表面保護膜、接ガス部材、ガス処理装置及びメカニカルポンプ
【課題】従来よりも腐食性ガスの侵入を抑制することのできる、表面保護膜を提供すること。
【解決手段】本発明の表面保護膜は、イットリア（Ｙ２Ｏ３）を主成分とし、セリウムを含有する膜である。セリウムを含有することにより、膜中の微小ポアなどの欠陥を減少させ、腐食性ガスの侵入を抑制することができる。
【解決手段】本発明の表面保護膜は、イットリア（Ｙ２Ｏ３）を主成分とし、セリウムを含有する膜である。セリウムを含有することにより、膜中の微小ポアなどの欠陥を減少させ、腐食性ガスの侵入を抑制することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表面保護膜、接ガス部材、ガス処理装置、およびメカニカルポンプに関する。
【背景技術】
【０００２】
ガス処理装置、例えばメカニカルポンプ等の排気装置やプロセス処理にガスを用いた装置においては、排出すべき気体と接触する接ガス部の部材は、その表面を保護膜で覆う必要がある。
【０００３】
これは、例えば、減圧中で有毒ガスまたは腐食性ガス等を放出する半導体製造装置、大型薄型ディスプレイ製造装置、太陽電池製造装置における処理工程（プラズマエッチング、減圧気相成長）の装置やその排気部に用いられる真空ポンプ等において、これらのガスが装置やポンプ内などで反応して接ガス部を腐食させる恐れがあるためである。
【０００４】
また、これらのガスが接ガス部表面を構成する材料の触媒作用によって分解解離し、反応生成物が蓄積して装置やポンプなどの正常な動作を阻害させるといった問題があるためである。
【０００５】
より具体的には、例えば従来のメカニカルポンプの接ガス部はニッケル系の処理がなされている場合があるが、ニッケルは半導体製造装置、大型薄型ディスプレイ製造装置、太陽電池製造装置の処理工程（プラズマエッチング、減圧気相成長）におけるガスである、ＳｉＨ４、ＡｓＨ３、ＰＨ３、Ｂ２Ｈ６、等の水素化合物分子に対する触媒効果がある。
【０００６】
そのため、半導体プロセスで頻繁に使用されるＳｉＨ４、ＡｓＨ３、ＰＨ３、Ｂ２Ｈ６、等の水素化合物分子がポンプ内の接ガス部のニッケルの触媒効果で分解し、Ｓｉ、Ａｓ、Ｐ、Ｂ等が発生し、化学反応によって生成物としてメカニカルポンプ内に堆積するという問題があった。
【０００７】
そのため、接ガス部の表面を、耐食性に優れ、触媒効果のないイットリア（酸化イットリウム、Ｙ２Ｏ３）膜で覆うことによって、ガスの分解解離を抑制し、ポンプ内への生成物の堆積を抑えた構造が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−８８９１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１記載の技術は、ガスの分解解離を抑制し、ポンプ内への生成物の堆積を抑える効果が得られるという点で、優れた技術である。
【００１０】
しかしながら、イットリア（Ｙ２Ｏ３）膜は膜中に微細なボアなどの欠陥が存在し、腐食性のガスの接ガス部表面への侵入を阻止しにくい場合があり、これを改善できればより望ましい。
【００１１】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、従来よりも腐食性ガスの侵入を抑制することのできる、表面保護膜を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、腐食性ガスへの耐性の高い、接ガス部材およびそのような部材を用いたガス処理装置およびメカニカルポンプを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の態様によれば、イットリア（Ｙ２Ｏ３）を主成分とし、セリウムを含有することを特徴とする表面保護膜が得られる。
【００１４】
上記表面保護膜において、セリウムの添加量は、酸化物換算の原子配合比で１〜５％とするのが好ましい。
【００１５】
本発明の第２の態様によれば、第１の態様に記載の表面保護膜を少なくとも接ガス部に有することを特徴とする接ガス部材が得られる。
【００１６】
本発明の第３の態様によれば、第２の態様に記載の接ガス部材を用いたことを特徴とするガス処理装置が得られる。
【００１７】
本発明の第４の態様によれば、排出すべきガスに接触する部分である接ガス部の表面上に、酸化セリウムを添加したイットリア膜である表面保護膜を有することを特徴とするメカニカルポンプが得られる。
【００１８】
上記メカニカルポンプにおいても、前記表面保護膜のセリウムの添加量は、酸化物換算の原子配合比で１〜５％とするのが好ましい。
【００１９】
本発明の第５の態様によれば、第４の態様に記載のメカニカルポンプと、該メカニカルポンプによってガスが排出される処理室と、前記処理室と前記メカニカルポンプとの間に設けられた配管とを有し、前記処理室および前記配管の少なくとも一方の内表面上に、前記表面保護膜を有することを特徴とする半導体製造装置が得られる。
【００２０】
