表示パネルの製造方法および表示パネル
【課題】ケミカルエッチングによって基板を薄化処理する場合に、スクライブ溝を良好に形成し、また、基板厚さを容易に違えることである。
【解決手段】スクライブ溝１６０の形成後に大判基板１１０，１２０をケミカルエッチングすることにより、基板１１０，１２０を薄化するとともにスクライブ溝１６０を深くする。その後、基板１１０，１２０を機械的に分断する。または、スクライブ溝１６０をケミカルエッチングによって主面１１０Ｓ１，１２０Ｓ１にまで到達させることにより基板１１０，１２０を分断する。一方の基板１１０，１２０上にコーティング膜を設けた状態で上記ケミカルエッチングを実施することにより、基板１１０，１２０の厚さを違える。または、基板１１０，１２０に厚さの異なる下地ガラス基板を利用することにより、コーティング膜を用いずに、基板１１０，１２０の厚さを違える。
【解決手段】スクライブ溝１６０の形成後に大判基板１１０，１２０をケミカルエッチングすることにより、基板１１０，１２０を薄化するとともにスクライブ溝１６０を深くする。その後、基板１１０，１２０を機械的に分断する。または、スクライブ溝１６０をケミカルエッチングによって主面１１０Ｓ１，１２０Ｓ１にまで到達させることにより基板１１０，１２０を分断する。一方の基板１１０，１２０上にコーティング膜を設けた状態で上記ケミカルエッチングを実施することにより、基板１１０，１２０の厚さを違える。または、基板１１０，１２０に厚さの異なる下地ガラス基板を利用することにより、コーティング膜を用いずに、基板１１０，１２０の厚さを違える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルの製造方法および表示パネルに係り、具体的にはケミカルエッチングによって薄化処理された表示パネル等に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルの製造方法として、大判（大板）の基板を用いて複数個の液晶パネルを製造する方法が知られている。大判基板を用いる場合、液晶パネルの薄型化の要請に応えるため、大判のまま基板をケミカルエッチングすることによって薄くする製造方法が知られている（特許文献１参照）。また、大判基板を用いる場合、大判基板から個々の液晶パネルを分断（ブレイク）する際に、分断箇所にカッター等でスクライブ線と呼ばれる溝を形成し（スクライブ溝形成工程）、衝撃を与えて分断する（ブレイク工程）（特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平４−１１６６１９号公報
【特許文献２】特開２００１−２１５４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、ケミカルエッチングによって基板を薄化する場合、スクライブ線（スクライブ溝）を形成する作業が困難になるという課題がある。具体的には、薄化された基板にスクライブ溝を形成すると、図２４の断面図および平面図に示すように、基板３１０に割れＡが発生したり、スクライブ溝３６０を形成しただけで基板３１０が割れしまい所望の分断を行えない（図２４中の符号Ｂの箇所を参照）。また、ケミカルエッチングによれば、対向配置された基板が両方とも同じ厚さだけエッチングされるので、基板厚さが異なる構造の液晶パネルを製造するのは容易ではないという課題がある。
【０００５】
本発明の目的は、液晶パネル等の表示パネルの基板をケミカルエッチングによって薄化する場合に、スクライブ溝を良好に形成可能な手段を提供することである。また、本発明の他の目的は、上記のケミカルエッチングによる薄化を行う場合に、基板厚さを容易に違えることが可能な手段を提供することである。以下の手段は、上記目的の少なくとも１つに貢献する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る表示パネルの製造方法は、表示パネルのための１対の基板を互いの一方主面を向き合わせて貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記貼り合わせ工程で形成された貼り合わせ体にケミカルエッチングを実施するエッチング工程と、を備え、前記ケミカルエッチングによって前記貼り合わせ体を薄化する表示パネルの製造方法であって、前記１対の基板の少なくとも一方の基板の他方主面にスクライブ溝を形成するスクライブ溝形成工程をさらに備え、前記スクライブ溝形成工程よりも後に前記エッチング工程を実施して前記ケミカルエッチングによって前記貼り合わせ体を薄化するとともに前記スクライブ溝を深くすることを特徴とする。
【０００７】
また、前記ケミカルエッチングによって深くなった前記スクライブ溝の底部で前記少なくとも一方の基板を機械的に分断するブレイク工程をさらに備えることが好ましい。
【０００８】
また、前記スクライブ溝を前記ケミカルエッチングによって前記一方主面にまで到達させることにより前記エッチング工程で前記少なくとも一方の基板を分断することが好ましい。
【０００９】
また、前記貼り合わせ工程で前記ケミカルエッチングに対して耐性を有するエッチング耐性部材を前記１対の基板で挟み、前記スクライブ溝形成工程で前記スクライブ溝を前記エッチング耐性部材に対向させて形成することが好ましい。
【００１０】
また、前記貼り合わせ工程では前記１対の基板をシールで互いに固定し、前記エッチング耐性部材を前記シールと同じ材料で形成することが好ましい。
【００１１】
また、前記ケミカルエッチングは複数回のケミカルエッチング処理によって構成され、前記複数回のケミカルエッチング処理の途中で前記１対の基板の一方の基板の前記他方主面上に前記ケミカルエッチングに対する耐性が前記１対の基板の他方の基板よりも高いコーティング膜を形成するコーティング膜形成工程をさらに備え、前記コーティング膜を有した状態で残りのケミカルエッチング処理を実施することが好ましい。
【００１２】
また、前記エッチング工程よりも前に前記１対の基板の一方の基板の前記他方主面上に前記ケミカルエッチングに対する耐性が前記１対の基板の他方の基板よりも高いコーティング膜を形成するコーティング膜形成工程をさらに備え、前記コーティング膜を有した状態で前記エッチング工程を実施することが好ましい。
【００１３】
また、前記コーティング膜形成工程を前記スクライブ溝形成工程よりも前に実施し、前記スクライブ溝形成工程で前記コーティング膜越しに前記スクライブ溝を形成することが好ましい。
【００１４】
また、前記貼り合わせ工程で前記１対の基板として厚さが異なる１対の基板を用いることが好ましい。
【００１５】
また、前記貼り合わせ体は複数のマークを有し、前記スクライブ溝形成工程で前記複数のマークのうちの２つを結ぶ直線状に前記スクライブ溝を形成することが好ましい。
【００１６】
また、前記複数のマークは前記貼り合わせ工程で利用するアライメントマークを含むことが好ましい。
【００１７】
また、本発明に係る表示パネルの製造方法は、表示パネルのための１対の基板を互いの一方主面を向き合わせて貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記貼り合わせ工程で形成された貼り合わせ体にケミカルエッチングを実施するエッチング工程と、を備え、前記ケミカルエッチングによって前記貼り合わせ体を薄化する表示パネルの製造方法であって、前記貼り合わせ工程で前記１対の基板として厚さが異なる１対の基板を用いることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明に係る表示パネルは、対向して配置された第１基板と第２基板とを備える表示パネルであって、前記第１基板は、前記第２基板の側に位置する第１主面と、前記第１主面よりも前記第２基板から遠くに位置する第２主面と、前記第１主面のエッジから連続して前記第１主面とともに第１角部を構成しかつ前記第２主面のエッジから連続して前記第２主面とともに第２角部を構成する端面と、を含んで構成され、前記第２角部は前記第１角部よりも前記表示パネルの中央部側に位置し、前記端面のうち少なくとも前記第２主面側の部分は鏡面状態であることを特徴とする。
【００１９】
また、前記第２基板は、前記第１基板の側に位置する第３主面と、前記第３主面よりも前記第１基板から遠くに位置する第４主面と、前記第３主面のエッジから連続して前記第３主面とともに第３角部を構成しかつ前記第４主面のエッジから連続して前記第４主面とともに第４角部を構成する端面と、を含んで構成され、前記第４角部は前記第３角部よりも前記表示パネルの前記中央部側に位置し、前記第２基板の前記端面のうち少なくとも前記第４主面の側の部分は鏡面状態であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
上記構成により、表示パネルの基板をケミカルエッチングによって薄化する場合に、スクライブ溝を良好に形成することができる。また、上記のケミカルエッチングによる薄化を行う場合に、基板厚さの異なる表示パネルを容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に図面を用いて本発明に係る実施形態について詳細に説明する。
【００２２】
図１の（ａ）および（ｂ）に本発明に係る実施形態の液晶パネル１を説明する平面図および断面図を示す。なお、図１において（ａ）中の１Ｂ−１Ｂ線における断面図が（ｂ）にあたる。
【００２３】
図１に示すように、液晶パネル１は、対向配置された２枚の基板１０，２０と、当該２枚の基板１０，２０間に配置された液晶９０と、液晶９０を基板１０，２０とともに基板１０，２０間に封入するためのシール３０とを含んで構成されている。
【００２４】
液晶パネル１は、カラー表示、モノクロ表示のいずれでもよいし、透過型、半透過型、反射型のいずれでもよい。また、液晶パネル１における液晶９０の配向制御の方式も特に限定されるものではなく、基板１０，２０間の電界（縦電界）によって配向状態を制御する方式、例えばＴＮ（Twisted Nematic）方式であってもよいし、基板１０に設けられた２種の電極間での電界（横電界または斜め電界）によって配向状態を制御する方式、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）方式やＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式であってもよい。すなわち、基板１０，２０はどのような構成を有していても構わない。
【００２５】
基板２０は、説明をわかりやすくするために、ここでは、液晶９０の配向状態を制御するための電極や当該電極の電位を制御するためのスイッチング素子等（いずれも不図示）が下地基板の一方の主面上に形成された構成を有するアレイ基板とする。アレイ基板は、素子基板等とも呼ばれ、上記スイッチング素子がＴＦＴ（Thin Film Transistor）の場合にはＴＦＴ基板とも呼ばれる。なお、下地基板はここでは主面が四角形のガラス基板とする。
【００２６】
他方、基板１０は、ここでは、対向基板とする。対向基板１０は、下地基板の一方の主面上に例えば不図示のカラーフィルタ等が配置された構成を有し、カラーフィルタを有する場合にはカラーフィルタ基板とも呼ばれる。なお、下地基板はここでは主面が四角形のガラス基板とする。
【００２７】
アレイ基板２０は、対向基板１０よりも広く、対向基板１０に重なる部分２１と対向基板１０に重ならない部分２２とを有している。対向基板１０に重ならない部分２２には外部接続端子領域とチップ搭載領域との少なくとも一方が設けられている。
【００２８】
シール３０は両基板１０，２０に固着して両基板１０，２０を支持する部材であり、これにより両基板１０，２０が互いに固定される。シール３０は大略、対向基板１０の周縁に沿って延在している。ここでは、シール３０が液晶注入口３１を有し液晶注入口３１が不図示の封口部材で封止される構造を例示するが、液晶パネル１は、液晶注入口３１を有さず、いわゆる液晶滴下法（ワン・ドロップ・フィル法）によって製造される構造であってもよい。
【００２９】
液晶パネル１は両基板１０，２０よりも大判の基板を用いて製造される。なお、大判の基板から複数個の液晶パネルを製造する場合には、当該大判基板は多数個取り基板、多面取り基板、マザー基板とも呼ばれる。
【００３０】
図２に液晶パネル１の製造方法の手順を説明するフローチャートを示す。図２に示すように、この製造方法は、大判対向基板製造工程ＳＴ１０と、大判アレイ基板製造工程ＳＴ２０と、シール形成工程ＳＴ３０と、貼り合わせ工程ＳＴ４０と、エッチング液阻止部材形成工程ＳＴ５０と、スクライブ溝形成工程ＳＴ６０と、エッチング工程ＳＴ７０と、ブレイク工程ＳＴ８０と、液晶封入工程ＳＴ９０とを含んでいる。図３〜図７に各工程ＳＴ１０〜ＳＴ９０を説明する図を示し、図１〜図７を参照しつつ各工程ＳＴ１０〜ＳＴ９０を説明する。
【００３１】
大判対向基板製造工程ＳＴ１０では、完成品の液晶パネル１における対向基板１０の下地ガラス基板よりも大判のガラス基板を用いて複数個分の対向基板１０がマトリクス状に繋がった状態の大判対向基板１１０（図３参照）を製造する。具体的には、各種の成膜技術やパターニング技術等を利用して、大判ガラス基板上に各対向基板１０の形成領域にそれぞれ対向基板１０の各種要素を形成する。
【００３２】
大判アレイ基板製造工程ＳＴ２０では、完成品の液晶パネル１におけるアレイ基板２０の下地ガラス基板よりも大判のガラス基板を用いて複数個分のアレイ基板２０がマトリクス状に繋がった状態の大判アレイ基板１２０（図３参照）を製造する。具体的には、各種の成膜技術やパターニング技術等を利用して、大判ガラス基板上に各アレイ基板２０の形成領域にそれぞれアレイ基板２０の各種要素を形成する。なお、ここでは、基板１０，２０用の大判ガラス基板は同じ厚さとする。
