半導体装置及びその製造方法
【課題】半導体装置の機械強度を向上させながら、半導体装置の裏面にマークを形成できるようにする。
【解決手段】半導体装置を、半導体基板の裏面１Ｘに研磨痕４及び破砕層５によって形成されたマーク６を備え、半導体基板の裏面１Ｘのマーク６が形成されている部分以外の領域の研磨痕４及び破砕層５が除去されているものとする。
【解決手段】半導体装置を、半導体基板の裏面１Ｘに研磨痕４及び破砕層５によって形成されたマーク６を備え、半導体基板の裏面１Ｘのマーク６が形成されている部分以外の領域の研磨痕４及び破砕層５が除去されているものとする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップ（半導体装置）の薄型化が進んでいる。半導体チップの薄型化は、半導体基板の裏面を研磨することによって行なわれている。このような半導体チップの薄型化に伴い、半導体チップの機械強度、即ち、チップ抗折強度が低下する。このため、半導体チップの機械強度を上げるために、半導体基板の裏面を研磨した後に、基板裏面を鏡面化する鏡面化処理が行なわれるようになってきている。なお、鏡面化処理を、基板裏面を平坦化する平坦化処理ともいう。
【０００３】
一方、半導体チップの高信頼性を確保すべく、トレサビリティのために、半導体チップの裏面に、文字、数字、記号などのマークを形成するようになってきている。例えば、基板基板の裏面にレーザを照射して、例えば識別番号のような識別データ（ＩＤ：Identification Data）などをマークとして形成することが行なわれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１１４１２９号公報
【特許文献２】特開２００１−８５２８５号公報
【特許文献３】特許第３７８９８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、基板裏面にマークを形成する場合、研磨痕を有する面や梨地面などの凹凸面になっている基板裏面の、マークを形成する部分にレーザを照射し、これによって生じる溶融痕や溶融層をマークとして用いるのが一般的である。この場合、マークの視認性を確保すべく、マークの周囲が凹凸面になっている必要があるため、基板裏面の大部分が凹凸面となる。
【０００６】
しかしながら、基板裏面の大部分が凹凸面になっていたり、基板裏面の大部分に研磨痕や破砕層があったりすると、半導体チップの機械強度が下がってしまう。
一方、基板裏面に対して、凹凸面を平坦化する処理や研磨痕や破砕層を除去する処理などの鏡面化処理を施し、かつ、視認性を有するマークを形成するためには、鏡面化処理された基板裏面を例えばレーザで彫り込んで、凹みによってマークを形成することになる。
【０００７】
しかしながら、基板裏面を彫り込んでマークを形成する際に、基板に微細なクラックが生じたり、破砕層ができてしまったりするため、半導体チップの機械強度が下がってしまう。
そこで、半導体チップの機械強度を向上させながら、半導体チップの裏面にマークを形成したい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本半導体装置は、半導体基板の裏面に研磨痕及び破砕層によって形成されたマークを備え、半導体基板の裏面のマークが形成されている部分以外の領域の研磨痕及び破砕層が除去されていることを要件とする。
本半導体装置の製造方法は、半導体基板の裏面を研磨し、半導体基板の裏面のマークを形成する部分以外の領域にレーザを照射して研磨痕及び破砕層を除去し、残っている研磨痕及び破砕層によってマークを形成することを要件とする。
【発明の効果】
【０００９】
したがって、本半導体装置及びその製造方法によれば、機械強度を向上させながら、裏面にマークを形成することができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための模式的斜視図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための模式的斜視図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態の半導体装置の製造方法におけるレーザ処理工程を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハに含まれる一のチップにレーザを照射している状態を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態の半導体装置の製造方法におけるレーザ処理工程を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハに含まれる一のチップにレーザを照射した後の状態を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図５】本実施形態の半導体装置（半導体チップ）において研磨痕及び破砕層を残してマークを形成する領域（マークエリア）を示す模式的平面図である。
【図６】本実施形態の半導体装置の製造方法のレーザ処理工程において用いるレーザ照射装置の構成を示す模式的斜視図である。
【図７】本実施形態の半導体装置の製造方法のレーザ処理工程におけるレーザスポットの走査方法を説明するための模式図である。
【図８】第１比較例のレーザマーキング工程を説明するための模式的斜視図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）は、第１比較例のレーザマーキング工程を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハに含まれる一のチップにレーザを照射している状態を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）は、第１比較例のレーザマーキング工程を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハに含まれる一のチップにレーザを照射した後の状態を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図１１】（Ａ）、（Ｂ）は、第２比較例のレーザマーキング工程を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハに含まれる一のチップにレーザを照射した後の状態を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｃ）は、第３比較例の鏡面化処理工程及びレーザマーキング工程を説明するための模式的斜視図である。