本発明の第６の態様によれば、第４の態様に記載のメカニカルポンプと、該メカニカルポンプによってガスが排出される処理室と、前記処理室とメカニカルポンプとの間に設けられた配管とを有し、前記処理室および前記配管の少なくとも一方の内表面上に、前記表面保護膜を有することを特徴とする薄型ディスプレイ製造装置が得られる。
【００２１】
本発明の第７の態様によれば、第４の態様に記載のメカニカルポンプと、該メカニカルポンプによってガスが排出される処理室と、前記処理室とメカニカルポンプとの間に設けられた配管とを有し、前記処理室および前記配管の少なくとも一方の内表面上に、前記表面保護膜を有することを特徴とする太陽電池製造装置が得られる。
【００２２】
本発明の第８の態様によれば、第４の態様に記載のメカニカルポンプを製造するメカニカルポンプの製造方法であって、前記表面保護膜をゾルゲル法によって形成することを特徴とするメカニカルポンプの製造方法が得られる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、従来よりも腐食性ガスの侵入を抑制することのできる、表面保護膜を提供することができる。
【００２４】
また、本発明によれば、腐食性ガスへの耐性の高い、接ガス部材およびそのような部材を用いたガス処理装置およびメカニカルポンプを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態に係るスクリューポンプ（メカニカルポンプ）の一例を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図面に基づき、本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００２７】
まず、図１を参照して、本実施形態に係る表面保護膜を有するガス処理装置としてのスクリューポンプ（メカニカルポンプ）の構造、および表面保護膜の構造について説明する。
【００２８】
図１に示すように、スクリューポンプは、スクリューポンプ本体Ａ、モータＭ、およびスクリューポンプ本体Ａの接ガス部（後述）を所定の温度に維持する温度制御手段（図示せず）を有している。
【００２９】
スクリューポンプ本体Ａには、複数の螺旋状の陸部と溝部を有し、互いにかみ合いながら実質的に平行な二軸の回りを回転する一対のスクリューロータａ１（ａ２）が具備されている。
【００３０】
また、スクリューロータａ１（ａ２）は、ケーシングａ３内に収納され、スクリューロータａ１（ａ２）を支持するシャフトａ４の一方のみの軸受けによって回転可能に支持されている。
【００３１】
シャフトａ４の一端部には、タイミングギアａ６が取り付けられ、このタイミングギアａ６を介して一対のスクリューロータａ１（ａ２）が同期して回転されるように構成されている。なお、シャフトａ４の他端部にはモータＭが取り付けられる。
【００３２】
一方、前記スクリューロータａ１（ａ２）を収納するケーシングａ３の上端部には吸入ポートａ７が形成されており、またケーシングａ３の下端部側には吐出ポートａ８が形成されており、モータＭの回転により、前記スクリューロータａ１（ａ２）が同期して回転することにより、気体を吸入ポートａ７から吸入し、吐出ポートａ８より排気する真空ポンプの作用がなされるように構成されている。
【００３３】
さらに、スクリューロータの回転軸方向のほぼ中央部におけるケーシングａ３の一部には、不活性ガス注入口ａ１０が穿設されており、この不活性ガス注入口ａ１０より注入されるガスは、一対のスクリューロータａ１（ａ２）に侵入し、両者の間の隙間のガスを希釈し、分子量の小さなガスの排気を向上させると共に生成物の発生、腐食を抑える。
【００３４】
ここで、スクリューポンプ本体Ａのスクリューロータａ１（ａ２）、ケーシングａ３、吸入ポートａ７、吐出ポートａ８、内部等は排気ガスに接触する部材（接ガス部）の表面に表面保護膜がコーティングされている。
【００３５】
表面保護膜は、イットリア（Ｙ２Ｏ３）を主成分とし、セリウムを含有する膜である。
【００３６】
より具体的には、表面保護膜は、酸化セリウム（ＣｅＯ２）を含有する膜であり、セリウムの含有量は、酸化物換算の原子比で１％乃至５％であるのが望ましい。
【００３７】
上記範囲で、酸化セリウムをイットリア（Ｙ２Ｏ３）に含有させることにより、イットリア膜中の微細なボアなどの欠陥を減少させることができ、従来のイットリア（Ｙ２Ｏ３）膜と比較して、腐食性ガスの侵入を抑制することができる。
【００３８】
なお、表面保護膜のコーティング厚さは０．１乃至１０μｍとするのが望ましい。これはコーティング厚さが０．１μｍ以下の場合、貫通ポアにより下地が露出されるポイントが存在する可能性があり、１０μｍ以上の場合は、膜ストレスにより膜剥離が発生する可能性があるからである。
【００３９】
また、表面保護膜のコーティングは、例えば構成部材（本実施形態では接ガス部を構成する部材）の表面に酸化セリウムを含むイットリア（Ｙ２Ｏ３）をゾルゲルコーテング後、窒素と酸素の比率８０：２０の雰囲気下で２５０℃乃至１０００℃の熱処理をすることによって得られるが、必ずしも上記方法に限定されるものではない。
【００４０】
