薄膜形成方法
【課題】待機時においても蒸着装置内部の温度を下げないことで生産再開時の立ち上げ時間ロスを無くすとともに、搬送治具への不要な蒸着粒子付着を抑制し、信頼性の高い基板への薄膜形成を実現する。
【解決手段】ターゲットに電子ビームを照射して搬送治具に載置された基板に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、搬送治具に載置された基板に薄膜を形成する成膜時と、搬送治具への基板の載置がない待機時とで、電子ビームを発生させる電子ビーム源である電子銃への投入パワーを略同一とし、かつ、待機時のターゲットに照射する電子ビームの照射領域を異ならせることによって、蒸着装置内部の温度を保ったまま、成膜レートを抑制する。
【解決手段】ターゲットに電子ビームを照射して搬送治具に載置された基板に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、搬送治具に載置された基板に薄膜を形成する成膜時と、搬送治具への基板の載置がない待機時とで、電子ビームを発生させる電子ビーム源である電子銃への投入パワーを略同一とし、かつ、待機時のターゲットに照射する電子ビームの照射領域を異ならせることによって、蒸着装置内部の温度を保ったまま、成膜レートを抑制する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜形成方法に関し、特に、真空中でターゲットに電子ビームを照射して蒸発した材料を基板に堆積させる薄膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気テープやコンデンサ、半導体などに用いられる薄膜の形成方法として、従来から大量生産に有効な真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法などが用いられてきた。近年、液晶表示パネルやプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと略す）などの画像表示装置向けの大面積基板に薄膜を形成する用途が増加し、これらの薄膜の形成方法として高速で良質の薄膜を形成できる真空蒸着法、なかでも電子ビーム蒸着法が広く用いられるようになった。
【０００３】
このような大面積基板に薄膜形成を行う蒸着装置として、基板投入室と蒸着室と基板取出室とを有し、これらの室間をゲートバルブなどによって仕切って連接した構成のインライン式の蒸着装置が用いられている。このような蒸着装置では、蒸着室内を大気に曝すことがなく、かつ、蒸着前に脱ガス処理などを行うことができるので、蒸着室内の雰囲気を安定に維持することができる。そのため、バッチ式装置と比較して処理タクトが短く生産性を向上させることが可能となり、ＰＤＰの保護膜を形成するために広く用いられている。
【０００４】
このような蒸着装置を用いた薄膜形成方法が特許文献１に開示されている。すなわち、基板投入室で、薄膜形成面を下に向けた基板を薄膜形成領域を開口させた搬送治具上に載置し、蒸着前に加熱、脱ガスなどの前処理を行い、その後、搬送治具ごと所定温度に保持された蒸着室に搬送して電子ビームによって加熱された蒸着材料の薄膜を基板上に堆積、形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１０９４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、画像表示装置の大面積化に伴い、大面積の基板に薄膜を形成するための電子ビームを用いた蒸着装置自体も大型化している。そのため蒸着装置の熱容量も増大している。一方、このような熱容量の大きな蒸着装置においては、基板への薄膜形成を行わない待機時に電子ビームの出力を停止する、あるいは電子ビーム源への投入パワーを抑制すると、蒸着装置内部の温度が低下して生産再開時には蒸着装置内部を所定温度にするまでに長時間を必要として生産性が低下するという課題がある。
【０００７】
このような課題を回避するため、待機時においても電子ビームの出力を下げずに蒸着装置内の温度を一定に保つ方法も考えられる。しかしながら、この場合には基板への薄膜形成時と同様にターゲットが加熱され、搬送治具の基板が載置される面にも蒸発物が回りこんで堆積、付着することになる。
【０００８】
このため、生産再開時に基板を搬送治具上に載置すると、待機時に搬送治具上に付着した薄膜が基板に転写し、製品の導通不良やショートなどの不良が発生するといった課題がある。また、蒸発物の回りこみによって堆積された蒸着粒子は、その付着力が弱いために搬送治具から容易に剥離落下し、蒸着装置内での異物や異常放電などの発生原因となるなどの課題を有していた。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、待機時においても蒸着装置内部の温度を下げないことで生産再開時の装置立ち上げ時間ロスを無くすとともに、待機時に搬送治具への不要な蒸着粒子付着を抑制することができる薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した目的を達成するために、本発明の薄膜形成方法は、ターゲットに電子ビームを照射して搬送治具に載置された基板に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、搬送治具に載置された基板に薄膜を形成する成膜時と、搬送治具への基板の載置がない待機時とで、電子ビームを発生させる電子ビーム源への投入パワーを略同一とし、かつ、待機時のターゲットに照射する電子ビームの照射領域を異ならせたことを特徴とする。
【００１１】
このような方法によれば、電子ビームを発生させる電子ビーム源への投入パワーを略同一にすることで、待機時に蒸着装置内部の温度が低下することなく、生産再開時の蒸着装置の立ち上げ時間ロスを無くすことができる。さらに、待機時には、ターゲットからの蒸発を抑えるように電子ビームの照射領域を異ならせることで、搬送治具への不要な蒸着粒子付着を抑制し、搬送治具へ基板を載置した際に基板への蒸着粒子の転写を防止することもできる。したがって、製品の導通不良やショートなどの不良発生および蒸着装置内での異物や異常放電の発生が低減する。
【００１２】
