接合方法および接合体
【課題】高い成膜精度でパターニングされた接合膜を用いて2つの基材が備える端子同士を電気的に接合することができる接合方法、かかる接合方法で接合された接合膜を備える接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接合方法は、転写用基材、第1の端子221を備える第1の基材22、第2の端子231を備える第2の基材23を用意する工程と、転写用基材に、シリコーン材料と導電性粒子38とを含有する液状材料を塗布・乾燥して所定形状にパターニングされた接合膜3を得る工程と、接合膜3を介して転写用基材と第1の基材22とを接合させた後これら同士を離間することにより、接合膜3を第1の基材22に転写する工程と、第1の基材22と第2の基材23とを接合することにより、これら同士が接合された仮接合体1’を得る工程と、仮接合体1’を加圧して導電性粒子38を介して第1の端子221と第2の端子231とが電気的に接続された接合体1を得る工程とを有する。
【解決手段】本発明の接合方法は、転写用基材、第1の端子221を備える第1の基材22、第2の端子231を備える第2の基材23を用意する工程と、転写用基材に、シリコーン材料と導電性粒子38とを含有する液状材料を塗布・乾燥して所定形状にパターニングされた接合膜3を得る工程と、接合膜3を介して転写用基材と第1の基材22とを接合させた後これら同士を離間することにより、接合膜3を第1の基材22に転写する工程と、第1の基材22と第2の基材23とを接合することにより、これら同士が接合された仮接合体1’を得る工程と、仮接合体1’を加圧して導電性粒子38を介して第1の端子221と第2の端子231とが電気的に接続された接合体1を得る工程とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合方法および接合体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板上に所定形状にパターニングされた膜を形成する方法として、膜の構成材料を含有する液状材料を、所定形状となるように塗布法を用いて基板上に塗布することによりパターニングされた液状被膜を形成し、この液状被膜を乾燥することにより、所定形状にパターニングされた膜を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
このような液状材料を用いてパターニングされた膜を形成する形成方法は、２つの基板が備える導電性の端子同士を電気的に接合するために、熱または光硬化性樹脂と導電性粒子とを含有する接合膜を、基板が備える端子上に所定形状に形成する場合にも適用し得る。
しかしながら、このような端子上に液状材料を塗布する方法では、基板に対する液状材料の濡れ性によっては、所定形状に塗布された液状被膜が基板上で濡れ広がり、その結果、形成される膜のパターニング精度が低下してしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２８９２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、高い成膜精度でパターニングされた接合膜を用いて２つの基材が備える端子同士を電気的に接合することができる接合方法、かかる接合方法で接合された接合膜を備える接合体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合方法は、シリコーン材料と導電性粒子とを含有する液状材料に対する撥液性を少なくとも表面付近に有する転写用基材と、接合膜を介して互いに電気的に接合する、第１の端子を備える第１の基材、および、第２の端子を備える第２の基材とを用意する第１の工程と、
前記転写用基材の前記撥液性が付与されている面側に、前記液状材料を塗布して、所定形状にパターニングされた液状被膜を形成した後、乾燥することにより、前記所定形状にパターニングされた接合膜を得る第２の工程と、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させ、当該接合膜を介して前記転写用基材と前記第１の基材とを接合させた後、前記転写用基材と前記第１の基材とを離間することにより、前記接合膜を前記転写用基材から前記第１の基材に転写する第３の工程と、
転写された前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させ、当該接合膜を介して前記第１の基材と前記第２の基材とを接合することにより、これら同士が接合された仮接合体を得る第４の工程と、
前記仮接合体を前記接合膜の厚さ方向に加圧することにより、当該接合膜を介した前記第１の基材と前記第２の基材との接合を維持するとともに、前記接合膜中の前記導電性粒子を介して前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続することにより接合体を得る第５の工程とを有することを特徴とする。
これにより、高い成膜精度でパターニングされた接合膜を介して、第１の基材が備える第１の端子と第２の基材が備える第２の端子とを電気的に接合することができる。
【０００７】
本発明の接合方法では、前記第１の端子と前記第２の端子とは、前記第１の基材と前記第２の基材とを、これら端子同士が対向するように重ね合わせたとき、互いに重なる位置に設けられていることが好ましい。
かかる構成の第１の基材と第２の基材とを、本発明の接合方法を用いて接合することにより、接合膜を介して第１の端子と第２の端子とを電気的に接続することができる。
【０００８】
本発明の接合方法では、前記所定形状は、第３の工程において、前記接合膜を前記第１の基材に転写したとき、前記第１の端子の形状に対応した形状をなしていることが好ましい。
これにより、第１の端子に対応して設けられた接合膜を用いて、第１の端子と第２の端子とを電気的に接続することができる。
【０００９】
本発明の接合方法では、前記第２の工程において、前記第１の基材の前記接合膜を介して前記第２の基材と接合する側の面のほぼ全面に、前記導電性粒子を含有しない接合膜を形成することが好ましい。
これにより、接合膜同士間での接合をより強固なものとすることができる。
本発明の接合方法では、前記第２の工程において、前記第２の基材の前記接合膜を介して前記第１の基材と接合する側の面のほぼ全面に、前記導電性粒子を含有しない接合膜を形成することが好ましい。
これにより、接合膜同士間での接合をより強固なものとすることができる。
【００１０】
本発明の接合方法では、前記第２の工程において、前記液状皮膜は、前記液状材料を液滴吐出法を用いて液滴として供給することにより形成されることが好ましい。
液滴吐出法によれば、より高い成膜精度で接合膜を形成することができる。
本発明の接合方法では、前記液滴吐出法は、圧電素子による振動を利用して前記液状材料を、インクジェットヘッドが備えるノズル孔から液滴として吐出するインクジェット法であることが好ましい。
インクジェット法によれば、目的とする領域（位置）に、液状材料を液滴として、優れた位置精度で供給することができる。また、圧電素子の振動数および液状材料の粘度等を適宜設定することにより、液滴のサイズ（大きさ）を、比較的容易に調整できることから、液滴のサイズを小さくすれば、たとえ所定形状が微細なものであったとしても、この形状に対応した液状被膜を確実に形成することができる。
【００１１】
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成され、この主骨格が分枝状をなしていることが好ましい。
これにより、シリコーン材料の分枝鎖同士が互いに絡まり合うようにして接合膜が形成されることから、得られる接合膜は特に膜強度に優れたものとなる。
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、前記ポリジメチルシロキサンが有するメチル基の少なくとも１つがフェニル基で置換されていることが好ましい。
これにより、接合膜をより膜強度に優れたものとすることができる。
【００１２】
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、シラノール基を複数個有することが好ましい。
これにより、シリコーン材料が有する水酸基とポリエステル樹脂が有する水酸基とを確実に結合させることができ、シリコーン材料とポリエステル樹脂とが脱水縮合反応することにより得られるポリエステル変性シリコーン材料を確実に合成することができる。
さらに、液状被膜を乾燥させて接合膜を得る際に、隣接するシリコーン材料が有するシラノール基に含まれる水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜の膜強度が優れたものとなる。
【００１３】
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、ポリエステル樹脂と脱水縮合反応させることにより得られたポリエステル変性シリコーン材料であることが好ましい。
これにより、接合膜をより膜強度に優れたものとすることができる。
本発明の接合方法では、ポリエステル樹脂は、飽和多塩基酸と多価アルコールとのエステル化反応により得られるものであることが好ましい。
これにより、基材粒子の構成材料や導電膜の構成材料を適宜選択することにより、導電性粒子の形状、大きさ（平均粒径等）、物性（導電性、密度等）等の調整が容易となる。
【００１４】
本発明の接合方法では、前記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電膜とを有するものであることが好ましい。
これにより、導電性粒子の平均粒径が小さ過ぎることに起因して、液状材料中において導電性粒子が凝集してしまうのを防止することができる。また、導電性粒子の平均粒径が大き過ぎて、圧縮しなくても液状被膜中で導電性粒子同士や導電性粒子と各基材とが接触する確率が高くなるのを防止することができる。
【００１５】
本発明の接合方法では、前記導電性粒子の平均粒径は、０．３〜１００μｍであることが好ましい。
これにより、導電性粒子の平均粒径が小さ過ぎて、液状材料中において導電性粒子の凝集が生じることを防止することができる。また、導電性粒子の平均粒径が大き過ぎて、圧縮しなくても接合膜中で、導電性粒子同士や、導電性粒子と、第１の端子または第２の端子とが接触する確率が高くなるのを防止することができる。
【００１６】
本発明の接合方法では、前記接合膜の平均厚さは、０．５〜５００μｍであることが好ましい。
これにより、接合体の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、第１の基材と第２の基材とをより強固に接合することができる。
本発明の接合方法では、前記第３の工程および第４の工程において、前記接合膜に対する前記エネルギーの付与は、前記接合膜にプラズマを接触させることにより行われることが好ましい。
これにより、接合膜を、極めて短時間（例えば、数秒程度）で活性化させることが可能であり、結果として、接合体を短時間で製造することができる。
【００１７】
本発明の接合方法では、前記プラズマの接触を、大気圧下で行うことが好ましい。
大気圧下で行われるプラズマの接触、すなわち、大気圧プラズマ処理によれば、接合膜の周囲が減圧状態とならないので、プラズマの作用により、例えば、接合膜を構成するポリエステル変性シリコーン材料が含んでいるポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基を切断、除去して、接合膜の表面付近に接着性を発現させる際に、この切断が不要に進行するのを防止することができる。
【００１８】
本発明の接合方法では、前記プラズマの接触は、互いに対向する電極間に電圧を印加した状態で、これらの間にガスを導入することにより、プラズマ化された前記ガスを前記接合膜に供給することによりなされることが好ましい。
これにより、容易かつ確実に、接合膜にプラズマを接触させ、接合膜の表面付近に接着性を確実に発現させることができる。
【００１９】
本発明の接合方法では、前記第１端子および前記第２の端子には、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、接合膜を形成するために、各端子の表面を特に最適化することができる。
本発明の接合体は、前記第１の基材と前記第２の基材とが、本発明の接合方法により形成された接合膜を介して接合されているとともに、前記第１の端子と第２の端子とが前記導電性粒子を介して電気的に接続されてなることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い接合体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】転写用基材上に液状材料を塗布する際に用いる液滴吐出装置を示す斜視図である。
【図２】図１に示す液滴吐出装置における液滴吐出ヘッドを示す図であり、（ａ）は断面斜視図、（ｂ）は断面図である。
【図３】本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図５】本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図６】接合膜にプラズマを接触させる際に用いる大気圧プラズマ装置を示す概略図である。
【図７】本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図８】本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図９】本発明の接合体が適用された透過型液晶表示装置を示す上面図である。
【図１０】図９に示す液晶表示装置が備える液晶パネルの分解斜視図である。
【図１１】図９中Ａ−Ａ線断面図である。
【図１２】図９中Ｂ−Ｂ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の接合方法および接合体を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明の接合方法および接合体を説明するのに先立って、本発明の接合方法で液状材料を供給する際に用いられる液滴吐出装置の一例について説明する。
＜液滴吐出装置＞
図１は、転写用基材上に液状材料を塗布する際に用いる液滴吐出装置を示す斜視図、図２は、図１に示す液滴吐出装置における液滴吐出ヘッドを示す図であり、（ａ）は断面斜視図、（ｂ）は断面図である。
【００２２】
図１に示すように、本工程で用いる液滴吐出装置５００は、後述する接合膜３を形成する際に用いる液状材料３５を保持するタンク５０１と、チューブ５１０と、チューブ５１０を介してタンク５０１から液状材料３５が供給される吐出走査部５０２とを備える。吐出走査部５０２は、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）５１４を備える液滴吐出手段５０３と、液滴吐出手段５０３の位置を制御する第１位置制御装置５０４（移動手段）と、後述する接合膜３を形成する転写用基材２１を保持するステージ５０６と、ステージ５０６の位置を制御する第２位置制御装置５０８（移動手段）と、制御手段５１２とを備えている。タンク５０１と、液滴吐出手段５０３における液滴吐出ヘッド５１４とは、チューブ５１０で連結されており、タンク５０１から液滴吐出ヘッド５１４に液状材料３５が圧縮空気によって供給される。
【００２３】
制御手段（制御装置）５１２は、例えば、演算部やメモリー等を内蔵するマイクロコンピュータやパーソナルコンピュータ等のコンピュータで構成されており、制御手段５１２には、図示しない操作部からの信号（入力）が、それぞれ、随時入力される。
また、制御手段５１２は、操作部からの信号等に基づき、予め設定されたプログラムに従って、液滴吐出装置５００の各部の作動（駆動）をそれぞれ制御する。
【００２４】
第１位置制御装置５０４は、制御手段５１２からの信号に応じて、液滴吐出手段５０３をＸ軸方向、およびＸ軸方向に直交するＺ軸方向に沿って移動させる。さらに、第１位置制御装置５０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで液滴吐出手段５０３を回転させる機能も有する。本実施形態では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。第２位置制御装置５０８は、制御手段５１２からの信号に応じて、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方に直交するＹ軸方向に沿ってステージ５０６を移動させる。さらに、第２位置制御装置５０８は、Ｚ軸に平行な軸の回りでステージ５０６を回転させる機能も有する。
【００２５】
ステージ５０６は、Ｘ軸方向とＹ軸方向との双方に平行な平面を有する。また、ステージ５０６は、液状材料３５を付与して接合膜３を形成する転写用基材２１をその平面上に固定、または保持できるように構成されている。
上述のように、液滴吐出手段５０３は、第１位置制御装置５０４によってＸ軸方向に移動させられる。一方、ステージ５０６は、第２位置制御装置５０８によってＹ軸方向に移動させられる。つまり、第１位置制御装置５０４および第２位置制御装置５０８によって、ステージ５０６に対する液滴吐出ヘッド５１４の相対位置が変わる（ステージ５０６に保持された転写用基材２１と、液液滴吐出手段５０３とが相対的に移動する）。
【００２６】
制御手段５１２は、液状材料３５を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。
液状材料３５を転写用基材２１上に供給する際には、液滴吐出ヘッド５１４と転写用基材２１とを相対的に走査しつつ、転写用基材２１上に液状材料３５を吐出する。すなわち、第２位置制御装置５０８の作動により、転写用基材２１が保持されているステージ５０６をＹ軸方向に移動させ、液滴吐出手段５０３の下を通過させつつ、液滴吐出手段５０３が備える液滴吐出ヘッド５１４のノズル５１８から液状材料３５の液滴（インク滴）３１を吐出して、転写用基材２１上の膜形成領域４１に付与する（着弾させる）。以下、この動作を「塗布走査（液滴吐出ヘッド５１４と転写用基材２１との主走査）」と言うことがある。
そして、この液状材料３５を転写用基材２１上に供給する工程においては、通常は、前記塗布走査（走査）を複数回行うようになっている。なお、前記塗布走査の回数は、１回でもよいことは言うまでもない。
【００２７】
本実施形態では、液滴吐出ヘッド５１４は、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、インクジェットヘッドで構成されている。すなわち、本実施形態で説明する液滴吐出装置は、インクジェット装置である。
液滴吐出ヘッド５１４は、振動板５２６と、ノズルプレート５２８とを備えている。振動板５２６と、ノズルプレート５２８との間には、タンク５０１から、チューブ５１０および孔５３１を介して供給される液状材料３５が常に充填される液だまり５２９が位置している。
【００２８】
また、振動板５２６と、ノズルプレート５２８との間には、複数の隔壁５２２が位置している。そして、振動板５２６と、ノズルプレート５２８と、１対の隔壁５２２とによって囲まれた部分がキャビティ（インク室）５２０である。キャビティ５２０はノズル５１８に対応して設けられているため、キャビティ５２０の数とノズル５１８の数とは同じである。キャビティ５２０には、１対の隔壁５２２間に位置する供給口５３０を介して、液だまり５２９から液状材料３５が供給される。
【００２９】
振動板５２６上には、それぞれのキャビティ５２０に対応して、振動子５２４が位置する。振動子５２４は、駆動素子としてのピエゾ素子（圧電素子）５２４Ｃと、ピエゾ素子５２４Ｃを挟む１対の電極５２４Ａ、５２４Ｂとを含む。この１対の電極５２４Ａ、５２４Ｂとの間に駆動電圧（信号）を印加する（与える）ことで、ピエゾ素子５２４Ｃの振動に追従して振動板５２６が振動することにより、対応するノズル５１８から液状材料３５が液滴３１として吐出される。
【００３０】
この場合、前記駆動電圧（例えば、駆動電圧の大きさ等）を調整することにより、ノズル５１８から吐出される液状材料３５の吐出動作１回当りの吐出量（液滴量）を調整することができるようになっている。
なお、ノズル５１８からＺ軸方向に液状材料３５が吐出されるように、ノズル５１８の形状が調整されている。
【００３１】
制御手段５１２は、複数の振動子５２４のそれぞれに互いに独立に駆動電圧を印加するように構成されていてもよい。つまり、ノズル５１８から吐出される液状材料３５の吐出動作１回当りの吐出量が、制御手段５１２からの信号、すなわち、駆動電圧に応じてノズル５１８毎に制御されてもよい。また、制御手段５１２は、塗布走査の間に吐出動作を行うノズル５１８と、吐出動作を行わないノズル５１８とを設定することでもできる。
【００３２】
なお、１つのノズル５１８と、ノズル５１８に対応するキャビティ５２０と、キャビティ５２０に対応する振動子５２４とを含んだ部分により吐出部が構成される。この吐出部は、１つの液滴吐出ヘッド５１４において、ノズル５１８の数と同じ数だけ存在することとなる。
上記のような液滴吐出装置５００を用いて、転写用基材２１上に液状材料３５を液滴３１として供給することにより、転写用基材２１の接合面（上面）２１０の所望の位置に液状材料３５を供給することができる。これにより、膜形成領域４１の形状に対応して転写用基材２１上に液状被膜３０を、ひいては接合膜３を確実に形成することができる。すなわち、転写用基材２１に、所定形状にパターニングされた液状被膜３０（接合膜３）を確実に形成することができる。
【００３３】
なお、液滴吐出ヘッド５１４は、駆動素子として、上述したピエゾ素子の代わりに静電アクチュエータを用いるものでもよい。また、液滴吐出ヘッド５１４は、駆動素子として電気熱変換素子を用い、この電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して液状材料３５を吐出するバブルジェット方式（「バブルジェット」は登録商標）の構成であってもよい。
【００３４】
本発明の接合方法において、以上のような液滴吐出装置を用いて、所定形状にパターニングされた接合膜を転写用基材２１上に形成することができ、この転写用基材２１上に形成された接合膜３を、第１の基材２２上に、このものが備える第１の端子２２１に対応するように転写した後、この接合膜３で第１の基材２２と第２の基材２３とを接合することにより、これら基材２２、２３が備える第１の端子２２１と第２の端子２３１とを電気的に接続することができる。
【００３５】
以下、本発明の接合方法について説明する。
＜接合方法＞
本発明の接合方法は、シリコーン材料と導電性粒子３８とを含有する液状材料３５に対する撥液性を少なくとも表面付近に有する転写用基材２１と、接合膜３を介して互いに電気的に接合する、第１の端子２２１を備える第１の基材２２、および、第２の端子２３１を備える第２の基材２３とを用意する第１の工程と、転写用基材２１の前記撥液性が付与されている面２１０側に、液状材料３５を塗布して、所定形状にパターニングされた液状被膜３０を形成した後、乾燥することにより、前記所定形状にパターニングされた接合膜３を得る第２の工程と、接合膜３にエネルギーを付与することにより、接合膜３の表面付近に接着性を発現させ、接合膜３を介して転写用基材２１と第１の基材２２とを接合させた後、転写用基材２１と第１の基材２２とを離間することにより、接合膜３を転写用基材２１から第１の基材２２に転写する第３の工程と、転写された接合膜３にエネルギーを付与することにより、接合膜３の表面付近に接着性を発現させ、この接合膜３を介して第１の基材２２と第２の基材２３とを接合することにより、これら同士が接合された仮接合体１’を得る第４の工程と、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に加圧することにより、接合膜３を介した第１の基材２２と第２の基材２３との接合を維持するとともに、接合膜３中の導電性粒子３８を介して第１の端子２２１と第２の端子２３１とを電気的に接続することにより接合体１を得る第５の工程とを有するものである。
【００３６】
かかる方法によれば、転写用基材２１の目的とする領域に対して高い成膜精度で前記所定形状にパターニングされた、シリコーン材料を原材料とする接合膜３を形成することができ、この接合膜３を第１の基材２２に転写することができるため、この接合膜３の表面付近に発現した接着性により、２つの基材２２、２３同士を強固に接合することができる。
【００３７】
また、各基材２２、２３が備える第１の端子２２１および第２の端子２３１に対応して接合膜３が形成され、この接合膜３に含まれる導電性粒子３８を介して、これら端子２２１、２３１同士が電気的に接続される。そのため、各基板２２、２３に、それぞれ、複数個の端子２２１、２３１が設けられている場合には、隣接する端子２２１、２３１同士間で短絡が生じるのを確実に防止することができる。
【００３８】
以下、この本発明の接合方法の第１実施形態を、工程ごとに詳述する。
＜＜第１実施形態＞＞
図３〜図５は、本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）、図６は、接合膜にプラズマを接触させる際に用いる大気圧プラズマ装置を示す概略図である。なお、以下の説明では、図３〜図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３９】
本実施形態の接合方法は、転写用基材２１上に、所定形状にパターニングされて形成した接合膜３を、第１の基材２２が備える第１の端子２２１に対応するように第１の基材２２上に転写した後、第１の基材２２と第３の基材２３とを接合膜３を介して接合するとともに、第１の基材２２が備える第１の端子２２１と第２の基材２３が備える第２の端子２３１とを接合膜３（導電性粒子３８）を介して電気的に接続する接合方法である。
【００４０】
［１］まず、表面付近に撥液性を有する転写用基材２１と、接合膜３を介して互いに電気的に接合する第１の端子を備える第１の基材２２、および、第２の端子を備える第２の基材２３とを用意する（第１の工程）。
転写用基材２１は、表面付近に撥液性を有するものであれば、如何なる構成のものであってもよく、例えば、図３（ａ）に示すように、母材２１２の上面に、撥液性を有する撥液膜２１１が設けられたものが挙げられる。
【００４１】
また、撥液膜２１１は、フッ素系材料で構成される膜や、フッ素原子を含有するカップリング剤で構成される単分子膜等が挙げられる。
フッ素系材料のうち、フッ素系有機材料の具体例としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、パーフルオロエチレン−プロペン共重合体（ＦＥＰ）およびエチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）等が挙げられる。一方、フッ素系無機材料の具体例としては、例えば、フッ化チタン酸カリウム、ケイフッ化カリウム、フッ化ジルコン酸カリウムおよびケイフッ酸等が挙げられる。
【００４２】
また、フッ素原子を含有するカップリング剤としては、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００４３】
母材２１２の構成材料としては、特に限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリブテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂系材料、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムヒ素のような金属系材料、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのようなシリコン系材料、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、アルミナ、ジルコニア、ＭｇＡｌ２Ｏ４、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、グラファイトのような炭素系材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
【００４４】
また、第１の基材２２は、第２の基材２３が備える第２の端子２３１に対応するように、第１の端子２２１が形成されていればいかなる構成のものであってもよいが、例えば、母材に所定パターンの配線が形成されこの配線の端部に第１の端子２２１が設けられており、この第１の端子２２１が第１の基材２２の一方の面側から露出しているものが挙げられる。
【００４５】
さらに、第２の基材２３は、第１の基材２２が備える第１の端子２２１に対応するように、第２の端子２３１が形成されていればいかなる構成のものであってもよいが、例えば、母材に所定パターンの配線が形成されこの配線の端部に第２の端子２３１が設けられており、この第２の端子２３１が第２の基材２３の一方の面側から露出しているものが挙げられる。
【００４６】
なお、第１の基材２２および第２の基材の母材としては、それぞれ、前述した転写用基材２１が備える母材２１２で挙げた構成材料のうち絶縁性の材料で構成されているものが挙げられる。
さらに、第１の基材２２の母材の構成材料と第２の基材２３の母材の構成材料とは、それぞれ同じでも、異なっていてもよい。
【００４７】
