏ及びｐとしてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。
【０２３３】
前記一般式（１０）又は（１１）で表される化合物は、酸の存在下で、下記一般式（１２）で表される化合物から環化反応により製造することができる。
【０２３４】
【化７０】

【０２３５】
一般式（１２）において、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｒ^１２及びＲ^１３はそれぞれ独立に水素原子又は１価の基を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。また、Ｂ環、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒａ及びＲｂとしてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。さらに、化合物の合成の容易さの観点から、ｏ及びｐが０の場合が好ましい。
【０２３６】
このような酸としては、プロトン酸でもよく、ルイス酸でもよい。プロトン酸としては、例えば、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等のスルホン酸類、蟻酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類；硫酸、塩酸、硝酸、リン酸等の無機酸が挙げられる。これらのプロトン酸の中でも、塩酸、硫酸、硝酸等の強無機酸が好ましい。また、ルイス酸としては、例えば、３臭化ホウ素、３塩化ホウ素、３フッ化ホウ素エーテル錯体等ハロゲン化ホウ素化物；塩化アルミニウム、塩化チタン、塩化マンガン、塩化鉄、塩化コバルト、塩化銅、塩化亜鉛、臭化アルミニウム、臭化チタン、臭化マンガン、臭化鉄、臭化コバルト、臭化銅、臭化亜鉛等のハロゲン化金属が挙げられる。これらのルイス酸の中でも、トリフェニルメチルテトラフルオロボレートが好ましい。これらのルイス酸は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０２３７】
反応の媒体としては上記の酸を用いてもよいが、それ以外の溶媒を用いても良い。用いる溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素；四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素；ニトロメタン、ニトロベンゼン等のニトロ化化合物が挙げられる。これらの溶媒は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０２３８】
反応温度としては、−５０℃〜溶媒の沸点程度であり、好ましくは０〜１００℃である。
【０２３９】
なお、前記一般式（１０）でＲ^１２及びＲ^１３のうち少なくとも一方が芳香族基である場合、副反応で収率が悪くなるので、Ｒ^１２及び／又はＲ^１３が水素原子の化合物を用い前記一般式（１１）で表される化合物を製造し、その後に窒素原子上を芳香族基に変換する方法が好ましい。
【０２４０】
前記式（１２）で表される化合物のうち、合成のしやすさの観点から下記一般式（１２−１）で表される場合が好ましい。
【０２４１】
【化７１】

【０２４２】
一般式（１２−１）において、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１２及びＲ^１３はそれぞれ独立に水素原子又は１価の基を表す。Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３及びＲ^２４はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３及びＲ^２４のうちの少なくとも１つはアリール基を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。また、Ｂ環、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒａ、Ｒｂ、ｏ及びｐとしてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３及びＲ^２４におけるアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基としては、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６に例示の基と同様のものが挙げられる。
【０２４３】
前記一般式（１２−１）で表される化合物は、一般式：Ｒ^１４−Ｍ
（式中、Ｒ^１４はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し、Ｍはリチウム又はハロゲン化マグネシウムを表す。）
で表される化合物の下記一般式（１３）で表される化合物への求核反応により製造することができる。
【０２４４】
【化７２】

【０２４５】
一般式（１３）において、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^２１及びＲ^２３はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｒ^１２及びＲ^１３はそれぞれ独立に水素原子又は１価の基を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ｒ^２１、Ｒ^２３及びＲ^１４のうちの少なくとも１つはアリール基を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。また、Ｂ環、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒａ及びＲｂとしてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。さらに、Ｒ^１４で表されるアルキル基としては、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６で表される基として例示の基と同様のものが挙げられる。Ｒ^１４で表されるアリール基、アリールアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基としては、Ａ環、Ｂ環及びＣ環が有していてもよい置換基に例示の基と同様のものが挙げられる。また、化合物の合成の容易さの観点から、ｏ及びｐが０の場合が好ましい。
【０２４６】
用いる一般式：Ｒ^１４−Ｍで表される化合物の当量は、前記一般式（１３）におけるＲ^１２及びＲ^１３がいずれも水素原子の場合、４当量以上であることが好ましい。また、Ｒ^１２、Ｒ^１３のうちのどちらか一方が水素原子の場合、３当量以上であることが好ましい。さらに、Ｒ^１２及びＲ^１３がいずれも水素原子でない場合、２当量以上であることが好ましい。
【０２４７】
また、前記一般式（１２−１）で表される化合物は、一般式：Ｒ^１５−Ｍ
（式中、Ｒ^１５はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し、Ｍはリチウム又はハロゲン化マグネシウムを表す。）
で表される化合物の下記一般式（１４）で表される化合物への求核反応により製造することができる。
【０２４８】
【化７３】

【０２４９】
一般式（１４）において、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１２及びＲ^１３はそれぞれ独立に水素原子又は１価の基を表し、Ｒ^１６及びＲ^１７はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。また、Ｂ環、Ｒ^１２、Ｒ^１３とＲａ及びＲｂとしてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。さらに、Ｒ^１６及びＲ^１７で表されるアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基としては、Ａ環、Ｂ環及びＣ環が有していてもよい置換基に例示の基と同様のものが挙げられる。また、化合物の合成の容易さの観点から、ｏ及びｐが０の場合が好ましい。
【０２５０】
用いる一般式：Ｒ^１５−Ｍで表される化合物の当量は、Ｒ^１２及びＲ^１３がいずれも水素原子の場合、６当量以上であることが好ましい。また、Ｒ^１２、Ｒ^１３のうちのどちらか一方が水素原子の場合、５当量以上であることが好ましい。Ｒ^１２及びＲ^１３がいずれも水素原子でない場合、４当量以上であることが好ましい。
【０２５１】
前記一般式（１３）で表される化合物から前記一般式（１２−１）で表される化合物を製造する反応、並びに前記一般式（１４）で表される化合物から前記一般式（１２−１）で表される化合物を製造する反応は、いずれもアルゴンや窒素等の不活性ガスの雰囲気下でおこなうことが好ましい。
【０２５２】
反応に用いられる溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の不飽和炭化水素；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類が挙げられる。これらの溶媒は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０２５３】
反応の温度としては、−１００℃から溶媒の沸点程度であり、−８０℃〜室温が好ましい。
【０２５４】
次に、前記一般式（１４）で表される化合物の中でも、化合物の合成の容易さの観点から好適に用いることができる下記一般式（１４−１）で表される化合物の製造方法について説明する。
【０２５５】
【化７４】

【０２５６】
一般式（１４−１）において、Ｒ^１６及びＲ^１７はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を表す。前記一般式（１４−１）で表される化合物は、パラジウム、ニッケル及び銅からなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む触媒の存在下で、下記一般式（１５）で表される化合物、下記一般式（１６）で表される化合物及び下記一般式（１７）で表される化合物から縮合反応により製造することができる。
【０２５７】
【化７５】

