弾性波素子とこれを用いた電子機器
【課題】ＩＤＴ電極を覆うように絶縁体を圧電基板上に形成する弾性波素子において、メッキ液による内部電極の断線を抑制すること。
【解決手段】本発明の弾性波素子１は、内部電極４と側壁５との間に設けられかつ側壁５の外側に突出すると共に内部電極４よりもメッキ液溶解性の低い材質からなる腐食防止層１５を備える。この腐食防止層１５により、たとえ側壁５と内部電極４との間に隙間が生じ、側壁５と内部電極４との境界部分に電極下地層９が十分に付着しなくとも、内部電極４と側壁５との間の腐食防止層１５により、電解メッキ処理工程における内部電極４の腐食を抑制することができる。
【解決手段】本発明の弾性波素子１は、内部電極４と側壁５との間に設けられかつ側壁５の外側に突出すると共に内部電極４よりもメッキ液溶解性の低い材質からなる腐食防止層１５を備える。この腐食防止層１５により、たとえ側壁５と内部電極４との間に隙間が生じ、側壁５と内部電極４との境界部分に電極下地層９が十分に付着しなくとも、内部電極４と側壁５との間の腐食防止層１５により、電解メッキ処理工程における内部電極４の腐食を抑制することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波素子とこれを用いた携帯電話等の電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来の弾性波素子について図７を用いて説明する。図７は、従来の弾性波素子の断面模式図である。
【０００３】
図７において、従来の弾性波素子１０１として、圧電基板１０２と、この圧電基板１０２の上に設けられたＩＤＴ電極１０３とを備え、このＩＤＴ電極１０３を外部から保護すべく、ＩＤＴ電極１０３を覆うように絶縁体１１０を圧電基板１０２上に形成するチップサイズパッケージ素子が知られている。
【０００４】
この従来の弾性波素子１０１は、圧電基板１０２の上に設けられると共にＩＤＴ電極１０３に電気的に接続された例えばアルミニウムからなる内部電極１０４と、内部電極１０４の上であってＩＤＴ電極１０３の周囲に設けられた側壁１０５と、この側壁１０５の上に接着層１０６を介してＩＤＴ電極１０３上の空間１０８を覆うように設けられた蓋体１０７と、内部電極１０４の上であって空間１０８及び側壁１０５の外側に設けられた例えば銅からなる電極下地層１０９と、この電極下地層１０９の上に絶縁体１１０を貫通するように設けられて外部電極１１１とＩＤＴ電極１０３とを電気的に接続する接続電極１１２とを備える。
【０００５】
尚、この出願に関する先行文献として、例えば特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００６／１０６８３１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記従来の弾性波素子１０１における接続電極１１２の形成方法として、メッキの下地層となる金属薄膜からなる電極下地層１０９をスパッタにより形成し、その後に電極下地層１０９に通電しながら電解メッキ工程により接続電極１１２を柱状に形成する方法が知られている。
【０００８】
この電極下地層１０９をスパッタにより形成する際、側壁１０５と内部電極１０４との間に剥離による隙間が生じていた場合、側壁１０５と内部電極１０４との境界部分に電極下地層１０９が十分に付着しないという問題が生じる。
【０００９】
これにより、側壁１０５と内部電極１０４と境界部において、内部電極１０４が電極下地層１０９から露出し、その後の上記電解メッキ処理工程におけるメッキ液によって内部電極１０４が腐食される。その結果、内部電極１０４の断線が生じて歩留まりが悪くなるという問題があった。
【００１０】
そこで、本発明は、メッキ液による内部電極の断線を抑制することによって歩留まり率を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の弾性波素子は、内部電極と側壁との間に設けられかつ側壁の外側に突出すると共に内部電極よりもメッキ液溶解性の低い材質からなる腐食防止層を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように本発明の弾性波素子は、たとえ側壁と内部電極との間に隙間が生じ、側壁と内部電極との境界部分に電極下地層が十分に付着しなくとも、内部電極と側壁との間の腐食防止層により、電解メッキ工程における内部電極の腐食を抑制することができる。その結果、内部電極の断線を抑制し、歩留まり率を向上することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１における弾性波素子の断面模式図
【図２】（ａ）〜（ｃ）は同弾性波素子の製造工程の説明図
【図３】（ｄ）〜（ｆ）は同弾性波素子の製造工程の説明図
【図４】（ｇ）〜（ｊ）は同弾性波素子の製造工程の説明図
【図５】同弾性波素子を適用した弾性波フィルタの絶縁体等を省略した上面模式図
【図６】同弾性波素子を適用した弾性波フィルタの絶縁体等を省略した上面模式図
【図７】従来の弾性波素子の断面模式図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における弾性波素子について図面を参照しながら説明する。
【００１５】
図１は本発明の実施の形態１における弾性波素子１の断面模式図である。
【００１６】
図１において、弾性波素子１は、圧電基板２と、この圧電基板２の上面（圧電基板２の主面）に設けられたＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極３とを備え、このＩＤＴ電極３を外部から保護すべく、ＩＤＴ電極３を覆うように絶縁体１０を圧電基板２上に形成するチップサイズパッケージ素子である。
【００１７】
この弾性波素子１は、圧電基板２の上に設けられると共にＩＤＴ電極３に電気的に接続された内部電極４と、内部電極４の上であってＩＤＴ電極３の周囲に設けられた側壁５と、この側壁５の上に接着層６を介してＩＤＴ電極３上の空間８を覆うように設けられた蓋体７とを備える。
【００１８】
さらに、弾性波素子１は、内部電極４の上であって空間８から見て側壁５の外側に設けられた電極下地層９と、この電極下地層９の上に絶縁体１０を貫通するように設けられて外部電極１１とＩＤＴ電極３とを電気的に接続する接続電極１２とを備える。
【００１９】
また、弾性波素子１は、蓋体７の機械的強度を向上すべく、蓋体７の上に蓋体下地層１３を介して設けられた蓋体補強層１４も備える。
