説明

放電灯点灯装置

【課題】放電灯点灯装置においてソフトスイッチングの一周期の終わりを正確に検出し、オンタイミングのズレによる回路損失を最小限に押さえること。
【解決手段】放電灯点灯装置は、放電灯に対して並列接続された電解コンデンサと、その正極に向けて全波整流電流を供給するインダクタおよびダイオードの直列回路と、インダクタおよびダイオードの接続点と電解コンデンサの負極とを結ぶスイッチング素子を備える。検出用コンデンサC11および検出用抵抗R、Rの直列回路10が、スイッチング素子の両端に並列接続されている。オフ時にインダクタを流れる電流が零になって、スイッチング素子の出力容量とインダクタとが共振すると、スイッチング素子のドレイン電圧がほぼ零ボルトまで低下するので、直列回路10がこの電圧低下を検出して、検出用抵抗Rの端子間電圧をオン切換のタイミング信号として出力するようになっている。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、蛍光灯やHIDランプ等の放電灯を点灯させる放電灯点灯装置、特に力率改善回路または電力変換回路におけるスイッチング素子のオンオフ制御の改良に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、放電灯点灯装置としては、銅鉄型の安定器(いわゆる銅鉄バラスト)が用いられてきた。安定器にはランプ電流を適正に制限するという役目があるが、銅鉄型の安定器では重量が重くなるとともに安定器自体が大型化してしまうため、近年では、安定器の軽量化、小型化、高機能化を目的としてスイッチング素子やダイオード等の電子部品を用いたいわゆる電子式安定器が利用されている。
【0003】
電子式安定器、いわゆる電子バラストは、交流電源ACの交流出力が入力され直流を出力する直流電源回路と、直流電源回路の両出力端に接続され放電灯Laへの供給電力を調整・制御する電力変換回路とで構成される。
直流電源回路には、交流を全波整流する全波整流器と、その両出力端に並列接続される平滑コンデンサとによって、比較的簡単に構成されたものがある。また、直流電源回路には、全波整流器と、該全波整流出力を入力して一定振幅の直流電圧を高効率で生成する力率改善回路(アクティブフィルターとも呼ばれる。)とから構成されるものもある。この力率改善回路には力率改善のために数十kHzの周波数でオンオフ切換可能なスイッチング素子が設けられ、力率改善制御回路が該スイッチング素子の駆動を制御する。
【0004】
一方、電力変換回路としては、一般的に降圧チョッパ型の回路構成が用いられる。電力変換回路には、10kHz〜500kHzの周波数でオンオフ切換可能なスイッチング素子が設けられ、電力変換制御回路が該スイッチング素子の駆動を制御する。電力変換制御回路は、放電灯のランプ電圧に応じて該スイッチング素子のスイッチング周波数又はオンデューティを調整して、放電灯への供給電力を制御する。
力率改善回路や電力変換回路には、スイッチング素子のオン状態で磁場のエネルギーを蓄積し、オフ状態でエネルギーを放出するインダクタが設けられている。インダクタのエネルギーの蓄積と放出が高周波のオンオフ切換により繰り返されることで、力率改善や電力変換が達成される。
【0005】
近年、電子式安定器の小型化への要求が高まり、回路効率を高めることで部品の小型化を図ってきた。直流電源回路や電力変換回路の回路効率を高めるため、これらの回路に内蔵されるスイッチング素子の制御方法にソフトスイッチングと呼ばれる制御が採用されている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1には、電力変換回路のスイッチング素子に対してゼロクロススイッチングモードの制御を実行した場合の回路効率について説明されている。ゼロクロススイッチングとは、インダクタ等の電圧または電流が零になるタイミング(このタイミングをゼロクロスと呼ぶ。)でスイッチング素子のオンオフを切り替える制御方法を言う。インダクタに流れる電流(I)が略零になるタイミングで、スイッチング素子をオフからオンに切り換えれば、電流(I)とスイッチング素子に印加される電圧との関係で生じるスイッチングロスを小さくできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特許第3470529号公報
【特許文献2】特表2009−539220号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ゼロクロススイッチングモードを実行する上で重要なことは、オフからオンへの切換のタイミング、すなわちソフトスイッチングの一周期の終わりのタイミングを何らかの方法で正しく検知することである。一般的には、チョークコイルに追加された二次巻き線(特許文献1の図1参照)やカレントトランス(特許文献2の図2参照)を用いて、その電圧の変化をみてオンタイミングを決定していた。しかし、二次巻き線やカレントトランスで得られる信号の立ち上がり、立ち下りは緩やかで、また、扱う電力により信号の振幅が変動してしまい、一周期の終わりのタイミングが不正確になることがあった。
【0008】