また、第１の基材２２の母材の熱膨張率と第２の基材２３の母材の熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。これらの熱膨張率がほぼ等しければ、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合した際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる接合体１において、剥離を確実に防止することができる。
なお、後に詳述するが、第１の基材２２の母材の熱膨張率と第２の基材２３の母材の熱膨張率が互いに異なる場合でも、後述する工程において、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合する際の条件を最適化することにより、これらを高い寸法精度で強固に接合することができる。
【００４８】
また、２つの基材２２、２３の母材は、互いに剛性が異なるのが好ましい。これにより、２つの基材２２、２３をより強固に接合することができる。
さらに、各基材２２、２３の母材の形状は、それぞれ、接合膜３を支持する面を有するような形状であればよく、例えば、板状（層状）、塊状（ブロック状）、棒状等とされる。
【００４９】
なお、本実施形態では、図３〜５に示すように、各基材２２、２３の母材がそれぞれ板状をなしている。これにより、各基材２２、２３の母材は撓み易くなり、２つの基材２２、２３を重ね合わせたときに、互いの形状に沿って十分に変形し得るものとなる。このため、２つの基材２２、２３を重ね合わせたときの密着性が高くなり、最終的に得られる接合体１における接合強度が高くなる。
【００５０】
また、各基材２２、２３の母材が撓むことによって、接合界面に生じる応力を、ある程度緩和する作用が期待できる。
この場合、各基材２２、２３の母材の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい
第１の端子２２１と第２の端子２３１とは、後述するように、それぞれ、第１の基材２２と第２の基材とを重ね合わせて接合膜３を介して接合した際に、これら同士（本実施形態では、２つずつ設けられた端子２２１、２３１同士）が互いに対応するように、すなわち、互いに重なり合うように、各基材２２、２３の一方の面から突出して設けられている。
【００５１】
また、配線および端子２２１、２３１の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されるものではないが、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、白金、金、銀、モリブデン、タンタルまたはこれらを含む合金等の金属材料、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素系材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾールまたはこれらの誘導体等の電子導電性高分子材料、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリエチレンオキシド、ポリビニルブチラール、ポリビニルカルバゾール、酢酸ビニル等のマトリックス樹脂中に、イオン性物質を分散させたイオン導電性高分子材料、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープした錫酸化物（ＦＴＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ２）、インジウム酸化物（ＩＯ）等の導電性酸化物材料のような各種導電性材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、第１の端子２２１の構成材料と第２の端子２３１の構成材料とは、それぞれ同じでも、異なっていてもよい。
【００５２】
次に、必要に応じて、第１の端子２２１および第２の端子２３１の表面に接合膜３との密着性を高める表面処理を施す。これにより、第１の端子２２１および第２の端子２３１の表面が清浄化および活性化され、第１の端子２２１および第２の端子２３１に対して接合膜３が化学的に作用し易くなる。その結果、後述する工程において、第１の端子２２１および第２端子２３１に対して接合膜３を接合したとき、第１の端子２２１および第２端子２３１と接合膜３との接合強度を高めることができる。
【００５３】
この表面処理としては、特に限定されないが、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。特に、表面処理として、プラズマ処理または紫外線照射処理を行うことにより、第１の端子２２１および第２の端子２３１を、より清浄化および活性化することができる。その結果、第１の端子２２１および第２の端子２３１と接合膜３との接合強度を特に高めることができる。
なお、上記のような表面処理は、必要に応じて行えばよく、特に高い接合強度を必要としない場合には、省略することができる。
【００５４】
［２］次に、転写用基材２１の撥液膜２１１が形成されている面側に、シリコーン材料と導電性粒子３８とを含有する液状材料３５を塗布して、所定形状にパターニングされた液状被膜３０を形成した後、乾燥することにより、前記所定形状にパターニングされた接合膜３を得る（第２の工程）。
以下、本工程について詳述する。
【００５５】
［２−１］まず、シリコーン材料と導電性粒子３８とを含有する液状材料３５を、例えば、前述した液滴吐出装置５００による液滴吐出法を用いて液滴３１として、転写用基材２１の撥液膜２１１が形成されている側の面である接合面２１０上に供給する。
これにより、図３（ａ）に示すような接合面２１０の膜形成領域４１に、接合面２１０の非膜形成領域４２に供給することなく、液滴３１を選択的に供給することができる。その結果、図３（ｂ）に示すように、転写用基材２１上に、膜形成領域４１の形状、すなわち所定形状にパターニングされた液状被膜３０が形成される。
【００５６】
なお、本明細書中で、「所定形状」とは、接合膜３による接合を必要とする部位に対応した形状のこと、すなわち、次工程［３］において、接合膜３を第１の基材２３に転写したとき、接合膜３が第１の端子の形状に対応した形状をなしていることを言い、本実施形態では、転写用基材２１の膜形成領域４１に対応した形状のことを言う。
ここで、本実施形態では、接合面２２０の膜形成領域４１に液状材料を選択的に塗布（供給）する方法として、液滴吐出装置５００を用いて液状材料３５を液滴３１として供給する液滴吐出法が用いられる。
【００５７】
液滴吐出法を用いて、液状材料を位置選択的に供給することにより、液状材料に無駄が生じるのを確実に防止することができる。また、例えば、基板上にレジスト層を形成して、これをマスクとして用いて膜をパターニングする場合と比較して、接合膜３を形成するまでの工程数の削減、時間の短縮および製造コストの削減を図ることができる。
さらに、本実施形態では、液滴吐出法は、液滴吐出ヘッド５１４としてインクジェットヘッドを備えるインクジェット法が用いられる。インクジェット法によれば、目的とする領域（位置）に、液状材料を液滴３１として、優れた位置精度で供給することができる。また、ピエゾ素子５２４Ｃの振動数および液状材料の粘度等を適宜設定することにより、液滴３１のサイズ（大きさ）を、比較的容易に調整できることから、液滴３１のサイズを小さくすれば、たとえ膜形成領域４１の形状が微細なものであったとしても、膜形成領域４１の形状に対応した液状被膜３０を確実に形成することができる。
【００５８】
液状材料の粘度（２５℃）は、通常、０．５〜２００ｍＰａ・ｓ程度であるのが好ましく、３〜２０ｍＰａ・ｓ程度であるのがより好ましい。液状材料の粘度をかかる範囲とすることにより、液滴の吐出をより安定的に行うことができるとともに、微細な形状の膜形成領域４１を描画し得る大きさの液滴３１を吐出することができる。さらに、この液状材料で構成される液状被膜３０を次工程［２−２］で乾燥させた際に、接合膜３を形成するのに十分な量のシリコーン材料と導電性粒子３８とを液状材料３５中に含有したものとすることができる。
【００５９】
また、液状材料３５の粘度をかかる範囲内とすれば、具体的には、液滴３１の量（液状材料の１滴の量）を、平均で、０．１〜４０ｐＬ程度に、より現実的には１〜３０ｐＬ程度に設定し得る。これにより、接合面２２０に供給された際の液滴３１の着弾径が小さなものとなることから、微細な形状の接合膜３をも確実に形成することができる。
さらに、接合面２２０の膜形成領域４１に供給する液滴３１の供給量を適宜設定することにより、形成される接合膜３の厚さの制御を比較的容易に行うことができる。
【００６０】
また、本発明では、液状材料３５が液滴３１として塗布（供給）される接合面２１０には撥液性が付与されている。これにより、接合面２１０上に塗布された液滴３１は、接合面２１０上に供給された際に、接合面２１０上での濡れ広がりが的確に抑制または防止された状態で供給される。そのため、液状被膜３０は、優れたパターニング精度で、膜形成領域４１の形状を維持した状態で接合面２１０上に形成されることとなる。
【００６１】
液状被膜３０の接合面２１０に対する濡れ性は、例えば、液状被膜３０の接合面２１０に対する接触角で表すことができ、その接触角は、好ましくは８０〜１１０°程度、より好ましく８５〜１００°程度とされる。かかる関係を満足するように液状材料３５の種類および撥液膜２１１の種類を適宜選択することにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。
【００６２】
また、液滴３１として吐出される液状材料３５は、前述のようにシリコーン材料と導電性粒子３８とを含有するものであるが、シリコーン材料と導電性粒子３８との混合物単独で、液状をなし目的とする粘度範囲である場合、この混合物をそのまま液状材料３５として用いることができる。また、シリコーン材料単独で、固形状または高粘度の液状をなす場合には、液状材料３５として、シリコーン材料の溶液または分散液に導電性粒子３８を分散させたものを用いることができる。
【００６３】
シリコーン材料を溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、例えば、アンモニア、水、過酸化水素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。
【００６４】
シリコーン材料は、液状材料３５中に含まれ、次工程［２−２］において、この液状材料を乾燥させることにより形成される接合膜３の主材料として導電性粒子３８とともに含まれるものである。接合膜３に、このシリコンーン材料が含まれることにより、次工程［３］および後工程［４］においてエネルギーを付与した際に、接合膜３は、その表面で接着性を発揮するものとなる。
【００６５】
ここで、「シリコーン材料」とは、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物であり、通常、主骨格（主鎖）部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなり、その主骨格が少なくとも１つのシラノール基を備える化合物のことを言い、主鎖の途中から枝分かれする分枝状の構造を有するものであってもよく、主鎖が環状をなす環状体であってもよく、主鎖の末端同士が連結しない直鎖状のものであってもよい。
例えば、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物において、オルガノシロキサン単位は、その末端部では下記一般式（１）で表わされる構造単位を有し、連結部では下記一般式（２）で表わされる構造単位を有し、また、分枝部では下記一般式（３）で表わされる構造単位を有している。
【００６６】
【化１】
［式中、各Ｒは、それぞれ独立して、置換または無置換の炭化水素基を表し、各Ｚは、それぞれ独立して、水酸基または加水分解基を表し、Ｘはシロキサン残基を表し、ａは１〜３の整数を表し、ｂは０または１〜２の整数を表し、ｃは０または１を表す。］
【００６７】
なお、シロキサン残基とは、酸素原子を介して隣接する構造単位が有するケイ素原子に結合しており、シロキサン結合を形成している置換基のことを表す。具体的には、−Ｏ−（Ｓｉ）構造（Ｓｉは隣接する構造単位が有するケイ素原子）となっている。
このようなシリコーン材料において、ポリオルガノシロキサン骨格は、分枝状をなすもの、すなわち上記一般式（１）で表わされる構造単位、上記一般式（２）で表わされる構造単位および上記一般式（３）で表わされる構造単位で構成されているのが好ましい。この分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物（以下、「分枝状化合物」と略すこともある。）は、主骨格（主鎖）部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなる化合物であり、主鎖の途中でオルガノシロキサン単位の繰り返しが分枝するとともに、主鎖の末端同士が連結しないものである。
【００６８】
この分枝状化合物を用いることにより、次工程［２−２］において、液状材料３５中に含まれるこの化合物の分枝鎖同士が互いに絡まり合うようにして接合膜３が形成されることから、得られる接合膜３は特に膜強度に優れたものとなる。
なお、上記一般式（１）〜上記一般式（３）中、基Ｒ（置換または無置換の炭化水素基）としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、ビフェニリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基等が挙げられる。さらに、これらの基の炭素原子に結合している水素原子の一部または全部が、Ｉ）フッ素原子、塩素原子、臭素原子のようなハロゲン原子、II）グリシドキシ基のようなエポキシ基III）メタクリル基のような（メタ）アクリロイル基、IV）カルボキシル基、スルフォニル基のようなアニオン性基等で置換された基等が挙げられる。
【００６９】
基Ｚが加水分解基である場合、この加水分解基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、ジメチルケトオキシム基、メチルエチルケトオキシム基等のケトオキシム基、アセトキシ基等のアシルオキシ基、イソプロペニルオキシ基、イソブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基等が挙げられる。
また、分枝状化合物は、その分子量が、１×１０４〜１×１０６程度のものであるのが好ましく、１×１０５〜１×１０６程度のものであるのがより好ましい。分子量をかかる範囲内に設定することにより、液状材料３５の粘度を上述したような範囲内に比較的容易に設定することができる。
【００７０】
このような分枝状化合物は、その化合物中において、シラノール基（水酸基）を複数有するものであるのが好ましい。すなわち、上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位において、基Ｚを複数有しており、これらの基Ｚが水酸基であるのが好ましい。これにより、分枝状化合物が有する水酸基とポリエステル樹脂が有する水酸基とを確実に結合させることができ、後述する、分枝状化合物とポリエステル樹脂とが脱水縮合反応することにより得られるポリエステル変性シリコーン材料を確実に合成することができる。さらに、次工程［２−２］において、液状被膜３０を乾燥させて接合膜３を得る際に、シリコーン材料すなわち分枝状化合物中に残存しているシラノール基に含まれる水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜３の膜強度が優れたものとなる。
【００７１】
また、シラノール基が有するシリコン原子に連結している炭化水素基は、フェニル基であるのが好ましい。すなわち、基Ｚが水酸基である上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位に存在する基Ｒは、フェニル基であるのが好ましい。これにより、シラノール基の反応性がより向上するため、隣接する分枝状化合物が有する水酸基同士の結合がより円滑に行われるようになる。また、分枝状化合物中のメチル基の少なくとも１つをフェニル基に置換して、得られる接合膜３中に、フェニル基が含まれる構成とすることにより、接合膜３をより膜強度に優れたものとし得るという利点も得られる。
【００７２】
さらに、シラノール基が存在しないシリコン原子に連結している炭化水素基は、メチル基であるのが好ましい。すなわち、基Ｚが存在しない上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位に存在する基Ｒは、メチル基であるのが好ましい。このように、基Ｚが存在しない上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位に存在する基Ｒがメチル基である化合物は、比較的入手が容易で、かつ安価であるとともに、後工程
［３］および後工程［４］において、接合膜３にエネルギーを付与することにより、メチル基が容易に切断されて、その結果として、接合膜３に確実に接着性を発現させることができるため、分枝状化合物（シリコーン材料）として好適に用いられる。
以上のことを考慮すると、分枝状化合物としては、例えば、下記一般式（４）で表わされる化合物が好適に用いられる。
【００７３】
【化２】
［式中、ｎは、それぞれ独立して、０または１以上の整数を表す。］
【００７４】
さらに、上述した分枝状化合物は、比較的柔軟性に富む材料である。そのため、後工程
［５］において、接合膜３を介して第１の基材２２と第２の基材２３とを接合して接合体１を得る際に、例えば、第１の基材２２と第２の基材２３の各構成材料が互いに異なるものを用いる場合であったとしても、各基材２２、２３間に生じる熱膨張に伴う応力を確実に緩和することができる。これにより、最終的に得られる接合体１において、剥離が生じるのを確実に防止することができる。
さらに、上記のようなシリコーン材料は、ポリエステル変性シリコーン材料であるのが好ましい。
【００７５】
ここで、本明細書中において、「ポリエステル変性シリコーン材料」とは、シリコーン材料と、ポリエステル樹脂とを脱水縮合反応させることにより得られたものである。
また、「ポリエステル樹脂」とは、飽和多塩基酸と多価アルコールとのエステル化反応により得られるものを言い、１分子中に少なくとも２つの水酸基を備えるものが好適に用いられる。
【００７６】
このようなポリエステル樹脂を、上述したシリコーン材料と縮合反応させると、ポリエステル樹脂が有する水酸基とシリコーン材料が有するシラノール基（水酸基）とが脱水縮合反応し、これにより、シリコーン材料にポリエステル樹脂が連結されたポリエステル変性シリコーン材料が得られる。
飽和多塩基酸としては、特に限定されないが、例えば、イソフタル酸、テレフタル酸、無水フタル酸およびアジピン酸等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７７】
また、多価アルコールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、飽和多塩基酸と多価アルコールとをエステル化反応させる際の、それぞれの含有量は、飽和多塩基酸が有するカルボキシル基よりも多価アルコールが有する水酸基よりも多くなるように設定する。これにより、合成されるポリエステル樹脂は、その１分子中において、少なくとも２つの水酸基を備えるものとなる。
【００７８】
このようなポリエステル樹脂は、その分子中に、フェニレン基を有しているのが好ましい。かかる構成のポリエステル樹脂を含有するポリエステル変性シリコーン材料を用いて接合膜３を形成すると、形成される接合膜３は、ポリエステル樹脂中にフェニレン基が含まれることに起因して、特に優れた膜強度を発揮するものとなる。
【００７９】
以上のことを考慮すると、ポリエステル樹脂としては、例えば、下記一般式（５）で表わされる化合物が好適に用いられる。
【００８０】
【化３】
［式中、ｎは、０または１以上の整数を表す。］
【００８１】
上記のようなポリエステル樹脂をポリエステル変性シリコーン材料が備えているものであるとすると、ポリエステル変性シリコーン材料は、通常、螺旋構造をなしているポリオルガノシロキサン骨格から、ポリエステル樹脂が露出するような状態で存在していることとなる。そのため、次工程［２−２］において、液状被膜３０を乾燥させて接合膜３を得る際に、隣接するポリエステル変性シリコーン材料が備えるポリエステル樹脂同士が互いに接触する機会が増大することとなる。その結果、ポリエステル変性シリコーン材料中において、ポリエステル樹脂同士が絡まり合ったり、これらが備える水酸基同士が脱水縮合して化学的に結合したりするため、得られる接合膜３の膜強度を確実に向上させることができる。
【００８２】
また、後工程［４］において、接合膜３を介して第１の基材２２と第２の基材２３とを接合した際に、第１の基材２２が備える第１の端子２２１と接合膜３との界面および第２の基材２３が備える第２の端子２３１と接合膜３との界面において、ポリエステル樹脂が備えるケトン基と、各端子２２１、２３１が備える水酸基との間で水素結合が生じることから、かかる結合によっても、接合膜３は、第１の端子２２１および第２の端子２３１に対して、強固に接合されたものとなる。
【００８３】
導電性粒子３８は、液状材料３５中に含まれ、次工程［２−２］において、この液状材料を乾燥させることにより形成される接合膜３の主材料としてシリコーン材料とともに含まれるものである。接合膜３に、この導電性粒子３８が含まれることにより、後工程［５］において第１の基材２２と第２の基材２３とを接合膜３の厚さ方向に加圧した際に、接合膜３中に含まれる導電性粒子３８を介して、第１の端子２２１と第２の端子２３１とは、互いに電気的に接続されたものとなる。
【００８４】
この導電性粒子３８は、少なくとも表面付近が導電性材料により構成されたものである。具体的には、この導電性粒子３８としては、例えば、Ｉ：その全体が導電性材料によって構成されたものや、II：導電性を有さない基材粒子と、この基材粒子の表面を被覆するように設けられた導電膜とにより構成されたものが挙げられる。このうち、導電性粒子３８を後者の構成とすることにより、導電性粒子３８の形状、大きさ（平均粒径等）、物性（導電性、密度等）等の調整が容易となることから、好ましく用いられる。
【００８５】
基材粒子の構成材料としては、特に限定されないが、各種金属材料、各種セラミックス材料、各種樹脂材料等が挙げられる。このうち、特に、樹脂材料を用いるのが好ましい。樹脂材料は一般にシリコーン材料の比重に近いため、導電性粒子３８は、液状材料３５中において沈降したり浮上したりし難くなるため、この液状材料３５で、均一に分散された状態で存在することとなる。したがって、後工程［５］において、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合膜３の厚さ方向に加圧した際に、接合膜３中に含まれる導電性粒子３８を介して、第１の端子２２１と第２の端子２３１とを、確実に電気的に接続されたものとすることができる。
【００８６】
また、樹脂材料が一般的に柔軟性に富む材料であるため、かかる材料で構成された基材粒子、ひいては、この基材粒子を備える導電性粒子３８は、圧縮力を付与することにより、容易に扁平状に変形するものとなる。これにより、後工程［５］において、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合膜３の厚さ方向に加圧した際に、第１の端子２２１および第２の端子２３１に対する導電性粒子３８の接触面積を大きくすることができる。その結果、得られる接合体１における、接合膜３を介した第１の端子２２１と第２の端子２３１との間における導電性の向上を図ることができる。
【００８７】
さらに、導電性粒子３８が柔軟性を有することにより、仮に、導電性粒子３８の粒径が不均一であったとしても、粒径の大きな導電性粒子３８が変形することによって、接合膜３の厚さ方向に対する粒径のバラツキを補完することができる。また、第１の端子２２１の表面および第２の端子２３１の表面に凹凸がある場合でも、この凸部に位置する導電性粒子３８が変形することによって、各端子２２１、２３１と導電性粒子３８とを確実に接触させることができる。
【００８８】
また、導電性粒子３８の導電膜の構成材料としては、前述した第１の端子２２１および第２の端子２３１の構成材料で挙げたのと同様の導電性材料を用いることができるが、特に、Ｎｉ、Ｃｕ、またはＡｕを主材料とする導電性材料が好ましく用いられる。これらの導電性材料は、導電性に優れているため、導電性の高い導電性粒子３８が得られ、端子２２１、２３１間の導電性を高めることができる。
【００８９】
なお、導電性粒子３８の具体的な形態としては、Ｎｉ粒子や、Ａｕめっき処理が施されたＮｉ粒子、Ａｕめっき処理が施されたＣｕ粒子、Ａｕめっき処理が施された樹脂製粒子等が挙げられる。
また、導電性粒子３８の粒子形状は、特に限定されず、例えば、球状、扁平状、針状、不定形状等のいずれでもよい。
【００９０】
導電性粒子３８の平均粒子径は、特に限定されないが、０．３〜１００μｍ程度であるのが好ましく、１〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。導電性粒子３８の平均粒径が前記下限値より小さいと、液状材料３５中において導電性粒子３８が凝集し易くなり、導電性粒子３８を均一に分散させるのが困難となるおそれがある。一方、導電性粒子３８の平均粒径が前記上限値を超えると、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合膜３の厚さ方向に加圧しなくても接合膜３中で各導電性粒子３８同士や、導電性粒子３８と端子２２１、２３１とが接触する機会が多くなり、接合膜３に意図しない導電性が発現するおそれがある。
【００９１】
［２−２］次いで、転写用基材２１上に供給された液状材料、すなわち、接合面２１０の膜形成領域４１に選択的に形成された液状被膜３０を乾燥する。これにより、図３（ｃ）に示すように、膜形成領域４１の形状（所定形状）に対応してパターニングされた接合膜３が形成される。
液状被膜３０を乾燥させる際の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
【００９２】
また、乾燥させる時間は、０．５〜４８時間程度であるのが好ましく、１５〜３０時間程度であるのがより好ましい。
かかる条件で液状被膜３０を乾燥させることにより、次工程［３］および後工程［４］において、エネルギーを付与することにより接着性が好適に発現する接合膜３を確実に形成することができる。また、シリコーン材料として前記工程［２−１］で説明したようなシラノール基を有するもの、または、ポリエステル変性シリコーン材料を用いた場合には、これらの材料が有するシラノール基同士を、確実に結合させることができるため、形成される接合膜３を膜強度に優れたものとすることができる。
【００９３】
さらに、乾燥させる際の雰囲気の圧力は、大気圧下であってもよいが、減圧下であるのが好ましい。具体的には、減圧の程度は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜３の膜密度が緻密化して、接合膜３をより優れた膜強度を有するものとすることができる。
【００９４】
以上のように、接合膜３を形成する際の条件を適宜設定することにより、形成される接合膜３の膜強度等を所望のものとすることができる。
接合膜３の平均厚さは、０．５〜５００μｍ程度であるのが好ましく、１〜２００μｍ程度であるのがより好ましい。供給する液状材料の量を適宜設定して、形成される接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合した接合体１の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、より強固に接合することができる。
【００９５】
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合体１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
また、接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、後工程［５］において、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に加圧した際に、接合膜３中に含まれる導電性粒子３８同士がその厚さ方向で確実に接触することとなるため、この接合膜３（導電性粒子３８）を介して第１の端子２２１と第２の端子２３１とを電気的に接続することができる。
【００９６】
さらに、接合膜３の平均厚さをかかる範囲とすることにより、接合膜３がある程度弾性に富むものとなることから、後工程［４］において、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合する際に、接合膜３と接触させる第２の端子２３１にパーティクル等が付着していても、このパーティクルを接合膜３で取り囲むようにして接合膜３と第２の端子２３１とが接合することとなる。そのため、このパーティクルが存在することによって、接合膜３と接合面２３０との界面における接合強度が低下したり、この界面において剥離が生じたりするのを的確に抑制または防止することができる。
【００９７】
［３］次に、接合膜３にエネルギーを付与することにより、接合膜３の表面付近に接着性を発現させ、この接合膜３を介して転写用基材２１と第１の基材２２とを接合させた後、転写用基材２１と第１の基材２２とを離間することにより、接合膜３を転写用基材２１から第１の基材２２に転写する（第３の工程）。
