回路板構造
【目的】電磁ノイズを抑えることができる回路板構造を提供する。
【解決手段】回路板構造は、誘電層と、第１金属層と、第２金属層と、第１フェライト素子とを含む。第１金属層は、誘電層の上表面上に配置され、且つ第１回路領域と、第２回路領域と、第１回路領域及び第２回路領域を接続する第１金属頚部とを有する。第２金属層は、誘電層の下表面上に配置され、且つ第３回路領域と、第４回路領域と、第３回路領域及び第４回路領域を接続する少なくとも１つの第２金属頚部とを有する。上表面上の第１及び第２金属頚部の正投影は、相互に重なり合わない。第１フェライト素子が上表面上に配置され、上表面の第１及び第２金属頚部の正投影の少なくとも１つを覆う。
【解決手段】回路板構造は、誘電層と、第１金属層と、第２金属層と、第１フェライト素子とを含む。第１金属層は、誘電層の上表面上に配置され、且つ第１回路領域と、第２回路領域と、第１回路領域及び第２回路領域を接続する第１金属頚部とを有する。第２金属層は、誘電層の下表面上に配置され、且つ第３回路領域と、第４回路領域と、第３回路領域及び第４回路領域を接続する少なくとも１つの第２金属頚部とを有する。上表面上の第１及び第２金属頚部の正投影は、相互に重なり合わない。第１フェライト素子が上表面上に配置され、上表面の第１及び第２金属頚部の正投影の少なくとも１つを覆う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路板構造に関し、特に、フェライト素子を使用している回路板構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子産業の高周波及び低電圧への発展傾向に従い、回路システムは、電磁ノイズ干渉の不可避な問題に直面している。回路板上の回路の動作（operation）において、高速デジタル信号を伝送する素子又はハイパワーな素子、例えば、クロック信号発生器又はパワー増幅器は、電磁ノイズの主要な発生源になる。上記素子が電磁ノイズを発生する時、電磁ノイズが電磁波形で回路板上に伝播するので、回路板上の他の素子が干渉される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
今日、電磁干渉（electromagnetic interference＝EMI）問題は、適切な回路設計及びレイアウトにより解決され得る。即ち、回路板上の上記電磁干渉の影響は、レイアウト又は素子を変更した適切な設計により低減され得る。
【０００４】
従って、本発明は、電磁ノイズを抑えることができる回路板構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明が提供する回路板構造は、誘電層と、第１金属層と、第２金属層と、第１フェライト素子とを含む。誘電層は、上表面及び上表面に対向する下表面を有する。第１金属層は、誘電層の上表面上に配置され、且つ第１回路領域と、第２回路領域と、第１回路領域及び第２回路領域を接続する第１金属頚部（metallic neck）とを有する。第２金属層は、誘電層の下表面上に配置され、且つ第３回路領域と、第４回路領域と、第３回路領域及び第４回路領域を接続する少なくとも１つの第２金属頚部とを有し、誘電層の上表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影は、相互に重なり合わない。第１フェライト素子が誘電層の上表面上に配置され、誘電層の上表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影の少なくとも１つを覆う（overlay）。
【０００６】
本発明の一実施形態では、誘電層の上表面上の上記第１フェライト素子及び第２金属頚部の正投影が相互に重なり合う。
【０００７】
本発明の一実施形態では、上記回路板構造が誘電層の下表面に配置される第２フェライト素子を含む。
【０００８】
本発明の一実施形態では、上記誘電層の上表面上の上記第２フェライト素子と、第１フェライト素子と、第１金属頚部との正投影が相互に重なり合う。
【０００９】
本発明の一実施形態では、誘電層の上表面上の上記第１フェライト素子及び第２金属頚部の正投影が相互に重なり合い、誘電層の上表面上の第２フェライト素子と、第１フェライト素子と、第１金属頚部との正投影が相互に重なり合う。
【００１０】
本発明の一実施形態では、上記第２フェライト素子が第２金属頚部を覆う。
【００１１】
本発明の一実施形態では、誘電層の上表面上の上記第２フェライト素子と、第１フェライト素子と、第２金属頚部との正投影が相互に重なり合う。
【００１２】
本発明の一実施形態では、上記誘電層の材質がガラス繊維を含む。
【００１３】
本発明の一実施形態では、上記第１金属層の材質が銅を含む。
【００１４】
本発明の一実施形態では、上記第２金属層の材質が銅を含む。
【００１５】
上記に基づき、本発明の回路板構造では、誘電層の上表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影が相互に重なり合わない。従って、電磁ノイズの磁場が第１金属頚部及び第２金属頚部間の誘電層中に集中するよりもむしろ誘電層の外側に分布する。また、第１フェライト素子を使用して第１金属頚部を覆うことにより磁場を容易に抑制することができ、電磁ノイズの伝播を減少させ、電磁ノイズを抑制する効果を達成する。
【発明の効果】
【００１６】
誘電層の上表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影が相互に重なり合わないという本発明の回路板構造の設計により、２つの隣接する回路領域間で伝播する電磁ノイズにより発生する磁界が第１金属頚部及び第２金属頚部間の誘電層中に集中するよりもむしろ誘電層の外側且つ第１金属頚部及び第２金属頚部寄りに位置する領域内に分布する。また、フェライト素子を使用し、金属頚部を覆うことで磁界強度を抑制することができるので、電磁ノイズの伝播を減少させ、電磁ノイズを抑制する効果を達成する。
【００１７】
本発明の上記及び他の目的、特徴、および利点をより分かり易くするため、図面と併せた幾つかの実施形態を以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１Ａ】本発明の第１実施形態に係る回路板構造の図である。
【図１Ｂ】第１金属頚部を覆うために第１フェライト素子が使用されていない図１Ａの回路板構造の図である。
【図１Ｃ】図１Ｂの第１金属層及び第２金属層を示す図である。
【図１Ｄ】図１Ａの線Ｉ−Ｉに沿った断面図である。
【図２】本発明のもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図３】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図４】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図５】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図６】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図７】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図８】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図９】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図１０】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図１１】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図１２】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図１３】幾つかの回路板構造の伝播係数及び周波数間の関係を示すグラフである。