【００３３】
シール形成工程ＳＴ３０では、大判対向基板１１０上に各対向基板１０に対応させてシール３０を形成する（図３参照）。なお、大判アレイ基板１２０上に、または、両大判基板１１０，１２０上にシール３０を形成してもよい。
【００３４】
貼り合わせ工程ＳＴ４０は、シール形成工程ＳＴ３０の後に実施する。貼り合わせ工程ＳＴ４０では、両大判基板１１０，１２０をシール３０によって貼り合わせる（図３参照）。具体的には、大判対向基板１１０と大判アレイ基板１２０とを、シール３０を介して向き合わせて重ね合わせ、シール３０を硬化することによって互いに固着する。この際、大判対向基板１１０における上記各種要素側の主面１１０Ｓ１（図６参照）と大判アレイ基板１２０における上記各種要素側の主面１２０Ｓ１（図６参照）とを互いに向き合わせる。また、両大判基板１１０，１２０は、シール３０を硬化する以前に、アライメントマークを利用してアライメント（位置決め）される。
【００３５】
ここで、貼り合わせ工程ＳＴ４０によって得られる、大判基板１１０，１２０およびシール３０を含んで構成される構造体を貼り合わせ体１００と呼ぶことにする。また、大判対向基板１１０において、上記主面１１０Ｓ１を内側主面１１０Ｓ１と呼び、内側主面１１０Ｓ１に対して裏面にあたる主面１１０Ｓ２を外側主面１１０Ｓ２と呼ぶことにする（図６参照）。同様に、大判アレイ基板１２０において、上記主面１２０Ｓ１を内側主面１２０Ｓ１と呼び、内側主面１２０Ｓ１に対して裏面にあたる主面１２０Ｓ２を外側主面１２０Ｓ２と呼ぶことにする（図６参照）。なお、各外側主面１１０Ｓ２，１２０Ｓ２は各大判基板１１０，１２０を構成する各下地ガラス基板の主面である。
【００３６】
エッチング液阻止部材形成工程ＳＴ５０は、貼り合わせ工程ＳＴ４０の後に実施する。エッチング液阻止部材１５０（図４および図５参照）は、後のエッチング工程ＳＴ７０においてエッチング液が大判基板１１０，１２０間へ、より具体的には大判基板１１０，１２０とシール３０とで囲まれた内部空間へ浸入するのを阻止するための部材である。エッチング液阻止部材形成工程ＳＴ５０では、貼り合わせ体１００の周縁部にエッチング液阻止部材１５０を設けて貼り合わせ体１００の上記内部空間を外部と遮断する。
【００３７】
エッチング液阻止部材１５０は、例えば液晶注入口３１を封止する封口材に用いられる紫外線硬化性樹脂で構成することできる。エッチング液阻止部材形成工程ＳＴ５０では、液状またはペースト状のエッチング液阻止部材１５０を、貼り合わせ体１００の周縁端面に例えばディスペンス法で塗布することにより大判基板１１０，１２０間の隙間へ注入し硬化する。これにより、貼り合わせ体１００の全周縁部にエッチング液阻止部材１５０を設ける。
【００３８】
スクライブ溝形成工程ＳＴ６０は、エッチング液阻止部材形成工程ＳＴ５０の後に実施する。スクライブ溝形成工程ＳＴ６０では、貼り合わせ体１００を個々の液晶パネル１に対応させて分断（ブレイク）するためのスクライブ溝１６０を、両大判基板１１０，１２０の外側主面１１０Ｓ２，１２０Ｓ２に形成する（図５および図６参照）。なお、図５等の平面図では図面の煩雑化を避けるためにスクライブ溝１６０を一点鎖線で図示している。
【００３９】
スクライブ溝はスクライブ線とも呼ばれる。スクライブ溝１６０は、カッターやレーザ光等の各種手段で形成可能である。スクライブ溝１６０の各外側主面１１０Ｓ２，１２０Ｓ２からの深さは、例えば大判基板１１０，１２０の厚さの１０％程度である。なお、各大判基板１１０，１２０の下地ガラス基板上に形成された上記各種要素は下地ガラス基板に比べて非常に薄いので、各大判基板１１０，１２０の厚さは各下地ガラス基板の厚さにほぼ等しい。また、鋭利な溝形成手段によれば、図６等に一点鎖線で図示するように、スクライブ溝１６０の断面（延在方向に垂直な断面）はＶ字形状になる。なお、スクライブ溝１６０は人工的に形成する溝であるので、深さ、断面形状、外側主面１１０Ｓ２，１２０Ｓ２における開口幅等を延在方向に垂直な各断面において同じにすなわち均質に形成することが可能であり、均質であることが好ましい。
【００４０】
スクライブ溝１６０は、大判対向基板１１０には対向基板１０の外形に合わせて直線状に形成し、大判アレイ基板１２０にはアレイ基板２０の外形に合わせて直線状に形成する。このため、液晶パネル１において両基板１０，２０の端面が揃っている箇所に対応する位置では両大判基板１１０，１２０のスクライブ溝１６０は互いに対向して形成され、液晶パネル１においてアレイ基板２０の２つの部分２１，２２（図１参照）の境界に対応する位置では大判対向基板１１０にのみスクライブ溝１６０が形成される。
【００４１】
ここで、上記のように大判対向基板１１０は対向基板１０がマトリクス状に配列された状態に相当するので、各対向基板１０用のスクライブ溝１６０同士を連続させ大判対向基板１１０全体において直線状に形成することができる。この点は大判アレイ基板１２０に形成するスクライブ溝１６０についても同様である。
【００４２】
また、スクライブ溝１６０の形成位置を規定するマークＭを貼り合わせ体１００に設けることにより、２つのマークＭを結んでスクライブ溝１６０を形成することができる。マークＭは、対向基板１０およびアレイ基板２０の各角に相当する位置に設けてもよいし（図５参照）、上記のように基板１０，２０のマトリクス配列を利用して大判基板１１０、１２０全体に渡って直線状に形成する場合には大判基板１１０，１２０の外周部にのみ設けてもよい。さらに、マークＭの一部または全部を、貼り合わせ工程ＳＴ４０で大判基板１１０，１２０を位置決めする際に利用するアライメントマークと共用してもよい。
【００４３】
マークＭは、スクライブ溝形成工程ＳＴ６０までに形成すればよく、例えば、大判対向基板製造工程ＳＴ１０で大判対向基板１１０内に作り込んでもよいし、大判アレイ基板製造工程ＳＴ２０で大判アレイ基板１２０内に作り込んでもよいし、両大判基板１１０，１２０内に作り込んでもよい。これらの場合、マークＭは、アライメントマークと同様の形成方法によって形成可能であり、また、アライメントマークと同時に形成してもよい。また、貼り合わせ工程ＳＴ４０以降に大判対向基板１１０の外側主面１１０Ｓ２と大判アレイ基板１２０の外側主面１２０Ｓ２との少なくとも一方に例えば印刷によってマークＭを形成してもよい。
【００４４】
また、マークＭは、貼り合わせ体１００に形成されていればよい。すなわち、図５等に例示した“＋”（プラス形状）のパターン自体を上記のように大判基板１１０，１２０の少なくとも一方に形成してもよいし、 “＋”の縦棒部分を大判対向基板１１０に形成し “＋”の横棒部分を大判アレイ基板１２０に形成しこれら両部分が貼り合わせ体１００において重なることによって“＋”のパターンを形成するようにしてもよい。なお、マークＭの平面パターンは図５等に例示した“＋”に限られない。
【００４５】
エッチング工程ＳＴ７０は、スクライブ溝形成工程ＳＴ６０の後に実施する。エッチング工程ＳＴ７０では、貼り合わせ体１００に対してケミカルエッチング処理を実施する。具体的には、貼り合わせ体１００を例えばフッ酸溶液へ浸漬することによって大判基板１１０，１２０の下地ガラス基板をエッチングする。なお、図６等ではエッチング工程ＳＴ７０前の大判基板１１０，１２０を一点鎖線で図示している。図６に示すように、エッチング工程ＳＴ７０によって、大判基板１１０，１２０が外側主面１１０Ｓ２，１２０Ｓ２側からエッチングされて全体的に薄くなるとともに、スクライブ溝１６０もエッチングされて深くなり、開口も広がる。エッチング工程ＳＴ７０でのケミカルエッチング処理は複数回の処理で構成してもよく、例えば複数のエッチング液槽を順次に移動させてエッチング工程ＳＴ７０を実施してもよい（後述する）。
【００４６】
なお、エッチング液阻止部材１５０（図４および図５参照）によって、貼り合わせ体１００の内部空間がエッチング液にさらされるのが防止される。
【００４７】
ブレイク工程ＳＴ８０は、エッチング工程ＳＴ７０の後に実施する。ブレイク工程ＳＴ８０では、上記ケミカルエッチングによって深くなったスクライブ溝１６０を利用して大判基板１１０，１２０を機械的に分断する。具体的には、例えばブレイクバー等によって衝撃を与えることにより、各大判基板１１０，１２０においてスクライブ溝１６０の底面と内側主面１１０Ｓ１，１２０Ｓ１との間のエッチングされずに残った部分を基板厚さ方向に破断する。これにより、貼り合わせ体１００が、後に液晶パネル１になる液晶９０を封入するための容器に切り分けられる（図７参照）。
【００４８】
液晶封入工程ＳＴ９０はブレイク工程ＳＴ８０の後に実施する。液晶封入工程ＳＴ９０では、ブレイク工程ＳＴ８０で得られた上記容器内に液晶９０を注入し、液晶注入口３１（図１参照）を封口する。
【００４９】
上記製造方法によって製造された液晶パネル１の対向基板１０の表面は、図７の断面図に示すように、内側主面（第１主面または第３主面）１０Ｓ１と、外側主面（第２主面または第４主面）１０Ｓ２と、端面１０Ｔとを含んで構成されている。ここで、内側主面１０Ｓ１は、大判対向基板１１０の内側主面１１０Ｓ１に対応し、外側主面１０Ｓ２よりもアレイ基板２０の側に位置している。外側主面１０Ｓ２は、大判対向基板１１０の外側主面１１０Ｓ２に対応し、内側主面１０Ｓ１よりもアレイ基板２０から遠くに位置している。端面１０Ｔは、両主面１０Ｓ１，１０Ｓ２のエッジから連続し両主面１０Ｓ１，１０Ｓ２間を繋いでいる面である。
【００５０】
端面１０Ｔは、内側主面１０Ｓ１の側の第１部分１０Ｔ１と、外側主面１０Ｓ２の側の第２部分１０Ｔ２とに大別される。端面１０Ｔの第１部分１０Ｔ１は、内側主面１０Ｓ１から連続した面であり、内側主面１０Ｓ１との交差によって角部（第１角部または第３角部）１０Ｃ１を形成している。端面１０Ｔの第２部分１０Ｔ２は、外側主面１０Ｓ２から連続した面であり、外側主面１０Ｓ２との交差によって角部（第２角部または第４角部）１０Ｃ２を形成している。端面１０Ｔの第２部分１０Ｔ２は、スクライブ溝１６０の内表面にあたり、このためケミカルエッチング処理された鏡面状態になっている。これに対し、端面１０Ｔの第１部分１０Ｔ１は、ブレイク工程ＳＴ８０によって形成された大判対向基板１１０の破断面であり、鏡面状態の第２部分１０Ｔ２よりも表面状態が粗い。また、両部分１０Ｔ１，１０Ｔ２の形成過程の違いに起因して、外側主面１０Ｓ２側の角部１０Ｃ２の方が内側主面１０Ｓ１側の角部１０Ｃ１よりも液晶パネル１の中央部側に位置しており、第１部分１０Ｔ１は内側主面１０Ｓ１に略垂直な平面であり、第２部分１０Ｔ２は外側主面１０Ｓ２付近では当該主面１０Ｓ２に略垂直を成しつつ外側主面１０Ｓ２と第１部分１０Ｔ１とをなだらかに繋ぐ曲面である。
【００５１】
同様に、アレイ基板２０の表面は、大判アレイ基板１２０の内側主面１２０Ｓ１に対応する内側主面（第３主面または第１主面）２０Ｓ１と、大判アレイ基板１２０の外側主面１２０Ｓ２に対応する外側主面（第４主面または第２主面）２０Ｓ２と、端面２０Ｔとを含んで構成されている。端面２０Ｔは、内側主面２０Ｓ１のエッジから連続して内側主面２０Ｓ１との交差によって角部（第３角部または第１角部）２０Ｃ１を形成する第１部分２０Ｔ１と、外側主面２０Ｓ２のエッジから連続して外側主面２０Ｓ２との交差によって角部（第４角部または第２角部）２０Ｃ２を形成する第２部分２０Ｔ２とに大別される。端面２０Ｔの第２部分２０Ｔ２はケミカルエッチング処理された鏡面状態になっているのに対して、端面２０Ｔの第１部分２０Ｔ１は第２部分２０Ｔ２よりも表面状態が粗い。外側主面２０Ｓ２側の角部２０Ｃ２の方が内側主面２０Ｓ１側の角部２０Ｃ１よりも液晶パネル１の中央部側に位置しており、第１部分２０Ｔ１は内側主面２０Ｓ１に略垂直な平面であり、第２部分２０Ｔ２は外側主面２０Ｓ２付近では当該主面２０Ｓ２に略垂直を成しつつ外側主面２０Ｓ２と第１部分２０Ｔ１とをなだらかに繋ぐ曲面である。
【００５２】
なお、図７には液晶パネル１において両端面１０Ｔ，２０Ｔが揃っている端部を図示しているが、アレイ基板２０の２つの部分２１，２２（図１参照）の境界に対向する位置における対向基板１０の端部も上記と同様である。
【００５３】
上記構成により、スクライブ溝１６０を薄化前の厚い状態の大判基板１１０，１２０に対して形成するので、薄化後に形成するよりも、大判基板１１０，１２０の割れ等を低減することができる。また、スクライブ溝１６０は形成後にケミカルエッチングによって深くするので従来よりも浅くてもよく、このためスクライブ溝形成時の上記割れ等をいっそう低減することができる。したがって、スクライブ溝１６０を良好に形成することができる。また、ケミカルエッチングによってスクライブ溝１６０を深くするので、大判基板１１０，１２０を容易かつ安定的に分断することができる。また、スクライブ溝１６０の深化と大判基板１１０，１２０の薄化とをケミカルエッチングによって同時に行うので、スクライブ溝１６０の深化のために別途の工程を設ける必要がない。このように、ケミカルエッチングによって基板薄化を実施する製造方法において、生産性が向上する。
【００５４】
また、上記のようにスクライブ溝１６０はケミカルエッチングによって深くなるとともに開口が広がる。このため、大判基板１１０，１２０においてスクライブ溝１６０の形成によってストレスを受けた部分をケミカルエッチングによって除去することができる。その結果、完成品の液晶パネル１において基板１０，２０の角部１０Ｃ２，２０Ｃ２および端面１０Ｔ，２０Ｔの第２部分１０Ｔ２，２０Ｔ２にはストレスが残っていないので、スクライブ溝１６０にケミカルエッチングをしない場合に比べて強度が高い。
