試料採取用プローブ及び試料採取方法
【課題】既存の試料採取装置であっても試料を良好に採取するための試料採取方法を提供する。
【解決手段】誘電体棒１０と、誘電体棒１０の先端に形成される捕捉面１０ｂと、誘電体棒１０の後端側に設けられる露出領域と、誘電体棒１０のうち捕捉面１０ｂと露出領域の間の領域において、誘電体棒１０を覆う導電性被覆層１２と、を有するプローブ１のうちの露出領域を誘電体物により摩擦して誘電体棒１０を帯電し、プローブ１の捕捉面１０ｂにより試料８を吸着し、プローブ１の操作により試料８を試料ホルダ６に移送する処理を含む。
【解決手段】誘電体棒１０と、誘電体棒１０の先端に形成される捕捉面１０ｂと、誘電体棒１０の後端側に設けられる露出領域と、誘電体棒１０のうち捕捉面１０ｂと露出領域の間の領域において、誘電体棒１０を覆う導電性被覆層１２と、を有するプローブ１のうちの露出領域を誘電体物により摩擦して誘電体棒１０を帯電し、プローブ１の捕捉面１０ｂにより試料８を吸着し、プローブ１の操作により試料８を試料ホルダ６に移送する処理を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料採取用プローブ及び試料採取方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、表示装置等の電子デバイスにおいては、高集積化の進展に伴いパターンの微細化がより進んでいるため、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の使用によるパターン、膜などの像の不良解析の判別や形状の確認ができない状況となっている。そこで、ＳＥＭの替わりに、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）や走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）が多く使用されるようになってきている。
【０００３】
ＴＥＭ、ＳＴＥＭにより観察される試料の作製方法の１つとして、収束イオンビーム（ＦＩＢ）を使用することが知られている。例えば、真空容器内でＦＩＢを基板に照射して試料となる小片を形成し、マニピュレータにより試料を基板からピックアップする方法である。マニピュレータのピックアップ部としてプローブが使用されている。
【０００４】
ＦＩＢによる試料作成方法はスループットに優れるとともに、１つの基板において比較的近い領域から複数の試料を採取できるなど、多くのメリットを持つ手法の１つである。しかし、基板に形成した微小な試料を取り出す作業は熟練性が要求される要素も含まれるため、熟練度の高さの程度によって試料採取の成功率が大きく左右される。
【０００５】
熟練を要する操作としては、例えば、微細加工した試料をガラス製プローブの先端に静電気により吸着させて採取する処理がある。ガラス製プローブ先端に静電吸着された試料は、例えば支持網（メッシュ）上に載置される。なお、プローブはニードル、キャピラリーとも呼ばれる。
【０００６】
プローブによる試料の着脱を再現良く、正確に作業するために、例えば、タングステン製のプローブの先端を平面化してその先端に試料を面接触させ、さらにプローブに電源から電圧を印加してプローブの先端に試料を吸着させることが知られている。
【０００７】
また、プローブ（ニードル）により試料を着脱する別の方法として、自然帯電可能であって先鋭、角錐状又は円錐状の先端部を有する金属製ニードルと、アース接地された導電部材とを有するマイクロマニピュレータを使用することが知られている。そのマイクロマニピュレータは、さらに、導電部材と金属製ニードルの後端部との電気的接続をＯＮ／ＯＦＦ切り換える開閉接点部を有している。この場合、金属製ニードルの先端部側を除く部分と導電部材と開閉接点部とがそれぞれ柄部に装着固定される。
【０００８】
プローブ（キャピラリー）により試料を着脱する他の方法として、ガラス製キャピラリーにより試料を保持するために、ガラス製キャピラリーに焦電体を取り付け、さらに焦電体を加熱するランプ照射系を有するマイクロマニピュレータが知られている。この場合、キャピラリーの先端の静電極性は、焦電体にランプを照射することにより得られる焦電効果により制御される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−１６３２７７号公報
【特許文献２】特開２００６−０６８８３０号公報
【特許文献３】特開２００６−１１６６４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のマニピュレータによれば、プローブ電圧を調整する電源又は開閉接点部又はランプ照射系装置が必要となるので、既存の装置をそのまま使用できない。従って、それらの構造を有しない既存の試料用の採取装置を使用する場合には、改造の必要がある。
【００１１】
本発明の目的は、プローブ以外に新たな部品を要求せずに試料を良好に採取するための試料採取用プローブ及び試料採取方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
１つの観点によれば、誘電体棒と、前記誘電体棒の先端に形成される捕捉面と、前記誘電体棒の後端側に設けられる露出領域と、前記誘電体棒のうち前記捕捉面と前記露出領域の間の領域において、前記誘電体棒を覆う導電性被覆層と、を有する試料採取用プローブが提供される。
別の観点によれば、誘電体棒と、前記誘電体棒の先端に形成される捕捉面と、前記誘電体棒の後端側に設けられる露出領域と、前記誘電体棒のうち前記捕捉面と前記露出領域の間の領域において前記誘電体棒を覆う導電性被覆層と、を有するプローブにおいて、前記露出領域を帯電物により摩擦して前記誘電体棒を帯電し、前記プローブの前記捕捉面により試料を吸着し、前記プローブの操作により前記試料を試料ホルダに移送する試料採取方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本実施形態によれば、試料の採取、移送に使用するプローブにおける誘電体棒の先端と後端側の領域を露出するとともに先端から後端側露出領域の間の領域を導電性被覆層により覆っている。このため、誘電体棒の後端側の露出領域を摩擦することにより、誘電体棒の全体を帯電させることが可能になる。しかも、プローブでは、導電性被覆層により電気的にシールドすることによって、試料がプローブ側面に吸着することが防止される。従って、既存の試料採取装置であってもプローブを交換することにより試料を再現良く、正確に採取、搬送することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】図１Ａ〜図１Ｄは、実施形態に係る試料採取用プローブを形成する一部の工程を例示する側面図である。