さらに、待機時における電子ビームの照射領域を、電子ビームを走査させる振幅を成膜時よりも大きくするように異ならせてもよい。このような方法によれば、待機時にターゲットに照射される電子ビームの単位時間、単位面積あたりのエネルギー密度を減少させてターゲットからの蒸発をさらに抑制して、搬送治具への不要な蒸着粒子付着をさらに抑制することができる。
【００１３】
さらに、待機時における電子ビームのスポット径を成膜時における電子ビームのスポット径よりも大きくしてもよい。このような方法によれば、待機時にターゲットに照射される電子ビームの単位時間、単位面積あたりのエネルギー密度を電子ビームの走査をすることなく容易に低下させることができ、ターゲットからの蒸発を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の薄膜形成方法によれば、待機時においても蒸着装置内部の温度を下げないことで生産再開時の時間ロスを無くすとともに、搬送治具への不要な蒸着粒子付着を抑制し、信頼性の高い基板への薄膜形成を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態１における薄膜形成方法で用いる電子ビーム蒸着装置の成膜時における断面模式図である。
【図２】本発明の実施の形態１における薄膜形成方法で用いる電子ビーム源である電子銃の断面模式図である。
【図３】従来の薄膜形成方法における電子ビーム蒸着装置の待機時における断面模式図である。
【図４Ａ】従来の薄膜形成方法における待機時に蒸着装置を通過した後の搬送治具の概略断面図である。
【図４Ｂ】従来の薄膜形成方法における基板に薄膜を形成した後の模式図である。
【図５】搖動コイル制御値と成膜レートおよび蒸着装置内部温度との関係を示す図である。
【図６】集束コイル制御値と成膜レートおよび蒸着装置内部温度との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における薄膜形成方法で用いる電子ビーム蒸着装置の成膜時における断面模式図である。搬送治具に基板を載置し、搬送治具ごと基板を搬送し、基板に薄膜を形成している状態を示している。本発明の実施の形態では、大画面画像表示装置としてのプラズマディスプレイ装置を構成するＰＤＰ用の表示電極、誘電体層などが形成された前面基板（以下、基板と略す）に、保護層としてのＭｇＯ（酸化マグネシウム）薄膜を形成する薄膜形成方法を例として説明する。
【００１８】
この電子ビーム蒸着装置１０は、ＰＤＰの基板１００を投入する前に予備加熱するとともに、予備排気を行うための基板投入室１１と、基板１００に対しＭｇＯを蒸着してＭｇＯ薄膜である保護層１６０を形成する成膜室である蒸着室１２と、蒸着室１２での蒸着が終了後、取り出された基板１００を冷却するための基板取出室１３とを備えたインライン式の電子ビーム蒸着装置である。
【００１９】
基板投入室１１、蒸着室１２、基板取出室１３の各々は、内部を真空雰囲気にできるよう密閉構造となっており、各室毎に独立して真空排気系１４ａ、１４ｂ、１４ｃをそれぞれ備えている。
【００２０】
また、基板投入室１１、蒸着室１２、基板取出室１３を貫いて、搬送ローラー、ワイヤー、チェーンなどによる搬送手段１５を配設している。また、外気と基板投入室１１との間、基板投入室１１と蒸着室１２との間、蒸着室１２と基板取出室１３との間、基板取出室１３と外気との間を、それぞれを開閉可能な仕切壁１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄで仕切っている。なお、搬送手段１５の駆動と仕切壁１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄの開閉との連動によって、基板投入室１１、蒸着室１２、基板取出室１３のそれぞれの真空度の変動を最低限にしている。
【００２１】
さらに、基板１００を電子ビーム蒸着装置１０外から基板投入室１１、蒸着室１２、基板取出室１３を順に通過させて、それぞれの室での所定の処理を行い、その後、電子ビーム蒸着装置１０外に搬出することが可能であり、複数枚の基板１００に対して連続してＭｇＯを成膜することができる。
【００２２】
また、基板投入室１１、蒸着室１２の各室には、基板１００を加熱するための加熱ランプ１７ａ、１７ｂをそれぞれ設置している。なお、基板１００の搬送は、搬送治具１５０に載置した状態で行われる。
【００２３】
次に、成膜室である蒸着室１２について説明する。蒸着室１２には、ＭｇＯのペレットからなるターゲット１２０を配置したハース１１０、電子ビーム源である電子銃１８などを設けている。蒸着時には、電子銃１８から照射した電子ビーム１９を、偏向マグネット（図示せず）により発生する磁場によって偏向してターゲット１２０に照射し、ＭｇＯの蒸気流１４０を発生させる。そして、発生させた蒸気流１４０を、搬送治具１５０に載置した基板１００の表面に堆積させてＭｇＯの薄膜である保護層１６０を形成する。
【００２４】
次に、成膜の流れを説明する。まず、薄膜形成面を下に向けた基板１００を薄膜形成領域を開口させた搬送治具１５０上に載置した後、仕切壁１６ａを開けて、基板１００を搬送治具１５０ごと基板投入室１１に搬入する。基板投入室１１では、真空排気系１４ａにより基板投入室１１を真空に排気するとともに、加熱ランプ１７ａにより基板１００を所定の温度まで加熱する。基板投入室１１が所定の圧力に到達し、所定の時間、基板１００を加熱後、仕切壁１６ｂを開けて、基板１００を搬送治具１５０ごと蒸着室１２へ搬送する。
【００２５】
蒸着室１２では、加熱ランプ１７ｂにより基板１００を加熱してこれを一定温度に保つ。
【００２６】
この温度は、基板１００上にすでに形成されている表示電極や誘電体層が熱劣化することがないように、１００℃〜４００℃程度に設定される。次に、ガス導入手段（図示せず）からガスを導入する。この際のガスとしては、例えば、ＭｇＯ膜中の酸素欠損を防止する目的からは、酸素、または酸素を含むガスを挙げることができ、積極的にＣ、Ｈなどの不純物を膜中に混入する目的からは、水、水素、一酸化炭素、二酸化炭素の中から選ばれる少なくとも一つのガスを挙げることができる。そしてこの状態で電子銃１８から電子ビーム１９をターゲット１２０に照射すると、ターゲット１２０が加熱され、ＭｇＯの蒸気流１４０が発生する。ＭｇＯの蒸気流１４０は、その一部がシャッタ１３０の開口部を通過して、Ａの方向に搬送される基板１００に堆積することにより、基板１００上にはＭｇＯ薄膜の保護層１６０が形成される。