また、特許文献1には、直流電源回路のグランドレベル側の出力端に、抵抗器(特許文献1の図10の符号28参照)を接続し、これを検出用抵抗器として用いることで、ソフトスイッチングの一周期の終わりを検知する方法も説明されている。検出用抵抗器の電圧を検出し、この電圧に基づいてスイッチング素子をオンオフ制御する。振幅の大きい信号を検出するためには、抵抗器の抵抗値を大きくする必要がある。しかし、抵抗の増加は回路損失の増大を招くので避けたい。そうすると、特許文献1の抵抗器による検出では信号振幅を大きくすることができず、ノイズの影響を受け易くなる。
【0009】
特に、HIDランプ(高圧放電灯)のランプ特性は激しく変動するため、ソフトスイッチングの各周期でのインダクタのエネルギー放出時間が変化してしまう。従来のソフトスイッチングではこのようなランプ特性の変動にオンオフ切換えのタイミングを充分に追従させることができず、回路効率の悪化の原因となっていた。適正なオンタイミングが常に変化してしまう場合でも回路損失を低減できるように、インダクタに流れる電流が零になるタイミングをリアルタイムで正確に検出することが求められていた。
【0010】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、直流電源回路または電力変換回路においてソフトスイッチングの一周期の終わりを正確に検出し、ゼロクロススイッチングモードにおけるオンタイミングのズレによる回路損失を最小限に押さえることである。回路効率の改善を行って、放電灯点灯装置の消費電力の削減を計り、発電所内でのCO2の発生量を低減させて、地球温暖化防止に貢献することが可能な放電灯点灯装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0011】
前記課題を解決するために本発明にかかる放電灯点灯装置は、交流電圧を全波整流し、放電灯に対して並列接続された電解コンデンサを介して、該放電灯に点灯電流を供給するものであって、
前記電解コンデンサの正極に向けて全波整流後の整流電流を供給するインダクタおよびダイオードの直列回路、および、前記インダクタおよびダイオードの接続点と前記電解コンデンサの負極とを結んで前記電解コンデンサに対して並列に接続されたスイッチング素子を有して、該スイッチング素子のオンオフ駆動で前記電解コンデンサを充電するように構成された充電手段と、
前記スイッチング素子のオンオフ駆動を制御する制御手段と、
前記スイッチング素子の両端子間の電圧に基づいてオン切換のタイミング信号を生成して前記制御手段に送るゼロクロス検出手段と、
を備える。
そして、前記スイッチング素子のドレイン側端子が、前記インダクタおよびダイオードの接続点と結ばれ、前記スイッチング素子のソース側端子が、前記電解コンデンサの負極と結ばれており、前記ゼロクロス検出手段は、前記スイッチング素子の両端子に対して並列に接続された検出用コンデンサを有する。オフ状態で前記インダクタを流れる電流が零になるタイミングで、前記スイッチング素子のドレイン−ソース間の出力容量と前記インダクタとが共振を起こして、前記スイッチング素子のドレイン電圧が低下した場合に、前記検出用コンデンサが該ドレイン電圧の変化部分を強調して取り出して、正確なオン切換のタイミング信号を生成することを特徴とする。
本発明では、検出用コンデンサがリアクタンス素子であり、基本的には抵抗のような発熱が発生しない特性を有する。よって、検出用コンデンサが高いドレイン電圧(例えば数百ボルト)から制御手段の入力信号(例えば10V以下)までの大半の電圧降下機能を受け持つにも関わらず、発熱が起こらないので電力のロスが少なくて済む。
なお、本発明において、検出用コンデンサの静電容量は、スイッチング素子のドレイン−ソース間の出力容量よりも小さいことが好ましい。
【0012】
また、本発明にかかる放電灯点灯装置は、交流電圧を全波整流する整流回路と、該整流回路の両出力端に接続される電解コンデンサと、該電解コンデンサからの直流電流を放電灯の点灯電流に変換して供給する電力変換回路とを備え、前記電解コンデンサからの直流電流に基づいて放電灯へ点灯電流を供給するものであって、
前記電解コンデンサの正極には放電灯の一方の電極が接続され、
前記電力変換回路は、
前記放電灯の他方の電極と前記電解コンデンサの負極とを結ぶインダクタおよびスイッチング素子の直列回路と、オフ状態でインダクタからの電流を放電灯経由で該インダクタに回送するため、放電灯と前記インダクタの直列回路の両端を結ぶダイオードとを有して、前記スイッチング素子のオンオフ駆動で該電解コンデンサからの直流電流を放電灯の点灯電流に変換するとともに、
前記スイッチング素子のオンオフ駆動を制御する制御手段と、
前記スイッチング素子の両端子間の電圧に基づいてオン切換のタイミング信号を生成して前記制御手段に送るゼロクロス検出手段と、を備える。
そして、前記スイッチング素子のドレイン側端子が、前記インダクタおよびダイオードの接続点と結ばれ、前記スイッチング素子のソース側端子が、前記電解コンデンサの負極と結ばれており、前記ゼロクロス検出手段としては、前述と同様の手段を用いることを特徴とする。
【0013】
また、ハーフブリッジ方式またはフルブリッジ方式の電力変換回路では、前記ゼロクロス検出手段は、前記電解コンデンサの負極側に一端が接続されたグランドレベル側のスイッチング素子の両端子間の電圧から、オン切換のタイミング信号を生成することが好ましい。
【0014】
