磁気ディスク基板用洗浄剤
【課題】 磁気ディスク基板表面の平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を有すると共に基板表面から脱離したパーティクルの分散性も良好であり、優れたパーティクルの除去性を実現し、製造時における歩留まり率の向上や短時間での洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする磁気ディスク用基板洗浄剤を提供する。
【解決手段】 分子内に少なくとも４個のホスホン酸基を有するキレート剤（Ａ）を含有してなる磁気ディスク基板用洗浄剤。
【解決手段】 分子内に少なくとも４個のホスホン酸基を有するキレート剤（Ａ）を含有してなる磁気ディスク基板用洗浄剤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク基板用洗浄剤に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク用基板の洗浄技術において、近年の磁気ディスクの高記録密度化に伴い、製造時における基板上に残存する微量のパーティクルや不純物が磁気ディスクの性能や歩留まりに大きく影響するため、その管理が極めて重要になってきている。特に洗浄の対象となるパーティクルがより微粒子化してきており、従来以上に更に界面へ付着し、残存しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。
このため、これらのパーティクルによる汚染を防止する方法として、界面活性剤を用いて、パーティクルの除去性を向上させる方法が提案されている（特許文献−１及び２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献−１】特開平１１−４３７９１号公報
【特許文献−２】特開２００２−２１２５９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、近年、磁気ディスク用基板の内、特にアルミ基板においては、基板表面に非磁性層であるＮｉ−Ｐメッキを施し、その後アルミナスラリー及び／又はコロイダルシリカで研磨して鏡面仕上げする工程並びにその後必要によりにダイヤモンドスラリー等を用いて基板表面をテクスチャリングする工程があるが、その際にこれらの研磨剤や研磨屑が基板表面に強固に付着し、洗浄工程で十分に除去できないといった問題がある。これらの研磨剤や研磨屑に代表されるパーティクルは、基板表面に強固に付着しているため、これらを十分に除去するためには、基板表面を僅かにエッチングし、パーティクルを液中に分散させ、更に液中に分散したパーティクルを基板表面に再付着しないようにする必要がある。しかし、上記特許文献−１では、研磨剤に対する吸着量が５ｍｇ／ｍ2以上、数平均分子量が１００，０００以上の凝集剤及び界面活性剤を含有し、１０ｖｏｌ％水溶液の表面張力が３０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下である洗浄剤組成物を用い、洗浄対象となる研磨剤微粒子を凝集させ、粗大化させることで再付着を防止する方法が提案されているが、粗大化した粒子が僅かに基板表面に付着した場合でも深刻な問題を引き起こす恐れがあることや、具体的な成分配合については記載されていない。また、上記特許文献−２で提案されている方法は、アニオン性界面活性剤を用いることで、パーティクルの再付着防止効果はある程度改善できるもののエッチング性がほとんど無いため、パーティクル除去性が不十分であり、洗浄性が不十分であるという問題があった。
【０００５】
従って、本発明の目的は、磁気ディスク基板表面の平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を有すると共に基板表面から脱離したパーティクルの分散性も良好であり、優れたパーティクルの除去性を実現し、製造時における歩留まり率の向上や短時間での洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは上記課題を解決する磁気ディスク基板用洗浄剤を得るべく鋭意検討した結果、洗浄剤中に特定のキレート剤を含有させることにより、パーティクル除去性が著しく向上することを見出し、本発明に到達した。
【０００７】
すなわち本発明は、分子内に少なくとも４個のホスホン酸基を有するキレート剤（Ａ）を含有してなる磁気ディスク基板用洗浄剤、該磁気ディスク基板用洗浄剤を含有し、有効成分濃度が０．０１〜１５重量％である磁気ディスク基板用洗浄液、該洗浄液を用いて磁気ディスク基板を洗浄する磁気ディスク基板の洗浄方法及び該洗浄方法で磁気ディスク基板を洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の洗浄剤は、磁気ディスクの製造工程において問題となる微細なパーティクルの洗浄性に優れ、基板にダメージを与えることなく短時間かつ効率的な洗浄ができるという効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の洗浄剤に用いる分子内に少なくとも４個のホスホン酸基を有するキレート剤（Ａ）としては、分子内に４個のホスホン酸基を有する低分子化合物（Ａ−１）｛エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、シス−１，２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びグリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）等｝；分子内に５個のホスホン酸基を有する低分子化合物（Ａ−２）｛ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、３，３’−ジアミノジプロピルアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）等｝； 分子内に６個のホスホン酸基を有する低分子化合物（Ａ−３）｛トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリス（２−アミノエチル）アミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリス（２−アミノプロピル）アミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）等｝；分子内に７個以上のホスホン酸基を有する低分子化合物（Ａ−４）｛テトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）、ペンタエチレンヘキサミンオクタ（メチレンホスホン酸）（塩）及びヘキサメチレンテトラミンオクタ（メチレンホスホン酸）（塩）等｝等が挙げられる。
【００１０】
これらの中で、Ｎｉ−Ｐメッキを施した基板やガラス基板の平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を有することで微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮し、また、すすぎ時のリンス性に優れるといった観点から、好ましいのは（Ａ−１）、（Ａ−２）及び（Ａ−３）、更に好ましいのはエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、シス−１，２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）及びトリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、特に好ましいのはエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）である。
【００１１】
キレート剤（Ａ）が塩を形成する場合、その塩としては、特に限定は無いが、例えば、上記（Ａ）として例示した酸の１級アミン（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）塩、２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）塩、３級アミン｛トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン並びに１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（以下、ＤＡＢＣＯと略記）等｝塩、アミジン｛１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記）及び１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（以下、ＤＢＮと略記）、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等｝塩、アルカリ金属（ナトリウムカチオン及びカリウムカチオン等）塩、アンモニウム塩及び第４級アンモニウム（テトラアルキルアンモニウム等）塩が挙げられる。
【００１２】
本発明のキレート剤（Ａ）は単独で用いても、２種以上併用してもよい。また、（Ａ）は、分子内に４個以上のホスホン酸基を有することで、洗浄した後のすすぎ時のリンス性が非常に優れるといった特長も有する。
【００１３】
本発明の洗浄剤は、洗浄性の観点から、上記キレート剤（Ａ）の他に、界面活性剤（Ｂ）を含有することが好ましい。（Ｂ）を含有するとパーティクルの再付着防止性等の洗浄性が更に向上する。
【００１４】
（Ｂ）としては、非イオン性界面活性剤（Ｂ−１）、アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）、カチオン性界面活性剤（Ｂ−３）及び両性界面活性剤（Ｂ−４）が挙げられる。
【００１５】
非イオン性界面活性剤（Ｂ−１）としては、アルキレンオキサイド［エチレンオキサイド、１，２−又は１，３−プロピレンオキサイド及び１，２−、１，３−、２，３−又は１，４−ブチレンオキサイド等：以下ＡＯと略記］付加型非イオン性界面活性剤（Ｂ−１ａ）及び多価アルコール型非イオン界面活性剤（Ｂ−１ｂ）等が挙げられる。
【００１６】
（Ｂ−１ａ）としては、高級アルコール（炭素数８〜１８）ＡＯ付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）、アルキル（炭素数１〜１２）フェノールＡＯ付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）、脂肪酸（炭素数８〜１８）ＡＯ付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）、脂肪族アミン（炭素数６〜２４）のＡＯ付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）、ポリプロピレングリコール（水酸基価に基づく平均分子量２００〜６，０００）ＡＯ付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜５００；例えばポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール）、ポリオキシエチレン（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）アルキル（炭素数１〜２０）アリルエーテル並びにソルビタンモノラウレートＡＯ付加物（付加モル数１〜３０）及びソルビタンモノオレートＡＯ付加物（付加モル数１〜３０）等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステルＡＯ付加物（活性水素１個あたりの付加モル数１〜３０）等が挙げられる。
【００１７】
（Ｂ−１ｂ）としては、グリセリンモノステアレート、グリセリンモノオレート、ソルビタンモノラウレート及びソルビタンモノオレート等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステル並びにラウリン酸モノエタノールアミド及びラウリン酸ジエタノールアミド等の脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。
【００１８】
（Ｂ−１）の内、洗浄性の観点から、好ましいのは（Ｂ−１ａ）であり、更に好ましいのは高級アルコール（炭素数１０〜１６）ＡＯ付加物（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）、アルキル（炭素数１〜１２）フェノールＡＯ付加物（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）、脂肪族アミン（炭素数８〜１８）のＡＯ付加物（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）及びポリプロピレングリコール（水酸基価に基づく平均分子量２００〜６，０００）エチレンオキサイド付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜５００）である。
【００１９】
アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）としては、高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ａ）及び低分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ｂ）が挙げられる。
【００２０】
高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ａ）としては、スルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、ホスホン酸（塩）基、リン酸エステル（塩）基及びカルボン酸（塩）基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基と、メチレン基以外の１種又は２種以上の繰り返し単位を分子内に２個以上有し、重量平均分子量（以下、Ｍwと略記）が３００〜８００，０００であるか又は縮合度が２以上であるアニオン性界面活性剤が挙げられる。
本発明におけるＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略記）によって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として４０℃で測定される。例えば、装置本体：ＨＬＣ−８１２０（東ソー株式会社製）、カラム：東ソー株式会社製ＴＳＫｇｅｌ α６０００、Ｇ３０００ ＰＷＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．５％酢酸ソーダ・水／メタノール（体積比７０／３０）、溶離液流量：１．０ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：０．２５％の溶離液溶液、注入量：２００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＴＡＮＤＡＲＤ ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＯＸＩＤＥ、データ処理ソフト：ＧＰＣ−８０２０ｍｏｄｅｌII（東ソー株式会社製）等の機器及び条件で測定される。
上記及び以下において、特に規定しない限り、％は重量％を表す。
（Ｂ−２ａ）の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【００２１】
（Ｂ−２ａ−１）スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ｛２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸｝、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体及び２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／（メタ）アクリル酸共重合体等の重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の縮合物並びにこれらの塩等；
【００２２】
（Ｂ−２ａ−２）硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝の硫酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル｝及び（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体等の重合体、セルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースの硫酸エステル化物等のセルロース誘導体並びにこれらの塩等；
【００２３】
（Ｂ−２ａ−３）ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸｝及び２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸共重合体等の重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の縮合物並びにこれらの塩等；
【００２４】
（Ｂ−２ａ−４）リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のリン酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル｝及び（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル／アクリル酸共重合体等の重合体、セルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースのリン酸エステル化物等のセルロース誘導体並びにこれらの塩等；
【００２５】
（Ｂ−２ａ−５）カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体及びポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のカルボキシメチル化物等の重合体、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物及び安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の縮合物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース及びカルボキシメチルエチルセルロース等のセルロース誘導体並びにこれらの塩等；が挙げられる。
【００２６】
（Ｂ−２ａ）が塩を形成する場合の塩としては、特に限定は無いが、例えば、上記キレート剤（Ａ）の塩として例示したものと同様のカウンターカチオンを有する塩が挙げられる。これらの塩の中で、基板への金属汚染防止の観点から、好ましいのは１級アミン塩、２級アミン塩、３級アミン塩、アミジン塩、アンモニウム塩及び第４級アンモニウム塩であり、特に好ましいのは３級アミン塩、アミジン塩及び第４級アンモニウム塩である。
【００２７】
（Ｂ−２ａ）が重合体又はセルロース誘導体の場合、そのＭｗは、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、通常３００〜８００，０００、好ましくは６００〜４００，０００、更に好ましくは１，０００〜８０，０００、特に好ましくは２，０００〜４０，０００である。