【図１４】幾つかの回路板構造の伝播係数及び周波数間の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１Ａは、本発明の実施形態に係る回路板構造の図であり、図１Ｂは、第１金属頚部を覆うための第１フェライト素子が使用されていない図１Ａの回路板構造の図であり、図１Ｃは、図１Ｂの第１金属層及び第２金属層を示す図であり、図１Ｄは、図１Ａの線Ｉ−Ｉに沿った断面図である。図１Ａ〜図１Ｃを参照すると、本実施形態では、回路板構造１００ａは、誘電層１１０と、第１金属層１２０と、第２金属層１３０と、第１フェライト素子１４０とを含む。
【００２０】
より詳細に言えば、誘電層１１０が上表面１１０ａ及び上表面１１０ａに対向する下表面１１０ｂを有し、誘電層１１０の材質がガラス繊維を含む。
【００２１】
第１金属層１２０が誘電層１１０の上表面１１０ａ上に配置され、且つ第１回路領域１２２と、第２回路領域１２４と、第１金属頚部１２６とを有し、第１金属頚部１２６が第１回路領域１２２と第２回路領域１２４を接続する。本実施形態では、第１金属層１２０が、例えば、電源層として提供される。第１金属層１２０の材質が銅を含む。
【００２２】
第２金属層１３０が誘電層１１０の下表面１１０ｂ上に配置され、且つ第３回路領域１３２と、第４回路領域１３４と、少なくとも１つの第２金属頚部１３６とを有する（図１Ｃでは、１つのみ模範的に表示する）。第２金属頚部１３６が第３回路領域１３２及び第４回路領域１３４を接続し、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影が相互に重なり合わない。本実施形態では、第２金属層１３０が、例えば、接地層として提供され、且つ第２金属層１３０の材質が銅を含む。
【００２３】
留意すべきことは、本実施形態では、第１金属層１２０の第１回路領域１２２が第２金属層１３０の第３回路領域１３２に対応し、第１金属層１２０の第２回路領域１２４が第２金属層１３０の第４回路領域１３４に対応する。本実施形態では、第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の幅が相互に異なる。誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影が相互に重なり合わず、且つそれぞれ誘電層１１０の相対する両側に配置される。
【００２４】
図１Ａ及び図１Ｄを参照すると、第１フェライト素子１４０が誘電層１１０の上表面１１０ａ上に配置され、且つ第１フェライト素子１４０が第１金属頚部１２６を覆う。ここでのフェライト材質は、高透磁率且つ低導電性を特徴とするので、第１フェライト素子１４０が電場に対する高いインピーダンスを有し、即ち、第１フェライト素子１４０が電磁場の強度を抑制することができる。
【００２５】
本実施形態では、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影が相互に重なり合わないので、第１回路領域１２２及び第２回路領域１２４間と、第３回路領域１３２及び第４回路領域１３４間とに伝播される電磁ノイズの磁場が第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６間の誘電層１１０に集中にするよりもむしろ誘電層１１０の外側且つ第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６寄りに分布する。
【００２６】
また、第１フェライト素子１４０を使用することにより磁場強度を抑制することができる。従って、第１フェライト素子１４０が第１金属頚部１２６を覆う時、第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６間の誘電層１１０における電磁ノイズを効率的に抑制することができる。
【００２７】
実施例の回路板構造１００ａは、更に第１誘電層（図示せず）と、第２誘電層（図示せず）と、第１素子層（図示せず）と、第２素子層（図示せず）とを含むことができる。ここでの回路板構造１００ａは第１素子層及び第２素子層間に配置され、第１誘電層は第１素子層及び第１金属層１２０間に配置され、第２誘電層は第２素子層及び第２金属層１３０間に配置され、即ち、回路板構造１００ａが多層回路板構造であることができる。留意すべきことは、上記回路構造のアーキテクチャは、一例であり、本発明を限定するものではないということである。
【００２８】
上記構造設計は、第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の数がそれぞれ１つであると規定しているが、本発明は、第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の数量、配置、幅及び形状を限定しない。複数の回路板構造１００ｂ〜１００ｌによる幾つかの異なる実施形態を以下に示す。
【００２９】
図２は、本発明のもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図１Ｄ及び図２を参照すると、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の図２の回路板構造１００ｂの第１フェライト素子１４０ａ及び第２金属頚部１３６の正投影が相互に重なり合う、即ち、第１フェライト素子１４０ａが、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影を全体的に覆うということを除いて、図２の回路板構造１００ｂが図１Ｄの回路板構造１００ａに類似する。
【００３０】
図３は、本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図１Ｄ及び図３を参照すると、図３の回路板構造１００ｃが第２フェライト素子１５０を更に含むことを除いて、図３の回路板構造１００ｃが図１Ｄの回路板構造１００ａに類似する。第２フェライト素子１５０が誘電層１１０の下表面１１０ｂに配置され、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１フェライト素子１４０と、第２フェライト素子１５０と、第１金属頚部１２６との正投影が相互に重ね合わせられ、即ち、第２フェライト素子１５０が第２金属頚部１３６を覆わない。
【００３１】
図４は、本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図３及び図４を参照すると、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の図４の回路板構造１００ｄの第１フェライト素子１４０ａ及び第２金属頚部１３６の正投影が相互に重なり合う、即ち、第１フェライト素子１４０ａが誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影を全体的に覆うということを除いて、図４の回路板構造１００ｄが図３の回路板構造１００ｃに類似する。