ゼロクロス検出手段の具体的な構成は、前記スイッチング素子の両端子に並列に接続された検出用コンデンサおよび検出用抵抗器のCR直列回路を有することが好ましく、オフ状態で前記インダクタを流れる電流が零になるタイミングで、前記スイッチング素子のドレイン−ソース間の出力容量と前記インダクタとが共振を起こして、前記スイッチング素子のドレイン電圧が低下した場合に、前記検出用コンデンサが該ドレイン電圧の変化部分を取り出し、前記検出用抵抗器の電圧がオン切換のタイミング信号として前記制御手段に送られるようにすればよい。
【0015】
ここで、前記ゼロクロス検出手段の検出用抵抗器は、複数の抵抗器の直列接続により構成され、該複数の抵抗器によって分圧された電圧をオン切換のタイミング信号として前記制御手段に送ってもよい。
また、ゼロクロス検出手段は、前記検出用抵抗器の両端子に並列に接続されたツェナーダイオードを有し、該ツェナーダイオードを介して前記検出用抵抗器の電圧をオン切換のタイミング信号として前記制御手段に送ることが好ましい。
【発明の効果】
【0016】
本発明において、スイッチング素子がオフ状態の時に、インダクタを流れる電流が零になると、スイッチング素子のドレイン−ソース間の出力容量とインダクタとが共振を起こし、スイッチング素子のドレイン電圧が急減する。本発明によれば、スイッチング素子の両端子に小容量の検出用コンデンサが接続されているので、検出用コンデンサがドレイン電圧の変化を取り出すことができる。しかも、小容量の検出用コンデンサをスイッチング素子の両端子に並列に接続したことで、電圧の変化部分を特に強調して取り出すことが可能となり、オン切換のタイミングを正確に捉えることができる。
また、ゼロクロス検出手段として検出用コンデンサを用いないで、抵抗のみでゼロクロスを検出しようとすると、抵抗の発熱による電力ロスを引き起こしてしまう。これに対して本発明では、検出用コンデンサがリアクタンス素子であり、基本的には抵抗のような発熱が発生しない特性を有する。よって、検出用コンデンサが大半の電圧降下機能を受け持つにも関わらず、電力のロスが少なくて済む。例えば、数百ボルトの高い電圧からエネルギーロスをほとんど伴うこと無く、制御手段への10V以下の入力信号を発生させることが可能になる。
従って、検出用コンデンサによって取り出されたスイッチング素子のドレイン電圧の変化のタイミングを用いれば、オン切換のタイミング信号を正確に生成することができる。よって本発明のゼロクロス検出手段を用いれば、直流電源回路または電力変換回路においてソフトスイッチングの一周期の終わりを正確に検出することができ、放電灯点灯装置の回路効率の大幅な改善を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本発明の放電灯点灯装置の全体回路構成図である。
【図2】本発明にかかるゼロクロス検出回路を力率改善回路に適用した場合の回路図である。
【図3】ゼロクロス検出回路の構成図である。
【図4】図2に示すゼロクロス検出回路の要部における信号波形を示す図である。
【図5】本発明にかかるゼロクロス検出回路をフルブリッジ型インバータ回路に適用した場合の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、図面に基づき本発明の好適な実施形態について説明する。
図1に本発明にかかる放電灯点灯装置の構成図を示す。
同図において、放電灯点灯装置は、直流電源回路7および電力変換回路3から構成されている。直流電源回路7は、電力変換回路3に安定供給するための直流電力を交流電源ACから作り出す処理を行う。電力変換回路3は、直流電源回路7からの直流電力を放電灯のランプ電力に変換する処理を行う。放電灯点灯装置は、電力変換回路3の両出力端に接続された放電灯へ所定の点灯電流を供給する。
【0019】
直流電源回路7および電力変換回路3には、高周波スイッチング素子がそれぞれ組み込まれており、ソフトスイッチングによってオンオフ制御されるようになっている。本発明では、回路技術を用いてソフトスイッチングの一周期の終わり、すなわちオフ状態からオン状態に切り替えるタイミングを正確に検出する検出回路を提供することができる。
ここでは、第一実施形態で直流電源回路7のスイッチング素子をソフトスイッチングでオンオフ制御する場合を説明し、第二実施形態で電力変換回路3のスイッチング素子をソフトスイッチングでオンオフ制御する場合を説明する。
【0020】
第一実施形態
図2に本実施形態にかかる放電灯点灯装置の回路構成を示す。
<放電灯点灯装置の全体構成>
同図において、放電灯点灯装置は、商用電源ACから供給される交流電力を全波整流し直流化する全波整流器2と、該全波整流器2の出力を定電圧化、高力率化する力率改善回路8と、力率改善回路8の出力する直流電力をランプ電力に変換して放電灯Laに供給する電力変換回路3と、力率改善回路8におけるソフトスイッチングの一周期の終わりを検出するゼロクロス検出回路12と、力率改善回路8に組み込まれている高周波スイッチング素子Q1のオンオフ制御を行う力率改善制御回路1とを備える。
【0021】
ゼロクロス検出回路12には、スイッチング素子Qの電圧が入力され、検出回路12の出力電圧が力率改善制御回路1に送られる。力率改善制御回路1は検出回路12の出力電圧から最適なオンタイミングを識別し、力率改善回路8のスイッチング素子Qへオンオフ切換信号を送るようになっている。
【0022】
全波整流器2は、全波整流ダイオードブリッジで構成され、低周波( 例えば50Hz )の電源である商用交流電源ACの出力端の両端に接続されている。
