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Fターム[4H003FA15]の内容

洗浄性組成物 (67,184) | 洗浄剤・配合剤の機能・物性・目的 (10,916) | 劣化防止に関するもの(被洗物の劣化防止) (322)

Fターム[4H003FA15]に分類される特許

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【課題】金属の洗浄において、低起泡性能、防錆機能を有する洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)と下記一般式(2)で表される非イオン界面活性剤とを含有するものとする。




式(1)中、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基、nは1〜30の数であり、式(2)中、POはオキシプロピレン基、EOはオキシエチレン基、p、rはそれぞれ平均付加モル数として、p=0〜5、r=3〜15である。 (もっと読む)


【課題】外壁を洗浄するための洗浄剤を洗い流す工程に関連し、環境汚染を防ぐための新規な技術を提案する。
【解決手段】酸性洗浄剤を建物外壁の汚れ部分に直接塗布する第3工程S3と、アルカリ性洗浄水により酸性洗浄剤を洗い流す第4工程S4を有する。酸性洗浄剤を含む排水を中性に近づけることができ、そのまま下水に排水してしまう場合と比較して、環境負荷を低減することができ、環境汚染を防ぐことが可能となる。また、アルカリ性洗浄水による中和の作用によって、残留してしまった酸性洗浄剤のpHを高めて中性に近づけることができるため、仮に、酸性洗浄剤が完全に洗い流されない場合であっても、酸性洗浄剤を中性に近づけることによって、外壁10の変色や劣化を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】銅系材や亜鉛系材について付着有機物の除去を適切に行いつつ、耐食層の除去に基づいて生じる洗浄上がりおよびめっき後の外観不良を抑制することが可能な洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】水溶性リン酸イオン物質、当該水溶性リン酸イオン物質以外の水溶性アルカリ性イオン物質、キレート剤、および界面活性剤を含有し、pHが10〜12であって、腐食抑制剤を含有しない水系組成物。 (もっと読む)


【課題】洗浄後の金型表面の発錆を抑える洗浄液を提供する。
【解決手段】脂肪酸グリセリルのモノエステル、ジエステル、および、トリエステルの3種混合物とジメチルスルホキシドを含む洗浄液である。脂肪酸グリセリルのモノエステル、ジエステル、およびトリエステルの混合比としては、好ましくは、モノエステル:ジエステル:トリエステル=30〜70:20〜60:1〜30、より好ましくは、モノエステル:ジエステル:トリエステル=40〜60:30〜50:2〜20である。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、金属層表面の微小な凹みの少ない銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ポリイミドフィルムの表面に乾式めっき法により形成した1次金属層上に湿式めっき法で銅層を積層した銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法において、湿式めっき法を用いて銅層を積層する前に、ポリイミドフィルム或いは乾式めっき法により形成された1次金属層を有するポリイミドフィルムを、グリコール酸および硫酸を含有する水溶液中に浸漬する浸漬処理を施すことを特徴とする銅被覆ポリイミドフィルムの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】蛋白質汚れに対して良好な洗浄力を示し、アルマイトに対する防食性に優れ、且つ保存安定性に優れたアルマイト用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】(A)アルカノールアミン、(B)脂肪族カルボン酸及び/又はその塩、並びに、(C)ポリカルボン酸及び/又はその塩を、それぞれ特定範囲の質量%で含有するアルマイト用洗浄剤組成物。 (もっと読む)


【課題】鉛を含む高融点はんだを実装した電子部品を洗浄する際、水すすぎにて鉛崩壊現象を抑制することができ、すすぎ剤を使用した場合と同等の洗浄性を有する洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】(A)一般式(1):