【図１Ｅ】図１Ｅ〜図１Ｇは、実施形態に係る試料採取用プローブを形成する残りの工程を例示する側面図である。
【図２】図２は、実施形態に係る試料採取用プローブをマニピュレータに取り付けた状態を例示する斜視図である。
【図３】図３は、実施形態に係る試料採取用プローブにより捕捉される試料を作成するための試料作製装置の一例を示す概要構成図である。
【図４】図４Ａ〜図４Ｄは、実施形態に係る試料採取用プローブにより捕捉される試料を作成する工程を例示する斜視図である。
【図５】図５Ａは、比較例に係る試料捕捉に使用されるプローブを例示する側面図、図５Ｂは、比較例に係る試料捕捉の処理を例示する斜視図である。
【図６】図６は、実施形態に係る試料採取方法によるグリッドメッシュ上への試料の載置状態を例示する斜視図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。図面において、同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。図１Ａ〜図１Ｇは、実施形態に係る試料採取
用のプローブを形成する工程を例示する側面図である。
【００１６】
まず、図１Ａに示すように、作成しようとするプローブの約２倍の長さの筒状のガラス棒１０を用意し、ガラス棒１０の上端側を固定して垂直に支持するとともに下端側に自重又は荷重をかけながらその中央をヒータにより加熱する。
【００１７】
これによりガラス棒１０の中央部には溶融によりくびれが生じ、さらにガラス棒１０の自重又は下端側への荷重により下方に引っ張られるので、その中央部を境にしてその近傍の上の部分と下の部分の双方には互いに反対形状のテーパーが形成される。さらに加熱を進めると、ガラス棒１０は中央部で引きちぎられ、上下に２つに分離される。
【００１８】
分割されたガラス棒１０のそれぞれの先端領域１０ａは図１Ｂに示すように先鋭な先細りの形状を有する。ガラス棒１０の長さは例えば３０ｍｍ〜５０ｍｍ程度であり、また、最も太い部分の直径は例えば１ｍｍ〜２ｍｍ程度となる。
【００１９】
次に、図１Ｃ、図１Ｄに示すように、ガラス棒１０の後端から中央に向けて約５ｍｍ〜２０ｍｍまでの後端側の領域をマスキングテープ１１により覆う。マーキングテープ１１は、後の工程で剥がされるので特に材料は限定されないが、ガラス棒１０に対して粘着性があって次の成膜工程で剥がれずにガラス棒１０を保護できる材料及び構造が選択される。マスキングテープ１１として例えばシート状レジストを使用する。
【００２０】
その後に、ガラス棒１０を成膜装置（不図示）、例えばスパッタ装置のチャンバに入れ、図１Ｅに示すようにガラス棒１０表面に導電性被覆層１２を形成する。導電性被覆層１２として、例えば金、アルミニウム、鉄、銅、ニッケル、プラチナのいずれかの導電性材料の膜を例えば５ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さに形成する。
【００２１】
次に、図１Ｆに示すように、集束イオンビーム（ＦＩＢ）の照射によりガラス棒１０の先細りの先端を切断して面積を拡大し、その切断面を導電性被覆層１２から露出させて試料捕捉用の捕捉面１０ｂを形成する。ガラス棒１０のうち捕捉面１０ｂは、例えば面積が１μｍ２〜１０μｍ２の平坦なガラス面であり、ガラス棒１０の長手方向の軸に対して斜めに形成されてもよいし垂直に形成されてもよい。また、捕捉面１０ａの形成方法として、ガラス棒１０の先端を研磨する方法を採用してもよいし、その他の方法を採用してもよい。
【００２２】
その後に、図１Ｇに示すように、ガラス棒１０の後端領域のマスキングテープ１１を剥がし、露出したガラス面を露出領域１０ｃとする。この場合、マスキングテープ１１がレジストから形成されている場合には、マスキングテープ１１は溶剤を用いて除去される。
【００２３】
以上の工程によりプローブ１が完成する。プローブ１では、先細りの先端からガラス棒１０の捕捉面１０ｂが露出し、後端領域の露出領域１０ｃからガラス棒１０が露出するとともに、捕捉面１０ｂと露出領域１０ｃの間の領域の表面は導電性被覆層１２に覆われる。
【００２４】
プローブ１は、図２に例示するように、その後端をペンシル型ホルダ２の先端の開口内に押し込んだ後に、ネジ止めにより締め付けることにより固定される。また、ペンシル型ホルダ２の胴は、試料捕捉装置のマニピュレータ３のホルダ把持部３ａに挟まれ、プローブ１の先端が基板載置領域４に向くように最初の位置が調整される。
【００２５】
マニピュレータ３は、試料捕捉装置の油圧ハンドル（不図示）の操作により、ｘ方向、
ｙ方向、ｚ方向にその位置が調整され、さらに、試料捕捉装置の光学顕微鏡筒９を通して光学顕微鏡で観察しながらプローブ１の先端で試料を捕捉する。マニピュレータ３は、その後に、プローブ１の先端の下にホルダ載置台５を移動させ、ホルダ載置台５の上の試料ホルダ、例えばグリッドメッシュ６上に試料を移す。
【００２６】
プローブ１は、ペンシル型ホルダ２の先端部に挿入する際にガラス棒１０が例えば正電荷に帯電された状態にされる。これは、後述するように、試料作成に使用される電子イオンビームにより試料が負に帯電していることが多いからである。しかし、試料が帯電していないこともあるのでその場合には負電荷に帯電させてもよい。
【００２７】
プローブ１のガラス棒１０を帯電させる方法として、例えば、図１Ｇに示すように、摩擦により負に帯電する誘電体物質から形成される誘電体物１３、例えば誘電体布を用いてプローブ１の露出領域１０ｃを擦る。これにより、ガラス棒１０は正に帯電され、帯電されたガラス棒１０を有するプローブ１は、後端をペンシル型ホルダ２の先端に嵌め込んで装着され、さらにマニュピュレータ３に装着される。負に帯電する誘電体物質として、例えばフッ素樹脂、アクリル、ゴム、ポリエチレンのいずれかを有する帯電可能物質がある。
【００２８】
次に、プローブ１の捕捉対象となる試料の形成方法とプローブ１による試料捕捉について説明する。図３は、試料作製装置の概要を例示する断面図である。
【００２９】
