配線基板
【課題】 配線基板の貫通導体と、貫通導体の導出部に接続されるプローブピンやワイヤなどの部材との接続を強固に保ち、信頼性の高い配線基板を提供すること。
【解決手段】 絶縁基板２上に、配線導体４と絶縁層３とを順次形成するとともに、絶縁層３中に、配線導体４と電気的に接続される貫通導体５を、上端が絶縁層３の上面側に導出するように形成してなる配線基板において、貫通導体５の表面および内部の少なくとも一方に、貫通導体５よりもヤング率の高い支持部材６を形成した。
【解決手段】 絶縁基板２上に、配線導体４と絶縁層３とを順次形成するとともに、絶縁層３中に、配線導体４と電気的に接続される貫通導体５を、上端が絶縁層３の上面側に導出するように形成してなる配線基板において、貫通導体５の表面および内部の少なくとも一方に、貫通導体５よりもヤング率の高い支持部材６を形成した。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板に関し、より詳細には半導体素子集積回路素子を収容する半導体素子収納用パッケージや、半導体集積回路等の電気的特性を一括して測定検査するためのプローブカード等に用いられる配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、配線基板は半導体装置やプローブカード等に用いられている。
【０００３】
半導体装置は、半導体素子がワイヤーボンディングやフリップチップ方式によって配線基板表面の配線導体に電気的に接続され、その後、半導体素子が樹脂封止された状態で、または、半導体素子が配線基板と枠体と蓋体とからなる容器内に収納封止された状態で、外部の回路基板等に実装されている。
【０００４】
また、プローブカードは、表面に複数のプローブ電極を有する配線基板で形成され、ワイヤ状のプローブをワイヤーボンディング法を用いて複数のプローブ電極に接続することにより形成されている。このようなプローブカードは、半導体ウェハ上に形成されている複数のチップに形成された電極にプローブピンを接触させることにより、一括してバーンイン等の検査を行うことができるものである。
【０００５】
近年、半導体素子収納用パッケージやプローブカード等に使われる配線基板の構成は、プリント配線板から、基板の上面に薄膜の絶縁層と配線導体層とから成る多層配線部を形成したビルドアップ方式の配線基板へと移り変わってきている。
【０００６】
従来のプローブカード等に用いられる配線基板を図４に示す。図４において、１１は配線基板、１２は絶縁基板、１３は絶縁層（１３ａを第１の絶縁層、１３ｂを第２の絶縁層とする）、１４は配線導体層（１４ａを第１の配線導体、１４ｂを第２の配線導体とする）、１５は貫通導体、１５ａは貫通導体の導出部、１７はプローブピンを示す。
【０００７】
この配線基板１１は、絶縁基板１２の上面に配線導体１４と絶縁層１３とから成る多層配線部を有しており、貫通導体１５は配線導体１４を絶縁層１３の最上層に位置する第２の絶縁層１３ｂの上面に導出している。そして、プローブピン１７と貫通導体の導出部15ａとが接続されることによって、配線基板１１とプローブピン１７とが電気的に接続された配線基板となる。
【特許文献１】特開平１１−１６０３５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、プローブカードにおいて、プローブピンを配線基板に接続する際には、一般的にワイヤーボンディング技術を用い、また、半導体装置において、半導体素子を配線基板に接続する際にはワイヤーボンディング法やフリップチップボンディング法を用いる。
【０００９】
しかしながら、プローブカードの場合、ワイヤーボンディング法を用いて、ワイヤ状のプローブピン１７を貫通導体の導出部１５ａに接続する際には、高温状態で加重をかけながら貫通導体の導出部１５ａにプローブピン１７を擦りつけ接着させるため、上記従来の配線基板では、貫通導体１５下方に位置する樹脂から成る絶縁層１３ａが熱の影響により柔らかくなって貫通導体１５が変形し、貫通導体の導出部１５ａが絶縁層１３の内方へ沈み込むという問題があった。また、接続時にプローブピン１７を貫通導体の導出部１５ａに押し付ける際に負荷をかけるため、貫通導体１５が変形して絶縁層１３の内方へさらに押し込まれるという問題があった。この結果、プローブピン１７と貫通導体の導出部１５ａとがボンディングされる接続強度が弱くなり、プローブピン１７と貫通導体の導出部１５ａとの接続を強固に維持できないという問題があった。
【００１０】
また、半導体装置の場合においても、半導体素子の電極に電気的に接続されたワイヤをワイヤーボンディング法によって貫通導体の導出部１５ａに接続する際、ワイヤ状のプローブピン１７を貫通導体の導出部１５ａに接続する場合と同様、接続時の熱や押し付けの負荷により、ワイヤと貫通導体の導出部１５ａとの接続を強固に維持できないという問題が生じていた。
【００１１】
また、半導体素子の電極をフリップチップボンディング法で貫通導体１５に接続する場合にも、半導体素子に形成したバンプを貫通導体の導出部１５ａに接続する際に熱をかけて接続する。このため、貫通導体１５下方に位置する樹脂からなる絶縁層１３ａが熱の影響により柔らかくなって貫通導体１５が変形し、その結果ボンディング時に熱膨張による歪みが生じ、接続の信頼性を高く保てないという問題もあった。
【００１２】
従って、本発明は上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、貫通導体と、貫通導体の導出部に接続されるプローブピンなどの部材との接続を強固に保ち、高信頼性を有する配線基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の配線基板は、絶縁基板上に、配線導体と絶縁層とを順次形成するとともに、該絶縁層中に、前記配線導体と電気的に接続される貫通導体を、上端が前記絶縁層の上面側に導出するように形成してなる配線基板において、前記貫通導体の表面および内部の少なくとも一方に、前記貫通導体よりもヤング率の高い支持部材を形成したことを特徴とする。
【００１４】