【００５５】
図８に液晶パネル１の実施形態２の製造方法の手順を説明するフローチャートを示す。図８に示すように、実施形態２の製造方法は、実施形態１の製造方法からブレイク工程ＳＴ８０を削除し、実施形態１の製造方法にエッチング耐性部材形成工程ＳＴ１００を追加した構成を有する。
【００５６】
まず、図９の断面図を参照して、本製造方法を概説する。本製造方法のエッチング工程ＳＴ７０では、実施形態１の製造方法と同様に大判基板１１０，１２０を薄化するとともにスクライブ溝１６０を深化するのであるが、図９に示すようにスクライブ溝１６０の深化をスクライブ溝１６０が大判基板１１０，１２０の内側主面１１０Ｓ１，１２０Ｓ１に到達するまで行う。つまり、本製造方法ではスクライブ溝１６０の深化によって大判基板１１０，１２０を分断し、これによりブレイク工程ＳＴ８０を省略するものである。
【００５７】
このエッチング工程ＳＴ７０によれば、分断された大判基板１１０，１２０間の隙間へエッチング液が浸入したり、分断された貼り合わせ体１００がエッチング液槽内でばらばらに散乱したりする可能性がある。このため、本製造方法ではエッチング耐性部材２００を利用する。
【００５８】
すなわち、エッチング耐性部材形成工程ＳＴ１００では、図１０の平面図に示すように、大判アレイ基板１２０の内側主面１２０Ｓ１上であって、各大判基板１１０，１２０のスクライブ溝１６０の形成位置にエッチング耐性部材２００を配置する。なお、図１０には、説明のために、エッチング耐性部材形成工程ＳＴ１００よりも後で形成されるスクライブ溝１６０を図示している。
【００５９】
エッチング耐性部材２００は、エッチング液に対して耐性を有する材料、例えばエッチング液がフッ酸溶液の場合にはエポキシ樹脂や塩化ビニル等の樹脂で構成され、例えばシール３０と同じ材料で構成することができる。エッチング耐性部材２００は、例えば、液状またはペースト状の上記エッチング耐性材料を印刷法やディスペンス法で塗布することにより、あるいは、上記エッチング耐性部材で構成されたテープ状部材を貼り付けることにより、配置可能である。なお、図８とは逆に、エッチング耐性部材２００を大判対向基板１１０上に形成し、シール３０を大判アレイ基板１２０上に形成してもよい。そして、エッチング耐性部材形成工程ＳＴ１００の後に、貼り合わせ工程ＳＴ４０を実施する。
【００６０】
貼り合わせ工程ＳＴ４０で、エッチング耐性部材２００を有する大判アレイ基板１２０とシール３０を有する大判対向基板１１０とを貼り合わせることによって、エッチング耐性部材２００を大判基板１１０，１２０で挟み込んで支持する。そして、その後のスクライブ溝形成工程ＳＴ６０では、エッチング耐性部材２００に対向してスクライブ溝１６０を形成する。
【００６１】
エッチング工程ＳＴ７０では、上記のようにスクライブ溝１６０を大判基板１１０，１２０の内側主面１１０Ｓ１，１２０Ｓ１に到達させる。これにより、別途のブレイク工程を設けることなく、エッチング工程ＳＴ７０において大判基板１１０，１２０を分断することができる。このとき、エッチング耐性部材２００が大判基板１１０，１２０間に挟み込まれているので、エッチング液の浸入や分割された貼り合わせ体１００の散乱を防止することができる。なお、例えばエッチング耐性部材２００をエッチング工程ＳＴ７０の後にカッター等で切断することにより、貼り合わせ体１００を、後に液晶９０を封入するための容器に切り分けることができる。
【００６２】
図１１に実施形態２の製造方法により製造された液晶パネル１の断面図を示す。図１１と上記図７とを比較すればわかるように、スクライブ溝１６０の深化の度合いの違いに起因して、実施形態２の製造方法による液晶パネル１の端面１０Ｔ，２０Ｔは全体がスクライブ溝１６０の内表面にあたり、このため全体が鏡面状態になっている。換言すれば、当該端面１０Ｔ，２０Ｔは上記第２部分１０Ｔ２，２０Ｔ２（図７参照）のみで構成されている。その他の点は実施形態１の製造方法による図７の液晶パネル１と同様である。このため、液晶パネル１において端面１０Ｔ，２０Ｔ全体および角部１０Ｃ２，２０Ｃ２においてスクライブ溝１６０の形成時のストレスが除去されており強度が向上している。
【００６３】
なお、図１１では液晶パネル１においてエッチング耐性部材２００を残しているが、当該部材２００と基板１０，２０との接着性が無いまたは弱い場合には、エッチング工程ＳＴ７０後に取り除いてもよい。
【００６４】
図１２に実施形態２の他の製造方法の手順を説明するフローチャートを示す。図１２に示すように、本製造方法は、実施形態２の上記製造方法において、エッチング耐性部材形成工程ＳＴ１００を削除し、シール形成工程ＳＴ３０をシールおよびエッチング耐性部材形成工程ＳＴ３０Ｂに替えた構成を有する。工程ＳＴ３０Ｂでは、例えばディスペンサ法によってシール３０とエッチング耐性部材２００とを順次に形成してもよいし（順序は問わない）、エッチング耐性部材２００をシール３０と同じ材料で構成し印刷法によってシール３０と同時に形成してもよい。なお、シール３０およびエッチング耐性部材２００の両方を、大判アレイ基板１２０上に、または、両大判基板１１０，１２０上に形成してもよい。
【００６５】
その後、貼り合わせ工程ＳＴ４０で、シール３０およびエッチング耐性部材２００を有する大判対向基板１１０と大判アレイ基板１１０とを貼り合わせることによって、エッチング耐性部材２００を大判基板１１０，１２０で挟み込む。
【００６６】
上記のようにエッチング耐性部材２００をシール３０と同じ材料で構成し単一の大判基板１１０，１２０上に同時に印刷する場合には、両者２００，３０を同時に形成可能である。他方、耐性部材２００とシール３０とを別々の大判基板１１０，１２０上に形成する場合には、両者２００，３０の形成工程を並行して実施可能である。つまり、エッチング耐性部材２００を追加しても全体の製造時間の増加は抑制可能である。
【００６７】
ところで、液晶パネル１において対向基板１０とアレイ基板２０とで厚さを違える場合がある。例えば、いわゆるパララックスバリア方式による３Ｄ用液晶モジュールは液晶パネルと対向基板側に配置されたパララックスバリアとを含んで構成され、対向基板の内側主面とパララックスバリアとの距離が短いほど好ましいので、対向基板は薄い方が好ましい。そこで、実施形態３〜６ではケミカルエッチングを利用して製造された両基板１０，２０の厚さが異なる液晶パネル１を説明する。
【００６８】
図１３に液晶パネル１の実施形態３の製造方法の手順を説明するフローチャートを示し、図１４に本製造方法を説明する断面図を示す。本製造方法では、コーティング膜２２０を利用して、ケミカルエッチングによるエッチング量を大判対向基板１１０と大判アレイ基板１２０とで違える。このため、本製造方法は、図２の実施形態１の製造方法に、コーティング膜形成工程ＳＴ１１０およびコーティング膜除去工程ＳＴ１２０を追加した構成を有する。
【００６９】
コーティング膜形成工程ＳＴ１１０は、エッチング工程ＳＴ７０よりも前に実施し、ここではスクライブ溝形成工程ＳＴ６０の後からエッチング工程ＳＴ７０の前までの間に実施する。コーティング膜形成工程ＳＴ１１０では、大判アレイ基板１２０の外側主面１２０Ｓ２上に、エッチング工程ＳＴ７０でのエッチング液に対して耐性を有する部材でコーティング膜２２０を形成する。コーティング膜２２０は、例えば上記エッチング耐性部材２００と同じ材料やフォトレジスト等で構成することができ、液状またはペースト状の当該材料をスピンコート法で塗布することによって大判アレイ基板１２０の外側主面１２０Ｓ２上に形成することができる。また、コーティング膜２２０を上記エッチング耐性材料から成るフィルムで構成し、当該フィルムを外側主面１２０Ｓ２上に貼り付けてもよい。また、例えばエッチング液がフッ酸溶液の場合にはコーティング膜２２０としてシリコン窒化膜を外側主面１２０Ｓ２上に成膜してもよい。
【００７０】
そして、エッチング工程ＳＴ７０ではコーティング膜２２０を有した状態でケミカルエッチング処理を実施する。このため、コーティング膜２２０の有無によって、大判対向基板１１０と大判アレイ基板１２０とでエッチング量を違えることができる。その結果、対向基板１０の方が薄い液晶パネル１を製造することができる。
【００７１】
コーティング膜除去工程ＳＴ１２０は、エッチング工程ＳＴ７０よりも後に、ここではエッチング工程ＳＴ７０の後からブレイク工程ＳＴ８０の前までの間に実施する。なお、コーティング膜２２０が完成品において影響を及ぼさない場合、例えばコーティング膜２２０が透明な場合、コーティング膜除去工程１２０を省略してコーティング膜２２０を残してもよい。
【００７２】
ブレイク工程ＳＴ８０では、上記と同様に、ブレイクバー等によって衝撃を与えて機械的に大判基板１１０，１２０を分断する。このとき、コーティング膜２２０で覆われる大判アレイ基板１２０にもスクライブ溝形成工程ＳＴ６０でスクライブ溝１６０を形成しておくことにより（図１４参照）、ブレイク工程ＳＴ８０でそのスクライブ溝１６０を利用することができる。このように大判アレイ基板１２０にも基板薄化前にスクライブ溝１６０を形成しておけば、薄化された大判対向基板１１０に割れ等を発生させずに、スクライブ溝１６０を形成することができる。
【００７３】
上記ではコーティング膜２２０がエッチング工程ＳＴ７０でのエッチング液に対して耐性を有する場合を例示したが、コーティング膜２２０は、薄くする大判対向基板１１０よりも上記エッチング耐性が高ければよく、換言すれば大判対向基板１１０よりも上記エッチング液に対するエッチングレートが低ければよい。このようなコーティング膜２２０によれば、エッチング工程ＳＴ７０の実施中にコーティング膜２２０の全部がエッチングされてしまい大判アレイ基板１２０がエッチングされる場合もあるが、大判アレイ基板１２０の外側主面１２０Ｓ２のエッチング開始時を大判対向基板１１０の外側主面１１０Ｓ２のエッチング開始時よりも遅らせることが可能である。このエッチング開始時の時間差により、大判アレイ基板１２０を大判対向基板１１０よりも厚く残すことができる。
【００７４】
図１５に液晶パネル１の実施形態４の製造方法の手順を説明するフローチャートを示し、図１６に本製造方法を説明する断面図を示す。本製造方法は、上記実施形態３の製造方法においてスクライブ溝形成工程ＳＴ６０とコーティング膜形成工程ＳＴ１１０との実施順序を入れ替えた構成を有する。すなわち、コーティング膜２２０を形成した後にスクライブ溝１６０を形成する。
【００７５】
したがって、スクライブ溝形成工程ＳＴ６０では、大判アレイ基板１２０に対しては外側主面１２０Ｓ２にコーティング膜２２０越しにスクライブ溝１６０を形成する。このため、大判アレイ基板１２０にスクライブ溝１６０が形成されるとともに、コーティング膜２２０はスクライブ溝１６０上で開口される。その結果、コーティング膜２２０の上記開口を介してスクライブ溝１６０へエッチング液が浸入するので、実施形態１，２の製造方法と同様に、大判アレイ基板１２０のスクライブ溝１６０を深化することができる。
【００７６】
図１７に実施形態５の製造方法の手順を説明するフローチャートを示し、図１８および図１９に本製造方法でのエッチング工程ＳＴ７０を説明する断面図を示す。図１７に示すように、本製造方法は、上記と同様に工程ＳＴ１０〜ＳＴ９０，ＳＴ１１０，ＳＴ１２０を含んでいるが、エッチング工程ＳＴ７０を２回のケミカルエッチング処理ＳＴ７１，ＳＴ７２に分けて行い、また、工程の実施順序が異なる。
【００７７】
本製造方法では、実施形態１の製造方法（図２参照）と同様に、大判対向基板製造工程ＳＴ１０、大判アレイ基板製造工程ＳＴ２０、シール形成工程ＳＴ３０、貼り合わせ工程ＳＴ４０、エッチング液阻止部材形成工程ＳＴ５０およびスクライブ溝形成工程ＳＴ６０をこの順序で実施する。その後、エッチング工程ＳＴ７０を２回に分けて行い、１回目のエッチング処理ＳＴ７１と２回目のエッチング処理ＳＴ７２との間にコーティング膜形成工程ＳＴ１１０を実施する。２回目のエッチング処理ＳＴ７２の後、コーティング膜除去工程ＳＴ１２０、ブレイク工程ＳＴ８０および液晶封入工程ＳＴ９０をこの順序で実施する。
【００７８】
１回目のケミカルエッチング処理ＳＴ７１では、図１８に示すようにコーティング膜２２０を用いずに両大判基板１１０，１２０をエッチングし、大判アレイ基板１２０が所定の厚さに達したらエッチング処理を終了する。この１回目の処理ＳＴ７１により大判アレイ基板１２０が所定の厚さに薄化される。
【００７９】
コーティング膜形成工程ＳＴ１１０では、図１９に示すように、所定の厚さに薄化された大判アレイ基板１２０の外側主面１２０Ｓ２上にコーティング膜２２０を形成する。なお、大判アレイ基板１２０のスクライブ溝１６０は、コーティング膜２２０で塞がれるが、１回目のケミカルエッチング処理ＳＴ７１によってエッチングされ形成当初よりも深くなっている。
【００８０】
エッチング工程ＳＴ７０の２回目のケミカルエッチング処理ＳＴ７２は、図１９に示すようにコーティング膜２２０を有した状態で実施する。このため、コーティング膜２２０の有無によって、大判対向基板１１０と大判アレイ基板１２０とでエッチング量を違えることができる。
【００８１】
