半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
【課題】めっき液噴流方向を均一化すると共に、ポンプに負荷を掛けることなく噴射ノズルからのめっき液流量（圧力）を増加させる手段を備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造装置は、めっき処理槽１と、ウェハー支持部３と、めっき液噴射ノズル土台配管１２と、ウェハー２の被処理面に向かってめっき液を噴射する複数のめっき液噴射ノズル１３とを備えている。複数のめっき液噴射ノズル１３の各々は、ベンチュリ構造型のノズルである。めっき液噴射ノズル１３から噴射されためっき液の一部は、めっき処理槽１の上部から底部に向かって流動し、めっき液噴射ノズル１３から噴射されるめっき液と合流して、ウェハー２の被処理面に向かって再度噴射される。
【解決手段】半導体装置の製造装置は、めっき処理槽１と、ウェハー支持部３と、めっき液噴射ノズル土台配管１２と、ウェハー２の被処理面に向かってめっき液を噴射する複数のめっき液噴射ノズル１３とを備えている。複数のめっき液噴射ノズル１３の各々は、ベンチュリ構造型のノズルである。めっき液噴射ノズル１３から噴射されためっき液の一部は、めっき処理槽１の上部から底部に向かって流動し、めっき液噴射ノズル１３から噴射されるめっき液と合流して、ウェハー２の被処理面に向かって再度噴射される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明に開示する技術は、半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウェハー上に導電膜を形成するためのめっき装置、及びこのめっき装置を用いて半導体装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造工程において、半導体ウェハー上に銅（Ｃｕ）や金（Ａｕ）などの導電膜を形成する場合には、一般的に、噴流式めっき装置を用いることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
第１の従来例は、例えば図５に示すように、一般的な噴流式めっき装置に関し、めっき槽５１の上部開口に沿って設けられたウェハー支持部５２を兼ねたカソード電極と、このカソード電極の下側に設けられためっき液流出口５７と、めっき槽５１の底部に設けられためっき液噴射ノズルと、めっき槽５１の中央に設置された不溶性メッシュアノード５８とを備えている。
【０００４】
図５に示した噴流式めっき装置を用いためっき方法としては、まず、ウェハー５３がフェースダウンでカソード部に載置され、ウェハー５３表面の導電膜と接触させることでカソードとなる。続いて、めっき液供給配管５６から供給されためっき液が、めっき液噴射ノズルからめっき槽５１内に噴射され、めっき槽５１内がめっき液で満たされる。これにより、ウェハー５３のめっき対象面５４にめっき液が接触する。この状態で、めっき電流供給電源により、アノード電極からカソード電極に設置されているウェハー５３の表面の導電体部に電流を流すことにより、電解めっきが進行する。
【０００５】
また、第２の従来例は、例えば図６に示すように、複数の噴射ノズルを設置した噴流式めっき装置６０に関し、めっき槽６３内でめっき液６４の噴射ノズル６１とめっき液６４の回収配管６２が交互に配列されている。このため、ウェハー６５の面内のどの領域においてもめっき液６４は同じ循環挙動を有することから、ウェハー６５の表面にめっき層が均一に形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−０９９９８８号公報
【特許文献２】特開昭６２−２９７４９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記第１の従来例に係る噴流式めっき装置では、スルーホールやビアホール（なお、以下では、ビアホールを含めた概念としてスルーホールと称する。）の凹部内において、めっきが均一に形成されないという問題が生じる。これは、めっき液噴射ノズルから噴射されためっき液の噴流方向が、ウェハー中央部においてはウェハーに対して垂直方向の挙動となる一方、ウェハー外周部においてはウェハーに対して水平方向の挙動となり、ウェハー面内において液の供給方向が不均一になることに起因している。
【０００８】
具体的に説明すると、ウェハー全面にスルーホールが形成されたウェハーにめっき処理を行う場合、ウェハー中央ではウェハーに対して垂直方向にめっき液が供給されることから、スルーホールの内部にまで十分な量のめっき液が循環される。しかしながら、ウェハー外周部ではウェハーに対して水平方向にめっき液が供給されることから、スルーホールの内部にまで供給されるめっき液の量が少ない。
【０００９】
したがって、ウェハー外周部におけるスルーホール内では、めっき成長に必要な金属イオン量が不足するため、めっき層が均一に形成されないという問題が生じる。この問題に対し、めっき成長レートを低下させてめっき処理時間を長くすることにより、めっき液の循環時間を十分にするという対策が考えられるが、スループットが低下するという新たな問題が生じる。
【００１０】
一方、上記第２の従来例に係る噴流式メッキ装置は、ウェハー面内のどの領域においてもめっき液の循環挙動を同じできるため、上記第１の従来例に係る問題であるウェハー面内でのめっき液供給方向の不均一を解消することができるものである。
【００１１】
しかしながら、この第２の従来例に係る噴流式メッキ装置では、噴射ノズルを複数備えるため、各々の噴射ノズルから噴射されるめっき液量は、供給されるめっき液量の噴射ノズルの数分の１に低下するという問題が別途生じる。
【００１２】
この場合、凹凸が少ないウェハー表面にめっき処理するバンプ形成めっきにおいては、噴射ノズルからのめっき液量が低下しても問題はない。しかし、近年、特に高アスペクト比化が進んでいるスルーホールなどの凹部内にめっき処理する場合には、上記したように各々の噴射ノズルから噴射されるめっき液量が低下していると、めっき液の循環状態が非常に悪くなり、スルーホールの底部にまで金属イオンを含むめっき液を安定して供給することができない。その結果、スルーホールの底部においては、めっき層が形成されない状態となったり、形成されためっき層が薄い状態となるため、めっき膜厚の均一性が低下する。
【００１３】
この問題に対し、めっき成長レートを低下させてめっき処理時間を長くすることにより、めっき液の循環時間を十分にするという対策が考えられるが、上述したように、スループットが低下するという新たな問題が生じる。さらに、各々の噴射ノズルから噴射されるめっき液量を増加させるという対策も考えられるが、ポンプに負荷が掛かるという新たな問題が生じる。
