半導体装置及びその製造方法

【課題】受光部及び発光部を含む光学的センサーとして構成された半導体装置において、その小型化を図る。
【解決手段】半導体チップ１を構成する半導体基板１０の表面に受光部１０Ｐ及び発光部１０Ｌが配置されており、それらと対向して、接着剤１５を介して支持体１６が貼り合わされている。そして、支持体１６の表面から受光部１０Ｐを露出する第１の開口部１６Ａが設けられ、それと離間して、支持体１６の表面から発光部１０Ｌを露出する第２の開口部１６Ｂが設けられている。また、半導体基板１０の表面には第１の電極１２Ａ及び第２の電極１２Ｂが配置され、それらと電気的に接続されたバンプ電極２４Ａ，２４Ｂが半導体基板１０の裏面に配置されている。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、ある対象物に発光部から光を照射し、その反射光を受光部で感知することにより、該対象物の位置を測定する光学的センサー及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ある対象物の位置を測定する手段の１つとして、光学的センサーが知られている。この光学的センサーは、受光部と発光部を有し、例えば、測定の対象物に発光部から光パルスを照射し、その対象物から反射された光パルスの輝度や位相を、受光部で感知することにより、両光パルスの輝度の差や位相差から、その対象物の位置を調べることができる。
【０００３】
このような光学的センサーは、その適用例として、携帯電話の使用者と集音マイクの距離を自動的に感知し、その距離に応じて通話音量を最適化する技術に用いられている。この技術では、携帯電話の集音マイク近傍に光学的センサーが設けられ、その光学的センサーの発光部から使用者へ照射された光の反射光の輝度等を、光学的センサーの受光部により測定することで、使用者と集音マイクとの距離を測定できる。
【０００４】
このような光学的センサーを半導体装置として実現する場合、図１２に示すように、細長い長方形の実装基板１００上に、受光部として、フォトダイオード等の受光素子を含む受光用チップ（即ち半導体チップ）１０１を実装し、これとは別に、発光部として、ＬＥＤ等の発光素子を含む発光用チップ（即ち他の半導体チップ）１０２を実装していた。
【０００５】
なお、測定の対象物の位置を調べる光学的センサーについては、特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００１−１８３４５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した光学的センサーでは、実装基板１００上に、受光用チップ１０１と発光用チップ１０２を別々の半導体チップとして実装するため、実装領域を広く確保する必要があった。そのため、光学的センサーの小型化が困難となっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の主な特徴は以下の通りである。本発明の半導体装置は、半導体基板の表面に配置された受光部と、半導体基板の表面であって受光部と離間した領域に配置された発光部と、半導体基板を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に配置された電極と、絶縁膜及び電極を覆う接着剤を介して、半導体基板の表面に対向して貼り合わされた支持体と、支持体及び接着剤を貫通して受光部を露出する第１の開口部と、第１の開口部と離間する領域で支持体及び前記接着剤を貫通して発光部を露出する第２の開口部と、半導体基板の裏面に配置され電極と電気的に接続したバンプ電極と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に受光部を形成する工程と、半導体基板を覆って絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に電極を形成する工程と、絶縁膜及び電極を覆って接着剤を塗布し、その接着剤を介して半導体基板の表面に対向して支持体を貼り合わせる工程と、支持体及び接着剤を貫通して受光部を露出する第１の開口部を形成する工程と、第１の開口部と離間する領域で支持体及び接着剤を貫通する第２の開口部を形成する工程と、第２の開口部内の半導体基板上に発光部を形成する工程と、半導体基板の裏面に電極と電気的に接続したバンプ電極を形成する工程と、半導体基板及び支持体を含む積層体を、第１の開口部及び第２の開口部を含む半導体チップに分離する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、１つの半導体装置、即ち半導体チップ内に、光学的センサーを構成する受光部及び発光部が一体的に設けられるため、半導体装置の小型化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図１乃至図９、及び図１１は、本実施形態による半導体装置、即ち、光学的センサーとして構成される半導体チップ及びその製造方法を示す断面図である。