基板処理装置
【課題】簡単な加工で高い寸法精度が得られ、液処理後の液残りを少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができ、かつウエハを安定した状態で保持することができ、スループットの向上を図れるようにする。
【解決手段】半導体ウエハＷを複数の保持体で垂直に保持した状態で搬送する搬送手段であるウエハボートを具備する基板処理装置において、ウエハボート５は、ウエハの下端部を支持する下側保持体２０と、ウエハの下部側端部を保持する左右一対の上側保持体３０とを具備し、少なくとも一つの保持体は、該保持体の長手方向に対して所定角度に傾斜する略Ｖ字状の保持溝２１，３１を形成してなる。保持溝を構成する第１の傾斜面４１でウエハの一方の面を保持すると共に、保持溝を構成する第２の傾斜面でウエハの他方の面を保持する。
【解決手段】半導体ウエハＷを複数の保持体で垂直に保持した状態で搬送する搬送手段であるウエハボートを具備する基板処理装置において、ウエハボート５は、ウエハの下端部を支持する下側保持体２０と、ウエハの下部側端部を保持する左右一対の上側保持体３０とを具備し、少なくとも一つの保持体は、該保持体の長手方向に対して所定角度に傾斜する略Ｖ字状の保持溝２１，３１を形成してなる。保持溝を構成する第１の傾斜面４１でウエハの一方の面を保持すると共に、保持溝を構成する第２の傾斜面でウエハの他方の面を保持する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば半導体ウエハやＦＰＤ等の被処理基板を複数の保持体で垂直に保持した状態で搬送する搬送手段を具備する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板としての半導体ウエハやＦＰＤ等（以下にウエハ等という）にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを現像処理し、その後、ウエハ等からフォトレジストを除去する一連の処理が施されている。
【０００３】
また、上記処理の過程において、ウエハ等を複数の保持体で垂直に保持する搬送手段によって、ウエハ等を垂直状態のまま処理液例えば薬液を貯留する処理槽内に浸漬した後、ウエハ等の表面に向かってリンス液を吐出して処理する基板処理装置が知られている。
【０００４】
従来のこの種の基板処理装置においては、搬送手段は、ウエハ等の下端部を支持する例えば下側保持体と、ウエハ等の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体とを具備しており、下側保持体及び上側保持体には、Ｖ字状あるいは略Ｙ字状の保持溝が設けられている。
【０００５】
また、上記Ｙ字状保持溝における問題すなわちウエハ等の両側の主面との面接触することによるパーティクル等の汚染物質の発生の問題と、上記Ｖ字状保持溝における問題すなわちウエハ等の倒れによる隣接するウエハ等同士の接触の問題を解決するために、下側保持体及び上側保持体の保持溝を、開き角度２°以上２８°以下となる断面Ｖ字形状とし、ウエハ等と接触する面が防塵性を有する材料としたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
また、処理液の除去効率を向上させるために、各保持体を構成する支持棒に一定間隔を置いて多数配設され、ウエハ等側へ延出して各ウエハ等の縁部に当接する支持爪を設け、隣り合う保持体に配設された隣り合う２つの支持爪は、ウエハ等の縁部にその両側面から個別に当接してその縁部を挟持することで、ウエハ等を倒れないように支持するものが知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−１２４２９７号公報（特許請求の範囲、図４）
【特許文献２】特開平１１−１４５２７０号公報（特許請求の範囲、図２〜図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１記載のものにおいては、Ｖ字状保持溝によって保持されるウエハ等は、接触断面においてウエハ等の端部両面が接触するため、処理に供された処理液例えば薬液の液残りが生じ、液処理後の乾燥処理に時間を要しスループットの低下をきたすと共に、乾燥処理後にウォーターマーク等のしみが生じる懸念がある。
【０００８】
また、特許文献２記載のものにおいては、隣り合う２つの支持爪は、ウエハ等の縁部にその両側面から個別に当接してその縁部を挟持する構造であるため、同一断面でウエハ等の両側面を挟持するものに比べて処理液の液残りを少なくすることができる。しかし、特許文献２記載のものにおいては、支持棒に頭部を除去した四角錐状に形成される支持爪を設ける構造であるため、支持棒と支持爪の接合部に液溜まりが生じる虞があり、液処理後の乾燥処理に時間を要しスループットの低下をきたすと共に、乾燥処理後にウォーターマーク等のしみが生じる懸念がある。また、特許文献２記載の構造のものは、寸法精度に注意を要する上、加工が面倒であるという問題がある。
【０００９】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、簡単な加工で高い寸法精度が得られると共に、液処理後の液残りを少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができ、かつウエハ等を安定した状態で保持することができ、スループットの向上を図れるようにした基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、この発明の基板処理装置は、被処理基板を複数の保持体で垂直に保持した状態で搬送する搬送手段を具備する基板処理装置において、 少なくとも一つの上記保持体は、該保持体の長手方向に対して所定角度に傾斜する略Ｖ字状の保持溝を形成してなり、 上記保持溝を構成する第１の傾斜面で被処理基板の一方の面を保持すると共に、保持溝を構成する第２の傾斜面で被処理基板の他方の面を保持する溝傾斜保持体であることを特徴とする（請求項１）。
【００１１】
この発明において、処理液を貯留する処理槽を更に具備し、被処理基板を上記搬送手段の保持体によって保持した状態で処理槽内の処理液に浸漬させて被処理基板に処理を施すように形成するようにしてもよい（請求項２）。
【００１２】
また、この発明において、上記搬送手段は、被処理基板の下端部を支持する下側保持体と、被処理基板の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体とを具備する方が好ましい（請求項３）。この場合、上記下側保持体が溝傾斜保持体にて形成される（請求項４）か、あるいは、上記下側保持体及び上側保持体が溝傾斜保持体にて形成される方が好ましい（請求項５）。
【００１３】
また、この発明において、隣り合う少なくとも二以上の保持体を溝傾斜保持体にて形成し、上記隣り合う溝傾斜保持体に形成される保持溝の傾斜角度を両溝傾斜保持体間の中心点に対して対称としてもよい（請求項６）。
【００１４】
また、この発明において、上記溝傾斜保持体における該保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、保持体の長手方向に沿う中心点に対して対称位置にある方が好ましい（請求項７）。
【００１５】
また、この発明において、上記下側保持体及び上側保持体における各溝傾斜保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、被処理基板の面中心点に対して対称位置にある方が好ましい（請求項８）。
【００１６】
また、この発明において、上記下側保持体及び上側保持体における保持溝を有する保持面を、上記下側保持体及び上側保持体によって保持される被処理基板の面中心方向に対向して設ける方が好ましい（請求項９）。
【００１７】
また、この発明において、上記保持体は、複数枚の被処理基板を互いに並行に保持すべく複数の保持溝を適宜間隔に列設する構成とすることができる（請求項１０）。
【００１８】
加えて、この発明において、上記下側保持体は親水性を有する部材にて形成され、上記上側保持体は疎水性を有する部材にて形成される方が好ましい（請求項１１）。
【００１９】
請求項１，２記載の発明によれば、少なくとも一つの溝傾斜保持体に設けられた傾斜する略Ｖ字状の保持溝の第１及び第２の傾斜面によって被処理基板の両面の異なる位置を保持することができる。
【００２０】
また、請求項３記載の発明によれば、被処理基板の下端部を下側保持体によって保持すると共に、被処理基板の下部側端部を左右一対の上側保持体によって保持することができ、下側保持体及び上側保持体のうちの少なくとも一つの保持体を溝傾斜保持体によって形成することにより、溝傾斜保持体に設けられた傾斜する略Ｖ字状の保持溝の第１及び第２の傾斜面によって被処理基板の両面の異なる位置を保持することができる。
【００２１】
また、請求項４記載の発明によれば、下側保持体を形成する溝傾斜保持体に設けられた傾斜する略Ｖ字状の保持溝の第１及び第２の傾斜面によって被処理基板の両面の異なる位置を保持することができる。
【００２２】
また、請求項５記載の発明によれば、下側保持体及び上側保持体を形成する溝傾斜保持体に設けられた傾斜する略Ｖ字状の保持溝の第１及び第２の傾斜面によって被処理基板の両面の異なる位置を保持することができる。
【００２３】
また、請求項６記載の発明によれば、隣り合う少なくとも二以上の溝傾斜保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、隣り合う保持体間の中心点に対して対称位置にあるので、各保持体において被処理基板は安定した状態で保持される。
【００２４】
また、請求項７記載の発明によれば、溝傾斜保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、保持体の長手方向に沿う中心点に対して対称位置にあるので、保持体において被処理基板は安定した状態で保持される。
【００２５】
また、請求項８記載の発明によれば、下側保持体及び上側保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、被処理基板の面中心点に対して対称位置にあるので、下側保持体及び上側保持体によって被処理基板は安定した状態で保持される。