また、（Ｂ−２a)が縮合物の場合、その縮合度は、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、通常２〜２００、更に好ましくは３〜１００、特に好ましくは３〜５０である。
【００２８】
低分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ｂ）としては、分子内にメチレン基以外の繰り返し単位を有しないスルホン酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−１）、硫酸エステル系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−２）、脂肪酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−３）及びリン酸エステル系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−４）等が挙げられる。
【００２９】
スルホン酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−１）としては、炭素数６〜２４のアルコールのスルホコハク酸モノ又はジエステル（塩）、炭素数８〜２４のα−オレフィンのスルホン酸化物（塩）、炭素数８〜１４のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸（塩）及び石油スルホネート（塩）等が挙げられる。
【００３０】
硫酸エステル系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−２）としては、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールの硫酸エステル（塩）、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのＡＯ１〜１０モル付加物の硫酸エステル（塩）、硫酸化油（塩）、硫酸化脂肪酸エステル（塩）及び硫酸化オレフィン（塩）等が挙げられる。
【００３１】
脂肪酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−３）としては、炭素数８〜１８の脂肪酸（塩）及び炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸（塩）等が挙げられる。
【００３２】
リン酸エステル系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−４）としては、炭素数８〜２４の高級アルコールの燐酸モノ又はジエステル（塩）及び炭素数８〜２４の高級アルコールのＡＯ付加物の燐酸モノ又はジエステル（塩）等が挙げられる。
【００３３】
（Ｂ−２ｂ−１）、（Ｂ−２ｂ−２）、（Ｂ−２ｂ−３）及び（Ｂ−２ｂ−４）が塩を形成する場合の塩としては、特に限定は無いが、例えば、上記キレート剤（Ａ）の塩として例示したものと同様のカウンターカチオンを有する塩が挙げられる。
【００３４】
アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）の内好ましいのは、再付着防止性の観点から高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ａ）であり、高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ａ）を使用する場合は、更に必要により低分子型スルホン酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−１）、硫酸エステル系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−２）及び脂肪酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−３）から選ばれる１種以上を併用してもよい。
【００３５】
カチオン性界面活性剤（Ｂ−３）としては、４級アンモニウム塩型の界面活性剤（Ｂ−３ａ）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）トリメチルアンモニウム塩、ジアルキル（炭素数１〜３０）ジメチルアンモニウム塩、窒素環含有第４級アンモニウム塩、ポリ（付加モル数２〜１５）オキシアルキレン（炭素数２〜４）鎖含有第４級アンモニウム塩及びアルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜１０）ジアルキル（炭素数１〜４）メチルアンモニウム塩｝及びアミン系界面活性剤（Ｂ−３ｂ）｛例えば、炭素数３〜９０の脂肪族３級アミン、炭素数３〜９０の脂環式（含窒素ヘテロ環を含む）３級アミン及び炭素数３〜９０のヒドロキシアルキル基含有３級アミンの無機酸塩又は有機酸塩｝等が挙げられる。
【００３６】
両性界面活性剤（Ｂ−４）としては、ベタイン型両性界面活性剤（Ｂ−４ａ）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜４）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）ジヒドロキシアルキル（炭素数１〜３０）ベタイン及びスルフォベタイン型｝、アミノ酸型両性界面活性剤（Ｂ−４ｂ）｛例えば、アラニン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノプロピオン酸型及びアルキル（炭素数１〜３０）イミノジプロピオン酸型］及びグリシン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノ酢酸型等］｝及びアミノスルホン酸塩型両性界面活性剤（Ｂ−４ｃ）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）タウリン型両性界面活性剤｝等が挙げられる。
【００３７】
界面活性剤（Ｂ）の内、パーティクルの再付着防止の観点から好ましいのは、非イオン性界面活性剤（Ｂ−１）、アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）及び（Ｂ−１）と（Ｂ−２）の併用であり、更に好ましいのは（Ｂ−２）である。併用の場合の（Ｂ−１）と（Ｂ−２）の重量比率｛（Ｂ−１）／（Ｂ−２）｝は、洗浄性及び起泡性の観点から好ましくは、５以下、更に好ましくは０．００１〜２、特に好ましくは０．０１〜１．５である。
【００３８】
本発明の洗浄剤は、更に、アルカリ成分（Ｃ）を含有してもよい。
アルカリ成分（Ｃ）を含有することにより、パーティクルに対する洗浄性が更に向上する。
（Ｃ）としては、一般式（２）で表される第４級アンモニウム塩（Ｃ−１）、アンモニア（Ｃ−２）、炭素数１〜１２の脂肪族アミン（Ｃ−３）、無機アルカリ（Ｃ−４）及びこれらの混合物が挙げられる。
【００３９】
【化１】
【００４０】
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して炭素数１〜２４のアルキル基又は−（Ｒ5Ｏ）ｒ−Ｈで表される基であり、Ｒ5は炭素数２〜４のアルキレン基、ｒは１〜６の整数を表す。
炭素数１〜２４のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコシル、ヘキコシル、ドコシル、トリコシル及びテトラコシル基等が挙げられる。
炭素数２〜４のアルキレン基としては、エチレン、１，２−又は１，３−プロピレン及び１，２−、１，３−、２，３−又は１，４−ブチレン等が挙げられる。ｒは、すすぎ時のリンス性の観点から、１〜３が好ましい。
【００４１】
（Ｃ−１）の具体例としては、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、エチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラヘキシルアンモニウムハイドロキサイド、ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロキサイド、ジヒドロキシエチルジメチルアンモニウムハイドロキサイド及びトリヒドロキシエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド等が挙げられる。
【００４２】
炭素数１〜１２の脂肪族アミン（Ｃ−３）としては、炭素数１〜６のアルキルアミン、炭素数２〜６のアルカノールアミン、炭素数２〜５のアルキレンジアミン、環状アミン、アミジン化合物及びポリ（ｎ＝２〜６）アルキレン（炭素数２〜７）ポリ（ｎ＝３〜６）アミン等が挙げられる。
【００４３】
炭素数１〜６のアルキルアミンとしては、炭素数１〜６のモノアルキルアミン｛メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン及びヘキシルアミン等｝及び炭素数２〜６のジアルキルアミン｛ジメチルアミン、エチルメチルアミン、メチルプロピルアミン、ブチルメチルアミン、ジエチルアミン、エチルプロピルアミン及びジイソプロピルアミン等｝が挙げられる。
【００４４】
炭素数２〜６のアルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、 ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、モノ−ｎ−プロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジ−ｎ−プロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリ−ｎ−プロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、Ｎ−（アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエタノール及び２−（２−アミノエトキシ）エタノール等が挙げられる。
【００４５】
炭素数２〜５のアルキレンジアミンとしては、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、プロピレンジアミン、テトラメチレンジアミン及びヘキサメチレンジアミン等が挙げられる。
【００４６】
環状アミンとしては、ピペリジン、ピペラジン及びＤＡＢＣＯ等が挙げられる。
アミジン化合物としては、ＤＢＵ、及びＤＢＮ等が挙げられる。
ポリ（ｎ＝２〜６）アルキレンポリ（ｎ＝３〜７）アミンとしては、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ヘキサメチレンヘプタミン、イミノビスプロピルアミン及びビス（ヘキサメチレン）トリアミン等が挙げらる。
【００４７】
無機アルカリ（Ｃ−４）としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等が挙げられる。
【００４８】
（Ｃ）の内、洗浄性の観点から、第４級アンモニウム塩（Ｃ−１）、炭素数１〜１２の脂肪族アミン（Ｃ−３）及びこれらの併用が好ましく、更に好ましいのはテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、エチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノ−ｎ−プロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、ＤＢＵ、ＤＢＮ及びこれらの併用である。
【００４９】
本発明の洗浄剤は、更に、親水性溶剤（Ｄ）を含有してもよい。親水性溶剤（Ｄ）としては、２０℃における水に対する溶解度［（Ｄ）／１００ｇＨ2Ｏ］が３以上、好ましくは１０以上の有機溶剤が挙げられる。
（Ｄ）としては、例えば、スルホキシド（ジメチルスルホキシド等）；スルホン｛ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、スルホラン、３−メチルスルホラン及び２，４−ジメチルスルホラン等｝；アミド｛Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド等｝；ラクタム｛Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン及びＮ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン等｝；ラクトン｛β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン及びδ−バレロラクトン等｝；アルコール｛メタノ−ル、エタノ−ル及びイソプロパノ−ル等｝；グリコール及びグリコールエーテル｛エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル及びトリエチレングリコールジエチルエーテル等｝；オキサゾリジノン（Ｎ−メチル−２−オキサゾリジノン及び３，５−ジメチル−２−オキサゾリジノン等）；ニトリル（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル及びメタクリルニトリル等）；カーボネート（エチレンカーボネート及びプロピオンカーボネート等）；ケトン（アセトン、ジエチルケトン、アセトフェノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン及びジアセトンアルコール等）；環状エーテル（テトラヒドロフラン及びテトラヒドロピラン等）等が挙げられる。（Ｄ）は単独で使用しても、２種以上併用してもよい。
【００５０】
（Ｄ）の内で、洗浄性の観点等から、グリコール及びグリコールエーテルが好ましく、更に好ましいのは、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル及びジエチレングリコールモノブチルエーテルである。
親水性溶剤（Ｄ）と界面活性剤（Ｂ）を併用する場合、（Ｄ）と（Ｂ）の重量比率｛（Ｄ）／（Ｂ）｝は、すすぎ時のリンス性の観点から、好ましくは、０．１〜１０、更に好ましくは、０．３〜５、特に好ましくは、０．５〜３である。
【００５１】
本発明の洗浄剤は、更に水を含有しても良い。本発明の洗浄剤に用いる水としては、水道水、工業用水、地下水、蒸留水、イオン交換水及び超純水などが挙げられ、特にイオン交換水（電気伝導率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（比抵抗値１８ＭΩ・ｃｍ以上）が好ましい。
【００５２】
本発明の洗浄剤は、本発明の洗浄剤の効果を損なわない範囲において、更に以下の（Ａ）以外のキレート剤（Ｅ）、還元剤（Ｆ）、分散剤（Ｇ）、３価以上の多価アルコール（Ｈ）及びその他の添加剤（Ｉ）からなる群から選ばれる１種以上の成分を含有もしてもよい。これらの内、洗浄性の観点から好ましいのは（Ｅ）、（Ｆ）及び（Ｈ）からなる群から選ばれる１種以上である。
【００５３】
（Ａ）以外のキレート剤（Ｅ）としては、アミノポリカルボン酸（塩）（Ｅ−１）｛例えば、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（ＴＴＨＡ）（塩）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（ＨＥＤＴＡ）（塩）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（ＤＨＥＤＤＡ）（塩）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）（塩）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）（塩）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、ヒドロキシイミノジコハク酸（塩）、ジヒドロキシエチルグリシン（塩）、アスパラギン酸（塩）及びグルタミン酸（塩）｝；
ヒドロキシカルボン酸（塩）（Ｅ−２）｛例えば、ヒドロキシ酢酸（塩）、酒石酸（塩）、クエン酸（塩）及びグルコン酸（塩）｝；
シクロカルボン酸（塩）（Ｅ−３）｛例えば、ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）及びシクロペンタンテトラカルボン酸（塩）｝；
エーテルカルボン酸（塩）（Ｅ−４）（例えば、カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート及び酒石酸ジサクシネート）；
その他のカルボン酸（塩）（Ｅ−５）｛例えば、マレイン酸誘導体及びシュウ酸（塩）｝；
縮合リン酸（塩）（Ｅ−６）｛例えば、メタリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）｝；等が挙げられる。
尚、これらの塩としては、上述のキレート剤（Ａ）で例示したものが挙げられる。またこれらは１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。
これらの内で、洗浄性能の観点から好ましいのは、（Ｅ−１）、（Ｅ−２）及び（Ｅ−６）であり、更に好ましいのは（Ｅ−１）及び（Ｅ−６）、特に好ましいのはエチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（ＤＨＥＤＤＡ）（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、アスパラギン酸（塩）、グルタミン酸（塩）、メタリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）、最も好ましいのはエチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）である。
【００５４】
還元剤（Ｆ）としては、有機還元剤（Ｆ−１）及び無機還元剤（Ｆ−２）が挙げられる。有機還元剤（Ｆ−１）としては、脂肪族有機還元剤（Ｆ−１ａ）、芳香族有機還元剤（Ｆ−１ｂ）、その他の有機還元剤（Ｆ−１ｃ）が挙げられる。
【００５５】
脂肪族有機還元剤（Ｆ−１ａ）としては、炭素数６〜９のアスコルビン酸（塩）［Ｌ−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、５，６−アルキリデン−Ｌ−アスコルビン酸｛５，６−イソプロピリデン−Ｌ−アスコルビン酸、５，６−（ブタン−２−イリデン）−Ｌ−アスコルビン酸及び５，６−（ペンタン−３−イリデン）−Ｌ−アスコルビン酸等｝、Ｌ−アスコルビン酸−６−カルボン酸エステル｛Ｌ−アスコルビン酸−６−酢酸エステル及びＬ−アスコルビン酸−６−プロパン酸エステル等｝、アスコルビン酸硫酸エステル、アスコルビン酸リン酸エステル、アスコルビン酸グルコシド、アスコルビン酸イソパルミネート及びこれらの塩等］が挙げられる。
【００５６】
芳香族有機還元剤（Ｆ−１ｂ）としては、炭素数６〜９の芳香族アミン（ｐ−フェニレンジアミン及びｐ−アミノフェノール等）及び炭素数６〜３０のフェノール化合物［３−ヒドロキシフラボン及びトコフェロール（α−、β−、γ−、δ−、ε−又はη−トコフェロール等）等の一価フェノール並びに３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ナフトレゾルシノール、ピロガロール及びフロログルシノール等のポリフェノール等］が挙げられる。
【００５７】
その他の有機還元剤（Ｆ−１ｃ）としては、リン系還元剤 （トリス‐２‐カルボキシエチルホスフィン等）、アルデヒド（ホルムアルデヒド及びアセトアルデヒド等）、ボラン系錯体（ボラン−ｔｅｒｔ−ブチルアミン錯体、ボラン−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン錯体及びボラン−トリメチルアミン錯体等）、チオール系還元剤（システイン及びアミノエタンチオール等）及びヒドロキシルアミン系還元剤（ヒドロキシルアミン及びジエチルヒドロキシルアミン等）等が挙げられる。
