配線基板の製造方法及びその実装構造体の製造方法
【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応え配線基板の製造方法及びその実装構造体の製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板の製造方法は、ポリイミド樹脂を含む第１樹脂層１０ａの一主面を金属層１２で被覆する工程と、金属層１２上に部分的に複数の導電層１１を形成する工程と、アルカリ性の水溶液を用いて、導電層１１の表面を粗化する工程と、導電層１１の露出した表面を粗化する工程の後、第１樹脂層１０ａの一主面を露出させるために、平面視にて導電層１１同士の間に配された前記金属層１２の一部をエッチングする工程と、を備えている。
【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板の製造方法は、ポリイミド樹脂を含む第１樹脂層１０ａの一主面を金属層１２で被覆する工程と、金属層１２上に部分的に複数の導電層１１を形成する工程と、アルカリ性の水溶液を用いて、導電層１１の表面を粗化する工程と、導電層１１の露出した表面を粗化する工程の後、第１樹脂層１０ａの一主面を露出させるために、平面視にて導電層１１同士の間に配された前記金属層１２の一部をエッチングする工程と、を備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）等に使用される配線基板の製造方法及びその実装構造体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。
【０００３】
特許文献１には、下地層上にシード層を形成する工程と、該シード層上に銅めっき層を形成する工程と、該銅めっき層をマスクにして前記シード層をエッチングすることにより、配線層を得る工程と、アルカリ性の水溶液を用いて該配線層表面を粗化する工程と、を備えた配線基板の製造方法が記載されている。
【０００４】
ところで、特許文献１に記載された配線基板の製造方法において、下地層としてポリイミド樹脂を含む樹脂層を用いた場合、配線層表面の粗化に用いられるアルカリ性の水溶液によって、樹脂層表面に露出したポリイミド樹脂の樹脂分子に含まれるイミド環が加水分解されやすい。その結果、該加水分解によってカルボキシル基が生成されるため、配線層の導電材料がイオン化して該カルボキシル基と結合することにより、配線層同士の間にて絶縁性が低下しやすい。したがって、配線層同士が短絡しやすくなり、ひいては配線基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９‐２７７９０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応え配線基板の製造方法及びその実装構造体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態にかかる配線基板の製造方法は、ポリイミド樹脂を含む第１樹脂層の一主面を金属層で被覆する工程と、前記金属層上に部分的に複数の導電層を形成する工程と、アルカリ性の水溶液を用いて、前記導電層の表面を粗化する工程と、前記導電層の露出した表面を粗化する工程の後、前記第１樹脂層の一主面を露出させるために、平面視にて前記導電層同士の間に配された前記金属層の一部をエッチングする工程と、を備えている。
【０００８】
本発明の一形態にかかる実装構造体の製造方法は、上述した配線基板の製造方法により得られた配線基板に、電子部品を電気的に接続する工程を備えている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一形態にかかる配線基板の製造方法によれば、樹脂層表面に配されたポリイミド樹脂の樹脂分子に含まれるイミド環の加水分解を抑制することにより、導電層同士の間にて絶縁性を高め、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（ａ）は、本発明の一実施形態にかかる実装構造体を厚み方向に切断した断面図であり、図１（ｂ）は、図１に示した実装構造体のＲ１部分を拡大して示した断面図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図２（ｃ）は、図２（ｂ）に示した実装構造体のＲ２部分を拡大して示した断面図である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、図２（ｂ）のＲ２部分に相当する部分を拡大して示した断面図である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、図２（ｂ）のＲ２部分に相当する部分を拡大して示した断面図である。
【図５】図５は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、図２（ｂ）のＲ２部分に相当する部分を拡大して示した断面図である。
【図６】図６（ａ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示した実装構造体のＲ３部分を拡大して示した断面図である。
【図７】図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法を、該配線基板の製造方法を用いた実装構造体の製造方法を例に、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
図１（ａ）に示した実装構造体１は、本実施形態に係る実装構造体の製造方法を用いて作製されたものであり、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２と、電子部品２がバンプ３を介してフリップチップ実装された配線基板４と、を含んでいる。
【００１３】
電子部品２は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。この電子部品２は、各方向への熱膨張率が例えば３ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００１４】
なお、電子部品２の熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いてＪＩＳＫ７１９７‐１９９１に準じた測定方法により測定される。以下、各部材の熱膨張率は、電子部品２と同様に測定される。
【００１５】
バンプ３は、例えば鉛、錫、銀、金、銅、亜鉛、ビスマス、インジウム又はアルミニウム等を含む半田等の導電材料により構成されている。
【００１６】
配線基板４は、コア基板５とコア基板５の上下に形成された一対の配線層６とを含んでいる。
【００１７】
コア基板５は、配線基板４の強度を高めるものであり、基体７と、該基体７を厚み方向に貫通する筒状のスルーホール導体８と、該スルーホール導体８の内部に配された柱状の絶縁体９と、を含んでいる。