エッチング工程ＳＴ７０に含まれるケミカルエッチング処理は上記例示の２回に限られない。すなわち、本製造方法では、エッチング工程ＳＴ７０が複数回のケミカルエッチング処理で構成される場合、例えば複数のエッチング液槽を順次に移動してエッチング工程ＳＴ７０をする場合、その複数回のケミカルエッチング処理の途中で大判アレイ基板１２０上にコーティング膜２２０を形成し、コーティング膜２２０を有した状態で残りのケミカルエッチング処理を実施する。なお、上記複数のエッチング液槽でのエッチング条件は同じでもよいし異なっていてもよい。
【００８２】
図２０および図２１に実施形態６の製造方法を説明する断面図を示す。本製造方法ではコーティング膜２２０を用いずに大判基板１１０，１２０の厚さを違える。なお、本製造方法の手順は実施形態１の製造方法と同じなので、図２のフローチャートも参照する。
【００８３】
実施形態６の製造方法では、大判対向基板製造工程ＳＴ１０では、大判アレイ基板製造工程ＳＴ２０で用いる下地ガラス基板よりも薄い下地ガラス基板を用い、大判アレイ基板１２０よりも薄い大判対向基板１１０を製造する。これにより、その後の貼り合わせ工程ＳＴ４０では、図２０に示すように、薄い対向基板１１０と厚い大判アレイ基板１２０とを貼り合わせる。その後の工程ＳＴ５０〜ＳＴ９０は実施形態１と同様である。
【００８４】
上記構成により、エッチング工程ＳＴ７０では、図２１に示すように、両大判基板１１０，１２０は同じ厚さだけケミカルエッチングされる。このため、コーティング膜２２０を用いることなく、大判対向基板１１０を大判アレイ基板１２０よりも薄くすることができる。したがって、コーティング膜２２０の形成および除去が必要ないので、その分、基板１０，２０の厚さの異なる液晶パネル１を容易に製造することができ、生産性を向上させることができる。
【００８５】
実施形態３〜６では大判対向基板１１０、すなわち対向基板１０の方を薄くする場合を説明したが、同様にしてアレイ基板１２０の方を薄くすることも可能である。また、実施形態３〜６の製造方法と実施形態２の製造方法とを組み合わせることも可能である。
【００８６】
実施形態１〜６ではスクライブ溝形成工程ＳＴ６０をエッチング液阻止部材形成工程ＳＴ５０の後に実施する場合を例示したが、両工程ＳＴ５０，ＳＴ６０はエッチング工程ＳＴ７０よりも前に実施すればよく、工程ＳＴ５０，ＳＴ６０のいずれを先に実施してもよい。
【００８７】
また、実施形態１〜６では大判基板１１０，１２０から複数個の液晶パネル１を製造する場合を例示したが、図２２の平面図に示すように大判基板１１０，１２０から液晶パネル１を１つだけ製造する場合にも上記各製造方法は適用可能である。例えば一般的な規格寸法のガラス基板を用いる場合が考えられる。
【００８８】
また、下地基板がガラス以外の材料の場合にも上記各製造方法は適用可能である。
【００８９】
また、実施形態１〜６ではスクライブ溝１６０によって、大判基板１１０，１２０から基板１０，２０を抽出する場合、換言すれば貼り合わせ体１００から、液晶９０を封入することで後に液晶パネル１となる上記容器を抽出する場合を説明したが、例えば製造設備で取り扱い可能な大きさに合わせるために貼り合わせ体１００を分断する場合にも上記各製造方法は適用可能である。
【００９０】
また、エッチング液阻止部材１５０に替えて、図２３の平面図に示すエッチング液阻止部材１５０Ｂを大判基板１１０，１２０間に設けてもよい。エッチング液阻止部材１５０Ｂの第１部分１５１Ｂは、大判基板１１０，１２０全体に対するシール３０に相当し、全てのシール３０を囲むように大判基板１１０，１２０の周縁に沿って大判基板１１０，１２０の周縁部に設けられている。第１部分１５１Ｂは貼り合わせ工程ＳＴ４０よりも前に、例えばシール形成工程ＳＴ３０において大判基板１１０，１２０上の一方または両方に塗布される。第１部分１５１Ｂは、塗布後の貼り合わせ工程ＳＴ４０のために、液晶注入口３１に相当する通気口を設けて形成される。この通気口はエッチング液阻止部材１５０Ｂの第２部分１５２Ｂによって大判基板１１０，１２０の周縁部において封止される。第２部分１５２Ｂは液晶注入口３１を封口するのと同様にして形成される。
【００９１】
また、液晶パネル１だけでなく、各種の表示パネル、例えばプラズマディスプレイパネルやＥＬ（Electro Luminescence）パネルにも上記各製造方法を適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明に係る実施形態の液晶パネルを説明する模式図である。
【図２】本発明に係る実施形態１の液晶パネルの製造方法の手順を説明するフローチャートである。
【図３】本発明に係る実施形態１のシール形成工程および貼り合わせ工程を説明する平面図である。
【図４】本発明に係る実施形態１のエッチング液阻止部材形成工程を説明する断面図である。
【図５】本発明に係る実施形態１のエッチング液阻止部材形成工程およびスクライブ溝形成工程を説明する平面図である。
【図６】本発明に係る実施形態１のスクライブ溝形成工程およびエッチング工程を説明する断面図である。
【図７】本発明に係る実施形態１のブレイク工程および完成後の液晶パネルを説明する断面図である。
【図８】本発明に係る実施形態２の液晶パネルの製造方法の手順を説明するフローチャートである。
【図９】本発明に係る実施形態２の液晶パネルの製造方法を説明する断面図である。
【図１０】本発明に係る実施形態２のエッチング耐性部材形成工程を説明する平面図である。
【図１１】本発明に係る実施形態２の液晶パネルを説明する断面図である。
【図１２】本発明に係る実施形態２の液晶パネルの他の製造方法の手順を説明するフローチャートである。
【図１３】本発明に係る実施形態３の液晶パネルの製造方法の手順を説明するフローチャートである。
【図１４】本発明に係る実施形態３のスクライブ溝形成工程、コーティング膜形成工程およびエッチング工程を説明する断面図である。
【図１５】本発明に係る実施形態４の液晶パネルの製造方法の手順を説明するフローチャートである。
【図１６】本発明に係る実施形態４のコーティング膜形成工程、スクライブ溝形成工程およびエッチング工程を説明する断面図である。
【図１７】本発明に係る実施形態５の液晶パネルの製造方法の手順を説明するフローチャートである。
【図１８】本発明に係る実施形態５のエッチング工程（１回目のケミカルエッチング処理）を説明する断面図である。
【図１９】本発明に係る実施形態５のエッチング工程（２回目のケミカルエッチング処理）を説明する断面図である。
【図２０】本発明に係る実施形態６の貼り合わせ工程およびスクライブ溝形成工程を説明する断面図である。
【図２１】本発明に係る実施形態６のエッチング工程を説明する断面図である。
【図２２】本発明に係る実施形態１〜６の他の製造方法を説明する平面図である。
【図２３】本発明に係る実施形態１〜６の製造方法に適用可能な他のエッチング液阻止部材形成工程を説明する平面図である。
【図２４】従来の液晶パネルの製造方法を説明する模式図である。
【符号の説明】
【００９３】
１ 液晶パネル（表示パネル）、１０ 対向基板、２０ アレイ基板、３０ シール、９０ 液晶、１００ 貼り合わせ体、１１０ 大判対向基板、１２０ 大判アレイ基板、１６０ スクライブ溝、１１０Ｓ１，１２０Ｓ１ 内側主面、１１０Ｓ２，１２０Ｓ２ 外側主面、２００ エッチング耐性部材、２２０ コーティング膜、１０Ｓ１，２０Ｓ１ 内側主面（第１主面，第３主面）、１０Ｓ２，２０Ｓ２ 外側主面（第２主面，第４主面）、１０Ｃ１，２０Ｃ１ 角部（第１角部，第３角部）、１０Ｃ２，２０Ｃ２ 角部（第２角部，第４角部）、１０Ｔ，２０Ｔ 端面、Ｍ マーク、ＳＴ４０ 貼り合わせ工程、ＳＴ５０ エッチング液阻止部材形成工程、ＳＴ６０ スクライブ溝形成工程、ＳＴ７０ エッチング工程、ＳＴ７１，ＳＴ７２ ケミカルエッチング処理、ＳＴ８０ ブレイク工程、ＳＴ１１０ コーティング膜形成工程。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルの製造方法および表示パネルに係り、具体的にはケミカルエッチングによって薄化処理された表示パネル等に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルの製造方法として、大判（大板）の基板を用いて複数個の液晶パネルを製造する方法が知られている。大判基板を用いる場合、液晶パネルの薄型化の要請に応えるため、大判のまま基板をケミカルエッチングすることによって薄くする製造方法が知られている（特許文献１参照）。また、大判基板を用いる場合、大判基板から個々の液晶パネルを分断（ブレイク）する際に、分断箇所にカッター等でスクライブ線と呼ばれる溝を形成し（スクライブ溝形成工程）、衝撃を与えて分断する（ブレイク工程）（特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平４−１１６６１９号公報
【特許文献２】特開２００１−２１５４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、ケミカルエッチングによって基板を薄化する場合、スクライブ線（スクライブ溝）を形成する作業が困難になるという課題がある。具体的には、薄化された基板にスクライブ溝を形成すると、図２４の断面図および平面図に示すように、基板３１０に割れＡが発生したり、スクライブ溝３６０を形成しただけで基板３１０が割れしまい所望の分断を行えない（図２４中の符号Ｂの箇所を参照）。また、ケミカルエッチングによれば、対向配置された基板が両方とも同じ厚さだけエッチングされるので、基板厚さが異なる構造の液晶パネルを製造するのは容易ではないという課題がある。
【０００５】
本発明の目的は、液晶パネル等の表示パネルの基板をケミカルエッチングによって薄化する場合に、スクライブ溝を良好に形成可能な手段を提供することである。また、本発明の他の目的は、上記のケミカルエッチングによる薄化を行う場合に、基板厚さを容易に違えることが可能な手段を提供することである。以下の手段は、上記目的の少なくとも１つに貢献する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る表示パネルの製造方法は、表示パネルのための１対の基板を互いの一方主面を向き合わせて貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記貼り合わせ工程で形成された貼り合わせ体にケミカルエッチングを実施するエッチング工程と、を備え、前記ケミカルエッチングによって前記貼り合わせ体を薄化する表示パネルの製造方法であって、前記１対の基板の少なくとも一方の基板の他方主面にスクライブ溝を形成するスクライブ溝形成工程をさらに備え、前記スクライブ溝形成工程よりも後に前記エッチング工程を実施して前記ケミカルエッチングによって前記貼り合わせ体を薄化するとともに前記スクライブ溝を深くすることを特徴とする。
【０００７】
また、前記ケミカルエッチングによって深くなった前記スクライブ溝の底部で前記少なくとも一方の基板を機械的に分断するブレイク工程をさらに備えることが好ましい。
【０００８】
また、前記スクライブ溝を前記ケミカルエッチングによって前記一方主面にまで到達させることにより前記エッチング工程で前記少なくとも一方の基板を分断することが好ましい。
【０００９】
また、前記貼り合わせ工程で前記ケミカルエッチングに対して耐性を有するエッチング耐性部材を前記１対の基板で挟み、前記スクライブ溝形成工程で前記スクライブ溝を前記エッチング耐性部材に対向させて形成することが好ましい。
【００１０】
また、前記貼り合わせ工程では前記１対の基板をシールで互いに固定し、前記エッチング耐性部材を前記シールと同じ材料で形成することが好ましい。
【００１１】
また、前記ケミカルエッチングは複数回のケミカルエッチング処理によって構成され、前記複数回のケミカルエッチング処理の途中で前記１対の基板の一方の基板の前記他方主面上に前記ケミカルエッチングに対する耐性が前記１対の基板の他方の基板よりも高いコーティング膜を形成するコーティング膜形成工程をさらに備え、前記コーティング膜を有した状態で残りのケミカルエッチング処理を実施することが好ましい。
【００１２】
また、前記エッチング工程よりも前に前記１対の基板の一方の基板の前記他方主面上に前記ケミカルエッチングに対する耐性が前記１対の基板の他方の基板よりも高いコーティング膜を形成するコーティング膜形成工程をさらに備え、前記コーティング膜を有した状態で前記エッチング工程を実施することが好ましい。
【００１３】
また、前記コーティング膜形成工程を前記スクライブ溝形成工程よりも前に実施し、前記スクライブ溝形成工程で前記コーティング膜越しに前記スクライブ溝を形成することが好ましい。
【００１４】
また、前記貼り合わせ工程で前記１対の基板として厚さが異なる１対の基板を用いることが好ましい。
【００１５】
また、前記貼り合わせ体は複数のマークを有し、前記スクライブ溝形成工程で前記複数のマークのうちの２つを結ぶ直線状に前記スクライブ溝を形成することが好ましい。
【００１６】
また、前記複数のマークは前記貼り合わせ工程で利用するアライメントマークを含むことが好ましい。
【００１７】
また、本発明に係る表示パネルの製造方法は、表示パネルのための１対の基板を互いの一方主面を向き合わせて貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記貼り合わせ工程で形成された貼り合わせ体にケミカルエッチングを実施するエッチング工程と、を備え、前記ケミカルエッチングによって前記貼り合わせ体を薄化する表示パネルの製造方法であって、前記貼り合わせ工程で前記１対の基板として厚さが異なる１対の基板を用いることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明に係る表示パネルは、対向して配置された第１基板と第２基板とを備える表示パネルであって、前記第１基板は、前記第２基板の側に位置する第１主面と、前記第１主面よりも前記第２基板から遠くに位置する第２主面と、前記第１主面のエッジから連続して前記第１主面とともに第１角部を構成しかつ前記第２主面のエッジから連続して前記第２主面とともに第２角部を構成する端面と、を含んで構成され、前記第２角部は前記第１角部よりも前記表示パネルの中央部側に位置し、前記端面のうち少なくとも前記第２主面側の部分は鏡面状態であることを特徴とする。