【００２６】
また、請求項９記載の発明によれば、下側保持体及び上側保持体における保持溝を有する保持面を上記下側保持体及び上側保持体によって保持される被処理基板の面中心方向に対向して設けることで、搬送手段への下側保持体及び上側保持体の組み付けを容易にすることができると共に、被処理基板を安定した状態に保持することができる。
【００２７】
また、請求項１０記載の発明によれば、複数枚の被処理基板を安定させた状態で保持することができ、同時に例えば液処理することができる。
【００２８】
また、請求項１１記載の発明によれば、被処理基板の下端部を保持する下側保持体の保持溝は処理液を吸着して被処理基板への処理液の液残りを抑制することができ、被処理基板の下部両側端部を保持する上側保持体の保持溝は、処理液を弾いて、処理後の液残りを抑制することができる。
【発明の効果】
【００２９】
この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような顕著な効果が得られる。
【００３０】
（１）請求項１，２記載の発明によれば、少なくとも一つの溝傾斜保持体に設けられた傾斜する略Ｖ字状の保持溝の第１及び第２の傾斜面によって被処理基板の両面の異なる部位を保持することができるので、液処理後の液残りを少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができると共に、スループットの向上が図れ、かつ被処理基板を安定した状態に保持することができる。
【００３１】
（２）請求項３〜５記載の発明によれば、被処理基板の下端部を下側保持体によって保持すると共に、被処理基板の下部側端部を左右一対の上側保持体によって保持することができるので、上記（１）に加えて、更に被処理基板を安定した状態で保持することができる。
【００３２】
（３）請求項６記載の発明によれば、隣り合う少なくとも二以上の溝傾斜保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、隣り合う保持体間の中心点に対して対称位置にあるので、上記（１）に加えて、更に被処理基板を安定した状態で保持することができる。
【００３３】
（４）請求項７記載の発明によれば、下側保持体及び上側保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、各保持体の長手方向に沿う中心点に対して対称位置にあり、各保持体において被処理基板は安定した状態で保持されるので、上記（１）〜（３）に加えて、更に被処理基板を安定した状態で保持することができる。
【００３４】
（５）請求項８記載の発明によれば、下側保持体及び上側保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、被処理基板の面中心点に対して対称部位にあり、下側保持体及び上側保持体によって被処理基板は安定した状態で保持されるので、上記（２）に加えて、更に被処理基板を安定した状態で保持することができる。
【００３５】
（６）請求項９記載の発明によれば、上記（１），（２），（４），（５）に加えて、更に搬送手段への下側保持体及び上側保持体の組み付けを容易にすることができると共に、被処理基板を安定した状態に保持することができる。
【００３６】
（７）請求項１０記載の発明によれば、上記（１）〜（６）に加えて、更に複数枚の被処理基板を安定させた状態で保持することができると共に、同時に例えば液処理を行うことができる。
【００３７】
（８）請求項１１記載の発明によれば、被処理基板の下端部を保持する下側保持体の保持溝は処理液を吸着して被処理基板への処理液の液残りを抑制することができ、被処理基板の下部両側端部を保持する上側保持体の保持溝は、処理液を弾いて、処理後の液残りを抑制することができる。したがって、上記（１）〜（７）に加えて、更に液処理後の液残りを確実に少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板処理装置を半導体ウエハの洗浄・乾燥処理装置に適用した場合について説明する。
【００３９】
＜第１実施形態＞
上記洗浄・乾燥処理装置は、図１に示すように、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を収容する処理室である処理槽１と、この処理槽１の上方に位置するウエハＷを収容する乾燥室２と、処理槽１内のウエハＷに処理液である酸化膜除去用の薬液例えば希フッ酸水（ＤＨＦ）を供給する薬液供給手段３と、処理槽１内のウエハＷに別の処理液である洗浄用のリンス液を供給するリンス液供給手段４と、乾燥室２内に例えば窒素ガス（Ｎ2ガス）や清浄空気等の乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段６と、薬液供給手段３、リンス液供給手段４及び乾燥気体供給手段６やこの発明における後述する搬送手段であるウエハボート５、容器カバー昇降機構８、シャッタ９等に制御（作動）信号を伝達する制御手段例えば中央演算処理装置１０（以下にＣＰＵ１０という）と、を具備している。
【００４０】
この場合、上記処理槽１は、ウエハＷを収容する内槽１ａと、この内槽１ａの上端開口の外周部を包囲する外槽１ｂとで構成されている。また、内槽１ａの底部には、ドレイン口１ｃが設けられており、このドレイン口１ｃにドレイン弁１ｄを介設したドレイン管１ｅが接続されている。また、外槽１ｂの底部には、排水口１ｆが設けられており、この排水口１ｆに開閉弁１ｇを介設した排水管１ｈが接続されている。
【００４１】
また、処理槽１の内槽１ａ内の下部側には供給ノズル１１が配設されている。この供給ノズル１１は、主供給管１２を介してリンス液である純水（ＤＩＷ）の供給源４ａに接続されている。主供給管１２における純水供給源４ａ側には第１の開閉弁Ｖ1が介設されており、これら純水供給源４ａ、主供給管１２、第１の開閉弁Ｖ1及び供給ノズル１１によってリンス液供給手段４が形成されている。
【００４２】
また、主供給管１２の途中には切換開閉弁Ｖ0が介設されており、この切換開閉弁Ｖ0に接続する薬液供給管１３を介して薬液例えばフッ酸水（ＨＦ）の供給タンク３ａが接続されている。なお、薬液供給管１３にはポンプ３ｂが介設されている。これら供給タンク３ａ、薬液供給管１３、ポンプ３ｂ、切換開閉弁Ｖ0、主供給管１２及び供給ノズル１１によって薬液供給手段３が形成されている。この場合、主供給管１２内を流れる純水と供給タンク３ａから供給されるＨＦとが混合されて所定濃度の薬液（ＤＨＦ）が供給ノズル１１から処理槽１内に供給されるように構成されている。
【００４３】
一方、乾燥室２は、複数例えば５０枚のウエハＷを収容可能な大きさを有すると共に、上端部に搬入・搬出口１５を有する容器本体１６ａと、この容器本体１６ａの上端に形成された搬入・搬出口１５を開放又は閉鎖する容器カバー１６ｂとで主に構成されている。この場合、容器カバー１６ｂは、例えば断面逆Ｕ字状に形成され、昇降機構８によって昇降可能に形成されている。昇降機構８は、ＣＰＵ１０に電気的に接続されており、ＣＰＵ１０からの制御（作動）信号により、昇降機構８が作動して、容器カバー１６ｂが開放又は閉鎖されるように構成されている。そして、容器カバー１６ｂが上昇した際には、搬入・搬出口１５は開放され、容器本体１６ａに対してウエハＷを搬入できる状態となる。容器本体１６ａにウエハＷを搬入して収容した後、容器カバー１６ｂが下降することで、搬入・搬出口１５が塞がれる。この場合、容器本体１６ａと容器カバー１６ｂの間の隙間は、例えばリップ式のＯリング１７ａによって密封されるように構成されている。
【００４４】
また、上記ウエハボート５は、図１及び図２に示すように、ガイド部７と、このガイド部７に水平状態に固着され、ウエハＷの周縁の下端部を支持する１本の下側保持体２０と、ウエハＷの周縁の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体３０とで主に構成されている。
【００４５】
上記下側保持体２０は、該下側保持体２０の長手方向に対して所定角度（図面では同一角度を示す）に傾斜する略Ｖ字状の保持溝２１を適宜間隔に５０箇所列設してなる。各保持溝２１は、下側保持体２０の基端部側の第１の傾斜面４１と、下側保持体２０の先端側の第２の傾斜面４２とで構成されている。このように構成される下側保持体２０は溝傾斜保持体にて形成される。この場合、下側保持体２０は、親水性を有する部材、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）にて断面矩形状に形成されている。このように、下側保持体２０を親水性の部材にて形成することにより、下側保持体２０の保持溝２１は処理液を吸着してウエハＷへの処理液の液残りを抑制することができる。
【００４６】
上記上側保持体３０は、それぞれ各上側保持体３０の長手方向に対して同一角度かつ下側保持体２０の保持溝２１と同一角度に傾斜する略Ｖ字状の保持溝３１を適宜間隔に５０箇所列設してなる。各保持溝３１は、上側保持体３０の基端部側の第１の傾斜面４１と、上側保持体３０の先端側の第２の傾斜面４２とで構成されている。このように構成される上側保持体３０も溝傾斜保持体にて形成されている。この場合、上側保持体３０は、疎水性を有する部材、例えばポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ），ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）又はペルフルオロアルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）にて断面矩形状に形成されている。このように、上側保持体３０を疎水性の部材にて形成することにより、ウエハＷの下部両側端部を保持する上側保持体３０の保持溝３１は処理液を弾いて、処理後の液残りを抑制することができる。
【００４７】
上記のように構成されるウエハボート５によれば、ウエハＷの下端部を下側保持体２０の保持溝２１で保持し、ウエハＷの下部両側端部を一対の上側保持体３０の保持溝３１で保持することができる（図２ないし図４参照）。