【００２７】
次に、仕切壁１６ｃを通じて基板１００を搬送治具１５０ごと真空雰囲気の基板取出室１３へ搬送する。仕切壁１６ｃを閉じた後、基板取出室１３を大気まで復圧させるとともに、基板１００を所定の温度まで冷却後、仕切壁１６ｄを開け、基板１００を搬送治具１５０ごと装置外に搬送し、基板１００を取り外す。搬送治具１５０は、次に薄膜が形成される基板１００を載置するために、載置ポジション（図示せず）まで移送される。
【００２８】
なお、電子ビーム１９の照射により膜原料であるＭｇＯペレットからなるターゲット１２０を蒸発させると、膜原料から酸素原子が脱離しやすく、非化学量論的ＭｇＯが形成され、薄膜の透過率を低下させるので、酸素ガスを供給しつつ成膜を行ない薄膜の透過率を高める操作を行う。保護膜の膜質、特性、膜厚は、基板１００の温度、蒸着室１２内の酸素ガス分圧、電子銃１８からの電子ビーム１９の強度、蒸着室１２の全圧、搬送治具１５０の搬送速度等の各種パラメータによって任意に制御することができる。
【００２９】
次に、電子ビーム源である電子銃について説明する。図２は、本発明の実施の形態１における薄膜形成方法で用いる電子ビーム源である電子銃の断面模式図である。電子ビーム源である電子銃１８にはピアス式電子銃を用いている。ピアス式電子銃は、ビーム発生源と被照射物の真空雰囲気の分離ができ、ビーム発生源を安定に保持できるという利点があり、加熱したカソード２１から熱電子を放出し、カソード２１およびウェネルト２２とアノード２３とで形成された電界により、電子の引き出しと集束を行う。従って、カソード２１、ウェネルト２２、アノード２３の寸法・位置がビーム形成に重要である。
【００３０】
アノード２３を通過した電子ビーム１９は、集束コイル２４、搖動コイル２５、電子ビーム偏向装置（図示せず）により、電子ビーム１９が散逸しないように制御され、ハース１１０内のターゲット１２０に照射される。
【００３１】
図２に示すように、フィラメント２６は、交流電流を流し、ジュール熱で発熱し、熱電子を放出する。カソード２１は、フィラメント２６に対し正の電圧を印加することによりフィラメント２６で発生し、加速された電子を受け取ることで加熱され、熱電子を放出する。ウェネルト２２は、フォーカス電極とも呼ばれ、カソード２１と同電位で、アノード２３との間に電子がアノード２３の中心に向かうような電界を形成し、効率よく電子ビーム１９を発生させる。アノード２３は、カソード２１に対して正の電位にあり、カソード２１で発生した熱電子を加速する。通常、アノード２３は、グランド電位におくのでカソード２１には負の電位を印加している。中心にある孔を電子ビーム１９が通過する。
【００３２】
集束コイル２４は、集束レンズまたは単にレンズと呼ぶこともある。集束コイル２４が発生する磁場により、アノード２３を通過した電子ビーム１９をハース１１０のターゲット１２０上に集束させる。
【００３３】
電子ビーム１９との衝突などで発生したイオンはアノード２３とカソード２１の電圧で加速され、カソード２１をスパッタして孔ができる。イオンコレクタ２７は長時間の使用により、孔がカソード２１を貫通したときに、イオンビームを受け止め、電子銃本体にダメージが生じないようにする。フローレジスタ２８はコンダクタンスを小さくし、カソード室（ビーム発生部内）の圧力を低く保つ。
【００３４】
ここで、従来の薄膜形成方法における問題点について図３、図４Ａ、図４Ｂを用いて詳しく説明する。図３は、従来の薄膜形成方法における電子ビーム蒸着装置の待機時における断面模式図である。搬送治具１５０に基板１００を載置せず、搬送治具１５０のみが搬送されている状態を示している。図３において図１と同じ構成部分については同じ符号を用い説明を省略する。
【００３５】
図４Ａは、従来の薄膜形成方法における待機時に蒸着装置を通過した後の搬送治具の概略断面図である。図４Ｂは、従来の薄膜形成方法における基板に薄膜を形成した後の模式図である。
【００３６】
図３に示すように、従来の薄膜形成方法においては、待機時においても、基板１００への薄膜形成時と同様に、電子銃１８から電子ビーム１９がターゲット１２０へ照射される。したがって、薄膜形成時と同様にターゲット１２０が加熱されるため、ターゲット１２０から蒸気流１４０が発生する。
【００３７】
この場合、図４Ａに示すように、蒸着室１２内を搬送手段１５によって搬送される搬送治具１５０上の基板１００が載置される面にも蒸発物が回りこんで堆積し、ＭｇＯ蒸着粒子４０が付着する。このＭｇＯ蒸着粒子４０は、蒸発物の回りこみによって形成されたものなので、その付着力が弱く搬送治具１５０から容易に剥離する。
【００３８】
そして、生産再開時には待機時にＭｇＯ蒸着粒子４０が付着した搬送治具１５０上に基板１００が載置される。
【００３９】
この場合、図４Ｂに示すように、ＭｇＯ薄膜の保護層１６０の形成後に、搬送治具１５０から基板１００を取り外すと、ＭｇＯ薄膜の保護層１６０の形成を予定していない領域にまでＭｇＯ蒸着粒子４０が、搬送治具１５０から転写され付着する。ＰＤＰの基板にはＰＤＰに電力を供給するための表示電極が形成されており、基板の端部においては誘電体層および保護層に覆われず露出している。この領域にＭｇＯ蒸着粒子４０が付着すると、製品に導通不良やショートなどの不良が発生する。また、電子ビーム蒸着装置１０内でＭｇＯ蒸着粒子４０が剥落すると蒸着装置内での異物や異常放電が発生する。特にＰＤＰの大画面化に伴い、保護層１６０を形成するために搬送治具１５０が構成する開口面積が大きくなることで、このような蒸発物の回りこみに起因した問題の発生が顕著になっている。
【００４０】
これに対して、本発明の実施の形態１では、上述した構成によって以下に説明する作用を生じる。
【００４１】
実施の形態１においては、以下の表１に示すように電子銃１８の設定を成膜時と待機時とで変更し、待機時においては、投入パワー（加速電圧）は変更せず、搖動コイル２５の設定を変更し、電子ビーム１９を成膜時より大きく振動させ振幅を大きくすることで、電子ビーム１９のターゲット１２０への照射領域を成膜時と異ならせている。
【００４２】
ここで表１に示した設定値は、例えば対角５０インチの基板を２枚同時に並列処理可能な電子ビーム蒸着装置のパラメータである。
【００４３】
【表１】
【００４４】