【0023】
力率改善回路8は、全波整流器2の後段に接続され、アクティブ平滑フィルタとも呼ばれる。この力率改善回路8は、全波整流器2の一方の出力端( 図では+電圧出力端 )に一端部が接続されたインダクタL(チョークコイル)と、このインダクタLの他端部と全波整流器2のもう一方の出力端( 図では−電圧出力端 )の間にドレインおよびソースが接続された高周波スイッチング素子Qと、該スイッチング素子Qのスイッチングに伴う高周波成分通流用フィルタとしての平滑コンデンサCと、前記インダクタLとスイッチング素子Q間の接続点にアノードが接続された転流ダイオードDと、この転流ダイオードDのカソードと全波整流器2の−電圧出力端との間に接続された電解コンデンサCを備えている。
【0024】
そして、力率改善回路8は、全波整流回路2に入力される交流電流を歪みのない正弦波に整形し、振幅一定の安定化した直流電流を高効率で生成し、電解コンデンサCに静電エネルギーを充電する。力率改善回路8に組み込まれているインダクタL、高周波スイッチング素子Q、転流ダイオードDは、電解コンデンサCにエネルギーを充電する充電回路9を構成する。電解コンデンサCは、該コンデンサの両端子間に電力変換回路3を介して接続された放電灯Laへ点灯電流を供給する。
【0025】
言い換えると、充電回路9は、電解コンデンサCの正極に向けて全波整流後の整流電流を供給するインダクタLとダイオードDとの直列回路、および、インダクタLとダイオードD間の接続点と電解コンデンサCの負極とを結ぶスイッチング素子Qを有する。スイッチング素子Qは、ダイオードDと電解コンデンサCに対して並列に接続されていると言える。
【0026】
スイッチング素子Qは、インダクタLとダイオードDの中間点にスイッチング素子Qのドレイン側端子を接続し、電解コンデンサCの負極端子が接続されるグランドラインにスイッチング素子Qのソース側端子を接続する。スイッチング素子QにはNチャネルのエンハンスメント形のMOSFETを使用する。スイッチング素子Qのゲートに力率改善制御回路1からの駆動電流が供給されてゲート電圧が生じると、ドレイン−ソース間に電流が流れる。この状態をスイッチング素子Qのオン状態という。一方、ゲートに駆動電流が供給されず、ドレイン電流が流れない状態をオフ状態という。
【0027】
なお、平滑コンデンサCは、全波整流回路2からの整流電流の部分平滑およびスイッチング素子Qのオフ時にインダクタLで発生した電流を該インダクタLに戻すためにも用いられる。
【0028】
ゼロクロス検出回路12は、スイッチング素子Qの両端子間電圧を取り込むため、2箇所の入力端1a、1bに接続される。一方の入力端1aは、インダクタLとダイオードD間の接続点からスイッチング素子Qのドレインまでの間に設けられ、もう一方の入力端1bは、全波整流器2の−電圧出力端から延びるグランドレベルの電力線上に設けられる。
【0029】
力率改善制御回路1は、力率改善回路(昇圧チョッパ回路)8の出力側の電解コンデンサCの出力電圧に応じて高周波スイッチング用スイッチング素子Qのオン期間を制御することで、その出力電圧が一定値となるようにフィードバック制御する。同時に、制御回路1は全波整流器2の全波整流電圧の振幅レベルの監視( 整流器の+電圧出力端の検出電圧 )と、グランドレベルを流れる電流レベルの監視とに基づいて全波整流電圧の振幅レベルに応じてスイッチング素子Qのオン期間を制御することで、入力交流電流を入力交流電圧の位相に一致させる力率改善の制御も行っている。これによって、力率改善回路8は、全波整流電圧を高力率で安定化直流電圧に変換する。なお、スイッチング素子Qのスイッチング周波数は通常数十kHzである。
【0030】
次に、力率改善回路8の動作を説明する。
スイッチング素子Qのオン状態では、インダクタLとダイオードDの中間点の電位は、グランドレベル(ゼロ)となり、インダクタLの端子間電圧は整流後の直流電圧と等しくなる。すると、インダクタLに磁場のエネルギーが蓄積され、インダクタLを流れる電流は増加する。全波整流器2からの直流電流は、インダクタLからスイッチング素子Qを通ってグランドラインへ流れる。言い換えると、スイッチング素子Qのオン状態では、ダイオードDと電解コンデンサCがバイパスされることになる。
【0031】
スイッチング素子Qのオフ状態では、インダクタLとダイオードDの中間点の電位は、電解コンデンサCの電圧(>整流後の直流電圧)と等しくなる。すると、インダクタLから磁場のエネルギーが放出され、インダクタLを流れる電流は徐々に減少する。インダクタLからの電流は、ダイオードDを通って電解コンデンサCを充電し、平滑コンデンサCを通過してインダクタLへ戻る。
【0032】
<ゼロクロス検出回路>
以下、本発明において特徴的な高い回路効率でソフトスイッチングを可能とするゼロクロス検出回路12について説明する。
ゼロクロス検出回路12は、力率改善回路1による高力率で安定化直流電圧の生成を、高い回路効率で実行できるように、ソフトスイッチングの一周期の終わりを正確に検出する回路である。図2に示すように、ゼロクロス検出回路12の1組の入力端1a、1bはスイッチング素子の両端子に接続され、1組の出力端2a、2bは力率改善制御回路1に接続されている。
【0033】
図3にゼロクロス検出回路12の詳しい回路構成を示す。
