基板処理装置
【課題】複数の処理ユニットに基板を搬送する主搬送機構を備えた装置の設置面積を低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】塗布処理ユニット３１ａ〜ｃは、塗布用主搬送機構Ｔの搬送経路Ｒと直交する略水平方向の一方側に設けられている。隣接する塗布処理ユニット３１ａ〜ｃ同士はそれぞれ、平面視で搬送経路Ｒに対して斜め方向に並ぶように配置されている。このため、各塗布処理ユニット３１ａ〜ｃが搬送経路Ｒに平行に並べられている場合に比べて、塗布用主搬送機構Ｔの搬送経路Ｒを短くすることができる。また、塗布処理ユニット３１ａ〜ｃを設置するスペースを、搬送経路Ｒ方向の長さで短縮することができる。このように塗布用主搬送機構Ｔおよび塗布処理ユニット３１ａ〜ｃの設置面積を低減することができる。
【解決手段】塗布処理ユニット３１ａ〜ｃは、塗布用主搬送機構Ｔの搬送経路Ｒと直交する略水平方向の一方側に設けられている。隣接する塗布処理ユニット３１ａ〜ｃ同士はそれぞれ、平面視で搬送経路Ｒに対して斜め方向に並ぶように配置されている。このため、各塗布処理ユニット３１ａ〜ｃが搬送経路Ｒに平行に並べられている場合に比べて、塗布用主搬送機構Ｔの搬送経路Ｒを短くすることができる。また、塗布処理ユニット３１ａ〜ｃを設置するスペースを、搬送経路Ｒ方向の長さで短縮することができる。このように塗布用主搬送機構Ｔおよび塗布処理ユニット３１ａ〜ｃの設置面積を低減することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して一連の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、基板に塗膜を形成するとともに、別体の露光機で露光された基板を現像する基板処理装置がある。この装置は、処理液（例えばレジスト膜材料や反射防止膜用の処理液）を塗布する塗布処理ユニットや、基板に現像液を供給する現像処理ユニットなどの各種の処理ユニットと、これら処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構を備えている。そして、主搬送機構は基板Ｗを各種の処理ユニットに順次搬送して、一連の処理を基板に行う（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置では、主搬送機構の一方側に処理ユニットが一列に並んでいるため、各処理ユニットの並び方向の総長が長くなり、主搬送機構の基板搬送の距離が長くなるという不都合がある。また、主搬送機構および処理ユニットの設置面積が大きくなるという不都合がある。
【０００４】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、複数の処理ユニットに基板を搬送する主搬送機構を備えた装置の設置面積を低減することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、基板を搬送する主搬送機構と、主搬送機構の搬送経路と直交する略水平方向の一方側に設けられ、基板を保持する複数の処理ユニットと、を備え、隣接する処理ユニット同士はそれぞれ、平面視で前記搬送経路に対して斜め方向に並ぶように配置され、主搬送機構は、前記搬送経路に沿って基板を搬送するとともに、処理ユニットに対して基板を搬送することを特徴とする。
【０００６】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、隣接する処理ユニット同士はそれぞれ、平面視で前記搬送経路に対して斜め方向に並べられている。このため、隣接する処理ユニット同士の間隔に比べて、この間隔の、搬送経路の方向に対する距離を短くすることができる。よって、各処理ユニットが搬送経路に平行に並べられている場合に比べて、主搬送機構の搬送経路を短くすることができる。また、処理ユニットの設置スペースを、搬送経路の方向の長さで短縮することができる。これらの結果、主搬送機構および処理ユニットの設置面積を低減することができる。
【０００７】
本発明において、各処理ユニットは、前記搬送経路を含む垂直面上への正射影が互いに重複しないことが好ましい（請求項２）。主搬送機構が各処理ユニットに対して直接対向することができるので、主搬送機構が各処理ユニットに基板を搬送する動作が他の処理ユニットの基板に影響を与えることを抑制することができる。
【０００８】
本発明において、処理ユニットは千鳥状に配置されていることが好ましい（請求項３）。隣接する処理ユニット同士を平面視で搬送経路に対して斜め方向に好適に並べることができる。
【０００９】
本発明において、処理ユニットは、平面視で主搬送機構が設けられている側に凸状に湾曲した第１仮想曲線上に配置されていることが好ましい（請求項４）。主搬送機構から各処理ユニットまでの距離のばらつきは、大きくなる傾向になる。しかしながら、各処理ユニットの主搬送機構が設けられている側とは反対側からみれば、各処理ユニットまでの距離のばらつきが比較的小さくなる。このため、処理ユニットに対応して設けられる機構や器具を、各処理ユニットの主搬送機構が設けられている側とは反対側に好適に設置することができる。また、上記した機構などを複数の処理ユニットに対応して設けて、複数の処理ユニットが当該機構を共用するように構成することが容易にできる。
【００１０】
本発明において、処理ユニットの主搬送機構が設けられている側とは反対側に設けられ、基板に処理液を供給する供給部を備えていることが好ましい（請求項５）。供給部が処理ユニットの主搬送機構が設けられている側に設けられる場合に比べて、供給部と主搬送機構の可動域が重複する範囲を低減することができる。このため、両者が干渉することを好適に抑制することができる。
【００１１】
本発明において、供給部は、処理ユニットの主搬送機構が設けられている側とは反対側に配置され、処理液を吐出する複数のノズルと、ノズルの主搬送機構が設けられている側とは反対側に設けられ、一のノズルを選択的に保持して基板の上方に移動させるノズル移動機構と、を備えていることが好ましい（請求項６）。ノズルと分離して設けられ、ノズルを保持可能であるとともに保持したノズルを離間することができるノズル移動機構を備えることで、単一のノズル移動機構によって複数のノズルを選択することができる。よって、供給部を簡略な構成とすることができる。
【００１２】
本発明において、ノズル移動機構は、略水平面内で旋回可能であり、かつ、旋回半径方向に進退可能であることが好ましい（請求項７）。ノズル移動機構は水平面内の任意の位置にノズルを移動させることができる。
【００１３】
なお、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示している。
【００１４】
（１）請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、処理ユニットは、基板を現像する現像処理ユニットであることを特徴とする基板処理装置。
【００１５】
前記（１）に記載の基板処理装置によれば、基板に塗膜を好適に形成することができる。
【００１６】
（２）請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、処理ユニットは、塗膜用材料を基板に塗布する塗布処理ユニットであることを特徴とする基板処理装置。
【００１７】
前記（２）に記載の基板処理装置によれば、基板を好適に現像することができる。
【００１８】
（３）請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、処理ユニットは、単一の基板を水平姿勢で保持することを特徴とする基板処理装置。
【００１９】
（４）請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、搬送経路は水平１軸方向であることを特徴とする基板処理装置。
【００２０】
（５）請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、各処理ユニットは互いに近接して設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【００２１】
前記（５）に記載の基板処理装置によれば、より設置面積を低減することができる。
【００２２】
（６）請求項６または請求項７に記載の基板処理装置において、ノズル移動機構は、２以上の処理ユニットに対してノズルを移動させることを特徴とする基板処理装置。
【００２３】
前記（６）に記載の基板処理装置によれば、処理ユニットの数に対してノズル移動機構の数を減らすことができ、構成を簡略化できる。
【００２４】
（７）請求項６または請求項７に記載の基板処理装置において、ノズルは、平面視で主搬送機構が設けられている側に凸状に湾曲した第２仮想曲線上に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【００２５】
前記（７）に記載の基板処理装置によれば、ノズル移動機構から各ノズルまでの距離のばらつきを比較的抑えることができる。これにより、複数のノズルのそれぞれにノズル移動機構がアクセスすることができる。
【００２６】
（８）請求項４に記載の基板処理装置において、前記第１仮想曲線は、平面視で搬送経路の略中央の点と直交する仮想直線上を中心とする円弧であることを特徴とする基板処理装置。
【００２７】
前記（８）に記載の基板処理装置によれば、仮想直線に対して略線対称に処理ユニットを配置することができるので、スペースの利用効率を高めることができる。
【００２８】
（９）前記（７）に記載の基板処理装置において、前記第２仮想曲線は、平面視で搬送経路の略中央の点と直交する仮想直線上の点を中心とする円弧であることを特徴とする基板処理装置。
【００２９】
前記（９）に記載の基板処理装置によれば、仮想直線に対して略線対称にノズルを配置することができるので、スペースの利用効率を高めることができる。
【００３０】
（１０）請求項６または請求項７に記載の基板処理装置において、ノズル移動機構は、平面視で搬送経路の略中央の点と直交する仮想直線上の点を中心として旋回可能であることを特徴とする基板処理装置。
【００３１】
前記（１０）に記載の基板処理装置によれば、ノズル移動機構は仮想直線の左右にノズルを移動させることができるので、ノズルの移動可能な範囲を大きくとることができる。
【００３２】
（１１）請求項６または請求項７に記載の基板処理装置において、ノズル移動機構は、前記装置に固定的に設けられる基台と、基台に略鉛直軸周りに回転可能に取り付けられ、水平面内で作動する多関節アーム部と、多関節アーム部の遊端部に取り付けられ、一のノズルを把持する把持部と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【００３３】
前記（１１）に記載の基板処理装置によれば、略水平面内で旋回可能であり、かつ、旋回半径方向に進退可能なノズル移動機構を好適に構成することができる。
【発明の効果】
【００３４】
この発明に係る基板処理装置によれば、隣接する処理ユニット同士はそれぞれ、平面視で前記搬送経路に対して斜め方向に並べられている。このため、隣接する塗布ブロック同士の間隔に比べて、この間隔の、搬送経路の方向に対する距離を短くすることができる。よって、各処理ユニットが搬送経路に平行に並べられている場合に比べて、主搬送機構の搬送経路を短くすることができる。また、処理ユニットの設置スペースについては、搬送経路の方向の長さを短縮することができる。これらの結果、主搬送機構および処理ユニットの設置面積を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照してこの発明の実施例１を説明する。
図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図２と図３は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図４と図５は、図１におけるａ−ａ矢視、ｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。
【００３６】
実施例１は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗにレジスト膜等を形成するとともに露光された基板Ｗを現像する基板処理装置である。本装置は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と記載する）１と処理部３とインターフェイス部（以下、「ＩＦ部」と記載する）５とを備えている。ＩＤ部１、処理部３およびＩＦ部５はこの順番に略水平一方向に並べられ、互いに隣接して設置されている。さらに、本装置とは別体の外部装置である露光機ＥＸＰがＩＦ部５に隣接して設けられる。本装置はさらに、載置部間搬送機構ＴＰや各所に配置される載置部Ｐなどを備えている。
【００３７】
ＩＤ部１は基板Ｗを収容するカセットＣに対して基板Ｗを搬送するとともに処理部３との間で基板を受け渡す。
【００３８】
処理部３は、基板Ｗに塗膜を形成する塗布処理と、基板Ｗを現像する現像処理を行う。処理部３は、塗布処理を行う塗布ブロックＢ１と現像処理を行う現像ブロックＢ２に分けられる。塗布ブロックＢ１と現像ブロックＢ２は略水平方向に並べられ、互いに隣接して設置されている。
【００３９】
これら両ブロックＢ１、Ｂ２が並ぶ方向としては、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向が好ましい。さらに、塗布ブロックＢ１はＩＤ部１側に配置され、現像ブロックＢ２はＩＦ部５側に配置されることが好ましい。言い換えれば、ＩＤ部１は、塗布ブロックＢ１の現像ブロックＢ２が隣接する側とは反対側に配置される。ＩＦ部５は、現像ブロックＢ２の塗布ブロックＢ１が隣接する側とは反対側に配置される。
【００４０】
ＩＦ部５は本装置とは別体の露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを搬送する。露光機ＥＸＰは基板Ｗを露光する。以下、ＩＤ部１、処理部３、ＩＦ部５などについてそれぞれ説明する。なお、本発明の特徴的な構成は塗布ブロックＢ１に採用されている。
【００４１】
［ＩＤ部１］
ＩＤ部１はカセット載置台９とＩＤ用搬送機構ＴＩＤを備えている。カセット載置台９は複数（例えば４個）のカセットＣを１列に並べて載置可能である。各カセットＣは複数枚の基板Ｗを略水平姿勢で上下方向に並べて収容する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、各カセットＣに対して基板Ｗを搬送するとともに、塗布ブロックＢ１に対して基板Ｗを搬送する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、カセット載置台９の側方をカセットＣの並び方向に水平移動する可動台２１と、可動台２１に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸２３と、この昇降軸２３に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム２５とを備えている。
【００４２】
［塗布ブロックＢ１］
塗布ブロックＢ１は、基板Ｗに処理液を塗布する処理などを行いつつ、ＩＤ部１からＩＦ部５へ、または、ＩＦ部５からＩＤ部１へ基板Ｗを受け渡す。塗布ブロックＢ１は、上下方向に複数（４層）の階層Ｋに分けられている。階層Ｋ１から階層Ｋ３では主に基板Ｗに処理を行い、階層Ｋ４は主に基板Ｗを検査する。階層Ｋ４が塗布ブロックＢ１の最も下側に配置され、階層Ｋ４の上側には、階層Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３の順番で上方向に積層されている。
【００４３】
階層Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３には、それぞれ塗布用主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３が設けられている。以下では、塗布用主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３を特に区別しないときは、単に「塗布用主搬送機構Ｔ」と記載する。
【００４４】
各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３は、それぞれ平面視で各階層Ｋ１−Ｋ３の略中央に配置されている。そして、各塗布用主搬送機構Ｔは、各階層の略中央を通り、ＩＤ部１側とＩＦ部５側とに面する階層Ｋの両側部の間で基板Ｗを搬送する。この際、塗布用主搬送機構Ｔは、両側部において基板Ｗを階層Ｋの外部へ払い出したり、階層Ｋの外部から基板Ｗを受け取ってもよい（例えば、塗布用主搬送機構Ｔ１）。あるいは、いずれか一方の側部のみで階層Ｋの外部との間で基板Ｗの受け渡しを行い、階層Ｋの両側部間で基板Ｗを往復させてもよい（例えば、塗布用主搬送機構Ｔ２、Ｔ３）。本明細書では、これら両側部を結ぶ経路を、「塗布用主搬送機構Ｔの搬送経路Ｒ」または単に「搬送経路Ｒ」と呼ぶ。搬送経路Ｒは略直線的に延びるな水平な１軸である。各階層Ｋ１−Ｋ３の搬送経路Ｒは平面視では略同じ位置となる。なお、塗布用主搬送機構Ｔ１による基板Ｗの搬送は搬送経路Ｒのみならず、たとえば、塗布処理ユニット３１（後述）などに対する基板搬送も行う。