図３に示す試料作製装置の試料作成室２１の中には、試料採取対象として例えば半導体ウエーハ又は半導体チップのような基板７を載置するための試料加工用ステージ２２が配置されている。試料加工用ステージ２２は、制御部及び駆動機構（不図示）により上下方向（Ｚ方向） 、水平方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に移動可能であり、さらに水平方向に対して傾斜可能に取り付けられている。また、試料加工用ステージ２２の上には、基板７が載置される基板ホルダ２３が置かれている。
【００３０】
試料作成室２１において試料加工用ステージ２２の上方にはＳＥＭカラム２４が取り付けられ、その側方にはＦＩＢカラム２５が取り付けられている。ＳＥＭカラム２４、ＦＩＢカラム２５は、双方の電子照射方向の中心軸が試料加工用ステージ２２上の基板７に向くように配置される。また、ＳＥＭカラム２４の電子照射方向の中心軸は、ＦＩＢカラム２５の電子照射方向の中心軸に対して例えば５２°の角度で傾斜している。ＳＥＭカラム２４、ＦＩＢカラム２５は、それぞれイオン源、集光レンズ、偏光器等（不図示）を有している。
【００３１】
試料作成室２１内の側部には、基板７から放出される二次電子や後方散乱電子を検出する検出器２６が配置されている。試料加工用ステージ２２の位置や、ＳＥＭカラム２４、ＦＩＢカラム２５、検出器２６等の制御は、制御部（不図示）によって制御される。また、試料作成室２１の底面には、排気により内部を減圧するための排気口２７が設けられている。なお、ＳＥＭカラム２４とＦＩＢカラム２５の取り付け位置は逆であってもよい。
【００３２】
次に、基板７から試料８を作製し、これをプローブ１により捕捉してグリッドメッシュ６に移すまでの工程を説明する。
基板７から試料８を作製するために、まず、図３に示す試料作製装置の試料作成室２１内を減圧した状態で、基板７が搭載された基板ホルダ２３をロードロック室（不図示）から試料加工用ステージ２２上に搬送する。続いて、試料加工用ステージ２２の位置を調整してＦＩＢ加工位置に基板７を設置する。なお、基板７の加工は、ＳＥＭカラム２４によって取得される画像を参照して加工位置を探した後に、ステージ２２を例えば５２℃傾けてＦＩＢカラム２４を加工面に向ける。
【００３３】
続いて、基板７の観察箇所をＦＩＢカラム２５の電子照射位置に配置する。この場合、基板７は、図４Ａに例示するようにシリコン基板７ａの上に膜７ｂが形成された構造を有しているが、半導体集積回路、その他の構造を有してもよい。そのような状態で、まず、基板７における試料形成領域７ｃを特定し、試料形成領域７ｃの両側の領域にＦＩＢカラム２５から出射される電子ビームの焦点を合わせる。試料形成領域７ｃの大きさは、例えば、試料の厚みとなる横方向で５０ｎｍ〜５００ｎｍ、長さ方向で５μｍ〜２０μｍである。
【００３４】
続いて、図４Ｂに例示するように、試料加工用ステージ２２の位置を調整しながらＦＩＢカラム２５からイオンビームを照射することにより、試料形成領域７ｃの両側の領域にそれぞれ矩形孔７ｄ、７ｅを形成する。２個の矩形孔７ｄ、７ｅの少なくとも一方は、プローブ１の先端領域１０ａを挿入できる大きさを有する。これらの操作は、制御部（不図示）により制御される。
【００３５】
２個の矩形孔７ｄ、７ｅを形成した後に、試料加工用ステージ２２の傾きを調整し、試料形成領域７ｃの底部に、矩形孔７ｄ、７ｅの一方を通して電子ビームを基板７に照射してボトムカットを行う。
【００３６】
その後に、ＦＩＢカラム２５からの電子ビーム照射方向が基板７の上面に垂直となる位置に試料加工用ステージ２２の傾きを戻した後に、さらに、電子ビーム照射により加工を進め、整形し、仕上げを行う。そのような加工により試料形成領域７ｃを薄板状に成形した後に、図４Ｃに例示するように、イオンビームの照射により試料形成領域７ｃの両端を切断する。これにより、薄板状の試料形成領域７ｃは、基板７から分離されて試料８となる。
【００３７】
次に、試料加工用ステージ２２を水平にした後に、基板７が載置された基板ホルダ２３を試料作成室２１からロードロックチャンバを介して大気中に取り出し、さらに、基板７を図２に示す試料捕捉装置の光学顕微鏡筒９の下の基板載置領域４に移す。
【００３８】
その後に、帯電したプローブ１が取り付けられたホルダ２を図２に示すようにマニピュレータ３に装着した状態で、油圧ハンドル（不図示）を操作してマニュピュレータ３をＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動させてプローブ１の先端の位置を調整する。
【００３９】
これにより、図４Ｄに例示するように、プローブ１の先端部の捕捉面１０ｂを矩形孔７ｅ内に入れて試料８の一方の面に接触させる。この場合、試料８は、電子ビームの照射により負に帯電している一方、プローブ１のガラス棒１０が正に帯電しているので、試料８の一面は静電力によりガラス棒１０の先端の捕捉面１０ｂに静電吸着される。
【００４０】
ガラス棒１０の帯電量が不足する場合には、プローブ１が試料８に接触する際に、試料８との吸着力が小さくなって、プローブ１により試料８を捕捉することができず、あるいは、プローブ１により試料８を突きすぎて試料８を破損させるおそれがある。そこで、誘電体物１３との摩擦による大きな帯電量をガラス棒１０に付与することが必要である。
【００４１】
ところで、図５Ａに例示するように、表面に導電性被覆層が形成されないガラス棒４０をプローブとして使用し、ガラス棒４０の帯電量を大きくすると、図５Ｂに例示するように、試料８がガラス棒４０の先端から飛んでその胴表面に吸着されることがある。このような場合、試料８は極めて小さいので、試料８の位置を調整してガラス棒４０の先端に再び移動させることは困難である。
【００４２】
これに対し、本実施形態に係るプローブ１では、ガラス棒１０の先端に捕捉面１０ｂを形成し、捕捉面１０ｂから後端部の露出領域１０ｃの間の領域の表面を導電性被覆層１２により覆っている。このため、ガラス棒１０の後端側の露出領域１０ｃをフッ素樹脂等の負の帯電物で強く摩擦し、これによりガラス棒１０の全体に大きな正の電荷量を付与しても、試料８を基板７から取り出す際に、試料８がプローブ１の先端に正常に付着し、その胴表面に付着することはない。
【００４３】
これは、プローブ１の胴を覆う導電性被覆層１２が電気的シールドとして機能するからである。即ち、図１Ｇに示すように、初期状態で帯電していないガラス棒１０の後端部の露出領域１０ｃを負に帯電する誘電体物１３により擦ることにより、ガラス棒１０の全体が正に帯電するが、導電性被覆層１２は帯電しない。従って、導電性被覆層１２に覆われた領域ではガラス棒１０に直接に電荷を付与できず、露出領域１０ｃからガラス棒１０の中を移動する電荷がガラス棒１０の先端の捕捉面１０ｂに移動することになり、プローブ１の全体の過剰な帯電が防止される。
