基板製造装置及び製造方法
【課題】連続的に基板を形成して生産性が向上させ、外気による汚染を防止する基板製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層111を供給する第1チャンバー200、第1チャンバー200から絶縁層111を受けるもので、絶縁層111の少なくとも一面に粗面を形成する粗面形成ロール310、粗面が形成された絶縁層111に金属層112を蒸着する蒸着器320、及び絶縁層111と金属層112を圧着する圧着ロール330を含む第2チャンバー300、及び第2チャンバー300から金属層112の形成された絶縁層111を引き出して受ける第3チャンバー400を含む。
【解決手段】絶縁層111を供給する第1チャンバー200、第1チャンバー200から絶縁層111を受けるもので、絶縁層111の少なくとも一面に粗面を形成する粗面形成ロール310、粗面が形成された絶縁層111に金属層112を蒸着する蒸着器320、及び絶縁層111と金属層112を圧着する圧着ロール330を含む第2チャンバー300、及び第2チャンバー300から金属層112の形成された絶縁層111を引き出して受ける第3チャンバー400を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板製造装置及び製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体チップの高密度化及び信号伝達速度の高速化に対応するための技術として、半導体チップを基板に直接実装する技術に対する要求が高くなっている。これにより、半導体チップの高密度化に対応することができる高密度及び高信頼性の基板の開発が要求されている。
【0003】
高密度及び高信頼性の基板に対する要求仕様は、半導体チップの仕様と密接に連関しており、回路の微細化、高度の電気特性、高速信号伝達構造、高信頼性、高機能性などの多くの課題がある。このような仕様に対応して微細回路パターン及びマイクロビアホールを形成することができる基板技術が要求されるにつれて、多くの研究が進んでいる。また、基板製造の生産性を向上させるために、基板を自動で製造する方法に対する研究が進んでいる。
【0004】
図1は、従来技術による基板製造装置10及び製造方法を説明する図である。以下、同図に基づいて従来技術による基板製造装置10及び製造方法を説明する。
【0005】
まず、絶縁層11と銅箔12を基板製造装置10に供給し、絶縁層11の両面に銅箔12を位置させる。
【0006】
ついで、基板製造装置10によって絶縁層11の両面に銅箔12を積層する。具体的に、基板製造装置10は、二つの加熱板14とプレス板15で構成され、プレス板15で加圧し加熱板14で加熱して銅箔12を絶縁層11に真空熱圧着する。
【0007】
更に、絶縁層11を冷却し、プレス板15及び加熱板14から分離して基板13を製造する。
【0008】
しかし、従来の基板製造装置10及び製造方法は、絶縁層11と銅箔12の供給、及び基板13の引出しをいずれも作業者が手作業で進めるため、不良発生率が高く、生産性が低い問題点があった。
【0009】
また、基板13が外部に露出された状態で基板13の製造工程を進めるため、外気によって絶縁層11が酸化するか、ほこりなどによって汚染される問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
したがって、本発明は、前記のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、基板を自動で連続的に製造して、不良発生率を低め、生産性を向上させる基板製造装置及び製造方法を提供することである。
【0011】
本発明の他の目的は、基板の製造工程中に外気を遮断して基板の汚染を防止する基板製造装置及び製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0012】
前記課題を達成するために、本発明の一面によれば、絶縁層を供給する第1チャンバー;前記第1チャンバーから前記絶縁層を受けるもので、前記絶縁層の少なくとも一面に粗面を形成する粗面形成ロール、前記粗面が形成された前記絶縁層に金属層を蒸着する蒸着器、及び前記絶縁層と前記金属層を圧着する圧着ロールを含む第2チャンバー;及び前記第2チャンバーから前記金属層の形成された前記絶縁層を引き出して受ける第3チャンバーを含む基板製造装置を提供する。
【0013】
前記第1チャンバー、前記第2チャンバー、及び前記第3チャンバーは、真空状態にあってもよく、前記第1チャンバー及び前記第3チャンバーは、真空の解除が可能であってもよい。
【0014】
前記第2チャンバーは、前記粗面形成ロールの前に設けられて前記絶縁層を加熱する第1加熱手段、及び前記粗面形成ロールの後に設けられて前記絶縁層を冷却させる第1冷却手段をさらに含むことが好ましい。
【0015】
前記第1加熱手段及び前記第1冷却手段は、ロールでなって前記絶縁層を連続的に移送させることが好ましい。
【0016】
前記第2チャンバーは、前記圧着ロールの前に設けられて前記絶縁層を加熱する第2加熱手段、及び前記圧着ロールの後に設けられて前記絶縁層を冷却させる第2冷却手段をさらに含むことが好ましい。
【0017】
前記第2加熱手段及び前記第2冷却手段は、ロールでなることができ、前記金属層の形成された前記絶縁層を連続的に移送させることが好ましい。
【0018】
前記蒸着器は、E−ビーム蒸着器(e−beam evaporator)であってもよい。
【0019】
前記絶縁層は、プリプレグであってもよく、前記金属層は銅であってもよい。
【0020】
前記基板製造装置は、前記絶縁層を前記第1チャンバー、前記粗面形成ロール、前記蒸着器、前記圧着ロール、及び前記第3チャンバーの順に連続的に移送させる駆動部をさらに含むことが好ましい。
【0021】
前記課題を達成するために、本発明の他の面によれば、(A)第1チャンバーから第2チャンバーに絶縁層を供給する段階;(B)前記第2チャンバーに供給された前記絶縁層の少なくとも一面に粗面を形成する段階;(C)前記粗面が形成された前記絶縁層に金属層を蒸着する段階;(D)前記金属層が蒸着された前記絶縁層を圧着する段階;及び(E)前記金属層が形成された前記絶縁層を第3チャンバーに引き出す段階を含む基板製造方法を提供する。