【００１９】
また、前記第２基板は、前記第１基板の側に位置する第３主面と、前記第３主面よりも前記第１基板から遠くに位置する第４主面と、前記第３主面のエッジから連続して前記第３主面とともに第３角部を構成しかつ前記第４主面のエッジから連続して前記第４主面とともに第４角部を構成する端面と、を含んで構成され、前記第４角部は前記第３角部よりも前記表示パネルの前記中央部側に位置し、前記第２基板の前記端面のうち少なくとも前記第４主面の側の部分は鏡面状態であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
上記構成により、表示パネルの基板をケミカルエッチングによって薄化する場合に、スクライブ溝を良好に形成することができる。また、上記のケミカルエッチングによる薄化を行う場合に、基板厚さの異なる表示パネルを容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に図面を用いて本発明に係る実施形態について詳細に説明する。
【００２２】
図１の（ａ）および（ｂ）に本発明に係る実施形態の液晶パネル１を説明する平面図および断面図を示す。なお、図１において（ａ）中の１Ｂ−１Ｂ線における断面図が（ｂ）にあたる。
【００２３】
図１に示すように、液晶パネル１は、対向配置された２枚の基板１０，２０と、当該２枚の基板１０，２０間に配置された液晶９０と、液晶９０を基板１０，２０とともに基板１０，２０間に封入するためのシール３０とを含んで構成されている。
【００２４】
液晶パネル１は、カラー表示、モノクロ表示のいずれでもよいし、透過型、半透過型、反射型のいずれでもよい。また、液晶パネル１における液晶９０の配向制御の方式も特に限定されるものではなく、基板１０，２０間の電界（縦電界）によって配向状態を制御する方式、例えばＴＮ（Twisted Nematic）方式であってもよいし、基板１０に設けられた２種の電極間での電界（横電界または斜め電界）によって配向状態を制御する方式、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）方式やＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式であってもよい。すなわち、基板１０，２０はどのような構成を有していても構わない。
【００２５】
基板２０は、説明をわかりやすくするために、ここでは、液晶９０の配向状態を制御するための電極や当該電極の電位を制御するためのスイッチング素子等（いずれも不図示）が下地基板の一方の主面上に形成された構成を有するアレイ基板とする。アレイ基板は、素子基板等とも呼ばれ、上記スイッチング素子がＴＦＴ（Thin Film Transistor）の場合にはＴＦＴ基板とも呼ばれる。なお、下地基板はここでは主面が四角形のガラス基板とする。
【００２６】
他方、基板１０は、ここでは、対向基板とする。対向基板１０は、下地基板の一方の主面上に例えば不図示のカラーフィルタ等が配置された構成を有し、カラーフィルタを有する場合にはカラーフィルタ基板とも呼ばれる。なお、下地基板はここでは主面が四角形のガラス基板とする。
【００２７】
アレイ基板２０は、対向基板１０よりも広く、対向基板１０に重なる部分２１と対向基板１０に重ならない部分２２とを有している。対向基板１０に重ならない部分２２には外部接続端子領域とチップ搭載領域との少なくとも一方が設けられている。
【００２８】
シール３０は両基板１０，２０に固着して両基板１０，２０を支持する部材であり、これにより両基板１０，２０が互いに固定される。シール３０は大略、対向基板１０の周縁に沿って延在している。ここでは、シール３０が液晶注入口３１を有し液晶注入口３１が不図示の封口部材で封止される構造を例示するが、液晶パネル１は、液晶注入口３１を有さず、いわゆる液晶滴下法（ワン・ドロップ・フィル法）によって製造される構造であってもよい。
【００２９】
液晶パネル１は両基板１０，２０よりも大判の基板を用いて製造される。なお、大判の基板から複数個の液晶パネルを製造する場合には、当該大判基板は多数個取り基板、多面取り基板、マザー基板とも呼ばれる。
【００３０】
図２に液晶パネル１の製造方法の手順を説明するフローチャートを示す。図２に示すように、この製造方法は、大判対向基板製造工程ＳＴ１０と、大判アレイ基板製造工程ＳＴ２０と、シール形成工程ＳＴ３０と、貼り合わせ工程ＳＴ４０と、エッチング液阻止部材形成工程ＳＴ５０と、スクライブ溝形成工程ＳＴ６０と、エッチング工程ＳＴ７０と、ブレイク工程ＳＴ８０と、液晶封入工程ＳＴ９０とを含んでいる。図３〜図７に各工程ＳＴ１０〜ＳＴ９０を説明する図を示し、図１〜図７を参照しつつ各工程ＳＴ１０〜ＳＴ９０を説明する。
【００３１】
大判対向基板製造工程ＳＴ１０では、完成品の液晶パネル１における対向基板１０の下地ガラス基板よりも大判のガラス基板を用いて複数個分の対向基板１０がマトリクス状に繋がった状態の大判対向基板１１０（図３参照）を製造する。具体的には、各種の成膜技術やパターニング技術等を利用して、大判ガラス基板上に各対向基板１０の形成領域にそれぞれ対向基板１０の各種要素を形成する。
【００３２】
大判アレイ基板製造工程ＳＴ２０では、完成品の液晶パネル１におけるアレイ基板２０の下地ガラス基板よりも大判のガラス基板を用いて複数個分のアレイ基板２０がマトリクス状に繋がった状態の大判アレイ基板１２０（図３参照）を製造する。具体的には、各種の成膜技術やパターニング技術等を利用して、大判ガラス基板上に各アレイ基板２０の形成領域にそれぞれアレイ基板２０の各種要素を形成する。なお、ここでは、基板１０，２０用の大判ガラス基板は同じ厚さとする。
【００３３】
シール形成工程ＳＴ３０では、大判対向基板１１０上に各対向基板１０に対応させてシール３０を形成する（図３参照）。なお、大判アレイ基板１２０上に、または、両大判基板１１０，１２０上にシール３０を形成してもよい。
【００３４】
貼り合わせ工程ＳＴ４０は、シール形成工程ＳＴ３０の後に実施する。貼り合わせ工程ＳＴ４０では、両大判基板１１０，１２０をシール３０によって貼り合わせる（図３参照）。具体的には、大判対向基板１１０と大判アレイ基板１２０とを、シール３０を介して向き合わせて重ね合わせ、シール３０を硬化することによって互いに固着する。この際、大判対向基板１１０における上記各種要素側の主面１１０Ｓ１（図６参照）と大判アレイ基板１２０における上記各種要素側の主面１２０Ｓ１（図６参照）とを互いに向き合わせる。また、両大判基板１１０，１２０は、シール３０を硬化する以前に、アライメントマークを利用してアライメント（位置決め）される。
【００３５】
ここで、貼り合わせ工程ＳＴ４０によって得られる、大判基板１１０，１２０およびシール３０を含んで構成される構造体を貼り合わせ体１００と呼ぶことにする。また、大判対向基板１１０において、上記主面１１０Ｓ１を内側主面１１０Ｓ１と呼び、内側主面１１０Ｓ１に対して裏面にあたる主面１１０Ｓ２を外側主面１１０Ｓ２と呼ぶことにする（図６参照）。同様に、大判アレイ基板１２０において、上記主面１２０Ｓ１を内側主面１２０Ｓ１と呼び、内側主面１２０Ｓ１に対して裏面にあたる主面１２０Ｓ２を外側主面１２０Ｓ２と呼ぶことにする（図６参照）。なお、各外側主面１１０Ｓ２，１２０Ｓ２は各大判基板１１０，１２０を構成する各下地ガラス基板の主面である。
【００３６】
エッチング液阻止部材形成工程ＳＴ５０は、貼り合わせ工程ＳＴ４０の後に実施する。エッチング液阻止部材１５０（図４および図５参照）は、後のエッチング工程ＳＴ７０においてエッチング液が大判基板１１０，１２０間へ、より具体的には大判基板１１０，１２０とシール３０とで囲まれた内部空間へ浸入するのを阻止するための部材である。エッチング液阻止部材形成工程ＳＴ５０では、貼り合わせ体１００の周縁部にエッチング液阻止部材１５０を設けて貼り合わせ体１００の上記内部空間を外部と遮断する。
【００３７】
エッチング液阻止部材１５０は、例えば液晶注入口３１を封止する封口材に用いられる紫外線硬化性樹脂で構成することできる。エッチング液阻止部材形成工程ＳＴ５０では、液状またはペースト状のエッチング液阻止部材１５０を、貼り合わせ体１００の周縁端面に例えばディスペンス法で塗布することにより大判基板１１０，１２０間の隙間へ注入し硬化する。これにより、貼り合わせ体１００の全周縁部にエッチング液阻止部材１５０を設ける。
【００３８】
スクライブ溝形成工程ＳＴ６０は、エッチング液阻止部材形成工程ＳＴ５０の後に実施する。スクライブ溝形成工程ＳＴ６０では、貼り合わせ体１００を個々の液晶パネル１に対応させて分断（ブレイク）するためのスクライブ溝１６０を、両大判基板１１０，１２０の外側主面１１０Ｓ２，１２０Ｓ２に形成する（図５および図６参照）。なお、図５等の平面図では図面の煩雑化を避けるためにスクライブ溝１６０を一点鎖線で図示している。
【００３９】
スクライブ溝はスクライブ線とも呼ばれる。スクライブ溝１６０は、カッターやレーザ光等の各種手段で形成可能である。スクライブ溝１６０の各外側主面１１０Ｓ２，１２０Ｓ２からの深さは、例えば大判基板１１０，１２０の厚さの１０％程度である。なお、各大判基板１１０，１２０の下地ガラス基板上に形成された上記各種要素は下地ガラス基板に比べて非常に薄いので、各大判基板１１０，１２０の厚さは各下地ガラス基板の厚さにほぼ等しい。また、鋭利な溝形成手段によれば、図６等に一点鎖線で図示するように、スクライブ溝１６０の断面（延在方向に垂直な断面）はＶ字形状になる。なお、スクライブ溝１６０は人工的に形成する溝であるので、深さ、断面形状、外側主面１１０Ｓ２，１２０Ｓ２における開口幅等を延在方向に垂直な各断面において同じにすなわち均質に形成することが可能であり、均質であることが好ましい。
【００４０】
スクライブ溝１６０は、大判対向基板１１０には対向基板１０の外形に合わせて直線状に形成し、大判アレイ基板１２０にはアレイ基板２０の外形に合わせて直線状に形成する。このため、液晶パネル１において両基板１０，２０の端面が揃っている箇所に対応する位置では両大判基板１１０，１２０のスクライブ溝１６０は互いに対向して形成され、液晶パネル１においてアレイ基板２０の２つの部分２１，２２（図１参照）の境界に対応する位置では大判対向基板１１０にのみスクライブ溝１６０が形成される。
【００４１】
ここで、上記のように大判対向基板１１０は対向基板１０がマトリクス状に配列された状態に相当するので、各対向基板１０用のスクライブ溝１６０同士を連続させ大判対向基板１１０全体において直線状に形成することができる。この点は大判アレイ基板１２０に形成するスクライブ溝１６０についても同様である。
【００４２】
また、スクライブ溝１６０の形成位置を規定するマークＭを貼り合わせ体１００に設けることにより、２つのマークＭを結んでスクライブ溝１６０を形成することができる。マークＭは、対向基板１０およびアレイ基板２０の各角に相当する位置に設けてもよいし（図５参照）、上記のように基板１０，２０のマトリクス配列を利用して大判基板１１０、１２０全体に渡って直線状に形成する場合には大判基板１１０，１２０の外周部にのみ設けてもよい。さらに、マークＭの一部または全部を、貼り合わせ工程ＳＴ４０で大判基板１１０，１２０を位置決めする際に利用するアライメントマークと共用してもよい。
【００４３】
マークＭは、スクライブ溝形成工程ＳＴ６０までに形成すればよく、例えば、大判対向基板製造工程ＳＴ１０で大判対向基板１１０内に作り込んでもよいし、大判アレイ基板製造工程ＳＴ２０で大判アレイ基板１２０内に作り込んでもよいし、両大判基板１１０，１２０内に作り込んでもよい。これらの場合、マークＭは、アライメントマークと同様の形成方法によって形成可能であり、また、アライメントマークと同時に形成してもよい。また、貼り合わせ工程ＳＴ４０以降に大判対向基板１１０の外側主面１１０Ｓ２と大判アレイ基板１２０の外側主面１２０Ｓ２との少なくとも一方に例えば印刷によってマークＭを形成してもよい。
【００４４】
また、マークＭは、貼り合わせ体１００に形成されていればよい。すなわち、図５等に例示した“＋”（プラス形状）のパターン自体を上記のように大判基板１１０，１２０の少なくとも一方に形成してもよいし、 “＋”の縦棒部分を大判対向基板１１０に形成し “＋”の横棒部分を大判アレイ基板１２０に形成しこれら両部分が貼り合わせ体１００において重なることによって“＋”のパターンを形成するようにしてもよい。なお、マークＭの平面パターンは図５等に例示した“＋”に限られない。
【００４５】
エッチング工程ＳＴ７０は、スクライブ溝形成工程ＳＴ６０の後に実施する。エッチング工程ＳＴ７０では、貼り合わせ体１００に対してケミカルエッチング処理を実施する。具体的には、貼り合わせ体１００を例えばフッ酸溶液へ浸漬することによって大判基板１１０，１２０の下地ガラス基板をエッチングする。なお、図６等ではエッチング工程ＳＴ７０前の大判基板１１０，１２０を一点鎖線で図示している。図６に示すように、エッチング工程ＳＴ７０によって、大判基板１１０，１２０が外側主面１１０Ｓ２，１２０Ｓ２側からエッチングされて全体的に薄くなるとともに、スクライブ溝１６０もエッチングされて深くなり、開口も広がる。エッチング工程ＳＴ７０でのケミカルエッチング処理は複数回の処理で構成してもよく、例えば複数のエッチング液槽を順次に移動させてエッチング工程ＳＴ７０を実施してもよい（後述する）。