【００４４】
プローブ１の先端の捕捉面１０ｂに吸着された試料８は、図６に例示するように、図２に示すホルダ載置台５上のグリッドメッシュ６上に載置される。この場合、ホルダ載置台５を光学顕微鏡筒９の下に移動する。
【００４５】
グリッドメッシュ６は、銅、モリブデン、ニッケル等の導電性板から形成される環状フレーム６ａ及びメッシュ６ｂを有し、さらにコロジオン膜のような支持膜６ｃを貼り付けた構造を有している。メッシュ６ｂは、試料８の支持・補強としての機能を有し、例えば１０μｍ〜数百μｍの孔が網目状にあいている。なお、メッシュ６ｂの網目は四角形に限られるものではなく、例えば五角形、六角形であってもよい。また、メッシュ６ｂとして、中央に１つの孔が形成されているものであってもよい。
【００４６】
メッシュ６ｂの網目の間の支持膜６ｃ上に試料８を載せる際に、油圧ハンドル（不図示）の操作によりプローブ１の先端の位置を調整し、捕捉面１０ｂに付着した試料８をグリッドメッシュ６の面にできるだけ平行な姿勢にした後に、グリッドメッシュ６の面に一瞬密着させ、すぐにプローブ１を試料８から離す。続いて、プローブ１から試料８が離れたことを確認した後に、プローブ１をグリッドメッシュ６から遠ざけることにより、試料作製の１サイクルの作業が終了する。
【００４７】
ところで、図５Ａに例示したと同様に、プローブであるガラス棒４０の表面を導電性被覆層により覆わずにガラス棒４０の全体を露出させると、試料８をグリッドメッシュ６上に移せないことがある。例えば、グリッドメッシュ６が負に帯電されている場合にガラス棒４０に正電荷を多く付与すると、支持膜６ｃ上でガラス棒４０の先端から離された試料８が図５Ｂに例示すると同様に帯電したガラス棒４０の胴表面に付着することがある。この場合、ガラス棒４０の胴表面に付着した試料８をグリッドメッシュ７上に置き直すことは極めて困難である。
【００４８】
グリッドメッシュ６上に複数の試料８を載置する場合には、上記した操作を繰り返すことにより複数の試料８をそれぞれ異なるグリッド（マス目）の上に載置する。
【００４９】
以上のようなグリッドメッシュ６上への試料８の搭載を終えた後に、グリッドメッシュ６をＴＥＭ（不図示）やＳＴＥＭ（不図示）の試料ホルダに取り付け、観察を行う。
【００５０】
以上述べたように本実施形態によれば、試料８の採取、搬送に使用するプローブ１において、ガラス（誘電体）棒１０の先端と後端領域を露出するとともに先端から後端領域の間の表面を導電性被服層１２により覆っている。このため、プローブ１への帯電の正と負
の方向付けと帯電量の調整が容易になる。また、導電性被覆層１２が電気的シールドとして機能するので、プローブ１の静電吸着領域をその先端の捕捉面１０ｂに絞ることができ、試料８の吸着を再現性良く、正確に行うことができる。
【００５１】
ここで挙げた全ての例および条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明および概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例および条件に限定することなく解釈すべきであり、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換および変形を施すことができると理解される。
【００５２】
次に、本発明の実施形態について特徴を付記する。
（付記１） 誘電体棒と、前記誘電体棒の先端に形成される捕捉面と、前記誘電体棒の後端側に設けられる露出領域と、前記誘電体棒のうち前記捕捉面と前記露出領域の間の領域において、前記誘電体棒を覆う導電性被覆層と、を有する試料採取用プローブ。
（付記２） 前記誘電体棒はガラス棒であることを特徴とする付記１に記載の試料作製装置。
（付記３） 前記誘電体棒の前記捕捉面は、前記誘電体棒の長手方向に対して傾斜していることを特徴とする付記１又は付記２に記載の試料採取用プローブ。
（付記４） 前記導電性被覆層は、金属から形成されていることを特徴とする付記１乃至付記３のいずれか１つに記載の試料採取用プローブ。
（付記５） 誘電体棒と、前記誘電体棒の先端に形成される捕捉面と、前記誘電体棒の後端側に設けられる露出領域と、前記誘電体棒のうち前記捕捉面と前記露出領域の間の領域において、前記誘電体棒を覆う導電性被覆層と、を有するプローブのうちの前記露出領域を誘電体物により摩擦して前記誘電体棒を帯電し、前記プローブの前記捕捉面により試料を吸着し、前記プローブの操作により前記試料を試料ホルダに移送する試料採取方法。
（付記６） 前記誘電体棒はガラス棒であることを特徴とする付記５に記載の試料採取方法。
（付記７） 前記誘電体物は、アクリル、フッ素樹脂、ゴム、ポリエチレンの少なくとも１つを含む材料から形成されていることを特徴とする付記６に記載の試料採取方法。
【符号の説明】
【００５３】
１ プローブ
２ ホルダ
３ マニピュレータ
４ 基板載置領域
５ ホルダ載置台
６ グリッドメッシュ（試料ホルダ）
７ 基板
８ 試料
９ 光学顕微鏡筒
１０ ガラス棒（誘電体棒）
１０ａ 先端領域
１０ｂ 捕捉面
１０ｃ 露出領域
１１ マスキングテープ
１２ 導電性被覆層
１３ 誘電体物
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料採取用プローブ及び試料採取方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、表示装置等の電子デバイスにおいては、高集積化の進展に伴いパターンの微細化がより進んでいるため、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の使用によるパターン、膜などの像の不良解析の判別や形状の確認ができない状況となっている。そこで、ＳＥＭの替わりに、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）や走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）が多く使用されるようになってきている。
【０００３】
ＴＥＭ、ＳＴＥＭにより観察される試料の作製方法の１つとして、収束イオンビーム（ＦＩＢ）を使用することが知られている。例えば、真空容器内でＦＩＢを基板に照射して試料となる小片を形成し、マニピュレータにより試料を基板からピックアップする方法である。マニピュレータのピックアップ部としてプローブが使用されている。