【００４８】
下側保持体２０及び上側保持体３０によるウエハＷの保持の形態は、下側保持体２０を代表して説明すると、保持溝２１を構成する第１の傾斜面４１でウエハＷの一方の面例えば表面Ｗａを保持すると共に、保持溝２１を構成する第２の傾斜面４２でウエハＷの他方の面例えば裏面Ｗｂを保持する（図４ないし図７参照）。この場合、図５に示すように、下側保持体２０の保持溝２１に保持されるウエハＷの保持部すなわち表面側保持部４３ａと裏面側保持部４３ｂは、下側保持体２０の長手方向に沿う中心点Ｃ１に対して対称位置にある。ここでは、下側保持体２０の保持溝２１について説明したが、上側保持体３０の保持溝３１においても同様に、保持溝３１に保持されるウエハＷの保持部すなわち表面側保持部４３ａと裏面側保持部４３ｂは、上側保持体３０の長手方向に沿う中心点（図示せず）に対して対称位置にある。
【００４９】
また、下側保持体２０及び上側保持体３０において、これら下側及び上側保持体２０，３０の保持溝２１，３１に保持されるウエハＷの保持部すなわち表面側保持部４３ａと裏面側保持部４３ｂは、ウエハＷの面中心点Ｃ０（図３参照）に対して対称位置にある（図４参照）。
【００５０】
更に、下側保持体２０及び上側保持体３０における保持溝２１，３１を有する保持面２２，３２は、下側保持体２０及び上側保持体３０によって保持されるウエハＷの面中心方向に対向している（図３参照）。この場合、図３では上側保持体３０がウエハＷの面中心点Ｃ０から半径方向に延びる軸線Ｌに沿って配設されているが、図８に示すように、上側保持体３０の保持面３２のみをウエハＷの面中心方向に対向して設け、上側保持体３０自体を下側保持体２０と平行に垂直状に配設してもよい。このように、上側保持体３０自体を垂直状に配設することにより、上側保持体３０に付着する処理液の液切れを良好にすることができる。
【００５１】
上記のように構成されるウエハボート５によれば、下側保持体２０及び上側保持体３０に設けられた傾斜する略Ｖ字状の保持溝２１，３１の第１及び第２の傾斜面４１，４２によってウエハＷの両面の異なる位置を保持することができる。また、下側保持体２０及び上側保持体３０の各保持溝２１，３１を同一の傾斜する略Ｖ字状に形成することができ、簡単な加工で高い寸法精度の保持溝２１，３１が得られるので、複数のウエハＷを安定した状態で保持することができる。
【００５２】
また、下側保持体２０及び上側保持体３０の保持溝２１，３１に保持されるウエハＷの保持部（表面側保持部４３ａ，裏面側保持部４３ｂ）は、下側保持体２０及び上側保持体３０の長手方向に沿う中心点Ｃ１に対して対称位置にあるので、下側保持体２０及び上側保持体３０によってウエハＷは安定した状態で保持される。また、下側保持体２０及び上側保持体３０の保持溝２１，３１に保持されるウエハＷの保持部（表面側保持部４３ａ，裏面側保持部４３ｂ）は、ウエハＷの面中心点Ｃ０に対して対称位置にあるので、下側保持体２０及び上側保持体３０によってウエハＷは安定した状態で保持される。したがって、ウエハＷを安定した状態で保持することができる。
【００５３】
また、下側保持体２０及び上側保持体３０における保持溝２１，３１を有する保持面２２，３２を、下側保持体２０及び上側保持体３０によって保持されるウエハＷの面中心方向に対向して配設することにより、ウエハボート５への下側保持体２０及び上側保持体３０の組み付けを容易にすることができる。
【００５４】
なお、ウエハボート５は、ガイド部７に連なるシャフト１４が容器カバー１６ｂの頂部に設けられた透孔１６ｃ内に摺動可能に貫通されており、透孔１６ｃとシャフト１４との間には、伸縮式のＯリング１７ｂが介在されて、乾燥室２内の気水密が維持できるように構成されている。なお、ウエハボート５の昇降機構（図示せず）はＣＰＵ１０に接続されており、ＣＰＵ１０からの制御（作動）信号によって作動し得るように構成されている。
【００５５】
また、処理槽１と乾燥室２とは連通口１５ａを介して連設されており、連通口１５ａに開閉手段であるシャッタ９が開閉可能に配設されており、このシャッタ９によって処理槽１と乾燥室２が遮断されるように構成されている。この場合、シャッタ９の駆動部９ａはＣＰＵ１０に電気的に接続されており、ＣＰＵ１０からの制御（作動）信号によって連通口１５ａを開閉し得るように構成されている。
【００５６】
上記乾燥気体供給手段６は、乾燥室２内の中央部両側に配設されるガス供給ノズル１１Ａと、このガス供給ノズル１１Ａにガス供給管１８を介して接続する乾燥気体例えばＮ2ガスの供給源６ａと、ガス供給管１８に介設される第２の開閉弁Ｖ2とで主要部が構成されている。この場合、ガス供給管１８には、温度調整器６ｂが介設されており、この温度調整器６ｂによってホットＮ2ガスが生成されるようになっている。この温度調整器６ｂと第２の開閉弁Ｖ2は、ＣＰＵ１０からの制御（作動）信号によって作動し得るように構成されている。
【００５７】
なお、上記薬液供給手段３、リンス液供給手段４及び乾燥気体供給手段６やウエハボート５、容器カバー昇降機構８、シャッタ９等は、ＣＰＵ１０に予めプログラムされた記憶情報に基いて制御されるようになっている。
【００５８】
次に、上記洗浄・乾燥処理装置を用いたウエハＷの処理の手順の一例を簡単に説明する。まず、図示しないウエハ搬送手段によって搬送された複数例えば５０枚のウエハＷを、洗浄・乾燥処理装置の上方に上昇するウエハボート５に受け渡し、次いで、ウエハボート５が下降した後、容器カバー１６ｂが閉鎖してウエハＷを処理槽１内に収容する。処理槽１内にウエハＷを収容した状態において、最初に、ポンプ３ｂを作動させると共に、第１の開閉弁Ｖ1を開放し、切換開閉弁Ｖ0を薬液供給タンク３ａ側に切り換えて処理槽１内に収容されるウエハＷに薬液（ＤＨＦ）を供給（浸漬）し、ＤＨＦによりエッチング処理を施して、ウエハＷ表面の酸化膜を除去する。次に、ポンプ３ｂを停止すると共に、切換開閉弁Ｖ0を純水供給源４ａ側のみに切り換えて処理槽１内に収容されるウエハＷにリンス液（ＤＩＷ）を供給すると共に、外槽１ｂにオーバーフローさせながらウエハＷ表面を洗浄する。上記エッチング処理又はリンス処理中に、ウエハＷが保持溝２１から浮き上った場合は、ウエハＷは転倒防止溝２３によって転倒が防止される。
【００５９】
上記のようにして、ウエハＷ表面の酸化膜を除去するエッチング処理及びウエハＷ表面を洗浄するリンス処理を行った後、ウエハボート５を上昇させてウエハＷを処理槽１の上方の乾燥室２内に移動する。このとき、シャッタ９が閉鎖位置に移動して乾燥室２と処理槽１とが遮断されると共に、乾燥室２内が密閉される。この状態で、第２の開閉弁Ｖ2が開放すると共に、温度調整器６ｂが作動してＮ2ガス供給源６ａから乾燥室２内にホットＮ2ガスが供給されて、ウエハＷの乾燥が行われる。この乾燥工程では、ウエハＷと保持溝２１の接触面積が小さく、ウエハＷに付着する液が少ないので、ウエハＷ表面にウォーターマークが生じる虞がない。
【００６０】
上記のようにして乾燥処理を行った後、昇降機構８を作動させて、容器カバー１６ｂを上昇して、容器本体１６ａの搬入・搬出口１５を開放した後、ウエハボート５を上昇して、ウエハＷを乾燥室２の上方に搬出する。そして、図示しないウエハ搬送手段にウエハＷを受け渡して、次の処理部に搬送する。
【００６１】
＜第２実施形態＞
上記第１実施形態では、下側保持体２０が１本の場合について説明したが、下側保持体２０Ａを２本にしてもよい。すなわち、第２実施形態のウエハボート５Ａは、図９ないし図１１に示すように、ガイド部７と、このガイド部７に水平状態に固着された互いに平行な、ウエハＷの周縁の下端部を支持する２本の下側保持体２０Ａ，２０Ｂと、ウエハＷの周縁の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体３０とで主に構成されている。
【００６２】
この場合、２本の下側保持体２０Ａ，２０Ｂは、それぞれ各下側保持体２０Ａ，２０Ｂの長手方向に対して同一角度に傾斜する略Ｖ字状の保持溝２１を適宜間隔に５０箇所列設してなる。各保持溝２１は、下側保持体２０Ａ，２０Ｂの基端部側の第１の傾斜面４１と、下側保持体２０Ａ，２０Ｂの先端側の第２の傾斜面４２とで構成されている。
【００６３】
また、各下側保持体２０Ａ，２０Ｂの保持溝２１を構成する第１の傾斜面４１でウエハＷの一方の面例えば表面Ｗａを保持すると共に、保持溝２１を構成する第２の傾斜面４２でウエハＷの他方の面例えば裏面Ｗｂを保持している（図１１ないし図１３参照）。この場合、図１２に示すように、下側保持体２０Ａ，２０Ｂの保持溝２１に保持されるウエハＷの保持部すなわち表面側保持部４３ａと裏面側保持部４３ｂは、下側保持体２０の長手方向に沿う中心点Ｃ１に対して対称位置にある。
【００６４】
また、下側保持体２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０において、これら下側及び上側保持体２０Ａ，２０Ｂ，３０の保持溝２１，３１に保持されるウエハＷの保持部すなわち表面側保持部４３ａと裏面側保持部４３ｂは、ウエハＷの面中心点Ｃ０（図１０参照）に対して対称位置にある（図１１参照）。
【００６５】
更に、下側保持体２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０における保持溝２１，３１を有する保持面２２，３２は、下側保持体２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０によって保持されるウエハＷの面中心方向に対向している（図１０参照）。この場合、図１０では下側保持体２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０がウエハＷの面中心点Ｃ０から半径方向に延びる軸線Ｌに沿って配設されているが、図１０に二点鎖線で示すように、下側保持体２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０の保持面３２のみをウエハＷの面中心方向に対向して設け、下側保持体２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０自体を垂直状に配設してもよい。このように、下側保持体２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０自体を垂直状に配設することにより、下側保持体２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０に付着する処理液の液切れを良好にすることができる。