【０２５８】
一般式（１５）〜（１７）において、Ｒ^１６及びＲ^１７はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を表し、Ｘ^５及びＸ^６はそれぞれ独立に塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。また、Ｒ^１６及びＲ^１７としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。
【０２５９】
反応の条件としては、銅触媒と塩基の存在下、芳香族ヨウ化物と反応させるＵｌｌｍａｎｎカップリング条件で製造することができる。また、Angewandte Chemie, International Edition in English, (1995), 34(12), 1348 記載のようにパラジウム触媒と塩基とハロゲン化芳香族化合物とを反応させることによっても製造することができる。
【０２６０】
合成の容易さの観点から、前記一般式（１５）で表される化合物及び前記一般式（１６）で表される化合物は同一である場合が好ましい。
【０２６１】
また、前記一般式（１４−１）で表される化合物は、パラジウム、ニッケル及び銅からなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む触媒の存在下で、下記一般式（１８）で表される化合物、下記一般式（１９）で表される化合物及び下記一般式（２０）で表される化合物から縮合反応により製造することもできる。
【０２６２】
【化７６】

【０２６３】
一般式（１８）〜（２０）において、Ｒ^１６及びＲ^１７はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を表し、Ｘ^７及びＸ^８はそれぞれ独立に塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。また、Ｒ^１６、及びＲ^１７としてはそれぞれ前述の通りのものが挙げられる。
【０２６４】
反応の条件としては、銅触媒と塩基の存在下、芳香族ヨウ化物と反応させるＵｌｌｍａｎｎカップリング条件で製造することができる。また、Angewandte Chemie, International Edition in English, (1995), 34(12), 1348 記載のようにパラジウム触媒と塩基とハロゲン化芳香族化合物とを反応させることによっても製造することができる。
【０２６５】
合成の容易さの観点から、前記一般式（１８）で表される化合物及び前記一般式（１９）で表される化合物は同一である場合が好ましい。
【０２６６】
次に、本発明の化合物を含む組成物について説明する。正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選択される少なくとも１種類の材料と本発明の化合物を含有する組成物は、発光材料や電荷輸送材料として用いることができる。
【０２６７】
本発明の組成物において、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選択される少なくとも１種類の材料と本発明の化合物の含有比率は、用途に応じて決めればよい。また、本発明の化合物を２種類以上混合し、組成物として用いることもできる。
【０２６８】
また、本発明の組成物を用いて有機電界発光素子の発光層を形成することができる。このような発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２６９】
このような発光層の形成方法としては、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布方法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
【０２７０】
印刷法等で用いるインク組成物（溶液）としては、少なくとも１種類の本発明の化合物が含有されていればよく、また本発明の化合物以外に正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、溶媒、安定剤などの添加剤を含んでいてもよい。
【０２７１】
このようなインク組成物中における本発明の化合物の割合は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して通常は２０ｗｔ％〜１００ｗｔ％であり、好ましくは４０ｗｔ％〜１００ｗｔ％である。また、このようなインク組成物中に溶媒が含まれる場合の溶媒の割合は、組成物の全重量に対して１ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、好ましくは６０ｗｔ％〜９９．５ｗｔ％であり、さらに好ましく８０ｗｔ％〜９９．０ｗｔ％である。なお、インク組成物の粘度は印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法等インク組成物中が吐出装置を経由するもの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。
【０２７２】
本発明のインク組成物（溶液）は、本発明の化合物の他に、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤を含有していてもよい。このような添加剤としては、粘度を高めるための高分子量の高分子化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤等を適宜組み合わせて使用すればよい。
【０２７３】
このように粘度を高めるための高分子量の高分子化合物としては、本発明の化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよい。例えば、高分子量のポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、或いは本発明の化合物のうち分子量が大きいものなどを用いることができる。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量は、５０万以上のものが好ましく、１００万以上のものがより好ましい。
【０２７４】
また、貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。すなわち、溶液中の固形分に対する貧溶媒を少量添加することで、粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、溶液中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すればよい。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、溶液全体に対して５０ｗｔ％以下であることが好ましく、３０ｗｔ％以下であることがより好ましい。
【０２７５】
また、本発明のインク組成物（溶液）は、保存安定性を改善するために、本発明の化合物の他に、酸化防止剤を含有していてもよい。酸化防止剤としては、本発明の化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。
【０２７６】
さらに、このような溶液をインク組成物として用いる場合、用いる溶媒としては特に制限はないが、このインク組成物を構成する溶媒以外の材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。このような溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。また、これらの溶媒は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。これらの溶媒の中でも、高分子化合物等の溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトン、アセトフェノン、ベンゾフェノンがより好ましい。さらに、溶液中の溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることが特に好ましい。
【０２７７】
また、溶液中に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であることが好ましく、２００℃以上の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、２種類の溶媒ともに、６０℃において１ｗｔ％以上の本発明の化合物が溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において１ｗｔ％以上の本発明の化合物が溶解することが好ましい。
【０２７８】
さらに、溶液中に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、溶液中の全溶媒の重量の４０〜９０ｗｔ％であることが好ましく、５０〜９０ｗｔ％であることがより好ましく、６５〜８５ｗｔ％であることが特に好ましい。
【０２７９】
このような溶液中に含まれる本発明の化合物は、１種類でも２種類以上でもよく、素子特性等を損なわない範囲で本発明の化合物以外の化合物を含んでいてもよい。
【０２８０】
本発明のインク組成物（溶液）には、水、金属及びその塩を１〜１０００ｐｐｍ（重量基準）の範囲で含んでいてもよい。金属としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウムが挙げられる。また、本発明のインク組成物（溶液）は、珪素、リン、フッ素、塩素、臭素を１〜１０００ｐｐｍ（重量基準）の範囲で含んでいてもよい。
【０２８１】
本発明のインク組成物（溶液）を用いて、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布方法により、本発明の薄膜を作製することができる。これらの塗布方法の中でも、本発明のインク組成物（溶液）をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法により成膜する用途に用いることが好ましく、インクジェット法で成膜する用途に用いることがより好ましい。
【０２８２】
本発明の化合物を含む薄膜は、上記のように本発明のインク組成物（溶液）を用いて作製できる。このような薄膜としては、例えば、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜が挙げられる。
【０２８３】
本発明の導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。また、このような薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。さらに、表面抵抗が１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□であることが特に好ましい。
【０２８４】
本発明の有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のうちのいずれか大きいほうが、１０^−５ｃｍ^２／Ｖ／秒以上であることが好ましく、１０^−３ｃｍ^２／Ｖ／秒以上であることがより好ましく、１０^−１ｃｍ^２／Ｖ／秒以上であることが特に好ましい。
【０２８５】
また、ＳｉＯ_２等の絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に本発明の有機半導体薄膜を形成し、Ａｕ等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。
【０２８６】
また、本発明の有機電界発光素子としては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた有機電界発光素子、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた有機電界発光素子、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、且つ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた有機電界発光素子、並びにこれらの素子に更に陽極と発光層との間にインターレイヤー層を設けた有機電解発光素子等が挙げられる。
【０２８７】
このような有機電界発光素子の構造としては、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下、同じである。）
また、これら構造において、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。すなわち、
ａ’）陽極／インターレイヤー層／発光層／陰極
ｂ’）陽極／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光層／陰極
ｃ’）陽極／インターレイヤー層／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ’）陽極／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光層／電子輸送層／陰極。
【０２８８】
インターレイヤー層は正孔注入、正孔輸送及び電子ブロックのいずれか１つ以上の機能を有することもある。
【０２８９】
本発明の化合物は、有機電界発光素子の全ての或いは一部の層に、単独若しくは混合物として用いることができる。本発明の化合物を、一部の層に用いる場合、及び混合物として用いる場合には、下記に示すような、一般的な材料を用いることができる。
【０２９０】
本発明の有機電界発光素子の発光層としては、高分子材料として、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール、ポリアルキルチオフェン又は本発明の高分子化合物等の共役系高分子化合物を用いてなるものが挙げられる。
【０２９１】
また、これら高分子材料を用いてなる発光層は、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系色素化合物や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子色素化合物を含有してもよい。また、ナフタレン誘導体、アントラセン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン若しくはその誘導体、又はテトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム等の燐光を発光する金属錯体を含有してもよい。
【０２９２】
また、本発明の発光素子が有する発光層は、非共役系高分子化合物［例えば、ポリビニルカルバゾール、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（N−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂や、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（N−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体を含む重合体］と前記有機色素や金属錯体などの発光性有機化合物との混合組成物から構成されてもよい。
【０２９３】
このような高分子化合物の具体例としては、ＷＯ９７／０９３９４号パンフレット、ＷＯ９８／２７１３６号パンフレット、ＷＯ９９／５４３８５号パンフレット、ＷＯ００／２２０２７号パンフレット、ＷＯ０１／１９８３４号パンフレット、ＧＢ２３４０３０４Ａ号公報、ＧＢ２３４８３１６号公報、ＵＳ５７３６３６号公報、ＵＳ５７４１９２１号公報、ＵＳ５７７７０７０号公報、ＥＰ０７０７０２０号公報、特開平９−１１１２３３号公報、特開平１０−３２４８７０号公報、特開平２０００−８０１６７号公報、特開２００１−１２３１５６号公報、特開２００４−１６８９９９号公報、特開２００７−１６２００９号公報、有機ＥＬ素子の開発と構成材料（シーエムシー出版、２００６年発行）、等に開示されているポリフルオレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体及び共重合体、芳香族アミン及びその誘導体の（共）重合体が例示される。
【０２９４】
また、低分子化合物の具体例としては、例えば、特開昭５７−５１７８１号公報、有機薄膜仕事関数データ集［第２版］（シーエムシー出版、２００６年発行）、有機ＥＬ素子の開発と構成材料（シーエムシー出版、２００６年発行）等に記載されている化合物が例示される。
【０２９５】
前記材料は単成分であっても或いは複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記発光層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０２９６】
発光層の成膜方法に制限はなく、正孔注入層の成膜と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェットプリント法等の前記塗布法及び印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法等が挙げられる。また、溶液からの成膜方法に用いる溶媒の例としては、正孔注入層の成膜方法で列記した溶媒が挙げられる。
【０２９７】
発光層に続いて、電子輸送層等の有機化合物層を塗布法にて形成する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法での例示と同様の方法で下層を溶媒不溶にすることができる。
【０２９８】
発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、発光層の膜厚としては、例えば５ｎｍから１μｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは３０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２９９】
本発明の有機電界発光素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送性材料としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体が挙げられる。
【０３００】
また、このような正孔輸送性材料としては、例えば、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているものが挙げられる。
【０３０１】
これらの中でも、正孔輸送層に用いる正孔輸送性材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等の高分子正孔輸送性材料が好ましく、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体がより好ましい。
【０３０２】