【００３２】
図５は、本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図４及び図５を参照すると、図５の回路板構造１００ｅの第２フェライト素子１５０が第２金属頚部１３６を覆い、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１フェライト素子１４０ａと、第２フェライト素子１５０と、第２金属頚部１３６との正投影が相互に重なり合い、即ち、第２フェライト素子１５０が誘電層１１０の下表面１１０ｂ上の第１金属頚部１２６の正投影を覆わないということを除いて、図５の回路板構造１００ｅが図４の回路板構造１００ｄに類似する。
【００３３】
図６は、本発明のもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図５及び図６を参照すると、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の図６の回路板構造１００ｆの第２フェライト素子１５０ａ及び第１フェライト素子１４０ａの正投影が相互に重なり合う、即ち、第１フェライト素子１４０ａが誘電層１１０の上表面１１０ａにおける第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影を全体的に覆い、第２フェライト素子１５０ａが誘電層１１０の下表面１１０ｂ上の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影を全体的に覆うということを除いて、図６の回路板構造１００ｆが図５の回路板構造１００eに類似する。
【００３４】
通常、回路板構造のレイアウトは、電磁ノイズの抑制及びシグナル・インテグリティ（信号完全性）の維持の両方を考慮する必要がある。より良好なシグナル・インテグリティを有するためには、信号線の基準面（通常は、接地面）をできる限り完全に維持すべきである。この意味において、図７の回路板構造１００ｇは、開口が設けられている次のような構造をとり、開口が第１金属頚部１２６の幅よりもやや広い幅を有し、下表面１１０ｂ上の第１金属頚部１２６の正投影の位置に配置される。このように、誘電層１１０の下表面１１０ｂの両側における２つの第２金属頚部１３６ａ，１３６ｂを最大限の範囲に残すことができ、一方で、第１金属頚部１２６を覆うフェライト素子１４０がノイズを更に抑制することができる。
【００３５】
図８は、本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図７及び図８を参照すると、図８の回路板構造１００ｈが第２フェライト素子１５０を更に含むことを除いて、図８の回路板構造１００ｈが図７の回路板構造１００ｇに類似する。第２フェライト素子１５０が誘電層１１０の下表面１１０ｂに配置され、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１フェライト素子１４０と、第２フェライト素子１５０と、第１金属頚部１２６との正投影が相互に重なり合い、即ち、第２フェライト素子１５０が第２金属頚部１３６ａ，１３６ｂを覆わない。
【００３６】
回路板構造のレイアウトの要求に応じて、ある時は、単一金属層が１つより多くの金属頚部を必要とする。図９は、本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図９を参照すると、図９の回路板構造１００ｉの第２金属層１３０（図１Ｃ）が２つの第２金属頚部１３６ａ’，１３６ｂ’を有することを除いて図９の回路板構造１００ｉが図１Ｄの回路板構造１００ａに類似し、第１フェライト素子１４０は第１金属頚部１２６のみを覆っている。
【００３７】
図１０は、本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図９及び図１０を参照すると、図１０の回路板構造１００ｊが第２フェライト素子１５０を更に含むことを除いて、図１０の回路板構造１００ｊが図９の回路板構造１００ｉに類似する。第２フェライト素子１５０が誘電層１１０の下表面１１０ｂに配置され、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１フェライト素子１４０と、第２フェライト素子１５０と、第１金属頚部１２６との正投影が相互に重なり合い、即ち、第２フェライト素子１５０が第２金属頚部１３６ａ’，１３６ｂ’を覆わない。
【００３８】
図１１は、本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図１０及び図１１を参照すると、図１１の回路板構造１００ｋの第２フェライト素子１５０が第２金属頚部１３６ｂ’を覆い、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１フェライト素子１４０及び第２フェライト素子１５０の正投影が相互に重なり合わないということを除いて、図１１の回路板構造１００ｋが図１０の回路板構造１００ｊに類似する。
【００３９】
図１２は、本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図１１及び図１２を参照すると、図１２の回路板構造１００ｌが第３フェライト素子１６０及び第４フェライト素子１７０を更に含むことを除いて、図１２の回路板構造１００ｌが図１１の回路板構造１００ｋに類似する。第３フェライト素子１６０が誘電層１１０の上表面１１０ａ上に配置され、且つ誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第２金属頚部１３６ｂ’の正投影を覆う。第４フェライト素子１７０が誘電層１１０の下表面１１０ｂに配置され、且つ誘電層１１０の下表面１１０ｂ上の第１金属頚部１２６の正投影を覆う。誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１フェライト素子１４０及び第４フェライト素子１７０の正投影が相互に重なり合う。誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第３フェライト素子１６０及び第２フェライト素子１５０の正投影が相互に重なり合う。
【００４０】
留意すべきことは、上記実施形態の回路板構造１００ａ〜１００ｌ中の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６（又は１３６ａ，１３６ｂ，１３６ａ’,１３６ｂ’）の幅が相互に異なるが、他の提示していない実施形態において、誘電層の表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影が相互に重なり合わず、且つ誘電層の表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影の少なくとも１つが用いられるフェライト素子により覆われれば、第１金属頚部及び第２金属頚部の幅を相互に同一とするができる。上記設計、即ち、第１金属頚部及び第２金属頚部の幅が相互に同一である設計も、本発明に許容され得るものであり、本発明の範囲内にある。
＜実験結果例＞
【００４１】
従来の回路板構造及び本発明の幾つかの回路板構造に対して幾つかの実験をそれぞれ行っている。試験した回路板構造では、２つの隣接する回路領域間のノイズ隔離効果が、散在するパラメータ中の伝播係数（transmission coefficient）Ｓ２１により示される。伝播係数が低い時は、２つの隣接する回路領域間の電磁波伝送が悪く、即ち、２つの隣接する回路領域間のノイズ隔離効果が良好であることを示す。従って、本実施形態において、試験される周波数範囲が０．６ＧＨｚと１．８ＧＨｚとの間に規定され、実験の結果、伝播係数Ｓ２１が０ｄＢと−３５ｄＢとの間に分布する。