【００６６】
また、第１実施形態と同様に、下側保持体２０Ａは、親水性を有する部材、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）にて断面矩形状に形成されている。
【００６７】
なお、第２実施形態において、その他のウエハボート５Ａ以外の部分は第１実施形態と同じであるので、説明は省略する。
【００６８】
第２実施形態によれば、第１実施形態に比べてウエハＷの下端部を２本の下側保持体２０によって保持することができるので、更にウエハＷの保持の安定化を図ることができる。
【００６９】
＜その他の実施形態＞
（１）上記実施形態では、下側保持体２０及び上側傾斜保持体３０がウエハＷの表面を保持する第１の傾斜面４１と第２の傾斜面４２を有する溝傾斜保持体にて形成される場合について説明したが、下側保持体２０及び上側傾斜保持体３０のうちの少なくとも一つを溝傾斜保持体にて形成してもよい。この場合、好ましくは少なくとも下側保持体２０を溝傾斜保持体にて形成する方がよい。
【００７０】
なお、下側保持体２０を溝傾斜保持体にて形成した場合、上側保持体の保持溝は、通常のＶ字状保持溝としてもよい。このように上側保持体の保持溝をＶ字状溝とすることにより、ウエハＷの下部側端部をＶ字状溝で保持するので、ウエハＷの保持の安定性が高まる。
【００７１】
また、上側保持体の保持溝を上記Ｖ字状溝に代えてＹ字状溝にしてもよい。このように上側保持体の保持溝をＹ字状溝とすることにより、ウエハＷの保持の安定性が高まると共に、非接触であるため、液残りの影響を少なくすることができる。
【００７２】
（２）上記第１，第２実施形態では、下側保持体２０及び上側保持体３０において、各保持体２０，３０の保持溝２１，３１に保持されるウエハＷの保持部が、ウエハＷの面中心点に対して対称位置にある場合について説明したが、図１４（ａ）〜（ｄ）に示すように隣り合う保持体すなわち下側保持体２０Ａ，２０Ｂ同士又は下側保持体２０，２０Ａ，２０Ｂと上側保持体３０において両保持体２０，２０Ａ，２０Ｂ，３０に形成される保持溝２１，３１の傾斜角度を、隣り合う両保持体２０，２０Ａ，２０Ｂ，３０間の中心点Ｃ２に対して対称に形成してもよい。なお、この実施形態において、その他の部分は上記第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００７３】
（３）上記実施形態では、下側保持体２０，２０Ａ，２０Ｂが親水性を有する部材、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）にて形成され、上側保持体３０が疎水性を有する部材、例えばポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ），ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）又はペルフルオロアルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）にて形成される場合について説明したが、下側保持体２０，２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０を同じ材質の部材、例えば石英製部材にて形成してもよい。このように、下側保持体２０，２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０を同じ石英製部材にて形成することにより、下側保持体２０，２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０を同時に加工して保持溝２１，３１を形成することができるので、更に加工を容易にすることができると共に、下側保持体２０，２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０を共通化して部材の削減を図ることができる。
【００７４】
（４）また、上記実施形態では、この発明に係る液処理装置をウエハＷの洗浄・乾燥処理装置に適用した場合について説明したが、この発明に係る液処理装置は、ウエハＷを垂直状態に保持する搬送手段によって処理槽内の処理液に浸漬させてウエハＷに処理を施す液処理装置の全てに適用可能である。
【００７５】
（５）また、この発明に係る液処理装置は、被処理基板がウエハ以外の例えばＦＰＤ基板等についても同様に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】この発明に係る液処理装置を適用した洗浄・乾燥処理装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】この発明におけるウエハボートの第１実施形態を示す斜視図である。
【図３】第１実施形態のウエハボートによるウエハの保持状態を示す要部平面図である。
【図４】第１実施形態のウエハボートによるウエハの保持状態を示す平面図である。
【図５】図４のＩ部拡大平面図である。
【図６】図５の要部側面図である。
【図７】図５のII−II線に沿う断面図（ａ）及びIII−III線に沿う断面図（ｂ）である。
【図８】この発明における上側保持体の変形例を示す要部正面図である。
【図９】この発明におけるウエハボートの第２実施形態を示す斜視図である。
【図１０】第２実施形態のウエハボートによるウエハの保持状態を示す要部正面図である。
【図１１】第２実施形態のウエハボートによるウエハの保持状態を示す平面図である。
【図１２】図１１のIV部拡大平面図である。
【図１３】図１２のＶａ−Ｖａ，Ｖｂ−Ｖｂ線に沿う断面図（ａ）及びVIａ−VIａ，VIｂ−VIｂ線に沿う断面図（ｂ）である。
【図１４】この発明における下側保持体と上側保持体の保持溝の別の形態を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００７７】
Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板）
１ 処理槽
２ 乾燥室
３ 薬液供給手段
４ リンス液供給手段
５，５Ａ ウエハボート（搬送手段）
６ 乾燥気体供給手段
９ シャッタ
１０ ＣＰＵ（制御手段）
２０，２０Ａ，２０Ｂ 下側保持体
２１ 保持溝
２２ 保持面
３０ 上側保持体
３１ 保持溝
３２ 保持面
４１ 第１の傾斜面
４２ 第２の傾斜面
４３ａ 表面側保持部
４３ｂ 裏面側保持部
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば半導体ウエハやＦＰＤ等の被処理基板を複数の保持体で垂直に保持した状態で搬送する搬送手段を具備する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板としての半導体ウエハやＦＰＤ等（以下にウエハ等という）にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを現像処理し、その後、ウエハ等からフォトレジストを除去する一連の処理が施されている。
【０００３】
また、上記処理の過程において、ウエハ等を複数の保持体で垂直に保持する搬送手段によって、ウエハ等を垂直状態のまま処理液例えば薬液を貯留する処理槽内に浸漬した後、ウエハ等の表面に向かってリンス液を吐出して処理する基板処理装置が知られている。
【０００４】
従来のこの種の基板処理装置においては、搬送手段は、ウエハ等の下端部を支持する例えば下側保持体と、ウエハ等の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体とを具備しており、下側保持体及び上側保持体には、Ｖ字状あるいは略Ｙ字状の保持溝が設けられている。
【０００５】
また、上記Ｙ字状保持溝における問題すなわちウエハ等の両側の主面との面接触することによるパーティクル等の汚染物質の発生の問題と、上記Ｖ字状保持溝における問題すなわちウエハ等の倒れによる隣接するウエハ等同士の接触の問題を解決するために、下側保持体及び上側保持体の保持溝を、開き角度２°以上２８°以下となる断面Ｖ字形状とし、ウエハ等と接触する面が防塵性を有する材料としたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
また、処理液の除去効率を向上させるために、各保持体を構成する支持棒に一定間隔を置いて多数配設され、ウエハ等側へ延出して各ウエハ等の縁部に当接する支持爪を設け、隣り合う保持体に配設された隣り合う２つの支持爪は、ウエハ等の縁部にその両側面から個別に当接してその縁部を挟持することで、ウエハ等を倒れないように支持するものが知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−１２４２９７号公報（特許請求の範囲、図４）
【特許文献２】特開平１１−１４５２７０号公報（特許請求の範囲、図２〜図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１記載のものにおいては、Ｖ字状保持溝によって保持されるウエハ等は、接触断面においてウエハ等の端部両面が接触するため、処理に供された処理液例えば薬液の液残りが生じ、液処理後の乾燥処理に時間を要しスループットの低下をきたすと共に、乾燥処理後にウォーターマーク等のしみが生じる懸念がある。
【０００８】
また、特許文献２記載のものにおいては、隣り合う２つの支持爪は、ウエハ等の縁部にその両側面から個別に当接してその縁部を挟持する構造であるため、同一断面でウエハ等の両側面を挟持するものに比べて処理液の液残りを少なくすることができる。しかし、特許文献２記載のものにおいては、支持棒に頭部を除去した四角錐状に形成される支持爪を設ける構造であるため、支持棒と支持爪の接合部に液溜まりが生じる虞があり、液処理後の乾燥処理に時間を要しスループットの低下をきたすと共に、乾燥処理後にウォーターマーク等のしみが生じる懸念がある。また、特許文献２記載の構造のものは、寸法精度に注意を要する上、加工が面倒であるという問題がある。