【０００４】
ＦＩＢによる試料作成方法はスループットに優れるとともに、１つの基板において比較的近い領域から複数の試料を採取できるなど、多くのメリットを持つ手法の１つである。しかし、基板に形成した微小な試料を取り出す作業は熟練性が要求される要素も含まれるため、熟練度の高さの程度によって試料採取の成功率が大きく左右される。
【０００５】
熟練を要する操作としては、例えば、微細加工した試料をガラス製プローブの先端に静電気により吸着させて採取する処理がある。ガラス製プローブ先端に静電吸着された試料は、例えば支持網（メッシュ）上に載置される。なお、プローブはニードル、キャピラリーとも呼ばれる。
【０００６】
プローブによる試料の着脱を再現良く、正確に作業するために、例えば、タングステン製のプローブの先端を平面化してその先端に試料を面接触させ、さらにプローブに電源から電圧を印加してプローブの先端に試料を吸着させることが知られている。
【０００７】
また、プローブ（ニードル）により試料を着脱する別の方法として、自然帯電可能であって先鋭、角錐状又は円錐状の先端部を有する金属製ニードルと、アース接地された導電部材とを有するマイクロマニピュレータを使用することが知られている。そのマイクロマニピュレータは、さらに、導電部材と金属製ニードルの後端部との電気的接続をＯＮ／ＯＦＦ切り換える開閉接点部を有している。この場合、金属製ニードルの先端部側を除く部分と導電部材と開閉接点部とがそれぞれ柄部に装着固定される。
【０００８】
プローブ（キャピラリー）により試料を着脱する他の方法として、ガラス製キャピラリーにより試料を保持するために、ガラス製キャピラリーに焦電体を取り付け、さらに焦電体を加熱するランプ照射系を有するマイクロマニピュレータが知られている。この場合、キャピラリーの先端の静電極性は、焦電体にランプを照射することにより得られる焦電効果により制御される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−１６３２７７号公報
【特許文献２】特開２００６−０６８８３０号公報
【特許文献３】特開２００６−１１６６４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のマニピュレータによれば、プローブ電圧を調整する電源又は開閉接点部又はランプ照射系装置が必要となるので、既存の装置をそのまま使用できない。従って、それらの構造を有しない既存の試料用の採取装置を使用する場合には、改造の必要がある。
【００１１】
本発明の目的は、プローブ以外に新たな部品を要求せずに試料を良好に採取するための試料採取用プローブ及び試料採取方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
１つの観点によれば、誘電体棒と、前記誘電体棒の先端に形成される捕捉面と、前記誘電体棒の後端側に設けられる露出領域と、前記誘電体棒のうち前記捕捉面と前記露出領域の間の領域において、前記誘電体棒を覆う導電性被覆層と、を有する試料採取用プローブが提供される。
別の観点によれば、誘電体棒と、前記誘電体棒の先端に形成される捕捉面と、前記誘電体棒の後端側に設けられる露出領域と、前記誘電体棒のうち前記捕捉面と前記露出領域の間の領域において前記誘電体棒を覆う導電性被覆層と、を有するプローブにおいて、前記露出領域を帯電物により摩擦して前記誘電体棒を帯電し、前記プローブの前記捕捉面により試料を吸着し、前記プローブの操作により前記試料を試料ホルダに移送する試料採取方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本実施形態によれば、試料の採取、移送に使用するプローブにおける誘電体棒の先端と後端側の領域を露出するとともに先端から後端側露出領域の間の領域を導電性被覆層により覆っている。このため、誘電体棒の後端側の露出領域を摩擦することにより、誘電体棒の全体を帯電させることが可能になる。しかも、プローブでは、導電性被覆層により電気的にシールドすることによって、試料がプローブ側面に吸着することが防止される。従って、既存の試料採取装置であってもプローブを交換することにより試料を再現良く、正確に採取、搬送することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】図１Ａ〜図１Ｄは、実施形態に係る試料採取用プローブを形成する一部の工程を例示する側面図である。
【図１Ｅ】図１Ｅ〜図１Ｇは、実施形態に係る試料採取用プローブを形成する残りの工程を例示する側面図である。
【図２】図２は、実施形態に係る試料採取用プローブをマニピュレータに取り付けた状態を例示する斜視図である。
【図３】図３は、実施形態に係る試料採取用プローブにより捕捉される試料を作成するための試料作製装置の一例を示す概要構成図である。
【図４】図４Ａ〜図４Ｄは、実施形態に係る試料採取用プローブにより捕捉される試料を作成する工程を例示する斜視図である。
【図５】図５Ａは、比較例に係る試料捕捉に使用されるプローブを例示する側面図、図５Ｂは、比較例に係る試料捕捉の処理を例示する斜視図である。
【図６】図６は、実施形態に係る試料採取方法によるグリッドメッシュ上への試料の載置状態を例示する斜視図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。図面において、同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。図１Ａ〜図１Ｇは、実施形態に係る試料採取
用のプローブを形成する工程を例示する側面図である。
【００１６】
まず、図１Ａに示すように、作成しようとするプローブの約２倍の長さの筒状のガラス棒１０を用意し、ガラス棒１０の上端側を固定して垂直に支持するとともに下端側に自重又は荷重をかけながらその中央をヒータにより加熱する。
【００１７】
これによりガラス棒１０の中央部には溶融によりくびれが生じ、さらにガラス棒１０の自重又は下端側への荷重により下方に引っ張られるので、その中央部を境にしてその近傍の上の部分と下の部分の双方には互いに反対形状のテーパーが形成される。さらに加熱を進めると、ガラス棒１０は中央部で引きちぎられ、上下に２つに分離される。
【００１８】
分割されたガラス棒１０のそれぞれの先端領域１０ａは図１Ｂに示すように先鋭な先細りの形状を有する。ガラス棒１０の長さは例えば３０ｍｍ〜５０ｍｍ程度であり、また、最も太い部分の直径は例えば１ｍｍ〜２ｍｍ程度となる。
【００１９】