このようにして得られた表面保護膜は、耐食性に優れ、触媒効果がなく、さらに表面欠陥が従来よりも少ない膜であるため、ポンプの接ガス部の部材の表面保護膜とすることで排気ガスの分解解離を抑制し、ポンプ内への生成物の堆積を抑える。
【００４１】
このように、本発明の表面保護膜を接ガス部の部材に施すことにより、ポンプ等のガス処理装置の信頼性を向上させることができる。
【００４２】
そのため、反応生成物の蓄積が抑制され、ポンプの正常な動作を長期間保証することができる。
【００４３】
なお、スクリューポンプ内部における生成物の堆積をさらに抑制させるためには、スクリューポンプ本体Ａ（の接ガス部）の温度を８０℃以上に維持するのが好ましい。一方、スクリューポンプの性能を維持するためには、スクリューポンプ本体Ａの温度は２５０℃以下に維持するのが好ましい。
【００４４】
そのため、スクリューポンプ本体Ａ（の接ガス部）の温度を８０℃〜２５０℃の範囲内に維持することが好ましく、さらに好ましくは、スクリューポンプ本体Ａの温度は略１５０℃に維持するのが好ましい。
【００４５】
接ガス部の温度を８０〜２５０℃の範囲内に維持するために、スクリューポンプは、前述のように、温度制御手段を有している。
【００４６】
例えば、この温度制御手段は、図示はしないが、電気ヒータと、冷却構造とを有している。冷却構造は、ケーシングａ３に空洞部を形成し、そこに冷却用の水やオイル等の冷媒を循環させるものである。電気ヒータと冷却構造は、スクリューポンプ本体Ａの所定箇所に設けられた温度センサによる監視温度に基づいて、接ガス部の温度をフィードバック制御するようになっている。
【００４７】
なお、電気ヒータに代えて、スクリューポンプの動作によって発生する気体圧縮熱や動作部材の摩擦熱などを熱源として利用するものであってもよい。
【００４８】
また、本実施形態に係るスクリューポンプは、例えば半導体製造装置、液晶ディスプレイなどの薄型ディスプレイ製造装置、あるいは太陽電池製造装置等の処理室内から排出すべき気体を排気するために用いられる。これら装置の処理室の内表面や、処理室とスクリューポンプの間に設けられた配管の内表面上にも、本実施形態に係る表面保護膜を形成することが好ましい。
【００４９】
このように、本実施形態によれば、スクリューポンプの接ガス部に、イットリア（Ｙ２Ｏ３）を主成分とし、セリウムを含有する保護膜がコーティングされている。
【００５０】
そのため、従来よりも腐食性ガスの侵入を抑制することができる。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明する。
【００５２】
基板上に種々の比率でセリウムを含有させた表面保護膜を形成したサンプルをゾルゲル法を用いて作製し、表面保護膜への腐食性ガスの侵入量を測定した。
具体的には以下の手順で試験を行った。
【００５３】
［サンプルの作製］
まず、直径３３ｍｍのＳｉ基板上にＭＯＤ（Metal Organic Decomposition）塗布型Ｙ-Ｃｅコート溶液として、株式会社高純度化学研究所製のＭＯＤ塗付型Y-03とCe-03を酸化物換算でＣｅＯ２が原子比で１〜５％と所定比となるように混合したものをスピンコーターにより回転速度１５００ｒｐｍで６０秒間塗付を行った。
塗付を行った後に、サンプルをＩＲ炉（遠赤外線加熱炉）を用いて加熱した。
【００５４】
加熱の具体的な手順は以下の通りである。
初めにコート材中の有機物成分を除去するために、ＩＲ炉を４００℃まで５℃／ｍｉｎの昇温速度で昇温し、５Ｔｏｒｒ（６．７×１０２Ｐａ）減圧下でＮ２ガスを１Ｌ／ｍｉｎフローさせた状態で行い、４００℃で８時間保持した。
その後、圧力を大気圧まで戻した後に１００％Ｏ２の雰囲気下で１時間酸化を行った。
酸化を行った後は室温まで自然冷却を行った。
以上の手順により、基板上に表面保護膜を形成したサンプルを作製した。
【００５５】
［サンプルの腐食性ガスへの暴露］
次に、サンプルを以下の手順で腐食性の高い１００％Ｃｌ２ガスに暴露した。
まず、内表面をＡｌ２Ｏ３処理したＳＵＳ配管内部にサンプルをセットし、１０００Ｌ／ｍｉｎでＮ２フローを行いながら５℃／ｍｉｎで１５０℃まで昇温した後、１５０℃で１時間保持し、サンプル表面に吸着した水分を除去した。
次に、Ｎ２ガスをＣｌ２ガスに切替え、圧力３ｋｇｆ／ｃｍ２（２．９×１０４Ｐａ）で２４時間暴露を行った。
【００５６】
［サンプルの評価］
次に、Ｃｌ２ガスに暴露したサンプルについて、日本電子株式会社（ＪＥＯＬ）製の光電子分光装置（ＸＰＳ、X-ray Photoelectron Spectroscopy）であるＪＰＳ−９０１０−ＭＸによりＣｌの検出深さ（侵入量）を測定した。
具体的には直径１ｍｍ範囲について面内任意３ケ所の測定を行い、平均値をとった。
結果を表１に示す。
【００５７】
【表１】
【００５８】
表１から明らかなように、試験番号１（Ｙ２Ｏ３単膜）の膜と比較して、試験番号２〜７のＣｅＯ２添加を行った膜はＣｌガス侵入量が少なくなっていた。
【００５９】
これはＣｅＯ２添加により膜中の微小ポアなどの欠陥が減少したことによると考えられる。