【００５８】
無機還元剤（Ｆ−２）としては、亜硫酸（塩）、チオ硫酸（塩）、亜リン酸（塩）、次亜リン酸（塩）、硫酸第１鉄、塩化第２スズ、水酸化シアノホウ素ナトリウム、水酸化ホウ素ナトリウム等が含まれる。
還元剤（Ｆ）が塩を形成する場合の塩としては、上記キレート剤（Ａ）の塩として例示したものと同様のカウンターカチオンを有する塩が挙げられる。
【００５９】
これらの還元剤（Ｆ）の内、洗浄剤のエッチング性コントロールの観点から、有機還元剤（Ｆ−１）が好ましく、更に好ましいのは脂肪族有機還元剤（Ｆ−１ａ）及びその他の有機還元剤（Ｆ−１ｃ）の内のチオール系還元剤、特に好ましいのはアスコルビン酸（塩）及びシステインである。
また、（Ｆ）は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６０】
分散剤（Ｇ）としては、従来から微粒子の分散剤として使用されているもの、例えば、多糖類及びその誘導体（ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩及びカチオン化デンプン等）及びポバール及びリン酸エステル｛フィチン酸、ジ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸及びトリ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸等｝が挙げられ、上記の（Ｂ−２ａ）も分散作用があるが、本発明においては分散剤（Ｇ）には含めない。
また、（Ｇ）は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６１】
３価以上の多価アルコール（Ｈ）としては、
（Ｈ−１）脂肪族多価アルコール（グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン及びペンタエリスリトール等）；
（Ｈ−２）（Ｈ−１）の脱水縮合物（ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン及びペンタグリセリン等）；
（Ｈ−３）糖類、例えば単糖類｛ペントース（アラビノース、キシロース、リボース、キシルロース及びリブロース等）、ヘキソース（グルコース、マンノース、ガラクトース、フルクトース、ソルボース及びタガトース等）、ヘプトース（セドヘプツロース等）等｝、二糖類（トレハロース、サッカロース、マルトース、セロビオース、ゲンチオビオース及びラクトース等）及び三糖類（ラフィノース及びマルトトリオース等）；
（Ｈ−４）糖アルコール（アラビトール、アドニトール、キシリトール、ソルビトール、マンニトール、ズルシトール等）；
（Ｈ−５）トリスフェノール（トリスフェノールＰＡ等）；
並びにこれらのＡＯ付加物（付加モル数１〜７モル）等が挙げられる。
また、（Ｈ）は単独で使用しても、２種以上併用してもよい。
【００６２】
（Ｈ）の内、基板の腐食防止効果の観点から、（Ｈ−１）、（Ｈ−２）、（Ｈ−３）及び（Ｈ−４）が好ましく、更に好ましいのはグリセリン、サッカロース及びソルビトールである。
【００６３】
その他の添加剤（Ｉ）としては、酸化防止剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、消泡剤、防腐剤及びハイドロトロープ剤等が挙げられる。
【００６４】
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤｛２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール及び２，４−ジメチル−６−ｔ−ブチルフェノール等｝、アミン系酸化防止剤｛モノオクチルジフェニルアミン及びモノノニルジフェニルアミン等のモノアルキルジフェニルアミン；４，４’−ジブチルジフェニルアミン及び４，４’−ジペンチルジフェニルアミン等のジアルキルジフェニルアミン；テトラブチルジフェニルアミン及びテトラヘキシルジフェニルアミン等のポリアルキルジフェニルアミン；α−ナフチルアミン及びフェニル−α−ナフチルアミン等のナフチルアミン等｝、硫黄系化合物｛フェノチアジン、ペンタエリスリトール−テトラキス−（３−ラウリルチオプロピオネート）及びビス（３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）スルフィド等｝並びにリン系酸化防止剤｛ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルジイソデシルホスフィト、ジフェニルジイソオクチルホスファイト及びトリフェニルホスファイト等｝等が挙げられる。
【００６５】
防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、炭素数２〜１０の炭化水素基を有するベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するチアゾール及び２−メルカプトベンゾチアゾール等の含窒素有機防錆剤；ドデセニルコハク酸ハーフエステル、オクタデセニルコハク酸無水物及びドデセニルコハク酸アミド等のアルキル又はアルケニルコハク酸；ソルビタンモノオレエート、グリセリンモノオレエート及びペンタエリスリトールモノオレエート等の多価アルコール部分エステル等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６６】
ｐＨ調整剤としては、無機酸（塩酸、硫酸、硝酸及びスルファミン酸等）並びに上記例示した無機アルカリ（Ｃ−４）等が挙げられ、これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６７】
緩衝剤としては、緩衝作用を有する有機酸、無機酸及びこれらの塩が挙げられる。有機酸としては、酢酸、ギ酸、グルコン酸、グリコール酸、酒石酸、フマル酸、レブリン酸、吉草酸、マレイン酸及びマンデル酸等が挙げられ、無機酸としては、リン酸及びホウ酸等が挙げられる。また、これらの酸の塩としては、上述のキレート剤（Ａ）で例示した塩と同様のものが挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６８】
消泡剤としては、シリコーン消泡剤｛ジメチルシリコーン、フルオロシリコーン及びポリエーテルシリコーン等を構成成分とする消泡剤等｝等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６９】
防腐剤としては、トリアジン誘導体｛ヘキサヒドロ−１，３，５−トリス（２−ヒドロキシエチル）−Ｓ−トリアジン等｝、イソチアゾリン誘導体｛１，２−ベンズイソチアゾリン−３−オン、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン及び５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン等｝、ピリジン誘導体｛ピリジン２−ピリジンチオール−１−オキサイド（塩）等｝、モルホリン誘導体｛４−（２−ニトロブチル）モルホリン及び４，４−（２−エチル−２−ニトロトリメチレン）−ジモルホリン等｝、ベンズイミダゾール誘導体｛２−（４−チアゾリル）ベンズイミダゾール等｝並びにその他の防腐剤［ポリ｛オキシエチレン（ジメチルイミノ）エチレン（ジメチルイミノ）エチレン｝ジクロライド、ｐ−クロロ−ｍ−キシレノール、フェノキシエタノール、フェノキシプロパノール、アセトキシジメチルジオキサン、イソプロピルメチルフェノール、テトラクロロイソフタロニトリル、ビスブロモアセトキシエタン、３−ヨード−２−プロピニルブチルカーバメート及び２−ブロモ−２−ニトロプロパン−１，３−ジオール等］等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７０】
ハイドロトロープ剤としては、トルエンスルホン酸（塩）、キシレンスルホン酸（塩）、クメンスルホン酸（塩）及び安息香酸（塩）等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。ハイドロトロープ剤が塩を形成する場合の塩としては、上記キレート剤（Ａ）の塩として例示したものと同様のカウンターカチオンを有する塩が挙げられる。
【００７１】
本発明の洗浄剤のｐＨ（２５℃）は、後述する洗浄液として使用される場合の有効成分濃度において、洗浄性と洗浄後基板の平坦性の観点から、Ｎｉ−Ｐメッキを施した磁気ディスク用アルミ基板に対しては、好ましくは２〜１３であり、特に好ましくは６〜１１、最も好ましくは８〜１０であり、磁気ディスク用ガラス基板に対しては、好ましくは２〜１４であり、特に好ましくは７〜１３、最も好ましくは１０〜１２である。ｐＨがこの範囲にあると、Ｎｉ−Ｐメッキを施したアルミ基板やガラス基板の平坦性を損ねることなく、適度なエッチング性を有し、また微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮し易くなる。尚、本発明における有効成分とは水以外の成分をいう。
【００７２】
本発明の洗浄剤におけるキレート剤（Ａ）及び任意成分（Ｂ）〜（Ｉ）の、洗浄剤の重量に基づく含有量は以下の通りである。
【００７３】
キレート剤（Ａ）の含有量は、洗浄性および平坦性の観点から、通常０．１〜１００％、好ましくは０．２〜５０％、更に好ましくは０．５〜２０％、特に好ましくは１〜１０％である。
界面活性剤（Ｂ）を含有する場合、その含有量は、洗浄性の観点から、０．１〜５０％が好ましく、更に好ましくは０．５〜１０％特に好ましくは１〜５％である。
アルカリ成分（Ｃ）を含有する場合、その含有量は、洗浄性の観点等から、好ましくは０．１〜２０％、更に好ましくは０．２〜１５％、特に好ましくは０．５〜１０％である。
親水性溶剤（Ｄ）を含有する場合、その含有量は、０．１〜８０％、更に好ましくは０．５〜５０％、特に好ましくは１〜３０％である。
【００７４】
（Ａ）以外のキレート剤（Ｅ）を含有する場合、その含有量は、洗浄性能の観点から、好ましくは０．０１〜１０％、更に好ましくは０．０５〜５％、特に好ましくは０．１〜３％である。
還元剤（Ｆ）を含有する場合、その含有量は、基板のエッチング性のコントロールの観点から、０．０１〜１０％が好ましく、更に好ましくは０．０２〜８％、特に好ましくは０．１〜５％である。
分散剤（Ｇ）を含有する場合、その含有量は、洗浄性能の観点から、好ましくは０．１〜１０％、更に好ましくは０．５〜８％、特に好ましくは１〜５％である。
３価以上の多価アルコール（Ｈ）を含有する場合、その含有量は、洗浄性能の観点から、好ましくは０．１〜３０％、更に好ましくは０．５〜２０％、特に好ましくは１〜１０％である。
【００７５】
その他の添加剤（Ｉ）を含有する場合、それぞれの添加剤の添加量は、酸化防止剤、キレート剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、還元剤及びハイドロトロープ剤が、好ましくは０．１〜１０％、更に好ましくは０．５〜８％、特に好ましくは１〜５％である。また消泡剤の添加量は好ましくは０．０１〜２％、更に好ましくは０．０２〜１．５％、特に好ましくは０．１〜１％である。また、その他の添加剤（Ｉ）の合計の含有量は、０．０１〜２０％、更に好ましくは０．０２〜１０％、特に好ましくは０．１〜８％である。
【００７６】
尚、前記の任意成分（Ｅ）〜（Ｉ）の間で、組成が同一で重複する場合は、それぞれの任意成分が該当する添加効果を奏する量を他の任意成分としての効果に関わりなく使用するのではなく、他の任意成分としての効果も同時に得られることをも考慮し、使用目的に応じて使用量を調整するものとする。
【００７７】
本発明の洗浄剤の有効成分の濃度は、使用時の作業性や運搬効率の観点から、通常０．１〜１００％、好ましくは１〜９０％、更に好ましくは２〜８０％、特に好ましくは５〜７５％である。従って、本発明の洗浄剤中の水の含有量は、通常０〜９９．９％、好ましくは１０〜９９％、更に好ましくは２０〜９８、特に好ましくは２５〜９５％である。
【００７８】
本発明の洗浄剤中のＮａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ，Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｎｉ及びＺｎ原子の各金属含有量は、磁気ディスク用基板の金属汚染防止性の観点から、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて２０ｐｐｍ以下が好ましく、更に好ましくは１０ｐｐｍ以下、特に好ましくは５ｐｐｍ以下である。
これらの金属原子の含有量の測定方法としては、公知の方法、例えば原子吸光法、ＩＣＰ発光分析法、ＩＣＰ質量分析法が利用できる。
【００７９】
本発明の磁気ディスク基板用洗浄液は、上記の洗浄剤を必要により水、特にイオン交換水（電気伝導率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（比抵抗値１８ＭΩ・ｃｍ以上）で希釈して洗浄工程で使用する洗浄液であり、有効成分濃度が０．０１〜１５％、好ましくは０．０５〜１０％である磁気ディスク基板用洗浄液である。尚、前記洗浄剤の有効成分濃度が１５％以下である場合は、そのままの濃度で洗浄液として使用してもよい。
【００８０】
洗浄液の電気伝導率（ｍＳ／ｃｍ）は、パーティクルの再付着防止性及びエッチング性の観点から、好ましくは０．２〜１０．０、より好ましくは０．５〜５．０、特に好ましくは０．７〜３．５である。
【００８１】
洗浄液の磁気ディスク基板に対する接触角（２５℃）は、通常３０°以下であり、好ましくは１〜１５°、更に好ましくは１〜８°である。接触角がこの範囲にあると、洗浄性の点から好ましい。尚、本発明における接触角は、例えば、全自動接触角計［協和界面科学（株）社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて測定することができる。
【００８２】
本発明の洗浄剤を必要により希釈して得られる上記洗浄液は、磁気ディスク用基板の洗浄に好適に使用でき、磁気ディスク用アルミ基板及びガラス基板に好適に使用できる。特にＮｉ−Ｐメッキを施したアルミ基板に対して優れた洗浄性を発揮することができる。
【００８３】
本発明の磁気ディスク基板の洗浄方法は、上記の洗浄液中で磁気ディスク基板を洗浄する洗浄方法である。
洗浄対象物（汚れ）は、油分（クーラント等）、人体からの汚れ（指紋、皮脂等）、可塑剤（ジオクチルフタレート等）、有機パーティクル等の有機物、無機パーティクル｛研磨剤（例えば、コロイダルシリカ、アルミナ、酸化セリウム、ダイヤモンド等）、研磨屑等｝等の無機物が挙げられる。
また、本発明の洗浄方法は、磁気ディスク基板がＮｉ−Ｐメッキを施したアルミ基板であると効果が特に発揮されやすい。
【００８４】
本発明の洗浄方法は、パーティクルの除去性に極めて優れていることから、磁気ディスクの製造工程の内、研磨剤又は研磨屑等のパーティクルが発生する工程や高度な清浄度が要求される工程で行うことが好ましく、研削工程後の洗浄工程、研磨工程後の洗浄工程、テクスチャリング工程後の洗浄工程及び／又は成膜工程（例えば、下地層、磁性層及び保護層等をスパッタリング装置により成膜する工程）前の洗浄工程での洗浄方法として適用することが好ましい。
前記研磨工程が、研磨剤としてアルミナ及び／又はシリカを用いる研磨工程である場合や前記テクスチャリング工程でダイヤモンドを用いる場合に、本発明の洗浄方法の効果が特に発揮されやすい。
【００８５】
本発明の洗浄方法における洗浄方式としては、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる少なくとも１種の洗浄方式が挙げられ、いずれの方式であっても本発明の洗浄方法の効果が発揮されやすい。
【００８６】
本発明の洗浄液を使用する際の洗浄温度（℃）としては、洗浄性の観点から、１０〜８０℃が好ましく、更に好ましくは１５〜７０、特に好ましくは２０〜６０である。
【００８７】
本発明の洗浄方法で洗浄された磁気ディスク基板に対する水の接触角（２５℃）は、好ましくは２０°以下であり、更に好ましくは１〜１５°、特に好ましくは５〜１０°である。接触角がこの範囲にあると、磁性膜等をスパッタにより形成する場合に均一な膜が形成でき、磁気特性の点から好ましい。
【００８８】
本発明の洗浄方法で洗浄した後の磁気ディスク基板表面の表面粗さ（Ｒａ）は、好ましくは０．５ｎｍ以下、更に好ましくは０．０１〜０．３ｎｍ、特に好ましくは０．０５〜０．２５ｎｍである。基板の表面粗さ（Ｒａ）がこの範囲にあると、磁気ディスク基板の記録密度の向上の観点から好ましい。
尚、磁気ディスク基板表面の表面粗さ（Ｒａ）は、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、Ｅ−ｓｗｅｅｐを用いて下記の条件により測定できる。
測定モード ：ＤＦＭ（タッピングモード）
スキャンエリア：１μｍ×１μｍ
走査線数 ：２５６本（Ｙ方向スキャン）
補正 ：Ｘ，Ｙ方向のフラット補正あり
【００８９】
本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、前記洗浄方法で磁気ディスク基板を洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。
【実施例】
【００９０】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。ポリマーのＧＰＣによる分子量の測定条件は前述の方法により測定した。尚、以下において超純水は比抵抗値が１８ＭΩ・ｃｍ以上のものを使用した。
【００９１】
［製造例１］
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアルコールを２００部（１．１モル部）、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（以下、ＴＭＡＨと略記）の２５％水溶液を１０部（０．０２７モル部）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。エチレンオキサイド（以下、ＥＯと略記）４３０部（９．８モル部）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成した。更に、２．６ｋＰａ以下の減圧下に、１５０℃で２時間撹拌して、残存するＴＭＡＨを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるラウリルアルコールＥＯ９モル付加物（Ｂ−１−１）６３０部を得た。
【００９２】
［製造例２］
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアミンを１８５部（１．０モル部）、２５％ＴＭＡＨ水溶液を３．６部（０．０１モル部）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。ＥＯ２６４部（６．０モル部）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成した。更に、２．６ｋＰａ以下の減圧下、１５０℃で２時間撹拌して、残存するＴＭＡＨを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるラウリルアミンＥＯ６モル付加物（Ｂ−１−２）４４５部を得た。
【００９３】
［製造例３］