【００４６】
なお、エッチング液阻止部材１５０（図４および図５参照）によって、貼り合わせ体１００の内部空間がエッチング液にさらされるのが防止される。
【００４７】
ブレイク工程ＳＴ８０は、エッチング工程ＳＴ７０の後に実施する。ブレイク工程ＳＴ８０では、上記ケミカルエッチングによって深くなったスクライブ溝１６０を利用して大判基板１１０，１２０を機械的に分断する。具体的には、例えばブレイクバー等によって衝撃を与えることにより、各大判基板１１０，１２０においてスクライブ溝１６０の底面と内側主面１１０Ｓ１，１２０Ｓ１との間のエッチングされずに残った部分を基板厚さ方向に破断する。これにより、貼り合わせ体１００が、後に液晶パネル１になる液晶９０を封入するための容器に切り分けられる（図７参照）。
【００４８】
液晶封入工程ＳＴ９０はブレイク工程ＳＴ８０の後に実施する。液晶封入工程ＳＴ９０では、ブレイク工程ＳＴ８０で得られた上記容器内に液晶９０を注入し、液晶注入口３１（図１参照）を封口する。
【００４９】
上記製造方法によって製造された液晶パネル１の対向基板１０の表面は、図７の断面図に示すように、内側主面（第１主面または第３主面）１０Ｓ１と、外側主面（第２主面または第４主面）１０Ｓ２と、端面１０Ｔとを含んで構成されている。ここで、内側主面１０Ｓ１は、大判対向基板１１０の内側主面１１０Ｓ１に対応し、外側主面１０Ｓ２よりもアレイ基板２０の側に位置している。外側主面１０Ｓ２は、大判対向基板１１０の外側主面１１０Ｓ２に対応し、内側主面１０Ｓ１よりもアレイ基板２０から遠くに位置している。端面１０Ｔは、両主面１０Ｓ１，１０Ｓ２のエッジから連続し両主面１０Ｓ１，１０Ｓ２間を繋いでいる面である。
【００５０】
端面１０Ｔは、内側主面１０Ｓ１の側の第１部分１０Ｔ１と、外側主面１０Ｓ２の側の第２部分１０Ｔ２とに大別される。端面１０Ｔの第１部分１０Ｔ１は、内側主面１０Ｓ１から連続した面であり、内側主面１０Ｓ１との交差によって角部（第１角部または第３角部）１０Ｃ１を形成している。端面１０Ｔの第２部分１０Ｔ２は、外側主面１０Ｓ２から連続した面であり、外側主面１０Ｓ２との交差によって角部（第２角部または第４角部）１０Ｃ２を形成している。端面１０Ｔの第２部分１０Ｔ２は、スクライブ溝１６０の内表面にあたり、このためケミカルエッチング処理された鏡面状態になっている。これに対し、端面１０Ｔの第１部分１０Ｔ１は、ブレイク工程ＳＴ８０によって形成された大判対向基板１１０の破断面であり、鏡面状態の第２部分１０Ｔ２よりも表面状態が粗い。また、両部分１０Ｔ１，１０Ｔ２の形成過程の違いに起因して、外側主面１０Ｓ２側の角部１０Ｃ２の方が内側主面１０Ｓ１側の角部１０Ｃ１よりも液晶パネル１の中央部側に位置しており、第１部分１０Ｔ１は内側主面１０Ｓ１に略垂直な平面であり、第２部分１０Ｔ２は外側主面１０Ｓ２付近では当該主面１０Ｓ２に略垂直を成しつつ外側主面１０Ｓ２と第１部分１０Ｔ１とをなだらかに繋ぐ曲面である。
【００５１】
同様に、アレイ基板２０の表面は、大判アレイ基板１２０の内側主面１２０Ｓ１に対応する内側主面（第３主面または第１主面）２０Ｓ１と、大判アレイ基板１２０の外側主面１２０Ｓ２に対応する外側主面（第４主面または第２主面）２０Ｓ２と、端面２０Ｔとを含んで構成されている。端面２０Ｔは、内側主面２０Ｓ１のエッジから連続して内側主面２０Ｓ１との交差によって角部（第３角部または第１角部）２０Ｃ１を形成する第１部分２０Ｔ１と、外側主面２０Ｓ２のエッジから連続して外側主面２０Ｓ２との交差によって角部（第４角部または第２角部）２０Ｃ２を形成する第２部分２０Ｔ２とに大別される。端面２０Ｔの第２部分２０Ｔ２はケミカルエッチング処理された鏡面状態になっているのに対して、端面２０Ｔの第１部分２０Ｔ１は第２部分２０Ｔ２よりも表面状態が粗い。外側主面２０Ｓ２側の角部２０Ｃ２の方が内側主面２０Ｓ１側の角部２０Ｃ１よりも液晶パネル１の中央部側に位置しており、第１部分２０Ｔ１は内側主面２０Ｓ１に略垂直な平面であり、第２部分２０Ｔ２は外側主面２０Ｓ２付近では当該主面２０Ｓ２に略垂直を成しつつ外側主面２０Ｓ２と第１部分２０Ｔ１とをなだらかに繋ぐ曲面である。
【００５２】
なお、図７には液晶パネル１において両端面１０Ｔ，２０Ｔが揃っている端部を図示しているが、アレイ基板２０の２つの部分２１，２２（図１参照）の境界に対向する位置における対向基板１０の端部も上記と同様である。
【００５３】
上記構成により、スクライブ溝１６０を薄化前の厚い状態の大判基板１１０，１２０に対して形成するので、薄化後に形成するよりも、大判基板１１０，１２０の割れ等を低減することができる。また、スクライブ溝１６０は形成後にケミカルエッチングによって深くするので従来よりも浅くてもよく、このためスクライブ溝形成時の上記割れ等をいっそう低減することができる。したがって、スクライブ溝１６０を良好に形成することができる。また、ケミカルエッチングによってスクライブ溝１６０を深くするので、大判基板１１０，１２０を容易かつ安定的に分断することができる。また、スクライブ溝１６０の深化と大判基板１１０，１２０の薄化とをケミカルエッチングによって同時に行うので、スクライブ溝１６０の深化のために別途の工程を設ける必要がない。このように、ケミカルエッチングによって基板薄化を実施する製造方法において、生産性が向上する。
【００５４】
また、上記のようにスクライブ溝１６０はケミカルエッチングによって深くなるとともに開口が広がる。このため、大判基板１１０，１２０においてスクライブ溝１６０の形成によってストレスを受けた部分をケミカルエッチングによって除去することができる。その結果、完成品の液晶パネル１において基板１０，２０の角部１０Ｃ２，２０Ｃ２および端面１０Ｔ，２０Ｔの第２部分１０Ｔ２，２０Ｔ２にはストレスが残っていないので、スクライブ溝１６０にケミカルエッチングをしない場合に比べて強度が高い。
【００５５】
図８に液晶パネル１の実施形態２の製造方法の手順を説明するフローチャートを示す。図８に示すように、実施形態２の製造方法は、実施形態１の製造方法からブレイク工程ＳＴ８０を削除し、実施形態１の製造方法にエッチング耐性部材形成工程ＳＴ１００を追加した構成を有する。
【００５６】
まず、図９の断面図を参照して、本製造方法を概説する。本製造方法のエッチング工程ＳＴ７０では、実施形態１の製造方法と同様に大判基板１１０，１２０を薄化するとともにスクライブ溝１６０を深化するのであるが、図９に示すようにスクライブ溝１６０の深化をスクライブ溝１６０が大判基板１１０，１２０の内側主面１１０Ｓ１，１２０Ｓ１に到達するまで行う。つまり、本製造方法ではスクライブ溝１６０の深化によって大判基板１１０，１２０を分断し、これによりブレイク工程ＳＴ８０を省略するものである。
【００５７】
このエッチング工程ＳＴ７０によれば、分断された大判基板１１０，１２０間の隙間へエッチング液が浸入したり、分断された貼り合わせ体１００がエッチング液槽内でばらばらに散乱したりする可能性がある。このため、本製造方法ではエッチング耐性部材２００を利用する。
【００５８】
すなわち、エッチング耐性部材形成工程ＳＴ１００では、図１０の平面図に示すように、大判アレイ基板１２０の内側主面１２０Ｓ１上であって、各大判基板１１０，１２０のスクライブ溝１６０の形成位置にエッチング耐性部材２００を配置する。なお、図１０には、説明のために、エッチング耐性部材形成工程ＳＴ１００よりも後で形成されるスクライブ溝１６０を図示している。
【００５９】
エッチング耐性部材２００は、エッチング液に対して耐性を有する材料、例えばエッチング液がフッ酸溶液の場合にはエポキシ樹脂や塩化ビニル等の樹脂で構成され、例えばシール３０と同じ材料で構成することができる。エッチング耐性部材２００は、例えば、液状またはペースト状の上記エッチング耐性材料を印刷法やディスペンス法で塗布することにより、あるいは、上記エッチング耐性部材で構成されたテープ状部材を貼り付けることにより、配置可能である。なお、図８とは逆に、エッチング耐性部材２００を大判対向基板１１０上に形成し、シール３０を大判アレイ基板１２０上に形成してもよい。そして、エッチング耐性部材形成工程ＳＴ１００の後に、貼り合わせ工程ＳＴ４０を実施する。
【００６０】
貼り合わせ工程ＳＴ４０で、エッチング耐性部材２００を有する大判アレイ基板１２０とシール３０を有する大判対向基板１１０とを貼り合わせることによって、エッチング耐性部材２００を大判基板１１０，１２０で挟み込んで支持する。そして、その後のスクライブ溝形成工程ＳＴ６０では、エッチング耐性部材２００に対向してスクライブ溝１６０を形成する。
【００６１】
エッチング工程ＳＴ７０では、上記のようにスクライブ溝１６０を大判基板１１０，１２０の内側主面１１０Ｓ１，１２０Ｓ１に到達させる。これにより、別途のブレイク工程を設けることなく、エッチング工程ＳＴ７０において大判基板１１０，１２０を分断することができる。このとき、エッチング耐性部材２００が大判基板１１０，１２０間に挟み込まれているので、エッチング液の浸入や分割された貼り合わせ体１００の散乱を防止することができる。なお、例えばエッチング耐性部材２００をエッチング工程ＳＴ７０の後にカッター等で切断することにより、貼り合わせ体１００を、後に液晶９０を封入するための容器に切り分けることができる。
【００６２】
図１１に実施形態２の製造方法により製造された液晶パネル１の断面図を示す。図１１と上記図７とを比較すればわかるように、スクライブ溝１６０の深化の度合いの違いに起因して、実施形態２の製造方法による液晶パネル１の端面１０Ｔ，２０Ｔは全体がスクライブ溝１６０の内表面にあたり、このため全体が鏡面状態になっている。換言すれば、当該端面１０Ｔ，２０Ｔは上記第２部分１０Ｔ２，２０Ｔ２（図７参照）のみで構成されている。その他の点は実施形態１の製造方法による図７の液晶パネル１と同様である。このため、液晶パネル１において端面１０Ｔ，２０Ｔ全体および角部１０Ｃ２，２０Ｃ２においてスクライブ溝１６０の形成時のストレスが除去されており強度が向上している。
【００６３】
なお、図１１では液晶パネル１においてエッチング耐性部材２００を残しているが、当該部材２００と基板１０，２０との接着性が無いまたは弱い場合には、エッチング工程ＳＴ７０後に取り除いてもよい。
【００６４】
図１２に実施形態２の他の製造方法の手順を説明するフローチャートを示す。図１２に示すように、本製造方法は、実施形態２の上記製造方法において、エッチング耐性部材形成工程ＳＴ１００を削除し、シール形成工程ＳＴ３０をシールおよびエッチング耐性部材形成工程ＳＴ３０Ｂに替えた構成を有する。工程ＳＴ３０Ｂでは、例えばディスペンサ法によってシール３０とエッチング耐性部材２００とを順次に形成してもよいし（順序は問わない）、エッチング耐性部材２００をシール３０と同じ材料で構成し印刷法によってシール３０と同時に形成してもよい。なお、シール３０およびエッチング耐性部材２００の両方を、大判アレイ基板１２０上に、または、両大判基板１１０，１２０上に形成してもよい。
【００６５】
その後、貼り合わせ工程ＳＴ４０で、シール３０およびエッチング耐性部材２００を有する大判対向基板１１０と大判アレイ基板１１０とを貼り合わせることによって、エッチング耐性部材２００を大判基板１１０，１２０で挟み込む。
【００６６】
上記のようにエッチング耐性部材２００をシール３０と同じ材料で構成し単一の大判基板１１０，１２０上に同時に印刷する場合には、両者２００，３０を同時に形成可能である。他方、耐性部材２００とシール３０とを別々の大判基板１１０，１２０上に形成する場合には、両者２００，３０の形成工程を並行して実施可能である。つまり、エッチング耐性部材２００を追加しても全体の製造時間の増加は抑制可能である。
【００６７】
ところで、液晶パネル１において対向基板１０とアレイ基板２０とで厚さを違える場合がある。例えば、いわゆるパララックスバリア方式による３Ｄ用液晶モジュールは液晶パネルと対向基板側に配置されたパララックスバリアとを含んで構成され、対向基板の内側主面とパララックスバリアとの距離が短いほど好ましいので、対向基板は薄い方が好ましい。そこで、実施形態３〜６ではケミカルエッチングを利用して製造された両基板１０，２０の厚さが異なる液晶パネル１を説明する。
【００６８】
図１３に液晶パネル１の実施形態３の製造方法の手順を説明するフローチャートを示し、図１４に本製造方法を説明する断面図を示す。本製造方法では、コーティング膜２２０を利用して、ケミカルエッチングによるエッチング量を大判対向基板１１０と大判アレイ基板１２０とで違える。このため、本製造方法は、図２の実施形態１の製造方法に、コーティング膜形成工程ＳＴ１１０およびコーティング膜除去工程ＳＴ１２０を追加した構成を有する。
【００６９】
コーティング膜形成工程ＳＴ１１０は、エッチング工程ＳＴ７０よりも前に実施し、ここではスクライブ溝形成工程ＳＴ６０の後からエッチング工程ＳＴ７０の前までの間に実施する。コーティング膜形成工程ＳＴ１１０では、大判アレイ基板１２０の外側主面１２０Ｓ２上に、エッチング工程ＳＴ７０でのエッチング液に対して耐性を有する部材でコーティング膜２２０を形成する。コーティング膜２２０は、例えば上記エッチング耐性部材２００と同じ材料やフォトレジスト等で構成することができ、液状またはペースト状の当該材料をスピンコート法で塗布することによって大判アレイ基板１２０の外側主面１２０Ｓ２上に形成することができる。また、コーティング膜２２０を上記エッチング耐性材料から成るフィルムで構成し、当該フィルムを外側主面１２０Ｓ２上に貼り付けてもよい。また、例えばエッチング液がフッ酸溶液の場合にはコーティング膜２２０としてシリコン窒化膜を外側主面１２０Ｓ２上に成膜してもよい。