【００６０】
以上より、イットリア（Ｙ２Ｏ３）にＣｅＯ２を添加することにより、腐食性ガスの侵入を抑制できることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
上述した実施形態では本発明をスクリューポンプに適用した場合について説明したが、本発明は特にこれに限定されることなく、ル−ツポンプ等のメカニカルポンプ一般や、他のガス処理装置、ガス導通管等にも当然適用することができ、本発明を適用したガス処理装置は、長時間安定した性能を維持するため、システムの安定稼動ができる。
【００６２】
また、本発明によるメカニカルポンプは、半導体製造装置、薄型ディスプレイ製造装置、太陽電池製造装置等の排気を必要とする装置全般に適用可能である。
【００６３】
さらに、本発明によるメカニカルポンプは、その排出対象が気体の場合のみならず、液体など媒体全般を排出する構造にも適用可能である。
【００６４】
また、上記した実施例では基板としてＳｉ基板を用いたが、基板はＳＵＳ系材料やＡｌ系材料を用いても同様の結果が得られる。
【００６５】
さらに、上記した実施例ではスピンコーターで塗布を行ったが、ディップ法やスプレー法により塗付しても同様の結果が得られる。
【００６６】
また、上記した実施例ではＩＲ炉でサンプルを加熱したが、実際の加熱は外部ヒータ（オーブン）を用いて加熱を行っても同様の結果が得られる。
【符号の説明】
【００６７】
Ａ スクリューポンプ本体
ａ１、ａ２ スクリューロータ
ａ３ ケーシング
ａ４ シャフト
ａ６ タイミングギア
ａ７ 吸入ポート
ａ８ 吐出ポート
ａ１０ 不活性ガス注入口
Ｍ モータ
【技術分野】
【０００１】
本発明は表面保護膜、接ガス部材、ガス処理装置、およびメカニカルポンプに関する。
【背景技術】
【０００２】
ガス処理装置、例えばメカニカルポンプ等の排気装置やプロセス処理にガスを用いた装置においては、排出すべき気体と接触する接ガス部の部材は、その表面を保護膜で覆う必要がある。
【０００３】
これは、例えば、減圧中で有毒ガスまたは腐食性ガス等を放出する半導体製造装置、大型薄型ディスプレイ製造装置、太陽電池製造装置における処理工程（プラズマエッチング、減圧気相成長）の装置やその排気部に用いられる真空ポンプ等において、これらのガスが装置やポンプ内などで反応して接ガス部を腐食させる恐れがあるためである。
【０００４】
また、これらのガスが接ガス部表面を構成する材料の触媒作用によって分解解離し、反応生成物が蓄積して装置やポンプなどの正常な動作を阻害させるといった問題があるためである。
【０００５】
より具体的には、例えば従来のメカニカルポンプの接ガス部はニッケル系の処理がなされている場合があるが、ニッケルは半導体製造装置、大型薄型ディスプレイ製造装置、太陽電池製造装置の処理工程（プラズマエッチング、減圧気相成長）におけるガスである、ＳｉＨ４、ＡｓＨ３、ＰＨ３、Ｂ２Ｈ６、等の水素化合物分子に対する触媒効果がある。
【０００６】
そのため、半導体プロセスで頻繁に使用されるＳｉＨ４、ＡｓＨ３、ＰＨ３、Ｂ２Ｈ６、等の水素化合物分子がポンプ内の接ガス部のニッケルの触媒効果で分解し、Ｓｉ、Ａｓ、Ｐ、Ｂ等が発生し、化学反応によって生成物としてメカニカルポンプ内に堆積するという問題があった。
【０００７】
そのため、接ガス部の表面を、耐食性に優れ、触媒効果のないイットリア（酸化イットリウム、Ｙ２Ｏ３）膜で覆うことによって、ガスの分解解離を抑制し、ポンプ内への生成物の堆積を抑えた構造が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−８８９１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１記載の技術は、ガスの分解解離を抑制し、ポンプ内への生成物の堆積を抑える効果が得られるという点で、優れた技術である。
【００１０】
しかしながら、イットリア（Ｙ２Ｏ３）膜は膜中に微細なボアなどの欠陥が存在し、腐食性のガスの接ガス部表面への侵入を阻止しにくい場合があり、これを改善できればより望ましい。
【００１１】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、従来よりも腐食性ガスの侵入を抑制することのできる、表面保護膜を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、腐食性ガスへの耐性の高い、接ガス部材およびそのような部材を用いたガス処理装置およびメカニカルポンプを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の態様によれば、イットリア（Ｙ２Ｏ３）を主成分とし、セリウムを含有することを特徴とする表面保護膜が得られる。
【００１４】
上記表面保護膜において、セリウムの添加量は、酸化物換算の原子配合比で１〜５％とするのが好ましい。
【００１５】
本発明の第２の態様によれば、第１の態様に記載の表面保護膜を少なくとも接ガス部に有することを特徴とする接ガス部材が得られる。
【００１６】