また、低分子化合物の正孔輸送性材料としては、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。なお、低分子化合物の正孔輸送性材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０３０３】
このように低分子化合物を混合するための高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。このような高分子バインダーとしては、例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが挙げられる。
【０３０４】
ポリビニルカルバゾール及びその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。
【０３０５】
また、ポリシラン及びその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
【０３０６】
さらに、ポリシロキサン及びその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に前記低分子正孔輸送性材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。
【０３０７】
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送性材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送性材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
【０３０８】
このように溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。このような溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒；エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。また、これらの溶媒は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０３０９】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布方法を用いることができる。
【０３１０】
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。このような正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０３１１】
本発明の有機電界発光素子が電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送性材料としては、公知のものが使用でき、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が挙げられる。
【０３１２】
また、このような電子輸送性材料としては、例えば、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているものが挙げられる。
【０３１３】
これらの中でも、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがより好ましい。
【０３１４】
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送性材料では、粉末からの真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、上記の高分子バインダーを併用してもよい。
【０３１５】
このように溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び／又は高分子バインダーを溶解又は均一に分散できるものが好ましい。このような溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒；エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。また、これらの溶媒は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０３１６】
溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布方法を用いることができる。
【０３１７】
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。このような電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０３１８】
インターレイヤー層に用いる材料として、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体等、芳香族アミンを含むポリマーが例示される。
【０３１９】
このようなインターレイヤー層の成膜方法に制限はないが、例えば高分子材料を用いる場合においては溶液からの成膜による方法が例示される。
【０３２０】
このように溶液からの成膜方法に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。このような溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒；エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。また、これらの溶媒は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０３２１】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布方法を用いることができる。
【０３２２】
インターレイヤー層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよい。インターレイヤー層の膜厚は、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０３２３】
このようなインターレイヤー層を発光層に隣接して設ける場合、特に両方の層を前記塗布方法により形成する場合には、２つの層の材料が混合して素子の特性等に対して好ましくない影響を与える場合がある。インターレイヤー層を前記塗布方法で形成した後、発光層を前記塗布方法で形成する場合、２つの層の材料の混合を少なくする方法としては、（i）インターレイヤー層を前記塗布方法で形成した後、このインターレイヤー層を加熱、光照射等の処理で有機溶媒に対して不溶化した後、発光層を形成する方法や、（ii）発光層を塗布する時に用いる溶媒をインターレイヤー層の溶解性が低い溶媒を用いる方法等が挙げられる。インターレイヤー層を加熱により不溶化する場合、加熱の温度は通常１５０℃〜３００℃程度であり、時間は通常１分〜１時間程度である。このような場合、加熱により溶媒不溶化しなかった成分を除くため、加熱した後、発光層を形成する前に、このインターレイヤー層を発光層形成に用いる溶媒でリンスすることで取り除くことが好ましい。加熱による溶媒不溶化が十分に行なわれた場合は、溶媒によるリンスを省略してもよい。加熱による溶媒不溶化が十分に行なわれるためには、インターレイヤー層に用いる高分子化合物として分子内に少なくとも一つの重合可能な基を含むものを用いることが好ましい。さらには重合可能な基の数が、分子内の繰返し単位の数に対して５％以上であることがより好ましい。重合可能な基としては、二重結合を有する基、環状エーテル基等が挙げられる。二重結合を有する基としては、ビニル基、１，３−ブテジエニル基、アクリレート基、メタクリレート基等が挙げられる。環状エーテル基としては、エポキシ基、オキセタン基等が挙げられる。
【０３２４】
また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
【０３２５】
さらに、電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。さらに、積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
【０３２６】
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた有機電界発光素子としては、例えば、陰極に隣接して電荷注入層を設けた有機電界発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた有機電界発光素子が挙げられる。
【０３２７】
このような有機電界発光素子の構造としては、例えば、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
また、これらの構造において、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。
【０３２８】
電荷注入層としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送性材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送性材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層等が例示される。
【０３２９】
このような電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、この導電性高分子の電気伝導度は、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^３Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^２Ｓ／ｃｍ以下であることがより好ましく、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^１Ｓ／ｃｍ以下であることが特に好ましい。また、通常はこの導電性高分子の電気伝導度を１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^３Ｓ／ｃｍ以下とするために、この導電性高分子に適量のイオンをドープする。
【０３３０】
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン等が例示される。
【０３３１】
このような電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５０ｎｍである。
【０３３２】
電荷注入層に用いる材料としては、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、例えば、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボンが挙げられる。
【０３３３】
また、本発明の有機電界発光素子においては、電荷注入を容易にするために、絶縁層を更に設けてもよい。このような絶縁層の膜厚は、通常、２ｎｍ以下である。このような絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。このような絶縁層を設けた有機電界発光素子としては、例えば、陰極に隣接して絶縁層を設けた有機電界発光素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた有機電界発光素子が挙げられる。
【０３３４】
このような有機電界発光素子の構造としては、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／絶縁層／陰極
ｓ）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
ｔ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｖ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｗ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｙ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｚ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
また、これら構造において、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。
【０３３５】
本発明の有機電界発光素子を形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよい。このような基板としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の基板が挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。
【０３３６】
また、通常本発明の有機電界発光素子が有する陽極及び陰極のうちの少なくとも一方が透明又は半透明である。陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。
【０３３７】
このような陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。このような陽極の材料として、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡ等）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、このような陽極として、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
【０３３８】
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０３３９】
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層、或いは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【０３４０】
本発明の有機電界発光素子で用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。このような陰極の材料として、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち２つ以上の合金、或いはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
【０３４１】
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０３４２】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、或いは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、本発明の有機電界発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。また、本発明の有機電界発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。
【０３４３】
このような保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、このカバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。また、この空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤をこの空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にダメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【０３４４】
本発明の有機電界発光素子は面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置等の表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。
【０３４５】
本発明の有機電界発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極又は陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。
【０３４６】
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、或いは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０３４７】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、数平均分子量、重量平均分子量、及び蛍光スペクトルはそれぞれ以下の方法により測定した。
【０３４８】
（i）数平均分子量及び重量平均分子量
数平均分子量及び重量平均分子量については、ＧＰＣ（島津製作所社製：ＬＣ−１０Ａｖｐ）によりポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。測定する重合体は、約０．５ｗｔ％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに５０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／ｍｉｎの流速で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー社製）２本とＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。
【０３４９】
（ii）蛍光スペクトル
蛍光スペクトルの測定は以下の方法で行った。すなわち、測定する高分子化合物の０．８重量％トルエン溶液を石英上にスピンコートしてこの高分子化合物の薄膜を作製した。この薄膜を３５０ｎｍの波長で励起し、蛍光分光光度計（堀場製作所社製、商品名「Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ」）を用いて、この高分子化合物の蛍光スペクトルを測定した。薄膜での相対的な蛍光強度を得るために、水のラマン線の強度を標準に、波数プロットした蛍光スペクトルをスペクトル測定範囲で積分して、分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製、商品名「Ｃａｒｙ５Ｅ」）を用いて測定した「励起波長での吸光度」で割り付けた値を求めた。
【０３５０】
（実施例１〜５）
下記構造式（Ａ）で表される化合物Ａを以下に示すようにして合成した。
【０３５１】
【化７７】