次に、図１Ｃ、図１Ｄに示すように、ガラス棒１０の後端から中央に向けて約５ｍｍ〜２０ｍｍまでの後端側の領域をマスキングテープ１１により覆う。マーキングテープ１１は、後の工程で剥がされるので特に材料は限定されないが、ガラス棒１０に対して粘着性があって次の成膜工程で剥がれずにガラス棒１０を保護できる材料及び構造が選択される。マスキングテープ１１として例えばシート状レジストを使用する。
【００２０】
その後に、ガラス棒１０を成膜装置（不図示）、例えばスパッタ装置のチャンバに入れ、図１Ｅに示すようにガラス棒１０表面に導電性被覆層１２を形成する。導電性被覆層１２として、例えば金、アルミニウム、鉄、銅、ニッケル、プラチナのいずれかの導電性材料の膜を例えば５ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さに形成する。
【００２１】
次に、図１Ｆに示すように、集束イオンビーム（ＦＩＢ）の照射によりガラス棒１０の先細りの先端を切断して面積を拡大し、その切断面を導電性被覆層１２から露出させて試料捕捉用の捕捉面１０ｂを形成する。ガラス棒１０のうち捕捉面１０ｂは、例えば面積が１μｍ２〜１０μｍ２の平坦なガラス面であり、ガラス棒１０の長手方向の軸に対して斜めに形成されてもよいし垂直に形成されてもよい。また、捕捉面１０ａの形成方法として、ガラス棒１０の先端を研磨する方法を採用してもよいし、その他の方法を採用してもよい。
【００２２】
その後に、図１Ｇに示すように、ガラス棒１０の後端領域のマスキングテープ１１を剥がし、露出したガラス面を露出領域１０ｃとする。この場合、マスキングテープ１１がレジストから形成されている場合には、マスキングテープ１１は溶剤を用いて除去される。
【００２３】
以上の工程によりプローブ１が完成する。プローブ１では、先細りの先端からガラス棒１０の捕捉面１０ｂが露出し、後端領域の露出領域１０ｃからガラス棒１０が露出するとともに、捕捉面１０ｂと露出領域１０ｃの間の領域の表面は導電性被覆層１２に覆われる。
【００２４】
プローブ１は、図２に例示するように、その後端をペンシル型ホルダ２の先端の開口内に押し込んだ後に、ネジ止めにより締め付けることにより固定される。また、ペンシル型ホルダ２の胴は、試料捕捉装置のマニピュレータ３のホルダ把持部３ａに挟まれ、プローブ１の先端が基板載置領域４に向くように最初の位置が調整される。
【００２５】
マニピュレータ３は、試料捕捉装置の油圧ハンドル（不図示）の操作により、ｘ方向、
ｙ方向、ｚ方向にその位置が調整され、さらに、試料捕捉装置の光学顕微鏡筒９を通して光学顕微鏡で観察しながらプローブ１の先端で試料を捕捉する。マニピュレータ３は、その後に、プローブ１の先端の下にホルダ載置台５を移動させ、ホルダ載置台５の上の試料ホルダ、例えばグリッドメッシュ６上に試料を移す。
【００２６】
プローブ１は、ペンシル型ホルダ２の先端部に挿入する際にガラス棒１０が例えば正電荷に帯電された状態にされる。これは、後述するように、試料作成に使用される電子イオンビームにより試料が負に帯電していることが多いからである。しかし、試料が帯電していないこともあるのでその場合には負電荷に帯電させてもよい。
【００２７】
プローブ１のガラス棒１０を帯電させる方法として、例えば、図１Ｇに示すように、摩擦により負に帯電する誘電体物質から形成される誘電体物１３、例えば誘電体布を用いてプローブ１の露出領域１０ｃを擦る。これにより、ガラス棒１０は正に帯電され、帯電されたガラス棒１０を有するプローブ１は、後端をペンシル型ホルダ２の先端に嵌め込んで装着され、さらにマニュピュレータ３に装着される。負に帯電する誘電体物質として、例えばフッ素樹脂、アクリル、ゴム、ポリエチレンのいずれかを有する帯電可能物質がある。
【００２８】
次に、プローブ１の捕捉対象となる試料の形成方法とプローブ１による試料捕捉について説明する。図３は、試料作製装置の概要を例示する断面図である。
【００２９】
図３に示す試料作製装置の試料作成室２１の中には、試料採取対象として例えば半導体ウエーハ又は半導体チップのような基板７を載置するための試料加工用ステージ２２が配置されている。試料加工用ステージ２２は、制御部及び駆動機構（不図示）により上下方向（Ｚ方向） 、水平方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に移動可能であり、さらに水平方向に対して傾斜可能に取り付けられている。また、試料加工用ステージ２２の上には、基板７が載置される基板ホルダ２３が置かれている。
【００３０】
試料作成室２１において試料加工用ステージ２２の上方にはＳＥＭカラム２４が取り付けられ、その側方にはＦＩＢカラム２５が取り付けられている。ＳＥＭカラム２４、ＦＩＢカラム２５は、双方の電子照射方向の中心軸が試料加工用ステージ２２上の基板７に向くように配置される。また、ＳＥＭカラム２４の電子照射方向の中心軸は、ＦＩＢカラム２５の電子照射方向の中心軸に対して例えば５２°の角度で傾斜している。ＳＥＭカラム２４、ＦＩＢカラム２５は、それぞれイオン源、集光レンズ、偏光器等（不図示）を有している。
【００３１】
試料作成室２１内の側部には、基板７から放出される二次電子や後方散乱電子を検出する検出器２６が配置されている。試料加工用ステージ２２の位置や、ＳＥＭカラム２４、ＦＩＢカラム２５、検出器２６等の制御は、制御部（不図示）によって制御される。また、試料作成室２１の底面には、排気により内部を減圧するための排気口２７が設けられている。なお、ＳＥＭカラム２４とＦＩＢカラム２５の取り付け位置は逆であってもよい。
【００３２】
次に、基板７から試料８を作製し、これをプローブ１により捕捉してグリッドメッシュ６に移すまでの工程を説明する。
基板７から試料８を作製するために、まず、図３に示す試料作製装置の試料作成室２１内を減圧した状態で、基板７が搭載された基板ホルダ２３をロードロック室（不図示）から試料加工用ステージ２２上に搬送する。続いて、試料加工用ステージ２２の位置を調整してＦＩＢ加工位置に基板７を設置する。なお、基板７の加工は、ＳＥＭカラム２４によって取得される画像を参照して加工位置を探した後に、ステージ２２を例えば５２℃傾けてＦＩＢカラム２４を加工面に向ける。
【００３３】
続いて、基板７の観察箇所をＦＩＢカラム２５の電子照射位置に配置する。この場合、基板７は、図４Ａに例示するようにシリコン基板７ａの上に膜７ｂが形成された構造を有しているが、半導体集積回路、その他の構造を有してもよい。そのような状態で、まず、基板７における試料形成領域７ｃを特定し、試料形成領域７ｃの両側の領域にＦＩＢカラム２５から出射される電子ビームの焦点を合わせる。試料形成領域７ｃの大きさは、例えば、試料の厚みとなる横方向で５０ｎｍ〜５００ｎｍ、長さ方向で５μｍ〜２０μｍである。