【００４２】
更に詳細に言えば、実験は、図６の回路板構造１００ｆ及び従来の回路板構造を対象に行われ、誘電層の上表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影が相互に重なり合い、使用されるフェライトが第１金属頚部と、第２金属頚部と、第１金属頚部及び第２金属頚部間に配置される誘電層とを囲う（enclose）ということを除いて、従来の回路板構造が図６の回路板構造に類似する。
【００４３】
図１３は、幾つかの状況に対応する伝播係数と周波数との関係を示している。図１３を参照すると、ここでの曲線２１０は、フェライト素子が使用されない点を除く従来の回路板構造で試験した結果を示している。ここでの曲線２２０は、従来の回路板構造（フェライト素子が使用される構造）で試験した結果を示している。ここでの曲線２３０は、フェライト素子が使用されないことを除く本発明の回路板構造１００ｆで試験した結果を示している。ここでの曲線２４０は、本発明の回路板構造１００ｆ（フェライト素子が使用される構造）で試験した結果を示している。
【００４４】
図１３中の曲線２１０，２３０から分かるように、誘電層の上表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影が相互に重なり合うか否かの２つの設計は、２つの隣接する回路領域間のノイズ隔離効果に影響を及ぼす。更に詳細に言えば、周波数が約１．２ＧＨｚである時、曲線２１０，２３０の２つの伝播係数Ｓ２１が約７ｄＢの差異を有し、即ち、フェライト素子が使用されない場合において、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１金属接続層１２６及び第２金属接続層１３６の正投影が相互に重なり合わない実施形態の上記設計が、誘電層の上表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影が相互に重なり合う従来の設計よりも良好なノイズ隔離効果を示している。言い換えれば、フェライト素子を使用しない本発明の回路板構造１００ｆがフェライト素子を使用しない従来の回路板構造との比較においてより良好なノイズ隔離効果を有する。
【００４５】
また、実験データに示されるようにフェライト又はフェライト素子を使用することにより回路板構造の電磁ノイズの抑制を更に改善することができる。周波数が約１．２ＧＨｚである時、曲線２１０，２２０の２つの伝播係数Ｓ２１が約１ｄＢの差異を有し、曲線２３０，２４０の２つの伝播係数Ｓ２１が約９ｄＢの差異を有する。特に、曲線２２０，２４０の２つの伝播係数Ｓ２１が約１３ｄＢの差異を有し、第１フェライト素子１４０ａ及び第２フェライト素子１５０ａを使用することに関連して誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影が相互に重なり合わないという上記設計がより良好な電磁ノイズ隔離効果を示すことを示唆している。
【００４６】
要するに、上記実験結果から、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影が相互に重なり合わないという本発明の回路板構造１００ｆの設計がより良好なノイズ隔離効果を示すことが結論とされる。同時に、第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６を覆う第１フェライト素子１４０ａ及び第２フェライト素子１５０ａを使用することによって、回路板構造１００ｆが磁界強度を効率的に抑制し、電磁ノイズ伝播能力を減少させ、電磁ノイズ抑制をもたらす。
【００４７】
電磁ノイズを抑制する効果は、フェライト素子により金属頚部を覆う領域にも依存する。図１４は、幾つかの回路板構造の伝播係数と周波数との関係を示している。ここでの曲線３１０は、第１フェライト素子１４０ａを使用しない回路板構造１００ａを示している。ここでの曲線３２０は、使用するフェライト素子１４０が第１金属頚部１２６を覆う回路板構造１００ａを示しており、曲線３３０は、本発明の回路板構造１００ｃを示しており、曲線３４０は、本発明の回路板構造１００ｆを示している。
【００４８】
図１４中の実験データから分かるように、曲線３４０が曲線３１０，３２０，３３０と比較して最も小さな伝播係数Ｓ２１を示しており、即ち、フェライト素子により覆われる第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の領域が大きいほど、フェライト素子により磁界強度を抑制する効果が顕著となる。言い換えれば、電磁ノイズ伝播を低減するフェライト素子の能力が強力であるほど、電磁ノイズの抑制効果が上がる。
【００４９】
以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【符号の説明】
【００５０】
１００ａ〜１００ｌ 回路板構造
１１０ 誘電層
１１０ａ 上表面
１１０ｂ 下表面
１２０ 第１金属層
１２２ 第１回路領域
１２４ 第２回路領域
１２６ 第１金属頚部
１３０ 第２金属層
１３２ 第３回路領域
１３４ 第４回路領域
１３６，１３６ａ，１３６ｂ，１３６ａ’，１３６ｂ’ 第２金属頚部
１４０，１４０ａ 第１フェライト素子
１５０，１５０ａ 第２フェライト素子
１６０ 第３フェライト素子
１７０ 第４フェライト素子
２１０，２２０，２３０，２４０，３１０，３２０，３３０，３４０ 曲線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路板構造に関し、特に、フェライト素子を使用している回路板構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子産業の高周波及び低電圧への発展傾向に従い、回路システムは、電磁ノイズ干渉の不可避な問題に直面している。回路板上の回路の動作（operation）において、高速デジタル信号を伝送する素子又はハイパワーな素子、例えば、クロック信号発生器又はパワー増幅器は、電磁ノイズの主要な発生源になる。上記素子が電磁ノイズを発生する時、電磁ノイズが電磁波形で回路板上に伝播するので、回路板上の他の素子が干渉される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
今日、電磁干渉（electromagnetic interference＝EMI）問題は、適切な回路設計及びレイアウトにより解決され得る。即ち、回路板上の上記電磁干渉の影響は、レイアウト又は素子を変更した適切な設計により低減され得る。
【０００４】
従って、本発明は、電磁ノイズを抑えることができる回路板構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明が提供する回路板構造は、誘電層と、第１金属層と、第２金属層と、第１フェライト素子とを含む。誘電層は、上表面及び上表面に対向する下表面を有する。第１金属層は、誘電層の上表面上に配置され、且つ第１回路領域と、第２回路領域と、第１回路領域及び第２回路領域を接続する第１金属頚部（metallic neck）とを有する。第２金属層は、誘電層の下表面上に配置され、且つ第３回路領域と、第４回路領域と、第３回路領域及び第４回路領域を接続する少なくとも１つの第２金属頚部とを有し、誘電層の上表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影は、相互に重なり合わない。第１フェライト素子が誘電層の上表面上に配置され、誘電層の上表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影の少なくとも１つを覆う（overlay）。