【０３５２】
＜実施例１：化合物Ａ−１の合成＞
先ず、下記構造式（Ａ−１）で表される化合物を合成した。
【０３５３】
【化７８】

【０３５４】
すなわち、３００ｍｌの４口フラスコに１，４−ジブロモベンゼン５．００ｇ、アントラニル酸メチル７．０５ｇを取り、脱水トルエン１００ｍｌを加え1時間窒素バブリングした。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム０．１９ｇ、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィンテトラフルオロボレート０．２４ｇ、炭酸セシウム１０．３６ｇを加え、７０℃で5時間加熱した後に２０時間還流した。セライト２０ｇを敷いたグラスフィルターで熱時濾過し、酢酸エチルで洗浄した。次に、溶媒を留去し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、脱イオン水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。そして、溶媒を留去し、５．４９ｇの粗生成物を得た。また、水相を１００ｍｌのクロロホルムで３回抽出し、水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。そして、溶媒を留去し、更に４．００ｇの粗生成物を得た。得られた粗生成物を合わせ、トルエン３０ｍｌで再結晶し、６．２８ｇの化合物Ａ−１を得た。
【０３５５】
＜分析データ＞
＊LC-MS
APPI-MS, positive 377 （[M＋H]⁺、exact mass＝376）
＊¹H-NMR(300MHz,CDCl₃)
δ3.91(6Ｈ, s), 6.72(2H, t), 7.17-7.26(6H,ｍ), 7.31(2H, t),7.96(2H, d), 9.42(2H, s)
＊¹³C-NMR(300MHz,CDCl₃)
δ52.1,111.8, 114.1, 117.1, 124.4, 131.9, 134.5, 136.9, 148.7, 169.3。
【０３５６】
＜実施例２：化合物Ａ−２の合成＞
次に、下記構造式（Ａ−２）で表される化合物を合成した。
【０３５７】
【化７９】

【０３５８】
すなわち、３００ｍｌの4口フラスコに１−ブロモ−4−ｎ−ヘキシルベンゼン８．９８ｇを取り、窒素置換した。その後、９０ｍｌの脱水ＴＨＦに溶解し、−７８℃に冷却した後、１０分でｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍへキサン溶液）を滴下した。次に、２時間保温した後、２．００ｇの化合物Ａ−１を２０ｍｌの脱水ＴＨＦに溶解させ、滴下した。その後、徐々に室温まで昇温し、5時間攪拌した後に、０℃にて１００ｍｌの水を滴下した。次いで、分液し、水相を１００ｍｌの酢酸エチルで抽出した。また、油相を水、飽和食塩水で洗浄した後、溶媒を留去したところ、８．８６ｇの粗生成物を得た(赤橙色固体)。得られた粗生成物をヘキサン５０ｍｌから再結晶し、４．１４ｇの化合物Ａ−２を得た。
【０３５９】
＜分析データ＞
＊LC-MS
ESI, positive 999 （[M＋K]⁺、exact mass＝960）
＊¹H-NMR(300MHz,CDCl₃)
δ0.88(12H,t), 1.30(24H, m), 1.60(8H, ｍ), 2.60(8H, ｔ), 4.74(2H, brs), 5.68 (2H, brs), 6.55-6.63(6H, m), 6.75(2H, m),7.03-7.26(20H, m)
＊¹³C-NMR(300MHz,CDCl₃)
δ14.4,22.9, 29.3, 31.6, 32.0, 35.8, 82.4, 118.8, 120.2, 122.0, 127.9, 128.4, 130.3,136.1, 137.7, 142.3, 143.3, 144.0。
【０３６０】
＜実施例３：化合物Ａ−３の合成＞
次に、下記構造式（Ａ−３）で表される化合物を合成した。
【０３６１】
【化８０】