【００１４】
以上のように、スルーホールなどの非常にアスペクト比の高い凹部内にめっき処理する場合には、めっき液噴流方向の均一化に加えて、ポンプに負荷を掛けることなく噴射ノズルからのめっき液流量（圧力）を増加させることが非常に重要である。
【００１５】
前記に鑑み、本発明の目的は、めっき液噴流方向を均一化すると共に、ポンプに負荷を掛けることなく噴射ノズルからのめっき液流量（圧力）を増加させる手段を提供することにより、高アスペクト比のスルーホールを含む半導体ウェハーに対しても導電膜を均一な膜厚で形成できるめっき装置、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の目的を達成するために、本発明の一側面の半導体装置の製造装置は、ウェハーの被処理面に導電膜をめっき形成する半導体装置の製造装置であって、めっき処理槽と、めっき処理槽の上部に設けられ、ウェハーがフェースダウンで載置されるウェハー支持部と、めっき処理槽の底部に設けられためっき液噴射ノズル土台配管と、めっき液噴射ノズル土台配管に連結して設けられ、ウェハーの被処理面に向かってめっき液を噴射する複数のめっき液噴射ノズルとを備えており、複数のめっき液噴射ノズルの各々は、ベンチュリ構造型のノズルであり、めっき液噴射ノズルから噴射されためっき液の一部は、めっき処理槽の上部から底部に向かって流動し、めっき液噴射ノズルから噴射されるめっき液と合流して、ウェハーの被処理面に向かって再度噴射される。
【００１７】
本発明の一側面の半導体装置の製造装置において、めっき液噴射ノズル土台配管の形状は、平面型であってもよい。
【００１８】
本発明の一側面の半導体装置の製造装置において、めっき液噴射ノズル土台配管の形状は、円弧型であってもよい。
【００１９】
本発明の一側面の半導体装置の製造装置において、複数のめっき液噴射ノズルの各々は、ウェハーの被処理面内に均一に導電膜が形成されるように、噴射量及び噴射圧力が異なる複数種のベンチュリ構造型のノズルからなっていてもよい。
【００２０】
本発明の一側面の半導体装置の製造装置において、複数種のベンチュリ構造型のノズルは、ノズル開口径の大きさに応じて、噴射量及び噴射圧力が異なっていてもよい。
【００２１】
本発明の一側面の半導体装置の製造方法は、上記半導体装置の製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、ウェハーの被処理面がフェースダウンとなるように、ウェハーをウェハー支持部に載置する工程（ａ）と、めっき液噴射ノズル土台配管を通して、めっき液を複数のめっき液噴射ノズルの各々に供給する工程（ｂ）と、複数のめっき液噴射ノズルの各々に供給されるめっき液を用いて、ウェハーの被処理面に導電膜を形成する工程（ｃ）とを備え、工程（ｃ）は、少なくとも、複数のめっき液噴射ノズルの各々に供給されるめっき液を、複数のめっき液噴射ノズルの各々からウェハーの被処理面に向かって噴射する工程（ｃ１）と、複数のめっき液噴射ノズルから噴射しためっき液の一部を、めっき処理槽の上部から底部に向かって流動させる工程（ｃ２）と、流動しためっき液をベンチュリ効果を利用して複数のめっき液噴射ノズルの各々から噴射するめっき液と合流させて、ウェハーの被処理面に向かって再度噴射する工程（ｃ３）とを含む。
【００２２】
本発明の一側面の半導体装置の製造方法において、工程（ｃ１）〜（ｃ３）を繰り返すことにより、ウェハーの被処理面に、所望の膜厚を有する導電膜を形成してもよい。
【００２３】
本発明の一側面の半導体装置の製造方法において、ウェハーの被処理面は、分散して形成された複数のスルーホールを備え、工程（ｃ１）〜（ｃ３）を繰り返すことにより、スルーホールの各々に導電膜を均一に形成してもよい。
【発明の効果】
【００２４】
以上で説明した本発明の一側面の半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法によると、複数の噴射ノズルを設置した噴流式めっき装置において、各々のめっき液噴射ノズルはベンチュリ構造型となっている。このため、筒状の従来のノズルと比較してポンプに掛かる負荷を大きくすることなく、めっき液噴射ノズルからの噴射量及び噴射圧力を大きくすることが可能となる。これにより、スルーホールなど非常にアスペクト比の大きい凹部を有するウェハーに対してめっきを処理する場合においても、安定して金属イオンを含むめっき液の供給が可能となり、高アスペクト比のスルーホールを含む半導体ウェハーに対しても、導電膜を均一な膜厚で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造装置としてのめっき処理装置の構造を示す断面模式図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造装置におけるベンチュリ構造型のめっき液噴射ノズルの構造を示す斜視図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造装置の変形例としてのめっき槽の構造を示す断面模式図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の一実施形態におけるスルーホール内での膜厚が均一な金属めっき層が形成されたウェハーの部分拡大断面図であり、図４（ｂ）は、従来技術におけるスルーホール内での膜厚が不均一な金属めっき層が形成されたウェハーの部分拡大断面図である。
【図５】図５は、第１の従来例に係る半導体装置の噴流式めっき装置の構造を示す断面模式図である。
【図６】図６は、第２の従来例に係る半導体装置の噴流式めっき装置の構造を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下では、図面及び詳細な説明をもって本発明の技術的思想を明確に説明するものであり、当該技術分野におけるいずれの当業者であれば、本発明の好ましい実施例を理解した後に、本発明が開示する技術により、変更及び付加を加えることが可能であり、これは本発明の技術的思想及び範囲を逸脱するものではない。例えば、以下の実施形態において、要素の数など（個数、数値、量、及び範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の下図に限定される場合などを除いて、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００２７】
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造装置としての例えば噴流式のめっき処理装置の断面構造を模式的に示している。
【００２８】