本発明の配線基板において好ましくは、前記支持部材を前記絶縁層の層方向に略平行となるよう層状に形成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の配線基板は、貫通導体の表面および内部の少なくとも一方に、貫通導体よりもヤング率の高い支持部材を形成したことにより、貫通導体と、貫通導体の導出部に接続されるプローブピンやワイヤ、バンプ等の部材との接続を強固に維持することができる。例えば、ワイヤーボンディング技術を用いてワイヤ状のプローブ等を貫通導体の導出部に接続する場合、高温状態でワイヤ状のプローブ等に加重をかけ、ワイヤ状のプローブ等を貫通導体の導出部に押し付ける。この時、押し付けられる力や熱によって貫通導体が絶縁層の内方へ沈み込もうとしても、貫通導体よりもヤング率の高い支持部材により貫通導体の変形を抑制することができる。この結果、熱で絶縁層が柔らかくなり、貫通導体が変形して生じる貫通導体の沈み込みや、プローブ等が貫通導体の導出部に押し付けられる負荷によって生じる貫通導体の沈み込みはともに抑制され、プローブ等を貫通導体の導出部に接続するための加重を十分に貫通導体の導出部に加えて接触させることができる。よって、貫通導体の沈み込みを抑制し、プローブ等と貫通導体の導出部とを大きな接続強度で接続できる配線基板とすることができる。
【００１６】
また、例えば、半導体素子等を貫通導体の導出部にワイヤーボンディング法を用いて接続する場合にも同様の効果が得られる。すなわち、従来では半導体素子等を貫通導体の導出部にワイヤーボンディングすると、貫通導体が絶縁体の内方へ沈み込み、半導体素子の電極に電気的に接続されたワイヤと貫通導体とを強い接着強度で接続することができなかったが、本発明では貫通導体の表面および内部の少なくとも一方に貫通導体よりもヤング率の高い支持部材を設けたことにより、貫通導体の変形を抑制できる。よって、半導体素子の電極等と貫通導体の導出部とをボンディングするワイヤによって加重される力が貫通導体に十分伝わり、半導体素子の電極等と貫通導体とを強い強度で接着することができる。
【００１７】
また、半導体素子等をフリップチップ技術を用いて貫通導体に接続する際に、熱によって貫通導体下方に位置する樹脂からなる絶縁層が柔らかくなったとしても、貫通導体よりもヤング率の高い支持部材によって貫通導体の変形を抑制できる。よって、ボンディング時に従来生じていた熱膨張による歪みを抑制でき、半導体素子の電極等との接続の信頼性を高く保つことができる配線基板とすることができる。
【００１８】
本発明の配線基板は、支持部材を絶縁層の層方向に略平行となるよう層状に形成したことにより、たとえ貫通導体に接続されるプローブピンや半導体素子が位置ズレを起こし、プローブピンや半導体素子によって貫通導体に加えられる負荷の位置が変わっても、負荷が加わることによって生じる貫通導体の沈み込みを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面に基づいて本発明の多層配線基板を詳細に説明する。
【００２０】
図１は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。図１において、１は配線基板、２は絶縁基板、３は絶縁層（３ａを第１の絶縁層、３ｂを第２の絶縁層とする）、４は配線導体層（４ａを第１の配線導体層、４ｂを第２の配線導体層とする）、５は貫通導体、５ａは貫通導体の導出部、６は支持部材、７はプローブピンである。
【００２１】
図１の配線基板は、絶縁基板２上に、配線導体４と、絶縁層３とを順次形成し、絶縁層３中に、配線導体層４と電気的に接続される貫通導体５を、上端が絶縁層３の上面側に導出するように形成しており、貫通導体５の表面および内部の少なくとも一方に、貫通導体５よりもヤング率の高い支持部材６を形成している。
【００２２】
絶縁基板２は、その上面に絶縁層３と配線導体層４とを多層に積層した多層配線部が配設されており、この多層配線部を支持する支持体として機能する。
【００２３】
絶縁基板２は、酸化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、ガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂、あるいはガラス繊維から成る基材にビスマレイミドトリアジン樹脂を含浸させたもの等の電気絶縁材料で形成されている。なお、非酸化物系セラミックスの表面には酸化物が形成されていてもよい。
【００２４】
絶縁基板２が、例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合には、アルミナ，シリカ，カルシア，マグネシア等の原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれをドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温（約１６００℃）で焼成することによって製作される。あるいは、アルミナ等の原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して原料粉末を調製するとともにこの原料粉末をプレス成形機によって所定形状に成形し、最後にこの成形体を高温（約１６００℃）で焼成することによって製作される。また、ガラスエポキシ樹脂から成る場合は、例えばガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって製作される。
【００２５】
また、絶縁基板２には、その上面に複数の絶縁層３と配線導体層４とを多層に積層した多層配線部が配設されている。絶縁層３は上下に位置する配線導体層４を電気的に絶縁し、配線導体層４は電気信号を伝達するための伝達路として機能する。
【００２６】
多層配線部の絶縁層３は、例えば、絶縁フィルム層と絶縁性接着剤層とから構成されており、絶縁フィルム層はポリイミド樹脂，ポリフェニレンサルファイド樹脂，全芳香族ポリエステル樹脂，フッ素樹脂等から成る。また、絶縁性接着剤層はシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂，シロキサン変性ポリイミド樹脂，ポリイミド樹脂,ビスマレイミドトリアジン樹脂等から成る。
【００２７】
絶縁層３は、例えば、まず１２．５〜５０μｍ程度の絶縁フィルムに絶縁性接着剤をドクターブレード法等を用いて乾燥厚みで５〜２０μｍ程度に塗布し乾燥させたものを準備し、次に、絶縁性接着剤を塗布した絶縁フィルム層を積み重ね、加熱プレス装置を用いて加熱加圧し接着することによって得られる。
【００２８】