【０３６２】
すなわち、３００ｍｌのナス型フラスコに化合物Ａ−２を８．００ｇ取り、窒素置換した。その後、８０ｍｌの酢酸に溶解させ、０℃に冷却した。２．８ｍｌの濃塩酸を滴下した後、室温に昇温し、５時間攪拌した後、再度０℃に冷却して濾過、水洗した。次に、トルエン２５０ｍｌに溶解させ、水酸化ナトリウム水溶液で塩基性にし、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。その後、溶媒を留去したところ１３．７５ｇの粗生成物を得た。得られた粗生成物をトルエン５０ｍｌから再結晶し、６．７８ｇの化合物Ａ−３を得た。
【０３６３】
＜分析データ＞
＊LC-MS
ESI, positive 963 （[M＋K]⁺、exact mass＝924）
＊¹H-NMR(300MHz,THF-d₈)
δ0.90(12H,t), 1.34(24H, m), 1.55-1.62(8H, ｍ), 2.56(8H, ｔ), 6.37(2H, s), 6.63-6.70(6H, m), 6.87(8H, d), 6.98-7.01(10H, m),7.87(2H, s)
＊¹³C-NMR(300MHz,THF-d₈)
δ13.7,22.8, 29.5, 31.8, 32.0, 35.7, 56.2, 113.5, 115.2, 118.2, 126.8, 127.1, 127.3,130.1, 130.4, 134.5, 140.4, 141.8, 144.6。
【０３６４】
＜実施例４：化合物Ａ−４の合成＞
次に、下記構造式（Ａ−４）で表される化合物を合成した。
【０３６５】
【化８１】

【０３６６】
すなわち、３００ｍｌの４口フラスコを窒素置換し、化合物Ａ−３を９．９０ｇ、及び１−ブロモ−４−ｎ−ブチルベンゼンを４．９４ｇ取り、脱水トルエン１５０ｍｌに溶解させた。２０分間窒素バブリングした後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム０．０５ｇ、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィンテトラフルオロボレート０．０３ｇ、ナトリウム−ｔ−ブトキシド０．３０ｇを加え、１０時間還流した。その後、０℃まで冷却後、水１００ｍｌを加え、分液し、水相を１００ｍｌのトルエンで２回抽出した。そして、油相を合わせ、水、飽和食塩水で洗浄し、シリカゲル６０ｇを敷いたグラスフィルターで濾過した。その後、トルエンで洗浄した後、溶媒を留去し、１６．５２ｇの粗生成物を得た。得られた粗生成物にヘキサン５０ｍｌを加え結晶化し、メタノール５０ｍｌを加え、濾過した。得られた個体を５０ｍｌのヘキサンから再結晶し、１０．０９ｇの化合物Ａ−４を得た。
【０３６７】
＜分析データ＞
＊LC-MS
ESI, positive 1218 （[M＋H]⁺、exact mass＝1217）
＊¹H-NMR(300MHz,THF-d₈)
δ0.62(12H,t), 0.69(6H, t), 1.00-1.34--17(28H, m), 1.27-1.37(12H, ｍ), 2.26-2.35(12H, m),5.67(2H, s), 5.93(2H, d), 6.38-6.47(8H, d), 6.56-6.61(10H, m), 6.64(8H, d),6.79(6H, d)
＊¹³C-NMR(300MHz,THF-d₈)
δ15.5,15.6, 24.6, 24.7, 31.3, 33.7, 33.9, 35.8, 37.6, 58.3, 116.0, 117.8, 121.2,128.0, 129.1, 130.8, 138.5, 140.9, 142.2, 144.1, 145.0, 146.0。
【０３６８】
＜実施例５：化合物Ａの合成＞
次いで、化合物Ａを合成した。すなわち、３００ｍｌのナス型フラスコに化合物Ａ−４を１０．０９ｇ取り、窒素置換した。その後、１００ｍｌのクロロホルムに溶解させ、０℃に冷却した。次に、２．８７ｇのＮＢＳを６ｍｌのＤＭＦに溶解させた溶液を２０分で滴下した。その後、冷浴を外し、７時間攪拌後、０℃に冷却して０．２９ｇのＮＢＳを０．５ｍｌのＤＭＦに溶解し、滴下した。さらに、２．５時間攪拌後、水１００ｍｌを滴下し、分液し、水相をクロロホルムで抽出した。また、油相を水、飽和食塩水で洗浄した後、シリカゲル５０ｇを敷いたグラスフィルターを通して濾過、トルエン洗浄した。その後、溶媒を留去したところ、１２．４８ｇの粗生成物を得た。水相及び油相から得られた粗生成物をヘキサン１８０ｍｌ、２００ｍｌそれぞれから再結晶し、９．５５ｇの化合物Ａを得た。
【０３６９】
＜分析データ＞
＊LC-MS
APCI, positive 1346 （[M＋H]⁺、exact mass＝1345）
＊¹H-NMR(300MHz,THF-d₈)
δ0.90(12H,t), 0.97(6H, t), 1.30-1.45(28H, m), 1.57-1.69(12H, m), 2.56-2.61(12H, m),5.95(2H, s), 6.16(2H, brs), 6.70(4H, d), 6.76(8H, d), 7.01(8H, d), 7.02(2H, m),7.05(2H, m), 7.12(4H, d),
＊¹³C-NMR(300MHz,THF-d₈)
δ15.5,15.6, 24.6, 24.7, 31.3, 33.6, 33.9, 35.7, 37.4, 37.6, 117.7, 129.4, 130.3,132.0, 138.5, 142.7, 144.5。
【０３７０】
（実施例６：高分子化合物１の合成）
窒素雰囲気下、化合物Ａ１．０１ｇ及び２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン０．４０ｇ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．５ｍｇ、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ社製、商品名「Ａｌｉｑｕａｔ３３６」）０．１０ｇ、トルエン１５ｍｌを混合し、９０℃に加熱した。この反応溶液に１７．５重量％の炭酸ナトリウム水溶液４．１ｍｌを滴下し、２時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸１０ｍｇを加え、さらに４．５時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で３時間撹拌した。冷却後、水１０ｍｌで２回、３重量％酢酸水溶液１０ｍｌで２回、水１０ｍｌで２回洗浄し、得られた溶液をメタノール１２０ｍＬに滴下、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエン２５ｍＬに溶解させ、シリカゲルの上に活性アルミナを敷いたカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール１２０ｍｌに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し乾燥させて、高分子化合物１を得た。得られた高分子化合物１の収量は０．８９ｇであった。また、得られた高分子化合物１のポリスチレン換算の数平均分子量は、１．０×１０^５であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は３．０×１０^５であった。
【０３７１】
（合成例１：高分子化合物２の合成）
Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミンを単量体として重合させた高分子化合物２を以下のようにして合成した。なお、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミンは Polymer Preprints 2001, 42(2), 587 に記載の方法に従って合成することができる。
【０３７２】
すなわち、窒素雰囲気下、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン２．７３ｇ及び２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン２．１１ｇ、酢酸パラジウム１．８ｍｇ、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン１１．３ｍｇ、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ社製、商品名「Ａｌｉｑｕａｔ３３６」）０．５２ｇ、トルエン１５ｍｌを混合し、９０℃に加熱した。この反応溶液に１７．５重量％の炭酸ナトリウム水溶液１０．９ｍｌを滴下し、６時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸４９ｍｇを加え、さらに２時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で２時間撹拌した。冷却後、水５０ｍｌで２回、３重量％酢酸水溶液５０ｍｌで２回、水５０ｍｌで２回洗浄し、得られた溶液をメタノール６２０ｍｌに滴下、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエン１２０ｍｌに溶解させ、シリカゲルの上に活性アルミナを敷いたカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール６２０ｍｌに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し乾燥させて、高分子化合物２を得た。得られた高分子化合物２の収量は３．１９ｇであった。また、高分子化合物２のポリスチレン換算の数平均分子量は、４．２×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．７×１０^５であった。
【０３７３】
＜高分子化合物の蛍光スペクトル及び色度の評価＞
実施例６及び合成例１で得られた高分子化合物の蛍光ピーク波長及びＣＩＥ色度座標をそれぞれ表１に示す。
【０３７４】
【表１】