図１に示すように、本実施形態のめっき処理装置では、めっき槽１の上部開口に沿って、ウェハー２が載置されるウェハー支持部３が設けられており、このウェハー支持部３にウェハー２のめっき対象面（被処理面）をフェースダウンで載置した状態で、ウェハー２のめっき対象面に対してめっき処理が行われる。
【００２９】
ウェハー支持部３は、図示しないカソード電極と電気的に接続されており、カソード電極の下部に設けられためっき液の漏洩防止用シールパッキン４及び環状の支持台５からなり、シールパッキン４及び環状の支持台５は、トップリング６により、めっき処理槽１の開口に固定されている。そして、ウェハー２がウェハー支持部３に載置されると、ウェハー２は、ウェハー押さえ７により、図示しない駆動機構により上方から加圧固定され、図示しないカソード電極とウェハー２のめっき対象面の周辺部分とが接触するように構成されている。
【００３０】
また、ウェハー支持部３の下側位置には、めっき液を流出させるためのめっき液流出口８が設けられている。そして、めっき処理槽１の中央位置には、ウェハー２のめっき対象面と対向するように、メッシュ状の不溶性アノード電極９が配置されている。この不溶性アノード電極９とウェハー支持部３に配置されたカソード電極とは、図示しないめっき電流供給電源に接続されている。
【００３１】
また、めっき処理槽１を構成する槽壁には、めっき液流出口８から流出してくるめっき液が図示しないめっき液貯蔵槽へ送られるように、めっき液排出路１０が設けられている。
【００３２】
また、めっき処理槽１の底部中央には、図示しないポンプにより、図示しないめっき液貯蔵槽からめっき液をめっき処理層１の内部へ供給するためのめっき液供給配管１１が設けられており、該めっき液供給配管１１には、その先に、めっき液噴射ノズル土台配管１２が連続して設けられている。
【００３３】
また、めっき液噴射ノズル土台配管１２には、該めっき液噴射ノズル土台配管１２に連結するように、ベンチュリ構造型のめっき液噴射ノズル１３が複数設けられている。また、めっき液噴射ノズル１３は、メッシュ状の不溶性アノード電極９の下側に位置している。さらに、複数のめっき液噴射ノズル１３の配置は、１０平方センチメートルあたりに１個以上となる割合で設置することが好ましい。
【００３４】
ここで、ベンチュリ構造型のめっき液噴射ノズル１３について、図２を参照しながらその詳細を説明する。
【００３５】
図２は、図１で示しためっき液噴射ノズル１３の構造を概略的に斜視図で示している。
【００３６】
図２に示すように、めっき液噴射ノズル１３は、めっき液噴射ノズル土台配管１２に連結するノズル部２１と、ノズル部２１からディフューザー部２３にめっき液を噴射するオリフィス部２２と、めっき処理槽１内にめっき液を噴射するディフューザー部２３と、ノズル部２１とディフューザー部２３との連結部２４と、ノズル部２２とディフューザー部２３との間の液吸入口２５とを備えている。めっき液噴射ノズル１３は、オリフィス部２２の開口径がノズル部２１の配管径よりも小さくなっており、いわゆるベンチュリ構造型のノズルである。
【００３７】
次に、上述した本実施形態に係るめっき処理装置の動作について、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００３８】
まず、ウェハー２をそのめっき対称面がフェースダウンとなるようにウェハー支持部３へ搬送する。続いて、ウェハー押さえ７によりウェハー２を上方から押圧する。これにより、ウェハー２のめっき対象面の周辺部分が、カソード電極と電気的に接続されると共に、カソード電極の下部に設けられためっき液の漏洩防止用シールパッキン４と接触する。
【００３９】
次に、外部に設けられた図示しないめっき液貯蔵槽からめっき液供給配管１１、めっき液噴射ノズル土台配管１２を通してめっき液を供給し、複数のめっき液噴射ノズル１３からウェハー２に向けて噴射し、めっき処理槽１内がめっき液で充満するまでめっき液を供給する。めっき処理層１内に充満されためっき液の一部は、矢印ａ及びｂに示すように、めっき液流出口８からめっき液排出路１０を通り、外部に設けられた図示しないめっき液貯蔵槽へと流出する。
【００４０】
そして、複数のめっき液噴射ノズル１３から噴射されてめっき液流出部８から流出しなかっためっき液は、矢印ｃに示すように、めっき処理槽１の上部側から底部側に流動し、めっき液噴射ノズル１３の液吸入口２５に向かって流動することになる。液吸入口２５近傍のめっき液は、めっき液噴射ノズル１３のオリフィス部２２からめっき液が矢印ｄ１のように噴射されていることから、噴射された部分の圧力がその周囲と比較し低圧となる、いわゆるベンチュリ効果により、ディフューザー部２３内に吸い寄せられる。このため、液吸収入口２５近傍のめっき液は、オリフィス部２２から噴射されためっき液と合流して、矢印ｄ２に示すように、ディフューザー２３からウェハー２に向けて噴流されることになる。このように、めっき液はめっき処理層１内において循環流動している。
【００４１】
これにより、めっき液噴射ノズル１３のノズル部２１に供給されためっき液流量に対し、ディフューザー部２３から噴射されるめっき液流量が多くなるという効果が生まれる。その結果、スルーホールなど非常にアスペクト比の大きい凹部を有するウェハー２に対してめっきを処理する場合においても、安定して金属イオンを含むめっき液の供給が可能となる。
【００４２】
また、めっき液噴射ノズル１３のオリフィス部２２の開口径を小さく設計することにより、ディフューザー部２３から噴射されるめっき液圧力を大きくできる一方、その開口径を大きく設計することにより、ディフューザー部２３から噴射されるめっき液圧力を小さくすることができる。したがって、例えば図３に示すめっき処理装置の構造の変形例のように、めっき液土台配管１２の上部部分を円弧型の形状に設計して、オリフィス部２２の開口径の異なるめっき液噴射ノズル１３を適切な位置に配置することにより、めっき処理槽１内におけるめっき液の噴流状態を調整することが可能となる。このため、スルーホールなど非常にアスペクト比の大きい凹部を有するウェハー２に対してめっきを処理する場合においても、ウェハー２の面内全体に亘って安定して金属イオンを含むめっき液を供給することが可能となる。このような構造とすることは、めっき処理槽１の寸法に制限されて複数のめっき液噴射ノズル１３が平面的に設置してもウェハー２の全面に対してめっき液を均等に供給できない場合に特に有用である。
【００４３】