【００７０】
そして、エッチング工程ＳＴ７０ではコーティング膜２２０を有した状態でケミカルエッチング処理を実施する。このため、コーティング膜２２０の有無によって、大判対向基板１１０と大判アレイ基板１２０とでエッチング量を違えることができる。その結果、対向基板１０の方が薄い液晶パネル１を製造することができる。
【００７１】
コーティング膜除去工程ＳＴ１２０は、エッチング工程ＳＴ７０よりも後に、ここではエッチング工程ＳＴ７０の後からブレイク工程ＳＴ８０の前までの間に実施する。なお、コーティング膜２２０が完成品において影響を及ぼさない場合、例えばコーティング膜２２０が透明な場合、コーティング膜除去工程１２０を省略してコーティング膜２２０を残してもよい。
【００７２】
ブレイク工程ＳＴ８０では、上記と同様に、ブレイクバー等によって衝撃を与えて機械的に大判基板１１０，１２０を分断する。このとき、コーティング膜２２０で覆われる大判アレイ基板１２０にもスクライブ溝形成工程ＳＴ６０でスクライブ溝１６０を形成しておくことにより（図１４参照）、ブレイク工程ＳＴ８０でそのスクライブ溝１６０を利用することができる。このように大判アレイ基板１２０にも基板薄化前にスクライブ溝１６０を形成しておけば、薄化された大判対向基板１１０に割れ等を発生させずに、スクライブ溝１６０を形成することができる。
【００７３】
上記ではコーティング膜２２０がエッチング工程ＳＴ７０でのエッチング液に対して耐性を有する場合を例示したが、コーティング膜２２０は、薄くする大判対向基板１１０よりも上記エッチング耐性が高ければよく、換言すれば大判対向基板１１０よりも上記エッチング液に対するエッチングレートが低ければよい。このようなコーティング膜２２０によれば、エッチング工程ＳＴ７０の実施中にコーティング膜２２０の全部がエッチングされてしまい大判アレイ基板１２０がエッチングされる場合もあるが、大判アレイ基板１２０の外側主面１２０Ｓ２のエッチング開始時を大判対向基板１１０の外側主面１１０Ｓ２のエッチング開始時よりも遅らせることが可能である。このエッチング開始時の時間差により、大判アレイ基板１２０を大判対向基板１１０よりも厚く残すことができる。
【００７４】
図１５に液晶パネル１の実施形態４の製造方法の手順を説明するフローチャートを示し、図１６に本製造方法を説明する断面図を示す。本製造方法は、上記実施形態３の製造方法においてスクライブ溝形成工程ＳＴ６０とコーティング膜形成工程ＳＴ１１０との実施順序を入れ替えた構成を有する。すなわち、コーティング膜２２０を形成した後にスクライブ溝１６０を形成する。
【００７５】
したがって、スクライブ溝形成工程ＳＴ６０では、大判アレイ基板１２０に対しては外側主面１２０Ｓ２にコーティング膜２２０越しにスクライブ溝１６０を形成する。このため、大判アレイ基板１２０にスクライブ溝１６０が形成されるとともに、コーティング膜２２０はスクライブ溝１６０上で開口される。その結果、コーティング膜２２０の上記開口を介してスクライブ溝１６０へエッチング液が浸入するので、実施形態１，２の製造方法と同様に、大判アレイ基板１２０のスクライブ溝１６０を深化することができる。
【００７６】
図１７に実施形態５の製造方法の手順を説明するフローチャートを示し、図１８および図１９に本製造方法でのエッチング工程ＳＴ７０を説明する断面図を示す。図１７に示すように、本製造方法は、上記と同様に工程ＳＴ１０〜ＳＴ９０，ＳＴ１１０，ＳＴ１２０を含んでいるが、エッチング工程ＳＴ７０を２回のケミカルエッチング処理ＳＴ７１，ＳＴ７２に分けて行い、また、工程の実施順序が異なる。
【００７７】
本製造方法では、実施形態１の製造方法（図２参照）と同様に、大判対向基板製造工程ＳＴ１０、大判アレイ基板製造工程ＳＴ２０、シール形成工程ＳＴ３０、貼り合わせ工程ＳＴ４０、エッチング液阻止部材形成工程ＳＴ５０およびスクライブ溝形成工程ＳＴ６０をこの順序で実施する。その後、エッチング工程ＳＴ７０を２回に分けて行い、１回目のエッチング処理ＳＴ７１と２回目のエッチング処理ＳＴ７２との間にコーティング膜形成工程ＳＴ１１０を実施する。２回目のエッチング処理ＳＴ７２の後、コーティング膜除去工程ＳＴ１２０、ブレイク工程ＳＴ８０および液晶封入工程ＳＴ９０をこの順序で実施する。
【００７８】
１回目のケミカルエッチング処理ＳＴ７１では、図１８に示すようにコーティング膜２２０を用いずに両大判基板１１０，１２０をエッチングし、大判アレイ基板１２０が所定の厚さに達したらエッチング処理を終了する。この１回目の処理ＳＴ７１により大判アレイ基板１２０が所定の厚さに薄化される。
【００７９】
コーティング膜形成工程ＳＴ１１０では、図１９に示すように、所定の厚さに薄化された大判アレイ基板１２０の外側主面１２０Ｓ２上にコーティング膜２２０を形成する。なお、大判アレイ基板１２０のスクライブ溝１６０は、コーティング膜２２０で塞がれるが、１回目のケミカルエッチング処理ＳＴ７１によってエッチングされ形成当初よりも深くなっている。
【００８０】
エッチング工程ＳＴ７０の２回目のケミカルエッチング処理ＳＴ７２は、図１９に示すようにコーティング膜２２０を有した状態で実施する。このため、コーティング膜２２０の有無によって、大判対向基板１１０と大判アレイ基板１２０とでエッチング量を違えることができる。
【００８１】
エッチング工程ＳＴ７０に含まれるケミカルエッチング処理は上記例示の２回に限られない。すなわち、本製造方法では、エッチング工程ＳＴ７０が複数回のケミカルエッチング処理で構成される場合、例えば複数のエッチング液槽を順次に移動してエッチング工程ＳＴ７０をする場合、その複数回のケミカルエッチング処理の途中で大判アレイ基板１２０上にコーティング膜２２０を形成し、コーティング膜２２０を有した状態で残りのケミカルエッチング処理を実施する。なお、上記複数のエッチング液槽でのエッチング条件は同じでもよいし異なっていてもよい。
【００８２】
図２０および図２１に実施形態６の製造方法を説明する断面図を示す。本製造方法ではコーティング膜２２０を用いずに大判基板１１０，１２０の厚さを違える。なお、本製造方法の手順は実施形態１の製造方法と同じなので、図２のフローチャートも参照する。
【００８３】
実施形態６の製造方法では、大判対向基板製造工程ＳＴ１０では、大判アレイ基板製造工程ＳＴ２０で用いる下地ガラス基板よりも薄い下地ガラス基板を用い、大判アレイ基板１２０よりも薄い大判対向基板１１０を製造する。これにより、その後の貼り合わせ工程ＳＴ４０では、図２０に示すように、薄い対向基板１１０と厚い大判アレイ基板１２０とを貼り合わせる。その後の工程ＳＴ５０〜ＳＴ９０は実施形態１と同様である。
【００８４】
上記構成により、エッチング工程ＳＴ７０では、図２１に示すように、両大判基板１１０，１２０は同じ厚さだけケミカルエッチングされる。このため、コーティング膜２２０を用いることなく、大判対向基板１１０を大判アレイ基板１２０よりも薄くすることができる。したがって、コーティング膜２２０の形成および除去が必要ないので、その分、基板１０，２０の厚さの異なる液晶パネル１を容易に製造することができ、生産性を向上させることができる。
【００８５】
実施形態３〜６では大判対向基板１１０、すなわち対向基板１０の方を薄くする場合を説明したが、同様にしてアレイ基板１２０の方を薄くすることも可能である。また、実施形態３〜６の製造方法と実施形態２の製造方法とを組み合わせることも可能である。
【００８６】
実施形態１〜６ではスクライブ溝形成工程ＳＴ６０をエッチング液阻止部材形成工程ＳＴ５０の後に実施する場合を例示したが、両工程ＳＴ５０，ＳＴ６０はエッチング工程ＳＴ７０よりも前に実施すればよく、工程ＳＴ５０，ＳＴ６０のいずれを先に実施してもよい。
【００８７】
また、実施形態１〜６では大判基板１１０，１２０から複数個の液晶パネル１を製造する場合を例示したが、図２２の平面図に示すように大判基板１１０，１２０から液晶パネル１を１つだけ製造する場合にも上記各製造方法は適用可能である。例えば一般的な規格寸法のガラス基板を用いる場合が考えられる。
【００８８】
また、下地基板がガラス以外の材料の場合にも上記各製造方法は適用可能である。
【００８９】
また、実施形態１〜６ではスクライブ溝１６０によって、大判基板１１０，１２０から基板１０，２０を抽出する場合、換言すれば貼り合わせ体１００から、液晶９０を封入することで後に液晶パネル１となる上記容器を抽出する場合を説明したが、例えば製造設備で取り扱い可能な大きさに合わせるために貼り合わせ体１００を分断する場合にも上記各製造方法は適用可能である。
【００９０】
また、エッチング液阻止部材１５０に替えて、図２３の平面図に示すエッチング液阻止部材１５０Ｂを大判基板１１０，１２０間に設けてもよい。エッチング液阻止部材１５０Ｂの第１部分１５１Ｂは、大判基板１１０，１２０全体に対するシール３０に相当し、全てのシール３０を囲むように大判基板１１０，１２０の周縁に沿って大判基板１１０，１２０の周縁部に設けられている。第１部分１５１Ｂは貼り合わせ工程ＳＴ４０よりも前に、例えばシール形成工程ＳＴ３０において大判基板１１０，１２０上の一方または両方に塗布される。第１部分１５１Ｂは、塗布後の貼り合わせ工程ＳＴ４０のために、液晶注入口３１に相当する通気口を設けて形成される。この通気口はエッチング液阻止部材１５０Ｂの第２部分１５２Ｂによって大判基板１１０，１２０の周縁部において封止される。第２部分１５２Ｂは液晶注入口３１を封口するのと同様にして形成される。
【００９１】
また、液晶パネル１だけでなく、各種の表示パネル、例えばプラズマディスプレイパネルやＥＬ（Electro Luminescence）パネルにも上記各製造方法を適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明に係る実施形態の液晶パネルを説明する模式図である。
【図２】本発明に係る実施形態１の液晶パネルの製造方法の手順を説明するフローチャートである。
【図３】本発明に係る実施形態１のシール形成工程および貼り合わせ工程を説明する平面図である。
【図４】本発明に係る実施形態１のエッチング液阻止部材形成工程を説明する断面図である。
【図５】本発明に係る実施形態１のエッチング液阻止部材形成工程およびスクライブ溝形成工程を説明する平面図である。
【図６】本発明に係る実施形態１のスクライブ溝形成工程およびエッチング工程を説明する断面図である。
【図７】本発明に係る実施形態１のブレイク工程および完成後の液晶パネルを説明する断面図である。
【図８】本発明に係る実施形態２の液晶パネルの製造方法の手順を説明するフローチャートである。
【図９】本発明に係る実施形態２の液晶パネルの製造方法を説明する断面図である。
【図１０】本発明に係る実施形態２のエッチング耐性部材形成工程を説明する平面図である。
【図１１】本発明に係る実施形態２の液晶パネルを説明する断面図である。
【図１２】本発明に係る実施形態２の液晶パネルの他の製造方法の手順を説明するフローチャートである。
【図１３】本発明に係る実施形態３の液晶パネルの製造方法の手順を説明するフローチャートである。
【図１４】本発明に係る実施形態３のスクライブ溝形成工程、コーティング膜形成工程およびエッチング工程を説明する断面図である。
【図１５】本発明に係る実施形態４の液晶パネルの製造方法の手順を説明するフローチャートである。
【図１６】本発明に係る実施形態４のコーティング膜形成工程、スクライブ溝形成工程およびエッチング工程を説明する断面図である。
【図１７】本発明に係る実施形態５の液晶パネルの製造方法の手順を説明するフローチャートである。
【図１８】本発明に係る実施形態５のエッチング工程（１回目のケミカルエッチング処理）を説明する断面図である。
【図１９】本発明に係る実施形態５のエッチング工程（２回目のケミカルエッチング処理）を説明する断面図である。
【図２０】本発明に係る実施形態６の貼り合わせ工程およびスクライブ溝形成工程を説明する断面図である。
【図２１】本発明に係る実施形態６のエッチング工程を説明する断面図である。
【図２２】本発明に係る実施形態１〜６の他の製造方法を説明する平面図である。
【図２３】本発明に係る実施形態１〜６の製造方法に適用可能な他のエッチング液阻止部材形成工程を説明する平面図である。
【図２４】従来の液晶パネルの製造方法を説明する模式図である。
【符号の説明】
【００９３】
１ 液晶パネル（表示パネル）、１０ 対向基板、２０ アレイ基板、３０ シール、９０ 液晶、１００ 貼り合わせ体、１１０ 大判対向基板、１２０ 大判アレイ基板、１６０ スクライブ溝、１１０Ｓ１，１２０Ｓ１ 内側主面、１１０Ｓ２，１２０Ｓ２ 外側主面、２００ エッチング耐性部材、２２０ コーティング膜、１０Ｓ１，２０Ｓ１ 内側主面（第１主面，第３主面）、１０Ｓ２，２０Ｓ２ 外側主面（第２主面，第４主面）、１０Ｃ１，２０Ｃ１ 角部（第１角部，第３角部）、１０Ｃ２，２０Ｃ２ 角部（第２角部，第４角部）、１０Ｔ，２０Ｔ 端面、Ｍ マーク、ＳＴ４０ 貼り合わせ工程、ＳＴ５０ エッチング液阻止部材形成工程、ＳＴ６０ スクライブ溝形成工程、ＳＴ７０ エッチング工程、ＳＴ７１，ＳＴ７２ ケミカルエッチング処理、ＳＴ８０ ブレイク工程、ＳＴ１１０ コーティング膜形成工程。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルのための１対の基板を互いの一方主面を向き合わせて貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記貼り合わせ工程で形成された貼り合わせ体にケミカルエッチングを実施するエッチング工程と、を備え、前記ケミカルエッチングによって前記貼り合わせ体を薄化する表示パネルの製造方法であって、