【図１３】（Ａ）、（Ｂ）は、第３比較例のレーザマーキング工程を説明するための模式図であって、（Ａ）は鏡面化されたウェハに含まれる一のチップの裏面にレーザを照射している状態を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図１４】（Ａ）、（Ｂ）は、第３比較例のレーザマーキング工程を説明するための模式図であって、（Ａ）は鏡面化されたウェハに含まれる一のチップの裏面にレーザを照射した後の状態を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図１５】本実施形態の半導体装置の製造方法のレーザ処理工程において用いる他のレーザ照射装置の構成を示す模式的斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる半導体装置及びその製造方法について、図１〜図１４を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる半導体装置は、図４（Ａ）、図４（Ｂ）に示すように、その裏面、即ち、半導体基板の裏面（背面）１Ｘに研磨痕４及び破砕層５によって形成されたマーク６を備える半導体チップ１Ａである。この半導体チップ１Ａは、半導体基板の裏面１Ｘのマーク６が形成されている部分以外の領域の研磨痕４及び破砕層５が除去されている。
【００１２】
ここで、マーク６は、文字、数字、記号などのマークである。例えば識別番号のような識別データ（ＩＤ）がマーク６として半導体基板の裏面１Ｘに設けられている。ここでは、研磨痕４は、後述するように、バックグラインド研磨によって生じるものであるため、バックグラインド研磨痕という。また、破砕層５をマイクロクラック又はダメージ層ともいう。
【００１３】
このように、研磨痕４及び破砕層５は半導体基板の裏面１Ｘのマーク６の部分だけに残っており、それ以外の領域の研磨痕４及び破砕層５は除去されて平坦化（鏡面化）されているため、マーク６の視認性を確保しながら、半導体チップ１Ａの機械強度を向上させることができる。特に、研磨痕４及び破砕層５を除去して平坦化した領域の中に、研磨痕４及び破砕層５が残されて、凹凸によってマーク６が形成されるため、高い視認性を有するマークとなる。
【００１４】
上述のような半導体装置は、半導体基板の裏面１Ｘを研磨した後、図３、図４に示すように、半導体基板の裏面１Ｘのマーク６を形成する部分以外の領域にレーザを照射して研磨痕４及び破砕層５を除去し、残っている研磨痕４及び破砕層５によってマーク６を形成することによって製造される。つまり、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法では、レーザを照射することによってマーク６を形成するレーザマーキング処理と、レーザを照射することによって研磨痕４及び破砕層５を除去する処理とが、同時に、即ち、同一工程で行なわれる。
【００１５】
このように、レーザマーキング方法を用い、研磨痕４及び破砕層５を除去する処理もレーザを照射することによって行なうため、コストを抑えることができ、生産性を高めることができる。これに対し、マーク６を形成する処理を、レーザマーキング方法以外の方法によって行なうと、コストが高くなる。また、研磨痕４及び破砕層５を除去する処理を、例えば薬液を用いた処理などの他の処理によって行なうと、コストが高くなり、生産性が低くなる。また、マーク６を形成する処理と、研磨痕４及び破砕層５を除去する処理とを別の工程で行なうと、生産性が低くなる。
【００１６】
このようにして、研磨痕４及び破砕層５を有する半導体基板の裏面１Ｘに効果的にレーザを照射することで、半導体チップ１Ａの機械強度の向上と、半導体チップ１Ａの裏面へのマークの形成との両方を実現することができる。
以下、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法について、図１〜図７を参照しながら、具体的に説明する。
【００１７】
まず、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示すように、ウェハプロセスを経て表面に回路が形成されたウェハ１に対して、ウェハ１を薄くするために、バックグラインド研磨を施す。この工程をバックグラインド工程という。なお、バックグラインド研磨を、機械式裏面研磨又は裏面研削ともいう。
ここでは、まず、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すように、表面に回路が形成されたウェハ１に表面保護テープ２を貼り付ける。つまり、ウェハ１の回路形成面を覆うように表面保護テープ２を貼り付ける。次に、図１（Ｃ）に示すように、ウェハ１を反転させてバックグラインド装置のテーブル（図示せず）に装着し、ウェハ１の裏面、即ち、半導体基板の裏面１Ｘに、回転する砥石３を当接させて、半導体基板の裏面１Ｘをバックグラインド研磨し、ウェハ１の厚さを所定の厚さにする。なお、砥石３を研磨用砥石ヘッドともいう。
【００１８】
このバックグラインド研磨を施す処理によって、ウェハ１の裏面１Ｘには、研磨痕４及び破砕層５が形成される。ここで、研磨痕４の凸部のトップから破砕層５の最大深さまでは約１μｍ程度である。
次に、図１（Ｄ）に示すように、ウェハ１をレーザ照射装置のテーブル（図示せず）に装着し、研磨痕４及び破砕層５が形成されたウェハ１の裏面１Ｘに対してレーザを照射するレーザ処理を施す。この工程をレーザ処理工程又はレーザ照射工程という。
【００１９】
ここでは、研磨痕４及び破砕層５が形成されたウェハ１の裏面１Ｘにレーザを照射すして、文字、数字、記号などのマーク６を形成するレーザマーキング処理と、ウェハ１の裏面１Ｘが彫り込まれないようにしながら、研磨痕４及び破砕層５を除去する処理とを同時に行なう。つまり、レーザ処理は、レーザマーキング処理と、研磨痕４及び破砕層５を除去する処理とを含む。このため、レーザ処理工程は、レーザマーキング工程であり、研磨痕及び破砕層除去工程でもある。
【００２０】