図５は、搖動コイル制御値と成膜レートおよび蒸着装置内部温度との関係を示す図である。電子ビーム源である電子銃１８への投入パワー（加速電圧）は略同一であり、電子ビームの出力（エミッション電流）も略同一であるが、搖動コイル制御値が増加するに従い、電子ビーム１９の振幅が大きくなり、成膜レートは成膜時の７００ｎｍ／ｍｉｎから１２ｎｍ／ｍｉｎへと大きく低下し、かつ蒸着装置内部温度は搖動コイル制御値に依存しないことが分かる。
【００４５】
このように搖動コイル制御値を変更し、電子ビーム１９の振幅を大きくする薄膜形成方法によれば、待機時におけるターゲット１２０の単位時間あたりのエネルギー密度を低下させることができる。すなわち、ターゲット１２０の表面温度の上昇を抑制できるので、ターゲット１２０からの蒸発を抑制することができる。なおかつ電子ビーム源である電子銃１８の出力が成膜時と略同一なので、蒸着装置内部の温度は成膜時と同じ約２００℃であり、従来のように生産再開時に再び温度を上昇させるために長時間の準備を必要としない。また、ターゲット１２０の蒸発を抑制することができるので、待機時に搬送治具１５０に蒸着粒子が付着することを防止することができる。
【００４６】
以上説明したように、本発明の実施の形態１においては、生産再開時に搬送治具１５０に付着したＭｇＯ蒸着粒子４０が搬送治具１５０から剥がれて基板１００に転写し、基板１００に形成された電極の導通不良やショートなど製品不良が発生することを防止することができる。また、電子ビーム蒸着装置１０内でＭｇＯ蒸着粒子４０が剥落し、異物や異常放電が発生することを防止できる。
【００４７】
（実施の形態２）
実施の形態２が実施の形態１と異なる点は、電子ビーム１９のターゲット１２０への照射領域を成膜時と待機時とで異ならせるために、以下の表２に示すように電子銃１８の設定を成膜時と待機時とで変更し、待機時において投入パワー（加速電圧）は変更せず、集束コイル２４の制御値を変更し、電子ビーム１９がターゲット１２０へ照射するスポット径を成膜時のスポット径より大きくしたことである。
【００４８】
ここで表２に示した設定値は、例えば対角５０インチの基板を２枚同時に並列処理可能な電子ビーム蒸着装置のパラメータである。
【００４９】
【表２】
【００５０】
図６は、集束コイル制御値と成膜レートおよび蒸着装置内部温度との関係を示す図である。電子ビーム源である電子銃１８への投入パワー（加速電圧）は略同一であり、電子ビームの出力（エミッション電流）も略同一であるが、集束コイル制御値が増加するに従い、電子ビーム１９のスポット径は大きくなり、成膜レートは成膜時の７００ｎｍ／ｍｉｎから２０ｎｍ／ｍｉｎへと大きく低下し、かつ蒸着装置内部温度は集束コイル制御値に依存しないことが分かる。
【００５１】
このように集束コイル制御値を変更し、電子ビーム１９のスポット径を大きくする薄膜形成方法によれば、電子ビーム１９の走査をすることなく待機時におけるターゲット１２０の単位時間あたりのエネルギー密度を低下させることができる。なおかつ蒸着装置内部の温度は成膜時と同じ約２００℃であり、従来のように生産再開時に再び温度を上昇させるために長時間の準備を必要としない。
【００５２】
以上述べたように本発明の実施の形態による薄膜形成方法は、基板に薄膜を形成する成膜時と、基板への薄膜の形成がない待機時とで、電子ビーム源である電子銃への投入パワーを略同一として、電子ビームをターゲットへ照射する領域を異ならせたことを特徴とするもので、このような方法によれば、待機時においても蒸着室内部の温度が下がることがなく生産再開時の立ち上げ時間ロスを無くすことができるとともに待機時のターゲットの蒸発を抑えることで基板への不要な蒸着粒子の付着を防ぐことができるので、基板に薄膜を高速で信頼性高く形成することができる。
【００５３】
なお、実施の形態１および実施の形態２で示した電子銃１８の設定値に関しては、電子銃１８の機種、ハース１１０の大きさ、数、ターゲット１２０の種類、蒸着室１２の内圧等の各パラメータによって適宜変更可能であり、上述した値に限定されるものではないことは言うまでもない。
【００５４】
また、集束コイル制御値と搖動コイル制御値の双方の設定値を同時に変更し、成膜時と待機時とで電子ビーム１９の照射領域を異ならせることもできる。
【００５５】
さらに、本発明の実施の形態においては、ＰＤＰ用の基板１００に、ＭｇＯ薄膜の保護層１６０を形成する例について説明したが、本発明による薄膜形成方法は本実施例に限定されるものではなく、電子ビームによってターゲットを加熱し、その蒸気流で基板に薄膜を形成する全ての例に適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明の薄膜形成方法は、特に大面積の基板に薄膜を高速で信頼性高く形成する方法として広く有用である。
【符号の説明】
【００５７】
１０ 電子ビーム蒸着装置
１１ 基板投入室
１２ 蒸着室
１３ 基板取出室
１４ａ，１４ｂ，１４ｃ 真空排気系
１５ 搬送手段
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ 仕切壁
１７ａ，１７ｂ 加熱ランプ
１８ 電子銃
１９ 電子ビーム
１００ 基板
１１０ ハース
１２０ ターゲット
１３０ シャッタ
１４０ 蒸気流
１５０ 搬送治具
１６０ 保護層
２１ カソード
２２ ウェネルト
２３ アノード
２４ 集束コイル
２５ 搖動コイル
２６ フィラメント
２７ イオンコレクタ
２８ フローレジスタ
４０ ＭｇＯ蒸着粒子
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜形成方法に関し、特に、真空中でターゲットに電子ビームを照射して蒸発した材料を基板に堆積させる薄膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気テープやコンデンサ、半導体などに用いられる薄膜の形成方法として、従来から大量生産に有効な真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法などが用いられてきた。近年、液晶表示パネルやプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと略す）などの画像表示装置向けの大面積基板に薄膜を形成する用途が増加し、これらの薄膜の形成方法として高速で良質の薄膜を形成できる真空蒸着法、なかでも電子ビーム蒸着法が広く用いられるようになった。