【００２０】
さらにまた、弾性波素子１は、内部電極４と側壁５との間に設けられかつ側壁５の外側に突出すると共に内部電極４よりもメッキ液溶解性の低い材質からなる腐食防止層１５を備える。
【００２１】
以下、弾性波素子１の各構成について詳述する。
【００２２】
圧電基板２は、板厚１００〜３５０μｍ程度の単結晶圧電体からなり、例えば、水晶、タンタル酸リチウム系、ニオブ酸リチウム系、又はニオブ酸カリウム系の基板である。
【００２３】
ＩＤＴ電極３は、膜厚０．１〜０．５μｍ程度の櫛形電極であり、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、モリブデンの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成である。
【００２４】
内部電極４は、ＩＤＴ電極３と外部電極１１とを電気的に接続する導体であり、例えば、アルミニウム、銅、銀からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成である。
【００２５】
側壁５は、ＩＤＴ電極３の周囲の少なくとも一部を囲む高さが５〜１５μｍ程度の側壁で、例えば、絶縁体からなり、所定の形状に加工することが容易なことから樹脂を用いることが好ましく、さらに、感光性樹脂を用いることで圧電基板２上に複数個の弾性波素子を作るための側壁５を精度良く所望の形状に形成することが可能である。感光性樹脂としては、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、感光性アクリレート樹脂等、感光性を有する樹脂材料であれば様々な材料を用いることが可能である。感光性ポリイミド樹脂はガラス転移点が高く、高温環境下での信頼性が高いため、側壁５として特に好ましい。
【００２６】
接着層６は、厚みが１〜１０μｍ程度の接着剤からなり、例えば、エポキシ系、ポリフェニレン系、若しくはブタジエン系の樹脂、またはこれらの混合樹脂からなる。この接着層６は、単位面積当たりの絶縁体１０に対する接着力が側壁５より大きい材料で構成される。
【００２７】
蓋体７は、接着層６を介して側壁５の上部に接着されることにより保持された厚みが１〜１０μｍ程度の天板であり、圧電基板２および側壁５とともにＩＤＴ電極３を収容している。この蓋体７には、金属を用いると機械的強度に優れ、かつ導電性を有することにより蓋体７の電位を制御することが可能となる点で好ましく、さらに銅を用いると単結晶の圧電基板２と線膨張係数が略等しい点でより好ましい。蓋体７は箔状のものを用いることができ、さらにあらかじめ接着層６を形成していて、その後に側壁５の上部に貼り付ける構成にすると、製造上の取り扱いが便利である。
【００２８】
空間８は、圧電基板２、側壁５および蓋体７によって囲まれた領域である。この空間８は気密性を有するものであり、その内部にＩＤＴ電極３が収容されている。この空間８内は通常気圧の空気であっても構わないが、減圧密封されているとＩＤＴ電極３の腐食を防止できるので、なお好ましい。
【００２９】
電極下地層９は、内部電極４上であって側壁５の外側、即ち、側壁５の空間８の逆側に形成されると共に側壁５の外側面に形成された金属薄膜であり、その材質としては、チタン、銅、ニッケル、クロム、マグネシウムの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金など、内部電極４よりもメッキ液溶解性の低い材質からなる。特にチタンは密着性が高いので電極下地層９として好ましく、電極下地層９をチタンの上部に銅を形成する２層構造にすると、後述する接続電極１２が形成しやすく好ましい。
【００３０】
絶縁体１０は、圧電基板２の上であって側壁５の外側面及び側壁５上及び蓋体７上に形成されて、側壁５とともに接続電極１２を囲んでいる。さらに、この絶縁体１０は、圧電基板２の主面上全体を覆うことにより機械的衝撃や湿気からＩＤＴ電極３等を保護する機能を有している。当然ながら、絶縁体１０は、蓋体７と蓋体補強層１４を覆う構成になっている。この絶縁体１０の材質としては、熱硬化性樹脂を用いると取り扱い性に優れる点で好ましく、エポキシ樹脂は耐熱性および気密性の点で特に好ましく、さらにエポキシ樹脂中に無機フィラーを含有させることで線膨張係数を低減することができ、なお好ましい。無機フィラーとしては、アルミナ粉末、二酸化珪素粉末、酸化マグネシウム粉末等を用いることができる。なお、これらの粉末に限らず様々な無機系材料の使用が可能である。
【００３１】
外部電極１１は、絶縁体１０の外部に形成され、接続電極１２と電気的に接続する電極である。本実施の形態においては、外部電極１１と側壁５との間に絶縁体１０を形成することにより、外部電極１１は側壁５とは直接接しない構成となっている。
【００３２】
接続電極１２は、電極下地層９を介して内部電極４上に電解メッキ処理により形成された電極である。接続電極１２の材質としては、銅を用いると機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を圧電基板２と整合することができるため好ましい。
【００３３】
蓋体下地層１３は蓋体７上に形成された金属薄膜である。蓋体下地層１３としては、チタン、銅、ニッケル、クロム、マグネシウムの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金を用いることができる。特にチタンは密着性が高いので蓋体下地層１３として好ましく、蓋体下地層１３をチタンの上部に銅を形成する２層構造にすると、後述する蓋体補強層１４が形成しやすく好ましい。この蓋体下地層１３は、電解メッキの下地となるものである。
【００３４】
蓋体補強層１４は、蓋体下地層１３の上面に電解メッキ処理により厚みが２０〜４０μｍ程度となるように形成された層であり、その材質としては、銅を用いると機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を圧電基板２と整合することができるため好ましい。
【００３５】
腐食防止層１５は、内部電極４と側壁５との間に設けられかつ上方から見て側壁５の外側に突出すると共に厚みが０．０１〜１μｍ程度となるように形成された層であり、その材質として内部電極４よりもメッキ液溶解性の低い材質からなる。この腐食防止層１５は、金属でなくとも良いが、金属であると抵抗損を低減することができ、例えば、チタン、クロム、モリブデン、タングステン、金、白金の少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金からなる。特に、チタンは密着性が高くかつメッキ液溶解性が低いので腐食防止層１５として好ましい。なお、腐食防止層１５は絶縁性媒質でもよく、例えば、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ケイ素を主成分とする媒質からなる。