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、クミルフェノールを２１２部（１．０モル部）、２５％ＴＭＡＨ水溶液を２．９部（０．００８モル部）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。ＥＯ３５２部（８．０モル部）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成した。更に、２．６ｋＰａ以下の減圧下、１５０℃で２時間撹拌して、残存するＴＭＡＨを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるクミルフェノールＥＯ８モル付加物（Ｂ−１−３）５６０部を得た。
【００９４】
［製造例４］
温度調節及び攪拌が可能な反応容器にイソプロピルアルコール３００部、超純水１００部を仕込み、窒素置換後、７５℃に昇温した。撹拌下で、アクリル酸の７５％水溶液４０７部及びジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレートの１５％イソプロピルアルコール溶液９５部を３．５時間かけて同時に滴下した。滴下終了後、７５℃で５時間撹拌した後、系内が固化しないように超純水を間欠的に投入し、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去した。得られたポリアクリル酸水溶液をＤＢＵ（約４５０部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリアクリル酸ＤＢＵ塩（Ｂ−２−１）の４０％水溶液を得た。尚、（Ｂ−２−１）のＭｗは１０，０００であった。
【００９５】
［製造例５］
温度調節及び還流が可能な攪拌付き反応容器にエチレンジクロライド１００部を仕込み、攪拌下、窒素置換した後に９０℃まで昇温し、エチレンジクロライドを還流させた。スチレン１２０部と、予め２，２’−アゾビスイソブチロニトリル１．７部をエチレンジクロライド２０部に溶かした開始剤溶液を、それぞれ別々に６時間かけて反応容器内に滴下し、滴下終了後更に１時間重合を行った。重合後、窒素シール下で２０℃に冷却した後、温度を２０℃にコントロールしながら無水硫酸１０５部を１０時間かけて滴下し、滴下終了後更に３時間スルホン化反応させた。反応後、溶媒を留去し固化させた後、超純水３４５部を投入して溶解し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を得た。得られたポリスチレンスルホン酸水溶液を２５％ＴＭＡＨ水溶液（約４００部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリスチレンスルホン酸トリメチルアンモニウム塩（Ｂ−２−２）の４０％水溶液を得た。尚、（Ｂ−２−２）のＭｗは、４０，０００、スルホン化率は９７％であった。
【００９６】
［製造例６］
攪拌付き反応容器にナフタレンスルホン酸２１部、超純水を１０部仕込み、撹拌下、系内の温度を８０℃に保ちながら、３７％ホルムアルデヒド８部を３時間かけて滴下した。滴下終了後、１０５℃に昇温して２５時間反応した後、室温（約２５℃）まで冷却して水浴中、２５℃に調整しながらＤＢＵを徐々に加え、ｐＨ６．５に調製した（ＤＢＵ約１５部使用）。超純水を加えて固形分を４０％に調整して、アニオン性界面活性剤であるナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のＤＢＵ塩（Ｂ−２−３）の４０％水溶液を得た。尚、（Ｂ−２−３）のＭｗは、５，０００であった。
【００９７】
［製造例７］
アクリル酸の７５％水溶液４０７部の代わりに、アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸２２７部、アクリル酸７８部及び超純水１３１部からなる７０％モノマー水溶液４３６部を使用したこと以外は、製造例４と同様に重合して、アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体水溶液を得た。得られたアクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体水溶液に、温度をを２５℃に制御しながらＤＢＵを徐々に加えてｐＨ６．５に調製して（ＤＢＵ約２８０部使用）超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるアクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体ＤＢＵ塩（Ｂ−２−４）の４０％水溶液を得た。尚、（Ｂ−２−４）のＭｗは８，０００であった。
【００９８】
［製造例８］
アクリル酸の７５％水溶液４０７部の代わりに、メタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステルナトリウム塩の５０％水溶液［三洋化成（株）社製、エレミノールＲＳ−３０］３２０部及びアクリル酸１４５部からなる６５％モノマー水溶液４６５部を使用したこと以外は、製造例４と同様に重合して、メタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステルナトリウム塩／アクリル酸共重合体水溶液を得た。得られた共重合体水溶液を固形分濃度が１０％になるように超純水で希釈した後、陽イオン交換樹脂「アンバーライトＩＲ−１２０Ｂ」（オルガノ株式会社製）を用いて、溶液中のナトリウムイオンが１ｐｐｍ以下になるまで除去した。尚、ナトリウム含量はＩＣＰ発光分析装置（ＶＡＲＩＡＮ社製、Ｖａｒｉａｎ７３０−ＥＳ）を用いて測定した。得られたメタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体水溶液に、温度を２５℃に制御しながら２５％ＴＭＡＨ水溶液（約６００部）を徐々に加えてｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるメタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体テトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−２−５）の１０％水溶液を得た。尚、（Ｂ−２−５）のＭｗは９，０００であった。
【００９９】
［製造例９］
オクチルベンゼンスルホン酸１３６部、超純水２４５部をビーカーに仕込み、均一になるまで溶解した。得られたオクチルベンゼンスルホン酸水溶液にＤＢＮ（約６５部）を徐々に加えてｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるオクチルベンゼンスルホン酸ＤＢＮ塩（Ｂ−２−６）の４０％水溶液を得た。
【０１００】
［製造例１０］
オクタン酸１４４部、超純水３００部をビーカーに仕込み、均一になるまで溶解した。得られたオクタン酸水溶液にジエタノールアミン（約１０５部）を徐々に加えてｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるオクタン酸ジエタノールアミン塩（Ｂ−２−７）の４０％水溶液を得た。
【０１０１】
［実施例１〜１６］、［比較例１〜７］
表１又は表２に記載の各配合成分を、表１又は表２に記載の配合部数（但し、表１及び表２では有効成分換算で表示）用いて、ビーカー中で室温（約２５℃）下、均一撹拌・混合して実施例１〜１６及び比較例１〜７の洗浄剤を作製した。
得られた洗浄剤を超純水で１０倍希釈して洗浄液として、以下の方法でｐＨ、洗浄性−１、洗浄性−２、表面平坦性−１、溶出したＮｉ含量（エッチング性）、洗浄後基板の接触角−１、洗浄液の接触角−１及びリンス性評価−１を測定又は評価した結果を表１又は表２に示す。
【０１０２】
［実施例１７〜２５］、［比較例８〜１１］
表３に記載の各配合成分を、表３に記載の配合部数（但し、表３では有効成分換算で表示）用いて、ビーカー中で室温（約２５℃）下、均一撹拌・混合して実施例１７〜２５及び比較例８〜１１の洗浄剤を作製した。
得られた洗浄剤を超純水で１０倍希釈して洗浄液として、以下の方法でｐＨ、洗浄性−３、洗浄性−４、表面平坦性−２、洗浄後基板の接触角−２、洗浄液の接触角−２及びリンス性評価−２を測定又は評価した結果を表３に示す。
【０１０３】
尚、表１〜表３中のキレート剤（Ａ）、非イオン性界面活性剤（Ｂ−１）、アルカリ成分（Ｃ）、親水性溶剤（Ｄ）及び（Ａ）以外のキレート剤（Ｅ）の略号は下記の通りである。
ＥＤＴＭＰ：エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）
ＣＤＴＭＰ：シス−１，２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）
ＤＴＰＭＰ：ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）
ＰＥ７４：ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール｛ニューポールＰＥ−７４、三洋化成工業（株）製｝
ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド
ＴＥＡ：トリエタノールアミン
ＤＢＵ：１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン
ＤＥＧＭ：ジエチレングリコールモノメチルエーテル
ＴＥＧＭ：トリエチレングリコールモノメチルエーテル
ＥＤＴＡ：エチレンジアミンテトラ酢酸
ＮＴＡ：ニトリロ三酢酸
ＨＥＤＰ：１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸
ＮＴＭＰ：ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）
また、表１〜表３に記載の超純水の量は、製造例１〜１０で得た界面活性剤（Ｂ−１−１）〜（Ｂ−２−７）の水溶液中の超純水を含む量である。
【０１０４】
＜ｐＨの測定方法＞
洗浄液のｐＨを２５℃でｐＨメーター（堀場製作所社製、Ｍ−１２）で測定した。
【０１０５】
＜洗浄性−１の評価方法＞
研磨剤として市販のコロイダルシリカスラリー（粒径約３０ｎｍ）及び研磨布を用いて、３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板を研磨した後、超純水で表面をリンス、窒素でブローすることにより、汚染基板を作製した。洗浄液１，０００部をガラス製ビーカーにとり、作製した汚染基板を浸漬し、超音波洗浄機（２００ｋＨｚ）内で、３０℃、５分間の洗浄を行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で十分にリンスを行った後、窒素ガスでブローして乾燥し、下記の評価基準に従い、基板表面の洗浄性を表面観察装置（ＶＩＳＩＯＮ ＰＳＹＴＥＣ社製、ＶＭＸ−４１００Ｎａｐｉｅｒ）で評価した。尚、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，００（ＨＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
◎：ほぼ完全に除去できている。
○：ほとんど洗浄できている。
△：若干粒子が残留している。
×：ほとんど洗浄できていない。
【０１０６】
＜洗浄性−２の評価方法＞
研磨剤として市販のアルミナスラリー（粒径約０．４μｍ）を用いた以外は、洗浄性−１と同様にして評価した。
【０１０７】
＜洗浄性−３の評価方法＞
研磨剤として酸化セリウムスラリー（粒径約１μｍ）を用い、また磁気ディスク用基板として２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板を用いた以外は洗浄性−１と同様にして評価した。
【０１０８】
＜洗浄性−４の評価方法＞
磁気ディスク用基板として２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板を用いた以外は洗浄性−１と同様にして評価した。
【０１０９】
＜表面平坦性−１の評価方法＞
２０ｍｌのガラス製容器に洗浄液を１０ｍｌ採り、３０℃に温調した後、Ｎｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板を２ｃｍ×２ｃｍの大きさにカットした基板を入れ、３０℃で２０分間浸漬した後、ピンセットを用いて基板を取り出し、超純水で十分にリンスして洗浄液を除去した後、室温下（２５℃）、窒素でブローして基板を乾燥した。乾燥した基板表面の表面粗さ（Ｒａ）を原子間力顕微鏡（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、Ｅ−Ｓｗｅｅｐ）を用いて測定し、表面平坦性を評価した。尚、試験前の基板の表面粗さ（Ｒａ）は、０．１２ｎｍであった。
【０１１０】
＜表面平坦性−２の評価方法＞
基板として磁気ディスク用ガラス基板を用いた以外は、表面平坦性−２と同様に評価した。尚、試験前の基板の表面粗さ（Ｒａ）は、０．１０ｎｍであった。
【０１１１】
＜溶出したＮｉ含量（エッチング性）の評価方法＞
ポリプロピレン製容器に洗浄液１００部を採り、その中に３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板１枚を入れ、上部をポリ塩化ビニリデン製薄膜フィルムでラッピングして水分が蒸発しないように密閉し、２３℃に温調された室内で１２時間静置した。静置後、洗浄液を採取し、ＩＣＰ発光分析装置（ＶＡＲＩＡＮ社製、Ｖａｒｉａｎ７３０−ＥＳ）で洗浄液中のＮｉ含量を測定した。尚、予め試験前の洗浄液についても同様にＮｉ含量を測定しておき、その差を求めることで試験中に溶出したＮｉ含量（ｐｐｍ）を求めた。この溶出したＮｉ含量が多いほど、エッチング性が高い。
【０１１２】
＜洗浄後基板の接触角−１の測定方法＞
上記洗浄性−１で評価した直後の基板について全自動接触角計［協和界面科学（株）社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて、水に対する接触角（２５℃、１秒後）を測定した。
【０１１３】
＜洗浄後基板の接触角−２の測定方法＞
上記洗浄性−３で評価した直後の基板について全自動接触角計［協和界面科学（株）社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて、水に対する接触角（２５℃、１秒後）を測定した。
【０１１４】
＜洗浄液の接触角−１の測定方法＞
３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板に対する各洗浄液の接触角（２５℃、１秒後）を、全自動接触角計［協和界面科学（株）社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて測定した。
【０１１５】
＜洗浄液の接触角−２の測定方法＞
２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板に対する各洗浄液の接触角（２５℃、１秒後）を、全自動接触角計［協和界面科学（株）社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて測定した。
【０１１６】
＜リンス性評価−１の評価方法＞
ガラス製ビーカーに洗浄液１００部を採り、その中に３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板１枚を入れ、５分間静置した。静置後、基板を取り出し、自然乾燥した。乾燥した基板を、予めガラス製ビーカーに採っておいた超純水１，０００部に５秒間浸積した後に直ちに取り出し自然乾燥した。下記の評価基準に従い、基板表面の洗浄剤残渣を表面観察装置（ＶＩＳＩＯＮ ＰＳＹＴＥＣ社製、ＶＭＸ−４１００Ｎａｐｉｅｒ）で評価した。尚、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１００（ＨＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。また洗浄液、超純水は予め２３℃に温調したものを用いた。
◎：ほとんど残留物無し。
○：ほとんど残留物ないが、微かに残留物が認められる。。
△：僅かに残留物がある。
×：残留物多い。
【０１１７】
＜リンス性評価−２の評価方法＞
基板として２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板を用いた以外は、リンス性評価−１と同様に評価した。
【０１１８】
【表１】
【０１１９】
【表２】
【０１２０】
【表３】
【０１２１】
表１〜表３から、本発明の洗浄剤は、洗浄後の磁気ディスク用基板表面に付着するパーティクルの除去性が極めて優れることがわる。また、適度なエッチング性を有するが、洗浄後の基板表面の平坦性にほとんど変化が無いことから、洗浄時に基板表面荒れを引き起こす心配がなく、基板表面に強固に付着したパーティクルについても非常に有効であることがわる。更に、本発明の洗浄剤は、洗浄後の基板表面の水の接触角を低くできることから、極めて清浄な基板表面を実現できるといった効果やリンス性が高いといった効果も奏することがわる。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
本発明の洗浄剤は、磁気ディスク基板上のパーティクルの洗浄性に優れているため、磁気ディスク基板（アルミ基板及びガラス基板等）を製造する工程の洗浄剤として有効に使用することができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク基板用洗浄剤に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク用基板の洗浄技術において、近年の磁気ディスクの高記録密度化に伴い、製造時における基板上に残存する微量のパーティクルや不純物が磁気ディスクの性能や歩留まりに大きく影響するため、その管理が極めて重要になってきている。特に洗浄の対象となるパーティクルがより微粒子化してきており、従来以上に更に界面へ付着し、残存しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。
このため、これらのパーティクルによる汚染を防止する方法として、界面活性剤を用いて、パーティクルの除去性を向上させる方法が提案されている（特許文献−１及び２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献−１】特開平１１−４３７９１号公報
【特許文献−２】特開２００２−２１２５９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、近年、磁気ディスク用基板の内、特にアルミ基板においては、基板表面に非磁性層であるＮｉ−Ｐメッキを施し、その後アルミナスラリー及び／又はコロイダルシリカで研磨して鏡面仕上げする工程並びにその後必要によりにダイヤモンドスラリー等を用いて基板表面をテクスチャリングする工程があるが、その際にこれらの研磨剤や研磨屑が基板表面に強固に付着し、洗浄工程で十分に除去できないといった問題がある。これらの研磨剤や研磨屑に代表されるパーティクルは、基板表面に強固に付着しているため、これらを十分に除去するためには、基板表面を僅かにエッチングし、パーティクルを液中に分散させ、更に液中に分散したパーティクルを基板表面に再付着しないようにする必要がある。しかし、上記特許文献−１では、研磨剤に対する吸着量が５ｍｇ／ｍ2以上、数平均分子量が１００，０００以上の凝集剤及び界面活性剤を含有し、１０ｖｏｌ％水溶液の表面張力が３０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下である洗浄剤組成物を用い、洗浄対象となる研磨剤微粒子を凝集させ、粗大化させることで再付着を防止する方法が提案されているが、粗大化した粒子が僅かに基板表面に付着した場合でも深刻な問題を引き起こす恐れがあることや、具体的な成分配合については記載されていない。また、上記特許文献−２で提案されている方法は、アニオン性界面活性剤を用いることで、パーティクルの再付着防止効果はある程度改善できるもののエッチング性がほとんど無いため、パーティクル除去性が不十分であり、洗浄性が不十分であるという問題があった。