また、絶縁層３に用いられる絶縁フィルム層と絶縁性接着剤層の組み合わせは、例えば、絶縁フィルム層をポリイミド樹脂とし、絶縁性接着剤層をシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂とする組み合わせが挙げられる。シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂とポリイミド樹脂との接着性は良好であり、かつ耐熱性が高いため、多層配線基板をプリント基板等に実装する際の耐半田耐熱性等が良好なものとすることができる。
【００２９】
また、好ましくは絶縁フィルム層をポリイミド樹脂とし、絶縁性接着剤層を絶縁フィルム層よりも融点が低い熱可塑性のポリイミド樹脂とするのがよい。この場合、耐熱性がより高くなるとともに、絶縁フィルム層と絶縁性接着剤層の熱膨張係数差を小さくできるため、熱膨張差による応力を緩和し、配線導体層４と貫通導体５との界面の剥離を抑制することができる。
【００３０】
また、図１において絶縁層３として、第１の絶縁層３ａと第２の絶縁層３ｂとが形成されており、第１の絶縁層３ａの表面には配線導体層４が配設されている。そして、配線導体層４を多層配線部の最上層となる第２の絶縁層３ｂの上方に導出するため、配線基板１には貫通導体５が形成されている。
【００３１】
配線導体層４は、銅（Ｃｕ），金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ）およびそれらの合金等の金属材料から成り、スパッタリング法，蒸着法，めっき法等の薄膜形成技術によって形成することができる。このような配線導体層４は、絶縁基板２上に形成された第１の配線導体層４ａや絶縁層３上に形成された第２の配線導体層４ｂを含み、これら第１、第２の配線導体層４ａ、４ｂは同じ構成であっても異なる構成であってもよい。
【００３２】
また、絶縁基板２上に形成される第１の配線導体層４ａの具体的な構成は、例えば、絶縁基板２がセラミックスから成る場合は、Ｔｉ，Ｃｒ，タンタル（Ｔａ）等からなる密着金属層、白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ），Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｔｉ−Ｗ合金等からなる拡散防止層、Ｃｕ，Ａｕ等からなる主導体層を順次積層した３層構造等が挙げられる。
【００３３】
さらに、このような密着金属層の厚みは０．０１〜０．５μｍが好ましい。０．０１μｍ未満では絶縁基板２に密着金属層を強固に密着させることが困難と成る傾向があり、０．５μｍより大きいと、成膜時の内部応力によって、絶縁基板２から剥離しやすくなる。
【００３４】
また、拡散防止層の厚みは０．１〜０．５μｍであるのがよい。０．１μｍ未満では密着金属層に拡散防止層を強固に密着させ難く成り、０．５μｍより大きいと、成膜時の内部応力によって、密着金属層から剥離しやすくなる。
【００３５】
また、主導体層の厚みは０．１〜２μｍがよい。０．１μｍ未満では拡散防止層と主導体層を強固に接続させ難く、２μｍより大きいと、成膜時の内部応力によって、拡散防止層から剥離しやすくなる。
【００３６】
さらに、接続信頼性および耐環境信頼性の観点から主導体層の上にＮｉやＡｕを被着するとよい。
【００３７】
また、絶縁層３の上に形成される第２の配線導体層４ｂの具体的な構成は、例えば、銅層を形成し、次にＣｒ，Ｍｏ，Ｔｉ等から成る拡散防止層を順次積層した２層構造等が挙げられる。
【００３８】
また、貫通導体５はＣｕ，Ａｌ等の導電材料から成り、例えば、レーザ等を使い、所望の位置の第１、第２の絶縁層３ａ，３ｂを除去することにより貫通孔を形成し、そこに導電材料を充填して形成する。特に、貫通孔の開口径が小さい場合は、紫外線レーザ等で貫通孔を形成するのがよい。
【００３９】
また、貫通導体５の表面および内部の少なくとも一方は、貫通導体５よりもヤング率の高い支持部材６を有している。このような支持部材６は、例えば、Ｎｉ，鉄（Ｆｅ），Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属材料や、ガラス、セラミックス等の絶縁性材料、金属粉末または無機粉末を含有した樹脂、またはこれらの複合材料等で形成される。
【００４０】
また、支持部材６は絶縁体であってもよく、また、導電率が０〜１０×１０６ジーメンス/ｍと低いものであってもよい。この場合、配線導体層４や貫通導体５を通過する電気信号に与える影響を非常に少なくすることができ、電気特性に優れた配線基板とすることができる。なお、このような場合にも、貫通導体５は導通するように形成されている。
【００４１】
そして、本発明の配線基板１は支持部材６を有することによって、例えば、ワイヤ状のプローブピン７を貫通導体の導出部５ａに、ワイヤーボンディング技術を用いて高温状態で加重をかけて接続する場合、貫通導体５が絶縁層３の内方へ沈み込もうとしても、貫通導体５の変形を抑制することができる。このように貫通導体５の沈み込みが抑制されると、貫通導体の導出部５ａにプローブピン７を接続する際に、プローブピン７を貫通導体の導出部５ａに押し付ける力を十分に貫通導体の導出部５ａに伝えることができる。このため、貫通導体の導出部５ａの表面に形成された酸化膜をプローブピン７で擦りつけて除去し、プローブピン７と貫通導体の導出部５ａとを接合することができるため、プローブピン７と貫通導体の導出部５ａとの接続を強固なものとすることができる。
【００４２】
また、例えば、半導体素子の電極をワイヤーボンディング法により貫通導体の導出部５ａに接続する場合にも、貫通導体５よりもヤング率の高い支持部材６が形成されていることにより、貫通導体５の変形が抑制される。この結果、配線基板と半導体素子の電極とを接続するワイヤ等を貫通導体５に押し付ける力が、十分に貫通導体５に加えられ、ワイヤ等と貫通導体の導出部５ａとを強固に接続することができる。
【００４３】
ここで、支持部材６のヤング率は、貫通導体５のヤング率の１．５倍以上３倍以下であるのが好ましい。１．５倍未満であると、支持部材６で貫通導体５の変形を十分に抑制し難く、３倍より大きいと、貫通導体５が変形しようとする力を緩和しにくい。
【００４４】
また、好ましくは、支持部材６はヤング率が１３ＧＰａ以上の材料から成るのがよい。支持部材６のヤング率が１３ＧＰａ未満であると、支持部材６による導体バンプやプローブを接続するための配線導体層４の沈み込みを防止する効果が小さくなりやすい。ここで、ヤング率とは、圧縮弾性率ともよばれており、物体に変形を与えた時の応力とひずみの関係を示す指数である。なお、支持部材６および貫通導体５のヤング率はＪＩＳ規格Ｚ２２８０を用いて測定した。