【０００６】
本発明の一実施形態では、誘電層の上表面上の上記第１フェライト素子及び第２金属頚部の正投影が相互に重なり合う。
【０００７】
本発明の一実施形態では、上記回路板構造が誘電層の下表面に配置される第２フェライト素子を含む。
【０００８】
本発明の一実施形態では、上記誘電層の上表面上の上記第２フェライト素子と、第１フェライト素子と、第１金属頚部との正投影が相互に重なり合う。
【０００９】
本発明の一実施形態では、誘電層の上表面上の上記第１フェライト素子及び第２金属頚部の正投影が相互に重なり合い、誘電層の上表面上の第２フェライト素子と、第１フェライト素子と、第１金属頚部との正投影が相互に重なり合う。
【００１０】
本発明の一実施形態では、上記第２フェライト素子が第２金属頚部を覆う。
【００１１】
本発明の一実施形態では、誘電層の上表面上の上記第２フェライト素子と、第１フェライト素子と、第２金属頚部との正投影が相互に重なり合う。
【００１２】
本発明の一実施形態では、上記誘電層の材質がガラス繊維を含む。
【００１３】
本発明の一実施形態では、上記第１金属層の材質が銅を含む。
【００１４】
本発明の一実施形態では、上記第２金属層の材質が銅を含む。
【００１５】
上記に基づき、本発明の回路板構造では、誘電層の上表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影が相互に重なり合わない。従って、電磁ノイズの磁場が第１金属頚部及び第２金属頚部間の誘電層中に集中するよりもむしろ誘電層の外側に分布する。また、第１フェライト素子を使用して第１金属頚部を覆うことにより磁場を容易に抑制することができ、電磁ノイズの伝播を減少させ、電磁ノイズを抑制する効果を達成する。
【発明の効果】
【００１６】
誘電層の上表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影が相互に重なり合わないという本発明の回路板構造の設計により、２つの隣接する回路領域間で伝播する電磁ノイズにより発生する磁界が第１金属頚部及び第２金属頚部間の誘電層中に集中するよりもむしろ誘電層の外側且つ第１金属頚部及び第２金属頚部寄りに位置する領域内に分布する。また、フェライト素子を使用し、金属頚部を覆うことで磁界強度を抑制することができるので、電磁ノイズの伝播を減少させ、電磁ノイズを抑制する効果を達成する。
【００１７】
本発明の上記及び他の目的、特徴、および利点をより分かり易くするため、図面と併せた幾つかの実施形態を以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１Ａ】本発明の第１実施形態に係る回路板構造の図である。
【図１Ｂ】第１金属頚部を覆うために第１フェライト素子が使用されていない図１Ａの回路板構造の図である。
【図１Ｃ】図１Ｂの第１金属層及び第２金属層を示す図である。
【図１Ｄ】図１Ａの線Ｉ−Ｉに沿った断面図である。
【図２】本発明のもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図３】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図４】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図５】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図６】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図７】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図８】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図９】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図１０】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図１１】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図１２】本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。
【図１３】幾つかの回路板構造の伝播係数及び周波数間の関係を示すグラフである。
【図１４】幾つかの回路板構造の伝播係数及び周波数間の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１Ａは、本発明の実施形態に係る回路板構造の図であり、図１Ｂは、第１金属頚部を覆うための第１フェライト素子が使用されていない図１Ａの回路板構造の図であり、図１Ｃは、図１Ｂの第１金属層及び第２金属層を示す図であり、図１Ｄは、図１Ａの線Ｉ−Ｉに沿った断面図である。図１Ａ〜図１Ｃを参照すると、本実施形態では、回路板構造１００ａは、誘電層１１０と、第１金属層１２０と、第２金属層１３０と、第１フェライト素子１４０とを含む。
【００２０】
より詳細に言えば、誘電層１１０が上表面１１０ａ及び上表面１１０ａに対向する下表面１１０ｂを有し、誘電層１１０の材質がガラス繊維を含む。
【００２１】
第１金属層１２０が誘電層１１０の上表面１１０ａ上に配置され、且つ第１回路領域１２２と、第２回路領域１２４と、第１金属頚部１２６とを有し、第１金属頚部１２６が第１回路領域１２２と第２回路領域１２４を接続する。本実施形態では、第１金属層１２０が、例えば、電源層として提供される。第１金属層１２０の材質が銅を含む。
【００２２】
第２金属層１３０が誘電層１１０の下表面１１０ｂ上に配置され、且つ第３回路領域１３２と、第４回路領域１３４と、少なくとも１つの第２金属頚部１３６とを有する（図１Ｃでは、１つのみ模範的に表示する）。第２金属頚部１３６が第３回路領域１３２及び第４回路領域１３４を接続し、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影が相互に重なり合わない。本実施形態では、第２金属層１３０が、例えば、接地層として提供され、且つ第２金属層１３０の材質が銅を含む。
【００２３】
留意すべきことは、本実施形態では、第１金属層１２０の第１回路領域１２２が第２金属層１３０の第３回路領域１３２に対応し、第１金属層１２０の第２回路領域１２４が第２金属層１３０の第４回路領域１３４に対応する。本実施形態では、第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の幅が相互に異なる。誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影が相互に重なり合わず、且つそれぞれ誘電層１１０の相対する両側に配置される。
【００２４】
図１Ａ及び図１Ｄを参照すると、第１フェライト素子１４０が誘電層１１０の上表面１１０ａ上に配置され、且つ第１フェライト素子１４０が第１金属頚部１２６を覆う。ここでのフェライト材質は、高透磁率且つ低導電性を特徴とするので、第１フェライト素子１４０が電場に対する高いインピーダンスを有し、即ち、第１フェライト素子１４０が電磁場の強度を抑制することができる。