【０００５】
従って、本発明の目的は、磁気ディスク基板表面の平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を有すると共に基板表面から脱離したパーティクルの分散性も良好であり、優れたパーティクルの除去性を実現し、製造時における歩留まり率の向上や短時間での洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは上記課題を解決する磁気ディスク基板用洗浄剤を得るべく鋭意検討した結果、洗浄剤中に特定のキレート剤を含有させることにより、パーティクル除去性が著しく向上することを見出し、本発明に到達した。
【０００７】
すなわち本発明は、分子内に少なくとも４個のホスホン酸基を有するキレート剤（Ａ）を含有してなる磁気ディスク基板用洗浄剤、該磁気ディスク基板用洗浄剤を含有し、有効成分濃度が０．０１〜１５重量％である磁気ディスク基板用洗浄液、該洗浄液を用いて磁気ディスク基板を洗浄する磁気ディスク基板の洗浄方法及び該洗浄方法で磁気ディスク基板を洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の洗浄剤は、磁気ディスクの製造工程において問題となる微細なパーティクルの洗浄性に優れ、基板にダメージを与えることなく短時間かつ効率的な洗浄ができるという効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の洗浄剤に用いる分子内に少なくとも４個のホスホン酸基を有するキレート剤（Ａ）としては、分子内に４個のホスホン酸基を有する低分子化合物（Ａ−１）｛エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、シス−１，２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びグリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）等｝；分子内に５個のホスホン酸基を有する低分子化合物（Ａ−２）｛ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、３，３’−ジアミノジプロピルアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）等｝； 分子内に６個のホスホン酸基を有する低分子化合物（Ａ−３）｛トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリス（２−アミノエチル）アミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリス（２−アミノプロピル）アミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）等｝；分子内に７個以上のホスホン酸基を有する低分子化合物（Ａ−４）｛テトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）、ペンタエチレンヘキサミンオクタ（メチレンホスホン酸）（塩）及びヘキサメチレンテトラミンオクタ（メチレンホスホン酸）（塩）等｝等が挙げられる。
【００１０】
これらの中で、Ｎｉ−Ｐメッキを施した基板やガラス基板の平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を有することで微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮し、また、すすぎ時のリンス性に優れるといった観点から、好ましいのは（Ａ−１）、（Ａ−２）及び（Ａ−３）、更に好ましいのはエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、シス−１，２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）及びトリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、特に好ましいのはエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）である。
【００１１】
キレート剤（Ａ）が塩を形成する場合、その塩としては、特に限定は無いが、例えば、上記（Ａ）として例示した酸の１級アミン（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）塩、２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）塩、３級アミン｛トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン並びに１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（以下、ＤＡＢＣＯと略記）等｝塩、アミジン｛１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記）及び１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（以下、ＤＢＮと略記）、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等｝塩、アルカリ金属（ナトリウムカチオン及びカリウムカチオン等）塩、アンモニウム塩及び第４級アンモニウム（テトラアルキルアンモニウム等）塩が挙げられる。
【００１２】
本発明のキレート剤（Ａ）は単独で用いても、２種以上併用してもよい。また、（Ａ）は、分子内に４個以上のホスホン酸基を有することで、洗浄した後のすすぎ時のリンス性が非常に優れるといった特長も有する。
【００１３】
本発明の洗浄剤は、洗浄性の観点から、上記キレート剤（Ａ）の他に、界面活性剤（Ｂ）を含有することが好ましい。（Ｂ）を含有するとパーティクルの再付着防止性等の洗浄性が更に向上する。
【００１４】
（Ｂ）としては、非イオン性界面活性剤（Ｂ−１）、アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）、カチオン性界面活性剤（Ｂ−３）及び両性界面活性剤（Ｂ−４）が挙げられる。
【００１５】
非イオン性界面活性剤（Ｂ−１）としては、アルキレンオキサイド［エチレンオキサイド、１，２−又は１，３−プロピレンオキサイド及び１，２−、１，３−、２，３−又は１，４−ブチレンオキサイド等：以下ＡＯと略記］付加型非イオン性界面活性剤（Ｂ−１ａ）及び多価アルコール型非イオン界面活性剤（Ｂ−１ｂ）等が挙げられる。
【００１６】
（Ｂ−１ａ）としては、高級アルコール（炭素数８〜１８）ＡＯ付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）、アルキル（炭素数１〜１２）フェノールＡＯ付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）、脂肪酸（炭素数８〜１８）ＡＯ付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）、脂肪族アミン（炭素数６〜２４）のＡＯ付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）、ポリプロピレングリコール（水酸基価に基づく平均分子量２００〜６，０００）ＡＯ付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜５００；例えばポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール）、ポリオキシエチレン（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）アルキル（炭素数１〜２０）アリルエーテル並びにソルビタンモノラウレートＡＯ付加物（付加モル数１〜３０）及びソルビタンモノオレートＡＯ付加物（付加モル数１〜３０）等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステルＡＯ付加物（活性水素１個あたりの付加モル数１〜３０）等が挙げられる。
【００１７】
（Ｂ−１ｂ）としては、グリセリンモノステアレート、グリセリンモノオレート、ソルビタンモノラウレート及びソルビタンモノオレート等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステル並びにラウリン酸モノエタノールアミド及びラウリン酸ジエタノールアミド等の脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。
【００１８】
（Ｂ−１）の内、洗浄性の観点から、好ましいのは（Ｂ−１ａ）であり、更に好ましいのは高級アルコール（炭素数１０〜１６）ＡＯ付加物（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）、アルキル（炭素数１〜１２）フェノールＡＯ付加物（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）、脂肪族アミン（炭素数８〜１８）のＡＯ付加物（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）及びポリプロピレングリコール（水酸基価に基づく平均分子量２００〜６，０００）エチレンオキサイド付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜５００）である。
【００１９】
アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）としては、高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ａ）及び低分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ｂ）が挙げられる。
【００２０】
高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ａ）としては、スルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、ホスホン酸（塩）基、リン酸エステル（塩）基及びカルボン酸（塩）基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基と、メチレン基以外の１種又は２種以上の繰り返し単位を分子内に２個以上有し、重量平均分子量（以下、Ｍwと略記）が３００〜８００，０００であるか又は縮合度が２以上であるアニオン性界面活性剤が挙げられる。
本発明におけるＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略記）によって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として４０℃で測定される。例えば、装置本体：ＨＬＣ−８１２０（東ソー株式会社製）、カラム：東ソー株式会社製ＴＳＫｇｅｌ α６０００、Ｇ３０００ ＰＷＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．５％酢酸ソーダ・水／メタノール（体積比７０／３０）、溶離液流量：１．０ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：０．２５％の溶離液溶液、注入量：２００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＴＡＮＤＡＲＤ ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＯＸＩＤＥ、データ処理ソフト：ＧＰＣ−８０２０ｍｏｄｅｌII（東ソー株式会社製）等の機器及び条件で測定される。
上記及び以下において、特に規定しない限り、％は重量％を表す。
（Ｂ−２ａ）の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【００２１】
（Ｂ−２ａ−１）スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ｛２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸｝、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体及び２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／（メタ）アクリル酸共重合体等の重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の縮合物並びにこれらの塩等；
【００２２】
（Ｂ−２ａ−２）硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝の硫酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル｝及び（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体等の重合体、セルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースの硫酸エステル化物等のセルロース誘導体並びにこれらの塩等；
【００２３】
（Ｂ−２ａ−３）ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸｝及び２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸共重合体等の重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の縮合物並びにこれらの塩等；
【００２４】
（Ｂ−２ａ−４）リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のリン酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル｝及び（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル／アクリル酸共重合体等の重合体、セルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースのリン酸エステル化物等のセルロース誘導体並びにこれらの塩等；
【００２５】
（Ｂ−２ａ−５）カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体及びポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のカルボキシメチル化物等の重合体、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物及び安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の縮合物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース及びカルボキシメチルエチルセルロース等のセルロース誘導体並びにこれらの塩等；が挙げられる。
【００２６】
（Ｂ−２ａ）が塩を形成する場合の塩としては、特に限定は無いが、例えば、上記キレート剤（Ａ）の塩として例示したものと同様のカウンターカチオンを有する塩が挙げられる。これらの塩の中で、基板への金属汚染防止の観点から、好ましいのは１級アミン塩、２級アミン塩、３級アミン塩、アミジン塩、アンモニウム塩及び第４級アンモニウム塩であり、特に好ましいのは３級アミン塩、アミジン塩及び第４級アンモニウム塩である。
【００２７】
（Ｂ−２ａ）が重合体又はセルロース誘導体の場合、そのＭｗは、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、通常３００〜８００，０００、好ましくは６００〜４００，０００、更に好ましくは１，０００〜８０，０００、特に好ましくは２，０００〜４０，０００である。
また、（Ｂ−２a)が縮合物の場合、その縮合度は、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、通常２〜２００、更に好ましくは３〜１００、特に好ましくは３〜５０である。
【００２８】
低分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ｂ）としては、分子内にメチレン基以外の繰り返し単位を有しないスルホン酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−１）、硫酸エステル系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−２）、脂肪酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−３）及びリン酸エステル系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−４）等が挙げられる。
【００２９】
スルホン酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−１）としては、炭素数６〜２４のアルコールのスルホコハク酸モノ又はジエステル（塩）、炭素数８〜２４のα−オレフィンのスルホン酸化物（塩）、炭素数８〜１４のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸（塩）及び石油スルホネート（塩）等が挙げられる。
【００３０】
硫酸エステル系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−２）としては、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールの硫酸エステル（塩）、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのＡＯ１〜１０モル付加物の硫酸エステル（塩）、硫酸化油（塩）、硫酸化脂肪酸エステル（塩）及び硫酸化オレフィン（塩）等が挙げられる。
【００３１】
脂肪酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−３）としては、炭素数８〜１８の脂肪酸（塩）及び炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸（塩）等が挙げられる。
【００３２】
リン酸エステル系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−４）としては、炭素数８〜２４の高級アルコールの燐酸モノ又はジエステル（塩）及び炭素数８〜２４の高級アルコールのＡＯ付加物の燐酸モノ又はジエステル（塩）等が挙げられる。
【００３３】
（Ｂ−２ｂ−１）、（Ｂ−２ｂ−２）、（Ｂ−２ｂ−３）及び（Ｂ−２ｂ−４）が塩を形成する場合の塩としては、特に限定は無いが、例えば、上記キレート剤（Ａ）の塩として例示したものと同様のカウンターカチオンを有する塩が挙げられる。
【００３４】
アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）の内好ましいのは、再付着防止性の観点から高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ａ）であり、高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ａ）を使用する場合は、更に必要により低分子型スルホン酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−１）、硫酸エステル系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−２）及び脂肪酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−３）から選ばれる１種以上を併用してもよい。
【００３５】
カチオン性界面活性剤（Ｂ−３）としては、４級アンモニウム塩型の界面活性剤（Ｂ−３ａ）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）トリメチルアンモニウム塩、ジアルキル（炭素数１〜３０）ジメチルアンモニウム塩、窒素環含有第４級アンモニウム塩、ポリ（付加モル数２〜１５）オキシアルキレン（炭素数２〜４）鎖含有第４級アンモニウム塩及びアルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜１０）ジアルキル（炭素数１〜４）メチルアンモニウム塩｝及びアミン系界面活性剤（Ｂ−３ｂ）｛例えば、炭素数３〜９０の脂肪族３級アミン、炭素数３〜９０の脂環式（含窒素ヘテロ環を含む）３級アミン及び炭素数３〜９０のヒドロキシアルキル基含有３級アミンの無機酸塩又は有機酸塩｝等が挙げられる。
【００３６】
両性界面活性剤（Ｂ−４）としては、ベタイン型両性界面活性剤（Ｂ−４ａ）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜４）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）ジヒドロキシアルキル（炭素数１〜３０）ベタイン及びスルフォベタイン型｝、アミノ酸型両性界面活性剤（Ｂ−４ｂ）｛例えば、アラニン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノプロピオン酸型及びアルキル（炭素数１〜３０）イミノジプロピオン酸型］及びグリシン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノ酢酸型等］｝及びアミノスルホン酸塩型両性界面活性剤（Ｂ−４ｃ）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）タウリン型両性界面活性剤｝等が挙げられる。
【００３７】
界面活性剤（Ｂ）の内、パーティクルの再付着防止の観点から好ましいのは、非イオン性界面活性剤（Ｂ−１）、アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）及び（Ｂ−１）と（Ｂ−２）の併用であり、更に好ましいのは（Ｂ−２）である。併用の場合の（Ｂ−１）と（Ｂ−２）の重量比率｛（Ｂ−１）／（Ｂ−２）｝は、洗浄性及び起泡性の観点から好ましくは、５以下、更に好ましくは０．００１〜２、特に好ましくは０．０１〜１．５である。
【００３８】
本発明の洗浄剤は、更に、アルカリ成分（Ｃ）を含有してもよい。
アルカリ成分（Ｃ）を含有することにより、パーティクルに対する洗浄性が更に向上する。
（Ｃ）としては、一般式（２）で表される第４級アンモニウム塩（Ｃ−１）、アンモニア（Ｃ−２）、炭素数１〜１２の脂肪族アミン（Ｃ−３）、無機アルカリ（Ｃ−４）及びこれらの混合物が挙げられる。
【００３９】
【化１】
【００４０】
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して炭素数１〜２４のアルキル基又は−（Ｒ5Ｏ）ｒ−Ｈで表される基であり、Ｒ5は炭素数２〜４のアルキレン基、ｒは１〜６の整数を表す。
炭素数１〜２４のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコシル、ヘキコシル、ドコシル、トリコシル及びテトラコシル基等が挙げられる。
炭素数２〜４のアルキレン基としては、エチレン、１，２−又は１，３−プロピレン及び１，２−、１，３−、２，３−又は１，４−ブチレン等が挙げられる。ｒは、すすぎ時のリンス性の観点から、１〜３が好ましい。
【００４１】
（Ｃ−１）の具体例としては、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、エチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラヘキシルアンモニウムハイドロキサイド、ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロキサイド、ジヒドロキシエチルジメチルアンモニウムハイドロキサイド及びトリヒドロキシエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド等が挙げられる。
【００４２】
炭素数１〜１２の脂肪族アミン（Ｃ−３）としては、炭素数１〜６のアルキルアミン、炭素数２〜６のアルカノールアミン、炭素数２〜５のアルキレンジアミン、環状アミン、アミジン化合物及びポリ（ｎ＝２〜６）アルキレン（炭素数２〜７）ポリ（ｎ＝３〜６）アミン等が挙げられる。
【００４３】
炭素数１〜６のアルキルアミンとしては、炭素数１〜６のモノアルキルアミン｛メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン及びヘキシルアミン等｝及び炭素数２〜６のジアルキルアミン｛ジメチルアミン、エチルメチルアミン、メチルプロピルアミン、ブチルメチルアミン、ジエチルアミン、エチルプロピルアミン及びジイソプロピルアミン等｝が挙げられる。
【００４４】
炭素数２〜６のアルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、 ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、モノ−ｎ−プロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジ−ｎ−プロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリ−ｎ−プロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、Ｎ−（アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエタノール及び２−（２−アミノエトキシ）エタノール等が挙げられる。
【００４５】
炭素数２〜５のアルキレンジアミンとしては、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、プロピレンジアミン、テトラメチレンジアミン及びヘキサメチレンジアミン等が挙げられる。
【００４６】
環状アミンとしては、ピペリジン、ピペラジン及びＤＡＢＣＯ等が挙げられる。
アミジン化合物としては、ＤＢＵ、及びＤＢＮ等が挙げられる。
ポリ（ｎ＝２〜６）アルキレンポリ（ｎ＝３〜７）アミンとしては、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ヘキサメチレンヘプタミン、イミノビスプロピルアミン及びビス（ヘキサメチレン）トリアミン等が挙げらる。
【００４７】
無機アルカリ（Ｃ−４）としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等が挙げられる。
【００４８】
（Ｃ）の内、洗浄性の観点から、第４級アンモニウム塩（Ｃ−１）、炭素数１〜１２の脂肪族アミン（Ｃ−３）及びこれらの併用が好ましく、更に好ましいのはテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、エチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノ−ｎ−プロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、ＤＢＵ、ＤＢＮ及びこれらの併用である。
【００４９】
本発明の洗浄剤は、更に、親水性溶剤（Ｄ）を含有してもよい。親水性溶剤（Ｄ）としては、２０℃における水に対する溶解度［（Ｄ）／１００ｇＨ2Ｏ］が３以上、好ましくは１０以上の有機溶剤が挙げられる。
（Ｄ）としては、例えば、スルホキシド（ジメチルスルホキシド等）；スルホン｛ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、スルホラン、３−メチルスルホラン及び２，４−ジメチルスルホラン等｝；アミド｛Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド等｝；ラクタム｛Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン及びＮ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン等｝；ラクトン｛β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン及びδ−バレロラクトン等｝；アルコール｛メタノ−ル、エタノ−ル及びイソプロパノ−ル等｝；グリコール及びグリコールエーテル｛エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル及びトリエチレングリコールジエチルエーテル等｝；オキサゾリジノン（Ｎ−メチル−２−オキサゾリジノン及び３，５−ジメチル−２−オキサゾリジノン等）；ニトリル（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル及びメタクリルニトリル等）；カーボネート（エチレンカーボネート及びプロピオンカーボネート等）；ケトン（アセトン、ジエチルケトン、アセトフェノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン及びジアセトンアルコール等）；環状エーテル（テトラヒドロフラン及びテトラヒドロピラン等）等が挙げられる。（Ｄ）は単独で使用しても、２種以上併用してもよい。
【００５０】
（Ｄ）の内で、洗浄性の観点等から、グリコール及びグリコールエーテルが好ましく、更に好ましいのは、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル及びジエチレングリコールモノブチルエーテルである。
親水性溶剤（Ｄ）と界面活性剤（Ｂ）を併用する場合、（Ｄ）と（Ｂ）の重量比率｛（Ｄ）／（Ｂ）｝は、すすぎ時のリンス性の観点から、好ましくは、０．１〜１０、更に好ましくは、０．３〜５、特に好ましくは、０．５〜３である。
【００５１】
本発明の洗浄剤は、更に水を含有しても良い。本発明の洗浄剤に用いる水としては、水道水、工業用水、地下水、蒸留水、イオン交換水及び超純水などが挙げられ、特にイオン交換水（電気伝導率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（比抵抗値１８ＭΩ・ｃｍ以上）が好ましい。
【００５２】
本発明の洗浄剤は、本発明の洗浄剤の効果を損なわない範囲において、更に以下の（Ａ）以外のキレート剤（Ｅ）、還元剤（Ｆ）、分散剤（Ｇ）、３価以上の多価アルコール（Ｈ）及びその他の添加剤（Ｉ）からなる群から選ばれる１種以上の成分を含有もしてもよい。これらの内、洗浄性の観点から好ましいのは（Ｅ）、（Ｆ）及び（Ｈ）からなる群から選ばれる１種以上である。
【００５３】
（Ａ）以外のキレート剤（Ｅ）としては、アミノポリカルボン酸（塩）（Ｅ−１）｛例えば、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（ＴＴＨＡ）（塩）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（ＨＥＤＴＡ）（塩）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（ＤＨＥＤＤＡ）（塩）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）（塩）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）（塩）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、ヒドロキシイミノジコハク酸（塩）、ジヒドロキシエチルグリシン（塩）、アスパラギン酸（塩）及びグルタミン酸（塩）｝；
ヒドロキシカルボン酸（塩）（Ｅ−２）｛例えば、ヒドロキシ酢酸（塩）、酒石酸（塩）、クエン酸（塩）及びグルコン酸（塩）｝；
シクロカルボン酸（塩）（Ｅ−３）｛例えば、ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）及びシクロペンタンテトラカルボン酸（塩）｝；
エーテルカルボン酸（塩）（Ｅ−４）（例えば、カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート及び酒石酸ジサクシネート）；
その他のカルボン酸（塩）（Ｅ−５）｛例えば、マレイン酸誘導体及びシュウ酸（塩）｝；
縮合リン酸（塩）（Ｅ−６）｛例えば、メタリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）｝；等が挙げられる。
尚、これらの塩としては、上述のキレート剤（Ａ）で例示したものが挙げられる。またこれらは１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。
これらの内で、洗浄性能の観点から好ましいのは、（Ｅ−１）、（Ｅ−２）及び（Ｅ−６）であり、更に好ましいのは（Ｅ−１）及び（Ｅ−６）、特に好ましいのはエチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（ＤＨＥＤＤＡ）（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、アスパラギン酸（塩）、グルタミン酸（塩）、メタリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）、最も好ましいのはエチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）である。
【００５４】
還元剤（Ｆ）としては、有機還元剤（Ｆ−１）及び無機還元剤（Ｆ−２）が挙げられる。有機還元剤（Ｆ−１）としては、脂肪族有機還元剤（Ｆ−１ａ）、芳香族有機還元剤（Ｆ−１ｂ）、その他の有機還元剤（Ｆ−１ｃ）が挙げられる。
【００５５】
脂肪族有機還元剤（Ｆ−１ａ）としては、炭素数６〜９のアスコルビン酸（塩）［Ｌ−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、５，６−アルキリデン−Ｌ−アスコルビン酸｛５，６−イソプロピリデン−Ｌ−アスコルビン酸、５，６−（ブタン−２−イリデン）−Ｌ−アスコルビン酸及び５，６−（ペンタン−３−イリデン）−Ｌ−アスコルビン酸等｝、Ｌ−アスコルビン酸−６−カルボン酸エステル｛Ｌ−アスコルビン酸−６−酢酸エステル及びＬ−アスコルビン酸−６−プロパン酸エステル等｝、アスコルビン酸硫酸エステル、アスコルビン酸リン酸エステル、アスコルビン酸グルコシド、アスコルビン酸イソパルミネート及びこれらの塩等］が挙げられる。
【００５６】
芳香族有機還元剤（Ｆ−１ｂ）としては、炭素数６〜９の芳香族アミン（ｐ−フェニレンジアミン及びｐ−アミノフェノール等）及び炭素数６〜３０のフェノール化合物［３−ヒドロキシフラボン及びトコフェロール（α−、β−、γ−、δ−、ε−又はη−トコフェロール等）等の一価フェノール並びに３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ナフトレゾルシノール、ピロガロール及びフロログルシノール等のポリフェノール等］が挙げられる。
【００５７】
その他の有機還元剤（Ｆ−１ｃ）としては、リン系還元剤 （トリス‐２‐カルボキシエチルホスフィン等）、アルデヒド（ホルムアルデヒド及びアセトアルデヒド等）、ボラン系錯体（ボラン−ｔｅｒｔ−ブチルアミン錯体、ボラン−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン錯体及びボラン−トリメチルアミン錯体等）、チオール系還元剤（システイン及びアミノエタンチオール等）及びヒドロキシルアミン系還元剤（ヒドロキシルアミン及びジエチルヒドロキシルアミン等）等が挙げられる。
【００５８】
無機還元剤（Ｆ−２）としては、亜硫酸（塩）、チオ硫酸（塩）、亜リン酸（塩）、次亜リン酸（塩）、硫酸第１鉄、塩化第２スズ、水酸化シアノホウ素ナトリウム、水酸化ホウ素ナトリウム等が含まれる。
還元剤（Ｆ）が塩を形成する場合の塩としては、上記キレート剤（Ａ）の塩として例示したものと同様のカウンターカチオンを有する塩が挙げられる。
【００５９】
これらの還元剤（Ｆ）の内、洗浄剤のエッチング性コントロールの観点から、有機還元剤（Ｆ−１）が好ましく、更に好ましいのは脂肪族有機還元剤（Ｆ−１ａ）及びその他の有機還元剤（Ｆ−１ｃ）の内のチオール系還元剤、特に好ましいのはアスコルビン酸（塩）及びシステインである。
また、（Ｆ）は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６０】
分散剤（Ｇ）としては、従来から微粒子の分散剤として使用されているもの、例えば、多糖類及びその誘導体（ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩及びカチオン化デンプン等）及びポバール及びリン酸エステル｛フィチン酸、ジ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸及びトリ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸等｝が挙げられ、上記の（Ｂ−２ａ）も分散作用があるが、本発明においては分散剤（Ｇ）には含めない。
また、（Ｇ）は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６１】
３価以上の多価アルコール（Ｈ）としては、
（Ｈ−１）脂肪族多価アルコール（グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン及びペンタエリスリトール等）；
（Ｈ−２）（Ｈ−１）の脱水縮合物（ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン及びペンタグリセリン等）；
（Ｈ−３）糖類、例えば単糖類｛ペントース（アラビノース、キシロース、リボース、キシルロース及びリブロース等）、ヘキソース（グルコース、マンノース、ガラクトース、フルクトース、ソルボース及びタガトース等）、ヘプトース（セドヘプツロース等）等｝、二糖類（トレハロース、サッカロース、マルトース、セロビオース、ゲンチオビオース及びラクトース等）及び三糖類（ラフィノース及びマルトトリオース等）；
（Ｈ−４）糖アルコール（アラビトール、アドニトール、キシリトール、ソルビトール、マンニトール、ズルシトール等）；
（Ｈ−５）トリスフェノール（トリスフェノールＰＡ等）；
並びにこれらのＡＯ付加物（付加モル数１〜７モル）等が挙げられる。
また、（Ｈ）は単独で使用しても、２種以上併用してもよい。
【００６２】