次に、カソード電極からウェハー２にマイナス電位を印加して、不溶性アノード電極９にプラス電位を印加する。これにより、めっき液中の金属イオンがカソードとなっているウェハー２に引き寄せられ、ウェハー２の表面上で電子を受け取ることにより、金属膜として析出する。その結果、ウェハー２の表面に導電膜が形成される。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態に係るめっき処理装置は、ベンチュリ構造型の複数のめっき液噴射ノズル１３を用いることにより、めっき液が上述したように循環流動しながらウェハー２に対して噴射するため、ウェハー２に形成されているスルーホールなど非常にアスペクト比の大きい凹部に対しても、安定して金属イオンを含むめっき液が供給されるため、高アスペクト比のスルーホールを含む半導体ウェハー２に対しても、導電膜を均一な膜厚で形成することができる。すなわち、図４（ａ）に示すように、従来例のめっき処理装置によると、ウェハー２に設けられたスルーホール４１では、その底部４１ａ及びその周辺において、膜が形成されなかったり、薄い膜となったりする導電膜４３aが形成されるが、本実施形態のめっき処理装置によると、図４（ｂ）に示すように、スルーホール４１の底部４１ｂ周辺を含めて、ウェハー２の全体に均一な膜厚を有する導電膜４３ｂが形成される。
【００４５】
また、めっき液噴射ノズル１３の各々は、ベンチュリ構造型となっていることにより、噴射されるめっき液圧力を大きくすることができる。このため、従来の筒状のノズルと比較して、ノズルからめっき対象となるウェハーまでの距離が長くても、安定して金属イオンを含むめっき液の供給が可能となる結果、高アスペクト比のスルーホールを含む半導体ウェハーに対しても導電膜を均一な膜厚で形成することができる。
【００４６】
また、ベンチュリ構造型となっている複数のめっき液噴射ノズルの各々は、噴射量及び噴射圧力が異なるタイプのベンチュリ構造の噴射ノズルに適宜付け替えることができるため、めっき処理槽１内のめっき液循環状態の調整が可能となる。例えば、上述したように、オリフィス部２２の開口径の大きさを変えることにより、噴射量及び噴射圧力が異なるタイプのベンチュリ構造の噴射ノズルは実現される。これにより、複数のめっき液噴射ノズル１３は、平面的に配列されなくても、例えば、上述したように、めっき液噴射ノズル土台配管１２が円弧型の形状である場合においても、噴射量及び噴射圧力の異なるベンチュリ構造の噴射ノズルの配置を調整することにより、めっき処理槽１内でめっき液の循環状態の調整が可能となる。このため、安定して金属イオンを含むめっき液の供給が可能となり、高アスペクト比のスルーホールを含む半導体ウェハーに対しても、導電膜を均一な膜厚で形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
以上のように、本発明は、スルーホールなど非常にアスペクト比の大きい凹部を有するウェハーに対してめっきを処理する場合においても、安定して金属イオンを含むめっき液の供給が可能となるものであるから、特に、高アスペクト比のスルーホールを含む半導体ウェハーに対してめっき処理する半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法にとって有用である。
【符号の説明】
【００４８】
１ めっき処理槽
２ ウェハー
３ ウェハー支持部
４ シールパッキン（カソード電極に電気的に接続）
５ 環状支持台
６ トップリング
７ ウェハー押さえ
８ めっき液流出口
９ 不溶性アノード電極
１０ めっき液排出路
１１ めっき液供給配管
１２ めっき液噴射ノズル土台配管
１３ めっき液噴射ノズル
２１ ノズル部
２２ オリフィス部
２３ ディフューザー部
２４ ノズル部２１とディフューザー部２３との連結部
２５ 液吸入口部
４１ スルーホールの底部
４２ スルーホール
４３ａ、４３ｂ 導電膜（金属めっき層）
【技術分野】
【０００１】
本発明に開示する技術は、半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウェハー上に導電膜を形成するためのめっき装置、及びこのめっき装置を用いて半導体装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造工程において、半導体ウェハー上に銅（Ｃｕ）や金（Ａｕ）などの導電膜を形成する場合には、一般的に、噴流式めっき装置を用いることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
第１の従来例は、例えば図５に示すように、一般的な噴流式めっき装置に関し、めっき槽５１の上部開口に沿って設けられたウェハー支持部５２を兼ねたカソード電極と、このカソード電極の下側に設けられためっき液流出口５７と、めっき槽５１の底部に設けられためっき液噴射ノズルと、めっき槽５１の中央に設置された不溶性メッシュアノード５８とを備えている。
【０００４】
図５に示した噴流式めっき装置を用いためっき方法としては、まず、ウェハー５３がフェースダウンでカソード部に載置され、ウェハー５３表面の導電膜と接触させることでカソードとなる。続いて、めっき液供給配管５６から供給されためっき液が、めっき液噴射ノズルからめっき槽５１内に噴射され、めっき槽５１内がめっき液で満たされる。これにより、ウェハー５３のめっき対象面５４にめっき液が接触する。この状態で、めっき電流供給電源により、アノード電極からカソード電極に設置されているウェハー５３の表面の導電体部に電流を流すことにより、電解めっきが進行する。
【０００５】
また、第２の従来例は、例えば図６に示すように、複数の噴射ノズルを設置した噴流式めっき装置６０に関し、めっき槽６３内でめっき液６４の噴射ノズル６１とめっき液６４の回収配管６２が交互に配列されている。このため、ウェハー６５の面内のどの領域においてもめっき液６４は同じ循環挙動を有することから、ウェハー６５の表面にめっき層が均一に形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−０９９９８８号公報
【特許文献２】特開昭６２−２９７４９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記第１の従来例に係る噴流式めっき装置では、スルーホールやビアホール（なお、以下では、ビアホールを含めた概念としてスルーホールと称する。）の凹部内において、めっきが均一に形成されないという問題が生じる。これは、めっき液噴射ノズルから噴射されためっき液の噴流方向が、ウェハー中央部においてはウェハーに対して垂直方向の挙動となる一方、ウェハー外周部においてはウェハーに対して水平方向の挙動となり、ウェハー面内において液の供給方向が不均一になることに起因している。
【０００８】
具体的に説明すると、ウェハー全面にスルーホールが形成されたウェハーにめっき処理を行う場合、ウェハー中央ではウェハーに対して垂直方向にめっき液が供給されることから、スルーホールの内部にまで十分な量のめっき液が循環される。しかしながら、ウェハー外周部ではウェハーに対して水平方向にめっき液が供給されることから、スルーホールの内部にまで供給されるめっき液の量が少ない。
【０００９】