特に、本実施形態では、図３、図４に示すように、ウェハ１の裏面１Ｘのマーク６を形成する部分以外の領域にレーザを照射して研磨痕４及び破砕層５を除去し、残された研磨痕４及び破砕層５によってマーク６を形成する。この場合、レーザ処理工程において、レーザ処理を施す領域、即ち、レーザを照射する領域は、マーク６を形成する部分以外の領域である。ここでは、後述するように、ウェハ１は複数のチップ１Ａに個片化されるため、ウェハ１の裏面１Ｘ、即ち、ウェハ１に含まれる各チップ１Ａの裏面１Ｘにマーク６を形成する。また、マーク６は、図５に示すように、各チップ１Ａの裏面１Ｘの外周領域を除く中央領域Ａ（図５中、破線で囲まれた領域）に形成するのが好ましい。つまり、各チップ１Ａの裏面１Ｘの外周領域を除く中央領域Ａを、マーク６を形成する領域（マークエリア）とするのが好ましい。例えば、マーク６を形成する領域、即ち、研磨痕４及び破砕層５を残す領域は、チップサイズの縦横７割程度の領域とするのが好ましい。つまり、チップサイズを横Ｘ、縦Ｙとした場合、マーク６を形成する領域を、横０．７Ｘ、縦０．７Ｙの領域とするのが好ましい。この場合、各チップ１Ａの裏面１Ｘの外周領域にマーク６が形成されないため、即ち、各チップ１Ａの裏面１Ｘの外周領域の研磨痕４及び破砕層５が除去されて鏡面化されるため、チッピング、クラック、割れ等を防ぐことができ、チップ１Ａの機械強度の低下を防ぐことができる。
【００２１】
また、研磨痕４及び破砕層５を除去する処理では、研磨痕４及び破砕層５が除去され、ダメージのない面が露出し、平坦になって、鏡面化するため、これを、表面処理、平坦化処理、又は、鏡面化処理ともいう。このため、研磨痕及び破砕層除去工程を、表面処理工程、平坦化処理工程、又は、鏡面化処理工程ともいう。また、半導体基板の裏面１Ｘのマーク６が形成されている部分以外の領域の研磨痕４及び破砕層５は、レーザの照射によって溶融されて除去されるため、研磨痕４及び破砕層５が除去された領域は、研磨痕４及び破砕層５がレーザの照射によって溶融（レーザ溶融）された領域である。一方、レーザの照射によって溶融されずに残された研磨痕４及び破砕層５がマーク６となる。
【００２２】
このレーザ処理工程では、例えば図６に示すようなレーザ照射装置７を用いて、研磨痕４及び破砕層５が形成されたウェハ１の裏面１Ｘに対してレーザを照射すれば良い。本実施形態では、レーザ照射装置７はレーザスポットＬＳを走査させる機構を有しており、ウェハ１の裏面１Ｘの所望の箇所にレーザを照射することができるようになっている。なお、レーザ照射装置７をレーザ照射機ともいう。
【００２３】
ここで、ウェハ１の裏面１Ｘが彫り込まれないようにしながら、研磨痕４及び破砕層５が除去されるように、レーザの照射条件を設定するのが好ましい。例えば、レーザの波長を例えば約１００ｎｍ〜約１２００ｎｍとし、レーザパルス幅を例えば約１００ｆｓ〜約２００μｓとし、レーザスポットＬＳのスポット径φを例えば約５〜約１００μｍとし、レーザスポットＬＳが互いに重なり合うように照射するのが好ましい。
【００２４】
このような走査機構を含むレーザ照射装置７は、レーザ発振器（レーザ発生装置）８と、シャッタ９と、Ｘ方向ガルバノミラー１０と、Ｙ方向ガルバノミラー１１と、レンズ１２とを備える。そして、レーザ発振器８から出射されたレーザ（レーザ光）は、シャッタ９を通過し、Ｘ方向ガルバノミラー１０及びＹ方向ガルバノミラー１１で反射され、レンズ１２を通過して、ウェハ１の裏面１Ｘに対して照射されるようになっている。
【００２５】
特に、本実施形態のレーザ照射装置７では、レーザスポットＬＳをウェハ１の裏面１Ｘ上でＸ方向へ走査させるＸ方向ガルバノミラー１０と、レーザスポットＬＳをウェハ１の裏面１Ｘ上でＹ方向へ走査させるＹ方向ガルバノミラー１１とを用いて、ウェハ１の裏面１Ｘ上のレーザ照射位置を制御できるようになっている。ここでは、Ｘ方向ガルバノミラー１０及びＹ方向ガルバノミラー１１を独立して回転させることで、ウェハ１の裏面１Ｘ上でレーザスポットＬＳをＸ方向及びＹ方向に走査させることができるようになっている。
【００２６】
また、本レーザ照射装置７では、シャッタ９の開閉によって、ウェハ１の裏面１Ｘに対するレーザ照射の有無を制御できるようになっている。
そして、このような構成を備えるレーザ照射装置７を用いて、図７に示すように、ウェハ１の裏面１Ｘのマーク６を形成する部分にレーザが照射されずに、マーク６を形成する部分以外の領域にレーザが照射されるように、レーザスポットＬＳを走査させる。これにより、ウェハ１の裏面１Ｘのマーク６（ここでは「Ｆ」という文字マーク）を形成する部分、即ち、研磨痕４及び破砕層５を残す部分にレーザを照射しないで、マーク６を形成する部分以外の領域にレーザを照射することができる。なお、図７中、実線の矢印はレーザが照射されていることを示しており、破線の矢印はレーザが照射されていないことを示している。
【００２７】
このようにレーザスポットＬＳを走査させてレーザを照射するレーザ照射装置７では、マスクが不要であるが、マスクを用いるものと比較して処理時間が長くなるため、少量多品種のチップを製造するのに適している。また、良品チップのみを選択してレーザ照射することができるため、ダイシング後、チップ１Ａの裏面を見るだけで良・不良の選別が可能となる。
【００２８】
なお、ここでは、走査機構として、Ｘ方向ガルバノミラー１０及びＹ方向ガルバノミラー１１を用いる場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、Ｘ方向及びＹ方向に走査させるＸＹテーブルを用いても良い。また、走査機構として、Ｘ方向ガルバノミラーと、Ｙ方向に走査させるＹ方向用テーブルとを用いても良いし、Ｙ方向ガルバノミラーと、Ｘ方向に走査させるＸ方向用テーブルとを用いても良い。
【００２９】
これに対し、図８〜図１０に示すように、ウェハ１の裏面１Ｘのマーク６Ｘを形成する部分にレーザを照射して研磨痕４及び破砕層５を除去し、それ以外の領域に研磨痕４及び破砕層５を残してマーク６Ｘを形成すると、基板裏面１Ｘの大部分に研磨痕４及び破砕層５が残るため、チップ１Ａの機械強度が下がってしまう。なお、図８〜図１０に示すものを第１比較例という。
【００３０】
また、図１１に示すように、研磨痕４及び破砕層５を除去するだけでなく、レーザの照射条件を変えて、ウェハ１の裏面１Ｘを彫り込んで凹みとしてマーク６Ｙを形成すると、基板にクラックが生じたり、新たに破砕層５ができてしまったりするため、チップ１Ａの機械強度が下がってしまう。