【００４５】
各階層Ｋ１−Ｋ３には、搬送経路Ｒを中心として搬送領域Ａ１、Ａ２、Ａ３が形成されている。具体的には、搬送領域Ａ１−Ａ３は、各階層Ｋ１−Ｋ３の略中央を通り、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向に塗布ブロックＢ１の両側部まで延びた領域である。各塗布用主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３の間には遮断する遮断板２７が設けられており、各搬送領域Ａ１、Ａ２、Ａ３の雰囲気は互いに遮断されている。
【００４６】
各塗布用主搬送機構Ｔの搬送経路Ｒと直交する略水平方向の一方側には、複数の塗布処理ユニット３１が並べて設けられている。したがって、各階層Ｋの塗布処理ユニット３１はすべて、当該階層Ｋの塗布用主搬送機構Ｔの一側方に位置する。塗布処理ユニット３１は、この発明における処理ユニットに相当する。
【００４７】
塗布処理ユニット３１は、基板Ｗに処理液（塗膜用材料）を塗布する。階層Ｋ１−Ｋ３にはそれぞれ同じ種類の塗布処理ユニット３１が設けられている。また、各階層Ｋ１−Ｋ３間では、互いに異なる種類の塗布処理ユニット３１が設けられている。
【００４８】
具体的には、階層Ｋ１には、レジスト膜の下部に形成する反射防止膜用の処理液を塗布する下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣが設けられている。階層Ｋ２には、レジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴが設けられている。階層Ｋ３には、レジスト膜の上部に形成する反射防止膜用の処理液を塗布する上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣが設けられている。
【００４９】
各階層Ｋの塗布処理ユニット３１について図１、図６、図７および図８を参照して説明する。図６は、塗布ブロックの要部の平面詳細図であり、図７は図６におけるａ−ａ矢視の垂直断面図であり、図８は図６におけるｂ−ｂ矢視の正面図である。なお、図６は搬送経路Ｒの両側に載置部Ｐを配置いるため、階層Ｋ１のレイアウトであるが、階層Ｋ２、Ｋ３の場合には搬送経路Ｒの一方側の載置部Ｐが省略される。
【００５０】
図６に示すように、各階層Ｋにはそれぞれ３台の塗布処理ユニット３１ａ、３１ｂ、３１ｃが略水平方向に並べられている。各塗布処理ユニット３１の間には隔壁又は仕切り壁等は設けられていない。したがって、各塗布処理ユニット３１の周囲の雰囲気は互いに遮断されていない（連通している）。
【００５１】
隣り合う塗布処理ユニット３１同士は、搬送経路Ｒに対して斜め方向に並ぶように配置されている。本実施例では、平面視で塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側に凸状に湾曲した第１仮想曲線Ｌ１上に、各塗布処理ユニット３１ａ―３１ｃの中心点Ｏａ、Ｏｂ、Ｏｃが位置するように配置されている。ここで、搬送経路Ｒを点Ｑ１、点Ｑ２で結ばれる経路とし、この搬送経路Ｒの略中央（略中間）の１点を点Ｑｍとすると、この第１仮想曲線Ｌ１は、平面視で搬送経路Ｒの点Ｑｍと直交する仮想直線Ｌｍ上を中心とする略円弧であることが好ましい。なお、略円弧とは、円または楕円の一部分あるいは閉じていない曲線などを含む。
【００５２】
また、各塗布処理ユニット３１は、互いに近接して配置されている。近接とは、搬送経路Ｒを含む垂直面上への各塗布処理ユニット３１の正射影が互いに重複しない範囲で、塗布処理ユニット３１の間隔が小さいほど好ましい。図８は、搬送経路Ｒを含む垂直面上への各塗布処理ユニット３１の正射影に相当する。
【００５３】
本実施例では、図６に示すように、隣接する塗布処理ユニット３１ａ−３１ｂの間は間隔ｄ１をあけては位置され、隣接する塗布処理ユニット３１ｂ−３１ｃの間は間隔ｄ２をあけて配置されている。そして、隣接する塗布処理ユニット３１同士の並び方向と搬送経路Ｒとは平面視で０度より大きい角度をなしているため、これらの間隔ｄ１、ｄ２に比べて、この間隔ｄ１、ｄ２の、搬送経路Ｒの方向に対する距離ｄ１´、ｄ２´は短くなる（図６、８参照）。このような関係は、塗布処理ユニット３１の中心点Ｏに着目すると、塗布処理ユニット３１ａ、３１ｂの中心点Ｏａ、Ｏｂ間の距離に比べて、中心点Ｏａ、Ｏｂを搬送経路Ｒに垂直におろした点Ｏａ´、Ｏｂ´間の距離が短くなると、言い換えることができる。
【００５４】
各塗布処理ユニット３１はそれぞれ、基板Ｗを水平姿勢で保持するとともに、鉛直軸芯周りに回転可能に保持する回転保持部３２と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ３３とを備えている。
【００５５】
これら塗布処理ユニット３１の側方には供給部３４が設けられている。本実施例では、塗布処理ユニット３１の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に配置されている。供給部３４は、３台の塗布処理ユニット３１で保持される各基板Ｗにそれぞれ処理液を供給する。
【００５６】
供給部３４は、処理液を吐出する複数のノズル３５と、一のノズル３５を選択的に保持して基板Ｗの上方に移動させるノズル移動機構３６を備えている。複数のノズル３５は図示省略のノズルホルダによって着脱自在に略水平方向に並べて保持されている。ノズル３５から塗出される処理液は、塗布処理ユニット３１に応じてレジスト膜材料、レジスト膜の下部に形成する反射防止膜用の処理液、または、レジスト膜の上部に形成する反射防止膜用の処理液となる。なお、同じ種類の処理液を吐出する（同じ階層Ｋに設けられる）ノズル３５間においては、全く同じ処理液を吐出させてもよいが、処理液の成分や濃度等の性状が異なるようにしてもよい。
【００５７】
各ノズル３５は、塗布処理ユニット３１の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に配置されている。さらに、ノズル移動機構３６は、ノズル３５の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に設けられている。各ノズル３５は、平面視で塗布処理ユニット３１が設けられている側に凸状に湾曲した第２仮想曲線Ｌ２上に配置されている。ここで、第２仮想曲線Ｌ２も、第１仮想曲線Ｌ１と同様に、平面視で搬送経路Ｒの点Ｑｍと直交する仮想直線Ｌｍ上を中心とする略円弧であることが好ましい。
【００５８】
ノズル移動機構３６は、さらに、ノズル３５の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に設けられている。ノズル移動機構３６は、基台３７と昇降軸３８と多関節アーム部３９と把持部４１とを備えている。多関節アーム部３９は、第１リンク部３９ａと第２リンク部３９ｂとを備えている。
【００５９】
基台３７は、ノズル３５の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に、固定的に設置されている。基台３７は、平面視で搬送経路Ｒの点Ｑｍと直交する仮想直線Ｌｍ上に位置していることが好ましい。昇降軸３８の下端部は基台３７に保持されている。昇降軸３８の上端部は基台３７に対して略鉛直方向に伸縮可能である。
【００６０】
昇降軸３８の上端部には、第１リンク部３９ａの一端部が略鉛直軸周りに回転可能に取り付けられている。第１リンク部３９ａの他端部には第２リンク部３９ｂの一端部が略鉛直軸周りに回転可能に取り付けられている。このように構成される多関節アーム部３９は、昇降軸３８（基台３７）に対して鉛直軸周りに旋回するとともに旋回半径方向に進退する。
【００６１】
第２リンク部３９ｂの他端部（遊端部）には把持部４１が取り付けられている。把持部４１は開閉可能な把持つめを備えて、一のノズル３５を保持可能、かつ、ノズル３５の保持状態を解除可能に構成されている。
【００６２】
次に、塗布用主搬送機構Ｔを具体的に説明する。なお、後述する検査用主搬送機構Ｔ４も塗布用主搬送機構Ｔと同じ構成である。図９を参照する。図９は、塗布用主搬送機構の斜視図である。
【００６３】
塗布用主搬送機構Ｔは、略上下方向に案内する２本の第１ガイドレール５１と略水平方向に案内する第２ガイドレール５２を有している。２本の第１ガイドレール５１は搬送スペースＡの両端側付近の各位置に互いに対向するように固定されている。本実施例では、各第１ガイドレール５１は搬送領域Ａの塗布処理ユニット３１が配置されている側に配置されている。第２ガイドレール５２は第１ガイドレール５１に摺動可能に取り付けられている。このとき、第２ガイドレール５２が案内する方向がＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向とほぼ一致することが好ましい。
【００６４】
第２ガイドレール５２にはベース部５３が摺動可能に設けられている。ベース部５３は搬送領域Ａの略中央まで横方向に張り出している。
【００６５】
ベース部５３には縦軸心周りに回転可能に回転台５５が設けられている。回転台５５には基板Ｗを保持する２つの保持アーム５７ａ、５７ｂがそれぞれ水平方向に移動可能に設けられている。２つの保持アーム５７ａ、５７ｂは互いに上下方向に近接した位置に配置されている。
【００６６】
塗布用主搬送機構Ｔはさらに、第２ガイドレール５２、ベース部５３、回転台５５、各保持アーム５７ａ、５７ｂをそれぞれ駆動する各種の駆動機構を備えている。これら各種の駆動機構によって、第２ガイドレール５２が第１ガイドレール５１に対して略上下方向に昇降し、ベース部５３が第２ガイドレール５２に対して略水平方向に移動し、回転台５５がベース部５３に対して回転し、各保持アーム５７ａ、５７ｂが回転台５５に対して進退移動する。これにより、塗布用主搬送機構Ｔは搬送経路Ｒで基板Ｗを搬送するとともに、当該塗布用主搬送機構Ｔに対応して設けられる各塗布処理ユニット３１および各熱処理ユニットＰＨＰ１（後述）、載置部Ｐに対して基板Ｗを搬送する。
【００６７】
続いて、塗布ブロックＢ１のその他の構成について説明する。階層Ｋ４には、検査ユニットＭＩと検査用主搬送機構Ｔ４とが設けられている。検査ユニットＭＩは、塗布処理ユニット３１（下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ）に下方に配置されている。検査ユニットＭＩは、現像処理が行われた後の基板Ｗについてレジスト膜の線幅を計測・検査する。また、検査用主搬送機構Ｔ４は、塗布用主搬送機構Ｔ３の下方であって、検査ユニットＭＩの側方に配置されている。
【００６８】
塗布ブロックＢ１の各階層Ｋ１−Ｋ４には、基板Ｗに熱処理を行う複数の熱処理ユニットＰＨＰ１が設けられている。階層Ｋ１−Ｋ３では、各塗布用主搬送機構Ｔを挟んで塗布処理ユニット３１と略水平方向に対向する位置に熱処理ユニットＰＨＰ１が配置されている。また、階層Ｋ４では、検査用主搬送機構Ｔ４を挟んで検査ユニットＭＩと略水平方向に対向する位置に熱処理ユニットＰＨＰ１が配置されている。
【００６９】
熱処理ユニットＰＨＰ１について説明する。各熱処理ユニットＰＨＰ１はそれぞれ基板Ｗを載置する２つのプレート４３と、２つのプレート４３間で基板Ｗを移動させる図示省略のローカル搬送機構を備えている。各熱処理ユニットＰＨＰ１では、基板Ｗに加熱処理と冷却処理を続けて行う。なお、熱処理ユニットＰＨＰ１はこのような構成に限られない。例えば、単に加熱処理または冷却処理のみを行う熱処理ユニットであってもよい。また、基板Ｗと被膜の密着性を向上させるためにヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気雰囲気で熱処理するアドヒージョン処理ユニットであってもよい。
【００７０】
上述した各層の塗布処理ユニット３１および検査ユニットＭＩが設置されるスペースの端部には、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには、処理液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。また、竪穴部ＰＳには、各層の塗布処理ユニット３１や検査ユニットＭＩ、または、各搬送領域Ａ１−Ａ４を清浄な雰囲気に保つための給気用および排気用の配管類も設置されている。
【００７１】
ＩＤ部１と塗布ブロックＢ１との間には、基板Ｗを載置する載置部Ｐ１と載置部Ｐ１２が設けられている。載置部Ｐ１は、塗布用主搬送機構Ｔ３と略水平方向に対向する位置に配置されている。載置部Ｐ１２は、検査用主搬送機構Ｔ４と略水平方向に対向する位置に配置されている。各載置部Ｐ１、Ｐ１２は、互いに上下方向に並ぶように配置されている。
【００７２】
各載置部Ｐ１、Ｐ１２には、基板Ｗの有無を検知するセンサ（図示省略）がそれぞれ付設されており、各センサの検出信号に基づいて、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと塗布用主搬送機構Ｔ１、または、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと検査用主搬送機構Ｔ４による基板Ｗの受け渡しが行われる。同様のセンサは後述する載置部Ｐ２−Ｐ１１にも付設されている。
【００７３】
また、塗布ブロックＢ１と現像ブロックＢ２との間には、塗布用主搬送機構Ｔ１が載置可能な載置部Ｐ２と、塗布用主搬送機構Ｔ２が搬送可能な載置部Ｐ３、Ｐ４と、塗布用主搬送機構Ｔ３が搬送可能な載置部Ｐ５、Ｐ６と、検査用主搬送機構Ｔ４が搬送可能な載置部Ｐ１１が設置されている。各載置部Ｐ２−Ｐ６、Ｐ１１は、互いに上方方向に並ぶように配置されている。
【００７４】
［現像ブロックＢ２］
現像ブロックＢ２について説明する。なお、塗布ブロックＢ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
【００７５】
現像ブロックＢ２は、基板Ｗに現像液を供給する複数の現像処理ユニットＤＥＶを有している。現像処理ユニットＤＥＶは略上下方向に並べて配置されている。また、現像処理ユニットＤＥＶは略水平方向にも複数並べて配置されている。現像処理ユニットＤＥＶが略水平方向に並ぶ方向は、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向と略一致する。一群の現像処理ユニットＤＥＶは、平面視でＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向と略平行な現像ブロックＢ２の一辺側（言い換えれば、塗布ブロックＢ１及びＩＦ部５と隣接しない現像ブロックＢ２の一側部側）に配置されている。
【００７６】
現像ブロックＢ２は、各現像処理ユニットＤＥＶに対して基板Ｗを搬送する単一の現像用主搬送機構Ｔ５を備えている。現像用主搬送機構Ｔ５は、平面視で現像ブロックＢ２の略中央に配置されている。現像用主搬送機構Ｔ５が基板を搬送する領域（以下、単に「搬送領域」と記載する）Ａ５は、平面視で現像ブロックＢ２の略中央を通り、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向に、現像ブロックＢ２の両側部まで延びた領域である。したがって、現像用主搬送機構Ｔ５の搬送経路は、平面視で塗布用主搬送機構Ｔの搬送経路Ｒの延長上にあたる。
【００７７】
この搬送領域Ａ５の一側方には、上述した各現像処理ユニットＤＥＶが位置している。現像用主搬送機構Ｔ５の搬送領域Ａ５は、図１に示すように、平面視で各塗布用主搬送機構Ｔの搬送領域Ａと連続するような範囲に形成されることが好ましい。
【００７８】
現像用主搬送機構Ｔ５の搬送領域Ａ５を側面からみると、搬送領域Ａ５は少なくとも上下方向に並ぶ全ての現像処理ユニットＤＥＶの範囲に及んでいる。また、搬送領域Ａ５は、図２に示すように、各塗布用主搬送機構Ｔおよび検査用主搬送機構Ｔ４の各搬送領域Ａ１−Ａ４とそれぞれ連続するように形成されている。
【００７９】
塗布ブロックＢ１と現像ブロックＢ２との間であって、載置部Ｐ２−Ｐ６、Ｐ１１に対向する位置に載置部間搬送機構ＴＰが設けられている。本実施例では、載置部間搬送機構ＴＰは、現像用主搬送機構Ｔ５を挟んで現像処理ユニットＤＥＶが設けられている側とは反対側に設置されている。載置部間搬送機構ＴＰは、塗布ブロックＢ１と現像ブロックＢ２との間に配置される載置部Ｐ２−Ｐ６、Ｐ１１の間で基板Ｗを搬送する。さらに、載置部間搬送機構ＴＰはＩＦ部５にも対向可能に構成されている。言い換えれば、載置部間搬送機構ＴＰの搬送領域ＡＰは、ＩＦ部５と対向する範囲まで及んでいる。そして、後述する載置部Ｐ７、Ｐ１０を介してＩＦ部５に対して基板Ｗを搬送する。
【００８０】
現像ブロックＢ２は、基板Ｗに熱処理を行う複数の熱処理ユニットＰＨＰ２を備えている。各熱処理ユニットＰＨＰ２はＩＦ部５に面する位置に配置されている。本実施例では、現像用主搬送機構Ｔ５を挟んで現像処理ユニットＤＥＶが設けられている側とは反対側であって、ＩＦ部５側の一画に上下方向に並べて配置されている。各熱処理ユニットＰＨＰ２の上側には基板Ｗを載置する載置部Ｐ７、Ｐ１０が積層されている。
【００８１】