【０００９】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、簡単な加工で高い寸法精度が得られると共に、液処理後の液残りを少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができ、かつウエハ等を安定した状態で保持することができ、スループットの向上を図れるようにした基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、この発明の基板処理装置は、被処理基板を複数の保持体で垂直に保持した状態で搬送する搬送手段を具備する基板処理装置において、 少なくとも一つの上記保持体は、該保持体の長手方向に対して所定角度に傾斜する略Ｖ字状の保持溝を形成してなり、 上記保持溝を構成する第１の傾斜面で被処理基板の一方の面を保持すると共に、保持溝を構成する第２の傾斜面で被処理基板の他方の面を保持する溝傾斜保持体であることを特徴とする（請求項１）。
【００１１】
この発明において、処理液を貯留する処理槽を更に具備し、被処理基板を上記搬送手段の保持体によって保持した状態で処理槽内の処理液に浸漬させて被処理基板に処理を施すように形成するようにしてもよい（請求項２）。
【００１２】
また、この発明において、上記搬送手段は、被処理基板の下端部を支持する下側保持体と、被処理基板の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体とを具備する方が好ましい（請求項３）。この場合、上記下側保持体が溝傾斜保持体にて形成される（請求項４）か、あるいは、上記下側保持体及び上側保持体が溝傾斜保持体にて形成される方が好ましい（請求項５）。
【００１３】
また、この発明において、隣り合う少なくとも二以上の保持体を溝傾斜保持体にて形成し、上記隣り合う溝傾斜保持体に形成される保持溝の傾斜角度を両溝傾斜保持体間の中心点に対して対称としてもよい（請求項６）。
【００１４】
また、この発明において、上記溝傾斜保持体における該保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、保持体の長手方向に沿う中心点に対して対称位置にある方が好ましい（請求項７）。
【００１５】
また、この発明において、上記下側保持体及び上側保持体における各溝傾斜保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、被処理基板の面中心点に対して対称位置にある方が好ましい（請求項８）。
【００１６】
また、この発明において、上記下側保持体及び上側保持体における保持溝を有する保持面を、上記下側保持体及び上側保持体によって保持される被処理基板の面中心方向に対向して設ける方が好ましい（請求項９）。
【００１７】
また、この発明において、上記保持体は、複数枚の被処理基板を互いに並行に保持すべく複数の保持溝を適宜間隔に列設する構成とすることができる（請求項１０）。
【００１８】
加えて、この発明において、上記下側保持体は親水性を有する部材にて形成され、上記上側保持体は疎水性を有する部材にて形成される方が好ましい（請求項１１）。
【００１９】
請求項１，２記載の発明によれば、少なくとも一つの溝傾斜保持体に設けられた傾斜する略Ｖ字状の保持溝の第１及び第２の傾斜面によって被処理基板の両面の異なる位置を保持することができる。
【００２０】
また、請求項３記載の発明によれば、被処理基板の下端部を下側保持体によって保持すると共に、被処理基板の下部側端部を左右一対の上側保持体によって保持することができ、下側保持体及び上側保持体のうちの少なくとも一つの保持体を溝傾斜保持体によって形成することにより、溝傾斜保持体に設けられた傾斜する略Ｖ字状の保持溝の第１及び第２の傾斜面によって被処理基板の両面の異なる位置を保持することができる。
【００２１】
また、請求項４記載の発明によれば、下側保持体を形成する溝傾斜保持体に設けられた傾斜する略Ｖ字状の保持溝の第１及び第２の傾斜面によって被処理基板の両面の異なる位置を保持することができる。
【００２２】
また、請求項５記載の発明によれば、下側保持体及び上側保持体を形成する溝傾斜保持体に設けられた傾斜する略Ｖ字状の保持溝の第１及び第２の傾斜面によって被処理基板の両面の異なる位置を保持することができる。
【００２３】
また、請求項６記載の発明によれば、隣り合う少なくとも二以上の溝傾斜保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、隣り合う保持体間の中心点に対して対称位置にあるので、各保持体において被処理基板は安定した状態で保持される。
【００２４】
また、請求項７記載の発明によれば、溝傾斜保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、保持体の長手方向に沿う中心点に対して対称位置にあるので、保持体において被処理基板は安定した状態で保持される。
【００２５】
また、請求項８記載の発明によれば、下側保持体及び上側保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、被処理基板の面中心点に対して対称位置にあるので、下側保持体及び上側保持体によって被処理基板は安定した状態で保持される。
【００２６】
また、請求項９記載の発明によれば、下側保持体及び上側保持体における保持溝を有する保持面を上記下側保持体及び上側保持体によって保持される被処理基板の面中心方向に対向して設けることで、搬送手段への下側保持体及び上側保持体の組み付けを容易にすることができると共に、被処理基板を安定した状態に保持することができる。
【００２７】
また、請求項１０記載の発明によれば、複数枚の被処理基板を安定させた状態で保持することができ、同時に例えば液処理することができる。
【００２８】
また、請求項１１記載の発明によれば、被処理基板の下端部を保持する下側保持体の保持溝は処理液を吸着して被処理基板への処理液の液残りを抑制することができ、被処理基板の下部両側端部を保持する上側保持体の保持溝は、処理液を弾いて、処理後の液残りを抑制することができる。
【発明の効果】
【００２９】
この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような顕著な効果が得られる。
【００３０】
（１）請求項１，２記載の発明によれば、少なくとも一つの溝傾斜保持体に設けられた傾斜する略Ｖ字状の保持溝の第１及び第２の傾斜面によって被処理基板の両面の異なる部位を保持することができるので、液処理後の液残りを少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができると共に、スループットの向上が図れ、かつ被処理基板を安定した状態に保持することができる。
【００３１】
（２）請求項３〜５記載の発明によれば、被処理基板の下端部を下側保持体によって保持すると共に、被処理基板の下部側端部を左右一対の上側保持体によって保持することができるので、上記（１）に加えて、更に被処理基板を安定した状態で保持することができる。
【００３２】
（３）請求項６記載の発明によれば、隣り合う少なくとも二以上の溝傾斜保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、隣り合う保持体間の中心点に対して対称位置にあるので、上記（１）に加えて、更に被処理基板を安定した状態で保持することができる。
【００３３】
（４）請求項７記載の発明によれば、下側保持体及び上側保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、各保持体の長手方向に沿う中心点に対して対称位置にあり、各保持体において被処理基板は安定した状態で保持されるので、上記（１）〜（３）に加えて、更に被処理基板を安定した状態で保持することができる。
【００３４】
（５）請求項８記載の発明によれば、下側保持体及び上側保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、被処理基板の面中心点に対して対称部位にあり、下側保持体及び上側保持体によって被処理基板は安定した状態で保持されるので、上記（２）に加えて、更に被処理基板を安定した状態で保持することができる。
【００３５】
（６）請求項９記載の発明によれば、上記（１），（２），（４），（５）に加えて、更に搬送手段への下側保持体及び上側保持体の組み付けを容易にすることができると共に、被処理基板を安定した状態に保持することができる。
【００３６】
（７）請求項１０記載の発明によれば、上記（１）〜（６）に加えて、更に複数枚の被処理基板を安定させた状態で保持することができると共に、同時に例えば液処理を行うことができる。
【００３７】
（８）請求項１１記載の発明によれば、被処理基板の下端部を保持する下側保持体の保持溝は処理液を吸着して被処理基板への処理液の液残りを抑制することができ、被処理基板の下部両側端部を保持する上側保持体の保持溝は、処理液を弾いて、処理後の液残りを抑制することができる。したがって、上記（１）〜（７）に加えて、更に液処理後の液残りを確実に少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板処理装置を半導体ウエハの洗浄・乾燥処理装置に適用した場合について説明する。
【００３９】
＜第１実施形態＞
上記洗浄・乾燥処理装置は、図１に示すように、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を収容する処理室である処理槽１と、この処理槽１の上方に位置するウエハＷを収容する乾燥室２と、処理槽１内のウエハＷに処理液である酸化膜除去用の薬液例えば希フッ酸水（ＤＨＦ）を供給する薬液供給手段３と、処理槽１内のウエハＷに別の処理液である洗浄用のリンス液を供給するリンス液供給手段４と、乾燥室２内に例えば窒素ガス（Ｎ2ガス）や清浄空気等の乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段６と、薬液供給手段３、リンス液供給手段４及び乾燥気体供給手段６やこの発明における後述する搬送手段であるウエハボート５、容器カバー昇降機構８、シャッタ９等に制御（作動）信号を伝達する制御手段例えば中央演算処理装置１０（以下にＣＰＵ１０という）と、を具備している。