また、図１２に示すように、バックグラインド工程［図１２（Ａ）参照］とレーザマーキング工程［図１２（Ｃ）参照］との間に、ウェハ１の裏面１Ｘを鏡面化する鏡面化処理工程［図１２（Ｂ）参照］を入れることが考えられる。この鏡面化処理工程は、例えば、砥石１３を用いたポリッシング処理工程、薬液を用いたエッチング処理工程などのストレスリリーフ処理工程である。この場合、図１３、図１４に示すように、鏡面化されたウェハ１の裏面１Ｘにレーザを照射し、ウェハ１の裏面１Ｘを彫り込んで凹みとしてマーク６Ｚを形成することになるが、この場合も、基板にクラックが生じたり、新たに破砕層５ができてしまったりするため、チップ１Ａの機械強度が下がってしまう。また、バックグラインド工程で生成された研磨痕４や破砕層５を除去して鏡面化する鏡面化処理工程とレーザマーキング工程とが別工程になってしまうため、生産性が低くなってしまう。さらに、鏡面化処理工程において、例えば薬液を用いた処理を行なうと、コストが高くなってしまう。なお、鏡面化されたウェハ１の裏面１Ｘには凹凸がないため、ウェハ１を彫り込む以外にマーキングする方法はない。
【００３１】
次に、図２（Ａ）に示すように、ウェハ１の外周にフレームリング１４を置き、ウェハ１の裏面１Ｘ及びフレームリング１４にダイシングテープ１５を貼り付けて、ウェハ１をフレームリング１４に固定した後、図２（Ｂ）に示すように、これらを反転させてダイシング装置のテーブル（図示せず）に装着し、表面保護テープ２を剥がす。この工程をマウント工程、表面保護テープ剥がし工程、表面保護テープ剥がし・マウント工程という。
【００３２】
次に、図２（Ｃ）に示すように、ダイシングブレード１６によってウェハ１をダイシングする。これにより、ウェハ１が個片化されて複数のチップ１Ａが形成される。この工程をダイシング工程という。
そして、図２（Ｄ）に示すように、個片化された複数のチップ１Ａは、フレームリング１４及びダイシングテープ１５に保持された状態で、実装装置（ダイマウント装置）へ搬送され、実装装置で各チップ１Ａをピックアップする。この工程をチップピックアップ工程という。そして、ピックアップされた各チップ１Ａは、実装基板まで搬送され、実装基板に実装される。この工程をチップ実装工程という。
【００３３】
したがって、本実施形態にかかる半導体装置及びその製造方法によれば、機械強度を向上させながら、裏面にマーク６を形成することができるという利点がある。
なお、本発明は、上述した実施形態及び変形例に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
例えば、上述の実施形態では、レーザ処理工程において、レーザスポットＬＳを走査させるレーザ照射装置７を用いているが、これに限られるものではない。例えば図１５に示すように、マスク２２を用いてレーザを照射するレーザ照射装置７Ｘを用いても良い。この場合、レーザ照射装置７Ｘは、レーザ発振器（レーザ発生装置）２０と、ミラー２１と、マスク２２と、レンズ２３とを備え、レーザ発振器２０から出射されたレーザは、ミラー２１で反射され、マスク２２及びレンズ２３を通過して、ウェハ１の裏面１Ｘに対して照射されるようにすれば良い。この場合、レーザはマスク２２を介してウェハ１の裏面１Ｘに照射されるため、マスク２２に形成されたマーク６Ａが、ウェハ１の裏面１Ｘにマーク６として転写されることになる。
【００３４】
ここでは、マスク２２は、マーク６Ａがレーザを遮り、それ以外の領域がレーザを通過させるようになっている。つまり、マスク２２は、マーク６Ａが遮光領域になっており、それ以外の領域が透過領域になっている。
そして、このような構成を備えるレーザ照射装置７Ｘを用いて、ウェハ１の裏面１Ｘのマーク６を形成する部分にレーザが照射されずに、マーク６を形成する部分以外の領域にレーザが照射されるように、マスク２２を介してレーザを照射する。これにより、ウェハ１の裏面１Ｘのマーク６を形成する部分、即ち、研磨痕４及び破砕層５を残す部分にレーザを照射しないで、マーク６を形成する部分以外の領域にレーザを照射することができる。
【００３５】
このようにマスク２２を用いてレーザを照射するレーザ照射装置７Ｘでは、マスク２２が必要であるが、ウェハ１の裏面１Ｘに対して一括でレーザを照射することができるため、処理時間は短くすることができる。
また、上述の実施形態では、ダイシング工程の前にレーザ処理工程を行なうようにしているが、これに限られるものではない。例えば、ダイシング工程の後にレーザ処理工程を行なうようにしても良い。つまり、ダイシング工程の後であってチップピックアップ工程の前に、レーザ処理工程を行なうようにしても良い。この場合、ウェハ単位で、即ち、１つのウェハ１を個片化した複数のチップ１Ａに対してレーザを照射する処理を行なうことになる。また、チップピックアップ工程の後、各チップ１Ａを実装基板まで搬送する途中で、レーザ処理工程を行なうようにしても良い。この場合、チップ単位で、即ち、各チップ１Ａに対してレーザを照射する処理を行なうことになる。
【符号の説明】
【００３６】
１ ウェハ
１Ａ 半導体チップ
１Ｘ 半導体基板の裏面、ウェハの裏面、チップの裏面
２ 表面保護テープ
３ 砥石
４ 研磨痕
５ 破砕層
６、６Ａ、６Ｘ、６Ｙ、６Ｚ マーク
７、７Ｘ レーザ照射装置
８ レーザ発振器
９ シャッタ
１０ Ｘ方向ガルバノミラー
１１ Ｙ方向ガルバノミラー
１２ レンズ
１３ 砥石
１４ フレームリング
１５ ダイシングテープ
１６ ダイシングブレード
２０ レーザ発振器
２１ ミラー
２２ マスク
２３ レンズ
Ａ 中央領域（マークエリア）
ＬＳ レーザスポット
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップ（半導体装置）の薄型化が進んでいる。半導体チップの薄型化は、半導体基板の裏面を研磨することによって行なわれている。このような半導体チップの薄型化に伴い、半導体チップの機械強度、即ち、チップ抗折強度が低下する。このため、半導体チップの機械強度を上げるために、半導体基板の裏面を研磨した後に、基板裏面を鏡面化する鏡面化処理が行なわれるようになってきている。なお、鏡面化処理を、基板裏面を平坦化する平坦化処理ともいう。
【０００３】
一方、半導体チップの高信頼性を確保すべく、トレサビリティのために、半導体チップの裏面に、文字、数字、記号などのマークを形成するようになってきている。例えば、基板基板の裏面にレーザを照射して、例えば識別番号のような識別データ（ＩＤ：Identification Data）などをマークとして形成することが行なわれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１１４１２９号公報
【特許文献２】特開２００１−８５２８５号公報