【0022】
前記第1チャンバー、前記第2チャンバー、及び前記第3チャンバーは、真空状態にあってもよい。
【0023】
前記(B)段階は、(B1)前記第2チャンバーに供給された前記絶縁層を加熱する段階;(B2)加熱された前記絶縁層に粗面を形成する段階;及び(B3)前記粗面が形成された前記絶縁層を冷却させる段階を含むことが好ましい。
【0024】
前記(D)段階は、(D1)前記金属層が蒸着された前記絶縁層を加熱する段階;(D2)加熱された前記絶縁層と前記金属層を圧着する段階;及び(D3)圧着された前記絶縁層及び前記金属層を冷却させる段階を含むことが好ましい。
【0025】
前記(C)段階で、E−ビーム蒸着器によって、前記絶縁層に前記金属層を蒸着することが好ましい。
【0026】
前記絶縁層は、プリプレグであってもよく、前記金属層は、銅であってもよい。
【0027】
本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以降の詳細な説明からより明らかになるであろう。
【0028】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に使用された用語や単語は、通常的で辞書的な意味に解釈されてはいけなく、発明者がその自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって、本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されなければならない。
【発明の効果】
【0029】
本発明による基板製造装置及び製造方法は、第2チャンバーの内部に粗面形成ロール、蒸着器、圧着ロールを備えて基板を連続的に製造することで、生産性が向上し、不良発生率が減少する利点がある。
【0030】
また、本発明によれば、第1チャンバー、第2チャンバー、及び第3チャンバーを真空状態で維持して基板と外気の接触を遮断することで、外気による汚染を防止する利点がある。
【0031】
そして、本発明によれば、金属層を蒸着方式で形成して金属層を薄く形成することができるので、回路パターンの厚さと線幅を減らすことが可能な利点がある。
【0032】
更に、本発明によれば、粗面形成ロールによって基板に粗面が形成されるので、絶縁層と金属層の結合が堅くなる利点がある。
【0033】
そして、本発明によれば、圧着ロールによって絶縁層と金属層が圧着されることで、絶縁層と金属層の結合が一層堅くなる利点がある。
【0034】
また、本発明によれば、粗面形成ロールの前後かつ圧着ロールの前後にそれぞれ加熱手段と冷却手段を備えることで、粗面の形成及び圧着を容易に進めることができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【図1】従来技術による基板製造装置及び製造方法を説明する図である。
【図2】本発明の好適な実施例による基板製造装置の断面図である。
【図3】本発明の好適な実施例による基板製造方法を説明する工程流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【0036】
本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は、添付図面を参照する以下の詳細な説明及び好適な実施例から一層明らかに理解可能であろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるにあたり、同じ構成要素がたとえ他の図面に図示されていても、できるだけ同じ符号を付けることにする。また、“第1”、“第2”などの用語は、多様な構成要素を説明するのに使用できるが、前記構成要素らは、前記用語に限定されてはいけない。前記用語は、ある構成要素を他の構成要素と区別する目的だけで使用される。また、本発明の説明において、関連の公知技術についての具体的な説明が、本発明の要旨を不要にあいまいにすることができると判断される場合、その詳細な説明は省略する。
【0037】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【0038】
(基板製造装置)
図2は、本発明の好適な実施例による基板製造装置100の断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による基板製造装置100について説明する。
【0039】
図2に示すように、本実施例による基板製造装置100は、第1チャンバー200、粗面形成ロール310、蒸着器320及び圧着ロール330を含む第2チャンバー300、及び第3チャンバー400を含んでなる。
【0040】
第1チャンバー200は、第2チャンバー300に絶縁層111を供給する部材である。
【0041】
ここで、第1チャンバー200は、真空を維持することができ、これにより、絶縁層111が外気によって酸化するかあるいは外気に存在するほこりなどに汚染されることを防止することができる。一方、第1チャンバー200内の絶縁層111がすべて供給されれば、第1チャンバー200の真空を解除し、第1チャンバー200内に絶縁層111を満たして入れることができる。
【0042】
第2チャンバー300は、第1チャンバー200から絶縁層111を受けて金属層112を形成し、第3チャンバー400に基板110を送り出す部材であり、内部に粗面形成ロール310、蒸着器320、及び圧着ロール330を含む。
【0043】
一方、第2チャンバー300は、第1チャンバー200と同様に、真空状態を維持することで外部からの異物浸入を防止することができる。
【0044】
粗面形成ロール310は、第1チャンバー200から移送された絶縁層111に粗面を形成する部材である。
【0045】
ここで、粗面形成ロール310は、表面に粗さが付与されたロールでなり、これにより絶縁層111に陰刻または陽刻状に転写することができる。この際、粗面形成ロール310によって絶縁層111に粗面が形成されるため、以後に金属層112と絶縁層111の結合が一層堅くなることができる。また、粗面形成ロール310は、ロール形状であるため、絶縁層111が連続的に粗面形成ロール310上で移送されて蒸着器320に移動させることができる。