【００１８】
基体７は、コア基板５の主要部をなして剛性を高めるものであり、樹脂材料と、樹脂材料により被覆された基材と、該樹脂材料内に含有された無機絶縁フィラーと、を含んでい
る。この基体７は、厚みが例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定され、平面方向への熱膨張率が例えば５ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が例えば１５ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定され、ヤング率が例えば５ＧＰａ以上３０ＧＰａ以下に設定されている。
【００１９】
なお、基体７の厚みは、基体７を厚み方向（Ｚ方向）に沿って切断し、その切断面を走査型電子顕微鏡で観察し、厚み方向に沿った長さを測定し、その平均値を算出することにより測定される。また、基体７のヤング率は、ＭＴＳシステムズ社製Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔｏｒ ＸＰ／ＤＣＭを用いて測定される。以下、各部材の熱膨張率は、基体７と同様に測定される。
【００２０】
基体７に含まれた樹脂材料は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等により形成されたものを使用することができる。
【００２１】
基体７に含まれた基材は、繊維により構成された織布若しくは不織布又は繊維を一方向に配列したものを使用することができる。繊維としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維又は金属繊維等を使用することができる。
【００２２】
基体７に含まれた無機絶縁フィラーは、基体７を高剛性及び低熱膨張にするものであり、例えば無機絶縁粒子により形成されている。該無機絶縁粒子は、例えば酸化ケイ素を含むものを用いることができ、各方向への熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下に設定され、ヤング率が例えば２０ＧＰａ以上３０ＧＰａ以下に設定されている。
【００２３】
スルーホール導体８は、コア基板５の上下の配線層６を電気的に接続するものであり、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料により形成されたものを使用することができる。
【００２４】
絶縁体９は、後述するビア導体１３の支持面を形成するものであり、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。
【００２５】
一方、コア基板５の上下には、上述した如く、一対の配線層６が形成されている。配線層６は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、複数の絶縁層１０と、基体７上及び絶縁層１０上に配されて厚み方向に互いに離間し、且つ絶縁層１０上にて平面方向に互いに離間する複数の導電層１１と、該導電層１１と絶縁層１０との間に介された金属層１２と、絶縁層１０を貫通するビア導体１３と、を含んでいる。
【００２６】
絶縁層１０は、導電層１１を支持する支持部材として機能するだけでなく、導電層１１同士の短絡を防ぐ絶縁部材として機能するものであり、第１樹脂層１０ａと、該第１樹脂層１０ａよりもコア基板５側に配された第２樹脂層１０ｂと、を有する。この絶縁層１０は、厚みが例えば５μｍ以上４０μｍ以下に設定されている。
【００２７】
第１樹脂層１０ａは、第２樹脂層１０ｂよりもヤング率が高いとともに平面方向の熱膨張率が小さく、絶縁層１０の剛性を高めるとともに平面方向における熱膨張率を低減するものであり、樹脂材料と該樹脂材料内に含有された無機絶縁フィラーとを含んでいる。また、第１樹脂層１０ａは、平板状に形成されており、コア基板５側の一主面にて、第２樹脂層１０ｂに当接し、他主面にて、複数の導電層１１に当接するとともに、該複数の導電
層の間の領域で他の絶縁層１０に含まれる第２樹脂層１０ｂに当接する。この第１樹脂層１０ａは、厚みが例えば２μｍ上２０μｍ以下に設定され、平面方向への熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定され、ヤング率が例えば２．５ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下に設定されている。
【００２８】
第１樹脂層１０ａに含まれた樹脂材料は、ポリイミド樹脂を用いる。このようにポリイミド樹脂を用いることにより、第１樹脂層１０ａを高剛性及び低熱膨張率にすることができる。このポリイミド樹脂は、イミド環を有する分子を含む樹脂材料を用いることができる。また、ポリイミド樹脂は、各樹脂分子鎖の長手方向が第１樹脂層１０ａの平面方向に平行である構造を有するフィルム状であることが望ましい。その結果、平面方向への熱膨張率を小さくすることができる。
【００２９】
第１樹脂層１０ａに含まれた無機絶縁フィラーは、例えば酸化ケイ素等の無機絶縁材料を含む無機絶縁粒子により形成することができ、該無機絶縁材料は、上述した基体７に含まれたものと同様のものを用いることができる。該無機絶縁粒子は、第１樹脂層１０ａの樹脂材料内における含有量が例えば０．５体積％以上３体積％以下に設定されている。
【００３０】
なお、第１樹脂層１０ａの樹脂材料内における無機絶縁粒子の含有量(体積％)は、第１樹脂層１０ａの切断面を電界放出型電子顕微鏡で撮影し、画像解析装置等を用いて、第１樹脂層１０ａの樹脂材料に対して無機絶縁粒子の占める面積比率（面積％）を１０箇所の断面にて測定し、その測定値の平均値を算出して含有量（体積％）とみなすことにより測定される。後述する第２樹脂層１０ｂの樹脂材料内における無機絶縁粒子の含有量は、第１樹脂層１０ａと同様に測定される。
【００３１】
第２樹脂層１０ｂは、第１樹脂層１０ａよりもヤング率が低く、厚み方向に隣接した第１樹脂層１０ａそれぞれに当接して該第１樹脂層１０ａ同士を接着するとともに、導電層１１の側面及び一主面に接着して導電層１１を固定するものであり、樹脂材料と該樹脂材料内に含有された無機絶縁フィラーとを含んでいる。この第２樹脂層１０ｂは、厚みが例えば２μｍ以上２０μｍ以下に設定され、各方向への熱膨張率が例えば１０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下に設定され、平面方向への熱膨張率が第１樹脂層１０ａの例えば２倍以上１００倍以下に設定され、ヤング率が例えば０．０５ＧＰａ以上０．５ＧＰａ以下に設定され、ヤング率が第１樹脂層１０ａの例えば０．０００５倍以上０．２倍以下に設定されている。
【００３２】
第２樹脂層１０ｂに含まれた樹脂材料は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、又はアミド樹脂等を用いることができる。
