液滴吐出方法及び液滴吐出装置
【課題】パターンの直線性を高精度で確保する液滴吐出方法及び液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】液滴吐出ヘッドの各ノズルを２個ずつのノズル群に仮想区分して、各ノズル群の第１番目のノズルを第１ブロック、第２番目のノズルを第２ブロックとする。第１ブロックのノズルと第２ブロックのノズルとから液滴を吐出するときに、第１ブロックのノズルから液滴を吐出した時の圧力変動の残留振動周期以上となる時間差を設けて第２ブロックのノズルから液滴を吐出する。また、前記時間差をＴｒ、各ノズルとグリーンシートとの間の距離をＧ、ステージの走査速度をｖｓ、前記相対移動方向における液滴間の目標距離をδ、第１ブロックのノズルからの液滴の飛行速度をｖａ、第２ブロックのノズルからの液滴の飛行速度をｖｂとするとき、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす飛行速度のうちいずれか１つを選択して各ブロックのノズルから吐出させる。
【解決手段】液滴吐出ヘッドの各ノズルを２個ずつのノズル群に仮想区分して、各ノズル群の第１番目のノズルを第１ブロック、第２番目のノズルを第２ブロックとする。第１ブロックのノズルと第２ブロックのノズルとから液滴を吐出するときに、第１ブロックのノズルから液滴を吐出した時の圧力変動の残留振動周期以上となる時間差を設けて第２ブロックのノズルから液滴を吐出する。また、前記時間差をＴｒ、各ノズルとグリーンシートとの間の距離をＧ、ステージの走査速度をｖｓ、前記相対移動方向における液滴間の目標距離をδ、第１ブロックのノズルからの液滴の飛行速度をｖａ、第２ブロックのノズルからの液滴の飛行速度をｖｂとするとき、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす飛行速度のうちいずれか１つを選択して各ブロックのノズルから吐出させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出方法及び液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics ）技術は、グリーンシートと金属との一括焼成を可能にすることから、セラミックの層間に各種の受動素子を組み込んだ素子内蔵基板を具現できる。システム・オン・パッケージ（ＳＯＰ）の実装技術においては、電子部品の複合化や表面実装部品に発生する寄生効果の最小化を図るため、この素子内蔵基板（以下単に、ＬＴＣＣ多層基板という。）に関わる製造方法が鋭意開発されている。
【０００３】
ＬＴＣＣ多層基板の製造方法では、複数のグリーンシートの各々に受動素子や配線等のパターンを描画する描画工程と、該パターンを有する複数のグリーンシートを積層して圧着する圧着工程と、圧着体を一括焼成する焼成工程とが順に実施される。
【０００４】
描画工程には、各種パターンの高密度化を図るため、導電性インクを微小な液滴にして吐出する液滴吐出装置を用いたインクジェット法が提案されている（例えば、特許文献１）。インクジェット法は、数ピコリットル〜数十ピコリットルの液滴を用い、該液滴の吐出位置の変更によってパターンの微細化や狭ピッチ化を可能にする。
【０００５】
液滴吐出装置に搭載される吐出ヘッドには、１方向に沿って配列された複数のノズルからなるノズル列が設けられている。吐出ヘッドの内部では、各ノズルがそれぞれ仕切部材で仕切られることによって、ノズルごとのインク室が設けられている。各インク室には、それぞれ圧力変動を発生させる圧力発生素子が設けられている。そして、該圧力発生素子に駆動信号が供給されてインク室内に圧力変動が発生することにより、導電性インクが液滴として吐出される。
【０００６】
ところで、ノズル列の方向に沿った直線パターンを描画するとき、各ノズルから同時に液滴を吐出して描画すると、各圧力発生素子へ同時に駆動信号を供給することになるため、吐出ヘッドに１度に供給される電流値が大きくなってしまう。そこで、特許文献２は、ノズルをｎ個（ｎ≧２）毎に区分して得られるノズル群の各第ｍ（ｍ≧１）番目のノズルで複数のブロックを構成し、ブロックごとの吐出タイミングで液滴を吐出させることにより、１度に供給する電流値を抑える。そして、特許文献２は、ブロックごとの吐出タイミングの時間差が相殺されるように、後続するブロックの飛行速度を先行するブロックの飛行速度よりも速くして、ノズル列ごとの着弾タイミングの同期化を図っている。
【特許文献１】特開２００５−５７１３９号公報
【特許文献２】特開平１０−１６６５６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
液滴吐出装置においては、１つのノズルから液滴を吐出するとき、該ノズルのインク室内における圧力変動やその圧力変動の残留振動が仕切部材や共通路などを介して隣接したノズルのインク室内に伝播し、該隣接したインク室内に圧力変動を発生させる（クロストークを発生させる）。クロストークが発生する場合には、隣接したノズルから吐出される液滴の飛行速度が大幅に変化してしまう。特許文献２では、このクロストークの影響による飛行速度の変化に対する配慮がなされていないため、ブロック間における飛行速度にバラツキを招き、着弾タイミングを高い精度の下で調整し難い問題があった。上述したＬＴ
ＣＣ基板などでは、パターンの微細化や狭ピッチ化の進行に伴い、液滴の着弾位置に数μｍの誤差がある場合には、配線が短絡してしまい、致命的な欠陥を招いてしまう。
【０００８】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、ノズル列の方向に沿ったパターンの直線性を向上させた液滴吐出方法及び液滴吐出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の液滴吐出方法は、対象物が載置された移動部と１つの方向に配列された複数のノズルとを相対移動させながら、前記ノズル毎に設けられた圧力発生素子に駆動電圧波形を供給することによって該ノズル毎に設けられた貯留室に圧力変動を発生させて前記貯留室に貯留された液状体を液滴にして吐出する液滴吐出方法であって、１つのノズルの吐出タイミングと、前記１つのノズルに隣接する他のノズルの吐出タイミングとの時間差が、前記１つのノズルから液滴を吐出したことによる前記１つのノズルの貯留室における残留振動周期以上になるように、前記１つのノズルと前記他のノズルとからそれぞれ液滴を吐出するとともに、前記時間差をＴｒ、前記ノズルと前記対象物との間の距離をＧ、前記移動部の走査速度をｖｓ、前記１つのノズルからの液滴の飛行速度をｖａ、前記他のノズルからの液滴の飛行速度をｖｂ、前記相対移動方向における液滴間の目標距離をδとするとき、前記駆動電圧波形と、該駆動電圧波形から得た前記液滴の飛行速度とを関連付けた変換データを用い、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす飛行速度からいずれか１組を選択して駆動電圧波形へ変換し、該飛行速度に対応するノズルに設けられた前記圧力発生素子へ前記変換した駆動電圧波形を供給する。
【００１０】
本発明の液滴吐出方法は、変換データを用いて、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす飛行速度を具現化する。そのため、隣接するノズルからの液滴の着弾タイミングが、時間差Ｔｒや距離Ｇ、走査速度ｖｓ、相対移動方向における液滴間の目標距離δの変更に応じて調整される。そして、この時間差Ｔｒが残留振動周期以上になることから、残留振動によって発生するクロストークの影響が十分に抑制され、隣接するノズルからの液滴の着弾タイミングが、高い精度の下で調整される。したがって、この液滴吐出方法は、隣接するノズルから吐出される液滴の着弾タイミングを高い精度の下で調整できることから、目標距離δを０に近づける場合にはノズル列の方向に沿った直線を高い精度の下で描画できる。また、時間差Ｔｒを設けた場合における、隣接したノズルから吐出された液滴の着弾位置間の距離を予め求め、該距離を目標距離δに定める構成であってもよい。これによれば、隣接したノズル間のばらつきを加味して着弾位置を揃えることができる。
【００１１】
この液滴吐出方法は、前記複数のノズルからなるノズル列をｎ個（ｎは２以上の整数）のノズル毎に区分したノズル群の第ｍ番目（ｍは１以上）のノズルからなるブロックを第ｍブロックとするとき、第１ブロックから第ｍブロックまでを順番に繰り返して駆動して、第ｍブロックの吐出タイミングと、第ｍ＋１ブロックの吐出タイミングとの間の時間差を前記残留振動周期以上にする構成が好ましい。
【００１２】
この液滴吐出方法は、各ブロックを順に繰り返して駆動させることから、ノズル列の全体にわたり、ノズル列の方向に沿った直線を高い精度の下で描画できる。また、液滴の吐出動作を画一的に実行できることから、吐出動作の複雑化を抑えながら、ノズル列の方向に沿った直線を描画できる。
【００１３】
この液滴吐出方法は、前記各ノズル群が隣接する２個のノズルからなる構成が好ましい。
この液滴吐出方法は、ノズル群に含まれるノズルの数量を最小の単位で構成することか
ら、吐出動作の複雑化を一層に抑えながら、ノズル列の方向に沿った直線を描画できる。
【００１４】
本発明の液滴吐出装置は、１つの方向に配列された複数のノズルと、前記ノズル毎に設けられて液状体を貯留する貯留室と、前記ノズル毎に設けられて駆動電圧波形を受けることにより前記貯留室に圧力変動を発生させて前記ノズルから対象物に向けて液滴を吐出させる圧力発生素子と、前記複数のノズルと前記対象物とを前記１つの方向と交差する方向へ相対移動させる移動部とを備えた液滴吐出装置であって、前記圧力発生素子に供給する駆動電圧波形と、前記駆動電圧波形を用いたときの前記液滴の飛行速度とを関連付けて、前記飛行速度を前記駆動電圧波形へ変換するための変換データを記憶する記憶部と、１つのノズルの吐出タイミングと、前記１つのノズルに隣接する他のノズルの吐出タイミングとの時間差をＴｒ、前記各ノズルと前記対象物との間の距離をＧ、前記移動部の走査速度をｖｓ、前記１つのノズルからの液滴の飛行速度をｖａ、前記隣接するノズルからの液滴の飛行速度をｖｂ、前記相対移動方向における液滴間の目標距離をδとするとき、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす飛行速度から選択された１組を、前記変換データを用いて変換して駆動電圧波形を生成する駆動電圧波形生成部と、１つのノズルの吐出タイミングと、前記１つのノズルに隣接する他のノズルの吐出タイミングとの時間差が、前記１つのノズルから液滴を吐出したことによる前記１つのノズルの貯留室における残留振動周期以上になるように、前記生成した駆動電圧波形を前記圧力発生素子へ供給する制御部とを備えた。
【００１５】
本発明の液滴吐出装置は、変換データを用いて、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす飛行速度を具現化する。そのため、隣接するノズルからの液滴の着弾タイミングが、時間差Ｔｒや距離Ｇ、走査速度ｖｓ、相対移動方向における液滴間の目標距離δの変更に応じて調整される。そして、この時間差Ｔｒが残留振動周期以上になることから、残留振動によって発生するクロストークの影響が十分に抑制され、隣接するノズルからの液滴の着弾タイミングが、高い精度の下で調整される。したがって、この液滴吐出方法は、隣接するノズルから吐出される液滴の着弾タイミングを高い精度の下で調整できることから、目標距離δを０に近づける場合にはノズル列の方向に沿った直線を高い精度の下で描画できる。また、時間差Ｔｒを設けた場合における、隣接したノズルから吐出された液滴の着弾位置間の距離を予め求め、該距離を目標距離δに定める構成であってもよい。これによれば、隣接したノズル間のばらつきを加味して着弾位置を揃えることができる。
【００１６】
この液滴吐出装置は、前記複数のノズルからなるノズル列をｎ個（ｎは２以上の整数）のノズル毎に区分したノズル群の第ｍ番目（ｍは１以上）のノズルからなるブロックを第ｍブロックとするとき、前記制御部が、第１ブロックから第ｍブロックまでを順番に繰り返して駆動して、第ｍブロックの吐出タイミングと、第ｍ＋１ブロックの吐出タイミングとの間の時間差が前記残留振動周期以上になるように、前記生成した駆動電圧波形を前記圧力発生素子へ供給する構成が好ましい。
【００１７】
この液滴吐出装置の制御部は、各ブロックを順に繰り返して駆動させることから、ノズル列の全体にわたり、ノズル列の方向に沿った直線を高い精度の下で描画できる。また、液滴の吐出動作を画一的に実行できることから、吐出動作の複雑化を抑えながら、ノズル列の方向に沿った直線を描画できる。
【００１８】
この液滴吐出装置は、前記圧力発生素子が圧電素子であり、前記変換データが、前記圧電素子の変位量を定める駆動電圧値と、前記駆動電圧値を用いた駆動電圧波形から得られる前記液滴の飛行速度とを関連付けたデータであり、前記駆動電圧波形生成部が、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす飛行速度に関連付けられた前記駆動電圧値を用いる駆動電圧波形を生成する構成が好ましい。
【００１９】
この液滴吐出装置は、駆動電圧波形を駆動電圧値で画一的に変調することから、吐出動作の複雑化を抑えながら、ノズル列の方向に沿った直線を描画できる。
この液滴吐出装置は、前記圧力発生素子が圧電素子であり、前記変換データが、前記圧電素子の変位速度を定める駆動電圧勾配と、前記駆動電圧勾配を用いた駆動電圧波形から得られる前記液滴の飛行速度とを関連付けたデータであり、前記駆動電圧波形生成部が、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす飛行速度に関連付けられた前記駆動電圧勾配を用いる駆動電圧波形を生成する構成が好ましい。
【００２０】
この液滴吐出装置は、駆動電圧波形を駆動電圧勾配で画一的に変調することから、吐出動作の複雑化を抑えながら、ノズル列の方向に沿った直線を描画できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を具体化した実施形態を図１〜図１７に従って説明する。図１は、本発明の液滴吐出装置及び液滴吐出方法を用いて製造したセラミック多層基板を有する回路モジュールの断面図である。
【００２２】
図１において、回路モジュール１は、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics ）多層基板２と、ＬＴＣＣ多層基板２に接続された半導体チップ３とを有する。
【００２３】
ＬＴＣＣ多層基板２は、積層された複数のＬＴＣＣ基板４を有する。各ＬＴＣＣ基板４は、それぞれ熱可塑性基板としてのグリーンシートの焼結体であって、厚みが数十μｍ〜数百μｍで形成されている。各ＬＴＣＣ基板４の層間には、それぞれ抵抗素子、容量素子、コイル素子等の各種の内部素子５と、各内部素子５に電気的に接続する内部配線６とが内蔵され、各ＬＴＣＣ基板４には、それぞれスタックビア構造やサーマルビア構造を成すビア配線７が形成されている。
【００２４】
内部素子５、内部配線６及びビア配線７は、それぞれ導電性微粒子の焼結体であり、導電性インクを用いるインクジェット法によって形成される。
次に、上記ＬＴＣＣ多層基板２の製造方法を説明する。
【００２５】
ＬＴＣＣ多層基板２の製造方法では、ＬＴＣＣ基板４の前駆体であるグリーンシートにパターンを描画する描画工程と、該パターンを所定温度（例えば、８０℃）加熱して乾燥させる乾燥工程とが順に実行される。また、ＬＴＣＣ多層基板２の製造方法では、複数のグリーンシートを積層して積層体を形成する積層工程と、該積層体を減圧包装する減圧包装工程と、積層体を圧着して圧着体を形成する圧着工程と、該圧着体を所定の焼成温度（例えば、８００〜１０００℃）で焼成する焼成工程とが順に実行される。
【００２６】
次に、グリーンシートにパターンを描画する液滴吐出装置１０について説明する。図２はグリーンシートにパターンを描画する液滴吐出装置１０を模式的に示す全体斜視図であり、図３は液滴吐出ヘッド１５を下側から見た図である。
【００２７】
図２において、液滴吐出装置１０の基台１１には、基台１１の長手方向に沿って往復移動可能な移動部としてのステージ１２が搭載されている。本実施形態では、基台１１の長手方向であって図２における左上方向を＋Ｘ方向とし、＋Ｘ方向の反対方向を−Ｘ方向と言う。また、＋Ｘ方向と直交する水平方向であって、図２における右上方向を＋Ｙ方向とし、＋Ｙ方向の反対方向を−Ｙ方向と言う。また、鉛直方向下方を−Ｚ方向とし、−Ｚ方向の反対方向を＋Ｚ方向と言う。
【００２８】
基台１１に搭載されるステージ１２の上面には、対象物としてのグリーンシートＧＳが描画面ＧＳａを上側にした状態でステージ１２に位置決め固定されている。ステージ１２は、基台１１に設けられたステージモータ（図示せず）が正転又は逆転するとき、位置決めしたグリーンシートＧＳを所定の速度で＋Ｘ方向又は−Ｘ方向へ走査する。
【００２９】
基台１１の上側には、門型に形成されたガイド部材１３が＋Ｙ方向に沿って架設されている。ガイド部材１３の上側には、液状体としての導電性インクＩｋを供給するインクタンク１４が配設されている。インクタンク１４は、導電性微粒子の分散系からなる導電性インクＩｋを貯留し、貯留する導電性インクＩｋを液滴吐出ヘッド１５に所定圧力で供給する。導電性微粒子は、数ｎｍ〜数十ｎｍの粒径を有する微粒子であり、例えば金、銀、銅、白金、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウム等の金属、あるいはこれらの合金を用いることができる。分散媒は、導電性微粒子を均一に分散させるものであれば良く、例えば水や水を主成分とする水溶液系、あるいはテトラデカン等の有機溶剤を主成分とする有機系を用いることができる。
【００３０】
ガイド部材１３には、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に移動可能なキャリッジ１６が搭載され、キャリッジ１６には、液滴吐出ヘッド１５が搭載されている。キャリッジ１６は、ガイド部材１３に設けられたキャリッジモータ（図示せず）が正転又は逆転するとき、液滴吐出ヘッド１５を＋Ｙ方向又は−Ｙ方向へ走査する。
【００３１】