【００４５】
また、支持部材６は貫通導体５のどの位置に設けられていてもよく、貫通導体５の上下面や側面の表面の一部、あるいは貫通導体５の内部の一部に設けられていてもよい。例えば、図２に示すように貫通導体５の側面の全周に支持部材６が設けられると、プローブピン７やワイヤ、バンプ等が貫通導体の導出部５ａに接続され、貫通導体５が沈み込もうとしても、貫通導体５の表面全周に設けられた支持部材６によって貫通導体５の沈み込みが抑制でき、プローブピン７やワイヤ、バンプ等と貫通導体の導出部５ａとを強固に接続することができるため好ましい。
【００４６】
また、好ましくは、プローブピン７の直下や、半導体素子の電極に電気的に接続されたワイヤやバンプ等の部材の直下に設けられるのがよい。このような位置に形成することで、プローブピン７やワイヤ、バンプ等が貫通導体の導出部５ａに接続される際に、より貫通導体の変形を抑制することができ、貫通導体５が沈み込むのをさらに抑制することができる。
【００４７】
また、さらに好ましくは、支持部材６は絶縁層３の層方向に略平行となるよう層状に形成されるのがよい。このように支持部材６が形成されることにより、たとえ貫通導体５に接続されるプローブピン７や半導体素子が位置ズレを起こし、プローブピン７や半導体素子によって貫通導体に加えられる負荷の位置が変わっても、負荷が加わることによって生じる貫通導体５の沈み込みを抑制することができる。ここで、略平行とは、絶縁層３の層方向に対して０度以上１０度以下の傾斜を意味し、より好ましくは０度以上５度以下で傾斜すると、貫通導体の導出部５ａから支持部材６までの深さがほぼ一定となり、上からプローブピン７等によって押し付けられる力を均一にすることができるため一部に加重がかかりすぎることがなく、好ましい。
【００４８】
また、支持部材６は、貫通導体５の横断面積の半分以上を占めるように形成されるのが好ましく、さらに、貫通導体５の中央部に形成されるのが好ましい。このように形成されることで、たとえプローブピン７等の部材が貫通導体の導出部５ａのどのような位置に接続されても、さらには接触後に位置ズレを起こしたとしても、プローブピン７等の接続される位置は、支持部材６の形成される位置から離れすぎることがなく、よって、貫通導体５の沈み込みをさらに抑制することができる。
【００４９】
また、支持部材６が導電材料からなる場合、さらに好ましくは、支持部材６は、図３に示すように貫通導体５の横断面の全面に形成されるのがよい。このように支持部材６を全面に形成することで、どのような位置にプローブピン７や半導体素子等が位置ズレを起こしても、貫通導体５の沈み込みを抑制することができる。
【００５０】
次に、本発明の配線基板１の製造方法例を示す。例えば、まず、上述したような絶縁基板２を準備し、めっき法やスパッタリング法、真空蒸着法等によってＴｉ等から成る密着金属層、Ｔｉ−Ｗ等から成る拡散防止層、Ｃｕ等から成る主導体層を順次成膜し、フォトリソグラフィ法およびエッチング法によりパターン加工して第１の配線導体層４ａを形成する。次に、絶縁基板１と第１の配線導体層４ａの上に第１の絶縁層３ａを積層し、その後、レーザ等を用いて所望の位置の第１の絶縁層３ａを除去して貫通孔Ａを形成する。そして、第１の絶縁層３ａに、第１の配線導体層４ａを形成した要領等で第２の配線導体層４ｂを形成し、第１の配線導体層４ａと第２の配線導体層４ｂとを貫通孔Ａを通るビアで導通する。次に、第１の絶縁層３ａと第２の配線導体層４ｂの上に第２の絶縁層３ｂを形成する。そして、第２の絶縁層３ｂの所望の位置に貫通孔Ｂをレーザ等を用いて形成し、貫通導体５を形成する材料Ｍを貫通孔Ｂ中に、スパッタリング法や真空蒸着法、めっき法等を用いて形成する。その後、支持部材６となる金属材料や、絶縁性材料、金属粉末または無機粉末を含有した樹脂、またはこれらの複合材料等を、貫通孔Ｂに形成された材料Ｍの上にスパッタリング法や真空蒸着法、めっき法等を用いて載置し、さらにその上に貫通導体５となる材料Ｍをスパッタリング法や真空蒸着法、めっき法等で形成する。このようにして図１に示すような、貫通導体５よりもヤング率の高い支持部材６を貫通導体５の内部に有する配線基板１を形成することができる。
【００５１】
かくして、本発明の配線基板１によれば、多層配線部の最上層の第２の絶縁層３の表面に露出した貫通導体５の上面に、半導体集積回路の導体バンプ等を実装するとともに、配線基板１を外部電気回路に電気的に接続することによって半導体装置となる。
【００５２】
あるいは、貫通導体５の上面にプローブピン７を接続し、配線基板１を外部電気回路に電気的および機械的に接続することによって、半導体集積回路等の電気的な検査をするためのプローブカードとなる。
【００５３】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００５４】
例えば、上述の例においては、絶縁層３は絶縁フィルム層と絶縁性接着剤層との２層構造のものを多層に積層したが、絶縁フィルム層を挟んで上下に絶縁性接着剤層を形成したものを多層に積層してもよい。
【００５５】
また絶縁層３は第１の絶縁層３ａと第２の絶縁層３ｂとの２層構造としたが、さらに多層に形成してもよく、貫通孔Ａや貫通孔Ｂの形成される絶縁層３についても一層だけに限定されず種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図３】本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図４】従来の配線基板の断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１：配線基板
２：絶縁基板
３：絶縁層
４：配線導体層
５：貫通導体
６：支持部材
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板に関し、より詳細には半導体素子集積回路素子を収容する半導体素子収納用パッケージや、半導体集積回路等の電気的特性を一括して測定検査するためのプローブカード等に用いられる配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、配線基板は半導体装置やプローブカード等に用いられている。
【０００３】
半導体装置は、半導体素子がワイヤーボンディングやフリップチップ方式によって配線基板表面の配線導体に電気的に接続され、その後、半導体素子が樹脂封止された状態で、または、半導体素子が配線基板と枠体と蓋体とからなる容器内に収納封止された状態で、外部の回路基板等に実装されている。