本発明の第３の態様によれば、第２の態様に記載の接ガス部材を用いたことを特徴とするガス処理装置が得られる。
【００１７】
本発明の第４の態様によれば、排出すべきガスに接触する部分である接ガス部の表面上に、酸化セリウムを添加したイットリア膜である表面保護膜を有することを特徴とするメカニカルポンプが得られる。
【００１８】
上記メカニカルポンプにおいても、前記表面保護膜のセリウムの添加量は、酸化物換算の原子配合比で１〜５％とするのが好ましい。
【００１９】
本発明の第５の態様によれば、第４の態様に記載のメカニカルポンプと、該メカニカルポンプによってガスが排出される処理室と、前記処理室と前記メカニカルポンプとの間に設けられた配管とを有し、前記処理室および前記配管の少なくとも一方の内表面上に、前記表面保護膜を有することを特徴とする半導体製造装置が得られる。
【００２０】
本発明の第６の態様によれば、第４の態様に記載のメカニカルポンプと、該メカニカルポンプによってガスが排出される処理室と、前記処理室とメカニカルポンプとの間に設けられた配管とを有し、前記処理室および前記配管の少なくとも一方の内表面上に、前記表面保護膜を有することを特徴とする薄型ディスプレイ製造装置が得られる。
【００２１】
本発明の第７の態様によれば、第４の態様に記載のメカニカルポンプと、該メカニカルポンプによってガスが排出される処理室と、前記処理室とメカニカルポンプとの間に設けられた配管とを有し、前記処理室および前記配管の少なくとも一方の内表面上に、前記表面保護膜を有することを特徴とする太陽電池製造装置が得られる。
【００２２】
本発明の第８の態様によれば、第４の態様に記載のメカニカルポンプを製造するメカニカルポンプの製造方法であって、前記表面保護膜をゾルゲル法によって形成することを特徴とするメカニカルポンプの製造方法が得られる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、従来よりも腐食性ガスの侵入を抑制することのできる、表面保護膜を提供することができる。
【００２４】
また、本発明によれば、腐食性ガスへの耐性の高い、接ガス部材およびそのような部材を用いたガス処理装置およびメカニカルポンプを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態に係るスクリューポンプ（メカニカルポンプ）の一例を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図面に基づき、本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００２７】
まず、図１を参照して、本実施形態に係る表面保護膜を有するガス処理装置としてのスクリューポンプ（メカニカルポンプ）の構造、および表面保護膜の構造について説明する。
【００２８】
図１に示すように、スクリューポンプは、スクリューポンプ本体Ａ、モータＭ、およびスクリューポンプ本体Ａの接ガス部（後述）を所定の温度に維持する温度制御手段（図示せず）を有している。
【００２９】
スクリューポンプ本体Ａには、複数の螺旋状の陸部と溝部を有し、互いにかみ合いながら実質的に平行な二軸の回りを回転する一対のスクリューロータａ１（ａ２）が具備されている。
【００３０】
また、スクリューロータａ１（ａ２）は、ケーシングａ３内に収納され、スクリューロータａ１（ａ２）を支持するシャフトａ４の一方のみの軸受けによって回転可能に支持されている。
【００３１】
シャフトａ４の一端部には、タイミングギアａ６が取り付けられ、このタイミングギアａ６を介して一対のスクリューロータａ１（ａ２）が同期して回転されるように構成されている。なお、シャフトａ４の他端部にはモータＭが取り付けられる。
【００３２】
一方、前記スクリューロータａ１（ａ２）を収納するケーシングａ３の上端部には吸入ポートａ７が形成されており、またケーシングａ３の下端部側には吐出ポートａ８が形成されており、モータＭの回転により、前記スクリューロータａ１（ａ２）が同期して回転することにより、気体を吸入ポートａ７から吸入し、吐出ポートａ８より排気する真空ポンプの作用がなされるように構成されている。
【００３３】
さらに、スクリューロータの回転軸方向のほぼ中央部におけるケーシングａ３の一部には、不活性ガス注入口ａ１０が穿設されており、この不活性ガス注入口ａ１０より注入されるガスは、一対のスクリューロータａ１（ａ２）に侵入し、両者の間の隙間のガスを希釈し、分子量の小さなガスの排気を向上させると共に生成物の発生、腐食を抑える。
【００３４】
ここで、スクリューポンプ本体Ａのスクリューロータａ１（ａ２）、ケーシングａ３、吸入ポートａ７、吐出ポートａ８、内部等は排気ガスに接触する部材（接ガス部）の表面に表面保護膜がコーティングされている。
【００３５】
表面保護膜は、イットリア（Ｙ２Ｏ３）を主成分とし、セリウムを含有する膜である。
【００３６】
より具体的には、表面保護膜は、酸化セリウム（ＣｅＯ２）を含有する膜であり、セリウムの含有量は、酸化物換算の原子比で１％乃至５％であるのが望ましい。