図３において、液滴吐出ヘッド１５は、キャリッジ１６に位置決め固定されて＋Ｙ方向に延びるヘッド基板１７と、ヘッド基板１７に支持されるヘッド本体２０とを有する。ヘッド基板１７は、−Ｙ方向の端部に接続端子１７ａを有し、外部から接続端子１７ａへ入力される各種制御信号をヘッド本体２０へ出力し、ヘッド本体２０から接続端子１７ａへ入力される各種検出信号を外部へ出力する。
【００３２】
ヘッド本体２０の底部には、グリーンシートＧＳと対向するノズルプレート２１が貼り付けられている。ノズルプレート２１は、ヘッド本体２０がグリーンシートＧＳの直上に位置するとき、その底面（以下単に、ノズル形成面２１ａと言う）と描画面ＧＳａとを略平行にして、ノズル形成面２１ａと描画面ＧＳａとの間の距離（プラテンギャップ）を所定距離Ｇ（図４参照、本実施形態では１ｍｍ）に維持する。ノズルプレート２１のノズル形成面２１ａには、ノズルプレート２１をＺ方向に貫通する複数のノズルＮがＹ方向に沿って、ノズルピッチＷｎにて等間隔に配列されている。本実施形態においては、１８０個のノズルＮがＹ方向に沿って配列されている。
【００３３】
図４において、ヘッド本体２０は、各ノズルＮの上側にそれぞれ貯留室としてのキャビティ２２と、振動板２３と、圧力発生素子としての圧電素子ＰＺを有する。各キャビティ２２は、共通路２４を介してそれぞれ連通しているとともに、共通するインクタンク１４に接続されることによって、該インクタンク１４からの導電性インクＩｋを収容し、その導電性インクＩｋをノズルＮに供給する。振動板２３は、各キャビティ２２に対向する領域をＺ方向に振動することにより、該キャビティ２２の容積を拡大及び縮小させて圧力変動を発生させ、これに伴ってノズルＮのメニスカスを振動させる。
【００３４】
各圧電素子ＰＺは、それぞれ駆動電圧波形を受けるとき、Ｚ方向に収縮して伸張することにより、振動板２３の各領域をＺ方向に振動させる。各圧電素子ＰＺは、それぞれ駆動電圧波形における駆動電圧値（ピーク電圧値）に基づいて、その収縮量や伸張量等の変位量が規定される。また、各圧電素子ＰＺは、それぞれ駆動電圧波形における勾配に基づいて、その収縮速度や伸張速度等の変位速度が規定される。
【００３５】
各キャビティ２２は、それぞれ振動板２３がＺ方向に振動するとき、収容する導電性インクＩｋの一部を駆動信号に応じた液滴ＤにしてノズルＮから吐出させる。吐出された液滴Ｄは、グリーンシートＧＳの描画面ＧＳａに着弾する。本実施形態においては、各圧電素子ＰＺに関して、第１ノズルＮ１、第２ノズルＮ２、第３ノズルＮ３、…、第ｉノズルＮｉに対応付けられる圧電素子ＰＺを、それぞれ第１圧電素子ＰＺ１、第２圧電素子ＰＺ２、第３圧電素子ＰＺ３、…、第ｉ圧電素子ＰＺｉという。尚、図４では、液滴吐出ヘッド１５の内部を説明する便宜上、ノズルピッチＷｎを十分に拡大して示している。
【００３６】
グリーンシートＧＳの描画面ＧＳａは、図５に示すように、ドットパターン格子ＤＬによって仮想分割されている。ドットパターン格子ＤＬは、＋Ｘ方向の格子間隔と、＋Ｙ方向の格子間隔とが、それぞれ所定の間隔で設定される仮想格子である。例えば、ドットパターン格子ＤＬの＋Ｘ方向の格子間隔は、所定の周期とステージ１２の走査速度ｖｓとの積で形成され、またドットパターン格子ＤＬの＋Ｙ方向の格子間隔は、ノズルピッチＷｎで形成される。液滴Ｄを吐出するか否かの選択は、このドットパターン格子ＤＬの黒点で示した格子点Ｐごとに設定される。尚、図５では、ドットパターン格子ＤＬの各格子点Ｐを説明する便宜上、ドットパターン格子ＤＬの格子間隔を拡大して示している。
【００３７】
第１圧電素子ＰＺ１に駆動信号が供給されて振動板２３が振動すると、第１圧電素子ＰＺ１に対応するキャビティ２２内に圧力変動が発生する。キャビティ２２内に圧力変動が発生すると、第１ノズルＮ１から液滴Ｄが吐出され、該キャビティ２２内には該圧力変動の残留振動が発生する。キャビティ２２内の前記圧力変動と該圧力変動の残留振動とは、それぞれ振動板２３、共通路２４、及び隔壁２５を介して第２ノズルＮ２などのキャビティ２２に伝播する（以下、クロストークという）。
【００３８】
図６は、第１ノズルＮ１からの液滴Ｄに対する第２ノズルＮ２からの液滴Ｄの相対速度を示す図であり、横軸は、第１ノズルＮ１の吐出タイミングから第２ノズルＮ２の吐出タイミングまでの経過時間（以下、時間差と言う。）を示す。
【００３９】
図６において、第１ノズルＮ１と第２ノズルＮ２との間におけるクロストークは、第２ノズルＮ２からの液滴Ｄの飛行速度に、周期的な変動を発生させる。本実施形態では、隣接するノズルＮの間において、後続するノズルＮから吐出される液滴の飛行速度の変動周期を、残留振動周期Ｔｗと言う。なお、残留振動周期Ｔｗは、予め試験等で求められる時間であり、本実施形態ではＴｗ＝１１μｓである。
【００４０】
液滴吐出装置１０を利用する吐出処理においては、１つのノズル列が、連続するｎ個（ｎは２以上の整数）のノズルごとにノズル群に区分される。各ノズル群の第ｍ番目（ｍは１以上の整数）のノズルＮからなる第ｍブロックは、１つの吐出タイミングで液滴Ｄを吐出する。そして、第ｍブロックの吐出タイミングと第ｍ＋１ブロックの吐出タイミングとの時間差が、上記残留振動周期Ｔｗ以上になる。なお、本実施形態では、１つの吐出タイミングで選択され得るノズルＮの数量の割合であって、全てのノズルＮの数量に対する割合をデューティ比１／Ｒ（Ｒは２以上の整数）と言う。
【００４１】
また、液滴吐出装置１０を利用する吐出処理においては、まず、全ての圧電素子ＰＺへ共通する基準駆動電圧波形が供給される。そして、全てのノズルＮから得られる液滴Ｄの飛行速度（以下単に、初期速度ｖ１と言う。）が予め計測される。液滴吐出ヘッド１５の内部では、流路抵抗や剛性がノズルＮごとに異なることから、各圧電素子ＰＺがそれぞれ共通する基準駆動電圧波形を受ける場合であっても、液滴Ｄの飛行速度が厳密にはノズルＮごとに異なってしまう。そこで、液滴吐出装置１０を利用する吐出処理においては、液滴Ｄの着弾精度の向上を図るため、まず、各ノズルＮが有する固有の初期速度ｖ１が計測される。そして、各初期速度ｖ１がそれぞれ４種類の第１速度ｖａに分類される、すなわ
ち各ノズルＮがそれぞれ４種類のランクに分類される。
【００４２】
次に、上記液滴吐出装置１０の電気的構成を図７〜図１６に従って説明する。図７は、液滴吐出装置１０の電気的構成を示すブロック回路図である。
なお、以下では、説明の便宜上、デューティ比が１／２（Ｒ＝２）の場合であって、１つの吐出タイミングで選択され得るノズルＮが全ノズルの半数となる場合について説明する。詳述すると、１つのノズル列が２個（Ｒ＝２）のノズルＮからなる複数のノズル群に区分されて、奇数番目のノズルＮからなる第１ブロックと、偶数番目のノズルＮからなる第２ブロックとが交互に吐出される場合について説明する。
【００４３】
また、以下では、グリーンシートＧＳの走査方向において、第１ブロックからの液滴Ｄの着弾位置と、第２ブロックからの液滴Ｄの着弾位置との間の距離（以下単に、目標距離δと言う。）を、内部配線６等の設計ルールに基づいて定められた値（δ＝１μｍ）にする場合について説明する。
【００４４】
図７において、制御装置３０は、液滴吐出装置１０に各種の処理動作を実行させるものである。制御装置３０は、外部Ｉ／Ｆ３１と、ＣＰＵなどからなる制御部３２と、ＤＲＡＭ及びＳＲＡＭからなり各種のデータを格納して記憶部を構成するＲＡＭ３３と、各種制御プログラムや各種データを格納して記憶部を構成するＲＯＭ３４とを有する。また、制御装置３０は、クロック信号を生成する吐出タイミング生成部としての発振回路３５と、駆動電圧波形を生成する駆動電圧波形生成部としての駆動電圧波形生成回路３６と、ステージ１２やキャリッジ１６を走査するためのモータ駆動回路３８と、各種の信号を送信する内部Ｉ／Ｆ３９と、を有する。制御装置３０は、外部Ｉ／Ｆ３１を介して入出力装置４０に接続されている。また、制御装置３０は、内部Ｉ／Ｆ３９を介してステージ１２、キャリッジ１６、及び、液滴吐出ヘッド１５に対応するヘッド駆動回路４１に接続されている。
【００４５】
制御部３２は、モータ駆動回路３８に対応する駆動制御信号を出力する。モータ駆動回路３８は、制御部３２からの駆動制御信号に応答し、内部Ｉ／Ｆ３９を介してステージ１２、キャリッジ１６を走査させる。
【００４６】
発振回路３５は、各種のデータや各種の駆動信号を同期させるためのクロック信号を生成する。発振回路３５は、各種のデータのシリアル転送時に利用される転送クロックＳＣＬＫを生成する。発振回路３５は、シリアル転送された各種のデータのパラレル変換時に利用されるラッチ信号（パターンラッチ信号ＬＡＴＡやコモンラッチ信号ＬＡＴＢ）を生成する。また、発振回路３５は、ステートを切り替えるためのステート切替信号ＣＨＡを生成する。パターンラッチ信号ＬＡＴＡとコモンラッチ信号ＬＡＴＢとは、第１ブロックが格子点Ｐの直上に位置するたびに生成される信号であって、吐出周期Ｔｒの２倍の周期で生成される。ステート切替信号ＣＨＡは、第１ブロックが格子点Ｐの直上を通過してから吐出周期Ｔｒが経過するごとに生成される。
【００４７】
入出力装置４０は、例えばＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ハードディスク、液晶ディスプレイなどを有した外部コンピュータである。入出力装置４０は、ＲＯＭ又はハードディスクに記憶された制御プログラムに従って液滴吐出装置１０を駆動させるための各種の制御信号を外部Ｉ／Ｆ３１に出力する。外部Ｉ／Ｆ３１は、入出力装置４０から描画データＩｐ及びヘッドデータＩｈを受信する。
【００４８】
描画データＩｐには、描画面ＧＳａの各格子点Ｐに液滴Ｄを吐出させるための各種のデータが含まれる。例えば、描画データＩｐには、グリーンシートＧＳの位置に関するデータ、液滴Ｄの吐出位置に関するデータ、ステージ１２の走査速度ｖｓに関するデータ、プ
ラテンギャップＧに関するデータ、目標距離δに関するデータが含まれる。また、描画データＩｐには、周期データが含まれる。
【００４９】
周期データとは、液滴Ｄの吐出周期Ｔｒを規定するためのデータである。吐出周期Ｔｒは残留振動周期Ｔｗ以上の値に設定されて、本実施形態では、予め試験等で求めた残留振動周期Ｔｗ（本実施形態では１１μｓ）に基づいて、Ｔｒ＝２０μｓに設定されている。
【００５０】
ヘッドデータＩｈには、各ノズルＮの初期速度ｖ１に関するデータ（初期速度データ）と、液滴吐出ヘッド１５のデューティ比に関するデータ（デューティデータ）と、ランクを規定するためのデータ（ランクデータ）とが含まれている。
【００５１】
初期速度データとは、全てのノズルＮの各々に、該ノズルＮの初期速度ｖ１を関連付けたデータである。初期速度データは、ＲＡＭ３３に格納された後、各ノズルＮのランク付けの際に利用される。
【００５２】
デューティデータとは、液滴吐出ヘッド１５のデューティ比を規定するためのデータである。デューティデータは、ＲＡＭ３３に格納された後、ノズル群を規定する際に利用される。なお、本実施形態においては、デューティ比が１／２であることを規定するためのデータである。
【００５３】
ランクデータとは、初期速度ｖ１の範囲と、４種類の第１速度ｖａ（ランク）とを関連付けたデータである。ランクデータは、ＲＡＭ３３に格納された後、各ノズルＮのランク付けの際に利用される。本実施形態における初期速度ｖ１の範囲は、図８に示すように、初期速度ｖ１と基準速度ｖｃｅｎ（例えば、全ての初期速度ｖ１の平均値）との大小に応じて４種類に分類される。
【００５４】
詳述すると、初期速度ｖ１がｖｃｅｎ×１．１＞ｖ１≧ｖｃｅｎ×１．０５を満たす場合には、該ノズルＮに対してランク「１」の第１速度ｖａ（例えば、ｖｃｅｎ×１．０７５）が関連付けられる。初期速度ｖ１がｖｃｅｎ×１．０５＞ｖ１≧ｖｃｅｎを満たす場合には、該ノズルＮに対してランク「２」の第１速度ｖａ（例えば、ｖｃｅｎ×１．０２５）が関連付けられる。初期速度ｖ１がｖｃｅｎ＞ｖ１≧ｖｃｅｎ×０．９５を満たす場合には、該ノズルＮに対してランク「３」の第１速度ｖａ（例えば、ｖｃｅｎ×０．９７５）が関連付けられる。そして、初期速度ｖ１がｖｃｅｎ×０．９５＞ｖ１≧ｖｃｅｎ×０．９を満たす場合には、該ノズルＮに対してランク「４」の第１速度ｖａ（例えば、ｖｃｅｎ×０．９２５）が関連付けられる。
【００５５】
なお、初期速度ｖ１のばらつきは、ノズルＮ毎の流路抵抗や剛性に応じて発生する。そのため、隣接する２つのノズルＮの間では、初期速度ｖ１のばらつきが殆ど無視されることから、ランクの違いが生じ難い。そこで、本実施形態では、隣接する２つのノズルＮの間、すなわち１つのノズル群内において、第１ブロックのランクが第２ブロックのランクとして利用される。
【００５６】
ＲＡＭ３３は、受信バッファ３３ａ、中間バッファ３３ｂ、出力バッファ３３ｃとして利用される。ＲＯＭ３４は、制御部３２が実行する各種の制御ルーチンと、該制御ルーチンを実行するための各種のデータとを格納する。ＲＯＭ３４は、速度電圧変換データと波形生成データとを格納する。
【００５７】
速度電圧変換データとは、予め試験等に基づいて生成されるデータであって、液滴Ｄの飛行速度と駆動電圧値とを関連付けたデータである。速度電圧変換データは、例えば、４種類の第１速度ｖａを利用して、４種類のランクに対応する４種類の駆動電圧波形（第１
駆動電圧波形ＣＯＭＡ，第２駆動電圧波形ＣＯＭＢ，第３駆動電圧波形ＣＯＭＣ，第４駆動電圧波形ＣＯＭＤ）を生成する際に利用される。
【００５８】
波形生成データは、駆動波形の立ち上がり期間、駆動電圧値の保持期間、駆動波形の立ち下がり期間などを規定したデータであって、各第１〜第４駆動電圧波形ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤを生成する際に利用される。
【００５９】
制御部３２は、ＲＡＭ３３に格納される初期速度データとランクデータとを読み出し、第１ブロックの各ノズルＮに対してランク付けを実行する。そして、制御部３２は、ノズル群ごとに、第１ブロックのノズルＮに関連付けたランク（第１速度ｖａ）を利用して、第２ブロックのノズルＮに関わる第２速度ｖｂを演算する。
【００６０】
詳述すると、制御部３２は、第１速度ｖａ、吐出周期Ｔｒ、プラテンギャップＧ、走査速度ｖｓ、及び、目標距離δに基づいて、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす第２速度ｖｂの範囲を演算し、その範囲から１つの飛行速度を選択する。尚、本実施形態の制御部３２は、第２速度ｖｂの再現性を得易くするため、該飛行速度範囲の中心値を選択する。例えば、ｖａ＝７．０ｍ／ｓ、Ｔｒ＝２０μｓ、Ｇ＝１ｍｍ、走査速度ｖｓ＝２５０ｍｍ／ｓ、目標距離δ＝１μｍとすると、制御部３２は、第２速度ｖｂの範囲を演算し、その中心値である８．１４ｍ／ｓを選択する。これによって、制御部３２は、第２ブロックからの液滴Ｄの第２速度ｖｂを決定する。
【００６１】
制御部３２は、第２速度ｖｂを演算すると、ＲＯＭ３４に格納される速度電圧変換データを読み出し、各第１速度ｖａと各第２速度ｖｂとをそれぞれ駆動電圧値へ変換する。詳述すると、制御部３２は、速度電圧変換データに基づいて、ランク「１」の第１速度ｖａに関連付けられる駆動電圧値（第１駆動電圧Ｖｈ１ａ）を演算する。そして、制御部３２は、該第１速度ｖａから得た第２速度ｖｂに関連づけられる駆動電圧値（第２駆動電圧Ｖｈ２ａ）を演算する。
【００６２】
同じく、制御部３２は、速度電圧変換データに基づいて、ランク「２」の第１速度ｖａに関連付けられる駆動電圧値（第１駆動電圧Ｖｈ１ｂ）を演算する。そして、制御部３２は、該第１速度ｖａから得た第２速度ｖｂに関連づけられる駆動電圧値（第２駆動電圧Ｖｈ２ｂ）を演算する。また、制御部３２は、速度電圧変換データに基づいて、ランク「３」の第１速度ｖａに関連付けられる駆動電圧値（第１駆動電圧Ｖｈ１ｃ）を演算する。そして、制御部３２は、該第１速度ｖａから得た第２速度ｖｂに関連づけられる駆動電圧値（第２駆動電圧Ｖｈ２ｃ）を演算する。また、制御部３２は、速度電圧変換データに基づいて、ランク「４」の第１速度ｖａに関連付けられる駆動電圧値（第１駆動電圧Ｖｈ１ｄ）を演算する。そして、制御部３２は、該第１速度ｖａから得た第２速度ｖｂに関連づけられる駆動電圧値（第２駆動電圧Ｖｈ２ｄ）を演算する。
【００６３】
駆動電圧波形生成回路３６は、各駆動電圧値と波形生成データとを用いて、ランク「１」〜「４」に対応する第１〜第４駆動電圧波形ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤを生成する。詳述すると、駆動電圧波形生成回路３６は、図９（ａ）に示すように、ランク「１」に対応する第１駆動電圧Ｖｈ１ａ、第２駆動電圧Ｖｈ２ａ、及び波形生成データを用いて、第１駆動電圧波形ＣＯＭＡを生成する。
【００６４】
同じく、駆動電圧波形生成回路３６は、図９（ｂ）に示すように、ランク「２」に対応する第１駆動電圧Ｖｈ１ｂ、第２駆動電圧Ｖｈ２ｂ、及び波形生成データを用いて、第２駆動電圧波形ＣＯＭＢを生成する。また、駆動電圧波形生成回路３６は、図９（ｃ）に示すように、ランク「３」に対応する第１駆動電圧Ｖｈ１ｃ、第２駆動電圧Ｖｈ２ｃ、及び波形生成データを用いて、第３駆動電圧波形ＣＯＭＣを生成する。また、駆動電圧波形生
成回路３６は、図９（ｄ）に示すように、ランク「４」に対応する第１駆動電圧Ｖｈ１ｄ、第２駆動電圧Ｖｈ２ｄ、及び波形生成データを用いて、第４駆動電圧波形ＣＯＭＤを生成する。
【００６５】
図７において、制御部３２は、外部Ｉ／Ｆ３１が受信した描画データＩｐ及びヘッドデータＩｈを受信バッファ３３ａに一時的に格納する。制御部３２は、描画データＩｐ及びヘッドデータＩｈを中間コードに変換して中間コードデータとして中間バッファ３３ｂに格納する。
【００６６】
制御部３２は、中間バッファ３３ｂから中間コードデータを読み出してドットパターンデータを生成し、該ドットパターンデータを出力バッファ３３ｃに格納させる。ドットパターンデータは、各格子点Ｐに１ビットの値（”０”、”１”）を対応付けたデータであって、２値の各々に応じて吐出あるいは非吐出を規定するデータである。
【００６７】
制御部３２は、ステージ１２の１スキャン分に相当するドットパターンデータを生成すると、１列分の格子点Ｐに相当するドットパターンデータを利用して、転送クロックＳＣＬＫに同期したシリアルデータを生成し、該シリアルデータをヘッド駆動回路４１へシリアル転送する。制御部３２は、ドットパターンデータを利用してシリアル転送を実行すると、中間バッファ３３ｂの内容を消去し、次の中間コードデータに対して展開処理を実行する。本実施形態では、１列分の格子点Ｐに相当するシリアルデータを、シリアルパターンデータＳＩＡという。
【００６８】