前記１対の基板の少なくとも一方の基板の他方主面にスクライブ溝を形成するスクライブ溝形成工程をさらに備え、
前記スクライブ溝形成工程よりも後に前記エッチング工程を実施して前記ケミカルエッチングによって前記貼り合わせ体を薄化するとともに前記スクライブ溝を深くすることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の表示パネルの製造方法であって、
前記ケミカルエッチングによって深くなった前記スクライブ溝の底部で前記少なくとも一方の基板を機械的に分断するブレイク工程をさらに備えることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の表示パネルの製造方法であって、
前記スクライブ溝を前記ケミカルエッチングによって前記一方主面にまで到達させることにより前記エッチング工程で前記少なくとも一方の基板を分断することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の表示パネルの製造方法であって、
前記貼り合わせ工程で前記ケミカルエッチングに対して耐性を有するエッチング耐性部材を前記１対の基板で挟み、
前記スクライブ溝形成工程で前記スクライブ溝を前記エッチング耐性部材に対向させて形成することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の表示パネルの製造方法であって、
前記貼り合わせ工程では前記１対の基板をシールで互いに固定し、
前記エッチング耐性部材を前記シールと同じ材料で形成することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一つに記載の表示パネルの製造方法であって、
前記ケミカルエッチングは複数回のケミカルエッチング処理によって構成され、
前記複数回のケミカルエッチング処理の途中で前記１対の基板の一方の基板の前記他方主面上に前記ケミカルエッチングに対する耐性が前記１対の基板の他方の基板よりも高いコーティング膜を形成するコーティング膜形成工程をさらに備え、
前記コーティング膜を有した状態で残りのケミカルエッチング処理を実施することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項５のいずれか一つに記載の表示パネルの製造方法であって、
前記エッチング工程よりも前に前記１対の基板の一方の基板の前記他方主面上に前記ケミカルエッチングに対する耐性が前記１対の基板の他方の基板よりも高いコーティング膜を形成するコーティング膜形成工程をさらに備え、
前記コーティング膜を有した状態で前記エッチング工程を実施することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の表示パネルの製造方法であって、
前記コーティング膜形成工程を前記スクライブ溝形成工程よりも前に実施し、前記スクライブ溝形成工程で前記コーティング膜越しに前記スクライブ溝を形成することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし請求項５のいずれか一つに記載の表示パネルの製造方法であって、
前記貼り合わせ工程で前記１対の基板として厚さが異なる１対の基板を用いることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか一つに記載の表示パネルの製造方法であって、
前記貼り合わせ体は複数のマークを有し、前記スクライブ溝形成工程で前記複数のマークのうちの２つを結ぶ直線状に前記スクライブ溝を形成することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の表示パネルの製造方法であって、
前記複数のマークは前記貼り合わせ工程で利用するアライメントマークを含むことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
表示パネルのための１対の基板を互いの一方主面を向き合わせて貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記貼り合わせ工程で形成された貼り合わせ体にケミカルエッチングを実施するエッチング工程と、を備え、前記ケミカルエッチングによって前記貼り合わせ体を薄化する表示パネルの製造方法であって、
前記貼り合わせ工程で前記１対の基板として厚さが異なる１対の基板を用いることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
対向して配置された第１基板と第２基板とを備える表示パネルであって、
前記第１基板は、
前記第２基板の側に位置する第１主面と、
前記第１主面よりも前記第２基板から遠くに位置する第２主面と、
前記第１主面のエッジから連続して前記第１主面とともに第１角部を構成しかつ前記第２主面のエッジから連続して前記第２主面とともに第２角部を構成する端面と、
を含んで構成され、
前記第２角部は前記第１角部よりも前記表示パネルの中央部側に位置し、前記端面のうち少なくとも前記第２主面側の部分は鏡面状態であることを特徴とする表示パネル。
【請求項１４】
請求項１３に記載の表示パネルであって、
前記第２基板は、
前記第１基板の側に位置する第３主面と、
前記第３主面よりも前記第１基板から遠くに位置する第４主面と、
前記第３主面のエッジから連続して前記第３主面とともに第３角部を構成しかつ前記第４主面のエッジから連続して前記第４主面とともに第４角部を構成する端面と、
を含んで構成され、
前記第４角部は前記第３角部よりも前記表示パネルの前記中央部側に位置し、前記第２基板の前記端面のうち少なくとも前記第４主面の側の部分は鏡面状態であることを特徴とする表示パネル。
【請求項１】
表示パネルのための１対の基板を互いの一方主面を向き合わせて貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記貼り合わせ工程で形成された貼り合わせ体にケミカルエッチングを実施するエッチング工程と、を備え、前記ケミカルエッチングによって前記貼り合わせ体を薄化する表示パネルの製造方法であって、
前記１対の基板の少なくとも一方の基板の他方主面にスクライブ溝を形成するスクライブ溝形成工程をさらに備え、
前記スクライブ溝形成工程よりも後に前記エッチング工程を実施して前記ケミカルエッチングによって前記貼り合わせ体を薄化するとともに前記スクライブ溝を深くすることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の表示パネルの製造方法であって、
前記ケミカルエッチングによって深くなった前記スクライブ溝の底部で前記少なくとも一方の基板を機械的に分断するブレイク工程をさらに備えることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の表示パネルの製造方法であって、
前記スクライブ溝を前記ケミカルエッチングによって前記一方主面にまで到達させることにより前記エッチング工程で前記少なくとも一方の基板を分断することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の表示パネルの製造方法であって、
前記貼り合わせ工程で前記ケミカルエッチングに対して耐性を有するエッチング耐性部材を前記１対の基板で挟み、
前記スクライブ溝形成工程で前記スクライブ溝を前記エッチング耐性部材に対向させて形成することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の表示パネルの製造方法であって、
前記貼り合わせ工程では前記１対の基板をシールで互いに固定し、
前記エッチング耐性部材を前記シールと同じ材料で形成することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一つに記載の表示パネルの製造方法であって、
前記ケミカルエッチングは複数回のケミカルエッチング処理によって構成され、
前記複数回のケミカルエッチング処理の途中で前記１対の基板の一方の基板の前記他方主面上に前記ケミカルエッチングに対する耐性が前記１対の基板の他方の基板よりも高いコーティング膜を形成するコーティング膜形成工程をさらに備え、
前記コーティング膜を有した状態で残りのケミカルエッチング処理を実施することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項５のいずれか一つに記載の表示パネルの製造方法であって、
前記エッチング工程よりも前に前記１対の基板の一方の基板の前記他方主面上に前記ケミカルエッチングに対する耐性が前記１対の基板の他方の基板よりも高いコーティング膜を形成するコーティング膜形成工程をさらに備え、
前記コーティング膜を有した状態で前記エッチング工程を実施することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の表示パネルの製造方法であって、
前記コーティング膜形成工程を前記スクライブ溝形成工程よりも前に実施し、前記スクライブ溝形成工程で前記コーティング膜越しに前記スクライブ溝を形成することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし請求項５のいずれか一つに記載の表示パネルの製造方法であって、
前記貼り合わせ工程で前記１対の基板として厚さが異なる１対の基板を用いることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか一つに記載の表示パネルの製造方法であって、
前記貼り合わせ体は複数のマークを有し、前記スクライブ溝形成工程で前記複数のマークのうちの２つを結ぶ直線状に前記スクライブ溝を形成することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の表示パネルの製造方法であって、
前記複数のマークは前記貼り合わせ工程で利用するアライメントマークを含むことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
表示パネルのための１対の基板を互いの一方主面を向き合わせて貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記貼り合わせ工程で形成された貼り合わせ体にケミカルエッチングを実施するエッチング工程と、を備え、前記ケミカルエッチングによって前記貼り合わせ体を薄化する表示パネルの製造方法であって、
前記貼り合わせ工程で前記１対の基板として厚さが異なる１対の基板を用いることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
対向して配置された第１基板と第２基板とを備える表示パネルであって、
前記第１基板は、
前記第２基板の側に位置する第１主面と、
前記第１主面よりも前記第２基板から遠くに位置する第２主面と、
前記第１主面のエッジから連続して前記第１主面とともに第１角部を構成しかつ前記第２主面のエッジから連続して前記第２主面とともに第２角部を構成する端面と、
を含んで構成され、
前記第２角部は前記第１角部よりも前記表示パネルの中央部側に位置し、前記端面のうち少なくとも前記第２主面側の部分は鏡面状態であることを特徴とする表示パネル。
【請求項１４】
請求項１３に記載の表示パネルであって、
前記第２基板は、
前記第１基板の側に位置する第３主面と、
前記第３主面よりも前記第１基板から遠くに位置する第４主面と、
前記第３主面のエッジから連続して前記第３主面とともに第３角部を構成しかつ前記第４主面のエッジから連続して前記第４主面とともに第４角部を構成する端面と、
を含んで構成され、
前記第４角部は前記第３角部よりも前記表示パネルの前記中央部側に位置し、前記第２基板の前記端面のうち少なくとも前記第４主面の側の部分は鏡面状態であることを特徴とする表示パネル。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【公開番号】特開２００７−２９８７４７（Ｐ２００７−２９８７４７Ａ）
【公開日】平成１９年１１月１５日（２００７．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１２６６３１（Ｐ２００６−１２６６３１）
【出願日】平成１８年４月２８日（２００６．４．２８）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月１５日（２００７．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年４月２８日（２００６．４．２８）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
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