【００４０】
この場合、上記処理槽１は、ウエハＷを収容する内槽１ａと、この内槽１ａの上端開口の外周部を包囲する外槽１ｂとで構成されている。また、内槽１ａの底部には、ドレイン口１ｃが設けられており、このドレイン口１ｃにドレイン弁１ｄを介設したドレイン管１ｅが接続されている。また、外槽１ｂの底部には、排水口１ｆが設けられており、この排水口１ｆに開閉弁１ｇを介設した排水管１ｈが接続されている。
【００４１】
また、処理槽１の内槽１ａ内の下部側には供給ノズル１１が配設されている。この供給ノズル１１は、主供給管１２を介してリンス液である純水（ＤＩＷ）の供給源４ａに接続されている。主供給管１２における純水供給源４ａ側には第１の開閉弁Ｖ1が介設されており、これら純水供給源４ａ、主供給管１２、第１の開閉弁Ｖ1及び供給ノズル１１によってリンス液供給手段４が形成されている。
【００４２】
また、主供給管１２の途中には切換開閉弁Ｖ0が介設されており、この切換開閉弁Ｖ0に接続する薬液供給管１３を介して薬液例えばフッ酸水（ＨＦ）の供給タンク３ａが接続されている。なお、薬液供給管１３にはポンプ３ｂが介設されている。これら供給タンク３ａ、薬液供給管１３、ポンプ３ｂ、切換開閉弁Ｖ0、主供給管１２及び供給ノズル１１によって薬液供給手段３が形成されている。この場合、主供給管１２内を流れる純水と供給タンク３ａから供給されるＨＦとが混合されて所定濃度の薬液（ＤＨＦ）が供給ノズル１１から処理槽１内に供給されるように構成されている。
【００４３】
一方、乾燥室２は、複数例えば５０枚のウエハＷを収容可能な大きさを有すると共に、上端部に搬入・搬出口１５を有する容器本体１６ａと、この容器本体１６ａの上端に形成された搬入・搬出口１５を開放又は閉鎖する容器カバー１６ｂとで主に構成されている。この場合、容器カバー１６ｂは、例えば断面逆Ｕ字状に形成され、昇降機構８によって昇降可能に形成されている。昇降機構８は、ＣＰＵ１０に電気的に接続されており、ＣＰＵ１０からの制御（作動）信号により、昇降機構８が作動して、容器カバー１６ｂが開放又は閉鎖されるように構成されている。そして、容器カバー１６ｂが上昇した際には、搬入・搬出口１５は開放され、容器本体１６ａに対してウエハＷを搬入できる状態となる。容器本体１６ａにウエハＷを搬入して収容した後、容器カバー１６ｂが下降することで、搬入・搬出口１５が塞がれる。この場合、容器本体１６ａと容器カバー１６ｂの間の隙間は、例えばリップ式のＯリング１７ａによって密封されるように構成されている。
【００４４】
また、上記ウエハボート５は、図１及び図２に示すように、ガイド部７と、このガイド部７に水平状態に固着され、ウエハＷの周縁の下端部を支持する１本の下側保持体２０と、ウエハＷの周縁の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体３０とで主に構成されている。
【００４５】
上記下側保持体２０は、該下側保持体２０の長手方向に対して所定角度（図面では同一角度を示す）に傾斜する略Ｖ字状の保持溝２１を適宜間隔に５０箇所列設してなる。各保持溝２１は、下側保持体２０の基端部側の第１の傾斜面４１と、下側保持体２０の先端側の第２の傾斜面４２とで構成されている。このように構成される下側保持体２０は溝傾斜保持体にて形成される。この場合、下側保持体２０は、親水性を有する部材、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）にて断面矩形状に形成されている。このように、下側保持体２０を親水性の部材にて形成することにより、下側保持体２０の保持溝２１は処理液を吸着してウエハＷへの処理液の液残りを抑制することができる。
【００４６】
上記上側保持体３０は、それぞれ各上側保持体３０の長手方向に対して同一角度かつ下側保持体２０の保持溝２１と同一角度に傾斜する略Ｖ字状の保持溝３１を適宜間隔に５０箇所列設してなる。各保持溝３１は、上側保持体３０の基端部側の第１の傾斜面４１と、上側保持体３０の先端側の第２の傾斜面４２とで構成されている。このように構成される上側保持体３０も溝傾斜保持体にて形成されている。この場合、上側保持体３０は、疎水性を有する部材、例えばポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ），ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）又はペルフルオロアルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）にて断面矩形状に形成されている。このように、上側保持体３０を疎水性の部材にて形成することにより、ウエハＷの下部両側端部を保持する上側保持体３０の保持溝３１は処理液を弾いて、処理後の液残りを抑制することができる。
【００４７】
上記のように構成されるウエハボート５によれば、ウエハＷの下端部を下側保持体２０の保持溝２１で保持し、ウエハＷの下部両側端部を一対の上側保持体３０の保持溝３１で保持することができる（図２ないし図４参照）。
【００４８】
下側保持体２０及び上側保持体３０によるウエハＷの保持の形態は、下側保持体２０を代表して説明すると、保持溝２１を構成する第１の傾斜面４１でウエハＷの一方の面例えば表面Ｗａを保持すると共に、保持溝２１を構成する第２の傾斜面４２でウエハＷの他方の面例えば裏面Ｗｂを保持する（図４ないし図７参照）。この場合、図５に示すように、下側保持体２０の保持溝２１に保持されるウエハＷの保持部すなわち表面側保持部４３ａと裏面側保持部４３ｂは、下側保持体２０の長手方向に沿う中心点Ｃ１に対して対称位置にある。ここでは、下側保持体２０の保持溝２１について説明したが、上側保持体３０の保持溝３１においても同様に、保持溝３１に保持されるウエハＷの保持部すなわち表面側保持部４３ａと裏面側保持部４３ｂは、上側保持体３０の長手方向に沿う中心点（図示せず）に対して対称位置にある。
【００４９】
また、下側保持体２０及び上側保持体３０において、これら下側及び上側保持体２０，３０の保持溝２１，３１に保持されるウエハＷの保持部すなわち表面側保持部４３ａと裏面側保持部４３ｂは、ウエハＷの面中心点Ｃ０（図３参照）に対して対称位置にある（図４参照）。
【００５０】
更に、下側保持体２０及び上側保持体３０における保持溝２１，３１を有する保持面２２，３２は、下側保持体２０及び上側保持体３０によって保持されるウエハＷの面中心方向に対向している（図３参照）。この場合、図３では上側保持体３０がウエハＷの面中心点Ｃ０から半径方向に延びる軸線Ｌに沿って配設されているが、図８に示すように、上側保持体３０の保持面３２のみをウエハＷの面中心方向に対向して設け、上側保持体３０自体を下側保持体２０と平行に垂直状に配設してもよい。このように、上側保持体３０自体を垂直状に配設することにより、上側保持体３０に付着する処理液の液切れを良好にすることができる。
【００５１】
上記のように構成されるウエハボート５によれば、下側保持体２０及び上側保持体３０に設けられた傾斜する略Ｖ字状の保持溝２１，３１の第１及び第２の傾斜面４１，４２によってウエハＷの両面の異なる位置を保持することができる。また、下側保持体２０及び上側保持体３０の各保持溝２１，３１を同一の傾斜する略Ｖ字状に形成することができ、簡単な加工で高い寸法精度の保持溝２１，３１が得られるので、複数のウエハＷを安定した状態で保持することができる。
【００５２】
また、下側保持体２０及び上側保持体３０の保持溝２１，３１に保持されるウエハＷの保持部（表面側保持部４３ａ，裏面側保持部４３ｂ）は、下側保持体２０及び上側保持体３０の長手方向に沿う中心点Ｃ１に対して対称位置にあるので、下側保持体２０及び上側保持体３０によってウエハＷは安定した状態で保持される。また、下側保持体２０及び上側保持体３０の保持溝２１，３１に保持されるウエハＷの保持部（表面側保持部４３ａ，裏面側保持部４３ｂ）は、ウエハＷの面中心点Ｃ０に対して対称位置にあるので、下側保持体２０及び上側保持体３０によってウエハＷは安定した状態で保持される。したがって、ウエハＷを安定した状態で保持することができる。
【００５３】
また、下側保持体２０及び上側保持体３０における保持溝２１，３１を有する保持面２２，３２を、下側保持体２０及び上側保持体３０によって保持されるウエハＷの面中心方向に対向して配設することにより、ウエハボート５への下側保持体２０及び上側保持体３０の組み付けを容易にすることができる。
【００５４】
なお、ウエハボート５は、ガイド部７に連なるシャフト１４が容器カバー１６ｂの頂部に設けられた透孔１６ｃ内に摺動可能に貫通されており、透孔１６ｃとシャフト１４との間には、伸縮式のＯリング１７ｂが介在されて、乾燥室２内の気水密が維持できるように構成されている。なお、ウエハボート５の昇降機構（図示せず）はＣＰＵ１０に接続されており、ＣＰＵ１０からの制御（作動）信号によって作動し得るように構成されている。
【００５５】
また、処理槽１と乾燥室２とは連通口１５ａを介して連設されており、連通口１５ａに開閉手段であるシャッタ９が開閉可能に配設されており、このシャッタ９によって処理槽１と乾燥室２が遮断されるように構成されている。この場合、シャッタ９の駆動部９ａはＣＰＵ１０に電気的に接続されており、ＣＰＵ１０からの制御（作動）信号によって連通口１５ａを開閉し得るように構成されている。
【００５６】
上記乾燥気体供給手段６は、乾燥室２内の中央部両側に配設されるガス供給ノズル１１Ａと、このガス供給ノズル１１Ａにガス供給管１８を介して接続する乾燥気体例えばＮ2ガスの供給源６ａと、ガス供給管１８に介設される第２の開閉弁Ｖ2とで主要部が構成されている。この場合、ガス供給管１８には、温度調整器６ｂが介設されており、この温度調整器６ｂによってホットＮ2ガスが生成されるようになっている。この温度調整器６ｂと第２の開閉弁Ｖ2は、ＣＰＵ１０からの制御（作動）信号によって作動し得るように構成されている。