(式中、Rは炭素鎖8〜72の直鎖若しくは分岐鎖の不飽和または飽和のアルキル基又はアルキレン基を、nは2〜4を示す。)で表わされ、かつ、非水溶性のポリカルボン酸系化合物、(B)リン酸エステル系界面活性剤、及び、(C)有機溶剤を含むはんだ付けフラックス用洗浄剤組成物を用いる。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス用基板、特に表面にCu配線を有する半導体デバイス用基板におけるCMP工程後の洗浄工程に用いられ、Cu配線に対する十分な防食性を有し、残渣の発生及び基板表面への残渣の付着を抑制することができる洗浄液を提供する。
【解決手段】以下の成分(A)〜(E)を含有してなり、かつpHが10以上である半導体デバイス用基板洗浄液。
(A)一般式(1)で表される有機第4級アンモニウム水酸化物
(R14+OH- (1)
(但し、R1は水酸基、アルコキシ基、又はハロゲンにて置換されていてもよいアルキル基を示し、4個のR1は全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。)
(B)界面活性剤
(C)キレート剤
(D)硫黄原子を有するアミノ酸
(E)水 (もっと読む)


【課題】溶剤系洗浄剤は引火の危険性や揮発による環境や人体への影響があり、水系洗浄剤は洗浄後の界面活性剤やアルカリ剤などの残留物を除去するために、さらに水ですすぐといった手間があり、また洗浄面の腐食といった問題があった。
【解決手段】非水溶性溶剤、界面活性剤およびアルカリ剤を使用せず、(A)界面活性化作用および耐腐食性を有する気化性化合物、(B)水、(C)水溶性溶剤を使用し、pHの範囲が5.0〜13.5である水系洗浄剤を用いて前記課題を解決できる。 (もっと読む)


【課題】食品で、特に酪農製品で汚れたポリオレフィン系材料の表面を洗浄する方法に関する。より詳細には、食品で、特に酪農製品で汚れた1種または複数のハロゲン化または非ハロゲン化ポリオレフィンをベースとする材料を洗浄する方法であり、特に、環境に対してだけでなく、汚れたポリオレフィン系材料に対しても損耗および断裂を最小にして安全である方法を提供する。
【解決手段】汚れた材料を1から4個の間の炭素原子を有するアルカンスルホン酸をベースとする水性組成物と接触する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、界面活性剤を配合した過酢酸系の殺菌洗浄剤において、良好な殺菌力と洗浄力と共に、容器の材質である樹脂に長期間接触しても当該樹脂を劣化させず、更に刺激臭の少ない過酢酸系の殺菌洗浄剤組成物を提供することにある。
【解決手段】本発明は、過酢酸1質量部に対して、過酸化水素を1.5〜4質量部、酢酸を10〜20質量部、下記の一般式(1)で表されるノニオン界面活性剤を0.1〜2質量部及び水を含有する組成物であって、組成物全量に対する過酢酸の濃度が2.5質量%以下であることを特徴とする殺菌洗浄剤組成物である:
−O−(−R−O−)−H (1)
(式中、Rは、炭素数8〜18の炭化水素基を表し、Rは、炭素数2又は3のアルキレン基を表し、nは、6〜20の数を表す) (もっと読む)