なお、接合膜３は、第１の基材２２が備える第１の端子の形状に対応して所定形状にパターニングして転写用基材２１上に形成されているので、本工程［３］において、接合膜３を転写用基材２１から第１の基材２２に転写した際には、図４（ｃ）に示すように、第１の端子２２１に付着した状態で転写される。
【００９８】
以下、本工程について詳述する。
［３−１］まず、接合面２１０の膜形成領域４１に形成された接合膜３の表面３２に対してエネルギーを付与する。
接合膜３にエネルギーを付与すると、この接合膜３では、表面３２付近の分子結合の一部が切断し、表面３２が活性化されることに起因して、表面３２付近に第１の基材２２に対する接着性が発現する。
【００９９】
このような状態の接合膜３は、第１の基材２２が備える第１の端子２２１と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
ここで、本明細書中において、表面３２が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜３の表面３２の分子結合の一部、具体的には、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断されて、接合膜３中に終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。
【０１００】
接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与するものであってもよいが、例えば、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜３をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜３をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。これにより、接合膜３の表面を効率よく活性化させることができる。
【０１０１】
これらの中でも、接合膜３に対するエネルギーの付与は、図３（ｄ）に示すように、特に、接合膜３をプラズマに曝す方法を用いるのが好ましい。
ここで、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、接合膜３をプラズマに曝す方法が好ましく用いられる理由を説明するのに先立って、エネルギー線として紫外線を選択し、接合膜３に紫外線を照射する場合における問題点について説明する。
【０１０２】
Ａ：まず、接合膜３の表面３２の活性化に長時間（例えば、１分〜数十分）を要する。また、紫外線照射を短時間にした場合、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合する工程において、その接合に長時間（数十分以上）を要する。すなわち、接合体１を得るのに長時間を要する。
Ｂ：また、紫外線を用いた場合、この紫外線は、接合膜３を厚さ方向に透過し易い。このため、基材（本実施形態では、転写用基材２１）の構成材料（例えば、樹脂材料）等によっては、基材の接合膜３との界面（接触面）において劣化が生じ、接合膜３が基材から剥離し易くなる。
【０１０３】
さらに、紫外線は、接合膜３の厚さ方向に透過する際に、接合膜３全体に作用し、その全体において、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断、除去される。すなわち、接合膜３中における有機成分の量が極端に低下し、その無機化が進行する。このため、有機成分の存在に起因する接合膜３の柔軟性が全体として低下し、得られる接合体１では、接合膜３の層内剥離が生じ易くなる。
【０１０４】
Ｃ：さらに、接合された接合体１を、第１の基材２２を第２の基材２３から剥離して、各基材２２、２３をそれぞれ分別してリサイクルや再利用に用いる場合、この操作は、接合体１に対して、剥離用エネルギーを付与することにより各基材２２、２３同士を剥離し得る。このとき、例えば、接合膜３中に残存するメチル基（有機成分）がポリジメチルシロキサン骨格から切断、除去され、切断された有機成分がガスとなる。このガス（ガス状の有機成分）は、接合膜３にへき乖を生じさせ、接合膜３が分割される。
【０１０５】
しかしながら、紫外線を照射した場合、前述のように、接合膜３全体の無機化が進行するため、剥離用エネルギーを付与した場合でも、ガスになる有機成分が極めて少なく、接合膜３にへき乖が生じ難いという問題がある。
これに対して、接合膜３の表面３２をプラズマに曝した場合では、接合膜３の表面３２付近において、選択的に、この接合膜３を構成する材料の分子結合の一部、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断される。
【０１０６】
なお、このプラズマによる分子結合の切断は、プラズマの荷電に基づく化学的な作用のみならず、プラズマのペニング効果に基づく物理的な作用によって引き起こされるため、極めて短時間で生じる。したがって、接合膜３を、極めて短時間（例えば、数秒程度）で活性化させることが可能であり、結果として、接合体１を短時間で製造することができる。
【０１０７】
また、プラズマは、接合膜３の表面３２に選択的に作用し、その内部にまで影響を及ぼし難い。このため、分子結合の切断は、接合膜３の表面３２付近で選択的に生じる。すなわち、接合膜３は、その表面３２付近で選択的に活性化される。しかがって、紫外線を用いて接合膜３を活性化させる場合の不都合（前述したようなＢおよびＣの不都合）が生じ難い。
【０１０８】
このように、接合膜３の活性化にプラズマを用いることにより、接合体１において、接合膜３の層内剥離が生じ難く、第１の基材２２を第２の基材２３から剥離する場合には、この剥離操作を確実に行うことができる。
また、紫外線照射により接合膜３を活性化させる場合、照射する紫外線の強度に依存する接合膜３の活性化の程度の変化が極めて大きい。このため、第１の基材２２と第２の基材２３との接合に適した程度に接合膜３を活性化させるには、紫外線照射の厳密な条件管理が必要である。また、厳密な管理をしない場合、得られる接合体１間における、転写用基材２２と第１の基材２２との接合強度のバラつきが生じる。
【０１０９】
これに対して、プラズマにより接合膜３を活性化させる場合、接触させるプラズマの濃度に依存する接合膜３の活性化の程度の変化は穏やかである。したがって、第１の基材２２と第２の基材２３との接合に適した程度に接合膜３を活性化させるのに、プラズマを発生させる条件を厳密に管理する必要がない。換言すれば、接合膜３の活性化にプラズマを用いる場合、接合体１の製造条件の許容範囲が広い。また、厳密な管理をしなくとも、得られる接合体１間において、第１の基材２２と第２の基材２３との接合強度のバラつきが生じ難い。
【０１１０】
さらに、紫外線照射により接合膜３を活性化させる場合、接合膜３の活性化すなわち接合膜３中の有機物の脱離に伴って、接合膜３自体が収縮（特に、膜厚の低下）するという問題がある。接合膜３が収縮した場合、第１の基材２２と第２の基材２３とを高い接合強度で接合することが困難となる。
これに対して、プラズマにより接合膜３を活性化させる場合、前述したように、接合膜３の表面付近が選択的に活性化されるため、接合膜３の収縮はないか極めて少ない。したがって、接合膜３を比較的薄く形成した場合であっても、第１の基材２２と第２の基材２３とを高い接合強度で接合することができる。また、この場合、高い寸法精度の接合体１を得ることができるとともに、接合体１の薄型化を図ることも可能である。
【０１１１】
以上のように、プラズマにより接合膜３を活性化させる場合には、紫外線により接合膜３を活性化させる場合に比べて、多くのメリットがある。
また、接合膜３に対するプラズマの接触は、減圧下で行うようにしてもよいが、大気圧下において行うのが好ましい。すなわち、接合膜３を大気圧プラズマで処理するのが好ましい。大気圧プラズマ処理によれば、接合膜３の周囲が減圧状態とならないので、プラズマの作用により、例えば、ポリエステル変性シリコーン材料のポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基を切断、除去する際（接合膜３の活性化の際）に、この切断が不要に進行するのを防止することができる。
【０１１２】
かかる大気圧下におけるプラズマ処理は、例えば、図６に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて行うことができる。
図６は、大気圧プラズマ装置の構成を示す概略図である。
図６に示す大気圧プラズマ装置１０００は、接合膜３が形成された転写用基材２１（以下、単に「被処理基板Ｗ」と言う。）を搬送する搬送装置１００２と、搬送装置１００２の上方に設置されたヘッド１０１０とを備えている。
この大気圧プラズマ装置１０００では、ヘッド１０１０が備える印加電極１０１５と対向電極１０１９との間に、プラズマが発生するプラズマ発生領域ｐが形成される。
【０１１３】
以下、各部の構成について説明する。
搬送装置１００２は、被処理基板Ｗを積載可能な移動ステージ１０２０を有している。この移動ステージ１０２０は、搬送装置１００２が有する移動手段（図示せず）の作動により、ｘ軸方向に移動することができる。
なお、移動ステージ１０２０は、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等の金属材料で構成されている。
【０１１４】
ヘッド１０１０は、ヘッド本体１１０１と、印加電極１０１５と、対向電極１０１９とを有している。
ヘッド１０１０には、移動ステージ１０２０（搬送装置１００２）の上面とヘッド１０１０の下面１１０３との間隙１１０２に、プラズマ化された処理ガスＧを供給するガス供給流路１０１８が設けられている。
【０１１５】
ガス供給流路１０１８は、ヘッド１０１０の下面１１０３に形成された開口部１１８１で開口している。また、図６に示すように、下面１１０３の左側には、段差が形成されている。これにより、ヘッド本体１１０１の左側部分と移動ステージ１０２０との間隙１１０４が、間隙１１０２よりも小さく（狭く）なっている。このため、プラズマ化された処理ガスＧが間隙１１０４に入り込むのを抑制または防止されて、ｘ軸正方向に優先的に流れるようになっている。
【０１１６】
なお、ヘッド本体１１０１は、例えば、アルミナ、石英等の誘電体材料で構成されている。
ヘッド本体１１０１には、ガス供給流路１０１８を挟むように、印加電極１０１５と対向電極１０１９とが対抗して設置され、これにより一対の平行平板型電極が構成されている。これらのうち、印加電極１０１５は高周波電源１０１７に電気的に接続され、対向電極１０１９は接地されている。
【０１１７】
これら印加電極１０１５および対向電極１０１９は、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等の金属材料で構成されている。
このような大気圧プラズマ装置１０００を用いて、被処理基板Ｗをプラズマ処理する場合、まず、印加電極１０１５と対向電極１０１９との間に電圧を印加して、電界Ｅを発生させる。この状態で、ガス供給流路１０１８に、処理ガスＧを流入させる。このとき、ガス供給流路１０１８に流入した処理ガスＧは、電界Ｅの作用により放電してプラズマ化される。このプラズマ化された処理ガスＧは、下面１１０３側の開口部１１８１から、間隙１１０２内に供給される。これにより、プラズマ化された処理ガスＧが被処理基板Ｗに設けられた接合膜３の表面３２に接触して、プラズマ処理が施される。
【０１１８】
かかる大気圧プラズマ装置１０００を用いることにより、容易かつ確実に、接合膜３にプラズマを接触させ、接合膜３を活性化させることができる。
ここで、印加電極１０１５と移動ステージ１０２０（被処理基板Ｗ）と間の距離、すなわち、間隙１１０２高さ（図６中、ｈ１で示す長さ）は、高周波電源１０１７の出力や、被処理基板Ｗに施すプラズマ処理の種類等を考慮して適宜決定されるが、０．５〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜２ｍｍ程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜３にプラズマを接触させて、接合膜３をより確実に活性化させることができる。
【０１１９】
また、印加電極１０１５と対向電極１０１９との間に印加する電圧は、１．０〜３．０ｋＶｐ−ｐ程度であるのが好ましく、１．０〜１．５ｋＶｐ−ｐ程度であるのがより好ましい。これにより、印加電極１０１５と移動ステージ１０２０と間に電界Ｅをより確実に発生させることができ、ガス供給流路１０１８に供給された処理ガスＧを確実にプラズマ化させることができる。
【０１２０】
高周波電源１０１７の周波数（印加する電圧の周波数）は、特に限定されないが、１０〜５０ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜４０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
処理ガスＧの種類としては、特に限定されないが、例えば、ヘリウムガス、アルゴンガスのような希ガス、酸素ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、処理ガスＧには、希ガスを主成分とするガスを用いるのが好ましく、特にヘリウムガスを主成分とするガスを用いるのが好ましい。
【０１２１】
すなわち、処理に用いるプラズマは、ヘリウムガスを主成分とするガスをプラズマ化したものであるのが好ましい。ヘリウムガスを主成分とするガス（処理ガスＧ）は、プラズマ化の際にオゾンを発生させ難く、このため、接合膜３の表面３２のオゾンによる変質（酸化）を防止することができる。その結果、接合膜３の活性化の程度が低下するのを抑制すること、すなわち、接合膜３を確実に活性化させることができる。さらに、ヘリウムガスのプラズマは、前述したペニング効果が極めて高く、接合膜３の活性化を短時間でかつ確実に行うことができる観点からも好ましい。
【０１２２】
この場合、ヘリウムガスを主成分とするガスのガス供給流路１０１８への供給速度は、１〜２０ＳＬＭ程度であるのが好ましく、５〜１５ＳＬＭ程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜３の活性化の程度を制御し易くなる。
また、このガス（処理ガスＧ）中のヘリウムガスの含有量は、８５ｖｏｌ％以上が好ましく、９０ｖｏｌ％以上（１００％も含む）がより好ましい。これにより、前述した効果をさらに顕著に発揮させることができる。
また、移動ステージ１０２０の移動速度は、特に限定されないが、１〜２０ｍｍ／秒程度であるのが好ましく、３〜６ｍｍ／秒程度であるのがより好ましい。このような速度でプラズマを接合膜３に接触させることにより、短時間であるにもかかわらず、接合膜３を十分かつ確実に活性化させることができる。
【０１２３】
［３−２］次に、図４（ａ）に示すように、第１の基材２２が備える第１の端子２２１と接合膜３とが密着するように、接合膜３を介して転写用基材２１と第１の基材２２とを貼り合わせる。これにより、図４（ｂ）に示すように、前記工程［３−１］において、接合膜３の表面３２に第１の端子２２１に対する接着性が発現していることから、接合膜３と第１の基材２２が備える第１の端子２２１とが化学的に結合する。
【０１２４】
ここで、本工程において、第１の基材２２が備える第１の端子２２１と接合膜３とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、第１の端子２２１の表面に水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、転写用基材２１に形成された接合膜３と、第１の端子２２１とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、接合膜３の表面３２に存在する水酸基と、第１の端子２２１の表面に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、第１の基材２２と第１の端子２２１とが接合されると推察される。
【０１２５】
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜３と第１の端子２２１との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜３と第１の端子２２１とがより強固に接合されると推察される。
また、転写用基材２１の接合膜３の表面や内部、および、第１の端子２２１の表面や内部に、それぞれ終端化されていない結合手すなわち未結合手（ダングリングボンド）が存在している場合、転写用基材２１と第１の基材２２とを貼り合わせた時、これらの未結合手同士が再結合する。この再結合は、互いに重なり合う（絡み合う）ように複雑に生じることから、接合界面にネットワーク状の結合が形成されることとなる。これにより、接合膜３と第１の端子２２１とが特に強固に接合される。
【０１２６】
なお、前記工程［３−１］で活性化された接合膜３の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［３−１］の終了後、できるだけ早く本工程［３−２］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［３−１］の終了後、６０分以内に本工程［３−２］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の表面が十分な活性状態を維持しているので、接合膜３を介して転写用基材２１と第１の基材２２とを貼り合わせたとき、接合膜３と第１の端子２２１との間に十分な接合強度を得ることができる。
【０１２７】
換言すれば、活性化させる前の接合膜３は、シリコーン材料を乾燥させて得られた接合膜であるため、化学的に比較的安定であり、耐候性に優れている。このため、活性化させる前の接合膜３は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、そのような接合膜３を備えた転写用基材２１を多量に製造または購入して保存しておき、必要な個数のみに前記工程［３−１］に記載したエネルギーの付与を行うようにすれば、後述する接合体１の製造効率の観点から有効である。
【０１２８】
［３−３］次に、転写用基材２１と第１の基材２２とを離間する。
ここで、前述したように、接合膜３は、転写用基材２１が備える撥液膜２１１上に形成されているため、転写用基材２１との結合強度は極めて低い。これに対して、接合膜３は、第１の基材２２が備える第１の端子２２１に対して化学的に結合しているため、第１の基材２２（第１の端子２２１）との結合強度は、接合膜３と転写用基材２１との接合強度と比較して極めて高くなる。
そのため、転写用基材２１と第１の基材２２とを離間すると、接合膜３は、転写用基材２１と接合する接合面２１０から剥離するため、図４（ｃ）に示すように、転写用基材２１から第１の基材２２に転写される。
【０１２９】
［４］次に、転写された接合膜３にエネルギーを付与することにより、接合膜３の表面付近に接着性を発現させ、この接合膜３を介して第１の基材２２と第２の基材２３とを接合することにより、これら同士が接合された仮接合体１’を得る（第４の工程）。
なお、第２の端子２３１は、第１の基材２２と第２の基材２３とを、第１の端子２２１と第２の端子２３１とが対向するように重ね合わせたとき、第１の端子２２１と重なる位置に設けられているので、本工程［４］において、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合膜３を介して接合した際には、図４（ｂ）に示すように、第１の端子２２１上に付着した接合膜３に接合されることとなる。
【０１３０】
以下、本工程について詳述する。
［４−１］まず、転写用基材２１から第１の基材２２に転写された接合膜３に対してエネルギーを付与する。
ここで、接合膜３は、転写用基材２１から第１の基材２２に転写されているため、転写用基材２１と接合していた側の面が、第１の基材２２上で露出していることとなる。
【０１３１】
接合膜３は、エネルギーが付与されると、その表面付近の分子結合の一部が切断し、表面が活性化されることに起因して、接着性が発現するものである。そのため、本工程にように、一度、他の基材（本実施形態では、転写用基材２１）と接合していた面に対しても、再度、エネルギーを付与することにより、この面に接着性を発現させることができる。
接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与するものであってもよいが、前記工程［３−１］で説明したのと同様に、図４（ｄ）に示すように、特に、接合膜３をプラズマに曝す方法を用いるのが好ましい。
【０１３２】
［４−２］次に、第１の基材２２に形成された接合膜３と第２の基材２３が備える第２の端子２３１とが密着するように、接合膜３を介して第１の基材２２と第２の基材２３とを貼り合わせる（図５（ａ）参照）。これにより、前記工程［４−１］において、接合膜３の表面に第２の端子２３１に対する接着性が発現していることから、接合膜３と第２の基材２３が備える第２の端子２３１とが化学的に結合する。その結果、第１の基材２２と第２の基材２３とが、膜形成領域４１において選択的に形成された接合膜３により部分的に接合され、すなわち、第１の端子２２１と第２の端子２３１とが所定形状にパターニングされた接合膜３により接合され、その結果、図５（ｂ）に示すような仮接合体１’が得られる。
ここで、本工程において、接合膜３と第２の基材２３が備える第２の端子２３１とは、前記工程［３−２］で説明した接合膜３と第１の基材２２が備える第１の端子２２１とが接合するメカニズムと同一のメカニズムにより接合される。
【０１３３】
［５］次に、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に、すなわち、第１の基材２２と第２の基材２３と離間距離が接近するように加圧する（第５の工程）。
これにより、図５（ｃ）に示すように、接合膜３を介した第１の基材２２と第２の基材２３との接続が維持されるとともに、接合膜３中の導電性粒子３８を介して第１の端子２２１と第２の端子２３１とが電気的に接続されることとなり、その結果、第１の基材２２と第２の基材２３とが、接合膜３により強固にかつ電気的に接続された接合体１が形成される。
【０１３４】
ここで、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に加圧することにより、導電性粒子３８を介して第１の端子２２１と第２の端子２３１とが電気的に接続されるのは、以下に示す原理によるものである。
すなわち、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に加圧すると、第１の端子２２１と第２の端子２３１とが接近することに起因して、接合膜３の厚さが薄くなる。そのため、接合膜３中に含まれる導電性粒子３８同士が厚さ方向で接触し、さらに、第１の端子２２１および第２の端子２３１の表面も、導電性粒子３８と接触することから、第１の端子２２１と第２の端子２３１とが導電性粒子３８を介して電気的に接続される。
【０１３５】
なお、導電性粒子３８を介した第１の端子２２１と第２の端子２３１との電気的な接続は、複数個の導電性粒子３８を介してこれら端子２２１、２３１同士が電気的に接続されていてもよいし、図５（ｃ）に示すように、１つの導電性粒子３８を介して端子２２１、２３１同士が電気的に接続されていてもよい。
仮接合体１’を加圧する際の圧力は、第１の基材２２および第２の基材２３の各構成材料や各厚さ、第１の端子２２１および第２の端子２３１の各構成材料や各厚さ、導電性粒子３８の構成材料や平均粒子径等の条件に応じて、適宜調整されるが、具体的には、好ましくは０．２〜１００ＭＰａ程度、より好ましくは１〜５０ＭＰａ程度に設定される。
【０１３６】
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。
かかる条件で、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に加圧すれば、第１の端子２２１と第２の端子２３１とを導電性粒子３８を介して電気的により確実に接続することができる。
【０１３７】
なお、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に加圧する際には、この仮接合体１’を加熱するのが好ましい。
これにより、仮接合体１’を加圧することにより得られた接合体１に対して、接合膜３の厚さ方向への加圧を解除した際に、接合膜３が加圧前の形状に復元することなく、接合膜３に加圧後の形状をほぼ維持させることができる。すなわち、導電性粒子３８を介した第１の端子２２１と第２の端子２３１との電気的な接続を確実に維持することができる。
【０１３８】
接合体１を加熱する温度は、室温より高く、接合体１の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、接合体１が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜３の厚さ方向への加圧を解除したとしても接合膜３に加圧後の形状をほぼ維持させることができる。
以上のように本発明の接合方法では、接合体１は、撥液膜２１１を有する転写用基材２１上に予め接合膜３を形成し、この接合膜３を第１の基材２２に転写した後、接合膜３を介して第１の基材２２と第２の基材２３とを接合・加圧することにより得られる構成となっている。そのため、転写用基材２１上での液状材料の濡れ広がりが的確に防止または抑制されることから、膜形成領域４１の形状が微細なものであったとしても、膜形成領域４１の形状に対応した接合膜３を形成することができる。そして、接合膜３を転写用基材２１から第１の基材２２に転写できることから、この接合膜３を介して第１の基材２２と第２の基材２３とが、第１の端子２２１と第２の端子２３１とにおいて電気的に接合された接合体１を確実に得ることができる。
【０１３９】
また、接合膜３は、図５（ｃ）に示すように、対向する第１の端子２２１と第２の端子２３１とに対応するように設けられている。すなわち、隣接する第１の端子２２１（第２の端子２３１）に対応する接合膜３同士は、別個に設けられている。これにより、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）等で構成される接合膜を用いて、隣接する第１の端子２２１（第２の端子２３１）同士を跨いで、一括して、対向する第１の端子２２１と第２の端子２３１とを電気的に接合する場合のように、前記接合膜内でマイグレーションが生じ、これに起因して、隣接する第１の端子２２１（第２の端子２３１）同士間で短絡が生じてしまうのを確実に防止することができる。
【０１４０】
また、かかる構成の接合体１では、従来の接合方法で用いられていた接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、２つの端子２２１、２３１が接合されている。このため、接合体１は短時間で形成することができ、かつ、極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。
【０１４１】
また、このような接合方法によれば、高温（例えば、７００℃以上）での熱処理を必要としないことから、耐熱性の低い材料で構成された第１の基材２２および第２の基材２３をも、接合に供することができる。
また、第１の基材２２の熱膨張率と第２の基材２３の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【０１４２】
具体的には、第１の基材２２と第２の基材２３との熱膨張率の差にもよるが、第１の基材２２および第２の基材２３の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、第１の基材２２と第２の基材２３とを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、第１の基材２２と第２の基材２３との熱膨張率の差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、接合体１における反りや剥離等の発生を確実に抑制または防止することができる。
また、この場合、具体的な第１の基材２２と第２の基材２３との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
【０１４３】
以上のようにして、図５（ｂ）に示す接合体（本発明の接合体）１を得ることができる。
このようにして得られた接合体１は、第１の基材２２と第２の基材２３との間の接合強度が４ＭＰａ（４０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する接合体１は、その剥離を十分に防止し得るものとなる。また、本発明の接合方法によれば、第１の基材２２と第２の基材２３とが上記のような大きな接合強度で接合された接合体１を効率よく作製することができる。
【０１４４】
また、接合膜３の厚さ方向での体積抵抗率は、１×１０５Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、１×１０４Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。これにより、接合膜３を介して第１の端子２２１と第２の端子２３１との間を確実に導通させることができる。また、本発明の接合方法によれば、このような優れた導電性を発現する接合膜３を効率よく作製することができる。
【０１４５】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の接合方法の第２実施形態について説明する。