【００３７】
上記範囲で、酸化セリウムをイットリア（Ｙ２Ｏ３）に含有させることにより、イットリア膜中の微細なボアなどの欠陥を減少させることができ、従来のイットリア（Ｙ２Ｏ３）膜と比較して、腐食性ガスの侵入を抑制することができる。
【００３８】
なお、表面保護膜のコーティング厚さは０．１乃至１０μｍとするのが望ましい。これはコーティング厚さが０．１μｍ以下の場合、貫通ポアにより下地が露出されるポイントが存在する可能性があり、１０μｍ以上の場合は、膜ストレスにより膜剥離が発生する可能性があるからである。
【００３９】
また、表面保護膜のコーティングは、例えば構成部材（本実施形態では接ガス部を構成する部材）の表面に酸化セリウムを含むイットリア（Ｙ２Ｏ３）をゾルゲルコーテング後、窒素と酸素の比率８０：２０の雰囲気下で２５０℃乃至１０００℃の熱処理をすることによって得られるが、必ずしも上記方法に限定されるものではない。
【００４０】
このようにして得られた表面保護膜は、耐食性に優れ、触媒効果がなく、さらに表面欠陥が従来よりも少ない膜であるため、ポンプの接ガス部の部材の表面保護膜とすることで排気ガスの分解解離を抑制し、ポンプ内への生成物の堆積を抑える。
【００４１】
このように、本発明の表面保護膜を接ガス部の部材に施すことにより、ポンプ等のガス処理装置の信頼性を向上させることができる。
【００４２】
そのため、反応生成物の蓄積が抑制され、ポンプの正常な動作を長期間保証することができる。
【００４３】
なお、スクリューポンプ内部における生成物の堆積をさらに抑制させるためには、スクリューポンプ本体Ａ（の接ガス部）の温度を８０℃以上に維持するのが好ましい。一方、スクリューポンプの性能を維持するためには、スクリューポンプ本体Ａの温度は２５０℃以下に維持するのが好ましい。
【００４４】
そのため、スクリューポンプ本体Ａ（の接ガス部）の温度を８０℃〜２５０℃の範囲内に維持することが好ましく、さらに好ましくは、スクリューポンプ本体Ａの温度は略１５０℃に維持するのが好ましい。
【００４５】
接ガス部の温度を８０〜２５０℃の範囲内に維持するために、スクリューポンプは、前述のように、温度制御手段を有している。
【００４６】
例えば、この温度制御手段は、図示はしないが、電気ヒータと、冷却構造とを有している。冷却構造は、ケーシングａ３に空洞部を形成し、そこに冷却用の水やオイル等の冷媒を循環させるものである。電気ヒータと冷却構造は、スクリューポンプ本体Ａの所定箇所に設けられた温度センサによる監視温度に基づいて、接ガス部の温度をフィードバック制御するようになっている。
【００４７】
なお、電気ヒータに代えて、スクリューポンプの動作によって発生する気体圧縮熱や動作部材の摩擦熱などを熱源として利用するものであってもよい。
【００４８】
また、本実施形態に係るスクリューポンプは、例えば半導体製造装置、液晶ディスプレイなどの薄型ディスプレイ製造装置、あるいは太陽電池製造装置等の処理室内から排出すべき気体を排気するために用いられる。これら装置の処理室の内表面や、処理室とスクリューポンプの間に設けられた配管の内表面上にも、本実施形態に係る表面保護膜を形成することが好ましい。
【００４９】
このように、本実施形態によれば、スクリューポンプの接ガス部に、イットリア（Ｙ２Ｏ３）を主成分とし、セリウムを含有する保護膜がコーティングされている。
【００５０】
そのため、従来よりも腐食性ガスの侵入を抑制することができる。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明する。
【００５２】
基板上に種々の比率でセリウムを含有させた表面保護膜を形成したサンプルをゾルゲル法を用いて作製し、表面保護膜への腐食性ガスの侵入量を測定した。
具体的には以下の手順で試験を行った。
【００５３】
［サンプルの作製］
まず、直径３３ｍｍのＳｉ基板上にＭＯＤ（Metal Organic Decomposition）塗布型Ｙ-Ｃｅコート溶液として、株式会社高純度化学研究所製のＭＯＤ塗付型Y-03とCe-03を酸化物換算でＣｅＯ２が原子比で１〜５％と所定比となるように混合したものをスピンコーターにより回転速度１５００ｒｐｍで６０秒間塗付を行った。
塗付を行った後に、サンプルをＩＲ炉（遠赤外線加熱炉）を用いて加熱した。
【００５４】
加熱の具体的な手順は以下の通りである。
初めにコート材中の有機物成分を除去するために、ＩＲ炉を４００℃まで５℃／ｍｉｎの昇温速度で昇温し、５Ｔｏｒｒ（６．７×１０２Ｐａ）減圧下でＮ２ガスを１Ｌ／ｍｉｎフローさせた状態で行い、４００℃で８時間保持した。
その後、圧力を大気圧まで戻した後に１００％Ｏ２の雰囲気下で１時間酸化を行った。
酸化を行った後は室温まで自然冷却を行った。
以上の手順により、基板上に表面保護膜を形成したサンプルを作製した。
【００５５】
［サンプルの腐食性ガスへの暴露］
次に、サンプルを以下の手順で腐食性の高い１００％Ｃｌ２ガスに暴露した。
まず、内表面をＡｌ２Ｏ３処理したＳＵＳ配管内部にサンプルをセットし、１０００Ｌ／ｍｉｎでＮ２フローを行いながら５℃／ｍｉｎで１５０℃まで昇温した後、１５０℃で１時間保持し、サンプル表面に吸着した水分を除去した。