【０００４】
また、プローブカードは、表面に複数のプローブ電極を有する配線基板で形成され、ワイヤ状のプローブをワイヤーボンディング法を用いて複数のプローブ電極に接続することにより形成されている。このようなプローブカードは、半導体ウェハ上に形成されている複数のチップに形成された電極にプローブピンを接触させることにより、一括してバーンイン等の検査を行うことができるものである。
【０００５】
近年、半導体素子収納用パッケージやプローブカード等に使われる配線基板の構成は、プリント配線板から、基板の上面に薄膜の絶縁層と配線導体層とから成る多層配線部を形成したビルドアップ方式の配線基板へと移り変わってきている。
【０００６】
従来のプローブカード等に用いられる配線基板を図４に示す。図４において、１１は配線基板、１２は絶縁基板、１３は絶縁層（１３ａを第１の絶縁層、１３ｂを第２の絶縁層とする）、１４は配線導体層（１４ａを第１の配線導体、１４ｂを第２の配線導体とする）、１５は貫通導体、１５ａは貫通導体の導出部、１７はプローブピンを示す。
【０００７】
この配線基板１１は、絶縁基板１２の上面に配線導体１４と絶縁層１３とから成る多層配線部を有しており、貫通導体１５は配線導体１４を絶縁層１３の最上層に位置する第２の絶縁層１３ｂの上面に導出している。そして、プローブピン１７と貫通導体の導出部15ａとが接続されることによって、配線基板１１とプローブピン１７とが電気的に接続された配線基板となる。
【特許文献１】特開平１１−１６０３５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、プローブカードにおいて、プローブピンを配線基板に接続する際には、一般的にワイヤーボンディング技術を用い、また、半導体装置において、半導体素子を配線基板に接続する際にはワイヤーボンディング法やフリップチップボンディング法を用いる。
【０００９】
しかしながら、プローブカードの場合、ワイヤーボンディング法を用いて、ワイヤ状のプローブピン１７を貫通導体の導出部１５ａに接続する際には、高温状態で加重をかけながら貫通導体の導出部１５ａにプローブピン１７を擦りつけ接着させるため、上記従来の配線基板では、貫通導体１５下方に位置する樹脂から成る絶縁層１３ａが熱の影響により柔らかくなって貫通導体１５が変形し、貫通導体の導出部１５ａが絶縁層１３の内方へ沈み込むという問題があった。また、接続時にプローブピン１７を貫通導体の導出部１５ａに押し付ける際に負荷をかけるため、貫通導体１５が変形して絶縁層１３の内方へさらに押し込まれるという問題があった。この結果、プローブピン１７と貫通導体の導出部１５ａとがボンディングされる接続強度が弱くなり、プローブピン１７と貫通導体の導出部１５ａとの接続を強固に維持できないという問題があった。
【００１０】
また、半導体装置の場合においても、半導体素子の電極に電気的に接続されたワイヤをワイヤーボンディング法によって貫通導体の導出部１５ａに接続する際、ワイヤ状のプローブピン１７を貫通導体の導出部１５ａに接続する場合と同様、接続時の熱や押し付けの負荷により、ワイヤと貫通導体の導出部１５ａとの接続を強固に維持できないという問題が生じていた。
【００１１】
また、半導体素子の電極をフリップチップボンディング法で貫通導体１５に接続する場合にも、半導体素子に形成したバンプを貫通導体の導出部１５ａに接続する際に熱をかけて接続する。このため、貫通導体１５下方に位置する樹脂からなる絶縁層１３ａが熱の影響により柔らかくなって貫通導体１５が変形し、その結果ボンディング時に熱膨張による歪みが生じ、接続の信頼性を高く保てないという問題もあった。
【００１２】
従って、本発明は上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、貫通導体と、貫通導体の導出部に接続されるプローブピンなどの部材との接続を強固に保ち、高信頼性を有する配線基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の配線基板は、絶縁基板上に、配線導体と絶縁層とを順次形成するとともに、該絶縁層中に、前記配線導体と電気的に接続される貫通導体を、上端が前記絶縁層の上面側に導出するように形成してなる配線基板において、前記貫通導体の表面および内部の少なくとも一方に、前記貫通導体よりもヤング率の高い支持部材を形成したことを特徴とする。
【００１４】
本発明の配線基板において好ましくは、前記支持部材を前記絶縁層の層方向に略平行となるよう層状に形成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の配線基板は、貫通導体の表面および内部の少なくとも一方に、貫通導体よりもヤング率の高い支持部材を形成したことにより、貫通導体と、貫通導体の導出部に接続されるプローブピンやワイヤ、バンプ等の部材との接続を強固に維持することができる。例えば、ワイヤーボンディング技術を用いてワイヤ状のプローブ等を貫通導体の導出部に接続する場合、高温状態でワイヤ状のプローブ等に加重をかけ、ワイヤ状のプローブ等を貫通導体の導出部に押し付ける。この時、押し付けられる力や熱によって貫通導体が絶縁層の内方へ沈み込もうとしても、貫通導体よりもヤング率の高い支持部材により貫通導体の変形を抑制することができる。この結果、熱で絶縁層が柔らかくなり、貫通導体が変形して生じる貫通導体の沈み込みや、プローブ等が貫通導体の導出部に押し付けられる負荷によって生じる貫通導体の沈み込みはともに抑制され、プローブ等を貫通導体の導出部に接続するための加重を十分に貫通導体の導出部に加えて接触させることができる。よって、貫通導体の沈み込みを抑制し、プローブ等と貫通導体の導出部とを大きな接続強度で接続できる配線基板とすることができる。
【００１６】
また、例えば、半導体素子等を貫通導体の導出部にワイヤーボンディング法を用いて接続する場合にも同様の効果が得られる。すなわち、従来では半導体素子等を貫通導体の導出部にワイヤーボンディングすると、貫通導体が絶縁体の内方へ沈み込み、半導体素子の電極に電気的に接続されたワイヤと貫通導体とを強い接着強度で接続することができなかったが、本発明では貫通導体の表面および内部の少なくとも一方に貫通導体よりもヤング率の高い支持部材を設けたことにより、貫通導体の変形を抑制できる。よって、半導体素子の電極等と貫通導体の導出部とをボンディングするワイヤによって加重される力が貫通導体に十分伝わり、半導体素子の電極等と貫通導体とを強い強度で接着することができる。