【０００３】
このような大面積基板に薄膜形成を行う蒸着装置として、基板投入室と蒸着室と基板取出室とを有し、これらの室間をゲートバルブなどによって仕切って連接した構成のインライン式の蒸着装置が用いられている。このような蒸着装置では、蒸着室内を大気に曝すことがなく、かつ、蒸着前に脱ガス処理などを行うことができるので、蒸着室内の雰囲気を安定に維持することができる。そのため、バッチ式装置と比較して処理タクトが短く生産性を向上させることが可能となり、ＰＤＰの保護膜を形成するために広く用いられている。
【０００４】
このような蒸着装置を用いた薄膜形成方法が特許文献１に開示されている。すなわち、基板投入室で、薄膜形成面を下に向けた基板を薄膜形成領域を開口させた搬送治具上に載置し、蒸着前に加熱、脱ガスなどの前処理を行い、その後、搬送治具ごと所定温度に保持された蒸着室に搬送して電子ビームによって加熱された蒸着材料の薄膜を基板上に堆積、形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１０９４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、画像表示装置の大面積化に伴い、大面積の基板に薄膜を形成するための電子ビームを用いた蒸着装置自体も大型化している。そのため蒸着装置の熱容量も増大している。一方、このような熱容量の大きな蒸着装置においては、基板への薄膜形成を行わない待機時に電子ビームの出力を停止する、あるいは電子ビーム源への投入パワーを抑制すると、蒸着装置内部の温度が低下して生産再開時には蒸着装置内部を所定温度にするまでに長時間を必要として生産性が低下するという課題がある。
【０００７】
このような課題を回避するため、待機時においても電子ビームの出力を下げずに蒸着装置内の温度を一定に保つ方法も考えられる。しかしながら、この場合には基板への薄膜形成時と同様にターゲットが加熱され、搬送治具の基板が載置される面にも蒸発物が回りこんで堆積、付着することになる。
【０００８】
このため、生産再開時に基板を搬送治具上に載置すると、待機時に搬送治具上に付着した薄膜が基板に転写し、製品の導通不良やショートなどの不良が発生するといった課題がある。また、蒸発物の回りこみによって堆積された蒸着粒子は、その付着力が弱いために搬送治具から容易に剥離落下し、蒸着装置内での異物や異常放電などの発生原因となるなどの課題を有していた。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、待機時においても蒸着装置内部の温度を下げないことで生産再開時の装置立ち上げ時間ロスを無くすとともに、待機時に搬送治具への不要な蒸着粒子付着を抑制することができる薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した目的を達成するために、本発明の薄膜形成方法は、ターゲットに電子ビームを照射して搬送治具に載置された基板に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、搬送治具に載置された基板に薄膜を形成する成膜時と、搬送治具への基板の載置がない待機時とで、電子ビームを発生させる電子ビーム源への投入パワーを略同一とし、かつ、待機時のターゲットに照射する電子ビームの照射領域を異ならせたことを特徴とする。
【００１１】
このような方法によれば、電子ビームを発生させる電子ビーム源への投入パワーを略同一にすることで、待機時に蒸着装置内部の温度が低下することなく、生産再開時の蒸着装置の立ち上げ時間ロスを無くすことができる。さらに、待機時には、ターゲットからの蒸発を抑えるように電子ビームの照射領域を異ならせることで、搬送治具への不要な蒸着粒子付着を抑制し、搬送治具へ基板を載置した際に基板への蒸着粒子の転写を防止することもできる。したがって、製品の導通不良やショートなどの不良発生および蒸着装置内での異物や異常放電の発生が低減する。
【００１２】
さらに、待機時における電子ビームの照射領域を、電子ビームを走査させる振幅を成膜時よりも大きくするように異ならせてもよい。このような方法によれば、待機時にターゲットに照射される電子ビームの単位時間、単位面積あたりのエネルギー密度を減少させてターゲットからの蒸発をさらに抑制して、搬送治具への不要な蒸着粒子付着をさらに抑制することができる。
【００１３】
さらに、待機時における電子ビームのスポット径を成膜時における電子ビームのスポット径よりも大きくしてもよい。このような方法によれば、待機時にターゲットに照射される電子ビームの単位時間、単位面積あたりのエネルギー密度を電子ビームの走査をすることなく容易に低下させることができ、ターゲットからの蒸発を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の薄膜形成方法によれば、待機時においても蒸着装置内部の温度を下げないことで生産再開時の時間ロスを無くすとともに、搬送治具への不要な蒸着粒子付着を抑制し、信頼性の高い基板への薄膜形成を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態１における薄膜形成方法で用いる電子ビーム蒸着装置の成膜時における断面模式図である。
【図２】本発明の実施の形態１における薄膜形成方法で用いる電子ビーム源である電子銃の断面模式図である。
【図３】従来の薄膜形成方法における電子ビーム蒸着装置の待機時における断面模式図である。
【図４Ａ】従来の薄膜形成方法における待機時に蒸着装置を通過した後の搬送治具の概略断面図である。
【図４Ｂ】従来の薄膜形成方法における基板に薄膜を形成した後の模式図である。
【図５】搖動コイル制御値と成膜レートおよび蒸着装置内部温度との関係を示す図である。
【図６】集束コイル制御値と成膜レートおよび蒸着装置内部温度との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における薄膜形成方法で用いる電子ビーム蒸着装置の成膜時における断面模式図である。搬送治具に基板を載置し、搬送治具ごと基板を搬送し、基板に薄膜を形成している状態を示している。本発明の実施の形態では、大画面画像表示装置としてのプラズマディスプレイ装置を構成するＰＤＰ用の表示電極、誘電体層などが形成された前面基板（以下、基板と略す）に、保護層としてのＭｇＯ（酸化マグネシウム）薄膜を形成する薄膜形成方法を例として説明する。