なお、これらの図では、複数の半導体装置、即ち半導体チップ１が形成されるウェハ状の半導体基板１０のうち、１つの半導体チップ１が形成される予定の領域を中心に図示している。
【００１１】
最初に、図１に示すように、例えば約６００μｍの膜厚を有したシリコン基板からなる半導体基板１０を準備する。そして、半導体チップ１が形成される予定の領域において、半導体基板１０の表面の一部に、受光部１０Ｐを形成する。受光部１０Ｐは、例えばＰＮ接合によるフォトダイオードを受光素子として含む。受光部１０Ｐは、１個又は複数個の受光素子を含む。ただし、受光部１０Ｐは、フォトダイオードに限定されるものではなく、その他の受光素子を含むものであってもよい。以降の説明では、受光部１０ＬはＰＮ接合によるフォトダイオードを受光素子として含むものとして説明する。
【００１２】
さらに、半導体基板１０の表面には、受光部１０Ｐを駆動するマイコン等の制御回路１０Ｄを形成してもよい。この制御回路１０Ｄは、必ずしも形成される必要はなく、半導体チップ１の外に外部回路として設けられてもよい。
【００１３】
次に、受光部１０Ｐ、制御回路１０Ｄ、及び半導体基板１０を覆う第１の絶縁膜１１を形成する。第１の絶縁膜１１は、例えば約１μｍの膜厚を有したＢＰＳＧ膜からなる。第１の絶縁膜１１上であって、受光部１０Ｐの外側には、第１の電極１２Ａを形成し、第１の電極１２Ａと対向する側には、第２の電極１２Ｂを形成する。
【００１４】
また、第１の絶縁膜１１上であって、受光部１０Ｐと第２の電極１２Ｂとの間には、第３の電極１３Ａ及び第４の電極１３Ｂを形成する。次に、第１乃至第４の電極１２Ａ，１２Ｂ，１３Ａ，１３Ｂ、及び第１の絶縁膜１１の表面を覆って、シリコン窒化膜等のパッシベーション膜１４を形成する。
【００１５】
次に、図２に示すように、パッシベーション膜１４上に、有機樹脂等を含む接着剤１５を塗布し、この接着剤１５を介して、半導体基板１０の表面に対向して支持体１６を貼り合わせる。支持体１６は、光を透過する材料、又は光を透過しない材料からなる。好ましくは、支持体１６は、光を透過しないシリコン基板からなる。支持体１６は、例えば約１００〜６００μｍの厚さを有している。
【００１６】
次に、図３に示すように、支持体１６と貼り合わされた半導体基板１０に対して裏面研削を行い、その厚さを、例えば１０〜１５０μｍに至るまで薄くする。さらに、半導体基板１０であって、第１の電極１２Ａから半導体チップ１の端部に至る領域、及び第２の電極１２Ｂから半導体チップ１の他方の端部に至る領域をエッチングして除去する。これにより、それらの領域では第１の絶縁膜１１が露出される。また、その領域における半導体基板１０の側面は、支持体１６に向かってテーパー状に形成されることが好ましい。これにより、後の工程において半導体基板１０及び支持体１６を覆って形成される各層の被覆性が向上する。
【００１７】
次に、図４に示すように、半導体基板１０と第１の絶縁膜１１を覆う第２の絶縁膜１７を形成する。第２の絶縁膜１７は、例えばＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる。その後、第１の絶縁膜１１及び第２の絶縁膜１７の一部をエッチングして除去し、第１の電極１２Ａ及び第２の電極１２Ｂの裏面を露出する。
【００１８】
次に、第２の絶縁膜１７上に、第１の電極１２Ａ及び第２の電極１２Ｂと接続し、半導体基板１０の裏面に延びる配線１８Ａ，１８Ｂを形成する。配線１８Ａ，１８Ｂは、例えばスパッタ法により形成されたアルミニウムからなる。さらに、これらを覆って、第３の絶縁膜１９を形成する。第３の絶縁膜１９は、例えばＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる。
【００１９】