現像用主搬送機構Ｔ５を具体的に説明する。現像用主搬送機構Ｔ５は、固定台６１と、上下方向に昇降可能に固定台６１に保持される昇降軸６２と、昇降軸６２に旋回可能に保持される回転台６３と、回転台６３に進退可能に保持される二つの保持アーム６５ａ、６５ｂとを備えている。現像用主搬送機構Ｔ５は、基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶと熱処理ユニットＰＨＰ２と載置部Ｐ２−Ｐ７、Ｐ１１と載置部Ｐ７、Ｐ１０に対して基板Ｗを搬送する。
【００８２】
載置部間搬送機構ＴＰは単一の保持アーム６６を備えている。その他の構成は、現像用主搬送機構Ｔ５と同様の構成である。載置部間搬送機構ＴＰは、基板Ｗを載置部Ｐ２−Ｐ７、Ｐ１１と載置部Ｐ７、Ｐ１０に対して基板Ｗを搬送する。
【００８３】
現像処理ユニットＤＥＶについて説明する。図１を参照する。各現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部７１と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ７３とを備えている。１段に並設される２つの現像処理ユニットＤＥＶは仕切り壁等で間仕切りされることなく設けられている。さらに、並設される各現像処理ユニットＤＥＶの側方には、２つの現像処理ユニットＤＥＶに対して、現像液を供給する単一の供給部７５が設けられている。供給部７５は鉛直軸周りに旋回可能に構成され、各現像処理ユニットＤＥＶで処理する基板Ｗに対して現像液を供給する。
【００８４】
上述した現像処理ユニットＤＥＶが設置されるスペースの端部には、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには、現像液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。また、竪穴部ＰＳには、各現像処理ユニットＤＥＶや各搬送領域Ａ５、ＡＰを清浄な雰囲気に保つための給気用および排気用の配管類も設置されている。
【００８５】
現像ブロックＢ２に設けられる熱処理ユニットＰＨＰ２について説明する。熱処理ユニットＰＨＰ２は、ＩＦ部５に面する側部に形成される基板Ｗの搬送口を有している。そして、熱処理ユニットＰＨＰ２に対しては、後述するＩＦ用搬送機構ＴＩＦが上記搬送口を通じて基板Ｗを搬送する。このような現像ブロックＢ２の熱処理ユニットＰＨＰ２では、露光機ＥＸＰで露光された基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行う。
【００８６】
［ＩＦ部５］
ＩＦ部５は基板Ｗを搬送するＩＦ用搬送機構ＴＩＦを備えている。ＩＦ用搬送機構ＴＩＦは、相互に基板Ｗを受け渡し可能な第１搬送機構ＴＩＦＡと第２搬送機構ＴＩＦＢで構成される。第１搬送機構ＴＩＦＡは、載置部Ｐ７、Ｐ１０を介して現像ブロックＢ２に対して基板Ｗを搬送するとともに、現像ブロックＢ２の熱処理ユニットＰＨＰ２に対して基板Ｗを搬送する。第２搬送機構ＴＩＦＢは、露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送する。
【００８７】
第１搬送機構ＴＩＦＡと第２搬送機構ＴＩＦＢとは、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向と略直交した横方向に並んで設けられている。第１搬送機構ＴＩＦＡは現像ブロックＢ２の熱処理ユニットＰＨＰ２が位置する側に配置されている。第２搬送機構ＴＩＦＢは現像ブロックＢ２の現像処理ユニットＤＥＶが位置する側に配置されている。また、第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢの間には基板Ｗを載置する載置部Ｐ８、Ｐ９と、基板Ｗを一時的に収容するバッファＢＦが多段に積層されている。第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢは、載置部Ｐ８、Ｐ９を介して基板Ｗを受け渡す。バッファＢＦには、専ら第１搬送機構ＴＩＦＡのみがアクセスする。
【００８８】
第１搬送機構ＴＩＦＡは、固定的に設けられる基台８３と、基台８３に対して鉛直上方に伸縮する昇降軸８５と、この昇降軸８５に対して旋回可能に取り付けられる回転台８６と、この回転台８６に対して進退して基板Ｗを保持する保持アーム８７とを備えている。第２搬送機構ＴＩＦＢも基台８３と昇降軸８５と保持アーム８７とを備えている。
【００８９】
次に本装置１０の制御系につい説明する。図１０は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。本装置１０は制御部９０を備えている。制御部９０は、図示するように、各搬送機構ＴＩＤ、Ｔ１−Ｔ５、ＴＰ、ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢ、各処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、ＢＡＲＣ、ＴＡＲＣ、ＤＥＶ、ＰＨＰ１、ＰＨＰ２を制御する。なお、熱処理ユニットＰＨＰ１については、各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３、検査用主搬送機構Ｔ４ごとに、それらに対応する熱処理ユニットＰＨＰ１を制御する。
【００９０】
制御部９０は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、予め設定されている処理レシピ（処理プログラム）など各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。
【００９１】
次に、実施例に係る基板処理装置の動作について説明する。図１１は基板Ｗに一連の処理を行う際のフローチャートであり、基板Ｗが順次搬送される処理ユニットまたは載置部などを示すものである。図１２は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。以下では、搬送機構ごとに分けて説明する。なお、以下の各動作は、制御部９０による制御に基づいて行われる。
【００９２】
［ＩＤ用搬送機構ＴＩＤ］
ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは一のカセットＣに対向する位置に移動し、カセットＣに収容される一枚の未処理の基板Ｗを保持アーム２５に保持してカセットＣから搬出する（図１０におけるステップＳ１に対応する。以下、ステップの記号のみ付記する。）。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは保持アーム２５を旋回し昇降軸２３を昇降して載置部Ｐ１に対向する位置に移動し、保持している基板Ｗを載置部Ｐ１に載置する（ステップＳ２）。続いて、載置部Ｐ１２に移動する。通常、載置部Ｐ１２には塗布ブロックＢ１から払い出された基板Ｗが載置されている。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは載置部Ｐ１２に載置される基板Ｗを受け取って（ステップＳ２０）、カセットＣに収納する（ステップＳ２１）。なお、載置部Ｐ１２に基板Ｗがない場合はステップＳ２０、ステップＳ２１は省略される。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは上述した動作を繰り返し行う。
【００９３】
このようなＩＤ用搬送機構ＴＩＤの動作により、ＩＤ部１は、カセットＣから塗布ブロックＢ１へ基板Ｗを搬送するとともに、塗布ブロックＢ１からカセットＣへ基板Ｗを搬送する。
【００９４】
［塗布用主搬送機構Ｔ１］
塗布用主搬送機構Ｔ１は載置部Ｐ１に対向する位置に移動し、保持アーム５７で載置部Ｐ１に載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ２）。続いて、塗布用主搬送機構Ｔ１は、一の下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに対向する位置に移動する。下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣには既に下部反射防止膜が形成された基板Ｗがある。塗布用主搬送機構Ｔ１は、基板Ｗを保持していない方の保持アーム５７で下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ内にある基板Ｗを搬出するとともに、載置部Ｐ１から受け取った基板Ｗを下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに搬入する（ステップＳ３）。なお、以下の説明においても、その他の各種処理ユニットに搬送機構Ｔがアクセスする際には、既に所定の処理を終えた基板Ｗが当該処理ユニットにあるものとする。
【００９５】
反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは新たに搬入された基板Ｗに対して所定の処理を開始する（ステップＳ３）。
【００９６】
具体的には、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに搬入された基板Ｗは、回転保持部３２に水平姿勢で載置される。回転保持部３２は基板Ｗを保持して回転する。多関節アーム部３９は屈伸して略水平面内で作動し、昇降軸３８は基台３７に対して昇降する。この動作によって把持部４１を所定のノズル３５がノズルホルダに保持されている位置まで移動させると、把持部４１は当該ノズル３５を保持する。把持部４１がノズル３５を保持すると、再び、昇降軸３８および多関節アーム３９が作動して、保持したノズル３５を、基板Ｗの略中心の上方まで移動させる。ノズル３５は下部反射防止膜用の処理液を基板Ｗに吐出する。基板Ｗの表面に供給さえた処理液は、基板Ｗの全面に広がる。基板Ｗの周縁部から捨てられる処理液は、カップ３３によって回収される。このようにして、基板Ｗに下部反射防止膜用の処理液が塗布され、基板Ｗに下部反射防止膜が形成される。
【００９７】
所定の処理のあと、ノズル移動機構３６はノズル３５を基板Ｗの上方から外れた位置に移動させる。そして、保持しているノズル３５をノズルホルダまで移動させると、把持部３１はノズル３５を離脱し、ノズル３５をノズルホルダに保持させる。
【００９８】
塗布用主搬送機構Ｔ１は下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣから搬出した基板Ｗを載置部Ｐ２に載置する（ステップＳ４）。
【００９９】
その後、塗布用主搬送機構Ｔ１は再び載置部Ｐ１にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。そして、各下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに基板Ｗを搬送する。これにより、各下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは、それぞれ並行して基板Ｗに処理を行う。
【０１００】
なお、上述した動作説明や図１１、図１２では、便宜上、基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ１に対して搬送する動作および熱処理ユニットＰＨＰ１で基板Ｗを処理する動作を省略している。すなわち、実際は、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣで基板Ｗに処理を行う前および／または後に、熱処理ユニットＰＨＰ１で基板Ｗに熱処理が行われる。以下の説明においても、熱処理ユニットＰＨＰ１に関連する動作を省略するものとする。
【０１０１】
［塗布用主搬送機構Ｔ２］
塗布用主搬送機構Ｔ２は載置部Ｐ３に対向する位置に移動する。載置部Ｐ３には、載置部Ｐ２に払いだされた基板Ｗが後述する載置部間搬送機構ＴＰによって搬送、載置されている。塗布用主搬送機構Ｔ２は載置部Ｐ３に載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ５）。塗布用主搬送機構Ｔ２は受け取った基板Ｗを一のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴに搬入するとともに、この処理ユニットＲＥＳＩＳＴから処理済の基板Ｗを搬出する（ステップＳ６）。
【０１０２】
レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴは新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ６）。具体的な動作は、塗布する処理液がレジスト膜材料であることを除けば、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの動作とほぼ同様である。これにより、基板Ｗに形成された下部反射防止膜の上部にレジスト膜が形成される。
【０１０３】
塗布用主搬送機構Ｔ２はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴから搬出した基板Ｗを載置部Ｐ４に載置する（ステップＳ７）。
【０１０４】
その後、塗布用主搬送機構Ｔ２は再び載置部Ｐ３にアクセスして上述した動作を繰り返し行い、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴに基板Ｗを搬送する。これにより、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴは、それぞれ並行して基板Ｗに処理を行う。
【０１０５】
［塗布用主搬送機構Ｔ３］
塗布用主搬送機構Ｔ３による基板Ｗの搬送は、上述した塗布用主搬送機構Ｔ１、２と略同様である。すなわち、載置部Ｐ５から各上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣに基板Ｗを搬送するとともに（ステップＳ８、Ｓ９）、各上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣから処理済の基板Ｗを載置部Ｐ６へ搬送する（ステップＳ９、Ｓ１０）。このような動作を、塗布用主搬送機構Ｔ３は繰り返す。
【０１０６】
上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣでは、基板Ｗに上部反射防止膜用の処理液を塗布する（ステップＳ９）。これにより、基板Ｗ上のレジスト膜の上部に上部反射防止膜が形成される。
【０１０７】
［検査用主搬送機構Ｔ４］
検査用主搬送機構Ｔ４は載置部Ｐ１１に対向する位置に移動する。載置部Ｐ１１には、現像ブロックＢ２から払い出された基板Ｗが現像用主搬送機構Ｔ５によって載置されている。検査用主搬送機構Ｔ４は載置部Ｐ１１に載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ１８）。検査用主搬送機構Ｔ４は受け取った基板Ｗを検査ユニットＭＩに搬入するとともに、この検査ユニットＭＩから処理済の基板Ｗを搬出する（Ｓ１９）。
【０１０８】
検査ユニットＭＩは、新たに搬入された基板Ｗに形成されたパターンの線幅を計測・検査する（ステップＳ１９）。検査用主搬送機構Ｔ４は検査ユニットＭＩから搬出した基板Ｗを載置部Ｐ１２に載置する（ステップＳ２０）。
【０１０９】
その後、検査用主搬送機構Ｔ４は再び載置部Ｐ１１にアクセスして上述した動作を繰り返し行い、各検査ユニットＭＩに基板Ｗを搬送する。これにより、各検査ユニットＭＩは、それぞれ並行して基板Ｗに処理を行う。
【０１１０】
なお、上述した検査用主搬送機構Ｔ４の動作説明においても、便宜上、熱処理ユニットＰＨＰ１を省略している。この検査用主搬送機構Ｔ４に対応する熱処理ユニットＰＨＰ１における熱処理は、検査ユニットＭＩにおける検査に関連して行われるほか、現像処理ユニットＤＥＶにおける現像処理に関連して行われる。
【０１１１】
［載置部間搬送機構ＴＰ］
載置部間搬送機構ＴＰは、載置部Ｐ２に対向する位置に移動する。載置部Ｐ２には、塗布用主搬送機構Ｔ１から払い出された基板Ｗが載置されている。載置部間搬送機構ＴＰは載置部Ｐ２に載置されている基板Ｗを受け取り（ステップＳ４）、受け取った基板Ｗを載置部Ｐ３に載置する（ステップＳ５）。
【０１１２】
続いて、載置部間搬送機構ＴＰは、載置部Ｐ４に載置されている基板Ｗを受け取り（ステップＳ７）、受け取った基板Ｗを載置部Ｐ５に載置する（ステップＳ８）。なお、載置部Ｐ４には、塗布用主搬送機構Ｔ２によって払い出された基板Ｗが載置される。
【０１１３】
さらに、載置部間搬送機構ＴＰは、載置部Ｐ６に載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ７）。載置部間搬送機構ＴＰは旋回してＩＦ部５に対向する位置に移動する。そして、受け取った基板Ｗを載置部Ｐ７に載置する（ステップＳ８）。
【０１１４】
その後、載置部間搬送機構ＴＰは再び載置部Ｐ２にアクセスして上述した動作を繰り返し行い、載置部Ｐ２−Ｐ３間および載置部Ｐ４−Ｐ５間で、基板Ｗを昇降移動させる。また、塗布ブロックＢ１から載置部Ｐ６に払い出された基板Ｗを、載置部Ｐ７を介してＩＦ部５へ搬送する。基板Ｗが塗布ブロックＢ１からＩＦ部５へ搬送される際、基板Ｗは現像ブロックＢ２を経由しない。
【０１１５】
［現像用主搬送機構Ｔ５］