また、制御部３２は、中間バッファ３３ｂから中間コードデータ（初期速度データとランクデータと）を読み出してランク付けを実行し、各ノズル群とランクとを関連付けたコモン選択データを生成し、該コモン選択データを出力バッファ３３ｃに格納する。コモン選択データは、各ノズル群に２ビットの値（”００”、”０１”、”１０”、”１１”）を対応付けたデータであって、４値の各々にランクを対応付けたデータである。
【００６９】
制御部３２は、コモン選択データを生成すると、コモン選択データを利用して転送クロックＳＣＬＫに同期したシリアルデータを生成し、該シリアルデータをヘッド駆動回路４１へシリアル転送する。本実施形態では、コモン選択データを利用して生成するシリアルデータを、シリアルコモン選択データＳＩＢと言う。
【００７０】
図１０において、シリアルパターンデータＳＩＡは、１つのノズル列に対応する１８０ビットの第１ブロックデータＳＩＨと、同ノズル列に対応する１８０ビットの第２ブロックデータＳＩＬとによって構成されている。第１ブロックデータＳＩＨは、各ノズル群の第１ブロックにおける各圧電素子ＰＺにオン状態あるいはオフ状態を規定するデータであり、かつ、第２ブロックにおける各圧電素子ＰＺにオフ状態を規定するデータである。第２ブロックデータＳＩＬは、各ノズル群の第２ブロックにおける各圧電素子ＰＺにオン状態あるいはオフ状態を規定するデータであり、第１ブロックにおける各圧電素子ＰＺにオフ状態に規定するデータである。
【００７１】
図１１において、パターンラッチ信号ＬＡＴＡごとに規定される状態の中で、ステート切替信号ＣＨＡごとに規定される状態を、「ステート」という。ステート切替信号ＣＨＡは、パターンラッチ信号ＬＡＴＡごとの状態を、デューティ比（１／Ｒ）に基づいてＲ個のステートに区分する。本実施形態では、パターンラッチ信号ＬＡＴＡごとの状態を、デューティ比１／２に基づいて２個のステートに区分し、各ステートを、それぞれステート「０」とステート「１」と言う。
【００７２】
図１２において、シリアルコモン選択データＳＩＢは、１つのノズル列に対応する１８
０ビットの上位選択データＳＸＨと、同ノズル列に対応する１８０ビットの下位選択データＳＸＬとによって構成されている。図１３に示すように、上位選択データＳＸＨと下位選択データＳＸＬとは、それぞれ真理値表に従って、１８０個のノズルＮにそれぞれランク（第１〜第４駆動電圧波形ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤの種別）を規定するためのデータである。例えば、上位選択データＳＸＨが“０”、下位選択データＳＸＬが“０”のノズルＮには、それぞれランク「１」（第１駆動電圧波形ＣＯＭＡ）が規定される。上位選択データＳＸＨと下位選択データＳＸＬとが“０１”、“１０”、“１１”のノズルＮには、それぞれランク「２」（第２駆動電圧波形ＣＯＭＢ）、ランク「３」（第３駆動電圧波形ＣＯＭＣ）、ランク「４」（第４駆動電圧波形ＣＯＭＤ）が規定される。
【００７３】
図１４において、ヘッド駆動回路４１は、出力制御信号生成回路５０と、コモン制御信号生成回路６０とを有する。また、ヘッド駆動回路４１は、出力合成回路７０と、ロジック系の信号を昇圧してアナログスイッチの駆動電圧レベルに昇圧するレベルシフタ７１とを有する。また、ヘッド駆動回路４１は、圧電素子ＰＺに各駆動波形を供給するための４系統のスイッチ回路７２を有する。
【００７４】
図１５において、出力制御信号生成回路５０は、シフトレジスタ５１と、ラッチ５２と、ステートカウンタ５３とパターンデータ合成回路５５とを有する。シフトレジスタ５１は、第２ブロックレジスタ５１Ｂと、第１ブロックレジスタ５１Ｃとを有し、制御装置３０からシリアルパターンデータＳＩＡと転送クロックＳＣＬＫとが入力される。
【００７５】
第２ブロックレジスタ５１Ｂは、シリアルパターンデータＳＩＡの第２ブロックデータＳＩＬを転送クロックＳＣＬＫで順次シフトして、１８０ビットの第２ブロックデータＳＩＬを格納する。第１ブロックレジスタ５１Ｃは、シリアルパターンデータＳＩＡの第１ブロックデータＳＩＨを転送クロックＳＣＬＫで順次シフトして、該第１ブロックデータＳＩＨを格納する。
【００７６】
ラッチ５２は、第２ブロックラッチ５２Ｂと第１ブロックラッチ５２Ｃとを有し、制御装置３０からパターンラッチ信号ＬＡＴＡが入力される。第２ブロックラッチ５２Ｂは、パターンラッチ信号ＬＡＴＡが入力されるとき、第２ブロックレジスタ５１Ｂに格納される第２ブロックデータＳＩＬをラッチする。第１ブロックラッチ５２Ｃは、パターンラッチ信号ＬＡＴＡが入力されるとき、第１ブロックレジスタ５１Ｃに格納される第１ブロックデータＳＩＨをラッチする。
【００７７】
ステートカウンタ５３は、１ビットのカウンタ回路であり、ステート切替信号ＣＨＡの立ち上がりエッジによってカウントし、ステートを変化させる。ステートカウンタ５３は、ステート切替信号ＣＨＡが入力されるごとに、ステートを「０」から「１」へ繰り上げ、パターンラッチ信号ＬＡＴＡが入力されるごとに、ステートを「１」から「０」へリセットする。ステートカウンタ５３は、ステート切替信号ＣＨＡとパターンラッチ信号ＬＡＴＡが入力されるとき、ステートの値をパターンデータ合成回路５５に出力する。
【００７８】
パターンデータ合成回路５５は、第２ブロックラッチ５２Ｂがラッチした第２ブロックデータＳＩＬと、第１ブロックラッチ５２Ｃがラッチした第１ブロックデータＳＩＨとを読み込む。パターンデータ合成回路５５は、ステートカウンタ５３からのステートの値に基づいて、ステートが「０」のとき、第１ブロックデータＳＩＨを出力制御信号ＰＩとして出力する。パターンデータ合成回路５５は、ステートカウンタ５３からのステートが「１」のとき、第２ブロックデータＳＩＬを出力制御信号ＰＩとして出力する。これによって、ステートが「０」になるとき、第１ブロックが吐出ノズルに選択され、ステートが「１」になるとき、第２ブロックが吐出ノズルに選択される。すなわち、隣接したノズルＮ
が交互に吐出可能ノズルに選択される。
【００７９】
図１６において、コモン制御信号生成回路６０は、シフトレジスタ６１と、ラッチ６２と、コモン選択データデコード回路６３とを有する。シフトレジスタ６１は、下位選択レジスタ６１Ｂと上位選択レジスタ６１Ｃとを有し、制御装置３０からシリアルコモン選択データＳＩＢと転送クロックＳＣＬＫとが入力される。
【００８０】
下位選択レジスタ６１Ｂは、シリアルコモン選択データＳＩＢの下位選択データＳＸＬを転送クロックＳＣＬＫで順次シフトして、１８０ビットの下位選択データＳＸＬを格納する。上位選択レジスタ６１Ｃは、シリアルコモン選択データＳＩＢの上位選択データＳＸＨを転送クロックＳＣＬＫで順次シフトして、１８０ビットの上位選択データＳＸＨを格納する。
【００８１】
ラッチ６２は、下位選択ラッチ６２Ｂと上位選択ラッチ６２Ｃとを有し、制御装置３０からコモンラッチ信号ＬＡＴＢが入力される。下位選択ラッチ６２Ｂは、コモンラッチ信号ＬＡＴＢが入力されるとき、下位選択レジスタ６１Ｂに格納された下位選択データＳＸＬをラッチする。上位選択ラッチ６２Ｃは、コモンラッチ信号ＬＡＴＢが入力されるとき、上位選択レジスタ６１Ｃに格納された上位選択データＳＸＨをラッチする。
【００８２】
コモン選択データデコード回路６３は、下位選択ラッチ６２Ｂがラッチした下位選択データＳＸＬと、上位選択ラッチ６２Ｃがラッチした上位選択データＳＸＨとを読み込む。コモン選択データデコード回路６３は、下位選択データＳＸＬと上位選択データＳＸＨとを用い、図１３に示す真理値表に従って、４つの異なる第１〜第４駆動電圧波形ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤの各々について使用するか否か（選択・非選択）を規定する。コモン選択データデコード回路６３は、１８０個のノズルＮの各々に対し、各駆動電圧波形の選択・非選択を規定したデータを生成する。
【００８３】
本実施形態では、第１駆動電圧波形ＣＯＭＡの選択・非選択について規定したデータを、第１コモン制御信号ＰＸＡという。第２駆動電圧波形ＣＯＭＢ、第３駆動電圧波形ＣＯＭＣ、第４駆動電圧波形ＣＯＭＤの選択・非選択について規定したデータを、それぞれ第２コモン制御信号ＰＸＢ、第３コモン制御信号ＰＸＣ、第４コモン制御信号ＰＸＤと言う。
【００８４】
例えば、コモン選択データデコード回路６３は、第１ノズルＮ１に関連する上位選択データＳＸＨと下位選択データＳＸＬとが“００”である場合には、第１ノズルＮ１に関連する第１コモン制御信号ＰＸＡを“１”として出力する。そして、第２〜第４コモン制御信号ＰＸＢ，ＰＸＣ，ＰＸＤを“０”として出力する。また、第１ノズルＮ１に関連する上位選択データＳＸＨと下位選択データＳＸＬとが“０１”、“１０”、“００”である場合には、第１ノズルＮ１に関連する第２コモン制御信号ＰＸＢ、第３コモン制御信号ＰＸＣ、第４コモン制御信号ＰＸＤをそれぞれ“１”として出力する。
【００８５】
図１４において、出力合成回路７０は、第１コモン出力合成回路７０Ａと、第２コモン出力合成回路７０Ｂと、第３コモン出力合成回路７０Ｃと、第４コモン出力合成回路７０Ｄとを有する。各第１〜第４コモン出力合成回路７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄには、それぞれ出力制御信号生成回路５０から１８０ビットの出力制御信号ＰＩが共通に入力される。また、各第１〜第４コモン出力合成回路７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄには、それぞれコモン制御信号生成回路６０から第１コモン制御信号ＰＸＡ、第２コモン制御信号ＰＸＢ、第３コモン制御信号ＰＸＣ、第４コモン制御信号ＰＸＤが入力される。
【００８６】
第１〜第４コモン出力合成回路７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄは、それぞれノズルＮ
（圧電素子ＰＺ）ごとのＡＮＤゲートにより構成される。
第１コモン出力合成回路７０Ａに含まれる各ＡＮＤゲートには、それぞれ出力制御信号ＰＩと第１コモン制御信号ＰＸＡとが入力される。第１コモン出力合成回路７０Ａに含まれる各ＡＮＤゲートは、それぞれ出力制御信号ＰＩと第１コモン制御信号ＰＸＡとを用いて、対応する圧電素子ＰＺに第１駆動電圧波形ＣＯＭＡを供給するか否か（供給・非供給）を規定した信号（以下単に、第１選択コモン出力制御信号ＣＰＡと言う。）を出力する。
【００８７】
第２コモン出力合成回路７０Ｂに含まれる各ＡＮＤゲートには、それぞれ出力制御信号ＰＩと第２コモン制御信号ＰＸＢとが入力される。第２コモン出力合成回路７０Ｂに含まれる各ＡＮＤゲートは、それぞれ出力制御信号ＰＩと第２コモン制御信号ＰＸＢとを用いて、対応する圧電素子ＰＺに第２駆動電圧波形ＣＯＭＢを供給するか否か（供給・非供給）を規定した信号（以下単に、第２選択コモン出力制御信号ＣＰＢと言う。）を出力する。
【００８８】
第３コモン出力合成回路７０Ｃに含まれる各ＡＮＤゲートには、それぞれ出力制御信号ＰＩと第３コモン制御信号ＰＸＣとが入力される。第３コモン出力合成回路７０Ｃに含まれる各ＡＮＤゲートは、それぞれ出力制御信号ＰＩと第３コモン制御信号ＰＸＣとを用いて、対応する圧電素子ＰＺに第３駆動電圧波形ＣＯＭＣを供給するか否か（供給・非供給）を規定した信号（以下単に、第３選択コモン出力制御信号ＣＰＣと言う。）を出力する。
【００８９】
第４コモン出力合成回路７０Ｄに含まれる各ＡＮＤゲートには、それぞれ出力制御信号ＰＩと第４コモン制御信号ＰＸＤとが入力される。第４コモン出力合成回路７０Ｄに含まれる各ＡＮＤゲートは、それぞれ出力制御信号ＰＩと第４コモン制御信号ＰＸＤとを用いて、対応する圧電素子ＰＺに第４駆動電圧波形ＣＯＭＤを供給するか否か（供給・非供給）を規定した信号（以下単に、第４選択コモン出力制御信号ＣＰＤと言う。）を出力する。
【００９０】
例えば、第１コモン出力合成回路７０Ａは、出力制御信号ＰＩが“１”であり、かつ、第１コモン制御信号ＰＸＡが“１”の場合、圧電素子ＰＺに第１駆動電圧波形ＣＯＭＡを供給するための第１選択コモン出力制御信号ＣＰＡ（ビット値が“１”の信号）を出力する。第１コモン出力合成回路７０Ａは、出力制御信号ＰＩが“０”、あるいは、第１コモン制御信号ＰＸＡが“０”の場合、該圧電素子ＰＺに対し第１駆動電圧波形ＣＯＭＡを供給しないための第１選択コモン出力制御信号ＣＰＡ（ビット値が“０”の信号）を出力する。
【００９１】
これによって、１８０個の各ノズルＮは、それぞれ出力制御信号ＰＩによって、液滴Ｄを吐出するか否か決定され、第１〜第４コモン制御信号ＰＸＡ，ＰＸＢ，ＰＸＣ，ＰＸＤによって、各第１〜第４駆動電圧波形ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤの何れを利用するかが決定される。
【００９２】
レベルシフタ７１は、第１〜第４駆動電圧波形ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤの各々に対応する４系統のレベルシフタを有する。第１〜第４レベルシフタ７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃ，７１Ｄには、それぞれ対応する出力合成回路７０からの第１〜第４選択コモン出力制御信号ＣＰＡ，ＣＰＢ，ＣＰＣ，ＣＰＤが入力される。第１〜第４レベルシフタ７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃ，７１Ｄは、それぞれ第１〜第４選択コモン出力制御信号ＣＰＡ，ＣＰＢ，ＣＰＣ，ＣＰＤをアナログスイッチの駆動電圧レベルに昇圧し、１８０個の圧電素子ＰＺに対応する開閉信号を出力する。
【００９３】
スイッチ回路７２は、第１〜第４駆動電圧波形ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤの各々に対応する４系統のスイッチ回路を有する。第１〜第４スイッチ回路７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃ，７２Ｄは、それぞれ圧電素子ＰＺへ接続された１８０個のアナログスイッチを有する。第１〜第４スイッチ回路７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃ，７２Ｄには、それぞれ対応するレベルシフタ７１からの開閉信号が入力される。各アナログスイッチの入力端には、それぞれ対応する駆動波形が入力され、各アナログスイッチの出力端には、それぞれ圧電素子ＰＺが共通接続されている。各アナログスイッチは、それぞれ対応するレベルシフタ７１から開閉信号が入力され、該開閉信号に基づいて圧電素子ＰＺに駆動波形を出力する。
【００９４】
これによって、１８０個の圧電素子ＰＺは、それぞれ出力制御信号ＰＩに基づいて吐出動作が選択されるとき、第１〜第４選択コモン出力制御信号ＣＰＡ，ＣＰＢ，ＣＰＣ，ＣＰＤに基づいて第１〜第４駆動電圧波形ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤの何れか１つが供給される。
【００９５】
次に、液滴吐出装置１０を利用する液滴吐出方法について以下に説明する。図１７は、各圧電素子ＰＺに供給される駆動波形を説明するためのタイミングチャートである。
まず、グリーンシートＧＳが、その描画面ＧＳａを上側にしてステージ１２に載置される。このとき、ステージ１２は、グリーンシートＧＳをキャリッジ１６の−Ｘ方向に配置する。この状態から、入出力装置４０は、描画データＩｐとヘッドデータＩｈとを制御装置３０に入力する。
【００９６】
制御装置３０は、モータ駆動回路３８を介してキャリッジ１６を走査し、グリーンシートＧＳが＋Ｘ方向に走査されるときに各液滴吐出ヘッド１５がグリーンシートＧＳの上を通過するように、キャリッジ１６を配置する。制御装置３０は、キャリッジ１６を配置すると、モータ駆動回路３８を介してステージ１２の走査を開始する。
【００９７】
制御装置３０は、ステージ１２の走査を開始すると、入出力装置４０から入力された描画データＩｐをドットパターンデータに展開する。制御装置３０は、ステージ１２の１スキャン分に相当するドットパターンデータを展開すると、図１７に示すように、ドットパターンデータを用いてシリアルパターンデータＳＩＡを生成し、該シリアルパターンデータＳＩＡを転送クロックＳＣＬＫに同期させてヘッド駆動回路４１にシリアル転送する。
【００９８】
制御装置３０は、ステージ１２の走査を開始すると、入出力装置４０から入力されたヘッドデータＩｈ（初期速度データとランクデータ）を用いて、各ノズル群に対するランク付けを実行し、コモン選択データを生成する。制御装置３０は、ステージ１２の１スキャン分に相当するコモン選択データを展開すると、図１７に示すように、コモン選択データを用いてシリアルコモン選択データＳＩＢを生成し、該シリアルコモン選択データＳＩＢを転送クロックＳＣＬＫに同期させてヘッド駆動回路４１にシリアル転送する。
【００９９】
制御装置３０は、ステージ１２が描画開始位置に到達すると、図１７に示すように、パターンラッチ信号ＬＡＴＡ及びコモンラッチ信号ＬＡＴＢをヘッド駆動回路４１に出力し、ヘッド駆動回路４１にシリアルパターンデータＳＩＡ及びシリアルコモン選択データＳＩＢをラッチさせる。
【０１００】
制御装置３０は、ノズル群ごとに、第１ブロックのノズルＮに関連付けられたランク（第１速度ｖａ）を利用して第２ブロックのノズルＮに関わる第２速度ｖｂを演算する。そして、制御装置３０は、第１速度ｖａ、第２速度ｖｂ、及び速度電圧変換データに基づいて、第１駆動電圧波形ＣＯＭＡ、第２駆動電圧波形ＣＯＭＢ、第３駆動電圧波形ＣＯＭＣ、第４駆動電圧波形ＣＯＭＤを生成する。制御装置３０は、各第１〜第４駆動電圧波形Ｃ
ＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤをそれぞれパターンラッチ信号ＬＡＴＡに同期させてヘッド駆動回路４１に逐次出力する。
【０１０１】
ヘッド駆動回路４１は、パターンラッチ信号ＬＡＴＡが入力されると、ステートカウンタ５３のステートをリセットして、ステート「０」をパターンデータ合成回路５５に出力する。パターンデータ合成回路５５は、ステートカウンタ５３からのステート「０」に応じて第１ブロックデータＳＩＨを出力制御信号ＰＩとして各出力合成回路７０に出力する。
【０１０２】