（Ｈ）の内、基板の腐食防止効果の観点から、（Ｈ−１）、（Ｈ−２）、（Ｈ−３）及び（Ｈ−４）が好ましく、更に好ましいのはグリセリン、サッカロース及びソルビトールである。
【００６３】
その他の添加剤（Ｉ）としては、酸化防止剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、消泡剤、防腐剤及びハイドロトロープ剤等が挙げられる。
【００６４】
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤｛２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール及び２，４−ジメチル−６−ｔ−ブチルフェノール等｝、アミン系酸化防止剤｛モノオクチルジフェニルアミン及びモノノニルジフェニルアミン等のモノアルキルジフェニルアミン；４，４’−ジブチルジフェニルアミン及び４，４’−ジペンチルジフェニルアミン等のジアルキルジフェニルアミン；テトラブチルジフェニルアミン及びテトラヘキシルジフェニルアミン等のポリアルキルジフェニルアミン；α−ナフチルアミン及びフェニル−α−ナフチルアミン等のナフチルアミン等｝、硫黄系化合物｛フェノチアジン、ペンタエリスリトール−テトラキス−（３−ラウリルチオプロピオネート）及びビス（３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）スルフィド等｝並びにリン系酸化防止剤｛ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルジイソデシルホスフィト、ジフェニルジイソオクチルホスファイト及びトリフェニルホスファイト等｝等が挙げられる。
【００６５】
防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、炭素数２〜１０の炭化水素基を有するベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するチアゾール及び２−メルカプトベンゾチアゾール等の含窒素有機防錆剤；ドデセニルコハク酸ハーフエステル、オクタデセニルコハク酸無水物及びドデセニルコハク酸アミド等のアルキル又はアルケニルコハク酸；ソルビタンモノオレエート、グリセリンモノオレエート及びペンタエリスリトールモノオレエート等の多価アルコール部分エステル等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６６】
ｐＨ調整剤としては、無機酸（塩酸、硫酸、硝酸及びスルファミン酸等）並びに上記例示した無機アルカリ（Ｃ−４）等が挙げられ、これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６７】
緩衝剤としては、緩衝作用を有する有機酸、無機酸及びこれらの塩が挙げられる。有機酸としては、酢酸、ギ酸、グルコン酸、グリコール酸、酒石酸、フマル酸、レブリン酸、吉草酸、マレイン酸及びマンデル酸等が挙げられ、無機酸としては、リン酸及びホウ酸等が挙げられる。また、これらの酸の塩としては、上述のキレート剤（Ａ）で例示した塩と同様のものが挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６８】
消泡剤としては、シリコーン消泡剤｛ジメチルシリコーン、フルオロシリコーン及びポリエーテルシリコーン等を構成成分とする消泡剤等｝等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６９】
防腐剤としては、トリアジン誘導体｛ヘキサヒドロ−１，３，５−トリス（２−ヒドロキシエチル）−Ｓ−トリアジン等｝、イソチアゾリン誘導体｛１，２−ベンズイソチアゾリン−３−オン、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン及び５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン等｝、ピリジン誘導体｛ピリジン２−ピリジンチオール−１−オキサイド（塩）等｝、モルホリン誘導体｛４−（２−ニトロブチル）モルホリン及び４，４−（２−エチル−２−ニトロトリメチレン）−ジモルホリン等｝、ベンズイミダゾール誘導体｛２−（４−チアゾリル）ベンズイミダゾール等｝並びにその他の防腐剤［ポリ｛オキシエチレン（ジメチルイミノ）エチレン（ジメチルイミノ）エチレン｝ジクロライド、ｐ−クロロ−ｍ−キシレノール、フェノキシエタノール、フェノキシプロパノール、アセトキシジメチルジオキサン、イソプロピルメチルフェノール、テトラクロロイソフタロニトリル、ビスブロモアセトキシエタン、３−ヨード−２−プロピニルブチルカーバメート及び２−ブロモ−２−ニトロプロパン−１，３−ジオール等］等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７０】
ハイドロトロープ剤としては、トルエンスルホン酸（塩）、キシレンスルホン酸（塩）、クメンスルホン酸（塩）及び安息香酸（塩）等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。ハイドロトロープ剤が塩を形成する場合の塩としては、上記キレート剤（Ａ）の塩として例示したものと同様のカウンターカチオンを有する塩が挙げられる。
【００７１】
本発明の洗浄剤のｐＨ（２５℃）は、後述する洗浄液として使用される場合の有効成分濃度において、洗浄性と洗浄後基板の平坦性の観点から、Ｎｉ−Ｐメッキを施した磁気ディスク用アルミ基板に対しては、好ましくは２〜１３であり、特に好ましくは６〜１１、最も好ましくは８〜１０であり、磁気ディスク用ガラス基板に対しては、好ましくは２〜１４であり、特に好ましくは７〜１３、最も好ましくは１０〜１２である。ｐＨがこの範囲にあると、Ｎｉ−Ｐメッキを施したアルミ基板やガラス基板の平坦性を損ねることなく、適度なエッチング性を有し、また微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮し易くなる。尚、本発明における有効成分とは水以外の成分をいう。
【００７２】
本発明の洗浄剤におけるキレート剤（Ａ）及び任意成分（Ｂ）〜（Ｉ）の、洗浄剤の重量に基づく含有量は以下の通りである。
【００７３】
キレート剤（Ａ）の含有量は、洗浄性および平坦性の観点から、通常０．１〜１００％、好ましくは０．２〜５０％、更に好ましくは０．５〜２０％、特に好ましくは１〜１０％である。
界面活性剤（Ｂ）を含有する場合、その含有量は、洗浄性の観点から、０．１〜５０％が好ましく、更に好ましくは０．５〜１０％特に好ましくは１〜５％である。
アルカリ成分（Ｃ）を含有する場合、その含有量は、洗浄性の観点等から、好ましくは０．１〜２０％、更に好ましくは０．２〜１５％、特に好ましくは０．５〜１０％である。
親水性溶剤（Ｄ）を含有する場合、その含有量は、０．１〜８０％、更に好ましくは０．５〜５０％、特に好ましくは１〜３０％である。
【００７４】
（Ａ）以外のキレート剤（Ｅ）を含有する場合、その含有量は、洗浄性能の観点から、好ましくは０．０１〜１０％、更に好ましくは０．０５〜５％、特に好ましくは０．１〜３％である。
還元剤（Ｆ）を含有する場合、その含有量は、基板のエッチング性のコントロールの観点から、０．０１〜１０％が好ましく、更に好ましくは０．０２〜８％、特に好ましくは０．１〜５％である。
分散剤（Ｇ）を含有する場合、その含有量は、洗浄性能の観点から、好ましくは０．１〜１０％、更に好ましくは０．５〜８％、特に好ましくは１〜５％である。
３価以上の多価アルコール（Ｈ）を含有する場合、その含有量は、洗浄性能の観点から、好ましくは０．１〜３０％、更に好ましくは０．５〜２０％、特に好ましくは１〜１０％である。
【００７５】
その他の添加剤（Ｉ）を含有する場合、それぞれの添加剤の添加量は、酸化防止剤、キレート剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、還元剤及びハイドロトロープ剤が、好ましくは０．１〜１０％、更に好ましくは０．５〜８％、特に好ましくは１〜５％である。また消泡剤の添加量は好ましくは０．０１〜２％、更に好ましくは０．０２〜１．５％、特に好ましくは０．１〜１％である。また、その他の添加剤（Ｉ）の合計の含有量は、０．０１〜２０％、更に好ましくは０．０２〜１０％、特に好ましくは０．１〜８％である。
【００７６】
尚、前記の任意成分（Ｅ）〜（Ｉ）の間で、組成が同一で重複する場合は、それぞれの任意成分が該当する添加効果を奏する量を他の任意成分としての効果に関わりなく使用するのではなく、他の任意成分としての効果も同時に得られることをも考慮し、使用目的に応じて使用量を調整するものとする。
【００７７】
本発明の洗浄剤の有効成分の濃度は、使用時の作業性や運搬効率の観点から、通常０．１〜１００％、好ましくは１〜９０％、更に好ましくは２〜８０％、特に好ましくは５〜７５％である。従って、本発明の洗浄剤中の水の含有量は、通常０〜９９．９％、好ましくは１０〜９９％、更に好ましくは２０〜９８、特に好ましくは２５〜９５％である。
【００７８】
本発明の洗浄剤中のＮａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ，Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｎｉ及びＺｎ原子の各金属含有量は、磁気ディスク用基板の金属汚染防止性の観点から、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて２０ｐｐｍ以下が好ましく、更に好ましくは１０ｐｐｍ以下、特に好ましくは５ｐｐｍ以下である。
これらの金属原子の含有量の測定方法としては、公知の方法、例えば原子吸光法、ＩＣＰ発光分析法、ＩＣＰ質量分析法が利用できる。
【００７９】
本発明の磁気ディスク基板用洗浄液は、上記の洗浄剤を必要により水、特にイオン交換水（電気伝導率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（比抵抗値１８ＭΩ・ｃｍ以上）で希釈して洗浄工程で使用する洗浄液であり、有効成分濃度が０．０１〜１５％、好ましくは０．０５〜１０％である磁気ディスク基板用洗浄液である。尚、前記洗浄剤の有効成分濃度が１５％以下である場合は、そのままの濃度で洗浄液として使用してもよい。
【００８０】
洗浄液の電気伝導率（ｍＳ／ｃｍ）は、パーティクルの再付着防止性及びエッチング性の観点から、好ましくは０．２〜１０．０、より好ましくは０．５〜５．０、特に好ましくは０．７〜３．５である。
【００８１】
洗浄液の磁気ディスク基板に対する接触角（２５℃）は、通常３０°以下であり、好ましくは１〜１５°、更に好ましくは１〜８°である。接触角がこの範囲にあると、洗浄性の点から好ましい。尚、本発明における接触角は、例えば、全自動接触角計［協和界面科学（株）社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて測定することができる。
【００８２】
本発明の洗浄剤を必要により希釈して得られる上記洗浄液は、磁気ディスク用基板の洗浄に好適に使用でき、磁気ディスク用アルミ基板及びガラス基板に好適に使用できる。特にＮｉ−Ｐメッキを施したアルミ基板に対して優れた洗浄性を発揮することができる。
【００８３】
本発明の磁気ディスク基板の洗浄方法は、上記の洗浄液中で磁気ディスク基板を洗浄する洗浄方法である。
洗浄対象物（汚れ）は、油分（クーラント等）、人体からの汚れ（指紋、皮脂等）、可塑剤（ジオクチルフタレート等）、有機パーティクル等の有機物、無機パーティクル｛研磨剤（例えば、コロイダルシリカ、アルミナ、酸化セリウム、ダイヤモンド等）、研磨屑等｝等の無機物が挙げられる。
また、本発明の洗浄方法は、磁気ディスク基板がＮｉ−Ｐメッキを施したアルミ基板であると効果が特に発揮されやすい。
【００８４】
本発明の洗浄方法は、パーティクルの除去性に極めて優れていることから、磁気ディスクの製造工程の内、研磨剤又は研磨屑等のパーティクルが発生する工程や高度な清浄度が要求される工程で行うことが好ましく、研削工程後の洗浄工程、研磨工程後の洗浄工程、テクスチャリング工程後の洗浄工程及び／又は成膜工程（例えば、下地層、磁性層及び保護層等をスパッタリング装置により成膜する工程）前の洗浄工程での洗浄方法として適用することが好ましい。
前記研磨工程が、研磨剤としてアルミナ及び／又はシリカを用いる研磨工程である場合や前記テクスチャリング工程でダイヤモンドを用いる場合に、本発明の洗浄方法の効果が特に発揮されやすい。
【００８５】
本発明の洗浄方法における洗浄方式としては、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる少なくとも１種の洗浄方式が挙げられ、いずれの方式であっても本発明の洗浄方法の効果が発揮されやすい。
【００８６】
本発明の洗浄液を使用する際の洗浄温度（℃）としては、洗浄性の観点から、１０〜８０℃が好ましく、更に好ましくは１５〜７０、特に好ましくは２０〜６０である。
【００８７】
本発明の洗浄方法で洗浄された磁気ディスク基板に対する水の接触角（２５℃）は、好ましくは２０°以下であり、更に好ましくは１〜１５°、特に好ましくは５〜１０°である。接触角がこの範囲にあると、磁性膜等をスパッタにより形成する場合に均一な膜が形成でき、磁気特性の点から好ましい。
【００８８】
本発明の洗浄方法で洗浄した後の磁気ディスク基板表面の表面粗さ（Ｒａ）は、好ましくは０．５ｎｍ以下、更に好ましくは０．０１〜０．３ｎｍ、特に好ましくは０．０５〜０．２５ｎｍである。基板の表面粗さ（Ｒａ）がこの範囲にあると、磁気ディスク基板の記録密度の向上の観点から好ましい。
尚、磁気ディスク基板表面の表面粗さ（Ｒａ）は、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、Ｅ−ｓｗｅｅｐを用いて下記の条件により測定できる。
測定モード ：ＤＦＭ（タッピングモード）
スキャンエリア：１μｍ×１μｍ
走査線数 ：２５６本（Ｙ方向スキャン）
補正 ：Ｘ，Ｙ方向のフラット補正あり
【００８９】
本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、前記洗浄方法で磁気ディスク基板を洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。
【実施例】
【００９０】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。ポリマーのＧＰＣによる分子量の測定条件は前述の方法により測定した。尚、以下において超純水は比抵抗値が１８ＭΩ・ｃｍ以上のものを使用した。
【００９１】
［製造例１］
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアルコールを２００部（１．１モル部）、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（以下、ＴＭＡＨと略記）の２５％水溶液を１０部（０．０２７モル部）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。エチレンオキサイド（以下、ＥＯと略記）４３０部（９．８モル部）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成した。更に、２．６ｋＰａ以下の減圧下に、１５０℃で２時間撹拌して、残存するＴＭＡＨを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるラウリルアルコールＥＯ９モル付加物（Ｂ−１−１）６３０部を得た。
【００９２】
［製造例２］
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアミンを１８５部（１．０モル部）、２５％ＴＭＡＨ水溶液を３．６部（０．０１モル部）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。ＥＯ２６４部（６．０モル部）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成した。更に、２．６ｋＰａ以下の減圧下、１５０℃で２時間撹拌して、残存するＴＭＡＨを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるラウリルアミンＥＯ６モル付加物（Ｂ−１−２）４４５部を得た。
【００９３】
［製造例３］
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、クミルフェノールを２１２部（１．０モル部）、２５％ＴＭＡＨ水溶液を２．９部（０．００８モル部）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。ＥＯ３５２部（８．０モル部）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成した。更に、２．６ｋＰａ以下の減圧下、１５０℃で２時間撹拌して、残存するＴＭＡＨを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるクミルフェノールＥＯ８モル付加物（Ｂ−１−３）５６０部を得た。
【００９４】
［製造例４］
温度調節及び攪拌が可能な反応容器にイソプロピルアルコール３００部、超純水１００部を仕込み、窒素置換後、７５℃に昇温した。撹拌下で、アクリル酸の７５％水溶液４０７部及びジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレートの１５％イソプロピルアルコール溶液９５部を３．５時間かけて同時に滴下した。滴下終了後、７５℃で５時間撹拌した後、系内が固化しないように超純水を間欠的に投入し、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去した。得られたポリアクリル酸水溶液をＤＢＵ（約４５０部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリアクリル酸ＤＢＵ塩（Ｂ−２−１）の４０％水溶液を得た。尚、（Ｂ−２−１）のＭｗは１０，０００であった。
【００９５】
［製造例５］
温度調節及び還流が可能な攪拌付き反応容器にエチレンジクロライド１００部を仕込み、攪拌下、窒素置換した後に９０℃まで昇温し、エチレンジクロライドを還流させた。スチレン１２０部と、予め２，２’−アゾビスイソブチロニトリル１．７部をエチレンジクロライド２０部に溶かした開始剤溶液を、それぞれ別々に６時間かけて反応容器内に滴下し、滴下終了後更に１時間重合を行った。重合後、窒素シール下で２０℃に冷却した後、温度を２０℃にコントロールしながら無水硫酸１０５部を１０時間かけて滴下し、滴下終了後更に３時間スルホン化反応させた。反応後、溶媒を留去し固化させた後、超純水３４５部を投入して溶解し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を得た。得られたポリスチレンスルホン酸水溶液を２５％ＴＭＡＨ水溶液（約４００部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリスチレンスルホン酸トリメチルアンモニウム塩（Ｂ−２−２）の４０％水溶液を得た。尚、（Ｂ−２−２）のＭｗは、４０，０００、スルホン化率は９７％であった。
【００９６】
［製造例６］
攪拌付き反応容器にナフタレンスルホン酸２１部、超純水を１０部仕込み、撹拌下、系内の温度を８０℃に保ちながら、３７％ホルムアルデヒド８部を３時間かけて滴下した。滴下終了後、１０５℃に昇温して２５時間反応した後、室温（約２５℃）まで冷却して水浴中、２５℃に調整しながらＤＢＵを徐々に加え、ｐＨ６．５に調製した（ＤＢＵ約１５部使用）。超純水を加えて固形分を４０％に調整して、アニオン性界面活性剤であるナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のＤＢＵ塩（Ｂ−２−３）の４０％水溶液を得た。尚、（Ｂ−２−３）のＭｗは、５，０００であった。