現像用主搬送機構Ｔ５は載置部Ｐ１０に対向する位置に移動する。載置部Ｐ１０には、第１搬送機構ＴＩＦＡによって払い出された基板Ｗが載置されている。現像用主搬送機構Ｔ５は載置部Ｐ１０に載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ１６）。続いて、現像用主搬送機構Ｔ５は、一の現像処理ユニットＤＥＶに対向する位置に移動する。この現像処理ユニットＤＥＶには既に現像処理が行われた基板Ｗがある。現像用主搬送機構Ｔ５は、現像処理ユニットＤＥＶから処理済みの基板Ｗを搬出するとともに、載置部Ｐ１０から受け取った基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶに搬入する（ステップＳ１７）。
【０１１６】
現像処理ユニットＤＥＶは新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ１７）。具体的には、現像処理ユニットＤＥＶに搬入された基板Ｗは、回転保持部７１に水平姿勢で載置される。回転保持部７１は基板Ｗを回転させる。供給部７５は基板Ｗの略中心の上方まで旋回移動し、現像液を基板Ｗに供給する。これにより、現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを現像する。
【０１１７】
現像用主搬送機構Ｔ５は、現像処理ユニットＤＥＶから搬出した基板Ｗを載置部Ｐ１１に載置する（ステップＳ１８）。
【０１１８】
その後、現像用主搬送機構Ｔ５は再び載置部Ｐ１０にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。そして、各現像処理ユニットＤＥＶに基板Ｗを搬送する。これにより、現像処理ユニットＤＥＶはそれぞれ並行して基板Ｗを現像する。
【０１１９】
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜第１搬送機構ＴＩＦＡ］
第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部Ｐ７にアクセスし、載置部Ｐ７に載置される基板Ｗを受け取る（ステップＳ１１）。第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部Ｐ８に対向する位置まで移動し、受け取った基板Ｗを載置部Ｐ８に載置する（ステップＳ１２）。
【０１２０】
次に、第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部Ｐ９から基板Ｗを受け取り（ステップＳ１４）、熱処理ユニットＰＨＰ２に対向する位置に移動する。そして、第１搬送機構ＴＩＦＡは熱処理ユニットＰＨＰ２からすでに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出し、載置部Ｐ９から受け取った基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ２に搬入する。熱処理ユニットＰＨＰ２では新たに搬入された基板Ｗを熱処理する（ステップＳ１５）。これにより、基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が行われる。第１搬送機構ＴＩＦＡは熱処理ユニットＰＨＰ２から取り出した基板Ｗを載置部１０に搬送する（ステップＳ１６）。
【０１２１】
その後、第１搬送機構ＴＩＦＡは再び載置部Ｐ７にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。
【０１２２】
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜第２搬送機構ＴＩＦＢ］
第２搬送機構ＴＩＦＢは載置部Ｐ８から基板Ｗを取り出して、露光機ＥＸＰに搬送する。そして、露光機ＥＸＰから払い出される露光済みの基板Ｗを受け取ると、載置部Ｐ９に搬送する。
【０１２３】
その後、第２搬送機構ＴＩＦＢは再び載置部Ｐ７にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。
【０１２４】
このように、実施例に係る基板処理装置によれば、隣接する塗布処理ユニット３１同士はそれぞれ、平面視で前記搬送経路Ｒに対して斜め方向に並べられている。このため、隣接する塗布処理ユニット３１同士の間隔に比べて、この間隔の、搬送経路Ｒの方向に対する距離を短くすることができる。なお、「間隔」は、隣接する塗布処理ユニット３１同士の間にあくが離間している距離（図６で明示する間隔ｄ１、ｄ２に相当）としてもよいし、隣接する塗布処理ユニット３１の中心点Ｏ間の距離（図６で明示する中心点Ｏａ、Ｏｂ間の距離、中心点Ｏｂ、Ｏｃ間の距離に相当）としてもよい。
【０１２５】
よって、各塗布処理ユニット３１が搬送経路Ｒに平行に並べられている場合に比べて、水平方向に配列される塗布処理ユニット３１の、搬送経路Ｒ方向の長さ（総長）を短縮することができる。このため、塗布用主搬送機構Ｔの搬送経路Ｒの長さ（点Ｑａ−点Ｑｂの間の距離）を短くすることができる。また、塗布処理ユニット３１の設置スペースについてもコンパクトにすることができる。これらの結果、塗布用主搬送機構Ｔ１および塗布処理ユニット３１の設置面積を低減することができる。
【０１２６】
また、各塗布処理ユニット３１は、搬送経路Ｒを含む垂直面上への正射影が互いに重複していないので、塗布用主搬送機構Ｔが塗布処理ユニット３１に対して直接対向することができる。このため、塗布用主搬送機構Ｔが各塗布処理ユニット３１に基板Ｗを搬送する際、他の塗布処理ユニット３１で保持される基板Ｗの上方を通過することを避けることができる。これにより、塗布用主搬送機構Ｔの動作が、塗布処理ユニット３１や供給部３４に与える影響を抑制できる。この結果、各塗布処理ユニット３１における基板Ｗの処理品質を好適に管理することができる。さらに、塗布処理ユニット３１を互いに近接させているので、より設置面積を低減することができる。
【０１２７】
また、塗布処理ユニット３１の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に設けられ、基板Ｗに処理液を供給する供給部３４を備えているため、供給部３４が塗布用主搬送機構Ｔと干渉することを抑制することができる。
【０１２８】
また、平面視で塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側に凸状に湾曲した第１仮想曲線Ｌ１上に塗布処理ユニット３１を配置しているため、供給部３４から各塗布処理ユニット３１までの距離のばらつきを抑制することができる。このため、供給部３４が単一であっても、複数の塗布処理ユニット３１に対してそれぞれ処理液を好適に供給することができる。
【０１２９】
また、第１仮想曲線Ｌ１は、平面視で仮想直線Ｌｍ上を中心とする略円弧である。このため、仮想直線Ｌｍに対して線対称に塗布処理ユニット３１を配置することができ、スペースの利用効率を高めることができる。また、供給部３４が各塗布処理ユニット３１にそれぞれ容易にアクセスすることができ、
【０１３０】
また、ノズル３５とノズル移動機構３６とを別体で設けているため、単一のノズル移動機構３６によって複数のノズル３５を選択的に移動させることができる。これにより、各ノズル３５にそれぞれ固定的に連結されたノズル移動機構を備える場合に比べて、供給部３４の構成を簡略化することができる。
【０１３１】
また、塗布処理ユニット３１の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側にノズル３５を配置するとともに、ノズル３５の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側にノズル移動機構３６を配置することで、ノズル移動機構３６がノズル３５を保持する際、および、保持したノズル３５を離脱する際に、ノズル移動機構３６が塗布用主搬送機構Ｔと干渉する恐れがなく、ノズル移動機構３６の旋回量（角度）も小さく抑えることができる。
【０１３２】
また、ノズル３５は、平面視で塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側に凸状に湾曲した第２仮想曲線Ｌ２上に配置されている。このため、ノズル移動機構３６から各ノズル３５までの距離のばらつきを効果的に抑制できる。よって、複数のノズル３５のそれぞれにノズル移動機構３６が容易にアクセスすることができる。
【０１３３】
また、第２仮想曲線Ｌ２は、平面視で仮想直線Ｌｍ上の点を中心とする略円弧であるため、仮想直線Ｌｍに対して略線対称にノズル３５を配置することができる。よって、さらにスペースの利用効率を高めることができる。
【０１３４】
また、ノズル移動機構３６の基台３７を平面視で仮想直線Ｌｍ上に配置して、多関節アーム部３９を仮想直線Ｌｍ上の点を中心として旋回可能に構成しているので、ノズル移動機構３６は仮想直線Ｌｍの左右にノズル３５を移動させることができる。これにより、ノズル３５の移動可能な範囲を大きくとることができる。
【０１３５】
また、ノズル移動機構３６は、略水平面内で旋回可能であり、かつ、旋回半径方向に進退可能であるため、水平面内の任意の位置にノズル３５を移動させることができる。
【０１３６】
また、ノズル移動機構３６は、基台３７と昇降軸３８と多関節アーム部３９と把持部４１とを備えて構成されているので、ノズル移動機構３６は好適に略水平面内で旋回し、かつ、旋回半径方向に進退することができる。
【０１３７】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０１３８】
（１）上述した実施例では、各塗布処理ユニット３１を、平面視で塗布用主搬送機構Ｔ１が設けられている側に凸状に湾曲した第１仮想曲線Ｌ１上に配置されていたが、これに限られない。すなわち、隣接する塗布処理ユニット３１同士がそれぞれ、平面視で搬送経路Ｒに対して斜め方向に並ぶように配置されている限り、任意の配置を選択することができる。
【０１３９】
図１３を参照する。図１３は、変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。図示するように、塗布処理ユニット３１を千鳥状に配置してもよい。なお、隣接する塗布処理ユニット３１の中心点Ｏ間を結ぶ第３仮想線Ｌ３は「ジグザグ状」を呈する。このような配置によっても、搬送経路Ｒの方向の長さを短縮することができる。また、塗布処理ユニット３１の台数が多くなった場合であっても、搬送経路Ｒと直交する方向の長さが大きくなることがない。
【０１４０】
あるいは、各塗布処理ユニット３１を平面視で主搬送機構が設けられている側に凹状に湾曲した仮想曲線上に配置してもよい。
【０１４１】
（２）上述した実施例では、搬送経路Ｒを含む垂直面上への各塗布処理ユニット３１の正射影が互いに重複しないことを限度として、互いに塗布処理ユニット３１を近接させることが好ましいと説明したが、これに限られない。すなわち、塗布用主搬送機構Ｔの動作が各塗布処理ユニット３１で保持される基板Ｗ自体に影響を与えないようであれば、正射影が若干重複するように適宜に変更しても同等の効果を奏する。
【０１４２】
（３）上述した実施例では、搬送経路Ｒと直交する略水平方向の一方側に塗布処理ユニット３１を設けていたが、これに限られない。すなわち、搬送経路Ｒの両側方に塗布処理ユニット３１を配置するように変更してもよい。
【０１４３】
（４）上述した実施例では、塗布処理ユニット３１の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に供給部３４を配置していたが、これに限られない。供給部３４は任意の位置に配置することができる。すなわち、塗布処理ユニット３１の周囲、四側方の任意の位置に供給部３４を配置するように変更してもよい。
【０１４４】
（５）上述した実施例では、塗布処理ユニット３１の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に各ノズル３５を配置され、ノズル３５の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側にノズル移動機構３６を配置していたが、これに限られない。これら両者の位置関係も適宜に設計選択することができる。
【０１４５】
（６）上述した実施例では、３台の塗布処理ユニット３１で保持される各基板Ｗに単一の供給部３４が処理液を供給していたが、これに限られない。塗布処理ユニット３１ごとに供給部３４を設けて、一の供給部３４が一の塗布処理ユニット３１に対して処理液を供給するように変更してもよい。
【０１４６】
（７）上述した実施例では、ノズル移動機構３６は多関節アーム部３９を備えていたが、これに限られない。基板Ｗの上方と基板Ｗの上方から外れた位置にノズル３５を移動させることができれば、ノズル移動機構３６を構成する機構は適宜に選択変更することができる。
【０１４７】
（８）上述した実施例では、平面視で搬送経路Ｒに対して斜め方向に並ぶように塗布処理ユニット３１を配置していたが、これに限られない。例えば、水平方向に並ぶ現像処理ユニットＤＥＶを、現像用主搬送機構Ｔ５の搬送経路に対して斜め方向に並ぶように配置するように構成してもよい。
【０１４８】
（９）上述した実施例および各変形例で説明した基板処理装置の各構成を適宜に組み合わせるように変更してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。
【図３】基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。
【図４】図１におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。
【図５】図１におけるｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。
【図６】塗布ブロックの要部の平面詳細図である。
【図７】図６におけるａ−ａ矢視の垂直断面図である。
【図８】図６におけるｂ−ｂ矢視の垂直断面図である。
【図９】塗布用主搬送機構の斜視図である。
【図１０】実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。
【図１１】基板に行う一連の処理をフローチャートである。
【図１２】各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。
【図１３】変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１５０】
１ …インデクサ部（ＩＤ部）
３ …処理部
５ …インターフェイス部（ＩＦ部）
２７ …遮断板
３１ …塗布処理ユニット
３４ …供給部
３５ …ノズル
３６ …ノズル移動機構
３７ …基台
３８ …昇降軸
３９ …多関節アーム部
３９ａ …第１リンク部
３９ｂ …第２リンク部
４１ …把持部
９０ …制御部
Ｂ１ …塗布ブロック
Ｂ２ …現像ブロック
ＢＡＲＣ …下部反射防止膜用塗布処理ユニット
ＲＥＳＩＳＴ …レジスト膜用塗布処理ユニット
ＴＡＲＣ …上部反射防止膜用塗布処理ユニット
ＤＥＶ …現像処理ユニット
ＰＨＰ１、ＰＨＰ２ …熱処理ユニット
ＭＩ …検査ユニット
ＴＩＤ…ＩＤ用搬送機構
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３ …塗布用主搬送機構
Ｔ４ …検査用主搬送機構
Ｔ５ …現像用主搬送機構
ＴＰ …載置部間搬送機構
ＴＩＦ …ＩＦ用搬送機構
Ｐ …載置部
Ａ …搬送領域
Ｒ …搬送経路
Ｌ１ …第１仮想曲線
Ｌ２ …第２仮想曲線
Ｌ３ …第３仮想線
ＥＸＰ …露光機
Ｃ …カセット
Ｗ …基板
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して一連の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、基板に塗膜を形成するとともに、別体の露光機で露光された基板を現像する基板処理装置がある。この装置は、処理液（例えばレジスト膜材料や反射防止膜用の処理液）を塗布する塗布処理ユニットや、基板に現像液を供給する現像処理ユニットなどの各種の処理ユニットと、これら処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構を備えている。そして、主搬送機構は基板Ｗを各種の処理ユニットに順次搬送して、一連の処理を基板に行う（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置では、主搬送機構の一方側に処理ユニットが一列に並んでいるため、各処理ユニットの並び方向の総長が長くなり、主搬送機構の基板搬送の距離が長くなるという不都合がある。また、主搬送機構および処理ユニットの設置面積が大きくなるという不都合がある。
【０００４】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、複数の処理ユニットに基板を搬送する主搬送機構を備えた装置の設置面積を低減することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、基板を搬送する主搬送機構と、主搬送機構の搬送経路と直交する略水平方向の一方側に設けられ、基板を保持する複数の処理ユニットと、を備え、隣接する処理ユニット同士はそれぞれ、平面視で前記搬送経路に対して斜め方向に並ぶように配置され、主搬送機構は、前記搬送経路に沿って基板を搬送するとともに、処理ユニットに対して基板を搬送することを特徴とする。