制御装置３０は、パターンラッチ信号ＬＡＴＡをヘッド駆動回路４１に出力すると、ステート切替信号ＣＨＡをヘッド駆動回路４１に出力する。ヘッド駆動回路４１は、制御装置３０からのステート切替信号ＣＨＡに応じて、ステートカウンタ５３のステートを「０」から「１」に切り替え、ステート「１」をパターンデータ合成回路５５へ出力する。パターンデータ合成回路５５は、ステートカウンタ５３からのステート「１」に応じて第２ブロックデータＳＩＬを出力制御信号ＰＩとして各出力合成回路７０に出力する。
【０１０３】
この間、ヘッド駆動回路４１は、シリアルコモン選択データＳＩＢをラッチするたびに、上位選択データＳＸＨと下位選択データＳＸＬとを用いて、図１３に示す真理値表に従って、１８０個のノズルＮの各々にランクに応じた駆動波形を規定する。
【０１０４】
例えば、第１及び第２圧電素子ＰＺ１，ＰＺ２からなるノズル群に対して、上位及び下位選択データＳＸＨ，ＳＸＬが“００”の場合、図１３に示す真理値表に従って、第１及び第２圧電素子ＰＺ１，ＰＺ２には、第１駆動電圧波形ＣＯＭＡが関連付けられる。そして、第１及び第２圧電素子ＰＺ１，ＰＺ２からなるノズル群では、ステート「０」のとき第１圧電素子ＰＺ１にのみ第１駆動電圧波形ＣＯＭＡが供給され、ステート「１」のときには第２圧電素子ＰＺ２にのみ第１駆動電圧波形ＣＯＭＡが供給される。すなわち、第１圧電素子ＰＺ１には、第１駆動電圧波形ＣＯＭＡにおいて第１駆動電圧Ｖｈ１ａを用いる部分が供給され、第２圧電素子ＰＺ２には第１駆動電圧波形ＣＯＭＡにおいて第２駆動電圧Ｖｈ２ａを用いる部分が供給される。
【０１０５】
これによって、第１ブロックのノズルＮから吐出される液滴Ｄと、第２ブロックのノズルＮから吐出される液滴Ｄとが、それぞれＹ方向に沿って、同時に着弾する。しかも、第２ブロックからの液滴Ｄが残留振動の影響を受けないタイミングで吐出させることから、各第２速度ｖｂが高い精度の下で具現化される。その結果、１列のノズル列から吐出される各液滴Ｄの着弾が高い精度の下で同期化されて、ノズル列の方向に沿った直線が高い精度の下で描画される。
【０１０６】
上記実施形態によれば以下のような効果を得ることができる。
（１）上記実施形態において、第２ブロックのノズルＮは、第１ブロックのノズルＮが駆動し、その後、残留振動周期Ｔｗ以上の時間が経過した後に駆動する。そして、各ブロックから吐出される液滴Ｄの飛行速度は、それぞれ｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満足する１組の飛行速度が選択され、その選択した飛行速度に基づいて４種の駆動電圧波形がそれぞれ各圧電素子ＰＺへ供給される。
【０１０７】
したがって、第２ブロックの各ノズルＮは、第１ブロックからの残留振動を抑えた状態で液滴Ｄを吐出できる。その結果、液滴吐出装置１０は、隣接するノズルＮから吐出される液滴Ｄの着弾タイミングを高い精度の下で調整できることから、例えばδ＝１μｍとすることで、ノズル列の方向に沿った直線を高い精度の下で描画できる。
【０１０８】
（２）さらに、液滴吐出装置１０は、各ブロックを順に繰り返して駆動させることから
、ノズル列の全体にわたり、ノズル列の方向に沿った直線を高い精度の下で描画できる。また、液滴Ｄの吐出動作を画一的に実行できることから、吐出動作の複雑化を抑えながらノズル列の方向に沿った直線を描画できる。
【０１０９】
（３）上記実施形態において、各ノズル群は隣接する２個のノズルからなる。したがって、液滴吐出装置１０は、ノズル群に含まれるノズルＮの数量を最小の単位で構成することから、吐出動作の複雑化を一層に抑えながら、ノズル列の方向に沿った直線を描画できる。
【０１１０】
（４）上記実施形態において、液滴吐出装置１０は、駆動電圧値と飛行速度とを関連付けた速度電圧変換データを用い、第１速度ｖａ及び第２速度ｖｂに応じた駆動電圧波形を生成する。したがって、液滴吐出装置１０は、駆動電圧波形を駆動電圧値で画一的に変調することから、吐出動作の複雑化を抑えながら、ノズル列の方向に沿った直線を描画できる。
【０１１１】
（５）上記実施形態において、液滴吐出装置１０は、初期速度ｖ１に基づいて、各ノズルＮのランク付けを実行する。したがって、液滴吐出装置１０は、ノズルＮごとの固有の誤差を補正した上で、第１速度ｖａと第２速度ｖｂとを決定できる。その結果、液滴吐出装置１０は、ノズル列の方向に沿った直線を、より高い精度の下で描画できる。
【０１１２】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態の液滴吐出装置１０は、変換データを、速度電圧変換データに具体化した。これに限らず、変換データは、圧電素子ＰＺの変位速度を定める駆動電圧勾配（例えば、駆動電圧波形の立下り期間）と飛行速度とを関連付けるデータであっても良い。すなわち、液滴吐出装置１０は、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす第１速度ｖａと第２速度ｖｂとを演算して選択し、第１速度ｖａと第２速度ｖｂとに関連付けられた駆動電圧勾配を用いて駆動電圧波形を生成する構成であっても良い。さらに、変換データは、駆動電圧及び駆動電圧勾配と、飛行速度とを関連付けるデータであっても良い。これらによれば、駆動電圧波形の変調範囲を拡張させることができることから、液滴吐出装置１０の適用範囲を拡大させられる。
【０１１３】
・上記実施形態では、駆動電圧波形生成回路３６が、パターンラッチ信号ＬＡＴＡごとに、２つのピークを有した駆動電圧波形を生成する。これに限らず、駆動電圧波形生成回路３６は、パターンラッチ信号ＬＡＴＡ及びステート切替信号ＣＨＡごとに、すなわち吐出周期Ｔｒごとに、第１ブロックへの駆動電圧波形と第２ブロックへの駆動電圧波形とを交互に生成する構成であっても良い。なお、この際、制御装置３０は、第１ブロックに対応するシリアルパターンデータＳＩＡ及びシリアルコモン選択データＳＩＢと、第２ブロックに対応するシリアルパターンデータＳＩＡ及びシリアルコモン選択データＳＩＢとを、吐出周期Ｔｒごとに交互に生成する構成が好ましい。
【０１１４】
・上記実施形態では、液滴吐出ヘッド１５のデューティ比を１／２、すなわち液滴吐出ヘッド１５のノズルＮを２個のノズルＮからなるノズル群で区分した。これに限らず、液滴吐出ヘッド１５のデューティ比を１／ｋ（ｋは３以上の整数）、すなわちノズル群をｋ個の以上のノズルからなる構成にしても良い。
【０１１５】
この際、制御装置３０は、パターンラッチ信号ＬＡＴＡ、コモンラッチ信号ＬＡＴＢ、ステート切替信号ＣＨＡ等、各種の構成をデューティ比に応じて適宜変更する構成が好ましい。例えば、デューティ比を１／３にする場合には、パターンラッチ信号ＬＡＴＡ（コモンラッチ信号ＬＡＴＢ）ごとに２つのステート切替信号ＣＨＡを生成し、ステート切替信号ＣＨＡごとに、ステートを「１」から「２」、「２」から「３」へ切り替える。また
、制御装置３０は、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす第１速度ｖａと第２速度ｖｂとを演算して選択し、さらに、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｃ−Ｇ／ｖｂ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす第３速度ｖｃとを演算して選択する。そして、制御装置３０は、第１速度ｖａ、第２速度ｖｂ、及び第３速度ｖｃに関連付けられた各駆動電圧値を用いて駆動電圧波形を生成し、各駆動電圧値を、それぞれ対応する第１ブロック、第２ブロック、第３ブロックへ供給する構成が好ましい。また、この構成によれば同一ブロックのノズルを、より離間した位置に配置することができることから、同一ブロックのノズル間におけるクロストークを低減することができる。
【０１１６】
・上記実施形態では、各ノズルＮに対して、ランク付けを実行した。これに限らず、ランク付けを実行せず、各初期速度ｖ１を第１速度ｖａとして用いる構成であっても良い。すなわち、第１ブロックの初期速度ｖ１を用いて、Ｇ／ｖ１−Ｇ／ｖｂ＝Ｔｒを満たす第２速度ｖｂを演算し、第１ブロックにおける初期速度ｖ１の種類の分だけ、駆動電圧波形を生成する構成であっても良い。なお、この際、駆動電圧波形の種類に応じて、出力合成回路７０を変更する構成が好ましい。
【０１１７】
・上記実施形態では、第１速度ｖａが、初期速度ｖ１に基づいて決定される。これに限らず、第１速度ｖａは、初期速度ｖ１に関わらず、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす構成であれば良い。すなわち、液滴吐出装置１０は、例えば、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす飛行速度の組み合わせの中から第１速度ｖａと第２速度ｖｂとを選択する構成であっても良い。
【０１１８】
・上記実施形態では、ノズル列を複数のブロックに区分したが、これに限らず、ノズル列をブロックに区分しない構成であっても良い。すなわち、隣接する２つのノズルの吐出タイミングの時間差が残留振動周期以上であって、かつ、隣接する２つのノズルに設けられた圧電素子ＰＺに、それぞれ｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たすような飛行速度に基づく駆動電圧波形が供給される構成であれば良い。
【０１１９】
・上記実施形態では、目標距離δを、設計ルール基づいて定められたδ＝１μｍの場合について具体化した。これに限らず、目標距離δの値は、描画パターンの設計ルール、液滴吐出処理の前工程、液滴吐出処理の後工程等に応じて、適宜変更する構成であっても良い。この構成によれば、目標距離δに応じて、隣接したノズルＮからの液滴の着弾タイミングが高い精度の下で調整されることから、さまざまなパターンを高精度に描画することができる。
【０１２０】
・上記実施形態では、液滴吐出ヘッドを圧電素子駆動方式に具体化した。これに限らず、圧電素子駆動方式を抵抗加熱方式や静電駆動方式に具体化しても良い。
・上記実施形態では、ノズル列の数量が一列であるが、これに限らず、ノズル列の数量は、２列以上であっても良い。
【０１２１】
・上記実施形態では、キャリッジ１６に搭載した液滴吐出ヘッド１５の数量が１つである液滴吐出装置１０に具体化した。これに限らず、キャリッジ１６に搭載する液滴吐出ヘッド１５の数量は２以上であってもよいし、液滴吐出ヘッド１５を搭載したキャリッジ１６の数量も２以上であってもよい。
【０１２２】
・上記実施形態では、ステージ１２を移動させることによって、液滴吐出ヘッド１５とグリーンシートＧＳとを相対移動させた。これに限らず、液滴吐出ヘッド１５を移動させることによって、液滴吐出ヘッド１５とグリーンシートＧＳとを相対移動させても良い。
【０１２３】
・上記実施形態では、制御装置３０は第２速度ｖｂを演算して求めた。これに限らず、
例えば、作業者によって予め第２速度ｖｂを求めておき、該第２速度ｖｂを記憶させたヘッドデータＩｈを制御装置３０に入力してもよい。
【０１２４】
・上記実施形態の残留振動周期は、予め試験等によって得られるデータに基づいて決定される。これに限らず、残留振動周期は、公知の計算方法によって算出した周期の値を用いて吐出周期Ｔｒを決定しても良い。
【０１２５】
・上記実施形態では、グリーンシートＧＳに配線パターンを描画する液滴吐出装置１０に具体化した。これに限らず、例えば、絶縁層を形成する液滴吐出装置、カラーフィルタを形成するために液滴吐出装置、配向膜を形成する液滴吐出装置等、各種の液滴吐出装置に応用してもよい。
【０１２６】
・上記実施形態では、第２速度ｖｂは飛行速度範囲の中心値とした。これに限らず、飛行速度範囲内であれば他の値としてもよい。
・上記実施形態では、予め設定された設計ルールに基づいて目標距離δを所定の値に定めた例について説明した。これに限らず、例えば、時間差Ｔｒを設けた場合における、隣接したノズルＮから吐出された液滴Ｄの着弾位置間の距離を予め求め、該距離に基づいて目標距離δに定める構成であってもよい。これによれば、隣接したノズルＮ間のばらつきを加味して着弾位置を揃えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】回路モジュールを示す断面図。
【図２】本実施形態の液滴吐出装置を示す斜視図。
【図３】液滴吐出ヘッドを示す斜視図。
【図４】液滴吐出ヘッドの内部を示す側断面図。
【図５】ドットパターン格子を示す平面図。
【図６】隣接するノズル間における吐出動作の時間差と相対速度の関係を示すグラフ。
【図７】液滴吐出装置の電気的構成を説明する電気ブロック回路図。
【図８】飛行速度とノズルのランクとの関係を示す図。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ駆動電圧波形を示す図。
【図１０】シリアルパターンデータの構成を示す図。
【図１１】ステート切替信号とステートとの関係を示すタイミングチャート。
【図１２】シリアルコモン選択データの構成を示す図。
【図１３】ランクと駆動電圧波形との関係を示す図。
【図１４】ヘッド駆動回路を示す電気ブロック回路図。
【図１５】出力制御信号生成回路を示す電気ブロック回路図。
【図１６】コモン選択制御信号生成回路を示す回路図。
【図１７】ヘッド駆動回路の駆動タイミングを示すタイミングチャート。
【符号の説明】
【０１２８】
Ｄ…液滴、Ｇ…距離、Ｎ…ノズル、ＰＺ…圧力発生素子としての圧電素子、ＣＯＭ，ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤ…駆動電圧波形、ｖｓ…走査速度、δ…目標距離、１０…液滴吐出装置、３２…制御部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出方法及び液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics ）技術は、グリーンシートと金属との一括焼成を可能にすることから、セラミックの層間に各種の受動素子を組み込んだ素子内蔵基板を具現できる。システム・オン・パッケージ（ＳＯＰ）の実装技術においては、電子部品の複合化や表面実装部品に発生する寄生効果の最小化を図るため、この素子内蔵基板（以下単に、ＬＴＣＣ多層基板という。）に関わる製造方法が鋭意開発されている。
【０００３】
ＬＴＣＣ多層基板の製造方法では、複数のグリーンシートの各々に受動素子や配線等のパターンを描画する描画工程と、該パターンを有する複数のグリーンシートを積層して圧着する圧着工程と、圧着体を一括焼成する焼成工程とが順に実施される。
【０００４】
描画工程には、各種パターンの高密度化を図るため、導電性インクを微小な液滴にして吐出する液滴吐出装置を用いたインクジェット法が提案されている（例えば、特許文献１）。インクジェット法は、数ピコリットル〜数十ピコリットルの液滴を用い、該液滴の吐出位置の変更によってパターンの微細化や狭ピッチ化を可能にする。
【０００５】
液滴吐出装置に搭載される吐出ヘッドには、１方向に沿って配列された複数のノズルからなるノズル列が設けられている。吐出ヘッドの内部では、各ノズルがそれぞれ仕切部材で仕切られることによって、ノズルごとのインク室が設けられている。各インク室には、それぞれ圧力変動を発生させる圧力発生素子が設けられている。そして、該圧力発生素子に駆動信号が供給されてインク室内に圧力変動が発生することにより、導電性インクが液滴として吐出される。
【０００６】
ところで、ノズル列の方向に沿った直線パターンを描画するとき、各ノズルから同時に液滴を吐出して描画すると、各圧力発生素子へ同時に駆動信号を供給することになるため、吐出ヘッドに１度に供給される電流値が大きくなってしまう。そこで、特許文献２は、ノズルをｎ個（ｎ≧２）毎に区分して得られるノズル群の各第ｍ（ｍ≧１）番目のノズルで複数のブロックを構成し、ブロックごとの吐出タイミングで液滴を吐出させることにより、１度に供給する電流値を抑える。そして、特許文献２は、ブロックごとの吐出タイミングの時間差が相殺されるように、後続するブロックの飛行速度を先行するブロックの飛行速度よりも速くして、ノズル列ごとの着弾タイミングの同期化を図っている。
【特許文献１】特開２００５−５７１３９号公報
【特許文献２】特開平１０−１６６５６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
液滴吐出装置においては、１つのノズルから液滴を吐出するとき、該ノズルのインク室内における圧力変動やその圧力変動の残留振動が仕切部材や共通路などを介して隣接したノズルのインク室内に伝播し、該隣接したインク室内に圧力変動を発生させる（クロストークを発生させる）。クロストークが発生する場合には、隣接したノズルから吐出される液滴の飛行速度が大幅に変化してしまう。特許文献２では、このクロストークの影響による飛行速度の変化に対する配慮がなされていないため、ブロック間における飛行速度にバラツキを招き、着弾タイミングを高い精度の下で調整し難い問題があった。上述したＬＴ
ＣＣ基板などでは、パターンの微細化や狭ピッチ化の進行に伴い、液滴の着弾位置に数μｍの誤差がある場合には、配線が短絡してしまい、致命的な欠陥を招いてしまう。
【０００８】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、ノズル列の方向に沿ったパターンの直線性を向上させた液滴吐出方法及び液滴吐出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の液滴吐出方法は、対象物が載置された移動部と１つの方向に配列された複数のノズルとを相対移動させながら、前記ノズル毎に設けられた圧力発生素子に駆動電圧波形を供給することによって該ノズル毎に設けられた貯留室に圧力変動を発生させて前記貯留室に貯留された液状体を液滴にして吐出する液滴吐出方法であって、１つのノズルの吐出タイミングと、前記１つのノズルに隣接する他のノズルの吐出タイミングとの時間差が、前記１つのノズルから液滴を吐出したことによる前記１つのノズルの貯留室における残留振動周期以上になるように、前記１つのノズルと前記他のノズルとからそれぞれ液滴を吐出するとともに、前記時間差をＴｒ、前記ノズルと前記対象物との間の距離をＧ、前記移動部の走査速度をｖｓ、前記１つのノズルからの液滴の飛行速度をｖａ、前記他のノズルからの液滴の飛行速度をｖｂ、前記相対移動方向における液滴間の目標距離をδとするとき、前記駆動電圧波形と、該駆動電圧波形から得た前記液滴の飛行速度とを関連付けた変換データを用い、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす飛行速度からいずれか１組を選択して駆動電圧波形へ変換し、該飛行速度に対応するノズルに設けられた前記圧力発生素子へ前記変換した駆動電圧波形を供給する。