図７、図８は、本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図７、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、接合方法の第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態にかかる接合方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１４６】
本実施形態にかかる接合方法では、転写用基材２１の接合面（表面）２１０の膜形成領域４１に接合膜３を形成する他に、第１の基材２２の第１の端子２２１が設けられている接合面２２０のほぼ全面、および、第２の基材２３の第２の端子２３１が設けられている接合面２３０のほぼ全面に、導電性粒子３８を含有しない液状材料を用いて接合膜３’を形成する。そして、第１の基材２２および第２の基材２３がそれぞれ備える接合膜３’の表面付近に接着性を発現させ、これら接合膜３’同士を、転写用基材２１から転写された接合膜３を介して接触させる。これにより、第１の基材２２と第２の基材２３とを、第１の端子２２１と第２の端子２３１において接合させることにより仮接合体１’を得る。その後、この仮接合体１’を加圧して、導電性粒子３８を介して第１の端子２２１と第２の端子２３１とを電気的に接続させることにより接合体１を得る。
【０１４７】
以下、各工程について説明する。
［１’］まず、前記工程［１］と同様の転写用基材２１、第１の基材２２および第２の基材２３を用意する。
［２’］次に、前記工程［２］で説明したのと同様にして、転写用基材２１の接合面２２０の膜形成領域４１に所定形状にパターニングされた接合膜３を形成する。
【０１４８】
さらに、シリコーン材料を含有する液状材料、すなわち前記工程［２］で用いた液状材料３５から導電性粒子３８を除いた液状材料を用いて、第１の基材２２の第１の端子２２１が設けられている側の面である接合面２２０のほぼ全面に、導電性粒子３８を含有しない接合膜３’を形成する。また、第２の基材２３の第２の端子２３１が設けられている側の面である接合面２３０のほぼ全面にも、第１の基材２２と同様に、導電性粒子３８を含有しない接合膜３’を形成する。
【０１４９】
なお、第１の基材２２および第２の基材２３に対する、導電性粒子３８を含有しない接合膜３’の形成は、シリコーン材料と導電性粒子３８とを含有する液状材料３５に代えて、シリコーン材料を含有する液状材料を用い、前記工程［２］で説明したのと同様の方法により行うことができる。
【０１５０】
第１の基材２２および第２の基材２３に形成された接合膜３’の平均厚さは、可能な限り薄く設定され、具体的には、好ましくは０．１〜１０μｍ程度、より好ましくは０．５〜５μｍ程度に設定される。これにより、次工程［３’］および後工程［４’］において、接合膜３’にエネルギーを付与した際に、その表面付近に確実に接着性を発現させることができる。また、後工程［５’］において、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に加圧した際に、導電性粒子３８を介して第１の端子２２１と第２の端子２３１とを確実に電気的に接続することができる。
【０１５１】
［３’］次に、図７（ａ）に示すように、第１の基材２２の接合面２２０側に形成された接合膜３’にエネルギーを付与することにより、第１の基材２２に形成された接合膜３’の表面付近に接着性を発現させる。
そして、図７（ｂ）に示すように、転写用基材２１に形成された接合膜３と、第１の基材２２に形成された接合膜３とを介して転写用基材２１と第１の基材２２とを接合させた後、転写用基材２１と第１の基材２２とを離間することにより、転写用基材２１に形成されていた接合膜３を転写用基材２１から第１の基材２２に転写する（図７（ｃ）参照。）。
【０１５２】
本実施形態のように、転写用基材２１に設けられた接合膜３の他に、第１の基材２２にも接合膜３’を設ける構成とすることにより、接合膜３と接合膜３’との間での接合がより強固なものとなるため、転写用基材２１に接合されていた接合膜３を、より確実に転写用基材２１から剥離することができる。
【０１５３】
なお、第１の基材２２に形成された接合膜３’にエネルギーを付与する方法としては、前記工程［３］で説明したのと同様の方法を用いることができ、接合膜３をプラズマに曝す方法が特に好ましく用いられる。
また、接合膜に対するエネルギーの付与は、第１の基材２２に形成された接合膜３’ばかりでなく転写用基材２１に形成された接合膜３に行うようにしてもよい。さらに、第１の基材２２に形成された接合膜３’へのエネルギーの付与を省略して、転写用基材２１に形成された接合膜３に対して単独で行うようにしてもよい
【０１５４】
［４’］次に、図８（ａ）に示すように、第２の基材２３の接合面２３０側に形成された接合膜３’にエネルギーを付与することにより、第２の基材２３に形成された接合膜３’の表面付近に接着性を発現させる。
そして、図８（ｂ）に示すように、第１の基材２２に転写された接合膜３と、第２の基材２３に形成された接合膜３’とを接触させて、これら同士を接合させることにより、第１の基材２２と第２の基材２３とが、２つの接合膜３’と１つの接合膜３とを介して接合された接合体１’を得ることができる。
【０１５５】
本実施形態のように、第１の基材２２に転写された接合膜３の他に、第２の基材２３のも接合膜３’を設ける構成とすることにより、接合膜３と接合膜３’との間での接合がより強固なものとなるため、得られた接合体１’は、より優れた接合強度を有するものとなる。
また、接合膜に対するエネルギーの付与は、第２の基材２３に形成された接合膜３’ばかりでなく第１の基材２２に転写された接合膜３に行うようにしてもよい。さらに、第２の基材２３に形成された接合膜３’へのエネルギーの付与を省略して、第１の基材２２に転写された接合膜３に対して単独で行うようにしてもよい。
【０１５６】
［５’］次に、前記工程［５］で説明したのと同様にして、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に、すなわち、第１の基材２２と第２の基材２３と離間距離が接近するように加圧する。
これにより、図８（ｃ）に示すように、接合膜３、３’を介した第１の基材２２と第２の基材２３との接続が維持されるとともに、接合膜３中の導電性粒子３８を介して第１の端子２２１と第２の端子２３１とが電気的に接続されることとなり、その結果、第１の基材２２と第２の基材２３とが、接合膜３、３’により強固にかつ電気的に接続された接合体１が形成される。
【０１５７】
本実施形態では、第１の端子２２１と第２の端子２３１との間には、接合膜３の他に、２つの接合膜３’が介在するが、仮接合体１’に対する加圧により、接合膜３および接合膜３’ともに押し潰されることとなる。そのため、最終的には、接合膜３中に含まれる導電性粒子３８同士が厚さ方向で接触することから、前記第１実施形態と同様に、第１の端子２２１と第２の端子２３１とが導電性粒子３８を介して電気的に接続されることとなる。
【０１５８】
以上のようにして接合体１を得ることができる。
なお、本実施形態では、第１の基材２２および第２の基材２３の接合面（表面）２２０および接合面２３０の双方に接合膜３’を形成する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、接合面（表面）２２０および接合面２３０の何れか一方に前記接合膜３’を形成するようにしてもよい。
以上のような前記各実施形態にかかる接合方法は、種々の基材（部材）が備える端子同士を接合するのに用いることができる。すなわち、本発明の接合体は、種々の部材が備える端子同士が接合膜を介して接合されたものに適用できる。
【０１５９】
以下では、本発明の接合体を透過型液晶表示装置に適用した場合の実施形態について説明する。
＜液晶表示装置＞
ここでは、図９は、透過型液晶表示装置を示す平面図、図１０は、図９に示す透過型液晶表示装置が備える液晶パネルの分解斜視図、図１１は、図９中Ａ−Ａ線断面図、図１２は、図９中Ｂ−Ｂ線断面図である。なお、各図では、図が煩雑になるのを避けるため、一部の部材を省略している。また、以下の説明では、図９中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」と言い、図１０〜図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１６０】
各図に示す透過型液晶表示装置（以下、単に「液晶表示装置」と言う）４０１は、液晶パネル（表示パネル）４０２と、液晶パネル４０２を駆動するための複数のドライバＩＣパッケージ４０３と、２つの入力用配線基板４０５と、バックライト（光源手段）４０６とを有している。この液晶表示装置４０１は、バックライト４０６からの光を液晶パネル４０２に透過させることにより画像（情報）を表示し得るものである。
【０１６１】
液晶パネル４０２は、互いに対向して配置された下基板４０７と上基板４０８とを有し、これらの下基板４０７と上基板４０８との間には、表示領域を囲むようにしてシール材４０９（図１１参照）が設けられている。
そして、これらの下基板４０７、上基板４０８およびシール材４０９により画成される空間には、電気光学物質である液晶が収納され、図１０および図１１に示すように、液晶層４１０が形成されている。
【０１６２】
下基板４０７および上基板４０８は、それぞれ、例えば、各種ガラス材料、各種樹脂材料等で構成されている。
下基板４０７は、その上面（液晶層４１０側の面）に、マトリックス状（行列状）に配置された複数の画素電極４１１と、Ｘ方向に延在する信号電極４１２とが設けられ、１列分の画素電極４１１の各々が１本の信号電極４１２に、それぞれ、ＴＦＤ素子やＴＦＴ素子のようなスイッチング素子４１３を介して接続されている。
また、下基板４０７の下面には、偏光板４１４が設けられている。
【０１６３】
一方、上基板４０８の下面（液晶層４１０側の面）には、複数の帯状をなす走査電極４１５が設けられている。これらの走査電極４１５は、信号電極４１２とほぼ直交するＹ方向に沿って、互いに所定の間隔をおいてほぼ平行に配置され、かつ、画素電極４１１の対向電極となるように配列されている。
画素電極４１１と走査電極４１５とが重なる部分（この近傍の部分も含む）が１画素を構成し、これらの電極間において、各画素毎に液晶層４１０の液晶が駆動、すなわち、液晶の配向状態が変化する。
【０１６４】
ここで、下基板４０７は、図９に示すように、平面視で上基板４０８の外縁より外側（図９中、左側および上側）へ張り出した張出領域（額縁）４０７Ａを有している。
この張出領域４０７Ａの上面には、信号電極４１２および走査電極４１５に連続する配線パターン４２２が形成されている。
各走査電極４１５の下面には、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の有色層（カラーフィルター）４１６が設けられ、これらの各有色層４１６がブラックマトリックス４１７によって仕切られている。
【０１６５】
また、上基板４０８の上面には、前記偏光板４１４と偏光軸が異なる偏光板４１８が設けられている。
このような構成の液晶パネル４０２では、バックライト４０６から発せられた光は、偏光板４１４で偏光された後、下基板４０７および各画素電極４１１を介して、液晶層４１０に入射する。液晶層４１０に入射した光は、各画素毎に配向状態が制御された液晶により強度変調される。強度変調された各光は、有色層４１６、走査電極４１５および上基板４０８を通過した後、偏光板４１８で偏光され、外部に出射する。これにより、液晶表示装置４０１では、上基板４０８の液晶層４１０と反対側から、例えば、文字、数字、図形等のカラー画像動画および静止画の双方を含む）を視認することができる。
【０１６６】
図９および図１１に示すように、各ドライバＩＣパッケージ４０３は、それぞれ、駆動用配線パターン４１９が設けられた可撓性基板４２０と、該可撓性基板４２０内に収納され、駆動用配線パターン４１９と電気的に接続されたドライバＩＣ４２１とを有している。
ドライバＩＣ４２１は、信号電極４１２および走査電極４１５に供給すべき駆動信号を生成する機能を有するものであり、半導体チップで構成されている。
【０１６７】
また、図１２に示すように、駆動用配線パターン４１９は、配線パターン４２２に対応するようにストライプ状に設けられ、駆動用配線パターン４１９の各配線４１９ａの一端部が、それぞれ、配線パターン４２２の各配線４２２ａと接続（接合）されている。
各入力用配線基板４０５は、それぞれ、入力用配線パターン４２３を有するプリント配線基板であり、電源用ＩＣや制御用ＩＣが実装された回路基板（図示せず）からの信号（画像信号等）を、その入力用配線パターン４２３を介して、各ドライバＩＣ４２１に伝達する。
各入力用配線パターン４２３は、各駆動用配線パターン４１９に対応するように設けられ、入力用配線パターン４２３の各配線の一端部は、それぞれ、駆動用配線パターン４１９の各配線４１９ａと接続（接合）されている。また、入力用配線パターン４２３の各配線の他端部は、それぞれ、回路基板が有する各配線と接続されている。
【０１６８】
このように構成された液晶表示装置４０１の駆動系では、回路基板からの信号が、各入力用配線パターン４２３および各駆動用配線パターン４１９を介して各ドライバＩＣ４２１に入力され、これら各ドライバＩＣ４２１によって信号電極４１２および走査電極４１５に供給すべき駆動信号が生成される。信号電極側のドライバＩＣ４２１（図９中Ｙ方向に沿って並列するドライバＩＣ４２１）によって生成された駆動信号は、駆動用配線パターン４１９および信号電極４１２を介してスイッチング素子に供給される。スイッチング素子は、供給された駆動信号に応じて画素電極４１１に電流を供給する。また、走査電極４１５側のドライバＩＣ４２１（図９中Ｘ方向に沿って並列するドライバＩＣ４２１）によって生成された駆動信号は、駆動用配線パターン４１９を介して走査電極４１５に供給される。これにより、画素電極４１１と走査電極４１５との間で、各画素毎に、液晶層４１０の液晶が駆動、すなわち、液晶の配向状態が変化する。
【０１６９】
以上のような液晶表示装置において、図１１に示すように、配線パターン４２２が設けられた張出領域４０７Ａと、駆動用配線パターン４１９が設けられたドライバＩＣパッケージ４０３とを接合する際、および、入力用配線基板４０５とドライバＩＣパッケージ４０３とを接合する際に、本発明の接合方法が適用されている。
換言すれば、接合膜３を介した張出領域４０７ＡとドライバＩＣパッケージ４０３との接合体、接合膜３を介した入力用配線基板４０５とドライバＩＣパッケージ４０３との接合体のうち、少なくとも１箇所に本発明の接合体が適用されている。
【０１７０】
この場合、張出領域４０７Ａ上に、配線パターン４２２の形状に対応した接合膜を転写用基板から転写し、この接合膜３を介して、張出領域４０７Ａの配線パターン４２２が設けられている側の面と、ドライバＩＣパッケージ４０３が有する可撓性基板４２０の駆動用配線パターン４１９が設けられている側の面とを接合することにより、これら同士が接合された接合体を得ることができる。
【０１７１】
なお、本実施形態では、例えば、図１２に示すように、配線パターン４２２が備える各配線４２２ａと、駆動用配線パターン４１９と備える各配線４１９ａとの間の接合が、対応する配線４２２ａ、４２２ａ毎に設けられた接合膜３を介して行われており、これにより、配線４２２ａ、４２２ａ同士が、接合膜３を介して接合されるとともに電気的に接続される。このように、本実施形態では、接合膜３が配線４２２ａ、４２２ａ毎に別個に設けられているので、マイグレーションの発生に起因する、隣接する配線４２２ａ、４２２ａ同士間での短絡の発生を確実に防止することができる。
【０１７２】
以上、本発明の接合方法および接合体を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、本発明の接合方法では、必要に応じて、１以上の任意の目的の工程を追加してもよい。
また、本発明の接合体は、液晶表示装置以外のものに適用可能であることは言うまでもない。具体的には、本発明の接合体は、例えば、メモリのような半導体素子、水晶発振子のような圧電素子、太陽電池のような光電変換素子、マイクロミラーのようなＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）部品、圧力センサ、加速度センサのようなセンサ部品、有機ＥＬ素子、電気泳動表示素子のような表示素子用部品等の各種部材と搭載基板との接合体に適用することができる
【実施例】
【０１７３】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
（実施例１）
まず、転写用基材として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍの単結晶シリコン基板の表面にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）膜が形成されたものを用意し、さらに、第１の基材および第２の基材として、それぞれ、ストライプ状の配線パターンが設けられたガラス基板を用意した。そして、第１の基材および第２の基材の配線パターンが形成されている側の面に対して、対して酸素プラズマによる下地処理を行った。
なお、各ガラス基板の寸法は、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍとした。また、ストライプ状の配線パターンは、各ガラス基板上から突出するように形成された銅薄膜であり、その寸法は、配線の幅および配線間のピッチともに２００μｍとした。
【０１７４】
次に、シリコーン材料として、ポリエステル変性シリコーン材料を含有する溶液（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル・ジャパン合同会社製、「ＸＲ３２−Ａ１６１２」）を用意し、この溶液中に、導電性粒子として金メッキが施されたポリスチレン粒子（平均粒径：５μｍ）を、最終的に得られる接合膜中での含有率が１０ｗｔ％となるように分散させることにより、液状材料を調製した。そして、この液状材料を、前述した液滴吐出装置５００を用いて、転写用基材の配ＰＴＦＥ膜が形成されている側の面に、５ｐＬの液滴として供給することにより、ガラス基板上に形成された配線パターンの形状に対応した液状被膜を形成した。
【０１７５】
次に、この液状被膜を、２００℃で、１時間乾燥・硬化させることにより、転写用基材上に、接合膜（平均厚さ：約２０μｍ、接合膜の幅：２１０μｍ、接合膜間のピッチ：１８０μｍ）を形成した。
次に、転写用基材上に形成された接合膜に、図６に示す大気圧プラズマ装置を用いて、以下に示す条件でプラズマを接触させた。これにより、接合膜を活性化させて、その表面に接着性を発現させた。
【０１７６】
＜プラズマ処理条件＞
・処理ガス ：ヘリウムガスと酸素ガスとの混合ガス
・ガス供給速度：１０ＳＬＭ
・電極間距離 ：１ｍｍ
・印加電圧 ：１ｋＶｐ−ｐ
・電圧周波数 ：４０ＭＨｚ
・移動速度 ：１ｍｍ／秒
【０１７７】
次に、配線パターンの形状に対応して形成された接合膜のプラズマを接触させた面と、第１の基材が備える配線パターンの表面とが接触するように、転写用基材と第１の基材とを重ね合わせることにより、接合膜と配線パターンとを接合させた。
次に、転写用基材と前記第１の基材とを離間することにより、接合膜を転写用基材から第１の基材上に転写させた。
【０１７８】
次に、第１の基材上に転写された接合膜に、図６に示す大気圧プラズマ装置を用いて、上記に示した条件と同様にしてプラズマを接触させた。これにより、再度、接合膜を活性化させて、その表面に接着性を発現させた。
次に、接合膜のプラズマを接触させた面と、第２の基材が備える配線パターンの表面とが接触するように、第１の基材と第２の基材とを重ね合わせることにより、接合膜と配線パターンとを接合させて、第１の基材と第２の基材とが接合膜を介して接合された仮接合体を得た。
次に、得られた仮接合体を、接合膜の厚さ方向、すなわち第１の基材と第２の基材との離間距離が接近するように、加圧（５０ＭＰａ）しつつ、常温（２５度前後）で２０秒間維持して、接合膜中に含まれる導電性粒子を厚さ方向で接触させることにより、各基材が備える配線パターン同士を電気的に接続させた。
【０１７９】
以上の工程を経ることにより、第１の基材に設けられた配線パターンと第２の基材に設けられた配線パターンとが、接合膜中に含まれる導電性粒子を介して電気的に接続された接合体を得た。
そして、この接合体の第１の基材と第２の基材との間の接合強度を、ＱＵＡＤ ＧＲＯＵＰ社製、「ロミュラス」を用いて測定したところ、４ＭＰａ以上であった。
なお、配線毎に対応させて形成した各接合膜は、各配線間のピッチにおいて、互いに接合することなく、得られた接合体において、それぞれ独立して形成されていた。
【０１８０】
（実施例２）
第１の基材として、ストライプ状の配線パターンが設けられたガラス基板に代えて、ストライプ状の配線パターンが設けられたステンレス鋼基板を用意し、第２の基材として、ストライプ状の配線パターンが設けられたガラス基板に代えて、ストライプ状の配線パターンが設けられたポリイミド基板を用意した以外は、前記実施例１と同様にして、接合体を得た。
本実施例２においても、前記実施例１と同様に、接合体の第１の基材と第２の基材との間の接合強度が４ＭＰａ以上であり、さらに、配線毎に対応させて形成した各接合膜は、各配線間のピッチにおいて、互いに接合することなく、得られた接合体において、それぞれ独立して形成されていた。
【０１８１】
（実施例３）
第１の基材および第２の基材の配線パターンが設けられている側の面のほぼ全面にも、転写用基材上に接合膜を形成した液状材料から導電性粒子を除いた液状材料を用いて接合膜（０．５μｍ）を形成し、このような接合膜が形成された第１の基材および第２の基材を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、接合体を得た。
本実施例３においても、前記実施例１と同様に、接合体の第１の基材と第２の基材との間の接合強度が４ＭＰａ以上であった。さらに、配線毎に対応させて形成した各接合膜は、各配線間のピッチにおいて、互いに接合することなく、得られた接合体において、それぞれ独立して形成されていた。
【符号の説明】
【０１８２】
１……接合体 １’……仮接合体 ２１……転写用基材 ２２……第１の基材 ２３…第２の基材 ２１０、２２０、２３０……接合面 ２１１……撥液膜 ２１２……母材 ２２１……第１の端子 ２３１……第２の端子 ３、３’……接合膜 ３０……液状被膜 ３１……液滴 ３２……表面 ３５……液状材料 ３８……導電性粒子 ３Ｃ……空間 ４１……膜形成領域 ４２……非膜形成領域 ５００…液滴吐出装置 ５０１…タンク ５０２…吐出走査部 ５０３…液滴吐出手段 ５０４…第１位置制御装置 ５０６…ステージ ５０８…第２位置制御装置 ５１０…チューブ ５１２…制御手段 ５１４…液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド） ５１８…ノズル ５２０…キャビティ ５２２…隔壁 ５２４…振動子 ５２４Ａ、５２４Ｂ…電極 ５２４Ｃ…ピエゾ素子 ５２６…振動板 ５２８…ノズルプレート ５２９…液だまり ５３０…供給部 ５３１…孔 ４０１……液晶表示装置 ４０２……液晶パネル ４０３……ドライバＩＣパッケージ ４０５……入力用配線基板 ４０６……バックライト ４０７……下基板 ４０７Ａ……張出領域 ４０８……上基板 ４０９……シール材 ４１０……液晶層 ４１１……画素電極 ４１２……信号電極 ４１３……スイッチング素子 ４１４……偏光板 ４１５……走査電極 ４１６……有色層 ４１７……ブラックマトリックス ４１８……偏光板 ４１９……駆動用配線パターン ４１９ａ、４２２ａ……配線 ４２０……可撓性基板 ４２１……ドライバＩＣ ４２２……配線パターン ４２３……入力用配線パターン １０００……大気圧プラズマ装置 １００２……搬送装置 １０１０……ヘッド １１０１……ヘッド本体 １１０２、１１０４……間隙 １１０３……下面 １０１５……印加電極 １０１７……高周波電源 １０１８……ガス供給流路 １０１９……対向電極 １１８１……開口部 １０２０……移動ステージ Ｅ……電界 Ｇ……処理ガス ｐ……プラズマ発生領域 Ｗ……被処理基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合方法および接合体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板上に所定形状にパターニングされた膜を形成する方法として、膜の構成材料を含有する液状材料を、所定形状となるように塗布法を用いて基板上に塗布することによりパターニングされた液状被膜を形成し、この液状被膜を乾燥することにより、所定形状にパターニングされた膜を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
このような液状材料を用いてパターニングされた膜を形成する形成方法は、２つの基板が備える導電性の端子同士を電気的に接合するために、熱または光硬化性樹脂と導電性粒子とを含有する接合膜を、基板が備える端子上に所定形状に形成する場合にも適用し得る。
しかしながら、このような端子上に液状材料を塗布する方法では、基板に対する液状材料の濡れ性によっては、所定形状に塗布された液状被膜が基板上で濡れ広がり、その結果、形成される膜のパターニング精度が低下してしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２８９２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、高い成膜精度でパターニングされた接合膜を用いて２つの基材が備える端子同士を電気的に接合することができる接合方法、かかる接合方法で接合された接合膜を備える接合体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合方法は、シリコーン材料と導電性粒子とを含有する液状材料に対する撥液性を少なくとも表面付近に有する転写用基材と、接合膜を介して互いに電気的に接合する、第１の端子を備える第１の基材、および、第２の端子を備える第２の基材とを用意する第１の工程と、
前記転写用基材の前記撥液性が付与されている面側に、前記液状材料を塗布して、所定形状にパターニングされた液状被膜を形成した後、乾燥することにより、前記所定形状にパターニングされた接合膜を得る第２の工程と、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させ、当該接合膜を介して前記転写用基材と前記第１の基材とを接合させた後、前記転写用基材と前記第１の基材とを離間することにより、前記接合膜を前記転写用基材から前記第１の基材に転写する第３の工程と、
転写された前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させ、当該接合膜を介して前記第１の基材と前記第２の基材とを接合することにより、これら同士が接合された仮接合体を得る第４の工程と、
前記仮接合体を前記接合膜の厚さ方向に加圧することにより、当該接合膜を介した前記第１の基材と前記第２の基材との接合を維持するとともに、前記接合膜中の前記導電性粒子を介して前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続することにより接合体を得る第５の工程とを有することを特徴とする。
これにより、高い成膜精度でパターニングされた接合膜を介して、第１の基材が備える第１の端子と第２の基材が備える第２の端子とを電気的に接合することができる。
【０００７】
本発明の接合方法では、前記第１の端子と前記第２の端子とは、前記第１の基材と前記第２の基材とを、これら端子同士が対向するように重ね合わせたとき、互いに重なる位置に設けられていることが好ましい。
かかる構成の第１の基材と第２の基材とを、本発明の接合方法を用いて接合することにより、接合膜を介して第１の端子と第２の端子とを電気的に接続することができる。
【０００８】
本発明の接合方法では、前記所定形状は、第３の工程において、前記接合膜を前記第１の基材に転写したとき、前記第１の端子の形状に対応した形状をなしていることが好ましい。
これにより、第１の端子に対応して設けられた接合膜を用いて、第１の端子と第２の端子とを電気的に接続することができる。
【０００９】
本発明の接合方法では、前記第２の工程において、前記第１の基材の前記接合膜を介して前記第２の基材と接合する側の面のほぼ全面に、前記導電性粒子を含有しない接合膜を形成することが好ましい。
これにより、接合膜同士間での接合をより強固なものとすることができる。
本発明の接合方法では、前記第２の工程において、前記第２の基材の前記接合膜を介して前記第１の基材と接合する側の面のほぼ全面に、前記導電性粒子を含有しない接合膜を形成することが好ましい。
これにより、接合膜同士間での接合をより強固なものとすることができる。
【００１０】
本発明の接合方法では、前記第２の工程において、前記液状皮膜は、前記液状材料を液滴吐出法を用いて液滴として供給することにより形成されることが好ましい。
液滴吐出法によれば、より高い成膜精度で接合膜を形成することができる。
本発明の接合方法では、前記液滴吐出法は、圧電素子による振動を利用して前記液状材料を、インクジェットヘッドが備えるノズル孔から液滴として吐出するインクジェット法であることが好ましい。