【００３３】
第２樹脂層１０ｂに含まれた無機絶縁フィラーは、例えば酸化ケイ素等の無機絶縁材料を含む無機絶縁粒子により形成することができ、該無機絶縁材料は、上述した基体７に含まれたものと同様のものを用いることができる。該無機絶縁粒子は、第２樹脂層１０ｂの樹脂材料内における含有量が例えば２０体積％以上３０体積％以下に設定されている。
【００３４】
導電層１１は、接地用配線、電力供給用配線又は信号用配線として機能するものであり、側面及び一主面が第２樹脂層１０ｂに当接されており、他主面が金属層１２に当接している。この導電層１１は、金属層１２よりも導電率が高く設定されており、高導電率である銅からなる金属材料により形成されたものを使用することができる。また、導電層１１は、厚みが例えば３μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。
【００３５】
また、導電層１１は、側面及び一主面に微細な凹凸が形成されている。その結果、第２
樹脂層１０ｂとの接着強度を高め、導電層１１と第２樹脂層１０ｂとの剥離を低減することにより、導電層１１の断線を低減することができる。この凹凸により、導電層１１の側面及び一主面の表面粗さは、Ｒａ（算術平均粗さ）が例えば０．１μｍ以上１μｍ以下に設定されている。なお、算術平均粗さは、ＩＳＯ４２８７：１９９７に準ずる。
【００３６】
また、導電層１１は、第１層領域１１ａと、該第１層領域１１ａ上に配され、結晶の粒塊が第１層領域１１ａよりも大きく、厚みが第１層領域１１ａよりも大きい第２層領域１１ｂを有している。この第１層領域１１ａは、厚みが例えば０．２μｍ以上１μｍ以下に設定されており、第２層領域１１ｂは、厚みが例えば２μｍ以上１９μｍ以下に設定されている。
【００３７】
なお、該第１層領域１１ａ及び第２層領域１１ｂは、導電層１１を厚み方向に沿って切断し、その切断面を、走査イオン顕微鏡を用いて観察することにより確認することができる。
【００３８】
金属層１２は、導電層１１及び第１樹脂層１０ａに当接されて、導電層１１と第１樹脂層１０ａとを接着するものである。この金属層１２は、チタン、モリブデン、クロム又はニッケルクロム合金からなる金属材料により形成されたものを使用することができる。このような金属材料は、第１樹脂層１０ａとの界面において、導電層１１を構成する銅と比較して、金属粒子がイオン化して遊離しにくいため、金属層１２と第１樹脂層１０ａとの接着強度を高めることができる。また、金属層１２は、厚みが例えば０．０３μｍ以上０．１μｍ以下に設定され、厚みが導電層１１の例えば０．００１５倍以上０．０３３倍以下に設定され、側面のＲａ（算術平均粗さ）が例えば０．０１μｍ以上０．５μｍ以下に設定されている。
【００３９】
ビア導体１３は、厚み方向に互いに離間した導電層１１同士を相互に接続するものであり、コア基板５に向って幅狭となる柱状に形成されている。ビア導体１３としては、例えば銅、チタン、モリブデン、クロム又はニッケルクロム合金等の金属材料により形成されたものを使用することができる。
【００４０】
かくして、上述した実装構造体１は、配線基板４を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品２を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。
【００４１】
次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図２から図７に基づいて説明する。
【００４２】
（１）図２（ａ）に示すように、コア基板５を準備する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００４３】
まず、例えば未硬化の樹脂シートを複数積層するとともに最外層に銅箔を積層し、該積層体を加熱加圧して硬化させることにより、基体７を作製する。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージ又はＢ‐ステージの状態である。次に、例えばドリル加工やレーザー加工等により、基体７を厚み方向に貫通したスルーホールを形成する。次に、例えば無電解めっき法、電気めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、スルーホールの内壁に導電材料を被着させて、スルーホール導体８を形成する。次に、スルーホール導体８の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体９を形成する。次に、導電材料を絶縁体９の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等により、銅箔をパターニングして導電層１１を形成する。
【００４４】
以上のようにして、コア基板５を作製することができる。
【００４５】
（２）図２（ｂ）及び（ｃ）に示すように、導電層１１上に絶縁層１０を形成し、該絶縁層１０にビア孔Ｖを形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００４６】
まず、未硬化の第２樹脂層１０ｂを介して、フィルム状の第１樹脂層１０ａを導電層１１上に配置した後、コア基板７、第２樹脂層１０ｂ及び第１樹脂層１０ａを加熱加圧して第２樹脂層１０ｂを硬化させることにより、導電層１１上に絶縁層１０を形成する。次に、例えばＹＡＧレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置により、絶縁層１０にビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖ内に導電層１１の少なくとも一部を露出させる。
【００４７】
（３）図３（ａ）に示すように、スパッタリング装置又は蒸着装置を用いて、第１樹脂層１０ａの露出した表面に金属層１２を被着させることにより、第１樹脂層１０ａの露出した表面を金属層１２で被覆する。
【００４８】
（４）図４（ｂ）に示すように、金属層１２上に導電層１１を部分的に複数形成するとともに、ビア孔Ｖ内にビア導体１３を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００４９】
まず、図３（ｂ）に示すように、スパッタリング装置又は蒸着装置を用いて、金属層１２の露出した表面に導電層１１の第１層領域１１ａを被着させる。次に、図４（ａ）に示すように、レジストを用いた電気めっき法により、第１層領域１１ａをシード層として第１層領域１１ａ上に第２層領域１１ｂを部分的に複数形成するとともに、ビア孔Ｖ内にビア導体１３を形成する。次に、図４（ｂ）に示すように、塩酸及び硫酸の混合液、過酸化水素水及び水酸化ナトリウム水溶液の混合液、塩化第２鉄水溶液又は塩化第２銅水溶液等を用いて、部分的に形成された第２層領域１１ｂをマスクとして第１層領域１１ａをエッチングすることにより、第１層領域１１ａ及び第２層領域１１ｂからなる導電層１１を複数形成するとともに、導電層１１同士の間に金属層１２を露出させる。