【００１０】
本発明の液滴吐出方法は、変換データを用いて、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす飛行速度を具現化する。そのため、隣接するノズルからの液滴の着弾タイミングが、時間差Ｔｒや距離Ｇ、走査速度ｖｓ、相対移動方向における液滴間の目標距離δの変更に応じて調整される。そして、この時間差Ｔｒが残留振動周期以上になることから、残留振動によって発生するクロストークの影響が十分に抑制され、隣接するノズルからの液滴の着弾タイミングが、高い精度の下で調整される。したがって、この液滴吐出方法は、隣接するノズルから吐出される液滴の着弾タイミングを高い精度の下で調整できることから、目標距離δを０に近づける場合にはノズル列の方向に沿った直線を高い精度の下で描画できる。また、時間差Ｔｒを設けた場合における、隣接したノズルから吐出された液滴の着弾位置間の距離を予め求め、該距離を目標距離δに定める構成であってもよい。これによれば、隣接したノズル間のばらつきを加味して着弾位置を揃えることができる。
【００１１】
この液滴吐出方法は、前記複数のノズルからなるノズル列をｎ個（ｎは２以上の整数）のノズル毎に区分したノズル群の第ｍ番目（ｍは１以上）のノズルからなるブロックを第ｍブロックとするとき、第１ブロックから第ｍブロックまでを順番に繰り返して駆動して、第ｍブロックの吐出タイミングと、第ｍ＋１ブロックの吐出タイミングとの間の時間差を前記残留振動周期以上にする構成が好ましい。
【００１２】
この液滴吐出方法は、各ブロックを順に繰り返して駆動させることから、ノズル列の全体にわたり、ノズル列の方向に沿った直線を高い精度の下で描画できる。また、液滴の吐出動作を画一的に実行できることから、吐出動作の複雑化を抑えながら、ノズル列の方向に沿った直線を描画できる。
【００１３】
この液滴吐出方法は、前記各ノズル群が隣接する２個のノズルからなる構成が好ましい。
この液滴吐出方法は、ノズル群に含まれるノズルの数量を最小の単位で構成することか
ら、吐出動作の複雑化を一層に抑えながら、ノズル列の方向に沿った直線を描画できる。
【００１４】
本発明の液滴吐出装置は、１つの方向に配列された複数のノズルと、前記ノズル毎に設けられて液状体を貯留する貯留室と、前記ノズル毎に設けられて駆動電圧波形を受けることにより前記貯留室に圧力変動を発生させて前記ノズルから対象物に向けて液滴を吐出させる圧力発生素子と、前記複数のノズルと前記対象物とを前記１つの方向と交差する方向へ相対移動させる移動部とを備えた液滴吐出装置であって、前記圧力発生素子に供給する駆動電圧波形と、前記駆動電圧波形を用いたときの前記液滴の飛行速度とを関連付けて、前記飛行速度を前記駆動電圧波形へ変換するための変換データを記憶する記憶部と、１つのノズルの吐出タイミングと、前記１つのノズルに隣接する他のノズルの吐出タイミングとの時間差をＴｒ、前記各ノズルと前記対象物との間の距離をＧ、前記移動部の走査速度をｖｓ、前記１つのノズルからの液滴の飛行速度をｖａ、前記隣接するノズルからの液滴の飛行速度をｖｂ、前記相対移動方向における液滴間の目標距離をδとするとき、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす飛行速度から選択された１組を、前記変換データを用いて変換して駆動電圧波形を生成する駆動電圧波形生成部と、１つのノズルの吐出タイミングと、前記１つのノズルに隣接する他のノズルの吐出タイミングとの時間差が、前記１つのノズルから液滴を吐出したことによる前記１つのノズルの貯留室における残留振動周期以上になるように、前記生成した駆動電圧波形を前記圧力発生素子へ供給する制御部とを備えた。
【００１５】
本発明の液滴吐出装置は、変換データを用いて、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす飛行速度を具現化する。そのため、隣接するノズルからの液滴の着弾タイミングが、時間差Ｔｒや距離Ｇ、走査速度ｖｓ、相対移動方向における液滴間の目標距離δの変更に応じて調整される。そして、この時間差Ｔｒが残留振動周期以上になることから、残留振動によって発生するクロストークの影響が十分に抑制され、隣接するノズルからの液滴の着弾タイミングが、高い精度の下で調整される。したがって、この液滴吐出方法は、隣接するノズルから吐出される液滴の着弾タイミングを高い精度の下で調整できることから、目標距離δを０に近づける場合にはノズル列の方向に沿った直線を高い精度の下で描画できる。また、時間差Ｔｒを設けた場合における、隣接したノズルから吐出された液滴の着弾位置間の距離を予め求め、該距離を目標距離δに定める構成であってもよい。これによれば、隣接したノズル間のばらつきを加味して着弾位置を揃えることができる。
【００１６】
この液滴吐出装置は、前記複数のノズルからなるノズル列をｎ個（ｎは２以上の整数）のノズル毎に区分したノズル群の第ｍ番目（ｍは１以上）のノズルからなるブロックを第ｍブロックとするとき、前記制御部が、第１ブロックから第ｍブロックまでを順番に繰り返して駆動して、第ｍブロックの吐出タイミングと、第ｍ＋１ブロックの吐出タイミングとの間の時間差が前記残留振動周期以上になるように、前記生成した駆動電圧波形を前記圧力発生素子へ供給する構成が好ましい。
【００１７】
この液滴吐出装置の制御部は、各ブロックを順に繰り返して駆動させることから、ノズル列の全体にわたり、ノズル列の方向に沿った直線を高い精度の下で描画できる。また、液滴の吐出動作を画一的に実行できることから、吐出動作の複雑化を抑えながら、ノズル列の方向に沿った直線を描画できる。
【００１８】
この液滴吐出装置は、前記圧力発生素子が圧電素子であり、前記変換データが、前記圧電素子の変位量を定める駆動電圧値と、前記駆動電圧値を用いた駆動電圧波形から得られる前記液滴の飛行速度とを関連付けたデータであり、前記駆動電圧波形生成部が、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす飛行速度に関連付けられた前記駆動電圧値を用いる駆動電圧波形を生成する構成が好ましい。
【００１９】
この液滴吐出装置は、駆動電圧波形を駆動電圧値で画一的に変調することから、吐出動作の複雑化を抑えながら、ノズル列の方向に沿った直線を描画できる。
この液滴吐出装置は、前記圧力発生素子が圧電素子であり、前記変換データが、前記圧電素子の変位速度を定める駆動電圧勾配と、前記駆動電圧勾配を用いた駆動電圧波形から得られる前記液滴の飛行速度とを関連付けたデータであり、前記駆動電圧波形生成部が、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす飛行速度に関連付けられた前記駆動電圧勾配を用いる駆動電圧波形を生成する構成が好ましい。
【００２０】
この液滴吐出装置は、駆動電圧波形を駆動電圧勾配で画一的に変調することから、吐出動作の複雑化を抑えながら、ノズル列の方向に沿った直線を描画できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を具体化した実施形態を図１〜図１７に従って説明する。図１は、本発明の液滴吐出装置及び液滴吐出方法を用いて製造したセラミック多層基板を有する回路モジュールの断面図である。
【００２２】
図１において、回路モジュール１は、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics ）多層基板２と、ＬＴＣＣ多層基板２に接続された半導体チップ３とを有する。
【００２３】
ＬＴＣＣ多層基板２は、積層された複数のＬＴＣＣ基板４を有する。各ＬＴＣＣ基板４は、それぞれ熱可塑性基板としてのグリーンシートの焼結体であって、厚みが数十μｍ〜数百μｍで形成されている。各ＬＴＣＣ基板４の層間には、それぞれ抵抗素子、容量素子、コイル素子等の各種の内部素子５と、各内部素子５に電気的に接続する内部配線６とが内蔵され、各ＬＴＣＣ基板４には、それぞれスタックビア構造やサーマルビア構造を成すビア配線７が形成されている。
【００２４】
内部素子５、内部配線６及びビア配線７は、それぞれ導電性微粒子の焼結体であり、導電性インクを用いるインクジェット法によって形成される。
次に、上記ＬＴＣＣ多層基板２の製造方法を説明する。
【００２５】
ＬＴＣＣ多層基板２の製造方法では、ＬＴＣＣ基板４の前駆体であるグリーンシートにパターンを描画する描画工程と、該パターンを所定温度（例えば、８０℃）加熱して乾燥させる乾燥工程とが順に実行される。また、ＬＴＣＣ多層基板２の製造方法では、複数のグリーンシートを積層して積層体を形成する積層工程と、該積層体を減圧包装する減圧包装工程と、積層体を圧着して圧着体を形成する圧着工程と、該圧着体を所定の焼成温度（例えば、８００〜１０００℃）で焼成する焼成工程とが順に実行される。
【００２６】
次に、グリーンシートにパターンを描画する液滴吐出装置１０について説明する。図２はグリーンシートにパターンを描画する液滴吐出装置１０を模式的に示す全体斜視図であり、図３は液滴吐出ヘッド１５を下側から見た図である。
【００２７】
図２において、液滴吐出装置１０の基台１１には、基台１１の長手方向に沿って往復移動可能な移動部としてのステージ１２が搭載されている。本実施形態では、基台１１の長手方向であって図２における左上方向を＋Ｘ方向とし、＋Ｘ方向の反対方向を−Ｘ方向と言う。また、＋Ｘ方向と直交する水平方向であって、図２における右上方向を＋Ｙ方向とし、＋Ｙ方向の反対方向を−Ｙ方向と言う。また、鉛直方向下方を−Ｚ方向とし、−Ｚ方向の反対方向を＋Ｚ方向と言う。
【００２８】
基台１１に搭載されるステージ１２の上面には、対象物としてのグリーンシートＧＳが描画面ＧＳａを上側にした状態でステージ１２に位置決め固定されている。ステージ１２は、基台１１に設けられたステージモータ（図示せず）が正転又は逆転するとき、位置決めしたグリーンシートＧＳを所定の速度で＋Ｘ方向又は−Ｘ方向へ走査する。
【００２９】
基台１１の上側には、門型に形成されたガイド部材１３が＋Ｙ方向に沿って架設されている。ガイド部材１３の上側には、液状体としての導電性インクＩｋを供給するインクタンク１４が配設されている。インクタンク１４は、導電性微粒子の分散系からなる導電性インクＩｋを貯留し、貯留する導電性インクＩｋを液滴吐出ヘッド１５に所定圧力で供給する。導電性微粒子は、数ｎｍ〜数十ｎｍの粒径を有する微粒子であり、例えば金、銀、銅、白金、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウム等の金属、あるいはこれらの合金を用いることができる。分散媒は、導電性微粒子を均一に分散させるものであれば良く、例えば水や水を主成分とする水溶液系、あるいはテトラデカン等の有機溶剤を主成分とする有機系を用いることができる。
【００３０】
ガイド部材１３には、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に移動可能なキャリッジ１６が搭載され、キャリッジ１６には、液滴吐出ヘッド１５が搭載されている。キャリッジ１６は、ガイド部材１３に設けられたキャリッジモータ（図示せず）が正転又は逆転するとき、液滴吐出ヘッド１５を＋Ｙ方向又は−Ｙ方向へ走査する。
【００３１】
図３において、液滴吐出ヘッド１５は、キャリッジ１６に位置決め固定されて＋Ｙ方向に延びるヘッド基板１７と、ヘッド基板１７に支持されるヘッド本体２０とを有する。ヘッド基板１７は、−Ｙ方向の端部に接続端子１７ａを有し、外部から接続端子１７ａへ入力される各種制御信号をヘッド本体２０へ出力し、ヘッド本体２０から接続端子１７ａへ入力される各種検出信号を外部へ出力する。
【００３２】
ヘッド本体２０の底部には、グリーンシートＧＳと対向するノズルプレート２１が貼り付けられている。ノズルプレート２１は、ヘッド本体２０がグリーンシートＧＳの直上に位置するとき、その底面（以下単に、ノズル形成面２１ａと言う）と描画面ＧＳａとを略平行にして、ノズル形成面２１ａと描画面ＧＳａとの間の距離（プラテンギャップ）を所定距離Ｇ（図４参照、本実施形態では１ｍｍ）に維持する。ノズルプレート２１のノズル形成面２１ａには、ノズルプレート２１をＺ方向に貫通する複数のノズルＮがＹ方向に沿って、ノズルピッチＷｎにて等間隔に配列されている。本実施形態においては、１８０個のノズルＮがＹ方向に沿って配列されている。
【００３３】
図４において、ヘッド本体２０は、各ノズルＮの上側にそれぞれ貯留室としてのキャビティ２２と、振動板２３と、圧力発生素子としての圧電素子ＰＺを有する。各キャビティ２２は、共通路２４を介してそれぞれ連通しているとともに、共通するインクタンク１４に接続されることによって、該インクタンク１４からの導電性インクＩｋを収容し、その導電性インクＩｋをノズルＮに供給する。振動板２３は、各キャビティ２２に対向する領域をＺ方向に振動することにより、該キャビティ２２の容積を拡大及び縮小させて圧力変動を発生させ、これに伴ってノズルＮのメニスカスを振動させる。
【００３４】
各圧電素子ＰＺは、それぞれ駆動電圧波形を受けるとき、Ｚ方向に収縮して伸張することにより、振動板２３の各領域をＺ方向に振動させる。各圧電素子ＰＺは、それぞれ駆動電圧波形における駆動電圧値（ピーク電圧値）に基づいて、その収縮量や伸張量等の変位量が規定される。また、各圧電素子ＰＺは、それぞれ駆動電圧波形における勾配に基づいて、その収縮速度や伸張速度等の変位速度が規定される。
【００３５】
各キャビティ２２は、それぞれ振動板２３がＺ方向に振動するとき、収容する導電性インクＩｋの一部を駆動信号に応じた液滴ＤにしてノズルＮから吐出させる。吐出された液滴Ｄは、グリーンシートＧＳの描画面ＧＳａに着弾する。本実施形態においては、各圧電素子ＰＺに関して、第１ノズルＮ１、第２ノズルＮ２、第３ノズルＮ３、…、第ｉノズルＮｉに対応付けられる圧電素子ＰＺを、それぞれ第１圧電素子ＰＺ１、第２圧電素子ＰＺ２、第３圧電素子ＰＺ３、…、第ｉ圧電素子ＰＺｉという。尚、図４では、液滴吐出ヘッド１５の内部を説明する便宜上、ノズルピッチＷｎを十分に拡大して示している。
【００３６】
グリーンシートＧＳの描画面ＧＳａは、図５に示すように、ドットパターン格子ＤＬによって仮想分割されている。ドットパターン格子ＤＬは、＋Ｘ方向の格子間隔と、＋Ｙ方向の格子間隔とが、それぞれ所定の間隔で設定される仮想格子である。例えば、ドットパターン格子ＤＬの＋Ｘ方向の格子間隔は、所定の周期とステージ１２の走査速度ｖｓとの積で形成され、またドットパターン格子ＤＬの＋Ｙ方向の格子間隔は、ノズルピッチＷｎで形成される。液滴Ｄを吐出するか否かの選択は、このドットパターン格子ＤＬの黒点で示した格子点Ｐごとに設定される。尚、図５では、ドットパターン格子ＤＬの各格子点Ｐを説明する便宜上、ドットパターン格子ＤＬの格子間隔を拡大して示している。
【００３７】
第１圧電素子ＰＺ１に駆動信号が供給されて振動板２３が振動すると、第１圧電素子ＰＺ１に対応するキャビティ２２内に圧力変動が発生する。キャビティ２２内に圧力変動が発生すると、第１ノズルＮ１から液滴Ｄが吐出され、該キャビティ２２内には該圧力変動の残留振動が発生する。キャビティ２２内の前記圧力変動と該圧力変動の残留振動とは、それぞれ振動板２３、共通路２４、及び隔壁２５を介して第２ノズルＮ２などのキャビティ２２に伝播する（以下、クロストークという）。
【００３８】
図６は、第１ノズルＮ１からの液滴Ｄに対する第２ノズルＮ２からの液滴Ｄの相対速度を示す図であり、横軸は、第１ノズルＮ１の吐出タイミングから第２ノズルＮ２の吐出タイミングまでの経過時間（以下、時間差と言う。）を示す。
【００３９】
図６において、第１ノズルＮ１と第２ノズルＮ２との間におけるクロストークは、第２ノズルＮ２からの液滴Ｄの飛行速度に、周期的な変動を発生させる。本実施形態では、隣接するノズルＮの間において、後続するノズルＮから吐出される液滴の飛行速度の変動周期を、残留振動周期Ｔｗと言う。なお、残留振動周期Ｔｗは、予め試験等で求められる時間であり、本実施形態ではＴｗ＝１１μｓである。
【００４０】
液滴吐出装置１０を利用する吐出処理においては、１つのノズル列が、連続するｎ個（ｎは２以上の整数）のノズルごとにノズル群に区分される。各ノズル群の第ｍ番目（ｍは１以上の整数）のノズルＮからなる第ｍブロックは、１つの吐出タイミングで液滴Ｄを吐出する。そして、第ｍブロックの吐出タイミングと第ｍ＋１ブロックの吐出タイミングとの時間差が、上記残留振動周期Ｔｗ以上になる。なお、本実施形態では、１つの吐出タイミングで選択され得るノズルＮの数量の割合であって、全てのノズルＮの数量に対する割合をデューティ比１／Ｒ（Ｒは２以上の整数）と言う。
【００４１】
また、液滴吐出装置１０を利用する吐出処理においては、まず、全ての圧電素子ＰＺへ共通する基準駆動電圧波形が供給される。そして、全てのノズルＮから得られる液滴Ｄの飛行速度（以下単に、初期速度ｖ１と言う。）が予め計測される。液滴吐出ヘッド１５の内部では、流路抵抗や剛性がノズルＮごとに異なることから、各圧電素子ＰＺがそれぞれ共通する基準駆動電圧波形を受ける場合であっても、液滴Ｄの飛行速度が厳密にはノズルＮごとに異なってしまう。そこで、液滴吐出装置１０を利用する吐出処理においては、液滴Ｄの着弾精度の向上を図るため、まず、各ノズルＮが有する固有の初期速度ｖ１が計測される。そして、各初期速度ｖ１がそれぞれ４種類の第１速度ｖａに分類される、すなわ
ち各ノズルＮがそれぞれ４種類のランクに分類される。
【００４２】
次に、上記液滴吐出装置１０の電気的構成を図７〜図１６に従って説明する。図７は、液滴吐出装置１０の電気的構成を示すブロック回路図である。
なお、以下では、説明の便宜上、デューティ比が１／２（Ｒ＝２）の場合であって、１つの吐出タイミングで選択され得るノズルＮが全ノズルの半数となる場合について説明する。詳述すると、１つのノズル列が２個（Ｒ＝２）のノズルＮからなる複数のノズル群に区分されて、奇数番目のノズルＮからなる第１ブロックと、偶数番目のノズルＮからなる第２ブロックとが交互に吐出される場合について説明する。
【００４３】
また、以下では、グリーンシートＧＳの走査方向において、第１ブロックからの液滴Ｄの着弾位置と、第２ブロックからの液滴Ｄの着弾位置との間の距離（以下単に、目標距離δと言う。）を、内部配線６等の設計ルールに基づいて定められた値（δ＝１μｍ）にする場合について説明する。
【００４４】