【００２５】
本実施形態では、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影が相互に重なり合わないので、第１回路領域１２２及び第２回路領域１２４間と、第３回路領域１３２及び第４回路領域１３４間とに伝播される電磁ノイズの磁場が第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６間の誘電層１１０に集中にするよりもむしろ誘電層１１０の外側且つ第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６寄りに分布する。
【００２６】
また、第１フェライト素子１４０を使用することにより磁場強度を抑制することができる。従って、第１フェライト素子１４０が第１金属頚部１２６を覆う時、第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６間の誘電層１１０における電磁ノイズを効率的に抑制することができる。
【００２７】
実施例の回路板構造１００ａは、更に第１誘電層（図示せず）と、第２誘電層（図示せず）と、第１素子層（図示せず）と、第２素子層（図示せず）とを含むことができる。ここでの回路板構造１００ａは第１素子層及び第２素子層間に配置され、第１誘電層は第１素子層及び第１金属層１２０間に配置され、第２誘電層は第２素子層及び第２金属層１３０間に配置され、即ち、回路板構造１００ａが多層回路板構造であることができる。留意すべきことは、上記回路構造のアーキテクチャは、一例であり、本発明を限定するものではないということである。
【００２８】
上記構造設計は、第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の数がそれぞれ１つであると規定しているが、本発明は、第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の数量、配置、幅及び形状を限定しない。複数の回路板構造１００ｂ〜１００ｌによる幾つかの異なる実施形態を以下に示す。
【００２９】
図２は、本発明のもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図１Ｄ及び図２を参照すると、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の図２の回路板構造１００ｂの第１フェライト素子１４０ａ及び第２金属頚部１３６の正投影が相互に重なり合う、即ち、第１フェライト素子１４０ａが、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影を全体的に覆うということを除いて、図２の回路板構造１００ｂが図１Ｄの回路板構造１００ａに類似する。
【００３０】
図３は、本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図１Ｄ及び図３を参照すると、図３の回路板構造１００ｃが第２フェライト素子１５０を更に含むことを除いて、図３の回路板構造１００ｃが図１Ｄの回路板構造１００ａに類似する。第２フェライト素子１５０が誘電層１１０の下表面１１０ｂに配置され、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１フェライト素子１４０と、第２フェライト素子１５０と、第１金属頚部１２６との正投影が相互に重ね合わせられ、即ち、第２フェライト素子１５０が第２金属頚部１３６を覆わない。
【００３１】
図４は、本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図３及び図４を参照すると、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の図４の回路板構造１００ｄの第１フェライト素子１４０ａ及び第２金属頚部１３６の正投影が相互に重なり合う、即ち、第１フェライト素子１４０ａが誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影を全体的に覆うということを除いて、図４の回路板構造１００ｄが図３の回路板構造１００ｃに類似する。
【００３２】
図５は、本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図４及び図５を参照すると、図５の回路板構造１００ｅの第２フェライト素子１５０が第２金属頚部１３６を覆い、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１フェライト素子１４０ａと、第２フェライト素子１５０と、第２金属頚部１３６との正投影が相互に重なり合い、即ち、第２フェライト素子１５０が誘電層１１０の下表面１１０ｂ上の第１金属頚部１２６の正投影を覆わないということを除いて、図５の回路板構造１００ｅが図４の回路板構造１００ｄに類似する。
【００３３】
図６は、本発明のもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図５及び図６を参照すると、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の図６の回路板構造１００ｆの第２フェライト素子１５０ａ及び第１フェライト素子１４０ａの正投影が相互に重なり合う、即ち、第１フェライト素子１４０ａが誘電層１１０の上表面１１０ａにおける第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影を全体的に覆い、第２フェライト素子１５０ａが誘電層１１０の下表面１１０ｂ上の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影を全体的に覆うということを除いて、図６の回路板構造１００ｆが図５の回路板構造１００eに類似する。
【００３４】
通常、回路板構造のレイアウトは、電磁ノイズの抑制及びシグナル・インテグリティ（信号完全性）の維持の両方を考慮する必要がある。より良好なシグナル・インテグリティを有するためには、信号線の基準面（通常は、接地面）をできる限り完全に維持すべきである。この意味において、図７の回路板構造１００ｇは、開口が設けられている次のような構造をとり、開口が第１金属頚部１２６の幅よりもやや広い幅を有し、下表面１１０ｂ上の第１金属頚部１２６の正投影の位置に配置される。このように、誘電層１１０の下表面１１０ｂの両側における２つの第２金属頚部１３６ａ，１３６ｂを最大限の範囲に残すことができ、一方で、第１金属頚部１２６を覆うフェライト素子１４０がノイズを更に抑制することができる。
【００３５】
図８は、本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図７及び図８を参照すると、図８の回路板構造１００ｈが第２フェライト素子１５０を更に含むことを除いて、図８の回路板構造１００ｈが図７の回路板構造１００ｇに類似する。第２フェライト素子１５０が誘電層１１０の下表面１１０ｂに配置され、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１フェライト素子１４０と、第２フェライト素子１５０と、第１金属頚部１２６との正投影が相互に重なり合い、即ち、第２フェライト素子１５０が第２金属頚部１３６ａ，１３６ｂを覆わない。