【００１８】
この電子ビーム蒸着装置１０は、ＰＤＰの基板１００を投入する前に予備加熱するとともに、予備排気を行うための基板投入室１１と、基板１００に対しＭｇＯを蒸着してＭｇＯ薄膜である保護層１６０を形成する成膜室である蒸着室１２と、蒸着室１２での蒸着が終了後、取り出された基板１００を冷却するための基板取出室１３とを備えたインライン式の電子ビーム蒸着装置である。
【００１９】
基板投入室１１、蒸着室１２、基板取出室１３の各々は、内部を真空雰囲気にできるよう密閉構造となっており、各室毎に独立して真空排気系１４ａ、１４ｂ、１４ｃをそれぞれ備えている。
【００２０】
また、基板投入室１１、蒸着室１２、基板取出室１３を貫いて、搬送ローラー、ワイヤー、チェーンなどによる搬送手段１５を配設している。また、外気と基板投入室１１との間、基板投入室１１と蒸着室１２との間、蒸着室１２と基板取出室１３との間、基板取出室１３と外気との間を、それぞれを開閉可能な仕切壁１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄで仕切っている。なお、搬送手段１５の駆動と仕切壁１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄの開閉との連動によって、基板投入室１１、蒸着室１２、基板取出室１３のそれぞれの真空度の変動を最低限にしている。
【００２１】
さらに、基板１００を電子ビーム蒸着装置１０外から基板投入室１１、蒸着室１２、基板取出室１３を順に通過させて、それぞれの室での所定の処理を行い、その後、電子ビーム蒸着装置１０外に搬出することが可能であり、複数枚の基板１００に対して連続してＭｇＯを成膜することができる。
【００２２】
また、基板投入室１１、蒸着室１２の各室には、基板１００を加熱するための加熱ランプ１７ａ、１７ｂをそれぞれ設置している。なお、基板１００の搬送は、搬送治具１５０に載置した状態で行われる。
【００２３】
次に、成膜室である蒸着室１２について説明する。蒸着室１２には、ＭｇＯのペレットからなるターゲット１２０を配置したハース１１０、電子ビーム源である電子銃１８などを設けている。蒸着時には、電子銃１８から照射した電子ビーム１９を、偏向マグネット（図示せず）により発生する磁場によって偏向してターゲット１２０に照射し、ＭｇＯの蒸気流１４０を発生させる。そして、発生させた蒸気流１４０を、搬送治具１５０に載置した基板１００の表面に堆積させてＭｇＯの薄膜である保護層１６０を形成する。
【００２４】
次に、成膜の流れを説明する。まず、薄膜形成面を下に向けた基板１００を薄膜形成領域を開口させた搬送治具１５０上に載置した後、仕切壁１６ａを開けて、基板１００を搬送治具１５０ごと基板投入室１１に搬入する。基板投入室１１では、真空排気系１４ａにより基板投入室１１を真空に排気するとともに、加熱ランプ１７ａにより基板１００を所定の温度まで加熱する。基板投入室１１が所定の圧力に到達し、所定の時間、基板１００を加熱後、仕切壁１６ｂを開けて、基板１００を搬送治具１５０ごと蒸着室１２へ搬送する。
【００２５】
蒸着室１２では、加熱ランプ１７ｂにより基板１００を加熱してこれを一定温度に保つ。
【００２６】
この温度は、基板１００上にすでに形成されている表示電極や誘電体層が熱劣化することがないように、１００℃〜４００℃程度に設定される。次に、ガス導入手段（図示せず）からガスを導入する。この際のガスとしては、例えば、ＭｇＯ膜中の酸素欠損を防止する目的からは、酸素、または酸素を含むガスを挙げることができ、積極的にＣ、Ｈなどの不純物を膜中に混入する目的からは、水、水素、一酸化炭素、二酸化炭素の中から選ばれる少なくとも一つのガスを挙げることができる。そしてこの状態で電子銃１８から電子ビーム１９をターゲット１２０に照射すると、ターゲット１２０が加熱され、ＭｇＯの蒸気流１４０が発生する。ＭｇＯの蒸気流１４０は、その一部がシャッタ１３０の開口部を通過して、Ａの方向に搬送される基板１００に堆積することにより、基板１００上にはＭｇＯ薄膜の保護層１６０が形成される。
【００２７】
次に、仕切壁１６ｃを通じて基板１００を搬送治具１５０ごと真空雰囲気の基板取出室１３へ搬送する。仕切壁１６ｃを閉じた後、基板取出室１３を大気まで復圧させるとともに、基板１００を所定の温度まで冷却後、仕切壁１６ｄを開け、基板１００を搬送治具１５０ごと装置外に搬送し、基板１００を取り外す。搬送治具１５０は、次に薄膜が形成される基板１００を載置するために、載置ポジション（図示せず）まで移送される。
【００２８】
なお、電子ビーム１９の照射により膜原料であるＭｇＯペレットからなるターゲット１２０を蒸発させると、膜原料から酸素原子が脱離しやすく、非化学量論的ＭｇＯが形成され、薄膜の透過率を低下させるので、酸素ガスを供給しつつ成膜を行ない薄膜の透過率を高める操作を行う。保護膜の膜質、特性、膜厚は、基板１００の温度、蒸着室１２内の酸素ガス分圧、電子銃１８からの電子ビーム１９の強度、蒸着室１２の全圧、搬送治具１５０の搬送速度等の各種パラメータによって任意に制御することができる。
【００２９】
次に、電子ビーム源である電子銃について説明する。図２は、本発明の実施の形態１における薄膜形成方法で用いる電子ビーム源である電子銃の断面模式図である。電子ビーム源である電子銃１８にはピアス式電子銃を用いている。ピアス式電子銃は、ビーム発生源と被照射物の真空雰囲気の分離ができ、ビーム発生源を安定に保持できるという利点があり、加熱したカソード２１から熱電子を放出し、カソード２１およびウェネルト２２とアノード２３とで形成された電界により、電子の引き出しと集束を行う。従って、カソード２１、ウェネルト２２、アノード２３の寸法・位置がビーム形成に重要である。
【００３０】
アノード２３を通過した電子ビーム１９は、集束コイル２４、搖動コイル２５、電子ビーム偏向装置（図示せず）により、電子ビーム１９が散逸しないように制御され、ハース１１０内のターゲット１２０に照射される。
【００３１】