【００３６】
この腐食防止層１５により、たとえ側壁５と内部電極４との間に隙間が生じ、側壁５と内部電極４との境界部分に電極下地層９が十分に付着しなくとも、内部電極４と側壁５との間の腐食防止層１５により、電解メッキ処理工程における内部電極４の腐食を抑制することができる。その結果、内部電極４の断線を抑制し、歩留まり率を向上することができるのである。
【００３７】
さらにまた、この腐食防止層１５は、酸化チタン等の酸化金属であると、腐食防止層１５の粗度が増し、さらに腐食防止層１５と側壁５との密着性を向上させることができる。
【００３８】
この腐食防止層１５を、側壁５の底面の外側縁部と内部電極４との間のみに設けることにより腐食防止層１５による抵抗損を抑制することができるが、腐食防止層１５が金属からなる場合は、腐食防止層１５を側壁５の底面全面と内部電極４との間に設けることにより、内部電極４と側壁５との密着性を向上させることができる。
【００３９】
以上のように構成された実施の形態１における弾性波素子の製造方法について、以下に説明する。
【００４０】
図２（ａ）〜（ｃ）、図３（ｄ）〜（ｆ）、図４（ｇ）〜（ｊ）は、実施の形態１における弾性波素子１の製造工程を示す図である。
【００４１】
まず、図２（ａ）に示すように、圧電基板２の表面に、レジストを用いたフォトリソグラフィ技術にて、複数のＩＤＴ電極３をスパッタ形成すると共に、内部電極４およびこの内部電極４の上面に腐食防止層１５を蒸着形成する。
【００４２】
次に、図２（ｂ）に示すように、感光性のポリイミド系樹脂１６を圧電基板２にスピンコート法、ディスペンス法、又はスクリーン印刷法等の膜形成方法によりＩＤＴ電極３及び内部電極４を覆って圧電基板２の主面の全面に形成する。特にスピンコート法は均一な膜厚を形成する方法として好ましい。
【００４３】
そして、この上面から露光、現像を行い、そして熱硬化させることにより、図２（ｃ）に示すように、ＩＤＴ電極３を囲む側壁５を形成する。尚、側壁５を、所定の形状に加工した後、必要に応じて加熱処理を施し、材料の硬化を促進させる。
【００４４】
さらに、図３（ｄ）に示す様に、蓋体７となる金属箔１７を、接着剤１８を介して側壁５の上面に貼り合わせ、その上からレジスト（図示せず）を用いてフォトリソグラフィにより金属箔１７を所定のパターン形状にエッチングし、レジストを除去して、その後、接着剤１８の不要部分をドライエッチングにて除去することで、図３（ｅ）に示す様に、蓋体７と接着層６によってＩＤＴ電極３上の空間８を覆う構成を得る。尚、側壁５の上面の全面に蓋体７と接着層６を残さないことが望ましい。即ち、上方から見て蓋体７と接着層６が側壁５の上面の外縁部より内側に形成されていることが好ましい。これは、上方から見て蓋体７と接着層６が側壁５の上面より外側に突出していると、この後の下地層１９のスパッタ形成の際、側壁５の外側面や側壁５と腐食防止層１５との境界部に下地層１９が付着しにくくなるという問題が生じるからである。
【００４５】
その次に、図３（ｆ）に示す様に、圧電基板２の主面上の全面に下地層１９をスパッタにより形成する。この下地層１９の内、この側壁５の外側面に形成された部分と内部電極４の上面に形成された部分が電極下地層９となり、蓋体７の上面に形成された部分が蓋体下地層１３となる。
【００４６】
このように、側壁５に形成された孔に電極下地層をスパッタ形成するのではなく、周囲の一部が露出した側壁５に電極下地層９を形成することにより、電極下地層９が断線することを防止している。これにより後工程の電解メッキ処理で形成する接続電極１２の断線を抑制している。
【００４７】
そして、フォトリソグラフィ技術にてレジスト（図示せず）を電解メッキ成長させる部分を残して形成する。具体的には、レジストは、電極下地層９となる下地層１９の上部と、蓋体下地層１３となる下地層１９の上部は露出させ、その他の部分を覆うように形成される。そして、１度目の電解メッキ処理を施すことにより、電極下地層９上に接続電極１２の一部を形成し、同時に、蓋体下地層１３上にも蓋体補強層１４を形成する。このように、蓋体補強層１４を形成することにより蓋体７を補強することができ、さらにこの蓋体補強層１４の形成を接続電極１２の形成と同時に行うために、効率よく蓋体補強層１４を形成することができる。
【００４８】
さらに、レジスト（図示せず）を接続電極１２の上部の空間を除いて圧電基板２の主面側の全面に形成する。ここでは、レジストは、蓋体補強層１４の上面にも形成される。その後、２度目の電解メッキ処理を施すことにより、接続電極１２を形成したレジストを更に上まで成長させ、更に、レジストを除去し、図４（ｇ）に示す状態を得る。
【００４９】
尚、蓋体７の強度が十分である場合などで蓋体補強層１４を形成しないときには、一回の電解メッキ処理工程のみで接続電極１２を形成する。
【００５０】
また、図４（ｇ）では接続電極１２と蓋体補強層１４は分離独立した構造としているが、接続電極１２の少なくとも１つと蓋体補強層１４間のレジストを除去して、１度目の電解メッキ処理の工程で接続電極１２と蓋体補強層１４が接続するようにしても良い。こうすることで、蓋体７および蓋体補強層１４が電気的に浮いた状態を回避し、電位を安定させることができるものである。特にグランド端子となる接続電極１２と接続させることで、蓋体７および蓋体補強層１４をグランド電位とすることができ、ＩＤＴ電極３をノイズから保護するシールド層としての役割を持たすことが可能となる。
【００５１】
さらに、図４（ｈ）に示すように、下地層１９を介して導通している蓋体補強層１４と接続電極１２とを電気的に絶縁状態にする。この下地層１９の除去は、エッチングで行う。なお、蓋体補強層１４と接続電極１２を意図的にメッキにより接続させる場合には、蓋体補強層１４と接続電極１２間の下地層１９の除去は行わない。
【００５２】