【００３６】
回路板構造のレイアウトの要求に応じて、ある時は、単一金属層が１つより多くの金属頚部を必要とする。図９は、本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図９を参照すると、図９の回路板構造１００ｉの第２金属層１３０（図１Ｃ）が２つの第２金属頚部１３６ａ’，１３６ｂ’を有することを除いて図９の回路板構造１００ｉが図１Ｄの回路板構造１００ａに類似し、第１フェライト素子１４０は第１金属頚部１２６のみを覆っている。
【００３７】
図１０は、本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図９及び図１０を参照すると、図１０の回路板構造１００ｊが第２フェライト素子１５０を更に含むことを除いて、図１０の回路板構造１００ｊが図９の回路板構造１００ｉに類似する。第２フェライト素子１５０が誘電層１１０の下表面１１０ｂに配置され、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１フェライト素子１４０と、第２フェライト素子１５０と、第１金属頚部１２６との正投影が相互に重なり合い、即ち、第２フェライト素子１５０が第２金属頚部１３６ａ’，１３６ｂ’を覆わない。
【００３８】
図１１は、本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図１０及び図１１を参照すると、図１１の回路板構造１００ｋの第２フェライト素子１５０が第２金属頚部１３６ｂ’を覆い、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１フェライト素子１４０及び第２フェライト素子１５０の正投影が相互に重なり合わないということを除いて、図１１の回路板構造１００ｋが図１０の回路板構造１００ｊに類似する。
【００３９】
図１２は、本発明の更にもう１つの実施形態に係る回路板構造の断面図である。図１１及び図１２を参照すると、図１２の回路板構造１００ｌが第３フェライト素子１６０及び第４フェライト素子１７０を更に含むことを除いて、図１２の回路板構造１００ｌが図１１の回路板構造１００ｋに類似する。第３フェライト素子１６０が誘電層１１０の上表面１１０ａ上に配置され、且つ誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第２金属頚部１３６ｂ’の正投影を覆う。第４フェライト素子１７０が誘電層１１０の下表面１１０ｂに配置され、且つ誘電層１１０の下表面１１０ｂ上の第１金属頚部１２６の正投影を覆う。誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１フェライト素子１４０及び第４フェライト素子１７０の正投影が相互に重なり合う。誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第３フェライト素子１６０及び第２フェライト素子１５０の正投影が相互に重なり合う。
【００４０】
留意すべきことは、上記実施形態の回路板構造１００ａ〜１００ｌ中の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６（又は１３６ａ，１３６ｂ，１３６ａ’,１３６ｂ’）の幅が相互に異なるが、他の提示していない実施形態において、誘電層の表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影が相互に重なり合わず、且つ誘電層の表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影の少なくとも１つが用いられるフェライト素子により覆われれば、第１金属頚部及び第２金属頚部の幅を相互に同一とするができる。上記設計、即ち、第１金属頚部及び第２金属頚部の幅が相互に同一である設計も、本発明に許容され得るものであり、本発明の範囲内にある。
＜実験結果例＞
【００４１】
従来の回路板構造及び本発明の幾つかの回路板構造に対して幾つかの実験をそれぞれ行っている。試験した回路板構造では、２つの隣接する回路領域間のノイズ隔離効果が、散在するパラメータ中の伝播係数（transmission coefficient）Ｓ２１により示される。伝播係数が低い時は、２つの隣接する回路領域間の電磁波伝送が悪く、即ち、２つの隣接する回路領域間のノイズ隔離効果が良好であることを示す。従って、本実施形態において、試験される周波数範囲が０．６ＧＨｚと１．８ＧＨｚとの間に規定され、実験の結果、伝播係数Ｓ２１が０ｄＢと−３５ｄＢとの間に分布する。
【００４２】
更に詳細に言えば、実験は、図６の回路板構造１００ｆ及び従来の回路板構造を対象に行われ、誘電層の上表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影が相互に重なり合い、使用されるフェライトが第１金属頚部と、第２金属頚部と、第１金属頚部及び第２金属頚部間に配置される誘電層とを囲う（enclose）ということを除いて、従来の回路板構造が図６の回路板構造に類似する。
【００４３】
図１３は、幾つかの状況に対応する伝播係数と周波数との関係を示している。図１３を参照すると、ここでの曲線２１０は、フェライト素子が使用されない点を除く従来の回路板構造で試験した結果を示している。ここでの曲線２２０は、従来の回路板構造（フェライト素子が使用される構造）で試験した結果を示している。ここでの曲線２３０は、フェライト素子が使用されないことを除く本発明の回路板構造１００ｆで試験した結果を示している。ここでの曲線２４０は、本発明の回路板構造１００ｆ（フェライト素子が使用される構造）で試験した結果を示している。
【００４４】
図１３中の曲線２１０，２３０から分かるように、誘電層の上表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影が相互に重なり合うか否かの２つの設計は、２つの隣接する回路領域間のノイズ隔離効果に影響を及ぼす。更に詳細に言えば、周波数が約１．２ＧＨｚである時、曲線２１０，２３０の２つの伝播係数Ｓ２１が約７ｄＢの差異を有し、即ち、フェライト素子が使用されない場合において、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１金属接続層１２６及び第２金属接続層１３６の正投影が相互に重なり合わない実施形態の上記設計が、誘電層の上表面上の第１金属頚部及び第２金属頚部の正投影が相互に重なり合う従来の設計よりも良好なノイズ隔離効果を示している。言い換えれば、フェライト素子を使用しない本発明の回路板構造１００ｆがフェライト素子を使用しない従来の回路板構造との比較においてより良好なノイズ隔離効果を有する。
【００４５】
また、実験データに示されるようにフェライト又はフェライト素子を使用することにより回路板構造の電磁ノイズの抑制を更に改善することができる。周波数が約１．２ＧＨｚである時、曲線２１０，２２０の２つの伝播係数Ｓ２１が約１ｄＢの差異を有し、曲線２３０，２４０の２つの伝播係数Ｓ２１が約９ｄＢの差異を有する。特に、曲線２２０，２４０の２つの伝播係数Ｓ２１が約１３ｄＢの差異を有し、第１フェライト素子１４０ａ及び第２フェライト素子１５０ａを使用することに関連して誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影が相互に重なり合わないという上記設計がより良好な電磁ノイズ隔離効果を示すことを示唆している。
【００４６】