したがって、ウェハー外周部におけるスルーホール内では、めっき成長に必要な金属イオン量が不足するため、めっき層が均一に形成されないという問題が生じる。この問題に対し、めっき成長レートを低下させてめっき処理時間を長くすることにより、めっき液の循環時間を十分にするという対策が考えられるが、スループットが低下するという新たな問題が生じる。
【００１０】
一方、上記第２の従来例に係る噴流式メッキ装置は、ウェハー面内のどの領域においてもめっき液の循環挙動を同じできるため、上記第１の従来例に係る問題であるウェハー面内でのめっき液供給方向の不均一を解消することができるものである。
【００１１】
しかしながら、この第２の従来例に係る噴流式メッキ装置では、噴射ノズルを複数備えるため、各々の噴射ノズルから噴射されるめっき液量は、供給されるめっき液量の噴射ノズルの数分の１に低下するという問題が別途生じる。
【００１２】
この場合、凹凸が少ないウェハー表面にめっき処理するバンプ形成めっきにおいては、噴射ノズルからのめっき液量が低下しても問題はない。しかし、近年、特に高アスペクト比化が進んでいるスルーホールなどの凹部内にめっき処理する場合には、上記したように各々の噴射ノズルから噴射されるめっき液量が低下していると、めっき液の循環状態が非常に悪くなり、スルーホールの底部にまで金属イオンを含むめっき液を安定して供給することができない。その結果、スルーホールの底部においては、めっき層が形成されない状態となったり、形成されためっき層が薄い状態となるため、めっき膜厚の均一性が低下する。
【００１３】
この問題に対し、めっき成長レートを低下させてめっき処理時間を長くすることにより、めっき液の循環時間を十分にするという対策が考えられるが、上述したように、スループットが低下するという新たな問題が生じる。さらに、各々の噴射ノズルから噴射されるめっき液量を増加させるという対策も考えられるが、ポンプに負荷が掛かるという新たな問題が生じる。
【００１４】
以上のように、スルーホールなどの非常にアスペクト比の高い凹部内にめっき処理する場合には、めっき液噴流方向の均一化に加えて、ポンプに負荷を掛けることなく噴射ノズルからのめっき液流量（圧力）を増加させることが非常に重要である。
【００１５】
前記に鑑み、本発明の目的は、めっき液噴流方向を均一化すると共に、ポンプに負荷を掛けることなく噴射ノズルからのめっき液流量（圧力）を増加させる手段を提供することにより、高アスペクト比のスルーホールを含む半導体ウェハーに対しても導電膜を均一な膜厚で形成できるめっき装置、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の目的を達成するために、本発明の一側面の半導体装置の製造装置は、ウェハーの被処理面に導電膜をめっき形成する半導体装置の製造装置であって、めっき処理槽と、めっき処理槽の上部に設けられ、ウェハーがフェースダウンで載置されるウェハー支持部と、めっき処理槽の底部に設けられためっき液噴射ノズル土台配管と、めっき液噴射ノズル土台配管に連結して設けられ、ウェハーの被処理面に向かってめっき液を噴射する複数のめっき液噴射ノズルとを備えており、複数のめっき液噴射ノズルの各々は、ベンチュリ構造型のノズルであり、めっき液噴射ノズルから噴射されためっき液の一部は、めっき処理槽の上部から底部に向かって流動し、めっき液噴射ノズルから噴射されるめっき液と合流して、ウェハーの被処理面に向かって再度噴射される。
【００１７】
本発明の一側面の半導体装置の製造装置において、めっき液噴射ノズル土台配管の形状は、平面型であってもよい。
【００１８】
本発明の一側面の半導体装置の製造装置において、めっき液噴射ノズル土台配管の形状は、円弧型であってもよい。
【００１９】
本発明の一側面の半導体装置の製造装置において、複数のめっき液噴射ノズルの各々は、ウェハーの被処理面内に均一に導電膜が形成されるように、噴射量及び噴射圧力が異なる複数種のベンチュリ構造型のノズルからなっていてもよい。
【００２０】
本発明の一側面の半導体装置の製造装置において、複数種のベンチュリ構造型のノズルは、ノズル開口径の大きさに応じて、噴射量及び噴射圧力が異なっていてもよい。
【００２１】
本発明の一側面の半導体装置の製造方法は、上記半導体装置の製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、ウェハーの被処理面がフェースダウンとなるように、ウェハーをウェハー支持部に載置する工程（ａ）と、めっき液噴射ノズル土台配管を通して、めっき液を複数のめっき液噴射ノズルの各々に供給する工程（ｂ）と、複数のめっき液噴射ノズルの各々に供給されるめっき液を用いて、ウェハーの被処理面に導電膜を形成する工程（ｃ）とを備え、工程（ｃ）は、少なくとも、複数のめっき液噴射ノズルの各々に供給されるめっき液を、複数のめっき液噴射ノズルの各々からウェハーの被処理面に向かって噴射する工程（ｃ１）と、複数のめっき液噴射ノズルから噴射しためっき液の一部を、めっき処理槽の上部から底部に向かって流動させる工程（ｃ２）と、流動しためっき液をベンチュリ効果を利用して複数のめっき液噴射ノズルの各々から噴射するめっき液と合流させて、ウェハーの被処理面に向かって再度噴射する工程（ｃ３）とを含む。
【００２２】
本発明の一側面の半導体装置の製造方法において、工程（ｃ１）〜（ｃ３）を繰り返すことにより、ウェハーの被処理面に、所望の膜厚を有する導電膜を形成してもよい。
【００２３】
本発明の一側面の半導体装置の製造方法において、ウェハーの被処理面は、分散して形成された複数のスルーホールを備え、工程（ｃ１）〜（ｃ３）を繰り返すことにより、スルーホールの各々に導電膜を均一に形成してもよい。
【発明の効果】
【００２４】
以上で説明した本発明の一側面の半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法によると、複数の噴射ノズルを設置した噴流式めっき装置において、各々のめっき液噴射ノズルはベンチュリ構造型となっている。このため、筒状の従来のノズルと比較してポンプに掛かる負荷を大きくすることなく、めっき液噴射ノズルからの噴射量及び噴射圧力を大きくすることが可能となる。これにより、スルーホールなど非常にアスペクト比の大きい凹部を有するウェハーに対してめっきを処理する場合においても、安定して金属イオンを含むめっき液の供給が可能となり、高アスペクト比のスルーホールを含む半導体ウェハーに対しても、導電膜を均一な膜厚で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造装置としてのめっき処理装置の構造を示す断面模式図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造装置におけるベンチュリ構造型のめっき液噴射ノズルの構造を示す斜視図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造装置の変形例としてのめっき槽の構造を示す断面模式図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の一実施形態におけるスルーホール内での膜厚が均一な金属めっき層が形成されたウェハーの部分拡大断面図であり、図４（ｂ）は、従来技術におけるスルーホール内での膜厚が不均一な金属めっき層が形成されたウェハーの部分拡大断面図である。