【００１７】
また、半導体素子等をフリップチップ技術を用いて貫通導体に接続する際に、熱によって貫通導体下方に位置する樹脂からなる絶縁層が柔らかくなったとしても、貫通導体よりもヤング率の高い支持部材によって貫通導体の変形を抑制できる。よって、ボンディング時に従来生じていた熱膨張による歪みを抑制でき、半導体素子の電極等との接続の信頼性を高く保つことができる配線基板とすることができる。
【００１８】
本発明の配線基板は、支持部材を絶縁層の層方向に略平行となるよう層状に形成したことにより、たとえ貫通導体に接続されるプローブピンや半導体素子が位置ズレを起こし、プローブピンや半導体素子によって貫通導体に加えられる負荷の位置が変わっても、負荷が加わることによって生じる貫通導体の沈み込みを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面に基づいて本発明の多層配線基板を詳細に説明する。
【００２０】
図１は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。図１において、１は配線基板、２は絶縁基板、３は絶縁層（３ａを第１の絶縁層、３ｂを第２の絶縁層とする）、４は配線導体層（４ａを第１の配線導体層、４ｂを第２の配線導体層とする）、５は貫通導体、５ａは貫通導体の導出部、６は支持部材、７はプローブピンである。
【００２１】
図１の配線基板は、絶縁基板２上に、配線導体４と、絶縁層３とを順次形成し、絶縁層３中に、配線導体層４と電気的に接続される貫通導体５を、上端が絶縁層３の上面側に導出するように形成しており、貫通導体５の表面および内部の少なくとも一方に、貫通導体５よりもヤング率の高い支持部材６を形成している。
【００２２】
絶縁基板２は、その上面に絶縁層３と配線導体層４とを多層に積層した多層配線部が配設されており、この多層配線部を支持する支持体として機能する。
【００２３】
絶縁基板２は、酸化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、ガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂、あるいはガラス繊維から成る基材にビスマレイミドトリアジン樹脂を含浸させたもの等の電気絶縁材料で形成されている。なお、非酸化物系セラミックスの表面には酸化物が形成されていてもよい。
【００２４】
絶縁基板２が、例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合には、アルミナ，シリカ，カルシア，マグネシア等の原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれをドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温（約１６００℃）で焼成することによって製作される。あるいは、アルミナ等の原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して原料粉末を調製するとともにこの原料粉末をプレス成形機によって所定形状に成形し、最後にこの成形体を高温（約１６００℃）で焼成することによって製作される。また、ガラスエポキシ樹脂から成る場合は、例えばガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって製作される。
【００２５】
また、絶縁基板２には、その上面に複数の絶縁層３と配線導体層４とを多層に積層した多層配線部が配設されている。絶縁層３は上下に位置する配線導体層４を電気的に絶縁し、配線導体層４は電気信号を伝達するための伝達路として機能する。
【００２６】
多層配線部の絶縁層３は、例えば、絶縁フィルム層と絶縁性接着剤層とから構成されており、絶縁フィルム層はポリイミド樹脂，ポリフェニレンサルファイド樹脂，全芳香族ポリエステル樹脂，フッ素樹脂等から成る。また、絶縁性接着剤層はシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂，シロキサン変性ポリイミド樹脂，ポリイミド樹脂,ビスマレイミドトリアジン樹脂等から成る。
【００２７】
絶縁層３は、例えば、まず１２．５〜５０μｍ程度の絶縁フィルムに絶縁性接着剤をドクターブレード法等を用いて乾燥厚みで５〜２０μｍ程度に塗布し乾燥させたものを準備し、次に、絶縁性接着剤を塗布した絶縁フィルム層を積み重ね、加熱プレス装置を用いて加熱加圧し接着することによって得られる。
【００２８】
また、絶縁層３に用いられる絶縁フィルム層と絶縁性接着剤層の組み合わせは、例えば、絶縁フィルム層をポリイミド樹脂とし、絶縁性接着剤層をシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂とする組み合わせが挙げられる。シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂とポリイミド樹脂との接着性は良好であり、かつ耐熱性が高いため、多層配線基板をプリント基板等に実装する際の耐半田耐熱性等が良好なものとすることができる。
【００２９】
また、好ましくは絶縁フィルム層をポリイミド樹脂とし、絶縁性接着剤層を絶縁フィルム層よりも融点が低い熱可塑性のポリイミド樹脂とするのがよい。この場合、耐熱性がより高くなるとともに、絶縁フィルム層と絶縁性接着剤層の熱膨張係数差を小さくできるため、熱膨張差による応力を緩和し、配線導体層４と貫通導体５との界面の剥離を抑制することができる。
【００３０】
また、図１において絶縁層３として、第１の絶縁層３ａと第２の絶縁層３ｂとが形成されており、第１の絶縁層３ａの表面には配線導体層４が配設されている。そして、配線導体層４を多層配線部の最上層となる第２の絶縁層３ｂの上方に導出するため、配線基板１には貫通導体５が形成されている。
【００３１】
配線導体層４は、銅（Ｃｕ），金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ）およびそれらの合金等の金属材料から成り、スパッタリング法，蒸着法，めっき法等の薄膜形成技術によって形成することができる。このような配線導体層４は、絶縁基板２上に形成された第１の配線導体層４ａや絶縁層３上に形成された第２の配線導体層４ｂを含み、これら第１、第２の配線導体層４ａ、４ｂは同じ構成であっても異なる構成であってもよい。