【００５０】
このように、スパッタリング装置又は蒸着装置を用いて第１層領域１１ａを形成することにより、めっき法を用いる場合と比較して、金属層１２の酸化を低減しつつ金属層１２上に第１層領域１１ａを形成することができるため、金属層１２と第１層領域１１ａとの密着強度を高めることができる。また、電気めっき法により第２層領域１１ｂを効率良く形成することができる。
【００５１】
（５）図５に示すように、アルカリ性の水溶液を用いて、導電層１１の表面を粗化する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００５２】
まず、塩化パラジウムを含む水溶液に、絶縁層１０、導電層１１及び金属層１２を浸漬させることにより、パラジウムが分散して配されるように、導電層１１の表面にパラジウムを付着させる。
【００５３】
次に、亜塩素酸ナトリウム及び水酸化ナトリウムを含むアルカリ性酸化剤の水溶液に、絶縁層１０、導電層１１及び金属層１２を浸漬させることにより、パラジウムを起点として導電層１１の露出した表面を部分的に酸化させ、該酸化により形成される酸化銅を結晶成長させることにより、酸化銅の針状結晶からなる凸部を導電層１１の側面及び上面に形成する。その結果、導電層１１表面に分散したパラジウムによって酸化反応の閾値を下げることができるため、導電層１１表面全体でより均一に酸化反応を開始させることができる。それ故、より均一で緻密な凸部を形成することができ、ひいては微細な凹凸を形成することができる。
【００５４】
ここで、本実施形態の配線基板４の製造方法においては、アルカリ性の水溶液による処理の際に、導電層１１同士の間において、絶縁層１０の第１樹脂層１０ａの表面が金属層
１２により被覆されている。その結果、金属層１２によって、アルカリ性の水溶液から第１樹脂層１０ａの表面が保護され、第１樹脂層１０ａに含まれるポリイミド樹脂とアルカリ性の水溶液との接触が抑制されるため、アルカリ性の水溶液による該ポリイミド樹脂のイミド環の加水分解が抑制される。したがって、該加水分解によるカルボキシル基の生成を抑制することにより、配線層同士の間における絶縁性を高めることができる。
【００５５】
また、該加水分解によるポリイミド樹脂の損傷を低減することにより、第１樹脂層１０
ａの剛性を維持することができる。また、該加水分解によるポリイミド樹脂の損傷を低減することにより、後述する（７）の工程にて第１樹脂層１０ａ上に第２樹脂層１０ｂを形成する際に、該第１樹脂層１０ａと該第２樹脂層１０ｂとの接着強度を高めることができる。
【００５６】
（６）図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、部分的に形成された導電層１１をマスクとして金属層１２をエッチングすることにより、金属層１２同士の間に第１樹脂層１０ａを露出させる。
【００５７】
ここで、金属層１２をエッチングする際には、導電層１１及び金属層１２の内、金属層１２を選択的にエッチングすることが望ましい。その結果、導電層１１表面の凹凸を維持しつつ、金属層１２をエッチングすることができる。
【００５８】
このような金属層１２の選択的なエッチングは、金属層１２がクロム又はニッケルクロム合金からなる場合には硫酸と塩酸との混合液を用いることにより、金属層１２がチタンからなる場合には水酸化ナトリウム水溶液と過酸化水素水との混合液を用いることにより、行うことができる。
【００５９】
（７）図７に示すように、上述した（２）乃至（６）の工程を繰り返すことにより、配線層６を形成し、配線基板４を作製することができる。
【００６０】
（８）配線基板４にバンプ３を介して電子部品２をフリップチップ実装することにより、図１に示す実装構造体１を作製することができる。
【００６１】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
【００６２】
例えば、上述した実施形態において、２層の絶縁層により配線層を形成した構成を例に説明したが、絶縁層は３層以上であっても構わない。
【００６３】
また、上述した実施形態において、基体として樹脂製のものを用いた構成を例に説明したが、基体としては、例えばセラミック製のものや金属板を樹脂で被覆したものを用いても構わない。
【００６４】
また、上述した実施形態の（２）の工程において、セミアディティブ法により導電層を形成した構成を例に説明したが、フルアディティブ法又はサブトラクティブ法により導電層を形成しても構わない。
【符号の説明】
【００６５】
１ 実装構造体
２ 電子部品
３ バンプ
４ 配線基板
５ コア基板
６ 配線層
７ 基体
８ スルーホール導体
９ 絶縁体
１０ 絶縁層
１０ａ 第１樹脂層
１０ｂ 第２樹脂層
１１ 導電層
１２ 金属層
１３ ビア導体
Ｖ ビア孔
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）等に使用される配線基板の製造方法及びその実装構造体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。
【０００３】
特許文献１には、下地層上にシード層を形成する工程と、該シード層上に銅めっき層を形成する工程と、該銅めっき層をマスクにして前記シード層をエッチングすることにより、配線層を得る工程と、アルカリ性の水溶液を用いて該配線層表面を粗化する工程と、を備えた配線基板の製造方法が記載されている。
【０００４】
ところで、特許文献１に記載された配線基板の製造方法において、下地層としてポリイミド樹脂を含む樹脂層を用いた場合、配線層表面の粗化に用いられるアルカリ性の水溶液によって、樹脂層表面に露出したポリイミド樹脂の樹脂分子に含まれるイミド環が加水分解されやすい。その結果、該加水分解によってカルボキシル基が生成されるため、配線層の導電材料がイオン化して該カルボキシル基と結合することにより、配線層同士の間にて絶縁性が低下しやすい。したがって、配線層同士が短絡しやすくなり、ひいては配線基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９‐２７７９０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応え配線基板の製造方法及びその実装構造体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態にかかる配線基板の製造方法は、ポリイミド樹脂を含む第１樹脂層の一主面を金属層で被覆する工程と、前記金属層上に部分的に複数の導電層を形成する工程と、アルカリ性の水溶液を用いて、前記導電層の表面を粗化する工程と、前記導電層の露出した表面を粗化する工程の後、前記第１樹脂層の一主面を露出させるために、平面視にて前記導電層同士の間に配された前記金属層の一部をエッチングする工程と、を備えている。