【００５７】
なお、上記薬液供給手段３、リンス液供給手段４及び乾燥気体供給手段６やウエハボート５、容器カバー昇降機構８、シャッタ９等は、ＣＰＵ１０に予めプログラムされた記憶情報に基いて制御されるようになっている。
【００５８】
次に、上記洗浄・乾燥処理装置を用いたウエハＷの処理の手順の一例を簡単に説明する。まず、図示しないウエハ搬送手段によって搬送された複数例えば５０枚のウエハＷを、洗浄・乾燥処理装置の上方に上昇するウエハボート５に受け渡し、次いで、ウエハボート５が下降した後、容器カバー１６ｂが閉鎖してウエハＷを処理槽１内に収容する。処理槽１内にウエハＷを収容した状態において、最初に、ポンプ３ｂを作動させると共に、第１の開閉弁Ｖ1を開放し、切換開閉弁Ｖ0を薬液供給タンク３ａ側に切り換えて処理槽１内に収容されるウエハＷに薬液（ＤＨＦ）を供給（浸漬）し、ＤＨＦによりエッチング処理を施して、ウエハＷ表面の酸化膜を除去する。次に、ポンプ３ｂを停止すると共に、切換開閉弁Ｖ0を純水供給源４ａ側のみに切り換えて処理槽１内に収容されるウエハＷにリンス液（ＤＩＷ）を供給すると共に、外槽１ｂにオーバーフローさせながらウエハＷ表面を洗浄する。上記エッチング処理又はリンス処理中に、ウエハＷが保持溝２１から浮き上った場合は、ウエハＷは転倒防止溝２３によって転倒が防止される。
【００５９】
上記のようにして、ウエハＷ表面の酸化膜を除去するエッチング処理及びウエハＷ表面を洗浄するリンス処理を行った後、ウエハボート５を上昇させてウエハＷを処理槽１の上方の乾燥室２内に移動する。このとき、シャッタ９が閉鎖位置に移動して乾燥室２と処理槽１とが遮断されると共に、乾燥室２内が密閉される。この状態で、第２の開閉弁Ｖ2が開放すると共に、温度調整器６ｂが作動してＮ2ガス供給源６ａから乾燥室２内にホットＮ2ガスが供給されて、ウエハＷの乾燥が行われる。この乾燥工程では、ウエハＷと保持溝２１の接触面積が小さく、ウエハＷに付着する液が少ないので、ウエハＷ表面にウォーターマークが生じる虞がない。
【００６０】
上記のようにして乾燥処理を行った後、昇降機構８を作動させて、容器カバー１６ｂを上昇して、容器本体１６ａの搬入・搬出口１５を開放した後、ウエハボート５を上昇して、ウエハＷを乾燥室２の上方に搬出する。そして、図示しないウエハ搬送手段にウエハＷを受け渡して、次の処理部に搬送する。
【００６１】
＜第２実施形態＞
上記第１実施形態では、下側保持体２０が１本の場合について説明したが、下側保持体２０Ａを２本にしてもよい。すなわち、第２実施形態のウエハボート５Ａは、図９ないし図１１に示すように、ガイド部７と、このガイド部７に水平状態に固着された互いに平行な、ウエハＷの周縁の下端部を支持する２本の下側保持体２０Ａ，２０Ｂと、ウエハＷの周縁の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体３０とで主に構成されている。
【００６２】
この場合、２本の下側保持体２０Ａ，２０Ｂは、それぞれ各下側保持体２０Ａ，２０Ｂの長手方向に対して同一角度に傾斜する略Ｖ字状の保持溝２１を適宜間隔に５０箇所列設してなる。各保持溝２１は、下側保持体２０Ａ，２０Ｂの基端部側の第１の傾斜面４１と、下側保持体２０Ａ，２０Ｂの先端側の第２の傾斜面４２とで構成されている。
【００６３】
また、各下側保持体２０Ａ，２０Ｂの保持溝２１を構成する第１の傾斜面４１でウエハＷの一方の面例えば表面Ｗａを保持すると共に、保持溝２１を構成する第２の傾斜面４２でウエハＷの他方の面例えば裏面Ｗｂを保持している（図１１ないし図１３参照）。この場合、図１２に示すように、下側保持体２０Ａ，２０Ｂの保持溝２１に保持されるウエハＷの保持部すなわち表面側保持部４３ａと裏面側保持部４３ｂは、下側保持体２０の長手方向に沿う中心点Ｃ１に対して対称位置にある。
【００６４】
また、下側保持体２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０において、これら下側及び上側保持体２０Ａ，２０Ｂ，３０の保持溝２１，３１に保持されるウエハＷの保持部すなわち表面側保持部４３ａと裏面側保持部４３ｂは、ウエハＷの面中心点Ｃ０（図１０参照）に対して対称位置にある（図１１参照）。
【００６５】
更に、下側保持体２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０における保持溝２１，３１を有する保持面２２，３２は、下側保持体２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０によって保持されるウエハＷの面中心方向に対向している（図１０参照）。この場合、図１０では下側保持体２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０がウエハＷの面中心点Ｃ０から半径方向に延びる軸線Ｌに沿って配設されているが、図１０に二点鎖線で示すように、下側保持体２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０の保持面３２のみをウエハＷの面中心方向に対向して設け、下側保持体２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０自体を垂直状に配設してもよい。このように、下側保持体２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０自体を垂直状に配設することにより、下側保持体２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０に付着する処理液の液切れを良好にすることができる。
【００６６】
また、第１実施形態と同様に、下側保持体２０Ａは、親水性を有する部材、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）にて断面矩形状に形成されている。
【００６７】
なお、第２実施形態において、その他のウエハボート５Ａ以外の部分は第１実施形態と同じであるので、説明は省略する。
【００６８】
第２実施形態によれば、第１実施形態に比べてウエハＷの下端部を２本の下側保持体２０によって保持することができるので、更にウエハＷの保持の安定化を図ることができる。
【００６９】
＜その他の実施形態＞
（１）上記実施形態では、下側保持体２０及び上側傾斜保持体３０がウエハＷの表面を保持する第１の傾斜面４１と第２の傾斜面４２を有する溝傾斜保持体にて形成される場合について説明したが、下側保持体２０及び上側傾斜保持体３０のうちの少なくとも一つを溝傾斜保持体にて形成してもよい。この場合、好ましくは少なくとも下側保持体２０を溝傾斜保持体にて形成する方がよい。
【００７０】
なお、下側保持体２０を溝傾斜保持体にて形成した場合、上側保持体の保持溝は、通常のＶ字状保持溝としてもよい。このように上側保持体の保持溝をＶ字状溝とすることにより、ウエハＷの下部側端部をＶ字状溝で保持するので、ウエハＷの保持の安定性が高まる。
【００７１】
また、上側保持体の保持溝を上記Ｖ字状溝に代えてＹ字状溝にしてもよい。このように上側保持体の保持溝をＹ字状溝とすることにより、ウエハＷの保持の安定性が高まると共に、非接触であるため、液残りの影響を少なくすることができる。
【００７２】
（２）上記第１，第２実施形態では、下側保持体２０及び上側保持体３０において、各保持体２０，３０の保持溝２１，３１に保持されるウエハＷの保持部が、ウエハＷの面中心点に対して対称位置にある場合について説明したが、図１４（ａ）〜（ｄ）に示すように隣り合う保持体すなわち下側保持体２０Ａ，２０Ｂ同士又は下側保持体２０，２０Ａ，２０Ｂと上側保持体３０において両保持体２０，２０Ａ，２０Ｂ，３０に形成される保持溝２１，３１の傾斜角度を、隣り合う両保持体２０，２０Ａ，２０Ｂ，３０間の中心点Ｃ２に対して対称に形成してもよい。なお、この実施形態において、その他の部分は上記第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００７３】
（３）上記実施形態では、下側保持体２０，２０Ａ，２０Ｂが親水性を有する部材、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）にて形成され、上側保持体３０が疎水性を有する部材、例えばポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ），ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）又はペルフルオロアルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）にて形成される場合について説明したが、下側保持体２０，２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０を同じ材質の部材、例えば石英製部材にて形成してもよい。このように、下側保持体２０，２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０を同じ石英製部材にて形成することにより、下側保持体２０，２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０を同時に加工して保持溝２１，３１を形成することができるので、更に加工を容易にすることができると共に、下側保持体２０，２０Ａ，２０Ｂ及び上側保持体３０を共通化して部材の削減を図ることができる。
【００７４】
（４）また、上記実施形態では、この発明に係る液処理装置をウエハＷの洗浄・乾燥処理装置に適用した場合について説明したが、この発明に係る液処理装置は、ウエハＷを垂直状態に保持する搬送手段によって処理槽内の処理液に浸漬させてウエハＷに処理を施す液処理装置の全てに適用可能である。
【００７５】