【0046】
一方、粗面形成ロール310には、さらに第1加熱手段311と第1冷却手段312が設けられることができる。第1加熱手段311は、粗面形成ロール310の前に設けられ、絶縁層111に粗面を形成するのが容易になるように絶縁層111を加熱して半硬化状態にすることができる。また、第1冷却手段312は、粗面形成ロール310の後に設けられ、粗面の絶縁層111の温度を低めることで絶縁層111が硬化できるようにする。一方、第1加熱手段311と第1冷却手段312は、例えば粗面形成ロール310と同様に、ロール形状に構成されることにより絶縁層111を連続的に移送させることができる。
【0047】
蒸着器320は、粗面の形成された絶縁層111に金属層112を形成する部材である。
【0048】
ここで、蒸着器320は、例えばE−ビーム蒸着器(e−beam evaporator)を利用することができる。具体的に、金属が保管された金属ボートに電子ビームを照射して金属の蒸発を引き起こし、電子ビームによって蒸発した金属が絶縁層111の表面に蒸着することになる。この際、絶縁層111に粗面が形成された場合、金属層112の接合強度を高めることができる。
【0049】
一方、金属層112が蒸着によって形成されるため、プレスまたはメッキ方式による場合に比べ、薄金属層112の形成が可能であり、よって回路の微細化が可能である。
【0050】
圧着ロール330は、金属層112と金属層112の蒸着された絶縁層111とを圧着する部材である。
【0051】
ここで、圧着ロール330は、例えば二つのロールで構成され、二つのロール間に位置する金属層112と絶縁層111に圧力をかけて圧着することができる。また、圧着ロール330の前に第2加熱手段331を設けて絶縁層111を半硬化状態にし、圧着ロール330の後に第2冷却手段332を設けて絶縁層111をさらに硬化させることができる。この際、第2加熱手段331と第2冷却手段332によって圧着を容易に進めることが可能である。
【0052】
一方、第2加熱手段331と第2冷却手段332は、第1加熱手段311と第1冷却手段312と同様に、ロール形状に構成されて連続的に金属層112の形成された絶縁層111を移送させることができる。
【0053】
第3チャンバー400は、第2チャンバー300から基板110を引き出して保管する部材である。
【0054】
ここで、第3チャンバー400は、第1チャンバー200と同様に、真空状態を維持することができ、第3チャンバー400内の基板110を引き出すときに真空を解除することが可能である。
【0055】
一方、基板製造装置100は、絶縁層111を移送させる別の駆動部(図示せず)をさらに含むことができる。
【0056】
ここで、駆動部(図示せず)は、絶縁層111を第1チャンバー200、粗面形成ロール310、蒸着器320、圧着ロール330、及び第3チャンバー400の順に連続的に移送させることができる。
【0057】
基板110は、基板製造装置100によって製造される製品で、絶縁層111と金属層112からなる。
【0058】
ここで、絶縁層111は、一般的に使用されるABF(Ajinomoto Buildup Film)、FR−4、BT(Bismaleimide Triazine)などのエポキシ系樹脂などを利用することができ、好ましくはプリプレグを利用することができる。また、金属層112は、電気伝導性金属を利用することができ、好ましくは銅を利用することができる。
【0059】
一方、本実施例による基板110は、プリント基板などとなることができ、好ましくは絶縁層の片面または両面に銅箔が形成された銅張積層板(CCL)であることができる。
【0060】
一方、図2には、絶縁層111の片面にだけ金属層112を形成するものとして示したが、これに限定されず、絶縁層111の両面に金属層112を形成することも可能である。この場合には、粗面形成ロール310、蒸着器320、及び圧着ロール330が絶縁層111の両面に位置する。
【0061】
(基板製造方法)
図3は、本発明の好適な実施例による基板製造方法を説明する工程流れ図である。以下、同図に基づいて本発明の好適な実施例による基板製造方法を説明する。
【0062】
図3に示すように、基板製造方法は、絶縁層111を供給する段階(S100)、絶縁層111に粗面を形成し(S210)、金属層112を蒸着し(S220)、これを圧着し(S230)、金属層112を形成する段階(S200)、及び基板を引き出す段階(S300)からなる。
【0063】
まず、第2チャンバー300内に絶縁層111を供給する(S100)。
【0064】
この際、絶縁層111は、第1チャンバー200から引き出されて第2チャンバー300の内部に移送される。また、第1チャンバー200及び第2チャンバー300の内部は、真空状態を維持し、第1チャンバー200に絶縁層111を満たすときには、第1チャンバー200の真空を解除することができる。
【0065】
ついで、絶縁層111に粗面を形成する(S210)。
【0066】
この際、粗面形成ロール310を利用して絶縁層111に粗面を形成することができる。また、プラズマで絶縁層111を表面処理することにより、粗面を形成することができる。
【0067】
ただ、これに限定されるものではなく、絶縁層111と金属層112の接合強度を向上するように絶縁層111に粗面を形成する方法であればいずれも可能である。
【0068】
一方、絶縁層111に粗面を形成する前に、絶縁層111を加熱して半硬化状態にして粗面の形成を容易にすることができ、絶縁層111に粗面を形成した後には、絶縁層111を冷却させて再び硬化させることができる。
【0069】
ついで、粗面が形成された絶縁層111に、金属層112を蒸着する(S220)。
【0070】
この際、例えば、E−ビーム蒸着器のような蒸着器320を利用して、金属層112を粗面の形成された絶縁層111の表面に蒸着することができる。
【0071】
ついで、金属層112が蒸着された絶縁層111を圧着する(S230)。