【特許文献３】特許第３７８９８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、基板裏面にマークを形成する場合、研磨痕を有する面や梨地面などの凹凸面になっている基板裏面の、マークを形成する部分にレーザを照射し、これによって生じる溶融痕や溶融層をマークとして用いるのが一般的である。この場合、マークの視認性を確保すべく、マークの周囲が凹凸面になっている必要があるため、基板裏面の大部分が凹凸面となる。
【０００６】
しかしながら、基板裏面の大部分が凹凸面になっていたり、基板裏面の大部分に研磨痕や破砕層があったりすると、半導体チップの機械強度が下がってしまう。
一方、基板裏面に対して、凹凸面を平坦化する処理や研磨痕や破砕層を除去する処理などの鏡面化処理を施し、かつ、視認性を有するマークを形成するためには、鏡面化処理された基板裏面を例えばレーザで彫り込んで、凹みによってマークを形成することになる。
【０００７】
しかしながら、基板裏面を彫り込んでマークを形成する際に、基板に微細なクラックが生じたり、破砕層ができてしまったりするため、半導体チップの機械強度が下がってしまう。
そこで、半導体チップの機械強度を向上させながら、半導体チップの裏面にマークを形成したい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本半導体装置は、半導体基板の裏面に研磨痕及び破砕層によって形成されたマークを備え、半導体基板の裏面のマークが形成されている部分以外の領域の研磨痕及び破砕層が除去されていることを要件とする。
本半導体装置の製造方法は、半導体基板の裏面を研磨し、半導体基板の裏面のマークを形成する部分以外の領域にレーザを照射して研磨痕及び破砕層を除去し、残っている研磨痕及び破砕層によってマークを形成することを要件とする。
【発明の効果】
【０００９】
したがって、本半導体装置及びその製造方法によれば、機械強度を向上させながら、裏面にマークを形成することができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための模式的斜視図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための模式的斜視図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態の半導体装置の製造方法におけるレーザ処理工程を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハに含まれる一のチップにレーザを照射している状態を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態の半導体装置の製造方法におけるレーザ処理工程を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハに含まれる一のチップにレーザを照射した後の状態を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図５】本実施形態の半導体装置（半導体チップ）において研磨痕及び破砕層を残してマークを形成する領域（マークエリア）を示す模式的平面図である。
【図６】本実施形態の半導体装置の製造方法のレーザ処理工程において用いるレーザ照射装置の構成を示す模式的斜視図である。
【図７】本実施形態の半導体装置の製造方法のレーザ処理工程におけるレーザスポットの走査方法を説明するための模式図である。
【図８】第１比較例のレーザマーキング工程を説明するための模式的斜視図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）は、第１比較例のレーザマーキング工程を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハに含まれる一のチップにレーザを照射している状態を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）は、第１比較例のレーザマーキング工程を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハに含まれる一のチップにレーザを照射した後の状態を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図１１】（Ａ）、（Ｂ）は、第２比較例のレーザマーキング工程を説明するための模式図であって、（Ａ）はウェハに含まれる一のチップにレーザを照射した後の状態を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｃ）は、第３比較例の鏡面化処理工程及びレーザマーキング工程を説明するための模式的斜視図である。
【図１３】（Ａ）、（Ｂ）は、第３比較例のレーザマーキング工程を説明するための模式図であって、（Ａ）は鏡面化されたウェハに含まれる一のチップの裏面にレーザを照射している状態を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図１４】（Ａ）、（Ｂ）は、第３比較例のレーザマーキング工程を説明するための模式図であって、（Ａ）は鏡面化されたウェハに含まれる一のチップの裏面にレーザを照射した後の状態を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図１５】本実施形態の半導体装置の製造方法のレーザ処理工程において用いる他のレーザ照射装置の構成を示す模式的斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる半導体装置及びその製造方法について、図１〜図１４を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる半導体装置は、図４（Ａ）、図４（Ｂ）に示すように、その裏面、即ち、半導体基板の裏面（背面）１Ｘに研磨痕４及び破砕層５によって形成されたマーク６を備える半導体チップ１Ａである。この半導体チップ１Ａは、半導体基板の裏面１Ｘのマーク６が形成されている部分以外の領域の研磨痕４及び破砕層５が除去されている。
【００１２】
ここで、マーク６は、文字、数字、記号などのマークである。例えば識別番号のような識別データ（ＩＤ）がマーク６として半導体基板の裏面１Ｘに設けられている。ここでは、研磨痕４は、後述するように、バックグラインド研磨によって生じるものであるため、バックグラインド研磨痕という。また、破砕層５をマイクロクラック又はダメージ層ともいう。
【００１３】