インクジェット法によれば、目的とする領域（位置）に、液状材料を液滴として、優れた位置精度で供給することができる。また、圧電素子の振動数および液状材料の粘度等を適宜設定することにより、液滴のサイズ（大きさ）を、比較的容易に調整できることから、液滴のサイズを小さくすれば、たとえ所定形状が微細なものであったとしても、この形状に対応した液状被膜を確実に形成することができる。
【００１１】
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成され、この主骨格が分枝状をなしていることが好ましい。
これにより、シリコーン材料の分枝鎖同士が互いに絡まり合うようにして接合膜が形成されることから、得られる接合膜は特に膜強度に優れたものとなる。
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、前記ポリジメチルシロキサンが有するメチル基の少なくとも１つがフェニル基で置換されていることが好ましい。
これにより、接合膜をより膜強度に優れたものとすることができる。
【００１２】
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、シラノール基を複数個有することが好ましい。
これにより、シリコーン材料が有する水酸基とポリエステル樹脂が有する水酸基とを確実に結合させることができ、シリコーン材料とポリエステル樹脂とが脱水縮合反応することにより得られるポリエステル変性シリコーン材料を確実に合成することができる。
さらに、液状被膜を乾燥させて接合膜を得る際に、隣接するシリコーン材料が有するシラノール基に含まれる水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜の膜強度が優れたものとなる。
【００１３】
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、ポリエステル樹脂と脱水縮合反応させることにより得られたポリエステル変性シリコーン材料であることが好ましい。
これにより、接合膜をより膜強度に優れたものとすることができる。
本発明の接合方法では、ポリエステル樹脂は、飽和多塩基酸と多価アルコールとのエステル化反応により得られるものであることが好ましい。
これにより、基材粒子の構成材料や導電膜の構成材料を適宜選択することにより、導電性粒子の形状、大きさ（平均粒径等）、物性（導電性、密度等）等の調整が容易となる。
【００１４】
本発明の接合方法では、前記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電膜とを有するものであることが好ましい。
これにより、導電性粒子の平均粒径が小さ過ぎることに起因して、液状材料中において導電性粒子が凝集してしまうのを防止することができる。また、導電性粒子の平均粒径が大き過ぎて、圧縮しなくても液状被膜中で導電性粒子同士や導電性粒子と各基材とが接触する確率が高くなるのを防止することができる。
【００１５】
本発明の接合方法では、前記導電性粒子の平均粒径は、０．３〜１００μｍであることが好ましい。
これにより、導電性粒子の平均粒径が小さ過ぎて、液状材料中において導電性粒子の凝集が生じることを防止することができる。また、導電性粒子の平均粒径が大き過ぎて、圧縮しなくても接合膜中で、導電性粒子同士や、導電性粒子と、第１の端子または第２の端子とが接触する確率が高くなるのを防止することができる。
【００１６】
本発明の接合方法では、前記接合膜の平均厚さは、０．５〜５００μｍであることが好ましい。
これにより、接合体の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、第１の基材と第２の基材とをより強固に接合することができる。
本発明の接合方法では、前記第３の工程および第４の工程において、前記接合膜に対する前記エネルギーの付与は、前記接合膜にプラズマを接触させることにより行われることが好ましい。
これにより、接合膜を、極めて短時間（例えば、数秒程度）で活性化させることが可能であり、結果として、接合体を短時間で製造することができる。
【００１７】
本発明の接合方法では、前記プラズマの接触を、大気圧下で行うことが好ましい。
大気圧下で行われるプラズマの接触、すなわち、大気圧プラズマ処理によれば、接合膜の周囲が減圧状態とならないので、プラズマの作用により、例えば、接合膜を構成するポリエステル変性シリコーン材料が含んでいるポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基を切断、除去して、接合膜の表面付近に接着性を発現させる際に、この切断が不要に進行するのを防止することができる。
【００１８】
本発明の接合方法では、前記プラズマの接触は、互いに対向する電極間に電圧を印加した状態で、これらの間にガスを導入することにより、プラズマ化された前記ガスを前記接合膜に供給することによりなされることが好ましい。
これにより、容易かつ確実に、接合膜にプラズマを接触させ、接合膜の表面付近に接着性を確実に発現させることができる。
【００１９】
本発明の接合方法では、前記第１端子および前記第２の端子には、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、接合膜を形成するために、各端子の表面を特に最適化することができる。
本発明の接合体は、前記第１の基材と前記第２の基材とが、本発明の接合方法により形成された接合膜を介して接合されているとともに、前記第１の端子と第２の端子とが前記導電性粒子を介して電気的に接続されてなることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い接合体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】転写用基材上に液状材料を塗布する際に用いる液滴吐出装置を示す斜視図である。
【図２】図１に示す液滴吐出装置における液滴吐出ヘッドを示す図であり、（ａ）は断面斜視図、（ｂ）は断面図である。
【図３】本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図５】本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図６】接合膜にプラズマを接触させる際に用いる大気圧プラズマ装置を示す概略図である。
【図７】本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図８】本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図９】本発明の接合体が適用された透過型液晶表示装置を示す上面図である。
【図１０】図９に示す液晶表示装置が備える液晶パネルの分解斜視図である。
【図１１】図９中Ａ−Ａ線断面図である。
【図１２】図９中Ｂ−Ｂ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の接合方法および接合体を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明の接合方法および接合体を説明するのに先立って、本発明の接合方法で液状材料を供給する際に用いられる液滴吐出装置の一例について説明する。
＜液滴吐出装置＞
図１は、転写用基材上に液状材料を塗布する際に用いる液滴吐出装置を示す斜視図、図２は、図１に示す液滴吐出装置における液滴吐出ヘッドを示す図であり、（ａ）は断面斜視図、（ｂ）は断面図である。
【００２２】
図１に示すように、本工程で用いる液滴吐出装置５００は、後述する接合膜３を形成する際に用いる液状材料３５を保持するタンク５０１と、チューブ５１０と、チューブ５１０を介してタンク５０１から液状材料３５が供給される吐出走査部５０２とを備える。吐出走査部５０２は、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）５１４を備える液滴吐出手段５０３と、液滴吐出手段５０３の位置を制御する第１位置制御装置５０４（移動手段）と、後述する接合膜３を形成する転写用基材２１を保持するステージ５０６と、ステージ５０６の位置を制御する第２位置制御装置５０８（移動手段）と、制御手段５１２とを備えている。タンク５０１と、液滴吐出手段５０３における液滴吐出ヘッド５１４とは、チューブ５１０で連結されており、タンク５０１から液滴吐出ヘッド５１４に液状材料３５が圧縮空気によって供給される。
【００２３】
制御手段（制御装置）５１２は、例えば、演算部やメモリー等を内蔵するマイクロコンピュータやパーソナルコンピュータ等のコンピュータで構成されており、制御手段５１２には、図示しない操作部からの信号（入力）が、それぞれ、随時入力される。
また、制御手段５１２は、操作部からの信号等に基づき、予め設定されたプログラムに従って、液滴吐出装置５００の各部の作動（駆動）をそれぞれ制御する。
【００２４】
第１位置制御装置５０４は、制御手段５１２からの信号に応じて、液滴吐出手段５０３をＸ軸方向、およびＸ軸方向に直交するＺ軸方向に沿って移動させる。さらに、第１位置制御装置５０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで液滴吐出手段５０３を回転させる機能も有する。本実施形態では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。第２位置制御装置５０８は、制御手段５１２からの信号に応じて、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方に直交するＹ軸方向に沿ってステージ５０６を移動させる。さらに、第２位置制御装置５０８は、Ｚ軸に平行な軸の回りでステージ５０６を回転させる機能も有する。
【００２５】
ステージ５０６は、Ｘ軸方向とＹ軸方向との双方に平行な平面を有する。また、ステージ５０６は、液状材料３５を付与して接合膜３を形成する転写用基材２１をその平面上に固定、または保持できるように構成されている。
上述のように、液滴吐出手段５０３は、第１位置制御装置５０４によってＸ軸方向に移動させられる。一方、ステージ５０６は、第２位置制御装置５０８によってＹ軸方向に移動させられる。つまり、第１位置制御装置５０４および第２位置制御装置５０８によって、ステージ５０６に対する液滴吐出ヘッド５１４の相対位置が変わる（ステージ５０６に保持された転写用基材２１と、液液滴吐出手段５０３とが相対的に移動する）。
【００２６】
制御手段５１２は、液状材料３５を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。
液状材料３５を転写用基材２１上に供給する際には、液滴吐出ヘッド５１４と転写用基材２１とを相対的に走査しつつ、転写用基材２１上に液状材料３５を吐出する。すなわち、第２位置制御装置５０８の作動により、転写用基材２１が保持されているステージ５０６をＹ軸方向に移動させ、液滴吐出手段５０３の下を通過させつつ、液滴吐出手段５０３が備える液滴吐出ヘッド５１４のノズル５１８から液状材料３５の液滴（インク滴）３１を吐出して、転写用基材２１上の膜形成領域４１に付与する（着弾させる）。以下、この動作を「塗布走査（液滴吐出ヘッド５１４と転写用基材２１との主走査）」と言うことがある。
そして、この液状材料３５を転写用基材２１上に供給する工程においては、通常は、前記塗布走査（走査）を複数回行うようになっている。なお、前記塗布走査の回数は、１回でもよいことは言うまでもない。
【００２７】
本実施形態では、液滴吐出ヘッド５１４は、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、インクジェットヘッドで構成されている。すなわち、本実施形態で説明する液滴吐出装置は、インクジェット装置である。
液滴吐出ヘッド５１４は、振動板５２６と、ノズルプレート５２８とを備えている。振動板５２６と、ノズルプレート５２８との間には、タンク５０１から、チューブ５１０および孔５３１を介して供給される液状材料３５が常に充填される液だまり５２９が位置している。
【００２８】
また、振動板５２６と、ノズルプレート５２８との間には、複数の隔壁５２２が位置している。そして、振動板５２６と、ノズルプレート５２８と、１対の隔壁５２２とによって囲まれた部分がキャビティ（インク室）５２０である。キャビティ５２０はノズル５１８に対応して設けられているため、キャビティ５２０の数とノズル５１８の数とは同じである。キャビティ５２０には、１対の隔壁５２２間に位置する供給口５３０を介して、液だまり５２９から液状材料３５が供給される。
【００２９】
振動板５２６上には、それぞれのキャビティ５２０に対応して、振動子５２４が位置する。振動子５２４は、駆動素子としてのピエゾ素子（圧電素子）５２４Ｃと、ピエゾ素子５２４Ｃを挟む１対の電極５２４Ａ、５２４Ｂとを含む。この１対の電極５２４Ａ、５２４Ｂとの間に駆動電圧（信号）を印加する（与える）ことで、ピエゾ素子５２４Ｃの振動に追従して振動板５２６が振動することにより、対応するノズル５１８から液状材料３５が液滴３１として吐出される。
【００３０】
この場合、前記駆動電圧（例えば、駆動電圧の大きさ等）を調整することにより、ノズル５１８から吐出される液状材料３５の吐出動作１回当りの吐出量（液滴量）を調整することができるようになっている。
なお、ノズル５１８からＺ軸方向に液状材料３５が吐出されるように、ノズル５１８の形状が調整されている。
【００３１】
制御手段５１２は、複数の振動子５２４のそれぞれに互いに独立に駆動電圧を印加するように構成されていてもよい。つまり、ノズル５１８から吐出される液状材料３５の吐出動作１回当りの吐出量が、制御手段５１２からの信号、すなわち、駆動電圧に応じてノズル５１８毎に制御されてもよい。また、制御手段５１２は、塗布走査の間に吐出動作を行うノズル５１８と、吐出動作を行わないノズル５１８とを設定することでもできる。
【００３２】
なお、１つのノズル５１８と、ノズル５１８に対応するキャビティ５２０と、キャビティ５２０に対応する振動子５２４とを含んだ部分により吐出部が構成される。この吐出部は、１つの液滴吐出ヘッド５１４において、ノズル５１８の数と同じ数だけ存在することとなる。
上記のような液滴吐出装置５００を用いて、転写用基材２１上に液状材料３５を液滴３１として供給することにより、転写用基材２１の接合面（上面）２１０の所望の位置に液状材料３５を供給することができる。これにより、膜形成領域４１の形状に対応して転写用基材２１上に液状被膜３０を、ひいては接合膜３を確実に形成することができる。すなわち、転写用基材２１に、所定形状にパターニングされた液状被膜３０（接合膜３）を確実に形成することができる。
【００３３】
なお、液滴吐出ヘッド５１４は、駆動素子として、上述したピエゾ素子の代わりに静電アクチュエータを用いるものでもよい。また、液滴吐出ヘッド５１４は、駆動素子として電気熱変換素子を用い、この電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して液状材料３５を吐出するバブルジェット方式（「バブルジェット」は登録商標）の構成であってもよい。
【００３４】
本発明の接合方法において、以上のような液滴吐出装置を用いて、所定形状にパターニングされた接合膜を転写用基材２１上に形成することができ、この転写用基材２１上に形成された接合膜３を、第１の基材２２上に、このものが備える第１の端子２２１に対応するように転写した後、この接合膜３で第１の基材２２と第２の基材２３とを接合することにより、これら基材２２、２３が備える第１の端子２２１と第２の端子２３１とを電気的に接続することができる。
【００３５】
以下、本発明の接合方法について説明する。
＜接合方法＞
本発明の接合方法は、シリコーン材料と導電性粒子３８とを含有する液状材料３５に対する撥液性を少なくとも表面付近に有する転写用基材２１と、接合膜３を介して互いに電気的に接合する、第１の端子２２１を備える第１の基材２２、および、第２の端子２３１を備える第２の基材２３とを用意する第１の工程と、転写用基材２１の前記撥液性が付与されている面２１０側に、液状材料３５を塗布して、所定形状にパターニングされた液状被膜３０を形成した後、乾燥することにより、前記所定形状にパターニングされた接合膜３を得る第２の工程と、接合膜３にエネルギーを付与することにより、接合膜３の表面付近に接着性を発現させ、接合膜３を介して転写用基材２１と第１の基材２２とを接合させた後、転写用基材２１と第１の基材２２とを離間することにより、接合膜３を転写用基材２１から第１の基材２２に転写する第３の工程と、転写された接合膜３にエネルギーを付与することにより、接合膜３の表面付近に接着性を発現させ、この接合膜３を介して第１の基材２２と第２の基材２３とを接合することにより、これら同士が接合された仮接合体１’を得る第４の工程と、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に加圧することにより、接合膜３を介した第１の基材２２と第２の基材２３との接合を維持するとともに、接合膜３中の導電性粒子３８を介して第１の端子２２１と第２の端子２３１とを電気的に接続することにより接合体１を得る第５の工程とを有するものである。
【００３６】
かかる方法によれば、転写用基材２１の目的とする領域に対して高い成膜精度で前記所定形状にパターニングされた、シリコーン材料を原材料とする接合膜３を形成することができ、この接合膜３を第１の基材２２に転写することができるため、この接合膜３の表面付近に発現した接着性により、２つの基材２２、２３同士を強固に接合することができる。
【００３７】
また、各基材２２、２３が備える第１の端子２２１および第２の端子２３１に対応して接合膜３が形成され、この接合膜３に含まれる導電性粒子３８を介して、これら端子２２１、２３１同士が電気的に接続される。そのため、各基板２２、２３に、それぞれ、複数個の端子２２１、２３１が設けられている場合には、隣接する端子２２１、２３１同士間で短絡が生じるのを確実に防止することができる。
【００３８】
以下、この本発明の接合方法の第１実施形態を、工程ごとに詳述する。
＜＜第１実施形態＞＞
図３〜図５は、本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）、図６は、接合膜にプラズマを接触させる際に用いる大気圧プラズマ装置を示す概略図である。なお、以下の説明では、図３〜図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３９】
本実施形態の接合方法は、転写用基材２１上に、所定形状にパターニングされて形成した接合膜３を、第１の基材２２が備える第１の端子２２１に対応するように第１の基材２２上に転写した後、第１の基材２２と第３の基材２３とを接合膜３を介して接合するとともに、第１の基材２２が備える第１の端子２２１と第２の基材２３が備える第２の端子２３１とを接合膜３（導電性粒子３８）を介して電気的に接続する接合方法である。
【００４０】
［１］まず、表面付近に撥液性を有する転写用基材２１と、接合膜３を介して互いに電気的に接合する第１の端子を備える第１の基材２２、および、第２の端子を備える第２の基材２３とを用意する（第１の工程）。
転写用基材２１は、表面付近に撥液性を有するものであれば、如何なる構成のものであってもよく、例えば、図３（ａ）に示すように、母材２１２の上面に、撥液性を有する撥液膜２１１が設けられたものが挙げられる。
【００４１】
また、撥液膜２１１は、フッ素系材料で構成される膜や、フッ素原子を含有するカップリング剤で構成される単分子膜等が挙げられる。
フッ素系材料のうち、フッ素系有機材料の具体例としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、パーフルオロエチレン−プロペン共重合体（ＦＥＰ）およびエチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）等が挙げられる。一方、フッ素系無機材料の具体例としては、例えば、フッ化チタン酸カリウム、ケイフッ化カリウム、フッ化ジルコン酸カリウムおよびケイフッ酸等が挙げられる。
【００４２】
また、フッ素原子を含有するカップリング剤としては、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００４３】
母材２１２の構成材料としては、特に限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリブテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂系材料、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムヒ素のような金属系材料、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのようなシリコン系材料、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、アルミナ、ジルコニア、ＭｇＡｌ２Ｏ４、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、グラファイトのような炭素系材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
【００４４】
また、第１の基材２２は、第２の基材２３が備える第２の端子２３１に対応するように、第１の端子２２１が形成されていればいかなる構成のものであってもよいが、例えば、母材に所定パターンの配線が形成されこの配線の端部に第１の端子２２１が設けられており、この第１の端子２２１が第１の基材２２の一方の面側から露出しているものが挙げられる。
【００４５】
さらに、第２の基材２３は、第１の基材２２が備える第１の端子２２１に対応するように、第２の端子２３１が形成されていればいかなる構成のものであってもよいが、例えば、母材に所定パターンの配線が形成されこの配線の端部に第２の端子２３１が設けられており、この第２の端子２３１が第２の基材２３の一方の面側から露出しているものが挙げられる。
【００４６】
なお、第１の基材２２および第２の基材の母材としては、それぞれ、前述した転写用基材２１が備える母材２１２で挙げた構成材料のうち絶縁性の材料で構成されているものが挙げられる。
さらに、第１の基材２２の母材の構成材料と第２の基材２３の母材の構成材料とは、それぞれ同じでも、異なっていてもよい。
【００４７】
また、第１の基材２２の母材の熱膨張率と第２の基材２３の母材の熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。これらの熱膨張率がほぼ等しければ、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合した際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる接合体１において、剥離を確実に防止することができる。
なお、後に詳述するが、第１の基材２２の母材の熱膨張率と第２の基材２３の母材の熱膨張率が互いに異なる場合でも、後述する工程において、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合する際の条件を最適化することにより、これらを高い寸法精度で強固に接合することができる。
【００４８】
また、２つの基材２２、２３の母材は、互いに剛性が異なるのが好ましい。これにより、２つの基材２２、２３をより強固に接合することができる。
さらに、各基材２２、２３の母材の形状は、それぞれ、接合膜３を支持する面を有するような形状であればよく、例えば、板状（層状）、塊状（ブロック状）、棒状等とされる。
【００４９】
なお、本実施形態では、図３〜５に示すように、各基材２２、２３の母材がそれぞれ板状をなしている。これにより、各基材２２、２３の母材は撓み易くなり、２つの基材２２、２３を重ね合わせたときに、互いの形状に沿って十分に変形し得るものとなる。このため、２つの基材２２、２３を重ね合わせたときの密着性が高くなり、最終的に得られる接合体１における接合強度が高くなる。
【００５０】
また、各基材２２、２３の母材が撓むことによって、接合界面に生じる応力を、ある程度緩和する作用が期待できる。
この場合、各基材２２、２３の母材の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい
第１の端子２２１と第２の端子２３１とは、後述するように、それぞれ、第１の基材２２と第２の基材とを重ね合わせて接合膜３を介して接合した際に、これら同士（本実施形態では、２つずつ設けられた端子２２１、２３１同士）が互いに対応するように、すなわち、互いに重なり合うように、各基材２２、２３の一方の面から突出して設けられている。
【００５１】
また、配線および端子２２１、２３１の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されるものではないが、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、白金、金、銀、モリブデン、タンタルまたはこれらを含む合金等の金属材料、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素系材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾールまたはこれらの誘導体等の電子導電性高分子材料、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリエチレンオキシド、ポリビニルブチラール、ポリビニルカルバゾール、酢酸ビニル等のマトリックス樹脂中に、イオン性物質を分散させたイオン導電性高分子材料、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープした錫酸化物（ＦＴＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ２）、インジウム酸化物（ＩＯ）等の導電性酸化物材料のような各種導電性材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、第１の端子２２１の構成材料と第２の端子２３１の構成材料とは、それぞれ同じでも、異なっていてもよい。
【００５２】
次に、必要に応じて、第１の端子２２１および第２の端子２３１の表面に接合膜３との密着性を高める表面処理を施す。これにより、第１の端子２２１および第２の端子２３１の表面が清浄化および活性化され、第１の端子２２１および第２の端子２３１に対して接合膜３が化学的に作用し易くなる。その結果、後述する工程において、第１の端子２２１および第２端子２３１に対して接合膜３を接合したとき、第１の端子２２１および第２端子２３１と接合膜３との接合強度を高めることができる。
【００５３】
この表面処理としては、特に限定されないが、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。特に、表面処理として、プラズマ処理または紫外線照射処理を行うことにより、第１の端子２２１および第２の端子２３１を、より清浄化および活性化することができる。その結果、第１の端子２２１および第２の端子２３１と接合膜３との接合強度を特に高めることができる。
なお、上記のような表面処理は、必要に応じて行えばよく、特に高い接合強度を必要としない場合には、省略することができる。
【００５４】
［２］次に、転写用基材２１の撥液膜２１１が形成されている面側に、シリコーン材料と導電性粒子３８とを含有する液状材料３５を塗布して、所定形状にパターニングされた液状被膜３０を形成した後、乾燥することにより、前記所定形状にパターニングされた接合膜３を得る（第２の工程）。
以下、本工程について詳述する。
【００５５】
［２−１］まず、シリコーン材料と導電性粒子３８とを含有する液状材料３５を、例えば、前述した液滴吐出装置５００による液滴吐出法を用いて液滴３１として、転写用基材２１の撥液膜２１１が形成されている側の面である接合面２１０上に供給する。
これにより、図３（ａ）に示すような接合面２１０の膜形成領域４１に、接合面２１０の非膜形成領域４２に供給することなく、液滴３１を選択的に供給することができる。その結果、図３（ｂ）に示すように、転写用基材２１上に、膜形成領域４１の形状、すなわち所定形状にパターニングされた液状被膜３０が形成される。
【００５６】
なお、本明細書中で、「所定形状」とは、接合膜３による接合を必要とする部位に対応した形状のこと、すなわち、次工程［３］において、接合膜３を第１の基材２３に転写したとき、接合膜３が第１の端子の形状に対応した形状をなしていることを言い、本実施形態では、転写用基材２１の膜形成領域４１に対応した形状のことを言う。
ここで、本実施形態では、接合面２２０の膜形成領域４１に液状材料を選択的に塗布（供給）する方法として、液滴吐出装置５００を用いて液状材料３５を液滴３１として供給する液滴吐出法が用いられる。
【００５７】
液滴吐出法を用いて、液状材料を位置選択的に供給することにより、液状材料に無駄が生じるのを確実に防止することができる。また、例えば、基板上にレジスト層を形成して、これをマスクとして用いて膜をパターニングする場合と比較して、接合膜３を形成するまでの工程数の削減、時間の短縮および製造コストの削減を図ることができる。