【0072】
この際、金属層112と絶縁層111を圧着することで、相互間の接合力を一層向上させることができる。また、圧着する前に絶縁層111を加熱して圧着工程を容易に進め、圧着の後に絶縁層111を冷却させて絶縁層111の損傷を防止することができる。
【0073】
ついで、金属層112が形成された絶縁層111、つまり基板110を、第3チャンバー400に引き出す(S300)。
【0074】
この際、第2チャンバー300から基板110を引き出して第3チャンバー400に移送することができ、第3チャンバー400は、第1チャンバー200と同様に、基板110を引き出すときに真空を解除することが可能である。
【0075】
前記のような段階によって、本発明の好適な実施例による基板製造方法が完了する。
【0076】
一方、蒸着によって形成された金属層112をシード層とし、以後にメッキ工程などのような別の追加工程によってメッキ層をさらに成長させることができる。
【0077】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは、本発明を具体的に説明するためのもので、本発明による基板製造装置及び製造方法は、これに限定されなく、本発明の技術的思想内で当該分野の通常の知識を持った者によって、多様な変形及び改良が可能であろう。本発明の単純な変形ないし変更は、いずれも本発明の範疇内に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明らかに決まるであろう。
【産業上の利用可能性】
【0078】
本発明は、基板を自動で連続的に製造して、不良発生率を低め、生産性を向上させるとともに、基板の製造工程中に外気を遮断して基板の汚染を防止する基板製造装置及び製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【0079】
110 基板
111 絶縁層
112 金属層
200 第1チャンバー
300 第2チャンバー
310 粗面形成ロール
311 第1加熱手段
312 第1冷却手段
320 蒸着器
330 圧着ロール
331 第2加熱手段
332 第2冷却手段
400 第3チャンバー
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板製造装置及び製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体チップの高密度化及び信号伝達速度の高速化に対応するための技術として、半導体チップを基板に直接実装する技術に対する要求が高くなっている。これにより、半導体チップの高密度化に対応することができる高密度及び高信頼性の基板の開発が要求されている。
【0003】
高密度及び高信頼性の基板に対する要求仕様は、半導体チップの仕様と密接に連関しており、回路の微細化、高度の電気特性、高速信号伝達構造、高信頼性、高機能性などの多くの課題がある。このような仕様に対応して微細回路パターン及びマイクロビアホールを形成することができる基板技術が要求されるにつれて、多くの研究が進んでいる。また、基板製造の生産性を向上させるために、基板を自動で製造する方法に対する研究が進んでいる。
【0004】
図1は、従来技術による基板製造装置10及び製造方法を説明する図である。以下、同図に基づいて従来技術による基板製造装置10及び製造方法を説明する。
【0005】
まず、絶縁層11と銅箔12を基板製造装置10に供給し、絶縁層11の両面に銅箔12を位置させる。
【0006】
ついで、基板製造装置10によって絶縁層11の両面に銅箔12を積層する。具体的に、基板製造装置10は、二つの加熱板14とプレス板15で構成され、プレス板15で加圧し加熱板14で加熱して銅箔12を絶縁層11に真空熱圧着する。
【0007】
更に、絶縁層11を冷却し、プレス板15及び加熱板14から分離して基板13を製造する。
【0008】
しかし、従来の基板製造装置10及び製造方法は、絶縁層11と銅箔12の供給、及び基板13の引出しをいずれも作業者が手作業で進めるため、不良発生率が高く、生産性が低い問題点があった。
【0009】
また、基板13が外部に露出された状態で基板13の製造工程を進めるため、外気によって絶縁層11が酸化するか、ほこりなどによって汚染される問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
したがって、本発明は、前記のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、基板を自動で連続的に製造して、不良発生率を低め、生産性を向上させる基板製造装置及び製造方法を提供することである。
【0011】
本発明の他の目的は、基板の製造工程中に外気を遮断して基板の汚染を防止する基板製造装置及び製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0012】
前記課題を達成するために、本発明の一面によれば、絶縁層を供給する第1チャンバー;前記第1チャンバーから前記絶縁層を受けるもので、前記絶縁層の少なくとも一面に粗面を形成する粗面形成ロール、前記粗面が形成された前記絶縁層に金属層を蒸着する蒸着器、及び前記絶縁層と前記金属層を圧着する圧着ロールを含む第2チャンバー;及び前記第2チャンバーから前記金属層の形成された前記絶縁層を引き出して受ける第3チャンバーを含む基板製造装置を提供する。
【0013】
前記第1チャンバー、前記第2チャンバー、及び前記第3チャンバーは、真空状態にあってもよく、前記第1チャンバー及び前記第3チャンバーは、真空の解除が可能であってもよい。
【0014】
前記第2チャンバーは、前記粗面形成ロールの前に設けられて前記絶縁層を加熱する第1加熱手段、及び前記粗面形成ロールの後に設けられて前記絶縁層を冷却させる第1冷却手段をさらに含むことが好ましい。
【0015】
前記第1加熱手段及び前記第1冷却手段は、ロールでなって前記絶縁層を連続的に移送させることが好ましい。
【0016】
前記第2チャンバーは、前記圧着ロールの前に設けられて前記絶縁層を加熱する第2加熱手段、及び前記圧着ロールの後に設けられて前記絶縁層を冷却させる第2冷却手段をさらに含むことが好ましい。