【０００８】
本発明の一形態にかかる実装構造体の製造方法は、上述した配線基板の製造方法により得られた配線基板に、電子部品を電気的に接続する工程を備えている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一形態にかかる配線基板の製造方法によれば、樹脂層表面に配されたポリイミド樹脂の樹脂分子に含まれるイミド環の加水分解を抑制することにより、導電層同士の間にて絶縁性を高め、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（ａ）は、本発明の一実施形態にかかる実装構造体を厚み方向に切断した断面図であり、図１（ｂ）は、図１に示した実装構造体のＲ１部分を拡大して示した断面図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図２（ｃ）は、図２（ｂ）に示した実装構造体のＲ２部分を拡大して示した断面図である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、図２（ｂ）のＲ２部分に相当する部分を拡大して示した断面図である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、図２（ｂ）のＲ２部分に相当する部分を拡大して示した断面図である。
【図５】図５は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、図２（ｂ）のＲ２部分に相当する部分を拡大して示した断面図である。
【図６】図６（ａ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示した実装構造体のＲ３部分を拡大して示した断面図である。
【図７】図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法を、該配線基板の製造方法を用いた実装構造体の製造方法を例に、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
図１（ａ）に示した実装構造体１は、本実施形態に係る実装構造体の製造方法を用いて作製されたものであり、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２と、電子部品２がバンプ３を介してフリップチップ実装された配線基板４と、を含んでいる。
【００１３】
電子部品２は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。この電子部品２は、各方向への熱膨張率が例えば３ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００１４】
なお、電子部品２の熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いてＪＩＳＫ７１９７‐１９９１に準じた測定方法により測定される。以下、各部材の熱膨張率は、電子部品２と同様に測定される。
【００１５】
バンプ３は、例えば鉛、錫、銀、金、銅、亜鉛、ビスマス、インジウム又はアルミニウム等を含む半田等の導電材料により構成されている。
【００１６】
配線基板４は、コア基板５とコア基板５の上下に形成された一対の配線層６とを含んでいる。
【００１７】
コア基板５は、配線基板４の強度を高めるものであり、基体７と、該基体７を厚み方向に貫通する筒状のスルーホール導体８と、該スルーホール導体８の内部に配された柱状の絶縁体９と、を含んでいる。
【００１８】
基体７は、コア基板５の主要部をなして剛性を高めるものであり、樹脂材料と、樹脂材料により被覆された基材と、該樹脂材料内に含有された無機絶縁フィラーと、を含んでい
る。この基体７は、厚みが例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定され、平面方向への熱膨張率が例えば５ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が例えば１５ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定され、ヤング率が例えば５ＧＰａ以上３０ＧＰａ以下に設定されている。
【００１９】
なお、基体７の厚みは、基体７を厚み方向（Ｚ方向）に沿って切断し、その切断面を走査型電子顕微鏡で観察し、厚み方向に沿った長さを測定し、その平均値を算出することにより測定される。また、基体７のヤング率は、ＭＴＳシステムズ社製Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔｏｒ ＸＰ／ＤＣＭを用いて測定される。以下、各部材の熱膨張率は、基体７と同様に測定される。
【００２０】
基体７に含まれた樹脂材料は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等により形成されたものを使用することができる。
【００２１】
基体７に含まれた基材は、繊維により構成された織布若しくは不織布又は繊維を一方向に配列したものを使用することができる。繊維としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維又は金属繊維等を使用することができる。
【００２２】
基体７に含まれた無機絶縁フィラーは、基体７を高剛性及び低熱膨張にするものであり、例えば無機絶縁粒子により形成されている。該無機絶縁粒子は、例えば酸化ケイ素を含むものを用いることができ、各方向への熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下に設定され、ヤング率が例えば２０ＧＰａ以上３０ＧＰａ以下に設定されている。
【００２３】
スルーホール導体８は、コア基板５の上下の配線層６を電気的に接続するものであり、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料により形成されたものを使用することができる。
【００２４】
絶縁体９は、後述するビア導体１３の支持面を形成するものであり、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。
【００２５】
一方、コア基板５の上下には、上述した如く、一対の配線層６が形成されている。配線層６は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、複数の絶縁層１０と、基体７上及び絶縁層１０上に配されて厚み方向に互いに離間し、且つ絶縁層１０上にて平面方向に互いに離間する複数の導電層１１と、該導電層１１と絶縁層１０との間に介された金属層１２と、絶縁層１０を貫通するビア導体１３と、を含んでいる。
【００２６】