【０３７５】
表１に記載した結果からも明らかなように、本発明の高分子化合物（実施例６）の方がより短波長でより色度が優れた青色の蛍光ピークを与えることが確認された。
【０３７６】
（実施例７：高分子化合物３の合成）
窒素雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン２．１３ｇ、化合物Ａ４．３１ｇ及び３，７−ジブロモ−１０−（４−ブチルフェニル）−１０Ｈ−フェノキサジン（特開２００４−３５２２１号公報に記載の方法に従って合成）０．３８ｇ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム２．７ｍｇ、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ社製、商品名「Ａｌｉｑｕａｔ３３６」）０．５２ｇ、トルエン４０ｍｌを混合し、９０℃に加熱した。この反応溶液に１７．５重量％の炭酸ナトリウム水溶液２０ｍｌを滴下し、７時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸５０ｍｇを加え、さらに１２時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８５℃で３時間撹拌した。冷却後、水５０ｍｌで２回、３重量％酢酸水溶液５０ｍｌで２回、水５０ｍｌで２回洗浄し、得られた溶液をメタノール６００ｍＬに滴下、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエン１２０ｍＬに溶解させ、シリカゲルの上に活性アルミナを敷いたカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール６００ｍｌに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し乾燥させて、高分子化合物３を得た。得られた高分子化合物３の収量は４．７６ｇであった。また、得られた高分子化合物３のポリスチレン換算の数平均分子量は、７．２×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．７×１０^５であった。
【０３７７】
（合成例２：高分子化合物４の合成）
窒素雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ（ｎ−オクチル）フルオレン４．８７ｇ、２，７−ジブロモ−９，９−ジ（ｎ−オクチル）フルオレン２．９６ｇ及び２，７−ジブロモ−９，９−ジ（３−メチルブチル）フルオレン１．６７ｇ、酢酸パラジウム６ｍｇ、トリ（２−メトキシフェニル）ホスフィン３８ｍｇ、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ社製、商品名「Ａｌｉｑｕａｔ３３６」）０．５ｇ、トルエン４０ｍｌを混合し、４５℃に加熱した。この反応溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１５ｍｌを滴下した後、還流温度まで昇温し８時間還流させた。その後、ブロモベンゼン１．５５ｇを加え４時間還流し、更にフェニルホウ酸１．２１ｇを加え、さらに４時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え６５℃で４時間撹拌した。冷却後、分液し、水２００ｍｌで６回洗浄した。トルエン５Ｌに希釈し、セライト５４５ ２００ｇを敷いたグラスフィルターを通してろ過し、得られた濾液を１５０ｍｌまで半濃縮した。この溶液をメタノール１．６Ｌ中に滴下、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエン１５０ｍＬに溶解させ、メタノール１．６Ｌ中に滴下、攪拌した後、得られた沈殿物をろ取し乾燥させて、高分子化合物４を得た。得られた高分子化合物４の収量は５．９２ｇであった。また、得られた高分子化合物４のポリスチレン換算の数平均分子量は、８．４×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．１×１０^５であった。
【０３７８】
（合成例３：高分子化合物５の合成）
窒素雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン１０．４９５４ｇ及び３，７−ジブロモ−１０−（４−ブチルフェニル）−１０Ｈ−フェノキサジン（特開２００４−３５２２１号公報に従って合成）９．３３６４ｇトリオクチルメチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ社製、商品名「Ａｌｉｑｕａｔ３３６」）１．８６７ｇ、トルエン１２０ｇに溶解させ９０℃に昇温した。酢酸パラジウム４．４ｍｇ、トリ（２−メチルフェニル）ホスフィン４２．０ｍｇを６．５ｇのトルエンに溶解させた溶液を加えた後、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液３８．２ｇを滴下した。４時間還流した後、分子量を測定するとポリスチレン換算の数平均分子量は、３．４×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．０×１０⁵であった。２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン０．１３８１ｇを加え、更に４時間還流したところポリスチレン換算の数平均分子量は、５．５×１０^４、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．９×１０^５となった。フェニルホウ酸０．２４ｇを加え、さらに１４時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８５℃で３時間撹拌した。冷却後、水１００ｍｌで２回、３重量％酢酸水溶液１００ｍｌで２回、水１００ｍｌで２回洗浄し、得られた溶液をメタノール１．２Ｌに滴下、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエン２５０ｍＬに溶解させ、シリカゲルの上に活性アルミナを敷いたカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール１．２Ｌに滴下し撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し乾燥させて、高分子化合物５を得た。得られた高分子化合物５の収量は１２．２ｇであった。また、得られた高分子化合物５のポリスチレン換算の数平均分子量は、５．５×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．４×１０^５であった。
【０３７９】
（実施例８〜１０、比較例１及び２：有機電界発光素子１〜５の作製）
＜実施例８：有機電界発光素子１の作製＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社製、商品名「ＡＩ４０８３」）を用いてスピンコートにより６５ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。
【０３８０】
次に、発光層として、キシレン溶媒中に１．５重量％の濃度で溶解させた高分子化合物の混合物［高分子化合物１と高分子化合物４とのモル比（高分子化合物１：高分子化合物４）が１：１］をスピンコートにより３０００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約８０ｎｍであった。これを窒素ガス雰囲気下１３０℃で１０分間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して有機電界発光素子を作製した。なお、真空度が１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
【０３８１】
＜実施例９、比較例１：有機電界発光素子２及び３の作製＞
発光層を成膜するための高分子化合物として表２に記載のものを用いた以外は実施例８と同様にして有機電界発光素子を作製した。
【０３８２】
＜有機電界発光素子の発光色、駆動電圧及び輝度半減寿命の測定＞
実施例８及び９、比較例１で得られた有機電界発光素子の発光色（ＣＩＥ色度座標）、駆動電圧及び輝度半減寿命を測定した。ＣＩＥ色度座標、駆動電圧、駆動電流は、東京システム開発株式会社製の有機ＥＬテストシステム（ＳＴ−Ｐシリーズ）にて測定した。輝度半減寿命は、ＥＨＣ社製のＰＥＬ−１００Ｔシリーズにて測定した。得られた結果をそれぞれ表２に示す。なお、駆動電圧は、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２の条件で有機電界発光素子を駆動させた場合の駆動電圧を測定した。また、輝度半減寿命は、駆動電流３ｍＡの条件で有機電界発光素子を駆動させた場合において、輝度が初期の輝度の半分となる時間を測定し、比較例１の値を１としたときの相対値で示した。
【０３８３】
【表２】