【0017】
前記第2加熱手段及び前記第2冷却手段は、ロールでなることができ、前記金属層の形成された前記絶縁層を連続的に移送させることが好ましい。
【0018】
前記蒸着器は、E−ビーム蒸着器(e−beam evaporator)であってもよい。
【0019】
前記絶縁層は、プリプレグであってもよく、前記金属層は銅であってもよい。
【0020】
前記基板製造装置は、前記絶縁層を前記第1チャンバー、前記粗面形成ロール、前記蒸着器、前記圧着ロール、及び前記第3チャンバーの順に連続的に移送させる駆動部をさらに含むことが好ましい。
【0021】
前記課題を達成するために、本発明の他の面によれば、(A)第1チャンバーから第2チャンバーに絶縁層を供給する段階;(B)前記第2チャンバーに供給された前記絶縁層の少なくとも一面に粗面を形成する段階;(C)前記粗面が形成された前記絶縁層に金属層を蒸着する段階;(D)前記金属層が蒸着された前記絶縁層を圧着する段階;及び(E)前記金属層が形成された前記絶縁層を第3チャンバーに引き出す段階を含む基板製造方法を提供する。
【0022】
前記第1チャンバー、前記第2チャンバー、及び前記第3チャンバーは、真空状態にあってもよい。
【0023】
前記(B)段階は、(B1)前記第2チャンバーに供給された前記絶縁層を加熱する段階;(B2)加熱された前記絶縁層に粗面を形成する段階;及び(B3)前記粗面が形成された前記絶縁層を冷却させる段階を含むことが好ましい。
【0024】
前記(D)段階は、(D1)前記金属層が蒸着された前記絶縁層を加熱する段階;(D2)加熱された前記絶縁層と前記金属層を圧着する段階;及び(D3)圧着された前記絶縁層及び前記金属層を冷却させる段階を含むことが好ましい。
【0025】
前記(C)段階で、E−ビーム蒸着器によって、前記絶縁層に前記金属層を蒸着することが好ましい。
【0026】
前記絶縁層は、プリプレグであってもよく、前記金属層は、銅であってもよい。
【0027】
本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以降の詳細な説明からより明らかになるであろう。
【0028】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に使用された用語や単語は、通常的で辞書的な意味に解釈されてはいけなく、発明者がその自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって、本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されなければならない。
【発明の効果】
【0029】
本発明による基板製造装置及び製造方法は、第2チャンバーの内部に粗面形成ロール、蒸着器、圧着ロールを備えて基板を連続的に製造することで、生産性が向上し、不良発生率が減少する利点がある。
【0030】
また、本発明によれば、第1チャンバー、第2チャンバー、及び第3チャンバーを真空状態で維持して基板と外気の接触を遮断することで、外気による汚染を防止する利点がある。
【0031】
そして、本発明によれば、金属層を蒸着方式で形成して金属層を薄く形成することができるので、回路パターンの厚さと線幅を減らすことが可能な利点がある。
【0032】
更に、本発明によれば、粗面形成ロールによって基板に粗面が形成されるので、絶縁層と金属層の結合が堅くなる利点がある。
【0033】
そして、本発明によれば、圧着ロールによって絶縁層と金属層が圧着されることで、絶縁層と金属層の結合が一層堅くなる利点がある。
【0034】
また、本発明によれば、粗面形成ロールの前後かつ圧着ロールの前後にそれぞれ加熱手段と冷却手段を備えることで、粗面の形成及び圧着を容易に進めることができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【図1】従来技術による基板製造装置及び製造方法を説明する図である。
【図2】本発明の好適な実施例による基板製造装置の断面図である。
【図3】本発明の好適な実施例による基板製造方法を説明する工程流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【0036】
本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は、添付図面を参照する以下の詳細な説明及び好適な実施例から一層明らかに理解可能であろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるにあたり、同じ構成要素がたとえ他の図面に図示されていても、できるだけ同じ符号を付けることにする。また、“第1”、“第2”などの用語は、多様な構成要素を説明するのに使用できるが、前記構成要素らは、前記用語に限定されてはいけない。前記用語は、ある構成要素を他の構成要素と区別する目的だけで使用される。また、本発明の説明において、関連の公知技術についての具体的な説明が、本発明の要旨を不要にあいまいにすることができると判断される場合、その詳細な説明は省略する。
【0037】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【0038】
(基板製造装置)
図2は、本発明の好適な実施例による基板製造装置100の断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による基板製造装置100について説明する。
【0039】
図2に示すように、本実施例による基板製造装置100は、第1チャンバー200、粗面形成ロール310、蒸着器320及び圧着ロール330を含む第2チャンバー300、及び第3チャンバー400を含んでなる。
【0040】
第1チャンバー200は、第2チャンバー300に絶縁層111を供給する部材である。
【0041】
ここで、第1チャンバー200は、真空を維持することができ、これにより、絶縁層111が外気によって酸化するかあるいは外気に存在するほこりなどに汚染されることを防止することができる。一方、第1チャンバー200内の絶縁層111がすべて供給されれば、第1チャンバー200の真空を解除し、第1チャンバー200内に絶縁層111を満たして入れることができる。