図７において、制御装置３０は、液滴吐出装置１０に各種の処理動作を実行させるものである。制御装置３０は、外部Ｉ／Ｆ３１と、ＣＰＵなどからなる制御部３２と、ＤＲＡＭ及びＳＲＡＭからなり各種のデータを格納して記憶部を構成するＲＡＭ３３と、各種制御プログラムや各種データを格納して記憶部を構成するＲＯＭ３４とを有する。また、制御装置３０は、クロック信号を生成する吐出タイミング生成部としての発振回路３５と、駆動電圧波形を生成する駆動電圧波形生成部としての駆動電圧波形生成回路３６と、ステージ１２やキャリッジ１６を走査するためのモータ駆動回路３８と、各種の信号を送信する内部Ｉ／Ｆ３９と、を有する。制御装置３０は、外部Ｉ／Ｆ３１を介して入出力装置４０に接続されている。また、制御装置３０は、内部Ｉ／Ｆ３９を介してステージ１２、キャリッジ１６、及び、液滴吐出ヘッド１５に対応するヘッド駆動回路４１に接続されている。
【００４５】
制御部３２は、モータ駆動回路３８に対応する駆動制御信号を出力する。モータ駆動回路３８は、制御部３２からの駆動制御信号に応答し、内部Ｉ／Ｆ３９を介してステージ１２、キャリッジ１６を走査させる。
【００４６】
発振回路３５は、各種のデータや各種の駆動信号を同期させるためのクロック信号を生成する。発振回路３５は、各種のデータのシリアル転送時に利用される転送クロックＳＣＬＫを生成する。発振回路３５は、シリアル転送された各種のデータのパラレル変換時に利用されるラッチ信号（パターンラッチ信号ＬＡＴＡやコモンラッチ信号ＬＡＴＢ）を生成する。また、発振回路３５は、ステートを切り替えるためのステート切替信号ＣＨＡを生成する。パターンラッチ信号ＬＡＴＡとコモンラッチ信号ＬＡＴＢとは、第１ブロックが格子点Ｐの直上に位置するたびに生成される信号であって、吐出周期Ｔｒの２倍の周期で生成される。ステート切替信号ＣＨＡは、第１ブロックが格子点Ｐの直上を通過してから吐出周期Ｔｒが経過するごとに生成される。
【００４７】
入出力装置４０は、例えばＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ハードディスク、液晶ディスプレイなどを有した外部コンピュータである。入出力装置４０は、ＲＯＭ又はハードディスクに記憶された制御プログラムに従って液滴吐出装置１０を駆動させるための各種の制御信号を外部Ｉ／Ｆ３１に出力する。外部Ｉ／Ｆ３１は、入出力装置４０から描画データＩｐ及びヘッドデータＩｈを受信する。
【００４８】
描画データＩｐには、描画面ＧＳａの各格子点Ｐに液滴Ｄを吐出させるための各種のデータが含まれる。例えば、描画データＩｐには、グリーンシートＧＳの位置に関するデータ、液滴Ｄの吐出位置に関するデータ、ステージ１２の走査速度ｖｓに関するデータ、プ
ラテンギャップＧに関するデータ、目標距離δに関するデータが含まれる。また、描画データＩｐには、周期データが含まれる。
【００４９】
周期データとは、液滴Ｄの吐出周期Ｔｒを規定するためのデータである。吐出周期Ｔｒは残留振動周期Ｔｗ以上の値に設定されて、本実施形態では、予め試験等で求めた残留振動周期Ｔｗ（本実施形態では１１μｓ）に基づいて、Ｔｒ＝２０μｓに設定されている。
【００５０】
ヘッドデータＩｈには、各ノズルＮの初期速度ｖ１に関するデータ（初期速度データ）と、液滴吐出ヘッド１５のデューティ比に関するデータ（デューティデータ）と、ランクを規定するためのデータ（ランクデータ）とが含まれている。
【００５１】
初期速度データとは、全てのノズルＮの各々に、該ノズルＮの初期速度ｖ１を関連付けたデータである。初期速度データは、ＲＡＭ３３に格納された後、各ノズルＮのランク付けの際に利用される。
【００５２】
デューティデータとは、液滴吐出ヘッド１５のデューティ比を規定するためのデータである。デューティデータは、ＲＡＭ３３に格納された後、ノズル群を規定する際に利用される。なお、本実施形態においては、デューティ比が１／２であることを規定するためのデータである。
【００５３】
ランクデータとは、初期速度ｖ１の範囲と、４種類の第１速度ｖａ（ランク）とを関連付けたデータである。ランクデータは、ＲＡＭ３３に格納された後、各ノズルＮのランク付けの際に利用される。本実施形態における初期速度ｖ１の範囲は、図８に示すように、初期速度ｖ１と基準速度ｖｃｅｎ（例えば、全ての初期速度ｖ１の平均値）との大小に応じて４種類に分類される。
【００５４】
詳述すると、初期速度ｖ１がｖｃｅｎ×１．１＞ｖ１≧ｖｃｅｎ×１．０５を満たす場合には、該ノズルＮに対してランク「１」の第１速度ｖａ（例えば、ｖｃｅｎ×１．０７５）が関連付けられる。初期速度ｖ１がｖｃｅｎ×１．０５＞ｖ１≧ｖｃｅｎを満たす場合には、該ノズルＮに対してランク「２」の第１速度ｖａ（例えば、ｖｃｅｎ×１．０２５）が関連付けられる。初期速度ｖ１がｖｃｅｎ＞ｖ１≧ｖｃｅｎ×０．９５を満たす場合には、該ノズルＮに対してランク「３」の第１速度ｖａ（例えば、ｖｃｅｎ×０．９７５）が関連付けられる。そして、初期速度ｖ１がｖｃｅｎ×０．９５＞ｖ１≧ｖｃｅｎ×０．９を満たす場合には、該ノズルＮに対してランク「４」の第１速度ｖａ（例えば、ｖｃｅｎ×０．９２５）が関連付けられる。
【００５５】
なお、初期速度ｖ１のばらつきは、ノズルＮ毎の流路抵抗や剛性に応じて発生する。そのため、隣接する２つのノズルＮの間では、初期速度ｖ１のばらつきが殆ど無視されることから、ランクの違いが生じ難い。そこで、本実施形態では、隣接する２つのノズルＮの間、すなわち１つのノズル群内において、第１ブロックのランクが第２ブロックのランクとして利用される。
【００５６】
ＲＡＭ３３は、受信バッファ３３ａ、中間バッファ３３ｂ、出力バッファ３３ｃとして利用される。ＲＯＭ３４は、制御部３２が実行する各種の制御ルーチンと、該制御ルーチンを実行するための各種のデータとを格納する。ＲＯＭ３４は、速度電圧変換データと波形生成データとを格納する。
【００５７】
速度電圧変換データとは、予め試験等に基づいて生成されるデータであって、液滴Ｄの飛行速度と駆動電圧値とを関連付けたデータである。速度電圧変換データは、例えば、４種類の第１速度ｖａを利用して、４種類のランクに対応する４種類の駆動電圧波形（第１
駆動電圧波形ＣＯＭＡ，第２駆動電圧波形ＣＯＭＢ，第３駆動電圧波形ＣＯＭＣ，第４駆動電圧波形ＣＯＭＤ）を生成する際に利用される。
【００５８】
波形生成データは、駆動波形の立ち上がり期間、駆動電圧値の保持期間、駆動波形の立ち下がり期間などを規定したデータであって、各第１〜第４駆動電圧波形ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤを生成する際に利用される。
【００５９】
制御部３２は、ＲＡＭ３３に格納される初期速度データとランクデータとを読み出し、第１ブロックの各ノズルＮに対してランク付けを実行する。そして、制御部３２は、ノズル群ごとに、第１ブロックのノズルＮに関連付けたランク（第１速度ｖａ）を利用して、第２ブロックのノズルＮに関わる第２速度ｖｂを演算する。
【００６０】
詳述すると、制御部３２は、第１速度ｖａ、吐出周期Ｔｒ、プラテンギャップＧ、走査速度ｖｓ、及び、目標距離δに基づいて、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす第２速度ｖｂの範囲を演算し、その範囲から１つの飛行速度を選択する。尚、本実施形態の制御部３２は、第２速度ｖｂの再現性を得易くするため、該飛行速度範囲の中心値を選択する。例えば、ｖａ＝７．０ｍ／ｓ、Ｔｒ＝２０μｓ、Ｇ＝１ｍｍ、走査速度ｖｓ＝２５０ｍｍ／ｓ、目標距離δ＝１μｍとすると、制御部３２は、第２速度ｖｂの範囲を演算し、その中心値である８．１４ｍ／ｓを選択する。これによって、制御部３２は、第２ブロックからの液滴Ｄの第２速度ｖｂを決定する。
【００６１】
制御部３２は、第２速度ｖｂを演算すると、ＲＯＭ３４に格納される速度電圧変換データを読み出し、各第１速度ｖａと各第２速度ｖｂとをそれぞれ駆動電圧値へ変換する。詳述すると、制御部３２は、速度電圧変換データに基づいて、ランク「１」の第１速度ｖａに関連付けられる駆動電圧値（第１駆動電圧Ｖｈ１ａ）を演算する。そして、制御部３２は、該第１速度ｖａから得た第２速度ｖｂに関連づけられる駆動電圧値（第２駆動電圧Ｖｈ２ａ）を演算する。
【００６２】
同じく、制御部３２は、速度電圧変換データに基づいて、ランク「２」の第１速度ｖａに関連付けられる駆動電圧値（第１駆動電圧Ｖｈ１ｂ）を演算する。そして、制御部３２は、該第１速度ｖａから得た第２速度ｖｂに関連づけられる駆動電圧値（第２駆動電圧Ｖｈ２ｂ）を演算する。また、制御部３２は、速度電圧変換データに基づいて、ランク「３」の第１速度ｖａに関連付けられる駆動電圧値（第１駆動電圧Ｖｈ１ｃ）を演算する。そして、制御部３２は、該第１速度ｖａから得た第２速度ｖｂに関連づけられる駆動電圧値（第２駆動電圧Ｖｈ２ｃ）を演算する。また、制御部３２は、速度電圧変換データに基づいて、ランク「４」の第１速度ｖａに関連付けられる駆動電圧値（第１駆動電圧Ｖｈ１ｄ）を演算する。そして、制御部３２は、該第１速度ｖａから得た第２速度ｖｂに関連づけられる駆動電圧値（第２駆動電圧Ｖｈ２ｄ）を演算する。
【００６３】
駆動電圧波形生成回路３６は、各駆動電圧値と波形生成データとを用いて、ランク「１」〜「４」に対応する第１〜第４駆動電圧波形ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤを生成する。詳述すると、駆動電圧波形生成回路３６は、図９（ａ）に示すように、ランク「１」に対応する第１駆動電圧Ｖｈ１ａ、第２駆動電圧Ｖｈ２ａ、及び波形生成データを用いて、第１駆動電圧波形ＣＯＭＡを生成する。
【００６４】
同じく、駆動電圧波形生成回路３６は、図９（ｂ）に示すように、ランク「２」に対応する第１駆動電圧Ｖｈ１ｂ、第２駆動電圧Ｖｈ２ｂ、及び波形生成データを用いて、第２駆動電圧波形ＣＯＭＢを生成する。また、駆動電圧波形生成回路３６は、図９（ｃ）に示すように、ランク「３」に対応する第１駆動電圧Ｖｈ１ｃ、第２駆動電圧Ｖｈ２ｃ、及び波形生成データを用いて、第３駆動電圧波形ＣＯＭＣを生成する。また、駆動電圧波形生
成回路３６は、図９（ｄ）に示すように、ランク「４」に対応する第１駆動電圧Ｖｈ１ｄ、第２駆動電圧Ｖｈ２ｄ、及び波形生成データを用いて、第４駆動電圧波形ＣＯＭＤを生成する。
【００６５】
図７において、制御部３２は、外部Ｉ／Ｆ３１が受信した描画データＩｐ及びヘッドデータＩｈを受信バッファ３３ａに一時的に格納する。制御部３２は、描画データＩｐ及びヘッドデータＩｈを中間コードに変換して中間コードデータとして中間バッファ３３ｂに格納する。
【００６６】
制御部３２は、中間バッファ３３ｂから中間コードデータを読み出してドットパターンデータを生成し、該ドットパターンデータを出力バッファ３３ｃに格納させる。ドットパターンデータは、各格子点Ｐに１ビットの値（”０”、”１”）を対応付けたデータであって、２値の各々に応じて吐出あるいは非吐出を規定するデータである。
【００６７】
制御部３２は、ステージ１２の１スキャン分に相当するドットパターンデータを生成すると、１列分の格子点Ｐに相当するドットパターンデータを利用して、転送クロックＳＣＬＫに同期したシリアルデータを生成し、該シリアルデータをヘッド駆動回路４１へシリアル転送する。制御部３２は、ドットパターンデータを利用してシリアル転送を実行すると、中間バッファ３３ｂの内容を消去し、次の中間コードデータに対して展開処理を実行する。本実施形態では、１列分の格子点Ｐに相当するシリアルデータを、シリアルパターンデータＳＩＡという。
【００６８】
また、制御部３２は、中間バッファ３３ｂから中間コードデータ（初期速度データとランクデータと）を読み出してランク付けを実行し、各ノズル群とランクとを関連付けたコモン選択データを生成し、該コモン選択データを出力バッファ３３ｃに格納する。コモン選択データは、各ノズル群に２ビットの値（”００”、”０１”、”１０”、”１１”）を対応付けたデータであって、４値の各々にランクを対応付けたデータである。
【００６９】
制御部３２は、コモン選択データを生成すると、コモン選択データを利用して転送クロックＳＣＬＫに同期したシリアルデータを生成し、該シリアルデータをヘッド駆動回路４１へシリアル転送する。本実施形態では、コモン選択データを利用して生成するシリアルデータを、シリアルコモン選択データＳＩＢと言う。
【００７０】
図１０において、シリアルパターンデータＳＩＡは、１つのノズル列に対応する１８０ビットの第１ブロックデータＳＩＨと、同ノズル列に対応する１８０ビットの第２ブロックデータＳＩＬとによって構成されている。第１ブロックデータＳＩＨは、各ノズル群の第１ブロックにおける各圧電素子ＰＺにオン状態あるいはオフ状態を規定するデータであり、かつ、第２ブロックにおける各圧電素子ＰＺにオフ状態を規定するデータである。第２ブロックデータＳＩＬは、各ノズル群の第２ブロックにおける各圧電素子ＰＺにオン状態あるいはオフ状態を規定するデータであり、第１ブロックにおける各圧電素子ＰＺにオフ状態に規定するデータである。
【００７１】
図１１において、パターンラッチ信号ＬＡＴＡごとに規定される状態の中で、ステート切替信号ＣＨＡごとに規定される状態を、「ステート」という。ステート切替信号ＣＨＡは、パターンラッチ信号ＬＡＴＡごとの状態を、デューティ比（１／Ｒ）に基づいてＲ個のステートに区分する。本実施形態では、パターンラッチ信号ＬＡＴＡごとの状態を、デューティ比１／２に基づいて２個のステートに区分し、各ステートを、それぞれステート「０」とステート「１」と言う。
【００７２】
図１２において、シリアルコモン選択データＳＩＢは、１つのノズル列に対応する１８
０ビットの上位選択データＳＸＨと、同ノズル列に対応する１８０ビットの下位選択データＳＸＬとによって構成されている。図１３に示すように、上位選択データＳＸＨと下位選択データＳＸＬとは、それぞれ真理値表に従って、１８０個のノズルＮにそれぞれランク（第１〜第４駆動電圧波形ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤの種別）を規定するためのデータである。例えば、上位選択データＳＸＨが“０”、下位選択データＳＸＬが“０”のノズルＮには、それぞれランク「１」（第１駆動電圧波形ＣＯＭＡ）が規定される。上位選択データＳＸＨと下位選択データＳＸＬとが“０１”、“１０”、“１１”のノズルＮには、それぞれランク「２」（第２駆動電圧波形ＣＯＭＢ）、ランク「３」（第３駆動電圧波形ＣＯＭＣ）、ランク「４」（第４駆動電圧波形ＣＯＭＤ）が規定される。
【００７３】
図１４において、ヘッド駆動回路４１は、出力制御信号生成回路５０と、コモン制御信号生成回路６０とを有する。また、ヘッド駆動回路４１は、出力合成回路７０と、ロジック系の信号を昇圧してアナログスイッチの駆動電圧レベルに昇圧するレベルシフタ７１とを有する。また、ヘッド駆動回路４１は、圧電素子ＰＺに各駆動波形を供給するための４系統のスイッチ回路７２を有する。
【００７４】
図１５において、出力制御信号生成回路５０は、シフトレジスタ５１と、ラッチ５２と、ステートカウンタ５３とパターンデータ合成回路５５とを有する。シフトレジスタ５１は、第２ブロックレジスタ５１Ｂと、第１ブロックレジスタ５１Ｃとを有し、制御装置３０からシリアルパターンデータＳＩＡと転送クロックＳＣＬＫとが入力される。
【００７５】
第２ブロックレジスタ５１Ｂは、シリアルパターンデータＳＩＡの第２ブロックデータＳＩＬを転送クロックＳＣＬＫで順次シフトして、１８０ビットの第２ブロックデータＳＩＬを格納する。第１ブロックレジスタ５１Ｃは、シリアルパターンデータＳＩＡの第１ブロックデータＳＩＨを転送クロックＳＣＬＫで順次シフトして、該第１ブロックデータＳＩＨを格納する。
【００７６】
ラッチ５２は、第２ブロックラッチ５２Ｂと第１ブロックラッチ５２Ｃとを有し、制御装置３０からパターンラッチ信号ＬＡＴＡが入力される。第２ブロックラッチ５２Ｂは、パターンラッチ信号ＬＡＴＡが入力されるとき、第２ブロックレジスタ５１Ｂに格納される第２ブロックデータＳＩＬをラッチする。第１ブロックラッチ５２Ｃは、パターンラッチ信号ＬＡＴＡが入力されるとき、第１ブロックレジスタ５１Ｃに格納される第１ブロックデータＳＩＨをラッチする。
【００７７】
ステートカウンタ５３は、１ビットのカウンタ回路であり、ステート切替信号ＣＨＡの立ち上がりエッジによってカウントし、ステートを変化させる。ステートカウンタ５３は、ステート切替信号ＣＨＡが入力されるごとに、ステートを「０」から「１」へ繰り上げ、パターンラッチ信号ＬＡＴＡが入力されるごとに、ステートを「１」から「０」へリセットする。ステートカウンタ５３は、ステート切替信号ＣＨＡとパターンラッチ信号ＬＡＴＡが入力されるとき、ステートの値をパターンデータ合成回路５５に出力する。
【００７８】
パターンデータ合成回路５５は、第２ブロックラッチ５２Ｂがラッチした第２ブロックデータＳＩＬと、第１ブロックラッチ５２Ｃがラッチした第１ブロックデータＳＩＨとを読み込む。パターンデータ合成回路５５は、ステートカウンタ５３からのステートの値に基づいて、ステートが「０」のとき、第１ブロックデータＳＩＨを出力制御信号ＰＩとして出力する。パターンデータ合成回路５５は、ステートカウンタ５３からのステートが「１」のとき、第２ブロックデータＳＩＬを出力制御信号ＰＩとして出力する。これによって、ステートが「０」になるとき、第１ブロックが吐出ノズルに選択され、ステートが「１」になるとき、第２ブロックが吐出ノズルに選択される。すなわち、隣接したノズルＮ
が交互に吐出可能ノズルに選択される。
【００７９】
図１６において、コモン制御信号生成回路６０は、シフトレジスタ６１と、ラッチ６２と、コモン選択データデコード回路６３とを有する。シフトレジスタ６１は、下位選択レジスタ６１Ｂと上位選択レジスタ６１Ｃとを有し、制御装置３０からシリアルコモン選択データＳＩＢと転送クロックＳＣＬＫとが入力される。
【００８０】
下位選択レジスタ６１Ｂは、シリアルコモン選択データＳＩＢの下位選択データＳＸＬを転送クロックＳＣＬＫで順次シフトして、１８０ビットの下位選択データＳＸＬを格納する。上位選択レジスタ６１Ｃは、シリアルコモン選択データＳＩＢの上位選択データＳＸＨを転送クロックＳＣＬＫで順次シフトして、１８０ビットの上位選択データＳＸＨを格納する。
【００８１】
ラッチ６２は、下位選択ラッチ６２Ｂと上位選択ラッチ６２Ｃとを有し、制御装置３０からコモンラッチ信号ＬＡＴＢが入力される。下位選択ラッチ６２Ｂは、コモンラッチ信号ＬＡＴＢが入力されるとき、下位選択レジスタ６１Ｂに格納された下位選択データＳＸＬをラッチする。上位選択ラッチ６２Ｃは、コモンラッチ信号ＬＡＴＢが入力されるとき、上位選択レジスタ６１Ｃに格納された上位選択データＳＸＨをラッチする。