さらに、本実施形態では、液滴吐出法は、液滴吐出ヘッド５１４としてインクジェットヘッドを備えるインクジェット法が用いられる。インクジェット法によれば、目的とする領域（位置）に、液状材料を液滴３１として、優れた位置精度で供給することができる。また、ピエゾ素子５２４Ｃの振動数および液状材料の粘度等を適宜設定することにより、液滴３１のサイズ（大きさ）を、比較的容易に調整できることから、液滴３１のサイズを小さくすれば、たとえ膜形成領域４１の形状が微細なものであったとしても、膜形成領域４１の形状に対応した液状被膜３０を確実に形成することができる。
【００５８】
液状材料の粘度（２５℃）は、通常、０．５〜２００ｍＰａ・ｓ程度であるのが好ましく、３〜２０ｍＰａ・ｓ程度であるのがより好ましい。液状材料の粘度をかかる範囲とすることにより、液滴の吐出をより安定的に行うことができるとともに、微細な形状の膜形成領域４１を描画し得る大きさの液滴３１を吐出することができる。さらに、この液状材料で構成される液状被膜３０を次工程［２−２］で乾燥させた際に、接合膜３を形成するのに十分な量のシリコーン材料と導電性粒子３８とを液状材料３５中に含有したものとすることができる。
【００５９】
また、液状材料３５の粘度をかかる範囲内とすれば、具体的には、液滴３１の量（液状材料の１滴の量）を、平均で、０．１〜４０ｐＬ程度に、より現実的には１〜３０ｐＬ程度に設定し得る。これにより、接合面２２０に供給された際の液滴３１の着弾径が小さなものとなることから、微細な形状の接合膜３をも確実に形成することができる。
さらに、接合面２２０の膜形成領域４１に供給する液滴３１の供給量を適宜設定することにより、形成される接合膜３の厚さの制御を比較的容易に行うことができる。
【００６０】
また、本発明では、液状材料３５が液滴３１として塗布（供給）される接合面２１０には撥液性が付与されている。これにより、接合面２１０上に塗布された液滴３１は、接合面２１０上に供給された際に、接合面２１０上での濡れ広がりが的確に抑制または防止された状態で供給される。そのため、液状被膜３０は、優れたパターニング精度で、膜形成領域４１の形状を維持した状態で接合面２１０上に形成されることとなる。
【００６１】
液状被膜３０の接合面２１０に対する濡れ性は、例えば、液状被膜３０の接合面２１０に対する接触角で表すことができ、その接触角は、好ましくは８０〜１１０°程度、より好ましく８５〜１００°程度とされる。かかる関係を満足するように液状材料３５の種類および撥液膜２１１の種類を適宜選択することにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。
【００６２】
また、液滴３１として吐出される液状材料３５は、前述のようにシリコーン材料と導電性粒子３８とを含有するものであるが、シリコーン材料と導電性粒子３８との混合物単独で、液状をなし目的とする粘度範囲である場合、この混合物をそのまま液状材料３５として用いることができる。また、シリコーン材料単独で、固形状または高粘度の液状をなす場合には、液状材料３５として、シリコーン材料の溶液または分散液に導電性粒子３８を分散させたものを用いることができる。
【００６３】
シリコーン材料を溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、例えば、アンモニア、水、過酸化水素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。
【００６４】
シリコーン材料は、液状材料３５中に含まれ、次工程［２−２］において、この液状材料を乾燥させることにより形成される接合膜３の主材料として導電性粒子３８とともに含まれるものである。接合膜３に、このシリコンーン材料が含まれることにより、次工程［３］および後工程［４］においてエネルギーを付与した際に、接合膜３は、その表面で接着性を発揮するものとなる。
【００６５】
ここで、「シリコーン材料」とは、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物であり、通常、主骨格（主鎖）部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなり、その主骨格が少なくとも１つのシラノール基を備える化合物のことを言い、主鎖の途中から枝分かれする分枝状の構造を有するものであってもよく、主鎖が環状をなす環状体であってもよく、主鎖の末端同士が連結しない直鎖状のものであってもよい。
例えば、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物において、オルガノシロキサン単位は、その末端部では下記一般式（１）で表わされる構造単位を有し、連結部では下記一般式（２）で表わされる構造単位を有し、また、分枝部では下記一般式（３）で表わされる構造単位を有している。
【００６６】
【化１】
［式中、各Ｒは、それぞれ独立して、置換または無置換の炭化水素基を表し、各Ｚは、それぞれ独立して、水酸基または加水分解基を表し、Ｘはシロキサン残基を表し、ａは１〜３の整数を表し、ｂは０または１〜２の整数を表し、ｃは０または１を表す。］
【００６７】
なお、シロキサン残基とは、酸素原子を介して隣接する構造単位が有するケイ素原子に結合しており、シロキサン結合を形成している置換基のことを表す。具体的には、−Ｏ−（Ｓｉ）構造（Ｓｉは隣接する構造単位が有するケイ素原子）となっている。
このようなシリコーン材料において、ポリオルガノシロキサン骨格は、分枝状をなすもの、すなわち上記一般式（１）で表わされる構造単位、上記一般式（２）で表わされる構造単位および上記一般式（３）で表わされる構造単位で構成されているのが好ましい。この分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物（以下、「分枝状化合物」と略すこともある。）は、主骨格（主鎖）部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなる化合物であり、主鎖の途中でオルガノシロキサン単位の繰り返しが分枝するとともに、主鎖の末端同士が連結しないものである。
【００６８】
この分枝状化合物を用いることにより、次工程［２−２］において、液状材料３５中に含まれるこの化合物の分枝鎖同士が互いに絡まり合うようにして接合膜３が形成されることから、得られる接合膜３は特に膜強度に優れたものとなる。
なお、上記一般式（１）〜上記一般式（３）中、基Ｒ（置換または無置換の炭化水素基）としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、ビフェニリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基等が挙げられる。さらに、これらの基の炭素原子に結合している水素原子の一部または全部が、Ｉ）フッ素原子、塩素原子、臭素原子のようなハロゲン原子、II）グリシドキシ基のようなエポキシ基III）メタクリル基のような（メタ）アクリロイル基、IV）カルボキシル基、スルフォニル基のようなアニオン性基等で置換された基等が挙げられる。
【００６９】
基Ｚが加水分解基である場合、この加水分解基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、ジメチルケトオキシム基、メチルエチルケトオキシム基等のケトオキシム基、アセトキシ基等のアシルオキシ基、イソプロペニルオキシ基、イソブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基等が挙げられる。
また、分枝状化合物は、その分子量が、１×１０４〜１×１０６程度のものであるのが好ましく、１×１０５〜１×１０６程度のものであるのがより好ましい。分子量をかかる範囲内に設定することにより、液状材料３５の粘度を上述したような範囲内に比較的容易に設定することができる。
【００７０】
このような分枝状化合物は、その化合物中において、シラノール基（水酸基）を複数有するものであるのが好ましい。すなわち、上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位において、基Ｚを複数有しており、これらの基Ｚが水酸基であるのが好ましい。これにより、分枝状化合物が有する水酸基とポリエステル樹脂が有する水酸基とを確実に結合させることができ、後述する、分枝状化合物とポリエステル樹脂とが脱水縮合反応することにより得られるポリエステル変性シリコーン材料を確実に合成することができる。さらに、次工程［２−２］において、液状被膜３０を乾燥させて接合膜３を得る際に、シリコーン材料すなわち分枝状化合物中に残存しているシラノール基に含まれる水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜３の膜強度が優れたものとなる。
【００７１】
また、シラノール基が有するシリコン原子に連結している炭化水素基は、フェニル基であるのが好ましい。すなわち、基Ｚが水酸基である上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位に存在する基Ｒは、フェニル基であるのが好ましい。これにより、シラノール基の反応性がより向上するため、隣接する分枝状化合物が有する水酸基同士の結合がより円滑に行われるようになる。また、分枝状化合物中のメチル基の少なくとも１つをフェニル基に置換して、得られる接合膜３中に、フェニル基が含まれる構成とすることにより、接合膜３をより膜強度に優れたものとし得るという利点も得られる。
【００７２】
さらに、シラノール基が存在しないシリコン原子に連結している炭化水素基は、メチル基であるのが好ましい。すなわち、基Ｚが存在しない上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位に存在する基Ｒは、メチル基であるのが好ましい。このように、基Ｚが存在しない上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位に存在する基Ｒがメチル基である化合物は、比較的入手が容易で、かつ安価であるとともに、後工程
［３］および後工程［４］において、接合膜３にエネルギーを付与することにより、メチル基が容易に切断されて、その結果として、接合膜３に確実に接着性を発現させることができるため、分枝状化合物（シリコーン材料）として好適に用いられる。
以上のことを考慮すると、分枝状化合物としては、例えば、下記一般式（４）で表わされる化合物が好適に用いられる。
【００７３】
【化２】
［式中、ｎは、それぞれ独立して、０または１以上の整数を表す。］
【００７４】
さらに、上述した分枝状化合物は、比較的柔軟性に富む材料である。そのため、後工程
［５］において、接合膜３を介して第１の基材２２と第２の基材２３とを接合して接合体１を得る際に、例えば、第１の基材２２と第２の基材２３の各構成材料が互いに異なるものを用いる場合であったとしても、各基材２２、２３間に生じる熱膨張に伴う応力を確実に緩和することができる。これにより、最終的に得られる接合体１において、剥離が生じるのを確実に防止することができる。
さらに、上記のようなシリコーン材料は、ポリエステル変性シリコーン材料であるのが好ましい。
【００７５】
ここで、本明細書中において、「ポリエステル変性シリコーン材料」とは、シリコーン材料と、ポリエステル樹脂とを脱水縮合反応させることにより得られたものである。
また、「ポリエステル樹脂」とは、飽和多塩基酸と多価アルコールとのエステル化反応により得られるものを言い、１分子中に少なくとも２つの水酸基を備えるものが好適に用いられる。
【００７６】
このようなポリエステル樹脂を、上述したシリコーン材料と縮合反応させると、ポリエステル樹脂が有する水酸基とシリコーン材料が有するシラノール基（水酸基）とが脱水縮合反応し、これにより、シリコーン材料にポリエステル樹脂が連結されたポリエステル変性シリコーン材料が得られる。
飽和多塩基酸としては、特に限定されないが、例えば、イソフタル酸、テレフタル酸、無水フタル酸およびアジピン酸等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７７】
また、多価アルコールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、飽和多塩基酸と多価アルコールとをエステル化反応させる際の、それぞれの含有量は、飽和多塩基酸が有するカルボキシル基よりも多価アルコールが有する水酸基よりも多くなるように設定する。これにより、合成されるポリエステル樹脂は、その１分子中において、少なくとも２つの水酸基を備えるものとなる。
【００７８】
このようなポリエステル樹脂は、その分子中に、フェニレン基を有しているのが好ましい。かかる構成のポリエステル樹脂を含有するポリエステル変性シリコーン材料を用いて接合膜３を形成すると、形成される接合膜３は、ポリエステル樹脂中にフェニレン基が含まれることに起因して、特に優れた膜強度を発揮するものとなる。
【００７９】
以上のことを考慮すると、ポリエステル樹脂としては、例えば、下記一般式（５）で表わされる化合物が好適に用いられる。
【００８０】
【化３】
［式中、ｎは、０または１以上の整数を表す。］
【００８１】
上記のようなポリエステル樹脂をポリエステル変性シリコーン材料が備えているものであるとすると、ポリエステル変性シリコーン材料は、通常、螺旋構造をなしているポリオルガノシロキサン骨格から、ポリエステル樹脂が露出するような状態で存在していることとなる。そのため、次工程［２−２］において、液状被膜３０を乾燥させて接合膜３を得る際に、隣接するポリエステル変性シリコーン材料が備えるポリエステル樹脂同士が互いに接触する機会が増大することとなる。その結果、ポリエステル変性シリコーン材料中において、ポリエステル樹脂同士が絡まり合ったり、これらが備える水酸基同士が脱水縮合して化学的に結合したりするため、得られる接合膜３の膜強度を確実に向上させることができる。
【００８２】
また、後工程［４］において、接合膜３を介して第１の基材２２と第２の基材２３とを接合した際に、第１の基材２２が備える第１の端子２２１と接合膜３との界面および第２の基材２３が備える第２の端子２３１と接合膜３との界面において、ポリエステル樹脂が備えるケトン基と、各端子２２１、２３１が備える水酸基との間で水素結合が生じることから、かかる結合によっても、接合膜３は、第１の端子２２１および第２の端子２３１に対して、強固に接合されたものとなる。
【００８３】
導電性粒子３８は、液状材料３５中に含まれ、次工程［２−２］において、この液状材料を乾燥させることにより形成される接合膜３の主材料としてシリコーン材料とともに含まれるものである。接合膜３に、この導電性粒子３８が含まれることにより、後工程［５］において第１の基材２２と第２の基材２３とを接合膜３の厚さ方向に加圧した際に、接合膜３中に含まれる導電性粒子３８を介して、第１の端子２２１と第２の端子２３１とは、互いに電気的に接続されたものとなる。
【００８４】
この導電性粒子３８は、少なくとも表面付近が導電性材料により構成されたものである。具体的には、この導電性粒子３８としては、例えば、Ｉ：その全体が導電性材料によって構成されたものや、II：導電性を有さない基材粒子と、この基材粒子の表面を被覆するように設けられた導電膜とにより構成されたものが挙げられる。このうち、導電性粒子３８を後者の構成とすることにより、導電性粒子３８の形状、大きさ（平均粒径等）、物性（導電性、密度等）等の調整が容易となることから、好ましく用いられる。
【００８５】
基材粒子の構成材料としては、特に限定されないが、各種金属材料、各種セラミックス材料、各種樹脂材料等が挙げられる。このうち、特に、樹脂材料を用いるのが好ましい。樹脂材料は一般にシリコーン材料の比重に近いため、導電性粒子３８は、液状材料３５中において沈降したり浮上したりし難くなるため、この液状材料３５で、均一に分散された状態で存在することとなる。したがって、後工程［５］において、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合膜３の厚さ方向に加圧した際に、接合膜３中に含まれる導電性粒子３８を介して、第１の端子２２１と第２の端子２３１とを、確実に電気的に接続されたものとすることができる。
【００８６】
また、樹脂材料が一般的に柔軟性に富む材料であるため、かかる材料で構成された基材粒子、ひいては、この基材粒子を備える導電性粒子３８は、圧縮力を付与することにより、容易に扁平状に変形するものとなる。これにより、後工程［５］において、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合膜３の厚さ方向に加圧した際に、第１の端子２２１および第２の端子２３１に対する導電性粒子３８の接触面積を大きくすることができる。その結果、得られる接合体１における、接合膜３を介した第１の端子２２１と第２の端子２３１との間における導電性の向上を図ることができる。
【００８７】
さらに、導電性粒子３８が柔軟性を有することにより、仮に、導電性粒子３８の粒径が不均一であったとしても、粒径の大きな導電性粒子３８が変形することによって、接合膜３の厚さ方向に対する粒径のバラツキを補完することができる。また、第１の端子２２１の表面および第２の端子２３１の表面に凹凸がある場合でも、この凸部に位置する導電性粒子３８が変形することによって、各端子２２１、２３１と導電性粒子３８とを確実に接触させることができる。
【００８８】
また、導電性粒子３８の導電膜の構成材料としては、前述した第１の端子２２１および第２の端子２３１の構成材料で挙げたのと同様の導電性材料を用いることができるが、特に、Ｎｉ、Ｃｕ、またはＡｕを主材料とする導電性材料が好ましく用いられる。これらの導電性材料は、導電性に優れているため、導電性の高い導電性粒子３８が得られ、端子２２１、２３１間の導電性を高めることができる。
【００８９】
なお、導電性粒子３８の具体的な形態としては、Ｎｉ粒子や、Ａｕめっき処理が施されたＮｉ粒子、Ａｕめっき処理が施されたＣｕ粒子、Ａｕめっき処理が施された樹脂製粒子等が挙げられる。
また、導電性粒子３８の粒子形状は、特に限定されず、例えば、球状、扁平状、針状、不定形状等のいずれでもよい。
【００９０】
導電性粒子３８の平均粒子径は、特に限定されないが、０．３〜１００μｍ程度であるのが好ましく、１〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。導電性粒子３８の平均粒径が前記下限値より小さいと、液状材料３５中において導電性粒子３８が凝集し易くなり、導電性粒子３８を均一に分散させるのが困難となるおそれがある。一方、導電性粒子３８の平均粒径が前記上限値を超えると、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合膜３の厚さ方向に加圧しなくても接合膜３中で各導電性粒子３８同士や、導電性粒子３８と端子２２１、２３１とが接触する機会が多くなり、接合膜３に意図しない導電性が発現するおそれがある。
【００９１】
［２−２］次いで、転写用基材２１上に供給された液状材料、すなわち、接合面２１０の膜形成領域４１に選択的に形成された液状被膜３０を乾燥する。これにより、図３（ｃ）に示すように、膜形成領域４１の形状（所定形状）に対応してパターニングされた接合膜３が形成される。
液状被膜３０を乾燥させる際の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
【００９２】
また、乾燥させる時間は、０．５〜４８時間程度であるのが好ましく、１５〜３０時間程度であるのがより好ましい。
かかる条件で液状被膜３０を乾燥させることにより、次工程［３］および後工程［４］において、エネルギーを付与することにより接着性が好適に発現する接合膜３を確実に形成することができる。また、シリコーン材料として前記工程［２−１］で説明したようなシラノール基を有するもの、または、ポリエステル変性シリコーン材料を用いた場合には、これらの材料が有するシラノール基同士を、確実に結合させることができるため、形成される接合膜３を膜強度に優れたものとすることができる。
【００９３】
さらに、乾燥させる際の雰囲気の圧力は、大気圧下であってもよいが、減圧下であるのが好ましい。具体的には、減圧の程度は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜３の膜密度が緻密化して、接合膜３をより優れた膜強度を有するものとすることができる。
【００９４】
以上のように、接合膜３を形成する際の条件を適宜設定することにより、形成される接合膜３の膜強度等を所望のものとすることができる。
接合膜３の平均厚さは、０．５〜５００μｍ程度であるのが好ましく、１〜２００μｍ程度であるのがより好ましい。供給する液状材料の量を適宜設定して、形成される接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合した接合体１の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、より強固に接合することができる。
【００９５】
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合体１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
また、接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、後工程［５］において、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に加圧した際に、接合膜３中に含まれる導電性粒子３８同士がその厚さ方向で確実に接触することとなるため、この接合膜３（導電性粒子３８）を介して第１の端子２２１と第２の端子２３１とを電気的に接続することができる。
【００９６】
さらに、接合膜３の平均厚さをかかる範囲とすることにより、接合膜３がある程度弾性に富むものとなることから、後工程［４］において、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合する際に、接合膜３と接触させる第２の端子２３１にパーティクル等が付着していても、このパーティクルを接合膜３で取り囲むようにして接合膜３と第２の端子２３１とが接合することとなる。そのため、このパーティクルが存在することによって、接合膜３と接合面２３０との界面における接合強度が低下したり、この界面において剥離が生じたりするのを的確に抑制または防止することができる。
【００９７】
［３］次に、接合膜３にエネルギーを付与することにより、接合膜３の表面付近に接着性を発現させ、この接合膜３を介して転写用基材２１と第１の基材２２とを接合させた後、転写用基材２１と第１の基材２２とを離間することにより、接合膜３を転写用基材２１から第１の基材２２に転写する（第３の工程）。
なお、接合膜３は、第１の基材２２が備える第１の端子の形状に対応して所定形状にパターニングして転写用基材２１上に形成されているので、本工程［３］において、接合膜３を転写用基材２１から第１の基材２２に転写した際には、図４（ｃ）に示すように、第１の端子２２１に付着した状態で転写される。
【００９８】
以下、本工程について詳述する。
［３−１］まず、接合面２１０の膜形成領域４１に形成された接合膜３の表面３２に対してエネルギーを付与する。
接合膜３にエネルギーを付与すると、この接合膜３では、表面３２付近の分子結合の一部が切断し、表面３２が活性化されることに起因して、表面３２付近に第１の基材２２に対する接着性が発現する。
【００９９】
このような状態の接合膜３は、第１の基材２２が備える第１の端子２２１と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
ここで、本明細書中において、表面３２が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜３の表面３２の分子結合の一部、具体的には、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断されて、接合膜３中に終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。
【０１００】
接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与するものであってもよいが、例えば、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜３をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜３をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。これにより、接合膜３の表面を効率よく活性化させることができる。
【０１０１】
これらの中でも、接合膜３に対するエネルギーの付与は、図３（ｄ）に示すように、特に、接合膜３をプラズマに曝す方法を用いるのが好ましい。
ここで、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、接合膜３をプラズマに曝す方法が好ましく用いられる理由を説明するのに先立って、エネルギー線として紫外線を選択し、接合膜３に紫外線を照射する場合における問題点について説明する。
【０１０２】
Ａ：まず、接合膜３の表面３２の活性化に長時間（例えば、１分〜数十分）を要する。また、紫外線照射を短時間にした場合、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合する工程において、その接合に長時間（数十分以上）を要する。すなわち、接合体１を得るのに長時間を要する。
Ｂ：また、紫外線を用いた場合、この紫外線は、接合膜３を厚さ方向に透過し易い。このため、基材（本実施形態では、転写用基材２１）の構成材料（例えば、樹脂材料）等によっては、基材の接合膜３との界面（接触面）において劣化が生じ、接合膜３が基材から剥離し易くなる。
【０１０３】
さらに、紫外線は、接合膜３の厚さ方向に透過する際に、接合膜３全体に作用し、その全体において、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断、除去される。すなわち、接合膜３中における有機成分の量が極端に低下し、その無機化が進行する。このため、有機成分の存在に起因する接合膜３の柔軟性が全体として低下し、得られる接合体１では、接合膜３の層内剥離が生じ易くなる。
【０１０４】
Ｃ：さらに、接合された接合体１を、第１の基材２２を第２の基材２３から剥離して、各基材２２、２３をそれぞれ分別してリサイクルや再利用に用いる場合、この操作は、接合体１に対して、剥離用エネルギーを付与することにより各基材２２、２３同士を剥離し得る。このとき、例えば、接合膜３中に残存するメチル基（有機成分）がポリジメチルシロキサン骨格から切断、除去され、切断された有機成分がガスとなる。このガス（ガス状の有機成分）は、接合膜３にへき乖を生じさせ、接合膜３が分割される。
【０１０５】
しかしながら、紫外線を照射した場合、前述のように、接合膜３全体の無機化が進行するため、剥離用エネルギーを付与した場合でも、ガスになる有機成分が極めて少なく、接合膜３にへき乖が生じ難いという問題がある。
これに対して、接合膜３の表面３２をプラズマに曝した場合では、接合膜３の表面３２付近において、選択的に、この接合膜３を構成する材料の分子結合の一部、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断される。
【０１０６】
なお、このプラズマによる分子結合の切断は、プラズマの荷電に基づく化学的な作用のみならず、プラズマのペニング効果に基づく物理的な作用によって引き起こされるため、極めて短時間で生じる。したがって、接合膜３を、極めて短時間（例えば、数秒程度）で活性化させることが可能であり、結果として、接合体１を短時間で製造することができる。
【０１０７】
また、プラズマは、接合膜３の表面３２に選択的に作用し、その内部にまで影響を及ぼし難い。このため、分子結合の切断は、接合膜３の表面３２付近で選択的に生じる。すなわち、接合膜３は、その表面３２付近で選択的に活性化される。しかがって、紫外線を用いて接合膜３を活性化させる場合の不都合（前述したようなＢおよびＣの不都合）が生じ難い。
【０１０８】
このように、接合膜３の活性化にプラズマを用いることにより、接合体１において、接合膜３の層内剥離が生じ難く、第１の基材２２を第２の基材２３から剥離する場合には、この剥離操作を確実に行うことができる。
また、紫外線照射により接合膜３を活性化させる場合、照射する紫外線の強度に依存する接合膜３の活性化の程度の変化が極めて大きい。このため、第１の基材２２と第２の基材２３との接合に適した程度に接合膜３を活性化させるには、紫外線照射の厳密な条件管理が必要である。また、厳密な管理をしない場合、得られる接合体１間における、転写用基材２２と第１の基材２２との接合強度のバラつきが生じる。
【０１０９】
これに対して、プラズマにより接合膜３を活性化させる場合、接触させるプラズマの濃度に依存する接合膜３の活性化の程度の変化は穏やかである。したがって、第１の基材２２と第２の基材２３との接合に適した程度に接合膜３を活性化させるのに、プラズマを発生させる条件を厳密に管理する必要がない。換言すれば、接合膜３の活性化にプラズマを用いる場合、接合体１の製造条件の許容範囲が広い。また、厳密な管理をしなくとも、得られる接合体１間において、第１の基材２２と第２の基材２３との接合強度のバラつきが生じ難い。
【０１１０】
さらに、紫外線照射により接合膜３を活性化させる場合、接合膜３の活性化すなわち接合膜３中の有機物の脱離に伴って、接合膜３自体が収縮（特に、膜厚の低下）するという問題がある。接合膜３が収縮した場合、第１の基材２２と第２の基材２３とを高い接合強度で接合することが困難となる。