さらにまた、図４（ｉ）に示すように、接続電極１２の上面を露出させながら、その他の圧電基板２の主面および主面上の構造物を覆う絶縁体１０を形成する。この絶縁体１０の形成方法としては、印刷工法を用いる。なお、絶縁体１０を接続電極１２と全く同じ高さに形成するためには、一度、接続電極１２の上面より高く絶縁体１０を形成し、その後に絶縁体１０を機械的に削る方法を用いることもできる。この場合において、圧電基板２の主面および接続電極１２も含めた主面上の全ての構造物を覆うように絶縁体１０を形成した後に、機械的に絶縁体１０を削ってもよい。なお、この機械的に絶縁体１０を削る際に、接続電極１２を全く削らないで、絶縁体１０と接続電極１２の高さを同一にすることは困難なので、接続電極１２も一部削ることになるが、この分を考慮して、接続電極１２を電解メッキ処理で形成する際に、最終的に必要になる高さより高く形成しておくとよい。なお、この様に、絶縁体１０および接続電極１２を削ることにより、これらの上面の高さが同一になり、さらに平面度も高くなるので、実装時には好ましい構造になる。
【００５３】
尚、蓋体補強層１４上において、１度目の電解メッキ処理工程後に形成するレジスト（図示せず）が絶縁体１０を兼ねてもよい。
【００５４】
最後に、図４（ｊ）に示すように、接続電極１２の上面と電気的に接続される外部電極１１を形成する。そして、ダイシングにより圧電基板２および絶縁体１０を同時に切断することにより、集合基板から個片の弾性波素子１を得る。
【００５５】
次に、実施の形態１の弾性波素子１を弾性波フィルタに適用したときの内部電極４と側壁５のパターン配置について、図面を参照しながら説明する。
【００５６】
図５、図６は、実施の形態１における弾性波フィルタの内部電極４と側壁５のパターン配置を示す上面図である。尚、図５、図６において、内部電極４のうち側壁５に隠れて表示されていない部分が存在している。また、図５、図６において、内部電極４と側壁５のパターン配置を明確化すべく、蓋体７、電極下地層９、絶縁体１０、接続電極１２等は省略している。
【００５７】
実施の形態１の弾性波素子１を適用した弾性波フィルタ２１は、圧電基板２の表面において、入出力端子（図示せず）に接続された２個のパッド用内部電極４ａと、この２個のパッド用内部電極４ａの間に配線用内部電極４ｂを介して直列に接続された複数の直列ＩＤＴ電極３ａと、グランド端子（図示せず）に接続されたグランド用内部電極４ｃと、このグランド用内部電極４ｃと配線用内部電極４ｂの間に接続された並列ＩＤＴ電極３ｂを備える。
【００５８】
図５に示す様に、パッド用内部電極４ａと側壁５との間に設けられた腐食防止層１５は、上方から見て側壁５の外側に突出するように設けられる。
【００５９】
また、図６に示す様に、パッド用内部電極４ａの上部において側壁５に孔が設けられてこの孔を貫通するように接続電極（図示せず）が設けられる構成の場合、パッド用内部電極４ａと側壁５との間に設けられた腐食防止層１５は、上方から見てこの孔の内方に突出するように設けられる。
【００６０】
この腐食防止層１５により、たとえ側壁５とパッド用内部電極４ａとの間に隙間が生じ、側壁５とパッド用内部電極４ａとの境界部分に電極下地層（図示せず）が十分に付着しなくとも、パッド用内部電極４ａと側壁５との間の腐食防止層１５により、電解メッキ処理工程におけるパッド用内部電極４ａの腐食を抑制することができる。その結果、パッド用内部電極４ａ内部電極４の断線を抑制し、歩留まり率を向上することができるのである。
【００６１】
尚、本実施の形態１の弾性波素子１を、ラダー型フィルタだけでなくＤＭＳフィルタ等の他のフィルタ（図示せず）に適用しても構わない。さらに、弾性波素子１を、このフィルタと、フィルタに接続された半導体集積回路素子(図示せず)と、半導体集積回路素子（図示せず）に接続された再生装置とを備えた電子機器に適用しても良い。これにより、フィルタ、及び電子機器における通信品質を向上することができるのである。
【００６２】
また、参考ではあるが、本実施の形態１においては、弾性波素子１の構成及び製造方法を説明したが、この構成及び製造方法における接続電極１２を形成する方法は半導体チップ等の弾性波素子以外の電子部品の構成及び製造方法にも適用できるものである。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明の弾性波素子は、メッキ液による内部電極の断線を抑制するという効果を有し、移動体通信機器などの電子機器に適用可能なものである。
【符号の説明】
【００６４】
１ 弾性波素子
２ 圧電基板
３ ＩＤＴ電極
４ 内部電極
５ 側壁
６ 接着層
７ 蓋体
８ 空間
９ 電極下地層
１０ 絶縁体
１１ 外部電極
１２ 接続電極
１３ 蓋体下地層
１４ 蓋体補強層
１５ 腐食防止層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波素子とこれを用いた携帯電話等の電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来の弾性波素子について図７を用いて説明する。図７は、従来の弾性波素子の断面模式図である。
【０００３】
図７において、従来の弾性波素子１０１として、圧電基板１０２と、この圧電基板１０２の上に設けられたＩＤＴ電極１０３とを備え、このＩＤＴ電極１０３を外部から保護すべく、ＩＤＴ電極１０３を覆うように絶縁体１１０を圧電基板１０２上に形成するチップサイズパッケージ素子が知られている。
【０００４】
この従来の弾性波素子１０１は、圧電基板１０２の上に設けられると共にＩＤＴ電極１０３に電気的に接続された例えばアルミニウムからなる内部電極１０４と、内部電極１０４の上であってＩＤＴ電極１０３の周囲に設けられた側壁１０５と、この側壁１０５の上に接着層１０６を介してＩＤＴ電極１０３上の空間１０８を覆うように設けられた蓋体１０７と、内部電極１０４の上であって空間１０８及び側壁１０５の外側に設けられた例えば銅からなる電極下地層１０９と、この電極下地層１０９の上に絶縁体１１０を貫通するように設けられて外部電極１１１とＩＤＴ電極１０３とを電気的に接続する接続電極１１２とを備える。
【０００５】
尚、この出願に関する先行文献として、例えば特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００６／１０６８３１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記従来の弾性波素子１０１における接続電極１１２の形成方法として、メッキの下地層となる金属薄膜からなる電極下地層１０９をスパッタにより形成し、その後に電極下地層１０９に通電しながら電解メッキ工程により接続電極１１２を柱状に形成する方法が知られている。
【０００８】