図２に示すように、フィラメント２６は、交流電流を流し、ジュール熱で発熱し、熱電子を放出する。カソード２１は、フィラメント２６に対し正の電圧を印加することによりフィラメント２６で発生し、加速された電子を受け取ることで加熱され、熱電子を放出する。ウェネルト２２は、フォーカス電極とも呼ばれ、カソード２１と同電位で、アノード２３との間に電子がアノード２３の中心に向かうような電界を形成し、効率よく電子ビーム１９を発生させる。アノード２３は、カソード２１に対して正の電位にあり、カソード２１で発生した熱電子を加速する。通常、アノード２３は、グランド電位におくのでカソード２１には負の電位を印加している。中心にある孔を電子ビーム１９が通過する。
【００３２】
集束コイル２４は、集束レンズまたは単にレンズと呼ぶこともある。集束コイル２４が発生する磁場により、アノード２３を通過した電子ビーム１９をハース１１０のターゲット１２０上に集束させる。
【００３３】
電子ビーム１９との衝突などで発生したイオンはアノード２３とカソード２１の電圧で加速され、カソード２１をスパッタして孔ができる。イオンコレクタ２７は長時間の使用により、孔がカソード２１を貫通したときに、イオンビームを受け止め、電子銃本体にダメージが生じないようにする。フローレジスタ２８はコンダクタンスを小さくし、カソード室（ビーム発生部内）の圧力を低く保つ。
【００３４】
ここで、従来の薄膜形成方法における問題点について図３、図４Ａ、図４Ｂを用いて詳しく説明する。図３は、従来の薄膜形成方法における電子ビーム蒸着装置の待機時における断面模式図である。搬送治具１５０に基板１００を載置せず、搬送治具１５０のみが搬送されている状態を示している。図３において図１と同じ構成部分については同じ符号を用い説明を省略する。
【００３５】
図４Ａは、従来の薄膜形成方法における待機時に蒸着装置を通過した後の搬送治具の概略断面図である。図４Ｂは、従来の薄膜形成方法における基板に薄膜を形成した後の模式図である。
【００３６】
図３に示すように、従来の薄膜形成方法においては、待機時においても、基板１００への薄膜形成時と同様に、電子銃１８から電子ビーム１９がターゲット１２０へ照射される。したがって、薄膜形成時と同様にターゲット１２０が加熱されるため、ターゲット１２０から蒸気流１４０が発生する。
【００３７】
この場合、図４Ａに示すように、蒸着室１２内を搬送手段１５によって搬送される搬送治具１５０上の基板１００が載置される面にも蒸発物が回りこんで堆積し、ＭｇＯ蒸着粒子４０が付着する。このＭｇＯ蒸着粒子４０は、蒸発物の回りこみによって形成されたものなので、その付着力が弱く搬送治具１５０から容易に剥離する。
【００３８】
そして、生産再開時には待機時にＭｇＯ蒸着粒子４０が付着した搬送治具１５０上に基板１００が載置される。
【００３９】
この場合、図４Ｂに示すように、ＭｇＯ薄膜の保護層１６０の形成後に、搬送治具１５０から基板１００を取り外すと、ＭｇＯ薄膜の保護層１６０の形成を予定していない領域にまでＭｇＯ蒸着粒子４０が、搬送治具１５０から転写され付着する。ＰＤＰの基板にはＰＤＰに電力を供給するための表示電極が形成されており、基板の端部においては誘電体層および保護層に覆われず露出している。この領域にＭｇＯ蒸着粒子４０が付着すると、製品に導通不良やショートなどの不良が発生する。また、電子ビーム蒸着装置１０内でＭｇＯ蒸着粒子４０が剥落すると蒸着装置内での異物や異常放電が発生する。特にＰＤＰの大画面化に伴い、保護層１６０を形成するために搬送治具１５０が構成する開口面積が大きくなることで、このような蒸発物の回りこみに起因した問題の発生が顕著になっている。
【００４０】
これに対して、本発明の実施の形態１では、上述した構成によって以下に説明する作用を生じる。
【００４１】
実施の形態１においては、以下の表１に示すように電子銃１８の設定を成膜時と待機時とで変更し、待機時においては、投入パワー（加速電圧）は変更せず、搖動コイル２５の設定を変更し、電子ビーム１９を成膜時より大きく振動させ振幅を大きくすることで、電子ビーム１９のターゲット１２０への照射領域を成膜時と異ならせている。
【００４２】
ここで表１に示した設定値は、例えば対角５０インチの基板を２枚同時に並列処理可能な電子ビーム蒸着装置のパラメータである。
【００４３】
【表１】
【００４４】
図５は、搖動コイル制御値と成膜レートおよび蒸着装置内部温度との関係を示す図である。電子ビーム源である電子銃１８への投入パワー（加速電圧）は略同一であり、電子ビームの出力（エミッション電流）も略同一であるが、搖動コイル制御値が増加するに従い、電子ビーム１９の振幅が大きくなり、成膜レートは成膜時の７００ｎｍ／ｍｉｎから１２ｎｍ／ｍｉｎへと大きく低下し、かつ蒸着装置内部温度は搖動コイル制御値に依存しないことが分かる。
【００４５】
このように搖動コイル制御値を変更し、電子ビーム１９の振幅を大きくする薄膜形成方法によれば、待機時におけるターゲット１２０の単位時間あたりのエネルギー密度を低下させることができる。すなわち、ターゲット１２０の表面温度の上昇を抑制できるので、ターゲット１２０からの蒸発を抑制することができる。なおかつ電子ビーム源である電子銃１８の出力が成膜時と略同一なので、蒸着装置内部の温度は成膜時と同じ約２００℃であり、従来のように生産再開時に再び温度を上昇させるために長時間の準備を必要としない。また、ターゲット１２０の蒸発を抑制することができるので、待機時に搬送治具１５０に蒸着粒子が付着することを防止することができる。
【００４６】
以上説明したように、本発明の実施の形態１においては、生産再開時に搬送治具１５０に付着したＭｇＯ蒸着粒子４０が搬送治具１５０から剥がれて基板１００に転写し、基板１００に形成された電極の導通不良やショートなど製品不良が発生することを防止することができる。また、電子ビーム蒸着装置１０内でＭｇＯ蒸着粒子４０が剥落し、異物や異常放電が発生することを防止できる。
【００４７】
（実施の形態２）
実施の形態２が実施の形態１と異なる点は、電子ビーム１９のターゲット１２０への照射領域を成膜時と待機時とで異ならせるために、以下の表２に示すように電子銃１８の設定を成膜時と待機時とで変更し、待機時において投入パワー（加速電圧）は変更せず、集束コイル２４の制御値を変更し、電子ビーム１９がターゲット１２０へ照射するスポット径を成膜時のスポット径より大きくしたことである。
【００４８】
ここで表２に示した設定値は、例えば対角５０インチの基板を２枚同時に並列処理可能な電子ビーム蒸着装置のパラメータである。
【００４９】
【表２】
【００５０】