要するに、上記実験結果から、誘電層１１０の上表面１１０ａ上の第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の正投影が相互に重なり合わないという本発明の回路板構造１００ｆの設計がより良好なノイズ隔離効果を示すことが結論とされる。同時に、第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６を覆う第１フェライト素子１４０ａ及び第２フェライト素子１５０ａを使用することによって、回路板構造１００ｆが磁界強度を効率的に抑制し、電磁ノイズ伝播能力を減少させ、電磁ノイズ抑制をもたらす。
【００４７】
電磁ノイズを抑制する効果は、フェライト素子により金属頚部を覆う領域にも依存する。図１４は、幾つかの回路板構造の伝播係数と周波数との関係を示している。ここでの曲線３１０は、第１フェライト素子１４０ａを使用しない回路板構造１００ａを示している。ここでの曲線３２０は、使用するフェライト素子１４０が第１金属頚部１２６を覆う回路板構造１００ａを示しており、曲線３３０は、本発明の回路板構造１００ｃを示しており、曲線３４０は、本発明の回路板構造１００ｆを示している。
【００４８】
図１４中の実験データから分かるように、曲線３４０が曲線３１０，３２０，３３０と比較して最も小さな伝播係数Ｓ２１を示しており、即ち、フェライト素子により覆われる第１金属頚部１２６及び第２金属頚部１３６の領域が大きいほど、フェライト素子により磁界強度を抑制する効果が顕著となる。言い換えれば、電磁ノイズ伝播を低減するフェライト素子の能力が強力であるほど、電磁ノイズの抑制効果が上がる。
【００４９】
以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【符号の説明】
【００５０】
１００ａ〜１００ｌ 回路板構造
１１０ 誘電層
１１０ａ 上表面
１１０ｂ 下表面
１２０ 第１金属層
１２２ 第１回路領域
１２４ 第２回路領域
１２６ 第１金属頚部
１３０ 第２金属層
１３２ 第３回路領域
１３４ 第４回路領域
１３６，１３６ａ，１３６ｂ，１３６ａ’，１３６ｂ’ 第２金属頚部
１４０，１４０ａ 第１フェライト素子
１５０，１５０ａ 第２フェライト素子
１６０ 第３フェライト素子
１７０ 第４フェライト素子
２１０，２２０，２３０，２４０，３１０，３２０，３３０，３４０ 曲線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上表面及び前記上表面に対向する下表面を有する誘電層と、
前記誘電層の前記上表面上に配置され、且つ第１回路領域と、第２回路領域と、前記第１回路領域及び前記第２回路領域を接続する第１金属頚部とを有する第１金属層と、
前記誘電層の前記下表面上に配置され、且つ第３回路領域と、第４回路領域と、前記第３回路領域及び前記第４回路領域を接続する少なくとも１つの第２金属頚部とを有し、前記誘電層の前記上表面上の前記第１金属頚部及び前記第２金属頚部の正投影が相互に重なり合わない第２金属層と、
前記誘電層の前記上表面上に配置され、前記誘電層の前記上表面上の前記第１金属頚部及び前記第２金属頚部の正投影の少なくとも１つを覆う第１フェライト素子と、
を含む回路板構造。
【請求項２】
前記誘電層の前記上表面上の前記第１フェライト素子及び前記第２金属頚部の正投影が相互に重なり合う請求項１記載の回路板構造。
【請求項３】
前記誘電層の前記下表面に配置される第２フェライト素子を更に含む請求項１記載の回路板構造。
【請求項４】
前記誘電層の前記上表面上の前記第２フェライト素子と、前記第１フェライト素子と、前記第１金属頚部との正投影が相互に重なり合う請求項３記載の回路板構造。
【請求項５】
前記誘電層の前記上表面上の前記第１フェライト素子及び前記第２金属頚部の正投影が相互に重なり合い、前記誘電層の前記上表面上の前記第２フェライト素子と、前記第１フェライト素子と、前記第１金属頚部との正投影が相互に重なり合う請求項３記載の回路板構造。
【請求項６】
前記第２フェライト素子が前記第２金属頚部を覆う請求項３記載の回路板構造。
【請求項７】
前記誘電層の前記上表面上の前記第２フェライト素子と、前記第１フェライト素子と、前記第２金属頚部との正投影が相互に重なり合う請求項６記載の回路板構造。
【請求項８】
前記誘電層の材質がガラス繊維を含む請求項１記載の回路板構造。
【請求項９】
前記第１金属層の材質が銅を含む請求項１記載の回路板構造。
【請求項１０】
前記第２金属層の材質が銅を含む請求項１記載の回路板構造。
【請求項１】
上表面及び前記上表面に対向する下表面を有する誘電層と、
前記誘電層の前記上表面上に配置され、且つ第１回路領域と、第２回路領域と、前記第１回路領域及び前記第２回路領域を接続する第１金属頚部とを有する第１金属層と、
前記誘電層の前記下表面上に配置され、且つ第３回路領域と、第４回路領域と、前記第３回路領域及び前記第４回路領域を接続する少なくとも１つの第２金属頚部とを有し、前記誘電層の前記上表面上の前記第１金属頚部及び前記第２金属頚部の正投影が相互に重なり合わない第２金属層と、
前記誘電層の前記上表面上に配置され、前記誘電層の前記上表面上の前記第１金属頚部及び前記第２金属頚部の正投影の少なくとも１つを覆う第１フェライト素子と、
を含む回路板構造。
【請求項２】
前記誘電層の前記上表面上の前記第１フェライト素子及び前記第２金属頚部の正投影が相互に重なり合う請求項１記載の回路板構造。
【請求項３】
前記誘電層の前記下表面に配置される第２フェライト素子を更に含む請求項１記載の回路板構造。
【請求項４】
前記誘電層の前記上表面上の前記第２フェライト素子と、前記第１フェライト素子と、前記第１金属頚部との正投影が相互に重なり合う請求項３記載の回路板構造。
【請求項５】
前記誘電層の前記上表面上の前記第１フェライト素子及び前記第２金属頚部の正投影が相互に重なり合い、前記誘電層の前記上表面上の前記第２フェライト素子と、前記第１フェライト素子と、前記第１金属頚部との正投影が相互に重なり合う請求項３記載の回路板構造。
【請求項６】
前記第２フェライト素子が前記第２金属頚部を覆う請求項３記載の回路板構造。
【請求項７】
前記誘電層の前記上表面上の前記第２フェライト素子と、前記第１フェライト素子と、前記第２金属頚部との正投影が相互に重なり合う請求項６記載の回路板構造。
【請求項８】
前記誘電層の材質がガラス繊維を含む請求項１記載の回路板構造。
【請求項９】
前記第１金属層の材質が銅を含む請求項１記載の回路板構造。
【請求項１０】
前記第２金属層の材質が銅を含む請求項１記載の回路板構造。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１０−１８３０５２（Ｐ２０１０−１８３０５２Ａ）
【公開日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２００９−１４６６７４（Ｐ２００９−１４６６７４）
【出願日】平成２１年６月１９日（２００９．６．１９）
【出願人】（３９６００８７８３）大同股▲ふん▼有限公司 (76)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１４６６７４（Ｐ２００９−１４６６７４）
【出願日】平成２１年６月１９日（２００９．６．１９）
【出願人】（３９６００８７８３）大同股▲ふん▼有限公司 (76)
【Ｆターム（参考）】
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