これに対して、プラズマにより接合膜３を活性化させる場合、前述したように、接合膜３の表面付近が選択的に活性化されるため、接合膜３の収縮はないか極めて少ない。したがって、接合膜３を比較的薄く形成した場合であっても、第１の基材２２と第２の基材２３とを高い接合強度で接合することができる。また、この場合、高い寸法精度の接合体１を得ることができるとともに、接合体１の薄型化を図ることも可能である。
【０１１１】
以上のように、プラズマにより接合膜３を活性化させる場合には、紫外線により接合膜３を活性化させる場合に比べて、多くのメリットがある。
また、接合膜３に対するプラズマの接触は、減圧下で行うようにしてもよいが、大気圧下において行うのが好ましい。すなわち、接合膜３を大気圧プラズマで処理するのが好ましい。大気圧プラズマ処理によれば、接合膜３の周囲が減圧状態とならないので、プラズマの作用により、例えば、ポリエステル変性シリコーン材料のポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基を切断、除去する際（接合膜３の活性化の際）に、この切断が不要に進行するのを防止することができる。
【０１１２】
かかる大気圧下におけるプラズマ処理は、例えば、図６に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて行うことができる。
図６は、大気圧プラズマ装置の構成を示す概略図である。
図６に示す大気圧プラズマ装置１０００は、接合膜３が形成された転写用基材２１（以下、単に「被処理基板Ｗ」と言う。）を搬送する搬送装置１００２と、搬送装置１００２の上方に設置されたヘッド１０１０とを備えている。
この大気圧プラズマ装置１０００では、ヘッド１０１０が備える印加電極１０１５と対向電極１０１９との間に、プラズマが発生するプラズマ発生領域ｐが形成される。
【０１１３】
以下、各部の構成について説明する。
搬送装置１００２は、被処理基板Ｗを積載可能な移動ステージ１０２０を有している。この移動ステージ１０２０は、搬送装置１００２が有する移動手段（図示せず）の作動により、ｘ軸方向に移動することができる。
なお、移動ステージ１０２０は、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等の金属材料で構成されている。
【０１１４】
ヘッド１０１０は、ヘッド本体１１０１と、印加電極１０１５と、対向電極１０１９とを有している。
ヘッド１０１０には、移動ステージ１０２０（搬送装置１００２）の上面とヘッド１０１０の下面１１０３との間隙１１０２に、プラズマ化された処理ガスＧを供給するガス供給流路１０１８が設けられている。
【０１１５】
ガス供給流路１０１８は、ヘッド１０１０の下面１１０３に形成された開口部１１８１で開口している。また、図６に示すように、下面１１０３の左側には、段差が形成されている。これにより、ヘッド本体１１０１の左側部分と移動ステージ１０２０との間隙１１０４が、間隙１１０２よりも小さく（狭く）なっている。このため、プラズマ化された処理ガスＧが間隙１１０４に入り込むのを抑制または防止されて、ｘ軸正方向に優先的に流れるようになっている。
【０１１６】
なお、ヘッド本体１１０１は、例えば、アルミナ、石英等の誘電体材料で構成されている。
ヘッド本体１１０１には、ガス供給流路１０１８を挟むように、印加電極１０１５と対向電極１０１９とが対抗して設置され、これにより一対の平行平板型電極が構成されている。これらのうち、印加電極１０１５は高周波電源１０１７に電気的に接続され、対向電極１０１９は接地されている。
【０１１７】
これら印加電極１０１５および対向電極１０１９は、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等の金属材料で構成されている。
このような大気圧プラズマ装置１０００を用いて、被処理基板Ｗをプラズマ処理する場合、まず、印加電極１０１５と対向電極１０１９との間に電圧を印加して、電界Ｅを発生させる。この状態で、ガス供給流路１０１８に、処理ガスＧを流入させる。このとき、ガス供給流路１０１８に流入した処理ガスＧは、電界Ｅの作用により放電してプラズマ化される。このプラズマ化された処理ガスＧは、下面１１０３側の開口部１１８１から、間隙１１０２内に供給される。これにより、プラズマ化された処理ガスＧが被処理基板Ｗに設けられた接合膜３の表面３２に接触して、プラズマ処理が施される。
【０１１８】
かかる大気圧プラズマ装置１０００を用いることにより、容易かつ確実に、接合膜３にプラズマを接触させ、接合膜３を活性化させることができる。
ここで、印加電極１０１５と移動ステージ１０２０（被処理基板Ｗ）と間の距離、すなわち、間隙１１０２高さ（図６中、ｈ１で示す長さ）は、高周波電源１０１７の出力や、被処理基板Ｗに施すプラズマ処理の種類等を考慮して適宜決定されるが、０．５〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜２ｍｍ程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜３にプラズマを接触させて、接合膜３をより確実に活性化させることができる。
【０１１９】
また、印加電極１０１５と対向電極１０１９との間に印加する電圧は、１．０〜３．０ｋＶｐ−ｐ程度であるのが好ましく、１．０〜１．５ｋＶｐ−ｐ程度であるのがより好ましい。これにより、印加電極１０１５と移動ステージ１０２０と間に電界Ｅをより確実に発生させることができ、ガス供給流路１０１８に供給された処理ガスＧを確実にプラズマ化させることができる。
【０１２０】
高周波電源１０１７の周波数（印加する電圧の周波数）は、特に限定されないが、１０〜５０ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜４０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
処理ガスＧの種類としては、特に限定されないが、例えば、ヘリウムガス、アルゴンガスのような希ガス、酸素ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、処理ガスＧには、希ガスを主成分とするガスを用いるのが好ましく、特にヘリウムガスを主成分とするガスを用いるのが好ましい。
【０１２１】
すなわち、処理に用いるプラズマは、ヘリウムガスを主成分とするガスをプラズマ化したものであるのが好ましい。ヘリウムガスを主成分とするガス（処理ガスＧ）は、プラズマ化の際にオゾンを発生させ難く、このため、接合膜３の表面３２のオゾンによる変質（酸化）を防止することができる。その結果、接合膜３の活性化の程度が低下するのを抑制すること、すなわち、接合膜３を確実に活性化させることができる。さらに、ヘリウムガスのプラズマは、前述したペニング効果が極めて高く、接合膜３の活性化を短時間でかつ確実に行うことができる観点からも好ましい。
【０１２２】
この場合、ヘリウムガスを主成分とするガスのガス供給流路１０１８への供給速度は、１〜２０ＳＬＭ程度であるのが好ましく、５〜１５ＳＬＭ程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜３の活性化の程度を制御し易くなる。
また、このガス（処理ガスＧ）中のヘリウムガスの含有量は、８５ｖｏｌ％以上が好ましく、９０ｖｏｌ％以上（１００％も含む）がより好ましい。これにより、前述した効果をさらに顕著に発揮させることができる。
また、移動ステージ１０２０の移動速度は、特に限定されないが、１〜２０ｍｍ／秒程度であるのが好ましく、３〜６ｍｍ／秒程度であるのがより好ましい。このような速度でプラズマを接合膜３に接触させることにより、短時間であるにもかかわらず、接合膜３を十分かつ確実に活性化させることができる。
【０１２３】
［３−２］次に、図４（ａ）に示すように、第１の基材２２が備える第１の端子２２１と接合膜３とが密着するように、接合膜３を介して転写用基材２１と第１の基材２２とを貼り合わせる。これにより、図４（ｂ）に示すように、前記工程［３−１］において、接合膜３の表面３２に第１の端子２２１に対する接着性が発現していることから、接合膜３と第１の基材２２が備える第１の端子２２１とが化学的に結合する。
【０１２４】
ここで、本工程において、第１の基材２２が備える第１の端子２２１と接合膜３とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、第１の端子２２１の表面に水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、転写用基材２１に形成された接合膜３と、第１の端子２２１とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、接合膜３の表面３２に存在する水酸基と、第１の端子２２１の表面に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、第１の基材２２と第１の端子２２１とが接合されると推察される。
【０１２５】
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜３と第１の端子２２１との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜３と第１の端子２２１とがより強固に接合されると推察される。
また、転写用基材２１の接合膜３の表面や内部、および、第１の端子２２１の表面や内部に、それぞれ終端化されていない結合手すなわち未結合手（ダングリングボンド）が存在している場合、転写用基材２１と第１の基材２２とを貼り合わせた時、これらの未結合手同士が再結合する。この再結合は、互いに重なり合う（絡み合う）ように複雑に生じることから、接合界面にネットワーク状の結合が形成されることとなる。これにより、接合膜３と第１の端子２２１とが特に強固に接合される。
【０１２６】
なお、前記工程［３−１］で活性化された接合膜３の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［３−１］の終了後、できるだけ早く本工程［３−２］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［３−１］の終了後、６０分以内に本工程［３−２］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の表面が十分な活性状態を維持しているので、接合膜３を介して転写用基材２１と第１の基材２２とを貼り合わせたとき、接合膜３と第１の端子２２１との間に十分な接合強度を得ることができる。
【０１２７】
換言すれば、活性化させる前の接合膜３は、シリコーン材料を乾燥させて得られた接合膜であるため、化学的に比較的安定であり、耐候性に優れている。このため、活性化させる前の接合膜３は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、そのような接合膜３を備えた転写用基材２１を多量に製造または購入して保存しておき、必要な個数のみに前記工程［３−１］に記載したエネルギーの付与を行うようにすれば、後述する接合体１の製造効率の観点から有効である。
【０１２８】
［３−３］次に、転写用基材２１と第１の基材２２とを離間する。
ここで、前述したように、接合膜３は、転写用基材２１が備える撥液膜２１１上に形成されているため、転写用基材２１との結合強度は極めて低い。これに対して、接合膜３は、第１の基材２２が備える第１の端子２２１に対して化学的に結合しているため、第１の基材２２（第１の端子２２１）との結合強度は、接合膜３と転写用基材２１との接合強度と比較して極めて高くなる。
そのため、転写用基材２１と第１の基材２２とを離間すると、接合膜３は、転写用基材２１と接合する接合面２１０から剥離するため、図４（ｃ）に示すように、転写用基材２１から第１の基材２２に転写される。
【０１２９】
［４］次に、転写された接合膜３にエネルギーを付与することにより、接合膜３の表面付近に接着性を発現させ、この接合膜３を介して第１の基材２２と第２の基材２３とを接合することにより、これら同士が接合された仮接合体１’を得る（第４の工程）。
なお、第２の端子２３１は、第１の基材２２と第２の基材２３とを、第１の端子２２１と第２の端子２３１とが対向するように重ね合わせたとき、第１の端子２２１と重なる位置に設けられているので、本工程［４］において、第１の基材２２と第２の基材２３とを接合膜３を介して接合した際には、図４（ｂ）に示すように、第１の端子２２１上に付着した接合膜３に接合されることとなる。
【０１３０】
以下、本工程について詳述する。
［４−１］まず、転写用基材２１から第１の基材２２に転写された接合膜３に対してエネルギーを付与する。
ここで、接合膜３は、転写用基材２１から第１の基材２２に転写されているため、転写用基材２１と接合していた側の面が、第１の基材２２上で露出していることとなる。
【０１３１】
接合膜３は、エネルギーが付与されると、その表面付近の分子結合の一部が切断し、表面が活性化されることに起因して、接着性が発現するものである。そのため、本工程にように、一度、他の基材（本実施形態では、転写用基材２１）と接合していた面に対しても、再度、エネルギーを付与することにより、この面に接着性を発現させることができる。
接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与するものであってもよいが、前記工程［３−１］で説明したのと同様に、図４（ｄ）に示すように、特に、接合膜３をプラズマに曝す方法を用いるのが好ましい。
【０１３２】
［４−２］次に、第１の基材２２に形成された接合膜３と第２の基材２３が備える第２の端子２３１とが密着するように、接合膜３を介して第１の基材２２と第２の基材２３とを貼り合わせる（図５（ａ）参照）。これにより、前記工程［４−１］において、接合膜３の表面に第２の端子２３１に対する接着性が発現していることから、接合膜３と第２の基材２３が備える第２の端子２３１とが化学的に結合する。その結果、第１の基材２２と第２の基材２３とが、膜形成領域４１において選択的に形成された接合膜３により部分的に接合され、すなわち、第１の端子２２１と第２の端子２３１とが所定形状にパターニングされた接合膜３により接合され、その結果、図５（ｂ）に示すような仮接合体１’が得られる。
ここで、本工程において、接合膜３と第２の基材２３が備える第２の端子２３１とは、前記工程［３−２］で説明した接合膜３と第１の基材２２が備える第１の端子２２１とが接合するメカニズムと同一のメカニズムにより接合される。
【０１３３】
［５］次に、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に、すなわち、第１の基材２２と第２の基材２３と離間距離が接近するように加圧する（第５の工程）。
これにより、図５（ｃ）に示すように、接合膜３を介した第１の基材２２と第２の基材２３との接続が維持されるとともに、接合膜３中の導電性粒子３８を介して第１の端子２２１と第２の端子２３１とが電気的に接続されることとなり、その結果、第１の基材２２と第２の基材２３とが、接合膜３により強固にかつ電気的に接続された接合体１が形成される。
【０１３４】
ここで、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に加圧することにより、導電性粒子３８を介して第１の端子２２１と第２の端子２３１とが電気的に接続されるのは、以下に示す原理によるものである。
すなわち、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に加圧すると、第１の端子２２１と第２の端子２３１とが接近することに起因して、接合膜３の厚さが薄くなる。そのため、接合膜３中に含まれる導電性粒子３８同士が厚さ方向で接触し、さらに、第１の端子２２１および第２の端子２３１の表面も、導電性粒子３８と接触することから、第１の端子２２１と第２の端子２３１とが導電性粒子３８を介して電気的に接続される。
【０１３５】
なお、導電性粒子３８を介した第１の端子２２１と第２の端子２３１との電気的な接続は、複数個の導電性粒子３８を介してこれら端子２２１、２３１同士が電気的に接続されていてもよいし、図５（ｃ）に示すように、１つの導電性粒子３８を介して端子２２１、２３１同士が電気的に接続されていてもよい。
仮接合体１’を加圧する際の圧力は、第１の基材２２および第２の基材２３の各構成材料や各厚さ、第１の端子２２１および第２の端子２３１の各構成材料や各厚さ、導電性粒子３８の構成材料や平均粒子径等の条件に応じて、適宜調整されるが、具体的には、好ましくは０．２〜１００ＭＰａ程度、より好ましくは１〜５０ＭＰａ程度に設定される。
【０１３６】
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。
かかる条件で、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に加圧すれば、第１の端子２２１と第２の端子２３１とを導電性粒子３８を介して電気的により確実に接続することができる。
【０１３７】
なお、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に加圧する際には、この仮接合体１’を加熱するのが好ましい。
これにより、仮接合体１’を加圧することにより得られた接合体１に対して、接合膜３の厚さ方向への加圧を解除した際に、接合膜３が加圧前の形状に復元することなく、接合膜３に加圧後の形状をほぼ維持させることができる。すなわち、導電性粒子３８を介した第１の端子２２１と第２の端子２３１との電気的な接続を確実に維持することができる。
【０１３８】
接合体１を加熱する温度は、室温より高く、接合体１の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、接合体１が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜３の厚さ方向への加圧を解除したとしても接合膜３に加圧後の形状をほぼ維持させることができる。
以上のように本発明の接合方法では、接合体１は、撥液膜２１１を有する転写用基材２１上に予め接合膜３を形成し、この接合膜３を第１の基材２２に転写した後、接合膜３を介して第１の基材２２と第２の基材２３とを接合・加圧することにより得られる構成となっている。そのため、転写用基材２１上での液状材料の濡れ広がりが的確に防止または抑制されることから、膜形成領域４１の形状が微細なものであったとしても、膜形成領域４１の形状に対応した接合膜３を形成することができる。そして、接合膜３を転写用基材２１から第１の基材２２に転写できることから、この接合膜３を介して第１の基材２２と第２の基材２３とが、第１の端子２２１と第２の端子２３１とにおいて電気的に接合された接合体１を確実に得ることができる。
【０１３９】
また、接合膜３は、図５（ｃ）に示すように、対向する第１の端子２２１と第２の端子２３１とに対応するように設けられている。すなわち、隣接する第１の端子２２１（第２の端子２３１）に対応する接合膜３同士は、別個に設けられている。これにより、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）等で構成される接合膜を用いて、隣接する第１の端子２２１（第２の端子２３１）同士を跨いで、一括して、対向する第１の端子２２１と第２の端子２３１とを電気的に接合する場合のように、前記接合膜内でマイグレーションが生じ、これに起因して、隣接する第１の端子２２１（第２の端子２３１）同士間で短絡が生じてしまうのを確実に防止することができる。
【０１４０】
また、かかる構成の接合体１では、従来の接合方法で用いられていた接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、２つの端子２２１、２３１が接合されている。このため、接合体１は短時間で形成することができ、かつ、極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。
【０１４１】
また、このような接合方法によれば、高温（例えば、７００℃以上）での熱処理を必要としないことから、耐熱性の低い材料で構成された第１の基材２２および第２の基材２３をも、接合に供することができる。
また、第１の基材２２の熱膨張率と第２の基材２３の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【０１４２】
具体的には、第１の基材２２と第２の基材２３との熱膨張率の差にもよるが、第１の基材２２および第２の基材２３の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、第１の基材２２と第２の基材２３とを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、第１の基材２２と第２の基材２３との熱膨張率の差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、接合体１における反りや剥離等の発生を確実に抑制または防止することができる。
また、この場合、具体的な第１の基材２２と第２の基材２３との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
【０１４３】
以上のようにして、図５（ｂ）に示す接合体（本発明の接合体）１を得ることができる。
このようにして得られた接合体１は、第１の基材２２と第２の基材２３との間の接合強度が４ＭＰａ（４０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する接合体１は、その剥離を十分に防止し得るものとなる。また、本発明の接合方法によれば、第１の基材２２と第２の基材２３とが上記のような大きな接合強度で接合された接合体１を効率よく作製することができる。
【０１４４】
また、接合膜３の厚さ方向での体積抵抗率は、１×１０５Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、１×１０４Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。これにより、接合膜３を介して第１の端子２２１と第２の端子２３１との間を確実に導通させることができる。また、本発明の接合方法によれば、このような優れた導電性を発現する接合膜３を効率よく作製することができる。
【０１４５】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の接合方法の第２実施形態について説明する。
図７、図８は、本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図７、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、接合方法の第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態にかかる接合方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１４６】
本実施形態にかかる接合方法では、転写用基材２１の接合面（表面）２１０の膜形成領域４１に接合膜３を形成する他に、第１の基材２２の第１の端子２２１が設けられている接合面２２０のほぼ全面、および、第２の基材２３の第２の端子２３１が設けられている接合面２３０のほぼ全面に、導電性粒子３８を含有しない液状材料を用いて接合膜３’を形成する。そして、第１の基材２２および第２の基材２３がそれぞれ備える接合膜３’の表面付近に接着性を発現させ、これら接合膜３’同士を、転写用基材２１から転写された接合膜３を介して接触させる。これにより、第１の基材２２と第２の基材２３とを、第１の端子２２１と第２の端子２３１において接合させることにより仮接合体１’を得る。その後、この仮接合体１’を加圧して、導電性粒子３８を介して第１の端子２２１と第２の端子２３１とを電気的に接続させることにより接合体１を得る。
【０１４７】
以下、各工程について説明する。
［１’］まず、前記工程［１］と同様の転写用基材２１、第１の基材２２および第２の基材２３を用意する。
［２’］次に、前記工程［２］で説明したのと同様にして、転写用基材２１の接合面２２０の膜形成領域４１に所定形状にパターニングされた接合膜３を形成する。
【０１４８】
さらに、シリコーン材料を含有する液状材料、すなわち前記工程［２］で用いた液状材料３５から導電性粒子３８を除いた液状材料を用いて、第１の基材２２の第１の端子２２１が設けられている側の面である接合面２２０のほぼ全面に、導電性粒子３８を含有しない接合膜３’を形成する。また、第２の基材２３の第２の端子２３１が設けられている側の面である接合面２３０のほぼ全面にも、第１の基材２２と同様に、導電性粒子３８を含有しない接合膜３’を形成する。
【０１４９】
なお、第１の基材２２および第２の基材２３に対する、導電性粒子３８を含有しない接合膜３’の形成は、シリコーン材料と導電性粒子３８とを含有する液状材料３５に代えて、シリコーン材料を含有する液状材料を用い、前記工程［２］で説明したのと同様の方法により行うことができる。
【０１５０】
第１の基材２２および第２の基材２３に形成された接合膜３’の平均厚さは、可能な限り薄く設定され、具体的には、好ましくは０．１〜１０μｍ程度、より好ましくは０．５〜５μｍ程度に設定される。これにより、次工程［３’］および後工程［４’］において、接合膜３’にエネルギーを付与した際に、その表面付近に確実に接着性を発現させることができる。また、後工程［５’］において、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に加圧した際に、導電性粒子３８を介して第１の端子２２１と第２の端子２３１とを確実に電気的に接続することができる。
【０１５１】
［３’］次に、図７（ａ）に示すように、第１の基材２２の接合面２２０側に形成された接合膜３’にエネルギーを付与することにより、第１の基材２２に形成された接合膜３’の表面付近に接着性を発現させる。
そして、図７（ｂ）に示すように、転写用基材２１に形成された接合膜３と、第１の基材２２に形成された接合膜３とを介して転写用基材２１と第１の基材２２とを接合させた後、転写用基材２１と第１の基材２２とを離間することにより、転写用基材２１に形成されていた接合膜３を転写用基材２１から第１の基材２２に転写する（図７（ｃ）参照。）。
【０１５２】
本実施形態のように、転写用基材２１に設けられた接合膜３の他に、第１の基材２２にも接合膜３’を設ける構成とすることにより、接合膜３と接合膜３’との間での接合がより強固なものとなるため、転写用基材２１に接合されていた接合膜３を、より確実に転写用基材２１から剥離することができる。
【０１５３】
なお、第１の基材２２に形成された接合膜３’にエネルギーを付与する方法としては、前記工程［３］で説明したのと同様の方法を用いることができ、接合膜３をプラズマに曝す方法が特に好ましく用いられる。
また、接合膜に対するエネルギーの付与は、第１の基材２２に形成された接合膜３’ばかりでなく転写用基材２１に形成された接合膜３に行うようにしてもよい。さらに、第１の基材２２に形成された接合膜３’へのエネルギーの付与を省略して、転写用基材２１に形成された接合膜３に対して単独で行うようにしてもよい
【０１５４】
［４’］次に、図８（ａ）に示すように、第２の基材２３の接合面２３０側に形成された接合膜３’にエネルギーを付与することにより、第２の基材２３に形成された接合膜３’の表面付近に接着性を発現させる。
そして、図８（ｂ）に示すように、第１の基材２２に転写された接合膜３と、第２の基材２３に形成された接合膜３’とを接触させて、これら同士を接合させることにより、第１の基材２２と第２の基材２３とが、２つの接合膜３’と１つの接合膜３とを介して接合された接合体１’を得ることができる。
【０１５５】
本実施形態のように、第１の基材２２に転写された接合膜３の他に、第２の基材２３のも接合膜３’を設ける構成とすることにより、接合膜３と接合膜３’との間での接合がより強固なものとなるため、得られた接合体１’は、より優れた接合強度を有するものとなる。
また、接合膜に対するエネルギーの付与は、第２の基材２３に形成された接合膜３’ばかりでなく第１の基材２２に転写された接合膜３に行うようにしてもよい。さらに、第２の基材２３に形成された接合膜３’へのエネルギーの付与を省略して、第１の基材２２に転写された接合膜３に対して単独で行うようにしてもよい。
【０１５６】
［５’］次に、前記工程［５］で説明したのと同様にして、仮接合体１’を接合膜３の厚さ方向に、すなわち、第１の基材２２と第２の基材２３と離間距離が接近するように加圧する。
これにより、図８（ｃ）に示すように、接合膜３、３’を介した第１の基材２２と第２の基材２３との接続が維持されるとともに、接合膜３中の導電性粒子３８を介して第１の端子２２１と第２の端子２３１とが電気的に接続されることとなり、その結果、第１の基材２２と第２の基材２３とが、接合膜３、３’により強固にかつ電気的に接続された接合体１が形成される。
【０１５７】
本実施形態では、第１の端子２２１と第２の端子２３１との間には、接合膜３の他に、２つの接合膜３’が介在するが、仮接合体１’に対する加圧により、接合膜３および接合膜３’ともに押し潰されることとなる。そのため、最終的には、接合膜３中に含まれる導電性粒子３８同士が厚さ方向で接触することから、前記第１実施形態と同様に、第１の端子２２１と第２の端子２３１とが導電性粒子３８を介して電気的に接続されることとなる。
【０１５８】
以上のようにして接合体１を得ることができる。