【０００６】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、隣接する処理ユニット同士はそれぞれ、平面視で前記搬送経路に対して斜め方向に並べられている。このため、隣接する処理ユニット同士の間隔に比べて、この間隔の、搬送経路の方向に対する距離を短くすることができる。よって、各処理ユニットが搬送経路に平行に並べられている場合に比べて、主搬送機構の搬送経路を短くすることができる。また、処理ユニットの設置スペースを、搬送経路の方向の長さで短縮することができる。これらの結果、主搬送機構および処理ユニットの設置面積を低減することができる。
【０００７】
本発明において、各処理ユニットは、前記搬送経路を含む垂直面上への正射影が互いに重複しないことが好ましい（請求項２）。主搬送機構が各処理ユニットに対して直接対向することができるので、主搬送機構が各処理ユニットに基板を搬送する動作が他の処理ユニットの基板に影響を与えることを抑制することができる。
【０００８】
本発明において、処理ユニットは千鳥状に配置されていることが好ましい（請求項３）。隣接する処理ユニット同士を平面視で搬送経路に対して斜め方向に好適に並べることができる。
【０００９】
本発明において、処理ユニットは、平面視で主搬送機構が設けられている側に凸状に湾曲した第１仮想曲線上に配置されていることが好ましい（請求項４）。主搬送機構から各処理ユニットまでの距離のばらつきは、大きくなる傾向になる。しかしながら、各処理ユニットの主搬送機構が設けられている側とは反対側からみれば、各処理ユニットまでの距離のばらつきが比較的小さくなる。このため、処理ユニットに対応して設けられる機構や器具を、各処理ユニットの主搬送機構が設けられている側とは反対側に好適に設置することができる。また、上記した機構などを複数の処理ユニットに対応して設けて、複数の処理ユニットが当該機構を共用するように構成することが容易にできる。
【００１０】
本発明において、処理ユニットの主搬送機構が設けられている側とは反対側に設けられ、基板に処理液を供給する供給部を備えていることが好ましい（請求項５）。供給部が処理ユニットの主搬送機構が設けられている側に設けられる場合に比べて、供給部と主搬送機構の可動域が重複する範囲を低減することができる。このため、両者が干渉することを好適に抑制することができる。
【００１１】
本発明において、供給部は、処理ユニットの主搬送機構が設けられている側とは反対側に配置され、処理液を吐出する複数のノズルと、ノズルの主搬送機構が設けられている側とは反対側に設けられ、一のノズルを選択的に保持して基板の上方に移動させるノズル移動機構と、を備えていることが好ましい（請求項６）。ノズルと分離して設けられ、ノズルを保持可能であるとともに保持したノズルを離間することができるノズル移動機構を備えることで、単一のノズル移動機構によって複数のノズルを選択することができる。よって、供給部を簡略な構成とすることができる。
【００１２】
本発明において、ノズル移動機構は、略水平面内で旋回可能であり、かつ、旋回半径方向に進退可能であることが好ましい（請求項７）。ノズル移動機構は水平面内の任意の位置にノズルを移動させることができる。
【００１３】
なお、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示している。
【００１４】
（１）請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、処理ユニットは、基板を現像する現像処理ユニットであることを特徴とする基板処理装置。
【００１５】
前記（１）に記載の基板処理装置によれば、基板に塗膜を好適に形成することができる。
【００１６】
（２）請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、処理ユニットは、塗膜用材料を基板に塗布する塗布処理ユニットであることを特徴とする基板処理装置。
【００１７】
前記（２）に記載の基板処理装置によれば、基板を好適に現像することができる。
【００１８】
（３）請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、処理ユニットは、単一の基板を水平姿勢で保持することを特徴とする基板処理装置。
【００１９】
（４）請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、搬送経路は水平１軸方向であることを特徴とする基板処理装置。
【００２０】
（５）請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、各処理ユニットは互いに近接して設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【００２１】
前記（５）に記載の基板処理装置によれば、より設置面積を低減することができる。
【００２２】
（６）請求項６または請求項７に記載の基板処理装置において、ノズル移動機構は、２以上の処理ユニットに対してノズルを移動させることを特徴とする基板処理装置。
【００２３】
前記（６）に記載の基板処理装置によれば、処理ユニットの数に対してノズル移動機構の数を減らすことができ、構成を簡略化できる。
【００２４】
（７）請求項６または請求項７に記載の基板処理装置において、ノズルは、平面視で主搬送機構が設けられている側に凸状に湾曲した第２仮想曲線上に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【００２５】
前記（７）に記載の基板処理装置によれば、ノズル移動機構から各ノズルまでの距離のばらつきを比較的抑えることができる。これにより、複数のノズルのそれぞれにノズル移動機構がアクセスすることができる。
【００２６】
（８）請求項４に記載の基板処理装置において、前記第１仮想曲線は、平面視で搬送経路の略中央の点と直交する仮想直線上を中心とする円弧であることを特徴とする基板処理装置。
【００２７】
前記（８）に記載の基板処理装置によれば、仮想直線に対して略線対称に処理ユニットを配置することができるので、スペースの利用効率を高めることができる。
【００２８】
（９）前記（７）に記載の基板処理装置において、前記第２仮想曲線は、平面視で搬送経路の略中央の点と直交する仮想直線上の点を中心とする円弧であることを特徴とする基板処理装置。
【００２９】
前記（９）に記載の基板処理装置によれば、仮想直線に対して略線対称にノズルを配置することができるので、スペースの利用効率を高めることができる。
【００３０】
（１０）請求項６または請求項７に記載の基板処理装置において、ノズル移動機構は、平面視で搬送経路の略中央の点と直交する仮想直線上の点を中心として旋回可能であることを特徴とする基板処理装置。
【００３１】
前記（１０）に記載の基板処理装置によれば、ノズル移動機構は仮想直線の左右にノズルを移動させることができるので、ノズルの移動可能な範囲を大きくとることができる。
【００３２】
（１１）請求項６または請求項７に記載の基板処理装置において、ノズル移動機構は、前記装置に固定的に設けられる基台と、基台に略鉛直軸周りに回転可能に取り付けられ、水平面内で作動する多関節アーム部と、多関節アーム部の遊端部に取り付けられ、一のノズルを把持する把持部と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【００３３】
前記（１１）に記載の基板処理装置によれば、略水平面内で旋回可能であり、かつ、旋回半径方向に進退可能なノズル移動機構を好適に構成することができる。
【発明の効果】
【００３４】
この発明に係る基板処理装置によれば、隣接する処理ユニット同士はそれぞれ、平面視で前記搬送経路に対して斜め方向に並べられている。このため、隣接する塗布ブロック同士の間隔に比べて、この間隔の、搬送経路の方向に対する距離を短くすることができる。よって、各処理ユニットが搬送経路に平行に並べられている場合に比べて、主搬送機構の搬送経路を短くすることができる。また、処理ユニットの設置スペースについては、搬送経路の方向の長さを短縮することができる。これらの結果、主搬送機構および処理ユニットの設置面積を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照してこの発明の実施例１を説明する。
図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図２と図３は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図４と図５は、図１におけるａ−ａ矢視、ｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。
【００３６】
実施例１は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗにレジスト膜等を形成するとともに露光された基板Ｗを現像する基板処理装置である。本装置は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と記載する）１と処理部３とインターフェイス部（以下、「ＩＦ部」と記載する）５とを備えている。ＩＤ部１、処理部３およびＩＦ部５はこの順番に略水平一方向に並べられ、互いに隣接して設置されている。さらに、本装置とは別体の外部装置である露光機ＥＸＰがＩＦ部５に隣接して設けられる。本装置はさらに、載置部間搬送機構ＴＰや各所に配置される載置部Ｐなどを備えている。
【００３７】
ＩＤ部１は基板Ｗを収容するカセットＣに対して基板Ｗを搬送するとともに処理部３との間で基板を受け渡す。
【００３８】
処理部３は、基板Ｗに塗膜を形成する塗布処理と、基板Ｗを現像する現像処理を行う。処理部３は、塗布処理を行う塗布ブロックＢ１と現像処理を行う現像ブロックＢ２に分けられる。塗布ブロックＢ１と現像ブロックＢ２は略水平方向に並べられ、互いに隣接して設置されている。
【００３９】
これら両ブロックＢ１、Ｂ２が並ぶ方向としては、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向が好ましい。さらに、塗布ブロックＢ１はＩＤ部１側に配置され、現像ブロックＢ２はＩＦ部５側に配置されることが好ましい。言い換えれば、ＩＤ部１は、塗布ブロックＢ１の現像ブロックＢ２が隣接する側とは反対側に配置される。ＩＦ部５は、現像ブロックＢ２の塗布ブロックＢ１が隣接する側とは反対側に配置される。
【００４０】
ＩＦ部５は本装置とは別体の露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを搬送する。露光機ＥＸＰは基板Ｗを露光する。以下、ＩＤ部１、処理部３、ＩＦ部５などについてそれぞれ説明する。なお、本発明の特徴的な構成は塗布ブロックＢ１に採用されている。
【００４１】
［ＩＤ部１］
ＩＤ部１はカセット載置台９とＩＤ用搬送機構ＴＩＤを備えている。カセット載置台９は複数（例えば４個）のカセットＣを１列に並べて載置可能である。各カセットＣは複数枚の基板Ｗを略水平姿勢で上下方向に並べて収容する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、各カセットＣに対して基板Ｗを搬送するとともに、塗布ブロックＢ１に対して基板Ｗを搬送する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、カセット載置台９の側方をカセットＣの並び方向に水平移動する可動台２１と、可動台２１に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸２３と、この昇降軸２３に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム２５とを備えている。
【００４２】
［塗布ブロックＢ１］
塗布ブロックＢ１は、基板Ｗに処理液を塗布する処理などを行いつつ、ＩＤ部１からＩＦ部５へ、または、ＩＦ部５からＩＤ部１へ基板Ｗを受け渡す。塗布ブロックＢ１は、上下方向に複数（４層）の階層Ｋに分けられている。階層Ｋ１から階層Ｋ３では主に基板Ｗに処理を行い、階層Ｋ４は主に基板Ｗを検査する。階層Ｋ４が塗布ブロックＢ１の最も下側に配置され、階層Ｋ４の上側には、階層Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３の順番で上方向に積層されている。
【００４３】
階層Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３には、それぞれ塗布用主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３が設けられている。以下では、塗布用主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３を特に区別しないときは、単に「塗布用主搬送機構Ｔ」と記載する。
【００４４】
各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３は、それぞれ平面視で各階層Ｋ１−Ｋ３の略中央に配置されている。そして、各塗布用主搬送機構Ｔは、各階層の略中央を通り、ＩＤ部１側とＩＦ部５側とに面する階層Ｋの両側部の間で基板Ｗを搬送する。この際、塗布用主搬送機構Ｔは、両側部において基板Ｗを階層Ｋの外部へ払い出したり、階層Ｋの外部から基板Ｗを受け取ってもよい（例えば、塗布用主搬送機構Ｔ１）。あるいは、いずれか一方の側部のみで階層Ｋの外部との間で基板Ｗの受け渡しを行い、階層Ｋの両側部間で基板Ｗを往復させてもよい（例えば、塗布用主搬送機構Ｔ２、Ｔ３）。本明細書では、これら両側部を結ぶ経路を、「塗布用主搬送機構Ｔの搬送経路Ｒ」または単に「搬送経路Ｒ」と呼ぶ。搬送経路Ｒは略直線的に延びるな水平な１軸である。各階層Ｋ１−Ｋ３の搬送経路Ｒは平面視では略同じ位置となる。なお、塗布用主搬送機構Ｔ１による基板Ｗの搬送は搬送経路Ｒのみならず、たとえば、塗布処理ユニット３１（後述）などに対する基板搬送も行う。
【００４５】
各階層Ｋ１−Ｋ３には、搬送経路Ｒを中心として搬送領域Ａ１、Ａ２、Ａ３が形成されている。具体的には、搬送領域Ａ１−Ａ３は、各階層Ｋ１−Ｋ３の略中央を通り、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向に塗布ブロックＢ１の両側部まで延びた領域である。各塗布用主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３の間には遮断する遮断板２７が設けられており、各搬送領域Ａ１、Ａ２、Ａ３の雰囲気は互いに遮断されている。
【００４６】
各塗布用主搬送機構Ｔの搬送経路Ｒと直交する略水平方向の一方側には、複数の塗布処理ユニット３１が並べて設けられている。したがって、各階層Ｋの塗布処理ユニット３１はすべて、当該階層Ｋの塗布用主搬送機構Ｔの一側方に位置する。塗布処理ユニット３１は、この発明における処理ユニットに相当する。
【００４７】
塗布処理ユニット３１は、基板Ｗに処理液（塗膜用材料）を塗布する。階層Ｋ１−Ｋ３にはそれぞれ同じ種類の塗布処理ユニット３１が設けられている。また、各階層Ｋ１−Ｋ３間では、互いに異なる種類の塗布処理ユニット３１が設けられている。
【００４８】
具体的には、階層Ｋ１には、レジスト膜の下部に形成する反射防止膜用の処理液を塗布する下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣが設けられている。階層Ｋ２には、レジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴが設けられている。階層Ｋ３には、レジスト膜の上部に形成する反射防止膜用の処理液を塗布する上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣが設けられている。
【００４９】
各階層Ｋの塗布処理ユニット３１について図１、図６、図７および図８を参照して説明する。図６は、塗布ブロックの要部の平面詳細図であり、図７は図６におけるａ−ａ矢視の垂直断面図であり、図８は図６におけるｂ−ｂ矢視の正面図である。なお、図６は搬送経路Ｒの両側に載置部Ｐを配置いるため、階層Ｋ１のレイアウトであるが、階層Ｋ２、Ｋ３の場合には搬送経路Ｒの一方側の載置部Ｐが省略される。
【００５０】
図６に示すように、各階層Ｋにはそれぞれ３台の塗布処理ユニット３１ａ、３１ｂ、３１ｃが略水平方向に並べられている。各塗布処理ユニット３１の間には隔壁又は仕切り壁等は設けられていない。したがって、各塗布処理ユニット３１の周囲の雰囲気は互いに遮断されていない（連通している）。
【００５１】