【課題】人体や環境への影響が小さくしつつも、有機酸を高濃度に溶解でき、且つ、さびとの反応速度が速いさび除去剤水溶液を提供する。
【解決手段】水溶液全体を基準(100重量%)として、有機酸(A)を0.5重量%以上25重量%以下含有し、有機酸(A)に対する中和率が100%以上150%以下となるようにアミンを含有し、さらに、アミンに対する中和率が80%以上となるように有機酸(B)及び/又は無機酸を含有し、有機酸(A)が、蓚酸、スルファミン酸、グリシン、マロン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸、グリコール酸及びグリオキシル酸のうちの少なくとも1種であり、有機酸(B)が、酢酸、ギ酸、プロピオン酸、ブチル酸及びメタンスルホン酸のうちの少なくとも1種であり、無機酸が、塩酸、硝酸、硫酸及び燐酸のうちの少なくとも1種である、さび除去剤水溶液とする。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、高濃度酸などによる過酷な酸洗条件下であっても、鉄鋼に対しては勿論、その他の金属に対しても極めて高い腐食抑制効果を示す酸洗浄用腐食抑制剤組成物、当該組成物を含む金属腐食抑制性酸洗浄液、および当該酸洗浄液を用いる金属の洗浄方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る金属腐食抑制剤組成物は、ロジンアミン、および、無機リン酸塩または有機ホスホン酸塩の少なくとも1種を含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 金属配線を腐食することなく、化学的機械研磨工程で発生した結晶シリコンやアモルファスシリコンシリコン表面に残留した金属残渣や砥粒残渣を除去することができる洗浄剤を提供することを目的とする
【解決手段】 表面に単結晶シリコン、多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンと銅配線を同一面に有する半導体用洗浄剤であって、4級アンモニウムヒドロキシド(A)、オキシエチレン鎖を有する脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物(B)および水を必須成分として含み、そのpHが12.5〜14.0であり、かつ単結晶シリコンの表面に滴下したときの接触角が30°以下であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 (もっと読む)


【課題】半導体製造における大型のメタル等の洗浄において、プラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去する高い洗浄力を発揮し、部材の剥離や変色を抑制し、さらには必要によりメタル材料の表面荒れをも抑制しうる半導体基板用洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】洗浄組成物により、エッチング工程及び/又は前記アッシング工程において半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び/又はアッシング残渣を洗浄除去する洗浄工程を含む半導体素子の製造方法であって、該洗浄組成物は、水と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、有機溶媒とを組み合わせて含有し、pHが1.5〜5.0に調整されたことを特徴とする半導体素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、銅配線を腐食させることなく、配線金属の腐食抑制の目的で添加されている防食剤などの有機残渣、および研磨された銅配線金属の銅の残渣の除去性に優れる銅および銅合金配線半導体用の洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨工程に続く洗浄工程において使用される洗浄剤であって、HLBが15〜35であって分子内に少なくとも1個の水酸基を有するアミン(A)、HLBが10〜30であって分子内に少なくとも1個の3級アミノ基を有しかつ水酸基を含まないアミン(B)、および水を必須成分とし、使用時のpHが7.5〜13.0であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 (もっと読む)


【課題】実装された電子部品やその接合部分に悪影響を与えることなく、プリント配線板の各種電子部品との接合面である銅電極面に形成された有機防錆膜と銅酸化膜を除去し、清浄な銅面に洗浄することができるプリント配線板用の水系洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】グリコールエーテル系化合物(A)、下式で表される非イオン性界面活性剤(B)、および有機酸類(C)を含有することを特徴とする。


(式中、Rは炭素数6〜20の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基、フェニル基、または炭素数7〜12の直鎖または分岐鎖アルキル基で置換されたフェニル基を、Rは水素原子またはメチル基を示す、mは2〜20の整数を示す。) (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、クレンジング効果、使用感、使用後のさっぱり感に優れ、且つ保存安定性も良好なクレンジング化粧料を提供することにある
【解決手段】
(A)トリス(トリメチルシロキシ)メチルシランと、(B)高分子増粘剤と、(C)HLB9以上の非イオン性界面活性剤とを含有するクレンジング化粧料。 (もっと読む)


【課題】従来のキレート剤と比較して十分なキレート能を有し、金属およびガラスの腐食防止効果を有する組成物を提供する。
【解決手段】本発明の組成物は、下記一般式(1)で表されるリンゴ酸構造含有アミノ化合物と酒石酸(塩)を、mol比で30:70〜95:5の割合で含む組成物である。


上記一般式(1)において、−Rは、−H、−CH、−C、−CHCHCOOM、−CHCHCHCHNH、−CHOH、を表し、Mはそれぞれ独立に、水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、アンモニウムイオン、アミン塩を表す。 (もっと読む)


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