【０３８４】
＜実施例１０：有機電界発光素子４の作製＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社製、商品名「ＡＩ４０８３」）を用いてスピンコートにより６５ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。
【０３８５】
次に、実施例６で得られた高分子化合物１を０．８重量％のキシレン溶液の状態でスピンコートして、約２０ｎｍの厚みに成膜した。その後窒素ガス雰囲気下１８０℃でホットプレート上で１８０℃、６０分間乾燥し、インターレイヤー層を形成した。
【０３８６】
次に、キシレン溶媒中に１．２重量％の濃度で溶解させた高分子化合物（サメイション株式会社製、商品名「Ｌｕｍａｔｉｏｎ ＢＰ１０５」）をスピンコートにより２０００ｒｐｍの回転速度で成膜し、発光層を形成した。膜厚は約６０ｎｍであった。これを窒素ガス雰囲気下１３０℃で１０分間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。なお、真空度が、１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
【０３８７】
＜比較例２：有機電界発光素子５の作製＞
インターレイヤー層を製膜するための高分子化合物として合成例１で得られた高分子化合物２を用いた以外は実施例１０と同様にして有機電界発光素子を作製した。
【０３８８】
＜有機電界発光素子の発光色、駆動電圧及び輝度半減寿命の測定＞
実施例１０及び比較例２で得られた有機電界発光素子の発光色（ＣＩＥ色度座標）、駆動電圧及び輝度半減寿命を測定した。得られた結果をそれぞれ表３に示す。なお、駆動電圧は、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２の条件で有機電界発光素子を駆動させた場合の駆動電圧を測定した。また、輝度半減寿命はそれぞれ初期輝度２４００ｃｄ／ｍ^２で発光させ、その時の電流量を一定にして駆動し、初期の輝度の半分となる時間を測定し、比較例２の値を１としたときの相対値で示した。
【０３８９】
【表３】

【産業上の利用可能性】
【０３９０】
以上説明したように、本発明によれば、有機電界発光素子の青色発光材料として用いた場合、色度が優れた化合物を提供することが可能となる。また、本発明の化合物を用いることによって有機電界発光素子とした時の駆動電圧を下げることが可能となる。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される構造（下記一般式（１）で表される構造から少なくとも１つの水素原子を除いた残基の構造を含む）を含むことを特徴とする化合物。
【化１】

（式（１）中、Ａ環、Ｂ環及びＣ環はそれぞれ独立に単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。）
【請求項２】
前記一般式（１）中のＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６がそれぞれ独立に水素原子又は１価の炭化水素基であることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
前記一般式（１）中のＲ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６がそれぞれ独立に下記一般式（２）で表される基であることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【化２】

（式（２）中、＊は炭素原子との結合手を表し、Ｒ⁷は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、２置換アミノ基、又は３置換シリル基を表し、ｍは０から５までの整数を表す。なお、ｍが２以上の場合には、Ｒ⁷は同じであっても異なっていてもよい。）
【請求項４】
ポリスチレン換算の数平均分子量が２０００以上のものであることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載の化合物。
【請求項５】
下記一般式（３）で表される繰返し単位を含むことを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか一項に記載の化合物。
【化３】

（式（３）中、Ａ環、Ｂ環及びＣ環はそれぞれ独立に単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。また、Ａ環及びＣ環上に結合手を有する。）
【請求項６】
下記一般式（４）で表される繰返し単位を含むことを特徴とする請求項５に記載の化合物。
【化４】

（式（４）中、＊は結合手を表し、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項７】
下記一般式（５）で表される繰返し単位を更に含むことを特徴とする請求項１〜６のうちのいずれか一項に記載の化合物。
【化５】

（式（５）中、Ａｒ^１はアリーレン基又は２価の複素環基を表し、Ｒ^８及びＲ^９はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、又はシアノ基を表し、ｎは０又は１を表す。）
【請求項８】
下記一般式（６−１）、（６−２）、（６−３）で表される繰返し単位からなる群から選択される少なくとも１つの繰返し単位を更に含むことを特徴とする請求項７に記載の化合物。
【化６】

（式（６−１）中、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５はそれぞれ独立にアリーレン基、又は２価の複素環基を表し、Ａｒ^６、Ａｒ^７及びＡｒ^８はそれぞれ独立にアリール基、又は１価の複素環基を表し、ａ及びｂはそれぞれ独立に０又は正の整数を表す。）
【化７】

（式（６−２）中、Ｄ環及びＥ環はそれぞれ独立に環上に結合手を有する芳香環を表し、Ｙ^１は−Ｏ−、−Ｓ−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−を表し、Ｒ^２０は１価の基を表す。）
【化８】

（式（６−３）中、Ｙ^２は−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。また、６員環上に２つの結合手を有する。）
【請求項９】
下記一般式（７）で表される化合物を原料として重合する工程を含むことを特徴とする請求項１〜８のうちのいずれか一項に記載の化合物の製造方法。
【化９】

（式（７）中、Ａ環、Ｂ環及びＣ環はそれぞれ独立に単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｘ^１、Ｘ^２はそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を表す。）
【請求項１０】
前記一般式（７）で表されることを特徴とする化合物。
【請求項１１】
下記一般式（８）で表されることを特徴とする請求項１０に記載の化合物。
【化１０】