図６は、集束コイル制御値と成膜レートおよび蒸着装置内部温度との関係を示す図である。電子ビーム源である電子銃１８への投入パワー（加速電圧）は略同一であり、電子ビームの出力（エミッション電流）も略同一であるが、集束コイル制御値が増加するに従い、電子ビーム１９のスポット径は大きくなり、成膜レートは成膜時の７００ｎｍ／ｍｉｎから２０ｎｍ／ｍｉｎへと大きく低下し、かつ蒸着装置内部温度は集束コイル制御値に依存しないことが分かる。
【００５１】
このように集束コイル制御値を変更し、電子ビーム１９のスポット径を大きくする薄膜形成方法によれば、電子ビーム１９の走査をすることなく待機時におけるターゲット１２０の単位時間あたりのエネルギー密度を低下させることができる。なおかつ蒸着装置内部の温度は成膜時と同じ約２００℃であり、従来のように生産再開時に再び温度を上昇させるために長時間の準備を必要としない。
【００５２】
以上述べたように本発明の実施の形態による薄膜形成方法は、基板に薄膜を形成する成膜時と、基板への薄膜の形成がない待機時とで、電子ビーム源である電子銃への投入パワーを略同一として、電子ビームをターゲットへ照射する領域を異ならせたことを特徴とするもので、このような方法によれば、待機時においても蒸着室内部の温度が下がることがなく生産再開時の立ち上げ時間ロスを無くすことができるとともに待機時のターゲットの蒸発を抑えることで基板への不要な蒸着粒子の付着を防ぐことができるので、基板に薄膜を高速で信頼性高く形成することができる。
【００５３】
なお、実施の形態１および実施の形態２で示した電子銃１８の設定値に関しては、電子銃１８の機種、ハース１１０の大きさ、数、ターゲット１２０の種類、蒸着室１２の内圧等の各パラメータによって適宜変更可能であり、上述した値に限定されるものではないことは言うまでもない。
【００５４】
また、集束コイル制御値と搖動コイル制御値の双方の設定値を同時に変更し、成膜時と待機時とで電子ビーム１９の照射領域を異ならせることもできる。
【００５５】
さらに、本発明の実施の形態においては、ＰＤＰ用の基板１００に、ＭｇＯ薄膜の保護層１６０を形成する例について説明したが、本発明による薄膜形成方法は本実施例に限定されるものではなく、電子ビームによってターゲットを加熱し、その蒸気流で基板に薄膜を形成する全ての例に適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明の薄膜形成方法は、特に大面積の基板に薄膜を高速で信頼性高く形成する方法として広く有用である。
【符号の説明】
【００５７】
１０ 電子ビーム蒸着装置
１１ 基板投入室
１２ 蒸着室
１３ 基板取出室
１４ａ，１４ｂ，１４ｃ 真空排気系
１５ 搬送手段
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ 仕切壁
１７ａ，１７ｂ 加熱ランプ
１８ 電子銃
１９ 電子ビーム
１００ 基板
１１０ ハース
１２０ ターゲット
１３０ シャッタ
１４０ 蒸気流
１５０ 搬送治具
１６０ 保護層
２１ カソード
２２ ウェネルト
２３ アノード
２４ 集束コイル
２５ 搖動コイル
２６ フィラメント
２７ イオンコレクタ
２８ フローレジスタ
４０ ＭｇＯ蒸着粒子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットに電子ビームを照射して搬送治具に載置された基板に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記搬送治具に載置された前記基板に薄膜を形成する成膜時と、前記搬送治具への前記基板の載置がない待機時とで、前記電子ビームを発生させる電子ビーム源への投入パワーを略同一とし、かつ、待機時の前記ターゲットに照射する前記電子ビームの照射領域を異ならせたことを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項２】
待機時における前記電子ビームの前記照射領域を、前記電子ビームを走査させる振幅を成膜時よりも大きくすることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成方法。
【請求項３】
待機時における前記電子ビームのスポット径を成膜時における前記電子ビームのスポット径よりも大きくことを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成方法。
【請求項１】
ターゲットに電子ビームを照射して搬送治具に載置された基板に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記搬送治具に載置された前記基板に薄膜を形成する成膜時と、前記搬送治具への前記基板の載置がない待機時とで、前記電子ビームを発生させる電子ビーム源への投入パワーを略同一とし、かつ、待機時の前記ターゲットに照射する前記電子ビームの照射領域を異ならせたことを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項２】
待機時における前記電子ビームの前記照射領域を、前記電子ビームを走査させる振幅を成膜時よりも大きくすることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成方法。
【請求項３】
待機時における前記電子ビームのスポット径を成膜時における前記電子ビームのスポット径よりも大きくことを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１０−２８０９６１（Ｐ２０１０−２８０９６１Ａ）
【公開日】平成２２年１２月１６日（２０１０．１２．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１３５８３５（Ｐ２００９−１３５８３５）
【出願日】平成２１年６月５日（２００９．６．５）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月１６日（２０１０．１２．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年６月５日（２００９．６．５）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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