次に、Ｎ２ガスをＣｌ２ガスに切替え、圧力３ｋｇｆ／ｃｍ２（２．９×１０４Ｐａ）で２４時間暴露を行った。
【００５６】
［サンプルの評価］
次に、Ｃｌ２ガスに暴露したサンプルについて、日本電子株式会社（ＪＥＯＬ）製の光電子分光装置（ＸＰＳ、X-ray Photoelectron Spectroscopy）であるＪＰＳ−９０１０−ＭＸによりＣｌの検出深さ（侵入量）を測定した。
具体的には直径１ｍｍ範囲について面内任意３ケ所の測定を行い、平均値をとった。
結果を表１に示す。
【００５７】
【表１】
【００５８】
表１から明らかなように、試験番号１（Ｙ２Ｏ３単膜）の膜と比較して、試験番号２〜７のＣｅＯ２添加を行った膜はＣｌガス侵入量が少なくなっていた。
【００５９】
これはＣｅＯ２添加により膜中の微小ポアなどの欠陥が減少したことによると考えられる。
【００６０】
以上より、イットリア（Ｙ２Ｏ３）にＣｅＯ２を添加することにより、腐食性ガスの侵入を抑制できることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
上述した実施形態では本発明をスクリューポンプに適用した場合について説明したが、本発明は特にこれに限定されることなく、ル−ツポンプ等のメカニカルポンプ一般や、他のガス処理装置、ガス導通管等にも当然適用することができ、本発明を適用したガス処理装置は、長時間安定した性能を維持するため、システムの安定稼動ができる。
【００６２】
また、本発明によるメカニカルポンプは、半導体製造装置、薄型ディスプレイ製造装置、太陽電池製造装置等の排気を必要とする装置全般に適用可能である。
【００６３】
さらに、本発明によるメカニカルポンプは、その排出対象が気体の場合のみならず、液体など媒体全般を排出する構造にも適用可能である。
【００６４】
また、上記した実施例では基板としてＳｉ基板を用いたが、基板はＳＵＳ系材料やＡｌ系材料を用いても同様の結果が得られる。
【００６５】
さらに、上記した実施例ではスピンコーターで塗布を行ったが、ディップ法やスプレー法により塗付しても同様の結果が得られる。
【００６６】
また、上記した実施例ではＩＲ炉でサンプルを加熱したが、実際の加熱は外部ヒータ（オーブン）を用いて加熱を行っても同様の結果が得られる。
【符号の説明】
【００６７】
Ａ スクリューポンプ本体
ａ１、ａ２ スクリューロータ
ａ３ ケーシング
ａ４ シャフト
ａ６ タイミングギア
ａ７ 吸入ポート
ａ８ 吐出ポート
ａ１０ 不活性ガス注入口
Ｍ モータ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イットリア（Ｙ２Ｏ３）を主成分とし、セリウムを含有することを特徴とする表面保護膜。
【請求項２】
前記セリウムの含有量を、酸化物換算の原子比で１％〜５％としたことを特徴とする請求項１に記載の表面保護膜。
【請求項３】
請求項１または２のいずれか一項に記載の表面保護膜を少なくとも接ガス部に有することを特徴とする接ガス部材。
【請求項４】
請求項３に記載の接ガス部材を用いたことを特徴とするガス処理装置。
【請求項５】
排出すべきガスに接触する部分である接ガス部の表面上に、酸化セリウムを添加したイットリア膜である表面保護膜を有することを特徴とするメカニカルポンプ。
【請求項６】
前記表面保護膜のセリウム添加量は、酸化物換算の原子比で１〜５％であることを特徴とする請求項５に記載のメカニカルポンプ。
【請求項７】
ロータを収納したケーシングに気体の吸入ポートと吐出ポートを形成した本体を有し、
前記本体のうち、前記気体と接触する部分である接ガス部の表面に、０．１乃至１０μｍの厚さで前記表面保護膜がコーティングされていることを特徴とする請求項５または６のいずれか一項に記載のメカニカルポンプ。
【請求項８】
前記本体の温度を８０℃乃至２５０℃の範囲内に維持する温度制御手段を有することを特徴とする請求項７に記載のメカニカルポンプ。
【請求項９】
前記温度制御手段は、加熱手段を含むことを特徴とする請求項８に記載のメカニカルポ
ンプ。
【請求項１０】
前記温度制御手段は、前記メカニカルポンプの動作によって発生する気体圧縮熱および
動作部材の摩擦熱の少なくも一方を利用するものであることを特徴とする請求項９に記載
のメカニカルポンプ。
【請求項１１】
請求項５〜１０のいずれか一項に記載のメカニカルポンプと、該メカニカルポンプによってガスが排出される処理室と、前記処理室とメカニカルポンプとの間に設けられた配管とを有し、前記処理室および前記配管の少なくとも一方の内表面上に、前記表面保護膜を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１２】
請求項５〜１０のいずれか一項に記載のメカニカルポンプと、該メカニカルポンプによってガスが排出される処理室と、前記処理室とメカニカルポンプとの間に設けられた配管とを有し、前記処理室および前記配管の少なくとも一方の内表面上に、前記表面保護膜を有することを特徴とする薄型ディスプレイ製造装置。