【図５】図５は、第１の従来例に係る半導体装置の噴流式めっき装置の構造を示す断面模式図である。
【図６】図６は、第２の従来例に係る半導体装置の噴流式めっき装置の構造を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下では、図面及び詳細な説明をもって本発明の技術的思想を明確に説明するものであり、当該技術分野におけるいずれの当業者であれば、本発明の好ましい実施例を理解した後に、本発明が開示する技術により、変更及び付加を加えることが可能であり、これは本発明の技術的思想及び範囲を逸脱するものではない。例えば、以下の実施形態において、要素の数など（個数、数値、量、及び範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の下図に限定される場合などを除いて、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００２７】
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造装置としての例えば噴流式のめっき処理装置の断面構造を模式的に示している。
【００２８】
図１に示すように、本実施形態のめっき処理装置では、めっき槽１の上部開口に沿って、ウェハー２が載置されるウェハー支持部３が設けられており、このウェハー支持部３にウェハー２のめっき対象面（被処理面）をフェースダウンで載置した状態で、ウェハー２のめっき対象面に対してめっき処理が行われる。
【００２９】
ウェハー支持部３は、図示しないカソード電極と電気的に接続されており、カソード電極の下部に設けられためっき液の漏洩防止用シールパッキン４及び環状の支持台５からなり、シールパッキン４及び環状の支持台５は、トップリング６により、めっき処理槽１の開口に固定されている。そして、ウェハー２がウェハー支持部３に載置されると、ウェハー２は、ウェハー押さえ７により、図示しない駆動機構により上方から加圧固定され、図示しないカソード電極とウェハー２のめっき対象面の周辺部分とが接触するように構成されている。
【００３０】
また、ウェハー支持部３の下側位置には、めっき液を流出させるためのめっき液流出口８が設けられている。そして、めっき処理槽１の中央位置には、ウェハー２のめっき対象面と対向するように、メッシュ状の不溶性アノード電極９が配置されている。この不溶性アノード電極９とウェハー支持部３に配置されたカソード電極とは、図示しないめっき電流供給電源に接続されている。
【００３１】
また、めっき処理槽１を構成する槽壁には、めっき液流出口８から流出してくるめっき液が図示しないめっき液貯蔵槽へ送られるように、めっき液排出路１０が設けられている。
【００３２】
また、めっき処理槽１の底部中央には、図示しないポンプにより、図示しないめっき液貯蔵槽からめっき液をめっき処理層１の内部へ供給するためのめっき液供給配管１１が設けられており、該めっき液供給配管１１には、その先に、めっき液噴射ノズル土台配管１２が連続して設けられている。
【００３３】
また、めっき液噴射ノズル土台配管１２には、該めっき液噴射ノズル土台配管１２に連結するように、ベンチュリ構造型のめっき液噴射ノズル１３が複数設けられている。また、めっき液噴射ノズル１３は、メッシュ状の不溶性アノード電極９の下側に位置している。さらに、複数のめっき液噴射ノズル１３の配置は、１０平方センチメートルあたりに１個以上となる割合で設置することが好ましい。
【００３４】
ここで、ベンチュリ構造型のめっき液噴射ノズル１３について、図２を参照しながらその詳細を説明する。
【００３５】
図２は、図１で示しためっき液噴射ノズル１３の構造を概略的に斜視図で示している。
【００３６】
図２に示すように、めっき液噴射ノズル１３は、めっき液噴射ノズル土台配管１２に連結するノズル部２１と、ノズル部２１からディフューザー部２３にめっき液を噴射するオリフィス部２２と、めっき処理槽１内にめっき液を噴射するディフューザー部２３と、ノズル部２１とディフューザー部２３との連結部２４と、ノズル部２２とディフューザー部２３との間の液吸入口２５とを備えている。めっき液噴射ノズル１３は、オリフィス部２２の開口径がノズル部２１の配管径よりも小さくなっており、いわゆるベンチュリ構造型のノズルである。
【００３７】
次に、上述した本実施形態に係るめっき処理装置の動作について、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００３８】
まず、ウェハー２をそのめっき対称面がフェースダウンとなるようにウェハー支持部３へ搬送する。続いて、ウェハー押さえ７によりウェハー２を上方から押圧する。これにより、ウェハー２のめっき対象面の周辺部分が、カソード電極と電気的に接続されると共に、カソード電極の下部に設けられためっき液の漏洩防止用シールパッキン４と接触する。
【００３９】
次に、外部に設けられた図示しないめっき液貯蔵槽からめっき液供給配管１１、めっき液噴射ノズル土台配管１２を通してめっき液を供給し、複数のめっき液噴射ノズル１３からウェハー２に向けて噴射し、めっき処理槽１内がめっき液で充満するまでめっき液を供給する。めっき処理層１内に充満されためっき液の一部は、矢印ａ及びｂに示すように、めっき液流出口８からめっき液排出路１０を通り、外部に設けられた図示しないめっき液貯蔵槽へと流出する。
【００４０】
そして、複数のめっき液噴射ノズル１３から噴射されてめっき液流出部８から流出しなかっためっき液は、矢印ｃに示すように、めっき処理槽１の上部側から底部側に流動し、めっき液噴射ノズル１３の液吸入口２５に向かって流動することになる。液吸入口２５近傍のめっき液は、めっき液噴射ノズル１３のオリフィス部２２からめっき液が矢印ｄ１のように噴射されていることから、噴射された部分の圧力がその周囲と比較し低圧となる、いわゆるベンチュリ効果により、ディフューザー部２３内に吸い寄せられる。このため、液吸収入口２５近傍のめっき液は、オリフィス部２２から噴射されためっき液と合流して、矢印ｄ２に示すように、ディフューザー２３からウェハー２に向けて噴流されることになる。このように、めっき液はめっき処理層１内において循環流動している。