次に、図５に示すように、支持体１６、接着剤１５、及びパッシベーション膜１４を部分的にエッチングすることにより、それらを貫通して第１の絶縁膜１１を介して受光部を露出する第１の開口部１６Ａを形成する。これと同時に、第１の開口部１６Ａと離間する領域で、支持体１６、接着剤１５、及びパッシベーション膜１４を部分的にエッチングすることにより、それらを貫通して第３の電極１３Ａ及び第４の電極１３Ｂを露出する第２の開口部１６Ｂを形成する。このとき、第１の開口部１６Ａ及び第２の開口部１６Ｂは、テーパー状に形成されることが好ましい。また、第１の開口部１６Ａでは、第１の絶縁膜１１もエッチング除去するものであってもよい。
【００２０】
なお、パッシベーション膜１４には、支持体１６が貼り合わされる前に、予め、第１の絶縁膜１１、第３の電極１３Ａ、及び第４の電極１３Ｂを露出する開口部を設けておいてもよい。この場合、支持体１６及び接着剤１５を部分的にエッチングすることで、第３の電極１３Ａ及び第４の電極１３Ｂを露出する第２の開口部１６Ｂを形成することができる。また、同様に第３の電極１３Ａ上及び第４の電極１３Ｂ上に、予め、例えばニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）が積層されてなるメッキ層（不図示）を形成しておいてもよい。
【００２１】
次に、図６に示すように、第２の開口部１６Ｂの底部に、ＬＥＤ等の発光素子を含む発光部１０Ｌを形成する。発光部１０Ｌは、１個又は複数個のＬＥＤ等の発光素子を含み、複数個の発光素子を含む場合には、それらの発光素子はそれぞれ異なる発光帯域を有してもよい。ただし、発光部１０Ｌは、ＬＥＤに限定されるものではなく、その他の発光素子を含むものであってもよい。以降の説明では、発光部１０ＬはＬＥＤを発光素子として含むものとして説明する。この場合、例えば、ＬＥＤのＰＮ接合を構成するＮ型層が、金（Ａｕ）等を含む金属バンプ２０を介して第３の電極１３Ａと接続され、そのＰＮ接合を構成するＰ型層が、金属バンプ２０を介して第４の電極１３Ｂと接続される。なお、第３の電極１３Ａ及び第４の電極１３Ｂ上にはニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）が積層されてなるメッキ層が形成されている。また、金属バンプ２０として金（Ａｕ）バンプの代わりに半田バンプを用いてもよい。さらには、メッキ層を形成することなく、銀ペーストを形成してもよい。
【００２２】
なお、第１の開口部１６Ａ及び第２の開口部１６Ｂが、図の例のようにテーパー状に形成されている場合、そうでない場合に比して、受光部１０Ｐに多方向から光が入射しやすくなり、かつ、発光部１０Ｌから多方向へ光を照射しやすくなる。
【００２３】
また、この例では、支持体１６は光を透過しないシリコン基板からなるため、第１の開口部１６Ａと第２の開口部１６Ｂは互いに遮光されており、第１の開口部１６Ａ内の受光部１０Ｐでは、第２の開口部１６Ｂ内の発光部１０Ｌから発光した光を直接感知することはない。これとは異なり、支持体１６が光を透過するガラス等の材料からなる場合には、第１の開口部１６Ａ及び第２の開口部１６Ｂの側壁に、光を反射する反射膜又は遮光膜（いずれも不図示）を形成することで、上記と同様の効果を得ることができる。
【００２４】
次に、図７に示すように、半導体基板１０の裏面上の第３の絶縁膜１９の一部をエッチング等により除去し、配線１８Ａ，１８Ｂの一部を露出させる。露出した配線１８Ａ，１８Ｂ上には、例えばニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）が積層されてなるメッキ層２１を形成する。なお、このメッキ層２１の形成工程は必ずしも必要ではない。
【００２５】
その後、半導体基板１０のダイシングラインＤＬに沿って、第１の絶縁膜１１、パッシベーション膜１４、接着剤１５、及び支持体１６の厚さ方向の一部を切削して、溝２２を形成する。この溝２２は、第１の電極１２Ａ及び第２の電極１２Ｂに接触しない位置に形成する。
【００２６】
次に、図８に示すように、第１の絶縁膜１１上、第３の絶縁膜１９上、及び溝２２内に延びる保護膜２３を形成する。半導体基板１０の裏面を覆う保護膜２３上には、半田等からなるバンプ電極２４Ａ，２４Ｂを形成する。バンプ電極２４Ａ，２４Ｂは、保護膜２３に設けられた開口部を通してメッキ層２１と接続されている。
【００２７】