同図において、ゼロクロス検出回路12は、入力端1a、1b間に並列に接続されるCR直列回路10と、このCR直列回路10の抵抗成分に対して並列に接続されたツェナーダイオードZDとを有し、ツェナーダイオードZDの両端子に出力端2a、2bが設けられている。
【0034】
CR直列回路10は、容量成分と抵抗成分が直列接続されている。比較的小さい容量成分である検出用コンデンサC11の一端(正の電荷側)は入力端1aとなり、検出用コンデンサC11の他端(負の電荷側)と出力端1b間に2つの検出用抵抗器R、Rの直列接続である抵抗成分が接続されている。検出用コンデンサC11の他端に接続される検出用抵抗器Rの一端を端子3aとし、検出用抵抗器R、R間の中間点を端子3bとし、出力端1bに接続される検出用抵抗器Rの他端を端子3cとする。
ツェナーダイオードZDは、検出用抵抗器Rの両端子3b、3cに並列に接続されている。
ゼロクロス検出回路12への入力電圧Vは、力率改善回路8のスイッチング素子Qのドレインとグランド間の電圧である。この入力電圧VがCR直列回路10に印加された際の抵抗成分(R、R)に生じる電圧は、2つの検出用抵抗器R、Rによって分圧されて、ツェナーダイオードZDを介して出力電圧になる。
【0035】
<ゼロクロスの検出方法>
ゼロクロスとは、スイッチング損失の原因となる電流値または電圧値がちょうど零になるタイミングを示す。検出回路に生じる信号波形図に基づいて、ゼロクロスの検出方法を説明する。
図4にゼロクロス検出回路12中の要部の信号波形を示す。
同図(A)はスイッチング素子Qの状態を示し、
同図(B)はインダクタ電流Iの変化を示す。
同図(C)は、スイッチング素子Qの両端子間電圧(V)の波形である。
同図(D)は、グランド側の入力端1bを基準とする、検出用抵抗器Rの検出用コンデンサ側の端子3aの電位、つまり、検出用抵抗器R、Rの直列回路の両端電圧の波形である。
同図(E)は、ツェナーダイオードZDの両端子間電圧(V)の波形である。
【0036】
スイッチング素子Qのオンオフ駆動に応じて、両端子間の電圧(V)は同図(C)のように零ボルト(オン状態)と電解コンデンサCの電圧に等しい電圧値(オフ状態)とを交互に示す。入力電圧Vがゼロクロス検出回路12のCR直列回路10に印加された場合、つまり、入力端1bを基準(グランドレベル)として、入力端1aの電位がVであるとすると、検出用コンデンサC11により入力信号Vの変化成分のみが検出用抵抗器R、Rの直列回路に伝達され、グランドレベル(入力端1b)を基準とする検出用コンデンサC11と検出用抵抗器Rとの中点(端子3a)の電位V3aは、同図(D)のような両極性の信号になる。
検出用コンデンサC11と検出用抵抗器Rとの中点の電位V3aは、検出用抵抗器R、Rにより分圧され、分圧された電位が検出用抵抗器R、Rの中点(端子3b)に表れる。この中点(端子3b)における電位は、検出用抵抗器Rの両端に並列接続されたツェナーダイオードZDを介して出力電圧(V)になる。
【0037】
<オン状態>
図2〜4に基づいて説明する。
スイッチング素子のオン状態では、インダクタLに整流後電圧が印加され、インダクタLに磁場のエネルギーが蓄積する。この間、図4(B)のようにインダクタ電流(I)は増加する。
オン状態では、スイッチング素子Qの端子間電圧Vは零ボルトであり(同図C)、端子3aにおける電位V3aは負の極性を示す(同図D)。この負電圧成分は、検出用抵抗器R、Rにより分圧されるが、ツェナーダイオードZDの順方向と端子3cから端子3bへの向きとが一致するから、端子3bの電位はツェナーダイオードZDによって零ボルトを示す。従って、出力電圧Vは零ボルトを示す(同図E)。
【0038】
<オフ状態>
スイッチング素子のオフ状態では、インダクタLから磁場のエネルギーが放出し、電解コンデンサCを充電する。この間、図4(B)のようにインダクタ電流(I)は減少する。
オフ状態では、スイッチング素子Qの端子間電圧Vは、電解コンデンサCの電圧と等しく、例えば200Vを示す(同図C)。この電圧Vはゼロクロス検出回路12のCR直列回路に印加されるので、ターン・オフで端子3aにおける電位V3aは正極に反転し、例えば100Vになる。
【0039】
200Vのスイッチング素子Qの端子間電圧Vは、CR直列回路10に印加されて、その容量成分に電荷を蓄積させる。つまり、入力端1aから正電荷が検出用コンデンサC11へ流れる。検出用コンデンサC11への電荷の蓄積速度は、CR直列回路の容量値と抵抗値で決まる時定数により左右される。ここでは、時定数がインダクタLの放出時間よりも充分長くなるように、容量値と抵抗値が設定されている。従って、端子3aにおける電位V3aは時間の経過に従って減少する(同図D)。また、端子3aにおける正電圧成分は、検出用抵抗器R、Rによって分圧されるが、この分圧値よりもツェナー電圧の方が小さくなるように各抵抗値が設定されているため、端子3bの電圧はツェナー電圧でカットされる。従って、出力電圧Vはツェナー電圧値を示す(同図E)。
【0040】
<検出用コンデンサに蓄積された電荷の放出>