【００９７】
［製造例７］
アクリル酸の７５％水溶液４０７部の代わりに、アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸２２７部、アクリル酸７８部及び超純水１３１部からなる７０％モノマー水溶液４３６部を使用したこと以外は、製造例４と同様に重合して、アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体水溶液を得た。得られたアクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体水溶液に、温度をを２５℃に制御しながらＤＢＵを徐々に加えてｐＨ６．５に調製して（ＤＢＵ約２８０部使用）超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるアクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体ＤＢＵ塩（Ｂ−２−４）の４０％水溶液を得た。尚、（Ｂ−２−４）のＭｗは８，０００であった。
【００９８】
［製造例８］
アクリル酸の７５％水溶液４０７部の代わりに、メタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステルナトリウム塩の５０％水溶液［三洋化成（株）社製、エレミノールＲＳ−３０］３２０部及びアクリル酸１４５部からなる６５％モノマー水溶液４６５部を使用したこと以外は、製造例４と同様に重合して、メタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステルナトリウム塩／アクリル酸共重合体水溶液を得た。得られた共重合体水溶液を固形分濃度が１０％になるように超純水で希釈した後、陽イオン交換樹脂「アンバーライトＩＲ−１２０Ｂ」（オルガノ株式会社製）を用いて、溶液中のナトリウムイオンが１ｐｐｍ以下になるまで除去した。尚、ナトリウム含量はＩＣＰ発光分析装置（ＶＡＲＩＡＮ社製、Ｖａｒｉａｎ７３０−ＥＳ）を用いて測定した。得られたメタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体水溶液に、温度を２５℃に制御しながら２５％ＴＭＡＨ水溶液（約６００部）を徐々に加えてｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるメタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体テトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−２−５）の１０％水溶液を得た。尚、（Ｂ−２−５）のＭｗは９，０００であった。
【００９９】
［製造例９］
オクチルベンゼンスルホン酸１３６部、超純水２４５部をビーカーに仕込み、均一になるまで溶解した。得られたオクチルベンゼンスルホン酸水溶液にＤＢＮ（約６５部）を徐々に加えてｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるオクチルベンゼンスルホン酸ＤＢＮ塩（Ｂ−２−６）の４０％水溶液を得た。
【０１００】
［製造例１０］
オクタン酸１４４部、超純水３００部をビーカーに仕込み、均一になるまで溶解した。得られたオクタン酸水溶液にジエタノールアミン（約１０５部）を徐々に加えてｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるオクタン酸ジエタノールアミン塩（Ｂ−２−７）の４０％水溶液を得た。
【０１０１】
［実施例１〜１６］、［比較例１〜７］
表１又は表２に記載の各配合成分を、表１又は表２に記載の配合部数（但し、表１及び表２では有効成分換算で表示）用いて、ビーカー中で室温（約２５℃）下、均一撹拌・混合して実施例１〜１６及び比較例１〜７の洗浄剤を作製した。
得られた洗浄剤を超純水で１０倍希釈して洗浄液として、以下の方法でｐＨ、洗浄性−１、洗浄性−２、表面平坦性−１、溶出したＮｉ含量（エッチング性）、洗浄後基板の接触角−１、洗浄液の接触角−１及びリンス性評価−１を測定又は評価した結果を表１又は表２に示す。
【０１０２】
［実施例１７〜２５］、［比較例８〜１１］
表３に記載の各配合成分を、表３に記載の配合部数（但し、表３では有効成分換算で表示）用いて、ビーカー中で室温（約２５℃）下、均一撹拌・混合して実施例１７〜２５及び比較例８〜１１の洗浄剤を作製した。
得られた洗浄剤を超純水で１０倍希釈して洗浄液として、以下の方法でｐＨ、洗浄性−３、洗浄性−４、表面平坦性−２、洗浄後基板の接触角−２、洗浄液の接触角−２及びリンス性評価−２を測定又は評価した結果を表３に示す。
【０１０３】
尚、表１〜表３中のキレート剤（Ａ）、非イオン性界面活性剤（Ｂ−１）、アルカリ成分（Ｃ）、親水性溶剤（Ｄ）及び（Ａ）以外のキレート剤（Ｅ）の略号は下記の通りである。
ＥＤＴＭＰ：エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）
ＣＤＴＭＰ：シス−１，２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）
ＤＴＰＭＰ：ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）
ＰＥ７４：ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール｛ニューポールＰＥ−７４、三洋化成工業（株）製｝
ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド
ＴＥＡ：トリエタノールアミン
ＤＢＵ：１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン
ＤＥＧＭ：ジエチレングリコールモノメチルエーテル
ＴＥＧＭ：トリエチレングリコールモノメチルエーテル
ＥＤＴＡ：エチレンジアミンテトラ酢酸
ＮＴＡ：ニトリロ三酢酸
ＨＥＤＰ：１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸
ＮＴＭＰ：ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）
また、表１〜表３に記載の超純水の量は、製造例１〜１０で得た界面活性剤（Ｂ−１−１）〜（Ｂ−２−７）の水溶液中の超純水を含む量である。
【０１０４】
＜ｐＨの測定方法＞
洗浄液のｐＨを２５℃でｐＨメーター（堀場製作所社製、Ｍ−１２）で測定した。
【０１０５】
＜洗浄性−１の評価方法＞
研磨剤として市販のコロイダルシリカスラリー（粒径約３０ｎｍ）及び研磨布を用いて、３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板を研磨した後、超純水で表面をリンス、窒素でブローすることにより、汚染基板を作製した。洗浄液１，０００部をガラス製ビーカーにとり、作製した汚染基板を浸漬し、超音波洗浄機（２００ｋＨｚ）内で、３０℃、５分間の洗浄を行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で十分にリンスを行った後、窒素ガスでブローして乾燥し、下記の評価基準に従い、基板表面の洗浄性を表面観察装置（ＶＩＳＩＯＮ ＰＳＹＴＥＣ社製、ＶＭＸ−４１００Ｎａｐｉｅｒ）で評価した。尚、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，００（ＨＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
◎：ほぼ完全に除去できている。
○：ほとんど洗浄できている。
△：若干粒子が残留している。
×：ほとんど洗浄できていない。
【０１０６】
＜洗浄性−２の評価方法＞
研磨剤として市販のアルミナスラリー（粒径約０．４μｍ）を用いた以外は、洗浄性−１と同様にして評価した。
【０１０７】
＜洗浄性−３の評価方法＞
研磨剤として酸化セリウムスラリー（粒径約１μｍ）を用い、また磁気ディスク用基板として２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板を用いた以外は洗浄性−１と同様にして評価した。
【０１０８】
＜洗浄性−４の評価方法＞
磁気ディスク用基板として２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板を用いた以外は洗浄性−１と同様にして評価した。
【０１０９】
＜表面平坦性−１の評価方法＞
２０ｍｌのガラス製容器に洗浄液を１０ｍｌ採り、３０℃に温調した後、Ｎｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板を２ｃｍ×２ｃｍの大きさにカットした基板を入れ、３０℃で２０分間浸漬した後、ピンセットを用いて基板を取り出し、超純水で十分にリンスして洗浄液を除去した後、室温下（２５℃）、窒素でブローして基板を乾燥した。乾燥した基板表面の表面粗さ（Ｒａ）を原子間力顕微鏡（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、Ｅ−Ｓｗｅｅｐ）を用いて測定し、表面平坦性を評価した。尚、試験前の基板の表面粗さ（Ｒａ）は、０．１２ｎｍであった。
【０１１０】
＜表面平坦性−２の評価方法＞
基板として磁気ディスク用ガラス基板を用いた以外は、表面平坦性−２と同様に評価した。尚、試験前の基板の表面粗さ（Ｒａ）は、０．１０ｎｍであった。
【０１１１】
＜溶出したＮｉ含量（エッチング性）の評価方法＞
ポリプロピレン製容器に洗浄液１００部を採り、その中に３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板１枚を入れ、上部をポリ塩化ビニリデン製薄膜フィルムでラッピングして水分が蒸発しないように密閉し、２３℃に温調された室内で１２時間静置した。静置後、洗浄液を採取し、ＩＣＰ発光分析装置（ＶＡＲＩＡＮ社製、Ｖａｒｉａｎ７３０−ＥＳ）で洗浄液中のＮｉ含量を測定した。尚、予め試験前の洗浄液についても同様にＮｉ含量を測定しておき、その差を求めることで試験中に溶出したＮｉ含量（ｐｐｍ）を求めた。この溶出したＮｉ含量が多いほど、エッチング性が高い。
【０１１２】
＜洗浄後基板の接触角−１の測定方法＞
上記洗浄性−１で評価した直後の基板について全自動接触角計［協和界面科学（株）社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて、水に対する接触角（２５℃、１秒後）を測定した。
【０１１３】
＜洗浄後基板の接触角−２の測定方法＞
上記洗浄性−３で評価した直後の基板について全自動接触角計［協和界面科学（株）社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて、水に対する接触角（２５℃、１秒後）を測定した。
【０１１４】
＜洗浄液の接触角−１の測定方法＞
３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板に対する各洗浄液の接触角（２５℃、１秒後）を、全自動接触角計［協和界面科学（株）社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて測定した。
【０１１５】
＜洗浄液の接触角−２の測定方法＞
２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板に対する各洗浄液の接触角（２５℃、１秒後）を、全自動接触角計［協和界面科学（株）社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて測定した。
【０１１６】
＜リンス性評価−１の評価方法＞
ガラス製ビーカーに洗浄液１００部を採り、その中に３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板１枚を入れ、５分間静置した。静置後、基板を取り出し、自然乾燥した。乾燥した基板を、予めガラス製ビーカーに採っておいた超純水１，０００部に５秒間浸積した後に直ちに取り出し自然乾燥した。下記の評価基準に従い、基板表面の洗浄剤残渣を表面観察装置（ＶＩＳＩＯＮ ＰＳＹＴＥＣ社製、ＶＭＸ−４１００Ｎａｐｉｅｒ）で評価した。尚、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１００（ＨＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。また洗浄液、超純水は予め２３℃に温調したものを用いた。
◎：ほとんど残留物無し。
○：ほとんど残留物ないが、微かに残留物が認められる。。
△：僅かに残留物がある。
×：残留物多い。
【０１１７】
＜リンス性評価−２の評価方法＞
基板として２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板を用いた以外は、リンス性評価−１と同様に評価した。
【０１１８】
【表１】
【０１１９】
【表２】
【０１２０】
【表３】
【０１２１】
表１〜表３から、本発明の洗浄剤は、洗浄後の磁気ディスク用基板表面に付着するパーティクルの除去性が極めて優れることがわる。また、適度なエッチング性を有するが、洗浄後の基板表面の平坦性にほとんど変化が無いことから、洗浄時に基板表面荒れを引き起こす心配がなく、基板表面に強固に付着したパーティクルについても非常に有効であることがわる。更に、本発明の洗浄剤は、洗浄後の基板表面の水の接触角を低くできることから、極めて清浄な基板表面を実現できるといった効果やリンス性が高いといった効果も奏することがわる。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
本発明の洗浄剤は、磁気ディスク基板上のパーティクルの洗浄性に優れているため、磁気ディスク基板（アルミ基板及びガラス基板等）を製造する工程の洗浄剤として有効に使用することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子内に少なくとも４個のホスホン酸基を有するキレート剤（Ａ）を含有してなる磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項２】
更に、界面活性剤（Ｂ）を含有してなる請求項１記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項３】
前記界面活性剤（Ｂ）が、非イオン性界面活性剤及び／又は高分子型アニオン性界面活性剤である請求項２記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項４】
更に、アルカリ成分（Ｃ）及び／又は親水性溶剤（Ｄ）を含有してなる請求項１〜３のいずれか記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか記載の磁気ディスク基板用洗浄剤を含有し、有効成分濃度が０．０１〜１５重量％である磁気ディスク基板用洗浄液。
【請求項６】
請求項５記載の磁気ディスク基板用洗浄液を用いて磁気ディスク基板を洗浄する磁気ディスク基板の洗浄方法。
【請求項７】
磁気ディスク基板がＮｉ−Ｐメッキを施したアルミ基板又はガラス基板である請求項６記載の磁気ディスク基板の洗浄方法。
【請求項８】
研削工程後の洗浄工程、研磨工程後の洗浄工程、テクスチャリング工程後の洗浄工程及び／又は成膜工程前の洗浄工程で磁気ディスク基板を洗浄する請求項６又は７記載の磁気ディスク基板の洗浄方法。
【請求項９】
前記研磨工程で研磨剤としてアルミナ又はシリカを用い、前記テクスチャリング工程でダイヤモンドを用いる請求項８記載の磁気ディスク基板の洗浄方法。
【請求項１０】
超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる少なくとも１種の洗浄方式を用いて行われる請求項６〜９のいずれか記載の磁気ディスク基板の洗浄方法。
【請求項１１】
洗浄後の基板に対する２５℃での水の接触角が、２０°以下である請求項６〜１０のいずれか記載の磁気ディスク基板の洗浄方法。
【請求項１２】
請求項６〜１１のいずれか記載の洗浄方法で磁気ディスク基板を洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項１】
分子内に少なくとも４個のホスホン酸基を有するキレート剤（Ａ）を含有してなる磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項２】
更に、界面活性剤（Ｂ）を含有してなる請求項１記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項３】
前記界面活性剤（Ｂ）が、非イオン性界面活性剤及び／又は高分子型アニオン性界面活性剤である請求項２記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項４】
更に、アルカリ成分（Ｃ）及び／又は親水性溶剤（Ｄ）を含有してなる請求項１〜３のいずれか記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか記載の磁気ディスク基板用洗浄剤を含有し、有効成分濃度が０．０１〜１５重量％である磁気ディスク基板用洗浄液。
【請求項６】
請求項５記載の磁気ディスク基板用洗浄液を用いて磁気ディスク基板を洗浄する磁気ディスク基板の洗浄方法。
【請求項７】
磁気ディスク基板がＮｉ−Ｐメッキを施したアルミ基板又はガラス基板である請求項６記載の磁気ディスク基板の洗浄方法。
【請求項８】
研削工程後の洗浄工程、研磨工程後の洗浄工程、テクスチャリング工程後の洗浄工程及び／又は成膜工程前の洗浄工程で磁気ディスク基板を洗浄する請求項６又は７記載の磁気ディスク基板の洗浄方法。
【請求項９】
前記研磨工程で研磨剤としてアルミナ又はシリカを用い、前記テクスチャリング工程でダイヤモンドを用いる請求項８記載の磁気ディスク基板の洗浄方法。
【請求項１０】
超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる少なくとも１種の洗浄方式を用いて行われる請求項６〜９のいずれか記載の磁気ディスク基板の洗浄方法。
【請求項１１】
洗浄後の基板に対する２５℃での水の接触角が、２０°以下である請求項６〜１０のいずれか記載の磁気ディスク基板の洗浄方法。
【請求項１２】
請求項６〜１１のいずれか記載の洗浄方法で磁気ディスク基板を洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法。
【公開番号】特開２００９−２８０８０２（Ｐ２００９−２８０８０２Ａ）
【公開日】平成２１年１２月３日（２００９．１２．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１０５７９６（Ｐ２００９−１０５７９６）
【出願日】平成２１年４月２４日（２００９．４．２４）
【出願人】（０００００２２８８）三洋化成工業株式会社 (1,719)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１２月３日（２００９．１２．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月２４日（２００９．４．２４）
【出願人】（０００００２２８８）三洋化成工業株式会社 (1,719)
【Ｆターム（参考）】
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