【００４１】
これにより、めっき液噴射ノズル１３のノズル部２１に供給されためっき液流量に対し、ディフューザー部２３から噴射されるめっき液流量が多くなるという効果が生まれる。その結果、スルーホールなど非常にアスペクト比の大きい凹部を有するウェハー２に対してめっきを処理する場合においても、安定して金属イオンを含むめっき液の供給が可能となる。
【００４２】
また、めっき液噴射ノズル１３のオリフィス部２２の開口径を小さく設計することにより、ディフューザー部２３から噴射されるめっき液圧力を大きくできる一方、その開口径を大きく設計することにより、ディフューザー部２３から噴射されるめっき液圧力を小さくすることができる。したがって、例えば図３に示すめっき処理装置の構造の変形例のように、めっき液土台配管１２の上部部分を円弧型の形状に設計して、オリフィス部２２の開口径の異なるめっき液噴射ノズル１３を適切な位置に配置することにより、めっき処理槽１内におけるめっき液の噴流状態を調整することが可能となる。このため、スルーホールなど非常にアスペクト比の大きい凹部を有するウェハー２に対してめっきを処理する場合においても、ウェハー２の面内全体に亘って安定して金属イオンを含むめっき液を供給することが可能となる。このような構造とすることは、めっき処理槽１の寸法に制限されて複数のめっき液噴射ノズル１３が平面的に設置してもウェハー２の全面に対してめっき液を均等に供給できない場合に特に有用である。
【００４３】
次に、カソード電極からウェハー２にマイナス電位を印加して、不溶性アノード電極９にプラス電位を印加する。これにより、めっき液中の金属イオンがカソードとなっているウェハー２に引き寄せられ、ウェハー２の表面上で電子を受け取ることにより、金属膜として析出する。その結果、ウェハー２の表面に導電膜が形成される。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態に係るめっき処理装置は、ベンチュリ構造型の複数のめっき液噴射ノズル１３を用いることにより、めっき液が上述したように循環流動しながらウェハー２に対して噴射するため、ウェハー２に形成されているスルーホールなど非常にアスペクト比の大きい凹部に対しても、安定して金属イオンを含むめっき液が供給されるため、高アスペクト比のスルーホールを含む半導体ウェハー２に対しても、導電膜を均一な膜厚で形成することができる。すなわち、図４（ａ）に示すように、従来例のめっき処理装置によると、ウェハー２に設けられたスルーホール４１では、その底部４１ａ及びその周辺において、膜が形成されなかったり、薄い膜となったりする導電膜４３aが形成されるが、本実施形態のめっき処理装置によると、図４（ｂ）に示すように、スルーホール４１の底部４１ｂ周辺を含めて、ウェハー２の全体に均一な膜厚を有する導電膜４３ｂが形成される。
【００４５】
また、めっき液噴射ノズル１３の各々は、ベンチュリ構造型となっていることにより、噴射されるめっき液圧力を大きくすることができる。このため、従来の筒状のノズルと比較して、ノズルからめっき対象となるウェハーまでの距離が長くても、安定して金属イオンを含むめっき液の供給が可能となる結果、高アスペクト比のスルーホールを含む半導体ウェハーに対しても導電膜を均一な膜厚で形成することができる。
【００４６】
また、ベンチュリ構造型となっている複数のめっき液噴射ノズルの各々は、噴射量及び噴射圧力が異なるタイプのベンチュリ構造の噴射ノズルに適宜付け替えることができるため、めっき処理槽１内のめっき液循環状態の調整が可能となる。例えば、上述したように、オリフィス部２２の開口径の大きさを変えることにより、噴射量及び噴射圧力が異なるタイプのベンチュリ構造の噴射ノズルは実現される。これにより、複数のめっき液噴射ノズル１３は、平面的に配列されなくても、例えば、上述したように、めっき液噴射ノズル土台配管１２が円弧型の形状である場合においても、噴射量及び噴射圧力の異なるベンチュリ構造の噴射ノズルの配置を調整することにより、めっき処理槽１内でめっき液の循環状態の調整が可能となる。このため、安定して金属イオンを含むめっき液の供給が可能となり、高アスペクト比のスルーホールを含む半導体ウェハーに対しても、導電膜を均一な膜厚で形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
以上のように、本発明は、スルーホールなど非常にアスペクト比の大きい凹部を有するウェハーに対してめっきを処理する場合においても、安定して金属イオンを含むめっき液の供給が可能となるものであるから、特に、高アスペクト比のスルーホールを含む半導体ウェハーに対してめっき処理する半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法にとって有用である。
【符号の説明】
【００４８】
１ めっき処理槽
２ ウェハー
３ ウェハー支持部
４ シールパッキン（カソード電極に電気的に接続）
５ 環状支持台
６ トップリング
７ ウェハー押さえ
８ めっき液流出口
９ 不溶性アノード電極
１０ めっき液排出路
１１ めっき液供給配管
１２ めっき液噴射ノズル土台配管
１３ めっき液噴射ノズル
２１ ノズル部
２２ オリフィス部
２３ ディフューザー部
２４ ノズル部２１とディフューザー部２３との連結部
２５ 液吸入口部
４１ スルーホールの底部
４２ スルーホール
４３ａ、４３ｂ 導電膜（金属めっき層）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハーの被処理面に導電膜をめっき形成する半導体装置の製造装置であって、
めっき処理槽と、
前記めっき処理槽の上部に設けられ、前記ウェハーがフェースダウンで載置されるウェハー支持部と、
前記めっき処理槽の底部に設けられためっき液噴射ノズル土台配管と、
前記めっき液噴射ノズル土台配管に連結して設けられ、前記ウェハーの被処理面に向かってめっき液を噴射する複数のめっき液噴射ノズルとを備えており、
前記複数のめっき液噴射ノズルの各々は、ベンチュリ構造型のノズルであり、
前記めっき液噴射ノズルから噴射された前記めっき液の一部は、前記めっき処理槽の上部から底部に向かって流動し、前記めっき液噴射ノズルから噴射される前記めっき液と合流して、前記ウェハーの被処理面に向かって再度噴射される
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記めっき液噴射ノズル土台配管の形状は、平面型である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
前記めっき液噴射ノズル土台配管の形状は、円弧型である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】