【0042】
第2チャンバー300は、第1チャンバー200から絶縁層111を受けて金属層112を形成し、第3チャンバー400に基板110を送り出す部材であり、内部に粗面形成ロール310、蒸着器320、及び圧着ロール330を含む。
【0043】
一方、第2チャンバー300は、第1チャンバー200と同様に、真空状態を維持することで外部からの異物浸入を防止することができる。
【0044】
粗面形成ロール310は、第1チャンバー200から移送された絶縁層111に粗面を形成する部材である。
【0045】
ここで、粗面形成ロール310は、表面に粗さが付与されたロールでなり、これにより絶縁層111に陰刻または陽刻状に転写することができる。この際、粗面形成ロール310によって絶縁層111に粗面が形成されるため、以後に金属層112と絶縁層111の結合が一層堅くなることができる。また、粗面形成ロール310は、ロール形状であるため、絶縁層111が連続的に粗面形成ロール310上で移送されて蒸着器320に移動させることができる。
【0046】
一方、粗面形成ロール310には、さらに第1加熱手段311と第1冷却手段312が設けられることができる。第1加熱手段311は、粗面形成ロール310の前に設けられ、絶縁層111に粗面を形成するのが容易になるように絶縁層111を加熱して半硬化状態にすることができる。また、第1冷却手段312は、粗面形成ロール310の後に設けられ、粗面の絶縁層111の温度を低めることで絶縁層111が硬化できるようにする。一方、第1加熱手段311と第1冷却手段312は、例えば粗面形成ロール310と同様に、ロール形状に構成されることにより絶縁層111を連続的に移送させることができる。
【0047】
蒸着器320は、粗面の形成された絶縁層111に金属層112を形成する部材である。
【0048】
ここで、蒸着器320は、例えばE−ビーム蒸着器(e−beam evaporator)を利用することができる。具体的に、金属が保管された金属ボートに電子ビームを照射して金属の蒸発を引き起こし、電子ビームによって蒸発した金属が絶縁層111の表面に蒸着することになる。この際、絶縁層111に粗面が形成された場合、金属層112の接合強度を高めることができる。
【0049】
一方、金属層112が蒸着によって形成されるため、プレスまたはメッキ方式による場合に比べ、薄金属層112の形成が可能であり、よって回路の微細化が可能である。
【0050】
圧着ロール330は、金属層112と金属層112の蒸着された絶縁層111とを圧着する部材である。
【0051】
ここで、圧着ロール330は、例えば二つのロールで構成され、二つのロール間に位置する金属層112と絶縁層111に圧力をかけて圧着することができる。また、圧着ロール330の前に第2加熱手段331を設けて絶縁層111を半硬化状態にし、圧着ロール330の後に第2冷却手段332を設けて絶縁層111をさらに硬化させることができる。この際、第2加熱手段331と第2冷却手段332によって圧着を容易に進めることが可能である。
【0052】
一方、第2加熱手段331と第2冷却手段332は、第1加熱手段311と第1冷却手段312と同様に、ロール形状に構成されて連続的に金属層112の形成された絶縁層111を移送させることができる。
【0053】
第3チャンバー400は、第2チャンバー300から基板110を引き出して保管する部材である。
【0054】
ここで、第3チャンバー400は、第1チャンバー200と同様に、真空状態を維持することができ、第3チャンバー400内の基板110を引き出すときに真空を解除することが可能である。
【0055】
一方、基板製造装置100は、絶縁層111を移送させる別の駆動部(図示せず)をさらに含むことができる。
【0056】
ここで、駆動部(図示せず)は、絶縁層111を第1チャンバー200、粗面形成ロール310、蒸着器320、圧着ロール330、及び第3チャンバー400の順に連続的に移送させることができる。
【0057】
基板110は、基板製造装置100によって製造される製品で、絶縁層111と金属層112からなる。
【0058】
ここで、絶縁層111は、一般的に使用されるABF(Ajinomoto Buildup Film)、FR−4、BT(Bismaleimide Triazine)などのエポキシ系樹脂などを利用することができ、好ましくはプリプレグを利用することができる。また、金属層112は、電気伝導性金属を利用することができ、好ましくは銅を利用することができる。
【0059】
一方、本実施例による基板110は、プリント基板などとなることができ、好ましくは絶縁層の片面または両面に銅箔が形成された銅張積層板(CCL)であることができる。
【0060】
一方、図2には、絶縁層111の片面にだけ金属層112を形成するものとして示したが、これに限定されず、絶縁層111の両面に金属層112を形成することも可能である。この場合には、粗面形成ロール310、蒸着器320、及び圧着ロール330が絶縁層111の両面に位置する。
【0061】
(基板製造方法)
図3は、本発明の好適な実施例による基板製造方法を説明する工程流れ図である。以下、同図に基づいて本発明の好適な実施例による基板製造方法を説明する。
【0062】
図3に示すように、基板製造方法は、絶縁層111を供給する段階(S100)、絶縁層111に粗面を形成し(S210)、金属層112を蒸着し(S220)、これを圧着し(S230)、金属層112を形成する段階(S200)、及び基板を引き出す段階(S300)からなる。
【0063】
まず、第2チャンバー300内に絶縁層111を供給する(S100)。
【0064】
この際、絶縁層111は、第1チャンバー200から引き出されて第2チャンバー300の内部に移送される。また、第1チャンバー200及び第2チャンバー300の内部は、真空状態を維持し、第1チャンバー200に絶縁層111を満たすときには、第1チャンバー200の真空を解除することができる。
【0065】
ついで、絶縁層111に粗面を形成する(S210)。