【００８２】
コモン選択データデコード回路６３は、下位選択ラッチ６２Ｂがラッチした下位選択データＳＸＬと、上位選択ラッチ６２Ｃがラッチした上位選択データＳＸＨとを読み込む。コモン選択データデコード回路６３は、下位選択データＳＸＬと上位選択データＳＸＨとを用い、図１３に示す真理値表に従って、４つの異なる第１〜第４駆動電圧波形ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤの各々について使用するか否か（選択・非選択）を規定する。コモン選択データデコード回路６３は、１８０個のノズルＮの各々に対し、各駆動電圧波形の選択・非選択を規定したデータを生成する。
【００８３】
本実施形態では、第１駆動電圧波形ＣＯＭＡの選択・非選択について規定したデータを、第１コモン制御信号ＰＸＡという。第２駆動電圧波形ＣＯＭＢ、第３駆動電圧波形ＣＯＭＣ、第４駆動電圧波形ＣＯＭＤの選択・非選択について規定したデータを、それぞれ第２コモン制御信号ＰＸＢ、第３コモン制御信号ＰＸＣ、第４コモン制御信号ＰＸＤと言う。
【００８４】
例えば、コモン選択データデコード回路６３は、第１ノズルＮ１に関連する上位選択データＳＸＨと下位選択データＳＸＬとが“００”である場合には、第１ノズルＮ１に関連する第１コモン制御信号ＰＸＡを“１”として出力する。そして、第２〜第４コモン制御信号ＰＸＢ，ＰＸＣ，ＰＸＤを“０”として出力する。また、第１ノズルＮ１に関連する上位選択データＳＸＨと下位選択データＳＸＬとが“０１”、“１０”、“００”である場合には、第１ノズルＮ１に関連する第２コモン制御信号ＰＸＢ、第３コモン制御信号ＰＸＣ、第４コモン制御信号ＰＸＤをそれぞれ“１”として出力する。
【００８５】
図１４において、出力合成回路７０は、第１コモン出力合成回路７０Ａと、第２コモン出力合成回路７０Ｂと、第３コモン出力合成回路７０Ｃと、第４コモン出力合成回路７０Ｄとを有する。各第１〜第４コモン出力合成回路７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄには、それぞれ出力制御信号生成回路５０から１８０ビットの出力制御信号ＰＩが共通に入力される。また、各第１〜第４コモン出力合成回路７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄには、それぞれコモン制御信号生成回路６０から第１コモン制御信号ＰＸＡ、第２コモン制御信号ＰＸＢ、第３コモン制御信号ＰＸＣ、第４コモン制御信号ＰＸＤが入力される。
【００８６】
第１〜第４コモン出力合成回路７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄは、それぞれノズルＮ
（圧電素子ＰＺ）ごとのＡＮＤゲートにより構成される。
第１コモン出力合成回路７０Ａに含まれる各ＡＮＤゲートには、それぞれ出力制御信号ＰＩと第１コモン制御信号ＰＸＡとが入力される。第１コモン出力合成回路７０Ａに含まれる各ＡＮＤゲートは、それぞれ出力制御信号ＰＩと第１コモン制御信号ＰＸＡとを用いて、対応する圧電素子ＰＺに第１駆動電圧波形ＣＯＭＡを供給するか否か（供給・非供給）を規定した信号（以下単に、第１選択コモン出力制御信号ＣＰＡと言う。）を出力する。
【００８７】
第２コモン出力合成回路７０Ｂに含まれる各ＡＮＤゲートには、それぞれ出力制御信号ＰＩと第２コモン制御信号ＰＸＢとが入力される。第２コモン出力合成回路７０Ｂに含まれる各ＡＮＤゲートは、それぞれ出力制御信号ＰＩと第２コモン制御信号ＰＸＢとを用いて、対応する圧電素子ＰＺに第２駆動電圧波形ＣＯＭＢを供給するか否か（供給・非供給）を規定した信号（以下単に、第２選択コモン出力制御信号ＣＰＢと言う。）を出力する。
【００８８】
第３コモン出力合成回路７０Ｃに含まれる各ＡＮＤゲートには、それぞれ出力制御信号ＰＩと第３コモン制御信号ＰＸＣとが入力される。第３コモン出力合成回路７０Ｃに含まれる各ＡＮＤゲートは、それぞれ出力制御信号ＰＩと第３コモン制御信号ＰＸＣとを用いて、対応する圧電素子ＰＺに第３駆動電圧波形ＣＯＭＣを供給するか否か（供給・非供給）を規定した信号（以下単に、第３選択コモン出力制御信号ＣＰＣと言う。）を出力する。
【００８９】
第４コモン出力合成回路７０Ｄに含まれる各ＡＮＤゲートには、それぞれ出力制御信号ＰＩと第４コモン制御信号ＰＸＤとが入力される。第４コモン出力合成回路７０Ｄに含まれる各ＡＮＤゲートは、それぞれ出力制御信号ＰＩと第４コモン制御信号ＰＸＤとを用いて、対応する圧電素子ＰＺに第４駆動電圧波形ＣＯＭＤを供給するか否か（供給・非供給）を規定した信号（以下単に、第４選択コモン出力制御信号ＣＰＤと言う。）を出力する。
【００９０】
例えば、第１コモン出力合成回路７０Ａは、出力制御信号ＰＩが“１”であり、かつ、第１コモン制御信号ＰＸＡが“１”の場合、圧電素子ＰＺに第１駆動電圧波形ＣＯＭＡを供給するための第１選択コモン出力制御信号ＣＰＡ（ビット値が“１”の信号）を出力する。第１コモン出力合成回路７０Ａは、出力制御信号ＰＩが“０”、あるいは、第１コモン制御信号ＰＸＡが“０”の場合、該圧電素子ＰＺに対し第１駆動電圧波形ＣＯＭＡを供給しないための第１選択コモン出力制御信号ＣＰＡ（ビット値が“０”の信号）を出力する。
【００９１】
これによって、１８０個の各ノズルＮは、それぞれ出力制御信号ＰＩによって、液滴Ｄを吐出するか否か決定され、第１〜第４コモン制御信号ＰＸＡ，ＰＸＢ，ＰＸＣ，ＰＸＤによって、各第１〜第４駆動電圧波形ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤの何れを利用するかが決定される。
【００９２】
レベルシフタ７１は、第１〜第４駆動電圧波形ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤの各々に対応する４系統のレベルシフタを有する。第１〜第４レベルシフタ７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃ，７１Ｄには、それぞれ対応する出力合成回路７０からの第１〜第４選択コモン出力制御信号ＣＰＡ，ＣＰＢ，ＣＰＣ，ＣＰＤが入力される。第１〜第４レベルシフタ７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃ，７１Ｄは、それぞれ第１〜第４選択コモン出力制御信号ＣＰＡ，ＣＰＢ，ＣＰＣ，ＣＰＤをアナログスイッチの駆動電圧レベルに昇圧し、１８０個の圧電素子ＰＺに対応する開閉信号を出力する。
【００９３】
スイッチ回路７２は、第１〜第４駆動電圧波形ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤの各々に対応する４系統のスイッチ回路を有する。第１〜第４スイッチ回路７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃ，７２Ｄは、それぞれ圧電素子ＰＺへ接続された１８０個のアナログスイッチを有する。第１〜第４スイッチ回路７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃ，７２Ｄには、それぞれ対応するレベルシフタ７１からの開閉信号が入力される。各アナログスイッチの入力端には、それぞれ対応する駆動波形が入力され、各アナログスイッチの出力端には、それぞれ圧電素子ＰＺが共通接続されている。各アナログスイッチは、それぞれ対応するレベルシフタ７１から開閉信号が入力され、該開閉信号に基づいて圧電素子ＰＺに駆動波形を出力する。
【００９４】
これによって、１８０個の圧電素子ＰＺは、それぞれ出力制御信号ＰＩに基づいて吐出動作が選択されるとき、第１〜第４選択コモン出力制御信号ＣＰＡ，ＣＰＢ，ＣＰＣ，ＣＰＤに基づいて第１〜第４駆動電圧波形ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤの何れか１つが供給される。
【００９５】
次に、液滴吐出装置１０を利用する液滴吐出方法について以下に説明する。図１７は、各圧電素子ＰＺに供給される駆動波形を説明するためのタイミングチャートである。
まず、グリーンシートＧＳが、その描画面ＧＳａを上側にしてステージ１２に載置される。このとき、ステージ１２は、グリーンシートＧＳをキャリッジ１６の−Ｘ方向に配置する。この状態から、入出力装置４０は、描画データＩｐとヘッドデータＩｈとを制御装置３０に入力する。
【００９６】
制御装置３０は、モータ駆動回路３８を介してキャリッジ１６を走査し、グリーンシートＧＳが＋Ｘ方向に走査されるときに各液滴吐出ヘッド１５がグリーンシートＧＳの上を通過するように、キャリッジ１６を配置する。制御装置３０は、キャリッジ１６を配置すると、モータ駆動回路３８を介してステージ１２の走査を開始する。
【００９７】
制御装置３０は、ステージ１２の走査を開始すると、入出力装置４０から入力された描画データＩｐをドットパターンデータに展開する。制御装置３０は、ステージ１２の１スキャン分に相当するドットパターンデータを展開すると、図１７に示すように、ドットパターンデータを用いてシリアルパターンデータＳＩＡを生成し、該シリアルパターンデータＳＩＡを転送クロックＳＣＬＫに同期させてヘッド駆動回路４１にシリアル転送する。
【００９８】
制御装置３０は、ステージ１２の走査を開始すると、入出力装置４０から入力されたヘッドデータＩｈ（初期速度データとランクデータ）を用いて、各ノズル群に対するランク付けを実行し、コモン選択データを生成する。制御装置３０は、ステージ１２の１スキャン分に相当するコモン選択データを展開すると、図１７に示すように、コモン選択データを用いてシリアルコモン選択データＳＩＢを生成し、該シリアルコモン選択データＳＩＢを転送クロックＳＣＬＫに同期させてヘッド駆動回路４１にシリアル転送する。
【００９９】
制御装置３０は、ステージ１２が描画開始位置に到達すると、図１７に示すように、パターンラッチ信号ＬＡＴＡ及びコモンラッチ信号ＬＡＴＢをヘッド駆動回路４１に出力し、ヘッド駆動回路４１にシリアルパターンデータＳＩＡ及びシリアルコモン選択データＳＩＢをラッチさせる。
【０１００】
制御装置３０は、ノズル群ごとに、第１ブロックのノズルＮに関連付けられたランク（第１速度ｖａ）を利用して第２ブロックのノズルＮに関わる第２速度ｖｂを演算する。そして、制御装置３０は、第１速度ｖａ、第２速度ｖｂ、及び速度電圧変換データに基づいて、第１駆動電圧波形ＣＯＭＡ、第２駆動電圧波形ＣＯＭＢ、第３駆動電圧波形ＣＯＭＣ、第４駆動電圧波形ＣＯＭＤを生成する。制御装置３０は、各第１〜第４駆動電圧波形Ｃ
ＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤをそれぞれパターンラッチ信号ＬＡＴＡに同期させてヘッド駆動回路４１に逐次出力する。
【０１０１】
ヘッド駆動回路４１は、パターンラッチ信号ＬＡＴＡが入力されると、ステートカウンタ５３のステートをリセットして、ステート「０」をパターンデータ合成回路５５に出力する。パターンデータ合成回路５５は、ステートカウンタ５３からのステート「０」に応じて第１ブロックデータＳＩＨを出力制御信号ＰＩとして各出力合成回路７０に出力する。
【０１０２】
制御装置３０は、パターンラッチ信号ＬＡＴＡをヘッド駆動回路４１に出力すると、ステート切替信号ＣＨＡをヘッド駆動回路４１に出力する。ヘッド駆動回路４１は、制御装置３０からのステート切替信号ＣＨＡに応じて、ステートカウンタ５３のステートを「０」から「１」に切り替え、ステート「１」をパターンデータ合成回路５５へ出力する。パターンデータ合成回路５５は、ステートカウンタ５３からのステート「１」に応じて第２ブロックデータＳＩＬを出力制御信号ＰＩとして各出力合成回路７０に出力する。
【０１０３】
この間、ヘッド駆動回路４１は、シリアルコモン選択データＳＩＢをラッチするたびに、上位選択データＳＸＨと下位選択データＳＸＬとを用いて、図１３に示す真理値表に従って、１８０個のノズルＮの各々にランクに応じた駆動波形を規定する。
【０１０４】
例えば、第１及び第２圧電素子ＰＺ１，ＰＺ２からなるノズル群に対して、上位及び下位選択データＳＸＨ，ＳＸＬが“００”の場合、図１３に示す真理値表に従って、第１及び第２圧電素子ＰＺ１，ＰＺ２には、第１駆動電圧波形ＣＯＭＡが関連付けられる。そして、第１及び第２圧電素子ＰＺ１，ＰＺ２からなるノズル群では、ステート「０」のとき第１圧電素子ＰＺ１にのみ第１駆動電圧波形ＣＯＭＡが供給され、ステート「１」のときには第２圧電素子ＰＺ２にのみ第１駆動電圧波形ＣＯＭＡが供給される。すなわち、第１圧電素子ＰＺ１には、第１駆動電圧波形ＣＯＭＡにおいて第１駆動電圧Ｖｈ１ａを用いる部分が供給され、第２圧電素子ＰＺ２には第１駆動電圧波形ＣＯＭＡにおいて第２駆動電圧Ｖｈ２ａを用いる部分が供給される。
【０１０５】
これによって、第１ブロックのノズルＮから吐出される液滴Ｄと、第２ブロックのノズルＮから吐出される液滴Ｄとが、それぞれＹ方向に沿って、同時に着弾する。しかも、第２ブロックからの液滴Ｄが残留振動の影響を受けないタイミングで吐出させることから、各第２速度ｖｂが高い精度の下で具現化される。その結果、１列のノズル列から吐出される各液滴Ｄの着弾が高い精度の下で同期化されて、ノズル列の方向に沿った直線が高い精度の下で描画される。
【０１０６】
上記実施形態によれば以下のような効果を得ることができる。
（１）上記実施形態において、第２ブロックのノズルＮは、第１ブロックのノズルＮが駆動し、その後、残留振動周期Ｔｗ以上の時間が経過した後に駆動する。そして、各ブロックから吐出される液滴Ｄの飛行速度は、それぞれ｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満足する１組の飛行速度が選択され、その選択した飛行速度に基づいて４種の駆動電圧波形がそれぞれ各圧電素子ＰＺへ供給される。
【０１０７】
したがって、第２ブロックの各ノズルＮは、第１ブロックからの残留振動を抑えた状態で液滴Ｄを吐出できる。その結果、液滴吐出装置１０は、隣接するノズルＮから吐出される液滴Ｄの着弾タイミングを高い精度の下で調整できることから、例えばδ＝１μｍとすることで、ノズル列の方向に沿った直線を高い精度の下で描画できる。
【０１０８】
（２）さらに、液滴吐出装置１０は、各ブロックを順に繰り返して駆動させることから
、ノズル列の全体にわたり、ノズル列の方向に沿った直線を高い精度の下で描画できる。また、液滴Ｄの吐出動作を画一的に実行できることから、吐出動作の複雑化を抑えながらノズル列の方向に沿った直線を描画できる。
【０１０９】
（３）上記実施形態において、各ノズル群は隣接する２個のノズルからなる。したがって、液滴吐出装置１０は、ノズル群に含まれるノズルＮの数量を最小の単位で構成することから、吐出動作の複雑化を一層に抑えながら、ノズル列の方向に沿った直線を描画できる。
【０１１０】
（４）上記実施形態において、液滴吐出装置１０は、駆動電圧値と飛行速度とを関連付けた速度電圧変換データを用い、第１速度ｖａ及び第２速度ｖｂに応じた駆動電圧波形を生成する。したがって、液滴吐出装置１０は、駆動電圧波形を駆動電圧値で画一的に変調することから、吐出動作の複雑化を抑えながら、ノズル列の方向に沿った直線を描画できる。
【０１１１】
（５）上記実施形態において、液滴吐出装置１０は、初期速度ｖ１に基づいて、各ノズルＮのランク付けを実行する。したがって、液滴吐出装置１０は、ノズルＮごとの固有の誤差を補正した上で、第１速度ｖａと第２速度ｖｂとを決定できる。その結果、液滴吐出装置１０は、ノズル列の方向に沿った直線を、より高い精度の下で描画できる。
【０１１２】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態の液滴吐出装置１０は、変換データを、速度電圧変換データに具体化した。これに限らず、変換データは、圧電素子ＰＺの変位速度を定める駆動電圧勾配（例えば、駆動電圧波形の立下り期間）と飛行速度とを関連付けるデータであっても良い。すなわち、液滴吐出装置１０は、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす第１速度ｖａと第２速度ｖｂとを演算して選択し、第１速度ｖａと第２速度ｖｂとに関連付けられた駆動電圧勾配を用いて駆動電圧波形を生成する構成であっても良い。さらに、変換データは、駆動電圧及び駆動電圧勾配と、飛行速度とを関連付けるデータであっても良い。これらによれば、駆動電圧波形の変調範囲を拡張させることができることから、液滴吐出装置１０の適用範囲を拡大させられる。
【０１１３】
・上記実施形態では、駆動電圧波形生成回路３６が、パターンラッチ信号ＬＡＴＡごとに、２つのピークを有した駆動電圧波形を生成する。これに限らず、駆動電圧波形生成回路３６は、パターンラッチ信号ＬＡＴＡ及びステート切替信号ＣＨＡごとに、すなわち吐出周期Ｔｒごとに、第１ブロックへの駆動電圧波形と第２ブロックへの駆動電圧波形とを交互に生成する構成であっても良い。なお、この際、制御装置３０は、第１ブロックに対応するシリアルパターンデータＳＩＡ及びシリアルコモン選択データＳＩＢと、第２ブロックに対応するシリアルパターンデータＳＩＡ及びシリアルコモン選択データＳＩＢとを、吐出周期Ｔｒごとに交互に生成する構成が好ましい。
【０１１４】
・上記実施形態では、液滴吐出ヘッド１５のデューティ比を１／２、すなわち液滴吐出ヘッド１５のノズルＮを２個のノズルＮからなるノズル群で区分した。これに限らず、液滴吐出ヘッド１５のデューティ比を１／ｋ（ｋは３以上の整数）、すなわちノズル群をｋ個の以上のノズルからなる構成にしても良い。
【０１１５】
この際、制御装置３０は、パターンラッチ信号ＬＡＴＡ、コモンラッチ信号ＬＡＴＢ、ステート切替信号ＣＨＡ等、各種の構成をデューティ比に応じて適宜変更する構成が好ましい。例えば、デューティ比を１／３にする場合には、パターンラッチ信号ＬＡＴＡ（コモンラッチ信号ＬＡＴＢ）ごとに２つのステート切替信号ＣＨＡを生成し、ステート切替信号ＣＨＡごとに、ステートを「１」から「２」、「２」から「３」へ切り替える。また