この電極下地層１０９をスパッタにより形成する際、側壁１０５と内部電極１０４との間に剥離による隙間が生じていた場合、側壁１０５と内部電極１０４との境界部分に電極下地層１０９が十分に付着しないという問題が生じる。
【０００９】
これにより、側壁１０５と内部電極１０４と境界部において、内部電極１０４が電極下地層１０９から露出し、その後の上記電解メッキ処理工程におけるメッキ液によって内部電極１０４が腐食される。その結果、内部電極１０４の断線が生じて歩留まりが悪くなるという問題があった。
【００１０】
そこで、本発明は、メッキ液による内部電極の断線を抑制することによって歩留まり率を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の弾性波素子は、内部電極と側壁との間に設けられかつ側壁の外側に突出すると共に内部電極よりもメッキ液溶解性の低い材質からなる腐食防止層を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように本発明の弾性波素子は、たとえ側壁と内部電極との間に隙間が生じ、側壁と内部電極との境界部分に電極下地層が十分に付着しなくとも、内部電極と側壁との間の腐食防止層により、電解メッキ工程における内部電極の腐食を抑制することができる。その結果、内部電極の断線を抑制し、歩留まり率を向上することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１における弾性波素子の断面模式図
【図２】（ａ）〜（ｃ）は同弾性波素子の製造工程の説明図
【図３】（ｄ）〜（ｆ）は同弾性波素子の製造工程の説明図
【図４】（ｇ）〜（ｊ）は同弾性波素子の製造工程の説明図
【図５】同弾性波素子を適用した弾性波フィルタの絶縁体等を省略した上面模式図
【図６】同弾性波素子を適用した弾性波フィルタの絶縁体等を省略した上面模式図
【図７】従来の弾性波素子の断面模式図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における弾性波素子について図面を参照しながら説明する。
【００１５】
図１は本発明の実施の形態１における弾性波素子１の断面模式図である。
【００１６】
図１において、弾性波素子１は、圧電基板２と、この圧電基板２の上面（圧電基板２の主面）に設けられたＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極３とを備え、このＩＤＴ電極３を外部から保護すべく、ＩＤＴ電極３を覆うように絶縁体１０を圧電基板２上に形成するチップサイズパッケージ素子である。
【００１７】
この弾性波素子１は、圧電基板２の上に設けられると共にＩＤＴ電極３に電気的に接続された内部電極４と、内部電極４の上であってＩＤＴ電極３の周囲に設けられた側壁５と、この側壁５の上に接着層６を介してＩＤＴ電極３上の空間８を覆うように設けられた蓋体７とを備える。
【００１８】
さらに、弾性波素子１は、内部電極４の上であって空間８から見て側壁５の外側に設けられた電極下地層９と、この電極下地層９の上に絶縁体１０を貫通するように設けられて外部電極１１とＩＤＴ電極３とを電気的に接続する接続電極１２とを備える。
【００１９】
また、弾性波素子１は、蓋体７の機械的強度を向上すべく、蓋体７の上に蓋体下地層１３を介して設けられた蓋体補強層１４も備える。
【００２０】
さらにまた、弾性波素子１は、内部電極４と側壁５との間に設けられかつ側壁５の外側に突出すると共に内部電極４よりもメッキ液溶解性の低い材質からなる腐食防止層１５を備える。
【００２１】
以下、弾性波素子１の各構成について詳述する。
【００２２】
圧電基板２は、板厚１００〜３５０μｍ程度の単結晶圧電体からなり、例えば、水晶、タンタル酸リチウム系、ニオブ酸リチウム系、又はニオブ酸カリウム系の基板である。
【００２３】
ＩＤＴ電極３は、膜厚０．１〜０．５μｍ程度の櫛形電極であり、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、モリブデンの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成である。
【００２４】
内部電極４は、ＩＤＴ電極３と外部電極１１とを電気的に接続する導体であり、例えば、アルミニウム、銅、銀からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成である。
【００２５】
側壁５は、ＩＤＴ電極３の周囲の少なくとも一部を囲む高さが５〜１５μｍ程度の側壁で、例えば、絶縁体からなり、所定の形状に加工することが容易なことから樹脂を用いることが好ましく、さらに、感光性樹脂を用いることで圧電基板２上に複数個の弾性波素子を作るための側壁５を精度良く所望の形状に形成することが可能である。感光性樹脂としては、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、感光性アクリレート樹脂等、感光性を有する樹脂材料であれば様々な材料を用いることが可能である。感光性ポリイミド樹脂はガラス転移点が高く、高温環境下での信頼性が高いため、側壁５として特に好ましい。
【００２６】
接着層６は、厚みが１〜１０μｍ程度の接着剤からなり、例えば、エポキシ系、ポリフェニレン系、若しくはブタジエン系の樹脂、またはこれらの混合樹脂からなる。この接着層６は、単位面積当たりの絶縁体１０に対する接着力が側壁５より大きい材料で構成される。
【００２７】
蓋体７は、接着層６を介して側壁５の上部に接着されることにより保持された厚みが１〜１０μｍ程度の天板であり、圧電基板２および側壁５とともにＩＤＴ電極３を収容している。この蓋体７には、金属を用いると機械的強度に優れ、かつ導電性を有することにより蓋体７の電位を制御することが可能となる点で好ましく、さらに銅を用いると単結晶の圧電基板２と線膨張係数が略等しい点でより好ましい。蓋体７は箔状のものを用いることができ、さらにあらかじめ接着層６を形成していて、その後に側壁５の上部に貼り付ける構成にすると、製造上の取り扱いが便利である。
【００２８】
空間８は、圧電基板２、側壁５および蓋体７によって囲まれた領域である。この空間８は気密性を有するものであり、その内部にＩＤＴ電極３が収容されている。この空間８内は通常気圧の空気であっても構わないが、減圧密封されているとＩＤＴ電極３の腐食を防止できるので、なお好ましい。
【００２９】