インダクタLの磁場のエネルギー放出が終了すると、インダクタ電流Iが零になる。インダクタLと電解コンデンサC間にはダイオードDがあって、電解コンデンサCの電荷が逆流することはないから、インダクタ電流Iが零になると、スイッチング素子Qのドレイン−ソース間の出力容量とインダクタLとの間で共振が発生し、入力電圧Vが急激に低下してほぼゼロ電位となる(同図C)。すると、検出用コンデンサC11に蓄積された静電エネルギー(電荷)がスイッチング素子Qのドレイン−ソース間の出力容量を通過し、さらに端子1bから端子3c、検出用抵抗器R、Rを順に通過し、スイッチング素子Qへ戻る。このことにより、図4(D)のように、端子3aに負電圧が発生する。この負電圧は検出用抵抗器R、Rにより分圧されて、端子3bにも負電圧が発生するはずであるが、ツェナーダイオードZDの順方向の導通により短絡されて、出力電圧Vが零ボルトを示す。なお、出力容量とは、オフ状態のスイッチング素子Qにおいて、そのドレイン−ソース端子間に存在する静電容量を示す。
【0041】
本発明で特徴的なことは、インダクタ電流Iが零になるタイミングと略同時に、上記のゼロクロス検出回路12の動作によって、出力電圧Vが零ボルトに急減することにある。このようなゼロクロス検出回路12の信号波形の変化、すなわちインダクタ電流が零になると、ゼロクロス検出回路12の出力信号Vが瞬時に零ボルトまで減少するという信号波形の変化を利用して、インダクタ電流が零になるゼロクロスのタイミングを正確に検出することができる。
【0042】
力率改善制御回路1は、ゼロクロス検出回路12の出力電圧(V)の変化によって、インダクタ電流Iが丁度零になるタイミングを検知でき、その情報をもとにスイッチング素子Qをターン・オンさせて次のスイッチング周期を開始させる。
【0043】
本実施形態によれば、急峻な立ち上がり、および、立ち下りの信号源(入力電圧V)から、その変化成分を強調する容量性結合(検出用コンデンサC11と検出用抵抗器R、Rの直列接続をスイッチング素子に対して並列に接続すること)により、検出用抵抗器R、Rの電圧信号を出力電圧Vとして取り出しているので、ソフトスイッチングにおけるゼロクロスのタイミングを精度良く検出することができる。
また、HIDランプのようにランプ特性が激しく変動する場合には、ソフトスイッチングの各周期でのインダクタLのエネルギー放出時間が変化してしまうが、本実施形態によれば、インダクタLに流れる電流が零になるタイミングをリアルタイムで正確に検出することができるため、回路効率の悪化を避けることができる。
【0044】
なお、負電圧成分はツェナーダイオードZDの順方向の電圧でカットされ、正電圧成分はツェナー電圧でカットされるから、中点(端子3b)における電位は制御回路にとって安全な10V以下の電圧値に変換されることになる。
【0045】
また、ゼロクロス検出回路12に検出用コンデンサC11を用いないで、抵抗のみでゼロクロスを検出しようとすると、抵抗の発熱による電力ロスを引き起こす。これに対して本発明に用いる小容量の検出用コンデンサC11は、リアクタンス素子であり、基本的には、抵抗のような発熱が発生しない特性を有する。よって、検出用コンデンサC11は、大半の電圧降下分を受け持つにも関わらず、電力のロスを少なくすることができる。例えば、数百ボルトの高い電圧からエネルギーロスをほとんど伴うことなしに、制御回路への入力信号(10V以下)を発生させることが可能になる。
なお、スイッチング回路の部品定数およびスイッチング周波数の違いによっては、本発明のゼロクロス検出回路の後段に信号のディレー回路を追加し、ゼロボルトスイッチングのタイミングを調整する場合もある。
【0046】
第二実施形態
図5は、本実施形態にかかる放電灯点灯装置の回路構成を示す。
同図において、放電灯点灯装置は、商用電源ACから供給される交流電力から直流電力を生成する直流電源回路7と、直流電源回路7からの直流電力を放電灯のランプ電力に変換する処理を行う電力変換回路3と、電力変換回路3におけるソフトスイッチングの一周期の終わりを検出するゼロクロス検出回路12と、電力変換回路3に組み込まれている複数の高周波スイッチング素子Q〜Qのオンオフ制御を行うフルブリッジ型の電力変換制御回路11とを備えて構成される。
【0047】
ゼロクロス検出回路12には、複数のスイッチング素子Q〜Qのうちでグランドラインにソースが接続され、高周波スイッチングを行うスイッチング素子Qの電圧が入力される。検出回路12の出力電圧は電力変換制御回路11に送られ、電力変換制御回路11は出力電圧から最適なオンタイミングを識別し、電力変換回路3の各スイッチング素子Q〜Qへ切換信号を送るようになっている。
【0048】
電力変換回路3は、フルブリッジ型のインバータ回路である。電力変換回路3は、直流電源回路7の両出力端に並列に接続されたスイッチング素子Q、Qの直列回路と、同様に直流電源回路7の両出力端に並列に接続された高周波スイッチング素子Q、Qの直列回路と、スイッチング素子Q〜Qのそれぞれに並列に且つ各素子Q〜Qの電流の向きとは反対方向に接続されたダイオードD〜Dと、スイッチング素子Q、Qの直列回路の接続点と高周波スイッチング素子Q、Qの直列回路の接続点との間に接続された放電灯LaおよびインダクタLの直列回路と、放電灯Laに対して並列に接続されて放電灯Laを流れる電流から、スイッチング素子Q、Qの高周波スイッチングによる高周波成分を側路( バイパス )させるためのコンデンサCと、電力変換回路3への入力電流を検出するための電流検出用抵抗Rと、この抵抗Rに高周波電流が流れるのを防ぐための高周波成分のバイパス用で小容量のコンデンサCと、を備えている。スイッチング素子Qは、その一端が直流電源回路7の負極側に接続されたグランドレベル側のスイッチング素子である。
【0049】