次に、図９に示すように、ダイシングラインＤＬに沿ってダイシングを行い、半導体基板１０及び支持体１６を含む積層体を、第１の開口部１６Ａ及び第２の開口部１６Ｂを含む半導体チップ１に分離する。なお、そのダイシングの際には、溝２２内の保護膜２３及び支持体１６のみを切削する。
【００２８】
こうして、１つの半導体チップ１の中に、受光部１０Ｐ及び発光部１０Ｌを備えた光学的センサーが構成される。これにより、受光部と発光部のそれぞれを半導体チップとして実装基板に実装する必要はなくなるため、従来例に比して、光学的センサーを小型化することが可能となる。
【００２９】
また、この半導体チップ１の側面で露出する第１の絶縁膜１１の端部、第２の絶縁膜１７の端部、パッシベーション膜１４の端部、接着剤１５の端部、支持体１６の一部の端部、及び第３の絶縁膜１９は、保護膜２３により覆われているため、半導体チップ１の内部への水分の浸入を防止することができる。
【００３０】
ただし、半導体チップ１の内部への水分の浸入や腐食の問題を考慮する必要が無い場合、上述した溝２２を形成する工程は省略されてもよい。
【００３１】
以下に、上述した半導体チップ１における光学的センサーの動作の一例について図面を参照して説明する。図１０は、本実施形態による半導体装置を示す断面図であり、図９に示した半導体チップ１を簡略化して示したものである。
【００３２】
図１０に示すように、半導体チップ１の受光部１０Ｐは、制御回路１０Ｄの制御により、発光部１０Ｌから発せられて測定対象物４０で反射した光を感知する。そして、発光部１０Ｌから発せられた光と受光部１０Ｐで感知した光の輝度の差を基に、制御回路１０Ｄにより、測定対象物４０と半導体チップ１との距離が算出される。
【００３３】
あるいは、制御回路１０Ｄの制御により発光部１０Ｌから一定周期の光パルスが発せられ、受光部１０Ｐでは測定対象物４０で反射された光パルスが感知されてもよい。この場合、制御回路１０Ｄにより、発光部１０Ｌから発せられた光パルスと受光部１０Ｐで感知された光パルスについて、輝度及び位相が比較され、それらの輝度の差、位相差を基に、測定対象物４０と半導体チップ１との距離が算出される。
【００３４】
また、図１１に示すように、第１の開口部１６Ａ及び第２の開口部１６Ｂは、光を透過する充填物２５Ａ，２５Ｂにより封止されてもよい。この工程は、図７に示した溝２２を形成する工程の前に行われることが好ましい。充填物２５Ａ，２５Ｂは、例えば透明樹脂からなる。
【００３５】
さらにいえば、第１の開口部１６Ａ及び第２の開口部１６Ｂで露出する充填物２５Ａ，２５Ｂの表面は、曲面を有してもよい。具体的には、第１の開口部１６Ａで露出する充填物２５Ａの曲面は、受光部１０Ｐに対して広い角度から外光が集まりやすい形状として形成される。また、第２の開口部１６Ｂで露出する充填物２５Ｂの曲面は、発光部１０Ｌから発光された光が高い指向性を以って出射されるような形状として形成される。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施形態による半導体装置を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図１２】従来例による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１半導体チップ１０半導体基板
１０Ｐ受光部１０Ｌ発光部
１０Ｄ制御回路１１第１の絶縁膜
１２Ａ第１の電極１２Ｂ第２の電極
１３Ａ第３の電極１３Ｂ第４の電極
１４パッシベーション膜１５接着剤
１６支持体１６Ａ第１の開口部
１６Ｂ第２の開口部１７第２の絶縁膜
１８Ａ，１８Ｂ配線１９第３の絶縁膜
２０金属バンプ２１メッキ層
２２溝２３保護膜
２４Ａ，２４Ｂバンプ電極２５Ａ，２５Ｂ充填物
４０測定対象物１００実装基板
１０１受光用チップ１０２発光用チップ

【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に配置された受光部と、
前記半導体基板の表面であって前記受光部と離間した領域に配置された発光部と、
前記半導体基板を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配置された電極と、
前記絶縁膜及び前記電極を覆う接着剤を介して、前記半導体基板の表面に対向して貼り合わされた支持体と、
前記支持体及び前記接着剤を貫通して前記受光部を露出する第１の開口部と、
前記第１の開口部と離間する領域で前記支持体及び前記接着剤を貫通して前記発光部を露出する第２の開口部と、