【００３２】
また、絶縁基板２上に形成される第１の配線導体層４ａの具体的な構成は、例えば、絶縁基板２がセラミックスから成る場合は、Ｔｉ，Ｃｒ，タンタル（Ｔａ）等からなる密着金属層、白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ），Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｔｉ−Ｗ合金等からなる拡散防止層、Ｃｕ，Ａｕ等からなる主導体層を順次積層した３層構造等が挙げられる。
【００３３】
さらに、このような密着金属層の厚みは０．０１〜０．５μｍが好ましい。０．０１μｍ未満では絶縁基板２に密着金属層を強固に密着させることが困難と成る傾向があり、０．５μｍより大きいと、成膜時の内部応力によって、絶縁基板２から剥離しやすくなる。
【００３４】
また、拡散防止層の厚みは０．１〜０．５μｍであるのがよい。０．１μｍ未満では密着金属層に拡散防止層を強固に密着させ難く成り、０．５μｍより大きいと、成膜時の内部応力によって、密着金属層から剥離しやすくなる。
【００３５】
また、主導体層の厚みは０．１〜２μｍがよい。０．１μｍ未満では拡散防止層と主導体層を強固に接続させ難く、２μｍより大きいと、成膜時の内部応力によって、拡散防止層から剥離しやすくなる。
【００３６】
さらに、接続信頼性および耐環境信頼性の観点から主導体層の上にＮｉやＡｕを被着するとよい。
【００３７】
また、絶縁層３の上に形成される第２の配線導体層４ｂの具体的な構成は、例えば、銅層を形成し、次にＣｒ，Ｍｏ，Ｔｉ等から成る拡散防止層を順次積層した２層構造等が挙げられる。
【００３８】
また、貫通導体５はＣｕ，Ａｌ等の導電材料から成り、例えば、レーザ等を使い、所望の位置の第１、第２の絶縁層３ａ，３ｂを除去することにより貫通孔を形成し、そこに導電材料を充填して形成する。特に、貫通孔の開口径が小さい場合は、紫外線レーザ等で貫通孔を形成するのがよい。
【００３９】
また、貫通導体５の表面および内部の少なくとも一方は、貫通導体５よりもヤング率の高い支持部材６を有している。このような支持部材６は、例えば、Ｎｉ，鉄（Ｆｅ），Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属材料や、ガラス、セラミックス等の絶縁性材料、金属粉末または無機粉末を含有した樹脂、またはこれらの複合材料等で形成される。
【００４０】
また、支持部材６は絶縁体であってもよく、また、導電率が０〜１０×１０６ジーメンス/ｍと低いものであってもよい。この場合、配線導体層４や貫通導体５を通過する電気信号に与える影響を非常に少なくすることができ、電気特性に優れた配線基板とすることができる。なお、このような場合にも、貫通導体５は導通するように形成されている。
【００４１】
そして、本発明の配線基板１は支持部材６を有することによって、例えば、ワイヤ状のプローブピン７を貫通導体の導出部５ａに、ワイヤーボンディング技術を用いて高温状態で加重をかけて接続する場合、貫通導体５が絶縁層３の内方へ沈み込もうとしても、貫通導体５の変形を抑制することができる。このように貫通導体５の沈み込みが抑制されると、貫通導体の導出部５ａにプローブピン７を接続する際に、プローブピン７を貫通導体の導出部５ａに押し付ける力を十分に貫通導体の導出部５ａに伝えることができる。このため、貫通導体の導出部５ａの表面に形成された酸化膜をプローブピン７で擦りつけて除去し、プローブピン７と貫通導体の導出部５ａとを接合することができるため、プローブピン７と貫通導体の導出部５ａとの接続を強固なものとすることができる。
【００４２】
また、例えば、半導体素子の電極をワイヤーボンディング法により貫通導体の導出部５ａに接続する場合にも、貫通導体５よりもヤング率の高い支持部材６が形成されていることにより、貫通導体５の変形が抑制される。この結果、配線基板と半導体素子の電極とを接続するワイヤ等を貫通導体５に押し付ける力が、十分に貫通導体５に加えられ、ワイヤ等と貫通導体の導出部５ａとを強固に接続することができる。
【００４３】
ここで、支持部材６のヤング率は、貫通導体５のヤング率の１．５倍以上３倍以下であるのが好ましい。１．５倍未満であると、支持部材６で貫通導体５の変形を十分に抑制し難く、３倍より大きいと、貫通導体５が変形しようとする力を緩和しにくい。
【００４４】
また、好ましくは、支持部材６はヤング率が１３ＧＰａ以上の材料から成るのがよい。支持部材６のヤング率が１３ＧＰａ未満であると、支持部材６による導体バンプやプローブを接続するための配線導体層４の沈み込みを防止する効果が小さくなりやすい。ここで、ヤング率とは、圧縮弾性率ともよばれており、物体に変形を与えた時の応力とひずみの関係を示す指数である。なお、支持部材６および貫通導体５のヤング率はＪＩＳ規格Ｚ２２８０を用いて測定した。
【００４５】
また、支持部材６は貫通導体５のどの位置に設けられていてもよく、貫通導体５の上下面や側面の表面の一部、あるいは貫通導体５の内部の一部に設けられていてもよい。例えば、図２に示すように貫通導体５の側面の全周に支持部材６が設けられると、プローブピン７やワイヤ、バンプ等が貫通導体の導出部５ａに接続され、貫通導体５が沈み込もうとしても、貫通導体５の表面全周に設けられた支持部材６によって貫通導体５の沈み込みが抑制でき、プローブピン７やワイヤ、バンプ等と貫通導体の導出部５ａとを強固に接続することができるため好ましい。
【００４６】
また、好ましくは、プローブピン７の直下や、半導体素子の電極に電気的に接続されたワイヤやバンプ等の部材の直下に設けられるのがよい。このような位置に形成することで、プローブピン７やワイヤ、バンプ等が貫通導体の導出部５ａに接続される際に、より貫通導体の変形を抑制することができ、貫通導体５が沈み込むのをさらに抑制することができる。
【００４７】
また、さらに好ましくは、支持部材６は絶縁層３の層方向に略平行となるよう層状に形成されるのがよい。このように支持部材６が形成されることにより、たとえ貫通導体５に接続されるプローブピン７や半導体素子が位置ズレを起こし、プローブピン７や半導体素子によって貫通導体に加えられる負荷の位置が変わっても、負荷が加わることによって生じる貫通導体５の沈み込みを抑制することができる。ここで、略平行とは、絶縁層３の層方向に対して０度以上１０度以下の傾斜を意味し、より好ましくは０度以上５度以下で傾斜すると、貫通導体の導出部５ａから支持部材６までの深さがほぼ一定となり、上からプローブピン７等によって押し付けられる力を均一にすることができるため一部に加重がかかりすぎることがなく、好ましい。