【００３４】
続いて、図４Ｂに例示するように、試料加工用ステージ２２の位置を調整しながらＦＩＢカラム２５からイオンビームを照射することにより、試料形成領域７ｃの両側の領域にそれぞれ矩形孔７ｄ、７ｅを形成する。２個の矩形孔７ｄ、７ｅの少なくとも一方は、プローブ１の先端領域１０ａを挿入できる大きさを有する。これらの操作は、制御部（不図示）により制御される。
【００３５】
２個の矩形孔７ｄ、７ｅを形成した後に、試料加工用ステージ２２の傾きを調整し、試料形成領域７ｃの底部に、矩形孔７ｄ、７ｅの一方を通して電子ビームを基板７に照射してボトムカットを行う。
【００３６】
その後に、ＦＩＢカラム２５からの電子ビーム照射方向が基板７の上面に垂直となる位置に試料加工用ステージ２２の傾きを戻した後に、さらに、電子ビーム照射により加工を進め、整形し、仕上げを行う。そのような加工により試料形成領域７ｃを薄板状に成形した後に、図４Ｃに例示するように、イオンビームの照射により試料形成領域７ｃの両端を切断する。これにより、薄板状の試料形成領域７ｃは、基板７から分離されて試料８となる。
【００３７】
次に、試料加工用ステージ２２を水平にした後に、基板７が載置された基板ホルダ２３を試料作成室２１からロードロックチャンバを介して大気中に取り出し、さらに、基板７を図２に示す試料捕捉装置の光学顕微鏡筒９の下の基板載置領域４に移す。
【００３８】
その後に、帯電したプローブ１が取り付けられたホルダ２を図２に示すようにマニピュレータ３に装着した状態で、油圧ハンドル（不図示）を操作してマニュピュレータ３をＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動させてプローブ１の先端の位置を調整する。
【００３９】
これにより、図４Ｄに例示するように、プローブ１の先端部の捕捉面１０ｂを矩形孔７ｅ内に入れて試料８の一方の面に接触させる。この場合、試料８は、電子ビームの照射により負に帯電している一方、プローブ１のガラス棒１０が正に帯電しているので、試料８の一面は静電力によりガラス棒１０の先端の捕捉面１０ｂに静電吸着される。
【００４０】
ガラス棒１０の帯電量が不足する場合には、プローブ１が試料８に接触する際に、試料８との吸着力が小さくなって、プローブ１により試料８を捕捉することができず、あるいは、プローブ１により試料８を突きすぎて試料８を破損させるおそれがある。そこで、誘電体物１３との摩擦による大きな帯電量をガラス棒１０に付与することが必要である。
【００４１】
ところで、図５Ａに例示するように、表面に導電性被覆層が形成されないガラス棒４０をプローブとして使用し、ガラス棒４０の帯電量を大きくすると、図５Ｂに例示するように、試料８がガラス棒４０の先端から飛んでその胴表面に吸着されることがある。このような場合、試料８は極めて小さいので、試料８の位置を調整してガラス棒４０の先端に再び移動させることは困難である。
【００４２】
これに対し、本実施形態に係るプローブ１では、ガラス棒１０の先端に捕捉面１０ｂを形成し、捕捉面１０ｂから後端部の露出領域１０ｃの間の領域の表面を導電性被覆層１２により覆っている。このため、ガラス棒１０の後端側の露出領域１０ｃをフッ素樹脂等の負の帯電物で強く摩擦し、これによりガラス棒１０の全体に大きな正の電荷量を付与しても、試料８を基板７から取り出す際に、試料８がプローブ１の先端に正常に付着し、その胴表面に付着することはない。
【００４３】
これは、プローブ１の胴を覆う導電性被覆層１２が電気的シールドとして機能するからである。即ち、図１Ｇに示すように、初期状態で帯電していないガラス棒１０の後端部の露出領域１０ｃを負に帯電する誘電体物１３により擦ることにより、ガラス棒１０の全体が正に帯電するが、導電性被覆層１２は帯電しない。従って、導電性被覆層１２に覆われた領域ではガラス棒１０に直接に電荷を付与できず、露出領域１０ｃからガラス棒１０の中を移動する電荷がガラス棒１０の先端の捕捉面１０ｂに移動することになり、プローブ１の全体の過剰な帯電が防止される。
【００４４】
プローブ１の先端の捕捉面１０ｂに吸着された試料８は、図６に例示するように、図２に示すホルダ載置台５上のグリッドメッシュ６上に載置される。この場合、ホルダ載置台５を光学顕微鏡筒９の下に移動する。
【００４５】
グリッドメッシュ６は、銅、モリブデン、ニッケル等の導電性板から形成される環状フレーム６ａ及びメッシュ６ｂを有し、さらにコロジオン膜のような支持膜６ｃを貼り付けた構造を有している。メッシュ６ｂは、試料８の支持・補強としての機能を有し、例えば１０μｍ〜数百μｍの孔が網目状にあいている。なお、メッシュ６ｂの網目は四角形に限られるものではなく、例えば五角形、六角形であってもよい。また、メッシュ６ｂとして、中央に１つの孔が形成されているものであってもよい。
【００４６】
メッシュ６ｂの網目の間の支持膜６ｃ上に試料８を載せる際に、油圧ハンドル（不図示）の操作によりプローブ１の先端の位置を調整し、捕捉面１０ｂに付着した試料８をグリッドメッシュ６の面にできるだけ平行な姿勢にした後に、グリッドメッシュ６の面に一瞬密着させ、すぐにプローブ１を試料８から離す。続いて、プローブ１から試料８が離れたことを確認した後に、プローブ１をグリッドメッシュ６から遠ざけることにより、試料作製の１サイクルの作業が終了する。
【００４７】
ところで、図５Ａに例示したと同様に、プローブであるガラス棒４０の表面を導電性被覆層により覆わずにガラス棒４０の全体を露出させると、試料８をグリッドメッシュ６上に移せないことがある。例えば、グリッドメッシュ６が負に帯電されている場合にガラス棒４０に正電荷を多く付与すると、支持膜６ｃ上でガラス棒４０の先端から離された試料８が図５Ｂに例示すると同様に帯電したガラス棒４０の胴表面に付着することがある。この場合、ガラス棒４０の胴表面に付着した試料８をグリッドメッシュ７上に置き直すことは極めて困難である。
【００４８】
グリッドメッシュ６上に複数の試料８を載置する場合には、上記した操作を繰り返すことにより複数の試料８をそれぞれ異なるグリッド（マス目）の上に載置する。
【００４９】
以上のようなグリッドメッシュ６上への試料８の搭載を終えた後に、グリッドメッシュ６をＴＥＭ（不図示）やＳＴＥＭ（不図示）の試料ホルダに取り付け、観察を行う。
【００５０】