なお、スイッチング素子Q〜QとしてMOSFETを用いた場合は、MOSFETがその構成上内蔵している寄生ダイオードが逆電流通流用ダイオードD〜Dに利用されるので、特別にダイオードを接続する必要はない。
【0050】
各スイッチング素子Q〜Qは、電力変換制御回路11からの制御信号によって、スイッチング素子Qがオン、Qが高周波スイッチングされ、スイッチング素子Q、Qがオフの状態と、スイッチング素子Q、Qがオフでスイッチング素子Qがオン、Qが高周波スイッチングされる状態とを交互に低周波(数十Hz〜数百Hz)で繰り返す。
【0051】
スイッチング素子Qがオンで、Qが高周波スイッチングしている期間においては、スイッチング素子Qのオン時、直流電源回路7からの直流電流が、スイッチング素子Q→放電灯La→インダクタL→スイッチング素子Qの順番で直流電源回路7の負極の端子に流れて、インダクタLに磁場のエネルギーが蓄積される。そして、スイッチング素子Qのオフ時、インダクタLに蓄積されているエネルギーが放出され、インダクタL→ダイオードD→スイッチング素子Q→放電灯La→インダクタLの経路で電流が流れる。
【0052】
一方、スイッチング素子Qがオンで、Qが高周波スイッチングしている期間においては、スイッチング素子Qのオン時、直流電源回路7からの直流電流が、スイッチング素子Q→インダクタL→放電灯La→スイッチング素子Qの順番で直流電源回路7の負極の端子に流れて、インダクタLに磁場のエネルギーが蓄積される。そして、スイッチング素子Qのオフ時、インダクタLに蓄積されているエネルギーが放出され、インダクタL→放電灯La→スイッチング素子Q→ダイオードD→インダクタLの経路で電流が流れる。
【0053】
このような動作を行う本実施形態の電力変換回路3は、以下の回路を基本構成とするフルブリッジ型の電力変換回路と言うことができる。すなわち、直流電源回路3の電解コンデンサCの正極に、放電灯Laの一方の電極が接続されており、基本構成となる電力変換回路は、放電灯Laの他方の電極と電解コンデンサCの負極とを結ぶインダクタLおよびスイッチング素子Q(またはQ)の直列回路と、オフ状態でインダクタLからの電流を放電灯La経由で該インダクタLに回送するため、放電灯LaとインダクタLの直列回路の両端を結ぶダイオードD(またはD)とを有する。そして、スイッチング素子Q(またはQ)のオンオフ駆動で該電解コンデンサCからの直流電流を放電灯Laの点灯電流に変換する。
【0054】
本実施形態におけるゼロクロス検出回路12は前述の実施形態と同じ構成のものを用いている。図5に示すように、ゼロクロス検出回路12の1組の入力端1a、1bはスイッチング素子Qの両端子に接続されている。
スイッチング素子Qが高周波でオンオフするモードでは、前述の実施形態と同様に、インダクタLの電流が零になるタイミングと略同時に、ゼロクロス検出回路12の動作によって、出力電圧Vが零ボルトに急減するので、インダクタ電流が零になるゼロクロスのタイミングを正確に検出することができる。
【0055】
また、スイッチング素子Qが高周波でオンオフするモードでは、インダクタLの電流が零になるタイミングと略同時に、ゼロクロス検出回路12の動作によって、出力電圧Vが零ボルトからツェナー電圧まで急増する。出力電圧Vの変化によって、インダクタ電流が零になるゼロクロスのタイミングを正確に検出することができる。
【0056】
本実施形態では、フルブリッジ型の電力変換回路3について説明したが、ハーブブリッジ型の電力変換回路にも同様に本発明の放電灯点灯装置を適用できる。また、1つのスイッチング素子を用いた降圧チョッパ回路と4つのスイッチング素子を用いた極性反転回路とを組み合わせて、放電灯に交番する点灯電流を供給するようにした電力変換回路にも本発明の放電灯点灯装置を適用できる。
【実施例1】
【0057】
ゼロクロス検出回路12を力率改善回路に使用した実施例について説明する。
図3に示すゼロクロス検出回路を用いて、各素子の特性値を以下のように設定した。
検出用コンデンサC11 :100pF、
抵抗器R :10kΩ、
抵抗器R :51kΩ、
ツェナーダイオードZD:4.3V
その結果、従来のチョークコイルに二次巻き線を追加して信号を検出する方式に比べて、力率改善回路の回路効率を93%から95%へ向上させることができた。
また、同様に、上記ゼロクロス検出回路を電力変換回路に使用した実施例においては、従来のカレントトランスを使用して信号を検出する方式に比べて、電力変換回路の回路効率を90%から93%へ向上させることができた。
【0058】
本発明は、水銀ランプ、メタルハライドランプ、高圧ナトリウムランプなどのHIDランプのほか、キセノンランプを含む高圧放電灯の点灯装置に適用できる。また、蛍光灯等の低圧放電灯の点灯装置にも応用できる。
【符号の説明】
【0059】
1 力率改善制御回路
2 全波整流器
3 電力変換回路
7 直流電源回路
11 電力変換制御回路
12 ゼロクロス検出回路
AC 交流電源
La 放電灯
ZD ツェナーダイオード
、L インダクタ
、C、C 平滑コンデンサ
電解コンデンサ
11 検出用コンデンサ

【特許請求の範囲】
【請求項1】
交流電圧を全波整流し、放電灯に対して並列接続された電解コンデンサを介して、該放電灯に点灯電流を供給する放電灯点灯装置において、