【００４８】
また、支持部材６は、貫通導体５の横断面積の半分以上を占めるように形成されるのが好ましく、さらに、貫通導体５の中央部に形成されるのが好ましい。このように形成されることで、たとえプローブピン７等の部材が貫通導体の導出部５ａのどのような位置に接続されても、さらには接触後に位置ズレを起こしたとしても、プローブピン７等の接続される位置は、支持部材６の形成される位置から離れすぎることがなく、よって、貫通導体５の沈み込みをさらに抑制することができる。
【００４９】
また、支持部材６が導電材料からなる場合、さらに好ましくは、支持部材６は、図３に示すように貫通導体５の横断面の全面に形成されるのがよい。このように支持部材６を全面に形成することで、どのような位置にプローブピン７や半導体素子等が位置ズレを起こしても、貫通導体５の沈み込みを抑制することができる。
【００５０】
次に、本発明の配線基板１の製造方法例を示す。例えば、まず、上述したような絶縁基板２を準備し、めっき法やスパッタリング法、真空蒸着法等によってＴｉ等から成る密着金属層、Ｔｉ−Ｗ等から成る拡散防止層、Ｃｕ等から成る主導体層を順次成膜し、フォトリソグラフィ法およびエッチング法によりパターン加工して第１の配線導体層４ａを形成する。次に、絶縁基板１と第１の配線導体層４ａの上に第１の絶縁層３ａを積層し、その後、レーザ等を用いて所望の位置の第１の絶縁層３ａを除去して貫通孔Ａを形成する。そして、第１の絶縁層３ａに、第１の配線導体層４ａを形成した要領等で第２の配線導体層４ｂを形成し、第１の配線導体層４ａと第２の配線導体層４ｂとを貫通孔Ａを通るビアで導通する。次に、第１の絶縁層３ａと第２の配線導体層４ｂの上に第２の絶縁層３ｂを形成する。そして、第２の絶縁層３ｂの所望の位置に貫通孔Ｂをレーザ等を用いて形成し、貫通導体５を形成する材料Ｍを貫通孔Ｂ中に、スパッタリング法や真空蒸着法、めっき法等を用いて形成する。その後、支持部材６となる金属材料や、絶縁性材料、金属粉末または無機粉末を含有した樹脂、またはこれらの複合材料等を、貫通孔Ｂに形成された材料Ｍの上にスパッタリング法や真空蒸着法、めっき法等を用いて載置し、さらにその上に貫通導体５となる材料Ｍをスパッタリング法や真空蒸着法、めっき法等で形成する。このようにして図１に示すような、貫通導体５よりもヤング率の高い支持部材６を貫通導体５の内部に有する配線基板１を形成することができる。
【００５１】
かくして、本発明の配線基板１によれば、多層配線部の最上層の第２の絶縁層３の表面に露出した貫通導体５の上面に、半導体集積回路の導体バンプ等を実装するとともに、配線基板１を外部電気回路に電気的に接続することによって半導体装置となる。
【００５２】
あるいは、貫通導体５の上面にプローブピン７を接続し、配線基板１を外部電気回路に電気的および機械的に接続することによって、半導体集積回路等の電気的な検査をするためのプローブカードとなる。
【００５３】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００５４】
例えば、上述の例においては、絶縁層３は絶縁フィルム層と絶縁性接着剤層との２層構造のものを多層に積層したが、絶縁フィルム層を挟んで上下に絶縁性接着剤層を形成したものを多層に積層してもよい。
【００５５】
また絶縁層３は第１の絶縁層３ａと第２の絶縁層３ｂとの２層構造としたが、さらに多層に形成してもよく、貫通孔Ａや貫通孔Ｂの形成される絶縁層３についても一層だけに限定されず種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図３】本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図４】従来の配線基板の断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１：配線基板
２：絶縁基板
３：絶縁層
４：配線導体層
５：貫通導体
６：支持部材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に、配線導体と絶縁層とを順次形成するとともに、該絶縁層中に、前記配線導体と電気的に接続される貫通導体を、上端が前記絶縁層の上面側に導出するように形成してなる配線基板において、前記貫通導体の表面および内部の少なくとも一方に、前記貫通導体よりもヤング率の高い支持部材を形成したことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記支持部材を前記絶縁層の層方向に略平行となるよう層状に形成したことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項１】
絶縁基板上に、配線導体と絶縁層とを順次形成するとともに、該絶縁層中に、前記配線導体と電気的に接続される貫通導体を、上端が前記絶縁層の上面側に導出するように形成してなる配線基板において、前記貫通導体の表面および内部の少なくとも一方に、前記貫通導体よりもヤング率の高い支持部材を形成したことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記支持部材を前記絶縁層の層方向に略平行となるよう層状に形成したことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００６−３００８３８（Ｐ２００６−３００８３８Ａ）
【公開日】平成１８年１１月２日（２００６．１１．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１２５６６８（Ｐ２００５−１２５６６８）
【出願日】平成１７年４月２２日（２００５．４．２２）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１１月２日（２００６．１１．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年４月２２日（２００５．４．２２）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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