隣り合う塗布処理ユニット３１同士は、搬送経路Ｒに対して斜め方向に並ぶように配置されている。本実施例では、平面視で塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側に凸状に湾曲した第１仮想曲線Ｌ１上に、各塗布処理ユニット３１ａ―３１ｃの中心点Ｏａ、Ｏｂ、Ｏｃが位置するように配置されている。ここで、搬送経路Ｒを点Ｑ１、点Ｑ２で結ばれる経路とし、この搬送経路Ｒの略中央（略中間）の１点を点Ｑｍとすると、この第１仮想曲線Ｌ１は、平面視で搬送経路Ｒの点Ｑｍと直交する仮想直線Ｌｍ上を中心とする略円弧であることが好ましい。なお、略円弧とは、円または楕円の一部分あるいは閉じていない曲線などを含む。
【００５２】
また、各塗布処理ユニット３１は、互いに近接して配置されている。近接とは、搬送経路Ｒを含む垂直面上への各塗布処理ユニット３１の正射影が互いに重複しない範囲で、塗布処理ユニット３１の間隔が小さいほど好ましい。図８は、搬送経路Ｒを含む垂直面上への各塗布処理ユニット３１の正射影に相当する。
【００５３】
本実施例では、図６に示すように、隣接する塗布処理ユニット３１ａ−３１ｂの間は間隔ｄ１をあけては位置され、隣接する塗布処理ユニット３１ｂ−３１ｃの間は間隔ｄ２をあけて配置されている。そして、隣接する塗布処理ユニット３１同士の並び方向と搬送経路Ｒとは平面視で０度より大きい角度をなしているため、これらの間隔ｄ１、ｄ２に比べて、この間隔ｄ１、ｄ２の、搬送経路Ｒの方向に対する距離ｄ１´、ｄ２´は短くなる（図６、８参照）。このような関係は、塗布処理ユニット３１の中心点Ｏに着目すると、塗布処理ユニット３１ａ、３１ｂの中心点Ｏａ、Ｏｂ間の距離に比べて、中心点Ｏａ、Ｏｂを搬送経路Ｒに垂直におろした点Ｏａ´、Ｏｂ´間の距離が短くなると、言い換えることができる。
【００５４】
各塗布処理ユニット３１はそれぞれ、基板Ｗを水平姿勢で保持するとともに、鉛直軸芯周りに回転可能に保持する回転保持部３２と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ３３とを備えている。
【００５５】
これら塗布処理ユニット３１の側方には供給部３４が設けられている。本実施例では、塗布処理ユニット３１の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に配置されている。供給部３４は、３台の塗布処理ユニット３１で保持される各基板Ｗにそれぞれ処理液を供給する。
【００５６】
供給部３４は、処理液を吐出する複数のノズル３５と、一のノズル３５を選択的に保持して基板Ｗの上方に移動させるノズル移動機構３６を備えている。複数のノズル３５は図示省略のノズルホルダによって着脱自在に略水平方向に並べて保持されている。ノズル３５から塗出される処理液は、塗布処理ユニット３１に応じてレジスト膜材料、レジスト膜の下部に形成する反射防止膜用の処理液、または、レジスト膜の上部に形成する反射防止膜用の処理液となる。なお、同じ種類の処理液を吐出する（同じ階層Ｋに設けられる）ノズル３５間においては、全く同じ処理液を吐出させてもよいが、処理液の成分や濃度等の性状が異なるようにしてもよい。
【００５７】
各ノズル３５は、塗布処理ユニット３１の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に配置されている。さらに、ノズル移動機構３６は、ノズル３５の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に設けられている。各ノズル３５は、平面視で塗布処理ユニット３１が設けられている側に凸状に湾曲した第２仮想曲線Ｌ２上に配置されている。ここで、第２仮想曲線Ｌ２も、第１仮想曲線Ｌ１と同様に、平面視で搬送経路Ｒの点Ｑｍと直交する仮想直線Ｌｍ上を中心とする略円弧であることが好ましい。
【００５８】
ノズル移動機構３６は、さらに、ノズル３５の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に設けられている。ノズル移動機構３６は、基台３７と昇降軸３８と多関節アーム部３９と把持部４１とを備えている。多関節アーム部３９は、第１リンク部３９ａと第２リンク部３９ｂとを備えている。
【００５９】
基台３７は、ノズル３５の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に、固定的に設置されている。基台３７は、平面視で搬送経路Ｒの点Ｑｍと直交する仮想直線Ｌｍ上に位置していることが好ましい。昇降軸３８の下端部は基台３７に保持されている。昇降軸３８の上端部は基台３７に対して略鉛直方向に伸縮可能である。
【００６０】
昇降軸３８の上端部には、第１リンク部３９ａの一端部が略鉛直軸周りに回転可能に取り付けられている。第１リンク部３９ａの他端部には第２リンク部３９ｂの一端部が略鉛直軸周りに回転可能に取り付けられている。このように構成される多関節アーム部３９は、昇降軸３８（基台３７）に対して鉛直軸周りに旋回するとともに旋回半径方向に進退する。
【００６１】
第２リンク部３９ｂの他端部（遊端部）には把持部４１が取り付けられている。把持部４１は開閉可能な把持つめを備えて、一のノズル３５を保持可能、かつ、ノズル３５の保持状態を解除可能に構成されている。
【００６２】
次に、塗布用主搬送機構Ｔを具体的に説明する。なお、後述する検査用主搬送機構Ｔ４も塗布用主搬送機構Ｔと同じ構成である。図９を参照する。図９は、塗布用主搬送機構の斜視図である。
【００６３】
塗布用主搬送機構Ｔは、略上下方向に案内する２本の第１ガイドレール５１と略水平方向に案内する第２ガイドレール５２を有している。２本の第１ガイドレール５１は搬送スペースＡの両端側付近の各位置に互いに対向するように固定されている。本実施例では、各第１ガイドレール５１は搬送領域Ａの塗布処理ユニット３１が配置されている側に配置されている。第２ガイドレール５２は第１ガイドレール５１に摺動可能に取り付けられている。このとき、第２ガイドレール５２が案内する方向がＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向とほぼ一致することが好ましい。
【００６４】
第２ガイドレール５２にはベース部５３が摺動可能に設けられている。ベース部５３は搬送領域Ａの略中央まで横方向に張り出している。
【００６５】
ベース部５３には縦軸心周りに回転可能に回転台５５が設けられている。回転台５５には基板Ｗを保持する２つの保持アーム５７ａ、５７ｂがそれぞれ水平方向に移動可能に設けられている。２つの保持アーム５７ａ、５７ｂは互いに上下方向に近接した位置に配置されている。
【００６６】
塗布用主搬送機構Ｔはさらに、第２ガイドレール５２、ベース部５３、回転台５５、各保持アーム５７ａ、５７ｂをそれぞれ駆動する各種の駆動機構を備えている。これら各種の駆動機構によって、第２ガイドレール５２が第１ガイドレール５１に対して略上下方向に昇降し、ベース部５３が第２ガイドレール５２に対して略水平方向に移動し、回転台５５がベース部５３に対して回転し、各保持アーム５７ａ、５７ｂが回転台５５に対して進退移動する。これにより、塗布用主搬送機構Ｔは搬送経路Ｒで基板Ｗを搬送するとともに、当該塗布用主搬送機構Ｔに対応して設けられる各塗布処理ユニット３１および各熱処理ユニットＰＨＰ１（後述）、載置部Ｐに対して基板Ｗを搬送する。
【００６７】
続いて、塗布ブロックＢ１のその他の構成について説明する。階層Ｋ４には、検査ユニットＭＩと検査用主搬送機構Ｔ４とが設けられている。検査ユニットＭＩは、塗布処理ユニット３１（下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ）に下方に配置されている。検査ユニットＭＩは、現像処理が行われた後の基板Ｗについてレジスト膜の線幅を計測・検査する。また、検査用主搬送機構Ｔ４は、塗布用主搬送機構Ｔ３の下方であって、検査ユニットＭＩの側方に配置されている。
【００６８】
塗布ブロックＢ１の各階層Ｋ１−Ｋ４には、基板Ｗに熱処理を行う複数の熱処理ユニットＰＨＰ１が設けられている。階層Ｋ１−Ｋ３では、各塗布用主搬送機構Ｔを挟んで塗布処理ユニット３１と略水平方向に対向する位置に熱処理ユニットＰＨＰ１が配置されている。また、階層Ｋ４では、検査用主搬送機構Ｔ４を挟んで検査ユニットＭＩと略水平方向に対向する位置に熱処理ユニットＰＨＰ１が配置されている。
【００６９】
熱処理ユニットＰＨＰ１について説明する。各熱処理ユニットＰＨＰ１はそれぞれ基板Ｗを載置する２つのプレート４３と、２つのプレート４３間で基板Ｗを移動させる図示省略のローカル搬送機構を備えている。各熱処理ユニットＰＨＰ１では、基板Ｗに加熱処理と冷却処理を続けて行う。なお、熱処理ユニットＰＨＰ１はこのような構成に限られない。例えば、単に加熱処理または冷却処理のみを行う熱処理ユニットであってもよい。また、基板Ｗと被膜の密着性を向上させるためにヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気雰囲気で熱処理するアドヒージョン処理ユニットであってもよい。
【００７０】
上述した各層の塗布処理ユニット３１および検査ユニットＭＩが設置されるスペースの端部には、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには、処理液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。また、竪穴部ＰＳには、各層の塗布処理ユニット３１や検査ユニットＭＩ、または、各搬送領域Ａ１−Ａ４を清浄な雰囲気に保つための給気用および排気用の配管類も設置されている。
【００７１】
ＩＤ部１と塗布ブロックＢ１との間には、基板Ｗを載置する載置部Ｐ１と載置部Ｐ１２が設けられている。載置部Ｐ１は、塗布用主搬送機構Ｔ３と略水平方向に対向する位置に配置されている。載置部Ｐ１２は、検査用主搬送機構Ｔ４と略水平方向に対向する位置に配置されている。各載置部Ｐ１、Ｐ１２は、互いに上下方向に並ぶように配置されている。
【００７２】
各載置部Ｐ１、Ｐ１２には、基板Ｗの有無を検知するセンサ（図示省略）がそれぞれ付設されており、各センサの検出信号に基づいて、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと塗布用主搬送機構Ｔ１、または、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと検査用主搬送機構Ｔ４による基板Ｗの受け渡しが行われる。同様のセンサは後述する載置部Ｐ２−Ｐ１１にも付設されている。
【００７３】
また、塗布ブロックＢ１と現像ブロックＢ２との間には、塗布用主搬送機構Ｔ１が載置可能な載置部Ｐ２と、塗布用主搬送機構Ｔ２が搬送可能な載置部Ｐ３、Ｐ４と、塗布用主搬送機構Ｔ３が搬送可能な載置部Ｐ５、Ｐ６と、検査用主搬送機構Ｔ４が搬送可能な載置部Ｐ１１が設置されている。各載置部Ｐ２−Ｐ６、Ｐ１１は、互いに上方方向に並ぶように配置されている。
【００７４】
［現像ブロックＢ２］
現像ブロックＢ２について説明する。なお、塗布ブロックＢ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
【００７５】
現像ブロックＢ２は、基板Ｗに現像液を供給する複数の現像処理ユニットＤＥＶを有している。現像処理ユニットＤＥＶは略上下方向に並べて配置されている。また、現像処理ユニットＤＥＶは略水平方向にも複数並べて配置されている。現像処理ユニットＤＥＶが略水平方向に並ぶ方向は、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向と略一致する。一群の現像処理ユニットＤＥＶは、平面視でＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向と略平行な現像ブロックＢ２の一辺側（言い換えれば、塗布ブロックＢ１及びＩＦ部５と隣接しない現像ブロックＢ２の一側部側）に配置されている。
【００７６】
現像ブロックＢ２は、各現像処理ユニットＤＥＶに対して基板Ｗを搬送する単一の現像用主搬送機構Ｔ５を備えている。現像用主搬送機構Ｔ５は、平面視で現像ブロックＢ２の略中央に配置されている。現像用主搬送機構Ｔ５が基板を搬送する領域（以下、単に「搬送領域」と記載する）Ａ５は、平面視で現像ブロックＢ２の略中央を通り、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向に、現像ブロックＢ２の両側部まで延びた領域である。したがって、現像用主搬送機構Ｔ５の搬送経路は、平面視で塗布用主搬送機構Ｔの搬送経路Ｒの延長上にあたる。
【００７７】
この搬送領域Ａ５の一側方には、上述した各現像処理ユニットＤＥＶが位置している。現像用主搬送機構Ｔ５の搬送領域Ａ５は、図１に示すように、平面視で各塗布用主搬送機構Ｔの搬送領域Ａと連続するような範囲に形成されることが好ましい。
【００７８】
現像用主搬送機構Ｔ５の搬送領域Ａ５を側面からみると、搬送領域Ａ５は少なくとも上下方向に並ぶ全ての現像処理ユニットＤＥＶの範囲に及んでいる。また、搬送領域Ａ５は、図２に示すように、各塗布用主搬送機構Ｔおよび検査用主搬送機構Ｔ４の各搬送領域Ａ１−Ａ４とそれぞれ連続するように形成されている。
【００７９】
塗布ブロックＢ１と現像ブロックＢ２との間であって、載置部Ｐ２−Ｐ６、Ｐ１１に対向する位置に載置部間搬送機構ＴＰが設けられている。本実施例では、載置部間搬送機構ＴＰは、現像用主搬送機構Ｔ５を挟んで現像処理ユニットＤＥＶが設けられている側とは反対側に設置されている。載置部間搬送機構ＴＰは、塗布ブロックＢ１と現像ブロックＢ２との間に配置される載置部Ｐ２−Ｐ６、Ｐ１１の間で基板Ｗを搬送する。さらに、載置部間搬送機構ＴＰはＩＦ部５にも対向可能に構成されている。言い換えれば、載置部間搬送機構ＴＰの搬送領域ＡＰは、ＩＦ部５と対向する範囲まで及んでいる。そして、後述する載置部Ｐ７、Ｐ１０を介してＩＦ部５に対して基板Ｗを搬送する。
【００８０】
現像ブロックＢ２は、基板Ｗに熱処理を行う複数の熱処理ユニットＰＨＰ２を備えている。各熱処理ユニットＰＨＰ２はＩＦ部５に面する位置に配置されている。本実施例では、現像用主搬送機構Ｔ５を挟んで現像処理ユニットＤＥＶが設けられている側とは反対側であって、ＩＦ部５側の一画に上下方向に並べて配置されている。各熱処理ユニットＰＨＰ２の上側には基板Ｗを載置する載置部Ｐ７、Ｐ１０が積層されている。
【００８１】
現像用主搬送機構Ｔ５を具体的に説明する。現像用主搬送機構Ｔ５は、固定台６１と、上下方向に昇降可能に固定台６１に保持される昇降軸６２と、昇降軸６２に旋回可能に保持される回転台６３と、回転台６３に進退可能に保持される二つの保持アーム６５ａ、６５ｂとを備えている。現像用主搬送機構Ｔ５は、基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶと熱処理ユニットＰＨＰ２と載置部Ｐ２−Ｐ７、Ｐ１１と載置部Ｐ７、Ｐ１０に対して基板Ｗを搬送する。
【００８２】
載置部間搬送機構ＴＰは単一の保持アーム６６を備えている。その他の構成は、現像用主搬送機構Ｔ５と同様の構成である。載置部間搬送機構ＴＰは、基板Ｗを載置部Ｐ２−Ｐ７、Ｐ１１と載置部Ｐ７、Ｐ１０に対して基板Ｗを搬送する。
【００８３】
現像処理ユニットＤＥＶについて説明する。図１を参照する。各現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部７１と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ７３とを備えている。１段に並設される２つの現像処理ユニットＤＥＶは仕切り壁等で間仕切りされることなく設けられている。さらに、並設される各現像処理ユニットＤＥＶの側方には、２つの現像処理ユニットＤＥＶに対して、現像液を供給する単一の供給部７５が設けられている。供給部７５は鉛直軸周りに旋回可能に構成され、各現像処理ユニットＤＥＶで処理する基板Ｗに対して現像液を供給する。
【００８４】
上述した現像処理ユニットＤＥＶが設置されるスペースの端部には、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには、現像液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。また、竪穴部ＰＳには、各現像処理ユニットＤＥＶや各搬送領域Ａ５、ＡＰを清浄な雰囲気に保つための給気用および排気用の配管類も設置されている。
【００８５】
現像ブロックＢ２に設けられる熱処理ユニットＰＨＰ２について説明する。熱処理ユニットＰＨＰ２は、ＩＦ部５に面する側部に形成される基板Ｗの搬送口を有している。そして、熱処理ユニットＰＨＰ２に対しては、後述するＩＦ用搬送機構ＴＩＦが上記搬送口を通じて基板Ｗを搬送する。このような現像ブロックＢ２の熱処理ユニットＰＨＰ２では、露光機ＥＸＰで露光された基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行う。
【００８６】
［ＩＦ部５］
ＩＦ部５は基板Ｗを搬送するＩＦ用搬送機構ＴＩＦを備えている。ＩＦ用搬送機構ＴＩＦは、相互に基板Ｗを受け渡し可能な第１搬送機構ＴＩＦＡと第２搬送機構ＴＩＦＢで構成される。第１搬送機構ＴＩＦＡは、載置部Ｐ７、Ｐ１０を介して現像ブロックＢ２に対して基板Ｗを搬送するとともに、現像ブロックＢ２の熱処理ユニットＰＨＰ２に対して基板Ｗを搬送する。第２搬送機構ＴＩＦＢは、露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送する。
【００８７】