、制御装置３０は、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす第１速度ｖａと第２速度ｖｂとを演算して選択し、さらに、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｃ−Ｇ／ｖｂ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす第３速度ｖｃとを演算して選択する。そして、制御装置３０は、第１速度ｖａ、第２速度ｖｂ、及び第３速度ｖｃに関連付けられた各駆動電圧値を用いて駆動電圧波形を生成し、各駆動電圧値を、それぞれ対応する第１ブロック、第２ブロック、第３ブロックへ供給する構成が好ましい。また、この構成によれば同一ブロックのノズルを、より離間した位置に配置することができることから、同一ブロックのノズル間におけるクロストークを低減することができる。
【０１１６】
・上記実施形態では、各ノズルＮに対して、ランク付けを実行した。これに限らず、ランク付けを実行せず、各初期速度ｖ１を第１速度ｖａとして用いる構成であっても良い。すなわち、第１ブロックの初期速度ｖ１を用いて、Ｇ／ｖ１−Ｇ／ｖｂ＝Ｔｒを満たす第２速度ｖｂを演算し、第１ブロックにおける初期速度ｖ１の種類の分だけ、駆動電圧波形を生成する構成であっても良い。なお、この際、駆動電圧波形の種類に応じて、出力合成回路７０を変更する構成が好ましい。
【０１１７】
・上記実施形態では、第１速度ｖａが、初期速度ｖ１に基づいて決定される。これに限らず、第１速度ｖａは、初期速度ｖ１に関わらず、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす構成であれば良い。すなわち、液滴吐出装置１０は、例えば、｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たす飛行速度の組み合わせの中から第１速度ｖａと第２速度ｖｂとを選択する構成であっても良い。
【０１１８】
・上記実施形態では、ノズル列を複数のブロックに区分したが、これに限らず、ノズル列をブロックに区分しない構成であっても良い。すなわち、隣接する２つのノズルの吐出タイミングの時間差が残留振動周期以上であって、かつ、隣接する２つのノズルに設けられた圧電素子ＰＺに、それぞれ｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δを満たすような飛行速度に基づく駆動電圧波形が供給される構成であれば良い。
【０１１９】
・上記実施形態では、目標距離δを、設計ルール基づいて定められたδ＝１μｍの場合について具体化した。これに限らず、目標距離δの値は、描画パターンの設計ルール、液滴吐出処理の前工程、液滴吐出処理の後工程等に応じて、適宜変更する構成であっても良い。この構成によれば、目標距離δに応じて、隣接したノズルＮからの液滴の着弾タイミングが高い精度の下で調整されることから、さまざまなパターンを高精度に描画することができる。
【０１２０】
・上記実施形態では、液滴吐出ヘッドを圧電素子駆動方式に具体化した。これに限らず、圧電素子駆動方式を抵抗加熱方式や静電駆動方式に具体化しても良い。
・上記実施形態では、ノズル列の数量が一列であるが、これに限らず、ノズル列の数量は、２列以上であっても良い。
【０１２１】
・上記実施形態では、キャリッジ１６に搭載した液滴吐出ヘッド１５の数量が１つである液滴吐出装置１０に具体化した。これに限らず、キャリッジ１６に搭載する液滴吐出ヘッド１５の数量は２以上であってもよいし、液滴吐出ヘッド１５を搭載したキャリッジ１６の数量も２以上であってもよい。
【０１２２】
・上記実施形態では、ステージ１２を移動させることによって、液滴吐出ヘッド１５とグリーンシートＧＳとを相対移動させた。これに限らず、液滴吐出ヘッド１５を移動させることによって、液滴吐出ヘッド１５とグリーンシートＧＳとを相対移動させても良い。
【０１２３】
・上記実施形態では、制御装置３０は第２速度ｖｂを演算して求めた。これに限らず、
例えば、作業者によって予め第２速度ｖｂを求めておき、該第２速度ｖｂを記憶させたヘッドデータＩｈを制御装置３０に入力してもよい。
【０１２４】
・上記実施形態の残留振動周期は、予め試験等によって得られるデータに基づいて決定される。これに限らず、残留振動周期は、公知の計算方法によって算出した周期の値を用いて吐出周期Ｔｒを決定しても良い。
【０１２５】
・上記実施形態では、グリーンシートＧＳに配線パターンを描画する液滴吐出装置１０に具体化した。これに限らず、例えば、絶縁層を形成する液滴吐出装置、カラーフィルタを形成するために液滴吐出装置、配向膜を形成する液滴吐出装置等、各種の液滴吐出装置に応用してもよい。
【０１２６】
・上記実施形態では、第２速度ｖｂは飛行速度範囲の中心値とした。これに限らず、飛行速度範囲内であれば他の値としてもよい。
・上記実施形態では、予め設定された設計ルールに基づいて目標距離δを所定の値に定めた例について説明した。これに限らず、例えば、時間差Ｔｒを設けた場合における、隣接したノズルＮから吐出された液滴Ｄの着弾位置間の距離を予め求め、該距離に基づいて目標距離δに定める構成であってもよい。これによれば、隣接したノズルＮ間のばらつきを加味して着弾位置を揃えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】回路モジュールを示す断面図。
【図２】本実施形態の液滴吐出装置を示す斜視図。
【図３】液滴吐出ヘッドを示す斜視図。
【図４】液滴吐出ヘッドの内部を示す側断面図。
【図５】ドットパターン格子を示す平面図。
【図６】隣接するノズル間における吐出動作の時間差と相対速度の関係を示すグラフ。
【図７】液滴吐出装置の電気的構成を説明する電気ブロック回路図。
【図８】飛行速度とノズルのランクとの関係を示す図。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ駆動電圧波形を示す図。
【図１０】シリアルパターンデータの構成を示す図。
【図１１】ステート切替信号とステートとの関係を示すタイミングチャート。
【図１２】シリアルコモン選択データの構成を示す図。
【図１３】ランクと駆動電圧波形との関係を示す図。
【図１４】ヘッド駆動回路を示す電気ブロック回路図。
【図１５】出力制御信号生成回路を示す電気ブロック回路図。
【図１６】コモン選択制御信号生成回路を示す回路図。
【図１７】ヘッド駆動回路の駆動タイミングを示すタイミングチャート。
【符号の説明】
【０１２８】
Ｄ…液滴、Ｇ…距離、Ｎ…ノズル、ＰＺ…圧力発生素子としての圧電素子、ＣＯＭ，ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤ…駆動電圧波形、ｖｓ…走査速度、δ…目標距離、１０…液滴吐出装置、３２…制御部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物が載置された移動部と１つの方向に配列された複数のノズルとを相対移動させながら、前記ノズル毎に設けられた圧力発生素子に駆動電圧波形を供給することによって該ノズル毎に設けられた貯留室に圧力変動を発生させて前記貯留室に貯留された液状体を液滴にして吐出する液滴吐出方法であって、
１つのノズルの吐出タイミングと、前記１つのノズルに隣接する他のノズルの吐出タイミングとの時間差が、前記１つのノズルから液滴を吐出したことによる前記１つのノズルの貯留室における残留振動周期以上になるように、前記１つのノズルと前記他のノズルとからそれぞれ液滴を吐出するとともに、
前記時間差をＴｒ、前記ノズルと前記対象物との間の距離をＧ、前記移動部の走査速度をｖｓ、前記１つのノズルからの液滴の飛行速度をｖａ、前記他のノズルからの液滴の飛行速度をｖｂ、前記相対移動方向における液滴間の目標距離をδとするとき、前記駆動電圧波形と、該駆動電圧波形から得た前記液滴の飛行速度とを関連付けた変換データを用い
｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δ
を満たす飛行速度からいずれか１組を選択して駆動電圧波形へ変換し、該飛行速度に対応するノズルに設けられた前記圧力発生素子へ前記変換した駆動電圧波形を供給することを特徴とする液滴吐出方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液滴吐出方法であって、
前記複数のノズルからなるノズル列をｎ個（ｎは２以上の整数）のノズル毎に区分したノズル群の第ｍ番目（ｍは１以上）のノズルからなるブロックを第ｍブロックとするとき、
第１ブロックから第ｍブロックまでを順番に繰り返して駆動して、第ｍブロックの吐出タイミングと、第ｍ＋１ブロックの吐出タイミングとの間の時間差を前記残留振動周期以上にすることを特徴とする液滴吐出方法。
【請求項３】
請求項２に記載の液滴吐出方法であって、
前記各ノズル群は、隣接する２個のノズルからなることを特徴とする液滴吐出方法。
【請求項４】
１つの方向に配列された複数のノズルと、前記ノズル毎に設けられて液状体を貯留する貯留室と、前記ノズル毎に設けられて駆動電圧波形を受けることにより前記貯留室に圧力変動を発生させて前記ノズルから対象物に向けて液滴を吐出させる圧力発生素子と、前記複数のノズルと前記対象物とを前記１つの方向と交差する方向へ相対移動させる移動部とを備えた液滴吐出装置であって、
前記圧力発生素子に供給する駆動電圧波形と、前記駆動電圧波形を用いたときの前記液滴の飛行速度とを関連付けて、前記飛行速度を前記駆動電圧波形へ変換するための変換データを記憶する記憶部と、
１つのノズルの吐出タイミングと、前記１つのノズルに隣接する他のノズルの吐出タイミングとの時間差をＴｒ、前記各ノズルと前記対象物との間の距離をＧ、前記移動部の走査速度をｖｓ、前記１つのノズルからの液滴の飛行速度をｖａ、前記隣接するノズルからの液滴の飛行速度をｖｂ、前記相対移動方向における液滴間の目標距離をδとするとき、
｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δ
を満たす飛行速度から選択された１組を、前記変換データを用いて変換して駆動電圧波形を生成する駆動電圧波形生成部と、
１つのノズルの吐出タイミングと、前記１つのノズルに隣接する他のノズルの吐出タイミングとの時間差が、前記１つのノズルから液滴を吐出したことによる前記１つのノズルの貯留室における残留振動周期以上になるように、前記生成した駆動電圧波形を前記圧力発生素子へ供給する制御部とを備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項５】
請求項４に記載の液滴吐出装置であって、
前記複数のノズルからなるノズル列をｎ個（ｎは２以上の整数）のノズル毎に区分したノズル群の第ｍ番目（ｍは１以上）のノズルからなるブロックを第ｍブロックとするとき、
前記制御部は、
第１ブロックから第ｍブロックまでを順番に繰り返して駆動して、第ｍブロックの吐出タイミングと、第ｍ＋１ブロックの吐出タイミングとの間の時間差が前記残留振動周期以上になるように、前記生成した駆動電圧波形を前記圧力発生素子へ供給することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の液滴吐出装置であって、
前記圧力発生素子は圧電素子であり、
前記変換データは、前記圧電素子の変位量を定める駆動電圧値と、前記駆動電圧値を用いた駆動電圧波形から得られる前記液滴の飛行速度とを関連付けたデータであり、
前記駆動電圧波形生成部は、
｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δ
を満たす飛行速度に関連付けられた前記駆動電圧値を用いる駆動電圧波形を生成することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項７】
請求項４又は５に記載の液滴吐出装置であって、
前記圧力発生素子は圧電素子であり、
前記変換データは、前記圧電素子の変位速度を定める駆動電圧勾配と、前記駆動電圧勾配を用いた駆動電圧波形から得られる前記液滴の飛行速度とを関連付けたデータであり、
前記駆動電圧波形生成部は、
｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δ
を満たす飛行速度に関連付けられた前記駆動電圧勾配を用いる駆動電圧波形を生成することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項１】
対象物が載置された移動部と１つの方向に配列された複数のノズルとを相対移動させながら、前記ノズル毎に設けられた圧力発生素子に駆動電圧波形を供給することによって該ノズル毎に設けられた貯留室に圧力変動を発生させて前記貯留室に貯留された液状体を液滴にして吐出する液滴吐出方法であって、
１つのノズルの吐出タイミングと、前記１つのノズルに隣接する他のノズルの吐出タイミングとの時間差が、前記１つのノズルから液滴を吐出したことによる前記１つのノズルの貯留室における残留振動周期以上になるように、前記１つのノズルと前記他のノズルとからそれぞれ液滴を吐出するとともに、
前記時間差をＴｒ、前記ノズルと前記対象物との間の距離をＧ、前記移動部の走査速度をｖｓ、前記１つのノズルからの液滴の飛行速度をｖａ、前記他のノズルからの液滴の飛行速度をｖｂ、前記相対移動方向における液滴間の目標距離をδとするとき、前記駆動電圧波形と、該駆動電圧波形から得た前記液滴の飛行速度とを関連付けた変換データを用い
｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δ
を満たす飛行速度からいずれか１組を選択して駆動電圧波形へ変換し、該飛行速度に対応するノズルに設けられた前記圧力発生素子へ前記変換した駆動電圧波形を供給することを特徴とする液滴吐出方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液滴吐出方法であって、
前記複数のノズルからなるノズル列をｎ個（ｎは２以上の整数）のノズル毎に区分したノズル群の第ｍ番目（ｍは１以上）のノズルからなるブロックを第ｍブロックとするとき、
第１ブロックから第ｍブロックまでを順番に繰り返して駆動して、第ｍブロックの吐出タイミングと、第ｍ＋１ブロックの吐出タイミングとの間の時間差を前記残留振動周期以上にすることを特徴とする液滴吐出方法。
【請求項３】
請求項２に記載の液滴吐出方法であって、
前記各ノズル群は、隣接する２個のノズルからなることを特徴とする液滴吐出方法。
【請求項４】
１つの方向に配列された複数のノズルと、前記ノズル毎に設けられて液状体を貯留する貯留室と、前記ノズル毎に設けられて駆動電圧波形を受けることにより前記貯留室に圧力変動を発生させて前記ノズルから対象物に向けて液滴を吐出させる圧力発生素子と、前記複数のノズルと前記対象物とを前記１つの方向と交差する方向へ相対移動させる移動部とを備えた液滴吐出装置であって、
前記圧力発生素子に供給する駆動電圧波形と、前記駆動電圧波形を用いたときの前記液滴の飛行速度とを関連付けて、前記飛行速度を前記駆動電圧波形へ変換するための変換データを記憶する記憶部と、
１つのノズルの吐出タイミングと、前記１つのノズルに隣接する他のノズルの吐出タイミングとの時間差をＴｒ、前記各ノズルと前記対象物との間の距離をＧ、前記移動部の走査速度をｖｓ、前記１つのノズルからの液滴の飛行速度をｖａ、前記隣接するノズルからの液滴の飛行速度をｖｂ、前記相対移動方向における液滴間の目標距離をδとするとき、
｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δ
を満たす飛行速度から選択された１組を、前記変換データを用いて変換して駆動電圧波形を生成する駆動電圧波形生成部と、
１つのノズルの吐出タイミングと、前記１つのノズルに隣接する他のノズルの吐出タイミングとの時間差が、前記１つのノズルから液滴を吐出したことによる前記１つのノズルの貯留室における残留振動周期以上になるように、前記生成した駆動電圧波形を前記圧力発生素子へ供給する制御部とを備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項５】
請求項４に記載の液滴吐出装置であって、
前記複数のノズルからなるノズル列をｎ個（ｎは２以上の整数）のノズル毎に区分したノズル群の第ｍ番目（ｍは１以上）のノズルからなるブロックを第ｍブロックとするとき、
前記制御部は、
第１ブロックから第ｍブロックまでを順番に繰り返して駆動して、第ｍブロックの吐出タイミングと、第ｍ＋１ブロックの吐出タイミングとの間の時間差が前記残留振動周期以上になるように、前記生成した駆動電圧波形を前記圧力発生素子へ供給することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の液滴吐出装置であって、
前記圧力発生素子は圧電素子であり、
前記変換データは、前記圧電素子の変位量を定める駆動電圧値と、前記駆動電圧値を用いた駆動電圧波形から得られる前記液滴の飛行速度とを関連付けたデータであり、
前記駆動電圧波形生成部は、
｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δ
を満たす飛行速度に関連付けられた前記駆動電圧値を用いる駆動電圧波形を生成することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項７】
請求項４又は５に記載の液滴吐出装置であって、
前記圧力発生素子は圧電素子であり、
前記変換データは、前記圧電素子の変位速度を定める駆動電圧勾配と、前記駆動電圧勾配を用いた駆動電圧波形から得られる前記液滴の飛行速度とを関連付けたデータであり、
前記駆動電圧波形生成部は、
｜ｖｓ・（Ｇ／ｖｂ−Ｇ／ｖａ＋Ｔｒ）｜≦δ
を満たす飛行速度に関連付けられた前記駆動電圧勾配を用いる駆動電圧波形を生成することを特徴とする液滴吐出装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２００９−２０８０１９（Ｐ２００９−２０８０１９Ａ）
【公開日】平成２１年９月１７日（２００９．９．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−５４７６３（Ｐ２００８−５４７６３）
【出願日】平成２０年３月５日（２００８．３．５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月１７日（２００９．９．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月５日（２００８．３．５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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