以上述べたように本実施形態によれば、試料８の採取、搬送に使用するプローブ１において、ガラス（誘電体）棒１０の先端と後端領域を露出するとともに先端から後端領域の間の表面を導電性被服層１２により覆っている。このため、プローブ１への帯電の正と負
の方向付けと帯電量の調整が容易になる。また、導電性被覆層１２が電気的シールドとして機能するので、プローブ１の静電吸着領域をその先端の捕捉面１０ｂに絞ることができ、試料８の吸着を再現性良く、正確に行うことができる。
【００５１】
ここで挙げた全ての例および条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明および概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例および条件に限定することなく解釈すべきであり、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換および変形を施すことができると理解される。
【００５２】
次に、本発明の実施形態について特徴を付記する。
（付記１） 誘電体棒と、前記誘電体棒の先端に形成される捕捉面と、前記誘電体棒の後端側に設けられる露出領域と、前記誘電体棒のうち前記捕捉面と前記露出領域の間の領域において、前記誘電体棒を覆う導電性被覆層と、を有する試料採取用プローブ。
（付記２） 前記誘電体棒はガラス棒であることを特徴とする付記１に記載の試料作製装置。
（付記３） 前記誘電体棒の前記捕捉面は、前記誘電体棒の長手方向に対して傾斜していることを特徴とする付記１又は付記２に記載の試料採取用プローブ。
（付記４） 前記導電性被覆層は、金属から形成されていることを特徴とする付記１乃至付記３のいずれか１つに記載の試料採取用プローブ。
（付記５） 誘電体棒と、前記誘電体棒の先端に形成される捕捉面と、前記誘電体棒の後端側に設けられる露出領域と、前記誘電体棒のうち前記捕捉面と前記露出領域の間の領域において、前記誘電体棒を覆う導電性被覆層と、を有するプローブのうちの前記露出領域を誘電体物により摩擦して前記誘電体棒を帯電し、前記プローブの前記捕捉面により試料を吸着し、前記プローブの操作により前記試料を試料ホルダに移送する試料採取方法。
（付記６） 前記誘電体棒はガラス棒であることを特徴とする付記５に記載の試料採取方法。
（付記７） 前記誘電体物は、アクリル、フッ素樹脂、ゴム、ポリエチレンの少なくとも１つを含む材料から形成されていることを特徴とする付記６に記載の試料採取方法。
【符号の説明】
【００５３】
１ プローブ
２ ホルダ
３ マニピュレータ
４ 基板載置領域
５ ホルダ載置台
６ グリッドメッシュ（試料ホルダ）
７ 基板
８ 試料
９ 光学顕微鏡筒
１０ ガラス棒（誘電体棒）
１０ａ 先端領域
１０ｂ 捕捉面
１０ｃ 露出領域
１１ マスキングテープ
１２ 導電性被覆層
１３ 誘電体物
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体棒と、
前記誘電体棒の先端に形成される捕捉面と、
前記誘電体棒の後端側に設けられる露出領域と、
前記誘電体棒のうち前記捕捉面と前記露出領域の間の領域において、前記誘電体棒を覆う導電性被覆層と、
を有する試料採取用プローブ。
【請求項２】
前記誘電体棒はガラス棒であることを特徴とする請求項１に記載の試料採取用プローブ。
【請求項３】
前記導電性被覆層は、金属から形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の試料採取用プローブ。
【請求項４】
誘電体棒と、前記誘電体棒の先端に形成される捕捉面と、前記誘電体棒の後端側に設けられる露出領域と、前記誘電体棒のうち前記捕捉面と前記露出領域の間の領域において前記誘電体棒を覆う導電性被覆層と、を有するプローブにおいて、前記露出領域を帯電物により摩擦して前記誘電体棒を帯電し、
前記プローブの前記捕捉面により試料を吸着し、
前記プローブの操作により前記試料を試料ホルダに移送する
試料採取方法。
【請求項５】
前記誘電体棒はガラス棒であることを特徴とする請求項４に記載の試料採取方法。
【請求項１】
誘電体棒と、
前記誘電体棒の先端に形成される捕捉面と、
前記誘電体棒の後端側に設けられる露出領域と、
前記誘電体棒のうち前記捕捉面と前記露出領域の間の領域において、前記誘電体棒を覆う導電性被覆層と、
を有する試料採取用プローブ。
【請求項２】
前記誘電体棒はガラス棒であることを特徴とする請求項１に記載の試料採取用プローブ。
【請求項３】
前記導電性被覆層は、金属から形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の試料採取用プローブ。
【請求項４】
誘電体棒と、前記誘電体棒の先端に形成される捕捉面と、前記誘電体棒の後端側に設けられる露出領域と、前記誘電体棒のうち前記捕捉面と前記露出領域の間の領域において前記誘電体棒を覆う導電性被覆層と、を有するプローブにおいて、前記露出領域を帯電物により摩擦して前記誘電体棒を帯電し、
前記プローブの前記捕捉面により試料を吸着し、
前記プローブの操作により前記試料を試料ホルダに移送する
試料採取方法。
【請求項５】
前記誘電体棒はガラス棒であることを特徴とする請求項４に記載の試料採取方法。
【図１Ａ】
【図１Ｅ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図１Ｅ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−２０２８４６（Ｐ２０１２−２０２８４６Ａ）
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６８１３９（Ｐ２０１１−６８１３９）
【出願日】平成２３年３月２５日（２０１１．３．２５）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通セミコンダクター株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２５日（２０１１．３．２５）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通セミコンダクター株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
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