（５）また、この発明に係る液処理装置は、被処理基板がウエハ以外の例えばＦＰＤ基板等についても同様に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】この発明に係る液処理装置を適用した洗浄・乾燥処理装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】この発明におけるウエハボートの第１実施形態を示す斜視図である。
【図３】第１実施形態のウエハボートによるウエハの保持状態を示す要部平面図である。
【図４】第１実施形態のウエハボートによるウエハの保持状態を示す平面図である。
【図５】図４のＩ部拡大平面図である。
【図６】図５の要部側面図である。
【図７】図５のII−II線に沿う断面図（ａ）及びIII−III線に沿う断面図（ｂ）である。
【図８】この発明における上側保持体の変形例を示す要部正面図である。
【図９】この発明におけるウエハボートの第２実施形態を示す斜視図である。
【図１０】第２実施形態のウエハボートによるウエハの保持状態を示す要部正面図である。
【図１１】第２実施形態のウエハボートによるウエハの保持状態を示す平面図である。
【図１２】図１１のIV部拡大平面図である。
【図１３】図１２のＶａ−Ｖａ，Ｖｂ−Ｖｂ線に沿う断面図（ａ）及びVIａ−VIａ，VIｂ−VIｂ線に沿う断面図（ｂ）である。
【図１４】この発明における下側保持体と上側保持体の保持溝の別の形態を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００７７】
Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板）
１ 処理槽
２ 乾燥室
３ 薬液供給手段
４ リンス液供給手段
５，５Ａ ウエハボート（搬送手段）
６ 乾燥気体供給手段
９ シャッタ
１０ ＣＰＵ（制御手段）
２０，２０Ａ，２０Ｂ 下側保持体
２１ 保持溝
２２ 保持面
３０ 上側保持体
３１ 保持溝
３２ 保持面
４１ 第１の傾斜面
４２ 第２の傾斜面
４３ａ 表面側保持部
４３ｂ 裏面側保持部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を複数の保持体で垂直に保持した状態で搬送する搬送手段を具備する基板処理装置において、
少なくとも一つの上記保持体は、該保持体の長手方向に対して所定角度に傾斜する略Ｖ字状の保持溝を形成してなり、
上記保持溝を構成する第１の傾斜面で被処理基板の一方の面を保持すると共に、保持溝を構成する第２の傾斜面で被処理基板の他方の面を保持する溝傾斜保持体である、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽を更に具備し、被処理基板を上記搬送手段の保持体によって保持した状態で処理槽内の処理液に浸漬させて被処理基板に処理を施すように形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の基板処理装置において、
上記搬送手段は、被処理基板の下端部を支持する下側保持体と、被処理基板の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体とを具備する、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３記載の基板処理装置において、
上記下側保持体が溝傾斜保持体にて形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項３記載の基板処理装置において、
上記下側保持体及び上側保持体が溝傾斜保持体にて形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１又は２記載に基板処理装置において、
隣り合う少なくとも二以上の保持体が溝傾斜保持体にて形成され、
上記隣り合う溝傾斜保持体に形成される保持溝の傾斜角度が両溝傾斜保持体間の中心点に対して対称である、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記溝傾斜保持体において、該保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、保持体の長手方向に沿う中心点に対して対称位置にある、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項５記載の基板処理装置において、
上記下側保持体及び上側保持体において、各溝傾斜保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、被処理基板の面中心点に対して対称位置にある、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項３，４，５，７又は８のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記下側保持体及び上側保持体における保持溝を有する保持面は、上記下側保持体及び上側保持体によって保持される被処理基板の面中心方向に対向してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記保持体は、複数枚の被処理基板を互いに並行に保持すべく複数の保持溝を適宜間隔に列設してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項３，４，５，７，８，９又は１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記下側保持体は親水性を有する部材にて形成され、上記上側保持体は疎水性を有する部材にて形成される、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
被処理基板を複数の保持体で垂直に保持した状態で搬送する搬送手段を具備する基板処理装置において、
少なくとも一つの上記保持体は、該保持体の長手方向に対して所定角度に傾斜する略Ｖ字状の保持溝を形成してなり、
上記保持溝を構成する第１の傾斜面で被処理基板の一方の面を保持すると共に、保持溝を構成する第２の傾斜面で被処理基板の他方の面を保持する溝傾斜保持体である、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽を更に具備し、被処理基板を上記搬送手段の保持体によって保持した状態で処理槽内の処理液に浸漬させて被処理基板に処理を施すように形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の基板処理装置において、
上記搬送手段は、被処理基板の下端部を支持する下側保持体と、被処理基板の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体とを具備する、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３記載の基板処理装置において、
上記下側保持体が溝傾斜保持体にて形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項３記載の基板処理装置において、
上記下側保持体及び上側保持体が溝傾斜保持体にて形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１又は２記載に基板処理装置において、
隣り合う少なくとも二以上の保持体が溝傾斜保持体にて形成され、
上記隣り合う溝傾斜保持体に形成される保持溝の傾斜角度が両溝傾斜保持体間の中心点に対して対称である、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記溝傾斜保持体において、該保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、保持体の長手方向に沿う中心点に対して対称位置にある、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項５記載の基板処理装置において、
上記下側保持体及び上側保持体において、各溝傾斜保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、被処理基板の面中心点に対して対称位置にある、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項３，４，５，７又は８のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記下側保持体及び上側保持体における保持溝を有する保持面は、上記下側保持体及び上側保持体によって保持される被処理基板の面中心方向に対向してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記保持体は、複数枚の被処理基板を互いに並行に保持すべく複数の保持溝を適宜間隔に列設してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項３，４，５，７，８，９又は１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記下側保持体は親水性を有する部材にて形成され、上記上側保持体は疎水性を有する部材にて形成される、ことを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１０−９８０１７（Ｐ２０１０−９８０１７Ａ）
【公開日】平成２２年４月３０日（２０１０．４．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２６５９００（Ｐ２００８−２６５９００）
【出願日】平成２０年１０月１５日（２００８．１０．１５）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月３０日（２０１０．４．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１０月１５日（２００８．１０．１５）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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