第１搬送機構ＴＩＦＡと第２搬送機構ＴＩＦＢとは、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向と略直交した横方向に並んで設けられている。第１搬送機構ＴＩＦＡは現像ブロックＢ２の熱処理ユニットＰＨＰ２が位置する側に配置されている。第２搬送機構ＴＩＦＢは現像ブロックＢ２の現像処理ユニットＤＥＶが位置する側に配置されている。また、第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢの間には基板Ｗを載置する載置部Ｐ８、Ｐ９と、基板Ｗを一時的に収容するバッファＢＦが多段に積層されている。第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢは、載置部Ｐ８、Ｐ９を介して基板Ｗを受け渡す。バッファＢＦには、専ら第１搬送機構ＴＩＦＡのみがアクセスする。
【００８８】
第１搬送機構ＴＩＦＡは、固定的に設けられる基台８３と、基台８３に対して鉛直上方に伸縮する昇降軸８５と、この昇降軸８５に対して旋回可能に取り付けられる回転台８６と、この回転台８６に対して進退して基板Ｗを保持する保持アーム８７とを備えている。第２搬送機構ＴＩＦＢも基台８３と昇降軸８５と保持アーム８７とを備えている。
【００８９】
次に本装置１０の制御系につい説明する。図１０は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。本装置１０は制御部９０を備えている。制御部９０は、図示するように、各搬送機構ＴＩＤ、Ｔ１−Ｔ５、ＴＰ、ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢ、各処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、ＢＡＲＣ、ＴＡＲＣ、ＤＥＶ、ＰＨＰ１、ＰＨＰ２を制御する。なお、熱処理ユニットＰＨＰ１については、各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３、検査用主搬送機構Ｔ４ごとに、それらに対応する熱処理ユニットＰＨＰ１を制御する。
【００９０】
制御部９０は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、予め設定されている処理レシピ（処理プログラム）など各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。
【００９１】
次に、実施例に係る基板処理装置の動作について説明する。図１１は基板Ｗに一連の処理を行う際のフローチャートであり、基板Ｗが順次搬送される処理ユニットまたは載置部などを示すものである。図１２は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。以下では、搬送機構ごとに分けて説明する。なお、以下の各動作は、制御部９０による制御に基づいて行われる。
【００９２】
［ＩＤ用搬送機構ＴＩＤ］
ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは一のカセットＣに対向する位置に移動し、カセットＣに収容される一枚の未処理の基板Ｗを保持アーム２５に保持してカセットＣから搬出する（図１０におけるステップＳ１に対応する。以下、ステップの記号のみ付記する。）。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは保持アーム２５を旋回し昇降軸２３を昇降して載置部Ｐ１に対向する位置に移動し、保持している基板Ｗを載置部Ｐ１に載置する（ステップＳ２）。続いて、載置部Ｐ１２に移動する。通常、載置部Ｐ１２には塗布ブロックＢ１から払い出された基板Ｗが載置されている。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは載置部Ｐ１２に載置される基板Ｗを受け取って（ステップＳ２０）、カセットＣに収納する（ステップＳ２１）。なお、載置部Ｐ１２に基板Ｗがない場合はステップＳ２０、ステップＳ２１は省略される。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは上述した動作を繰り返し行う。
【００９３】
このようなＩＤ用搬送機構ＴＩＤの動作により、ＩＤ部１は、カセットＣから塗布ブロックＢ１へ基板Ｗを搬送するとともに、塗布ブロックＢ１からカセットＣへ基板Ｗを搬送する。
【００９４】
［塗布用主搬送機構Ｔ１］
塗布用主搬送機構Ｔ１は載置部Ｐ１に対向する位置に移動し、保持アーム５７で載置部Ｐ１に載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ２）。続いて、塗布用主搬送機構Ｔ１は、一の下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに対向する位置に移動する。下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣには既に下部反射防止膜が形成された基板Ｗがある。塗布用主搬送機構Ｔ１は、基板Ｗを保持していない方の保持アーム５７で下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ内にある基板Ｗを搬出するとともに、載置部Ｐ１から受け取った基板Ｗを下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに搬入する（ステップＳ３）。なお、以下の説明においても、その他の各種処理ユニットに搬送機構Ｔがアクセスする際には、既に所定の処理を終えた基板Ｗが当該処理ユニットにあるものとする。
【００９５】
反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは新たに搬入された基板Ｗに対して所定の処理を開始する（ステップＳ３）。
【００９６】
具体的には、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに搬入された基板Ｗは、回転保持部３２に水平姿勢で載置される。回転保持部３２は基板Ｗを保持して回転する。多関節アーム部３９は屈伸して略水平面内で作動し、昇降軸３８は基台３７に対して昇降する。この動作によって把持部４１を所定のノズル３５がノズルホルダに保持されている位置まで移動させると、把持部４１は当該ノズル３５を保持する。把持部４１がノズル３５を保持すると、再び、昇降軸３８および多関節アーム３９が作動して、保持したノズル３５を、基板Ｗの略中心の上方まで移動させる。ノズル３５は下部反射防止膜用の処理液を基板Ｗに吐出する。基板Ｗの表面に供給さえた処理液は、基板Ｗの全面に広がる。基板Ｗの周縁部から捨てられる処理液は、カップ３３によって回収される。このようにして、基板Ｗに下部反射防止膜用の処理液が塗布され、基板Ｗに下部反射防止膜が形成される。
【００９７】
所定の処理のあと、ノズル移動機構３６はノズル３５を基板Ｗの上方から外れた位置に移動させる。そして、保持しているノズル３５をノズルホルダまで移動させると、把持部３１はノズル３５を離脱し、ノズル３５をノズルホルダに保持させる。
【００９８】
塗布用主搬送機構Ｔ１は下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣから搬出した基板Ｗを載置部Ｐ２に載置する（ステップＳ４）。
【００９９】
その後、塗布用主搬送機構Ｔ１は再び載置部Ｐ１にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。そして、各下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに基板Ｗを搬送する。これにより、各下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは、それぞれ並行して基板Ｗに処理を行う。
【０１００】
なお、上述した動作説明や図１１、図１２では、便宜上、基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ１に対して搬送する動作および熱処理ユニットＰＨＰ１で基板Ｗを処理する動作を省略している。すなわち、実際は、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣで基板Ｗに処理を行う前および／または後に、熱処理ユニットＰＨＰ１で基板Ｗに熱処理が行われる。以下の説明においても、熱処理ユニットＰＨＰ１に関連する動作を省略するものとする。
【０１０１】
［塗布用主搬送機構Ｔ２］
塗布用主搬送機構Ｔ２は載置部Ｐ３に対向する位置に移動する。載置部Ｐ３には、載置部Ｐ２に払いだされた基板Ｗが後述する載置部間搬送機構ＴＰによって搬送、載置されている。塗布用主搬送機構Ｔ２は載置部Ｐ３に載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ５）。塗布用主搬送機構Ｔ２は受け取った基板Ｗを一のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴに搬入するとともに、この処理ユニットＲＥＳＩＳＴから処理済の基板Ｗを搬出する（ステップＳ６）。
【０１０２】
レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴは新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ６）。具体的な動作は、塗布する処理液がレジスト膜材料であることを除けば、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの動作とほぼ同様である。これにより、基板Ｗに形成された下部反射防止膜の上部にレジスト膜が形成される。
【０１０３】
塗布用主搬送機構Ｔ２はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴから搬出した基板Ｗを載置部Ｐ４に載置する（ステップＳ７）。
【０１０４】
その後、塗布用主搬送機構Ｔ２は再び載置部Ｐ３にアクセスして上述した動作を繰り返し行い、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴに基板Ｗを搬送する。これにより、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴは、それぞれ並行して基板Ｗに処理を行う。
【０１０５】
［塗布用主搬送機構Ｔ３］
塗布用主搬送機構Ｔ３による基板Ｗの搬送は、上述した塗布用主搬送機構Ｔ１、２と略同様である。すなわち、載置部Ｐ５から各上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣに基板Ｗを搬送するとともに（ステップＳ８、Ｓ９）、各上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣから処理済の基板Ｗを載置部Ｐ６へ搬送する（ステップＳ９、Ｓ１０）。このような動作を、塗布用主搬送機構Ｔ３は繰り返す。
【０１０６】
上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣでは、基板Ｗに上部反射防止膜用の処理液を塗布する（ステップＳ９）。これにより、基板Ｗ上のレジスト膜の上部に上部反射防止膜が形成される。
【０１０７】
［検査用主搬送機構Ｔ４］
検査用主搬送機構Ｔ４は載置部Ｐ１１に対向する位置に移動する。載置部Ｐ１１には、現像ブロックＢ２から払い出された基板Ｗが現像用主搬送機構Ｔ５によって載置されている。検査用主搬送機構Ｔ４は載置部Ｐ１１に載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ１８）。検査用主搬送機構Ｔ４は受け取った基板Ｗを検査ユニットＭＩに搬入するとともに、この検査ユニットＭＩから処理済の基板Ｗを搬出する（Ｓ１９）。
【０１０８】
検査ユニットＭＩは、新たに搬入された基板Ｗに形成されたパターンの線幅を計測・検査する（ステップＳ１９）。検査用主搬送機構Ｔ４は検査ユニットＭＩから搬出した基板Ｗを載置部Ｐ１２に載置する（ステップＳ２０）。
【０１０９】
その後、検査用主搬送機構Ｔ４は再び載置部Ｐ１１にアクセスして上述した動作を繰り返し行い、各検査ユニットＭＩに基板Ｗを搬送する。これにより、各検査ユニットＭＩは、それぞれ並行して基板Ｗに処理を行う。
【０１１０】
なお、上述した検査用主搬送機構Ｔ４の動作説明においても、便宜上、熱処理ユニットＰＨＰ１を省略している。この検査用主搬送機構Ｔ４に対応する熱処理ユニットＰＨＰ１における熱処理は、検査ユニットＭＩにおける検査に関連して行われるほか、現像処理ユニットＤＥＶにおける現像処理に関連して行われる。
【０１１１】
［載置部間搬送機構ＴＰ］
載置部間搬送機構ＴＰは、載置部Ｐ２に対向する位置に移動する。載置部Ｐ２には、塗布用主搬送機構Ｔ１から払い出された基板Ｗが載置されている。載置部間搬送機構ＴＰは載置部Ｐ２に載置されている基板Ｗを受け取り（ステップＳ４）、受け取った基板Ｗを載置部Ｐ３に載置する（ステップＳ５）。
【０１１２】
続いて、載置部間搬送機構ＴＰは、載置部Ｐ４に載置されている基板Ｗを受け取り（ステップＳ７）、受け取った基板Ｗを載置部Ｐ５に載置する（ステップＳ８）。なお、載置部Ｐ４には、塗布用主搬送機構Ｔ２によって払い出された基板Ｗが載置される。
【０１１３】
さらに、載置部間搬送機構ＴＰは、載置部Ｐ６に載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ７）。載置部間搬送機構ＴＰは旋回してＩＦ部５に対向する位置に移動する。そして、受け取った基板Ｗを載置部Ｐ７に載置する（ステップＳ８）。
【０１１４】
その後、載置部間搬送機構ＴＰは再び載置部Ｐ２にアクセスして上述した動作を繰り返し行い、載置部Ｐ２−Ｐ３間および載置部Ｐ４−Ｐ５間で、基板Ｗを昇降移動させる。また、塗布ブロックＢ１から載置部Ｐ６に払い出された基板Ｗを、載置部Ｐ７を介してＩＦ部５へ搬送する。基板Ｗが塗布ブロックＢ１からＩＦ部５へ搬送される際、基板Ｗは現像ブロックＢ２を経由しない。
【０１１５】
［現像用主搬送機構Ｔ５］
現像用主搬送機構Ｔ５は載置部Ｐ１０に対向する位置に移動する。載置部Ｐ１０には、第１搬送機構ＴＩＦＡによって払い出された基板Ｗが載置されている。現像用主搬送機構Ｔ５は載置部Ｐ１０に載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ１６）。続いて、現像用主搬送機構Ｔ５は、一の現像処理ユニットＤＥＶに対向する位置に移動する。この現像処理ユニットＤＥＶには既に現像処理が行われた基板Ｗがある。現像用主搬送機構Ｔ５は、現像処理ユニットＤＥＶから処理済みの基板Ｗを搬出するとともに、載置部Ｐ１０から受け取った基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶに搬入する（ステップＳ１７）。
【０１１６】
現像処理ユニットＤＥＶは新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ１７）。具体的には、現像処理ユニットＤＥＶに搬入された基板Ｗは、回転保持部７１に水平姿勢で載置される。回転保持部７１は基板Ｗを回転させる。供給部７５は基板Ｗの略中心の上方まで旋回移動し、現像液を基板Ｗに供給する。これにより、現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを現像する。
【０１１７】
現像用主搬送機構Ｔ５は、現像処理ユニットＤＥＶから搬出した基板Ｗを載置部Ｐ１１に載置する（ステップＳ１８）。
【０１１８】
その後、現像用主搬送機構Ｔ５は再び載置部Ｐ１０にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。そして、各現像処理ユニットＤＥＶに基板Ｗを搬送する。これにより、現像処理ユニットＤＥＶはそれぞれ並行して基板Ｗを現像する。
【０１１９】
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜第１搬送機構ＴＩＦＡ］
第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部Ｐ７にアクセスし、載置部Ｐ７に載置される基板Ｗを受け取る（ステップＳ１１）。第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部Ｐ８に対向する位置まで移動し、受け取った基板Ｗを載置部Ｐ８に載置する（ステップＳ１２）。
【０１２０】
次に、第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部Ｐ９から基板Ｗを受け取り（ステップＳ１４）、熱処理ユニットＰＨＰ２に対向する位置に移動する。そして、第１搬送機構ＴＩＦＡは熱処理ユニットＰＨＰ２からすでに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出し、載置部Ｐ９から受け取った基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ２に搬入する。熱処理ユニットＰＨＰ２では新たに搬入された基板Ｗを熱処理する（ステップＳ１５）。これにより、基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が行われる。第１搬送機構ＴＩＦＡは熱処理ユニットＰＨＰ２から取り出した基板Ｗを載置部１０に搬送する（ステップＳ１６）。