（式（８）中、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｘ^１、Ｘ^２はそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項１２】
前記一般式（７）、（８）中のＸ^１及びＸ^２がそれぞれ独立に−Ｂ（ＯＨ）_２、ホウ酸エステル残基、ハロゲン化マグネシウム、スタニル基、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基からなる群から選択される少なくとも１つの置換基であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の化合物。
【請求項１３】
下記一般式（９）で表されることを特徴とする請求項１０〜１２のうちのいずれか一項に記載の化合物。
【化１１】

（式（９）中、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｘ^３、Ｘ^４はそれぞれ独立に塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項１４】
前記一般式（９）で表される化合物から、Ｘ^３及びＸ^４を官能基変換することにより、前記一般式（８）で表される化合物を製造することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の化合物の製造方法。
【請求項１５】
ハロゲン化剤の存在下で、下記一般式（１０）で表される化合物から、ハロゲン化反応により、前記一般式（９）で表される化合物を製造することを特徴とする請求項１３に記載の化合物の製造方法。
【化１２】

（式（１０）中、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１及びＲ^４はそれぞれ独立に１価の基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項１６】
前記一般式（１０）で表されることを特徴とする化合物。
【請求項１７】
塩基の存在下で、下記一般式（１１）で表される化合物から、窒素原子上の置換反応により、前記一般式（１０）で表される化合物を製造することを特徴とする請求項１６に記載の化合物の製造方法。
【化１３】

（式（１１）中、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｒ^１０及びＲ^１１はそれぞれ独立に水素原子又は１価の基を表し、Ｒ^１０及びＲ^１１のうちの少なくとも一方は水素原子である。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項１８】
前記一般式（１１）で表されることを特徴とする化合物。
【請求項１９】
酸の存在下で、下記一般式（１２）で表される化合物から前記一般式（１０）又は（１１）で表される化合物を環化反応により製造することを特徴とする請求項１６又は１８に記載の化合物の製造方法。
【化１４】

（式（１２）中、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｒ^１２及びＲ^１３はそれぞれ独立に水素原子又は１価の基を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項２０】
前記一般式（１２）で表される化合物のうち、下記一般式（１２−１）で表されることを特徴とする化合物。
【化１５】

（式（１２−１）中、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１２及びＲ^１３はそれぞれ独立に水素原子又は１価の基を表す。Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３及びＲ^２４はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３及びＲ^２４のうちの少なくとも１つはアリール基を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項２１】
一般式：Ｒ^１４−Ｍ
（式中、Ｒ^１４はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し、Ｍはリチウム又はハロゲン化マグネシウムを表す。）
で表される化合物の下記一般式（１３）で表される化合物への求核反応により前記一般式（１２−１）で表される化合物を製造することを特徴とする請求項２０に記載の化合物の製造方法。
【化１６】

（式（１３）中、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^２１及びＲ^２３はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基を表し、Ｒ^１２及びＲ^１３はそれぞれ独立に水素原子又は１価の基を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２１、Ｒ^２３及びＲ^１４のうちの少なくとも１つはアリール基を表す。）
【請求項２２】
一般式：Ｒ^１５−Ｍ
（式中、Ｒ^１５はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し、Ｍはリチウム又はハロゲン化マグネシウムを表す。）
で表される化合物の下記一般式（１４）で表される化合物への求核反応により前記一般式（１２−１）で表される化合物を製造することを特徴とする請求項２０に記載の化合物の製造方法。
【化１７】

（式（１４）中、Ｂ環は単環の芳香環又は縮合した芳香環を表し、Ｒ^１２及びＲ^１３はそれぞれ独立に水素原子又は１価の基を表し、Ｒ^１６及びＲ^１７はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を表す。Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、２置換アミノ基、３置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、１価の複素環基又はヘテロアリールオキシ基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏが２又は３の場合、複数あるＲａは同一であっても異なっていてもよい。ｐが２又は３の場合、複数あるＲｂは同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項２３】
前記一般式（１４）で表される化合物のうち、下記一般式（１４−１）で表されることを特徴とする化合物。
【化１８】

（式（１４−１）中、Ｒ^１６及びＲ^１７はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を表す。）
【請求項２４】
パラジウム、ニッケル及び銅からなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む触媒の存在下で、下記一般式（１５）で表される化合物、下記一般式（１６）で表される化合物及び下記一般式（１７）で表される化合物から縮合反応により前記一般式（１４−１）で表される化合物を製造することを特徴とする請求項２３に記載の化合物の製造方法。
【化１９】

（式（１５）〜（１７）中、Ｒ^１６及びＲ^１７はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を表し、Ｘ^５及びＸ^６はそれぞれ独立に塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。）
【請求項２５】
パラジウム、ニッケル及び銅からなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む触媒の存在下で、下記一般式（１８）で表される化合物、下記一般式（１９）で表される化合物及び下記一般式（２０）で表される化合物から縮合反応により前記一般式（１４−１）で表される化合物を製造することを特徴とする請求項２３に記載の化合物の製造方法。
【化２０】

（式（１８）〜（２０）中、Ｒ^１６及びＲ^１７はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を表し、Ｘ^７及びＸ^８はそれぞれ独立に塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。）
【請求項２６】
請求項１〜８のうちのいずれか一項に記載の化合物、並びに、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選択される少なくとも１種類の材料を含有することを特徴とする組成物。
【請求項２７】
請求項１〜８のうちのいずれか一項に記載の化合物又は請求項２６に記載の組成物を含有することを特徴とするインク組成物。
【請求項２８】
請求項１〜８のうちのいずれか一項に記載の化合物又は請求項２６に記載の組成物を含有することを特徴とする薄膜。
【請求項２９】
請求項２８に記載の薄膜を有することを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項３０】
陽極及び陰極からなる電極間に、請求項１〜８のうちのいずれか一項に記載の化合物又は請求項２６に記載の組成物を含む有機層を有することを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項３１】
前記有機層が発光層であることを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子。
【請求項３２】
陽極及び陰極からなる電極間に、発光層と正孔輸送層とを有し、且つ前記正孔輸送層が請求項１〜８のうちのいずれか一項に記載の化合物又は請求項２６に記載の組成物を含む請求項３０に記載の有機電界発光素子。
【請求項３３】
陽極及び陰極からなる電極間に、発光層と正孔輸送層とを有し、前記発光層と前記正孔輸送層との間にインターレイヤー層を有し、且つ前記インターレイヤー層が請求項１〜８のうちのいずれか一項に記載の化合物又は請求項２６に記載の組成物を含む請求項３０に記載の有機電界発光素子。
【請求項３４】
請求項３０〜３３のうちのいずれか一項に記載の有機電界発光素子を備えることを特徴とする面状光源。
【請求項３５】
請求項３０〜３３のうちのいずれか一項に記載の有機電界発光素子を備えることを特徴とする表示装置。

【公開番号】特開２００９−５２０３２（Ｐ２００９−５２０３２Ａ）
【公開日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１９１８４５（Ｐ２００８−１９１８４５）
【出願日】平成２０年７月２５日（２００８．７．２５）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【出願人】（５０６０６１６６８）サメイション株式会社 (51)
【Ｆターム（参考）】