【請求項１３】
請求項５〜１０のいずれか一項に記載のメカニカルポンプと、該メカニカルポンプによってガスが排出される処理室と、前記処理室とメカニカルポンプとの間に設けられた配管とを有し、前記処理室および前記配管の少なくとも一方の内表面上に、前記表面保護膜を有することを特徴とする太陽電池製造装置。
【請求項１４】
請求項５〜１０のいずれか一項に記載のメカニカルポンプを製造するメカニカルポンプの製造方法であって、前記表面保護膜をゾルゲル法によって形成することを特徴とするメカニカルポンプの製造方法。
【請求項１５】
２５０〜１０００℃の範囲の熱処理を伴うゾルゲル法によって前記表面保護膜を形成することを特徴とする請求項１４記載のメカニカルポンプの製造方法。
【請求項１】
イットリア（Ｙ２Ｏ３）を主成分とし、セリウムを含有することを特徴とする表面保護膜。
【請求項２】
前記セリウムの含有量を、酸化物換算の原子比で１％〜５％としたことを特徴とする請求項１に記載の表面保護膜。
【請求項３】
請求項１または２のいずれか一項に記載の表面保護膜を少なくとも接ガス部に有することを特徴とする接ガス部材。
【請求項４】
請求項３に記載の接ガス部材を用いたことを特徴とするガス処理装置。
【請求項５】
排出すべきガスに接触する部分である接ガス部の表面上に、酸化セリウムを添加したイットリア膜である表面保護膜を有することを特徴とするメカニカルポンプ。
【請求項６】
前記表面保護膜のセリウム添加量は、酸化物換算の原子比で１〜５％であることを特徴とする請求項５に記載のメカニカルポンプ。
【請求項７】
ロータを収納したケーシングに気体の吸入ポートと吐出ポートを形成した本体を有し、
前記本体のうち、前記気体と接触する部分である接ガス部の表面に、０．１乃至１０μｍの厚さで前記表面保護膜がコーティングされていることを特徴とする請求項５または６のいずれか一項に記載のメカニカルポンプ。
【請求項８】
前記本体の温度を８０℃乃至２５０℃の範囲内に維持する温度制御手段を有することを特徴とする請求項７に記載のメカニカルポンプ。
【請求項９】
前記温度制御手段は、加熱手段を含むことを特徴とする請求項８に記載のメカニカルポ
ンプ。
【請求項１０】
前記温度制御手段は、前記メカニカルポンプの動作によって発生する気体圧縮熱および
動作部材の摩擦熱の少なくも一方を利用するものであることを特徴とする請求項９に記載
のメカニカルポンプ。
【請求項１１】
請求項５〜１０のいずれか一項に記載のメカニカルポンプと、該メカニカルポンプによってガスが排出される処理室と、前記処理室とメカニカルポンプとの間に設けられた配管とを有し、前記処理室および前記配管の少なくとも一方の内表面上に、前記表面保護膜を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１２】
請求項５〜１０のいずれか一項に記載のメカニカルポンプと、該メカニカルポンプによってガスが排出される処理室と、前記処理室とメカニカルポンプとの間に設けられた配管とを有し、前記処理室および前記配管の少なくとも一方の内表面上に、前記表面保護膜を有することを特徴とする薄型ディスプレイ製造装置。
【請求項１３】
請求項５〜１０のいずれか一項に記載のメカニカルポンプと、該メカニカルポンプによってガスが排出される処理室と、前記処理室とメカニカルポンプとの間に設けられた配管とを有し、前記処理室および前記配管の少なくとも一方の内表面上に、前記表面保護膜を有することを特徴とする太陽電池製造装置。
【請求項１４】
請求項５〜１０のいずれか一項に記載のメカニカルポンプを製造するメカニカルポンプの製造方法であって、前記表面保護膜をゾルゲル法によって形成することを特徴とするメカニカルポンプの製造方法。
【請求項１５】
２５０〜１０００℃の範囲の熱処理を伴うゾルゲル法によって前記表面保護膜を形成することを特徴とする請求項１４記載のメカニカルポンプの製造方法。
【図１】
【公開番号】特開２０１１−１１１３６３（Ｐ２０１１−１１１３６３Ａ）
【公開日】平成２３年６月９日（２０１１．６．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２６９２０１（Ｐ２００９−２６９２０１）
【出願日】平成２１年１１月２６日（２００９．１１．２６）
【出願人】（５０４１５７０２４）国立大学法人東北大学 (2,297)
【出願人】（３９１００５８２４）株式会社日本セラテック (200)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月９日（２０１１．６．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１１月２６日（２００９．１１．２６）
【出願人】（５０４１５７０２４）国立大学法人東北大学 (2,297)
【出願人】（３９１００５８２４）株式会社日本セラテック (200)
【Ｆターム（参考）】
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