絶縁層１０は、導電層１１を支持する支持部材として機能するだけでなく、導電層１１同士の短絡を防ぐ絶縁部材として機能するものであり、第１樹脂層１０ａと、該第１樹脂層１０ａよりもコア基板５側に配された第２樹脂層１０ｂと、を有する。この絶縁層１０は、厚みが例えば５μｍ以上４０μｍ以下に設定されている。
【００２７】
第１樹脂層１０ａは、第２樹脂層１０ｂよりもヤング率が高いとともに平面方向の熱膨張率が小さく、絶縁層１０の剛性を高めるとともに平面方向における熱膨張率を低減するものであり、樹脂材料と該樹脂材料内に含有された無機絶縁フィラーとを含んでいる。また、第１樹脂層１０ａは、平板状に形成されており、コア基板５側の一主面にて、第２樹脂層１０ｂに当接し、他主面にて、複数の導電層１１に当接するとともに、該複数の導電
層の間の領域で他の絶縁層１０に含まれる第２樹脂層１０ｂに当接する。この第１樹脂層１０ａは、厚みが例えば２μｍ上２０μｍ以下に設定され、平面方向への熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定され、ヤング率が例えば２．５ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下に設定されている。
【００２８】
第１樹脂層１０ａに含まれた樹脂材料は、ポリイミド樹脂を用いる。このようにポリイミド樹脂を用いることにより、第１樹脂層１０ａを高剛性及び低熱膨張率にすることができる。このポリイミド樹脂は、イミド環を有する分子を含む樹脂材料を用いることができる。また、ポリイミド樹脂は、各樹脂分子鎖の長手方向が第１樹脂層１０ａの平面方向に平行である構造を有するフィルム状であることが望ましい。その結果、平面方向への熱膨張率を小さくすることができる。
【００２９】
第１樹脂層１０ａに含まれた無機絶縁フィラーは、例えば酸化ケイ素等の無機絶縁材料を含む無機絶縁粒子により形成することができ、該無機絶縁材料は、上述した基体７に含まれたものと同様のものを用いることができる。該無機絶縁粒子は、第１樹脂層１０ａの樹脂材料内における含有量が例えば０．５体積％以上３体積％以下に設定されている。
【００３０】
なお、第１樹脂層１０ａの樹脂材料内における無機絶縁粒子の含有量(体積％)は、第１樹脂層１０ａの切断面を電界放出型電子顕微鏡で撮影し、画像解析装置等を用いて、第１樹脂層１０ａの樹脂材料に対して無機絶縁粒子の占める面積比率（面積％）を１０箇所の断面にて測定し、その測定値の平均値を算出して含有量（体積％）とみなすことにより測定される。後述する第２樹脂層１０ｂの樹脂材料内における無機絶縁粒子の含有量は、第１樹脂層１０ａと同様に測定される。
【００３１】
第２樹脂層１０ｂは、第１樹脂層１０ａよりもヤング率が低く、厚み方向に隣接した第１樹脂層１０ａそれぞれに当接して該第１樹脂層１０ａ同士を接着するとともに、導電層１１の側面及び一主面に接着して導電層１１を固定するものであり、樹脂材料と該樹脂材料内に含有された無機絶縁フィラーとを含んでいる。この第２樹脂層１０ｂは、厚みが例えば２μｍ以上２０μｍ以下に設定され、各方向への熱膨張率が例えば１０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下に設定され、平面方向への熱膨張率が第１樹脂層１０ａの例えば２倍以上１００倍以下に設定され、ヤング率が例えば０．０５ＧＰａ以上０．５ＧＰａ以下に設定され、ヤング率が第１樹脂層１０ａの例えば０．０００５倍以上０．２倍以下に設定されている。
【００３２】
第２樹脂層１０ｂに含まれた樹脂材料は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、又はアミド樹脂等を用いることができる。
【００３３】
第２樹脂層１０ｂに含まれた無機絶縁フィラーは、例えば酸化ケイ素等の無機絶縁材料を含む無機絶縁粒子により形成することができ、該無機絶縁材料は、上述した基体７に含まれたものと同様のものを用いることができる。該無機絶縁粒子は、第２樹脂層１０ｂの樹脂材料内における含有量が例えば２０体積％以上３０体積％以下に設定されている。
【００３４】
導電層１１は、接地用配線、電力供給用配線又は信号用配線として機能するものであり、側面及び一主面が第２樹脂層１０ｂに当接されており、他主面が金属層１２に当接している。この導電層１１は、金属層１２よりも導電率が高く設定されており、高導電率である銅からなる金属材料により形成されたものを使用することができる。また、導電層１１は、厚みが例えば３μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。
【００３５】
また、導電層１１は、側面及び一主面に微細な凹凸が形成されている。その結果、第２
樹脂層１０ｂとの接着強度を高め、導電層１１と第２樹脂層１０ｂとの剥離を低減することにより、導電層１１の断線を低減することができる。この凹凸により、導電層１１の側面及び一主面の表面粗さは、Ｒａ（算術平均粗さ）が例えば０．１μｍ以上１μｍ以下に設定されている。なお、算術平均粗さは、ＩＳＯ４２８７：１９９７に準ずる。
【００３６】
また、導電層１１は、第１層領域１１ａと、該第１層領域１１ａ上に配され、結晶の粒塊が第１層領域１１ａよりも大きく、厚みが第１層領域１１ａよりも大きい第２層領域１１ｂを有している。この第１層領域１１ａは、厚みが例えば０．２μｍ以上１μｍ以下に設定されており、第２層領域１１ｂは、厚みが例えば２μｍ以上１９μｍ以下に設定されている。
【００３７】
なお、該第１層領域１１ａ及び第２層領域１１ｂは、導電層１１を厚み方向に沿って切断し、その切断面を、走査イオン顕微鏡を用いて観察することにより確認することができる。
【００３８】
金属層１２は、導電層１１及び第１樹脂層１０ａに当接されて、導電層１１と第１樹脂層１０ａとを接着するものである。この金属層１２は、チタン、モリブデン、クロム又はニッケルクロム合金からなる金属材料により形成されたものを使用することができる。このような金属材料は、第１樹脂層１０ａとの界面において、導電層１１を構成する銅と比較して、金属粒子がイオン化して遊離しにくいため、金属層１２と第１樹脂層１０ａとの接着強度を高めることができる。また、金属層１２は、厚みが例えば０．０３μｍ以上０．１μｍ以下に設定され、厚みが導電層１１の例えば０．００１５倍以上０．０３３倍以下に設定され、側面のＲａ（算術平均粗さ）が例えば０．０１μｍ以上０．５μｍ以下に設定されている。
【００３９】
ビア導体１３は、厚み方向に互いに離間した導電層１１同士を相互に接続するものであり、コア基板５に向って幅狭となる柱状に形成されている。ビア導体１３としては、例えば銅、チタン、モリブデン、クロム又はニッケルクロム合金等の金属材料により形成されたものを使用することができる。
【００４０】
かくして、上述した実装構造体１は、配線基板４を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品２を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。