【0066】
この際、粗面形成ロール310を利用して絶縁層111に粗面を形成することができる。また、プラズマで絶縁層111を表面処理することにより、粗面を形成することができる。
【0067】
ただ、これに限定されるものではなく、絶縁層111と金属層112の接合強度を向上するように絶縁層111に粗面を形成する方法であればいずれも可能である。
【0068】
一方、絶縁層111に粗面を形成する前に、絶縁層111を加熱して半硬化状態にして粗面の形成を容易にすることができ、絶縁層111に粗面を形成した後には、絶縁層111を冷却させて再び硬化させることができる。
【0069】
ついで、粗面が形成された絶縁層111に、金属層112を蒸着する(S220)。
【0070】
この際、例えば、E−ビーム蒸着器のような蒸着器320を利用して、金属層112を粗面の形成された絶縁層111の表面に蒸着することができる。
【0071】
ついで、金属層112が蒸着された絶縁層111を圧着する(S230)。
【0072】
この際、金属層112と絶縁層111を圧着することで、相互間の接合力を一層向上させることができる。また、圧着する前に絶縁層111を加熱して圧着工程を容易に進め、圧着の後に絶縁層111を冷却させて絶縁層111の損傷を防止することができる。
【0073】
ついで、金属層112が形成された絶縁層111、つまり基板110を、第3チャンバー400に引き出す(S300)。
【0074】
この際、第2チャンバー300から基板110を引き出して第3チャンバー400に移送することができ、第3チャンバー400は、第1チャンバー200と同様に、基板110を引き出すときに真空を解除することが可能である。
【0075】
前記のような段階によって、本発明の好適な実施例による基板製造方法が完了する。
【0076】
一方、蒸着によって形成された金属層112をシード層とし、以後にメッキ工程などのような別の追加工程によってメッキ層をさらに成長させることができる。
【0077】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは、本発明を具体的に説明するためのもので、本発明による基板製造装置及び製造方法は、これに限定されなく、本発明の技術的思想内で当該分野の通常の知識を持った者によって、多様な変形及び改良が可能であろう。本発明の単純な変形ないし変更は、いずれも本発明の範疇内に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明らかに決まるであろう。
【産業上の利用可能性】
【0078】
本発明は、基板を自動で連続的に製造して、不良発生率を低め、生産性を向上させるとともに、基板の製造工程中に外気を遮断して基板の汚染を防止する基板製造装置及び製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【0079】
110 基板
111 絶縁層
112 金属層
200 第1チャンバー
300 第2チャンバー
310 粗面形成ロール
311 第1加熱手段
312 第1冷却手段
320 蒸着器
330 圧着ロール
331 第2加熱手段
332 第2冷却手段
400 第3チャンバー
【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁層を供給する第1チャンバー;
前記第1チャンバーから前記絶縁層を受けるもので、前記絶縁層の少なくとも一面に粗面を形成する粗面形成ロール、前記粗面が形成された前記絶縁層に金属層を蒸着する蒸着器、及び前記絶縁層と前記金属層を圧着する圧着ロールを含む第2チャンバー;及び
前記第2チャンバーから前記金属層の形成された前記絶縁層を引き出して受ける第3チャンバー;
を含むことを特徴とする基板製造装置。
【請求項2】
前記第1チャンバー、前記第2チャンバー、及び前記第3チャンバーが、真空状態にあり、前記第1チャンバー及び前記第3チャンバーが、真空の解除が可能であることを特徴とする請求項1に記載の基板製造装置。
【請求項3】
前記第2チャンバーが、前記粗面形成ロールの前に設けられて前記絶縁層を加熱する第1加熱手段、及び前記粗面形成ロールの後に設けられて前記絶縁層を冷却させる第1冷却手段をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板製造装置。
【請求項4】
前記第1加熱手段及び前記第1冷却手段が、ロールでなって前記絶縁層を連続的に移送させることを特徴とする請求項3に記載の基板製造装置。
【請求項5】
前記第2チャンバーが、前記圧着ロールの前に設けられて前記絶縁層を加熱する第2加熱手段、及び前記圧着ロールの後に設けられて前記絶縁層を冷却させる第2冷却手段をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板製造装置。
【請求項6】
前記第2加熱手段及び前記第2冷却手段が、ロールでなり、前記金属層の形成された前記絶縁層を連続的に移送させることを特徴とする請求項5に記載の基板製造装置。
【請求項7】
前記蒸着器が、E−ビーム蒸着器(e−beam evaporator)であることを特徴とする請求項1に記載の基板製造装置。
【請求項8】
前記絶縁層が、プリプレグであり、前記金属層が、銅であることを特徴とする請求項1に記載の基板製造装置。
【請求項9】
前記絶縁層を、前記第1チャンバー、前記粗面形成ロール、前記蒸着器、前記圧着ロール、及び前記第3チャンバーの順に連続的に移送させる駆動部をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板製造装置。
【請求項10】
(A)第1チャンバーから第2チャンバーに絶縁層を供給する段階;
(B)前記第2チャンバーに供給された前記絶縁層の少なくとも一面に粗面を形成する段階;
(C)前記粗面が形成された前記絶縁層に金属層を蒸着する段階;
(D)前記金属層が蒸着された前記絶縁層を圧着する段階;及び
(E)前記金属層が形成された前記絶縁層を第3チャンバーに引き出す段階;
を含むことを特徴とする基板製造方法。
【請求項11】
前記第1チャンバー、前記第2チャンバー、及び前記第3チャンバーが、真空状態にあることを特徴とする請求項10に記載の基板製造方法。