このように、研磨痕４及び破砕層５は半導体基板の裏面１Ｘのマーク６の部分だけに残っており、それ以外の領域の研磨痕４及び破砕層５は除去されて平坦化（鏡面化）されているため、マーク６の視認性を確保しながら、半導体チップ１Ａの機械強度を向上させることができる。特に、研磨痕４及び破砕層５を除去して平坦化した領域の中に、研磨痕４及び破砕層５が残されて、凹凸によってマーク６が形成されるため、高い視認性を有するマークとなる。
【００１４】
上述のような半導体装置は、半導体基板の裏面１Ｘを研磨した後、図３、図４に示すように、半導体基板の裏面１Ｘのマーク６を形成する部分以外の領域にレーザを照射して研磨痕４及び破砕層５を除去し、残っている研磨痕４及び破砕層５によってマーク６を形成することによって製造される。つまり、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法では、レーザを照射することによってマーク６を形成するレーザマーキング処理と、レーザを照射することによって研磨痕４及び破砕層５を除去する処理とが、同時に、即ち、同一工程で行なわれる。
【００１５】
このように、レーザマーキング方法を用い、研磨痕４及び破砕層５を除去する処理もレーザを照射することによって行なうため、コストを抑えることができ、生産性を高めることができる。これに対し、マーク６を形成する処理を、レーザマーキング方法以外の方法によって行なうと、コストが高くなる。また、研磨痕４及び破砕層５を除去する処理を、例えば薬液を用いた処理などの他の処理によって行なうと、コストが高くなり、生産性が低くなる。また、マーク６を形成する処理と、研磨痕４及び破砕層５を除去する処理とを別の工程で行なうと、生産性が低くなる。
【００１６】
このようにして、研磨痕４及び破砕層５を有する半導体基板の裏面１Ｘに効果的にレーザを照射することで、半導体チップ１Ａの機械強度の向上と、半導体チップ１Ａの裏面へのマークの形成との両方を実現することができる。
以下、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法について、図１〜図７を参照しながら、具体的に説明する。
【００１７】
まず、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示すように、ウェハプロセスを経て表面に回路が形成されたウェハ１に対して、ウェハ１を薄くするために、バックグラインド研磨を施す。この工程をバックグラインド工程という。なお、バックグラインド研磨を、機械式裏面研磨又は裏面研削ともいう。
ここでは、まず、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すように、表面に回路が形成されたウェハ１に表面保護テープ２を貼り付ける。つまり、ウェハ１の回路形成面を覆うように表面保護テープ２を貼り付ける。次に、図１（Ｃ）に示すように、ウェハ１を反転させてバックグラインド装置のテーブル（図示せず）に装着し、ウェハ１の裏面、即ち、半導体基板の裏面１Ｘに、回転する砥石３を当接させて、半導体基板の裏面１Ｘをバックグラインド研磨し、ウェハ１の厚さを所定の厚さにする。なお、砥石３を研磨用砥石ヘッドともいう。
【００１８】
このバックグラインド研磨を施す処理によって、ウェハ１の裏面１Ｘには、研磨痕４及び破砕層５が形成される。ここで、研磨痕４の凸部のトップから破砕層５の最大深さまでは約１μｍ程度である。
次に、図１（Ｄ）に示すように、ウェハ１をレーザ照射装置のテーブル（図示せず）に装着し、研磨痕４及び破砕層５が形成されたウェハ１の裏面１Ｘに対してレーザを照射するレーザ処理を施す。この工程をレーザ処理工程又はレーザ照射工程という。
【００１９】
ここでは、研磨痕４及び破砕層５が形成されたウェハ１の裏面１Ｘにレーザを照射すして、文字、数字、記号などのマーク６を形成するレーザマーキング処理と、ウェハ１の裏面１Ｘが彫り込まれないようにしながら、研磨痕４及び破砕層５を除去する処理とを同時に行なう。つまり、レーザ処理は、レーザマーキング処理と、研磨痕４及び破砕層５を除去する処理とを含む。このため、レーザ処理工程は、レーザマーキング工程であり、研磨痕及び破砕層除去工程でもある。
【００２０】
特に、本実施形態では、図３、図４に示すように、ウェハ１の裏面１Ｘのマーク６を形成する部分以外の領域にレーザを照射して研磨痕４及び破砕層５を除去し、残された研磨痕４及び破砕層５によってマーク６を形成する。この場合、レーザ処理工程において、レーザ処理を施す領域、即ち、レーザを照射する領域は、マーク６を形成する部分以外の領域である。ここでは、後述するように、ウェハ１は複数のチップ１Ａに個片化されるため、ウェハ１の裏面１Ｘ、即ち、ウェハ１に含まれる各チップ１Ａの裏面１Ｘにマーク６を形成する。また、マーク６は、図５に示すように、各チップ１Ａの裏面１Ｘの外周領域を除く中央領域Ａ（図５中、破線で囲まれた領域）に形成するのが好ましい。つまり、各チップ１Ａの裏面１Ｘの外周領域を除く中央領域Ａを、マーク６を形成する領域（マークエリア）とするのが好ましい。例えば、マーク６を形成する領域、即ち、研磨痕４及び破砕層５を残す領域は、チップサイズの縦横７割程度の領域とするのが好ましい。つまり、チップサイズを横Ｘ、縦Ｙとした場合、マーク６を形成する領域を、横０．７Ｘ、縦０．７Ｙの領域とするのが好ましい。この場合、各チップ１Ａの裏面１Ｘの外周領域にマーク６が形成されないため、即ち、各チップ１Ａの裏面１Ｘの外周領域の研磨痕４及び破砕層５が除去されて鏡面化されるため、チッピング、クラック、割れ等を防ぐことができ、チップ１Ａの機械強度の低下を防ぐことができる。
【００２１】
また、研磨痕４及び破砕層５を除去する処理では、研磨痕４及び破砕層５が除去され、ダメージのない面が露出し、平坦になって、鏡面化するため、これを、表面処理、平坦化処理、又は、鏡面化処理ともいう。このため、研磨痕及び破砕層除去工程を、表面処理工程、平坦化処理工程、又は、鏡面化処理工程ともいう。また、半導体基板の裏面１Ｘのマーク６が形成されている部分以外の領域の研磨痕４及び破砕層５は、レーザの照射によって溶融されて除去されるため、研磨痕４及び破砕層５が除去された領域は、研磨痕４及び破砕層５がレーザの照射によって溶融（レーザ溶融）された領域である。一方、レーザの照射によって溶融されずに残された研磨痕４及び破砕層５がマーク６となる。
【００２２】
このレーザ処理工程では、例えば図６に示すようなレーザ照射装置７を用いて、研磨痕４及び破砕層５が形成されたウェハ１の裏面１Ｘに対してレーザを照射すれば良い。本実施形態では、レーザ照射装置７はレーザスポットＬＳを走査させる機構を有しており、ウェハ１の裏面１Ｘの所望の箇所にレーザを照射することができるようになっている。なお、レーザ照射装置７をレーザ照射機ともいう。