【００４１】
次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図２から図７に基づいて説明する。
【００４２】
（１）図２（ａ）に示すように、コア基板５を準備する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００４３】
まず、例えば未硬化の樹脂シートを複数積層するとともに最外層に銅箔を積層し、該積層体を加熱加圧して硬化させることにより、基体７を作製する。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージ又はＢ‐ステージの状態である。次に、例えばドリル加工やレーザー加工等により、基体７を厚み方向に貫通したスルーホールを形成する。次に、例えば無電解めっき法、電気めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、スルーホールの内壁に導電材料を被着させて、スルーホール導体８を形成する。次に、スルーホール導体８の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体９を形成する。次に、導電材料を絶縁体９の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等により、銅箔をパターニングして導電層１１を形成する。
【００４４】
以上のようにして、コア基板５を作製することができる。
【００４５】
（２）図２（ｂ）及び（ｃ）に示すように、導電層１１上に絶縁層１０を形成し、該絶縁層１０にビア孔Ｖを形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００４６】
まず、未硬化の第２樹脂層１０ｂを介して、フィルム状の第１樹脂層１０ａを導電層１１上に配置した後、コア基板７、第２樹脂層１０ｂ及び第１樹脂層１０ａを加熱加圧して第２樹脂層１０ｂを硬化させることにより、導電層１１上に絶縁層１０を形成する。次に、例えばＹＡＧレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置により、絶縁層１０にビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖ内に導電層１１の少なくとも一部を露出させる。
【００４７】
（３）図３（ａ）に示すように、スパッタリング装置又は蒸着装置を用いて、第１樹脂層１０ａの露出した表面に金属層１２を被着させることにより、第１樹脂層１０ａの露出した表面を金属層１２で被覆する。
【００４８】
（４）図４（ｂ）に示すように、金属層１２上に導電層１１を部分的に複数形成するとともに、ビア孔Ｖ内にビア導体１３を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００４９】
まず、図３（ｂ）に示すように、スパッタリング装置又は蒸着装置を用いて、金属層１２の露出した表面に導電層１１の第１層領域１１ａを被着させる。次に、図４（ａ）に示すように、レジストを用いた電気めっき法により、第１層領域１１ａをシード層として第１層領域１１ａ上に第２層領域１１ｂを部分的に複数形成するとともに、ビア孔Ｖ内にビア導体１３を形成する。次に、図４（ｂ）に示すように、塩酸及び硫酸の混合液、過酸化水素水及び水酸化ナトリウム水溶液の混合液、塩化第２鉄水溶液又は塩化第２銅水溶液等を用いて、部分的に形成された第２層領域１１ｂをマスクとして第１層領域１１ａをエッチングすることにより、第１層領域１１ａ及び第２層領域１１ｂからなる導電層１１を複数形成するとともに、導電層１１同士の間に金属層１２を露出させる。
【００５０】
このように、スパッタリング装置又は蒸着装置を用いて第１層領域１１ａを形成することにより、めっき法を用いる場合と比較して、金属層１２の酸化を低減しつつ金属層１２上に第１層領域１１ａを形成することができるため、金属層１２と第１層領域１１ａとの密着強度を高めることができる。また、電気めっき法により第２層領域１１ｂを効率良く形成することができる。
【００５１】
（５）図５に示すように、アルカリ性の水溶液を用いて、導電層１１の表面を粗化する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００５２】
まず、塩化パラジウムを含む水溶液に、絶縁層１０、導電層１１及び金属層１２を浸漬させることにより、パラジウムが分散して配されるように、導電層１１の表面にパラジウムを付着させる。
【００５３】
次に、亜塩素酸ナトリウム及び水酸化ナトリウムを含むアルカリ性酸化剤の水溶液に、絶縁層１０、導電層１１及び金属層１２を浸漬させることにより、パラジウムを起点として導電層１１の露出した表面を部分的に酸化させ、該酸化により形成される酸化銅を結晶成長させることにより、酸化銅の針状結晶からなる凸部を導電層１１の側面及び上面に形成する。その結果、導電層１１表面に分散したパラジウムによって酸化反応の閾値を下げることができるため、導電層１１表面全体でより均一に酸化反応を開始させることができる。それ故、より均一で緻密な凸部を形成することができ、ひいては微細な凹凸を形成することができる。
【００５４】
ここで、本実施形態の配線基板４の製造方法においては、アルカリ性の水溶液による処理の際に、導電層１１同士の間において、絶縁層１０の第１樹脂層１０ａの表面が金属層
１２により被覆されている。その結果、金属層１２によって、アルカリ性の水溶液から第１樹脂層１０ａの表面が保護され、第１樹脂層１０ａに含まれるポリイミド樹脂とアルカリ性の水溶液との接触が抑制されるため、アルカリ性の水溶液による該ポリイミド樹脂のイミド環の加水分解が抑制される。したがって、該加水分解によるカルボキシル基の生成を抑制することにより、配線層同士の間における絶縁性を高めることができる。
【００５５】
また、該加水分解によるポリイミド樹脂の損傷を低減することにより、第１樹脂層１０
ａの剛性を維持することができる。また、該加水分解によるポリイミド樹脂の損傷を低減することにより、後述する（７）の工程にて第１樹脂層１０ａ上に第２樹脂層１０ｂを形成する際に、該第１樹脂層１０ａと該第２樹脂層１０ｂとの接着強度を高めることができる。
【００５６】
（６）図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、部分的に形成された導電層１１をマスクとして金属層１２をエッチングすることにより、金属層１２同士の間に第１樹脂層１０ａを露出させる。
【００５７】
ここで、金属層１２をエッチングする際には、導電層１１及び金属層１２の内、金属層１２を選択的にエッチングすることが望ましい。その結果、導電層１１表面の凹凸を維持しつつ、金属層１２をエッチングすることができる。
【００５８】