電極下地層９は、内部電極４上であって側壁５の外側、即ち、側壁５の空間８の逆側に形成されると共に側壁５の外側面に形成された金属薄膜であり、その材質としては、チタン、銅、ニッケル、クロム、マグネシウムの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金など、内部電極４よりもメッキ液溶解性の低い材質からなる。特にチタンは密着性が高いので電極下地層９として好ましく、電極下地層９をチタンの上部に銅を形成する２層構造にすると、後述する接続電極１２が形成しやすく好ましい。
【００３０】
絶縁体１０は、圧電基板２の上であって側壁５の外側面及び側壁５上及び蓋体７上に形成されて、側壁５とともに接続電極１２を囲んでいる。さらに、この絶縁体１０は、圧電基板２の主面上全体を覆うことにより機械的衝撃や湿気からＩＤＴ電極３等を保護する機能を有している。当然ながら、絶縁体１０は、蓋体７と蓋体補強層１４を覆う構成になっている。この絶縁体１０の材質としては、熱硬化性樹脂を用いると取り扱い性に優れる点で好ましく、エポキシ樹脂は耐熱性および気密性の点で特に好ましく、さらにエポキシ樹脂中に無機フィラーを含有させることで線膨張係数を低減することができ、なお好ましい。無機フィラーとしては、アルミナ粉末、二酸化珪素粉末、酸化マグネシウム粉末等を用いることができる。なお、これらの粉末に限らず様々な無機系材料の使用が可能である。
【００３１】
外部電極１１は、絶縁体１０の外部に形成され、接続電極１２と電気的に接続する電極である。本実施の形態においては、外部電極１１と側壁５との間に絶縁体１０を形成することにより、外部電極１１は側壁５とは直接接しない構成となっている。
【００３２】
接続電極１２は、電極下地層９を介して内部電極４上に電解メッキ処理により形成された電極である。接続電極１２の材質としては、銅を用いると機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を圧電基板２と整合することができるため好ましい。
【００３３】
蓋体下地層１３は蓋体７上に形成された金属薄膜である。蓋体下地層１３としては、チタン、銅、ニッケル、クロム、マグネシウムの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金を用いることができる。特にチタンは密着性が高いので蓋体下地層１３として好ましく、蓋体下地層１３をチタンの上部に銅を形成する２層構造にすると、後述する蓋体補強層１４が形成しやすく好ましい。この蓋体下地層１３は、電解メッキの下地となるものである。
【００３４】
蓋体補強層１４は、蓋体下地層１３の上面に電解メッキ処理により厚みが２０〜４０μｍ程度となるように形成された層であり、その材質としては、銅を用いると機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を圧電基板２と整合することができるため好ましい。
【００３５】
腐食防止層１５は、内部電極４と側壁５との間に設けられかつ上方から見て側壁５の外側に突出すると共に厚みが０．０１〜１μｍ程度となるように形成された層であり、その材質として内部電極４よりもメッキ液溶解性の低い材質からなる。この腐食防止層１５は、金属でなくとも良いが、金属であると抵抗損を低減することができ、例えば、チタン、クロム、モリブデン、タングステン、金、白金の少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金からなる。特に、チタンは密着性が高くかつメッキ液溶解性が低いので腐食防止層１５として好ましい。なお、腐食防止層１５は絶縁性媒質でもよく、例えば、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ケイ素を主成分とする媒質からなる。
【００３６】
この腐食防止層１５により、たとえ側壁５と内部電極４との間に隙間が生じ、側壁５と内部電極４との境界部分に電極下地層９が十分に付着しなくとも、内部電極４と側壁５との間の腐食防止層１５により、電解メッキ処理工程における内部電極４の腐食を抑制することができる。その結果、内部電極４の断線を抑制し、歩留まり率を向上することができるのである。
【００３７】
さらにまた、この腐食防止層１５は、酸化チタン等の酸化金属であると、腐食防止層１５の粗度が増し、さらに腐食防止層１５と側壁５との密着性を向上させることができる。
【００３８】
この腐食防止層１５を、側壁５の底面の外側縁部と内部電極４との間のみに設けることにより腐食防止層１５による抵抗損を抑制することができるが、腐食防止層１５が金属からなる場合は、腐食防止層１５を側壁５の底面全面と内部電極４との間に設けることにより、内部電極４と側壁５との密着性を向上させることができる。
【００３９】
以上のように構成された実施の形態１における弾性波素子の製造方法について、以下に説明する。
【００４０】
図２（ａ）〜（ｃ）、図３（ｄ）〜（ｆ）、図４（ｇ）〜（ｊ）は、実施の形態１における弾性波素子１の製造工程を示す図である。
【００４１】
まず、図２（ａ）に示すように、圧電基板２の表面に、レジストを用いたフォトリソグラフィ技術にて、複数のＩＤＴ電極３をスパッタ形成すると共に、内部電極４およびこの内部電極４の上面に腐食防止層１５を蒸着形成する。
【００４２】
次に、図２（ｂ）に示すように、感光性のポリイミド系樹脂１６を圧電基板２にスピンコート法、ディスペンス法、又はスクリーン印刷法等の膜形成方法によりＩＤＴ電極３及び内部電極４を覆って圧電基板２の主面の全面に形成する。特にスピンコート法は均一な膜厚を形成する方法として好ましい。
【００４３】
そして、この上面から露光、現像を行い、そして熱硬化させることにより、図２（ｃ）に示すように、ＩＤＴ電極３を囲む側壁５を形成する。尚、側壁５を、所定の形状に加工した後、必要に応じて加熱処理を施し、材料の硬化を促進させる。
【００４４】
さらに、図３（ｄ）に示す様に、蓋体７となる金属箔１７を、接着剤１８を介して側壁５の上面に貼り合わせ、その上からレジスト（図示せず）を用いてフォトリソグラフィにより金属箔１７を所定のパターン形状にエッチングし、レジストを除去して、その後、接着剤１８の不要部分をドライエッチングにて除去することで、図３（ｅ）に示す様に、蓋体７と接着層６によってＩＤＴ電極３上の空間８を覆う構成を得る。尚、側壁５の上面の全面に蓋体７と接着層６を残さないことが望ましい。即ち、上方から見て蓋体７と接着層６が側壁５の上面の外縁部より内側に形成されていることが好ましい。これは、上方から見て蓋体７と接着層６が側壁５の上面より外側に突出していると、この後の下地層１９のスパッタ形成の際、側壁５の外側面や側壁５と腐食防止層１５との境界部に下地層１９が付着しにくくなるという問題が生じるからである。