【請求項12】
前記(B)段階が、
(B1)前記第2チャンバーに供給された前記絶縁層を加熱する段階;
(B2)加熱された前記絶縁層に粗面を形成する段階;及び
(B3)前記粗面が形成された前記絶縁層を冷却させる段階;
を含むことを特徴とする請求項10に記載の基板製造方法。
【請求項13】
前記(D)段階が、
(D1)前記金属層が蒸着された前記絶縁層を加熱する段階;
(D2)加熱された前記絶縁層と前記金属層を圧着する段階;及び
(D3)圧着された前記絶縁層及び前記金属層を冷却させる段階;
を含むことを特徴とする請求項10に記載の基板製造方法。
【請求項14】
前記(C)段階で、E−ビーム蒸着器によって、前記絶縁層に前記金属層を蒸着することを特徴とする請求項10に記載の基板製造方法。
【請求項15】
前記絶縁層が、プリプレグであり、前記金属層が、銅であることを特徴とする請求項10に記載の基板製造方法。
【請求項1】
絶縁層を供給する第1チャンバー;
前記第1チャンバーから前記絶縁層を受けるもので、前記絶縁層の少なくとも一面に粗面を形成する粗面形成ロール、前記粗面が形成された前記絶縁層に金属層を蒸着する蒸着器、及び前記絶縁層と前記金属層を圧着する圧着ロールを含む第2チャンバー;及び
前記第2チャンバーから前記金属層の形成された前記絶縁層を引き出して受ける第3チャンバー;
を含むことを特徴とする基板製造装置。
【請求項2】
前記第1チャンバー、前記第2チャンバー、及び前記第3チャンバーが、真空状態にあり、前記第1チャンバー及び前記第3チャンバーが、真空の解除が可能であることを特徴とする請求項1に記載の基板製造装置。
【請求項3】
前記第2チャンバーが、前記粗面形成ロールの前に設けられて前記絶縁層を加熱する第1加熱手段、及び前記粗面形成ロールの後に設けられて前記絶縁層を冷却させる第1冷却手段をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板製造装置。
【請求項4】
前記第1加熱手段及び前記第1冷却手段が、ロールでなって前記絶縁層を連続的に移送させることを特徴とする請求項3に記載の基板製造装置。
【請求項5】
前記第2チャンバーが、前記圧着ロールの前に設けられて前記絶縁層を加熱する第2加熱手段、及び前記圧着ロールの後に設けられて前記絶縁層を冷却させる第2冷却手段をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板製造装置。
【請求項6】
前記第2加熱手段及び前記第2冷却手段が、ロールでなり、前記金属層の形成された前記絶縁層を連続的に移送させることを特徴とする請求項5に記載の基板製造装置。
【請求項7】
前記蒸着器が、E−ビーム蒸着器(e−beam evaporator)であることを特徴とする請求項1に記載の基板製造装置。
【請求項8】
前記絶縁層が、プリプレグであり、前記金属層が、銅であることを特徴とする請求項1に記載の基板製造装置。
【請求項9】
前記絶縁層を、前記第1チャンバー、前記粗面形成ロール、前記蒸着器、前記圧着ロール、及び前記第3チャンバーの順に連続的に移送させる駆動部をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板製造装置。
【請求項10】
(A)第1チャンバーから第2チャンバーに絶縁層を供給する段階;
(B)前記第2チャンバーに供給された前記絶縁層の少なくとも一面に粗面を形成する段階;
(C)前記粗面が形成された前記絶縁層に金属層を蒸着する段階;
(D)前記金属層が蒸着された前記絶縁層を圧着する段階;及び
(E)前記金属層が形成された前記絶縁層を第3チャンバーに引き出す段階;
を含むことを特徴とする基板製造方法。
【請求項11】
前記第1チャンバー、前記第2チャンバー、及び前記第3チャンバーが、真空状態にあることを特徴とする請求項10に記載の基板製造方法。
【請求項12】
前記(B)段階が、
(B1)前記第2チャンバーに供給された前記絶縁層を加熱する段階;
(B2)加熱された前記絶縁層に粗面を形成する段階;及び
(B3)前記粗面が形成された前記絶縁層を冷却させる段階;
を含むことを特徴とする請求項10に記載の基板製造方法。
【請求項13】
前記(D)段階が、
(D1)前記金属層が蒸着された前記絶縁層を加熱する段階;
(D2)加熱された前記絶縁層と前記金属層を圧着する段階;及び
(D3)圧着された前記絶縁層及び前記金属層を冷却させる段階;
を含むことを特徴とする請求項10に記載の基板製造方法。
【請求項14】
前記(C)段階で、E−ビーム蒸着器によって、前記絶縁層に前記金属層を蒸着することを特徴とする請求項10に記載の基板製造方法。
【請求項15】
前記絶縁層が、プリプレグであり、前記金属層が、銅であることを特徴とする請求項10に記載の基板製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図2】
【図3】
【公開番号】特開2011−166098(P2011−166098A)
【公開日】平成23年8月25日(2011.8.25)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−97556(P2010−97556)
【出願日】平成22年4月21日(2010.4.21)
【出願人】(594023722)サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. (1,585)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年8月25日(2011.8.25)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年4月21日(2010.4.21)
【出願人】(594023722)サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. (1,585)
【Fターム(参考)】
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