【０１２１】
その後、第１搬送機構ＴＩＦＡは再び載置部Ｐ７にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。
【０１２２】
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜第２搬送機構ＴＩＦＢ］
第２搬送機構ＴＩＦＢは載置部Ｐ８から基板Ｗを取り出して、露光機ＥＸＰに搬送する。そして、露光機ＥＸＰから払い出される露光済みの基板Ｗを受け取ると、載置部Ｐ９に搬送する。
【０１２３】
その後、第２搬送機構ＴＩＦＢは再び載置部Ｐ７にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。
【０１２４】
このように、実施例に係る基板処理装置によれば、隣接する塗布処理ユニット３１同士はそれぞれ、平面視で前記搬送経路Ｒに対して斜め方向に並べられている。このため、隣接する塗布処理ユニット３１同士の間隔に比べて、この間隔の、搬送経路Ｒの方向に対する距離を短くすることができる。なお、「間隔」は、隣接する塗布処理ユニット３１同士の間にあくが離間している距離（図６で明示する間隔ｄ１、ｄ２に相当）としてもよいし、隣接する塗布処理ユニット３１の中心点Ｏ間の距離（図６で明示する中心点Ｏａ、Ｏｂ間の距離、中心点Ｏｂ、Ｏｃ間の距離に相当）としてもよい。
【０１２５】
よって、各塗布処理ユニット３１が搬送経路Ｒに平行に並べられている場合に比べて、水平方向に配列される塗布処理ユニット３１の、搬送経路Ｒ方向の長さ（総長）を短縮することができる。このため、塗布用主搬送機構Ｔの搬送経路Ｒの長さ（点Ｑａ−点Ｑｂの間の距離）を短くすることができる。また、塗布処理ユニット３１の設置スペースについてもコンパクトにすることができる。これらの結果、塗布用主搬送機構Ｔ１および塗布処理ユニット３１の設置面積を低減することができる。
【０１２６】
また、各塗布処理ユニット３１は、搬送経路Ｒを含む垂直面上への正射影が互いに重複していないので、塗布用主搬送機構Ｔが塗布処理ユニット３１に対して直接対向することができる。このため、塗布用主搬送機構Ｔが各塗布処理ユニット３１に基板Ｗを搬送する際、他の塗布処理ユニット３１で保持される基板Ｗの上方を通過することを避けることができる。これにより、塗布用主搬送機構Ｔの動作が、塗布処理ユニット３１や供給部３４に与える影響を抑制できる。この結果、各塗布処理ユニット３１における基板Ｗの処理品質を好適に管理することができる。さらに、塗布処理ユニット３１を互いに近接させているので、より設置面積を低減することができる。
【０１２７】
また、塗布処理ユニット３１の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に設けられ、基板Ｗに処理液を供給する供給部３４を備えているため、供給部３４が塗布用主搬送機構Ｔと干渉することを抑制することができる。
【０１２８】
また、平面視で塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側に凸状に湾曲した第１仮想曲線Ｌ１上に塗布処理ユニット３１を配置しているため、供給部３４から各塗布処理ユニット３１までの距離のばらつきを抑制することができる。このため、供給部３４が単一であっても、複数の塗布処理ユニット３１に対してそれぞれ処理液を好適に供給することができる。
【０１２９】
また、第１仮想曲線Ｌ１は、平面視で仮想直線Ｌｍ上を中心とする略円弧である。このため、仮想直線Ｌｍに対して線対称に塗布処理ユニット３１を配置することができ、スペースの利用効率を高めることができる。また、供給部３４が各塗布処理ユニット３１にそれぞれ容易にアクセスすることができ、
【０１３０】
また、ノズル３５とノズル移動機構３６とを別体で設けているため、単一のノズル移動機構３６によって複数のノズル３５を選択的に移動させることができる。これにより、各ノズル３５にそれぞれ固定的に連結されたノズル移動機構を備える場合に比べて、供給部３４の構成を簡略化することができる。
【０１３１】
また、塗布処理ユニット３１の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側にノズル３５を配置するとともに、ノズル３５の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側にノズル移動機構３６を配置することで、ノズル移動機構３６がノズル３５を保持する際、および、保持したノズル３５を離脱する際に、ノズル移動機構３６が塗布用主搬送機構Ｔと干渉する恐れがなく、ノズル移動機構３６の旋回量（角度）も小さく抑えることができる。
【０１３２】
また、ノズル３５は、平面視で塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側に凸状に湾曲した第２仮想曲線Ｌ２上に配置されている。このため、ノズル移動機構３６から各ノズル３５までの距離のばらつきを効果的に抑制できる。よって、複数のノズル３５のそれぞれにノズル移動機構３６が容易にアクセスすることができる。
【０１３３】
また、第２仮想曲線Ｌ２は、平面視で仮想直線Ｌｍ上の点を中心とする略円弧であるため、仮想直線Ｌｍに対して略線対称にノズル３５を配置することができる。よって、さらにスペースの利用効率を高めることができる。
【０１３４】
また、ノズル移動機構３６の基台３７を平面視で仮想直線Ｌｍ上に配置して、多関節アーム部３９を仮想直線Ｌｍ上の点を中心として旋回可能に構成しているので、ノズル移動機構３６は仮想直線Ｌｍの左右にノズル３５を移動させることができる。これにより、ノズル３５の移動可能な範囲を大きくとることができる。
【０１３５】
また、ノズル移動機構３６は、略水平面内で旋回可能であり、かつ、旋回半径方向に進退可能であるため、水平面内の任意の位置にノズル３５を移動させることができる。
【０１３６】
また、ノズル移動機構３６は、基台３７と昇降軸３８と多関節アーム部３９と把持部４１とを備えて構成されているので、ノズル移動機構３６は好適に略水平面内で旋回し、かつ、旋回半径方向に進退することができる。
【０１３７】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０１３８】
（１）上述した実施例では、各塗布処理ユニット３１を、平面視で塗布用主搬送機構Ｔ１が設けられている側に凸状に湾曲した第１仮想曲線Ｌ１上に配置されていたが、これに限られない。すなわち、隣接する塗布処理ユニット３１同士がそれぞれ、平面視で搬送経路Ｒに対して斜め方向に並ぶように配置されている限り、任意の配置を選択することができる。
【０１３９】
図１３を参照する。図１３は、変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。図示するように、塗布処理ユニット３１を千鳥状に配置してもよい。なお、隣接する塗布処理ユニット３１の中心点Ｏ間を結ぶ第３仮想線Ｌ３は「ジグザグ状」を呈する。このような配置によっても、搬送経路Ｒの方向の長さを短縮することができる。また、塗布処理ユニット３１の台数が多くなった場合であっても、搬送経路Ｒと直交する方向の長さが大きくなることがない。
【０１４０】
あるいは、各塗布処理ユニット３１を平面視で主搬送機構が設けられている側に凹状に湾曲した仮想曲線上に配置してもよい。
【０１４１】
（２）上述した実施例では、搬送経路Ｒを含む垂直面上への各塗布処理ユニット３１の正射影が互いに重複しないことを限度として、互いに塗布処理ユニット３１を近接させることが好ましいと説明したが、これに限られない。すなわち、塗布用主搬送機構Ｔの動作が各塗布処理ユニット３１で保持される基板Ｗ自体に影響を与えないようであれば、正射影が若干重複するように適宜に変更しても同等の効果を奏する。
【０１４２】
（３）上述した実施例では、搬送経路Ｒと直交する略水平方向の一方側に塗布処理ユニット３１を設けていたが、これに限られない。すなわち、搬送経路Ｒの両側方に塗布処理ユニット３１を配置するように変更してもよい。
【０１４３】
（４）上述した実施例では、塗布処理ユニット３１の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に供給部３４を配置していたが、これに限られない。供給部３４は任意の位置に配置することができる。すなわち、塗布処理ユニット３１の周囲、四側方の任意の位置に供給部３４を配置するように変更してもよい。
【０１４４】
（５）上述した実施例では、塗布処理ユニット３１の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に各ノズル３５を配置され、ノズル３５の塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側にノズル移動機構３６を配置していたが、これに限られない。これら両者の位置関係も適宜に設計選択することができる。
【０１４５】
（６）上述した実施例では、３台の塗布処理ユニット３１で保持される各基板Ｗに単一の供給部３４が処理液を供給していたが、これに限られない。塗布処理ユニット３１ごとに供給部３４を設けて、一の供給部３４が一の塗布処理ユニット３１に対して処理液を供給するように変更してもよい。
【０１４６】
（７）上述した実施例では、ノズル移動機構３６は多関節アーム部３９を備えていたが、これに限られない。基板Ｗの上方と基板Ｗの上方から外れた位置にノズル３５を移動させることができれば、ノズル移動機構３６を構成する機構は適宜に選択変更することができる。
【０１４７】
（８）上述した実施例では、平面視で搬送経路Ｒに対して斜め方向に並ぶように塗布処理ユニット３１を配置していたが、これに限られない。例えば、水平方向に並ぶ現像処理ユニットＤＥＶを、現像用主搬送機構Ｔ５の搬送経路に対して斜め方向に並ぶように配置するように構成してもよい。
【０１４８】
（９）上述した実施例および各変形例で説明した基板処理装置の各構成を適宜に組み合わせるように変更してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。
【図３】基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。
【図４】図１におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。
【図５】図１におけるｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。
【図６】塗布ブロックの要部の平面詳細図である。
【図７】図６におけるａ−ａ矢視の垂直断面図である。
【図８】図６におけるｂ−ｂ矢視の垂直断面図である。
【図９】塗布用主搬送機構の斜視図である。
【図１０】実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。
【図１１】基板に行う一連の処理をフローチャートである。
【図１２】各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。
【図１３】変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１５０】
１ …インデクサ部（ＩＤ部）
３ …処理部
５ …インターフェイス部（ＩＦ部）
２７ …遮断板
３１ …塗布処理ユニット
３４ …供給部
３５ …ノズル
３６ …ノズル移動機構
３７ …基台
３８ …昇降軸
３９ …多関節アーム部
３９ａ …第１リンク部
３９ｂ …第２リンク部
４１ …把持部
９０ …制御部
Ｂ１ …塗布ブロック
Ｂ２ …現像ブロック
ＢＡＲＣ …下部反射防止膜用塗布処理ユニット
ＲＥＳＩＳＴ …レジスト膜用塗布処理ユニット
ＴＡＲＣ …上部反射防止膜用塗布処理ユニット
ＤＥＶ …現像処理ユニット
ＰＨＰ１、ＰＨＰ２ …熱処理ユニット
ＭＩ …検査ユニット
ＴＩＤ…ＩＤ用搬送機構
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３ …塗布用主搬送機構
Ｔ４ …検査用主搬送機構
Ｔ５ …現像用主搬送機構
ＴＰ …載置部間搬送機構
ＴＩＦ …ＩＦ用搬送機構
Ｐ …載置部
Ａ …搬送領域
Ｒ …搬送経路
Ｌ１ …第１仮想曲線
Ｌ２ …第２仮想曲線
Ｌ３ …第３仮想線
ＥＸＰ …露光機
Ｃ …カセット
Ｗ …基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を行う基板処理装置において、
基板を搬送する主搬送機構と、
主搬送機構の搬送経路と直交する略水平方向の一方側に設けられ、基板を保持する複数の処理ユニットと、
を備え、
隣接する処理ユニット同士はそれぞれ、平面視で前記搬送経路に対して斜め方向に並ぶように配置され、
主搬送機構は、前記搬送経路に沿って基板を搬送するとともに、処理ユニットに対して基板を搬送することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
各処理ユニットは、前記搬送経路を含む垂直面上への正射影が互いに重複しないことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
処理ユニットは千鳥状に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
処理ユニットは、平面視で主搬送機構が設けられている側に凸状に湾曲した第１仮想曲線上に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
処理ユニットの主搬送機構が設けられている側とは反対側に設けられ、基板に処理液を供給する供給部を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置において、
供給部は、
処理ユニットの主搬送機構が設けられている側とは反対側に配置され、処理液を吐出する複数のノズルと、
ノズルの主搬送機構が設けられている側とは反対側に設けられ、一のノズルを選択的に保持して基板の上方に移動させるノズル移動機構と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置において、
ノズル移動機構は、略水平面内で旋回可能であり、かつ、旋回半径方向に進退可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
基板に処理を行う基板処理装置において、
基板を搬送する主搬送機構と、
主搬送機構の搬送経路と直交する略水平方向の一方側に設けられ、基板を保持する複数の処理ユニットと、
を備え、
隣接する処理ユニット同士はそれぞれ、平面視で前記搬送経路に対して斜め方向に並ぶように配置され、
主搬送機構は、前記搬送経路に沿って基板を搬送するとともに、処理ユニットに対して基板を搬送することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
各処理ユニットは、前記搬送経路を含む垂直面上への正射影が互いに重複しないことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
処理ユニットは千鳥状に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
処理ユニットは、平面視で主搬送機構が設けられている側に凸状に湾曲した第１仮想曲線上に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
処理ユニットの主搬送機構が設けられている側とは反対側に設けられ、基板に処理液を供給する供給部を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置において、
供給部は、
処理ユニットの主搬送機構が設けられている側とは反対側に配置され、処理液を吐出する複数のノズルと、
ノズルの主搬送機構が設けられている側とは反対側に設けられ、一のノズルを選択的に保持して基板の上方に移動させるノズル移動機構と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置において、
ノズル移動機構は、略水平面内で旋回可能であり、かつ、旋回半径方向に進退可能であることを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００９−２３１６２５（Ｐ２００９−２３１６２５Ａ）
【公開日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−７６６０９（Ｐ２００８−７６６０９）
【出願日】平成２０年３月２４日（２００８．３．２４）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月２４日（２００８．３．２４）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
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