前記複数のめっき液噴射ノズルの各々は、前記ウェハーの被処理面内に均一に前記導電膜が形成されるように、噴射量及び噴射圧力が異なる複数種のベンチュリ構造型のノズルからなる
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】
前記複数種のベンチュリ構造型のノズルは、ノズル開口径の大きさに応じて、前記噴射量及び噴射圧力が異なっている
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項６】
請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記ウェハーの被処理面がフェースダウンとなるように、前記ウェハーを前記ウェハー支持部に載置する工程（ａ）と、
前記めっき液噴射ノズル土台配管を通して、前記めっき液を前記複数のめっき液噴射ノズルの各々に供給する工程（ｂ）と、
前記複数のめっき液噴射ノズルの各々に供給される前記めっき液を用いて、前記ウェハーの被処理面に前記導電膜を形成する工程（ｃ）とを備え、
前記工程（ｃ）は、少なくとも、
前記複数のめっき液噴射ノズルの各々に供給される前記めっき液を、前記複数のめっき液噴射ノズルの各々から前記ウェハーの被処理面に向かって噴射する工程（ｃ１）と、
前記複数のめっき液噴射ノズルから噴射した前記めっき液の一部を、前記めっき処理槽の上部から底部に向かって流動させる工程（ｃ２）と、
前記流動した前記めっき液をベンチュリ効果を利用して前記複数のめっき液噴射ノズルの各々から噴射する前記めっき液と合流させて、前記ウェハーの被処理面に向かって再度噴射する工程（ｃ３）とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｃ１）〜（ｃ３）を繰り返すことにより、前記ウェハーの被処理面に、所望の膜厚を有する前記導電膜を形成する
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ウェハーの被処理面は、分散して形成された複数のスルーホールを備え、
前記工程（ｃ１）〜（ｃ３）を繰り返すことにより、前記スルーホールの各々に前記導電膜を均一に形成する
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
ウェハーの被処理面に導電膜をめっき形成する半導体装置の製造装置であって、
めっき処理槽と、
前記めっき処理槽の上部に設けられ、前記ウェハーがフェースダウンで載置されるウェハー支持部と、
前記めっき処理槽の底部に設けられためっき液噴射ノズル土台配管と、
前記めっき液噴射ノズル土台配管に連結して設けられ、前記ウェハーの被処理面に向かってめっき液を噴射する複数のめっき液噴射ノズルとを備えており、
前記複数のめっき液噴射ノズルの各々は、ベンチュリ構造型のノズルであり、
前記めっき液噴射ノズルから噴射された前記めっき液の一部は、前記めっき処理槽の上部から底部に向かって流動し、前記めっき液噴射ノズルから噴射される前記めっき液と合流して、前記ウェハーの被処理面に向かって再度噴射される
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記めっき液噴射ノズル土台配管の形状は、平面型である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
前記めっき液噴射ノズル土台配管の形状は、円弧型である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】
前記複数のめっき液噴射ノズルの各々は、前記ウェハーの被処理面内に均一に前記導電膜が形成されるように、噴射量及び噴射圧力が異なる複数種のベンチュリ構造型のノズルからなる
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】
前記複数種のベンチュリ構造型のノズルは、ノズル開口径の大きさに応じて、前記噴射量及び噴射圧力が異なっている
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項６】
請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記ウェハーの被処理面がフェースダウンとなるように、前記ウェハーを前記ウェハー支持部に載置する工程（ａ）と、
前記めっき液噴射ノズル土台配管を通して、前記めっき液を前記複数のめっき液噴射ノズルの各々に供給する工程（ｂ）と、
前記複数のめっき液噴射ノズルの各々に供給される前記めっき液を用いて、前記ウェハーの被処理面に前記導電膜を形成する工程（ｃ）とを備え、
前記工程（ｃ）は、少なくとも、
前記複数のめっき液噴射ノズルの各々に供給される前記めっき液を、前記複数のめっき液噴射ノズルの各々から前記ウェハーの被処理面に向かって噴射する工程（ｃ１）と、
前記複数のめっき液噴射ノズルから噴射した前記めっき液の一部を、前記めっき処理槽の上部から底部に向かって流動させる工程（ｃ２）と、
前記流動した前記めっき液をベンチュリ効果を利用して前記複数のめっき液噴射ノズルの各々から噴射する前記めっき液と合流させて、前記ウェハーの被処理面に向かって再度噴射する工程（ｃ３）とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｃ１）〜（ｃ３）を繰り返すことにより、前記ウェハーの被処理面に、所望の膜厚を有する前記導電膜を形成する
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ウェハーの被処理面は、分散して形成された複数のスルーホールを備え、
前記工程（ｃ１）〜（ｃ３）を繰り返すことにより、前記スルーホールの各々に前記導電膜を均一に形成する
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１１−２４１４１７（Ｐ２０１１−２４１４１７Ａ）
【公開日】平成２３年１２月１日（２０１１．１２．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１１２７４４（Ｐ２０１０−１１２７４４）
【出願日】平成２２年５月１７日（２０１０．５．１７）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月１日（２０１１．１２．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年５月１７日（２０１０．５．１７）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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