なお、本実施形態では、第１の基材２２および第２の基材２３の接合面（表面）２２０および接合面２３０の双方に接合膜３’を形成する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、接合面（表面）２２０および接合面２３０の何れか一方に前記接合膜３’を形成するようにしてもよい。
以上のような前記各実施形態にかかる接合方法は、種々の基材（部材）が備える端子同士を接合するのに用いることができる。すなわち、本発明の接合体は、種々の部材が備える端子同士が接合膜を介して接合されたものに適用できる。
【０１５９】
以下では、本発明の接合体を透過型液晶表示装置に適用した場合の実施形態について説明する。
＜液晶表示装置＞
ここでは、図９は、透過型液晶表示装置を示す平面図、図１０は、図９に示す透過型液晶表示装置が備える液晶パネルの分解斜視図、図１１は、図９中Ａ−Ａ線断面図、図１２は、図９中Ｂ−Ｂ線断面図である。なお、各図では、図が煩雑になるのを避けるため、一部の部材を省略している。また、以下の説明では、図９中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」と言い、図１０〜図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１６０】
各図に示す透過型液晶表示装置（以下、単に「液晶表示装置」と言う）４０１は、液晶パネル（表示パネル）４０２と、液晶パネル４０２を駆動するための複数のドライバＩＣパッケージ４０３と、２つの入力用配線基板４０５と、バックライト（光源手段）４０６とを有している。この液晶表示装置４０１は、バックライト４０６からの光を液晶パネル４０２に透過させることにより画像（情報）を表示し得るものである。
【０１６１】
液晶パネル４０２は、互いに対向して配置された下基板４０７と上基板４０８とを有し、これらの下基板４０７と上基板４０８との間には、表示領域を囲むようにしてシール材４０９（図１１参照）が設けられている。
そして、これらの下基板４０７、上基板４０８およびシール材４０９により画成される空間には、電気光学物質である液晶が収納され、図１０および図１１に示すように、液晶層４１０が形成されている。
【０１６２】
下基板４０７および上基板４０８は、それぞれ、例えば、各種ガラス材料、各種樹脂材料等で構成されている。
下基板４０７は、その上面（液晶層４１０側の面）に、マトリックス状（行列状）に配置された複数の画素電極４１１と、Ｘ方向に延在する信号電極４１２とが設けられ、１列分の画素電極４１１の各々が１本の信号電極４１２に、それぞれ、ＴＦＤ素子やＴＦＴ素子のようなスイッチング素子４１３を介して接続されている。
また、下基板４０７の下面には、偏光板４１４が設けられている。
【０１６３】
一方、上基板４０８の下面（液晶層４１０側の面）には、複数の帯状をなす走査電極４１５が設けられている。これらの走査電極４１５は、信号電極４１２とほぼ直交するＹ方向に沿って、互いに所定の間隔をおいてほぼ平行に配置され、かつ、画素電極４１１の対向電極となるように配列されている。
画素電極４１１と走査電極４１５とが重なる部分（この近傍の部分も含む）が１画素を構成し、これらの電極間において、各画素毎に液晶層４１０の液晶が駆動、すなわち、液晶の配向状態が変化する。
【０１６４】
ここで、下基板４０７は、図９に示すように、平面視で上基板４０８の外縁より外側（図９中、左側および上側）へ張り出した張出領域（額縁）４０７Ａを有している。
この張出領域４０７Ａの上面には、信号電極４１２および走査電極４１５に連続する配線パターン４２２が形成されている。
各走査電極４１５の下面には、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の有色層（カラーフィルター）４１６が設けられ、これらの各有色層４１６がブラックマトリックス４１７によって仕切られている。
【０１６５】
また、上基板４０８の上面には、前記偏光板４１４と偏光軸が異なる偏光板４１８が設けられている。
このような構成の液晶パネル４０２では、バックライト４０６から発せられた光は、偏光板４１４で偏光された後、下基板４０７および各画素電極４１１を介して、液晶層４１０に入射する。液晶層４１０に入射した光は、各画素毎に配向状態が制御された液晶により強度変調される。強度変調された各光は、有色層４１６、走査電極４１５および上基板４０８を通過した後、偏光板４１８で偏光され、外部に出射する。これにより、液晶表示装置４０１では、上基板４０８の液晶層４１０と反対側から、例えば、文字、数字、図形等のカラー画像動画および静止画の双方を含む）を視認することができる。
【０１６６】
図９および図１１に示すように、各ドライバＩＣパッケージ４０３は、それぞれ、駆動用配線パターン４１９が設けられた可撓性基板４２０と、該可撓性基板４２０内に収納され、駆動用配線パターン４１９と電気的に接続されたドライバＩＣ４２１とを有している。
ドライバＩＣ４２１は、信号電極４１２および走査電極４１５に供給すべき駆動信号を生成する機能を有するものであり、半導体チップで構成されている。
【０１６７】
また、図１２に示すように、駆動用配線パターン４１９は、配線パターン４２２に対応するようにストライプ状に設けられ、駆動用配線パターン４１９の各配線４１９ａの一端部が、それぞれ、配線パターン４２２の各配線４２２ａと接続（接合）されている。
各入力用配線基板４０５は、それぞれ、入力用配線パターン４２３を有するプリント配線基板であり、電源用ＩＣや制御用ＩＣが実装された回路基板（図示せず）からの信号（画像信号等）を、その入力用配線パターン４２３を介して、各ドライバＩＣ４２１に伝達する。
各入力用配線パターン４２３は、各駆動用配線パターン４１９に対応するように設けられ、入力用配線パターン４２３の各配線の一端部は、それぞれ、駆動用配線パターン４１９の各配線４１９ａと接続（接合）されている。また、入力用配線パターン４２３の各配線の他端部は、それぞれ、回路基板が有する各配線と接続されている。
【０１６８】
このように構成された液晶表示装置４０１の駆動系では、回路基板からの信号が、各入力用配線パターン４２３および各駆動用配線パターン４１９を介して各ドライバＩＣ４２１に入力され、これら各ドライバＩＣ４２１によって信号電極４１２および走査電極４１５に供給すべき駆動信号が生成される。信号電極側のドライバＩＣ４２１（図９中Ｙ方向に沿って並列するドライバＩＣ４２１）によって生成された駆動信号は、駆動用配線パターン４１９および信号電極４１２を介してスイッチング素子に供給される。スイッチング素子は、供給された駆動信号に応じて画素電極４１１に電流を供給する。また、走査電極４１５側のドライバＩＣ４２１（図９中Ｘ方向に沿って並列するドライバＩＣ４２１）によって生成された駆動信号は、駆動用配線パターン４１９を介して走査電極４１５に供給される。これにより、画素電極４１１と走査電極４１５との間で、各画素毎に、液晶層４１０の液晶が駆動、すなわち、液晶の配向状態が変化する。
【０１６９】
以上のような液晶表示装置において、図１１に示すように、配線パターン４２２が設けられた張出領域４０７Ａと、駆動用配線パターン４１９が設けられたドライバＩＣパッケージ４０３とを接合する際、および、入力用配線基板４０５とドライバＩＣパッケージ４０３とを接合する際に、本発明の接合方法が適用されている。
換言すれば、接合膜３を介した張出領域４０７ＡとドライバＩＣパッケージ４０３との接合体、接合膜３を介した入力用配線基板４０５とドライバＩＣパッケージ４０３との接合体のうち、少なくとも１箇所に本発明の接合体が適用されている。
【０１７０】
この場合、張出領域４０７Ａ上に、配線パターン４２２の形状に対応した接合膜を転写用基板から転写し、この接合膜３を介して、張出領域４０７Ａの配線パターン４２２が設けられている側の面と、ドライバＩＣパッケージ４０３が有する可撓性基板４２０の駆動用配線パターン４１９が設けられている側の面とを接合することにより、これら同士が接合された接合体を得ることができる。
【０１７１】
なお、本実施形態では、例えば、図１２に示すように、配線パターン４２２が備える各配線４２２ａと、駆動用配線パターン４１９と備える各配線４１９ａとの間の接合が、対応する配線４２２ａ、４２２ａ毎に設けられた接合膜３を介して行われており、これにより、配線４２２ａ、４２２ａ同士が、接合膜３を介して接合されるとともに電気的に接続される。このように、本実施形態では、接合膜３が配線４２２ａ、４２２ａ毎に別個に設けられているので、マイグレーションの発生に起因する、隣接する配線４２２ａ、４２２ａ同士間での短絡の発生を確実に防止することができる。
【０１７２】
以上、本発明の接合方法および接合体を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、本発明の接合方法では、必要に応じて、１以上の任意の目的の工程を追加してもよい。
また、本発明の接合体は、液晶表示装置以外のものに適用可能であることは言うまでもない。具体的には、本発明の接合体は、例えば、メモリのような半導体素子、水晶発振子のような圧電素子、太陽電池のような光電変換素子、マイクロミラーのようなＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）部品、圧力センサ、加速度センサのようなセンサ部品、有機ＥＬ素子、電気泳動表示素子のような表示素子用部品等の各種部材と搭載基板との接合体に適用することができる
【実施例】
【０１７３】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
（実施例１）
まず、転写用基材として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍの単結晶シリコン基板の表面にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）膜が形成されたものを用意し、さらに、第１の基材および第２の基材として、それぞれ、ストライプ状の配線パターンが設けられたガラス基板を用意した。そして、第１の基材および第２の基材の配線パターンが形成されている側の面に対して、対して酸素プラズマによる下地処理を行った。
なお、各ガラス基板の寸法は、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍとした。また、ストライプ状の配線パターンは、各ガラス基板上から突出するように形成された銅薄膜であり、その寸法は、配線の幅および配線間のピッチともに２００μｍとした。
【０１７４】
次に、シリコーン材料として、ポリエステル変性シリコーン材料を含有する溶液（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル・ジャパン合同会社製、「ＸＲ３２−Ａ１６１２」）を用意し、この溶液中に、導電性粒子として金メッキが施されたポリスチレン粒子（平均粒径：５μｍ）を、最終的に得られる接合膜中での含有率が１０ｗｔ％となるように分散させることにより、液状材料を調製した。そして、この液状材料を、前述した液滴吐出装置５００を用いて、転写用基材の配ＰＴＦＥ膜が形成されている側の面に、５ｐＬの液滴として供給することにより、ガラス基板上に形成された配線パターンの形状に対応した液状被膜を形成した。
【０１７５】
次に、この液状被膜を、２００℃で、１時間乾燥・硬化させることにより、転写用基材上に、接合膜（平均厚さ：約２０μｍ、接合膜の幅：２１０μｍ、接合膜間のピッチ：１８０μｍ）を形成した。
次に、転写用基材上に形成された接合膜に、図６に示す大気圧プラズマ装置を用いて、以下に示す条件でプラズマを接触させた。これにより、接合膜を活性化させて、その表面に接着性を発現させた。
【０１７６】
＜プラズマ処理条件＞
・処理ガス ：ヘリウムガスと酸素ガスとの混合ガス
・ガス供給速度：１０ＳＬＭ
・電極間距離 ：１ｍｍ
・印加電圧 ：１ｋＶｐ−ｐ
・電圧周波数 ：４０ＭＨｚ
・移動速度 ：１ｍｍ／秒
【０１７７】
次に、配線パターンの形状に対応して形成された接合膜のプラズマを接触させた面と、第１の基材が備える配線パターンの表面とが接触するように、転写用基材と第１の基材とを重ね合わせることにより、接合膜と配線パターンとを接合させた。
次に、転写用基材と前記第１の基材とを離間することにより、接合膜を転写用基材から第１の基材上に転写させた。
【０１７８】
次に、第１の基材上に転写された接合膜に、図６に示す大気圧プラズマ装置を用いて、上記に示した条件と同様にしてプラズマを接触させた。これにより、再度、接合膜を活性化させて、その表面に接着性を発現させた。
次に、接合膜のプラズマを接触させた面と、第２の基材が備える配線パターンの表面とが接触するように、第１の基材と第２の基材とを重ね合わせることにより、接合膜と配線パターンとを接合させて、第１の基材と第２の基材とが接合膜を介して接合された仮接合体を得た。
次に、得られた仮接合体を、接合膜の厚さ方向、すなわち第１の基材と第２の基材との離間距離が接近するように、加圧（５０ＭＰａ）しつつ、常温（２５度前後）で２０秒間維持して、接合膜中に含まれる導電性粒子を厚さ方向で接触させることにより、各基材が備える配線パターン同士を電気的に接続させた。
【０１７９】
以上の工程を経ることにより、第１の基材に設けられた配線パターンと第２の基材に設けられた配線パターンとが、接合膜中に含まれる導電性粒子を介して電気的に接続された接合体を得た。
そして、この接合体の第１の基材と第２の基材との間の接合強度を、ＱＵＡＤ ＧＲＯＵＰ社製、「ロミュラス」を用いて測定したところ、４ＭＰａ以上であった。
なお、配線毎に対応させて形成した各接合膜は、各配線間のピッチにおいて、互いに接合することなく、得られた接合体において、それぞれ独立して形成されていた。
【０１８０】
（実施例２）
第１の基材として、ストライプ状の配線パターンが設けられたガラス基板に代えて、ストライプ状の配線パターンが設けられたステンレス鋼基板を用意し、第２の基材として、ストライプ状の配線パターンが設けられたガラス基板に代えて、ストライプ状の配線パターンが設けられたポリイミド基板を用意した以外は、前記実施例１と同様にして、接合体を得た。
本実施例２においても、前記実施例１と同様に、接合体の第１の基材と第２の基材との間の接合強度が４ＭＰａ以上であり、さらに、配線毎に対応させて形成した各接合膜は、各配線間のピッチにおいて、互いに接合することなく、得られた接合体において、それぞれ独立して形成されていた。
【０１８１】
（実施例３）
第１の基材および第２の基材の配線パターンが設けられている側の面のほぼ全面にも、転写用基材上に接合膜を形成した液状材料から導電性粒子を除いた液状材料を用いて接合膜（０．５μｍ）を形成し、このような接合膜が形成された第１の基材および第２の基材を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、接合体を得た。
本実施例３においても、前記実施例１と同様に、接合体の第１の基材と第２の基材との間の接合強度が４ＭＰａ以上であった。さらに、配線毎に対応させて形成した各接合膜は、各配線間のピッチにおいて、互いに接合することなく、得られた接合体において、それぞれ独立して形成されていた。
【符号の説明】
【０１８２】
１……接合体 １’……仮接合体 ２１……転写用基材 ２２……第１の基材 ２３…第２の基材 ２１０、２２０、２３０……接合面 ２１１……撥液膜 ２１２……母材 ２２１……第１の端子 ２３１……第２の端子 ３、３’……接合膜 ３０……液状被膜 ３１……液滴 ３２……表面 ３５……液状材料 ３８……導電性粒子 ３Ｃ……空間 ４１……膜形成領域 ４２……非膜形成領域 ５００…液滴吐出装置 ５０１…タンク ５０２…吐出走査部 ５０３…液滴吐出手段 ５０４…第１位置制御装置 ５０６…ステージ ５０８…第２位置制御装置 ５１０…チューブ ５１２…制御手段 ５１４…液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド） ５１８…ノズル ５２０…キャビティ ５２２…隔壁 ５２４…振動子 ５２４Ａ、５２４Ｂ…電極 ５２４Ｃ…ピエゾ素子 ５２６…振動板 ５２８…ノズルプレート ５２９…液だまり ５３０…供給部 ５３１…孔 ４０１……液晶表示装置 ４０２……液晶パネル ４０３……ドライバＩＣパッケージ ４０５……入力用配線基板 ４０６……バックライト ４０７……下基板 ４０７Ａ……張出領域 ４０８……上基板 ４０９……シール材 ４１０……液晶層 ４１１……画素電極 ４１２……信号電極 ４１３……スイッチング素子 ４１４……偏光板 ４１５……走査電極 ４１６……有色層 ４１７……ブラックマトリックス ４１８……偏光板 ４１９……駆動用配線パターン ４１９ａ、４２２ａ……配線 ４２０……可撓性基板 ４２１……ドライバＩＣ ４２２……配線パターン ４２３……入力用配線パターン １０００……大気圧プラズマ装置 １００２……搬送装置 １０１０……ヘッド １１０１……ヘッド本体 １１０２、１１０４……間隙 １１０３……下面 １０１５……印加電極 １０１７……高周波電源 １０１８……ガス供給流路 １０１９……対向電極 １１８１……開口部 １０２０……移動ステージ Ｅ……電界 Ｇ……処理ガス ｐ……プラズマ発生領域 Ｗ……被処理基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコーン材料と導電性粒子とを含有する液状材料に対する撥液性を少なくとも表面付近に有する転写用基材と、接合膜を介して互いに電気的に接合する、第１の端子を備える第１の基材、および、第２の端子を備える第２の基材とを用意する第１の工程と、
前記転写用基材の前記撥液性が付与されている面側に、前記液状材料を塗布して、所定形状にパターニングされた液状被膜を形成した後、乾燥することにより、前記所定形状にパターニングされた接合膜を得る第２の工程と、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させ、当該接合膜を介して前記転写用基材と前記第１の基材とを接合させた後、前記転写用基材と前記第１の基材とを離間することにより、前記接合膜を前記転写用基材から前記第１の基材に転写する第３の工程と、
転写された前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させ、当該接合膜を介して前記第１の基材と前記第２の基材とを接合することにより、これら同士が接合された仮接合体を得る第４の工程と、
前記仮接合体を前記接合膜の厚さ方向に加圧することにより、当該接合膜を介した前記第１の基材と前記第２の基材との接合を維持するとともに、前記接合膜中の前記導電性粒子を介して前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続することにより接合体を得る第５の工程とを有することを特徴とする接合方法。
【請求項２】
前記第１の端子と前記第２の端子とは、前記第１の基材と前記第２の基材とを、これら端子同士が対向するように重ね合わせたとき、互いに重なる位置に設けられている請求項１に記載の接合方法。
【請求項３】
前記所定形状は、第３の工程において、前記接合膜を前記第１の基材に転写したとき、前記第１の端子の形状に対応した形状をなしている請求項２に記載の接合方法。
【請求項４】
前記第２の工程において、前記第１の基材の前記接合膜を介して前記第２の基材と接合する側の面のほぼ全面に、前記導電性粒子を含有しない接合膜を形成する請求項１ないし３のいずれかに記載の接合方法。
【請求項５】
前記第２の工程において、前記第２の基材の前記接合膜を介して前記第１の基材と接合する側の面のほぼ全面に、前記導電性粒子を含有しない接合膜を形成する請求項１ないし４のいずれかに記載の接合方法。
【請求項６】
前記第２の工程において、前記液状皮膜は、前記液状材料を液滴吐出法を用いて液滴として供給することにより形成される請求項１ないし５のいずれかに記載の接合方法。
【請求項７】
前記液滴吐出法は、圧電素子による振動を利用して前記液状材料を、インクジェットヘッドが備えるノズル孔から液滴として吐出するインクジェット法である請求項６に記載の接合方法。
【請求項８】
前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成され、この主骨格が分枝状をなしている請求項１ないし７のいずれかに記載の接合方法。
【請求項９】
前記シリコーン材料は、前記ポリジメチルシロキサンが有するメチル基の少なくとも１つがフェニル基で置換されている請求項８に記載の接合方法。
【請求項１０】
前記シリコーン材料は、シラノール基を複数個有する請求項１ないし９のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１１】
前記シリコーン材料は、ポリエステル樹脂と脱水縮合反応させることにより得られたポリエステル変性シリコーン材料である請求項１ないし１０のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１２】
ポリエステル樹脂は、飽和多塩基酸と多価アルコールとのエステル化反応により得られるものである請求項１１に記載の接合方法。
【請求項１３】
前記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電膜とを有するものである請求項１ないし１２のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１４】
前記導電性粒子の平均粒径は、０．３〜１００μｍである請求項１ないし１３のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１５】
前記接合膜の平均厚さは、０．５〜５００μｍである請求項１ないし１４のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１６】
前記第３の工程および第４の工程において、前記接合膜に対する前記エネルギーの付与は、前記接合膜にプラズマを接触させることにより行われる請求項１ないし１５のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１７】
前記プラズマの接触を、大気圧下で行う請求項１６に記載の接合方法。
【請求項１８】
前記プラズマの接触は、互いに対向する電極間に電圧を印加した状態で、これらの間にガスを導入することにより、プラズマ化された前記ガスを前記接合膜に供給することによりなされる請求項１６または１７に記載の接合方法。
【請求項１９】
前記第１端子および前記第２の端子には、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１８のいずれかに記載の接合方法。
【請求項２０】
前記第１の基材と前記第２の基材とが、請求項１ないし１９のいずれかに記載の接合方法により形成された接合膜を介して接合されているとともに、前記第１の端子と第２の端子とが前記導電性粒子を介して電気的に接続されてなることを特徴とする接合体。
【請求項１】
シリコーン材料と導電性粒子とを含有する液状材料に対する撥液性を少なくとも表面付近に有する転写用基材と、接合膜を介して互いに電気的に接合する、第１の端子を備える第１の基材、および、第２の端子を備える第２の基材とを用意する第１の工程と、
前記転写用基材の前記撥液性が付与されている面側に、前記液状材料を塗布して、所定形状にパターニングされた液状被膜を形成した後、乾燥することにより、前記所定形状にパターニングされた接合膜を得る第２の工程と、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させ、当該接合膜を介して前記転写用基材と前記第１の基材とを接合させた後、前記転写用基材と前記第１の基材とを離間することにより、前記接合膜を前記転写用基材から前記第１の基材に転写する第３の工程と、
転写された前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させ、当該接合膜を介して前記第１の基材と前記第２の基材とを接合することにより、これら同士が接合された仮接合体を得る第４の工程と、
前記仮接合体を前記接合膜の厚さ方向に加圧することにより、当該接合膜を介した前記第１の基材と前記第２の基材との接合を維持するとともに、前記接合膜中の前記導電性粒子を介して前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続することにより接合体を得る第５の工程とを有することを特徴とする接合方法。
【請求項２】
前記第１の端子と前記第２の端子とは、前記第１の基材と前記第２の基材とを、これら端子同士が対向するように重ね合わせたとき、互いに重なる位置に設けられている請求項１に記載の接合方法。
【請求項３】
前記所定形状は、第３の工程において、前記接合膜を前記第１の基材に転写したとき、前記第１の端子の形状に対応した形状をなしている請求項２に記載の接合方法。
【請求項４】
前記第２の工程において、前記第１の基材の前記接合膜を介して前記第２の基材と接合する側の面のほぼ全面に、前記導電性粒子を含有しない接合膜を形成する請求項１ないし３のいずれかに記載の接合方法。
【請求項５】
前記第２の工程において、前記第２の基材の前記接合膜を介して前記第１の基材と接合する側の面のほぼ全面に、前記導電性粒子を含有しない接合膜を形成する請求項１ないし４のいずれかに記載の接合方法。
【請求項６】
前記第２の工程において、前記液状皮膜は、前記液状材料を液滴吐出法を用いて液滴として供給することにより形成される請求項１ないし５のいずれかに記載の接合方法。
【請求項７】
前記液滴吐出法は、圧電素子による振動を利用して前記液状材料を、インクジェットヘッドが備えるノズル孔から液滴として吐出するインクジェット法である請求項６に記載の接合方法。
【請求項８】
前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成され、この主骨格が分枝状をなしている請求項１ないし７のいずれかに記載の接合方法。
【請求項９】
前記シリコーン材料は、前記ポリジメチルシロキサンが有するメチル基の少なくとも１つがフェニル基で置換されている請求項８に記載の接合方法。
【請求項１０】
前記シリコーン材料は、シラノール基を複数個有する請求項１ないし９のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１１】
前記シリコーン材料は、ポリエステル樹脂と脱水縮合反応させることにより得られたポリエステル変性シリコーン材料である請求項１ないし１０のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１２】
ポリエステル樹脂は、飽和多塩基酸と多価アルコールとのエステル化反応により得られるものである請求項１１に記載の接合方法。
【請求項１３】
前記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電膜とを有するものである請求項１ないし１２のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１４】
前記導電性粒子の平均粒径は、０．３〜１００μｍである請求項１ないし１３のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１５】
前記接合膜の平均厚さは、０．５〜５００μｍである請求項１ないし１４のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１６】
前記第３の工程および第４の工程において、前記接合膜に対する前記エネルギーの付与は、前記接合膜にプラズマを接触させることにより行われる請求項１ないし１５のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１７】
前記プラズマの接触を、大気圧下で行う請求項１６に記載の接合方法。
【請求項１８】
前記プラズマの接触は、互いに対向する電極間に電圧を印加した状態で、これらの間にガスを導入することにより、プラズマ化された前記ガスを前記接合膜に供給することによりなされる請求項１６または１７に記載の接合方法。
【請求項１９】
前記第１端子および前記第２の端子には、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１８のいずれかに記載の接合方法。
【請求項２０】
前記第１の基材と前記第２の基材とが、請求項１ないし１９のいずれかに記載の接合方法により形成された接合膜を介して接合されているとともに、前記第１の端子と第２の端子とが前記導電性粒子を介して電気的に接続されてなることを特徴とする接合体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１０−２３２３９４（Ｐ２０１０−２３２３９４Ａ）
【公開日】平成２２年１０月１４日（２０１０．１０．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−７７８１３（Ｐ２００９−７７８１３）
【出願日】平成２１年３月２６日（２００９．３．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月１４日（２０１０．１０．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月２６日（２００９．３．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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