前記電解コンデンサの正極に向けて全波整流後の整流電流を供給するインダクタおよびダイオードの直列回路、および、前記インダクタおよびダイオードの接続点と前記電解コンデンサの負極とを結んで前記電解コンデンサに対して並列に接続されたスイッチング素子を有して、該スイッチング素子のオンオフ駆動で前記電解コンデンサを充電するように構成された充電手段と、
前記スイッチング素子のオンオフ駆動を制御する制御手段と、
前記スイッチング素子の両端子間の電圧に基づいてオン切換のタイミング信号を生成して前記制御手段に送るゼロクロス検出手段と、
を備え、
前記スイッチング素子のドレイン側端子が、前記インダクタおよびダイオードの接続点と結ばれ、前記スイッチング素子のソース側端子が、前記電解コンデンサの負極と結ばれており、
前記ゼロクロス検出手段は、前記スイッチング素子の両端子に対して並列に接続された検出用コンデンサを有し、
オフ状態で前記インダクタを流れる電流が零になるタイミングで、前記スイッチング素子のドレイン−ソース間の出力容量と前記インダクタとが共振を起こして、前記スイッチング素子のドレイン電圧が低下した場合に、前記検出用コンデンサが該ドレイン電圧の変化部分を強調して取り出して、オン切換のタイミング信号を生成することを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項2】
交流電圧を全波整流する整流回路と、該整流回路の両出力端に接続される電解コンデンサと、該電解コンデンサからの直流電流を放電灯の点灯電流に変換して供給する電力変換回路とを備える放電灯点灯装置において、
前記電解コンデンサの正極には放電灯の一方の電極が接続され、
前記電力変換回路は、
前記放電灯の他方の電極と前記電解コンデンサの負極とを結ぶインダクタおよびスイッチング素子の直列回路と、オフ状態でインダクタからの電流を放電灯経由で該インダクタに回送するため、放電灯と前記インダクタの直列回路の両端を結ぶダイオードとを有して、前記スイッチング素子のオンオフ駆動で該電解コンデンサからの直流電流を放電灯の点灯電流に変換するとともに、
前記スイッチング素子のオンオフ駆動を制御する制御手段と、
前記スイッチング素子の両端子間の電圧に基づいてオン切換のタイミング信号を生成して前記制御手段に送るゼロクロス検出手段と、
を備え、
前記スイッチング素子のドレイン側端子が、前記インダクタおよびダイオードの接続点と結ばれ、前記スイッチング素子のソース側端子が、前記電解コンデンサの負極と結ばれており、
前記ゼロクロス検出手段は、前記スイッチング素子の両端子に並列に接続された検出用コンデンサを有し、
オフ状態で前記インダクタを流れる電流が零になるタイミングで、前記スイッチング素子のドレイン−ソース間の出力容量と前記インダクタとが共振を起こして、前記スイッチング素子のドレイン電圧が低下した場合に、前記検出用コンデンサが該ドレイン電圧の変化部分を強調して取り出して、オン切換のタイミング信号を生成することを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項3】
請求項2記載の放電灯点灯装置において、
前記電力変換回路は、ハーフブリッジ方式またはフルブリッジ方式でスイッチング動作するように構成され、
前記ゼロクロス検出手段は、前記電解コンデンサの負極側に一端が接続されたグランドレベル側のスイッチング素子の両端子間の電圧から、オン切換のタイミング信号を生成することを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項4】
請求項1から3のいずれかに記載の放電灯点灯装置において、
前記ゼロクロス検出手段は、前記スイッチング素子の両端子に並列に接続された検出用コンデンサおよび検出用抵抗器のCR直列回路を有し、
オフ状態で前記インダクタを流れる電流が零になるタイミングで、前記スイッチング素子のドレイン−ソース間の出力容量と前記インダクタとが共振を起こして、前記スイッチング素子のドレイン電圧が低下した場合に、前記検出用コンデンサが該ドレイン電圧の変化部分を取り出し、前記検出用抵抗器の電圧がオン切換のタイミング信号として前記制御手段に送られることを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項5】
請求項4記載の放電灯点灯装置において、
前記ゼロクロス検出手段の検出用抵抗器は、複数の抵抗器の直列接続により構成され、該複数の抵抗器によって分圧された電圧をオン切換のタイミング信号として前記制御手段に送ることを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項6】
請求項4または5記載の放電灯点灯装置において、
前記ゼロクロス検出手段は、前記検出用抵抗器の両端子に並列に接続されたツェナーダイオードを有し、該ツェナーダイオードを介して前記検出用抵抗器の電圧をオン切換のタイミング信号として前記制御手段に送ることを特徴とする放電灯点灯装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【公開番号】特開2012−59610(P2012−59610A)
【公開日】平成24年3月22日(2012.3.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−203119(P2010−203119)
【出願日】平成22年9月10日(2010.9.10)
【出願人】(000126274)株式会社アイ・ライティング・システム (56)
【Fターム(参考)】