【００４５】
その次に、図３（ｆ）に示す様に、圧電基板２の主面上の全面に下地層１９をスパッタにより形成する。この下地層１９の内、この側壁５の外側面に形成された部分と内部電極４の上面に形成された部分が電極下地層９となり、蓋体７の上面に形成された部分が蓋体下地層１３となる。
【００４６】
このように、側壁５に形成された孔に電極下地層をスパッタ形成するのではなく、周囲の一部が露出した側壁５に電極下地層９を形成することにより、電極下地層９が断線することを防止している。これにより後工程の電解メッキ処理で形成する接続電極１２の断線を抑制している。
【００４７】
そして、フォトリソグラフィ技術にてレジスト（図示せず）を電解メッキ成長させる部分を残して形成する。具体的には、レジストは、電極下地層９となる下地層１９の上部と、蓋体下地層１３となる下地層１９の上部は露出させ、その他の部分を覆うように形成される。そして、１度目の電解メッキ処理を施すことにより、電極下地層９上に接続電極１２の一部を形成し、同時に、蓋体下地層１３上にも蓋体補強層１４を形成する。このように、蓋体補強層１４を形成することにより蓋体７を補強することができ、さらにこの蓋体補強層１４の形成を接続電極１２の形成と同時に行うために、効率よく蓋体補強層１４を形成することができる。
【００４８】
さらに、レジスト（図示せず）を接続電極１２の上部の空間を除いて圧電基板２の主面側の全面に形成する。ここでは、レジストは、蓋体補強層１４の上面にも形成される。その後、２度目の電解メッキ処理を施すことにより、接続電極１２を形成したレジストを更に上まで成長させ、更に、レジストを除去し、図４（ｇ）に示す状態を得る。
【００４９】
尚、蓋体７の強度が十分である場合などで蓋体補強層１４を形成しないときには、一回の電解メッキ処理工程のみで接続電極１２を形成する。
【００５０】
また、図４（ｇ）では接続電極１２と蓋体補強層１４は分離独立した構造としているが、接続電極１２の少なくとも１つと蓋体補強層１４間のレジストを除去して、１度目の電解メッキ処理の工程で接続電極１２と蓋体補強層１４が接続するようにしても良い。こうすることで、蓋体７および蓋体補強層１４が電気的に浮いた状態を回避し、電位を安定させることができるものである。特にグランド端子となる接続電極１２と接続させることで、蓋体７および蓋体補強層１４をグランド電位とすることができ、ＩＤＴ電極３をノイズから保護するシールド層としての役割を持たすことが可能となる。
【００５１】
さらに、図４（ｈ）に示すように、下地層１９を介して導通している蓋体補強層１４と接続電極１２とを電気的に絶縁状態にする。この下地層１９の除去は、エッチングで行う。なお、蓋体補強層１４と接続電極１２を意図的にメッキにより接続させる場合には、蓋体補強層１４と接続電極１２間の下地層１９の除去は行わない。
【００５２】
さらにまた、図４（ｉ）に示すように、接続電極１２の上面を露出させながら、その他の圧電基板２の主面および主面上の構造物を覆う絶縁体１０を形成する。この絶縁体１０の形成方法としては、印刷工法を用いる。なお、絶縁体１０を接続電極１２と全く同じ高さに形成するためには、一度、接続電極１２の上面より高く絶縁体１０を形成し、その後に絶縁体１０を機械的に削る方法を用いることもできる。この場合において、圧電基板２の主面および接続電極１２も含めた主面上の全ての構造物を覆うように絶縁体１０を形成した後に、機械的に絶縁体１０を削ってもよい。なお、この機械的に絶縁体１０を削る際に、接続電極１２を全く削らないで、絶縁体１０と接続電極１２の高さを同一にすることは困難なので、接続電極１２も一部削ることになるが、この分を考慮して、接続電極１２を電解メッキ処理で形成する際に、最終的に必要になる高さより高く形成しておくとよい。なお、この様に、絶縁体１０および接続電極１２を削ることにより、これらの上面の高さが同一になり、さらに平面度も高くなるので、実装時には好ましい構造になる。
【００５３】
尚、蓋体補強層１４上において、１度目の電解メッキ処理工程後に形成するレジスト（図示せず）が絶縁体１０を兼ねてもよい。
【００５４】
最後に、図４（ｊ）に示すように、接続電極１２の上面と電気的に接続される外部電極１１を形成する。そして、ダイシングにより圧電基板２および絶縁体１０を同時に切断することにより、集合基板から個片の弾性波素子１を得る。
【００５５】
次に、実施の形態１の弾性波素子１を弾性波フィルタに適用したときの内部電極４と側壁５のパターン配置について、図面を参照しながら説明する。
【００５６】
図５、図６は、実施の形態１における弾性波フィルタの内部電極４と側壁５のパターン配置を示す上面図である。尚、図５、図６において、内部電極４のうち側壁５に隠れて表示されていない部分が存在している。また、図５、図６において、内部電極４と側壁５のパターン配置を明確化すべく、蓋体７、電極下地層９、絶縁体１０、接続電極１２等は省略している。
【００５７】
実施の形態１の弾性波素子１を適用した弾性波フィルタ２１は、圧電基板２の表面において、入出力端子（図示せず）に接続された２個のパッド用内部電極４ａと、この２個のパッド用内部電極４ａの間に配線用内部電極４ｂを介して直列に接続された複数の直列ＩＤＴ電極３ａと、グランド端子（図示せず）に接続されたグランド用内部電極４ｃと、このグランド用内部電極４ｃと配線用内部電極４ｂの間に接続された並列ＩＤＴ電極３ｂを備える。
【００５８】
図５に示す様に、パッド用内部電極４ａと側壁５との間に設けられた腐食防止層１５は、上方から見て側壁５の外側に突出するように設けられる。
【００５９】
また、図６に示す様に、パッド用内部電極４ａの上部において側壁５に孔が設けられてこの孔を貫通するように接続電極（図示せず）が設けられる構成の場合、パッド用内部電極４ａと側壁５との間に設けられた腐食防止層１５は、上方から見てこの孔の内方に突出するように設けられる。
【００６０】
この腐食防止層１５により、たとえ側壁５とパッド用内部電極４ａとの間に隙間が生じ、側壁５とパッド用内部電極４ａとの境界部分に電極下地層（図示せず）が十分に付着しなくとも、パッド用内部電極４ａと側壁５との間の腐食防止層１５により、電解メッキ処理工程におけるパッド用内部電極４ａの腐食を抑制することができる。その結果、パッド用内部電極４ａ内部電極４の断線を抑制し、歩留まり率を向上することができるのである。
【００６１】