【００２３】
ここで、ウェハ１の裏面１Ｘが彫り込まれないようにしながら、研磨痕４及び破砕層５が除去されるように、レーザの照射条件を設定するのが好ましい。例えば、レーザの波長を例えば約１００ｎｍ〜約１２００ｎｍとし、レーザパルス幅を例えば約１００ｆｓ〜約２００μｓとし、レーザスポットＬＳのスポット径φを例えば約５〜約１００μｍとし、レーザスポットＬＳが互いに重なり合うように照射するのが好ましい。
【００２４】
このような走査機構を含むレーザ照射装置７は、レーザ発振器（レーザ発生装置）８と、シャッタ９と、Ｘ方向ガルバノミラー１０と、Ｙ方向ガルバノミラー１１と、レンズ１２とを備える。そして、レーザ発振器８から出射されたレーザ（レーザ光）は、シャッタ９を通過し、Ｘ方向ガルバノミラー１０及びＹ方向ガルバノミラー１１で反射され、レンズ１２を通過して、ウェハ１の裏面１Ｘに対して照射されるようになっている。
【００２５】
特に、本実施形態のレーザ照射装置７では、レーザスポットＬＳをウェハ１の裏面１Ｘ上でＸ方向へ走査させるＸ方向ガルバノミラー１０と、レーザスポットＬＳをウェハ１の裏面１Ｘ上でＹ方向へ走査させるＹ方向ガルバノミラー１１とを用いて、ウェハ１の裏面１Ｘ上のレーザ照射位置を制御できるようになっている。ここでは、Ｘ方向ガルバノミラー１０及びＹ方向ガルバノミラー１１を独立して回転させることで、ウェハ１の裏面１Ｘ上でレーザスポットＬＳをＸ方向及びＹ方向に走査させることができるようになっている。
【００２６】
また、本レーザ照射装置７では、シャッタ９の開閉によって、ウェハ１の裏面１Ｘに対するレーザ照射の有無を制御できるようになっている。
そして、このような構成を備えるレーザ照射装置７を用いて、図７に示すように、ウェハ１の裏面１Ｘのマーク６を形成する部分にレーザが照射されずに、マーク６を形成する部分以外の領域にレーザが照射されるように、レーザスポットＬＳを走査させる。これにより、ウェハ１の裏面１Ｘのマーク６（ここでは「Ｆ」という文字マーク）を形成する部分、即ち、研磨痕４及び破砕層５を残す部分にレーザを照射しないで、マーク６を形成する部分以外の領域にレーザを照射することができる。なお、図７中、実線の矢印はレーザが照射されていることを示しており、破線の矢印はレーザが照射されていないことを示している。
【００２７】
このようにレーザスポットＬＳを走査させてレーザを照射するレーザ照射装置７では、マスクが不要であるが、マスクを用いるものと比較して処理時間が長くなるため、少量多品種のチップを製造するのに適している。また、良品チップのみを選択してレーザ照射することができるため、ダイシング後、チップ１Ａの裏面を見るだけで良・不良の選別が可能となる。
【００２８】
なお、ここでは、走査機構として、Ｘ方向ガルバノミラー１０及びＹ方向ガルバノミラー１１を用いる場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、Ｘ方向及びＹ方向に走査させるＸＹテーブルを用いても良い。また、走査機構として、Ｘ方向ガルバノミラーと、Ｙ方向に走査させるＹ方向用テーブルとを用いても良いし、Ｙ方向ガルバノミラーと、Ｘ方向に走査させるＸ方向用テーブルとを用いても良い。
【００２９】
これに対し、図８〜図１０に示すように、ウェハ１の裏面１Ｘのマーク６Ｘを形成する部分にレーザを照射して研磨痕４及び破砕層５を除去し、それ以外の領域に研磨痕４及び破砕層５を残してマーク６Ｘを形成すると、基板裏面１Ｘの大部分に研磨痕４及び破砕層５が残るため、チップ１Ａの機械強度が下がってしまう。なお、図８〜図１０に示すものを第１比較例という。
【００３０】
また、図１１に示すように、研磨痕４及び破砕層５を除去するだけでなく、レーザの照射条件を変えて、ウェハ１の裏面１Ｘを彫り込んで凹みとしてマーク６Ｙを形成すると、基板にクラックが生じたり、新たに破砕層５ができてしまったりするため、チップ１Ａの機械強度が下がってしまう。
また、図１２に示すように、バックグラインド工程［図１２（Ａ）参照］とレーザマーキング工程［図１２（Ｃ）参照］との間に、ウェハ１の裏面１Ｘを鏡面化する鏡面化処理工程［図１２（Ｂ）参照］を入れることが考えられる。この鏡面化処理工程は、例えば、砥石１３を用いたポリッシング処理工程、薬液を用いたエッチング処理工程などのストレスリリーフ処理工程である。この場合、図１３、図１４に示すように、鏡面化されたウェハ１の裏面１Ｘにレーザを照射し、ウェハ１の裏面１Ｘを彫り込んで凹みとしてマーク６Ｚを形成することになるが、この場合も、基板にクラックが生じたり、新たに破砕層５ができてしまったりするため、チップ１Ａの機械強度が下がってしまう。また、バックグラインド工程で生成された研磨痕４や破砕層５を除去して鏡面化する鏡面化処理工程とレーザマーキング工程とが別工程になってしまうため、生産性が低くなってしまう。さらに、鏡面化処理工程において、例えば薬液を用いた処理を行なうと、コストが高くなってしまう。なお、鏡面化されたウェハ１の裏面１Ｘには凹凸がないため、ウェハ１を彫り込む以外にマーキングする方法はない。
【００３１】
次に、図２（Ａ）に示すように、ウェハ１の外周にフレームリング１４を置き、ウェハ１の裏面１Ｘ及びフレームリング１４にダイシングテープ１５を貼り付けて、ウェハ１をフレームリング１４に固定した後、図２（Ｂ）に示すように、これらを反転させてダイシング装置のテーブル（図示せず）に装着し、表面保護テープ２を剥がす。この工程をマウント工程、表面保護テープ剥がし工程、表面保護テープ剥がし・マウント工程という。
【００３２】
次に、図２（Ｃ）に示すように、ダイシングブレード１６によってウェハ１をダイシングする。これにより、ウェハ１が個片化されて複数のチップ１Ａが形成される。この工程をダイシング工程という。
そして、図２（Ｄ）に示すように、個片化された複数のチップ１Ａは、フレームリング１４及びダイシングテープ１５に保持された状態で、実装装置（ダイマウント装置）へ搬送され、実装装置で各チップ１Ａをピックアップする。この工程をチップピックアップ工程という。そして、ピックアップされた各チップ１Ａは、実装基板まで搬送され、実装基板に実装される。この工程をチップ実装工程という。
【００３３】
したがって、本実施形態にかかる半導体装置及びその製造方法によれば、機械強度を向上させながら、裏面にマーク６を形成することができるという利点がある。
なお、本発明は、上述した実施形態及び変形例に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