前記半導体基板の裏面に配置され前記電極と電気的に接続したバンプ電極と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記支持体は、半導体基板からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の開口部及び前記第２の開口部は、光を透過する充填物により封止されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の開口部及び前記第２の開口部で露出する前記充填物の表面は、曲面を有していることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記受光部は、フォトダイオードを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記発光部は、ＬＥＤを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記絶縁膜、前記接着剤、及び前記支持体の各端部は、保護膜により覆われていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体基板の表面には、前記受光部、前記発光部の少なくともいずれかを制御する制御回路が配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体基板の表面に受光部を形成する工程と、
前記半導体基板を覆って絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に電極を形成する工程と、
前記絶縁膜及び前記電極を覆って接着剤を塗布し、その接着剤を介して前記半導体基板の表面に対向して支持体を貼り合わせる工程と、
前記支持体及び前記接着剤を貫通して前記受光部を露出する第１の開口部を形成する工程と、
前記第１の開口部と離間する領域で前記支持体及び前記接着剤を貫通する第２の開口部を形成する工程と、
前記第２の開口部内の前記半導体基板上に発光部を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面に前記電極と電気的に接続したバンプ電極を形成する工程と、
前記半導体基板及び前記支持体を含む積層体を、前記第１の開口部及び前記第２の開口部を含む半導体チップに分離する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記支持体は、光を透過しない半導体基板からなることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の開口部及び前記第２の開口部は、光を透過する充填物により封止されていることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の開口部及び前記第２の開口部で露出する前記充填物の表面は、曲面を有していることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記受光部は、フォトダイオードを含むことを特徴とする請求項９乃至請求項１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記発光部は、ＬＥＤを含むことを特徴とする請求項９乃至請求項１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記積層体を前記半導体チップに分離する工程の前において、前記半導体基板であって前記電極の一部上から前記半導体チップの端部に至る領域を除去する工程と、前記半導体チップの端部に沿って、前記絶縁膜、前記接着剤、及び前記支持体の厚さ方向の一部を切削して溝を形成する工程と、を含み、
前記保護膜は前記溝内に延在して形成されると共に、前記溝内の前記保護膜及び前記支持体のみを切削することにより、前記積層体を前記半導体チップに分離することを特徴とする請求項９乃至請求項１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記半導体基板の表面に、前記受光部、前記発光部の少なくともいずれかを制御する制御回路を形成する工程を含むことを特徴とする請求項９乃至請求項１５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。

【図１】