このような金属層１２の選択的なエッチングは、金属層１２がクロム又はニッケルクロム合金からなる場合には硫酸と塩酸との混合液を用いることにより、金属層１２がチタンからなる場合には水酸化ナトリウム水溶液と過酸化水素水との混合液を用いることにより、行うことができる。
【００５９】
（７）図７に示すように、上述した（２）乃至（６）の工程を繰り返すことにより、配線層６を形成し、配線基板４を作製することができる。
【００６０】
（８）配線基板４にバンプ３を介して電子部品２をフリップチップ実装することにより、図１に示す実装構造体１を作製することができる。
【００６１】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
【００６２】
例えば、上述した実施形態において、２層の絶縁層により配線層を形成した構成を例に説明したが、絶縁層は３層以上であっても構わない。
【００６３】
また、上述した実施形態において、基体として樹脂製のものを用いた構成を例に説明したが、基体としては、例えばセラミック製のものや金属板を樹脂で被覆したものを用いても構わない。
【００６４】
また、上述した実施形態の（２）の工程において、セミアディティブ法により導電層を形成した構成を例に説明したが、フルアディティブ法又はサブトラクティブ法により導電層を形成しても構わない。
【符号の説明】
【００６５】
１ 実装構造体
２ 電子部品
３ バンプ
４ 配線基板
５ コア基板
６ 配線層
７ 基体
８ スルーホール導体
９ 絶縁体
１０ 絶縁層
１０ａ 第１樹脂層
１０ｂ 第２樹脂層
１１ 導電層
１２ 金属層
１３ ビア導体
Ｖ ビア孔
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミド樹脂を含む第１樹脂層の一主面を金属層で被覆する工程と、
前記金属層上に部分的に複数の導電層を形成する工程と、
アルカリ性の水溶液を用いて、前記導電層の表面を粗化する工程と、
前記導電層の露出した表面を粗化する工程の後、前記第１樹脂層の一主面を露出させるために、平面視にて前記導電層同士の間に配された前記金属層の一部をエッチングする工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記第１樹脂層の一主面を前記金属層で被覆する工程は、
スパッタリング法または蒸着法を用いて、前記金属層を形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の配線基板の製造方法において、
前記導電層は、第１層領域と、該第１層領域上に配された第２層領域と、を有しており、
前記導電層を形成する工程は、
スパッタリング法または蒸着法を用いて、前記金属層の一主面を前記第１層領域で被覆する工程と、
電解めっき法を用いて、前記第１層領域上に前記第２層領域を複数形成する工程と、
平面視にて前記第２層領域同士の間に配された前記第１層領域の一部をエッチングする工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記金属層の一部をエッチングする工程は、
前記導電層をエッチングせずに、前記金属層をエッチングする工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記第１樹脂層の露出した表面に当接する第２樹脂層を形成する工程を更に備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記金属層は、チタン、モリブデン、クロムまたはニッケルクロム合金からなり、
前記導電層は、銅からなる、
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板の製造方法により得られた配線基板に、電子部品を電気的に接続する工程を備えることを特徴とする実装構造体の製造方法。
【請求項１】
ポリイミド樹脂を含む第１樹脂層の一主面を金属層で被覆する工程と、
前記金属層上に部分的に複数の導電層を形成する工程と、
アルカリ性の水溶液を用いて、前記導電層の表面を粗化する工程と、
前記導電層の露出した表面を粗化する工程の後、前記第１樹脂層の一主面を露出させるために、平面視にて前記導電層同士の間に配された前記金属層の一部をエッチングする工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記第１樹脂層の一主面を前記金属層で被覆する工程は、
スパッタリング法または蒸着法を用いて、前記金属層を形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の配線基板の製造方法において、
前記導電層は、第１層領域と、該第１層領域上に配された第２層領域と、を有しており、
前記導電層を形成する工程は、
スパッタリング法または蒸着法を用いて、前記金属層の一主面を前記第１層領域で被覆する工程と、
電解めっき法を用いて、前記第１層領域上に前記第２層領域を複数形成する工程と、
平面視にて前記第２層領域同士の間に配された前記第１層領域の一部をエッチングする工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記金属層の一部をエッチングする工程は、
前記導電層をエッチングせずに、前記金属層をエッチングする工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記第１樹脂層の露出した表面に当接する第２樹脂層を形成する工程を更に備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記金属層は、チタン、モリブデン、クロムまたはニッケルクロム合金からなり、
前記導電層は、銅からなる、
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板の製造方法により得られた配線基板に、電子部品を電気的に接続する工程を備えることを特徴とする実装構造体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−２４９７８５（Ｐ２０１１−２４９７８５Ａ）
【公開日】平成２３年１２月８日（２０１１．１２．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９９２０８（Ｐ２０１１−９９２０８）
【出願日】平成２３年４月２７日（２０１１．４．２７）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月８日（２０１１．１２．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月２７日（２０１１．４．２７）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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