例えば、上述の実施形態では、レーザ処理工程において、レーザスポットＬＳを走査させるレーザ照射装置７を用いているが、これに限られるものではない。例えば図１５に示すように、マスク２２を用いてレーザを照射するレーザ照射装置７Ｘを用いても良い。この場合、レーザ照射装置７Ｘは、レーザ発振器（レーザ発生装置）２０と、ミラー２１と、マスク２２と、レンズ２３とを備え、レーザ発振器２０から出射されたレーザは、ミラー２１で反射され、マスク２２及びレンズ２３を通過して、ウェハ１の裏面１Ｘに対して照射されるようにすれば良い。この場合、レーザはマスク２２を介してウェハ１の裏面１Ｘに照射されるため、マスク２２に形成されたマーク６Ａが、ウェハ１の裏面１Ｘにマーク６として転写されることになる。
【００３４】
ここでは、マスク２２は、マーク６Ａがレーザを遮り、それ以外の領域がレーザを通過させるようになっている。つまり、マスク２２は、マーク６Ａが遮光領域になっており、それ以外の領域が透過領域になっている。
そして、このような構成を備えるレーザ照射装置７Ｘを用いて、ウェハ１の裏面１Ｘのマーク６を形成する部分にレーザが照射されずに、マーク６を形成する部分以外の領域にレーザが照射されるように、マスク２２を介してレーザを照射する。これにより、ウェハ１の裏面１Ｘのマーク６を形成する部分、即ち、研磨痕４及び破砕層５を残す部分にレーザを照射しないで、マーク６を形成する部分以外の領域にレーザを照射することができる。
【００３５】
このようにマスク２２を用いてレーザを照射するレーザ照射装置７Ｘでは、マスク２２が必要であるが、ウェハ１の裏面１Ｘに対して一括でレーザを照射することができるため、処理時間は短くすることができる。
また、上述の実施形態では、ダイシング工程の前にレーザ処理工程を行なうようにしているが、これに限られるものではない。例えば、ダイシング工程の後にレーザ処理工程を行なうようにしても良い。つまり、ダイシング工程の後であってチップピックアップ工程の前に、レーザ処理工程を行なうようにしても良い。この場合、ウェハ単位で、即ち、１つのウェハ１を個片化した複数のチップ１Ａに対してレーザを照射する処理を行なうことになる。また、チップピックアップ工程の後、各チップ１Ａを実装基板まで搬送する途中で、レーザ処理工程を行なうようにしても良い。この場合、チップ単位で、即ち、各チップ１Ａに対してレーザを照射する処理を行なうことになる。
【符号の説明】
【００３６】
１ ウェハ
１Ａ 半導体チップ
１Ｘ 半導体基板の裏面、ウェハの裏面、チップの裏面
２ 表面保護テープ
３ 砥石
４ 研磨痕
５ 破砕層
６、６Ａ、６Ｘ、６Ｙ、６Ｚ マーク
７、７Ｘ レーザ照射装置
８ レーザ発振器
９ シャッタ
１０ Ｘ方向ガルバノミラー
１１ Ｙ方向ガルバノミラー
１２ レンズ
１３ 砥石
１４ フレームリング
１５ ダイシングテープ
１６ ダイシングブレード
２０ レーザ発振器
２１ ミラー
２２ マスク
２３ レンズ
Ａ 中央領域（マークエリア）
ＬＳ レーザスポット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の裏面に研磨痕及び破砕層によって形成されたマークを備え、
前記半導体基板の裏面の前記マークが形成されている部分以外の領域の研磨痕及び破砕層が除去されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板の裏面を研磨し、
前記半導体基板の裏面のマークを形成する部分以外の領域にレーザを照射して研磨痕及び破砕層を除去し、残っている研磨痕及び破砕層によってマークを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体基板の裏面のマークを形成する部分に前記レーザが照射されずに、前記マークを形成する部分以外の領域に前記レーザが照射されるように、レーザスポットを走査させることを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板の裏面のマークを形成する部分に前記レーザが照射されずに、前記マークを形成する部分以外の領域に前記レーザが照射されるように、マスクを介して前記レーザを照射することを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
半導体基板の裏面に研磨痕及び破砕層によって形成されたマークを備え、
前記半導体基板の裏面の前記マークが形成されている部分以外の領域の研磨痕及び破砕層が除去されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板の裏面を研磨し、
前記半導体基板の裏面のマークを形成する部分以外の領域にレーザを照射して研磨痕及び破砕層を除去し、残っている研磨痕及び破砕層によってマークを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体基板の裏面のマークを形成する部分に前記レーザが照射されずに、前記マークを形成する部分以外の領域に前記レーザが照射されるように、レーザスポットを走査させることを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板の裏面のマークを形成する部分に前記レーザが照射されずに、前記マークを形成する部分以外の領域に前記レーザが照射されるように、マスクを介して前記レーザを照射することを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１２−２２７３２２（Ｐ２０１２−２２７３２２Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９２８７５（Ｐ２０１１−９２８７５）
【出願日】平成２３年４月１９日（２０１１．４．１９）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通セミコンダクター株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月１９日（２０１１．４．１９）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通セミコンダクター株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
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