尚、本実施の形態１の弾性波素子１を、ラダー型フィルタだけでなくＤＭＳフィルタ等の他のフィルタ（図示せず）に適用しても構わない。さらに、弾性波素子１を、このフィルタと、フィルタに接続された半導体集積回路素子(図示せず)と、半導体集積回路素子（図示せず）に接続された再生装置とを備えた電子機器に適用しても良い。これにより、フィルタ、及び電子機器における通信品質を向上することができるのである。
【００６２】
また、参考ではあるが、本実施の形態１においては、弾性波素子１の構成及び製造方法を説明したが、この構成及び製造方法における接続電極１２を形成する方法は半導体チップ等の弾性波素子以外の電子部品の構成及び製造方法にも適用できるものである。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明の弾性波素子は、メッキ液による内部電極の断線を抑制するという効果を有し、移動体通信機器などの電子機器に適用可能なものである。
【符号の説明】
【００６４】
１ 弾性波素子
２ 圧電基板
３ ＩＤＴ電極
４ 内部電極
５ 側壁
６ 接着層
７ 蓋体
８ 空間
９ 電極下地層
１０ 絶縁体
１１ 外部電極
１２ 接続電極
１３ 蓋体下地層
１４ 蓋体補強層
１５ 腐食防止層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板の上に設けられたＩＤＴ電極と、
前記圧電基板の上に設けられると共に前記ＩＤＴ電極に電気的に接続された内部電極と、
前記内部電極の上であって前記ＩＤＴ電極の周囲に設けられた側壁と、
前記側壁の上に前記ＩＤＴ電極上の空間を覆うように設けられた蓋体と、
前記内部電極の上であって前記空間及び前記側壁の外側に設けられた電極下地層と、
前記電極下地層の上に設けられた接続電極とを備え、
前記内部電極と前記側壁との間に設けられかつ前記側壁の外側に突出すると共に前記内部電極よりもメッキ液溶解性の低い材質からなる腐食防止層を備えた弾性波素子。
【請求項２】
前記腐食防止層は金属からなる請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記腐食防止層はチタン、クロム、モリブデン、タングステン、金、白金の少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金からなる請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記腐食防止層は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ケイ素を主成分とする媒質からなる請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項５】
前記腐食防止層は酸化金属からなる請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項６】
前記腐食防止層は前記側壁の底面全面と前記内部電極との間に設けられた請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項７】
前記蓋体は前記側壁の上面の外縁部より内側に形成された請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項８】
請求項１に記載の弾性波素子と、
前記弾性波素子に接続された半導体集積回路素子と、
前記半導体集積回路素子に接続された再生装置とを備えた電子機器。
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板の上に設けられたＩＤＴ電極と、
前記圧電基板の上に設けられると共に前記ＩＤＴ電極に電気的に接続された内部電極と、
前記内部電極の上であって前記ＩＤＴ電極の周囲に設けられた側壁と、
前記側壁の上に前記ＩＤＴ電極上の空間を覆うように設けられた蓋体と、
前記内部電極の上であって前記空間及び前記側壁の外側に設けられた電極下地層と、
前記電極下地層の上に設けられた接続電極とを備え、
前記内部電極と前記側壁との間に設けられかつ前記側壁の外側に突出すると共に前記内部電極よりもメッキ液溶解性の低い材質からなる腐食防止層を備えた弾性波素子。
【請求項２】
前記腐食防止層は金属からなる請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記腐食防止層はチタン、クロム、モリブデン、タングステン、金、白金の少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金からなる請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記腐食防止層は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ケイ素を主成分とする媒質からなる請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項５】
前記腐食防止層は酸化金属からなる請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項６】
前記腐食防止層は前記側壁の底面全面と前記内部電極との間に設けられた請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項７】
前記蓋体は前記側壁の上面の外縁部より内側に形成された請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項８】
請求項１に記載の弾性波素子と、
前記弾性波素子に接続された半導体集積回路素子と、
前記半導体集積回路素子に接続された再生装置とを備えた電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−２３９３０（Ｐ２０１１−２３９３０Ａ）
【公開日】平成２３年２月３日（２０１１．２．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１６６５４１（Ｐ２００９−１６６５４１）
【出願日】平成２１年７月１５日（２００９．７．１５）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月３日（２０１１．２．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年７月１５日（２００９．７．１５）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]